TWI679756B - 發光二極體面板及其製作方法 - Google Patents

發光二極體面板及其製作方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI679756B
TWI679756B TW108105698A TW108105698A TWI679756B TW I679756 B TWI679756 B TW I679756B TW 108105698 A TW108105698 A TW 108105698A TW 108105698 A TW108105698 A TW 108105698A TW I679756 B TWI679756 B TW I679756B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting diode
substrate
repair
line segment
Prior art date
Application number
TW108105698A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202032779A (zh
Inventor
羅國隆
Kuo-Lung Lo
劉品妙
Pin-Miao Liu
陳昭文
Jhao-Wun Chen
吳宗典
Tsung-Tien Wu
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Au Optronics Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友達光電股份有限公司, Au Optronics Corporation filed Critical 友達光電股份有限公司
Priority to TW108105698A priority Critical patent/TWI679756B/zh
Priority to US16/544,925 priority patent/US11145630B2/en
Priority to CN201910874200.2A priority patent/CN110676281B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI679756B publication Critical patent/TWI679756B/zh
Publication of TW202032779A publication Critical patent/TW202032779A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一種發光二極體面板包括第一基板、第二基板以及多個顯示單元。顯示單元配置於第一基板與第二基板之間。一個顯示單元具有多個第一區以及被第一區所環繞的第二區。顯示單元包括多個第一發光二極體、多條控制訊號線與第二發光二極體。第一發光二極體的每N個構成一畫素單元，且每一畫素單元位於第一區的其中一者中，其中N為超過1的正整數。控制訊號線配置於第一基板上，且分別朝向第一發光二極體延伸。第二發光二極體配置於第一基板上，位於第二區中，並被第一區圍繞。第二發光二極體電性連接控制訊號線的其中一條。

Description

發光二極體面板及其製作方法
本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種發光二極體面板。
發光二極體具有高發光效能、省電、可靠度佳等功能，已廣泛被應用於各種領域。在顯示領域的應用上，更已發展出以微發光二極體作為顯示結構的顯示面板的技術。微發光二極體面板的製作方式，是將製作完成的微發光二極體陣列以批次轉移的方式接合到基板上，再將接合有微發光二極體的基板與對向基板組立而完成。
微發光二極體的體積微小，其邊長通常小於1毫米（mm），甚至隨技術的發展已有邊長小於10微米（μm）以下的微發光二極體晶粒。微發光二極體並不容易單獨被測試也不容易將單顆微發光二極體獨立的接合到基板上。因此，微發光二極體多為批次的轉移到基板。在將微發光二極體批次的轉移到基板上之前，微發光二極體並未經過測試，這導致轉移到基板上的微發光二極體中可能有部分的微發光二極體是損壞的、失效的或是未順利被轉移的。因此，微發光二極體批次的轉移到基板後，往往需要進一步進行檢測步驟並且對應的修補失效的或是未順利被轉移的微發光二極體，才可以達到理想的良率。
本發明提供一種微發光二極體面板，具有修補結構可供修補而達到理想的良率。
本發明一實施例的發光二極體面板包括第一基板、第二基板以及多個顯示單元。第二基板與第一基板上下組立。顯示單元配置於第一基板與第二基板之間，這些顯示單元的其中一個具有多個第一區以及被這些第一區所環繞的第二區。顯示單元包括多個第一發光二極體、多條控制訊號線與第二發光二極體。第一發光二極體配置於第一基板上，且第一發光二極體的每N個構成一畫素單元，且每一畫素單元位於第一區的其中一者中，其中N為超過1的正整數。控制訊號線配置於第一基板上，且分別朝向第一發光二極體延伸。第二發光二極體配置於第一基板上，位於第二區中，並被第一區圍繞。第二發光二極體電性連接控制訊號線的其中一條。
本發明一實施例的發光二極體面板的製作方法包括以下步驟。將多個第一發光二極體與第二發光二極體轉置到第一基板上，使各第一發光二極體連接於第一基板上所配置的多條控制訊號線。第一發光二極體的每N個構成一畫素單元，且每一畫素單元位於一第一區中，其中N為超過1的正整數。第二發光二極體位於一第二區中，且第二區被多個第一區環繞。進行修補步驟，將第二發光二極體連接到控制訊號線的其中一條。形成修補光調變層於第二基板上。將第一基板與第二基板組立，使修補光調變層疊置於第二發光二極體上。
基於上述，本發明實施例的發光二極體面板除了預定顯示用的第一發光二極體外還包括修補用的第二發光二極體且第二發光二極體的設置區被多個第一發光二極體的設置區包圍。檢測到預定顯示用的第一發光二極體失效時，可以將第二發光二極體電性連接至失效的第一發光二極體的控制訊號線，而以第二發光二極體取代失效的第一發光二極體。如此，可確保發光二極體面板的良率。此外，第二發光二極體可用於修補其周邊多個第一發光二極體中的任一個，以達到良好的修補效率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為本發明一實施例的微發光二極體面板的上視示意圖。請參照圖1，發光二極體面板100包括多個顯示單元DU，這些顯示單元DU在上視圖中是以陣列方列方式排列且顯示單元DU可以分布於整個發光二極體面板100上而不需保留邊框，但本實施例不以此為限。由圖1的顯示單元DU的局部放大圖可知，單個顯示單元DU可包括多個第一發光二極體110與第二發光二極體120。具體來說，可依據第一發光二極體110與第二發光二極體120的排列布局將各顯示單元DU劃分出多個第一區R1以及被多個第一區R1環繞的第二區R2。
多個第一發光二極體110中每N個第一發光二極體110構成一畫素單元PX，且每一畫素單元PX設置於第一區R1的其中一個，其中N為超過1的正整數。在圖1中，N以3為例，但不以此為限。也就是說，以本實施例來說，各個第一區R1可以視為由3個第一發光二極體110所配置的區域定義而成。第一發光二極體110可以發出不同色彩的光線及/或搭配不同的光調變層而用以呈現不同的畫素色彩。舉例而言，單一個第一區R1中的三個第一發光二極體110可分別用以呈現紅、綠、藍三個色彩的色彩組合而構成一個畫素單元PX，但不以此為限。在其他替代實施例中，N可以為2、4或其他數值，而單一個第一區R1中的多個第一發光二極體110可用以呈現紅、綠、藍、白或其他色彩的色彩組合。
第二區R2中則設置了一個第二發光二極體120。在本實施例中，第二區R2周圍有四個第一區R1，且各第一區R1是由一個畫素單元PX定義出來的。因此，可理解第二區R2是指被多個畫素單元PX圍繞的區域。在本實施例中，第一區R1與第二區R2之間可無特定的結構界線，而可依據畫素單元PX的布局方式來判別。
另外，發光二極體面板100的各個顯示單元DU還包括有多條控制訊號線130以及多條共用訊號線140。控制訊號線130分別對應地朝向這些第一發光二極體110延伸，而所有的第一發光二極體110與第二發光二極體120都連接至共用訊號線140。在圖1中，雖然共用訊號線140以多條線表示，但在部份的實施例中，共用訊號線140可以是連續的導電層或是這些共用訊號線140是彼此直接電性連接的。另外，在發光二極體面板100為主動驅動式的設計時，每一個第一發光二極體110可以透過對應的控制訊號線130連接至一個主動元件(未繪示)。當主動元件為電晶體時，主動元件可包括閘極、源極與汲極，且各個控制訊號線130例如可連接至對應的主動元件的汲極。
第一發光二極體110與第二發光二極體120都是微發光二極體，且各微發光二極體可以包括發光二極體晶粒以及設置於發光二極體晶粒上的第一電極與第二電極(也可稱為陰極與陽極)。舉例而言，各第一發光二極體110的陽極可電性連接至對應的一條控制訊號線130，而各第一發光二極體110以及第二發光二極體120的陰極電性連接至共用訊號線140。
在製作發光二極體面板100時，數個顯示單元DU中的第一發光二極體110與第二發光二極體120會藉由批次轉移的方式一併被轉置到基板(未繪示)上，直到所有的顯示單元DU都製作完成後，可檢測這些發光二極體。檢測到失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110(也就是發光效果未達預定標準的第一發光二極體，在此例如以第一發光二極體110X進行說明)時，可製作對應這個第一發光二極體110X的修補線150，利用修補線150將第二發光二極體120的陽極連接到第一發光二極體110X所對應的控制訊號線130。換言之，本實施例中，第二發光二極體120可電性連接其中一條控制訊號線130，且這一條控制訊號線130是朝向失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110X延伸的。如此，第二發光二極體120可替代失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110X進行顯示而達到修補作用。由於第二區R2被多個第一區R1環繞，第二區R2中的第二發光二極體120可用來修補周圍的的一區R1中的任何第一發光二極體110。
在部分的實施例中，檢測出失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110X後，除了製作修補線150外，還可選擇性在第二發光二極體120上設置光調變層，使得第二發光二極體120搭配光調變層後所呈現的色彩相同於失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110X預定要呈現的畫素色彩。如此一來，所有的畫素單元PX都可以呈現正常的顯示效果。
圖2為本發明另一實施例的發光二極體面板的上市示意圖。請參照圖2，發光二極體面板200大致相似於圖1的發光二極體面板100，具有多個顯示單元DU，且各該顯示單元DU劃分有多個第一區R1以及被這些第一區R1包圍的第二區R2。單一個顯示單元DU可包括多個第一發光二極體110、第二發光二極體120、多條控制訊號線130、共用訊號線140以及修補線150，且這些構件的配置關係可參照圖1的相關說明。本實施例與圖1的實施例的差異點之一在於，這些第一發光二極體110中，第一發光二極體110X被檢測出來為無效的，控制訊號線130’為原定要連接至第一發光二極體110X的控制訊號線。同時，第二發光二極體120透過修補線150連接至控制訊號線130’的連接點CP，且這條控制訊號線130’在連接點CP與對應的第一發光二極體110X之間斷開。因此，控制訊號線130’是一條朝向第一發光二極體110X延伸的控制訊號線，但不直接連接第一發光二極體110X。
具體來說，發光二極體面板200的製作方法可大致相同於圖1的發光二極體面板100的製作方法。不過，發光二極體面板200在檢測出第一發光二極體110X為無效的之後，除了形成修補線150以將第二發光二極體120連接至對應的控制訊號線130'之外，更將對應的控制訊號線130’切斷。如此，控制訊號線130’將不會再電性連接至對應的第一發光二極體110X。切斷控制訊號線130’的步驟可以是雷射切割或是其他可以斷開控制訊號線130’的方法。
圖3為本發明一實施例的發光二極體面板的側視示意圖。請參照圖3，發光二極體面板300可以視為前述的發光二極體面板100或200的一種實施方式，因此這些實施例中相同或相似的構件將以相同或相似的元件符號表示。具體而言，有些無法在上視圖中呈現的構件，可在側視圖中呈現出來。在圖3中，發光二極體面板300除了多個第一發光二極體110、第二發光二極體120、多條控制訊號線130、共用訊號線140與修補線150外，還包括第一基板160、第二基板170與阻隔壁180。不過在部分的實施例中，阻隔壁180可被省略，而第一基板160與第二基板170之間可藉由框膠(未繪示)或是其他的組裝結構而上下組立在一起。第一發光二極體110、第二發光二極體120控制訊號線130、共用訊號線140與修補線150都配置於第一基板160上。阻隔壁180則夾於第一基板160與第二基板170之間，以支撐第一基板160與第二基板170之間的間隙。
在圖3中，第一發光二極體110與第二發光二極體120各自的一側接合於第一基板160上而控制訊號線130、共用訊號線140與修補線150都延伸到第一發光二極體110與第二發光二極體120各自的另一側。換言之，圖3中所示的第一發光二極體110與第二發光二極體120使以側向式(lateral type)發光二極體為例進行說明，但在其他替代實施例中，第一發光二極體110與第二發光二極體120可選擇為覆晶式(flip chip type)發光二極體。若採用覆晶式(flip chip type)發光二極體，控制訊號線130、共用訊號線140與修補線150都位於第一發光二極體110與第一基板160之間。
發光二極體面板300製作方法可包括以下步驟且可應用於製作前述的發光二極體面板100或200，但不以此為限。首先，將多個第一發光二極體110與第二發光二極體120轉置到第一基板160上。轉置第一發光二極體110與第二發光二極體120的方法可包括批次轉移。也就是說，第一發光二極體110與第二發光二極體120可預先製作完成並且由承載板承載這些發光二極體。接著，使用拾取器具，例如PDMS模板、真空拾取工具等，自承載板一次取下多個發光二極體，並將同時被取下的多個發光二極體放置並接合於第一基板160上。直到所有顯示單元DU中的發光二極體都被接合到第一基板160後即完成發光二極體的轉置。
在本實施例中，在發光二極體轉置到第一基板160前，控制訊號線130以及共用訊號線140就已製作於第一基板160上。轉置發光二極體的步驟前後或期間，可包括形成導體連接件(未繪示)的步驟，使各第一發光二極體110連接於第一基板160上所配置的多條控制訊號線130以及共用訊號線140並且使第二發光二極體120連接於第一基板160上所配置的共用訊號線140。各第一發光二極體110可透過對應的導體連接件(未繪示)連接於第一基板160上所配置的多條控制訊號線130以及共用訊號線140。第二發光二極體120則透過對應的導體連接件(未繪示)連接於共用訊號線140。此處的導體連接件(未繪示)可包括導電層、導電焊料或打線等，但不以此為限。
接著，可進行檢測步驟，以檢測這些第一發光二極體110是否存在無效發光二極體。若無檢測到無效的發光二極體，可以隨後將第一基板160與第二基板170組立而完成發光二極體面板。若檢測到有失效的或是未順利被轉移的發光二極體，例如第一發光二極體110X，可接續進行修補步驟。修補步驟可包括形成修補線150以將第二發光二極體120連接到控制訊號線130的其中一條，也就是對應於第一發光二極體110X的那一條控制訊號線130。如此一來，第二發光二極體120可以接收原本要傳遞給第一發光二極體110X的訊號，以進行發光。之後，將第一基板160與第二基板170組立即可完成發光二極體面板300。圖3雖然表示著修補線150所連接的控制訊號線130連續延伸到接觸第一發光二極體110X，但在部分實施方式中，修補線150所連接的控制訊號線130與第一發光二極體110X之間可以被斷開。
在部分實施例中，第一發光二極體110X與第二發光二極體120可以發出相同波長範圍(呈現相同色彩)的光。舉例而言，失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110X例如為藍色發光二極體，第二發光二極體120亦為藍色發光二極體。因此，第二發光二極體120本身即可取代失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110X，提供相同色彩的光線。在其他的實施例中，如果第二發光二極體120本身所發出的光線的色彩不同於第一發光二極體110X預定要呈現的色彩，則修補步驟可進一步包括在第二發光二極體120上形成修補光調變層。
圖4為本發明又一實施例的發光二極體面板的側視示意圖。在圖4中，發光二極體面板400大致相似於圖3的發光二極體面板300，包括多個第一發光二極體110、第二發光二極體120、多條控制訊號線130、共用訊號線140、修補線150、第一基板160、第二基板170與阻隔壁180，且這些構件的配置關係可參照圖3的相關說明。本實施例與圖3的實施例的差異點之一在於，發光二極體面板400更包括修補光調變層190。具體而言，修補光調變層190配置於第二基板170上，且修補光調變層190疊置於第二發光二極體120上。
發光二極體面板400的製作方法可包括前述的發光二極體面板300的製作方法所有步驟，且更包括對應於第二發光二極體120的配置位置將修補光調變層190形成於第二基板170上的步驟。在本實施例中，當第一發光二極體110都轉置於第一基板170且連接至對應的控制訊號線130與共用訊號線140後，可進行發光二極體的檢測。檢測到失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110X之後，除了形成修補線150以將第二發光二極體120與對應的控制訊號線130連接外，還在第二基板170上形成對應於第二發光二極體120的配置位置處的修補光調變層190。
修補光調變層190具有改變、調整或是過濾經過它的光線的波長範圍的功能，而可用以搭配第二發光二極體120而呈現出需要的色彩。藉由修補光調變層190的種類的選擇，可使第二發光二極體120發出的光線經過修補光調變層190後呈現出失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110X所預定要呈現的色彩，以達修補作用。
舉例而言，失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110X預定呈現的子畫素顏色為紅色時，修補光調變層190的種類需選擇為可使第二發光二極體120發出的光線通過修補光調變層190後呈現出紅色。相似的，失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110X預定呈現的子畫素顏色為藍色或綠色時，修補光調變層190的種類需選擇為可使第二發光二極體120發出的光線通過修補光調變層190後呈現出藍色或綠色。
再舉例而言，第二發光二極體120為白光發光二極體時，修補光調變層190可以為彩色濾光層。第二發光二極體120為藍光發光二極體或紫外光發光二極體時，修補光調變層190可以為波長轉換層。彩色濾光層是指可以過濾光線波長以允許特定波長範圍的光線通過其他波長範圍的光線被吸收或遮擋的構件，其材質包括染料、特定波長的光吸收材料等。波長轉換層是指可以吸收某一波長範圍的光線並發出另一波長範圍的光線的構件，其材質包括螢光材料、量子點材料、磷光材料等。
另外，製作修補光調變層190於第二基板170上之前，可以先在第二基板170上製作阻隔壁180，其中阻隔壁180圍繞出多個配置空間SP，且各個配置空間SP對應於第一發光二極體110與第二發光二極體120的其中一個。接續製作修補光調變層190時，可將光調變材料(例如彩色濾光材料、光吸收材料、螢光材料、磷光材料或是量子點材料等)以噴墨、微影、印刷等方式形成在對應於第二發光二極體120的配置空間SP中。因此，修補光調變層190可被阻隔壁180圍繞。
完成修補光調變層190於第二基板170之後，可將第一基板160與第二基板170組立而構成發光二極體面板400。在此，第一基板160與第二基板170組立的方式例如是使得修補光調變層190疊置於第二發光二極體120上，且第一發光二極體110與第二發光二極體120都設置於第一基板160與第二基板170之間。
圖5為本發明再一實施例的發光二極體面板的側視示意圖。圖5的發光二極體面板500大致相似於圖4的發光二極體面板400，包括多個第一發光二極體110、第二發光二極體120、多條控制訊號線130、共用訊號線140、修補線150、第一基板160、第二基板170與阻隔壁180，且這些構件的配置關係可參照圖4的相關說明。本實施例與圖4的實施例的差異點之一在於，發光二極體面板500所包括的修補光調變層190’包括第一子層192與第二子層194，其中第一子層192與第二子層194其中一者為彩色濾光層而另一者為波長轉換層。
在本實施例中，第二發光二極體120所發出的光的波長範圍例如適於激發波長轉換層，使波長轉換層將第二發光二極體120所發出的光的波長範圍轉換成其他波長範圍再發出。舉例而言，第二發光二極體120可為藍光發光二極體或是紫外光發光二極體，但不以此為限。另外，本實施例的彩色濾光層可用以過濾第二發光二極體120所發出的光的波長範圍及或波長轉換層發出的光的波長範圍。如同前述實施例所述，修補光調變層190’用以調整或改變第二發光二極體120發出的光線的色彩使調整或改變後的光的色彩相同於所要修補的失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110X預定要提供的色彩。
圖6為本發明又一實施例的發光二極體面板的側視示意圖。圖6的發光二極體面板600大致相似於圖4的發光二極體面板400，包括多個第一發光二極體110、第二發光二極體120、多條控制訊號線130、共用訊號線140、修補線150、第一基板160、第二基板170、阻隔壁180與修補波長調變層190，且這些構件的配置關係可參照圖4的相關說明。本實施例與圖4的實施例的差異點之一在於，發光二極體面板600還包括有畫素光調變層195。畫素光調變層195配置於第二基板170上，畫素光調變層195的數量為多個，且各自疊置於第一發光二極體110的其中一個上。在本實施例中，畫素光調變層195可以至少對應於部分的第一發光二極體110而設置，以使各個第一發光二極體110用於呈現出對應的色彩。
舉例而言，在單一個第一區R1中設有三個第一發光二極體110時，其中一個第一發光二極體110可不搭配畫素光調變層，另一個第一發光二極體110搭配畫素光調變層195A，而剩餘的第一發光二極體110搭配畫素光調變層195B。畫素光調變層195A可用於將對應的第一發光二極體110發出的光線的波長範圍改變或過濾而呈現出第一色彩，畫素光調變層195B可用於將對應的第一發光二極體110發出的光線的波長範圍改變或過濾而呈現出第二色彩，而沒有搭配畫素光調變層195的對應的第一發光二極體110發出的光線的波長範圍適於呈現出第三色彩。第一色彩、第二色彩與第三色彩可彼此不同，例如為紅色、綠色與藍色的組合。此時，利用三個色彩的發光亮度比例調整，就可實現不同灰階畫面的顯示。本實施例的所有第一發光二極體110可以都是藍色發光二極體，但本發明不以此為限。在其他實施例中，所有第一發光二極體110可以都對應一個畫素光調變層195，且所有第一發光二極體110可以都為白光發光二極體、藍光發光二極體或是都為紫外光發光二極體。
第二發光二極體120用以修補失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110X。第二發光二極體120所發出的光通過所對應的修補光調變層190後呈現出相同於第一發光二極體110X所發出的光通過所對應的畫素光調變層195A後所呈現的色彩。在部分的實施例中，修補光調變層190與畫素光調變層195A可為相同材質構成的彩色濾光層。在一部分實施例中，修補光調變層190與畫素光調變層195可分別為噴墨印刷方式製作與微影方式製作。
第一發光二極體110X與第二發光二極體120可以都是白光發光二極體，而修補光調變層190與畫素光調變層195可以都是彩色濾光層。另外，在其他實施例中，第一發光二極體110X與第二發光二極體120可以都是藍光發光二極體或是紫外光發光二極體，且修補光調變層190與畫素光調變層195各自可包括波長轉換層或是由波長轉換層與彩色濾光層的疊層構成。
圖7為本發明再一實施例的發光二極體面板的上視示意圖。在圖7中，發光二極體面板700，類似於圖1的發光二極體面板100，包括多個顯示單元DU，各顯示單元DU可劃分出多個第一區R1與被這些第一區R1圍繞的第二區R2。單一個顯示單元DU可包括多個第一發光二極體110與多個第二發光二極體120。多個第一發光二極體110中每N個構成一個畫素單元PX，且各畫素單元PX設置於第一區R1的其中一個，其中N為超過1的正整數。本實施例不同於發光二極體面板100的差異點之一在於，第二區R2中設置有多個第二發光二極體120。圖7中以單一個第二區R2中設置3個第二發光二極體120為例，但本發明並不以此為限。另外，單一個顯示單元DU還可包括多條控制訊號線130、多條共用訊號線140及多條修補線150，其中第一發光二極體110、第二發光二極體120、控制訊號線130、共用訊號線140及修補線150的配置方式可參照圖1的相關說明，在此不另贅述。
在發光二極體面板700中，第二區R2中的三個第二發光二極體120都用以替代這些第一發光二極體110中的失效者或是未順利被轉移者，以達成修補作用。因此，設置在單一第二區R2中的多個第二發光二極體120中，不同第二發光二極體120可以電性連接控制訊號線130的不同條，而這幾條控制訊號線130例如是朝向失效的或是未順利被轉移的那些第一發光二極體110延伸。在圖7中，每個第二發光二極體120都對應的連接至一條修補線150，且這些修補線150用以將第二發光二極體120電性連接到對應的控制訊號線130。不過，在部分實施例中，單一第二區R2中的多個第二發光二極體120可以僅有一部分提供修補作用，而未供修補作用的第二發光二極體120可不與任何修補線連接而被閒置。
由於第二區R2被多個第一區R1環繞，第二區R2中的第二發光二極體120可用來修補周圍的第一區R1中的任何第一發光二極體110。舉例而言，在圖7中，第二區R2中的三個第二發光二極體120分別用於修補三個不同第一區R1中的第一發光二極體110。為了方便描述，此處將三個第二發光二極體120分別編號為第二發光二極體120A、第二發光二極體120B與第二發光二極體120C，且顯示單元DU中的多條修補線150分別編號為修補線150A、修補線150B與修補線150C，其分別對應連接第二發光二極體120A、120B與120C。第二發光二極體120A可透過修補線150A連接至位於左上角的第一區R1中的失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110XA。第二發光二極體120B可透過修補線150B連接至位於右上角的第一區R1中的失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110XB。第二發光二極體120C可透過修補線150C連接至位於右下角的第一區R1中的失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110XC。不過，這樣的修補線150布局方式僅是舉例說明之用，在其他實施方式中，各條修補線150的延伸路徑可依照失效的或是未順利被轉移的發光二極體的位置而決定。
第一發光二極體110各自用以呈現指定的色彩，例如紅色、綠色或藍色。因此，除了將第二發光二極體120在電性上可連接到對應的失效或是未順利被轉移的第一發光二極體110的訊號控制線130外，還需要使第二發光二極體120所發出的光線呈現出對應的失效或是未順利被轉移的第一發光二極體110XA、110XB或110XC所要呈現的顏色，才可達到修補作用。舉例而言，左上角的第一區R1中的第一發光二極體110XA如果是用以呈現藍色，則對應的第二發光二極體120A需要可以呈現藍色光的設計。相似的，左上角的第一區R1中的失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110XA如果是用以呈現紅色或綠色，則對應的第二發光二極體120A需要可以呈現紅色光或綠色光的設計。同樣的，第二發光二極體120B與120C也需要對應於第一發光二極體110XB與110XC預定要呈現的色彩而具有對應的設計。
圖8為本發明一實施例的發光二極體面板的第二區的側面示意圖。圖8可用以說明圖7中在第二區R2中的多個第二發光二極體120可呈現需要的色彩的實施方式，但不以此為限。圖8所呈現的第二區R2中，除了第二發光二極體120外，還顯示了第一基板160、第二基板170、阻隔壁180以及修補光調變層190，其中第二發光二極體120、第一基板160、第二基板170、阻隔壁180以及修補光調變層190彼此配置關係可參照圖4的相關說明，而不另贅述。另外，修補光調變層190可由圖5的修補光調變層190’取代而具有多層結構。
具體而言，第二發光二極體120A所發出的光線的色彩與預定要修補的第一發光二極體110XA(如圖7所示)相同，因此第二發光二極體120A可不需搭配修補光調變層190。第二發光二極體120B及120C所發出的光線的色彩與預定要修補的第一發光二極體110XB及110XC(如圖7所示)不同，因此第二發光二極體120B與120C上分別疊置有修補光調變層190A與190B。
在部分實施例中，第二發光二極體120B及120C所要修補的第一發光二極體110XB與110XC分別用來呈現不同的色彩，因此搭配第二發光二極體120B的修補光調變層190A可與搭配第二發光二極體120C的修補光調變層190B不同。不過，第二發光二極體120B及120C所要修補的第一發光二極體110用來呈現相同的色彩時，搭配第二發光二極體120B的修補光調變層190A可與搭配第二發光二極體120C的修補光調變層190B相同。另外，本實施例雖未呈現第一區R1的側面示意圖，但第一區R1的側面示意圖可以相同於圖3或圖6所呈現的結構。在第一區R1的側面示意圖相同於圖6所呈現的結構時，至少部分的第一發光二極體上可疊置有畫素光調變層以使各第一發光二極體搭配畫素光調變層後可用來呈現出預定的色彩，且畫素光調變層可與修補光調變層採用相同或是不同的製作方式來製作，其詳細手段可參照圖6的相關說明。
圖9為本發明再一實施例的發光二極體面板的上視示意圖。在圖9中，發光二極體面板900大致相似於圖1的發光二極體面板100。具體來說，發光二極體面板900可具有多個顯示單元DU，且包括多個第一發光二極體110、多個第二發光二極體120及對應的訊號線(未繪示)。各個顯示單元DU可依照第一發光二極體110與第二發光二極體120的排列方式劃分成多個第一區R1以及被多個第一區R1環繞的第二區R2。具體來說，上視圖中，第一發光二極體110、第二發光二極體120、第一區R1、第二區R2及顯示單元DU排列方式可參照圖1的相關說明。
在本實施例中，第一發光二極體110與第二發光二極體120可以是透過批次轉移的方式轉置到發光二極體面板900的基板(未繪示)上的。在圖9中，發光二極體面板900上標示了多個轉移區ST，各轉移區ST可以對應於轉移治具的尺寸，且各轉移區ST可理解為這個區域內的所有發光二極體都是在同一次的轉移步驟中轉置到發光二極體面板900的基板上的。
在本實施例中，單一個轉移區ST可包括多個顯示單元DU，且不同顯示單元DU內具有的第二發光二極體120的數量不同。舉例而言，在圖9所放大的單個轉移區ST的局部區域中，顯示單元DUA、DUB與DUC是由轉移區ST的中央向周圍依序排列。在此，顯示單元DUA中設置了一個第二發光二極體120，顯示單元DUB中設置了兩個第二發光二極體120，而顯示單元DUC中設置了四個第二發光二極體120。如此，在轉移區ST周邊的顯示單元DUC可以提供較多個修補用的第二發光二極體120，但本發明不以此為限。在其他實施例中，可以對應於轉移區ST中相對容易存在失效或是未順利被轉移的發光二極體的區域設置較多的第二發光二極體，而不限制在轉移區ST周邊設置較多第二發光二極體。另外，圖9的發光二極體面板900具有多個轉移區ST僅是示例性說明之用，在其他實施例中，發光二極體面板可具有較小顯示面積而僅包括單個轉移區。具體而言，發光二極體面板中的轉移區的數量會隨發光二極體面板的顯示面積大小而改變，並不限定是多個或是單個。
圖10為本發明又一實施例的發光二極體面板的局部上視示意圖。圖10中呈現了發光二極體面板1000中四個顯示單元DU的上視示意圖，且圖10省略了控制訊號線與共用訊號線，不過這些省略個構件可參照圖1的相關說明。具體而言，各顯示單元DU包括多個第一發光二極體110、多個第二發光二極體120以及多條修補線150，其中第一發光二極體110、第二發光二極體120的配置關係可參照圖7的相關說明。圖10的修補線150僅示意性的表示為連接於各第二發光二極體120與對應修補的第一發光二極體110之間，但修補線150的具體連接方式可參照前述圖7。由圖10可知，不同顯示單元DU中的第二發光二極體120與對應修補的第一發光二極體110的相對位置不同。另外，在圖10中位於右下角的顯示單元DU中，其中一個第二發光二極體120並不用以修補任何第一發光二極體110而呈現閒置。
圖11為本發明再一實施例的發光二極體面板的局部上視示意圖。在圖11中呈現了發光二極體面板1100中多個第一區R1與多個第二區R2的排列配置。在本實施例中，各第一區R1中設置多個第一發光二極體110，各第二區R2中設置一個第二發光二極體，但在其他實施例中，各第二區R2可設置有多個第二發光二極體120。另外，發光二極體面板1100中的多個第一區R1與多個第二區R2例如分別以陣列方式排列，而第一區R1與第二區R2的行數相同但第二區R2的列數少於第一區R1的列數。另外，其中兩列的第一區R1之間可不設置有第二區R2。如此一來，每個第一區R1可與右側的相鄰第一區R1共用一個第二區R2也可與左側的相鄰第一區R1共用一個第二區R2。將多個第一區R1包圍單個第二區R2定義為一個顯示單元DU時，顯示單元DU1與顯示單元DU2可包含相同的第一區R1。
圖12為本發明又另一實施例的發光二極體面板的局部上視示意圖。在圖12中呈現了發光二極體面板1200中多個第一區R1與多個第二區R2的排列配置，其中發光二極體面板1200的第二區R2的配置密度比發光二極體面板1100高。具體來說，發光二極體面板1200中的多個第一區R1與多個第二區R2例如分別以陣列方式排列，而第一區R1與第二區R2的行數相同且列數也相同。如此一來，行方向相鄰兩個第一區R1可共用一個第二區R2且列方向相鄰兩個第一區R1也可共用一個第二區R2。圖11與圖12的實施例中，各個第二區R2僅設置一個第二發光二極體120，但本發明不以此為限。在其他實施例中，各個第二區R2可設置有多個第二發光二極體，且不同第二區R2可設置不同數量的第二發光二極體。
圖13為本發明一實施例的發光二極體面板的局部側視示意圖，其中圖13用以說明發光二極體面板中第二發光二極體透過對應的修補線連接至失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體的示例性實施方式，因此為了方便說明，圖13省略了發光二極體面板的部分構件。圖13所呈現的修補線的設計可應用於前述任何實施例的修補線的實施方式。具體而言，在圖13中，發光二極體面板1300包括第一發光二極體110X、第二發光二極體120、控制訊號線130、共用訊號線140、修補線150I、第一基板160與第二基板170。第一發光二極體110X例如為失效的或是未順利被轉移的發光二極體，因此本實施例利用修補線150I將第二發光二極體120連接至對應於第一發光二極體110X的控制訊號線130，以使第二發光二極體120替代第一發光二極體110X。
第一基板160與第二基板170上下組立。第一發光二極體110X、第二發光二極體120、控制訊號線130、共用訊號線140都配置於第一基板160上。修補線150I則配置於第二基板170上。另外，發光二極體面板1300更包括連接件C150，連接件C150配置於第一基板160與第二基板170之間且連接件C150的數量有兩個，其中一個連接件C150連接於修補線150I與第二發光二極體120之間，而另一個連接件C150連接於對應於第一發光二極體110X的一條控制訊號線130與修補線150I之間。也就是說，本發明的修補線既可以如圖3設置於發光二極體所設置的第一基板170上也可以如圖13設置於沒有發光二極體的第二基板170上。在圖13中，控制訊號線130雖然連續延伸到連接於第一發光二極體110X，但在其他實施例中，控制訊號線130在與連接件C150連接處至第一發光二極體110X之間可被斷開。
圖14為本發明一實施例的發光二極體面板的單個顯示單元的線路佈局示意圖。在圖14中，顯示單元DU包括多個第一發光二極體110、一第二發光二極體120、多條控制訊號線130、多條共用訊號線140、以及修補線150II。第一發光二極體110、第二發光二極體120、控制訊號線130與共用訊號線140的配置關係可參照前述實施例，而不另贅述。在此，修補線150II可用以將第二發光二極體120連接到其中一個第一發光二極體110所連接的控制訊號線130，且修補線150II包括第一線段152、第二線段154與連接結構156。第一線段152與第二線段154的其中一者連接至控制訊號線130的其中一條，第一線段152與第二線段154的另一者連接至第二發光二極體120，且連接結構156將第一線段152與第二線段154連接。具體而言，本實施例是以第一線段152連接到控制訊號線130，而第二線段154連接到第二發光二極體120為例來進行說明。
第一線段152與第二線段154可以是預先製作於發光二極體面板的基板上的線路。在部分實施例中，第一線段152、第二線段154可與控制訊號線130以相同膜層製作，但不以此為限。另外，第一線段152的數量可相同於第一發光二極體110的數量，且每條第一線段152都不直接連接第二線段154。在檢測到顯示單元DU中存在失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110後，可以進一步形成連接結構156，以將失效的或是未順利被轉移的第一發光二極體110所對應的第一線段152連接至第二線段154以達成修補。此時，其他的第一線段152仍不連接至第二線段154。另外，可類似於圖2，將控制訊號線130在與修補線150II連接點CP以及對應的第一發光二極體110之間斷開。本實施例的修補線150II的結構可以應用於前述發光二極體面板100~1200的任一者中，以作為前述修補線150的一種可能實施方式。
圖15為本發明另一實施例的發光二極體面板的單個顯示單元的線路佈局示意圖。在圖15中，顯示單元DU包括多個第一發光二極體110、一第二發光二極體120、多條控制訊號線130、多條共用訊號線140、以及修補線150III。 第一發光二極體110、第二發光二極體120、控制訊號線130與共用訊號線140的配置關係可參照前述實施例，而不另贅述。在此，修補線150III可做為前述實施例中的修補線150的另一種實施方式。具體來說，修補線150III，類似於修補線150I，包括第一線段152’、第二線段154'以及連接結構156’。修補線150III不同於修補線150II之處主要在於，第一線段152’與第二線段154'彼此交錯但不直接連接，而連接結構156’設置於連接於第一線段152’與第二線段154’的交錯處CR。
圖16為修補線150III在一實施例中的剖面示意圖。修補線150III可由第一導電層L1、第二導電層L2與熔接結構W構成。具體而言，圖15中的修補線150III的第一線段152'可由第一導電層L1與第二導電層L2其中一者構成，而第二線段154’則由第一導電層L1與第二導電層L2的另一者構成。也就是說，第一線段152’所在膜層與第二線段154’所在膜層不同。熔接結構W則構成圖15中的連接結構156’。由圖16可知，第一導電層L1與第二導電層L2為不同膜層，而熔接結構W為連接於不同膜層之間的導體構件。如此，第一線段152’與第二線段154’雖彼此交錯，卻不直接連接。
圖17為本發明又一實施例的發光二極體面板的單個顯示單元的線路佈局示意圖。在圖17中，顯示單元DU包括多個第一發光二極體110、一第二發光二極體120、多條控制訊號線130、多條共用訊號線140、以及修補線150IV。 第一發光二極體110、第二發光二極體120、控制訊號線130與共用訊號線140的配置關係可參照前述實施例，而不另贅述。在此，修補線150IV除了第一線段152、第二線段154與連接結構156外，還包括第三線段158。具體而言，本實施例設置有多條第一線段152、多條第二線段154與多個第二發光二極體120，其中各第一線段152連接至控制訊號線130的其中一條，而各第二線段154則連接至第二發光二極體120的其中一個。
另外，本實施例的修補線150IV更包括第三線段158。在顯示單元DU中，第三線段158有多條，且各第三線段158橫越第一線段152與第二線段154。具體而言，第三線段158的數量可相同於第二發光二極體120的數量。連接結構156則用以將要修補的第一發光二極體110所對應的控制訊號線130與其中一個第二發光二極體120電性連接。在此，連接結構156包括將其中一條第一線段152連接至對應的第三線段158的連接結構156A以及將其中一條第二線段154連接至對應的第三線段158的連接結構156B。圖17中的連接結構156A與156B的設置位置僅是舉例說明之用，在其他實施例中，連接結構156A與156B的設置位置可依照要修補的第一發光二極體110與對應提供修補作用的第二發光二極體120的設置位置而決定。
在本實施例中，第三線段158可以不直接連接第一線段152或第二線段154且各第一線段152之間不彼此連接，但本發明不以此為限。在其他的實施例中，第三線段158可以直接連接第一線段152或第二線段154，而在製作完連接結構156後可進一步進行斷線步驟，例如雷射切割，將不需要連接至第三線段158的第一線段152或第二線段154斷開，以建立需要的電性連接路徑。在其他可能的實施例中，第一線段152、第二線段154與第三線段158可以彼此直接連接，而在檢測到失效的或是未順利被轉移的發光二極體之後，可進進行修補線切割步驟，以將不需要連接在一起的第一線段152、第二線段154與第三線段158切斷。
綜上所述，本發明實施例的發光二極體面板中，將顯示單元劃分出預多個第一區以及被多個第一區包圍的第二區。各第一區中設置有多個第一發光二極體，第二區中則設置有一或多個第二發光二極體，且位於第二區中的第二發光二極體是用來提供修補作用的發光二極體。第二發光二極體可搭配修補光調變層以呈現出所要修補的第一發光二極體預定要呈現的色彩。此外，第二發光二極體可用以修補其周圍的多個第一區中任一者的第一發光二極體。因此，本發明實施例的發光二極體面板所具有的供修補結構可達成高修補效率，也因此使發光二極體面板的良率提升。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300‧‧‧發光二極體面板
110、110X‧‧‧第一發光二極體
120、120A、120B、120C‧‧‧第二發光二極體
130、130’‧‧‧控制訊號線
140‧‧‧共用訊號線
150、150I、150II、150III、150IV‧‧‧修補線
152、152’‧‧‧第一線段
154、154’‧‧‧第二線段
156、156’、156A、156B‧‧‧連接結構
158‧‧‧第三線段
160‧‧‧第一基板
170‧‧‧第二基板
180‧‧‧阻隔壁
190、190A、190B‧‧‧修補光調變層
192‧‧‧第一子層
194‧‧‧第二子層
195、195A、195B‧‧‧畫素光調變層
C150‧‧‧連接件
CP‧‧‧連接點
CR‧‧‧交錯處
DU、DU1、DU2、DUA、DUB、DUC‧‧‧顯示單元
L1‧‧‧第一導電層
L2‧‧‧第二導電層
PX‧‧‧畫素單元
R1‧‧‧第一區
R2‧‧‧第二區
SP‧‧‧配置空間
ST‧‧‧轉移區
W‧‧‧熔接結構
圖1為本發明一實施例的微發光二極體面板的上視示意圖。
圖2為本發明另一實施例的發光二極體面板的上市示意圖。
圖3為本發明一實施例的發光二極體面板的側視示意圖。
圖4為本發明又一實施例的發光二極體面板的側視示意圖。
圖5為本發明再一實施例的發光二極體面板的側視示意圖。
圖6為本發明又一實施例的發光二極體面板的側視示意圖。
圖7為本發明再一實施例的發光二極體面板的上視示意圖。
圖8為本發明一實施例的發光二極體面板的第二區的側面示意圖。
圖9為本發明再一實施例的發光二極體面板的上視示意圖。
圖10為本發明又一實施例的發光二極體面板的局部上視示意圖。
圖11為本發明再一實施例的發光二極體面板的局部上視示意圖。
圖12為本發明又另一實施例的發光二極體面板的局部上視示意圖。
圖13為本發明一實施例的發光二極體面板的局部側視示意圖。
圖14為本發明一實施例的發光二極體面板的單個顯示單元的線路佈局示意圖。
圖15為本發明另一實施例的發光二極體面板的單個顯示單元的線路佈局示意圖。
圖16為修補線150III在一實施例中的剖面示意圖。
圖17為本發明又一實施例的發光二極體面板的單個顯示單元的線路佈局示意圖。

Claims (23)

  1. 一種發光二極體面板，包括：第一基板；第二基板，與該第一基板上下組立；以及多個顯示單元，配置於該第一基板與該第二基板之間，該些顯示單元的其中一個具有多個第一區以及被該些第一區所環繞的第二區，且包括：多個第一發光二極體，配置於該第一基板上，且該些第一發光二極體的每N個構成一畫素單元，且每一該畫素單元位於該些第一區的其中一者中，其中N為超過1的正整數；多條控制訊號線，配置於該第一基板上，分別朝向該些第一發光二極體延伸；第二發光二極體，配置於該第一基板上，位於該第二區中，並被該些第一區圍繞；以及修補線，連接至該些控制訊號線的該其中一條與該第二發光二極體，且其中該第二發光二極體電性連接該些控制訊號線的其中一條。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體面板，其中該些控制訊號線的該其中一條在與該修補線的連接點至該些第一發光二極體的該其中一個之間斷開。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體面板，其中該修補線配置於該第二基板上，且該發光二極體面板更包括連接件，連接於該修補線與該第二發光二極體之間以及連接於該些控制訊號線的該其中一條與該修補線之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體面板，其中該修補線包括第一線段、第二線段以及連接結構，該第一線段與該第二線段的其中一者連接至該些控制訊號線的該其中一條，該第一線段與該第二線段的另一者連接至該第二發光二極體，且該連接結構將該第一線段與該第二線段連接。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體面板，其中該第一線段所在膜層與該第二線段所在膜層不同，該第一線段與該第二線段交錯且該連接結構包括位於該第一線段與該第二線段的交錯處的熔接結構。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體面板，其中該修補線還包括第三線段，該第三線段橫越該第一線段與該第二線段，該連接結構將該第一線段連接至該第三線段且也將該第二線段連接至該第三線段。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體面板，其中該顯示單元更包括修補光調變層，配置於該第二基板上，且疊置於該第二發光二極體上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體面板，其中該第二發光二極體為白光發光二極體，而該修補光調變層包括彩色濾光層。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體面板，其中該第二發光二極體為藍光發光二極體或紫外光發光二極體，而該修補光調變層包括波長轉換層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的發光二極體面板，其中該修補光調變層更包括彩色濾光層。
  11. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體面板，更包括阻隔壁，配置於該第二基板上，位於該第一基板與該第二基板之間，且該阻隔壁圍繞該修補光調變層。
  12. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體面板，更包括畫素光調變層，配置於該第二基板上，且疊置於該些第一發光二極體的該其中一個上。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體面板，其中該些控制訊號線的該其中一條所對應的第一發光二極體為無效發光二極體。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體面板，其中該些顯示單元的該其中一個所包括的該第二發光二極體的數量為多個，且不同第二發光二極體電性連接該些控制訊號線的不同條。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體面板，其中不同顯示單元內的第二發光二極體數量不同。
  16. 一種發光二極體面板的製作方法，包括：將多個第一發光二極體與第二發光二極體轉置到第一基板上，使各該第一發光二極體連接於該第一基板上所配置的多條控制訊號線，其中該些第一發光二極體的每N個構成一畫素單元，且每一該畫素單元位於一第一區中，其中N為超過1的正整數，並且該第二發光二極體位於一第二區中，該第二區被多個第一區環繞；進行修補步驟，將該第二發光二極體連接到該些控制訊號線的其中一條；形成修補光調變層於第二基板上；以及將該第一基板與該第二基板組立，使該修補光調變層疊置於該第二發光二極體上。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的發光二極體面板的製作方法，其中進行該修補步驟之前，更進行檢測步驟，檢測該些第一發光二極體是否存在無效的第一發光二極體。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的發光二極體面板的製作方法，其中該第二發光二極體所連接的該些控制訊號線的該其中一條朝向該無效的第一發光二極體延伸。
  19. 如申請專利範圍第16項所述的發光二極體面板的製作方法，其中進行該修補步驟之前更形成畫素光調變層於該第二基板上，且將該第一基板與該第二基板組立的步驟使該畫素光調變層疊置於該些第一發光二極體的其中一者上。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的發光二極體面板的製作方法，其中形成該修補光調變層的方法與形成該畫素光調變層的方法不同。
  21. 如申請專利範圍第16項所述的發光二極體面板的製作方法，其中該修補步驟更包括斷開該些控制訊號線的該其中一條，使該些控制訊號線的該其中一條與對應的第一發光二極體電性斷路。
  22. 如申請專利範圍第16項所述的發光二極體面板的製作方法，其中形成該修補光調變層的方法選自於黃光製程、噴墨製程、印刷製程中至少一者。
  23. 如申請專利範圍第16項所述的發光二極體面板的製作方法，其中形成該修補光調變層之前更形成阻隔壁於該第二基板上，且該修補光調變層形成於該阻隔壁所圍繞的配置空間中。
TW108105698A 2019-02-20 2019-02-20 發光二極體面板及其製作方法 TWI679756B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108105698A TWI679756B (zh) 2019-02-20 2019-02-20 發光二極體面板及其製作方法
US16/544,925 US11145630B2 (en) 2019-02-20 2019-08-20 Light emitting diode panel and manufacturing method thereof
CN201910874200.2A CN110676281B (zh) 2019-02-20 2019-09-17 发光二极管面板及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108105698A TWI679756B (zh) 2019-02-20 2019-02-20 發光二極體面板及其製作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI679756B true TWI679756B (zh) 2019-12-11
TW202032779A TW202032779A (zh) 2020-09-01

Family

ID=69078467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108105698A TWI679756B (zh) 2019-02-20 2019-02-20 發光二極體面板及其製作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11145630B2 (zh)
CN (1) CN110676281B (zh)
TW (1) TWI679756B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10971058B1 (en) 2020-02-21 2021-04-06 Au Optronics Corporation Display apparatus
US11532775B2 (en) 2020-01-30 2022-12-20 Au Optronics Corporation Display panel and manufacturing method thereof

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7333226B2 (ja) * 2019-08-28 2023-08-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法及び表示装置
US11476301B2 (en) * 2020-01-14 2022-10-18 Au Optronics Corporation Display apparatus and manufacturing method thereof
EP3993031A1 (en) * 2020-10-30 2022-05-04 InnoLux Corporation Electronic device
TW202218144A (zh) * 2020-10-30 2022-05-01 群創光電股份有限公司 顯示裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8994056B2 (en) * 2012-07-13 2015-03-31 Intematix Corporation LED-based large area display
TW201637194A (zh) * 2015-03-10 2016-10-16 三星顯示器有限公司 有機發光二極體顯示器
US9865832B2 (en) * 2013-03-15 2018-01-09 Apple Inc. Light emitting diode display with redundancy scheme
CN109285868A (zh) * 2018-09-26 2019-01-29 武汉天马微电子有限公司 一种oled显示面板及oled显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014149864A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme and method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
KR101993334B1 (ko) * 2013-04-01 2019-06-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법 및 유기 발광 표시 장치의 구동 방법
KR102145850B1 (ko) * 2014-05-30 2020-08-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치와 픽셀의 리페어 방법
US10224460B2 (en) * 2014-06-18 2019-03-05 X-Celeprint Limited Micro assembled LED displays and lighting elements
KR102262430B1 (ko) * 2015-02-09 2021-06-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI557702B (zh) 2015-06-01 2016-11-11 友達光電股份有限公司 顯示面板及其修補方法
KR20160149384A (ko) * 2015-06-17 2016-12-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN105679798B (zh) * 2016-01-22 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示装置及其像素修复方法
CN108257516A (zh) * 2016-12-29 2018-07-06 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 显示器及其修补方法
TWI646680B (zh) * 2017-01-10 2019-01-01 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體晶片以及顯示面板
CN107342023A (zh) 2017-08-17 2017-11-10 海迪科（南通）光电科技有限公司 一种具有共用冗余子像素点的led阵列显示器件
CN107565054B (zh) * 2017-08-25 2020-04-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled像素结构及其修复方法
CN107507926B (zh) 2017-08-30 2020-04-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled像素结构及其修复方法
KR102561178B1 (ko) * 2018-06-08 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10714001B2 (en) * 2018-07-11 2020-07-14 X Display Company Technology Limited Micro-light-emitting-diode displays

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8994056B2 (en) * 2012-07-13 2015-03-31 Intematix Corporation LED-based large area display
US9865832B2 (en) * 2013-03-15 2018-01-09 Apple Inc. Light emitting diode display with redundancy scheme
TW201637194A (zh) * 2015-03-10 2016-10-16 三星顯示器有限公司 有機發光二極體顯示器
CN109285868A (zh) * 2018-09-26 2019-01-29 武汉天马微电子有限公司 一种oled显示面板及oled显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11532775B2 (en) 2020-01-30 2022-12-20 Au Optronics Corporation Display panel and manufacturing method thereof
US10971058B1 (en) 2020-02-21 2021-04-06 Au Optronics Corporation Display apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN110676281B (zh) 2022-02-11
US20200266175A1 (en) 2020-08-20
CN110676281A (zh) 2020-01-10
TW202032779A (zh) 2020-09-01
US11145630B2 (en) 2021-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI679756B (zh) 發光二極體面板及其製作方法
TWI732089B (zh) 顯示面板及其製造方法
US10867971B2 (en) Light emitting diode panel
US7271427B2 (en) Liquid crystal display device, illumination device backlight unit
KR101956231B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR100926963B1 (ko) 화상표시장치 및 그 제조방법
TW201826517A (zh) 顯示面板
KR20170075752A (ko) 디스플레이, 그를 위한 led 칩, 그를 위한 픽셀, 그를 위한 제어 방법, 그를 위한 컴퓨터 프로그램
TW201611235A (zh) 微組裝發光二極體顯示器及照明元件
US10971058B1 (en) Display apparatus
US11296061B2 (en) Micro semiconductor stacked structure and electronic apparatus having the same
KR20180015144A (ko) 대면적 oled 마이크로 디스플레이 및 그 제조 방법
KR20190044014A (ko) 제조 장치
CN109075183A (zh) 发光模块和具有发光模块的显示设备
TW202215389A (zh) 顯示面板及其製作方法
CN112786641A (zh) 可选择性修补的微型发光二极管显示器及其修补方法
CN115548199A (zh) 一种芯片巨量转移方法及显示装置
WO2021254040A1 (zh) 一种显示基板、显示面板及其制备方法
TWI744035B (zh) 顯示面板及其製造方法
JP5136734B2 (ja) 有機電界発光素子及びその製造方法
CN114446187A (zh) 驱动背板、显示面板及其制备方法
TWI754348B (zh) 電子裝置的製造方法以及電子裝置
US11860478B2 (en) Light emitting substrate, display apparatus, and method of driving light emitting substrate
US20240096271A1 (en) Light emitting substrate, display apparatus, and method of driving light emitting substrate
US20220238611A1 (en) Light emitting device