KR102505328B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 영역 및 주변 영역을 가지는 표시 패널을 구비하는 유기 발광 표시 장치는, 표시 영역에 형성되고, 일 단이 제1 전압에 연결된 유기 발광 다이오드, 표시 영역에 형성되는 화소 회로, 주변 영역에 형성되는 리페어 화소 회로, 유기 발광 다이오드에 화소 회로를 대신하여 리페어 화소 회로를 연결하기 위한 리페어 라인, 및 유기 발광 표시 장치의 파워-온 시 리페어 라인에 제2 전압을 인가하는 스위칭 회로를 포함한다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치의 파워-온 시 유기 발광 다이오드가 오발광하는 것이 방지될 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 리페어 화소 회로를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치의 제조 공정 중 일부 화소 회로들에서 단락, 크랙 등과 같은 결함이 발생될 수 있고, 이러한 결함을 가지는 화소 회로는 정상적으로 동작하지 않을 수 있다. 예를 들어, 정상적으로 동작하지 않는 결함 화소 회로를 포함하는 화소는 상기 결함 화소 회로에 인가되는 스캔 신호 및 데이터 신호와 무관하게 항상 발광하는 명점이나 항상 비발광하는 암점으로 표시될 수 있다.
최근, 결함 화소 회로를 리페어할 수 있도록, 리페어 화소 회로를 포함하는 유기 발광 표시 장치가 개발되었다. 이러한 유기 발광 표시 장치에서는, 결함 화소 회로와 유기 발광 다이오드 사이의 연결을 레이저 커팅 등을 이용하여 절단하고, 상기 유기 발광 다이오드를 레이저 조사 등을 이용하여 리페어 라인에 연결함으로써, 상기 유기 발광 다이오드가 상기 결함 화소 회로를 대신하여 리페어 라인을 통하여 리페어 화소 회로에 연결될 수 있다. 이에 따라, 정상적으로 동작하는 리페어 화소 회로가 정상적으로 동작하지 않는 결함 화소 회로를 대신하여 유기 발광 다이오드에 구동 전류를 제공함으로써, 해당 화소가 정상적으로 발광할 수 있다. 다만, 이러한 유기 발광 표시 장치에 추가된 리페어 라인에 의해, 유기 발광 표시 장치의 파워-온 시 리페어 라인에 연결된 유기 발광 다이오드가 오발광하는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 유기 발광 표시 장치의 파워-온 시 리페어 라인에 연결된 유기 발광 다이오드의 오발광을 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 해결하고자 하는 과제는 상기 언급된 과제에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 영역 및 주변 영역을 가지는 표시 패널을 구비하는 유기 발광 표시 장치는, 상기 표시 영역에 형성되고, 일 단이 제1 전압에 연결된 유기 발광 다이오드, 상기 표시 영역에 형성되는 화소 회로, 상기 주변 영역에 형성되는 리페어 화소 회로, 상기 유기 발광 다이오드에 상기 화소 회로를 대신하여 상기 리페어 화소 회로를 연결하기 위한 리페어 라인, 및 상기 유기 발광 표시 장치의 파워-온 시 상기 리페어 라인에 제2 전압을 인가하는 스위칭 회로를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제2 전압은 상기 제1 전압이 활성화되기 전에 활성화될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 전압은 로우 전원 전압이고, 상기 제2 전압은 게이트 로우 전압일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 전압은 로우 전원 전압이고, 상기 제2 전압은 초기화 전압일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 전압은 상기 제1 전압이 활성화됨과 동시에 활성화될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 전압 및 상기 제2 전압은 동일한 로우 전원 전압일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 스위칭 회로는 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극으로부터 상기 유기 발광 다이오드의 캐소드 전극까지의 전압이 상기 유기 발광 다이오드의 문턱 전압보다 낮도록 상기 리페어 라인을 초기화할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 유기 발광 다이오드의 상기 캐소드 전극은 상기 제1 전압에 연결되고, 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드 전극은 상기 화소 회로가 결함을 가질 때 상기 화소 회로를 대신하여 상기 리페어 라인에 연결되며, 상기 제2 전압의 전압 레벨은 상기 제1 전압에 상기 유기 발광 다이오드의 문턱 전압이 가산된 전압의 전압 레벨보다 낮을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드 전극은 상기 제1 전압에 연결되고, 상기 유기 발광 다이오드의 상기 캐소드 전극은 상기 화소 회로가 결함을 가질 때 상기 화소 회로를 대신하여 상기 리페어 라인에 연결되며, 상기 제2 전압의 전압 레벨은 상기 제1 전압에 상기 유기 발광 다이오드의 문턱 전압이 감산된 전압의 전압 레벨보다 높을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 스위칭 회로는, 상기 제2 전압을 상기 리페어 라인에 연결하는 리페어 라인 초기화 트랜지스터를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터는 상기 유기 발광 표시 장치의 타이밍 컨트롤러로부터 리페어 라인 초기화 신호를 수신하고, 상기 리페어 라인 초기화 신호에 응답하여 상기 제2 전압을 상기 리페어 라인에 연결할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터는 상기 리페어 라인에 연결된 소스, 상기 제2 전압에 연결된 드레인, 및 게이트를 가지고, 상기 스위칭 회로는, 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 상기 게이트와 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 상기 드레인 사이에 연결된 커패시터, 및 제3 전압과 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 상기 게이트 사이에 연결된 저항을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제3 전압은 상기 제2 전압이 활성화된 후에 또는 상기 제2 전압이 활성화될 때 활성화될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터는 상기 활성화된 제2 전압에 응답하여 턴-온되어 상기 제2 전압을 상기 리페어 라인에 연결하고, 상기 활성화된 제3 전압에 응답하여 턴-오프되어 상기 제2 전압과 상기 리페어 라인의 연결을 차단할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제3 전압은 하이 전원 전압일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제3 전압은 게이트 하이 전압일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 유기 발광 표시 장치의 파워-온 시 다른 리페어 라인에 상기 제2 전압을 인가하는 다른 스위칭 회로를 더 포함하고, 상기 스위칭 회로 및 상기 다른 스위칭 회로는 상기 제3 전압에 연결된 상기 저항을 공유할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터는 상기 리페어 라인에 연결된 소스, 상기 제2 전압에 연결된 드레인, 및 게이트를 가지고, 상기 스위칭 회로는, 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 상기 게이트와 제4 전압 사이에 연결된 커패시터, 및 제3 전압과 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 상기 게이트 사이에 연결된 저항을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 전압은 로우 전원 전압이고, 상기 제2 전압은 초기화 전압이며, 상기 제4 전압은 게이트 로우 전압일 수 있다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 영역 및 주변 영역을 가지는 표시 패널을 구비하는 유기 발광 표시 장치는, 상기 표시 영역에 형성되고, 일 단이 제1 전압에 연결된 유기 발광 다이오드, 상기 표시 영역에 형성되는 화소 회로, 상기 주변 영역에 형성되는 리페어 화소 회로, 상기 유기 발광 다이오드에 상기 화소 회로를 대신하여 상기 리페어 화소 회로를 연결하기 위한 리페어 라인, 및 상기 리페어 라인에 연결된 소스 및 제2 전압에 연결된 드레인을 가지는 리페어 라인 초기화 트랜지스터를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제2 전압은 상기 제1 전압이 활성화되기 전에 또는 상기 제1 전압이 활성화될 때 활성화될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 전압은 로우 전원 전압이고, 상기 제2 전압은 게이트 로우 전압, 초기화 전압 또는 상기 로우 전원 전압일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 게이트와 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 드레인 사이에 연결된 커패시터, 및 제3 전압과 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 상기 게이트 사이에 연결된 저항을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제3 전압은 하이 전원 전압 또는 게이트 하이 전압일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는, 유기 발광 표시 장치의 파워-온 시 리페어 라인에 유기 발광 다이오드에 연결된 제1 전압의 활성화 전에 또는 상기 제1 전압이 활성화될 때 활성화되는 제2 전압을 인가함으로써, 유기 발광 표시 장치의 파워-온 시 상기 리페어 라인에 연결된 유기 발광 다이오드의 오발광을 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함되는 화소 회로 및 리페어 화소 회로의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 3a는 리페어 라인 초기화 동작이 수행되지 않은 경우의 파워-업 시퀀스 및 리페어 라인의 전압을 설명하기 위한 도면이고, 도 3b는 리페어 라인 초기화 동작이 수행되는 경우의 파워-업 시퀀스 및 리페어 라인의 전압을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4의 유기 발광 표시 장치의 파워-업 시퀀스 및 리페어 라인의 전압의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6의 유기 발광 표시 장치의 파워-업 시퀀스 및 리페어 라인의 전압의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 10은 도 9의 유기 발광 표시 장치의 파워-업 시퀀스 및 리페어 라인의 전압의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 12는 도 11의 유기 발광 표시 장치의 파워-업 시퀀스 및 리페어 라인의 전압의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 14는 도 13의 유기 발광 표시 장치의 파워-업 시퀀스 및 리페어 라인의 전압의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 18은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함되는 화소 회로 및 리페어 화소 회로의 일 예를 나타내는 회로도이며, 도 3a는 리페어 라인 초기화 동작이 수행되지 않은 경우의 파워-업 시퀀스 및 리페어 라인의 전압을 설명하기 위한 도면이고, 도 3b는 리페어 라인 초기화 동작이 수행되는 경우의 파워-업 시퀀스 및 리페어 라인의 전압을 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 복수의 화소들을 포함하는 표시 패널(110), 상기 화소들에 데이터 신호(DATA)를 제공하는 데이터 드라이버(150), 상기 화소들에 스캔 신호(SCAN) 및 초기화 신호(INIT)를 제공하는 스캔 드라이버(160), 상기 화소들에 발광 제어 신호(EM)를 제공하는 발광 드라이버(170), 및 데이터 드라이버(150), 스캔 드라이버(160) 및 발광 드라이버(170)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(180)를 포함할 수 있다.
표시 패널(110)은 유기 발광 다이오드들(EL)이 형성되는 표시 영역(120) 및 이의 주변의 주변 영역(130)을 가질 수 있다. 표시 패널(110)의 표시 영역(120)에는 복수의 행들 및 복수의 열들을 가지는 매트릭스 형태로 복수의 화소들이 형성될 수 있다. 각 화소는 유기 발광 다이오드(EL) 및 화소 회로(125)를 포함할 수 있다. 유기 발광 다이오드(EL)의 일 단(예를 들어, 애노드 전극)은 화소 회로(125)에 연결되고, 유기 발광 다이오드(EL)의 타 단(예를 들어, 캐소드 전극)은 제1 전압, 예를 들어 로우 전원 전압(ELVSS)에 연결될 수 있다. 화소 회로(125)는 유기 발광 다이오드(EL)에 구동 전류를 제공하고, 유기 발광 다이오드(EL)는 화소 회로(125)로부터 제공된 구동 전류에 응답하여 발광할 수 있다.
일 실시예에서, 화소 회로(125)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 7 개의 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7) 및 1 개의 커패시터(CST)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 회로(125)는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 데이터 신호(DATA)를 제2 트랜지스터(T2)의 일 단에 전송하는 제1 트랜지스터(T1), 다이오드-연결된 제2 트랜지스터(T2)를 통하여 전송되는 데이터 신호(DATA)를 저장하는 저장 커패시터(CST), 저장 커패시터(CST)에 저장된 전압에 기초하여 구동 전류를 생성하는 제2 트랜지스터(T2), 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 제2 트랜지스터(T2)를 다이오드-연결시키는 제3 트랜지스터(T3), 초기화 신호(INIT)에 응답하여 초기화 전압(VINIT)을 저장 커패시터(CST) 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트에 인가하는 제4 트랜지스터(T4), 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 초기화 전압(VINIT)을 유기 발광 다이오드(EL)에 인가하는 제5 트랜지스터(T5), 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 하이 전원 전압(ELVDD)과 제2 트랜지스터(T2)를 연결하는 제6 트랜지스터(T6), 및 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 제2 트랜지스터(T2)와 유기 발광 다이오드(OLED)를 연결하는 제7 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다. 다만, 도 2의 화소 회로(125)의 회로 구성은 예시적인 것으로서 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 화소 회로(125)가 이에 한정되지 않는다.
표시 패널(110)의 주변 영역(130)에는 적어도 하나의 리페어 화소 회로(135) 및 스위칭 회로(140)가 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 데이터 라인에 평행한 방향으로 하나 또는 그 이상의 열들의 리페어 화소 회로들(135)이 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 스캔 라인에 평행한 방향으로 하나 또는 그 이상의 행들의 리페어 화소 회로들(135)이 배치될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 하나 또는 그 이상의 열들의 리페어 화소 회로들(135) 및 하나 또는 그 이상의 행들의 리페어 화소 회로들(135)이 배치될 수 있다.
리페어 화소 회로(135)는 표시 영역(120)의 화소 회로(125)와 동일 또는 유사한 구성을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 화소 회로(125)가 7 개의 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7) 및 1 개의 커패시터(CST)를 포함하는 경우, 리페어 화소 회로(135) 또한 7 개의 트랜지스터들(T1', T2', T3', T4', T5', T6', T7') 및 1 개의 커패시터(CST')를 포함할 수 있다. 이에 따라, 리페어 화소 회로(135)는 화소 회로(125)와 실질적으로 동일한 동작을 수행할 수 있다. 다만, 도 2의 리페어 화소 회로(135)의 회로 구성은 예시적인 것으로서 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 리페어 화소 회로(135)가 이에 한정되지 않는다.
한편, 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 공정 중 일부 화소 회로들(125)에서 단락, 크랙 등과 같은 결함이 발생된 경우, 이러한 결함 화소 회로(125)는 정상적으로 동작하지 않을 수 있고, 결함 화소 회로(125)에 연결된 유기 발광 다이오드(EL)는 원하는 휘도로 발광하지 않을 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서는, 화소 회로(125)가 결함을 가지는 경우, 정상적으로 동작하지 않는 결함 화소 회로(125)를 대신하여 정상적으로 동작하는 리페어 화소 회로(135)가 유기 발광 다이오드(EL)에 구동 전류를 제공할 수 있다. 예를 들어, 화소 회로(125)와 유기 발광 다이오드(EL) 사이의 연결(127)을 레이저 커팅 등을 이용하여 절단하고, 소정의 연결점(137)에 레이저 조사를 수행하여 유기 발광 다이오드(EL)와 리페어 라인(RL)을 연결함으로써, 화소 회로(125)가 아닌 리페어 화소 회로(135)가 리페어 라인(RL)을 통하여 유기 발광 다이오드(EL)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 정상적으로 동작하는 리페어 화소 회로(135)가 리페어 라인(RL)을 통하여 유기 발광 다이오드(EL)에 구동 전류를 제공함으로써, 유기 발광 다이오드(EL)가 원하는 휘도로 발광할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서는, 유기 발광 표시 장치(100)가 결함 화소 회로(125)를 가지더라도, 유기 발광 다이오드(EL)가 결함 화소 회로(125)를 대신하여 리페어 화소 회로(135)에 의해 구동됨으로써, 유기 발광 다이오드(EL)가 원하는 휘도로 발광할 수 있고, 유기 발광 표시 장치(100)의 영상 품질이 향상될 수 있다. 다만, 리페어 화소 회로(135) 및 리페어 라인(RL)을 포함하는 유기 발광 표시 장치(100)에서는, 유기 발광 표시 장치(100)의 파워-온 시 리페어 라인(RL)에 연결된 유기 발광 다이오드(EL)가 오발광할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 표시 장치(100)의 파워-온 시, 도 3a에 도시된 바와 같이, 리페어 라인(RL)은 접지 전압에 가까운 전압, 예를 들어 약 0V의 전압을 가질 수 있고, 유기 발광 표시 장치(100)의 전압들(ELVDD, ELVSS)이 소정의 파워-업 시퀀스에 따라 활성화될 수 있다. 유기 발광 다이오드(EL)의 캐소드 전극에 연결된 로우 전원 전압(ELVSS)이, 예를 들어 약 -4V 내지 -4.5V로, 활성화될 때, 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 연결된 리페어 라인(RL)의 전압(VRL)과 유기 발광 다이오드(EL)의 캐소드 전극에 연결된 로우 전원 전압(ELVSS)의 전압 차가 유기 발광 다이오드(EL)의 문턱 전압(VTHEL) 이상이 될 수 있고, 이에 따라 리페어 라인(RL)의 전압(VRL)이 로우 전원 전압(ELVSS)에 유기 발광 다이오드(EL)의 문턱 전압(VTHEL)이 가산된 전압 이하로 감소될 때까지 유기 발광 다이오드(EL)가 원치 않게 발광할 수 있다. 특히, 유기 발광 표시 장치(100)의 파워-업 시퀀스에 따라 로우 전원 전압(ELVSS)이 활성화되기 전에 활성화되는 하이 전원 전압(ELVDD)이 활성화될 때, 리페어 라인(RL)의 전압(VRL)이 하이 전원 전압(ELVDD)의 전원 라인과의 커플링에 의해 접지 전압에 가까운 전압으로부터 상승할 수 있고, 이에 따라 리페어 라인(RL)의 전압(VRL)과 로우 전원 전압(ELVSS)의 전압 차가 더욱 증가될 수 있고, 유기 발광 다이오드(EL)의 원치 않은 발광의 세기 및 시간이 증가될 수 있다.
그러나, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서는, 스위칭 회로(140)가 유기 발광 표시 장치(100)의 파워-온 시 리페어 라인(RL)에 제2 전압을 인가할 수 있다. 일 실시예에서, 스위칭 회로(140)는, 유기 발광 표시 장치(100)의 파워-온 시, 유기 발광 다이오드(EL)의 일 단에 연결된 제1 전압이 활성화되기 전에 또는 이와 동시에 활성화되는 제2 전압을 리페어 라인(RL)에 인가할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전압은 로우 전원 전압(ELVSS)이고, 상기 제2 전압은 게이트 로우 전압(VGL), 초기화 전압(VINIT) 또는 로우 전원 전압(ELVSS)일 수 있다. 또한, 스위칭 회로(140)는 리페어 라인(RL)에 상기 제2 전압을 인가함으로써 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극으로부터 캐소드 전극까지의 전압이 유기 발광 다이오드(EL)의 문턱 전압(VTHEL)보다 낮도록 리페어 라인(RL)을 초기화할 수 있다. 예를 들어, 도 3b에 도시된 바와 같이, 스위칭 회로(140)가 로우 전원 전압(ELVSS)의 활성화 전에(또는 이와 동시에) 리페어 라인(RL)에 로우 전원 전압(ELVSS)에 유기 발광 다이오드(EL)의 문턱 전압(VTHEL)이 가산된 전압보다 또는 로우 전원 전압(ELVSS)보다 낮은 전압(VRL)을 인가함으로써, 리페어 라인(RL)의 전압(VRL)이 로우 전원 전압(ELVSS)에 유기 발광 다이오드(EL)의 문턱 전압(VTHEL)이 가산된 전압보다 또는 로우 전원 전압(ELVSS)보다 낮아지도록 초기화할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(100)의 파워-온 시 리페어 라인(RL)의 전압(VRL)과 로우 전원 전압(ELVSS)의 전압 차에 의한 유기 발광 다이오드(EL)의 오발광이 방지될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는, 유기 발광 표시 장치(100)의 파워-온 시 유기 발광 다이오드(EL)에 연결된 제1 전압(예를 들어, 로우 전원 전압(ELVSS))의 활성화 전에 또는 이와 동시에 활성화되는 제2 전압(예를 들어, 게이트 로우 전압(VGL), 초기화 전압(VINIT) 또는 로우 전원 전압(ELVSS))을 리페어 라인(RL)에 인가함으로써, 유기 발광 표시 장치(100)의 파워-온 시 리페어 라인(RL)에 연결된 유기 발광 다이오드(EL)의 오발광을 방지할 수 있다.
한편, 도 1에는 유기 발광 다이오드(EL)의 캐소드 전극이 상기 제1 전압(예를 들어, 로우 전원 전압(ELVSS))에 연결되고, 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극이 화소 회로(125)가 결함을 가질 때 화소 회로(125)를 대신하여 리페어 라인(RL)에 연결되며, 상기 제2 전압(예를 들어, 게이트 로우 전압(VGL), 초기화 전압(VINIT) 또는 로우 전원 전압(ELVSS))은 상기 제1 전압에 유기 발광 다이오드(EL)의 문턱 전압(VTHEL)이 가산된 전압의 전압 레벨보다 낮은 전압 레벨을 가지는 예가 도시되어 있으나, 다른 실시예에서, 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극이 상기 제1 전압(예를 들어, 하이 전원 전압(ELVDD))에 연결되고, 유기 발광 다이오드(EL)의 캐소드 전극이 화소 회로(125)가 결함을 가질 때 화소 회로(125)를 대신하여 리페어 라인(RL)에 연결되며, 상기 제2 전압은 상기 제1 전압에 유기 발광 다이오드(EL)의 문턱 전압(VTHEL)이 감산된 전압의 전압 레벨보다 높은 전압 레벨을 가질 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이고, 도 5는 도 4의 유기 발광 표시 장치의 파워-업 시퀀스 및 리페어 라인의 전압의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 4를 참조하면, 표시 영역 및 주변 영역을 가지는 표시 패널을 구비하는 유기 발광 표시 장치(100a)는 상기 표시 영역에 형성되고, 일 단이 제1 전압(예를 들어, 로우 전원 전압(ELVSS))에 연결된 유기 발광 다이오드(EL), 상기 표시 영역에 형성되는 화소 회로(125), 상기 주변 영역에 형성되는 리페어 화소 회로(135), 화소 회로(125)가 결함 화소 회로인 경우 유기 발광 다이오드(EL)에 화소 회로(125)를 대신하여 리페어 화소 회로(135)를 연결하기 위한 리페어 라인(RL), 및 유기 발광 표시 장치(100)의 파워-온 시 리페어 라인(RL)에 제2 전압(예를 들어, 게이트 로우 전압(VGL))을 인가하는 스위칭 회로(140a)를 포함할 수 있다.
스위칭 회로(140a)는 리페어 라인 초기화 신호(RLIS)에 응답하여 게이트 로우 전압(VGL)을 리페어 라인(RL)에 연결하는 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)를 포함할 수 있다. 리페어 라인 초기화 신호(RLIS)는 표시 패널의 내부 또는 외부의 별도의 회로로부터 리페어 라인 초기화 신호(RLIS)를 수신할 수 있다. 일 실시예에서, 리페어 라인 초기화 신호(RLIS)는 유기 발광 표시 장치(100a)의 타이밍 컨트롤러에서 생성되고, 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)는 상기 타이밍 컨트롤러로부터 리페어 라인 초기화 신호(RLIS)를 수신할 수 있다. 한편, 도 4에는 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)가 PMOS 트랜지스터로 구현된 예가 개시되어 있으나, 실시예에 따라, 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)는 NMOS 트랜지스터로 구현될 수 있다.
스위칭 회로(140a)는 유기 발광 표시 장치(100a)의 파워-업 시 리페어 라인 초기화 신호(RLIS)에 응답하여 리페어 라인(RL)에 게이트 로우 전압(VGL)을 인가할 수 있다. 일 실시예에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100a)의 파워-업 시퀀스에 따라, 게이트 로우 전압(VGL)은 유기 발광 다이오드(EL)에 연결된 로우 전원 전압(ELVSS)이 활성화되기 전에 활성화될 수 있고, 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)는 게이트 로우 전압(VGL)의 활성화 후 및 로우 전원 전압(ELVSS)의 활성화 전의 임의의 시간 동안 인가되는 리페어 라인 초기화 신호(RLIS)에 응답하여 턴-온될 수 있다. 턴-온된 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)에 의해 리페어 라인(RL)에 게이트 로우 전압(VGL)이 인가되고, 리페어 라인(RL)은 로우 전원 전압(ELVSS) 보다 낮은 전압(VRL)을 가지도록 초기화될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(100a)의 파워-온 시 리페어 라인(RL)의 전압(VRL)과 로우 전원 전압(ELVSS)의 전압 차에 의한 유기 발광 다이오드(EL)의 오발광이 방지될 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이고, 도 7은 도 6의 유기 발광 표시 장치의 파워-업 시퀀스 및 리페어 라인의 전압의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100b)에서, 유기 발광 다이오드(EL)의 일 단(예를 들어, 캐소드 전극)은 제1 전압(예를 들어, 로우 전원 전압(ELVSS)에 연결되고, 유기 발광 다이오드(EL)의 타 단은 리페어 라인(RL)에 연결될 수 있다. 유기 발광 표시 장치(100b)에 포함된 스위칭 회로(140b)는 유기 발광 표시 장치(100b)의 파워-온 시 리페어 라인(RL)에 상기 제1 전압의 활성화 전에 또는 이와 동시에 활성화되는 제2 전압(예를 들어, 게이트 로우 전압(VGL))을 인가할 수 있다.
유기 발광 표시 장치(100b)의 스위칭 회로(140b)는, 리페어 라인(RL)에 연결된 소스, 제2 전압(예를 들어, 게이트 로우 전압(VGL))에 연결된 드레인, 및 게이트를 가지는 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI), 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 게이트와 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 드레인 사이에 연결된 커패시터(C), 및 제3 전압(예를 들어, 하이 전원 전압(ELVDD))과 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 게이트 사이에 연결된 저항(R)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제3 전압은 상기 제2 전압이 활성화된 후에 또는 상기 제2 전압이 활성화될 때 활성화되는 전압일 수 있다. 일 실시예에서, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제2 전압은 게이트 로우 전압(VGL)이고, 상기 제3 전압은 게이트 로우 전압(VGL)이 활성화된 후 활성화되는 하이 전원 전압(ELVDD)일 수 있다.
일 실시예에서, 도 7에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100b)의 파워-업 시퀀스에 따라, 게이트 로우 전압(VGL), 하이 전원 전압(ELVDD) 및 로우 전원 전압(ELVSS)의 순서로 활성화될 수 있다. 게이트 로우 전압(VGL)이 활성화되면, 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 드레인의 전압이 게이트 로우 전압(VGL)으로 감소되고, 커패시터(C)에 의한 커플링에 의해 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 게이트의 전압 또한 감소될 수 있다. 감소된 게이트 전압에 의해 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)가 턴-온되고, 턴-온된 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)는 게이트 로우 전압(VGL)을 리페어 라인(RL)에 연결할 수 있다. 이에 따라, 리페어 라인(RL)이 게이트 로우 전압(VGL) 또는 이에 가까운 전압을 가지도록 초기화될 수 있다. 이 후, 하이 전원 전압(ELVDD)이 활성화되면, 저항(R)을 통하여 하이 전원 전압(ELVDD)으로부터 커패시터(C)로 전류가 인가되고, 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 게이트의 전압이 증가될 수 있다. 증가된 게이트 전압에 의해 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)가 턴-오프되고, 턴-오프된 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)는 게이트 로우 전압(VGL)과 리페어 라인(RL)의 연결을 차단할 수 있고, 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(100b)의 파워-온 동작 후의 정상 동작에 스위칭 회로(140b)가 영향을 미치지 않을 수 있다. 이 후, 로우 전원 전압(ELVSS)이 활성화되더라도, 리페어 라인(RL)이 이미 로우 전원 전압(ELVSS) 보다 낮은 전압(VRL)을 가지도록 초기화되었으므로, 유기 발광 다이오드(EL)가 오발광하지 않을 수 있다. 이와 같이, 스위칭 회로(140b)는, 유기 발광 표시 장치(100b)의 파워-온 시 리페어 라인(RL)의 전압(VRL)과 로우 전원 전압(ELVSS)의 전압 차에 의한 유기 발광 다이오드(EL)의 오발광을 방지할 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100c)는 표시 패널의 표시 영역에 형성된 복수의 화소 회로들(125-1, 125-2) 및 복수의 유기 발광 다이오드들(EL-1, EL-2)을 포함하고, 표시 패널의 주변 영역에 형성된 복수의 리페어 화소 회로들(135-1, 135-2)을 포함할 수 있다. 제1 화소 회로(125-1)가 결함 화소 회로인 경우, 제1 화소 회로(125-1)에 상응하는 제1 유기 발광 다이오드(EL-1)는 제1 화소 회로(125-1)를 대신하여 제1 리페어 라인(RL-1)을 통하여 제1 리페어 화소 회로(135-1)에 연결될 수 있다. 또한, 제2 화소 회로(125-2)가 결함 화소 회로인 경우, 제2 화소 회로(125-2)에 상응하는 제2 유기 발광 다이오드(EL-2)는 제2 화소 회로(125-2)를 대신하여 제2 리페어 라인(RL-2)을 통하여 제2 리페어 화소 회로(135-2)에 연결될 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치(100c)는 복수의 리페어 라인들(RL-1, RL-2)에 각각 연결된 복수의 스위칭 회로들(140-1c, 140-2c)을 포함할 수 있고, 각 스위칭 회로(140-1c, 140-2c)는 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI), 커패시터(C) 및 저항(R)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 스위칭 회로들(140-1c, 140-2c)은, 도 8에 도시된 바와 같이, 하이 전원 전압(ELVDD)에 연결된 저항(R)을 공유할 수 있다. 한편, 복수의 스위칭 회로들(140-1c, 140-2c)이 저항(R)을 공유하는 것 외에, 도 8의 각 스위칭 회로(140-1c, 140-2c)는 도 6의 스위칭 회로(140b)와 동일 또는 유사한 구성 및 동작을 가질 수 있다. 이와 같이, 유기 발광 표시 장치(100c)에서, 복수의 스위칭 회로들(140-1c, 140-2c)이 저항(R)을 공유함으로써, 복수의 스위칭 회로들(140-1c, 140-2c)의 회로 사이즈가 감소될 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이고, 도 10은 도 9의 유기 발광 표시 장치의 파워-업 시퀀스 및 리페어 라인의 전압의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 9를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100d)의 스위칭 회로(140d)는, 리페어 라인(RL)에 연결된 소스, 게이트 로우 전압(VGL)에 연결된 드레인, 및 게이트를 가지는 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI), 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 게이트와 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 드레인 사이에 연결된 커패시터(C), 및 하이 게이트 전압(VGH)과 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 게이트 사이에 연결된 저항(R)을 포함할 수 있다. 도 9의 스위칭 회로(140d)는, 저항(R)이 하이 전원 전압(ELVDD)을 대신하여 게이트 하이 전압(VGH)에 연결된 것 외에, 도 6의 스위칭 회로(140b)와 유사한 구성 및 동작을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 도 10에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100d)의 파워-업 시퀀스에 따라, 게이트 하이 전압(VGH)은 게이트 로우 전압(VGL)의 활성화 후에 또는 이와 동시에 활성화될 수 있고, 로우 전원 전압(ELVSS)은 게이트 로우 전압(VGL) 및 게이트 하이 전압(VGH)의 활성화 후에 활성화될 수 있다. 게이트 로우 전압(VGL) 및 게이트 하이 전압(VGH)이 활성화될 때, 커패시터(C)에 의한 커플링에 의해 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 게이트의 전압이 감소되고, 이에 따라 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)가 턴-온되어 리페어 라인(RL)이 게이트 로우 전압(VGL) 또는 이에 가까운 전압을 가지도록 초기화될 수 있다. 이 후, 게이트 하이 전압(VGH)으로부터 저항(R)을 통하여 커패시터(C)로 인가되는 전류에 의해 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 게이트의 전압이 서서히 증가되고, 이에 따라 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)가 턴-오프되어 게이트 로우 전압(VGL)과 리페어 라인(RL)의 연결이 차단될 수 있다. 이 후, 로우 전원 전압(ELVSS)이 활성화되더라도, 리페어 라인(RL)이 이미 로우 전원 전압(ELVSS) 보다 낮은 전압(VRL)을 가지도록 초기화되었으므로, 유기 발광 다이오드(EL)가 오발광하지 않을 수 있다. 이와 같이, 스위칭 회로(140d)는, 유기 발광 표시 장치(100d)의 파워-온 시 리페어 라인(RL)의 전압(VRL)과 로우 전원 전압(ELVSS)의 전압 차에 의한 유기 발광 다이오드(EL)의 오발광을 방지할 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이고, 도 12는 도 11의 유기 발광 표시 장치의 파워-업 시퀀스 및 리페어 라인의 전압의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 11을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100e)의 스위칭 회로(140e)는 리페어 라인 초기화 신호(RLIS)에 응답하여 초기화 전압(VINIT)을 리페어 라인(RL)에 연결하는 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 리페어 라인 초기화 신호(RLIS)는 유기 발광 표시 장치(100e)의 타이밍 컨트롤러에서 생성되고, 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)는 상기 타이밍 컨트롤러로부터 리페어 라인 초기화 신호(RLIS)를 수신할 수 있다. 도 11의 스위칭 회로(140e)는, 리페어 라인(RL)에 게이트 로우 전압(VGL)을 대신하여 초기화 전압(VINIT)을 인가하는 것 외에, 도 4의 스위칭 회로(140a)와 유사한 구성 및 동작을 가질 수 있다. 한편, 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)가 게이트 로우 전압(VGL)보다 높은 초기화 전압(VINIT)에 연결됨으로써, 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)를 통한 누설 전류가 감소될 수 있다.
일 실시예에서, 도 12에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100e)의 파워-업 시퀀스에 따라, 초기화 전압(VINIT)은 유기 발광 다이오드(EL)에 연결된 로우 전원 전압(ELVSS)이 활성화되기 전에 활성화될 수 있고, 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)는 초기화 전압(VINIT)의 활성화 후 및 로우 전원 전압(ELVSS)의 활성화 전의 임의의 시간 동안 인가되는 리페어 라인 초기화 신호(RLIS)에 응답하여 턴-온될 수 있다. 턴-온된 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)에 의해 리페어 라인(RL)에 초기화 전압(VINIT)이 인가되고, 리페어 라인(RL)은 초기화 전압(VINIT) 또는 이에 가까운 전압을 가지도록 초기화될 수 있다. 한편, 초기화 전압(VINIT)은, 예를 들어 약 -3.5V로서, 예를 들어 약 -4V 내지 -4.5V를 가지는 로우 전원 전압(ELVSS)보다 높은 전압을 가질 수 있고, 이에 따라 리페어 라인(RL)은 로우 전원 전압(ELVSS)보다 높은 전압으로 초기화될 수 있다. 그러나, 초기화 전압(VINIT)은 로우 전원 전압(ELVSS)에 유기 발광 다이오드(EL)의 문턱 전압(VTHEL)이 가산된 전압보다 낮은 전압 레벨을 가질 수 있고, 리페어 라인(RL)의 전압(VRL) 또한 유기 발광 다이오드(EL)의 문턱 전압(VTHEL)이 가산된 전압보다 낮은 전압으로 초기화될 수 있다. 이에 따라, 로우 전원 전압(ELVSS)이 활성화되더라도, 리페어 라인(RL)이 유기 발광 다이오드(EL)의 문턱 전압(VTHEL)이 가산된 전압보다 낮은 전압(VRL)으로 초기화되었으므로, 유기 발광 표시 장치(100e)의 파워-온 시 리페어 라인(RL)의 전압(VRL)과 로우 전원 전압(ELVSS)의 전압 차에 의한 유기 발광 다이오드(EL)의 오발광이 방지될 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이고, 도 14는 도 13의 유기 발광 표시 장치의 파워-업 시퀀스 및 리페어 라인의 전압의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100f)에서, 유기 발광 다이오드(EL)의 일 단(예를 들어, 캐소드 전극)은 제1 전압(예를 들어, 로우 전원 전압(ELVSS)에 연결되고, 유기 발광 다이오드(EL)의 타 단은 리페어 라인(RL)에 연결될 수 있다. 유기 발광 표시 장치(100f)의 스위칭 회로(140f)는, 리페어 라인(RL)에 연결된 소스, 제2 전압(예를 들어, 초기화 전압(VINIT))에 연결된 드레인, 및 게이트를 가지는 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI), 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 게이트와 제4 전압(예를 들어, 게이트 로우 전압(VGL)) 사이에 연결된 커패시터(C), 및 제3 전압(예를 들어, 하이 전원 전압(ELVDD))과 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 게이트 사이에 연결된 저항(R)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 전압은 로우 전원 전압(ELVSS)이고, 상기 제2 전압은 초기화 전압(VINIT)이며, 상기 제3 전압은 하이 전원 전압(ELVDD)이고, 상기 제4 전압은 게이트 로우 전압(VGL)일 수 있다. 한편, 도 14의 스위칭 회로(140f)는, 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 드레인이 게이트 로우 전압(VGL)을 대신하여 초기화 전압(VINIT)에 연결된 것 외에, 도 6의 스위칭 회로(140b)와 유사한 구성 및 동작을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 도 14에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100f)의 파워-업 시퀀스에 따라, 게이트 로우 전압(VGL)이 활성화되고, 초기화 전압(VINIT)은 게이트 로우 전압(VGL)의 활성화 후에 또는 이와 동시에 활성화될 수 있다. 또한, 게이트 로우 전압(VGL) 및 초기화 전압(VINIT)이 활성화된 후 하이 전원 전압(ELVDD)이 활성화되고, 하이 전원 전압(ELVDD)의 활성화 후에 로우 전원 전압(ELVSS)이 활성화될 수 있다. 게이트 로우 전압(VGL) 및 초기화 전압(VINIT)이 활성화되면, 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 게이트의 전압이 감소되고, 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)가 턴-온되어 리페어 라인(RL)이 초기화 전압(VINIT) 또는 이에 가까운 전압을 가지도록 초기화될 수 있다. 이 후, 하이 전원 전압(ELVDD)이 활성화되면, 하이 전원 전압(ELVDD)으로부터 저항(R)을 통하여 커패시터(C)로 인가되는 전류에 의해 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 게이트의 전압이 증가되고, 이에 따라 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)가 턴-오프되어 초기화 전압(VINIT)과 리페어 라인(RL)의 연결이 차단될 수 있다. 이 후, 로우 전원 전압(ELVSS)이 활성화되더라도, 리페어 라인(RL)이 이미 로우 전원 전압(ELVSS)에 유기 발광 다이오드(EL)의 문턱 전압(VTHEL)이 가산된 전압보다 낮은 전압(VRL)으로 초기화되었으므로, 유기 발광 다이오드(EL)가 오발광하지 않을 수 있다. 이와 같이, 스위칭 회로(140f)는, 유기 발광 표시 장치(100f)의 파워-온 시 리페어 라인(RL)의 전압(VRL)과 로우 전원 전압(ELVSS)의 전압 차에 의한 유기 발광 다이오드(EL)의 오발광을 방지할 수 있다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 15를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100g)는 복수의 리페어 라인들(RL-1, RL-2)에 각각 연결된 복수의 스위칭 회로들(140-1g, 140-2g)을 포함할 수 있고, 각 스위칭 회로(140-1g, 140-2g)는 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI), 커패시터(C) 및 저항(R)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 스위칭 회로들(140-1g, 140-2g)은, 도 15에 도시된 바와 같이, 하이 전원 전압(ELVDD)에 연결된 저항(R)을 공유할 수 있다. 한편, 복수의 스위칭 회로들(140-1g, 140-2g)이 저항(R)을 공유하는 것 외에, 도 15의 각 스위칭 회로(140-1g, 140-2g)는 도 13의 스위칭 회로(140f)와 동일 또는 유사한 구성 및 동작을 가질 수 있다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 16을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100h)의 스위칭 회로(140h)는, 리페어 라인(RL)에 연결된 소스, 초기화 전압(VINIT)에 연결된 드레인, 및 게이트를 가지는 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI), 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 게이트와 게이트 로우 전압(VGL) 사이에 연결된 커패시터(C), 및 하이 게이트 전압(VGH)과 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)의 상기 게이트 사이에 연결된 저항(R)을 포함할 수 있다. 도 16의 스위칭 회로(140h)는, 저항(R)이 하이 전원 전압(ELVDD)을 대신하여 게이트 하이 전압(VGH)에 연결된 것 외에, 도 13의 스위칭 회로(140f)와 유사한 구성 및 동작을 가질 수 있다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 17을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100i)의 스위칭 회로(140i)는 리페어 라인 초기화 신호(RLIS)에 응답하여 로우 전원 전압(ELVSS)을 리페어 라인(RL)에 연결하는 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 리페어 라인 초기화 신호(RLIS)는 유기 발광 표시 장치(100i)의 타이밍 컨트롤러에서 생성되고, 리페어 라인 초기화 트랜지스터(TRLI)는 상기 타이밍 컨트롤러로부터 리페어 라인 초기화 신호(RLIS)를 수신할 수 있다. 도 16의 스위칭 회로(140i)는, 게이트 로우 전압(VGL)을 대신하여 로우 전원 전압(ELVSS)을 이용하여 리페어 라인(RL)을 초기화하는 것 외에, 도 4의 스위칭 회로(140a)와 유사한 구성 및 동작을 가질 수 있다. 한편, 로우 전원 전압(ELVSS)이 활성화될 때, 유기 발광 다이오드(EL)의 캐소드 전극뿐만 아니라 리페어 라인(RL)에도 로우 전원 전압(ELVSS)이 인가됨으로써, 유기 발광 표시 장치(100i)의 파워-온 시 리페어 라인(RL)의 전압과 로우 전원 전압(ELVSS)의 전압 차에 의한 유기 발광 다이오드(EL)의 오발광이 방지될 수 있다.
도 18은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 18을 참조하면, 전자 기기(1100)는 프로세서(1110), 메모리 장치(1120), 저장 장치(1130), 입출력 장치(1140), 파워 서플라이(1150) 및 유기 발광 표시 장치(1160)를 포함할 수 있다. 전자 기기(1100)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다.
프로세서(1110)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 프로세서(1110)는 마이크로프로세서(microprocessor), 중앙 처리 장치(CPU) 등일 수 있다. 프로세서(1110)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통하여 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라서, 프로세서(1110)는 주변 구성요소 상호연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다.
메모리 장치(1120)는 전자 기기(1100)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(1120)는 EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory), EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), 플래시 메모리(Flash Memory), PRAM(Phase Change Random Access Memory), RRAM(Resistance Random Access Memory), NFGM(Nano Floating Gate Memory), PoRAM(Polymer Random Access Memory), MRAM(Magnetic Random Access Memory), FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), 모바일 DRAM 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
저장 장치(1130)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 입출력 장치(1140)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단, 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 파워 서플라이(1150)는 전자 기기(1100)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(1160)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다.
유기 발광 표시 장치(1160)는 유기 발광 표시 장치(1160)의 파워-온 시 리페어 라인에 유기 발광 다이오드에 연결된 제1 전압(예를 들어, 로우 전원 전압(ELVSS))의 활성화 전에 또는 이와 동시에 활성화되는 제2 전압(예를 들어, 게이트 로우 전압(VGL), 초기화 전압(VINIT) 또는 로우 전원 전압(ELVSS))을 인가함으로써, 유기 발광 표시 장치의 파워-온 시 상기 리페어 라인에 연결된 유기 발광 다이오드의 오발광을 방지할 수 있다.
실시예에 따라, 전자 기기(1100)는 디지털 TV(Digital Television), 3D TV, 개인용 컴퓨터(Personal Computer; PC), 가정용 전자기기, 노트북 컴퓨터(Laptop Computer), 태블릿 컴퓨터(Table Computer), 휴대폰(Mobile Phone), 스마트 폰(Smart Phone), 개인 정보 단말기(personal digital assistant; PDA), 휴대형 멀티미디어 플레이어(portable multimedia player; PMP), 디지털 카메라(Digital Camera), 음악 재생기(Music Player), 휴대용 게임 콘솔(portable game console), 내비게이션(Navigation) 등과 같은 유기 발광 표시 장치(1060)를 포함하는 임의의 전자 기기일 수 있다.
본 발명은 임의의 유기 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 TV, 디지털 TV, 3D TV, PC, 가정용 전자기기, 노트북 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 휴대폰, 스마트 폰, PDA, PMP, 디지털 카메라, 음악 재생기, 휴대용 게임 콘솔, 내비게이션 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e, 100f, 100g, 100h, 100i: 유기 발광 표시 장치
EL: 유기 발광 다이오드
125: 화소 회로
135: 리페어 화소 회로
RL: 리페어 라인
140, 140a, 140b, 140c, 140d, 140e, 140f, 140g, 140h, 140i: 스위칭 회로

Claims (24)

  1. 표시 영역 및 주변 영역을 가지는 표시 패널을 구비하는 유기 발광 표시 장치에 있어서,
    상기 표시 영역에 형성되고, 일 단이 제1 전압에 연결된 유기 발광 다이오드;
    상기 표시 영역에 형성되는 화소 회로;
    상기 주변 영역에 형성되는 리페어 화소 회로;
    상기 유기 발광 다이오드에 상기 화소 회로를 대신하여 상기 리페어 화소 회로를 연결하기 위한 리페어 라인; 및
    상기 유기 발광 표시 장치의 파워-온 시 상기 리페어 라인에 상기 제1 전압의 활성화 전에 또는 상기 제1 전압의 활성화와 동시에 활성화되는 제2 전압을 인가하는 스위칭 회로를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제2 전압은 상기 제1 전압이 활성화되기 전에 활성화되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 제1 전압은 로우 전원 전압이고, 상기 제2 전압은 게이트 로우 전압인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서, 상기 제1 전압은 로우 전원 전압이고, 상기 제2 전압은 초기화 전압인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 제2 전압은 상기 제1 전압이 활성화됨과 동시에 활성화되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 제1 전압 및 상기 제2 전압은 동일한 로우 전원 전압인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 스위칭 회로는 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극으로부터 상기 유기 발광 다이오드의 캐소드 전극까지의 전압이 상기 유기 발광 다이오드의 문턱 전압보다 낮도록 상기 리페어 라인을 초기화하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드의 상기 캐소드 전극은 상기 제1 전압에 연결되고,
    상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드 전극은 상기 화소 회로가 결함을 가질 때 상기 화소 회로를 대신하여 상기 리페어 라인에 연결되며,
    상기 제2 전압의 전압 레벨은 상기 제1 전압에 상기 유기 발광 다이오드의 문턱 전압이 가산된 전압의 전압 레벨보다 낮은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제7 항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드 전극은 상기 제1 전압에 연결되고,
    상기 유기 발광 다이오드의 상기 캐소드 전극은 상기 화소 회로가 결함을 가질 때 상기 화소 회로를 대신하여 상기 리페어 라인에 연결되며,
    상기 제2 전압의 전압 레벨은 상기 제1 전압에 상기 유기 발광 다이오드의 문턱 전압이 감산된 전압의 전압 레벨보다 높은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서, 상기 스위칭 회로는,
    상기 제2 전압을 상기 리페어 라인에 연결하는 리페어 라인 초기화 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터는 상기 유기 발광 표시 장치의 타이밍 컨트롤러로부터 리페어 라인 초기화 신호를 수신하고, 상기 리페어 라인 초기화 신호에 응답하여 상기 제2 전압을 상기 리페어 라인에 연결하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제10 항에 있어서, 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터는 상기 리페어 라인에 연결된 소스, 상기 제2 전압에 연결된 드레인, 및 게이트를 가지고,
    상기 스위칭 회로는,
    상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 상기 게이트와 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 상기 드레인 사이에 연결된 커패시터; 및
    제3 전압과 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 상기 게이트 사이에 연결된 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서, 상기 제3 전압은 상기 제2 전압이 활성화된 후에 또는 상기 제2 전압이 활성화될 때 활성화되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서, 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터는 상기 활성화된 제2 전압에 응답하여 턴-온되어 상기 제2 전압을 상기 리페어 라인에 연결하고, 상기 활성화된 제3 전압에 응답하여 턴-오프되어 상기 제2 전압과 상기 리페어 라인의 연결을 차단하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제12 항에 있어서, 상기 제3 전압은 하이 전원 전압인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제12 항에 있어서, 상기 제3 전압은 게이트 하이 전압인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  17. 제12 항에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 유기 발광 표시 장치의 파워-온 시 다른 리페어 라인에 상기 제2 전압을 인가하는 다른 스위칭 회로를 더 포함하고,
    상기 스위칭 회로 및 상기 다른 스위칭 회로는 상기 제3 전압에 연결된 상기 저항을 공유하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  18. 제10 항에 있어서, 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터는 상기 리페어 라인에 연결된 소스, 상기 제2 전압에 연결된 드레인, 및 게이트를 가지고,
    상기 스위칭 회로는,
    상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 상기 게이트와 제4 전압 사이에 연결된 커패시터; 및
    제3 전압과 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 상기 게이트 사이에 연결된 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서, 상기 제1 전압은 로우 전원 전압이고, 상기 제2 전압은 초기화 전압이며, 상기 제4 전압은 게이트 로우 전압인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  20. 표시 영역 및 주변 영역을 가지는 표시 패널을 구비하는 유기 발광 표시 장치에 있어서,
    상기 표시 영역에 형성되고, 일 단이 제1 전압에 연결된 유기 발광 다이오드;
    상기 표시 영역에 형성되는 화소 회로;
    상기 주변 영역에 형성되는 리페어 화소 회로;
    상기 유기 발광 다이오드에 상기 화소 회로를 대신하여 상기 리페어 화소 회로를 연결하기 위한 리페어 라인; 및
    상기 리페어 라인에 연결된 소스 및 상기 제1 전압의 활성화 전에 또는 상기 제1 전압의 활성화와 동시에 활성화되는 제2 전압에 연결된 드레인을 가지는 리페어 라인 초기화 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  21. 제20 항에 있어서, 상기 제2 전압은 상기 제1 전압이 활성화되기 전에 또는 상기 제1 전압이 활성화될 때 활성화되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  22. 제20 항에 있어서, 상기 제1 전압은 로우 전원 전압이고,
    상기 제2 전압은 게이트 로우 전압, 초기화 전압 또는 상기 로우 전원 전압인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  23. 제20 항에 있어서,
    상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 게이트와 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 드레인 사이에 연결된 커패시터; 및
    제3 전압과 상기 리페어 라인 초기화 트랜지스터의 상기 게이트 사이에 연결된 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  24. 제23 항에 있어서, 상기 제3 전압은 하이 전원 전압 또는 게이트 하이 전압인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
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