TWI655685B - Cutting device - Google Patents
Cutting device Download PDFInfo
- Publication number
- TWI655685B TWI655685B TW104102855A TW104102855A TWI655685B TW I655685 B TWI655685 B TW I655685B TW 104102855 A TW104102855 A TW 104102855A TW 104102855 A TW104102855 A TW 104102855A TW I655685 B TWI655685 B TW I655685B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wafer
- cutting
- dicing tape
- ultraviolet
- frame
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本發明之課題為提供一種將紫外線照射機構構成為小型化之切削裝置,該紫外線照射機構可對晶圓照射紫外線而賦予親水性以防止切削時所產生之切削屑附著於晶圓之正面上,並且可在將晶圓分割成一個個元件後,對切割膠帶照射紫外線以使其黏著力降低。解決手段為具備紫外線照射機構的切削裝置,該紫外線照射機構可對晶圓的正面照射紫外線以賦予親水性,並且對切割膠帶照射紫外線以使其黏著力降低。該紫外線照射機構具備紫外線照射燈、第1框架支持機構及第2框架支持機構,該紫外線照射燈用於照射包含照射於晶圓的正面以生成臭氧並且生成活性氧之波長,及照射於切割膠帶上以使其黏著力降低之波長的紫外線,該第1框架支持機構配置於紫外線照射燈之下側且用以支持透過切割膠帶支持晶圓之環狀框架,該第2框架支持機構配置於紫外線照射燈之上側且用以支持透過切割膠帶支持晶圓之環狀框架。
Description
本發明是有關於一種用以將半導體晶圓等之晶圓切削加工之切削裝置。
在半導體元件(device)製造步驟中,是在大致呈圓板形狀之半導體晶圓的正面上,藉由排列成格子狀之分割預定線劃分成複數個區域,並在該劃分之區域中形成IC、LSI等元件。並且,藉由將半導體晶圓沿著分割預定線切斷,以將形成有元件之區域分割以製造出一個個元件。又,可藉由將藍寶石(sapphire)基板之正面上積層有氮化鎵系化合物半導體等之光元件晶圓也沿著分割預定線切斷以分割成一個個發光二極體(diode)、雷射二極體(laser diode)等之光元件,並廣泛地應用於電氣機器上。
通常,將上述半導體晶圓或光元件晶圓等沿著分割預定線進行之切斷,是藉由被稱為切割機(dicer)的切削裝置來進行。該切削裝置包含:保持機構、切削機構、切削進給機構、分度進給機構、晶圓盒載置機構、搬出機構及搬送機構。該保持機構是用以保持半導體晶圓等之晶圓,
該切削機構具備用於切削保持在該保持機構上之被加工物之切削刀,該切削進給機構使保持機構與切削機構在切削進給方向上相對地移動,該分度進給機構使保持機構與切削機構在與切削進給方向垂直相交之分度進給方向上相對地移動,該晶圓盒載置機構具備用以載置收納有晶圓之晶圓盒(cassette)之晶圓盒載置台,該晶圓貼著於會因紫外線照射而使黏著力降低之切割膠帶上且透過該切割膠帶而被環狀框架(frame)所支持,該搬出機構可將載置於該晶圓盒載置台上之該晶圓盒中所收納的晶圓搬出至暫置區域,該搬送機構可將被搬出至該暫置區域之晶圓搬送至保持機構。切削機構包含轉軸單元,該轉軸單元具有旋轉軸、裝設於該旋轉軸上之切削刀,及旋轉驅動該旋轉軸之驅動機構,在切削時可邊將切削水供給至切削刀形成之刀削部邊進行切削。
然而,在上述之切削裝置中,會有藉由切削刀切削晶圓時所產生的切削屑混入切削水中而浮在晶圓之正面,且切削屑附著於晶圓之正面而發生污染之問題。也就是說,藉由晶圓的切削而產生之切削屑,會在混入切削水中而浮在晶圓之正面時附著於晶圓之正面,並且於將切削水撥水而乾燥時即頑固地附著在晶圓之正面上。
為解決這類的問題,在下述專利文獻1揭示有一種切削裝置,該切削裝置具備配置於上述晶圓盒載置台之下側,且對晶圓照射紫外線以賦予親水性之第1紫外線照射機構,及對切割膠帶照射紫外線以使其黏著力降低之第2紫
外線照射機構,其為在切削晶圓前對晶圓的正面照射紫外線以生成臭氧並且生成活性氧,而在切削面上賦予親水性並防止切削時所產生之切削屑附著於晶圓之正面上,並且在將晶圓分割成一個個元件之後對切割膠帶照射紫外線而使其黏著力降低,而可容易地進行接下來的拾取步驟。
專利文獻1:日本專利特開2006-295050號公報
然而,在上述切削裝置中,對晶圓照射紫外線以賦予親水性之第1紫外線照射機構,與對切割膠帶照射紫外線而使其黏著力降低之第2紫外線照射機構為分別獨立而配置,且使裝置內之空間受到制約而成為阻礙裝置小型化之主要因素。
本發明是有鑒於上述事實而作成的,其主要技術課題為提供一種將紫外線照射機構構成為小型之切削裝置,該紫外線照射機構可對晶圓照射紫外線以賦予親水性,而可以防止切削時產生之切削屑附著於晶圓之正面上,並且當將晶圓分割成一個個元件後,可對切割膠帶照射紫外線以使其黏著力降低。
為解決上述主要技術課題,根據本發明所提供的
切削裝置包含保持機構、切削機構、切削進給機構、分度進給機構、晶圓盒載置機構、搬出機構及搬送機構。該保持機構用以保持晶圓,該切削機構具備用於切削保持在該保持機構上之晶圓之切削刀,該切削進給機構使該保持機構及該切削機構在切削進給方向上相對地移動,該分度進給機構使該保持機構與該切削機構在與切削進給方向垂直之分度進給方向上相對地移動,該晶圓盒載置機構具備用以載置收納有晶圓的晶圓盒之晶圓盒載置台,該晶圓是黏貼於會因紫外線的照射而使黏著力降低之切割膠帶上且透過該切割膠帶被環狀框架所支持,該搬出機構將載置於該晶圓盒載置台上之晶圓盒中所收納的晶圓搬出至暫置區域,而該搬送機構將搬出至該暫置區域之晶圓搬送至該保持機構。
其特徵在於,在該切削裝置中還包含可對藉由該搬出機構而被搬出之晶圓的正面照射紫外線以賦予親水性,並對該切割膠帶照射紫外線以使其黏著力降低的紫外線照射機構。
該紫外線照射機構具備紫外線照射燈、第1框架支持機構及第2框架支持機構,該紫外線照射燈用於照射包含照射於晶圓的正面以生成臭氧並且生成活性氧之波長,及照射於該切割膠帶上而使其黏著力降低之波長的紫外線,該第1框架支持機構是配置於該紫外線照射燈之下側,且用以支持透過該切割膠帶支持晶圓之該環狀框架,該第2框架支持機構是配置於該紫外線照射燈之上側,且用以支持透過該
切割膠帶支持晶圓之該環狀框架。
對晶圓的正面照射紫外線而賦予親水性時,是透過該第1框架支持機構支持透過該切割膠帶支持晶圓之該環狀框架,而對該切割膠帶照射紫外線而使其黏著力降低時,是透過第2框架支持機構支持透過該切割膠帶支持晶圓之該環狀框架。
上述紫外線照射燈宜為低壓水銀燈。
由於本發明之切削裝置是做成:該紫外線照射機構可對以搬出機構搬出之晶圓的正面照射紫外線以賦予親水性,並且對切割膠帶照射紫外線以使其黏著力降低,且該紫外線照射機構具備紫外線照射燈、第1框架支持機構及第2框架支持機構,該紫外線照射燈用於照射包含照射於晶圓正面以生成臭氧並且生成活性氧之波長,及照射於切割膠帶上以使其黏著力降低之波長的紫外線,該第1框架支持機構是配置於紫外線照射燈之下側且用以支持透過該切割膠帶支持晶圓之環狀框架,該第2框架支持機構配置於紫外線照射燈之上側且用以支持透過該切割膠帶支持晶圓之環狀框架,且當對晶圓的正面照射紫外線以賦予親水性時,是藉由第1框架支持機構以支持透過切割膠帶支持晶圓之環狀框架,而當對切割膠帶照射紫外線而使其黏著力降低時,是藉由第2框架支持機構以支持透過切割膠帶支持晶圓之環狀框架,因此,可以做到用1個紫外線照射燈來實施對晶圓的正面照射紫外線以賦予親水性之親水性賦予步驟,
與對切割膠帶照射紫外線而使其黏著力降低之黏著力降低步驟。從而,不需要配置賦予親水性用之紫外線照射燈,與降低黏著力用之紫外線照射燈,因此,可緩和切削裝置內之空間制約使裝置之小型化變成可行。
2‧‧‧裝置機架
3‧‧‧保持機構
31‧‧‧吸附夾頭支持台
32‧‧‧吸附夾頭
4‧‧‧轉軸單元
41‧‧‧轉軸殼體
42‧‧‧轉軸
43‧‧‧切削刀
44‧‧‧切削水供給噴嘴
5‧‧‧攝像機構
6‧‧‧表示機構
7‧‧‧晶圓盒載置機構
71‧‧‧晶圓盒載置台
711‧‧‧定位構件
72‧‧‧升降機構
721‧‧‧引導機構
721a‧‧‧引導軌道
721b‧‧‧軸承
722‧‧‧移動機構
722a‧‧‧公螺桿
722b‧‧‧脈衝馬達
73‧‧‧移動塊
731‧‧‧螺孔
74‧‧‧被引導構件
741‧‧‧被引導溝
8‧‧‧紫外線照射機構
81‧‧‧殼體
811‧‧‧紫外線照射室
811a‧‧‧開口
812、813‧‧‧側壁
814‧‧‧後壁
82‧‧‧紫外線照射燈
83‧‧‧第1框架支持機構
831、841‧‧‧支持架
84‧‧‧第2框架支持機構
10‧‧‧晶圓盒
101‧‧‧被加工物搬出入開口
102‧‧‧支架
11‧‧‧晶圓
111‧‧‧分割預定線
112‧‧‧元件
12‧‧‧框架
13‧‧‧切割膠帶
14‧‧‧暫置區域
15‧‧‧搬出入機構
16‧‧‧第1搬送機構
17‧‧‧洗淨機構
18‧‧‧第2搬送機構
X、Y、Z‧‧‧箭頭
圖1為根據本發明所構成的切削裝置之立體圖。
圖2為配備於圖1所示之切削裝置上的晶圓盒載置機構之立體圖。
圖3是表示將構成配備於圖1所示之切削裝置上的晶圓盒載置機構之晶圓盒載置台定位於第1搬出入位置之狀態的說明圖。
圖4是表示將構成配備於圖1所示之切削裝置上的晶圓盒載置機構之晶圓盒載置台定位於第2搬出入位置之狀態的說明圖。
圖5是表示將構成配備於圖1所示之切削裝置上的晶圓盒載置機構之晶圓盒載置台定位於第3搬出入位置之狀態的說明圖。
以下,參照附圖以詳細地說明依據本發明之晶圓的切削方法及切削裝置之較佳的實施形態。
圖1中所示為根據本發明所構成之切削裝置的立體圖。
圖示之實施形態中的切削裝置具備大致呈直方體形狀
的裝置機架(housing)2。在該裝置機架2內將用於保持作為被加工物之晶圓的保持機構3配置成可在作為切削進給方向之箭頭X所示之切削進給方向上移動。保持機構3具備吸附夾頭支持台31,與裝設於該吸附夾頭支持台31上之吸附夾頭32,並形成為藉由圖未示之吸引機構將作為被加工物之例如圓板狀的晶圓保持在作為該吸附夾頭32之正面的保持面上。又,保持機構3是藉由圖未示之旋轉機構而構成為可旋轉。
圖示之實施形態中的切削裝置具備有作為切削機構之轉軸單元4。轉軸單元4具備有轉軸殼體41、轉軸42及切削刀43,其中,該轉軸殼體41是裝設於圖未示之移動基台上且可在與箭頭X所示之切削進給方向垂直之以箭頭Y表示之分度方向上,及垂直於作為吸附夾頭32之正面的保持面之以箭頭Z表示之切入方向上進行移動調整,該轉軸42被該轉軸殼體41支持成可旋轉自如且藉由圖未示之旋轉趨動機構而被旋轉驅動,該切削刀43是裝設於該轉軸42上。在該切削刀43的兩側配置有連接到圖未示之切削水供給源之切削水供給噴嘴44。
圖示之實施形態中的切削裝置具備攝像機構5,該攝像機構5是用於拍攝保持在構成上述保持機構3之吸附夾頭32的正面上的晶圓之正面,且藉由上述切削刀43檢測出應切削之區域,及確認切削溝之狀態。該攝像機構5是由顯微鏡或CCD照像機等光學機構所構成。又,圖示之實施形態中之切削裝置具備用以顯示由攝像機構5所拍攝之影
像的顯示機構6。
圖示之實施形態中的切削裝置具備有收納作為被加工物之晶圓的晶圓盒10。晶圓盒10具備用於供成為被加工物之晶圓進出之被加工物搬出入開口101,且在兩側壁之內表面將用於載置晶圓之複數個料架102沿上下方向相向而設置。收納於晶圓盒10之成為被加工物的晶圓11形成為如圖1所示之圓板形狀,在其正面藉由形成為格子狀的分割預定線111所劃分出的多個區域中形成有IC、LSI等元件112。像這樣形成之晶圓11是黏貼於裝設在環狀框架12上之切割膠帶13的正面上。切割膠帶13的黏著層所使用的是可藉由照射預定波長之紫外線而使黏著力降低之所謂的UV膠帶。收納晶圓11之晶圓盒10是將被加工物搬出入開口101面向暫置區域14而將晶圓盒載置於載置機構7的晶圓盒載置台71上。在晶圓盒載置台71的上表面設置有用於供載置晶圓盒10時定位之定位構件711。再者,關於晶圓盒載置機構7,將於後述詳細地說明。
圖示之實施形態中的切削裝置包含搬出入機構15、第1搬送機構16、洗淨機構17及第2搬送機構18,該搬出入機構15是用以將收納於晶圓盒10內之作為被加工物的晶圓11搬出至暫置區域14,並將切削加工後之晶圓11搬入至晶圓盒10內,該第1搬送機構16是將被該搬出入機構15搬出之晶圓11搬送至上述保持機構3,該洗淨機構17是用以洗淨在保持機構3上被切削加工過之晶圓11,第2搬送機構18是將在保持機構3上被切削加工過之晶圓11朝洗淨機構17
搬送。
接著,參照圖2及圖3以說明上述晶圓盒載置機構7。
圖示之實施形態中的晶圓盒載置機構7具備有配置於上述晶圓盒載置台71下側之紫外線照射機構8,及用於使晶圓盒載置台71在上下方向移動之升降機構72。
紫外線照射機構8具備有將晶圓盒載置台71構成上壁之殼體81。如圖2及圖3所示,殼體81具備在搬出入機構15側(在圖3中為右側)形成有開口811a之紫外線照射室811。在殼體81之紫外線照射室811中配置有位於上下方向中間部之紫外線照射燈82,該紫外線照射燈82用於照射包含下列波長之紫外線:對晶圓11的正面進行照射以生成臭氧並且生成活性氧之波長,及對切割膠帶13進行照射以使其黏著力降低之波長。該紫外線照射燈82是由用於照射波長為150nm~400nm之紫外線的低壓水銀燈所構成。又,形成在殼體81上之紫外線照射室811中配置有第1框架支持機構83及第2框架支持機構84,該第1框架支持機構83是位於紫外線照射燈82之下側且用於支持透過切割膠帶13支持晶圓11之環狀的框架12,該第2框架支持機構84是位於紫外線照射燈82之上側且用於支持透過切割膠帶13支持晶圓11之環狀框架12。第1框架支持機構83是由位於紫外線照射燈82之下側且在構成殼體81之側壁812、813之內表面上分別相向而設置之一對支持架831、831所構成,第2框架支持機構84是由位於紫外線照射燈82之上側且在構成殼體81之側壁
812、813之內表面上分別相向而設置之一對支持架841、841所構成。
上述之構成紫外線照射機構8之殼體81也在後壁814上如圖2及圖3所示地裝設有藉由升降機構72而使其進行升降之移動塊73及被引導構件74。
如圖2所示,圖示之實施形態中的升降機構72是由沿上下方向配置之引導機構721,與沿著該引導機構721而使上述移動滑塊73移動之移動機構722所構成。引導機構721具備一對引導軌道721a、721a,該對引導軌道721a、721a可與相互平行地配置且設置在被引導構件74上之一對被引導溝741、741可滑動地嵌合。移動機構722是由公螺桿722a與可正轉及逆轉的脈衝馬達722b所構成,該公螺桿722a是在構成引導機構721之一對引導軌道721a與721a之間沿上下方向配置,且上端部會受到安裝在引導機構721上之軸承721b支持成可旋轉,該可正轉及逆轉的脈衝馬達722b用於使該公螺桿722a旋轉,且如圖3所示地形成為使公螺桿722a螺合於設置在移動塊73之螺孔731中。因此,當將脈衝馬達722b朝其中一個方向旋轉驅動時,就可使移動塊73及被引導構件74沿著公螺桿722a及一對引導軌道721a與721a而上升,當將脈衝馬達722b朝另一個方向旋轉驅動時,就可使移動塊73及被引導構件74沿著公螺桿722a及一對引導軌道721a、721a而下降。像這樣使其升降之移動塊73及被引導構件74可被定位到第1搬出入位置、第2搬出入位置及第3搬出入位置,其中,該第1搬出入位置是如圖3所示,使載置
於晶圓盒載置台71上的晶圓盒10與上述搬出入機構15相向的位置;該第2搬出入位置是如圖4所示,使配置在紫外線照射機構8之殼體81上的第2框架支持機構84與搬出入機構15相向的位置;該第3搬出入位置是如圖5所示,使配置在紫外線照射機構8之殼體81上的第1框架支持機構83與搬出入機構15相向的位置。再者,在第1搬出入位置中,升降機構72是對應於載置在晶圓盒載置台71上之晶圓盒10中所收納之晶圓的收納位置而進行位置調整。
在圖示之實施形態中的切削裝置是如以上所述地被構成,以下說明其作用。
在進行晶圓11的切削時,是將收納有晶圓11的晶圓盒10載置於晶圓盒載置機構7之晶圓盒載置台71上的預定位置。再者,在將晶圓盒10載置於晶圓盒載置台71上的情況中,是如圖3所示地將晶圓盒載置台71定位於第1搬出入位置。如圖3所示,可藉由在第1搬出入位置上將晶圓盒10載置在晶圓盒載置台71上的預定位置,以完成收納在晶圓盒10中之晶圓11的切削作業之準備。
如上述所示,當完成切削作業之準備,並將切削加工開始開關(圖未示)切換成進行投入後,即作動晶圓盒載置機構7的升降機構72,以使載置在晶圓盒載置台71上之晶圓盒10的預定位置定位到圖3所示之第1搬出入位置上。當將晶圓盒10定位至圖3所示之第1搬出入位置上時,即作動搬出入機構15以把持載置在晶圓盒10之預定的架上之透過切割膠帶13支持晶圓11的環狀框架12。像這樣,當要藉由
搬出入機構15把持透過切割膠帶13支持晶圓11之環狀框架12時,就要將搬出入機構15定位至圖3中以2點鏈線表示之位置上。
接著,作動晶圓盒載置機構7之升降機構72而使配置在晶圓盒載置台71下側之紫外線照射機構8定位至圖5所示之第3搬出入位置。當將紫外線照射機構8定位至圖5所示之第3搬出入位置時,即變成使配置在紫外線照射機構8之殼體81上的第1框架支持機構83與搬出入位置15相向的位置。當將紫外線照射機構8定位至圖5所示之第3搬出入位置上時,即可作動搬出入機構15而將透過切割膠帶13支持晶圓11之環狀框架12通過開口811a***到紫外線照射室811內,並將環狀框架12載置在構成第1框架支持機構83之一對支持架831、831上。因此,載置在一對支持架831、831上之透過切割膠帶13被環狀框架12所支持的晶圓11使正面與紫外線照射燈82相向而被定位。像這樣,當要將透過切割膠帶13支持晶圓11之環狀框架12載置於構成第1框架支持機構83之一對支持架831、831上時,就要將搬出入機構15定位至圖5中以2點鏈線表示之位置上。
如上所述,當將透過切割膠帶13支持晶圓11之環狀框架12載置於構成第1框架支持機構83之一對支持架831、831上,且將搬出入機構15定位至圖5中以2點鏈線表示之位置上時,就可將配置於紫外線照射室811中的紫外線照射燈82開啟,將波長為150nm~400nm之紫外線朝向載置於晶圓支持構件82上之晶圓11進行照射。其結果為,可藉由波長
為184.9nm的紫外線分解氧分子以生成臭氧(O3),並可藉由波長為253.7nm的紫外線分解臭氧(O3)以生成高能量的活性氧。藉由使如此進行而生成的活性氧作用於晶圓11的正面,晶圓11的正面就會提高親水性(親水性賦予步驟)。如此進行而實施過親水性賦予步驟後,即可將紫外線照射燈82關閉。
實施上述親水性賦予步驟後,即可作動搬出入機構15以把持受到構成第1框架支持機構83之一對支持架831、831所支持之透過切割膠帶13支持晶圓11的環狀框架12。像這樣,把持著透過切割膠帶13支持晶圓11之環狀框架12的搬出入機構15,可將晶圓11(以下,將晶圓11透過切割膠帶13而被支持在環狀框架12上之狀態的晶圓11,簡稱為晶圓11)搬出至暫置區域14。被搬出至暫置區域14之晶圓11可藉由第1搬送機構16的回轉動作而被搬送至構成上述保持機構3之吸附夾頭32的保持面上,且受到該吸附夾頭32吸引保持。如此進行以使吸引保持有晶圓11的保持機構3移動至攝像機構5的正下方。當將保持機構3定位到攝像機構5的正下方時,即可進行精密位置對位作業,藉由攝像機構5將形成於晶圓11上之分割預定線111檢測出,且在轉軸單元4之作為分度方向之箭頭Y方向上進行移動調節。
之後,藉由將吸引保持有晶圓11之保持機構3在作為切削進給方向之以箭頭X表示的方向(與切削刀43之旋轉軸垂直的方向)上移動,以藉由切削刀43將保持在保持機構3上之晶圓11沿著預定的分割預定線111切斷(切削步驟)。
也就是說,由於切削刀43是裝設在可在作為分度方向之以箭頭Y表示之方向及作為切入方向之以箭頭Z表示之方向上進行移動調整而定位之轉軸單元4上,且受到旋轉驅動,因此藉由沿著切削刀43的下側將保持機構3在以箭頭X表示之切削進給方向上移動,就可以利用切削刀43將保持在保持機構3上的晶圓11沿著預定的分割預定線111切斷。像這樣,可藉由將晶圓11沿著分割預定線111切斷,而分割成一個個元件。被分割之元件,由於切割膠帶13的作用而不會變得零亂分散,且可維持著透過切割膠帶13而受到環狀框架12支持的晶圓11之狀態。
在上述之切削步驟中,是從切削水供給噴嘴44將切削水供給至因切削刀43而形成之晶圓11的切削部上。因而,會變成藉由切削刀43進行的切削所生成之切削屑混入至切削水中而漂浮在晶圓11之正面的切削面上之情形。然而,由於在成為晶圓11的正面之切削面上可藉由上述之親水性賦予步驟而提高親水性且保持在濕潤的狀態,所以不會有切削屑頑固地附著於晶圓11的正面的切削面上的情形。
如上所述地進行而結束切削步驟之後,透過切割膠帶13而受到環狀框架12支持之已分割好的元件(以下,稱為切削加工後之晶圓11),即可返回到最初吸引保持晶圓11之位置,並在此將對切削後之晶圓11的吸引保持解除。接著,將切削加工後之晶圓11藉由第2搬送機構18搬送至洗淨機構17,並在此將上述切削時所生成的切削屑洗淨去除(洗
淨步驟)。在該洗淨步驟中,由於如上所述地對晶圓11的上表面之切削面賦予親水性使切削時所生成的切削屑不會頑固地附著,因此可輕易地去除切削屑。如此進行而被洗淨過之切削加工後的晶圓11,是藉由第1搬送機構16搬送至暫置區域14。
另一方面,晶圓盒載置機構7將紫外線照射機構8定位至圖4所示之第2搬出入位置。然後,作動搬出入機構15以如上所述地將搬送至暫置區域14之透過切割膠帶13支持切削加工後之晶圓11的環狀框架12通過開口811a***紫外線照射室811內,並將環狀框架12載置在構成第2框架支持機構84之一對支持架841、841上。因而,可使裝設在載置於一對支持架841、841上之環狀框架12上的切割膠帶13的背面與紫外線照射燈82相向而定位。像這樣,當要將透過切割膠帶13支持切削加工後之晶圓11的環狀框架12載置於構成第2框架支持機構84之一對支持架841、841時,就要將搬出入機構15定位至圖4之2點鏈線所示之位置上,並且將配置於紫外線照射室811之紫外線照射燈82開啟,將波長為150nm~400nm之紫外線朝向黏貼有切削加工後之晶圓11的切割膠帶13進行照射。其結果為,可藉由照射於切割膠帶13之波長為300~400nm的紫外線,使切割膠帶13的黏著力降低(黏著力降低步驟)。藉由像這樣實施黏著力降低步驟,就能在下一步驟之拾取(pick up)步驟中,將被分割成一個個的元件從切割膠帶13上剝離,因而可使拾取變得容易。
如上所述,對被搬送至紫外線照射機構8之黏貼
有切削加工後之晶圓11的切割膠帶13照射紫外線之後,即可將紫外線照射燈82關閉。接著,作動搬出入機構15以將黏貼於藉由實施上述黏著力降低步驟而使黏著力降低之切割膠帶13上之切削加工後之晶圓11搬出。然後,作動晶圓盒載置機構7的升降機構72而將晶圓盒10定位至圖3所示之第1搬出入位置後,即可再次作動搬出入機構15,以將切削加工後之晶圓11收納到定位於第1搬出入位置之晶圓盒10的預定位置。如此進行,而將切削加工後之晶圓11收納於晶圓盒10的預定位置後,即可作動搬出入機構15,以將下一個應當切削之晶圓從晶圓盒10搬出,重覆實施上述的切削作業。
再者,在上述之切削步驟中,可藉由在對實施過親水性賦予步驟之晶圓11實施切削步驟的期間,將下一個應當切削之晶圓11從晶圓盒10搬出以實施親水性賦予步驟,並讓已賦予過親水性之晶圓11返回到晶圓盒10內而預作準備之作法,以提高作業效率。
如以上所述,圖示之實施形態中的紫外線照射機構8具備紫外線照射燈82、第1框架支持機構83及第2框架支持機構84,該紫外線照射燈82是由配置於殼體81之紫外線照射室811中且用於照射出波長為150nm~400nm之紫外線的低壓水銀燈所構成,該第1框架支持機構83是配置於紫外線照射燈82下側且用於支持透過切割膠帶13支持晶圓11之環狀框架12,該第2框架支持機構84是配置於紫外線照射燈82之上側且用於支持透過切割膠帶13支持晶圓11之環狀框
架12。當對晶圓11正面照射紫外線以賦予親水性時,是藉由第1框架支持機構83支持透過切割膠帶13支持晶圓11之環狀框架12,且當對切割膠帶13照射紫外線以使其黏著力降低時,是藉由第2框架支持機構84支持透過切割膠帶13支持晶圓11之環狀框架12,因此,可以做到用1個紫外線照射燈82來實施對晶圓之正面照射紫外線以賦予親水性之親水性賦予步驟,與對切割膠帶照射紫外線以使其黏著力降低之黏著力降低步驟。如此一來,因為不必配置親水性賦予用之紫外線照射燈,與黏著力降低用之紫外線照射燈,所以可緩和切削裝置內之空間制約並可將裝置之小型化變成可行。
如以上所述,雖然根據圖示之實施形態說明了本發明,但本發明並不僅受限於實施形態。在圖示之實施形態中,雖然是以藉由裝設於切削裝置之紫外線照射機構8來實施親水性賦予步驟為例示,但是藉由鄰接於切削裝置而配置之紫外線照射機構來實施親水性賦予步驟亦可。
Claims (2)
- 一種切削裝置,包含:保持機構、切削機構、切削進給機構、分度進給機構、晶圓盒載置機構、搬出機構及搬送機構,該保持機構是用以保持晶圓,該切削機構具備用於切削保持在該保持機構上之晶圓的切削刀,該切削進給機構使該保持機構與該切削機構在切削進給方向上相對地移動,該分度進給機構使該保持機構與該切削機構在與切削進給方向垂直相交之分度進給方向上相對地移動,該晶圓盒載置機構具備用以載置收納有晶圓之晶圓盒的晶圓盒載置台,該晶圓是貼著在會因紫外線照射而使黏著力降低之切割膠帶上且透過該切割膠帶而被環狀框架所支持,該搬出機構將載置於該晶圓盒載置台上之該晶圓盒中所收納的晶圓搬出至暫置區域,該搬送機構將搬出至該暫置區域之晶圓搬送至該保持機構,其特徵在於:在該切削裝置中還包含可對藉由該搬出機構搬出之晶圓的正面照射紫外線以賦予親水性,並且對該切割膠帶照射紫外線以使其黏著力降低的紫外線照射機構,該紫外線照射機構具備紫外線照射燈、第1框架支持機構及第2框架支持機構,該紫外線照射燈用於照射包含下述波長的紫外線:照射於晶圓的正面以生成臭氧並且生成活性氧之波長,及照射於該切割膠帶上以使其 黏著力降低之波長,該第1框架支持機構配置於該紫外線照射燈之下側,且用以支持透過該切割膠帶支持晶圓之該環狀框架,該第2框架支持機構配置於該紫外線照射燈之上側,且用以支持透過該切割膠帶支持晶圓之該環狀框架,當對晶圓的正面照射紫外線以賦予親水性時,是藉由該第1框架支持機構支持透過該切割膠帶支持晶圓之該環狀框架,當對該切割膠帶照射紫外線而使其黏著力降低時,是藉由該第2框架支持機構支持透過該切割膠帶支持晶圓之該環狀框架。
- 如請求項1之切削裝置,該紫外線照射燈是低壓水銀燈。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104102855A TWI655685B (zh) | 2015-01-28 | 2015-01-28 | Cutting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104102855A TWI655685B (zh) | 2015-01-28 | 2015-01-28 | Cutting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201628077A TW201628077A (zh) | 2016-08-01 |
TWI655685B true TWI655685B (zh) | 2019-04-01 |
Family
ID=57181847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104102855A TWI655685B (zh) | 2015-01-28 | 2015-01-28 | Cutting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWI655685B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7032122B2 (ja) * | 2017-12-22 | 2022-03-08 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05335412A (ja) * | 1992-05-30 | 1993-12-17 | Sony Corp | ウェハのダイシング方法 |
US5332406A (en) * | 1989-07-21 | 1994-07-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing semiconductor device |
JP2002299286A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-11 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Uv照射装置付ダイシング装置 |
TW200301955A (en) * | 2002-01-10 | 2003-07-16 | Disco Corp | Cutting device |
TW201016418A (en) * | 2008-08-19 | 2010-05-01 | Disco Corp | Cutting device |
-
2015
- 2015-01-28 TW TW104102855A patent/TWI655685B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5332406A (en) * | 1989-07-21 | 1994-07-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing semiconductor device |
JPH05335412A (ja) * | 1992-05-30 | 1993-12-17 | Sony Corp | ウェハのダイシング方法 |
JP2002299286A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-11 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Uv照射装置付ダイシング装置 |
TW200301955A (en) * | 2002-01-10 | 2003-07-16 | Disco Corp | Cutting device |
TW201016418A (en) * | 2008-08-19 | 2010-05-01 | Disco Corp | Cutting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201628077A (zh) | 2016-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4594786B2 (ja) | 切削装置 | |
JP4841939B2 (ja) | 半導体ウェハの加工装置 | |
JP2007329300A (ja) | 紫外線照射装置および紫外線照射装置を備えた切削機 | |
TWI445067B (zh) | The method of expansion of the workpiece | |
JP6679157B2 (ja) | 加工装置の搬送機構 | |
JP2019106458A (ja) | ウエーハ生成装置および搬送トレー | |
TWI411029B (zh) | Laser processing device | |
TWI626681B (zh) | Wafer processing method | |
TWI694504B (zh) | 雷射加工方法 | |
JP2017188548A (ja) | 加工装置 | |
CN110303607B (zh) | 切削装置 | |
JP2003203887A (ja) | 切削装置 | |
JP5373496B2 (ja) | 切削溝検出装置および切削加工機 | |
JP2006303051A (ja) | ウエーハの研削方法および研削装置 | |
TWI655685B (zh) | Cutting device | |
JP2020120029A (ja) | チャックテーブル | |
JP6579930B2 (ja) | 加工装置 | |
CN106032036B (zh) | 切削装置 | |
JP6158002B2 (ja) | 切削装置 | |
KR102226221B1 (ko) | 절삭 장치 | |
JP5872799B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP6151609B2 (ja) | 切削装置 | |
JP2016207820A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6635864B2 (ja) | 加工装置 | |
JP2021048309A (ja) | 収容カセット |