TWI652165B - Manufacturing method of supporting substrate with resin layer, method for producing glass laminate, and method for manufacturing electronic device - Google Patents

Manufacturing method of supporting substrate with resin layer, method for producing glass laminate, and method for manufacturing electronic device Download PDF

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TWI652165B
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Abstract

本發明係關於一種附樹脂層之支持基板之製造方法，該附樹脂層之支持基板具有支持基板與設置於支持基板之單面之聚矽氧樹脂層，且用於在上述聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板而製造玻璃積層體，該附樹脂層之支持基板之製造方法依序包含：塗佈步驟，其係將包含硬化性聚矽氧與溶劑之硬化性聚矽氧組合物塗佈於上述支持基板上，於上述支持基板上形成硬化性聚矽氧組合物層，而獲得包含上述支持基板及上述硬化性聚矽氧組合物層之附硬化性層之支持基板；搬入步驟，其係向加熱處理裝置內搬入上述附硬化性層之支持基板，並於上述加熱處理裝置內之支持銷上載置上述附硬化性層之支持基板；第1加熱步驟，其係於上述附硬化性層之支持基板之上述硬化性聚矽氧組合物層上部配置加熱板，一面進行排氣，一面於第1溫度以下的溫度對上述附硬化性層之支持基板進行加熱處理，而將殘留於上述硬化性聚矽氧組合物層之上述溶劑去除；移動步驟，其係於上述第1加熱步驟後，使上述實施過加熱處理之上述硬化性聚矽氧組合物層離開上述加熱板；搬出步驟，其係將上述附硬化性層之支持基板自上述加熱處理裝置搬出；及第2加熱步驟，其係於較上述第1溫度高之第2溫度下對上述附硬化性層之支持基板進行加熱處理，而獲得聚矽氧樹脂層。

Description

附樹脂層之支持基板之製造方法、玻璃積層體之製造方法及電子裝置之製造方法
本發明係關於一種附樹脂層之支持基板之製造方法、玻璃積層體之製造方法及電子裝置之製造方法。
近年來，太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板(OLED)等裝置(電子設備)之薄型化、輕量化不斷進展，該等裝置所使用之玻璃基板之薄板化正不斷發展。若因薄板化導致玻璃基板之強度不足，則於裝置之製造步驟中，玻璃基板之操作性降低。
最近，為了應對上述課題，而提出有如下方法，即準備積層有玻璃基板與補強板之玻璃積層體，於玻璃積層體之玻璃基板上形成顯示裝置等電子裝置用構件後，將補強板自玻璃基板分離(例如，參照專利文獻1)。補強板具有支持基板、及固定於該支持基板上之聚矽氧樹脂層，且將聚矽氧樹脂層與玻璃基板以可剝離之方式進行密接。於玻璃積層體之聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面將補強板剝離，自玻璃基板分離之補強板可與新的玻璃基板積層，而作為玻璃積層體進行再利用。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2007/018028號
另一方面，自先前已知有將表面配置有塗膜之支持基板載置於複數個支持銷之頂部而進行加熱乾燥之方法。又，作為進行加熱乾燥之方法，已知有使用設置有加熱板之加熱處理裝置之方法。
本發明者等人依據專利文獻1所記載之方法而製作補強板時，將表面配置有藉由加熱而成為聚矽氧樹脂層之塗膜的支持基板載置於設置於加熱處理裝置內之複數個支持銷之頂部，於塗膜上配置加熱板而進行預烘烤處理，其後實施後烘烤處理而形成聚矽氧樹脂層後，於聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板而製作玻璃積層體。繼而，對所獲得之玻璃積層體實施加熱處理，對玻璃基板之剝離性進行評價，結果發現聚矽氧樹脂層之一部分凝聚破壞而附著於玻璃基板表面上。
若聚矽氧樹脂附著於玻璃基板，則所獲得之電子裝置不適合用作製品，因此有電子裝置之良率降低，生產性降低之虞。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種具有支持基板及聚矽氧樹脂層之附樹脂層之支持基板之製造方法，該附樹脂層之支持基板係用於剝離玻璃基板時更為抑制聚矽氧樹脂層之凝聚破壞的玻璃積層體之製造。
又，本發明之目的亦在於提供一種使用藉由該附樹脂層之支持基板之製造方法製造之附樹脂層之支持基板的玻璃積層體之製造方法、及使用該玻璃積層體之電子裝置之製造方法。
本發明者等人為解決上述課題而進行努力研究，結果完成本發明。
即，本發明之第1態樣係一種附樹脂層之支持基板之製造方法，該附樹脂層之支持基板具有支持基板與設置於支持基板之單面之聚矽 氧樹脂層，且用於在聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板而製造玻璃積層體，該附樹脂層之支持基板之製造方法依序包含：塗佈步驟，其係將包含硬化性聚矽氧與溶劑之硬化性聚矽氧組合物塗佈於支持基板上，於支持基板上形成硬化性聚矽氧組合物層，而獲得包含支持基板及硬化性聚矽氧組合物層之附硬化性層之支持基板；搬入步驟，其係向加熱處理裝置內搬入附硬化性層之支持基板，並於加熱處理裝置內之支持銷上載置附硬化性層之支持基板；第1加熱步驟，其係於附硬化性層之支持基板之硬化性聚矽氧組合物層上部配置加熱板，一面進行排氣，一面於第1溫度以下的溫度對附硬化性層之支持基板進行加熱處理，而將殘留於硬化性聚矽氧組合物層之溶劑去除；移動步驟，其係於第1加熱步驟後，使實施過加熱處理之硬化性聚矽氧組合物層離開加熱板；搬出步驟，其係將附硬化性層之支持基板自加熱處理裝置搬出；及第2加熱步驟，其係於較第1溫度高之第2溫度下對附硬化性層之支持基板進行加熱處理，而獲得聚矽氧樹脂層。
於第1態樣中，硬化性聚矽氧較佳為包含具有烯基之有機烯基聚矽氧烷、及具有鍵結於矽原子之氫原子之有機氫聚矽氧烷。
於第1態樣中，第1溫度較佳為滿足溶劑之初餾點-30℃≦第1溫度≦溶劑之初餾點+30℃。
本發明之第2態樣係一種玻璃積層體之製造方法，其具有積層步驟：於藉由第1態樣製造之附樹脂層之支持基板中之聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板，而獲得依序具有支持基板、聚矽氧樹脂層、及玻璃基板之玻璃積層體。
本發明之第3態樣係一種電子裝置之製造方法，其包含：構件形成步驟，其係於藉由第2態樣製造之玻璃積層體之玻璃基板之表面上形成電子裝置用構件，而獲得附電子裝置用構件之積層體；及分離步驟，其係自附電子裝置用構件之積層體去除附樹脂層之支持基板，而 獲得具有玻璃基板與電子裝置用構件之電子裝置。
根據本發明，可提供一種具有支持基板及聚矽氧樹脂層之附樹脂層之支持基板之製造方法，該附樹脂層之支持基板係用於更為抑制剝離玻璃基板時之聚矽氧樹脂層之凝聚破壞的玻璃積層體之製造。
又，根據本發明，亦可提供一種使用藉由該附樹脂層之支持基板之製造方法製造之附樹脂層之支持基板的玻璃積層體之製造方法、及使用該玻璃積層體之電子裝置之製造方法。
10‧‧‧支持基板
12‧‧‧硬化性聚矽氧組合物層
14‧‧‧附硬化性層之支持基板
16‧‧‧聚矽氧樹脂層
16a‧‧‧聚矽氧樹脂層中之與支持基板側相反側之表面
18‧‧‧附樹脂層之支持基板
20‧‧‧玻璃基板
20a‧‧‧玻璃基板之第1主面
20b‧‧‧玻璃基板之第2主面
22‧‧‧電子裝置用構件
24‧‧‧附電子裝置用構件之積層體
26‧‧‧電子裝置
30‧‧‧加熱處理裝置
32‧‧‧加熱室
34‧‧‧支持銷
36‧‧‧支持台
38‧‧‧加熱板
40‧‧‧排氣管
42‧‧‧搬入出口
100‧‧‧玻璃積層體
圖1係表示本發明之附樹脂層之支持基板之製造方法的製造步驟之流程圖。
圖2(A)及(B)係以步驟順序表示本發明之附樹脂層之支持基板之製造方法的一實施形態之模式剖面圖。
圖3係表示加熱處理裝置之構成之模式剖面圖。
圖4係本發明之玻璃積層體之模式剖面圖。
圖5(A)及(B)係以步驟順序表示本發明之電子裝置之製造方法之一實施形態的模式剖面圖。
以下，針對本發明之較佳實施態樣，參照圖式進行說明，但本發明並不受以下之實施形態限制，於不脫離本發明之範圍之情況下，可於以下之實施形態中施加各種變化及置換。
本發明者等人對上述問題進行研究時發現，使用配置於硬化性聚矽氧組合物層之上部之加熱板對硬化性聚矽氧組合物層進行乾燥時，殘留於硬化性聚矽氧組合物層之溶劑揮發而滯留於加熱板與硬化性聚矽氧組合物層之間，其係上述問題之原因之一。若此種滯留之揮發溶劑大量存在，則殘留溶劑難以自硬化性聚矽氧組合物層揮發，並 且自加熱處理裝置將附硬化性層之支持基板搬出時，溶劑再次回到硬化性聚矽氧組合物層上，而硬化性聚矽氧組合物層之硬化性降低，作為結果，推測凝聚破壞變得容易進行。
因此，推測可藉由如下方式而獲得所需之效果，即於加熱結束後使加熱板與硬化性聚矽氧組合物層遠離而使兩者之間之空間擴大，藉此促進溶劑之排氣，從而所滯留之溶劑濃度降低，而使對聚矽氧樹脂層之影響降低。
圖1係表示本發明之附樹脂層之支持基板之製造方法中之製造步驟的流程圖。如圖1所示，附樹脂層之支持基板之製造方法包含：塗佈步驟S102、搬入步驟S104、第1加熱步驟S106、移動步驟S108、搬出步驟S110、及第2加熱步驟S112。
以下，對各步驟中所使用之材料及其程序進行詳述。首先，對塗佈步驟S102進行詳述。
<塗佈步驟>
塗佈步驟S102係將包含硬化性聚矽氧與溶劑之硬化性聚矽氧組合物塗佈於支持基板上，而於支持基板上形成硬化性聚矽氧組合物層，從而獲得包含支持基板及硬化性聚矽氧組合物層之附硬化性層之支持基板的步驟。藉由實施該步驟S102，而可如圖2(A)所示般於支持基板10上形成硬化性聚矽氧組合物層12而獲得附硬化性層之支持基板14。
以下，首先對本步驟S102中所使用之材料(支持基板、硬化性聚矽氧組合物)進行詳述，其後對該步驟S102之程序進行詳述。
(支持基板)
支持基板10係具有表面及背面2個主面，且與下述之聚矽氧樹脂層16協動，支持並補強下述之玻璃基板20，而於下述之構件形成步驟(電子裝置用構件之製造步驟)中防止電子裝置用構件之製造時玻璃基 板20之變形、損傷、破損等。又，於使用厚度較先前薄之玻璃基板之情形時，可藉由製成與先前之玻璃基板相同厚度之玻璃積層體，而於構件形成步驟中使用適合先前之厚度之玻璃基板之製造技術或製造設備，其亦為使用支持基板10之目的之一。
作為支持基板10，例如可使用玻璃板、塑膠板、SUS(Steel Use Stainless，日本不鏽鋼標準)板等金屬板、陶瓷板等。於構件形成步驟伴隨著熱處理之情形時，支持基板10較佳為由與玻璃基板20之線膨脹係數之差較小之材料形成，更佳為由與玻璃基板20相同之材料形成。即，支持基板10較佳為玻璃板。尤其是支持基板10較佳為包含與玻璃基板20相同之玻璃材料之玻璃板。
關於支持基板10之厚度，可厚於玻璃基板20，亦可薄於玻璃基板20。較佳為基於玻璃基板20之厚度、樹脂層16之厚度、及玻璃積層體之厚度而選擇支持基板10之厚度。例如，現行之構件形成步驟係為了對厚度0.5mm之基板進行處理而設計者，於玻璃基板20之厚度與樹脂層16之厚度之和為0.1mm之情形時，將支持基板10之厚度設為0.4mm。支持基板10之厚度於通常之情形時較佳為0.2~5.0mm。
於支持基板10為玻璃板之情形時，關於玻璃板之厚度，就操作容易、難以破損等理由而言，較佳為0.08mm以上。又，關於玻璃板之厚度，就於電子裝置用構件形成後進行剝離時，期望有如不破損而適度彎曲之剛性之理由而言，較佳為1.0mm以下。
支持基板10與玻璃基板20之於25~300℃下之平均線膨脹係數(以下，簡稱為「平均線膨脹係數」)之差較佳為500×10-7/℃以下，更佳為300×10-7/℃以下，進而較佳為200×10-7/℃以下。若差過大，則於構件形成步驟中之加熱冷卻時，有玻璃積層體猛烈地彎曲，或玻璃基板20與下述之附樹脂層之支持基板18剝離之可能性。於玻璃基板20之材料與支持基板10之材料相同之情形時，可抑制上述問題產生。
(硬化性聚矽氧組合物)
硬化性聚矽氧組合物至少含有硬化性聚矽氧與溶劑。如下所述，可藉由將該硬化性聚矽氧組合物塗佈於支持基板10上而獲得含有硬化性聚矽氧之硬化性聚矽氧組合物層。
以下，對該組合物中所含有之材料進行詳述。
所謂硬化性聚矽氧，係進行硬化而成為聚矽氧樹脂之化合物或組合物。此種硬化性聚矽氧係根據其硬化機制而被分類為縮合反應型聚矽氧、加成反應型聚矽氧、紫外線硬化型聚矽氧及電子束硬化型聚矽氧等，可使用上述中任一種之硬化型聚矽氧。該等中較佳為加成反應型聚矽氧。其原因在於：硬化反應容易進行，且形成聚矽氧樹脂層時之剝離性之程度良好，並且耐熱性亦較高。
加成反應型聚矽氧係含有主劑及交聯劑，且於鉑系觸媒等觸媒之存在下進行硬化之硬化性組合物。加成反應型聚矽氧之硬化係藉由加熱處理而促進。加成反應型聚矽氧中之主劑較佳為具有鍵結於矽原子之烯基(乙烯基等)之有機聚矽氧烷(即，有機烯基聚矽氧烷；再者，較佳為直鏈狀)，且烯基等成為交聯點。加成反應型聚矽氧中之交聯劑較佳為具有鍵結於矽原子之氫原子(氫化矽烷基)之有機聚矽氧烷(即，有機氫聚矽氧烷；再者，較佳為直鏈狀)，且氫化矽烷基等成為交聯點。
加成反應型聚矽氧係藉由主劑與交聯劑之交聯點進行加成反應而進行硬化。再者，就源自交聯結構之耐熱性更優異之方面而言，有機氫聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子相對於有機烯基聚矽氧烷之烯基的莫耳比較佳為0.5~2。
硬化性聚矽氧組合物包含溶劑。溶劑較佳為可容易地使各種成分溶解，且可容易地被揮發去除者。具體而言，例如可列示：乙酸丁酯、庚烷、2-庚酮、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、甲苯、二甲苯、 THF(Tetrahydrofuran，四氫呋喃)、氯仿等。其中，較佳為飽和烴，可自各種飽和烴(直鏈狀飽和烴、支鏈狀飽和烴、脂環式飽和烴)之1種或2種以上使用成為實際之各種飽和烴溶劑。例如可列舉：Isopar G(Exxon Mobil有限公司製造)、Isopar L(Exxon Mobil有限公司製造)、Isopar H(Exxon Mobil有限公司製造)、Isopar M(Exxon Mobil有限公司製造)、NORPAR 13(Exxon Mobil有限公司製造)、NORPAR 15(Exxon Mobil有限公司製造)、Exxsol D40(Exxon Mobil有限公司製造)、Exxsol D60(Exxon Mobil有限公司製造)、Exxsol D80(Exxon Mobil有限公司製造)、Neothiosol(中央化成股份有限公司製造)、IP Solvent 2028(出光興產股份有限公司製造)。
其中，就如下述般於第1加熱步驟中溶劑容易揮發之方面而言，較佳為使用初餾點(大氣壓下)為210℃以下之溶劑。
於硬化性聚矽氧組合物所含有之硬化性聚矽氧為加成反應型聚矽氧之情形時，硬化性聚矽氧組合物中亦可進而含有觸媒(尤其是鉑族金屬系觸媒)、或反應抑制劑。
鉑族金屬系觸媒(矽氫化用鉑族金屬觸媒)係用以進行、促進上述有機烯基聚矽氧烷中之烯基、與上述有機氫聚矽氧烷中之氫原子之矽氫化反應之觸媒。作為鉑族金屬系觸媒，可列舉：鉑系、鈀系、銠系等觸媒，就經濟性、反應性之方面而言，尤佳為使用鉑系觸媒。
反應抑制劑(矽氫化用反應抑制劑)係抑制上述觸媒(尤其是鉑族金屬系觸媒)於常溫下之觸媒活性，而使硬化性聚矽氧組合物之使用壽命變長之所謂適用期延長劑(亦稱為延遲劑)。作為反應抑制劑，例如可列舉：各種有機氮化合物、有機磷化合物、乙炔系化合物、肟化合物、有機氯化合物等。尤佳為乙炔系化合物(例如乙炔醇類及乙炔醇之矽烷化物)。
(步驟之順序)
於支持基板上塗佈上述硬化性聚矽氧組合物之方法並無特別限制，可採用公知之方法。例如作為塗佈方法，可列舉：噴塗法、模具塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥塗法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法等。可自上述方法中，視硬化性聚矽氧組合物之種類而適當進行選擇。
再者，硬化性聚矽氧組合物層之厚度並無特別限制，以可獲得下述之具有較佳厚度之聚矽氧樹脂層之方式適當進行調整。
<搬入步驟>
搬入步驟S104係向加熱處理裝置內搬入附硬化性層之支持基板，並於加熱處理裝置內之支持銷上載置附硬化性層之支持基板之步驟。藉由實施本步驟，而如圖3所示般於加熱處理裝置30內之支持銷34之頂端(頂部)上載置附硬化性層之支持基板14。再者，支持銷34係支持附硬化性層之支持基板14中之支持基板10之背面(與有硬化性聚矽氧組合物層之側相反側之面)。
以下，首先對本步驟中所使用之加熱處理裝置30進行詳述。
圖3係表示本發明之加熱處理裝置30之一例之概略的剖面圖。加熱處理裝置30係用以實施於下述之第1加熱步驟S106中之加熱處理之裝置，係所謂預烘烤裝置。
加熱處理裝置30於加熱室32內包含支持附硬化性層之支持基板14之支持銷34、支持支持銷34之支持台36、及配置於附硬化性層之支持基板14之上部之板狀的加熱板38。
於圖3中，支持銷34僅圖示2根，但其根數並無特別限制。又，加熱處理裝置30具有未圖示之使加熱板38升降之升降機構，加熱板38於圖3中可上下移動。
又，於加熱處理裝置30之上部設置有與排氣機構(未圖示)連接之排氣管40，自未圖示之氣體供給口向加熱處理裝置30內供給之空氣、 或自硬化性聚矽氧組合物層12揮發之溶劑等係自排氣管40被排出。進而，於加熱處理裝置30之側方設置有用以將附硬化性層之支持基板14搬入搬出之搬入出口42。
作為本步驟S104之程序，係經由搬入出口42而將附硬化性層之支持基板14搬入加熱處理裝置30內，並於支持銷34上載置附硬化性層之支持基板14。
<第1加熱步驟>
第1加熱步驟S106係於附硬化性層之支持基板之硬化性聚矽氧組合物層上部配置加熱板，一面進行排氣一面於第1溫度以下的溫度對附硬化性層之支持基板進行加熱處理，而將殘留於硬化性聚矽氧組合物層之溶劑去除之步驟。本步驟S106係所謂預烘烤步驟，藉由實施本步驟S106，而可將殘留於硬化性聚矽氧組合物層中之溶劑去除，並且可藉由於適當溫度下進行加熱而使硬化性聚矽氧組合物表面平滑化。以上述方式實施預烘烤處理後，於下述之第2加熱步驟S112中實施後烘烤處理，藉此進一步去除殘留於所形成之聚矽氧樹脂層中之溶劑，藉此表面面狀變得更平坦，與玻璃基板之密接性更為提高。
於本步驟S106中，如圖3所示般於附硬化性層之支持基板14之上部配置加熱板38而實施加熱處理。再者，如圖3所示般，加熱板38係與硬化性聚矽氧組合物層12對向。
加熱板38與硬化性聚矽氧組合物層12之距離並無特別限制，就有效率地將溶劑自硬化性聚矽氧組合物層12去除，並且抑制硬化性聚矽氧之分解之方面而言，較佳為30~120mm，更佳為60~90mm。
再者，於本步驟S106中，亦可一面使加熱板38與硬化性聚矽氧組合物層12之距離階段性地變化一面進行加熱處理。例如，亦可一面使加熱板38與硬化性聚矽氧組合物層12階段性地遠離，一面實施加熱處理。更具體而言，於加熱板38與硬化性聚矽氧組合物層12之間為距 離X之條件下進行加熱處理，繼而，亦可於較距離X使加熱板38與硬化性聚矽氧組合物層12更遠離之條件(加熱板38與硬化性聚矽氧組合物層12之距離Y>距離X)下再次實施加熱處理。
作為於本步驟S106中之加熱處理之條件，係根據所使用之溶劑或硬化性聚矽氧之種類而適當選擇最佳之條件，就溶劑之去除性更優異而硬化性聚矽氧組合物層之表面變得平坦，並且更為抑制硬化性聚矽氧之分解之方面而言，第1溫度較佳為溶劑之初餾點-30℃~溶劑之初餾點+30℃之範圍內。換言之，第1溫度較佳為滿足以下之關係式。
式 溶劑之初餾點-30℃≦第1溫度≦溶劑之初餾點+30℃
再者，所謂溶劑之初餾點，意指依據JIS K0066(1992)而測得之值。JIS K0066(1992)之內容係作為參照而併入本文中。
進而，作為第1加熱步驟中之第1溫度，就硬化性聚矽氧組合物層之表面變平坦，並且更為抑制硬化性聚矽氧之分解之方面而言，較佳為210℃以下。其中，就可更為抑制聚矽氧樹脂層之凝聚破壞之方面而言，較佳為150~210℃，更佳為180~205℃。
加熱時間並無特別限制，係根據所使用之溶劑或硬化性聚矽氧之種類而適當選擇最佳之條件，就殘留溶劑之去除性、及生產性之方面而言，較佳為1~5分鐘，更佳為2~3分鐘。
於本步驟S106中，一面實施排氣一面進行加熱處理。如圖3所示般於加熱處理裝置30內設置有排氣管40，於加熱處理時利用該排氣管40進行排氣。排氣量並無特別限制，就更有效率地將溶劑去除之方面而言，較佳為100L/min以上，更佳為900L/min以上。上限並無特別限制，就裝置之性能及經濟性之方面而言，較佳為2000L/min以下。
再者，關於上述排氣量，於將自排氣管40之排氣全開時設為100%之情形時，較佳為50%以上，更佳為75%以上，進而較佳為 100%。
實施本步驟S106時，亦可自未圖示之氣體供給口供給氣體。藉由供給氣體，而可有效率地將加熱室32內之揮發溶劑去除。所供給之氣體之種類並無特別限制，可列舉：空氣、或氮氣等惰性氣體等。
氣體之供給量並無特別限制，就更有效率地將溶劑去除之方面而言，較佳為100L/min以上，更佳為900L/min以上。上限並無特別限制，就裝置之性能及經濟性之方面而言，較佳為2000L/min以下。
又，作為所供給之氣體，就硬化性聚矽氧組合物層中之殘留溶劑之去除性更優異之方面而言，較佳為加熱空氣。加熱空氣之溫度並無特別限制，就溶劑之去除性與硬化性聚矽氧組合物層之表面平滑性之方面而言，較佳為100~150℃。
<移動步驟>
移動步驟S108係上述第1加熱步驟S106後，使實施過加熱處理之硬化性聚矽氧組合物層與加熱板遠離之步驟。更具體而言，於圖3中，使加熱板38向箭頭之方向進行移動，藉此使硬化性聚矽氧組合物層12與加熱板38遠離而擴大兩者間之距離，從而擴展兩者之間之空間。藉由實施本步驟S108，而可使滯留於硬化性聚矽氧組合物層12與加熱板38之間之溶劑之濃度變薄，從而溶劑之去除性提高，並且可抑制溶劑再次向硬化性聚矽氧組合物層12上附著。
如上述般於加熱處理裝置30中包含未圖示之使加熱板38升降之升降機構，藉由該升降機構，而使加熱板38以遠離硬化性聚矽氧組合物層12之方式進行移動。
作為硬化性聚矽氧組合物層12與加熱板38所遠離之距離，較佳為自上述第1加熱步驟S106時之兩者之距離進一步隔開20mm以上，更佳為隔開40mm以上。上限並無特別限制，但就裝置上之尺寸之問題而言，通常大多為100mm以下。
加熱板38之移動時間並無特別限制，就生產性之方面而言，較佳為5秒以內，更佳為3秒以內。
再者，於圖3之態樣中，加熱板38移動，從而硬化性聚矽氧組合物層12與加熱板38之間之距離擴大，但本步驟S108之程序並不限定於該態樣，亦可使包含硬化性聚矽氧組合物層12之附硬化性層之支持基板14移動而使兩者遠離。例如於支持銷為所謂頂起銷之情形時，亦可於第1加熱步驟S106後使支持附硬化性層之支持基板之頂起銷降下，而使硬化性聚矽氧組合物層與加熱板遠離。
<搬出步驟>
搬出步驟S110係自加熱處理裝置將附硬化性層之支持基板搬出之步驟。
本步驟S110中，經由加熱處理裝置30之搬入出口42而將附硬化性層之支持基板14自加熱處理裝置30內搬出。即，打開搬入出口42，自加熱處理裝置30內回收附硬化性層之支持基板14。
<第2加熱步驟>
第2加熱步驟S112係於較上述第1溫度高之第2溫度下對上述搬出步驟S110中所回收之附硬化性層之支持基板進行加熱處理，而獲得聚矽氧樹脂層之步驟。本步驟S112係所謂後烘烤處理，藉由實施本步驟S112，而進一步去除硬化性聚矽氧組合物層中之溶劑，藉此硬化性聚矽氧之硬化進行而可獲得聚矽氧樹脂層。藉由實施本步驟，可獲得如圖2(B)所示般包含支持基板10與聚矽氧樹脂層16之附樹脂層之支持基板18。
本步驟S112中之加熱處理之方法並無特別限制，可使用烘箱等公知之加熱裝置。
關於本步驟S112之加熱處理之溫度條件，係於較上述之第1加熱步驟S106之第1溫度高之溫度下實施加熱處理。第1溫度與第2溫度之 差並無特別限制，係根據所使用之硬化性聚矽氧或溶劑之種類而適當選擇最佳之條件，就更為抑制聚矽氧樹脂層之凝聚破壞之方面而言，較佳為10~100℃，更佳為30~70℃。
其中，作為第2溫度，較佳為超過210℃。就自硬化性聚矽氧組合物層12中之溶劑去除、及硬化反應更優異之方面而言，較佳為超過210℃且為250℃以下。加熱時間係根據所使用之材料而適當選擇最佳之條件，就生產性及溶劑之去除性之方面而言，較佳為10~120分鐘，更佳為20~60分鐘。
(附樹脂層之支持基板)
藉由經過上述步驟，而可獲得包含支持基板10、與固定於支持基板10上之聚矽氧樹脂層16的附樹脂層之支持基板18。
該附樹脂層之支持基板18係用以如圖4所示般於聚矽氧樹脂層16上積層玻璃基板20而製造玻璃積層體100。
附樹脂層之支持基板18中之聚矽氧樹脂層16係藉由於支持基板10上實施硬化性聚矽氧組合物層12之硬化反應而被固定於支持基板10之單面上，又，以可剝離之方式與下述之玻璃基板20進行密接。聚矽氧樹脂層16係防止玻璃基板20之錯位直至進行將玻璃基板20與支持基板10進行分離之操作，並且防止由於分離操作而容易地自玻璃基板20剝離，玻璃基板20等由於分離操作而破損。又，聚矽氧樹脂層16係被固定於支持基板10，於分離操作中未使聚矽氧樹脂層16與支持基板10剝離，可藉由分離操作而獲得附樹脂層之支持基板18。
聚矽氧樹脂層16之與玻璃基板20接觸之表面係以可剝離之方式密接於玻璃基板20之第1主面。本發明中，將該聚矽氧樹脂層16表面之可容易剝離之性質稱為易剝離性(剝離性)。
於本發明中，對於上述固定與可剝離之密接而言，剝離強度(即，剝離所需要之應力)存在差異，固定意指相對於密接，剝離強度 較大。又，所謂可剝離之密接，亦意指於可剝離之同時，於不產生所固定之面之剝離之情況下可剝離。具體而言，於本發明之玻璃積層體中，進行將玻璃基板20與支持基板10進行分離之操作之情形時，意指於密接之面剝離，於固定之面未剝離之情況。因此，於玻璃積層體中，若進行將玻璃基板20與支持基板10進行分離之操作，則玻璃積層體被分成玻璃基板20與附樹脂層之支持基板18兩者。
即，聚矽氧樹脂層16對支持基板10之表面之結合力相對高於聚矽氧樹脂層16對玻璃基板20之第1主面的結合力。
聚矽氧樹脂層16之厚度並無特別限定，較佳為2~100μm，更佳為3~50μm，進而較佳為7~20μm。若聚矽氧樹脂層16之厚度為上述範圍，則即便於聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之間存在氣泡或異物，亦可抑制玻璃基板20之變形缺陷之產生。又，若聚矽氧樹脂層16之厚度過厚，則有因形成需要時間及材料，故而不經濟，且耐熱性降低之情形。又，若聚矽氧樹脂層16之厚度過薄，則有聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之密接性降低之情形。
<玻璃積層體之製造方法>
如上所述，經過上述步驟而獲得之附樹脂層之支持基板係用以於聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板而製造玻璃積層體。
製造該玻璃積層體之方法並無特別限制，較佳為實施如下積層步驟，即於附樹脂層之支持基板中之聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板，而獲得依序具有支持基板、聚矽氧樹脂層、及玻璃基板之玻璃積層體。
以下，對積層步驟之程序進行詳述。
(積層步驟)
積層步驟係於附樹脂層之支持基板18中之聚矽氧樹脂層16之表面上積層玻璃基板20，而獲得依序包含支持基板10、聚矽氧樹脂層 16、及玻璃基板20之玻璃積層體100的步驟。更具體而言，如圖4所示般將聚矽氧樹脂層16之與支持基板10側相反側之表面16a、與具有第1主面20a及第2主面20b之玻璃基板20之第1主面20a設為積層面，將聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20進行積層而獲得玻璃積層體100。
針對所使用之玻璃基板20，於下文進行詳述。
將玻璃基板20積層於聚矽氧樹脂層16上之方法並無特別限制，可採用公知之方法。
例如，可列舉於常壓環境下於聚矽氧樹脂層16之表面上重疊玻璃基板20之方法。再者，亦可視需要，於聚矽氧樹脂層16之表面上重疊玻璃基板20後，使用輥或加壓而使玻璃基板20壓接於聚矽氧樹脂層16。藉由利用輥或加壓之壓接，而相對容易去除混入聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之間之氣泡，故而較佳。
若藉由真空層壓法或真空加壓法而將聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20進行壓接，則抑制氣泡之混入或確保良好之密接，故而更佳。亦有如下優點，即藉由於真空下進行壓接，即便於殘留有微小之氣泡之情形時，亦無因加熱而使氣泡成長之情況，而難以導致玻璃基板20之變形缺陷。
於積層玻璃基板20時，較佳為將與聚矽氧樹脂層16接觸之玻璃基板20之表面充分洗淨，而於潔淨度較高之環境下進行積層。潔淨度越高，玻璃基板20之平坦性變得越良好，故而較佳。
再者，積層玻璃基板20後，亦可視需要進行預退火處理(加熱處理)。藉由進行該預退火處理，從而積層之玻璃基板20之對聚矽氧樹脂層16之密接性提高，可成為適當之剝離強度，而於下述之構件形成步驟時變得難以產生電子裝置用構件之錯位等，而電子裝置之生產性提高。
預退火處理之條件係視所使用之聚矽氧樹脂層16之種類而適當 選擇最佳之條件，就使玻璃基板20與聚矽氧樹脂層16之間之剝離強度變得更適當之方面而言，較佳為於300℃以上(較佳為300~400℃)之溫度下進行5分鐘以上(較佳為5~30分鐘)加熱處理。
(玻璃基板)
玻璃基板20係其第1主面20a與聚矽氧樹脂層16接觸，且於其與聚矽氧樹脂層16側相反側之第2主面20b設置有電子裝置用構件。
玻璃基板20之種類可為通常者，例如可列舉LCD(liquid crystal display，液晶顯示裝置)、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極體)等顯示裝置用之玻璃基板等。玻璃基板20之耐化學品性、耐透濕性優異，且熱收縮率較低。作為熱收縮率之指標，可使用JIS R 3102(1995年修正)所規定之線膨脹係數。JIS R 3102(1995年修正)之內容係作為參照被併入本文中。
若玻璃基板20之線膨脹係數較大，則因下述之構件形成步驟大多伴隨著加熱處理，故容易產生各種問題。例如於玻璃基板20上形成薄膜電晶體(TFT)之情形時，若於加熱下將形成有TFT之玻璃基板20進行冷卻，則有因玻璃基板20之熱收縮而導致TFT之錯位變得過大之虞。
玻璃基板20係使玻璃原料熔融並將熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法可為通常者，例如可使用浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法、魯伯法等。又，尤其是厚度較薄之玻璃基板20可利用將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形之溫度，利用延伸等方法進行拉伸而使玻璃變薄之方法(再曳引法)進行成形而獲得。
玻璃基板20之玻璃之種類並無特別限定，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為利用氧化物換算之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板20之玻璃，係採用適合電子裝置用構件之種類或其製造步驟之玻璃。例如液晶面板用之玻璃基板因鹼金屬成分之溶出容易對液晶產生影響，故由實質上不含有鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)(其中，包括通常鹼土金屬成分)構成。如上所述，玻璃基板20之玻璃係基於所適用之裝置之種類及其製造步驟而適當選擇。
關於玻璃基板20之厚度，就玻璃基板20之薄型化及/或輕量化之觀點而言，較佳為0.3mm以下，更佳為0.15mm以下，進而較佳為0.10mm以下。於玻璃基板20之厚度為0.3mm以下之情形時，可向玻璃基板20賦予良好之可撓性。於玻璃基板20之厚度為0.15mm以下之情形時，可將玻璃基板20捲取成輥狀。
又，就玻璃基板20之製造容易，及玻璃基板20之操作容易等理由而言，玻璃基板20之厚度較佳為0.03mm以上。
再者，玻璃基板20亦可包含2層以上，於該情形時，形成各層之材料可為同種材料，亦可為異種材料。又，於該情形時，「玻璃基板20之厚度」意指全部層之合計之厚度。
(玻璃積層體)
玻璃積層體100係具有支持基板10、玻璃基板20及存在於該等之間之聚矽氧樹脂層16之積層體。聚矽氧樹脂層16係其一面與支持基板10接觸，並且其另一面與玻璃基板20之第1主面20a接觸。
該玻璃積層體100係被使用至下述之構件形成步驟。即，該玻璃積層體100係被使用至於其玻璃基板20之第2主面20b表面上形成有液晶顯示裝置等電子裝置用構件為止。其後，形成有電子裝置用構件之玻璃積層體被分離為附樹脂層之支持基板18與電子裝置，附樹脂層之支持基板18不會成為構成電子裝置之部分。可於附樹脂層之支持基板18積層新的玻璃基板20而作為新的玻璃積層體100進行再利用。
支持基板10與聚矽氧樹脂層16之界面具有剝離強度(x)，若向支 持基板10與聚矽氧樹脂層16之界面施加超過剝離強度(x)之剝離方向之應力，則於支持基板10與聚矽氧樹脂層16之界面產生剝離。聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之界面具有剝離強度(y)，若向聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之界面施加超過剝離強度(y)之剝離方向之應力，則於聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之界面產生剝離。
如上所述，於玻璃積層體100(亦意指下述之附電子裝置用構件之積層體)中，上述剝離強度(x)大於(高於)上述剝離強度(y)。因此，若向玻璃積層體100施加將支持基板10與玻璃基板20進行剝離之方向之應力，則玻璃積層體100係於聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之界面產生剝離而分離為玻璃基板20與附樹脂層之支持基板18。
即，聚矽氧樹脂層16係被固定於支持基板10上而形成附樹脂層之支持基板18，玻璃基板20以可剝離之方式密接於聚矽氧樹脂層16上。
剝離強度(x)較佳為充分高於剝離強度(y)。提高剝離強度(x)意指可提高聚矽氧樹脂層16對支持基板10之附著力，且可維持於加熱處理後對玻璃基板20之相對較高之附著力。
聚矽氧樹脂層16對支持基板10之附著力之提高係藉由如下方式達成，即如上述般使硬化性聚矽氧組合物層12於支持基板10上進行交聯硬化而形成聚矽氧樹脂層16。可利用交聯硬化時之接著力形成以較高之結合力結合於支持基板10之聚矽氧樹脂層16。
另一方面，硬化性聚矽氧組合物層12之硬化物對玻璃基板20之結合力通常低於上述交聯硬化時所產生之結合力。
玻璃積層體100可用於各種用途，例如可列舉：製造下述之顯示裝置用面板、PV、薄膜2次電池、表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件之用途等。再者，於該用途中，玻璃積層體100大多被暴露於高溫條件(例如360℃以上)下(例如1小時以上)。
此處，所謂顯示裝置用面板，包括LCD、OLED、電子紙、電漿顯示器面板、場發射面板、量子點LED面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微電子機械系統)快門面板等。
<電子裝置(附構件之玻璃基板)及其製造方法>
本發明中，使用上述之玻璃積層體而製造包含玻璃基板與電子裝置用構件之電子裝置(附構件之玻璃基板)。
該電子裝置之製造方法並無特別限定，就電子裝置之生產性優異之方面而言，較佳為如下方法，即於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子裝置用構件而製造附電子裝置用構件之積層體，以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面為剝離面，自所獲得之附電子裝置用構件之積層體分離為電子裝置與附樹脂層之支持基板。
以下，將於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子裝置用構件而製造附電子裝置用構件之積層體的步驟稱為構件形成步驟，將以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面為剝離面，自附電子裝置用構件之積層體分離為電子裝置與附樹脂層之支持基板之步驟稱為分離步驟。
以下，針對各步驟中所使用之材料及程序進行詳述。
(構件形成步驟)
構件形成步驟係於上述積層步驟中所獲得之玻璃積層體100中之玻璃基板20上形成電子裝置用構件之步驟。更具體而言，如圖5(A)所示般於玻璃基板20之第2主面20b(露出表面)上形成電子裝置用構件22而獲得附電子裝置用構件之積層體24。
首先，針對本步驟中所使用之電子裝置用構件22進行詳述，其後對步驟之程序進行詳述。
(電子裝置用構件(功能性元件))
電子裝置用構件22係形成於玻璃積層體100中之玻璃基板20上，且係構成電子裝置之至少一部分之構件。更具體而言，作為電子裝置 用構件22，可列舉顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜2次電池、或表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等所使用之構件(例如顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜2次電池用構件、電子零件用電路)。
例如，作為太陽電池用構件，就矽型而言，可列舉正極之氧化錫等透明電極、由p層/i層/n層表示之矽層、及負極之金屬等，除上述以外，亦可列舉對應於化合物型、色素增感型、量子點型等之各種構件等。
又，作為薄膜2次電池用構件，對於鋰離子型而言，可列舉正極及負極之金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層之樹脂等，除上述以外，亦可列舉對應於鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等之各種構件等。
又，作為電子零件用電路，對於CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)而言，可列舉導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，除上述以外，亦可列舉對應於壓力感測器、加速度感測器等各種感測器或剛性印刷基板、軟性印刷基板、剛性軟性印刷基板等之各種構件等。
(步驟之程序)
上述之附電子裝置用構件之積層體24之製造方法並無特別限定，視電子裝置用構件之構成構件之種類，利用先前公知之方法，於玻璃積層體100之玻璃基板20之第2主面20b上形成電子裝置用構件22。
再者，電子裝置用構件22亦可並非最終形成於玻璃基板20之第2主面20b之構件之全部(以下稱為「全部構件」)，而為全部構件之一部分(以下稱為「部分構件」)。亦可將自聚矽氧樹脂層16剝離之附部 分構件之玻璃基板於其後之步驟中製成附全部構件之玻璃基板(相當於下述之電子裝置)。
又，對於自聚矽氧樹脂層16剝離之附全部構件之玻璃基板而言，亦可於其剝離面(第1主面20a)形成其他電子裝置用構件。又，亦可將附全部構件之積層體組合，其後自附全部構件之積層體將附樹脂層之支持基板18剝離而製造電子裝置。進而，亦可使用2片附全部構件之積層體而組裝電子裝置，其後自附全部構件之積層體將2片附樹脂層之支持基板18剝離，而製造具有2片玻璃基板之電子裝置。
例如，若以製造OLED之情形為例，則為了於玻璃積層體100之玻璃基板20之與聚矽氧樹脂層16側相反側之表面上(相當於玻璃基板20之第2主面20b)形成有機EL構造體，而進行如下各種層形成或處理，即形成透明電極；進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層‧電洞傳輸層‧發光層‧電子傳輸層等；形成背面電極；及使用密封板進行密封等。作為該等層形成或處理，具體而言，例如可列舉：成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又，例如於製造TFT-LCD之情形時，該製造方法具有TFT形成步驟、CF形成步驟、及貼合步驟等各種步驟，上述TFT形成步驟係於玻璃積層體100之玻璃基板20之第2主面20b上，使用抗蝕液，於藉由CVD(Chemical vapor deposition，化學氣相沈積)法及濺鍍法等通常之成膜法而形成之金屬膜及金屬氧化膜等進行圖案形成而形成薄膜電晶體(TFT)；上述CF形成步驟係於另一玻璃積層體100之玻璃基板20之第2主面20b上，將抗蝕液用於圖案形成而形成彩色濾光片(CF)；貼合步驟係將TFT形成步驟中所獲得之附TFT之積層體與CF形成步驟中所獲得之附CF之積層體進行積層。
於TFT形成步驟或CF形成步驟中，使用周知之光微影技術或蝕刻技術等而於玻璃基板20之第2主面20b形成TFT或CF。此時，可使用抗 蝕液作為圖案形成用之塗佈液。
再者，於形成TFT或CF前，亦可視需要而將玻璃基板20之第2主面20b洗淨。作為洗淨方法，可使用周知之乾式洗淨或濕式洗淨。
於貼合步驟中，使附TFT之積層體之薄膜電晶體形成面、與附CF之積層體之彩色濾光片形成面對向，並使用密封劑(例如，單元形成用紫外線硬化型密封劑)進行貼合。其後，向由附TFT之積層體與附CF之積層體所形成之單元內注入液晶材。作為注入液晶材之方法，例如有減壓注入法、滴加注入法。
(分離步驟)
分離步驟係如圖5(B)所示般，以聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之界面為剝離面，自上述構件形成步驟中所獲得之附電子裝置用構件之積層體24分離為積層有電子裝置用構件22之玻璃基板20(電子裝置)、與附樹脂層之支持基板18，而獲得包含電子裝置用構件22及玻璃基板20之電子裝置26的步驟。
於剝離時之玻璃基板20上之電子裝置用構件22為必需之全部構成構件之形成之一部分的情形時，亦可於分離後，將剩餘之構成構件形成於玻璃基板20上。
將玻璃基板20與附樹脂層之支持基板18進行剝離之方法並無特別限定。具體而言，例如可向玻璃基板20與聚矽氧樹脂層16之界面***銳利之刃具狀者，賦予剝離之起點後，吹送水與壓縮空氣之混合流體而進行剝離。較佳為以附電子裝置用構件之積層體24之支持基板10成為上側，電子裝置用構件22側成為下側之方式設置於壓盤上，將電子裝置用構件22側真空吸附於壓盤上(於兩面積層有支持基板之情形時依序進行)，於該狀態下首先使刃具侵入玻璃基板20-聚矽氧樹脂層16界面。然後，其後利用複數個真空吸附墊吸附支持基板10側，自***刃具處附近開始依序使真空吸附墊上升。藉此於聚矽氧樹脂層16與 玻璃基板20之界面或聚矽氧樹脂層16之凝聚破壞面形成空氣層，該空氣層擴展至界面或凝聚破壞面之整面，而可容易地剝離支持基板10。
又，支持基板10可與新的玻璃基板進行積層而製造本發明之玻璃積層體100。
再者，於自附電子裝置用構件之積層體24分離電子裝置26時，可藉由控制利用離子化器之吹送或濕度，而更為抑制聚矽氧樹脂層16之碎片靜電吸附於電子裝置26之情況。
上述之電子裝置26之製造方法較佳用於如行動電話或PDA(Personal Digital Assistant，個人數位助理)之移動終端所使用之小型顯示裝置之製造。顯示裝置主要有LCD或OLED，作為LCD，包括TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、FE(Ferroelectric，鐵電)型、TFT(Thin-film transistor，薄膜電晶體)型、MIM(Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣層-金屬)型、IPS(In-Plane Switching，橫向電場效應)型、VA(Vertical Aligned，垂直配向)型等。基本上於被動驅動型、主動驅動型中之任一種顯示裝置之情形時亦可應用。
作為利用上述方法製造之電子裝置26，可列舉：具有玻璃基板與顯示裝置用構件之顯示裝置用面板、具有玻璃基板與太陽電池用構件之太陽電池、具有玻璃基板與薄膜2次電池用構件之薄膜2次電池、具有玻璃基板與電子裝置用構件之電子零件等。作為顯示裝置用面板，包括液晶面板、有機EL面板、電漿顯示器面板、場發射面板等。
[實施例]
以下，藉由實施例等而對本發明具體地進行說明，但本發明並不受該等例限定。
於以下之實施例及比較例中，使用由無鹼硼矽酸玻璃構成之玻璃板 (長度880mm、寬度680mm、板厚0.2mm，線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造，商品名「AN100」)作為玻璃基板。又，作為支持基板，使用相同之由無鹼硼矽酸玻璃構成之玻璃板(長度920mm、寬度730mm、板厚0.5mm，線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造，商品名「AN100」)。
<實施例1>
首先，利用鹼性水溶液將支持基板之表面洗淨，之後利用純水洗淨而潔淨化。
繼而，利用模具塗佈機(塗佈速度：40mm/s，吐出量：8ml)，於支持基板之第1主面上塗佈下述之溶液S，將包含未硬化之交聯性有機聚矽氧烷之層(硬化性聚矽氧組合物層)設置於支持基板上，而獲得附硬化性層之支持基板(塗佈量20g/m2)。
(溶液S)
將作為成分(A)之直鏈狀乙烯基甲基聚矽氧烷(Azmax公司製造，商品名「VDT-127」，25℃下之黏度：700-800cP(厘泊)，有機聚矽氧烷1mol中之乙烯基之mol%：0.325)、作為成分(B)之直鏈狀甲基氫聚矽氧烷(Azmax公司製造，商品名「HMS-301」，25℃下之黏度：25-35cP(厘泊)，1分子內之鍵結於矽原子之氫原子之數量：8個)以全部乙烯基與鍵結於矽原子之全部氫原子的莫耳比(氫原子/乙烯基)成為0.9之方式進行混合，相對於該矽氧烷混合物100重量份，混合作為成分(C)之下述式(1)所示之具有乙炔系不飽和基之矽化合物(沸點：120℃)1質量份。
HC≡C-C(CH3)2-O-Si(CH3)3 式(1)
繼而，相對於成分(A)與成分(B)與成分(C)之合計量，以鉑換算計鉑金屬濃度成為100ppm之方式添加鉑系觸媒(Shin-Etsu Silicones股份有限公司製造，商品名「CAT-PL-56」)而獲得有機聚矽氧烷組合物 之混合液。進而，相對於所獲得之混合液100重量份，添加IP solvent 2028(初餾點：200℃，出光興產製造)150重量份而獲得混合溶液。
繼而，經由圖3所示之加熱處理裝置內之搬入出口，將附硬化性層之支持基板搬入加熱室內，於設置於加熱室之底部之複數個支持銷之頂端載置上述附硬化性層之支持基板並封閉搬入出口。再者，支持銷之頂端係與附硬化性層之支持基板中之支持基板之背面側(與有硬化性聚矽氧組合物層之側相反側)的表面接觸。
於加熱處理裝置內，如圖3所示般於附硬化性層之支持基板之硬化性聚矽氧組合物層之上部配置加熱板，且硬化性聚矽氧組合物層與加熱板之距離為70mm。
首先，藉由該加熱板，於200℃下歷時60秒鐘對附硬化性層之支持基板進行加熱，繼而將硬化性聚矽氧組合物與加熱板之距離變更為80mm，進而進行90秒鐘加熱。
再者，加熱處理時，於960L/min之條件下進行排氣(自排氣管之排氣量相當於全開時)，並且於1000L/min之條件下供給加熱空氣(溫度120℃)。
加熱處理結束後，使加熱板以遠離硬化性聚矽氧組合物層之方式移動50mm。其後，打開加熱處理裝置之搬入出口，將實施過加熱處理之附硬化性層之支持基板自加熱處理裝置內搬出。
其後，將上述加熱處理後之附硬化性層之支持基板放入另一加熱處理裝置，進而於250℃下實施1450秒鐘之加熱處理(後烘烤處理)，而於支持基板之第1主面形成厚度8μm之聚矽氧樹脂層。
繼而，於室溫下，藉由大氣壓加壓而將玻璃基板與支持基板上之聚矽氧樹脂層面進行貼合，而獲得玻璃積層體S1。
於所獲得之玻璃積層體S1中，支持基板與玻璃基板係於與聚矽氧樹脂層之間不產生氣泡之情況下進行密接，沒有變形缺陷，平滑性 亦良好。再者，於玻璃積層體S1中，聚矽氧樹脂層與支持基板之層之界面之剝離強度大於玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度。
<實施例2>
將加熱處理時之排氣量自960L/min變更為500L/min，將加熱空氣之供給量自1000L/min變更為600L/min，除此以外，依據與實施例1相同之程序而製造玻璃積層體S2。再者，於玻璃積層體S2中，聚矽氧樹脂層與支持基板之層之界面之剝離強度大於玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度。
<比較例1>
加熱處理結束後，不使加熱板移動而將加熱處理後之附硬化性層之支持基板自加熱處理裝置搬出，除此以外，依據與實施例1相同之程序而製造玻璃積層體C。
<凝聚破壞評價>
將上述實施例及比較例中所獲得之玻璃積層體切割成100mm×75mm，於氮氣氛圍下，以350℃進行60分鐘加熱處理。
然後，將加熱處理後之玻璃積層體切割成25mm×75mm，向4處角隅部中之1處之玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面***厚度0.1mm之不鏽鋼製刃具10mm而形成剝離之切口部，向將玻璃基板與支持基板彼此分離之方向施加外力，而將玻璃基板與支持基板分離。
藉由目視，觀察所剝離之玻璃基板之與聚矽氧樹脂層接觸之評價對象表面(25mm×65mm)，求出聚矽氧樹脂層之附著率(%){(附著於所剝離之玻璃基板上之聚矽氧樹脂層側之表面之聚矽氧樹脂層的面積/觀察面積)×100}，並依據以下基準進行評價。附著率越大，表示聚矽氧樹脂層之一部分越凝聚破壞。
「￮」：附著率未達5%之情形
「△」：附著率為5%以上且未達10%之情形
「×」：附著率為10%以上之情形
進行上述凝聚破壞評價時，於實施例1中為「￮」之評價結果，於實施例2中為「△」之評價結果，於比較例1中為「×」之評價結果。
自該結果確認如下情況：於未實施使加熱板與硬化性聚矽氧組合物層遠離之處理之比較例1中，聚矽氧樹脂層之凝聚破壞容易進行。
再者，自實施例1與實施例2之結果確認，排氣量較多者更為抑制凝聚破壞。
<實施例3>
本例中，使用實施例1中所獲得之玻璃積層體S1而製造OLED
首先，於玻璃積層體S1之玻璃基板之第2主面上，藉由電漿CVD法而依序將氮化矽、氧化矽、非晶矽成膜。繼而，藉由離子摻雜裝置而將低濃度之硼注入非晶矽層，於氮氣氛圍下進行加熱處理而進行脫氫處理。繼而，藉由雷射退火裝置而進行非晶矽層之結晶化處理。繼而，藉由使用光微影法之蝕刻及離子摻雜裝置，將低濃度之磷注入非晶矽層而形成N型及P型之TFT區域。繼而，於玻璃基板之第2主面側，藉由電漿CVD法將氧化矽膜成膜而形成閘極絕緣膜後，藉由濺鍍法而將鉬成膜，藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極電極。繼而，藉由光微影法與離子摻雜裝置，將高濃度之硼與磷注入N型、P型各自之所需區域而形成源極區域及汲極區域。繼而，於玻璃基板之第2主面側，以利用電漿CVD法之氧化矽之成膜形成層間絕緣膜，且藉由利用濺鍍法之鋁之成膜及藉由使用光微影法之蝕刻而形成TFT電極。繼而，於氫環境下，進行加熱處理而進行氫化處理後，以利用電漿CVD法之氮化矽之成膜形成鈍化層。繼而，於玻璃基板之第2主面側塗佈 紫外線硬化性樹脂，藉由光微影法而形成平坦化層及接觸孔。繼而，藉由濺鍍法將氧化銦錫成膜，藉由使用光微影法之蝕刻而形成像素電極。
繼而，於玻璃基板之第2主面側，藉由蒸鍍法，依序將作為電洞注入層之4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺、作為電洞傳輸層之雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺、作為發光層之於8-羥喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合有2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二腈(BSN-BCN)40體積%者、及作為電子傳輸層之Alq3成膜。繼而，藉由濺鍍法將鋁成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成對向電極。繼而，於玻璃基板之第2主面側，隔著紫外線硬化型之接著層而貼合另一片玻璃基板而進行密封。藉由上述程序而於玻璃基板上形成有機EL構造體。玻璃基板上具有有機EL構造體之玻璃積層體A(以下，稱為面板A)為本發明之附電子裝置用構件之積層體。
繼而，使面板A之密封體側真空吸附於壓盤後，向面板A之角隅部之玻璃基板與樹脂層之界面***厚度0.1mm之不鏽鋼製刃具，而向玻璃基板與樹脂層之界面賦予剝離之起點。然後，利用真空吸附墊吸附面板A之支持基板第1主面後，使吸附墊上升。此處，刃具之***係與自離子化器(KEYENCE公司製造)將除電性流體向上述玻璃基板與樹脂層之界面進行吹送一起進行。繼而，自離子化器繼續向所形成之空隙吹送除電性流體，並且將水注入剝離鋒面，同時提昇真空吸附墊。其結果為，於壓盤上僅殘留形成有有機EL構造體之玻璃基板，可將附樹脂層之支持基板剝離。
繼而，使用雷射裁刀或刻劃-斷裂法將被分離之玻璃基板進行切割，分割為複數個單元後，將形成有有機EL構造體之玻璃基板與對向基板組合，實施模組形成步驟而製作OLED。以上述方式獲得之OLED於特性上沒有問題。
已詳細且參照特定之實施態樣對本發明進行了說明，但對從業者而言很明確，可不脫離本發明之精神及範圍而添加各種變更或修正。
本申請案係基於2013年12月17日提出申請之日本專利申請2013-260253者，且將其內容作為參照併入本文中。

Claims (5)

  1. 一種附樹脂層之支持基板之製造方法，該附樹脂層之支持基板具有支持基板與設置於支持基板之單面之聚矽氧樹脂層，且用於在上述聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板而製造玻璃積層體，該附樹脂層之支持基板之製造方法依序包含：塗佈步驟，其係將包含硬化性聚矽氧與溶劑之硬化性聚矽氧組合物塗佈於上述支持基板上，於上述支持基板上形成硬化性聚矽氧組合物層，而獲得包含上述支持基板及上述硬化性聚矽氧組合物層之附硬化性層之支持基板；搬入步驟，其係向加熱處理裝置內搬入上述附硬化性層之支持基板，並於上述加熱處理裝置內之支持銷上載置上述附硬化性層之支持基板；第1加熱步驟，其係於上述附硬化性層之支持基板之上述硬化性聚矽氧組合物層上部配置加熱板，一面進行排氣，一面於第1溫度以下的溫度對上述附硬化性層之支持基板進行加熱處理，而將殘留於上述硬化性聚矽氧組合物層之上述溶劑去除；移動步驟，其係於上述第1加熱步驟後，使上述實施過加熱處理之上述硬化性聚矽氧組合物層離開上述加熱板；搬出步驟，其係將上述附硬化性層之支持基板自上述加熱處理裝置搬出；及第2加熱步驟，其係於較上述第1溫度高之第2溫度下對上述附硬化性層之支持基板進行加熱處理，而獲得聚矽氧樹脂層。
  2. 如請求項1之附樹脂層之支持基板之製造方法，其中上述硬化性聚矽氧包含具有烯基之有機烯基聚矽氧烷、及具有鍵結於矽原子之氫原子之有機氫聚矽氧烷。
  3. 如請求項1或2之附樹脂層之支持基板之製造方法，其中上述第1溫度滿足上述溶劑之初餾點-30℃≦第1溫度≦上述溶劑之初餾點+30℃。
  4. 一種玻璃積層體之製造方法，其具有積層步驟：於藉由如請求項1至3中任一項之製造方法製造之附樹脂層之支持基板中的上述聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板，而獲得依序具有支持基板、聚矽氧樹脂層、及玻璃基板之玻璃積層體。
  5. 一種電子裝置之製造方法，其包含：構件形成步驟，其係於藉由如請求項4之製造方法製造之玻璃積層體之上述玻璃基板之表面上形成電子裝置用構件，而獲得附電子裝置用構件之積層體；及分離步驟，其係自上述附電子裝置用構件之積層體去除上述附樹脂層之支持基板，而獲得具有上述玻璃基板與上述電子裝置用構件之電子裝置。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
US9340443B2 (en) 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
TWI617437B (zh) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
US10014177B2 (en) 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
CN106132688B (zh) 2014-01-27 2020-07-14 康宁股份有限公司 用于薄片与载体的受控粘结的制品和方法
JP2017518954A (ja) 2014-04-09 2017-07-13 コーニング インコーポレイテッド デバイスで改質された基体物品、およびそれを製造する方法
JP2015223810A (ja) * 2014-05-29 2015-12-14 旭硝子株式会社 樹脂層付き支持基板およびガラス積層体
CN107635769B (zh) 2015-05-19 2020-09-15 康宁股份有限公司 使片材与载体粘结的制品和方法
KR102524620B1 (ko) 2015-06-26 2023-04-21 코닝 인코포레이티드 시트 및 캐리어를 포함하는 방법들 및 물품들
US10078753B2 (en) 2015-10-22 2018-09-18 Mcafee, Llc Advanced threat protection cross-product security controller
TW201825623A (zh) 2016-08-30 2018-07-16 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI821867B (zh) 2016-08-31 2023-11-11 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
JP7031670B2 (ja) * 2017-07-27 2022-03-08 Ａｇｃ株式会社 近赤外線吸収色素、光学フィルタおよび撮像装置
JP7260523B2 (ja) 2017-08-18 2023-04-18 コーニング インコーポレイテッド ポリカチオン性高分子を使用した一時的結合
CN107608140B (zh) * 2017-09-29 2020-06-02 京东方科技集团股份有限公司 预固化装置
US11331692B2 (en) 2017-12-15 2022-05-17 Corning Incorporated Methods for treating a substrate and method for making articles comprising bonded sheets

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6113981A (en) * 1998-11-17 2000-09-05 Madison-Oslin Research Process for coating paperboard with a water-dispersible polyester polymer
US6799820B1 (en) * 1999-05-20 2004-10-05 Seiko Epson Corporation Liquid container having a liquid detecting device
US6319319B1 (en) * 1999-11-03 2001-11-20 Chin-Lung Yu Coating spreading machine
US6812982B2 (en) * 2000-05-12 2004-11-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical compensatory sheet producing method and apparatus, thermal treating method and apparatus, and dust removing method and apparatus
JP2004268392A (ja) * 2003-03-07 2004-09-30 Fuji Photo Film Co Ltd インクジェット記録用シートの製造方法及び塗布膜の乾燥装置
CN100496770C (zh) * 2004-08-10 2009-06-10 宫电高周波设备（上海）有限公司 树脂膜形成方法及其装置
KR100952652B1 (ko) * 2005-05-13 2010-04-13 아사히 가세이 케미칼즈 가부시키가이샤 흡수성 복합체 및 그 제조 방법
CN101242951B (zh) * 2005-08-09 2012-10-31 旭硝子株式会社 薄板玻璃层压体以及利用薄板玻璃层压体的显示装置的制造方法
JP4564454B2 (ja) * 2006-01-19 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 塗布方法及び塗布装置及び塗布処理プログラム
JP4930161B2 (ja) * 2006-05-08 2012-05-16 旭硝子株式会社 薄板ガラス積層体、薄板ガラス積層体を用いた表示装置の製造方法および、支持ガラス基板
CN201088945Y (zh) * 2007-04-09 2008-07-23 王高潮 脚踏式全封闭刷胶装置
JP5015655B2 (ja) * 2007-05-09 2012-08-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 液体材料供給装置およびこれを用いた液体材料供給方法
JP5024087B2 (ja) * 2008-02-05 2012-09-12 旭硝子株式会社 ガラス積層体、支持体付き表示装置用パネル、およびそれらの製造方法
EP2273475A1 (en) * 2008-04-17 2011-01-12 Asahi Glass Company, Limited Glass laminate, display panel with support, method for producing glass laminate and method for manufacturing display panel with support
JP5029523B2 (ja) * 2008-07-14 2012-09-19 旭硝子株式会社 ガラス積層体、支持体付き表示装置用パネル、表示装置用パネル、表示装置およびこれらの製造方法
TW201033000A (en) * 2009-01-09 2010-09-16 Asahi Glass Co Ltd Glass laminate and manufacturing method therefor
JP5562597B2 (ja) * 2009-08-28 2014-07-30 荒川化学工業株式会社 支持体、ガラス基板積層体、支持体付き表示装置用パネル、および表示装置用パネルの製造方法
CN102574371B (zh) * 2009-10-20 2015-10-07 旭硝子株式会社 玻璃层叠体、带支承体的显示装置用面板、显示装置用面板、显示装置及它们的制造方法
JP5760376B2 (ja) * 2010-10-22 2015-08-12 旭硝子株式会社 支持体、ガラス基板積層体、支持体付き表示装置用パネル、オルガノポリシロキサン組成物、および表示装置用パネルの製造方法
WO2013058217A1 (ja) * 2011-10-18 2013-04-25 旭硝子株式会社 積層体、積層体の製造方法、および、電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法
JP5887946B2 (ja) * 2012-01-18 2016-03-16 旭硝子株式会社 電子デバイスの製造方法、およびガラス積層体の製造方法

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