TWI613073B - 玻璃積層體及其製造方法、以及附矽氧樹脂層之支持基材 - Google Patents

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Abstract

本發明係有關於一種玻璃積層體，依序設有支持基材之層、矽氧樹脂層及玻璃基板之層，且支持基材之層與矽氧樹脂層之界面的剝離強度高於矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度；其中，矽氧樹脂層之矽氧樹脂係交聯性有機聚矽氧烷的交聯物，矽氧樹脂層含有矽氧油，且矽氧樹脂層之矽氧樹脂及矽氧油中之任一者具有芳香基，另一者則實質上不具芳香基。

Description

玻璃積層體及其製造方法、以及附矽氧樹脂層之支持基材 發明領域
本發明係有關於一種玻璃積層體及其製造方法，尤其有關於一種具有含矽氧油之矽氧樹脂層的玻璃積層體及其製造方法。
又，本發明係有關於一種附矽氧樹脂層之支持基材，尤其有關於一種其表面可剝離地積層有玻璃基板的附矽氧樹脂層之支持基材及其製造方法。
發明背景
近年，太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL面板(OLED)等元件(電子機器)的薄型化、及輕量化皆有所進展，且該等元件所用的玻璃基板之薄板化亦有所進展。但若因薄板化使玻璃基板之強度不足，則在元件之製造步驟中玻璃基板之處置性即會降低。
爰此，自習知即廣泛採用一種於比最終厚度更厚的玻璃基板上形成元件用構件(例如薄膜電晶體)後，藉由化學蝕刻處理將玻璃基板薄板化之方法。
然而，在該方法中，例如將1片玻璃基板之厚度從 0.7mm薄板化至0.2mm或0.1mm時，原本的玻璃基板之材料大半皆會被蝕刻液削落，因此在生產性或原材料之使用效率之觀點上不甚理想。又，在上述利用化學蝕刻所行之玻璃基板的薄板化方法中，於玻璃基板表面存在微細的傷痕時，有時會因蝕刻處理而以傷痕為起點形成微細的凹部(蝕孔)，成為光學缺陷。
最近，為了因應上述課題有提出一方法，其係準備一已積層薄板玻璃基板及補強板的玻璃積層體，於玻璃積層體之薄板玻璃基板上形成顯示裝置等電子元件用構件後，從薄板玻璃基板將支持板分離之方法(例如參照專利文獻1或專利文獻2)。補強板具有支持板、及固定在該支持板上之矽氧樹脂層，且矽氧樹脂層與薄板玻璃基板係可剝離地密接。玻璃積層體的矽氧樹脂層與薄板玻璃基板之界面經剝離而從薄板玻璃基板分離的補強板，可與新的薄板玻璃基板積層而以玻璃積層體再利用。
而，專利文獻2(尤其實施例7)中，作為矽氧油係具體揭示一使用含有二甲基聚矽氧烷之矽氧樹脂層的態樣。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第2007/018028號
專利文獻2：國際公開第2011/142280號
發明概要
關於專利文獻1及2中記載之玻璃積層體，近年變得要求更高的耐熱性。伴隨著形成在玻璃積層體之玻璃基板上的電子元件用構件之高機能化及複雜化，形成電子元件用構件時的溫度需要更高溫，且曝露在其高溫下的時間亦需要長時間的情況不少。又，使用之玻璃基板亦更薄膜化，其處置性變得更困難。
專利文獻1及2中記載之玻璃積層體可承受在大氣中在300℃下進行1小時的處理。但，經由本發明人等的研討，當參照專利文獻1及2，對使用了厚度更薄的玻璃基板之玻璃積層體進行350℃下1小時處理的情況下，將玻璃基板從矽氧樹脂層表面剝離時，可能有玻璃基板未從樹脂層表面剝離且其一部分被破壞，並且樹脂層中之樹脂一部分殘存在玻璃基板上，結果招致電子元件之生產性降低。
本發明係有鑑於上述課題而進行者，其目的在於提供一種即便在高溫加熱處理條件後仍可抑制玻璃基板與矽氧樹脂層之剝離強度的上升，且可輕易地將玻璃基板剝離的玻璃積層體及其製造方法。
又，本發明目的亦在於提供一種使用在該玻璃積層體之製造的附矽氧樹脂層之支持基材。
本發明人等為了解決上述課題進行精闢研討的結果而完成本發明。
即，本發明之第1態樣係一種玻璃積層體，依序設有支持基材之層、矽氧樹脂層及玻璃基板之層，且支持基材之 層與矽氧樹脂層之界面的剝離強度高於矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度；其中矽氧樹脂層之矽氧樹脂係交聯性有機聚矽氧烷的交聯物，矽氧樹脂層含有矽氧油，且矽氧樹脂層所含之矽氧樹脂及矽氧油中之任一者具有芳香基，另一者則實質上不具芳香基。
在第1態樣中，矽氧油具有苯基，且矽氧油中，與矽原子鍵結之全部有機基中之苯基含有率為5~50莫耳%為佳。
在第1態樣中，矽氧樹脂層中，相對於矽氧樹脂100質量份，矽氧油含量在6~20質量份為佳。
在第1態樣中，矽氧油在25℃下之黏度為100~6000cP為佳。
在第1態樣中，矽氧樹脂層之厚度為2~100μm為佳。
在第1態樣中，支持基材係玻璃板為佳。
本發明之第2態樣係一種製造第1態樣之玻璃積層體的方法，其特徵在於：在支持基材之一面形成含有交聯性有機聚矽氧烷及矽氧油之層，並在支持基材面上使交聯性有機聚矽氧烷交聯而形成矽氧樹脂層，接著於矽氧樹脂層之表面積層玻璃基板。
本發明之第3態樣係一種附矽氧樹脂層之支持基材，具有支持基材及設置在支持基材面上且具剝離性表面的矽氧樹脂層；其中，矽氧樹脂層之矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷的交聯物，矽氧樹脂層含有矽氧油，且矽氧樹脂層所含之矽氧樹脂及矽氧油中之任一者具有芳香基，另 一者則實質上不具芳香基。
在第3態樣中，矽氧油具有苯基，且矽氧油中，與矽原子鍵結之全部有機基中之苯基含有率在5~50莫耳%為佳，在5~30莫耳%更佳。
在第3態樣中，矽氧樹脂層中，相對於矽氧樹脂100質量份，矽氧油含量為6~20質量份為佳。
在第3態樣中，矽氧油在25℃下之黏度為100~6000cP為佳。
依據本發明，可提供一種即便在高溫加熱處理條件後仍可抑制玻璃基板與矽氧樹脂層之剝離強度的上升並可輕易地將玻璃基板剝離的玻璃積層體及其製造方法。
又，依據本發明，亦可提供一種在該玻璃積層體製造使用的附矽氧樹脂層之支持基材。
10‧‧‧玻璃積層體
12‧‧‧支持基材
14‧‧‧矽氧樹脂層
14a‧‧‧矽氧樹脂層之第1主面
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧玻璃基板之第1主面
16b‧‧‧玻璃基板之第2主面
18‧‧‧附矽氧樹脂層之支持基材
20‧‧‧電子元件用構件
22‧‧‧附有電子元件用構件之積層體
24‧‧‧附有構件之玻璃基板
圖1係本發明之玻璃積層體之一實施形態的示意截面圖。
圖2(A)~圖2(D)係依步驟順序顯示本發明之附構件之玻璃基板的製造方法之一實施形態的示意截面圖。
用以實施發明之形態
以下，參照圖式來說明用以實施本發明之形態，本發明不受以下實施形態限制，可在不脫離本發明範圍之情況下，於以下實施形態加諸各種變形及取代。
本發明之玻璃積層體依序具備支持基材之層、矽氧樹脂層及玻璃基板之層。即，在支持基材之層及玻璃基板之層之間具有矽氧樹脂層，因此矽氧樹脂層之其一側接於支持基材之層，另一側則接於玻璃基板之層。
本發明之玻璃積層體的特徵點之一可舉如下述一點：矽氧樹脂層含有矽氧油，矽氧樹脂層之矽氧樹脂及矽氧油僅其中一者具有芳香基，另一者則實質上不具芳香基。藉由僅將芳香基導入至矽氧樹脂或矽氧油其中一者，可降低兩者的相溶性。就結果而言，矽氧油可在短時間溢出至矽氧樹脂層表面，即便形成矽氧樹脂層後至積層玻璃基板為止的時間很短，仍可輕易地獲得相對於玻璃基板可顯示良好的剝離性之矽氧樹脂層，結果上，即便在高溫加熱後仍可抑制玻璃基板與矽氧樹脂層之剝離強度的上升。又，如後述，若使用預定的矽氧油，較可擔保矽氧樹脂層表面的透明性，並且可使已剝離之玻璃基板表面的透明性亦較為優異。
又，由於本發明之矽氧樹脂層顯示良好的剝離性，所以具有即便將玻璃基板厚度薄化，在高溫加熱後之剝離時玻璃基板仍舊難以破裂的特徵。
圖1係本發明之玻璃積層體之一例的示意截面圖。
如圖1所示，玻璃積層體10係支持基材12之層、玻璃基板16之層及矽氧樹脂層14存在於其等之間的積層體。矽氧樹脂層14係其一面與支持基材12之層相接，同時另一面與 玻璃基板16之第1主面16a相接。換言之，矽氧樹脂層14與玻璃基板16之第1主面16a相接。
由支持基材12之層及矽氧樹脂層14所構成的二層部分，在製造液晶面板等之電子元件用構件的構件形成步驟中可補強玻璃基板16。而，為了製造玻璃積層體10而預先製作且由支持基材12之層及矽氧樹脂層14所構成的二層部分稱為附矽氧樹脂層之支持基材18。
該玻璃積層體10可使用至後述之構件形成步驟為止。即，該玻璃積層體10可使用至其玻璃基板16之第2主面16b表面上形成液晶顯示裝置等之電子元件用構件為止。其後，形成有電子元件用構件的玻璃積層體會被分離成附矽氧樹脂層之支持基材18及附構件之玻璃基板，且附矽氧樹脂層之支持基材18不會成為構成電子元件的部分。於附矽氧樹脂層之支持基材18可積層新的玻璃基板16，作為新的玻璃積層體10再利用。
支持基材12與矽氧樹脂層14之界面具有剝離強度(x)，若對支持基材12與矽氧樹脂層14之界面加諸超越剝離強度(x)的拖曳方向之應力，支持基材12與矽氧樹脂層14之界面即剝離。矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面具有剝離強度(y)，若對矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面加諸超越剝離強度(y)的拖曳方向之應力，矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面即剝離。
在玻璃積層體10(亦表示後述之附電子元件用構件之積層體)中，上述剝離強度(x)高於上述剝離強度(y)。因此， 若對玻璃積層體10加諸將支持基材12與玻璃基板16拖曳之方向的應力，本發明之玻璃積層體10便會在矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面剝離而分離成玻璃基板16及附矽氧樹脂層之支持基材18。
剝離強度(x)與剝離強度(y)比較下，宜充分夠高。提高剝離強度(x)表示提高矽氧樹脂層14對於支持基材12的附著力，且在加熱處理後仍可對玻璃基板16維持相對較高的附著力。
為了提高矽氧樹脂層14相對於支持基材12的附著力，如後述，宜使交聯性有機聚矽氧烷在支持基材12上交聯硬化而形成矽氧樹脂層14。以交聯硬化時的接著力，可形成對支持基材12以高結合力結合的矽氧樹脂層14。
另一方面，交聯硬化後之交聯性有機聚矽氧烷的硬化物相對於玻璃基板16的結合力低於上述交聯硬化時產生之結合力實屬通例。因此，宜在支持基材12上使交聯性有機聚矽氧烷交聯硬化而形成矽氧樹脂層14，其後於矽氧樹脂層14之面積層玻璃基板16來製造玻璃積層體10。
以下，首先就構成玻璃積層體10之各層(支持基材12、玻璃基板16、矽氧樹脂層14)詳述，其後就玻璃積層體及附構件之玻璃基板的製造方法詳述。
[支持基材]
支持基材12可支持並補強玻璃基板16，並在後述之構件形成步驟(製造電子元件用構件之步驟)中，防止電子元件用構件之製造時玻璃基板16的變形、損傷、破損等。
作為支持基材12，例如可使用玻璃板、塑膠板、SUS板等之金屬板等。通常，構件形成步驟會伴隨熱處理，因此支持基材12宜以與玻璃基板16之線膨脹係數差較小的材料來形成，且以與玻璃基板16相同材料形成較佳，支持基材12以玻璃板為佳。尤其，支持基材12以與玻璃基板16相同的玻璃材料所構成之玻璃板為佳。
支持基材12之厚度可比玻璃基板16更厚，亦可更薄。理想係依據玻璃基板16之厚度、矽氧樹脂層14之厚度、及玻璃積層體10之厚度來選擇支持基材12之厚度。例如，現行的構件形成步驟係設計成處理厚度0.5mm的基板者，當玻璃基板16之厚度與矽氧樹脂層14之厚度的和為0.1mm時，支持基材12之厚度係定為0.4mm。支持基材12之厚度在通常的情況下以0.2~5.0mm為佳。
支持基材12為玻璃板時，從較易處置且難以破裂等理由而言，玻璃板厚度在0.08mm以上為佳。又，從電子元件用構件形成後進行剝離時不會破裂且可期望適度的可撓之剛性的理由而言，玻璃板厚度在1.0mm以下為佳。
支持基材12與玻璃基板16在25~300℃下之平均線膨脹係數的差理想在500×10-7/℃以下，較理想在300×10-7/℃以下，更理想在200×10-7/℃以下。差一旦過大，在構件形成步驟中之加熱冷卻時，玻璃積層體10有激劇翹曲或支持基材12與玻璃基板16剝離之可能。支持基材12之材料與玻璃基板16之材料相同時，可抑制上述問題產生。
[玻璃基板]
玻璃基板16之第1主面16a與矽氧樹脂層14相接，且在與矽氧樹脂層14側為相對側的第2主面16b設置有電子元件用構件。
玻璃基板16之種類可為一般種類，可舉例如LCD、OLED等顯示裝置用之玻璃基板等。玻璃基板16之耐藥性、耐透濕性佳，且熱收縮率低。作為熱收縮率之指標，係使用JIS R 3102(1995年改正)所規定之線膨脹係數。
玻璃基板16之線膨脹係數一旦偏大，因構件形成步驟多會伴隨加熱處理，所以容易產生各種問題。例如，於玻璃基板16上形成TFT時，若在加熱下將已形成TFT的玻璃基板16冷卻，有因玻璃基板16之熱收縮而使TFT之位置偏移過大之虞。
玻璃基板16係將玻璃原料熔融，並將熔融玻璃成形為板狀而製得。該成形方法可為一般方法，例如可使用浮製玻板法、熔融法、狹縫溢流向下抽出法、富柯爾特(Fourcault)法、魯伯(Lubber’s)法等。又，尤其厚度薄的玻璃基板16可以再拉伸法成形而製得，該再拉伸法係將暫時成形為板狀的玻璃加熱至可成形溫度，再以延伸等手段拉伸而薄化之方法。
玻璃基板16之玻璃種類無特別限定，以無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高矽玻璃、及其他以氧化矽為主成分之氧化物系玻璃為佳。作為氧化物系玻璃，以氧化物換算之氧化矽含量在40~90質量%的玻璃為佳。
作為玻璃基板16之玻璃，係採用電子元件用構件 之種類或適合其製造步驟的玻璃。例如，在液晶面板用玻璃基板，從鹼金屬成分之溶出容易對液晶造成影響一點看來，由實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)構成(惟，通常含有鹼土類金屬成分)。如此一來，玻璃基板16之玻璃可依據適用之元件的種類及其製造步驟來適當選擇。
從玻璃基板16之薄型化及/或輕量化的觀點看來，玻璃基板16之厚度在0.3mm以下為佳，較理想在0.15mm以下，更理想在0.10mm以下。若在0.3mm以下，即可對玻璃基板16賦予良好的可撓性。若在0.15mm以下，即可將玻璃基板16捲取成捲狀。
又，從易於製造玻璃基板16及易於處置玻璃基板16等理由看來，玻璃基板16之厚度在0.03mm以上為佳。
而，玻璃基板16亦可由2層以上所構成，此時，形成各層之材料可為同種材料亦可為異種材料。又，此時，「玻璃基板16之厚度」表示所有層的合計厚度。
[矽氧樹脂層]
矽氧樹脂層14可防止玻璃基板16之位置偏移直到進行玻璃基板16及支持基材12分離之操作為止，並且可防止玻璃基板16等因分離操作而破損。矽氧樹脂層14中與玻璃基板16相接之表面(矽氧樹脂層之第1主面)14a係可剝離地密接於玻璃基板16之第1主面16a。矽氧樹脂層14係以微弱的結合力結合於玻璃基板16之第1主面16a，其界面的剝離強度(y)低於矽氧樹脂層14與支持基材12間之界面的剝離強度(x)。
即，將玻璃基板16與支持基材12分離時，係在玻璃基 板16之第1主面16a與矽氧樹脂層14之界面剝離，而在支持基材12與矽氧樹脂層14之界面則難以剝離。因此，矽氧樹脂層14具有與玻璃基板16之第1主面16a密接但又可將玻璃基板16輕易地剝離之表面特性。即，矽氧樹脂層14相對於玻璃基板16之第1主面16a係以某程度的結合力結合以防止玻璃基板16之位置偏移等，同時又以可在剝離玻璃基板16時不破壞玻璃基板16而輕易地剝離之程度的結合力結合。在本發明中，該矽氧樹脂層14表面之可輕易地剝離的性質稱為剝離性。另一方面，支持基材12之第1主面與矽氧樹脂層14係以相對上難以剝離之結合力結合。
而，矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面的結合力可在玻璃積層體10之玻璃基板16之面(第2主面16b)上形成電子元件用構件的前後有所變化(即，剝離強度(x)及剝離強度(y)有所變化)。但，即便是形成電子元件用構件後，剝離強度(y)仍舊低於剝離強度(x)。
矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層認為係以微弱的接著力或起因於凡得瓦力之結合力而結合。形成矽氧樹脂層14後於其表面積層玻璃基板16時，當矽氧樹脂層14之矽氧樹脂充分地交聯至未顯示接著力的程度時，認為係以起因於凡得瓦力之結合力而結合。但，矽氧樹脂層14之矽氧樹脂多半具有某程度之微弱的接著力。即便接著性極低，玻璃積層體10製造後於其積層體上形成電子元件用構件時，認為仍會藉由加熱操作等使矽氧樹脂層14之矽氧樹脂接著於玻璃基板16面，而使矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層間的結合 力上升。
視情況，亦可對積層前的矽氧樹脂層14之表面或積層前的玻璃基板16之第1主面16a進行減弱兩者間之結合力的處理，再進行積層。對積層之面進行非接著性處理等，然後再進行積層，藉此可減弱矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層界面之結合力，減低剝離強度(y)。
又，矽氧樹脂層14係以接著力或黏著力等強固的結合力而結合於支持基材12表面。例如，如上述藉由使交聯性有機聚矽氧烷在支持基材12表面交聯硬化，可將交聯物之矽氧樹脂接著於支持基材12表面並獲得高的結合力。又，可對支持基材12表面與矽氧樹脂層14之間施行使強固的結合力生成之處理(例如使用耦合劑之處理)，來提高支持基材12表面與矽氧樹脂層14之間的結合力。
矽氧樹脂層14與支持基材12之層以高的結合力結合表示兩者界面之剝離強度(x)高。
矽氧樹脂層14之厚度無特別限定，在2~100μm為佳，在3~50μm較佳，且在7~20μm更佳。矽氧樹脂層14之厚度若在上述範圍，即便矽氧樹脂層14與玻璃基板16間夾雜有氣泡及異物，仍可抑制玻璃基板16之皺曲缺陷的產生。又，矽氧樹脂層14之厚度一旦過厚，在形成上即需要時間及材料，故不經濟，且耐熱性有時會降低。又，矽氧樹脂層14之厚度一旦過薄，矽氧樹脂層14與玻璃基板16之密接性有時會降低。
而，矽氧樹脂層14亦可由2層以上構成。此時「矽氧樹 脂層14之厚度」表示全部層的合計厚度。
又，矽氧樹脂層14係由2層以上構成時，形成各層之樹脂可由不同的交聯矽氧樹脂構成。
矽氧樹脂層14所含之矽氧樹脂係交聯性有機聚矽氧烷的交聯物，且矽氧樹脂形成3次元網目結構。
交聯性有機聚矽氧烷之種類無特別限制，只要係藉由預定的交聯反應進行交聯硬化，而成為構成矽氧樹脂的交聯物(硬化物)，則其結構即無特別限定，具有預定的交聯性即可。交聯形式無特別限制，可因應交聯性有機聚矽氧烷中所含之交聯性基的種類採用適宜公知的形式。可舉如：矽氫化反應、縮合反應、或利用加熱處理、高能量線處理或自由基聚合引發劑的自由基反應等。
較具體而言，交聯性有機聚矽氧烷具有烯基或炔基等自由基反應性基時，係藉由透過上述自由基反應的自由基反應性基彼此之反應進行交聯而成為硬化物(交聯矽氧樹脂)。
又，交聯性有機聚矽氧烷具有矽醇基時，係藉由矽醇基彼此之縮合反應進行交聯而成為硬化物。
此外，交聯性有機聚矽氧烷含有具有鍵結於矽原子之烯基(乙烯基等)的有機聚矽氧烷(即有機烯基聚矽氧烷)，及具有鍵結於矽原子之氫原子(矽氫基)的有機聚矽氧烷(即有機氫化聚矽氧烷)時，係在矽氫化觸媒(例如鉑系觸媒)之存在下藉由矽氫化反應進行交聯而成為硬化物。
其中，在矽氧樹脂層14之形成容易且玻璃基板之 剝離性較佳的觀點下，交聯性有機聚矽氧烷以含有下述態樣為佳：兩末端及/或側鏈具有烯基之有機聚矽氧烷(以後亦適當稱為有機聚矽氧烷A)，及兩末端及/或側鏈具有矽氫基之有機聚矽氧烷(以後亦適當稱為有機聚矽氧烷B)。
而，作為烯基並無特別限定，可舉如：乙烯基(乙烯基)、烯丙基(2-丙烯基)、丁烯基、戊烯基、己烯基等，其中從耐熱性佳之觀點看來，以乙烯基為佳。
又，作為有機聚矽氧烷A所含之烯基以外之基、及有機聚矽氧烷B所含之矽氫基以外之基，可舉如烷基(尤其碳數4以下之烷基)。
有機聚矽氧烷A中之烯基的位置無特別限制，當有機聚矽氧烷A為直鏈狀時，烯基可存在於下述所示之M單元及D單元中之任一者，亦可存在於M單元及D單元之兩者。從硬化速度一點看來，以至少存在於M單元為佳，以存在於2個M單元兩者為佳。
而，所謂M單元及D單元係有機聚矽氧烷之基本構成單元之例，M單元係鍵結有3個有機基的1官能性矽氧烷單元，D單元係鍵結有2個有機基的2官能性矽氧烷單元。在矽氧烷單元中，矽氧烷鍵係2個矽原子藉由1個氧原子而鍵結之鍵，由此將矽氧烷鍵中之每1個矽原子的氧原子視為1/2個，式中表示為O1/2。
[化1]
Figure TWI613073BD00001
有機聚矽氧烷A中之烯基數無特別限制，1分子中1~3個為佳，2個較佳。
有機聚矽氧烷B中之矽氫基的位置無特別限制，當有機聚矽氧烷A為直鏈狀時，矽氫基可存在於M單元及D單元中之任一者，亦可存在於M單元及D單元之兩者。從硬化速度之觀點看來，以至少存在於D單元為佳。
有機聚矽氧烷B中之矽氫基數無特別限制，1分子中至少具有3個為佳，以3個較佳。
有機聚矽氧烷A與有機聚矽氧烷B之混合比率無特別限制，進行調整使有機聚矽氧烷B中鍵結於矽原子之氫原子與有機聚矽氧烷A中之總烯基的莫耳比(氫原子/烯基)成為0.7~1.05為佳。其中，又以調整混合比率使其成為0.8~1.0為佳。
作為矽氫化觸媒，宜使用鉑族金屬系觸媒。作為鉑族金屬系觸媒，舉如有鉑系、鈀系、銠系等之觸媒，從經濟性及反應性之觀點看來，尤以使用鉑系觸媒為佳。作為鉑族金屬系觸媒，可使用公知物。具體上，舉如有：鉑微粉末、鉑黑、氯化亞鉑酸、氯化鉑酸等氯化鉑酸、四氯化鉑、氯化鉑酸之醇化合物、醛化合物、或是鉑之烯烴錯合物、烯基矽氧烷錯合物、羰基錯合物等。
作為矽氫化觸媒之使用量，相對於有機聚矽氧烷A與有 機聚矽氧烷B之合計質量100質量份，在0.1~20質量份為佳，在1~10質量份較佳。
交聯性有機聚矽氧烷之重量平均分子量無特別限制，在處置性佳同時成膜性亦佳，並且較可抑制在高溫處理條件下之矽氧樹脂分解的觀點下，利用GPC(凝膠層析術)測定獲致之聚苯乙烯換算的重量平均分子量在1,000~5,000,000為佳，在2,000~3,000,000較佳。
交聯性有機聚矽氧烷之黏度以10~5000mPa‧s為佳，以15~3000mPa‧s較佳。而，在未特別說明之前提下，本說明書中記載之黏度之值係在25℃下測定之值。
又，作為交聯性有機聚矽氧烷已具體市售之商品名或型號，就不具芳香基之交聯性有機聚矽氧烷而言，舉如有：KNS-320A、KS-847(皆為信越矽氧公司製)、TPR6700(Momentive Performance Materials Japan合同公司製)、乙烯基矽氧「8500」(荒川化學工業公司製)與甲基氫化聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製)之組合、乙烯基矽氧「11364」(荒川化學工業公司製)與甲基氫化聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製)之組合、及乙烯基矽氧「11365」(荒川化學工業公司製)與甲基氫化聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製)之組合等。
矽氧樹脂層14含有矽氧油。矽氧油不同於上述交聯性有機聚矽氧烷，係不與交聯性有機聚矽氧烷進行反應且不具交聯性的非交聯性(非反應性)有機聚矽氧烷。
矽氧油之種類無特別限定，舉例有：二甲基聚矽氧烷、 甲基苯基聚矽氧烷、二苯基聚矽氧烷等純矽氧油；及，於純矽氧油之側鏈或末端導入聚醚基、鹵素基等的變性矽氧油。
而，就矽氧油之具體上已市售之商品名或型號而言，作為具有芳香基(例如苯基)之矽氧油，可舉如KTSF433(Momentive Performance Materials Japan合同公司製)、KF-50、KF-53、KF-54(信越化學工業公司製)、及SH550(東麗道康寧公司製)等。
作為不具芳香基之矽氧油，則可舉如SH200(東麗道康寧公司製)、KNS-330(信越化學公司製)等。
矽氧油之黏度無特別限制，在容易溢出至矽氧樹脂層14表面且玻璃基板16之剝離性較優異一點，及經剝離的玻璃基板16之透明性較優異一點下，以100~6000cP為佳，以100~3000cP較佳，以125~1000cP更佳。
矽氧樹脂層14中之矽氧油含量無特別限制，在玻璃基板16之剝離性優異同時經剝離的玻璃基板之透明性較優異一點下，相對於矽氧樹脂100質量份在6~20質量份為佳，在6~15質量份較佳，在8~15質量份更佳。
上述構成矽氧樹脂層14之矽氧樹脂及矽氧樹脂層14所含之矽氧油中之任一者具有芳香基，另一者則實質上不具芳香基。換言之，僅矽氧樹脂及矽氧油中之任一者具有芳香基。如上述，只要是此態樣，矽氧樹脂與矽氧油之相溶性即差，所以結果上矽氧油容易溢出至矽氧樹脂層14表面，即便在高溫加熱處理後仍易於進行玻璃基板16之剝離。
而，所謂矽氧樹脂或矽氧油實質上不具芳香基意圖在表示可在不影響本發明效果之範圍下具有芳香基之意旨，較具體上係意圖在表示矽氧樹脂或矽氧油中與矽原子鍵結之全部有機基中之芳香基含有率低於1莫耳%。
矽氧樹脂或矽氧油具有芳香基意圖在表示含有芳香基在上述含有率以上。
芳香基之種類無特別限制，可舉如1價芳香基(例如芳香族烴基或芳香族雜環基)等。其中，從易於矽氧樹脂或矽氧油之調製一點看來，以芳香族烴基為佳，尤以苯基為佳。
作為上述態樣，較具體上有2種模式：態樣A，矽氧油具有芳香基且矽氧樹脂實質上不具芳香基；及，態樣B，矽氧樹脂具有芳香基且矽氧油實質上不具芳香基。其中，在矽氧樹脂層14之調製更容易、玻璃基板16之剝離性更優異一點下，以態樣A為佳。
在態樣A的情況下，矽氧油所含之芳香基為苯基為佳，其中，在高溫加熱處理後之玻璃基板16的剝離性較優異的同時經剝離之玻璃基板16的透明性較優異一點下，矽氧油中與矽原子鍵結之全部有機基中之芳香基(尤其是苯基)含有率在5~50莫耳%為佳，在5~30莫耳%較佳，在10~30莫耳%更佳。
而，在態樣A的情況下，矽氧油中之芳香基的鍵結位置無特別限制，可舉如兩末端及/或側鏈。又，作為矽氧油所含之苯基以外之基，舉例如烷基(例如甲基、乙基、丙基等)。
另一方面，在態樣B的情況下，矽氧樹脂所含之芳香基以苯基為佳，其中，在高溫加熱處理後之玻璃基板16的剝離性較優異一點下，矽氧樹脂中與矽原子鍵結之全部有機基中之芳香基(尤其是苯基)的含有率在5~90莫耳%為佳，在30~90莫耳%較佳。而，在態樣B的情況下，作為矽氧樹脂所含之苯基以外之基，舉例如烷基(例如甲基、乙基、丙基等)。
而，作為具有芳香基之矽氧油，在與矽氧樹脂之相溶性關係優異一點下，適當可舉如甲基苯基矽氧油。
又，作為具有芳香基之矽氧樹脂，可舉如使具有苯基之交聯性有機聚矽氧烷交聯而成的矽氧樹脂。
[玻璃積層體及其製造方法]
本發明之玻璃積層體10如上述係支持基材12、玻璃基板16及在其等間存在矽氧樹脂層14的積層體。
本發明之玻璃積層體10之製造方法無特別限制，為了獲得剝離強度(x)高於剝離強度(y)之積層體，以在支持基材12表面上使預定的交聯性有機聚矽氧烷交聯硬化而形成矽氧樹脂層14之方法為佳。即，係一將含有交聯性有機聚矽氧烷及矽氧油之層形成於支持基材12表面，在支持基材12表面上使交聯性有機聚矽氧烷交聯而形成矽氧樹脂層14(交聯矽氧樹脂)，接下來於矽氧樹脂層14之矽氧樹脂面積層玻璃基板16來製造玻璃積層體10之方法。
交聯性有機聚矽氧烷一旦在支持基材12表面硬化，即可在硬化反應時藉由與支持基材12表面之相互作用而接 著，使矽氧樹脂與支持基材12表面之剝離強度變高。因此，即便玻璃基板16與支持基材12係由相同材質所構成，仍可在矽氧樹脂層14與兩者間之剝離強度設有差異。
以下，將含有交聯性有機聚矽氧烷及矽氧油之層形成於支持基材12表面，在支持基材12表面上使交聯性有機聚矽氧烷交聯而形成矽氧樹脂層14之步驟稱為樹脂層形成步驟，於矽氧樹脂層14之矽氧樹脂面積層玻璃基板16而製成玻璃積層體10之步驟稱為積層步驟，就各步驟順序詳述。
(樹脂層形成步驟)
在樹脂層形成步驟中，將含有交聯性有機聚矽氧烷及矽氧油之層形成於支持基材12表面，在支持基材12表面上使交聯性有機聚矽氧烷交聯而形成矽氧樹脂層14。
為了在支持基材12上形成含有交聯性有機聚矽氧烷及矽氧油之層，係使用已使交聯性有機聚矽氧烷及矽氧油溶解於溶劑中之塗佈用組成物，並將該組成物塗佈於支持基材12上而形成溶液層，接下來除去溶劑而製成含有交聯性有機聚矽氧烷及矽氧油之層為佳。藉由組成物中之交聯性有機聚矽氧烷及矽氧油的濃度調整等，可控制含有交聯性有機聚矽氧烷及矽氧油之層的厚度。
作為溶劑，只要是可在作業環境下輕易地溶解交聯性有機聚矽氧烷及矽氧油且可輕易地使其揮發除去之溶劑，即無特別限定。具體上，可列舉如乙酸丁酯、庚烷、2-庚酮、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、甲苯、二甲苯、THF、氯仿等。
於支持基材12表面上塗佈含有交聯性有機聚矽 氧烷及矽氧油之組成物的方法無特別限定，可使用公知方法。舉例如：噴塗法、模塗法、旋塗法、浸塗法、輥塗法、棒塗法、網版印刷法、凹版塗佈法等。
其後，因應需求，亦可實施用以除去溶劑的乾燥處理。乾燥處理方法無特別限制，舉例如：在減壓條件下除去溶劑之方法；及在不會進行交聯性有機聚矽氧烷硬化的溫度下加熱之方法等。
接下來，在支持基材12上使交聯性有機聚矽氧烷交聯而形成矽氧樹脂層14。較具體上係如圖2(A)所示，在該步驟中係於支持基材12之至少一表面上形成矽氧樹脂層14。
硬化(交聯)之方法如上述可因應交聯性有機聚矽氧烷之交聯形式選擇適當的最佳方法，舉例如加熱處理或露光處理。其中，在交聯性有機聚矽氧烷藉由矽氫化反應、縮合反應、自由基反應進行交聯之情況下，在可獲得相對於玻璃基板16之密著性及耐熱性優異的矽氧樹脂一點上，宜藉由熱硬化來製造矽氧樹脂層14。
以下就熱硬化之態樣詳述。
使交聯性有機聚矽氧烷熱硬化之溫度條件若在可提升矽氧樹脂層14之耐熱性且得以如上述控制與玻璃基板16積層後之剝離強度(y)的範圍內即無特別限制，在150~300℃為佳，在180~250℃較佳。又，加熱時間通常以10~120分為佳，以30~60分較佳。熱硬化溫度一旦過低，耐熱性或矽氧樹脂層14之平坦性會降低；另一方面，溫度一 旦過高，剝離強度(y)會變得過低；兩種情況皆有可能使玻璃基板16與矽氧樹脂層14之密著性減弱。
而，交聯性有機聚矽氧烷亦可在進行預硬化(預備硬化)後，進行後硬化(本硬化)來使其硬化。藉由進行預硬化，可獲得耐熱性優異的矽氧樹脂層14。預硬化宜緊接於溶劑除去後進行，屆時，不會特別區別自層除去溶劑以形成含有交聯性有機聚矽氧烷及矽氧油之層的步驟及進行預硬化的步驟。
(積層步驟)
積層步驟係在上述樹脂層形成步驟中所製得之矽氧樹脂層14的矽氧樹脂面上積層玻璃基板16，而獲得依序具備支持基材12之層、矽氧樹脂層14、及玻璃基板16之層的玻璃積層體10之步驟。較具體上係如圖2(B)所示，將矽氧樹脂層14中與支持基材12側為相對側之表面(矽氧樹脂層之第1主面)14a、與玻璃基板16具有的第1主面16a及第2主面16b中之第1主面16a作為積層面，而將矽氧樹脂層14與玻璃基板16積層，以獲得玻璃積層體10。
將玻璃基板16積層於矽氧樹脂層14上之方法無特別限制，可採用公知的方法。
例如，在常壓環境下於矽氧樹脂層14之表面上重疊玻璃基板16之方法。而，亦可因應需求於矽氧樹脂層14之表面上重疊玻璃基板16後，使用輥件或壓機將玻璃基板16壓接至矽氧樹脂層14。藉由利用輥件或壓機之壓接，較可輕易地除去混入在矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層間的氣 泡，故為理想。
若藉由真空疊層法或真空壓製法進行壓接，即可抑制氣泡之混入及確保良好的密接，故較理想。若在真空下進行壓接，亦具有即便殘有微小氣泡時依舊不會因加熱而使氣泡成長且不易牽連到玻璃基板16之皺曲缺陷的優點。
積層玻璃基板16時，宜將接觸於矽氧樹脂層14之玻璃基板16表面充分洗淨，在清潔度高的環境下進行積層。清潔度愈高，玻璃基板16之平坦性愈佳，故為理想。
而，積層玻璃基板16後，亦可因應需求進行預退火處理(加熱處理)。藉由進行該預退火處理，可提升已積層之玻璃基板16相對於矽氧樹脂層14的密接性，而達成適當的剝離強度(y)，且在後述之構件形成步驟時難以產生電子元件用構件之位置偏移等，可提升電子元件之生產性。
預退火處理之條件可因應使用之矽氧樹脂層14的種類來選擇適當的最佳條件，從可使玻璃基板16與矽氧樹脂層14間之剝離強度(y)更為適當之觀點看來，宜在300℃以上(理想在300~400℃)進行5分鐘以上(理想在5~30分鐘)的加熱處理。
而，矽氧樹脂層14之形成不限於上述方法。
例如，在使用材質為對矽氧樹脂表面的密接性高於玻璃基板16的支持基材12時，可使交聯性有機聚矽氧烷在任一剝離性表面上硬化而製造矽氧樹脂之薄膜，並使該薄膜夾雜在玻璃基板16與支持基材12間，同時進行積層。
又，當交聯性有機聚矽氧烷硬化所獲致之接著性對玻 璃基板16充分夠低且其接著性對支持基材12充分夠高時，可在玻璃基板16與支持基材12之間使交聯性有機聚矽氧烷硬化而形成矽氧樹脂層14。
此外，即便支持基材12係以與玻璃基板16同樣的玻璃材料所構成時，仍可施行提高支持基材12表面之接著性的處理來提高對矽氧樹脂層14之剝離強度。舉例如：如矽烷耦合劑在化學上使固定力提升的化學方法(底漆處理)、如火燄(flame)處理使表面活性基增加的物理方法、及如噴砂處理藉由使表面粗度增加而使抓力增加的機械處理方法等。
(玻璃積層體)
本發明之玻璃積層體10可使用在各種用途，舉例如：製造後述之顯示裝置用面板、PV、薄膜2次電池、表面形成有電路之半導體晶圓等的電子零件之用途等。而，在該用途中，玻璃積層體10多被暴露在高溫條件(例如350℃以上)下(例如1小時以上)。
在此，顯示裝置用面板包含LCD、OLED、電子紙、電漿顯示器面板、場放射面板、量子點LED面板、及MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微機電系統)快門面板等。
[附構件之玻璃基板及其製造方法]
在本發明中，使用上述積層體，來製造含有玻璃基板及電子元件用構件的附有構件之玻璃基板(附有電子元件用構件之玻璃基板)。
該附有構件之玻璃基板的製造方法無特別限定，從電 子元件之生產性優異一點看來，以下述方法為佳：於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子元件用構件來製造附有電子元件用構件之積層體，並以矽氧樹脂層之玻璃基板側界面作為剝離面，從所製得之附有電子元件用構件之積層體分離成附有構件之玻璃基板及附有矽氧樹脂層之支持基材的方法。
以下，於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子元件用構件來製造附有電子元件用構件之積層體的步驟稱為構件形成步驟；以矽氧樹脂層之玻璃基板側界面作為剝離面，從附有電子元件用構件之積層體分離成附有構件之玻璃基板及附有矽氧樹脂層之支持基材的步驟稱為分離步驟。
以下，就各步驟中使用之材料及程序詳述。
(構件形成步驟)
構件形成步驟係於上述積層步驟中所製得之玻璃積層體10中的玻璃基板16上形成電子元件用構件之步驟。較具體上係如圖2(C)所示，在玻璃基板16之第2主面16b(露出表面)上形成電子元件用構件20而獲得附有電子元件用構件之積層體22。
首先，就本步驟中使用之電子元件用構件20詳述，其後就步驟程序詳述。
(電子元件用構件(機能性元件))
電子元件用構件20係形成在玻璃積層體10中之玻璃基板16上並構成電子元件之至少一部分的構件。較具體上，作為電子元件用構件20，可舉如使用在顯示裝置用面板、 太陽電池、薄膜2次電池、或表面形成有電路之半導體晶圓等的電子零件等之構件(例如顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜2次電池用構件、電子零件用電路)。
例如，作為太陽電池用構件，在矽型中可舉如正極之氧化錫等透明電極、以p層/i層/n層表示之矽層、及負極之金屬等，其他則可舉如對應於化合物型、色素增敏型、及量子點型等的各種構件等。
又，作為薄膜2次電池用構件，在鋰離子型中可舉如正極及負極之金屬或金屬氧化物等的透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、及作為密封層之樹脂等，其他則可舉如對應於鎳氫型、聚合物型、及陶瓷電解質型等的各種構件等。
又，作為電子零件用電路，在CCD及CMOS中可舉如導電部之金屬、及絕緣部之氧化矽或氮化矽等，其他則可舉如對應於壓力感測器‧加速度感測器等各種感測器或剛性印刷基板、可撓印刷基板、剛性可撓印刷基板等的各種構件等。
(步驟程序)
上述之附有電子元件用構件之積層體22的製造方法無特別限定，可因應電子元件用構件之構成構件的種類，以習知公知之方法於玻璃積層體10之玻璃基板16的第2主面16b表面上形成電子元件用構件20。
而，電子元件用構件20可為並非最終形成在玻璃基板16之第2主面16b上的構件全部(以下稱為「全構件」)而為全 構件的一部分(以下稱為「部分構件」)。從矽氧樹脂層14剝離的附有部分構件之玻璃基板可在其後之步驟中作成附有全構件之玻璃基板(相當於後述之電子元件)。
又，亦可在從矽氧樹脂層14剝離且附有全構件之玻璃基板的其剝離面(第1主面16a)形成其他電子元件用構件。又，亦可將附有全構件之積層體組裝，其後從附有全構件之積層體剝離支持基材12，來製造電子元件。此外，亦可使用2片附有全構件之積層體進行組裝，其後從附有全構件之積層體將2片支持基材12剝離，來製造具有2片玻璃基板的附有構件之玻璃基板。
例如，若以製造OLED之情況為例，為了在玻璃積層體10之玻璃基板16中與矽氧樹脂層14側為相對側之表面上(相當於玻璃基板16之第2主面16b)形成有機EL結構物，進行下述各種的層形成及處理：形成透明電極；進一步於已形成透明電極之面上蒸鍍電洞注入層‧電洞輸送層‧發光層‧電子輸送層等、形成背面電極；及，使用密封板進行密封等。作為該等的層形成或處理，具體上，可舉如成膜處理、蒸鍍處理、及密封板之接著處理等。
又，例如在製造TFT-LCD時，可具有下述各種步驟等：TFT形成步驟，於玻璃積層體10之玻璃基板16的第2主面16b上，使用抗蝕液，以CVD法及濺鍍法等在利用一般成膜法而形成之金屬膜及金屬氧化膜等進行圖案形成，而形成薄膜電晶體(TFT)；CF形成步驟，在另一玻璃積層體10之玻璃基板16的第2主面16b上，將抗蝕液使用於圖案形成 以形成濾色器(CF)；及貼合步驟，將TFT形成步驟中所製得之附TFT之積層體及CF形成步驟中所製得之附CF之積層體積層。
在TFT形成步驟及CF形成步驟中，可使用周知的光刻技術或蝕刻技術等，於玻璃基板16之第2主面16b形成TFT或CF。此時，可使用抗蝕液作為圖案形成用塗佈液。
而，在形成TFT及CF之前，可因應需求將玻璃基板16之第2主面16b洗淨。作為洗淨方法，可使用周知的乾洗淨或濕洗淨。
在貼合步驟中，使附TFT之積層體的薄膜電晶體形成面與附CF之積層體的濾色器形成面相對向，使用密封劑(例如晶胞形成用紫外線硬化型密封劑)進行貼合。其後，於附TFT之積層體及附CF之積層體所形成的晶胞內注入液晶材。作為注入液晶材之方法，例如有減壓注入法及滴定注入法。
(分離步驟)
分離步驟如圖2(D)所示，係以矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面作為剝離面，從上述構件形成步驟中所製得之附有電子元件用構件之積層體22分離成積層有電子元件用構件20之玻璃基板16(附有構件之玻璃基板)及支持基材12，而獲得具有電子元件用構件20及玻璃基板16的附有構件之玻璃基板24之步驟。
剝離時，當玻璃基板16上的電子元件用構件20係形成所需之全部構成構件的一部分時，分離後亦可將剩餘的構 成構件形成在玻璃基板16上。
將玻璃基板16與支持基材12剝離之方法無特別限定。具體上，例如可在對玻璃基板16與矽氧樹脂層14之界面***銳利的刃狀物以賦予剝離缺口的前提下，噴附水與壓縮空氣之混合流體來進行剝離。理想係設置在定盤上使附有電子元件用構件之積層體22的支持基材12為上側且電子元件用構件20側為下側，並將電子元件用構件20側真空吸附於定盤上(兩面積層有支持基材時係依序進行)，在該狀態下首先將刃件在玻璃基板16一矽氧樹脂層14界面使刃件侵入。而且，於其後以多數真空吸附墊吸附支持基材12側，從***刃件的地方附近依序使真空吸附墊上升。如此一來，即可對矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面或矽氧樹脂層14之凝聚破壞面形成空氣層，並使其空氣層往界面或凝聚破壞面的整面擴展，而輕易地剝離支持基材12。
又，支持基材12可與新的玻璃基板積層來製造本發明之玻璃積層體10。
而，從附電子元件用構件之積層體22分離附構件之玻璃基板24時，藉由控制以電離手段(ionizer)所行之噴附或濕度，較可抑制矽氧樹脂層14之碎片靜電吸附於附構件之玻璃基板24。
上述之附有構件之玻璃基板24的製造方法適合在如手機或PDA等可移動終端使用的小型顯示裝置之製造。顯示裝置主要是LCD或OLED，作為LCD，包含TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等。基本上， 在被動驅動型、主動驅動型之任一顯示裝置皆可適用。
作為以上述方法所製造之附有構件之玻璃基板24，可舉如：具有玻璃基板及顯示裝置用構件之顯示裝置用面板、具有玻璃基板及太陽電池用構件之太陽電池、具有玻璃基板及薄膜2次電池用構件之薄膜2次電池、以及具有玻璃基板及電子元件用構件之電子零件等。作為顯示裝置用面板，包含液晶面板、有機EL面板、電漿顯示器面板、場放射面板等。
實施例
以下，藉由實施例等來具體說明本發明，惟本發明不受該等例限定。
在以下實施例1~5、比較例1~2中，作為玻璃基板，係使用無鹼硼矽酸玻璃所構成之玻璃板(縱200mm、橫200mm、板厚0.2mm、線膨脹係數38×10-7/℃、旭硝子公司製商品名「AN100」)。又，作為支持基材，係使用同樣由無鹼硼矽酸玻璃所構成之玻璃板(縱240mm、橫240mm、板厚0.5mm、線膨脹係數38×10-7/℃、旭硝子公司製商品名「AN100」)。
<實施例1>
首先，將板厚0.5mm之支持基材純水洗淨後，更進行UV洗淨加以清淨化。
接下來，將兩末端具有乙烯基之有機烯基聚矽氧烷(乙烯基矽氧、荒川化學工業公司製、8500)及分子內具有矽氫基之甲基氫化聚矽氧烷(荒川化學工業公司製、12031)摻 混。使有機烯基聚矽氧烷中之全部乙烯基與甲基氫化聚矽氧烷中鍵結於矽原子之氫原子的莫耳比成為1：1。相對於樹脂成份100質量份，添加5重量份之鉑系觸媒(荒川化學工業公司製、CAT12070)。再來，添加甲基苯基矽氧油(信越化學工業公司製、KF-50、黏度100cP)及庚烷，而製出含有交聯性有機聚矽氧烷之溶液。以旋塗器(旋轉數：300rpm、15秒)將該溶液塗佈於支持基材之第1主面上，將含有未硬化的交聯性有機聚矽氧烷及矽氧油之層設於支持基材上(塗敷量20g/m2)。
而，相對於有機烯基聚矽氧烷與甲基氫化聚矽氧烷之合計質量100質量份，將甲基苯基矽氧油之使用量定為8質量份。又，相對於有機烯基聚矽氧烷與甲基氫化聚矽氧烷之合計質量100質量份，將庚烷之使用量定為100質量份。而，相對於矽氧油中鍵結於矽原子之全部有機基，甲基苯基矽氧油所含之苯基含有率為5莫耳%。
接下來，在大氣中，於230℃下加熱10分鐘進行硬化，於支持基材之第1主面形成厚度10μm之矽氧樹脂層。而，在該態樣中，矽氧樹脂層之矽氧樹脂不具芳香基，矽氧油之甲基苯基矽氧油則具有芳香基(苯基)。又，矽氧樹脂層為透明。
其後，在室溫下將玻璃基板與支持基材之矽氧樹脂層面藉由真空壓製貼合，而獲得玻璃積層體A。
在獲得之玻璃積層體A中，支持基材與玻璃基板係未產生氣泡而與矽氧樹脂層密著，既無皺曲狀缺點，平滑性亦 佳。
接下來，將玻璃積層體A在氮氣體環境下在350℃下進行60分鐘加熱處理並冷卻至室溫，結果確認無玻璃積層體A之支持基材與玻璃基板之分離或矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上的變化。
然後，在玻璃積層體A之4處中之1處角隅部，一邊於玻璃基板及支持矽氧樹脂層之界面***厚度0.1mm之不鏽鋼製刃件形成剝離之缺口部，一邊使真空吸附墊吸附至玻璃基板與支持基材各自非剝離面之面，彼此於玻璃基板及支持基材分離之方向加諸外力，使玻璃基板與支持基材無破損地分離。在此，刃件之***係一邊從電離手段(基恩斯公司製)對該界面噴附除電性流體而一邊進行。具體上，係朝向已形成之空隙一邊從電離手段持續噴附除電性流體一邊將真空吸附墊升起。
而，矽氧樹脂層係與支持基材一起從玻璃基板分離，由該結果，確認支持基材之層與矽氧樹脂層之界面的剝離強度(x)高於矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度(y)。又，經剝離之玻璃基板表面為透明。
<實施例2>
除了使用甲基苯基矽氧油(信越化學工業公司製、KF-50、黏度3000cp)取代甲基苯基矽氧油(信越化學工業公司製、KF-50、黏度100cP)以外，以與實施例1同樣的方法獲得玻璃積層體B。
而，相對於矽氧油中鍵結於矽原子之全部有機基，使 用之甲基苯基矽氧油所含的苯基含有率為5莫耳%。
又，矽氧樹脂層之外觀在製造瞬後亦為透明，在其上積層玻璃基板後亦為透明。
在獲得之玻璃積層體B中，支持基材與玻璃基板係無產生氣泡地與矽氧樹脂層密著，既無皺曲狀缺點，平滑性亦佳。
接下來，將玻璃積層體B進行與實施例1同樣的加熱處理，結果確認無玻璃積層體B之支持基材與玻璃基板之分離、或是矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上的變化。
然後，將玻璃積層體B以與實施例1同樣的方法進行支持基材及玻璃基板之分離，玻璃基板與支持基材無破損地分離。而，矽氧樹脂層與支持基材一起從玻璃基板分離。由該結果，確認支持基材之層與矽氧樹脂層之界面的剝離強度(x)高於矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度(y)。又，經剝離之玻璃基板表面為透明。
<實施例3>
除了使用甲基苯基矽氧油(信越化學工業公司製、KF-54、黏度400cp)取代甲基苯基矽氧油(信越化學工業公司製、KF-50、黏度100cP)以外，以與實施例1同樣的方法獲得玻璃積層體C。
而，相對於矽氧油中鍵結於矽原子之全部有機基，使用之甲基苯基矽氧油所含的苯基含有率為25莫耳%。
又，矽氧樹脂層之外觀在製造瞬後略微白濁，在其上積層玻璃基板後則成為透明。
在獲得之玻璃積層體C中，支持基材及玻璃基板係未產生氣泡地與矽氧樹脂層密著，既無皺曲狀缺點，平滑性亦佳。
接下來，將玻璃積層體C進行與實施例1同樣的加熱處理，結果確認無玻璃積層體C之支持基材與玻璃基板之分離、或是矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上的變化。
然後，將玻璃積層體C以與實施例1同樣的方法進行支持基材及玻璃基板之分離，玻璃基板與支持基材無破損地分離。而，矽氧樹脂層與支持基材一起從玻璃基板分離。由該結果，確認支持基材之層與矽氧樹脂層之界面的剝離強度(x)高於矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度(y)。而，經剝離之玻璃基板表面略微白濁。
<實施例4>
除了使用甲基苯基矽氧油(東麗道康寧公司製、SH550、黏度125cp)取代甲基苯基矽氧油(信越化學工業公司製、KF-50、黏度100cP)以外，以與實施例1同樣的方法獲得玻璃積層體D。
而，相對於矽氧油中鍵結於矽原子之全部有機基，使用之甲基苯基矽氧油所含的苯基含有率為25莫耳%。
又，矽氧樹脂層之外觀於製造瞬後略微白濁，在其上積層玻璃基板後則成為透明。
在獲得之玻璃積層體D中，支持基材與玻璃基板係未產生氣泡地與矽氧樹脂層密著，既無皺曲狀缺點，平滑性亦佳。
接下來，將玻璃積層體E進行與實施例1同樣的加熱處理，確認無玻璃積層體D之支持基材與玻璃基板之分離或是矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上的變化。
然後，將玻璃積層體D以與實施例1同樣的方法進行支持基材與玻璃基板之分離，玻璃基板與支持基材無破損地分離。而，矽氧樹脂層與支持基材一起從玻璃基板分離。由該結果，確認支持基材之層與矽氧樹脂層之界面的剝離強度(x)高於矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度(y)。而，經剝離之玻璃基板表面略微白濁。
<實施例5>
除了使用甲基苯基矽氧油(Momentive Performance Materials Japan合同公司製、TSF433、黏度450cp)取代甲基苯基矽氧油(信越化學工業公司製、KF-50、黏度100cP)以外，以與實施例1同樣的方法獲得玻璃積層體E。
而，相對於矽氧油中鍵結於矽原子之全部有機基，使用之甲基苯基矽氧油所含的苯基含有率為25莫耳%。
又，矽氧樹脂層之外觀製造瞬後略微白濁，在其上積層玻璃基板後則成為透明。
在獲得之玻璃積層體E中，支持基材及玻璃基板係未產生氣泡地與矽氧樹脂層密著，既無皺曲狀缺點，平滑性亦佳。
接下來，將玻璃積層體E進行與實施例1同樣的加熱處理，結果確認無玻璃積層體E之支持基材與玻璃基板之分離、或是矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上的變化。
然後，將玻璃積層體E以與實施例1同樣的方法進行支持基材與玻璃基板之分離，玻璃基板與支持基材無破損地分離。而，矽氧樹脂層與支持基材一起從玻璃基板分離。由該結果，確認支持基材之層與矽氧樹脂層之界面的剝離強度(x)高於矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度(y)。而，經剝離之玻璃基板表面略微白濁。
而，以下就實施例1~5中使用之矽氧油的黏度及苯基含有率統整表示。
Figure TWI613073BD00002
<比較例1>
除了未使用甲基苯基矽氧油(信越化學工業公司製、KF-50、黏度100cP)以外，以與實施例1同樣的方法獲得玻璃積層體X。
將獲得之玻璃積層體X以與實施例1同樣的方法進行支持基材與玻璃基板之分離，結果矽氧樹脂層與玻璃基板難以剝離且玻璃基板有破裂。
<比較例2>
除了使用0.5重量份甲基矽氧油(東麗道康寧公司製、SH200、黏度200cP)來取代甲基苯基矽氧油(信越化學工業 公司製、KF-50、黏度100cP)以外，以與實施例1同樣的方法獲得玻璃積層體Y。而，本態樣相當於先前文獻(WO2011/142280號小冊)之實施例7的態樣，矽氧樹脂及矽氧油兩者皆不含芳香基。
將獲得之玻璃積層體Y以與實施例1同樣的方法進行支持基材與玻璃基板之分離，結果矽氧樹脂層與玻璃基板難以剝離且玻璃基板有破裂。
在實施例1~5中，即便在施行高溫加熱處理後，仍可輕易地剝離厚度薄的玻璃基板。而，相對於實施例1及2中經剝離之玻璃基板的表面(剝離面)維持透明狀態，實施例3~5中略呈白濁。此推測是因為在實施例3~5中，溢出矽氧樹脂層表面的矽氧油之一部分轉印至玻璃基板上所致。由該等結果確認在實施例1及2中使用之矽氧油的情況下，經剝離之玻璃基板表面的清淨性較佳。
另一方面，未使用矽氧油的比較例1、及矽氧樹脂及矽氧油兩者不含芳香基的比較例2中，剝離性差。
<實施例6>
本例中，使用實施例1中獲得之玻璃積層體A來製造OLED。
首先，於玻璃積層體A之玻璃基板的第2主面上藉由電漿CVD法依序成膜氮化矽、氧化矽、非晶矽。接下來，藉由離子摻雜裝置將低濃度的硼注入至非晶矽層，在氮氣體環境下，在450℃下進行60分鐘加熱處理以進行脫氫處理。再來，藉由雷射退火裝置進行非晶矽層的結晶化處理。接 下來，藉由使用光刻法之蝕刻及離子摻雜裝置將低濃度的磷注入至非晶矽層而形成N型及P型之TFT區域。其次，於玻璃基板之第2主面側藉由電漿CVD法成膜氧化矽膜而形成閘極絕緣膜後，藉由濺鍍法將鉬成膜，並藉由使用光刻法之蝕刻形成閘極電極。接下來，藉由光刻法及離子摻雜裝置將高濃度的硼及磷注入至N型、P型各自期望的區域，而形成源極區域及汲極區域。再來，於玻璃基板之第2主面側利用電漿CVD法所行之氧化矽成膜來形成層間絕緣膜，並藉由濺鍍法形成鋁成膜及藉由利用光刻法之蝕刻形成TFT電極。其次，在氫氣體環境下，在450℃下進行60分鐘加熱處理以進行氫化處理後，利用電漿CVD法所行之矽氮化物成膜來形成鈍化層。接下來，於玻璃基板之第2主面側塗佈紫外線硬化性樹脂，藉由光刻法形成平坦化層及接觸孔。再來，藉由濺鍍法形成氧化銦錫膜，並藉由利用光刻法之蝕刻形成像素電極。
接著，藉由蒸鍍法於玻璃基板之第2主面側依序成膜下述各層：4,4’,4”-參(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺作為電洞注入層、雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺作為電洞輸送層、於8-喹啉酚鋁錯合物(Alq3)混合有40體積%之2,6-雙[4-[N-(4-甲氧苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)作為發光層、及Alq3作為電子輸送層。接下來，藉由濺鍍法將鋁成膜，並藉由利用光刻法之蝕刻形成對向電極。再來，於玻璃基板之第2主面側隔著紫外線硬化型接著層貼合另一片玻璃基板並密封。藉由上述程序而在玻璃基板上形 成有機EL結構體。玻璃基板上具有有機EL結構體之玻璃積層體A(以下稱為面板A)為本發明之附電子元件用構件之積層體(附支持基材之顯示裝置用面板)。
接下來，在將面板A之密封體側真空吸附於定盤的情況下，於面板A之角隅部的玻璃基板與矽氧樹脂層之界面***厚0.1mm之不鏽鋼製刃件，對玻璃基板與矽氧樹脂層之界面賦予剝離缺口。然後，在將面板A之支持基材表面以真空吸附墊吸附的情況下，使吸附墊上升。在此，刃件之***係從電離手段(基恩斯公司製)一邊對該界面噴附除電性流體一邊進行。接下來，朝向形成之空隙從電離手段持續一邊噴附除電性流體一邊升起真空吸附墊。其結果，可僅在定盤上殘留形成有有機EL結構體之玻璃基板，並將附矽氧樹脂層之支持基材剝離。
接下來，以與實施例1同樣的方法將已分離之玻璃基板的剝離面清淨化，並使用雷射割刀或劃線裂片法將經分離的玻璃基板切斷並分斷成複數小格(cell)後，將形成有有機EL結構體之玻璃基板與對向基板組裝，實施模組形成步驟而製出OLED。以上述方法所製得之OLED在特性上未產生問題。
<實施例7>
本例中，使用實施例1中所製得之玻璃積層體A來製造LCD。
首先，準備2片玻璃積層體A，於一片玻璃積層體A1的玻璃基板之第2主面上藉由電漿CVD法依序成膜氮化矽、氧 化矽、非晶矽。接下來，藉由離子摻雜裝置將低濃度的硼注入至非晶矽層，在氮氣體環境下，在450℃下進行60分鐘加熱處理以進行脫氫處理。再來，藉由雷射退火裝置進行非晶矽層的結晶化處理。其次，藉由利用光刻法之蝕刻及離子摻雜裝置將低濃度的磷注入至非晶矽層而形成N型及P型之TFT區域。接下來，於玻璃基板之第2主面側藉由電漿CVD法成膜氧化矽膜並形成閘極絕緣膜後，藉由濺鍍法將鉬成膜，藉由利用光刻法之蝕刻形成閘極電極。再來，藉由光刻法及離子摻雜裝置將高濃度的硼及磷注入至N型、P型各自期望的區域，形成源極區域及汲極區域。其次，於玻璃基板之第2主面側利用以電漿CVD法所行之氧化矽的成膜形成層間絕緣膜，藉由濺鍍法形成鋁成膜及藉由利用光刻法之蝕刻形成TFT電極。接下來，在氫氣體環境下，在450℃下進行60分鐘加熱處理以進行氫化處理後，以利用電漿CVD法所行之矽氮化物的成膜形成鈍化層。再來，於玻璃基板之第2主面側塗佈紫外線硬化性樹脂，藉由光刻法形成平坦化層及接觸孔。其次，藉由濺鍍法形成氧化銦錫膜，並藉由利用光刻法之蝕刻形成像素電極。
接下來，將另一片玻璃積層體A2在大氣環境下，在450℃進行60分鐘加熱處理。再來，於玻璃積層體A的玻璃基板之第2主面上藉由濺鍍法形成鉻膜，並藉由利用光刻法之蝕刻形成遮光層。其次，於玻璃基板之第2主面側藉由模塗法塗佈防染劑，並藉由光刻法及熱硬化形成濾色層。接下來，藉由濺鍍法形成氧化銦錫膜，並形成對向電極。再 來，於玻璃基板之第2主面側藉由模塗法塗佈紫外線硬化樹脂液，並藉由光刻法及熱硬化形成柱狀隔件。其次，藉由輥塗法塗佈聚醯亞胺樹脂液，並藉由熱硬化形成定向層，進行摩擦。
接下來，藉由分注法將密封用樹脂液描繪成框狀，於框內藉由分注法滴下液晶後，使用上述形成有像素電極之玻璃積層體A1將2片玻璃積層體A的玻璃基板之第2主面側彼此貼合，並藉由紫外線硬化及熱硬化獲得LCD面板。
接下來，使玻璃積層體A1之第2主面真空吸附於定盤，並於玻璃積層體A2之角隅部的玻璃基板與矽氧樹脂層之界面***厚0.1mm的不鏽鋼製刃件，賦予玻璃基板之第1主面與矽氧樹脂層之剝離性表面的剝離缺口。在此，刃件之***係一邊從電離手段(基恩斯公司製)將除電性流體噴附至該界面一邊進行。再來，朝向形成之空隙從電離手段持續一邊噴附除電性流體一邊升起真空吸附墊。然後，在以真空吸附墊吸附玻璃積層體A2之支持基材的第2主面的情況下，使吸附墊上升。其結果，可僅在定盤上殘留附有玻璃積層體A1之支持基材的LCD空晶胞，並將附矽氧樹脂層之支持基材剝離。
其次，使第1主面形成有濾色器的玻璃基板之第2主面真空吸附至定盤，於玻璃積層體A1之角隅部的玻璃基板與矽氧樹脂層之界面差入厚0.1mm的不鏽鋼製刃件，賦予玻璃基板之第1主面與矽氧樹脂層之剝離性表面的剝離缺口。然後，在以真空吸附墊吸附玻璃積層體A1之支持基材 的第2主面的情況下，使吸附墊上升。其結果，定盤上可僅殘留LCD晶胞，並將固定有矽氧樹脂層之支持基材剝離。如此一來，可獲得以厚0.1mm玻璃基板構成的多數LCD晶胞。
接下來，藉由切斷步驟分斷成多數LCD晶胞。對已完成之各LCD晶胞實施黏貼偏光板之步驟，接著實施模組形成步驟而獲得LCD。如此所獲得之LCD在特性上未產生問題。
<實施例8>
本例中，係使用實施例1中所獲得之玻璃積層體A來製造OLED。
首先，於玻璃積層體A之玻璃基板之第2主面上藉由濺鍍法將鉬成膜，並藉由利用光刻法之蝕刻形成閘極電極。接下來，藉由電漿CVD法於玻璃基板之第2主面側進一步成膜氮化矽膜以形成閘極絕緣膜，接著藉由濺鍍法形成氧化銦鎵鋅膜，並藉由利用光刻法之蝕刻形成氧化物半導體層。再來，藉由電漿CVD法於玻璃基板之第2主面側進一步將氮化矽成膜以形成通道保護層，接著藉由濺鍍法將鉬成膜，並藉由利用光刻法之蝕刻形成源極電極及汲極電極。其次，在大氣中，在450℃下進行60分鐘加熱處理。接下來，於玻璃基板之第2主面側進一步藉由電漿CVD法將氮化矽成膜以形成鈍化層，接著藉由濺鍍法將氧化銦錫成膜，並藉由利用光刻法之蝕刻形成像素電極。
接下來，藉由蒸鍍法於玻璃基板之第2主面側依序成膜下述各層：4,4’,4”-參(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺作為電 洞注入層、雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺作為電洞輸送層、於8-喹啉酚鋁錯合物(Alq3)混合有40體積%之2,6-雙[4-[N-(4-甲氧苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)者作為發光層、及Alq3作為電子輸送層。再來，藉由濺鍍法將鋁成膜，並藉由利用光刻法之蝕刻形成對向電極。其次，於玻璃基板之第2主面側隔著紫外線硬化型接著層貼合另一片玻璃基板並密封。藉由上述程序，於玻璃基板上形成有機EL結構體。玻璃基板上具有有機EL結構體之玻璃積層體A(以下稱為面板A)係本發明之附電子元件用構件之積層體(附支持基材之顯示裝置用面板)。
接下來，在使面板A之密封體側真空吸附於定盤的情況下，於面板A之角隅部的玻璃基板與矽氧樹脂層之界面***厚0.1mm的不鏽鋼製刃件，對玻璃基板與矽氧樹脂層之界面賦予剝離缺口。然後，在以真空吸附墊吸附面板A之支持基材表面的情況下，使吸附墊上升。在此，刃件之差入係一邊從電離手段(基恩斯公司製)對該界面噴附除電性流體一邊進行。再來，朝向形成之空隙一邊從電離手段持續噴附除電性流體一邊升起真空吸附墊。其結果，可僅在定盤上殘留形成有機EL結構體之玻璃基板，並剝離附矽氧樹脂層之支持基材。
接下來，將以與實施例1同樣方法分離的玻璃基板之剝離面清淨化，並使用雷射割刀或劃線裂片法將已分離之玻璃基板切斷且分斷成複數晶胞後，將形成有有機EL結構體之玻璃基板與對向基板組裝，實施模組形成步驟來製作 OLED。如此所獲得之OLED在特性上未產生問題。
本申請書係依據2012年10月17日提出申請之日本專利申請案2012-230092者，並在此採納其內容作為參照。
10‧‧‧玻璃積層體
12‧‧‧支持基材
14‧‧‧矽氧樹脂層
14a‧‧‧矽氧樹脂層之第1主面
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧玻璃基板之第1主面
16b‧‧‧玻璃基板之第2主面
18‧‧‧附矽氧樹脂層之支持基材

Claims (10)

  1. 一種玻璃積層體，依序設有支持基材之層、矽氧樹脂層及玻璃基板之層，且前述支持基材之層與前述矽氧樹脂層之界面的剝離強度高於前述矽氧樹脂層與前述玻璃基板之界面的剝離強度；其中前述矽氧樹脂層之矽氧樹脂係交聯性有機聚矽氧烷的交聯物，前述矽氧樹脂層含有矽氧油，且前述矽氧樹脂層含有之矽氧樹脂實質上不具芳香基，前述矽氧油具有苯基，前述矽氧油中，在鍵結於矽原子之全部有機基之中，苯基含有率為5~50莫耳%。
  2. 如請求項1之玻璃積層體，其中前述矽氧樹脂層中，相對於前述矽氧樹脂100質量份，前述矽氧油脂之含量為6~20質量份。
  3. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中前述矽氧油在25℃下之黏度為100~6000cP。
  4. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中前述矽氧樹脂層之厚度為2~100μm。
  5. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中前述支持基材為玻璃板。
  6. 一種製造如請求項1至5中任一項之玻璃積層體的方法，該方法係於支持基材之一面形成含有交聯性有機聚 矽氧烷及矽氧油之層，並在前述支持基材面上使前述交聯性有機聚矽氧烷交聯而形成矽氧樹脂層，接著於前述矽氧樹脂層之表面積層玻璃基板。
  7. 一種附矽氧樹脂層之支持基材，具有支持基材及設置在前述支持基材面上且具剝離性表面的矽氧樹脂層；其中前述矽氧樹脂層之矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷的交聯物，前述矽氧樹脂層含有矽氧油，且前述矽氧樹脂層含有之矽氧樹脂實質上不具芳香基，前述矽氧油具有苯基，前述矽氧油中，在鍵結於矽原子之全部有機基之中，苯基含有率為5~50莫耳%。
  8. 如請求項7之附矽氧樹脂層之支持基材，其中前述矽氧油中，與矽原子鍵結之全部有機基中之苯基含有率為5~30莫耳%。
  9. 如請求項7或8之附矽氧樹脂層之支持基材，其中前述矽氧樹脂層中，相對於前述矽氧樹脂100質量份，前述矽氧油之含量為6~20質量份。
  10. 如請求項7或8之附矽氧樹脂層之支持基材，其中前述矽氧油在25℃下之黏度為100~6000cP。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI649192B (zh) * 2014-04-10 2019-02-01 日商Ａｇｃ股份有限公司 Glass laminate, method of manufacturing same, and method of manufacturing electronic component
JP6610563B2 (ja) * 2014-12-26 2019-11-27 Ａｇｃ株式会社 ガラス積層体、電子デバイスの製造方法、ガラス積層体の製造方法、ガラス板梱包体
WO2017175682A1 (ja) * 2016-04-05 2017-10-12 旭硝子株式会社 ガラス板構成体
CN110313185B (zh) * 2017-02-23 2021-07-27 Ａｇｃ株式会社 玻璃板结构体
GB201820275D0 (en) * 2018-12-12 2019-01-30 Heliac Aps Improved coatings for glass
CN112174519B (zh) * 2020-09-10 2022-12-06 河北光兴半导体技术有限公司 复合玻璃板及制备方法和应用
WO2024071351A1 (ja) * 2022-09-30 2024-04-04 日東電工株式会社 成形体

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200715230A (en) * 2005-08-09 2007-04-16 Asahi Glass Co Ltd Thin sheet glass laminate and method for manufacturing a display by using thin sheet glass laminate
CN102482532A (zh) * 2008-07-30 2012-05-30 蓝星有机硅法国简易股份有限公司 形成具有提高的粘附性、机械强度和反应性的交联涂层的用于涂覆柔性载体的聚硅氧烷组合物

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008007622A1 (fr) * 2006-07-12 2008-01-17 Asahi Glass Company, Limited substrat de verre avec verre de protection, processus de fabrication d'UN affichage EN utilisant un SUBSTRAT DE VERRE AVEC VERRE DE PROTECTION, et silicone pour papier détachable
WO2011142280A1 (ja) * 2010-05-11 2011-11-17 旭硝子株式会社 積層体の製造方法、および積層体
JP5796449B2 (ja) * 2011-10-12 2015-10-21 旭硝子株式会社 電子デバイスの製造方法、樹脂層付きキャリア基板の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200715230A (en) * 2005-08-09 2007-04-16 Asahi Glass Co Ltd Thin sheet glass laminate and method for manufacturing a display by using thin sheet glass laminate
CN102482532A (zh) * 2008-07-30 2012-05-30 蓝星有机硅法国简易股份有限公司 形成具有提高的粘附性、机械强度和反应性的交联涂层的用于涂覆柔性载体的聚硅氧烷组合物

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