TWI679081B - 載體、遮罩裝置、真空系統及操作一真空系統之方法 - Google Patents

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Abstract

一種用以於一真空系統中使用之載體(20)係說明。載體(20)包括：一磁鐵配置(30)，包括一或多個第一永久磁鐵(32)；一或多個第二永久磁鐵(34)；及一磁鐵裝置(36)，裝配以改變此一或多個第一永久磁鐵之一磁化。載體可使用於在真空系統中運載一遮罩裝置或一基板。再者，一種真空系統(200)及一種操作一真空系統之方法係說明。

Description

載體、遮罩裝置、真空系統及操作一真空系統之方法
本揭露之數個實施例是有關於一種用以於一真空系統中使用之載體，及特別是一種用以於一真空系統中沿著一傳送路徑運載一遮罩裝置或一基板之載體。更特別是，一種用於一真空沈積系統之遮罩載體或基板載體係說明。再者，一種用以遮蔽於一基板上之沈積的遮罩裝置係說明。數個實施例係更有關於一種真空系統，特別是一種包括一沈積設備之真空系統。此沈積設備用以沈積一已蒸發材料於一基板上。其他實施例係有關於數種操作一真空系統之方法。
使用有機材料之光電裝置係因為許多原因而變得更受歡迎。使用來製造此種裝置之許多材料係相對地便宜，所以有機光電裝置具有超越無機裝置之成本優勢之潛力。有機材料之固有特性可有利於數種應用，此些應用例如是用於沈積於撓性或非撓性基板上。有機材料之固有特性例如是它們的撓性。有機光電裝置之例子包括有機發光二極體 (organic light emitting devices，OLEDs)、有機光電晶體、有機光伏電池、及有機光偵測器。
對於OLEDs來說，有機材料可具有超越傳統材料之表現優勢。舉例來說，有機發光層發光之波長可利用適當之摻雜劑輕易地調整。OLEDs係使用薄有機膜，薄有機膜係在供應此裝置電壓時發光。針對使用於例如是平板顯示器、發光、及背光之應用來說，OLEDs係變成令人更加感興趣之技術。
在次大氣壓力(sub-atmospheric pressure)下，材料一般係於真空系統中沈積於基板上，特別是有機材料。在沈積期間，遮罩裝置可配置於基板之前方，其中遮罩裝置可具有數個開孔，此些開孔係定義開孔圖案，開孔圖案係對應於將沈積於基板上之材料圖案，沈積舉例為藉由蒸發執行。基板一般係在沈積期間配置於遮罩裝置之後方且相對於遮罩裝置對準。
載體可使用於在真空系統中沿著遮罩及基板傳送路徑運載遮罩裝置及/或基板。舉例來說，遮罩載體可使用以傳送遮罩裝置至真空系統之沈積腔室中，及基板載體可使用以傳送基板至沈積腔室中。貼附遮罩裝置及基板至載體及從載體拆開遮罩裝置及基板可能困難且耗費時間。舉例來說，特別是在真空下，使用例如是螺絲之固定元件來貼附遮罩裝置於載體可能伴隨耗費時間及複雜之缺點。
因此，用以在真空系統中快速且有效率之遮罩及基板處理的方法及系統係有需求的。特別是，在真空系統中利用載體來簡化及加速遮罩及基板傳送及交換會為有利的。
有鑑於上述，提出一種用以於一真空系統中使用之載體、一種遮罩裝置、一種真空系統、及數種操作一真空系統之方法。
根據本揭露之一方面，提出一種用以於一真空系統中使用之載體。載體包括一磁鐵配置，包括一或多個第一永久磁鐵；一或多個第二永久磁鐵；及一磁鐵裝置，裝配以改變此一或多個第一永久磁鐵之一磁化。
於一些實施例中，磁鐵配置係為一電永磁鐵配置。
根據本揭露之其他方面，提出一種遮罩裝置，裝配以用於遮蔽於一基板上之沈積。遮罩裝置包括一電永磁鐵配置。
根據本揭露之其他方面，提出一種真空系統。真空系統包括一載體傳送系統，裝配以用於在真空系統中沿著一載體傳送路徑傳送一載體；以及一移交組件，裝配以利用一磁鐵配置貼附一遮罩裝置或一基板至載體或從載體拆開遮罩裝置或基板，特別是利用一電永磁鐵配置。
根據本揭露之其他方面，提出一種操作一真空系統之方法。此方法包括當一遮罩裝置或一基板係由一磁鐵配置產生之一磁力支承於一載體時，於真空系統中沿著一載體傳送路徑傳送載體。磁力特別是由一電永磁鐵配置產生。
本揭露之其他方面、優點及特徵係透過說明及所附圖式更為清楚。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
詳細的參照將以數種實施例達成，數種實施例的一或多個例子係繪示於圖式中。各例子係藉由說明的方式提供且不意味為一限制。舉例來說，所說明或敘述而做為一實施例之部份之特徵可用於任何其他實施例或與任何其他實施例結合，以取得進一步之實施例。此意指本揭露包括此些調整及變化。
在圖式之下方說明中，相同之參考編號係意指相同或類似之元件。一般來說，只有有關於個別實施例之相異處係進行說明。除非另有說明，一實施例中之一部份或方面之說明係亦應用於另一實施例中之對應部份或方面。
第1圖繪示根據此處所述實施例之用以於真空系統中使用之載體20之透視圖。如此處所使用之「載體」可理解為ㄧ裝置，裝配以用於在真空系統中運載另一裝置，舉例為遮罩裝置或基板。於一些實施例中，載體20係為遮罩裝置，裝配以用於在真空系統中運載遮罩裝置。於一些實施例中，載體20係為基板載體，裝配以用於在真空系統中運載基板。在下文中，裝配以用於運載遮罩裝置之遮罩載體將詳細說明。然而，值得一提的是，根據此處所述數個實施例之載體可亦使用於運載基板或另一裝置。
載體20可包括載體主體21，具有支承表面25，其中遮罩裝置可支承於載體主體21之支承表面25。
於一些實施例中，載體20係裝配以於真空系統中沿著傳送路徑傳送。舉例來說，載體20可於真空系統中沿著軌道導引及可包括導引部份，導引部份係卡合於軌道。於一些實施例中，載體20可沿著傳送路徑傳送至具有沈積源之沈積腔室中及/或離開沈積腔室。特別是，載體20可使用於傳送遮罩裝置或基板至真空系統之沈積腔室中及離開真空系統之沈積腔室。
載體傳送系統可提供而用於沿著傳送路徑傳送載體。傳送系統可包括支承裝置及/或驅動單元。支承裝置例如是磁性懸浮裝置，裝配以用於升舉載體之至少一部份之重量。驅動單元係裝配以用於沿著傳送路徑移動載體。當載體之至少一部份之重量係由支承裝置運載時，驅動單元之小驅動力可足以用於移動載體。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，載體20可裝配以用於在非水平定向中支承遮罩裝置或基板，特別是在本質上垂直定向中支承遮罩裝置或基板。
如此處所使用之「本質上垂直定向」可理解為一定向，其中遮罩裝置之主表面及重力向量之間的角度係為+10°及-10°之間，特別是0°及-5°之間。於一些實施例中，在傳送期間及/或在沈積期間，遮罩裝置之定向可不為(準確)垂直，但相對於垂直軸略微地傾斜，舉例為0°及-5°之間的傾斜角，特別是-1°及-5°之間的傾斜角。負角度意指遮罩裝置之一定向，其中遮罩裝置係向下傾斜。在沈積期間，從重量向量之遮罩及基板定向之偏移可為有利的且可致使更穩定之沈積製程，或面向下之定向可在沈積期間適用於減少基板上之粒子。然而，在傳送期間及/或在沈積期間，遮罩裝置之準確垂直定向(+/-1°)亦為可行的。
在傳送期間及/或在沈積期間，重力向量及遮罩裝置之間的較大角度亦為可行的。0°及+/-80°之間的角度可理解為如此處所使用之「非水平定向」。於非水平定向中傳送遮罩裝置可節省空間且允許較小之真空腔室。
載體20可至少短暫地在傳送期間為本質上垂直定向。於本質上垂直定向中支承大面積遮罩係具有挑戰性，因為遮罩裝置可能因遮罩之重量彎折，遮罩裝置可能在抓取力不足之情況中從支承表面滑下來，及/或遮罩裝置可能相對於基板移動。基板可在沈積期間配置於遮罩裝置之後方。
載體20包括支承裝置，裝配以用於支承遮罩裝置或基板於載體主體21之支承表面25。根據此處所述之數個實施例，磁鐵配置30可提供而用於支承遮罩裝置。磁鐵配置30係裝配以產生磁力，磁力係用以吸引遮罩裝置朝向支承表面25。
相較於例如是螺絲或夾持件之機械支承裝置，提供磁鐵配置30來利用磁力支承遮罩裝置可為有利的，因為以簡單及快速之方法貼附遮罩裝置及從載體拆開遮罩裝置可為可行的。鎖緊例如是螺絲之機械支承裝置可能導致真空系統中產生小粒子，舉例為因螺絲及螺紋或貼附表面之間的摩擦之故。此些小粒子可能負面地影響真空系統中之真空條件且可能損害沈積結果。利用夾持件之連接可較易於處理，然而，特別是在貼附具有可變重量的遮罩裝置時，利用夾持件之貼附可能較不可靠。
利用磁力來貼附遮罩裝置可為有利的，因為減少小粒子產生及可改善沈積結果。再者，遮罩裝置或基板可藉由減少或停止磁力來輕易地拆開。遮罩及基板處理可簡化及加速。
特別是，根據此處所述之數個實施例，磁鐵配置30包括永久磁鐵，用以產生磁力。相較於電磁鐵，永久磁鐵可為有利的，因為永久磁鐵係產生磁力而無需電力供應。既然沒有大的電池或電源可能設置於載體上，載體之重量及複雜性可減少。考慮電力失效之情況來說，永久磁鐵係亦更可靠。再者，電磁鐵可能在使用期間升溫，而可能導致遮罩裝置局部熱膨脹。沈積可能受到負面地影響。具有用以產生磁力之永久磁鐵之磁鐵配置可為輕量及可提供準確之沈積。
根據此處所述之數個實施例，磁鐵配置30包括一或多個第一永久磁鐵、一或多個第二永久磁鐵、及磁鐵裝置。磁鐵裝置裝配以改變此一或多個第一永久磁鐵之磁化。特別是，磁鐵配置可包括電永磁鐵配置。
電永磁鐵可提供而用以產生磁力來支承遮罩裝置於載體。於一些實施例中，磁鐵配置可裝配以用於產生10 N/cm2 或更多、50 N/cm2 或更多、更特別是100 N/cm2 或更多之力。電永磁鐵配置可以快速方式啟動，及可提供而用以可靠之貼附。再者，由於磁性支承力係由永久磁鐵產生，載體可製造成輕量且易於傳送。再者，沈積準確性可改善，因為可忽略電永磁鐵配置產生熱之情況。
根據此處所述數個實施例之利用磁鐵配置貼附遮罩裝置至載體或從載體拆開遮罩裝置可非常快速地執行，舉例為在數秒中。再者，舉例為在真空系統中自動貼附及拆開可為可行的。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，載體可包括載體主體21，其中磁鐵配置30係貼附於載體主體21或與載體主體21整合。舉例來說，磁鐵配置30可連接於載體主體21或配置於載體主體21之內部體積中。磁鐵配置30可裝配，以支承遮罩裝置或基板於載體主體21之支承表面25，特別是在非水平定向中，更特別是在本質上垂直定向中。
在特別是藉由蒸發來沈積材料於基板上期間，載體20可裝配以用於支承遮罩裝置於基板之前方。已蒸發材料可從蒸汽源導引通過遮罩裝置之數個開孔而朝向基板。對應於遮罩裝置之開孔圖案之材料圖案可沈積於基板上。
於一些實施例中，載體主體21可提供有開孔22，如第1圖中所示。遮罩裝置可支撐於載體主體21之邊緣23上及可在開孔22上延伸。載體主體21之邊緣23係圍繞開孔22。換言之，相鄰於開孔22之載體主體21之邊緣23可支撐遮罩裝置於載體上。
磁鐵配置30可設置於載體主體21之邊緣23，載體主體21之邊緣23係圍繞開孔22。特別是，磁鐵配置30可整合於相鄰於開孔22之載體主體21中。因此，支撐於載體主體21之邊緣23上之遮罩裝置之邊緣可經由磁鐵配置30而朝向載體主體21吸引。
於一些實施例中，遮罩裝置可包括遮罩及遮罩框架。遮罩框架可穩定遮罩，遮罩一般為精密的元件。舉例來說，遮罩框架可以框形式圍繞遮罩。遮罩可為永久地固定於遮罩框架，舉例為藉由銲接，或遮罩可為可釋放地固定於遮罩框架。遮罩之周圍邊緣可固定於遮罩框架。
當遮罩可在遮罩裝置支承於載體20時在開孔22上延伸時，遮罩裝置之遮罩框架可支撐於載體主體21之邊緣23上，載體主體21之邊緣23圍繞開孔22。
遮罩可包括數個開孔，形成於圖案中且裝配以藉由遮蔽之沈積製程沈積對應之材料圖案於基板上。在沈積期間，遮罩可配置於基板之前方之近距離處或直接地接觸基板之前表面。舉例來說，遮罩可為精密金屬遮罩(fine metal mask，FMM)，具有數個開孔，舉例為100,000個開孔或更多。舉例來說，有機像素之圖案可沈積於基板上。其他形式之遮罩係可行的，舉例為邊緣排除遮罩(edge exclusion masks)。遮罩裝置可裝配以用於遮蔽蒸發製程，其中材料圖案係藉由蒸發形成於基板上。於一些實施例中，已蒸發材料可包括有機化合物。舉例來說，可製造OLED裝置。
於一些實施例中，遮罩裝置可至少部份地以金屬製造，舉例為以具有小的熱膨脹係數之金屬製造，例如是銦鋼(invar)。遮罩框架可包括磁性材料，使得遮罩框架可藉由磁力吸引至載體20。遮罩可亦替代地或額外地包括磁性材料，使得遮罩可舉例為利用磁性夾持裝置在沈積期間朝向基板磁性地吸引。
遮罩裝置可具有0.5 m2 或更多，特別是1 m2 或更多之面積。舉例來說，遮罩裝置之高度可為0.5 m或更多，特別是1 m或更多，及/或遮罩裝置之寬度可為0.5 m或更多，特別是1 m或更多。遮罩裝置之厚度可為1 cm或更少，其中遮罩框架可較遮罩厚。因此，於一些實施例中，載體20之開孔22可具有0.5 m2 或更多，特別是1 m2 或更多之面積。特別是，載體20之開孔22可略微地小於遮罩裝置，使得遮罩框架可支撐於圍繞開孔22之載體主體之邊緣23上。
第2圖繪示根據此處所述實施例之貼附遮罩裝置10於載體20之方法之接續階段(a)、(b)、(c)之示意圖。載體20可類似於第1圖中所示之載體，使得參照可由上述說明達成，而不於此重複。
載體20包括載體主體21，載體主體21具有支承表面25。磁鐵配置30係設置於載體主體21及裝配以用於朝向載體主體21之支承表面25吸引遮罩裝置10。
於第2圖之階段(a)中，遮罩裝置10係朝向載體20之支承表面25移動。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，磁鐵配置30可在夾持狀態I及釋放狀態II之間為可切換的。在釋放狀態II中，磁鐵配置可不產生外部磁場或可產生小的外部磁場於支承表面25。在夾持狀態I中，磁鐵配置30可產生強的外部磁場於支承表面。也就是說，釋放狀態II中之於支承表面之第二外部磁場可小於夾持狀態I中之於支承表面之第一外部磁場。
於第2圖之階段(a)中，磁鐵配置30係提供於釋放狀態II中。在釋放狀態II中，磁鐵配置可不產生外部磁場或僅產生小的外部磁場於支承表面25。因此，遮罩裝置10係不朝向支承表面25吸引。
於第2圖之階段(b)中，遮罩裝置10已經移動而接觸載體20。磁鐵配置30係仍在釋放狀態II中。在釋放狀態II中，遮罩裝置10沒有藉由磁鐵配置之磁力支承於支承表面。
於第2圖之階段(c)中，磁鐵配置30已經切換成夾持狀態I。於夾持狀態I中，由磁場配置30產生之磁場係支承遮罩裝置10於載體20之支承表面。載體20可接著與遮罩裝置10一起於真空系統中沿著傳送路徑傳送。
類似地，藉由從夾持狀態I切換磁鐵配置30至釋放狀態II，遮罩裝置10可從載體20拆開。於釋放狀態II中，沒有外部磁場產生於支承表面或僅有小的外部磁場係產生於支承表面，如第2圖之階段(b)中所示。遮罩裝置10可接著從載體20移除。
藉由改變磁鐵配置30之此一或多個第一永久磁鐵之磁化，舉例為藉由供應至磁鐵配置之磁鐵裝置之電脈衝，磁鐵配置30可於釋放狀態II及夾持狀態I之間切換。特別是，此一或多個第一永久磁鐵之極性可藉由送至磁鐵裝置之電脈衝反向。
於一些實施例中，載體20包括電源，舉例為電池，用以產生電脈衝來改變此一或多個第一永久磁鐵之磁化。於其他實施例中，載體可不包括用於磁鐵配置之電源。載體之重量可減少。
於一些實施例中，載體20可包括第一電觸點41。第一電觸點41電性地連接於磁鐵配置30。第一電觸點41可接觸第二電觸點42。第二電觸點42連接於電源45。電源45可為外部電源，不貼附於載體20或不整合於載體20中。電源45可產生電脈衝，舉例為電流脈衝，可適用於改變此一或多個第一永久磁鐵之磁化。舉例來說，電源45之輸出端可電性地連接於第二電觸點42，如第2圖之階段(c)中所示。第二電觸點42可接觸載體之第一電觸點41，以於磁鐵配置30之夾持狀態I及釋放狀態II之間切換。在切換之後，第二電觸點42可從第一電觸點41移除，及載體20可傳送離開電源45。
特別是，載體20之第一電觸點41可於載體之表面暴露，以在載體位於用於貼附或拆開遮罩裝置10之位置中時經由第二電觸點42輕易地可連接於電源45。於一些實施例中，第一電觸點41可配置於載體主體21之支承表面25。例如是於載體主體21中延伸之線之電連接件可連接於第一電觸點41及磁鐵配置之磁鐵裝置之間。因此，磁鐵裝置之繞組可經由第一電觸點41提供有電流脈衝。
根據此處所述其他方面，用以遮蔽於基板上之沈積的遮罩裝置11係說明，其中遮罩裝置11包括電永磁鐵配置31。根據此處所述數個實施例之遮罩裝置11係繪示於第3圖中。
舉例來說，電永磁鐵配置31可貼附於遮罩裝置11之遮罩框架或整合於遮罩裝置11之遮罩框架中。當遮罩裝置11包括電永磁鐵配置31時，貼附遮罩裝置及從支承表面拆開遮罩裝置可藉由利用電脈衝啟動遮罩裝置之電永磁鐵配置31為輕易可行的。遮罩裝置11可具有電觸點，用以提供電永磁鐵配置31電脈衝來進行切換。
遮罩處理可簡化及加速，因為遮罩裝置可輕易地貼附於數種磁性表面及從數種磁性表面拆開，舉例為用於傳送、沈積及/或存儲。
第4A圖繪示於釋放狀態II中之根據此處所述實施例之用於載體之磁鐵配置30之示意圖。第4B圖繪示在夾持狀態I中之第4A圖之磁鐵配置30之示意圖。在夾持狀態I中，舉例為遮罩裝置10之裝置係由磁鐵配置30支承。根據此處所述任何實施例之磁鐵配置30係整合於載體中。
磁鐵配置30可裝配成電永磁鐵配置。電永磁鐵配置包括一或多個第一永久磁鐵32、一或多個第二永久磁鐵34、及磁鐵裝置36。
如此處所使用之電永磁鐵配置(electropermanent magnet arrangement)(或「EPM」)可理解為一磁鐵配置。在此磁鐵配置中，永久磁鐵產生之磁場可藉由電脈衝改變，特別是藉由磁鐵裝置之繞組中的電脈衝。特別是，磁場可在提供支承表面25之磁鐵配置之一側上開啟或關閉。電永磁鐵可基於雙磁鐵原理運作。此一或多個第一永久磁鐵32可由「軟」或「半硬」磁材料組成，也就是具有低矯頑磁力之材料。此一或多個第二永久磁鐵34可由「硬」磁材料組成，也就是具有較高矯頑磁力之材料。第一永久磁鐵32之磁化之方向可藉由提供至磁鐵裝置之電脈衝改變。作為一例子來說，此一或多個第一永久磁鐵32之極性可藉由電脈衝為可反向的。此一或多個第二永久磁鐵34之磁化之方向可因個別材料的高矯頑磁力維持固定。
此一或多個第一永久磁鐵之極性及此一或多個第二永久磁鐵之極性係為磁極性，也就是磁南極及磁北極。
根據一些實施例，改變此一或多個第一永久磁鐵之磁化的電脈衝之持續時間可為0.1秒或更多，特別是1秒或更多及/或5秒或更少。作為一例子來說，電脈衝之持續時間可為在0.1s及10s之間的範圍中，特別是在0.5s及5s之範圍中，及更特別是1s及2s之間的範圍中。
於一些實施例中，磁鐵裝置36可包括繞組35，舉例為線繞組或螺線管，至少部份地圍繞此一或多個第一永久磁鐵32。藉由提供電脈衝通過繞組35，於此一或多個第一永久磁鐵32之位置的局部磁場係產生，而改變此一或多個第一永久磁鐵32之磁化。特別是，藉由饋送電流脈衝通過磁鐵裝置36之繞組35，此一或多個第一永久磁鐵32之極性可反向。
於一些實施例中，數個第一永久磁鐵32係設置，其中第一永久磁鐵32係由磁鐵裝置36之繞組35至少部份地圍繞。舉例來說，於第4A圖之實施例中，兩個第一永久磁鐵32係繪示，其中線繞組係繞著此兩個第一永久磁鐵32之各者延伸。多於兩個第一永久磁鐵可彼此相鄰配置。於一些實施例中，朝向支承表面25之兩個相鄰之第一永久磁鐵之極性可分別為相反極性。因此，磁場線可形成一或多個迴圈，其中各迴圈係於相反方向中貫穿相鄰之第一永久磁鐵。
於一些實施例中，數個第二永久磁鐵34係設置。舉例來說，於第4A圖之實施例中，三個第二永久磁鐵34係繪示。兩個、三個或多個第二永久磁鐵可設置，舉例為一個接著另一個之列配置。第二永久磁鐵可配置，使得相鄰之第二永久磁鐵之相反極性之極可面向彼此。因此，磁場線不線性延伸通過第二永久磁鐵之列，但數個分離之迴圈可因彼此面對之相反極形成。
於一些實施例中，此一或多個第一永久磁鐵32可配置於第一平面中，及此一或多個第二永久磁鐵34可配置於第二平面中。第二平面可比第一平面靠近支承表面25。因此，此一或多個第二永久磁鐵34可比此一或多個第一永久磁鐵32靠近支承表面25。
於一些實施例中，此一或多個第一永久磁鐵32可具有第一定向及此一或多個第二永久磁鐵34可具有第二定向，第二定向不同於第一定向。特別是，第一定向及第二定向可垂直。舉例來說，此一或多個第一永久磁鐵32可定向於水平方向或平面中及此一或多個第二永久磁鐵34可定向於垂直方向或平面中。
於一些實施例中，藉由第二永久磁鐵34產生的磁場可具有第一主定向X1，第一主定向X1可本質上平行於支承表面25。藉由第一永久磁鐵32產生的磁場可具有第二主定向X2，第二主定向X2可本質上垂直於支承表面25。因此，藉由反向第一永久磁鐵32之極性，生成之總磁場可改變成垂直於支承表面之一方向中，也就是朝向載體主體之內部或朝向載體主體之外部。藉由從第4A圖之釋放狀態II切換磁鐵配置至第4B圖之夾持狀態，生成之整個磁場可轉移至支承表面25之外部，以穿透至將貼附之裝置中。特別是，在夾持狀態I中，此一或多個第一永久磁鐵及此一或多個第二永久磁鐵之相反極可面對彼此，使得磁場線可朝向將貼附之裝置所配置的載體之外部環境推近(urged)。
從載體穿透至遮罩裝置10中之外部磁場37係繪示於第4B圖中。外部磁場37係仍在遮罩裝置10中，直到第一永久磁鐵32之極性係藉由電脈衝反向。已夾持之遮罩裝置可藉由提供電脈衝至磁鐵裝置36釋放。遮罩裝置之可靠的貼附可亦在電力失效之情況中取得，因為遮罩裝置係由永久磁鐵產生之磁力支承。於夾持狀態I中，沒有外部電力可使用於維持夾持之狀態。雙穩態磁鐵配置可設置，而在切換之後維持釋放狀態II或夾持狀態I。於一些實施例中，切換可自動地執行。
在釋放狀態II中，磁鐵配置30產生之內部磁場38係繪示於第4A圖中。
芯(core)39例如是鋼芯，可設置而用於增加磁場強度，舉例為分別在相鄰之此些第二永久磁鐵之間。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，此一或多個第一永久磁鐵32包括軟或半硬磁材料，及/或此一或多個第二永久磁鐵34包括硬磁材料。 舉例來說，此一或多個第一永久磁鐵32可包括AlNiCo及/或此一或多個第二永久磁鐵34可包括釹(neodymium)。特別是，此一或多個第一永久磁鐵32可為AlNiCo-磁鐵，及/或此一或多個第二永久磁鐵34可為釹-磁鐵。具有低及高矯頑磁力之其他磁鐵可使用。舉例來說，硬磁材料可具有1,000 kA/m或更多，特別是10,000 kA/m或更多之矯頑磁力，及/或軟磁材料可具有1,000 kA/m或更少，特別是100 kA/m或更少之矯頑磁力。
第5圖繪示根據此處所述實施例之操作真空系統200之接續階段(a)、(b)、(c)之示意圖。真空系統200可包括一或多個真空腔室，舉例為一或多個沈積腔室、一或多個依循路徑傳送(routing)腔室、一或多個過渡腔室、遮罩處理腔室及/或其他真空腔室。
真空系統200包括載體傳送系統，裝配以用於在真空系統200中沿著載體傳送路徑傳送載體20。載體軌道231係繪示於第5圖中，其中載體傳送系統可裝配以用於沿著載體軌道231傳送載體。
載體20可為根據此處所述任何實施例之載體。特別是，載體20可包括此處所述之磁鐵配置30，特別是電永磁鐵配置。
於一些實施例中，遮罩裝置10或基板可在真空系統之外側貼附或從載體20拆開，真空系統之外側舉例為在大氣壓力下。舉例來說，藉由供應電脈衝至載體之磁鐵配置30，磁鐵配置可於釋放狀態及夾持狀態之間切換，用以貼附遮罩裝置或基板至載體或從載體拆開遮罩裝置或基板。
於一些實施例中，遮罩裝置10或基板可於真空系統200中貼附或從載體拆開，特別是在次大氣壓力下，舉例為在10 mbar或更少之背景壓力。裝配以貼附遮罩裝置10或基板或從載體20拆開遮罩裝置10或基板之移交組件220可配置於真空系統200之真空腔室205中，舉例為在遮罩處理腔室中。
藉由控制載體之磁鐵配置30之狀態，移交組件220可裝配以用於貼附遮罩裝置10於載體20。舉例來說，移交組件220可供應電脈衝至磁鐵配置30，用以從釋放狀態切換至夾持狀態。
藉由控制載體之磁鐵配置30之狀態，移交組件220可裝配以用於從載體20拆開遮罩裝置10。舉例來說，移交組件220可供應電脈衝至磁鐵配置30，用以從夾持狀態切換至釋放狀態。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，移交組件220可包括第二電觸點241，裝配以用於接觸載體20之第一電觸點41來啟動載體20之磁鐵配置30。特別是，第一電觸點41可於載體之表面暴露，及第二電觸點241可於移交組件220之表面暴露。第一電觸點41及第二電觸點241可在移交組件220位於用以貼附遮罩裝置10或從載體拆開遮罩裝置10之位置中接觸。
於一些實施例，移交組件220可包括電源，用以產生電脈衝來切換磁鐵配置30之狀態。於用以貼附遮罩裝置10或從載體拆開遮罩裝置10之位置中，電源之輸出端可接觸載體之第一電觸點41。在狀態切換之後，載體可舉例為沿著載體軌道231從電源移動離開。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，移交組件220可包括第二磁鐵配置230，特別是第二電永磁鐵配置，裝配以支承遮罩裝置10或基板於移交組件220之支承部份221。
舉例來說，當利用載體20之磁鐵配置30從載體拆開遮罩裝置10時，遮罩裝置可利用移交組件之第二磁鐵配置230貼附於移交組件220之支承部份221。再者，當利用載體之磁鐵配置30貼附遮罩裝置10於載體時，遮罩裝置可利用第二磁鐵配置230從移交組件220之支承部份221拆開。
特別是，移交組件220可包括電源，用以控制載體之磁鐵配置30之狀態及/或移交組件之第二磁鐵配置230之狀態。遮罩處理可簡化及加速。再者，在真空下貼附遮罩裝置及從載體拆開遮罩裝置可自動化。
於一些實施例中，第二磁鐵配置230可為電永磁鐵，如第4A圖中所示。或者，第二磁鐵配置可包括電磁鐵，用以藉由電磁鐵產生之磁力支承遮罩裝置於移交組件。其他抓取配置係可行的，舉例為機械抓取配置。
如第5圖之階段(a)中所示，遮罩裝置10可設置於真空系統200中，及遮罩裝置10係由載體20支承於非水平定向V中，特別是支承於本質上垂直定向中。遮罩裝置10可在支承於載體20時傳送於真空系統200之此些真空腔室之間。於一些實施例中，遮罩裝置10可為將從真空系統卸載之已使用遮罩裝置，舉例為用以清洗或替換。舉例來說，遮罩裝置可已經用於在沈積腔室中基板上之沈積，及可沿著傳送路徑從沈積腔室傳送至真空腔室205。
根據此處所述之數個實施例，遮罩裝置10係在真空下之真空系統200中從載體20拆開。從載體20拆開遮罩裝置10係繪示於第5圖之階段(b)中。
具有支承部份221之移交組件220可提供而用以在真空下從載體20拆開遮罩裝置10。移交組件220可包括機器人裝置，例如是機器臂。移交組件220可裝配以用於釋放遮罩裝置10與載體20之間的磁性連接。在傳送期間，遮罩裝置可藉由磁力支承於載體，磁力由載體之磁鐵配置30產生。移交組件220可裝配以用於停止磁鐵配置30之抓取力及用於利用自己的抓取力抓取遮罩裝置。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，當遮罩裝置10係由載體20支承於非水平定向V中，特別是支承於本質上垂直定向中時，遮罩裝置10係從載體20卸除。舉例來說，當遮罩裝置10係位於本質上垂直定向中時，遮罩裝置10係從載體20移交至移交組件220之支承部份221。載體 之定向可因而在傳送及遮罩拆開期間仍維持本質上固定。
在從載體20拆開遮罩裝置10之後，遮罩裝置10可從真空系統200卸載。
舉例來說，如第5圖之階段(c)中所示，卸載可包括沿著遮罩卸載通道移動遮罩裝置10離開真空系統200。遮罩卸載通道可延伸通過真空系統之牆。於一些實施例中，遮罩裝置10可移動通過可關閉開孔202，可關閉開孔202提供於真空腔室205之側壁中。遮罩裝置10可從真空系統經由裝載腔室(未繪示於第5圖中)卸載。從真空腔室經由裝載腔室卸載遮罩裝置10可為有利的，因為無需淹沒(flood)真空腔室205。淹沒裝載腔室反而可為足夠的。 移交組件220可放置已拆開之遮罩裝置至遮罩匣中，遮罩匣可設置於裝載腔室中。當真空腔室可仍在次大氣壓力時，可關閉開孔202可在遮罩裝置配置於裝載腔室中時關閉，以及裝載腔室可淹沒。於是，遮罩裝置10可舉例為藉由舉升裝置取出裝載腔室。
遮罩裝置10可從真空系統200中之載體20拆開。因此，僅有遮罩裝置10可帶離真空系統200，而載體20可仍位於真空系統200中。
於一些實施例中，當遮罩裝置10係在不同於非水平定向V之第二定向H中時，遮罩裝置10係移動離開真空系統200。於一些實施例中，第二定向H可為實質上水平定向。舉例來說，當遮罩裝置係於本質上水平定向中時，遮罩裝置10可平移通過可關閉開孔202而離開真空腔室205。此處使用之「本質上水平定向」可理解為一定向。於此定向中，遮罩裝置之主表面及水平面之間的角度為30°或更少，特別是20°或更少，更特別是10°或更少，或其中遮罩裝置係準確水平(+/- 1°)配置。
如第5圖之階段(c)中所示，當遮罩裝置10係配置於本質上水平定向中時，遮罩裝置10可沿著本質上線性傳送路徑移動離開真空腔室205。本質上線性傳送路徑可為水平路徑。舉例來說，移交組件220可裝配，以用於通過可關閉開孔202之支承部份221之運動，特別是平移運動。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，在遮罩裝置10從真空系統200卸載之前，遮罩裝置10可從非水平定向V旋轉至第二定向H。舉例來說，遮罩裝置可於本質上垂直定向中從載體20拆開，可接著從本質上垂直定向旋轉至第二定向H，及可接著在遮罩裝置位於第二定向H中時從真空系統卸載。遮罩交換可加速。
移交組件220可裝配，以用以貼附遮罩裝置10於載體20，用從載體20拆開遮罩裝置，用以於非水平定向及第二定向之間旋轉遮罩裝置，及用以沿著線性運動路徑移動遮罩裝置。於一些實施例中，移交組件220包括機器人裝置，例如是機械臂 ，裝配以抓取遮罩裝置、繞著旋轉軸旋轉(或擺動)已抓取之遮罩裝置及以線性平移遮罩裝置。
於一些實施例中，移交組件220可利用第二磁鐵配置230抓取及釋放遮罩裝置10。第二磁鐵配置230可為電永磁鐵配置，如第4A圖中所示。
階段(a)、(b)、(c)可以相反順序執行來裝載遮罩裝置10至真空腔室205中及貼附遮罩裝置10至載體20。
第6圖繪示根據此處所述實施例之真空系統400之上視圖。真空系統可裝配以用於舉例為藉由蒸發來沈積一或多個材料於基板上。
真空系統400包括真空腔室405、至少一沈積腔室406、及載體傳送系統。載體傳送系統係裝配，以用於在非水平定向V中於真空腔室405及此至少一沈積腔室406之間傳送載體20。
真空腔室405可包括第一遮罩處理區域401及第二遮罩處理區域402。第一遮罩處理區域401具有第一移交組件421，裝配以用於處理將使用遮罩裝置411。第二遮罩處理區域402具有第二移交組件422，裝配以用於處理已使用遮罩裝置412。
此處所使用之「將使用遮罩裝置」可理解為將傳送到至少一沈積腔室中來將用以遮蔽於基板上之沈積的遮罩裝置。於一些實施例中，將使用遮罩裝置可為新的遮罩裝置、已清洗之遮罩裝置或已經歷經服務或維護之遮罩裝置。
此處所使用之「已使用遮罩裝置」可理解為於沈積腔室中已經用以遮蔽沈積之遮罩裝置。已使用遮罩裝置係將傳送離開沈積腔室，舉例為用於清洗或維護。舉例來說，已使用遮罩裝置將從真空系統卸載，舉例為用以在大氣壓力下進行清洗。藉由於一或多個基板上使用遮蔽沈積之遮罩裝置，將使用遮罩裝置變成已使用遮罩裝置。一般來說，遮罩裝置係於十個或多個基板上使用而遮蔽沈積，於是遮罩裝置可進行清洗。在清洗之後，遮罩裝置可再度裝載至真空系統中來將用以遮蔽沈積。
第二遮罩處理區域402及第一遮罩處理區域401可對應於真空腔室405之不同區段，此些不同區段可彼此相鄰或可彼此分離。舉例來說，第一遮罩處理區域401及第二遮罩處理區域402可為真空腔室之相反部份。於一些實施例中，第一遮罩處理區域401及第二遮罩處理區域402係位於載體傳送路徑之相反側上。載體傳送路徑係裝配以用於傳送載體20。舉例來說，如第6圖中所示，第一遮罩處理區域401可位於第一及第二軌道之第一側上，及第二遮罩處理區域402可位於第一及第二軌道之相反側上。
根據此處所述之一些實施例，將使用遮罩裝置411可進行處理，舉例為貼附、拆開、裝載、卸載、儲存、移動、旋轉及/或平移、從已使用遮罩裝置412分離。已清洗之遮罩裝置之污染物可減少或避免。
遮罩裝載通道可延伸至第一遮罩處理區域401，及可裝配以用於舉例為經由第一裝載腔室403裝載將使用遮罩裝置411至真空系統400中。遮罩卸載通道可從第二遮罩處理區域402延伸，且裝配以用於舉例為經由第二裝載腔室404從真空系統400卸載已使用遮罩裝置412。於一些實施例中，遮罩裝載通道係經由第一裝載腔室403延伸至第一遮罩處理區域401中。第一可關閉開孔可提供於第一遮罩處理區域401及第一裝載腔室403之間。遮罩卸載通道可從第二遮罩處理區域402經由第二裝載腔室404延伸。第二可關閉開孔可提供於第二遮罩處理區域402及第二裝載腔室404之間。
第一裝載腔室403及第二裝載腔室404可設置而在真空腔室405之兩個相反側上相鄰於真空腔室405。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，第一移交組件421可裝配，以用於貼附將使用遮罩裝置411於載體20。舉例來說，第一移交組件421可類似於第5圖中所示之移交組件220，使得參照可以上述說明達成而不於此重複。第二移交組件422可裝配，以用於從載體20拆開已使用遮罩裝置412。第二移交組件422可類似於第5圖中所示之移交組件220，使得參照可以上述說明達成而不於此重複。
真空系統中之載體傳輸之複雜度可藉由提供載體傳送系統減少。載體傳送系統包括第一軌道431及/或包括第二軌道432。第一軌道431用以從第一遮罩處理區域401導引支承將使用遮罩裝置411之載體20朝向至少一沈積腔室406。第二軌道432用以從此至少一沈積腔室406導引支承已使用遮罩裝置412之載體20至第二遮罩處理區域402。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，第一軌道431本質上平行於第二軌道432延伸通過真空腔室405。第一移交組件及第二移交組件可設置於真空腔室405之相反部份中，使得第一移交組件可處理沿著第一軌道431傳送之遮罩裝置，及第二移交組件422可處理沿著第二軌道432傳送之遮罩裝置。舉例來說，第一軌道431可包括貼附位置。載體停止於繪示於第6圖中之貼附位置中，及遮罩裝置係在載體仍位於貼附位置中時貼附於載體。第二軌道432可包括拆開位置。載體停止於繪示於第6圖中之拆開位置中，及遮罩裝置係在載體仍位於拆開位置中時從載體拆開。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，真空系統400可更包括基板傳送系統。基板傳送系統係裝配，以用於在真空系統中沿著基板傳送路徑傳送基板。特別是，基板傳送路徑可延伸通過真空腔室405。基板可沿著基板傳送路徑傳送通過真空腔室405，舉例為從第一沈積腔室傳送至第二沈積腔室。第一沈積腔室配置於真空腔室405之第一側上，第二沈積腔室配置於真空腔室之第二側上。
用以支承基板之載體可設置而包括電永磁鐵配置，類似於第4A圖中所示之電永磁鐵配置。
真空腔室405可配置於真空系統400之主傳送路徑Z中，主傳送路徑Z係於主傳送方向中延伸(舉例為第6圖中之上下方向)。用以傳送基板之基板軌道及用以傳送遮罩之遮罩軌道可於真空系統400之主傳送方向中通過真空腔室405。藉由***真空腔室405於真空系統之主傳送路徑Z中，真空腔室405可用於處理在二或多個沈積腔室中使用之遮罩裝置，特別是處理在三或多個沈積腔室中使用之遮罩裝置，更特別是處理在四或多個沈積腔室中使用之遮罩裝置。於一些實施例中，從真空腔室提供遮罩裝置之至少兩個沈積腔室係配置於真空腔室之不同側。從真空腔室提供遮罩裝置之此至少兩個沈積腔室係選擇地或額外地配置於真空腔室之相同側上。於後述之情況中，依循路徑傳送模組408可設置以用於依循路徑傳送遮罩裝置至正確之沈積腔室中。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，真空系統之主傳送路徑Z包括四或多個軌道。此些軌道可於真空系統之主傳送方向中平行於彼此延伸。於一些實施例中，主傳送路徑Z之所述之四或多個軌道可延伸通過真空腔室405，舉例為本質上平行於彼此延伸。第6圖中係僅繪示出兩個軌道。
於一些實施例中，蒸發源410可設置於至少一沈積腔室406中，用以遮蔽於基板上之材料沈積。然而，本揭露係不限於具有蒸發源之真空系統。舉例來說，化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)系統、物理氣相沈積(physical vapor deposition，PVD)系統、及/或蒸發系統係發展以於沈積腔室中塗佈舉例為薄玻璃基板之基板而舉例為用於顯示器應用。PVD系統舉例為濺射系統。於一般之真空系統中，基板可由載體支承，及載體可藉由載體傳送系統傳送通過真空腔室。載體可藉由載體傳送系統移動，使得基板之主表面之至少一部份係朝向塗佈裝置暴露。塗佈裝置舉例為濺射裝置或蒸發源。當基板可位於蒸發源410之前方，且蒸發源410可以預定速度移動通過基板時，基板之主表面可塗佈有薄塗佈層。或者，基板可以預定速度傳送通過塗佈裝置。
基板可為非撓性基板，舉例為晶圓、例如是藍寶石或類似者之透明水晶片、玻璃基板、或陶瓷板材。然而，本揭露係不以此為限，且名稱基板可亦包含撓性基板，例如是網格(web)或箔，舉例為金屬薄或塑膠箔。
於一些實施例中，基板可為大面積基板。大面積基板可具有0.5 m2 或更多之表面積。特別是，大面積基板可使用於顯示器製造且可為玻璃或塑膠基板。舉例來說，此處所述之基板應包含一般用於液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、電漿顯示器(Plasma Display Panel，PDP)、及類似者之基板。舉例來說，大面積基板可具有主表面，主表面具有1 m2 或更大之面積。於一些實施例中，大面積基板可為第4.5代、第5代、或更高代。第4.5代對應於約0.67 m2 之基板(0.73 m x 0.92 m)、第5代對應於約1.4 m2 之基板(1.1 m x 1.3 m)。大面積基板可更包括第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代。第7.5代對應於約4.29 m2 之基板(1.95 m x 2.2 m)、第8.5代對應於約5.7m2 之基板(2.2 m x 2.5 m)、第10代對應於約8.7 m2 之基板(2.85 m × 3.05 m)。甚至例如是第11代及第12代之更高代及對應之基板面積可以類似之方式應用。於一些應用中，具有低至數cm2 之表面積及/或數種個別形狀的較小尺寸基板之陣列可位於單一基板支撐件上。數cm2 之表面積舉例為2 cm x 4 cm。於一些實施例中，遮罩裝置可大於基板，以在沈積期間完全覆蓋基板。
於一些應用中，垂直於基板之主表面之方向中的基板之厚度可為1 mm 或更少，舉例為從 0.1 mm至1 mm，特別是從0.3 mm至0.6 mm，舉例為0.5 mm。甚至是更厚之基板係可行的。
根據此處所述之其他方面，提出操作真空系統之方法。此方法包括當遮罩裝置10或基板係藉由磁鐵配置30產生之磁力支承於載體20，特別是藉由如此處所述之電永磁鐵配置產生之磁力支承於載體20時，於真空系統中沿著載體傳送路徑傳送載體20。於一些實施例中，遮罩裝置10係於非水平定向中藉由載體支承且傳送，特別是在本質上垂直定向中藉由載體支承且傳送。
磁鐵配置30可為如此處所述之電永磁鐵配置，使得參照可以上述說明達成，而不於此重複。
此方法更包括：藉由改變磁鐵配置30之一或多個第一永久磁鐵之磁化，貼附遮罩裝置10或基板於載體20之支承表面25或從載體20之支承表面拆開遮罩裝置10或基板。特別是，藉由供應電脈衝於磁鐵配置之磁鐵裝置，此一或多個第一永久磁鐵之極性可反向。
遮罩裝置可於載體之支承表面及移交組件之支承部份之間移交。於一些實施例中，磁鐵配置係貼附於載體之載體主體中或整合於載體之載體主體中。
於一些實施例中，藉由供應電脈衝給磁鐵配置之移交組件220，遮罩裝置10或基板可於真空腔室中貼附於載體20，供應電脈衝給磁鐵配置舉例為來自移交組件之電源。類似地，供應電脈衝給磁鐵配置之移交組件220，遮罩裝置10或基板可於真空腔室中從載體20拆開。
移交組件220可利用第二磁鐵配置抓取及釋放遮罩裝置，特別是利用第二電永磁鐵配置抓取及釋放遮罩裝置。
第7圖繪示操作真空系統之方法的流程圖。
於方塊610中，將使用之遮罩裝置10係裝載至具有移交組件之真空腔室中。遮罩裝置可藉由第二磁鐵配置230支承於移交組件之支承部份。第二磁鐵配置230可設置於移交組件之支承部份。第二磁鐵配置230可為電永磁鐵配置。
於方塊620中，當第二磁鐵配置230係為夾持狀態時，遮罩裝置10藉由移交組件於真空腔室中朝向載體20移動。遮罩裝置係移動至載體之支承表面。
於方塊630中，遮罩裝置係貼附於載體20。移交組件之第二磁鐵配置230係切換至釋放狀態，及載體之磁鐵配置30係切換成夾持狀態。
於方塊640中，當遮罩裝置係支承於載體之支承表面時，載體係在真空系統中沿著載體傳送路徑移動而舉例為進入沈積腔室中。
第8圖繪示操作真空系統之方法的流程圖。
於方塊710中，當遮罩裝置係支承於載體之支承表面，特別是藉由如此處所述之磁鐵配置30產生之磁力支承於載體之支承表面時，載體係於真空腔室中舉例為從沈積腔室沿著載體傳送路徑移動至其他真空腔室。
於方塊720，遮罩裝置係藉由移交組件從載體20拆開。舉例為藉由供應個別之電脈衝至磁鐵配置，載體之磁鐵配置30係切換成釋放狀態及移交組件之第二磁鐵配置230係切換至夾持狀態。
於方塊730中，當移交組件之第二磁鐵配置230係仍為夾持狀態時，遮罩裝置10係藉由移交裝置從載體移除。
於方塊740中，遮罩裝置10係藉由移交組件從真空腔室卸載。舉例來說，遮罩裝置係旋轉至本質上水平定向及平移通過真空腔室之牆中的孔洞。舉例為藉由切換至第二磁鐵配置230之釋放狀態，遮罩可儲存於裝載腔室中之遮罩匣中。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、11‧‧‧遮罩裝置
20‧‧‧載體
21‧‧‧載體主體
22‧‧‧開孔
23‧‧‧邊緣
25‧‧‧支承表面
30‧‧‧磁鐵配置
31‧‧‧電永磁鐵配置
32‧‧‧第一永久磁鐵
34‧‧‧第二永久磁鐵
35‧‧‧繞組
36‧‧‧磁鐵裝置
37‧‧‧外部磁場
38‧‧‧內部磁場
39‧‧‧芯
41‧‧‧第一電觸點
42、241‧‧‧第二電觸點
45‧‧‧電源
200、400‧‧‧真空系統
202‧‧‧可關閉開孔
205、405‧‧‧真空腔室
220‧‧‧移交組件
221‧‧‧支承部份
230‧‧‧第二磁鐵配置
231‧‧‧載體軌道
401‧‧‧第一遮罩處理區域
402‧‧‧第二遮罩處理區域
403‧‧‧第一裝載腔室
404‧‧‧第二裝載腔室
406‧‧‧沈積腔室
408‧‧‧依循路徑傳送模組
410‧‧‧蒸發源
411‧‧‧將使用遮罩裝置
412‧‧‧已使用遮罩裝置
421‧‧‧第一移交組件
422‧‧‧第二移交組件
431‧‧‧第一軌道
432‧‧‧第二軌道
610-640、710-740‧‧‧方塊
H‧‧‧第二定向
V‧‧‧非水平定向
X1‧‧‧第一主定向
X2‧‧‧第二主定向
Z‧‧‧主傳送路徑
I‧‧‧夾持狀態
II‧‧‧釋放狀態
為了使本揭露的上述特徵可詳細地瞭解，簡要摘錄於上之本揭露之更特有之說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於本揭露之數個實施例且係說明於下方。典型實施例係繪示於圖式中且於下文中詳細說明。
第1圖繪示根據此處所述實施例之用以於真空系統中使用之載體之透視圖；
第2圖繪示根據此處所述實施例之貼附遮罩裝置於載體之方法之接續階段(a)、(b)、(c)之示意圖；
第3圖繪示根據此處所述實施例之遮罩裝置之示意圖；
第4A圖繪示在釋放狀態中根據此處所述實施例之載體之磁鐵配置之示意圖；
第4B圖繪示在夾持狀態中第4A圖之磁鐵配置之示意圖；
第5圖繪示根據此處所述實施例之操作真空系統之方法之接續階段(a)、(b)、(c)之示意圖；
第6圖繪示根據此處所述實施例之真空系統之示意圖；
第7圖繪示根據此處所述實施例之操作真空系統之方法之流程圖；以及
第8圖繪示根據此處所述實施例之操作真空系統之方法之流程圖。

Claims (17)

  1. 一種載體(20)，用以於一真空系統中使用，該載體包括：一磁鐵配置(30)，包括：一或多個第一永久磁鐵(32)；一或多個第二永久磁鐵(34)；及一磁鐵裝置(36)，裝配以改變該一或多個第一永久磁鐵之一磁化，其中該磁鐵配置(30)係裝配以在一非水平或本質上垂直定向中支承一遮罩裝置(10)或一基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之載體，其中該一或多個第一永久磁鐵(32)包括一軟或半硬磁材料，及其中該一或多個第二永久磁鐵(34)包括一硬磁材料。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之載體，其中該磁鐵配置(30)係為一電永磁鐵配置。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之載體，其中該磁鐵裝置(36)包括一繞組(35)，至少部份地圍繞該一或多個第一永久磁鐵(32)。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之載體，其中該一或多個第一永久磁鐵(32)之該磁化之一方向係藉由提供至該磁鐵裝置(36)之一電脈衝為可切換的。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之載體，其中該一或多個第一永久磁鐵(32)之一極性係藉由該電脈衝為可反向的。
  7. 如申請專利範圍第1至6項之任一項所述之載體，更包括：一載體主體(21)，其中該磁鐵配置(30)係貼附於該載體主體(21)或與該載體主體(21)整合；其中該磁鐵配置(30)係裝配以支承該遮罩裝置(10)或該基板於該載體主體(21)之一支承表面(25)。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之載體，其中該磁鐵配置(30)係於一夾持狀態(I)及一釋放狀態(II)之間為可切換的；其中，於該夾持狀態(I)中，該磁鐵配置(30)於該支承表面(25)產生一第一外部磁場；及其中，於該釋放狀態(II)中，該磁鐵配置(30)沒有產生外部磁場或產生一第二外部磁場於該支承表面(25)，該第二外部磁場係小於該第一外部磁場。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之載體，其中該載體主體(21)具有一開孔(22)，及該磁鐵配置(30)係設置於該載體主體(21)之一邊緣(23)，該載體主體(21)之該邊緣(23)圍繞該開孔(22)。
  10. 如申請專利範圍第1至6項之任一項所述之載體，更包括一第一電觸點(41)，電性地連接於該磁鐵配置(30)，其中該第一電觸點(41)係於該載體(20)之一表面暴露。
  11. 一種真空系統(200)，包括：一載體傳送系統，裝配以用於在該真空系統(200)中沿著一載體傳送路徑傳送一載體(20)；以及一移交組件(220)，裝配以利用一磁鐵配置(30)貼附一遮罩裝置(10)或一基板至該載體(20)或從該載體(20)拆開該遮罩裝置(10)或該基板。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之真空系統，其中該磁鐵配置(30)係為一電永磁鐵配置。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之真空系統，其中該移交組件(220)包括一第二磁鐵配置(230)，裝配以支承該遮罩裝置(10)或該基板於該移交組件(220)之一支承部份(221)。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之真空系統，其中該第二磁鐵配置(230)係為一第二電永磁鐵配置。
  15. 如申請專利範圍第11至14項之任一者所述之真空系統，其中該移交組件(220)包括複數個暴露之第二電觸點(241)，裝配以用接觸該載體(20)之複數個暴露之第一電觸點(41)來用以控制該載體(20)之該磁鐵配置(30)。
  16. 一種操作一真空系統之方法，包括：當一遮罩裝置(10)或一基板係以一非水平或本質上垂直定向由一磁鐵配置(30)產生之一磁力支承於一載體(20)時，於該真空系統中沿著一載體傳送路徑傳送該載體(20)。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，更包括藉由改變該磁鐵配置(30)之一或多個第一永久磁鐵之一磁化，貼附該遮罩裝置(10)或該基板於該載體(20)之一支承表面(25)或從該載體(20)之該支承表面(25)拆開該遮罩裝置(10)或該基板。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11360400B2 (en) 2017-05-19 2022-06-14 Massachusetts Institute Of Technology Transport system having a magnetically levitated transportation stage
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
US10633740B2 (en) 2018-03-19 2020-04-28 Applied Materials, Inc. Methods for depositing coatings on aerospace components
US11015252B2 (en) 2018-04-27 2021-05-25 Applied Materials, Inc. Protection of components from corrosion
US11009339B2 (en) 2018-08-23 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Measurement of thickness of thermal barrier coatings using 3D imaging and surface subtraction methods for objects with complex geometries
WO2020180334A1 (en) * 2019-03-07 2020-09-10 Applied Materials, Inc. Mask frame integration, carrier for mask frame and method of handling a mask
WO2020209939A1 (en) 2019-04-08 2020-10-15 Applied Materials, Inc. Methods for modifying photoresist profiles and tuning critical dimensions
WO2020214238A1 (en) 2019-04-16 2020-10-22 Applied Materials, Inc. Method of thin film deposition in trenches
US11629402B2 (en) 2019-04-16 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition on optical structures
US11732353B2 (en) 2019-04-26 2023-08-22 Applied Materials, Inc. Methods of protecting aerospace components against corrosion and oxidation
CN110164808B (zh) * 2019-05-15 2022-03-25 云谷（固安）科技有限公司 掩膜板的搬运装置以及搬运方法
US11794382B2 (en) 2019-05-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Methods for depositing anti-coking protective coatings on aerospace components
US11697879B2 (en) 2019-06-14 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Methods for depositing sacrificial coatings on aerospace components
KR20220039764A (ko) 2019-07-25 2022-03-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 수직 배향으로 oled 층 스택을 증발시키기 위한 시스템 및 방법
US20220293892A1 (en) * 2019-07-25 2022-09-15 Applied Materials, Inc. System and method to evaporate an oled layer stack in a vertical orientation
US11466364B2 (en) 2019-09-06 2022-10-11 Applied Materials, Inc. Methods for forming protective coatings containing crystallized aluminum oxide
US11229306B2 (en) * 2019-10-30 2022-01-25 Brothers Brands, Inc. Locking knife holder
US11519066B2 (en) 2020-05-21 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Nitride protective coatings on aerospace components and methods for making the same
EP4175772A1 (en) 2020-07-03 2023-05-10 Applied Materials, Inc. Methods for refurbishing aerospace components
US20230085667A1 (en) * 2021-09-22 2023-03-23 Applied Materials, Inc. Substrate transfer systems and methods of use thereof

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0015096A1 (en) * 1979-02-08 1980-09-03 Inoue-Japax Research Incorporated Magnetic holder
US5882171A (en) * 1996-10-01 1999-03-16 Balzers Aktiengesellschaft Transport and transfer apparatus
JP2001049422A (ja) * 1999-08-09 2001-02-20 Hitachi Ltd メタルマスクの基板への保持固定構造、保持固定治具、その補助具、及びトレイ
JP2010084205A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Canon Anelva Corp 保持機構、当該保持機構を備えた処理装置、処理装置を用いた成膜方法及び画像表示装置の製造方法
WO2016007214A1 (en) * 2014-07-08 2016-01-14 Applied Materials, Inc. Magnetic chucking of mask with halbach array
JP2017054880A (ja) * 2015-09-08 2017-03-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5192492B2 (ja) * 2008-03-28 2013-05-08 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置、当該真空処理装置を用いた画像表示装置の製造方法及び当該真空処理装置により製造される電子装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0015096A1 (en) * 1979-02-08 1980-09-03 Inoue-Japax Research Incorporated Magnetic holder
US5882171A (en) * 1996-10-01 1999-03-16 Balzers Aktiengesellschaft Transport and transfer apparatus
JP2001049422A (ja) * 1999-08-09 2001-02-20 Hitachi Ltd メタルマスクの基板への保持固定構造、保持固定治具、その補助具、及びトレイ
JP2010084205A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Canon Anelva Corp 保持機構、当該保持機構を備えた処理装置、処理装置を用いた成膜方法及び画像表示装置の製造方法
WO2016007214A1 (en) * 2014-07-08 2016-01-14 Applied Materials, Inc. Magnetic chucking of mask with halbach array
JP2017054880A (ja) * 2015-09-08 2017-03-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

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