TWI635561B

TWI635561B - 半導體製造裝置

Info

Publication number: TWI635561B
Application number: TW105120354A
Authority: TW
Inventors: 脇岡寬之
Original assignee: 東芝記憶體股份有限公司
Priority date: 2015-11-12
Filing date: 2016-06-28
Publication date: 2018-09-11
Also published as: TW201729326A; CN106711064A; CN106711064B; JP2017092313A

Abstract

本發明之實施形態在於減少基板之起伏。

實施形態之半導體製造裝置具有：導軌，其能夠支持基板，且於第一方向延伸；加熱板，其配置於上述導軌之下方；第一夾具，其配置於上述導軌之上方；及第一突起部與第二突起部，其等能夠於與上述加熱板之間夾住上述基板，且設置於上述第一夾具，於與上述第一方向交叉之第二方向並排配置；比起上述第二突起部，上述第一突起部能夠夾住上述基板之較為靠近中央部之位置，且上述第一突起部之前端與第一夾具之上述加熱板側表面之距離較上述第二突起部之前端與第一夾具之上述加熱板側表面之距離更長。

Description

半導體製造裝置

[相關申請案]

本申請案享有以日本專利申請案2015-222346號(申請日：2015年11月12日)作為基礎申請案之優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包含基礎申請案之全部內容。

本實施形態係關於一種半導體製造裝置。

於半導體製造裝置中，存在壓抵基板之情形。

本發明之實施形態提供一種能夠減少基板之起伏之半導體製造裝置。

實施形態之半導體製造裝置具有：導軌，其能夠支持基板且於第一方向延伸；加熱板，其配置於上述導軌之下方；第一夾具，其配置於上述導軌之上方；及第一突起部與第二突起部，其等能夠於與上述加熱板之間夾住上述基板，且設置於上述第一夾具，於與上述第一方向交叉之第二方向並排配置；比起上述第二突起部，上述第一突起部能夠夾住上述基板之較為靠近中央部之位置，且上述第一突起部之前端與第一夾具之上述加熱板側表面之距離較上述第二突起部之前端與第一夾具之上述加熱板側表面之距離更長。

5‧‧‧半導體製造裝置

10‧‧‧供給部

20‧‧‧搬送部

25‧‧‧導軌

25a‧‧‧上導軌部

25b‧‧‧下導軌部

30‧‧‧排出部

40‧‧‧基板

45‧‧‧第一晶片區域

50‧‧‧半導體晶片

55‧‧‧接合線

70‧‧‧預加熱板

80‧‧‧加熱板

85‧‧‧第一區域

85a‧‧‧第一區域

85b‧‧‧第一區域

85c‧‧‧第一區域

85d‧‧‧第一區域

85e‧‧‧第一區域

85a'~85e'‧‧‧第一區域

100‧‧‧夾具

100'‧‧‧夾具

100"‧‧‧夾具

100'''‧‧‧夾具

100a、100b‧‧‧夾具

105‧‧‧孔

105a‧‧‧孔

105a'‧‧‧孔

105b‧‧‧孔

105b'‧‧‧孔

105c‧‧‧孔

105c'‧‧‧孔

105d‧‧‧孔

105d'‧‧‧孔

105e‧‧‧孔

105e'‧‧‧孔

200‧‧‧本體部

200'‧‧‧本體部

200"‧‧‧本體部

200'''‧‧‧本體部

200a~200f‧‧‧本體部

200a'~200f'‧‧‧本體部

205‧‧‧開口部

205'‧‧‧開口部

210‧‧‧彈簧部

220‧‧‧銷

230‧‧‧突起部

230'‧‧‧突起部

230"‧‧‧突起部

230'''‧‧‧突起部

230a‧‧‧突起部

230b‧‧‧突起部

230c‧‧‧突起部

230d‧‧‧突起部

230e‧‧‧突起部

230a'~230e'‧‧‧突起部

235‧‧‧彈性材料

235a~235e‧‧‧彈性材料

300‧‧‧真空泵

310‧‧‧配管

310'‧‧‧配管

310a‧‧‧配管

310a'‧‧‧配管

310b‧‧‧配管

310b'‧‧‧配管

310c‧‧‧配管

310c'‧‧‧配管

320‧‧‧閥

320a‧‧‧閥

320b‧‧‧閥

340‧‧‧空腔

340a‧‧‧空腔

340b‧‧‧空腔

350‧‧‧閥

350a‧‧‧閥

350b‧‧‧閥

360‧‧‧控制部

a‧‧‧壓力

t1‧‧‧時刻

t2‧‧‧時刻

t3‧‧‧時刻

X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

圖1係對第一實施形態之半導體製造裝置進行說明之模式性俯視圖。

圖2係對第一實施形態之半導體製造裝置進行說明之模式性立體圖。

圖3(A)係模式性地表示第一實施形態之夾具之整體圖像之剖視圖。

圖3(B)係模式性地表示第一實施形態之夾具之突起部之放大圖像之剖視圖。

圖4係模式性地表示第一實施形態之比較例之夾具之整體圖像之剖視圖。

圖5(A)~(C)係對第一實施形態之比較例中夾具壓抵基板之步驟進行說明之模式性剖視圖。

圖6(A)~(C)係對第一實施形態之夾具壓抵基板之步驟進行說明之模式性剖視圖。

圖7(A)及(B)係對第一實施形態之夾具之變化例進行說明之模式性剖視圖。

圖8係對第一實施形態之夾具之變化例進行說明之模式性剖視圖。

圖9係對第一實施形態之夾具之變化例進行說明之模式性立體圖。

圖10係對第二實施形態之半導體製造裝置進行說明之模式性俯視圖。

圖11係對第二實施形態之半導體製造裝置中配置於加熱板上表面之孔與真空泵之間之連接關係進行說明的模式性剖視圖。

圖12係表示第二實施形態中時間與各配管之壓力之關係之模式性曲線圖。

圖13係對第二實施形態之半導體製造裝置之變化例進行說明之模式性俯視圖。

圖14係對第二實施形態之變化例之半導體製造裝置中配置於加熱板上表面之孔與真空泵之間之連接關係進行說明的模式性剖視圖。

圖15係對第二實施形態之變化例之半導體製造裝置中配置於加熱板上表面之孔與真空泵之間之連接關係進行說明的模式性剖視圖。

圖16係對第三實施形態之半導體製造裝置中配置於加熱板上表面之孔與真空泵之間之連接關係進行說明的模式性剖視圖。

圖17係表示第三實施形態中時間與各配管之壓力之關係之模式性曲線圖。

圖18係對第四實施形態之半導體製造裝置進行說明之模式性立體圖。

圖19係模式性地表示第五實施形態之夾具之整體圖像之剖視圖。

以下，參照圖式對實施形態進行說明。於以下說明中，對於大致相同之功能及構成元件標註相同符號。再者，於本說明書中，「被壓抵」、「被按壓」、「壓抵」、「相接」、「按下」、「按壓」等兩個以上之物體之接觸、或兩個以上之物體間相互施力之表達包含不直接施力而間接施力之情形。亦即，「突起物與基板相接」、「突起物壓抵基板」等表達亦包含如下情形：於突起物與基板之間存在其他物體，藉由突起物或基板與該物體相接而對突起物或基板之另一者施力。

(第一實施形態)

圖1係對本實施形態之半導體製造裝置5進行說明之模式性俯視圖。

半導體製造裝置5具有供給部10、搬送部20、排出部30。

供給部10將基板40供給至搬送部20。例如，供給部10支持複數個基板40，且將基板40依序供給至搬送部20。或者，供給部10亦可為其他步驟之導軌。亦即，基板40亦可自其他步驟之導軌直接供給至搬送部20。

搬送部20將所供給之基板40搬送至排出部30，並且於該過程中進行特定之處理。特定之處理例如包括將半導體晶片50安裝至基板40、或半導體晶片50與基板40之間之引線接合等。

自搬送部20搬送之基板40被排出至排出部30。排出部30例如能夠支持複數個基板40。或者，排出部30亦可為其他步驟之導軌。亦即，基板40亦可被排出至其他步驟之導軌。自排出部30排出之基板40被搬運至其他半導體製造裝置、或其他半導體製造步驟。

(關於搬送部20)

以下，使用圖1及圖2更詳細地對搬送部20之詳情進行說明。

圖2係模式性地表示搬送部20之立體圖。於圖2中，利用虛線表示預加熱板70及加熱板80與其他元件重合之部分中之一部分。再者，為了便於觀察，未必記載預加熱板70與加熱板80之所有部分。

搬送部20例如具有導軌25。導軌25例如具有上導軌部25a及下導軌部25b。於上導軌部25a及下導軌部25b之間支持基板40。又，將導軌25之延伸方向設為X方向。將與X方向交叉之方向、例如直行之方向設為Y方向。再者，上導軌部25a及下導軌部25b可配置成一體，亦可為其中一者。

基板40為半導體裝置之電路基板或中介層。又，基板40可設置有未圖示之零件。基板40例如藉由將治具(未圖示)掛於配置於基板40之孔(未圖示)並被治具牽拉而於導軌25之延伸方向被搬送。

如圖1所示，基板40例如於Y方向具有4個第一晶片區域45。第一晶片區域45係於後續步驟中將基板40斷離時例如對應於一個半導體裝置之區域。又，如圖1所示，基板40例如於X方向亦具有複數個第一晶片區域45。再者，一個基板40所包含之第一晶片區域45之個數任意，並不限於圖1所示之例。

於基板40之下方配置預加熱板70及加熱板80。預加熱板70及加熱板80能夠對其上方之基板40進行加熱。於圖1及圖2中，預加熱板70及加熱板80係作為不同之構成而隔開地配置。再者，預加熱板70及加熱板80亦可作為一個構成而一體地配置。

利用預加熱板70對基板40進行預加熱。藉由預加熱，於利用加熱板80對基板40進行加熱時，能避免基板40偏移。亦即，如下所述，基板40於加熱板80上被加熱並且被夾具100壓抵。基板40可能會因熱膨脹而偏移。因此，藉由預先將基板40於預加熱板70上加熱，能夠減小因加熱板80之加熱引起之基板40之熱膨脹。如此一來，能夠減少因加熱板80上之熱膨脹引起之基板40之偏移。

於加熱板80之上方，基板40被夾具100a及100b壓抵於加熱板80。換言之，基板40被夾於夾具100a及100b與加熱板80之間。夾具100a配置於供給部10側，夾具100b配置於排出部30側。夾具100a及100b於Y方向延伸。再者，於以下說明中，於無需區分夾具100a及夾具100b之情形時簡稱為夾具100。

加熱板80於其上表面具有孔(未圖示)。該孔連接於未圖示之真空泵。藉由真空泵之抽吸，基板40被吸附於加熱板80之上表面。

基板40於被按壓至夾具100a及100b之間之區域由加熱板80加熱。對被壓抵於加熱板80之第一晶片區域45進行引線接合處理。基板40被按壓至加熱板80，因此能穩定地進行引線接合。又，能夠利用自加熱板80供給之熱對基板40進行引線接合。而且，如圖1所示，於半導體晶片50與基板40之間形成有接合線55。

針對夾具100按壓基板40之動作，進而詳細地說明。再者，關於夾具100之構造，於圖3以後進而詳細地進行說明。

夾具100預先遠離基板40地配置於基板40之上方。若將基板40搬送至特定之位置，則夾具100與加熱板80接近。藉由夾具100與加熱板80接近，基板40被夾具100與加熱板80夾住。再者，可藉由使夾具100下降而使之接近，亦可藉由將加熱板80朝夾具100側提昇而使之接近，或者可移動兩者。

再者，於圖1及圖2中，夾具100於加熱板80上按壓基板40。又，夾具100按壓基板40之Y方向之一部分。亦即，基板40之Y方向之長度長於夾具100之Y方向之長度。夾具100之大小及配置並不限於此。例如，夾具100之Y方向之長度亦可長於基板40之Y方向之長度。又，夾具100亦可配置於自上方觀察時不與加熱板80重合之外側之區域。即，夾具100只要能夠與加熱板80一起壓抵基板40即可。夾具100除下述條件外可為任意之大小、形狀。

圖3係對本實施形態之夾具100之詳情進行說明之模式性剖視圖。圖3(A)係表示夾具100之整體圖之模式性剖視圖，圖3(B)係將夾具100之任意突起部230放大之模式性剖視圖。

夾具100具有本體部200a~200f及突起部230a~230e。於以下說明中，於無需特別加以區分之情形時，簡稱為本體部200、突起部230。夾具100於突起部230之周圍具有彈簧部210及銷220。

本體部200a~200f於未圖示之圖3(A)之前方或後方連接，且構成一體之本體部200。於本體部200a~200f之間配置突起部230a~230e。若換個方式觀察，於本體部200之開口部205配置突起部230a~230e。

於Y軸方向上配置於基板40之中央附近之突起部為突起部230c。突起部230b及230d係較突起部230c壓抵基板40之更為外側之突起部。突起部230a及230e係能夠壓抵其更外側之突起部。再者，圖3之突起部圖示出5個之例，但並不限於此。夾具100可具有任意個數之突起部 230。

突起部230形成為其上部大於開口部205，且掛於本體部200而配置。突起部230設置成，相較於中央之突起部，其周圍之突起部較短。具體而言，相較於中央之突起部230a，其外側之突起部230b及230d較短。進而，相較於突起部230b及230d，其外側之突起部230a及230e較短。

換言之，中央之突起部230a與基板40之距離較其外側之突起部230b及230d與基板40之距離短。進而，突起部230b及230d與基板40之距離較其外側之突起部230a及230e與基板40之距離短。

進而，換言之，中央之突起部230a與加熱板80之距離較其外側之突起部230b及230d與加熱板80之距離短。進而，突起部230b及230d與加熱板80之距離較其外側之突起部230a及230e與加熱板80之距離短。

各突起部230於其周圍設置彈簧部210及銷220。突起部230係例如於壓抵基板40時，作為其反作用而於與基板40相反之方向、即上方向對突起部230施力。當朝上方對突起部230施力時，突起部230相對於本體部200被向上推升。當突起部230被向上推升時，彈簧部210被夾於銷220與本體部200之間，彈簧部210縮短。當彈簧部210縮短時，彈簧部210與其縮短之長度相應地反推本體部200及銷220。亦即，利用彈簧部210之反彈力而使突起部230壓抵基板40。

對夾具100與基板40接近且夾具100將基板40壓抵於加熱板80之流程進行說明。

首先，最長之中央之突起部230c將基板40壓抵於加熱板80。其次，其外側之突起部230b及230d壓抵基板40。然後，進而其外側之突起部230a及230e壓抵基板40。即，夾具100之中央之突起部230壓抵基板40，外側之突起部230依序壓抵基板40。

(第一實施形態之效果)

藉由使用本實施形態之夾具100，能夠相對於加熱板80以較少之偏移穩定地按壓基板40。

圖4為比較例之夾具100'。本比較例與本實施例之不同點在於，突起部230'之長度不隨場所變化而大致固定。

圖5(A)~(C)係模式性地說明利用比較例之夾具100'按壓基板40之情形之圖。圖5(A)係模式性地表示搬送基板40且夾具100與加熱板80接近之前之圖。圖5(B)係模式性地表示夾具100與加熱板80開始接近、夾具100開始與基板40相接之狀態之圖。圖5(C)係模式性地表示夾具100向加熱板80接近、基板40被夾具100與加熱板80夾住之狀態之圖。

如圖5(A)所示，基板40未必相對於加熱板80之上表面平坦。基板40例如除基板40本身之翹曲外，亦會因設置於基板40上之未圖示之零件、或半導體晶片50之貼附而具有翹曲或起伏。尤其係當基板40薄膜化時，有翹曲或起伏增大之傾向。

如圖5(B)~圖5(C)所示，於利用具有大致均等長度之突起部230'之夾具100'壓抵基板40之情形時，基板40被各突起部230'與加熱板80夾住之時序於各突起部均大致不變。如圖5(B)所示，於基板40之中央產生之基板40之翹曲或起伏無法充分退避至夾具100'之外側。亦即，如圖5(C)所示，於基板40被夾具100與加熱板80夾住時，翹曲、起伏、***、褶皺等殘留於基板40之中央部。再者，於圖5(C)中，實際上，突起部230'具有向本體部200'之上方突出之部分，但於圖式中省略該記載。再者，所謂中央部係指自X方向觀察基板40時包含其中心之部分。自X方向觀察基板40時中央部兩側之區域稱為基板40之外側。或者，中央部亦存在以自X方向觀察基板40時表示基板40之中心之意義使用之情形。

若於基板40之中央部產生翹曲或起伏，則會有基板於加熱板上 ***之情形。又，有接合負載不穩定，無法對基板40準確地賦予接合負載之情形。亦即，若於基板40之中央部產生翹曲或起伏，則有會成為未接合之原因之情形。又，引線接合時難以準確地接合，而成為與不希望之場所之短路不良等之原因。

圖6(A)~圖6(C)係對使用本實施形態之夾具100之情形進行說明之模式圖。圖6(A)~圖6(C)對應於圖5(A)~圖5(C)之圖。

如圖6(B)所示，藉由使用本實施形態之夾具100，基板40自中央朝向外側地依序被夾入至各突起部230與加熱板80之間。藉由依序於外側被夾入，產生於基板40之翹曲或起伏自中央依序被擠出至外側。如此一來，如圖6(C)所示，於被夾具100與加熱板80夾入之狀態下，產生於基板40之翹曲等減少。藉由翹曲等之減少，引線接合之未接合不良或短路不良減少。

進而，根據本實施形態，基板40藉由以夾持加熱板80之方式配置之夾具100a及100b兩者被壓抵於加熱板80。即，基板40被夾於加熱板80之Y方向兩側之位置。藉由如此於Y方向之2個位置夾住基板40，能更穩定地夾住基板40。

再者，於上述說明中，如圖3所示，將中央部之突起部230c之長度設為最長而進行了說明，但本實施形態並不限於此。即，只要將靠近中央部之突起部(例如突起部230c)之前端配置得較外側之突起部(例如230a及230e)更靠近基板40及加熱板80之表面即可。

更具體地進行說明。例如，本體部200之上方之突起部230之長度任意。亦即，配置於中央部之突起部230c中之配置於本體部200之上方之長度亦可較配置於外側之突起部(例如230a或230e)中之配置於本體部200上方之長度短。即，靠近中央部配置之突起部230c之全長亦可較配置於外側之突起部230a或230e之全長短。

(第一實施形態之變化例)

圖7(A)及圖7(B)係表示第一實施形態之變化例之夾具100之模式圖。如圖7(A)所示，可僅使中央之突起部230"較長，使其他突起部230"較短。或者，如圖7(B)所示，亦可使中央3個突起部230'''較長，僅使最外側之突起部230'''較短。

換言之，如圖7(A)所示，中央之突起部230"與加熱板80之距離可較其他突起部230"與加熱板80之距離短。或者，如圖7(B)所示，亦可使中央3個突起部230'''與加熱板80之距離較短，僅使外側之突起部230'''與加熱板80之距離較長。

於變化例之情形時，由於使中央部之突起部230較長而其外周部之突起部230較短，故而亦發揮與上述第一實施形態相同之效果。又，於本變化例中，突起部230之長度為兩種，故而能減少零件之種類。亦即，有容易進行突起部230之零件更換時之維護等之優點。

進而，夾具100之突起部230亦可不具有彈簧部210。例如，突起部230亦可為橡膠等彈性材料。又，如圖8所示，亦可僅夾具100之前端部為彈性材料235。即，各突起部230a~230e分別於其前端部具有彈性材料235a~235e。亦即，只要夾具100為自中央依序夾住基板40之構造便可獲得上述效果。

藉由如變化例般將彈性材料235用於夾具100之前端部，能減少於夾具100之前端部與基板40之間金屬彼此摩擦之動作。亦即，能夠減少因金屬彼此摩擦而產生之金屬污染或灰塵之產生。進而，由於能減少磨耗，故而容易進行夾具100之維護。又，將彈性材料235配置於夾具100之前端之構造僅藉由於與比較例相同之夾具之前端部安裝樹脂便能夠製造，故而容易製造夾具100。亦即，有能經濟地準備夾具100之優點。

進而，夾具100亦可具有任意根數之突起部230，突起部230之間隔為任意。

進而，亦可如圖9般使100a與100b一體地設置夾具100。亦即，無需分成兩個。

又，設為於加熱板80上進行引線接合而進行了說明，但本實施形態並不限於此。例如，亦可設為於加熱板80上且於基板40上晶片接合半導體晶片50。即，若晶片接合時亦於基板40之中央部產生翹曲或起伏，則會有基板於加熱板上***之情形。又，會有接合負載不穩定，無法對基板40準確地賦予接合負載之情形。亦即，若於基板40之中央部產生翹曲或起伏，則有會成為接合不良之原因之情形。藉由使用本實施形態之夾具100，亦能夠同樣地減少晶片接合之不良。

(第二實施形態)

參照圖10~圖12對本實施形態進行說明。

於本實施形態中，與第一實施形態之不同點在於，配置有於加熱板80之上表面配置之孔105，進而對於經由該孔105之基板40之抽吸力，於每個孔之位置設有差異。

圖10係自第二實施形態之加熱板80之上方觀察之模式性俯視圖。再者，基板40下方之加熱板80及配置於加熱板80之上表面之孔105由波狀線所圖示。

如圖10所示，加熱板80之上表面分為第一區域85a~85e。第一區域85c為Y方向上最中央之區域，第一區域85b及85d為其兩側之區域，第一區域85a及85e為其更外側之區域。

於第一區域85a~85e分別配置有孔105a~105e。如下所述，孔105a~105e經由配管而連接於真空泵(未圖示)。又，藉由被真空泵抽吸，孔105a~105e及連接於該處之配管被減壓而成為負壓。亦即，加熱板80能夠經由配置於其上表面之孔105而吸附基板40。

圖11係表示孔105、真空泵300、配管310、閥320之連接之模式圖。

孔105a及孔105e連接於配管310c。孔105b及105d連接於配管310b。孔105c連接於配管310a。配管310c經由閥320b而連接於配管310b。配管310b經由閥320a而連接於配管310a。配管310a連接於真空泵300。

藉由調整閥320a之開口度，能對配管310a及310b之間之壓力之下降方式設置時間差。同樣地，藉由調整閥320b之開口度，能對配管310b及310c之間之壓力之下降方式設置時間差。

圖12係模式性地表示各配管310之壓力與時間之關係之曲線圖。如圖12所示，配管310a之壓力最先到達特定之壓力a。且，配管310b之壓力其次到達，配管310c之壓力最晚到達。

亦即，加熱板80之上表面之孔中，中央部之孔105c最快進行抽吸，其次為其外側之孔105b及105d時間上較晚地進行抽吸，最後為最外側之孔105a及105e進行抽吸。

換言之，於開始抽吸時，經由孔105c對基板40之抽吸力較經由孔105b及105d之抽吸力更快地增大，經由孔105b及105d之抽吸力較經由孔105a及105e之抽吸力更快地增大。進而，換言之，於第一區域85c中最快將基板40吸附，其次於第一區域85b及85d中將基板40吸附，最後於第一區域85a及85e中將基板40吸附。

再者，孔105b及105d之抽吸之時序可同時，亦可錯開。同樣，孔105a及105e之抽吸之時序亦相同。

如此，藉由對加熱板80之上表面之吸附設置時間差，基板40自中央依序被吸附至加熱板80。即，能夠使產生於基板40之翹曲或起伏等自中央向外側退避。亦即，與第一實施形態同樣地能減少基板40之偏移等。

(第二實施形態之變化例)

第二實施形態除能與第一實施形態之夾具100進行組合以外，亦能與第一實施形態之比較例之夾具100'進行組合。由於無需進行夾具100之改造，故而與夾具100'進行組合之情形有能經濟地實現之優點。

再者，基板40被吸附至加熱板80之上表面之時序與基板40被夾於夾具100與加熱板80之間之時序可任一者為先，亦可同時。

圖13係改變孔105之配置之變化例。中央之孔105c'最早進行抽吸，孔105b'及105d'隨後進行抽吸，105a'及105e'最後進行抽吸。如此，孔105之配置可採用任意配置。

圖14係表示改變配管310'之粗細之變化例之孔105、真空泵300、配管310、空腔340之連接之模式圖。

連接關係與圖11相同，因此僅對不同點進行說明。

於第二實施形態中，配管310c'經由閥連接於配管310b'，但於本變化例中，經由空腔(cavity)340b進行連接。同樣，配管310b'經由空腔340a連接於配管310a'。

各配管310之粗細於第二實施形態中為大致相同之粗細，相對於此，於本變化例中每個配管310'均不同。具體而言，連接於真空泵300之配管310a'最粗，配管310b'第二粗，配管310c'最細。

藉由對配管310'之粗細設置差異，並且於其連接部配置空腔340，於真空泵300進行抽吸時，能夠實現與圖12相同之配管310之壓力與時間之關係。

進而，於本變化例中，於配管310'之間設置有空腔340。藉由配置空腔340，能夠與空腔340之容積(容量)相應地對配管310之減壓設置時間差。亦即，真空泵300於配管310b'被減壓前，需要更多地抽吸空腔340a之容積之相應量，故而配管310b'與配管310a'相比，壓力下降變慢。同樣，對於配管310c'與310b'亦能對壓力下降之時序設置差異。

再者，亦可僅藉由空腔340之容量對減壓之時序設置差異。亦即，亦可如圖15般不對配管310之粗細設置差異。

再者，作為另一變化例，於參照圖11進行說明之第二實施形態中，亦可對配管之粗細設置差異。

如此，只要基板40內側之孔105c之吸附力之大小較外側之孔、例如孔105b、孔105a之吸附力更快地增大，則配管310及孔105能夠使用任意構成。

(第三實施形態)

使用圖16及圖17對本實施形態進行說明。

於本實施形態中，與第二實施形態之不同點在於藉由控制部360之控制而進行連接配管310之閥350之開閉之時序。配置於配管310a與310b之間之閥350a、及配置於配管310b與310b之間之閥350b例如為電磁閥。

閥350a、閥350b分別電性連接於控制部360。控制部360為電腦、微型電腦、半導體製造裝置5之一部分等。控制部360藉由對閥350a及350b發送電氣信號，能進行閥350a及350b之開閉。

圖17係模式性地表示各配管310之壓力與時間之關係之曲線圖。

於時刻t1，真空泵300開始抽吸。當真空泵300抽吸時，連接於真空泵300之配管310a之壓力減小。時刻t1之後，於特定時間後、亦即時刻t2，控制部360打開閥350a。如此一來，配管310b之壓力經由配管310a而減小。於時刻t3，控制部360打開閥350b。如此一來，配管310c之壓力經由配管310a及310b而減小。

亦即，藉由調整打開閥350a及350b之時序，能夠對孔105c、孔105b及105d、孔105a及105e以所需之壓力a抽吸基板40之時序設置時間差。換言之，真空泵300開始抽吸後，於經過特定時間後打開閥350a，於進而經過特定時間後打開閥350b。

即，於第三實施形態中，亦能夠與第二實施形態同樣地減少基板40之偏移。

(第三實施形態之變化例)

閥350a及350b並不限於電磁閥，例如亦可使用氣缸閥等。例如，於利用空氣之壓力控制氣缸閥之開閉之情形時，控制部360利用氣體管連接於閥350a及350b。而且，控制部360藉由對閥350a或350b送出空氣而控制閥350a或350b之開閉。

亦即，閥350a、350b只要能自外部以所需之時序開閉即可，可使用任意構成。

(第四實施形態)

使用圖18對本實施形態進行說明。

如圖18所示，本實施形態之夾具100a及100b於各自之中央部具有一個突起部230a及230b。

尤其係於如第二實施形態、第三實施形態般對加熱板80所具備之孔105之吸附力設置時間差之情形時，夾具100亦可僅位於中央。即，只要於夾具100按壓基板40之Y方向之中央部之後，加熱板80之上表面之孔依序抽吸，便能夠與其他實施形態同樣地減少基板40之偏移。

(第五實施形態)

使用圖19對本實施形態進行說明。

如圖19所示，本實施形態之夾具100'與第一實施形態同樣地具有本體部200a'~200f'及突起部230a'~230e'。於以下說明中，於無需特別加以區分之情形時，簡稱為本體部200'、突起部230'。

本實施形態之夾具100'亦與第一實施形態同樣，突起部230a'~230e'中壓抵靠近基板40中央之位置之突起部230'最長，壓抵基板40外側之突起部230'之長度較短。

本實施形態之夾具100與第一實施形態不同，突起部230'無需相對於本體部200'上升便能夠按壓基板40。

具體而言，例如，可使用接著劑使突起部230'附著於本體部200'。或者，亦可將突起部230'與本體部200'一體地設置。

換言之，突起部230'亦可相對於本體部200'固定。

藉由使用此種夾具100'，與第四實施形態同樣地，中央之最長之突起部230c'能夠按壓基板40。

進而，根據本實施形態，於突起部230c'之周圍配置長度較短之突起部230'，該等突起部230'相對於本體部200'固定。藉由使用該夾具100'，基板40被支持於加熱板80附近之位置，容易被吸附至加熱板80。亦即，若基板40因翹曲或起伏等而於加熱板80之上方較大程度地翹曲，則會有難以吸附至加熱板80之情形。根據本實施形態，基板40不僅中央部、連外周部亦被按壓至夾具100'之突起部230'，故而容易避免此種不良狀況。

對本發明之實施形態進行了說明，但本實施形態係作為示例提出，並不意欲限定發明之範圍。該新穎之實施形態能夠以其他各種形態實施，能於不脫離發明主旨之範圍內進行各種省略、置換、變更。本實施形態或其變化包含於發明之範圍或主旨，並且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。

Claims

一種半導體製造裝置，其具有：導軌，其能夠支持基板且於第一方向延伸；加熱板，其配置於上述導軌之下方；第一夾具，其配置於上述導軌之上方；及第一突起部與第二突起部，其等能夠於與上述加熱板之間夾住上述基板，且設置於上述第一夾具，於與上述第一方向交叉之第二方向並排配置；比起上述第二突起部，上述第一突起部能夠夾住上述基板之較為靠近中央部之位置，且上述第一突起部之前端與第一夾具之上述加熱板側表面之距離，較上述第二突起部之前端與第一夾具之上述加熱板側表面之距離更長。
如請求項1之半導體製造裝置，其進而具有設置於上述第一夾具之第三突起部，且比起上述第二突起部，上述第三突起部能夠夾住上述基板之較為外側，上述第三突起部之前端與第一夾具之上述加熱板側表面之距離，較上述第二突起部之前端與第一夾具之上述加熱板側表面之距離更短。
如請求項1之半導體製造裝置，其進而具有：第二夾具，其配置於上述導軌之上方；及第四突起部與第五突起部，其等能夠於與上述加熱板之間夾住上述基板，且設置於上述第二夾具，於上述第二方向並排配置；比起上述第五突起部，上述第四突起部能夠夾住上述基板之較為中央部，上述第四突起部之長度較上述第五突起部更長，且上述第一夾具與上述第二夾具隔著上述加熱板而於上述第一方向隔開地配置。
如請求項3之半導體製造裝置，其中上述第一夾具與上述第二夾具一體地設置。
如請求項1之半導體製造裝置，其中上述第一突起部具有第一彈簧，上述第二突起部具有第二彈簧，且上述第一夾具能夠利用上述第一彈簧及上述第二彈簧之反彈力而夾住上述基板。
如請求項1之半導體製造裝置，其中上述第一突起部及上述第二突起部至少於其前端具有彈性材料。
如請求項1之半導體製造裝置，其中上述半導體製造裝置進而具有用以抽吸上述基板之抽吸部，上述加熱板於其上表面具有以能夠抽吸上述基板之方式連接於上述抽吸部之複數個孔，上述上表面於與上述第一方向交叉之第二方向具有第一區域及第二區域，上述第一區域配置於較上述第二區域更靠上述基板之中央側之位置，於上述抽吸部抽吸上述基板時，上述第一區域之經由上述孔之抽吸力較上述第二區域之經由上述孔之抽吸力更快地增大。
如請求項1至7中任一項之半導體製造裝置，其能夠於上述加熱板之上進行接合。
一種半導體製造裝置，其具有：導軌，其能夠支持基板，且於第一方向延伸；加熱板，其配置於上述導軌之下方，具備具有複數個孔之上表面；及抽吸部，其連接於上述複數個孔，能夠經由上述孔而抽吸上述基板；上述上表面於與上述第一方向交叉之第二方向具有第一區域及第二區域，上述第一區域配置於較上述第二區域更靠上述基板之中央側，且上述第一區域能夠較上述第二區域更早地抽吸上述基板。
如請求項9之半導體製造裝置，其中於上述抽吸部開始抽吸上述基板時，上述第一區域之經由上述孔之抽吸力較上述第二區域之經由上述孔之抽吸力更快地增大。
如請求項9之半導體製造裝置，其進而具有：第一配管，其連接於上述第一區域之上述孔及上述抽吸部而配置；第二配管，其連接於上述第二區域之上述孔及上述第一配管而配置；及閥，其配置於上述第一配管與上述第二配管之間。
如請求項9之半導體製造裝置，其進而具有：第一配管，其連接於上述第一區域之上述孔及上述抽吸部而配置；第二配管，其連接於上述第二區域之上述孔及上述第一配管而配置；及空腔，其配置於上述第一配管與上述第二配管之間。
如請求項9之半導體製造裝置，其進而具有：第一配管，其連接於上述第一區域之上述孔及上述抽吸部而配置；及第二配管，其連接於上述第二區域之上述孔及上述第一配管而配置；且上述第一配管之內徑較上述第二配管更粗。
如請求項9之半導體製造裝置，其中上述上表面於上述第二方向具有第三區域，上述第三區域配置於較上述第二區域更靠上述基板之外側，且於上述抽吸部抽吸上述基板時，上述第二區域之經由上述孔之抽吸力較上述第三區域之經由上述孔之抽吸力更快地增大。
如請求項9之半導體製造裝置，其進而具有：第一配管，其連接於上述第一區域之上述孔及上述抽吸部而配置；第二配管，其連接於上述第二區域之上述孔及上述第一配管而配置；閥，其配置於上述第一配管與上述第二配管之間；及控制部，其能夠控制上述閥之開閉；且上述控制部於上述抽吸部開始抽吸後經過特定時間後將上述閥開閉。
如請求項9之半導體製造裝置，其進而具有第一夾具，該第一夾具配置於上述導軌之上方，且具有能夠於與上述加熱板之間夾住上述基板之第一突起部。
如請求項9至16中任一項之半導體製造裝置，其能夠於上述加熱板之上進行接合。