TWI637372B - 有機發光顯示裝置、其修復方法以及其驅動方法 - Google Patents

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李在鎬
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Abstract

有機發光顯示裝置包含排列於行與列之複數個發射像素，每個發射像素包含發射裝置及耦合於發射裝置之第一像素電路；虛擬像素，虛擬像素包含在發射像素之每行中之第二像素電路；以及在每行中之修復線，其中相同之資料訊號被提供至耦合於修復線之發射像素及耦合於修復線之虛擬像素之一，且其中發射像素被配置以同時發光。

Description

有機發光顯示裝置、其修復方法以及其驅動方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2013年4月1日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2013-0035459號之優先權及效益，其全部內容於此併入作為參考。
本發明之實施例是關於一種有機發光顯示裝置、其修復方法、以及其驅動方法。
如果特定像素是有缺陷的，則該像素可能不管掃描訊號及資料訊號的存在而不斷的發光。在所有的時間都發光之像素被視為亮點(或是熱點)，且具有高可見度，且因而容易被使用者識別。因此，具有高可見度及被看作是亮點的缺陷像素通常被轉換成為暗點，以使得缺陷像素較不容易被識別。然而，隨著像素電路的複雜性變得相對複雜，由於電路缺陷造成的亮點可能無法輕易地被解決。
本發明之實施例提供一種顯示裝置，此顯示裝置用於在面板上像素之每一行形成多餘圖樣，且用於透過使用此多餘圖樣正常地驅動缺陷像素。
根據本發明實施例的一種態樣，提供一種有機發光顯示裝置，其包含排列於行與列中之複數個發射像素，各發射像素包含發射裝置及耦合於發射裝置之第一像素電路；在發射像素的每一行中包含第二像素電路之虛擬像素；以及在每一行中之修復線，其中，相同之資料訊號被提供到耦合於修復線之發射像素及耦合於修復線之虛擬像素之其中之一，且其中發射像素被配置為同時發光。
虛擬像素可在第一列或最後一列。
發射像素可位於顯示區域，且虛擬像素可位於非顯示區域。
第一像素電路及第二像素電路可具有相同之配置。
耦合於修復線之發射像素之第一像素電路可從發射裝置解耦合。
發射裝置可包含陽極、陰極、以及在陽極與陰極之間之發射層，且耦合於修復線之發射像素之第一像素電路之線路可從發射裝置之陽極解耦合。
耦合於修復線之發射像素可包含接觸發射裝置之陽極之第一導電單元、及用於耦合第一導電單元於修復線之第一接觸金屬，且耦合於修復線之虛擬像素可包含從第二像素電路延伸之第二導電單元、及用於耦合第二導電單元於修復線之第二接觸金屬。
第一導電單元及修復線可位於相同層。
修復線可位於如第一像素電路及第二像素電路之薄膜電晶 體之源極電極及汲極電極之相同層且可包含如第一像素電路及第二像素電路之薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之相同材料。
修復線可位於相同層且可包含如陽極之相同材料。
有機發光顯示裝置可進一步包含至少一個絕緣層在修復線與第一導電單元之間，第一導電單元接觸耦合於修復線之發射像素之發射裝置之陽極，以及在修復線與第二導電單元之間，第二導電單元耦合於與修復線耦合之虛擬像素之第二像素電路，且其中第一導電單元及第二導電單元可雷射焊接於修復線。
第一導電單元及第二導電單元可位於相同層且可包含如第一像素電路及第二像素電路之薄膜電晶體之閘極電極之相同材料，且該修復線可與薄膜電晶體之源極電極及汲極電極位於相同層且可包含如薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之相同材料。
根據本發明實施例之另一種態樣，提供一種驅動有機發光顯示裝置之方法，有機發光顯示裝置包含在行與列中的複數個發射像素，發射像素中的每一個包含發射裝置及耦合於發射裝置之第一像素電路，有機發光顯示裝置也包含在每一行中包含第二像素電路之虛擬像素、以及在每一行中之修復線，該方法包含：依序提供資料訊號至發射像素及虛擬像素，其中，提供相同之資料訊號到耦合於修復線之發射像素及耦合於修復線之虛擬像素之其中之一，且根據對應於資料訊號之驅動電流從發射像素之發射裝置同時發光。
虛擬像素可在對應行之頂部或底部。
在一幀中，依序提供資料訊號可在從發射裝置同時發光之前。
依序提供資料訊號及從發射裝置同時發光可部分及暫時性地重疊。
根據本發明實施例之另一種態樣，提供一種修復有機發光顯示裝置之方法，有機發光顯示裝置包含在行與列中的複數個發射像素，各發射像素中包含發射裝置及耦合於發射裝置之第一像素電路，有機發光顯示裝置進一步包含在每一行中包含第二像素電路之虛擬像素、以及在每一行中之修復線，其中發射像素係被配置為同時發光，該方法包含將發射像素之第一缺陷像素之發射裝置從第一缺陷像素之第一像素電路解耦合；將第一缺陷像素之發射裝置耦合於在與第一缺陷像素之相同行中之修復線；以及將修復線耦合於在與第一缺陷像素之相同行中之第一虛擬像素之第二像素電路，使第一虛擬像素得以接收符合於提供給第一缺陷像素之資料訊號之資料訊號，以經由修復線提供對應於接收之資料訊號之驅動電流至第一缺陷像素之發射裝置，且用於允許第一缺陷像素與發射像素同時發光。
第一缺陷像素之發射裝置與修復線之耦合可包含形成第一接觸金屬於第一導電單元上，該第一導電單元耦合於第一缺陷像素之發射裝置之陽極，且修復線與第一虛擬像素之第二像素電路之耦合可包含形成第二接觸金屬於第二導電單元上，該第二導電單元耦合於第一虛擬像素之第二像素電路。
第一缺陷像素之發射裝置與修復線之耦合可包含使用雷射焊接以電性耦合第一導電單元於修復線，該第一導電單元是耦合於第一缺陷像素之發射裝置之陽極，該修復線藉由至少一個絕緣層與第一導電單元絕緣，且修復線與第一虛擬像素之第二像素電路之耦合可包含使用雷射焊接以電性耦合第二導電單元於修復線，該第二導電單元耦合於第一虛擬像 素之第二像素電路，該修復線藉由至少一絕緣層與第二導電單元絕緣。
方法可進一步包含將第二缺陷像素之發射裝置從第一像素電路解耦合，第二缺陷像素與第一缺陷像素在相同行中；切斷在第一缺陷像素與第二缺陷像素之間之修復線；以及耦合與第一缺陷像素在相同行之第二虛擬像素之第二像素電路於修復線之一部分，其中第一缺陷像素由於修復線之切斷被電性絕緣，以配置來接收符合於提供至第二缺陷像素之資料訊號的資料訊號，經由修復線提供對應於接收之資料訊號之驅動電流至第二缺陷像素之發射裝置，且允許第二缺陷像素與複數個發射像素同時發光。
10、10a、10b、10c、10d‧‧‧顯示面板
11‧‧‧基板
20‧‧‧掃描驅動單元
21、51‧‧‧主動層
22、52‧‧‧第一閘極電極
23、53‧‧‧第二閘極電極
24、54‧‧‧閘極電極
25、55‧‧‧源極電極
26、56‧‧‧汲極電極
30‧‧‧資料驅動單元
31‧‧‧像素電極
40‧‧‧控制單元
41‧‧‧第一連接單元
61‧‧‧第二連接單元
62‧‧‧第一層
63‧‧‧第二層
100‧‧‧顯示裝置
130‧‧‧切斷單元
140a‧‧‧第一修復單元
140b‧‧‧第二修復單元
150‧‧‧分離單元
AA‧‧‧顯示區域
C1、C2、C3‧‧‧電容
CM1‧‧‧第一接觸金屬
CM2‧‧‧第二接觸金屬
D、D1-Dn、Di、Dp‧‧‧資料訊號
DATA‧‧‧影像資料
DCS‧‧‧資料控制訊號
DL、DL1-DLm、DLj、DLj_1-DLj_3‧‧‧資料線
DP、DP0、DPn+1、DPkj‧‧‧虛擬像素
Dtrans‧‧‧資料傳送週期
E‧‧‧發射裝置
ELVDD‧‧‧第一電源電壓
ELVSS‧‧‧第二電源電壓
Vhold‧‧‧第三電源電壓
Emission‧‧‧發射週期
EMISSION(2)‧‧‧發射週期2
EP、EP1-EP3、EPi、EPij、EPp‧‧‧發射像素
GC‧‧‧第一控制訊號
SUS_ENB‧‧‧第二控制訊號
GW‧‧‧第三控制訊號
GL‧‧‧第四控制訊號
GE‧‧‧第五控制訊號
GI‧‧‧閘極絕緣層
ILD‧‧‧層間絕緣層
Int‧‧‧初始化週期
N1-N4‧‧‧節點
NA‧‧‧非顯示區域
P‧‧‧像素
PC、PC0、PCn+1、PCi、PCp、2A、2B、2C‧‧‧像素電路
PDL‧‧‧像素定義層
PL‧‧‧平坦化層
RL、RL1-RLm、RLj‧‧‧修復線
S、S1-Sn+1‧‧‧掃描訊號
Vth‧‧‧補償週期
Scan‧‧‧掃描週期
SCAN(1)‧‧‧掃描週期1
Scan/Emission‧‧‧掃描/發射週期
SCAN & EMISSION(3)‧‧‧掃描及發射週期3
Scan/Data‧‧‧掃描/資料輸入週期
Vth/Dtrans‧‧‧補償/資料傳送週期
SCS‧‧‧掃描控制訊號
SDP1、SDP2、SDP3‧‧‧子虛擬像素
SEP1、SEP2、SEP3‧‧‧子發射像素
SL、SL0-SLn+1、SLi、SLk‧‧‧掃描線
TA1-TA4、TB1-TB5、TC1-TC8‧‧‧電晶體
Vint‧‧‧初始化電壓
Vsus‧‧‧輔助電壓
上述及其他本發明實施例之態樣將藉由參考附圖更詳細的描述例示性實施例而變得更加顯而易見，其中：第1圖係為根據本發明實施例之顯示裝置之方塊圖；第2圖至第4圖係為第1圖所示之顯示面板之範例之示意圖；第5圖係為根據本發明實施例之發射像素之示意圖；第6圖係為根據本發明實施例之虛擬像素之示意圖；第7圖及第8圖係為根據本發明實施例描述驅動顯示裝置之方法之示意圖；第9圖係為根據本發明實施例描述修復缺陷像素之方法之示意圖； 第10圖係為繪示藉由具有使用第9圖所示之實施例之方法所修復的像素的顯示面板之掃描驅動單元提供之掃描訊號及資料驅動單元提供之資料訊號之波形圖；第11圖係為根據本發明另一實施例描述修復缺陷像素之方法之示意圖；第12圖係為繪示藉由具有使用第11圖所示之實施例之方法所修復之像素的顯示面板之掃描驅動單元提供之掃描訊號及資料驅動單元提供之資料訊號之波形圖；第13圖係為根據本發明另一實施例描述修復缺陷像素之方法之示意圖；第14圖係為繪示藉由具有使用第13圖所示之實施例之方法所修復之像素的顯示面板之掃描驅動單元提供之掃描訊號及資料驅動單元提供之資料訊號之波形圖；第15圖係為根據本發明實施例之發射像素之電路圖；第16圖係為說明驅動在第15圖中所示實施例之發射像素之方法之時序圖；第17圖係為根據本發明另一實施例之發射像素之電路圖；第18圖係為說明驅動在第17圖中所示實施例之發射像素之方法之時序圖；第19圖係為根據本發明另一實施例之發射像素之電路圖；第20圖係為說明驅動在第19圖中所示實施例之發射像素之方法之時序圖； 第21圖及第22圖係為根據本發明實施例用於描述在底部發射顯示裝置中修復發射像素之方法之剖面圖；第23圖係為根據本發明實施例用於描述在底部發射顯示裝置中耦合虛擬像素之方法之剖面圖；第24圖係為根據本發明實施例用於描述在頂部發射顯示裝置中修復發射像素之方法之剖面圖；第25圖係為根據本發明實施例用於描述在頂部發射顯示裝置中耦合虛擬像素之方法之剖面圖；第26圖係為根據本發明另一實施例用於描述在底部發射顯示裝置中修復發射像素之方法之剖面圖；第27圖係為根據本發明另一實施例用於描述在底部發射顯示裝置中耦合虛擬像素之方法之剖面圖；以及第28圖係為根據本發明另一實施例之顯示面板之示意圖。
下文中，本發明之實施例將藉由參考附圖解釋發明之例示性實施例而更詳細的描述。相似參考符號在圖中指代相似元件。在下列對於本發明實施例的描述中，本文中併入之已知功能及配置之詳細描述在可能使本發明之標的較不明確時將被省略。
在圖中，層及區域之厚度為清楚起見可被誇大。將被理解的是當層被指在另一層或基板「上」時，其可能直接在其他層或基板上，或者也可能存在一或多個中間層。
將被進一步了解的是用詞「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」當在說明書中使用時，係指明所述特徵、整體、步驟、操作、元件、及/或組件之存在，但不排除一或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件、及/或其群組之存在或增添。此外，用詞「在...上(on)」指在目標之上側或下側，而非總是意味著相對於重力方向上的上側。
將被理解的是，雖然第一、第二等用詞在本文中可被用來描述不同元件，這些元件不應被這些用詞所限制。這些用詞僅用來區分一個元件與另一個元件。例如，在不背離本發明之範疇下，第一元件可被稱為第二元件，且同樣地，第二元件可被稱為第一元件。
在本文中所使用之用詞「及/或」包含一或多個相關所列項目之任一及所有組合。表達式如「...中之至少一個」當用於所列元件時，係修飾整體列表元件而非修飾列表中之單獨元件。
第1圖係為根據本發明實施例之顯示裝置100之方塊圖。
參閱第1圖，顯示裝置100包含含有複數個像素之顯示面板10、掃描驅動單元20、資料驅動單元30、以及控制單元40。掃描驅動單元20、資料驅動單元30、以及控制單元40可分別位於不同之半導體間晶片，或者可整合在一個半導體晶片。另外，掃描驅動單元20可被形成於作為顯示面板10之相同基板上。
在水平方向上延伸之複數個掃描線SL、以及在垂直方向上延伸且與掃描線SL垂直相交之複數個資料線DL係形成於顯示面板10。此外，基本上平行於資料線DL延伸且與資料線DL相隔開，並且垂直相交於掃描線SL的複數個修復線RL係形成於顯示面板10。以基本上矩陣形狀/配置所排列之複數個像素P形成於其中掃描線SL、資料線DL、及修復線RL相互相交處。
在第1圖中雖然資料線DL被形成在像素P的右側且修復線RL被形成在像素P的左側，然而本發明不侷限於此且資料線DL與修復線RL之位置可交換。此外，根據像素P的設計，修復線RL可被形成以平行於掃描線SL且一或多個修復線RL可被形成於每一個像素行。雖然未圖示於第1圖，用於提供發射控制訊號之複數個發射控制線、用於提供初始化電壓之初始化電壓線、用於提供電源電壓之驅動電壓線等可另外地形成於顯示面板10。
掃描驅動單元20可產生且依序提供掃描訊號經由掃描線SL至顯示面板10。
資料驅動單元30可依序提供資料訊號經由資料線DL至顯示面板10。資料驅動單元30將從控制單元40輸入且具有灰階之輸入影像資料DATA轉變為電壓或電流資料訊號。
控制單元40分別產生且傳送掃描控制訊號SCS及資料控制訊號DCS至掃描驅動單元20及資料驅動單元30。因此，掃描驅動單元20依序提供掃描訊號至掃描線SL，而資料驅動單元30提供資料訊號至像素P。此外，在控制單元40之控制下，第一電源電壓ELVDD、第二電源電壓ELVSS、發射控制訊號、初始化電壓Vint等可被提供至像素P。再者，控制單元40控制掃描驅動單元20以提供掃描訊號至虛擬像素，且當掃描訊號被提供至虛擬像素時，控制資料驅動單元30提供如同提供或將要提供給缺陷訊號之資料訊號至虛擬像素。
第2圖至第4圖係為第1圖所示之顯示面板10範例之示意圖。
參閱第2圖至第4圖，基本上排列成矩陣形狀之複數個像素P形成在其中顯示面板10a、10b、或10c上複數個掃描線SL與複數個資 料線DL及複數個修復線RL相交處。像素P包含形成於顯示區域AA之發射像素EP及形成於非顯示區域NA之虛擬像素DP。非顯示區域NA可被形成於顯示區域AA之上方、下方、或者上下兩方之區域。因此，一或多個虛擬像素DP可被形成於每個像素行，在像素行之上方及下方區域中的至少一個上。
參閱第2圖，顯示面板10a包含顯示區域AA及形成於顯示區域AA下方之非顯示區域NA。第一至第n掃描線SL1至SLn被形成於顯示區域AA，且第n+1掃描線SLn+1被形成於非顯示區域NA。第一至第m資料線DL1至DLm及第一至第m修復線RL1至RLm被分開形成於顯示區域AA及非顯示區域NA之像素行中。耦合於第一至第n掃描線SL1至SLn及第一至第m資料線DL1至DLm之複數個發射像素EP形成於顯示區域AA。耦合於第n+1掃描線SLn+1及第一至第m資料線DL1至DLm之複數個虛擬像素DP形成於非顯示區域NA。
參閱第3圖，顯示面板10b包含顯示區域AA及在顯示區域AA上之非顯示區域NA。從第零至第n掃描線SL0至SLn當中，第一至第n掃描線SL1至SLn被形成於顯示區域AA，而第零掃描線SL0被形成於非顯示區域NA。第一至第m資料線DL1至DLm及第一至第m修復線RL1至RLm被分開形成於顯示區域AA及非顯示區域NA兩者之像素行中。耦合於第一至第n掃描線SL1至SLn及第一至第m資料線DL1至DLm之複數個發射像素EP形成於顯示區域AA，而耦合於第零掃描線SL0及第一至第m資料線DL1至DLm之複數個虛擬像素DP形成於非顯示區域NA。
參閱第4圖，顯示面板10c包含顯示區域AA及形成於顯示區域AA上方及下方之非顯示區域NA。第一至第n掃描線SL1至SLn形 成於顯示區域AA，而第零掃描線SL0及第n+1掃描線SLn+1形成於非顯示區域NA。第一至第m資料線DL1至DLm及第一至第m修復線RL1至RLm被分開形成於顯示區域AA及非顯示區域NA兩者之像素行中。耦合於第一至第n掃描線SL1至SLn及第一至第m資料線DL1至DLm之複數個發射像素EP形成於顯示區域AA。耦合於第零掃描線SL0與第n+1掃描線SLn+1及第一至第m資料線DL1至DLm之複數個虛擬像素DP形成於非顯示區域NA。
第5圖係為根據本發明實施例之發射像素之示意圖。參閱第5圖，耦合於第i掃描線SLi(其中i為1到n，且n為自然數)及第j資料線DLj(其中j為1到m，且m為自然數)之發射像素EPij包含像素電路PC及利用從像素電路PC接收之驅動電流以發光之發射裝置E。像素電路PC可包含至少一個薄膜電晶體(TFT)及至少一個電容。發射裝置E可為包含陽極、陰極、以及其間之發射層之有機發光二極體(OLED)。
第6圖係為根據本發明實施例之虛擬像素之示意圖。參閱第6圖，耦合於第k掃描線SLk(其中k為0或n+1，且n為自然數)及第j資料線DLj(其中j為1到m，且m為自然數)之虛擬像素DPkj僅包含像素電路PC，而不包含發射裝置E。虛擬像素DPkj之像素電路PC與發射像素EPij之像素電路PC相同。
第7圖及第8圖係為根據本發明實施例描述驅動顯示裝置100之方法之示意圖。參閱第7圖，在一個幀的期間內，顯示裝置100被驅動於掃描週期1(例如SCAN(1))以及發射週期2(例如EMISSION(2))。在掃描週期1中，掃描訊號依序被提供至複數個掃描線，且對應於資料訊號之電壓在每一個發射像素EP之電容內充電。在發射週期2中，所有發射像素EP之有機發光二極體接收對應於充電電壓之電流，且對應於接收 電流發射相應亮度之光(例如同時發光)。
如果發射像素EP當中之一是有缺陷的，且因此使用在同一行之虛擬像素DP，在掃描週期1中，掃描訊號依序提供至掃描線，包含耦合於虛擬像素DP之掃描線。在這種情況下，與提供至缺陷像素之資料訊號相同之資料訊號被提供至虛擬像素DP。在發射週期2中，所有發射像素EP(包括缺陷像素)之有機發光二極體接收對應於充電電壓之電流，且對應於接收電流發射相應亮度之光(例如同時發光)。在此，缺陷像素之有機發光二極體接收來自虛擬像素DP之電流，且發射對應於接收電流之亮度的光。
掃描週期1在發射週期2前執行。對應於第N幀之資料訊號之電壓在掃描週期1內在每個發射像素EP及虛擬像素DP內充電，且所有發射像素EP之有機發光二極體在發射週期2內可根據對應於第N幀之資料訊號之電流而發光。
參閱第8圖，在一個幀的期間內，顯示裝置100被驅動於掃描及發射週期3(例如SCAN & EMISSION(3))。在掃描及發射週期3中，掃描訊號依序被提供至掃描線，且對應於第N幀之資料訊號之電壓在每一個發射像素EP之電容內充電。同時，在掃描及發射週期3中，所有發射像素EP之有機發光二極體接收對應於第N-1幀之資料訊號所充電之電壓所對應之電流，且對應於接收電流發射相應亮度之光(例如同時發光)。在掃描及發射週期3中，發射週期可與掃描週期相同，或者可與掃描週期同時(例如基本上同時)啟動而在掃描週期前結束。
如果有缺陷發射像素EP，且因而使用在相同行之虛擬像素DP，則在掃描及發射週期3中，第N幀之掃描訊號及資料訊號依序被提供至掃描線，包含耦合於虛擬像素DP之掃描線。在這種情況下，與提供 至缺陷像素之資料訊號相同之資料訊號被提供至虛擬像素DP。同時，在掃描及發射週期3中，所有發射像素EP(包含缺陷像素)之有機發光二極體接收對應於第N-1幀之資料訊號所充電之電壓所對應之電流，且對應於接收電流發射相應亮度之光(例如同時發光)，在此，缺陷像素之有機發光二極體接收來自虛擬像素DP之電流，且發射亮度對應於接收電流之光。
雖然在第7圖及第8圖中僅有掃描週期及發射週期在一個幀中被執行，其他週期(例如，初始化週期、臨界電壓補償之補償週期、發射斷開週期等)可附加地在一個幀中被執行。
第9圖係為根據本發明實施例描述修復缺陷像素之方法之示意圖。相似於第2圖所示之顯示面板10a，第9圖顯示了虛擬像素DPn+1耦合於第一至第n+1掃描線SL1至SLn+1中之第n+1掃描線SLn+1之情況。在第9圖中，為方便起見僅示出第j行，且有機發光二極體被示出作為發射裝置E。
參閱第9圖，如果耦合於第i掃描線之發射像素EPi之像素電路PCi是有缺陷的，則耦合於像素電路PCi之有機發光二極體從像素電路PCi解耦合。對此，用於電性耦合像素電路PCi於有機發光二極體之切斷單元130藉由照射雷射光束於切斷單元130而被切斷，因此將像素電路PCi從有機發光二極體電性分離。例如，有機發光二極體之陽極與缺陷發射像素EPi之像素電路PCi之連接區域可被切斷，以將像素電路PCi從有機發光二極體電性絕緣。
然後，第一修復單元140a將缺陷發射像素EPi之有機發光二極體耦合於修復線RLj，且第二修復單元140b將虛擬像素DPn+1之像素電路PCn+1耦合於修復線RLj。例如，缺陷發射像素EPi之有機發光二極體之陽極可被耦合於修復線RLj，且虛擬像素DPn+1之像素電路PCn+1 內薄膜電晶體之一個電極可被耦合於修復線RLj。因此，缺陷發射像素EPi之有機發光二極體從缺陷發射像素EPi之像素電路PCi解耦合，且經由修復線RLj被電性耦合於虛擬像素DPn+1之像素電路PCn+1。
第10圖係為繪示藉由具有使用第9圖所示之方法所修復之像素的顯示面板中之掃描驅動單元提供之掃描訊號及資料驅動單元提供之資料訊號之波形圖。
參閱第10圖，在掃描週期中，第一至第n+1掃描訊號S1至Sn+1依序被提供至相應之第一至第n+1掃描線SL1至SLn+1。第一至第n資料訊號D1至Dn依序與第一至第n+1掃描訊號S1至Sn+1同步的被提供至第j資料線DLj。在此情況下，與提供至缺陷發射像素EPi之資料訊號Di相同之資料訊號Di再一次被提供至虛擬像素DPn+1。因此，缺陷發射像素EPi之有機發光二極體可經由虛擬像素DPn+1之像素電路PCn+1及經由修復線RLj接收對應於資料訊號Di之電流。因此，在發射週期中，包含缺陷發射像素EPi之所有發射像素可發射光(例如可同時發光)，且因而可抑制亮點或暗點之產生。
第11圖係為根據本發明另一實施例描述修復缺陷像素之方法之示意圖。如同於第3圖所示之顯示面板10b，第11圖顯示了虛擬像素DP0耦合於第零至第n掃描線SL0至SLn中之第零掃描線SL0。在第11圖中，為方便起見僅示出第j行，且有機發光二極體被示出為發射裝置E。
參閱第11圖，如果耦合於第i掃描線之發射像素EPi之像素電路PCi是有缺陷的，另外耦合於像素電路PCi之有機發光二極體係從像素電路PCi解耦合。對此，用於耦合像素電路PCi於有機發光二極體之切斷單元130藉由照射雷射光束於該切斷單元130而切斷，因此將像素電路PCi從有機發光二極體電性分離。例如，有機發光二極體之陽極之連接區 域可被切斷，以從缺陷發射像素EPi之像素電路PCi電性絕緣。
然後，第一修復單元140a將缺陷發射像素EPi之有機發光二極體耦合於修復線RLj，且第二修復單元140b將虛擬像素DP0之像素電路PC0耦合於修復線RLj。例如，缺陷發射像素EPi之有機發光二極體之陽極可被耦合於修復線RLj，且虛擬像素DP0之像素電路PC0內薄膜電晶體之一個電極也可被耦合於修復線RLj。因此，缺陷發射像素EPi之有機發光二極體從缺陷發射像素EPi之像素電路PCi解耦合，且經由修復線RLj被電性耦合於虛擬像素DP0之像素電路PC0。
第12圖係為繪示藉由具有使用第11圖所示之方法所修復之像素的顯示面板之掃描驅動單元提供之掃描訊號及資料驅動單元提供之資料訊號之波形圖。參閱第12圖，在掃描週期中，第零至第n掃描訊號S0至Sn依序且對應地被提供至第零至第n掃描線SL0至SLn。第一至第n資料訊號D1至Dn依序與第零至第n掃描訊號S0至Sn同步的被提供至第j資料線DLj。在此情況下，與要提供至缺陷發射像素EPi之資料訊號Di相同之資料訊號Di係最初被提供至虛擬像素DP0(例如資料訊號Di在被提供至缺陷發射像素EPi前被提供至虛擬像素DP0)。因此，缺陷發射像素EPi之有機發光二極體可經由虛擬像素DP0之像素電路PC0及修復線RLj接收對應於資料訊號Di之電流。因此，在發射週期中，包含缺陷發射像素EPi之所有發射像素可發射光(例如同時發光)，且因而可抑制亮點或暗點之產生。
第13圖係為根據本發明另一實施例描述修復缺陷像素之方法之示意圖。如同於第4圖所示之顯示面板10c，第13圖顯示虛擬像素DP0及DPn+1被耦合於從第零至第n+1掃描線SL0至SLn+1當中之第零掃描線SL0及第n+1掃描線SLn+1。在第13圖中，為方便起見僅示出第 j行，且有機發光二極體被示出為發射裝置E。
參閱第13圖，如果耦合於第i掃描線之發射像素EPi之像素電路PCi及耦合於第p掃描線之發射像素EPp之像素電路PCp是有缺陷的，另外分別耦合於像素電路PCi及像素電路PCp之有機發光二極體從像素電路PCi及PCp解耦合。對此，用於耦合像素電路PCi及PCp於相應之有機發光二極體之切斷單元130藉由照射雷射光束於切斷單元130而被切斷，因此將像素電路PCi及像素電路PCp從有機發光二極體電性分離。例如，有機發光二極體之陽極與缺陷發射像素EPi及EPp之像素電路PCi及PCp之間之連接區域可被切斷，以將有機發光二極體自像素電路PCi及PCp電性絕緣。
另外，修復線RLj之分離單元150藉由照射雷射光束於分離單元150而被切斷，從而將修復線RLj分隔為上部及下部。因此，兩個虛擬像素DP0及DPn+1之像素電路PC0及PCn+1係彼此電性隔絕。
然後，第一修復單元140a連接缺陷發射像素EPi及EPp之有機發光二極體於修復線RLj之上部及下部，且第二修復單元140b連接虛擬像素DP0及DPn+1之像素電路PC0及PCn+1於修復線RLj。例如，缺陷發射像素EPi及EPp之有機發光二極體之陽極可被耦合於修復線RLj，且在虛擬像素DP0及DPn+1之像素電路PC0及PCn+1中相應之薄膜電晶體之電極可被耦合於修復線RLj。因此，缺陷發射像素EPi及EPp之有機發光二極體從缺陷發射像素EPi及EPp之像素電路PCi及PCp解耦合，且經由修復線RLj電性耦合於虛擬像素DP0及DPn+1之像素電路PC0及PCn+1。
第14圖係為繪示藉由具有使用第13圖所示之方法所修復之像素的顯示面板中掃描驅動單元提供之掃描訊號及資料驅動單元提供之 資料訊號之波形圖。參閱第14圖，在一個掃描週期中，第零至第n+1掃描訊號S0至Sn+1依序被提供至對應之第零至第n+1掃描線SL0至SLn+1。第一至第n資料訊號D1至Dn係與第零至第n+1掃描訊號S0至Sn+1同步依序地提供至第j資料線DLj。在此情況下，與之後提供至缺陷發射像素EPi之資料訊號Di相同之資料訊號Di，係最初被提供至虛擬像素DP0。同樣的，與提供至缺陷發射像素EPp之資料訊號Dp相同之資料訊號Dp，係再次被提供至虛擬像素DPn+1。
因此，缺陷發射像素EPi之有機發光二極體可經由虛擬像素DP0之像素電路PC0及修復線RLj接收對應於資料訊號Di之電流。同樣的，缺陷發射像素EPp之有機發光二極體可經由虛擬像素DPn+1之像素電路PCn+1及修復線RLj接收對應於資料訊號Dp之電流。因此，在發射週期中，所有發射像素(包含缺陷發射像素EPi及EPp)可發射光(例如同時發光)，且因而可抑制亮點或暗點的產生。
第15圖係為根據本發明實施例之發射像素EP1之電路圖。第16圖係為說明驅動第15圖中所示實施例之發射像素EP1之方法之時序圖
參閱第15圖，發射像素EP1包含有機發光二極體及用於提供電流至有機發光二極體之像素電路2A。雖然在第15圖中未顯示，虛擬像素包含像素電路2A，但不包含有機發光二極體。
有機發光二極體之陽極被耦合於像素電路2A，且有機發光二極體之陰極被耦合於用以提供第二電源電壓ELVSS之第二電源。有機發光二極體發射對應於從像素電路2A所提供之電流之亮度之光。如果發射像素EP1被確定為缺陷像素，位於或鄰近於其中有機發光二極體被耦合於像素電路2A之位置之切斷單元130可使用雷射光束切斷。
像素電路2A包含第一至第四電晶體TA1至TA4、以及第一及第二電容C1及C2。
第一電晶體TA1之閘極電極接收來自掃描線之掃描訊號S，且第一電晶體TA1之第一電極接收來自資料線之資料訊號D。第一電晶體TA1之第二電極被耦合於第一節點N1。
第二電晶體TA2之閘極電極被耦合於第二節點N2，第二電晶體TA2之第一電極從第一電源接收第一電源電壓ELVDD，且第二電晶體TA2之第二電極被耦合於有機發光二極體之陽極。第二電晶體TA2用作為驅動電晶體。
第一電容C1被耦合於第一節點N1與第二電晶體TA2之第一電極及第一電源之間。第二電容C2被耦合於第一節點N1與第二節點N2之間。
第三電晶體TA3之閘極電極接收第一控制訊號GC，第三電晶體TA3之第一電極被耦合於第二電晶體TA2之閘極電極，且第三電晶體TA3之第二電極被耦合於有機發光二極體之陽極及第二電晶體TA2之第二電極。
第四電晶體TA4之閘極電極接收第二控制訊號SUS_ENB，第四電晶體TA4之第一電極接收輔助電壓Vsus，且第四電晶體TA4之第二電極被耦合於資料線及第一電晶體TA1之第一電極。
在第16圖中，假設各包含如第15圖所示之像素電路2A之發射像素EP1及虛擬像素，係形成於第2圖所示之顯示面板10a，且使用如第9圖所示之方法來修復。
參閱第16圖，複數個發射像素EP1使用同時發射方法來驅動，且藉由將每幀分為初始化週期Int、補償週期Vth、掃描/資料輸入週期Scan/Data、以及發射週期Emission來操作。在掃描/資料輸入週期Scan/Data中，掃描訊號依 序輸入複數個掃描線，且對應於掃描訊號之資料訊號依序輸入於發射像素EP1及虛擬像素。
在初始化週期Int及補償週期Vth中，掃描訊號被提供(例如同時提供)至所有發射像素EP1及虛擬像素。包含於每個發射像素EP1及虛擬像素中之驅動電晶體之初始化及臨界電壓補償，以及每個發射像素EP1之光發射都在一個幀中執行。
在初始化週期Int中，具有低位準之第一至第n+1掃描訊號S1至Sn+1同時提供至所有掃描線。具有低位準之第二控制訊號SUS_ENB被提供至第四電晶體TA4之閘極電極，且資料線是在高阻抗(Hi-Z)狀態。因此，第一電晶體TA1及第四電晶體TA4被導通，且因此使具有高位準之輔助電壓Vsus被提供至第一節點N1，第二節點N2之電壓降低，且第二節點N2維持在初始化電壓Vint。然後，第二控制訊號SUS_ENB由低位準改變成高位準，第四電晶體TA4被關閉，且具有高位準之資料線之輔助電壓Vsus被提供至第一節點N1。由於第二節點N2之電壓降低，第二電晶體TA2被導通，且有機發光二極體之陽極之電壓被重設至第一電源電壓ELVDD之位準。
在補償週期Vth中，具有高位準且被提供至資料線之輔助電壓Vsus被提供至第一節點N1。第一控制訊號GC以低位準被提供，且因此使第三電晶體TA3導通。因此，第二電晶體TA2是二極體耦合(diode-coupled)，且因此電流流動直到對應於第二電晶體TA2之臨界電壓之電壓被儲存於第二電容C2。在此之後，第二電晶體TA2被關閉。
在掃描/資料輸入週期Scan/Data中，具有低位準之第一至第n+1掃描訊號S1至Sn+1依序被輸入至複數個掃描線，且因此第一電晶體TA1被導通， 且資料訊號被依序輸入至耦合於每個掃描線之發射像素EP1及虛擬像素。因此，與提供至缺陷發射像素之資料訊號相同之資料訊號被提供至虛擬像素。因此，第一電源電壓ELVDD及第一節點N1之電壓之間之電壓差被儲存於第一電容C1。
在此情況下，依序提供之掃描訊號之寬度可提供為兩個水平週期(2H)，且相鄰掃描訊號之寬度，例如第n-1掃描訊號Sn-1與第n掃描訊號Sn之寬度可以一個或更少之水平週期(1H)重疊。這是為了改善由訊號線之電阻-電容(RC)延遲所造成在充電上的不足，其可能因為大尺寸的顯示區域而發生。
在發射週期Emission，提供第一電源電壓ELVDD於高位準，且提供第二電源電壓ELVSS於低位準。從第一電源電壓ELVDD至有機發光二極體之陰極之電流路徑經由第二電晶體TA2形成，且所有發射像素EP1之有機發光二極體發射對應於資料訊號之亮度的光。在此情況下，由於經過修復線提供來自虛擬像素之電流使缺陷像素之有機發光二極體發射光。
雖然在第16圖中未圖示，在第N幀之發射週期後，為了在第N+1幀開始前的黑色***(black insertion)或調光，用於停止光發射之關閉發射週期可被加入。
第17圖係為根據本發明另一實施例之發射像素EP2之電路圖。第18圖係為說明驅動第17圖中所示實施例之發射像素EP2之方法之時序圖。
參閱第17圖，發射像素EP2包含有機發光二極體及提供電流至有機發光二極體之像素電路2B。雖然在第17圖中未圖示，虛擬像素包含像素電路2B，但不包含有機發光二極體。
有機發光二極體之陽極被耦合於像素電路2B，且有機發光二極體之陰極被耦合於用以提供第二電源電壓ELVSS之第二電源。有機發光二極體發 射光(例如發射預定亮度之光)對應於從像素電路2B所提供之電流。如果發射像素EP2被確定為缺陷像素，位於或鄰近於其中有機發光二極體被耦合於像素電路2B之區域之切斷單元130可使用雷射光束切斷。
像素電路2B包含第一至第五電晶體TB1至TB5、以及第一至第三電容C1至C3。
第一電晶體TB1之閘極電極接收來自掃描線之掃描訊號S，且第一電晶體TB1之第一電極被耦合於資料線，且接收來自資料線之資料訊號D。第一電晶體TB1之第二電極被耦合於第一節點N1。
第二電晶體TB2之閘極電極接收第三控制訊號GW，第二電晶體TB2之第一電極被耦合於第一節點N1，且第二電晶體TB2之第二電極被耦合於第二節點N2。
第三電晶體TB3之閘極電極被耦合於第三節點N3，第三電晶體TB3之第一電極接收來自第一電源之第一電源電壓ELVDD，且第三電晶體TB3之第二電極被耦合於有機發光二極體之陽極。第三電晶體TB3用作為驅動電晶體。
第四電晶體TB4之閘極電極接收第一控制訊號GC，第四電晶體TB4之第一電極被耦合於第三節點N3及第三電晶體TB3之閘極電極，且第四電晶體TB4之第二電極被耦合於有機發光二極體之陽極。
第五電晶體TB5之閘極電極接收第一控制訊號GC，第五電晶體TB5之第一電極被耦合於資料線，且接收來自資料線之資料訊號D，且第五電晶體TB5之第二電極被耦合於第二節點N2。
第一電容C1被耦合於第一節點N1及第五電晶體TB5之閘極電極之間，第二電容C2被耦合於第二節點N2與第一電源之間，且第三電容C3被耦合於第二節點N2與第三節點N3及第三電晶體TB3之閘極電極之間。當第一電晶體TB1被導通時，第一電容C1充電對應於自資料線所提供之資料訊號D之電壓。
在第18圖中，假設各包含如第17圖所示之實施例之像素電路2B之發射像素EP2及虛擬像素係形成於第2圖所示之顯示面板10a，且使用如第9圖所示之方法來修復。
參閱第18圖，複數個發射像素EP2藉由使用同時發射方法來驅動，且藉由將每幀分為初始化週期Int、補償週期Vth、資料傳送週期Dtrans、以及掃描/發射週期Scan/Emission來操作。在掃描/發射週期Scan/Emission中，掃描訊號依序輸入複數個掃描線，且對應於掃描訊號之資料訊號依序輸入於發射像素EP2及虛擬像素。包含在每個發射像素EP2及虛擬像素中之驅動電晶體之初始化、臨界電壓補償、及資料傳送，以及每個發射像素EP2之光發射是分別在幀所劃分之週期中執行。
在初始化週期Int中，以低位準提供第一電源電壓ELVDD及第一控制訊號GC。資料線在高阻抗(Hi-Z)狀態。因此，第五電晶體TB5及第四電晶體TB4被導通，且因此第三電晶體TB3是二極體耦合，並且有機發光二極體之陽極之電壓與第三節點N3之電壓被初始化為驅動電壓之第一電源電壓ELVDD之位準。
在補償週期Vth中，以低位準提供第一控制訊號GC，且具有高位準之輔助電壓Vsus被提供至資料線。因此，第五電晶體TB5被導通，且因此輔助電壓Vsus被提供至第二節點N2。同樣的，第四電晶體TB4被導通，且因此第三 電晶體TB3係二極體耦合，且電流流通直到對應於第三電晶體TB3之臨界電壓之電壓被儲存於第三電容C3為止。在此之後，第三電晶體TB3關閉。
在資料傳送週期Dtrans中，各自以其高位準提供第一電源電壓ELVDD及第二電源電壓ELVSS，且以低位準提供第三控制訊號GW。因此，第二電晶體TB2被導通，且因此在N-1幀之掃描週期寫入在發射像素EP2中且儲存於第一電容C1中之資料訊號D，係移動至第二節點N2。因此，在第一電源電壓ELVDD與第二節點N2之電壓之間之電壓差被儲存於第二電容C2。
在掃描/發射週期Scan/Emission中，掃描週期及發射週期是同時執行。在掃描/發射週期Scan/Emission中，以高位準提供第一電源電壓ELVDD，且以低位準提供第二電源電壓ELVSS。同樣的，具有低位準之第一至第n+1掃描訊號S1至Sn+1係依序地輸入於對應之掃描線，且因此第一電晶體TB1被導通，且資料訊號依序地被輸入於耦合於每個掃描線之發射像素EP2及虛擬像素。在此情況下，與提供至缺陷像素之資料訊號相同之資料訊號被提供至虛擬像素。因此，對應於第N幀之資料訊號之電壓被儲存於第一電容C1。
第二電晶體TB2被關閉以阻斷第一節點N1與第二節點N2。同樣的，從第一電源電壓ELVDD至有機發光二極體之陰極之電流路徑經由導通之第三電晶體TB3而形成，且有機發光二極體發射對應於在第N-1幀之掃描週期寫入於發射像素EP2並儲存於第二電容C2之資料訊號的亮度之光。在此情況下，所有在顯示區域AA內之發射像素EP2同時發射光。缺陷像素之有機發光二極體由於經過修復線從虛擬像素所提供之電流而發光。也就是說，在掃描/發射週期Scan/Emission中，根據掃描訊號依序將第N幀之資料訊號輸入，且同時所有在顯示區域AA之發射像素EP2發射對應於第N-1幀之資料訊號的光。
在此，依序提供之掃描訊號之寬度可被提供作為兩個水平週期(2H)，且相鄰掃描訊號之寬度，例如第n-1掃描訊號Sn-1與第n掃描訊號Sn之寬度可以一個或更少之水平週期(1H)重疊。這是為了解決根據大尺寸顯示區域由於訊號線之電阻-電容(RC)延遲所造成之充電不足。
第19圖係為根據本發明另一實施例之發射像素EP3之電路圖。第20圖係為說明驅動第19圖中所示實施例之發射像素EP3之方法之時序圖。
參閱第19圖，發射像素EP3包含有機發光二極體及用於提供電流至有機發光二極體之像素電路2C。雖然在第19圖中未圖示，虛擬像素包含像素電路2C，但不包含有機發光二極體。
有機發光二極體之陽極被耦合於像素電路2C，且有機發光二極體之陰極被耦合於用以提供第二電源電壓ELVSS之第二電源。有機發光二極體發射對應於從像素電路2C所提供之電流之亮度的光。如果發射像素EP3被確定為缺陷像素，位於或鄰近於其中有機發光二極體被耦合於像素電路2C之位置之切斷單元130可使用雷射光束被切斷。
像素電路2C包含第一至第八電晶體TC1至TC8、以及第一及第二電容C1、C2。
第一電晶體TC1之閘極電極接收來自掃描線之掃描訊號S，第一電晶體TC1之第一電極被耦合於資料線並接收來自資料線之資料訊號D，且第一電晶體TC1之第二電極被耦合於第一節點N1。
第二電晶體TC2之閘極電極接收第三控制訊號GW，第二電晶體TC2之第一電極被耦合於第一節點N1，且第二電晶體TC2之第二電極被耦合於第二節點N2。
第三電晶體TC3之閘極電極接收第四控制訊號GL，第三電晶體TC3之第一電極被耦合於初始化電源並接收來自初始化電源之初始化電壓Vint，且第三電晶體TC3之第二電極被耦合於第三節點N3。
第四電晶體TC4之閘極電極接收第三控制訊號GW，第四電晶體TC4之第一電極被耦合於第三節點N3，且第四電晶體TC4之第二電極被耦合於第四節點N4。
第五電晶體TC5之閘極電極也接收第四控制訊號GL，第五電晶體TC5之第一電極被耦合於第一電源且接收來自第一電源之第一電源電壓ELVDD，且第五電晶體TC5之第二電極被耦合於第二節點N2。
第六電晶體TC6之閘極電極被耦合於第三節點N3，第六電晶體TC6之第一電極被耦合於第二節點N2，且第六電晶體TC6之第二電極被耦合於第四節點N4。第六電晶體TC6用作為驅動電晶體。
第七電晶體TC7之閘極電極接收第五控制訊號GE，第七電晶體TC7之第一電極被耦合於第四節點N4，且第七電晶體TC7之第二電極被耦合於有機發光二極體之陽極。
第八電晶體TC8之閘極電極也接收第五控制訊號GE，第八電晶體TC8之第一電極被耦合於第一電源且接收來自第一電源之第一電源電壓ELVDD，且第八電晶體TC8之第二電極被耦合於第二節點。
第一電容C1被耦合於第一節點N1及用於提供第三電源電壓Vhold之第三電源之間。當第一電晶體TC1被導通時，第一電容C1接收/充電與來自資料線所提供之資料訊號D對應之電壓。第三電源可為固定電壓之電源(例如直流電源)。舉例來說，第三電源可被設定作為第一電源以提供第一電源電壓 ELVDD，或者作為初始化電源以提供初始化電壓Vint。第二電容C2被耦合於第三節點N3與第一電源之間。
在第20圖中，假設各包含如第19圖所示之像素電路2C之發射像素EP3及虛擬像素係形成於第2圖所示之顯示面板10a，且使用如第9圖所示之方法來修復。
參閱第20圖，複數個發射像素EP3使用同時發射方法來驅動，且藉由將每幀分為初始化週期Int、補償/資料傳送週期Vth/Dtrans、以及掃描/發射週期Scan/Emission來操作。在掃描/發射週期Scan/Emission中，掃描訊號依序輸入於複數個掃描線，且對應於掃描訊號之資料訊號依序輸入於發射像素EP3及虛擬像素。包含在每個發射像素EP3及虛擬像素中之驅動電晶體之初始化、臨界電壓補償、及資料傳送，以及每個發射像素EP3之光發射係全部在給定幀之相應週期中執行。
在初始化週期Int中(例如在初始化週期Int的開始)，以高位準提供第一電源電壓ELVDD，且以低位準提供第二電源電壓ELVSS及第四控制訊號GL。因此，第三電晶體TC3及第五電晶體TC5導通，且因而使第一電源電壓ELVDD被提供至第二節點N2，且初始化電壓Vint被提供至第三節點N3。
在補償/資料傳送週期Vth/Dtrans中，以低位準提供第一電源電壓ELVDD、第二電源電壓ELVSS、以及第三控制訊號GW。因此，第二電晶體TC2導通，且因此在第N-1幀之掃描週期寫入在發射像素EP3中且儲存於第一電容C1中之資料訊號D係移動至第二節點N2。同樣的，第四電晶體TC4被導通，且因此第六電晶體TC6是二極體耦合，造成電流流過且因此使第六電晶體TC6之臨界電 壓被補償，且在驅動電壓ELVDD與第二節點N2之電壓之間之電壓差被儲存於第二電容C2。
在掃描/發射週期Scan/Emission中，掃描週期及發射週期是同時執行。在掃描/發射週期Scan/Emission中，以高位準提供第一電源電壓ELVDD，且以低位準提供第二電源電壓ELVSS及第五控制訊號GE(例如，在掃描/發射週期Scan/Emission的開始，在掃描/發射週期Scan/Emission的發射週期Emission期間以低位準提供第五控制訊號GE)。
同樣在掃描/發射週期Scan/Emission期間，具有低位準之第一至第n+1掃描訊號S1至Sn+1依序輸入於相應之掃描線，且因此第一電晶體TC1導通，且第N幀之資料訊號依序被輸入於耦合於每個掃描線之發射像素EP3。在此情況下，與提供至缺陷像素及發射像素EP3之資料訊號相同之資料訊號被提供至虛擬像素。因此，對應於第N幀之資料訊號之電壓被儲存於第一電容C1。
第二電晶體TC2被關閉以阻斷/電性絕緣第一節點N1與第二節點N2。同樣的，第七電晶體TC7及第八電晶體TC8被導通，且因此從第一電源電壓ELVDD至有機發光二極體之陰極之電流路徑經由導通之第六電晶體TC6、第七電晶體TC7及第八電晶體TC8形成，且有機發光二極體發射對應於在第N-1幀之掃描週期中寫入於發射像素EP3並儲存於第二電容C2之資料訊號之亮度的光。在此情況下，所有在顯示區域AA內之發射像素EP3同時發射光。缺陷像素之有機發光二極體由於經過修復線從虛擬像素所提供之電流而發射光。也就是說，在掃描/發射週期Scan/Emission中，根據掃描訊號依序將第N幀之資料訊號輸入，且同時所有在顯示區域AA之發射像素EP3係對應於第N-1幀之資料訊號而同步發射光。發射週期Emission可部分重疊於掃描週期Scan，且可比掃描週期Scan短。
在此，依序提供之掃描訊號之寬度可被提供為兩個水平週期(2H)，且相鄰掃描訊號之寬度，例如第n-1掃描訊號Sn-1與第n掃描訊號Sn之寬度，可以一個或更少之水平週期(1H)重疊。這會協助避免可能是由於在大尺寸的顯示區域中訊號線之電阻-電容(RC)延遲所造成的充電不足/缺乏之問題。
第21圖及第22圖係為根據本發明實施例用於描述在底部發射顯示裝置中修復發射像素EP之方法之剖面圖。
在第21圖及第22圖中，為了便於解釋，僅示出在每個發射像素EP中用於形成有機發光二極體之像素電極31、及在像素電路中耦合於像素電極31之薄膜電晶體。此薄膜電晶體可為第15圖中所示之像素電路2A之第二電晶體TA2、第17圖中所示之像素電路2B之第三電晶體TB3、或第19圖中所示之像素電路2C之第七電晶體TC7。
參閱第21圖，薄膜電晶體之主動層21形成於基板11上。雖然在第21圖中未圖示，用於防止雜質離子的擴散、用於防止濕氣或外部空氣的穿透、及用於平坦化表面之輔助層，例如阻障層、阻擋層、及/或緩衝層，可進一步形成於基板11之上表面上。
主動層21可包含半導體，且可包含摻雜之離子雜質。同樣的，主動層21可由氧化物半導體形成。主動層21包含源極與汲極區域及通道區域。
閘極絕緣層GI形成於主動層21形成於其上之基板11上。閘極電極24及像素電極31形成於閘極絕緣層GI上。閘極電極24對應於主動層21之通道區域形成。
閘極電極24及像素電極31藉由依序層疊然後蝕刻在閘極絕緣層GI上之第一及第二導電層而形成。閘極電極24可包含由部分之第一導電層形成 之第一閘極電極22、以及由部分之第二導電層形成之第二閘極電極23。像素電極31可由在第二導電層被部分移除後所露出之部分之第一導電層所形成。層間絕緣層ILD被形成於閘極電極24及像素電極31被形成於其上之基板11上。
分別通過接觸孔接觸主動層21之源極及汲極區域之源極電極25及汲極電極26係形成於層間絕緣層ILD上。源極電極25及汲極電極26當中之一通過在像素電極31之邊緣區域上遺留之部分第二導電層上方之接觸孔而接觸/電性耦合於像素電極31。同樣的，修復線RL及由導電材料形成之第一連接單元41被形成於層間絕緣層ILD上。第一連接單元41藉由接觸在像素電極31之邊緣區域(例如相對於像素電極接觸源極電極25或汲極電極26之邊緣區域)上遺留之部分第二導電層而電性耦合於像素電極31。修復線RL及第一連接單元41可由相同於源極電極25及汲極電極26之材料形成，或由與源極電極25及汲極電極26不同之材料形成。
在如上所述形成背板後，如果像素電路被測試且被判定為是有缺陷的，則藉由照射雷射光束於切斷單元130上將薄膜電晶體從像素電極31電性隔絕，此切斷單元係耦合源極電極25或汲極電極26之一於像素電極31。因此，缺陷發射像素EP之像素電路從像素電極31被電性隔絕。
參閱第22圖，在第一修復單元140a中，修復線RL藉由在修復線RL及第一連接單元41上形成第一接觸金屬CM1而經由第一連接單元41來電性耦合於像素電極31。第一接觸金屬CM1可藉由使用例如化學氣相沉積(CVD)之方法來形成。在修復後，具有用於露出像素電極31之孔洞之像素定義層PDL被形成於第一接觸金屬CM1被形成於其上之基板11上。
然後，包含發射層之有機層及相反電極依序形成於像素電極31上。如果有機層發射紅光、綠光、或是藍光，則發射層可分別被圖樣化為紅色發射層、綠色發射層、或是藍色發射層。另外，如果有機層發射白光，則發射層可具有其中紅色發射層、綠色發射層、及藍色發射層層疊以發射白光之多層結構，或者包含紅色發射材料、綠色發射材料及藍色發射材料之單層結構。相反電極可沉積於基板11之全部表面，且因此可形成為共用電極。根據本發明的實施例，像素電極31被用作為陽極，且相反電極被用作為陰極。像素電極31及相反電極之極性可交換。
第23圖係為根據本發明實施例用於描述在底部發射顯示裝置中耦合虛擬像素DP之方法之剖面圖。
在第23圖中，為了便於解釋，僅示出在虛擬像素DP之像素電路中耦合於修復線RL之薄膜電晶體。虛擬像素DP之像素電路可與第21圖及第22圖中所示之發射像素EP之像素電路同時形成，且可以第21圖及第22圖中所示之發射像素EP之像素電路相同之材料形成。因此，在第23圖中所示之薄膜電晶體可為第15圖中所示像素電路2A之第二電晶體TA2、第17圖中所示像素電路2B之第三電晶體TB3、或第19圖中所示像素電路2C之第七電晶體TC7。
參閱第23圖，薄膜電晶體之主動層51被形成於基板11上。主動層51可包含半導體且可包含摻雜之離子雜質。同樣的，主動層51可由氧化物半導體形成。主動層51包含源極與汲極區域及其間之通道區域。閘極絕緣層GI被形成於主動層51形成於其上之基板11上。閘極電極54被形成於閘極絕緣層GI上。
閘極電極54被形成於對應於主動層51之通道區域之位置。閘極電極54藉由依序層疊然後蝕刻在閘極絕緣層GI上之第一及第二導電 層而形成。閘極電極54可包含由部分之第一導電層形成之第一閘極電極52、以及由部分之第二導電層形成之第二閘極電極53。層間絕緣層ILD被形成於閘極電極54被形成於其上之基板11上。
分別通過接觸孔接觸主動層51之源極及汲極區域之源極電極55及汲極電極56係形成於層間絕緣層ILD上。同樣的，修復線RL及由導電材料形成之第二連接單元61被形成於層間絕緣層ILD上。第二連接單元61可從源極電極55及汲極電極56當中之一延伸。修復線RL可由相同於源極電極55及汲極電極56之材料形成，或與源極電極55及汲極電極56不同之材料形成。
在第二修復單元140b中，修復線RL藉由在修復線RL及第二連接單元61上形成第二接觸金屬CM2而電性耦合於第二連接單元61。第二接觸金屬CM2可與第一接觸金屬CM1同時形成且可以相同材料形成，且可使用如化學氣相沉積之方法來形成。像素定義層PDL被形成於第二接觸金屬CM2被形成於其上之基板11上。
根據本發明之實施例，如果在背板形成時發射像素之像素電路是有缺陷的話，為了解決由於缺陷像素電路造成之亮點，發射像素之像素電極與發射像素之薄膜電晶體之間的連接被切斷，且耦合於像素電極之連接單元被耦合於修復線。耦合於發射像素之像素電極之修復線也耦合於虛擬像素之像素電路。因此，與輸入至發射像素之像素電路之資料訊號相同之資料訊號可被輸入至虛擬像素之像素電路，且發射像素之發射裝置可發射亮度對應於輸入之資料訊號之光。
第24圖係為根據本發明實施例用於描述在頂部發射顯示裝置中修復發射像素EP之方法之剖面圖。第25圖係為根據本發明實施例用於描述在頂部發射顯示裝置中耦合虛擬像素DP之方法之剖面圖。
在第24圖及第25圖中，為了便於解釋，僅示出在發射像素EP或虛擬像素DP之像素電路中耦合於修復線RL之薄膜電晶體。
參閱第24圖及第25圖，發射像素EP之薄膜電晶體之主動層21(第24圖)、以及虛擬像素DP之薄膜電晶體之主動層51(第25圖)被形成於基板11上。雖然在第24圖及第25圖中未圖示，用於防止雜質離子的擴散、用於防止濕氣或外部空氣的穿透、及用於平坦化表面之輔助層，例如阻障層、阻擋層、及/或緩衝層，也可被形成於基板11之上表面上。
主動層21及51可包含半導體，且可包含摻雜之離子雜質。同樣的，主動層21及51可由氧化物半導體形成。每個主動層21及51包含源極與汲極區域及其間之通道區域。閘極絕緣層GI被形成於主動層21及51形成於其上之基板11上。
發射像素EP之閘極電極24及虛擬像素DP之閘極電極54被形成於閘極絕緣層GI上。閘極電極24及54可分別對應於主動層21及51之通道區域而形成。層間絕緣層ILD被形成於閘極電極24及54被形成於其上之基板11上。
分別通過接觸孔接觸主動層21及51之源極及汲極區域之源極電極25、55、以及汲極電極26、56被形成於層間絕緣層ILD上。平坦化層PL形成於源極電極25、55、以及汲極電極26、56被形成於其上之基板11上。平坦化層PL可在對應於像素電極31之區域上形成以具有浮凸之表面。
發射像素EP之像素電極31及第一連接單元41、修復線RL、及耦合於源極電極55及汲極電極56當中之一之虛擬像素DP之第二連接單元61被形成於平坦化層PL上。第一連接單元41可從像素電極31延伸。修復線RL可鄰近於像素電極31形成。修復線RL、第二連接單元61、以 及像素電極31可以相同或不同之材料形成。像素電極31可根據平坦化層PL之形狀具有浮凸之結構。
在如上所述形成背板後，如果像素電路被測試且判定為是有缺陷的，則藉由照射雷射光束於切斷單元130將發射像素EP之薄膜電晶體從像素電極31電性隔絕，此切斷單元130係耦合源極電極25或汲極電極26之一於像素電極31。因此，缺陷發射像素EP之像素電路從像素電極31被電性隔絕。
同樣的，在第一修復單元140a中，修復線RL藉由使用第一接觸金屬CM1而電性耦合於第一連接單元41。此外，在第二修復單元140b中，修復線RL藉由使用第二接觸金屬CM2而電性耦合於第二連接單元61。第一接觸金屬CM1可藉由使用例如化學氣相沉積(CVD)之方法與第二接觸金屬CM2同時形成(例如，在相同製程期間)且以相同材料來形成。在修復後，像素定義層PDL被形成於第一接觸金屬CM1及第二接觸金屬CM2被形成於其上之基板11上。
雖然未圖示於第24圖及第25圖中，包含發射層之有機層、以及相反電極被形成於像素電極31上。如同像素電極31，有機層及相反電極根據平坦化層PL之形狀也可具有浮凸結構。在此情況中，如果位於從發射層發射之光的前進方向上之元件具有浮凸表面，雖然全反射之情況被滿足且因而發生全反射，反射光之入射角可能改變，且因此在一個元件中連續之全反射可不發生。因此，朝向使用者傳送之光量可增加，且因此最大化光之效率。
第26圖係為根據本發明另一實施例用於描述在底部發射顯示裝置中修復發射像素EP之方法之剖面圖。第27圖係為根據本發明另一實施例用於描述在底部發射顯示裝置中耦合虛擬像素DP之方法之剖面 圖。
在第26圖及第27圖中，為了便於解釋，僅示出在發射像素EP或虛擬像素DP之像素電路中耦合於修復線RL之薄膜電晶體。第26圖及第27圖顯示了修復是在執行顯示面板之視覺檢查(vision test)後執行之情況。
參閱第26圖及第27圖，發射像素EP之薄膜電晶體之主動層21、以及虛擬像素DP之薄膜電晶體之主動層51被形成於基板11上。雖然在第26圖及第27圖中未圖示，用於防止雜質離子的擴散、用於防止濕氣或外部空氣的穿透、或用於平坦化表面之輔助層，例如阻障層、阻擋層、及/或緩衝層，也可進一步形成於基板11之上表面上。
主動層21及51可包含半導體且可包含摻雜之離子雜質。同樣的，主動層21及51可由氧化物半導體形成。每個主動層21及51包含源極與汲極區域及其間之通道區域。閘極絕緣層GI形成於主動層21及51形成於其上之基板11上。
發射像素EP之閘極電極24及虛擬像素DP之閘極電極54被形成於閘極絕緣層GI上。閘極電極24及54可分別對應於主動層21及51之通道區域形成。閘極電極24及54是藉由依序層疊然後蝕刻在閘極絕緣層GI上之第一及第二導電層而形成。閘極電極24及54可分別包含由部份第一導電層形成之第一閘極電極22及52、以及由部份第二導電層形成之第二閘極電極23及53。
同樣的，發射像素EP之像素電極31及第一連接單元41、以及虛擬像素DP之第二連接單元61被形成於閘極絕緣層GI上。像素電極31可由在第二導電層被部分移除後而露出之部份第一導電層形成。第一連接單元41可從像素電極31延伸，且可為第一及第二導電層之部分。 第二連接單元61可包含由部份第一導電層形成之第一層62、以及由部分第二導電層形成之第二層63。層間絕緣層ILD被形成於閘極電極24及54以及第一及第二連接單元41及61被形成於其上之基板11上。
分別通過接觸孔接觸主動層21及51之源極及汲極區域之源極電極25、55、以及汲極電極26、56被形成於層間絕緣層ILD上。同樣的，修復線RL被形成於層間絕緣層ILD上以至少部分重疊於第一及第二連接單元41及61。像素定義層PDL被形成於源極電極25、55、汲極電極26、56及修復線RL被形成於其上之基板11上。
在視覺測試後被偵測為缺陷像素之發射像素EP中，藉由照射雷射光束於切斷單元130而將發射像素EP之薄膜電晶體從像素電極31電性隔絕以從而切斷切斷單元130，此切斷單元130係耦合源極電極25或汲極電極26之一於像素電極31。因此，缺陷發射像素EP之像素電路從像素電極31被電性隔絕。
同樣的，藉由照射雷射光束於發射像素EP之第一修復單元140a來執行雷射焊接。因此，在修復線RL與第一連接單元41之間之層間絕緣層ILD被破壞，且因此修復線RL被電性耦合於第一連接單元41。同樣的，藉由照射雷射光束於虛擬像素DP之第二修復單元140b來執行雷射焊接。因此，在修復線RL與第二連接單元61之間之層間絕緣層ILD被破壞，且因此修復線RL被電性耦合於第二連接單元61。
在視覺測試之前或之後，包含發射層之有機層、及相反電極依序形成於像素電極31上。如果有機層發射紅光、綠光、或是藍光，發射層可分別被圖樣化作為紅色發射層、綠色發射層、或是藍色發射層。另外，如果有機層發射白光，則發射層可具有其中紅色發射層、綠色發射層、及藍色發射層層疊以發射白光之多層結構，或者包含紅色發射材料、綠色 發射材料以及藍色發射材料之單層結構。相反電極可沉積於基板11之全部表面，因此可形成為共用電極。根據本發明的實施例，像素電極31被用作為陽極，且相反電極被用作為陰極。像素電極31及相反電極之極性可被交換。
根據本發明之實施例，當特定電路為缺陷的，使用修復線及雷射焊接之修復可輕易地執行，且因此顯示裝置之製造產率可被提升。
第28圖係為根據本發明另一實施例之顯示面板10d之示意圖。
參閱第28圖，在複數個掃描線SL與複數個資料線DL以及複數個修復線RL相交處以基本上矩陣形狀排列之複數個像素P係形成於顯示面板10d。像素P包含形成於顯示區域AA上之發射像素EP、以及形成於非顯示區域NA上之虛擬像素DP。非顯示區域NA可被形成於顯示區域AA之上方及下方區域中之至少之一。因此，一或多個虛擬像素DP可被形成於每個像素行，在像素行之上方及下方區域中之至少之一。第28圖顯示虛擬像素DP被形成於像素行下方區域之範例。
一個發射像素EP包含排列於行方向之第一至第三子發射像素SEP1、SEP2、SEP3。第一至第三子發射像素SEP1、SEP2、及SEP3中之每個均包含像素電路PC、及耦合於像素電路PC之發射裝置E。發射裝置E可為包含陽極、陰極、及陽極與陰極之間之發射層之有機發光二極體。第一至第三子發射像素SEP1、SEP2、SEP3之像素電路PC及/或發射裝置E可能在尺寸上不同。第一至第三子發射像素SEP1、SEP2、SEP3共同耦合於一掃描線，舉例來說，第i掃描線SLi分別耦合於第一至第三資料線DLj_1、DLj_2、及DLj_3。因此，如果掃描訊號被提供至第i掃描線SLi，資料訊號經由第一至第三資料線DLj_1、DLj_2、及DLj_3分 別提供至第一至第三子發射像素SEP1、SEP2、及SEP3，且因此每個第一至第三子發射像素SEP1、SEP2、SEP3對應於提供之資料訊號充入電壓，且發射對應於充入電壓之亮度的光。
一個虛擬像素DP包含排列於行方向之第一至第三子虛擬像素SDP1、SDP2、及SDP3。第一至第三子虛擬像素SDP1、SDP2、及SDP3中之每個僅包含像素電路PC且不包含發射裝置E。每個第一至第三子虛擬像素SDP1、SDP2、SDP3中之像素電路PC另外與每個第一至第三子發射像素SEP1、SEP2、及SEP3之像素電路PC相同。第一至第三子虛擬像素SDP1、SDP2、及SDP3共同耦合於一掃描線，舉例來說，第n+1掃描線SLn+1，且分別耦合於第一至第三資料線DLj_1、DLj_2、及DLj_3。因此，如果掃描訊號被提供至第n+1掃描線SLn+1，資料訊號經由第一至第三資料線DLj_1、DLj_2、及DLj_3分別提供至第一至第三子虛擬像素SDP1、SDP2、及SDP3。
從第一至第三子發射像素SEP1、SEP2、及SEP3中，如果第二子發射像素SEP2之像素電路PC是有缺陷的，耦合第二子發射像素SEP2之像素電路PC於發射裝置E之切斷單元130被切斷，且發射裝置E被耦合於修復線RLj。同樣的，從第一至第三子虛擬像素SDP1、SDP2、SDP3當中，對應於第二子發射像素SEP2之第二子虛擬像素SDP2之像素電路PC被耦合於修復線RLj。
如果掃描訊號在掃描週期中依序被提供至第一至第n掃描線SL1至SLn，資料訊號經由第一至第三資料線DLj_1、DLj_2、及DLj_3分別提供至第一至第三子發射像素SEP1、SEP2、及SEP3。如果最後掃描訊號被提供至第n+1掃描線SLn+1，與提供至第一至第三子發射像素SEP1、SEP2、及SEP3之資料訊號相同之資料訊號被提供至第一至第三子虛擬像 素SDP1、SDP2、及SDP3，且根據充入於耦合於修復線RLj之第二子虛擬像素SDP2之資料訊號所對應之電壓之電流，經由修復線RLj提供至第二子發射像素SEP2。因此，在發射週期中，所有發射像素EP可同時發光。
第28圖顯示當在一個像素所包含之複數個子像素具有不同特性時虛擬像素形成為複數個子像素之範例。然而，即使在本實施例中，相同之驅動原則也可藉由形成虛擬像素為一個子像素及藉由校正提供至虛擬像素之資料訊號之伽瑪值來執行。
在上述實施例中，像素電路形成為P型通道金氧半導體(PMOS)電晶體，且低位準訊號是啟動訊號(enable signal)而高位準訊號是關閉訊號(disable signal)。然而，本發明之實施例也可藉由形成N型通道金氧半導體(NMOS)電晶體之像素電路及反向提供之訊號來執行。在此情況下，高位準訊號是啟動訊號而低位準訊號是關閉訊號。
根據本發明之實施例，薄膜電晶體之操作點包含於飽和範圍中，且如果缺陷像素之陽極具有高阻抗，則缺陷像素之電流藉由預測電阻值而可被修正。
本發明之實施例不限於上述像素結構及同時發射之驅動，且藉由使用各種方法可被施加於各種像素以同時發光，而即使發射像素之像素電路是有缺陷的，藉由從發射裝置將像素電路分離且經由修復線耦合虛擬像素之像素電路，可達到同時發光而沒有亮點或暗點。
根據本發明之實施例，同時發射驅動顯示裝置可被通常的驅動，藉由使用虛擬像素得以輕易地修復缺陷像素而無須將亮點改變成暗點。
雖然本發明之實施例已參考其例示性實施例而特定地顯示及描述，將被所屬技術領域中具有通常知識者理解的是，在不背離由所附申請專利範圍及其等效物所定義之本發明之精神與範疇下，可在形式及細節上作各種改變。

Claims (20)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：複數個發射像素，排列於一顯示區域的行與列中，該複數個發射像素中之每一個包含一發射裝置及耦合於該發射裝置之一第一像素電路；至少一虛擬像素，位於一非顯示區域的每一行中，每一該虛擬像素包含一第二像素電路，位在該複數個發射像素的每一行中；以及一修復線，位在該顯示區域及該非顯示區域的每一行中，其中，每一該修復線係配置以電性耦合於該複數個發射像素中之一的該發射裝置及位於每一行中的該至少一虛擬像素的該第二像素電路。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中相同的一資料訊號被提供至該複數個發射像素中之一及耦合於該修復線的該虛擬像素，其中該複數個發射像素係配置以同時地發光。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該虛擬像素係在該非顯示區域的第一列及最後列中的至少一個。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一像素電路及該第二像素電路具有相同之配置。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中耦合於該修復線之該發射像素之該第一像素電路係從該發射裝置解耦合。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置，其中該發射裝置包含一陽極、一陰極、以及在該陽極與該陰極之間之一發射層，且其中耦合於該修復線之該發射像素之該第一像素電路之一線路係從該發射裝置之該陽極解耦合。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中耦合於該修復線之該發射像素包含接觸該發射裝置之一陽極之一第一導電單元、及用於耦合該第一導電單元於該修復線之一第一接觸金屬，且其中耦合於該修復線之該虛擬像素包含從該第二像素電路延伸之一第二導電單元、及用於耦合該第二導電單元於該修復線之一第二接觸金屬。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一導電單元及該修復線係位於相同層。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該修復線係與該第一像素電路及該第二像素電路之薄膜電晶體之源極電極及汲極電極位於相同層且包含如該第一像素電路及該第二像素電路之該薄膜電晶體之該源極電極及該汲極電極之相同材料。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該修復線係與該陽極位於相同層且包含如該陽極之相同材料。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其進一步包含至少一絕緣層在該修復線與一第一導電單元之間，該第一導電單元接觸耦合於該修復線之該發射像素之該發射裝置之一 陽極，以及位在該修復線與一第二導電單元之間，該第二導電單元耦合於與該修復線耦合之該虛擬像素之該第二像素電路，其中該第一導電單元及該第二導電單元係雷射焊接於該修復線。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一導電單元及該第二導電單元係與該第一像素電路及該第二像素電路之薄膜電晶體之閘極電極位於相同層且包含如該第一像素電路及該第二像素電路之該薄膜電晶體之該閘極電極之相同材料，且其中該修復線係與該薄膜電晶體之源極電極及汲極電極位於相同層且包含如該薄膜電晶體之該源極電極及該汲極電極之相同材料。
  13. 一種驅動有機發光顯示裝置之方法，該有機發光顯示裝置包含：在一顯示區域中的行與列中的複數個發射像素，該複數個發射像素中的每一個包含一發射裝置及耦合於該發射裝置之一第一像素電路；位於一非顯示區域的每一行中的至少一虛擬像素，每一該虛擬像素包含一第二像素電路；以及在該顯示區域及該非顯示區域的每一行中之一修復線，其中每一該修復線係配置以電性耦合於該複數個發射像素中之一的該發射裝置及位於每一行中的該至少一虛擬像素的該第二像素電路， 該方法包含：依序提供一資料訊號至該複數個發射像素及該虛擬像素，其中，提供相同之該資料訊號到耦合於該修復線之該複數個發射像素及耦合於該修復線之該虛擬像素之其中之一，且根據對應於該資料訊號之一驅動電流從該複數個發射像素之該發射裝置同時發光。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該虛擬像素係位在該非顯示區域的對應行之第一列及最後列中之至少一個。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中在一幀中，依序提供該資料訊號係在從該發射裝置同時發光之前。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中依序提供該資料訊號及從該發射裝置同時發光係部分及暫時性地重疊。
  17. 一種修復有機發光顯示裝置之方法，該有機發光顯示裝置包含：在一顯示區域中的行與列中的複數個發射像素，該複數個發射像素中的每一個包含一發射裝置及耦合於該發射裝置之一第一像素電路；位於一非顯示區域的每一行中的至少一虛擬像素，每一該虛擬像素包含一第二像素電路；以及在該顯示區域及該非顯示區域的每一行中之一修復線，該方法包含：將該複數個發射像素之一第一缺陷像素之該發射裝置從該第一缺陷像素之該第一像素電路解耦合； 將該第一缺陷像素之該發射裝置耦合於在與該第一缺陷像素相同行中之該修復線；以及將該修復線耦合於在與該第一缺陷像素相同行中之一第一虛擬像素之該第二像素電路，以使該第一虛擬像素得以接收符合於提供給該第一缺陷像素之該資料訊號之該資料訊號，以經由該修復線提供對應於接收之該資料訊號之驅動電流至該第一缺陷像素之該發射裝置，且用於允許該第一缺陷像素發光。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該第一缺陷像素之該發射裝置與該修復線之耦合包含形成一第一接觸金屬於一第一導電單元上，該第一導電單元耦合於該第一缺陷像素之該發射裝置之一陽極，且其中該修復線與該第一虛擬像素之該第二像素電路之耦合包含形成一第二接觸金屬於一第二導電單元上，該第二導電單元耦合於該第一虛擬像素之該第二像素電路。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該第一缺陷像素之該發射裝置與該修復線之耦合包含使用雷射焊接以電性耦合一第一導電單元於該修復線，該第一導電單元係耦合於該第一缺陷像素之該發射裝置之一陽極，該修復線係藉由至少一絕緣層與該第一導電單元絕緣，且其中該修復線與該第一虛擬像素之該第二像素電路之耦合包含使用雷射焊接以電性耦合一第二導電單元於該修復線，該第二導電單元係耦合於該第一虛擬像素之該第二像素電 路，該修復線係藉由至少一絕緣層與該第二導電單元絕緣。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其進一步包含：將一第二缺陷像素之該發射裝置從該第一像素電路解耦合，該第二缺陷像素係與該第一缺陷像素位在相同行中；切斷該第一缺陷像素與該第二缺陷像素之間之該修復線；以及耦合與該第一缺陷像素在相同行之一第二虛擬像素之該第二像素電路於該修復線之一部分，其中該第一缺陷像素由於該修復線之切斷被電性絕緣，以配置來接收符合於提供至該第二缺陷像素之該資料訊號之該資料訊號，經由該修復線提供對應於接收之該資料訊號之驅動電流至該第二缺陷像素之該發射裝置，且允許該第二缺陷像素發光。
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