JP5999073B2 - 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
処理液を供給する処理液供給源と、
前記処理液供給源に移送配管を介して接続された中間タンクと、
前記中間タンクと吐出部との間に設けられた払出配管と、
前記移送配管を介して処理液供給源から中間タンクに処理液を移送するために、前記中間タンク内を減圧排気する減圧排気部と、
前記中間タンク内に移送された処理液を前記払出配管から払い出すために、当該中間タンクに気体を供給して、減圧排気された後の中間タンク内の圧力を減圧状態から常圧状態に復帰させる圧力調整部と、を備え、
前記処理液供給源には、複数の中間タンクが並列に接続され、
前記複数の中間タンクと減圧排気部との間に設けられ、各中間タンクからの排気が合流する合流部と、
前記合流部の圧力を検出する圧力検出部と、
前記処理液供給源からの処理液の移送が行われる中間タンクの数に応じ、各中間タンクに移送される処理液の流量が予め設定された流量となるように目標圧力を設定するステップと、前記圧力検出部にて検出された圧力が前記目標圧力となるように、前記減圧排気部の排気量を増減するステップと、を実行する制御部と、を備えることを特徴とする。
(a)前記処理液供給源は、前記処理液供給源の処理液を加圧することにより、前記移送配管及び中間タンクを介して前記払出配管の下流側に処理液を満たすための加圧部を備えること。
(b)前記処理液供給源から各中間タンクに移送される処理液の流量を測定する流量測定部を備え、前記制御部は、前記合流部の圧力と各中間タンクに移送される処理液の総流量との関係を示す回帰式に基づいて前記目標圧力の設定を行い、前記回帰式に基づいて各中間タンクへの処理液の移送を行った結果、前記流量測定部にて測定された処理液の流量の合計値と、前記総流量との差が、予め設定された許容差を超える場合には、前記圧力検出部及び流量測定部の実測値に基づいて、前記関係を示す新たな回帰式を作成し、この新たな回帰式に基づいて前記目標圧力の設定を行うこと。
(c)(b)において、前記流量測定部は、前記中間タンクの互いに異なる高さ位置に設けられた下段側及び上段側の液面計と、前記処理液供給源から中間タンクに移送された処理液が、前記下段側の液面計にて検出されてから上段側の液面計にて検出されるまでの時間を計測する計時部と、を備え、前記下段側及び上段側の液面計間の中間タンクの容量と、前記計時部にて計測された時間とに基づき処理液の流量を求めること。
(d)前記圧力調整部から中間タンクに供給される気体は、不活性ガスであること。また前記圧力調整部は、前記中間タンクに供給される気体に含まれるパーティクルを除去するためのフィルターを備えること。
図1及び図2に示すように、塗布、現像装置は、被処理体であるウエハWを複数枚例えば25枚密閉収納するキャリア10を搬出入するためのキャリアステーション1と、このキャリアステーション1から取り出されたウエハWにレジスト塗布処理(以下、塗布処理という)や現像処理などを施す処理部2と、当該処理部2とウエハWの表面に光を透過する液層を形成した液浸状態でウエハWの表面を露光する露光部4との間でウエハWの受け渡しを行うインターフェース部3とを具備している。
また、各系統部502a〜502cのリザーブタンク61は、圧力調整ガス供給管路61fを介して共通の圧力調整ガス供給部63に接続され、減圧状態から大気圧状態への復帰が行われる。
塗布処理を実行すると、処理されたウエハW枚数の増加につれてリザーブタンク61内のレジスト液Lのレベルが低下していく。統括制御部200は、レベル低センサー61bが「オン」の状態である場合には、リザーブタンク61内には次のウエハWの処理を行うのに十分な量のレジスト液Lが貯留されていると判断してレジスト液Lの補充動作を行わない(ステップS101;NO)。
このように、トラップタンク81を介してエジェクター84に接続されるリザーブタンク61の数に応じてトラップタンク81の目標圧力を切り替えることにより、各リザーブタンク61で見ると、ほぼ同じ流量でレジスト液Lを移送することができる。
減圧排気部の構成についてもエジェクター84を利用する例に限定されるものではなく、真空ポンプを利用してリザーブタンク61内の真空排気を行ってもよい。
さらに、圧力調整ガス供給部63から供給される圧力調整用の気体についても、処理液の変質が問題とならない場合には、空気などの気体を用いてもよい。
そして、本発明の処理液供給装置511を介して処理液が供給される被処理体の種類は半導体ウエハの例に限定されるものではなく、FPD(Flat Panel Display)用のガラス基板などであってもよい。
W ウエハ
200 統括制御部
201 コントローラ
511 レジスト液供給装置
51a 第1の処理液供給管路
51b 第2の処理液供給管路
60 レジスト容器
60a 第1の気体供給管路
61 リザーブタンク
61a レベル高センサー
61b レベル低センサー
61c 給排気路
61e 減圧排気路
61f 圧力調整ガス供給路
63 圧力調整ガス供給部
64 フィルター
81 トラップタンク
84 エジェクター
85 圧力計
Claims (12)
- 吐出部を介して被処理体に処理液を供給する処理液供給装置において、
処理液を供給する処理液供給源と、
前記処理液供給源に移送配管を介して接続された中間タンクと、
前記中間タンクと吐出部との間に設けられた払出配管と、
前記移送配管を介して処理液供給源から中間タンクに処理液を移送するために、前記中間タンク内を減圧排気する減圧排気部と、
前記中間タンク内に移送された処理液を前記払出配管から払い出すために、当該中間タンクに気体を供給して、減圧排気された後の中間タンク内の圧力を減圧状態から常圧状態に復帰させる圧力調整部と、を備え、
前記処理液供給源には、複数の中間タンクが並列に接続され、
前記複数の中間タンクと減圧排気部との間に設けられ、各中間タンクからの排気が合流する合流部と、
前記合流部の圧力を検出する圧力検出部と、
前記処理液供給源からの処理液の移送が行われる中間タンクの数に応じ、各中間タンクに移送される処理液の流量が予め設定された流量となるように目標圧力を設定するステップと、前記圧力検出部にて検出された圧力が前記目標圧力となるように、前記減圧排気部の排気量を増減するステップと、を実行する制御部と、を備えることを特徴とする処理液供給装置。 - 前記処理液供給源は、前記処理液供給源の処理液を加圧することにより、前記移送配管及び中間タンクを介して前記払出配管の下流側に処理液を満たすための加圧部を備えることを特徴とする請求項1に記載の処理液供給装置。
- 前記処理液供給源から各中間タンクに移送される処理液の流量を測定する流量測定部を備え、
前記制御部は、前記合流部の圧力と各中間タンクに移送される処理液の総流量との関係を示す回帰式に基づいて前記目標圧力の設定を行い、前記回帰式に基づいて各中間タンクへの処理液の移送を行った結果、前記流量測定部にて測定された処理液の流量の合計値と、前記総流量との差が、予め設定された許容差を超える場合には、前記圧力検出部及び流量測定部の実測値に基づいて、前記関係を示す新たな回帰式を作成し、この新たな回帰式に基づいて前記目標圧力の設定を行うことを特徴とする請求項1または2に記載の処理液供給装置。 - 前記流量測定部は、前記中間タンクの互いに異なる高さ位置に設けられた下段側及び上段側の液面計と、前記処理液供給源から中間タンクに移送された処理液が、前記下段側の液面計にて検出されてから上段側の液面計にて検出されるまでの時間を計測する計時部と、を備え、前記下段側及び上段側の液面計間の中間タンクの容量と、前記計時部にて計測された時間とに基づき処理液の流量を求めることを特徴とする請求項3に記載の処理液供給装置。
- 前記圧力調整部から中間タンクに供給される気体は、不活性ガスであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の処理液供給装置。
- 前記圧力調整部は、前記中間タンクに供給される気体に含まれるパーティクルを除去するためのフィルターを備えることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の処理液供給装置。
- 吐出部を介して被処理体に処理液を供給する処理液供給方法において、
処理液を供給する処理液供給源に移送配管を介して接続された中間タンク内を減圧排気して、前記処理液供給源から中間タンクに処理液を移送する工程と、
前記中間タンクに圧力調整用の気体を供給して、減圧排気された後の中間タンク内の圧力を減圧状態から常圧状態に復帰させ、前記中間タンクと吐出部との間に設けられた払出配管から、前記中間タンク内に移送された処理液を払い出す工程と、を含み、
さらに、前記処理液供給源には、複数の中間タンクが並列に接続され、前記複数の中間タンクと減圧排気部との間に設けられ、各中間タンクからの排気が合流する合流部の圧力を検出する工程と、
前記処理液供給源からの処理液の移送が行われる中間タンクの数に応じ、各中間タンクに移送される処理液の流量が予め設定された流量となるように目標圧力を設定する工程と、
前記合流部にて検出された圧力が前記目標圧力となるように、前記減圧排気部の排気量を増減する工程と、を含むことを特徴とする処理液供給方法。 - 中間タンク内を減圧排気して、前記処理液供給源から中間タンクに処理液を移送する前に、前記処理液供給源の処理液を加圧することにより、前記移送配管及び中間タンクを介して前記払出配管の下流側に処理液を満たす工程を含むことを特徴とする請求項7に記載の処理液供給方法。
- 前記処理液供給源から各中間タンクに移送される処理液の流量を測定する工程と、
前記合流部の圧力と各中間タンクに移送される処理液の総流量との関係を示す回帰式に基づいて前記目標圧力の設定を行う工程と、
前記回帰式に基づいて各中間タンクへの処理液の移送を行った結果、処理液の流量の測定結果の合計値と、前記総流量との差が、予め設定された許容差を超える場合には、前記合流部の圧力の検出結果と処理液の流量の測定結果の合計値とに基づいて、前記関係を示す新たな回帰式を作成する工程と、
前記新たな回帰式に基づいて前記目標圧力の設定を行う工程と、を含むことを特徴とする請求項7または8に記載の処理液供給方法。 - 前記圧力調整用の気体は、不活性ガスであることを特徴とする請求項7ないし9のいずれか一つに記載の処理液供給方法。
- 前記中間タンクに供給される圧力調整用の気体をフィルターでろ過してパーティクルを除去する工程を含むことを特徴とする請求項7ないし10のいずれか一つに記載の処理液供給方法。
- 吐出部を介して被処理体に処理液を供給する処理液供給装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは請求項7ないし11のいずれか一つに記載された処理液供給方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013240063A JP5999073B2 (ja) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 |
TW103138903A TWI620029B (zh) | 2013-11-20 | 2014-11-10 | Treatment liquid supply device, treatment liquid supply method, and memory medium |
KR1020140160639A KR102019524B1 (ko) | 2013-11-20 | 2014-11-18 | 처리액 공급 장치, 처리액 공급 방법 및 기억 매체 |
US14/548,719 US9778571B2 (en) | 2013-11-20 | 2014-11-20 | Processing liquid supplying apparatus, processing liquid supplying method and storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013240063A JP5999073B2 (ja) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015099883A JP2015099883A (ja) | 2015-05-28 |
JP2015099883A5 JP2015099883A5 (ja) | 2015-11-26 |
JP5999073B2 true JP5999073B2 (ja) | 2016-09-28 |
Family
ID=53173636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013240063A Active JP5999073B2 (ja) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9778571B2 (ja) |
JP (1) | JP5999073B2 (ja) |
KR (1) | KR102019524B1 (ja) |
TW (1) | TWI620029B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6370567B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2018-08-08 | エイブリック株式会社 | 現像装置 |
JP6407832B2 (ja) * | 2015-10-13 | 2018-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置 |
JP6407833B2 (ja) * | 2015-10-13 | 2018-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置 |
JP6861084B2 (ja) * | 2016-08-25 | 2021-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体 |
US10518199B2 (en) * | 2016-09-08 | 2019-12-31 | Tokyo Electron Limited | Treatment solution supply apparatus |
JP6987649B2 (ja) * | 2018-01-12 | 2022-01-05 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置及びその脱気方法 |
JP7072453B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2022-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
US11772234B2 (en) | 2019-10-25 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Small batch polishing fluid delivery for CMP |
CN112786479B (zh) * | 2019-11-08 | 2022-12-02 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 管理液体供应的***与方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3150690B2 (ja) * | 1990-11-28 | 2001-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液処理装置 |
JPH09260332A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置の薬液供給装置 |
JP3545559B2 (ja) * | 1996-12-25 | 2004-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置 |
TW382749B (en) * | 1996-12-24 | 2000-02-21 | Tokyo Electron Ltd | Liquid supplying device |
JP3393534B2 (ja) * | 1997-05-16 | 2003-04-07 | タツモ株式会社 | 処理液供給ノズルシステム |
JP3576835B2 (ja) * | 1998-10-08 | 2004-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液供給システムおよび基板処理システム、ならびに液処理方法 |
US20030010792A1 (en) | 1998-12-30 | 2003-01-16 | Randy Forshey | Chemical mix and delivery systems and methods thereof |
JP3628895B2 (ja) * | 1999-01-28 | 2005-03-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 処理液供給装置 |
US7334708B2 (en) * | 2001-07-16 | 2008-02-26 | L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Integral blocks, chemical delivery systems and methods for delivering an ultrapure chemical |
JP4693175B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2011-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 加圧式処理液供給装置 |
KR100980704B1 (ko) * | 2008-09-10 | 2010-09-08 | 세메스 주식회사 | 포토레지스트 공급 장치 및 방법 |
-
2013
- 2013-11-20 JP JP2013240063A patent/JP5999073B2/ja active Active
-
2014
- 2014-11-10 TW TW103138903A patent/TWI620029B/zh active
- 2014-11-18 KR KR1020140160639A patent/KR102019524B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-20 US US14/548,719 patent/US9778571B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150140485A1 (en) | 2015-05-21 |
KR102019524B1 (ko) | 2019-09-06 |
TWI620029B (zh) | 2018-04-01 |
US9778571B2 (en) | 2017-10-03 |
TW201533542A (zh) | 2015-09-01 |
JP2015099883A (ja) | 2015-05-28 |
KR20150058043A (ko) | 2015-05-28 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151008 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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