TWI655158B - 合成石英玻璃的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種合成石英玻璃的製造方法。而且，本發明有關一種聚烷基矽氧烷化合物，其包含特定規格之氯含量、金屬雜質含量及殘留水份，以及有關該化合物用於製造合成石英玻璃之用途。本發明亦有關一種可根據本發明方法製得之合成石英玻璃。

Description

合成石英玻璃的製造方法
本發明有關一種合成石英玻璃的製造方法。本發明亦有關一種聚烷基矽氧烷化合物，其包含特定規格之氯含量、金屬雜質含量及殘留水份，以及有關該化合物用於製造合成石英玻璃之用途。本發明另一態樣有關一種可根據本發明方法製得之合成石英玻璃。
有關合成石英玻璃之製造，習慣上是以CVD程序藉由水解或氧化自含矽之起始物質產生SiO2粒子，並將此等粒子沈積於移動中的載體上。該種方法可再分成外部及內部沈積法。外部沈積法中，SiO2粒子施加於旋轉載體之外側。相關外部沈積法之實例包括所謂的OBD法(外部氣相沈積法)、VAD法(軸向氣相沈積法)或PECVD法(電漿增進化學氣相沉積)。內部沈積法中最著名的實例是MCVD法(經修飾之化學氣相沉積法)，其中SiO2粒子沈積於自外側受熱之管材的內壁上。
載體表面區域之溫度若夠高，則SiO2粒子直接玻璃 化，亦稱為「直接玻璃化」。相反地，在所謂的「煙塵法(soot method)」中，SiO2粒子在沈積期間的溫度低至得到多孔性SiO2粉團層，隨後在另一個程序步驟中燒結成透明之石英玻璃。直接玻璃化及煙塵兩種方法皆產生致密、透明、高純度之合成石英玻璃。
例如，四氯化矽(SiCl4)為先前技術已知用以製造合成石英玻璃之含矽製造材料。四氯化矽及其他類似之含氯物質在低於100℃之適當溫度下具有充分之蒸氣壓，使得所含之任何雜質通常皆保留於液相中，而更容易製晶高純度之煙塵體(soot body)。
該含氯材料之一項重要缺點是其轉化成合成石英玻璃時伴隨生成鹽酸，導致廢氣洗滌及丟棄時的高額費用支出。由於此項因素，過去有許多所謂的無氯有機矽化合物被嘗試作為製造石英玻璃的起始物質。實例包括單矽烷、烷氧基矽烷、矽氧烷及矽氮烷。該等所謂無氯有機矽化合物中特別重要的一群聚烷基矽氧烷(亦簡稱為「矽氧烷」可由例如DE 30 16 010 A1得知。詳言之，可包括於聚烷基矽氧烷中之聚環矽氧烷的特徵為每個重量分率所具有之矽分率特別高，增加其用以製造合成石英玻璃的經濟效益。由於高純度之商業化數量的可取得性之關係，目前特別是使用八甲基環四矽氧烷(OMCTS)。
該等聚烷基矽氧烷化合物可聚合且一般是以純物質形式存在於製造材料中，或為包括其他化合物的混合物形式(一般為液體形式)。其可於液體形式下供應至消耗單 元，例如供應至沈積燃燒器。但是，液體製造材料通常藉由蒸發器轉移至氣相或汽相，且經由導管系統以連續氣流方式供應至消耗單元。
先前技術描述許多基於此等所謂的無氯起始物質的合成石英玻璃製造方法。此點應參照例如EP 0 760 373 A、WO 99/15468 A、WO 99/54259 A、WO 2013/092553 A、及EP 0 529 189 A。
雖然先前技術方法建議使用經過純化的起始物質，但其生產仍有一部分與在蒸發器中及傳導蒸氣之導管系統中形成沉澱物或凝膠的缺點有關。
由先前技術之整體評估顯見起始物質中之氯含量、金屬雜質含量及殘留水含量各自獨立地對合成石英玻璃具有防止凝膠形成的重要性。然而，所評估之文件中沒有任何一份顯示個別雜質與凝膠形成之間有對應關係。而且，並未詳細說明實際造成凝膠形成的金屬雜質。
在基於聚烷基矽氧烷之合成石英玻璃的製造期間，凝膠形成之問題相當明顯，尤其是在產量超過1t之製程中，造成蒸氣傳導管線、質流調節器、節流器及對應之閥被凝膠及殘留物所塗覆且一部分被堵塞。這種情況不受控制地破壞整個蒸氣傳導系統的控制及流動性質。是故，凝膠形成之增加使得聚烷基矽氧烷蒸氣之流動的控制變得更加困難，此點又對該製法之產能(例如煙塵密度分布之批次變異)及形成產物之性質(例如煙塵密度之軸向/徑向均勻性)具有負面影響，尤其是在多燃燒器裝置中。而 且，因製程中所使用之設備需要清理、設備可能需要更換及清理時所對應之停機時間，導致成本大幅增加。由於材料損耗所增加之成本亦需列入考量。
需同時將製造材料供應至多個消耗單元的煙塵沈積法，例如藉由多燃燒器裝置進行之煙塵沈積法，顯然有另一種問題。為了防止不均勻的煙塵沈積及形成不均勻之層，此處特別重要的是每個沈積燃燒器各具有在質及量上皆相同之煙塵沈積結構特徵。應避免氣體供應之波動，例如由於凝膠形成導致形成沈積所致。
前文所評估之先前技術文件及此等文件中所述方法無法完全解決此等問題，故仍需要有進一步改良之合成石英玻璃製造方法。
基於前述先前技術，本發明之目的是提出一種合成石英玻璃的製造方法，其中實質地防止形成副產物，尤其是在用以製造合成石英玻璃之設備中造成沉澱物形成的副產物。
而且，本發明目的是提出一種合成石英玻璃的製造方法，其中將煙塵沈積法之製造材料同時供應至多個燃燒器，且其中確保在該多個燃燒器之間的質流分布均勻。
最後，本發明之目的是提供一種合成石英玻璃的製造方法，其中實質地防止煙塵密度分布的批次變異，產生實質上均勻且包含軸向及/或徑向均一性的煙塵。詳言之， 本發明包括多燃燒器裝置之方法可產生在軸向及/或徑向具均一性或依特定方式調整之密度分布。是故，藉由本發明達成在位於多燃燒器裝置兩端帽之間的空間中達到軸向之相對密度變異以石英玻璃密度計小於3%(較佳是小於2%)的目的。
該項目的係經由一種合成石英玻璃的製造方法達成，其包含以下程序步驟：(a)將含有至少一種可聚合聚烷基矽氧烷化合物的製造材料蒸發，同時形成製造材料蒸氣；(b)程序步驟(a)所形成之製造材料蒸氣供應至反應區，該製造材料於此區中經由熱解或水解轉化成SiO2顆粒；及(c)將步驟(b)所形成之SiO2粒子沈積於沈積表面上，(d)若適用，則將程序步驟(c)之SiO2顆粒乾燥並玻璃化，同時形成合成石英玻璃。本發明方法之特徵在於在製程中，(1.)該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含最高達550ppb之氯含量，且(2.)同時，該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含加總最高達25ppb之鉻(Cr)及鋅(Zn)金屬雜質含量。
根據本發明，符合特定氯含量及Cr與Zn金屬雜質含量兩條件(即同時符合)對於要在基於聚烷基矽氧烷化合 物之合成石英玻璃的製造期間防止凝膠形成極具重要性。
是故，若符合前述氯及金屬雜質Cr及Zn的規格，則用於合成該合成石英玻璃的裝置中不會有明顯的凝膠形成，且可在製造期間保持長時間之連續操作，尤其是數個月的時間。
本發明方法極適於經由「直接玻璃化」來製造合成石英玻璃。因為SiO2粒子沈積於該沈積表面上的過程中溫度夠高，故此種方法伴隨著SiO2粒子之直接玻璃化。因此，「直接玻璃化」捨棄了可選擇使用之程序步驟(d)。此外，本發明方法亦極適於根據所謂的「煙塵法(soot method)」製造石英玻璃，其中在程序步驟(c)中沈積SiO2粒子期間的溫度低至得到多孔性SiO2煙塵層，在個別之程序步驟(d)中，該層被乾燥並被玻璃化成為合成石英玻璃。
基本上，任何充分適合製造合成石英玻璃的聚烷基矽氧烷化合物皆可使用於本發明方法。在本發明範疇中，語辭「聚烷基矽氧烷」應用以同時包含直鏈(亦包含分支結構)及環狀分子結構。
特別適合之環狀代表性分子為具有以下通用分子式之聚烷基矽氧烷SipOp(R)2p，其中p為大於或等於2之整數。殘基"R"為烷基，即在最簡單情況下為甲基。
聚烷基矽氧烷之特徵為每重量分率之矽分率特別高， 有助於在用於製造合成石英玻璃時的經濟效益。
就此言之，聚烷基矽氧烷化合物較佳選自由下列者組成之群組：六甲基環三矽氧烷(D3)、八甲基環四矽氧烷(D4)、十甲基環五矽氧烷(D5)、十二甲基環六矽氧烷(D6)、十四甲基環七矽氧烷(D7)、十六甲基環八矽氧烷(D8)及其直鏈同系物。術語D3、D4、D6、D7及D8是源自General Electric Inc.所介紹之術語，其中「D」代表[(CH3)2Si]-O-基團。
前述聚烷基矽氧烷化合物之混合物亦極適合使用於本發明範圍。
因為可取得高純度之商業規模數量，故目前偏好使用八甲基環四矽氧烷(OMCTS)。因此，在本發明範圍中特佳的聚烷氧基矽氧烷化合物是八甲基環四矽氧烷(D4)。
下文列示本發明較佳具體實施態樣。
氯含量：
在本發明範圍中，氯含量應理解為來自所有含氯之無機組份及含氯之有機組份的總和之氯數量。
如前文所述，至少一種聚烷基矽氧烷包含最高達550ppb之氯含量。
亦如前文所提及，市售OMCTS仍含有微量之含氯組 份。理由是傳統上使用含氯之矽烷(例如二甲基二氯矽烷)作為製造OMCTS之起始產物。即使是在環化程序及一般純化及/或蒸餾之後，市售OMCTS及使用於前文評估之先前技術中的OMCTS兩者中皆仍可偵測到殘留之氯含量。就此言之，先前技術所提及之具有「無鹵素」及/或「無氯」特色之產物必需理解為意指鹵素含量及/或氯含量低於個別時間點所存在之偵測極限，且/或先前技術中鹵素含量(及/或氯含量)之測量大部分是在ppm範圍內進行。
根據本發明，顯然僅有在個別起始物質之殘留(尤其是)氯含量符合對應於前述條件的特定規格時，與在製程中蒸發之量有關的蒸氣傳導系統中壓力增加之量級可接受。
較佳，本發明範圍中所使用之至少一種聚烷基矽氧烷化合物進一步包含最高400ppb之氯含量，較佳最高250ppb，更佳最高180ppb，再更佳最高120ppb。
尤其是包含最佳最高180ppb之氯含量的起始物質在本發明方法中顯示完全不受系統壓力增加之干擾的性質，可保持連續操作數個月。
由於生產工程之故，本發明方法可接受該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含至少40ppb之氯含量，尤其是至少50ppm，特別是至少60ppb。
因此，要使用於本發明方法中之聚烷基矽氧烷化合物包含通常為40至550ppb之氯含量，尤其是40至400 ppb，特別是45至320ppb，更特別是50至250ppb，更特別是20至180ppb，更特別是60至120ppb。
本發明範圍內之聚烷基矽氧烷化合物的氯含量是藉中子活化分析決定。有關實際分析條件，參考例示具體實施態樣之進一步描述。
為了達到作為產物材料之聚烷基矽氧烷化合物中之氯含量，在使用於本發明方法之前，聚烷基矽氧烷化合物先施以純化較佳。該純化可經由用以純化聚烷基矽氧烷化合物之一般方法進行，純化步驟重複進行至達到本發明所提供之聚烷基矽氧烷化合物的規格。若適用，則欲重複施加之例示純化步驟的實例包括：- 使該聚烷基矽氧烷化合物與吸附劑(例如活性碳及/或分子篩)接觸以吸附材料，隨後進行多階蒸餾；- 自聚烷基矽氧烷化合物萃取雜質；及- 以HPLC純化聚烷基矽氧烷化合物。
用以純化聚烷基矽氧烷化合物之對應程序描述於例如GB 2459943 A、DE 103 59 951 A、EP 1 503 957 A、WO 2004/049398 A、EP 0 975 690 A、EP 0 760 373 A、及EP 0 105 328中。
鉻及鋅之含量
而且，該起始物質包含加總最高達25ppb之Cr及Zn的金屬雜質含量。
根據本發明，顯然Cr及Zn之金屬雜質的存在對於始 自聚烷基矽氧烷的合成石英玻璃製造過程中之凝膠形成極為重要，尤其是當起始物質之氯含量在前述範圍內時。可能是Cr及Zn之金屬雜質特別加速殘留物中之凝膠形成，因此使得其存在於起始物質中之含量受到較其他金屬雜質更大的限制。
就此言之，該至少一種聚烷基矽氧烷化合物較佳包含最高達20ppb之Cr及Zn含量，更佳最高達12ppb，更佳最高達8ppb，更佳最高達3ppb。
由於生產工程之故，本發明方法可接受該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含通常至少1ppb之Cr及Zn含量，尤其是至少2ppb。
因此，使用於本發明方法之聚烷基矽氧烷化合物包含通常1至25ppb之Cr及Zn含量，尤其是1至20ppb，特別是2至12ppb，更特別是2至8ppb。
為了達到作為產物材料之聚烷基矽氧烷化合物中之金屬雜質含量，在使用於本發明方法之前，先對聚烷基矽氧烷化合物施以純化較佳。純化較佳藉由如同前文針對調整該至少一種聚烷基矽氧烷化合物之氯含量所述的方式進行。
氯含量及Cr與Zn含量之較佳具體實施態樣：
為了降低本發明方法中之凝膠形成，在第一具體實施態樣中，尤其是以起始物質氯含量最高400ppb且Cr與Zn之金屬雜質含量最高20ppb為較佳。
在第二具體實施態樣中，若起始物質之氯含量最高250ppb且Cr及Zn之含量最高12ppb，則可進一步降低本發明方法之凝膠形成速率。
在第三具體實施態樣中，若起始物質之氯含量最高180ppb且Cr及Zn之含量最高8ppb，則可更進一步降低本發明方法之凝膠形成速率。
在第四具體實施態樣中，若起始物質之氯含量最高120ppb且Cr及Zn之含量最高3ppb，則可更進一步降低本發明方法之凝膠形成速率。
在前述第一至第四具體實施態樣之範圍中，亦可能該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含2ppb之Cr及Zn含量，較佳至少3ppb，更佳至少4ppb，更佳至少5ppb。
在前述第一至第四具體實施態樣之範圍中，亦可能是該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含至少40ppb之氯含量，較佳至少50ppb，更佳至少100ppb，且該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含至少3ppb之Cr及Zn含量，較佳至少5ppb。
殘留水含量：
而且，根據本發明，顯然殘留水含量亦對在基於聚烷基矽氧烷化合物之合成石英玻璃的合成期間防止凝膠形成極為重，其中根據本發明，殘留水含量較佳最高150ppm。
本發明方法中起始物質之殘留水含量顯然較前述氯含 量及Cr及Zn之金屬雜質含量條件不重要，但仍對系統凝膠形成具有影響，因此較佳是調整至前述範圍內。
水沸點遠低於聚烷基矽氧烷，使得聚烷基矽氧烷之蒸發同時蒸發水，因此將水傳送至蒸氣相。由於存在濕氣(水)且前述雜質及高於130℃的高蒸發溫度相互作用，會使開環反應開始進行，造成蒸發期間之凝膠形成增加，尤其是存有具有酸性或鹼性效應(路易士鹼/酸)之雜質時。
因為起始物質存有殘留水同時存有含氯雜質(例如氯矽烷)，會造成此等物質水解，此時形成游離鹽酸。若使用環狀聚烷基矽氧烷，則該游離鹽酸又會造成開環反應。
尤其，較佳該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含最高130ppm之殘留水含量，更佳最高110ppm，更佳最高90ppm，更佳最高70ppm，更佳最高50ppm，更佳最高30ppm。
在本發明範圍中，可接受該至少一種聚烷基矽氧烷化合物具有通常至少3ppm之殘留水含量，尤其至少4ppm，尤其至少5ppm。
聚烷基矽氧烷通常為熱安定性，可預期(例如)在存有微量水、於140及210℃之間的溫度且在觸媒(例如酸及鹼)存在下，環狀OMCTS不會受到開環反應。是故，例如，在安瓿中將含有微量水(例如180ppm)之OMCTS加熱24小時後，未測得凝膠形成產物。然而，個別聚烷基矽氧烷於雜質(例如氯化鐵)存在下進行相同實 驗及加熱，可偵測由金屬表面或於其表面上形成之氧化物層所催化之凝膠形成。
因此，存在起始物質層中之殘留水含量對凝膠形成扮演著重要之角色，尤其是亦存有金屬雜質時。就此言之，凝膠形成速率隨者殘留水含量之增加而增快。
為了達到作為產物材料之聚烷基矽氧烷化合物中之殘留水含量，在使用於本發明方法之前，聚烷基矽氧烷化合物先施以純化較佳。純化藉由如同前文針對調整該至少一種聚烷基矽氧烷化合物之氯含量所述的方式進行。
金屬雜質含量：
而且，起始物質較佳包含加總最高500ppb之Cr及Zn之金屬雜質含量。
除Cr及Zn以外之金屬雜質通常選自由Li、Na、K、Mg、Ca、Fe、Cu、Cr、Mn、Ti、Al、Ni、Mo、W、V、Co、Zn、Pb、Ba、Sr、及Ag組成之群組。
金屬雜質可以元素、氧化物或離子形式存在。
而且，根據本發明，存在起始物質中除Cr及Zn以外之金屬雜質顯然亦可影響凝膠形成。該金屬雜質在起始物質蒸發期間累積至較高濃度。在不欲受縛於理論下，假設該金屬雜質加速由聚合所致之凝膠形成，凝膠形成又導致系統壓力之加快地提高。因此，對於除Cr及Zn以外之金屬雜質的含量較佳亦施以特定限制，使得會促進凝膠形成的累積不會進行。
在本發明此方面內容中，該至少一種聚烷基矽氧烷化合物較佳包含最高400ppb之除Cr及Zn以外的金屬雜質含量，較佳最高300ppb，更佳最高200ppb，更佳最高100ppb。
而且，根據本發明顯然並非一定要使用絕對不含該等金屬雜質之起始物質。該至少一種聚烷基矽氧烷化合物中可存有最低量之除Cr及Zn以外的金屬雜質，且就生產工程而言，可接受較佳至少15ppb，較佳至少20ppb，更佳至少25ppb，更佳至少30ppb，更佳至少35ppb，更佳至少40ppb。
在本發明範圍中，已發現選自由Li、Na、K、Mg、Ca、Cu、Cr、Mn、Ti、Al、Ni、Mo、W、V、Co、Zn、Pb、Ba、Sr、及Ag組成之群組的金屬雜質在製造合成石英玻璃之方法中特別促進凝膠形成。
為了達到作為產物材料之聚烷基矽氧烷化合物中之金屬雜質含量，在使用於本發明方法之前，先對聚烷基矽氧烷化合物施以純化較佳。純化較佳藉由如同前文針對調整該至少一種聚烷基矽氧烷化合物之氯含量所述的方式進行。
適當調整該至少一種聚烷基矽氧烷化合物中的氯含量及Cr與Zn的含量使得可以在用以製造合成石英玻璃之裝置中實現靜態程序條件而不增加系統壓力。
而且，使用本發明方法，形成之煙塵的密度可調至在端帽之間的空間中軸向的相對密度變異小於3%，較佳小 於2%。由於製程之原故，煙塵體具有特定層狀結構，是以該等層呈現出密度或化學組成之局部變化區域。煙塵體通常具有相對於石英玻璃為25至32%之密度。就此言之，該煙塵體顯示相對之密度變異，此點在煙塵體玻璃期間反映於石英玻璃體中，造成羥基或氯濃度之徑向、方位及軸向變異，又造成所製得之石英玻璃柱體及石英玻璃纖維的不利性質。經由使用本發明方法可將該密度變異局限於特定臨限值。
本發明方法極適於經由外部或內部沈積方法製造合成石英玻璃。
若本發明用以製造合成石英玻璃之方法是以外部沈積法方式執行，則此方法較佳為OVD方法(外氣相沈積法)、VAD方法(軸向氣相沈積法)或PECVD方法(電漿增進化學氣相沉積法)。
若本發明用以製造合成石英玻璃之方法是以內部沈積法方式執行，則此方法較佳為MCVD方法(經修飾之化學氣相沉積法)。
而且，本發明有關可使用於前述方法之聚烷基矽氧烷化合物，其較佳包含最高500ppb之氯含量及Cr與Zn最高25ppb之金屬雜質含量。
而且，本發明包含具有最高400ppb之氯含量及最高16ppb之Cr及Zn的金屬雜質含量的聚烷基矽氧烷化合物。
而且，本發明包含具有最高250ppb之氯含量及最高 8ppb之Cr及Zn的金屬雜質含量的聚烷基矽氧烷化合物。
而且，本發明包含具有最高180ppb之氯含量及最高3ppb之Cr及Zn的金屬雜質含量的聚烷基矽氧烷化合物。
本發明亦有關前述聚烷基矽氧烷化合物之用途，該化合物具有如同合成石英玻璃製造方法(尤其是前述方法)中所示之規格。
基於下列實施例更詳細說明本發明。
1.用製造合成石英玻璃之實驗程序
使用DE 10 2013 209 673之蒸發器將OMCTS蒸發，測量引導蒸氣之導管系統的系統壓力增加。所測系統壓力起因於蒸發及蒸氣傳導導管系統的壓力因為蒸發物質之增量而改變。其為蒸發器系統中聚合產物沈積物之直接量測。在實驗過程中，蒸氣傳導系統中溫度保持固定於180℃。理想溫度應介於160及190℃之間。重要的是蒸氣傳導系統中沒有任一處之溫度降至露點以下。起始物質與惰性載氣一起注入蒸發艙內。使用氮作為載氣。
2.殘留水分之測定
聚烷基矽氧烷化合物之殘留水分經由卡費滴定法(Karl-Fischer titration)測定，可使用體積或庫倫方法。使用SI Analytics之TitroLine kF及/或TitroLine kF微量 裝置經由標準方法完成檢測。
3.金屬含量之測定
聚烷基矽氧烷化合物中之金屬雜質藉ICP-HS分析測定。此法包括聚烷基矽氧烷在氫氟酸(HF)中加壓煮解，將氫氟酸(HF)及H2SiF6蒸發，加足蒸餾水，藉ICP-MS(裝置：Agilent 7500ce)測量水溶液。
使用亦為水溶液之標準物完成校正。
4.氯含量之測定
氯含量是藉由Helmholtz Centre Berlin之中子活化分析測定。
5.結果
得到與在起始物質中之氯含量及鋅與鉻含量有關的下列結果：++：系統壓力無增加(在>7日內)；+：系統壓力增加量極小，對合成石英玻璃的製造方法無影響(在7日內)；o：系統壓力增加量小，製造工程仍可接受(在2日內)；-：系統壓力增加量大，製造工程不再可接受(在1日內)；--：系統壓力極大且漸增，製造工程無法接受(在6 小時內)。
σ氯：標準偏差
實施例證實同時符合起始化合物之氯上限550ppb及鉻及鋅上限25ppb為防止在製造合成石英玻璃的裝置中形成凝膠所必需(比較實施例11至實施例8及13)。實施例8及13中，氯含量或鉻及鋅含量超出本發明範圍外，而實施例11氯含量與鉻及鋅含量兩者皆在本發明範圍內。
實施例8證實若鉻及鋅雜質含量高於本發明臨限值，則儘管存有本發明氯含量，仍無法防止裝置中形成凝膠，而實施例13顯示若起始物質中氯含量高於臨限值，則儘管鉻及鋅雜質含量符合本發明規格，仍無法防止裝置中形成凝膠。

Claims (13)

  1. 一種合成石英玻璃的製造方法，其包含下列程序步驟：(a)將含有至少一種可聚合聚烷基矽氧烷化合物的製造材料蒸發，同時形成製造材料蒸氣；(b)將程序步驟(a)所得之製造材料蒸氣供應至反應區，該製造材料於此區中經由熱解或水解轉化成SiO2顆粒；及(c)將得自程序步驟(b)之SiO2顆粒沈積於沈積表面上，(d)若需要，則將得自程序步驟(c)之SiO2顆粒乾燥並玻璃化，同時形成合成石英玻璃，其特徵為該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含最高達550ppb之氯含量及加總最高達25ppb之鉻(Cr)及鋅(Zn)的金屬雜質含量。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含最高達400ppb之氯含量。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含至少40ppb之氯含量。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含加總最高達16ppb之Zn及Cr的金屬雜質含量。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含加總至少2ppb之Zn及Cr的金屬雜質含量。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含最高達150ppm之殘留水含量。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該至少一種聚烷基矽氧烷化合物包含至少3ppm之殘留水含量。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該至少一種聚烷基矽氧烷化合物在被用作製造材料之前先經過純化，以將氯含量及Cr及Zn之金屬雜質含量調整至前述範圍。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中在程序步驟(a)至(c)中使用包括2或更多個燃燒器之多燃燒器配置(multi-burner arrangement)。
  10. 一種合成石英玻璃，其可根據申請專利範圍第1至9項中任一項之方法製得。
  11. 一種聚烷基矽氧烷化合物，其具有低於550ppb之氯含量及加總最高達25ppb之Cr及Zn的金屬雜質含量。
  12. 一種如申請專利範圍第11項之聚烷基矽氧烷化合物的用途，其係用於製造合成石英玻璃。
  13. 如申請專利範圍第11項之用途，其係用於如申請專利範圍第1至9項中任一項之方法。
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