TW202346080A - 基板黏貼裝置及基板黏貼方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]謀求被施加至複數基板彼此的接合面的加壓力之均勻化。 [解決手段]基板黏貼裝置(100)具有：第1平板(20)及第2平板(30)，其係在重疊複數基板(S1、S2)之狀態下進行夾持，和推壓機構(30)，其係將第1平板(20)及第2平板(30)中之一方推壓至另一方，第1平板(20)及第2平板(30)之至少一方具備：平板主體(31)，和能夠變形的抵接片(35)，其係被支持於平板主體(31)而抵接於基板(S1、S2)，具有高於平板主體(31)的柔軟性。

Description

基板黏貼裝置及基板黏貼方法
本發明係關於基板黏貼裝置及基板黏貼方法。
在重疊複數基板狀態下黏貼的基板黏貼裝置眾所皆知。作為如此的基板黏貼裝置，揭示例如具備有被加壓部、被配置在其下面的應力分散部、被配置在應力分散部之下面的零件保持部之構成(例如，參照專利文獻1)。在該構成中，零件保持部係被安裝於構成應力分散部之應力分散板的下面。來自加壓機構的加壓力以點荷重被施加在被加壓部之上面中央。應力分散板在其上面圓環狀地具備梯形狀剖面的接觸部。複數基板係被夾入零件保持部和應力分散部之間。來自加壓機構之加壓力係藉由被形成在應力分散板之圓環狀之接觸部，朝周圍分散。如此一來，藉由設置應力分散板，被施加在複數基板彼此之接合面的加壓力被均勻化。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-301593號公報
[發明所欲解決之課題]
因專利文獻1之基板黏貼裝置經由圓環狀之接觸部而傳達加壓力，故在加壓的軸方向之延長上無傳達加壓力之部分，不足以使加壓力均勻地分散。為了適當地黏貼基板彼此，期望使被施加於複數基板彼此之接合面的加壓力更均勻化。再者，在被施加於複數基板彼此之接合面的加壓力之均勻性低的情況，例如，在基板黏貼裝置之後工程，於進行基板之洗淨之時，也有基板上之電子零件脫落之情形。
本發明係以提供能夠謀求被施加於複數基板彼此之接合面之加壓力的均勻化的基板黏貼裝置及基板黏貼方法為目的。 [用以解決課題之手段]
在本發明之第1態樣中，提供一種基板黏貼裝置，具備：第1平板及第2平板，其係在重疊複數基板之狀態下進行夾持，推壓機構，其係將第1平板及第2平板中之一方推壓至另一方，第1平板及第2平板之至少一方具備：平板主體，和能夠變形的抵接片，其係被支持於平板主體而抵接於基板，具有比平板主體更高的柔軟性。
在本發明之第2態樣中，提供一種基板黏貼方法，其係以重疊複數基板之狀態下，藉由以第1平板及第2平板夾持，黏貼複數基板的方法，包含：在第1平板和第2平板之間，在重疊複數基板之狀態下配置之步驟；和藉由將第1平板及第2平板中之任一方朝向另一方推壓，將推壓力施加至第1平板和第2平板之間的複數基板之步驟，推壓力係經由因應推壓力而變形的抵接片，而被施加至複數基板。 [發明之效果]
若藉由本發明時，因基板黏貼裝置係第1平板及第2平板之至少一方抵接於基板，具備具有較平板本體更高之柔軟性的能夠變形的抵接片，故推壓機構所致之推壓力，係經由抵接片而被傳達至複數基板。因此，可以謀求被施加於複數基板彼此之接合面的加壓力之均勻化，可以適當地接合複數基板彼此。
以下，針對本發明之實施型態，一面參照圖面一面予以說明。但是，本發明不被限定於以下說明。再者，在圖面中，為了容易理解地說明實施型態，有省略一部分來表現之部分。而且，在圖面中，有放大或強調一部分而予以記載等適當地變更縮尺來表現，與實際的製品大小、形狀不同之情況。在以下之各圖中，使用XYZ直角坐標系統而說明圖中之方向。在該XYZ直角坐標系統中，將與水平面平行之平面設為XY平面。在該XY平面中，將與基板S1和基板S2之搬運方向平行的方向設為X方向，將與X方向正交之方向設為Y方向。再者，將與XY平面呈垂直之方向記載為Z方向(高度方向)。X方向、Y方向及Z方向之各者係以圖中箭號所指之方向為+方向，與箭號所指的方向相反的方向為-方向予以說明。
＜基板黏貼裝置＞ 針對實施型態所涉及之基板黏貼裝置100予以說明。圖1為表示實施型態所涉及之基板黏貼裝置100之一例的圖。基板黏貼裝置100係藉由將推壓力施加至在前工程中經由接著層F而暫時被黏貼之基板S1、S2，黏貼基板S1和基板S2。接著層F係被設置在基板S1及基板S2之至少一方。
基板S1及基板S2係例如玻璃基板，但是即使為玻璃基板以外之半導體基板、樹脂性基板等亦可。在本實施型態中，被貼合的兩片基板之中，將上側基板設為基板S1，將下側基板稱為基板S2。再者，將黏貼基板S1和基板S2之型態稱為基板S。基板S1及基板S2皆使用在俯視下(從Z方向觀看)呈圓形狀之圓形基板，但是不限定於圓形基板，即使為在俯視下呈矩形狀(正方形狀、長方形狀)之角形基板、橢圓形狀、長圓形狀等之基板亦可。
圖2為從上方觀看基板S1及基板S2的圖。如圖2所示般，基板S1及基板S2具有機能區域Af。機能區域Af係在基板S1和基板S2之間，配置有半導體晶片等之元件的區域。機能區域Af係被設置在較基板S1及基板S2之外周緣Se更靠徑向內側。基板S1及基板S2係在機能區域Af之徑向外側具有無配置元件之外周區域As。
如圖1所示般，基板黏貼裝置100具備腔室10、第1平板20、第2平板30、推壓機構50和控制部(無圖示)。控制部(無圖示)係統籌控制在基板黏貼裝置100中之各部之動作。
腔室10係被配置在基板黏貼裝置100之基台15上。腔室10係被形成具有從基台15之外周部朝上方立起的側壁10a，和覆蓋側壁10a之上方的頂板10b之箱狀。腔室10係在內部收容第1平板20、第2平板30、推壓機構50之一部分。腔室10係在側壁10a之一部分具有開口部11。開口部11係被形成在腔室10之-X側之面，連通腔室10之內部和外部。開口部11係被形成在前工程中經由接著層F暫時被黏貼的基板S1、S2及基板S1、S2被黏貼的基板S之各者能夠通過的尺寸。基板S1、S2係藉由搬運裝置(無圖示)經由開口部11而被搬入至腔室10內。再者，基板S係經由開口部11而從腔室10內被搬出。
腔室10具備開關開口部11之閘閥12。閘閥12係被配置在腔室10之-X側之側面中之外側，藉由無圖示之驅動部，能夠在例如高度方向(Z方向)滑動。閘閥12係藉由滑動開關開口部11，藉由關閉開口部11，可以使腔室10內成為密閉狀態。
另外，在本實施型態中，藉由關閉開口部11，使腔室10內成為密閉狀態，藉由無圖示之真空泵，使腔室10內成為真空氛圍。藉由該吸引裝置，藉由吸引(排氣)腔室10內，可以使腔室10內成為真空氛圍。而且，即使腔室10具備為了開放內部之真空氛圍，能夠對外部開放的閥體亦可。但是，不限定於將腔室10內設為真空氛圍，即使以閘閥12關閉開口部11，設為使腔室10內成為大氣壓氛圍下的狀態亦可。再者，在腔室10之上面，設置後述複數推壓軸51貫通之複數貫通部10h。在貫通部10h之各者，以推壓軸51能夠升降之狀態被***，藉由無圖示之密封構件，維持腔室10內之密閉狀態。
另外，基板黏貼裝置100是否具備腔室10為任意，即使不具備腔室10之型態(大氣開放型)亦可。再者，即使腔室10內被連接於無圖示之氣體供給裝置亦可。藉由從該氣體供給裝置對腔室10內供給特定氣體，可以將腔室10內之氛圍置換成特定的氣體氛圍。作為特定氣體，使用例如氮氣等之相對於被形成在基板S1、S2之薄膜等呈惰性的氣體，或乾空氣。
第1平板20係從下方支持被搬入至腔室10內之基板S1、S2。第1平板20係從上方觀看呈圓形狀，不限定於該型態，即使為例如矩形狀(正方形狀、長方形狀)、橢圓形狀、長圓形狀等亦可。第1平板20係被設定成大於基板S1、S2的外徑尺寸。
第1平板20具有支持板21、第1加熱器(加熱部)22和基座板23。支持板21、第1加熱器22及基座板23係從下側(-Z側)依序被疊層。第1平板20係藉由被設置在支持板21之下面側的複數根之支柱24而被支持，經由支柱24而被固定於基台15之上面。支持板21和第1加熱器22之間，及第1加熱器22和基座板23之間藉由例如螺桿等之締結構件而被固定。
支持板21係藉由例如金屬、樹脂、陶瓷等之材質而被形成的板狀體。第1加熱器22係加熱部之一例，例如在內部具有電熱線等之加熱機構(熱源)的熱板。藉由第1加熱器22，經由基座板23而加熱基板S1、S2。另外，即使第1加熱器22為夾著片狀之熱源而被疊層的疊層構造體亦可。再者，在本實施型態中，雖然第1平板20具有第1加熱器22，但是即使設為不具有的構成亦可。
基座板23係在作為上面之+Z側之載置面23a載置基板S1、S2及基板S。因基座板23係用以緩和基板S1、S2及基板S之熱膨脹係數，故雖然使用例如以陶瓷形成板狀之陶瓷板，但是即使以金屬、樹脂等形成亦可。基座板23之載置面23a係成為與基板S2的接觸面。因此，載置面23a係以平面度高且表面粗糙度小(或鏡面)為佳。
支柱24係被設置複數根在支持板21之下面。複數支柱24係被使用於將第1平板20支持於腔室10之底部的基台15。複數支柱24係被配置在支持板21之外周部。雖然支柱24從上方觀看呈矩形狀，但是即使為圓形狀、橢圓形狀、長圓形狀等亦可。支柱24係在支持板21之圓周方向隔著間隔而配置複數個。在本實施型態中，支柱24係在圓周方向隔著間隔而配置6個。藉由以複數根之支柱24支持第1平板20，即使為推壓機構50所致的推壓力大之情況，亦防止第1平板20之變形。另外，複數根之支柱24之根數及配置，不被限定於上述型態，可以藉由第1平板20之大小、使用的推壓力之大小等而任意設定。
圖3為使第2平板30下降，使抵接片35抵接於基板S1、S2之狀態的縱剖面圖。如圖3所示般，第2平板30係於黏貼基板S1和基板S2之時，朝向第1平板20側(-Z側)推壓基板S1、S2。第2平板30係被配置在第1平板20之上側。第2平板30係與第1平板20相同，從上方觀看呈圓形狀，不限定於該型態，即使為例如矩形狀(正方形狀、長方形狀)、橢圓形狀、長圓形狀等亦可。第2平板30係被設定成大於基板S1、S2的外徑尺寸。雖然第2平板30之外徑尺寸與第1平板20相同，但是不被限定於該型態。例如，即使第2平板30相對於第1平板20外徑尺寸較大亦可，即使較小亦可。
第2平板30係被保持於後述推壓機構50之推壓軸51之下端，隨著推壓軸51之升降而升降。第2平板30具備平板本體31、抵接片35。平板主體31具備受壓板32、第2加熱器(加熱部)33和加壓板34。受壓板32、第2加熱器33、加熱板34及抵接片35係從上側依序被疊層。受壓板32、第2加熱器33及加壓板34之各者為俯視下呈圓形之板狀，具有相同的外徑。構成平板主體31之受壓板32、第2加熱器33、加壓板34係藉由例如螺桿等之締結構件而被固定。
受壓板32係被配置在推壓機構50側，即是上側。受壓板32係被連接於推壓機構50之推壓軸51之下端部。因受壓板32係從推壓機構50之推壓軸51接受推壓力，故以特定強度形成為佳。受壓板32係例如藉由金屬、樹脂、陶瓷等形成。在本實施型態中，受壓板32為金屬板。
第2加熱器33係被配置在加壓板34和受壓板32之間。第2加熱器33係被配置在加壓板34之上面。第2加熱器33係與第1平板20之第1加熱器22相同，為例如在內部具有電熱線之加熱機構(熱源)的熱板。第2加熱器(無圖示)係經由加壓板34而加熱基板S1。另外，即使第2加熱器(無圖示)與第1加熱器22相同夾著薄片狀之熱源而被疊層的疊層構造體亦可。再者，在本實施型態中，雖然平板主體31具備第2加熱器33，但是即使為不具備的構成亦可。
加壓板34係被設置在第2加熱器33之下側。加壓板34係在-Z側之下面具備用以從上方加壓基板S1之加壓面34a。加壓板34係用以緩和基板S1、S2及基板S之熱膨脹係數，故雖然使用例如以陶瓷形成板狀之陶瓷板，但是即使以金屬、樹脂等形成板狀亦可。
抵接片35係被支持於平板本體31。抵接片35係相對於平板本體31被設置在第1平板20側，即是下側。抵接片35係沿著加壓板34之加壓面34a而被固定。抵接片35係藉由例如接著、吸附等，被固定在加壓面34a。抵接片35係以被構成藉由適當的手段，能對加壓面34a安裝拆卸為佳。抵接片35具有朝下側，抵接於基板S1之抵接面35f。
抵接片35不限於從下方觀看被形成圓形之圓形。即使例如在俯視下呈矩形狀(正方形狀、長方形狀)之角形基板、橢圓形狀、長圓形狀等亦可。抵接片35係藉由具有較平板本體31更高之柔軟性之能變形的材料形成。藉由使加壓板34下降，於對基板S1、S2施加荷重之時，推壓機構50所致的推壓力，從受壓板32經由第2加熱器33、加壓板34、抵接片35而被傳達至複數基板S1、S2。此時，抵接片35係藉由推壓力在上下方向(薄片厚度方向)變形，依此謀求作用於基板S1、S2之壓力變動幅度的均勻化。
因此，抵接片35係包含具有較平板主體31更低之壓縮楊氏係數的材料而形成。在平板主體31中，被配置在抵接片35之上側的加壓板34係在例如陶瓷製之情況，其壓縮楊氏係數為300000(MPa)。再者，在平板主體31之加壓板34為例如不鏽鋼製之情況，壓縮楊氏係數E為193000(MPa)。即是，加壓板34係對基板S1、S2施加荷重之時在加壓面34a產生的上下方向中之位移量(變形量)幾乎不產生。對此，在抵接片35中，以加壓板34施加荷重之時，為了謀求作用於基板S1、S2之壓力變動幅度之均勻化，以抵接片35使用滿足以下所示之條件的材料為佳。
例如，抵接片35係以暫時固定在基板S1、S2或不固定為佳，即是，如本實施型態所示般，以被支持於平板本體31者為佳，以包含在每單位面積1.0t之荷重被施加於基板S1、S2之時，在荷重之方向以50um以上360um以下之範圍位移(變形)的材料而形成為佳。每單位面積1.0t之荷重被施加於基板S1、S2之時的抵接片35之位移量，低於上述範圍之情況，施加荷重之時之抵接片35之位移變少，無法取得充分的壓力均勻化效果。再者，在每單位面積1.0t之荷重被施加於基板S1、S2之時之抵接片35之位移量，在高於上述範圍之情況，有無法對基板S1、S2施加充分的荷重之可能性。
另外，作為每單位面積之荷重，雖然例示1.0t，但是不限於此。實際上，即使配合以基板黏貼裝置100進行基板S1、S2之黏貼之時的荷重，使荷重適當變化亦可。再者，抵接片35係由具有承受第2加熱器33所致之加熱溫度的耐熱性之材料形成為佳。第2加熱器33所致的加熱溫度為例如150℃程度。
例如，抵接片35係以壓縮楊氏係數為例如0.2~2MPa之材料而形成為佳。抵接片35之壓縮楊氏係數之較佳範圍為0.3~0.9MPa。例如，壓縮楊氏係數高於上述範圍之情況，有施加荷重之情況的位移變少，無法取得充分的壓力均勻化效果之情況。另一方面，在壓縮楊氏係數低於上述範圍之情況，仍有無法對基板S1、S2之一部分或全部施加充分的荷重之可能性。
再者，例如，抵接片35係以橡膠硬度為例如5~36之材料而形成為佳。抵接片35之橡膠硬度之更佳範圍為15~36，更佳的範圍為20~30。例如，橡膠硬度高於上述範圍之情況，有無法取得出充分的壓力均勻化效果之情況。另一方面，在橡膠硬度低於上述範圍之情況，仍有無法對基板S1、S2之一部分或全部施加充分的荷重之可能性。再者，例如抵接片35係以包含多孔質材料形成為佳。藉由包含多孔質材料形成抵接片35，容易取得壓力均勻化效果。另外，針對在本實施型態使用的橡膠硬度，為使用依據JIS K 7312的C型硬度計而測量出的數值。
再者，以基板黏貼裝置100量產基板S之情況，抵接片35係以在重複作用荷重之情況，即使上述般之各條件經過某一定的次數，其性能也不會顯著下降為佳。作為滿足該些各條件，抵接片35所使用之素材，可以使用例如氟海綿(附基材)。另外，若為不進行複數次基板黏貼處理之情況，作為抵接片35所使用之素材，也可以使用PTFE(聚四氟乙烯)製墊圈。
再者，例如，抵接片35係以厚度為例如0.5mm以上2.0mm以下包含材料而形成為佳。抵接片35之厚度的較佳範圍為0.5mm以上1.5mm以下。例如，抵接片35之厚度高於上述範圍之情況，於施加荷重之時，第2加熱器33所致的熱難傳達至基板S1、S2。再者，在抵接片35之厚度低於上述範圍之情況，施加荷重之時的抵接片35之位移少，無法取得充分的壓力均勻化效果。
再者，即使在抵接片35之上面及下面之至少一方，形成例如提高從基板S1的離型性等的具有機能性的基材亦可。即使基材為覆膜等亦可。例如，即使在抵接片35之上面及下面之至少一方，形成例如聚醯亞胺層亦可。
抵接片35之外形(外徑)尺寸係被設定為小於基板S1、S2之外形尺寸。依此，於抵接片35抵接於基板S1、S2之時，基板S1、S2之外周部突出至抵接面35之外側。當將抵接片35之外形(外徑)尺寸設為大於基板S1、S2之外形尺寸時，抵接片35之外周部較基板S1、S2更突出至徑向外側。如此一來，在重複基板S1、S2之加壓的時候，抵接片35之外周部不位移，在其內側抵接於基板S1、S2之部分藉由重複的位移被壓扁。其結果，藉由抵接片35和基板S1、S2之位置偏移等，若抵接片35之外周部之不被壓扁的部分，抵接於基板S1、S2時，在其部分，有過度被施加大的壓力之可能性。即使將抵接片35之外徑尺寸設為與基板S1、S2之外徑尺寸相同之情況，也有產生相同之問題的可能性。
抵接片35係以被形成覆蓋基板S1、S2之機能區域Af為佳。即是，抵接片35之外徑尺寸係設定為大於機能區域Af之外徑尺寸為佳。依此，在加壓時，抵接片35之全體抵接於機能區域Af，可以有效地謀求壓力之均勻化。
推壓機構50係使第2平板30下降，黏貼基板S1和基板S2之時，朝向基板S2側(第1平板20側)推壓基板S1。如圖1所示般，推壓機構50具備推壓軸51、使推壓軸51驅動的驅動部(無圖示)。推壓軸51係從上方觀看被配置在受壓板32之中央部，對受壓板32之中央部施加荷重(推壓力)。
推壓軸51係經由貫通部10h而被***至腔室10內。推壓軸51之各者為圓形剖面的棒狀體，藉由不會因被施加的荷重而變形，或變形被抑制的外徑及材質(例如，金屬、樹脂、陶瓷等)形成。驅動部(無圖示)係驅動推壓軸51。驅動部係例如使用汽缸裝置、油壓汽缸裝置、使用電動旋轉馬達的滾珠螺桿機構等。
驅動部係藉由控制部(無圖示)而被控制。藉由驅動部(無圖示)施加至推壓軸51之荷重及施加荷重之驅動時序，係根據事先設定的程式等而藉由控制部(無圖示)被統籌控制。再者，即使驅動部(無圖示)之動作之一部分或全部藉由操作者所致的操作而進行亦可。
＜基板黏貼方法＞ 接著，針對與本實施型態有關之基板黏貼方法進行說明。圖4為表示本實施型態所涉及之基板黏貼方法之一例的流程圖。該基板黏貼方法係藉由例如來自控制部(無圖示)之指示而被實行。圖5至圖8為表示基板黏貼裝置100之動作之一例的工程圖。另外，在該些工程圖中，以容易理解各部之動作之方式，簡化記載。以下，沿著圖4之流程圖予以說明。
首先，開啟腔室10之閘閥12，搬入基板S(步驟S01)。如圖5所示般，控制部(無圖示)係使無圖示之驅動部驅動而使閘閥12上升，開放開口部11。接著，藉由搬運裝置(無圖示)，將在前工程事先經由接著層F而重疊的複數基板S1、S2搬入至腔室10內。此時，第2平板30係相對於第1平板20朝上方間隔開。搬運裝置(無圖示)係在保持基板S1、S2之狀態下從開口部11進入至腔室10之內部，將重疊的基板S1、S2載置於第1平板20之基座板23上(步驟S02)。
接著，如圖6所示般，關閉閘閥12，藉由無圖示之吸引裝置排氣腔室10內，例如將腔室10內設為真空氛圍(步驟S03)。另外，即使取代將腔室10內設為真空氛圍，以邊藉由無圖示之吸引裝置，排氣腔室10內，邊對腔室10內供給潔淨氣體，例如將腔室10內在大氣壓條件下置換成潔淨氣體亦可。
接著，控制部(無圖示)係如圖7所示般，使驅動部(無圖示)驅動而使第2平板30與推壓軸51同時下降，使第2平板30之加壓板34抵接於被支持於第1平板20之基座板23上的基板S1、S2(步驟S04)。接著，在該狀態，藉由第1加熱器22及第2加熱器(無圖示)將基板S1、S2加熱特定時間而進行預熱處理。預熱處理係使第1加熱器22及第2加熱器(無圖示)之溫度從例如150℃成為250℃而進行。
接著，以推壓軸51施加荷重，黏貼基板S1和基板S2(步驟S05)。控制部(無圖示)係使驅動部(無圖示)驅動而使第2平板30與推壓軸51同時下降，在第1平板20和第2平板30之間推壓基板S1和基板S2，依此黏貼基板S1和基板S2。此時，持續第1加熱器22及第2加熱器(無圖示)所致的加熱，即使使第1平板20及第2平板30保持在特定溫度亦可。基板S1和基板S2係接著層F藉由熱熔解而被接著，而且，藉由第2平板30所致的從基板S1側的推壓，基板S1和基板S2強固被黏貼。
於基板S1和基板S2之黏貼完成後，如圖8所示般，使驅動部(無圖示)驅動而使第2平板30與推壓軸51同時上升(步驟S06)。之後，如圖9所示般，開啟閘閥12而將基板S從腔室10搬出(步驟S07)。於使閘閥12上升而開啟開口部11之後，以搬運裝置(無圖示)，將被載置於第1平板20之支持板21上的基板S搬出至腔室10之外部。之後，控制部(無圖示)係關閘閥12而結束一連串的處理。
如上述般，因本實施型態所涉及之基板黏貼裝置100包含抵接片35，故推壓機構50所致的推壓力，係從平板本體31經由抵接片35而被傳達至複數基板S1、S2。抵接片35具有高於平板本體31之柔軟性而能夠變形。依此，推壓機構50所致的推壓力更均勻地傳達至第2加熱器33。因此，若藉由本實施型態所涉及之基板黏貼裝置100時，可以謀求被施加於複數基板S1、S2彼此之接合面的加壓力的均勻化。
(實施例) 接著，因針對上述般之抵接片35所使用的複數材料，進行性能評估，故以下表示其結果。 在此，作為抵接片35所使用的薄片材料，使用下述般者。 試驗體1：厚度1mm之氟海綿(附基材) 試驗體2：厚度0.5mm之PTFE(聚四氟乙烯)製墊圈 試驗體3：厚度1mm之PTFE(聚四氟乙烯)製墊圈 比較例：不使用抵接片
將上述試驗體1~3之薄片材料之各者，以壓力變動幅度計測量基板黏貼裝置100在第1平板20和第2平板之間夾入基板S1、S2，施加4000kgf之荷重之時的薄片材料中之壓力變動幅度。再者，作為比較例，不使用抵接片35，以壓力變動幅度計測量基板黏貼裝置100在第1平板20和第2平板之間夾入基板S1、S2，施加4000kgf之荷重之時的壓力變動幅度。
圖10為表示薄片材料之評估結果的圖。在此，以下式(1)求出示試驗體1~3之薄片材料之壓縮楊氏係數，表示於圖10。 在此，F為荷重，A為薄片材料之平面積，L為薄片材料之厚度，ΔL為薄片材料之厚度的位移量。另外，比較例中之壓縮楊氏係數係構成平板(第2平板)之不鏽鋼的值。
如圖10所示般，針對試驗體1~3，分別以壓縮楊氏係數、施加1ton荷重時之薄片材料之耐久性、重複1ton之荷重且施加500次之時的作用於薄片材料之壓力之最小值和最大值之差(壓力變動幅度)之各者與不使用薄片材料之比較例進行比較，充分滿足各條件。在此，耐久性之判斷係藉由壓力變動幅度而判斷。此係藉由重複荷重，薄片完全被壓扁，當提升壓力均勻性之效果消失時，則取決於壓力變動幅度變大。針對試驗體1~3，比起比較例，因壓力變動幅度顯著較小，故可以判斷為作為薄片材料充分具有耐久性。
以上，雖然針對實施型態予以說明，但是本發明不限定於上述說明，能在不脫離本發明之主旨的範圍進行各種變更。例如，在上述實施型態中，雖然說舉出藉由推壓機構50使被配置在上側的第2平板30移動，在第2平板30具備抵接片35之構成為例，但是並不限定於此。例如，即使為藉由推壓機構50使被配置在下側的第1平板20移動，在該第1平板20具備抵接片35的構成亦可。
再者，在上述實施型態中，雖然舉出以基板黏貼裝置100黏貼在前工程經由接著層F暫時被黏貼的基板S1、S2之構成為例予以說明，但是不限定於此。例如，即使為以基板黏貼裝置100，依序搬入基板S1、S2，經由接著層F黏貼基板S1、S2之後，藉由在第1平板20和第2平板30之間，推壓基板S1、S2，黏貼基板S1、S2的構成亦可。
20:第1平板 30:第2平板 31:平板主體 35:抵接片 50:推壓機構 100:基板黏貼裝置 Af:機能區域 S,S1,S2:基板
[圖1]為表示實施型態所涉及之基板黏貼裝置之一例的圖。 [圖2]為基板及從上方觀看基板的圖。 [圖3]為使第2平板下降，使抵接片抵接於基板之狀態的縱剖面圖。 [圖4]為表示本實施型態所涉及之基板黏貼方法之一例的流程圖。 [圖5]為表示基板黏貼裝置之動作之一例的工程圖。 [圖6]為表示基板黏貼裝置之動作之一例的工程圖。 [圖7]為表示基板黏貼裝置之動作之一例的工程圖。 [圖8]為表示基板黏貼裝置之動作之一例的工程圖。 [圖9]為表示基板黏貼裝置之動作之一例的工程圖。 [圖10]為表示抵接片所使用之薄片材料的性能評估之結果的圖。
10:腔室
10a:側壁
10b:頂板
10h:貫通部
11:開口部
12:閘閥
15:基台
20:第1平板
21:支持板
22:第1加熱器
23:基座板
23a:載置面
24:支柱
30:第2平板
31:平板主體
32:受壓板
33:第2加熱器
34:加壓板
34a:加壓面
35:抵接片
35f:抵接面
50:推壓機構
51:推壓軸
100:基板黏貼裝置
S,S1,S2:基板
F:接著層

Claims (10)

  1. 一種基板黏貼裝置，具有： 第1平板及第2平板，其係在重疊複數基板之狀態下進行夾持，和 推壓機構，其係將上述第1平板及上述第2平板中之一方推壓至另一方， 上述第1平板及上述第2平板之至少一方具備： 平板主體，和 能夠變形的抵接片，其係被支持於上述平板主體而抵接於上述基板，具有比上述平板主體更高的柔軟性。
  2. 如請求項1之基板黏貼裝置，其中 上述抵接片係被形成覆蓋上述基板之機能區域。
  3. 如請求項1或2之基板黏貼裝置，其中 上述抵接片係包含具有低於上述平板主體之壓縮楊氏係數之材料而被形成。
  4. 如請求項1或2之基板黏貼裝置，其中 上述抵接片係橡膠硬度為15~36。
  5. 如請求項1或2之基板黏貼裝置，其中 上述抵接片係使用多孔質材料而被形成。
  6. 如請求項1或2之基板黏貼裝置，其中 上述抵接片具有0.5mm以上1.5mm以下之厚度。
  7. 如請求項1或2之基板黏貼裝置，其中 上述抵接片係於施加每單位面積1.0t之荷重時，藉由在上述荷重之方向變形50um以上之材料而形成。
  8. 如請求項1或2之基板黏貼裝置，其中 上述第1平板及上述第2平板之一方或雙方具備用以加熱上述基板的加熱部， 上述抵接片係由具有承受上述加熱部所致之加熱溫度的耐熱性之材料形成。
  9. 如請求項1或2之基板黏貼裝置，其中 上述抵接片之外形尺寸小於上述基板之外形尺寸，於上述抵接片抵接於上述基板之時，上述基板之外周部突出至上述抵接片之外側。
  10. 一種基板黏貼方法，其係以重疊複數基板之狀態下，藉由以第1平板及第2平板夾持，黏貼上述複數基板的方法，包含： 在上述第1平板和上述第2平板之間，以重疊上述複數基板之狀態配置之步驟；和 藉由將上述第1平板及上述第2平板中之任一方朝向另一方推壓，將推壓力施加至上述第1平板和上述第2平板之間的上述複數基板之步驟， 上述推壓力係經由因應上述推壓力而變形的抵接片，而被施加至上述複數基板。
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