TWI618818B - 含銀薄膜的蝕刻液組合物和使用了其的顯示裝置用陣列基板的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及包含磷酸、硝酸、醋酸、磷酸鹽、硝酸鹽和/或醋酸鹽、和脫離子水的含銀薄膜的蝕刻液組合物、使用了其的顯示裝置用陣列基板的製造方法。
Description
本發明涉及含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物和使用了其的顯示裝置用陣列基板的製造方法。
隨著進入真正的資訊化時代，對大量的資訊進行處理和顯示的顯示器領域急速地發展，相應地開發了多種平板顯示器而受到關注。
作為這樣的平板顯示裝置的例子，可列舉液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display device：LCD)、等離子體顯示裝置(Plasma Display Panel device：PDP)、場致發射顯示裝置(Field Emission Display device：FED)、有機發光元件(Organic Light Emitting Diodes：OLED)等。
特別地，OLED由於由元件自身發光，同時即使用低電壓也能夠驅動，因此不僅已迅速地應用於可攜式裝置等的小型顯示器市場，而且根據向顯示器的大畫面化的
趨勢，目前正在進行向大型電視機等的商用化。伴隨顯示器的大畫面化，配線等延長，配線電阻增加，因此要求降低電阻、可以實現顯示裝置的大型化和高解析度的方法。
為了解決電阻的增加引起的信號延遲等的問題，有必要用具有盡可能低的比電阻的材料形成所述配線。作為這樣的努力的一環，致力於將具有比其他金屬低的比電阻和高的亮度、電導率的銀(Ag：比電阻約1.59μΩcm)膜、銀合金膜、或包含銀膜、銀合金膜的多層膜應用於濾色器的電極、配線和反射膜等、用於實現平板顯示裝置的大型化以及高解析度和低電力消耗等的努力，要求用於應用於這樣的材料的蝕刻液。
將含銀(Ag)薄膜蒸鍍於基板的情況下，為了將其形成圖案、蝕刻，使用以往的蝕刻液的情況下，有時產生蝕刻不良、殘渣產生、工序時間延長等問題。另外，與其相反，將銀(Ag)過度地蝕刻，不均一地蝕刻，發生配線浮起或剝離現象，配線的側面輪廓可變得不良。因此，要求開發能夠解決這樣的問題的新的蝕刻液。
本發明為了解決所述的問題而完成，目的在於提供將銀(Ag)或銀合金的單一膜、或者包含所述單一膜和透明導電膜的多層膜蝕刻時極限尺寸偏差(CD bias)優異、不存在下部資料配線的損傷和殘渣的產生、顯示均一的蝕
刻特性的蝕刻液組合物。
另外，本發明的目的在於提供使用所述蝕刻液組合物製造OLED、LCD等的顯示裝置用陣列基板的方法。
為了實現所述的目的，本發明提供含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物，其特徵在於，相對於組合物的總重量，包含：磷酸(A)40~60重量%；硝酸(B)3~8重量%；醋酸(C)5~20重量%；磷酸鹽(D)0.1~3重量%；選自硝酸鹽(E)0.1~3重量%和醋酸鹽(F)0.1~3重量%中的1種以上的鹽；和脫離子水(G)餘量。
另外，本發明提供顯示裝置用陣列基板的製造方法，該顯示裝置用陣列基板的製造方法包括：a)在基板上形成柵極配線的步驟、b)在包含所述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟、c)在所述柵極絕緣層上形成半導體層的步驟、d)在所述半導體層上形成源電極和漏電極的步驟、e)形成與所述漏電極連接的像素電極或反射膜的步驟，其特徵在於，所述e)步驟包含在基板上形成含銀(Ag)
薄膜，用本發明的含銀薄膜的蝕刻液組合物蝕刻，形成像素電極或反射膜的步驟。
進而，本發明提供用所述含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物蝕刻了的配線。
本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物通過包含磷酸、硝酸、醋酸、磷酸鹽、硝酸鹽和/或醋酸鹽、和脫離子水，能夠提供在將含銀(Ag)薄膜蝕刻時極限尺寸偏差(CD bias)優異、不存在下部配線的損傷和蝕刻殘渣的產生、具有均一的蝕刻特性、蝕刻速度的控制容易的蝕刻液組合物。
另外，本發明能夠提供使用所述蝕刻液組合物製造顯示裝置用陣列基板的方法。
圖1為用蝕刻液蝕刻時用於說明極限尺寸偏差(CD bias：光致抗蝕劑寬度-配線寬度、寬度差)的SEM照片。
圖2為用蝕刻液蝕刻後測定了銀(Ag)殘渣產生的有/無的SEM照片。
圖3為用蝕刻液蝕刻後測定了銀(Ag)再吸附發生的有/無的SEM照片。
圖4為蝕刻液的蝕刻速度的評價中為了說明縱向的蝕刻速度而示出的圖。
本發明人為了提供對於含銀(Ag)薄膜具有優異的蝕刻特性、不產生殘渣和再吸附、蝕刻控制優異、不發生過剩的蝕刻的蝕刻液組合物，反復銳意努力，結果作為包含磷酸、硝酸、醋酸作為酸、包含磷酸鹽、硝酸鹽和/或醋酸鹽等的蝕刻液組合物完成了本發明。
本發明涉及含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物，其特徵在於，相對於組合物的總重量，包含：磷酸(A)40~60重量%；硝酸(B)3~8重量%；醋酸(C)5~20重量%；磷酸鹽(D)0.1~3重量%；選自硝酸鹽(E)0.1~3重量%和醋酸鹽(F)0.1~3重量%中的1種以上的鹽；和脫離子水(G)餘量。
所述含銀(Ag)薄膜是在膜的構成成分中包含銀(Ag)、包括單一膜和二重膜以上的多層膜的概念。所述含銀(Ag)薄膜可列舉由銀(Ag)或銀合金構成的單一膜、或者由所述單一膜和透明導電膜構成的多層膜等，但並不限定於此。
所述透明導電膜一般地是指如IZO和a-ITO那樣具有在可見光區域中透射率為約90%以上、電阻率為1×10-4Ωcm以下的特性的透明導電膜。為了透明導電膜為透明，一般地傳導電子必須少，為了電導率變大，傳導電子
必須多。即，透明導電膜的情況下，必須滿足這樣相反的2個條件。
在將IZO和ITO蒸鍍的方法中，一般地使用濺射(Sputtering)方法，與CVD(Chemical Vapor Deposition)方法相比，調節蒸鍍條件容易。另外，使用大型的基板製造的情況下，具有實現薄膜的厚度和薄膜特性的均一化容易的優點。採用濺射方法製造的情況下，存在使用氧化物靶或合金靶(alloy target)的2種方法，使用合金靶的情況下，具有蒸鍍速度快、靶壽命也長得很、可以實現靶製造的容易性和再利用的優點，但具有顯示對於工序變數敏感的特性變化的缺點。如果使用氧化物靶，能夠具有再現性地控制薄膜的化學計量比，但與合金靶相比，具有蒸鍍速度慢、蒸鍍中途可在靶中產生物理的龜裂、在靶中產生電弧的缺點。
採用濺射方法蒸鍍銦-主成分系氧化物的情況下，與O2反應，具有In2O3的形態，為了提高電導率，作為摻雜劑，能夠使用Ga、Ge、Si、Ti、Sb、Zr、Sn、和Zn等。本發明中的IZO和ITO分別意味著將In2O3與ZnO、In2O3與SnO2以適當比率混合的透明導電膜氧化物。
以下對構成本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的各成分進行說明。但是，本發明並不限定於這些成分。
(A)磷酸
本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物中所
含的磷酸(H3PO4)是作為主氧化劑使用的成分，作為一例，起到將透明導電膜/銀(Ag)/透明導電膜等這樣的含銀薄膜氧化而濕式蝕刻的作用。
所述磷酸相對於本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的總重量，可含有40~60重量%，更優選地可含有50~60重量%。以不到40重量%含有所述磷酸的情況下，有時引起銀的蝕刻速度的下降和銀殘渣的產生導致的不良。相反，超過60重量%含有的情況下，有時帶來透明導電膜的蝕刻速度的下降，而銀的蝕刻速度過度地加速。因此，將其應用於銀或銀合金和透明導電膜的多層膜的情況下，由於上下部透明導電膜的尖端(Tip)的產生或過剩的蝕刻現象的產生，在後續工序中可誘發問題而不希望。
(B)硝酸
本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物中所含的硝酸(HNO3)是作為輔助氧化劑使用的成分，作為一例，起到將透明導電膜/銀(Ag)/透明導電膜等這樣的含銀薄膜氧化而濕式蝕刻的作用。
所述硝酸(B)相對於本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的總重量，可含有3~8重量%，更優選地可含有5~7重量%。所述硝酸的含量不到3重量%的情況下，發生銀(Ag)、銀合金(silver alloy)、或透明導電膜的蝕刻速度的下降，由此基板內的蝕刻均一性(uniformity)變得不良，因此發生洇滲。所述硝酸的含量超過8重量%的情況下，使上下部透明導電膜的蝕刻速度加速化，由於過
剩的蝕刻的發生，有時在後續工序中產生問題。
(C)醋酸
本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物中所含的醋酸(CH3COOH)是作為輔助氧化劑使用的成分，作為一例，起到將透明導電膜/銀(Ag)/透明導電膜等含銀薄膜氧化而濕式蝕刻的作用。
所述醋酸相對於本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的總重量，可以含有5~20重量%，更優選地可含有5~15重量%。所述醋酸的含量不到5重量%的情況下，存在由於基板內的蝕刻速度的不均一而發生洇滲的問題。相反，含量超過20重量%的情況下，發生泡的產生，這樣的泡在基板內存在的情況下，有時無法進行完全的蝕刻，在後續工序中引起問題。
(D)磷酸鹽
本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物中所含的磷酸鹽使濕式蝕刻時對於薄膜的極限尺寸偏差(CD Bias)減小，調整蝕刻速度以致蝕刻均一地進行。作為所述磷酸鹽的具體例，可列舉磷酸二氫鈉(NaH2PO4)、磷酸氫二鈉(Na2HPO4)、磷酸三鈉(Na3PO4)、磷酸二氫鉀(KH2PO4)、磷酸氫二鉀(K2HPO4)、磷酸二氫銨((NH4)H2PO4)、磷酸氫二銨((NH4)2HPO4)、和磷酸銨((NH4)3PO4)等，但並不限定於這些，能夠使用從這些中選擇的1種以上。
所述磷酸鹽相對於本發明的含銀(Ag)薄膜的
蝕刻液組合物的總重量，可以含有0.1~3重量%，更優選地可以含有0.5~2重量%。所述磷酸鹽的含量不到0.1重量%的情況下，有時基板內的蝕刻均一性(uniformity)降低，銀殘渣產生。相反，含量超過3重量%的情況下，蝕刻速度降低，不能實現所期望的蝕刻速度，由此有時工序時間延長等工序效率降低。
(E)硝酸鹽
本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物中所含的硝酸鹽起到如下的作用：防止蝕刻後產生的銀離子(Ag+)或膠體形態的銀在不希望的位置再吸附、產生暗點不良或配線間的不必要的連接而發生電氣短路(短路)。作為所述硝酸鹽的具體例，可列舉硝酸鉀(KNO3)、硝酸鈉(NaNO3)、和硝酸銨(NH4NO3)等，但並不限定於這些，能夠使用從這些中選擇的1種以上。
所述硝酸鹽，相對於本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的總重量，可含有0.1~3重量%，更優選地可含有0.5~2重量%。所述硝酸鹽的含量不到0.1重量%的情況下，不能很好地發揮防止基板內的銀的再吸附的作用，超過3重量%的情況下，蝕刻速度降低，不能實現所期望的蝕刻速度，有時由於銀殘渣的產生在後續工序中誘發問題。
(F)醋酸鹽
本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物中所含的醋酸鹽(F)發揮如下的作用：在與顯示裝置的高解析度相伴的配線、像素電極或反射膜的微細圖案化時(為了
在同一區域中納入大量的像素，配線的寬度和大小變小的現象)，由於蝕刻量的減少，防止配線的流失。所述醋酸鹽通過不僅使銀或銀合金的蝕刻量減少，而且使透明導電膜的蝕刻量減少，從而在多重膜中能夠獲得更優異的蝕刻減少效果。
另外，發揮如下的作用：隨著由於蝕刻液組合物的使用時間的經過而使磷酸(A)濃縮，相對於蝕刻液組合物的總重量的磷酸的重量%可增加，防止因此而發生的配線、像素電極或反射膜的流失。
本發明的含銀薄膜的蝕刻液組合物中所含的醋酸鹽，作為具體例，可列舉醋酸鉀(CH3COOK)、醋酸鈉(CH3COONa)和醋酸銨(CH3COONH4)等，但並不限定於這些，可以從這些中選擇1種以上而使用。
所述醋酸鹽(F)，相對於本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的總重量，可以含有0.1~3重量%，更優選地可含有0.5~2重量%。所述醋酸鹽的含量不到0.1重量%的情況下，蝕刻效果很小，不能很好地起到使蝕刻量減少的作用，超過3重量%的情況下，蝕刻速度降低，不能實現所期望的蝕刻速度，由於銀殘渣的產生，有時在後續工序中誘發問題。
(G)脫離子水
對本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物中所含的脫離子水並無特別限定，作為半導體工序用，優選使用比電阻值為18MΩ/cm以上的脫離子水。
所述脫離子水，相對於本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物合計100重量%，作為餘量含有。
本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物除了所述提及的成分以外，可以追加地包含選自蝕刻調節劑、表面活性劑、金屬離子封閉劑、防腐蝕劑、pH調節劑、和並不限於此的其他的添加劑中的1種以上。所述添加劑為了在本發明的範圍內使本發明的效果更為良好，能夠從本領域中通常使用的添加劑中選擇使用。
另外，構成本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的成分優選具有半導體工序用的純度。
應用本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的含銀(Ag)薄膜在膜的構成成分中含有銀(Ag)，可列舉銀(Ag)或銀合金的單一膜、或者由所述單一膜和透明導電膜構成的多層膜等，但並不限定於此。
對所述含銀薄膜並無特別限定，作為具體例，可列舉銀(Ag)膜、以銀作為主成分、包含選自釹(Nd)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、鎢(W)、鏷(Pa)、和鈦(Ti)等中的1種以上的金屬的銀合金膜、銀的氮化物、銀的矽化物、銀的碳化物、或銀的氧化物等的單一膜；由所述單一膜和透明導電膜構成的多層膜；等。
作為所述透明導電膜的具體例，可列舉氧化錫銦(ITO)、氧化鋅銦(IZO)、氧化錫鋅銦(ITZO)、或氧化鎵鋅銦(IGZO)等，但並不限定於這些。
作為所述多層膜的更具體的例子，可列舉透明導電膜/銀(Ag)或透明導電膜/銀合金(silver alloy)等的二重膜、透明導電膜/銀(Ag)/透明導電膜或透明導電膜/銀合金/透明導電膜等的三重膜等，但並不限定於此。
另外，本發明涉及含銀薄膜的蝕刻方法，其包括：(1)在基板上形成含銀(Ag)薄膜的步驟、(2)在所述含銀薄膜上選擇性地使光反應物質殘留的步驟、和(3)使用所述本發明的含銀薄膜的蝕刻液組合物將所述含銀薄膜蝕刻的步驟。
本發明的蝕刻方法中，所述光反應物質優選為通常的光致抗蝕劑物質，可通過通常的曝光和顯影工序選擇性地使其殘留。
進而，本發明提供顯示裝置用陣列基板的製造方法，該顯示裝置用陣列基板的製造方法包括：a)在基板上形成柵極配線的步驟、b)在包含所述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟、c)在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導體層的步驟、d)在所述氧化物半導體層上形成源電極和漏電極的步驟、e)形成與所述漏電極連接的像素電極或反射膜的步驟，其特徵在於，所述e)步驟包含在基板上形成含銀(Ag)
薄膜，用本發明的含銀薄膜的蝕刻液組合物蝕刻，形成像素電極或反射膜的步驟。
所述顯示裝置可以是有機發光元件(OLED)或液晶顯示裝置(LCD)，所述顯示裝置用陣列基板可以是薄膜電晶體(TFT)陣列基板。
所述含銀薄膜可以是銀(Ag)或銀合金的單一膜、或者由所述單一膜和透明導電膜構成的多層膜，所述銀合金為以銀(Ag)作為主成分、包含釹(Nd)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、鎢(W)、鏷(Pa)、或鈦(Ti)等其他金屬的合金形態，或者可以是銀的氮化物、銀的矽化物、銀的碳化物、或銀的氧化物等的形態。
所述透明導電膜可列舉氧化錫銦(ITO)、氧化鋅銦(IZO)、氧化錫鋅銦(ITZO)、或氧化鎵鋅銦(IGZO)等，但並不限定於這些。
即，用所述顯示裝置用陣列基板的製造方法製造的顯示裝置用陣列基板也包含在本發明的範圍內。此時，所述顯示裝置可以是有機發光元件(OLED)或液晶顯示裝置(LCD)，但並不限定於此。
另外，本發明能夠提供使用本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物蝕刻的配線。
更詳細地說，所述配線可以是觸控式螢幕面板(Touch Screen Panel、TSP)中讀取主要在X、Y座標傳感的信號的示蹤(Trace)配線或柔性用銀納米線配線。
所述配線可以是由銀(Ag)或銀合金構成的單一膜、或者由所述單一膜和透明導電膜構成的多層膜。關於所述銀合金的單一膜、由所述單一膜和透明導電膜構成的多層膜的內容，可同樣地應用對於含銀(Ag)薄膜所述的內容。
本發明的含銀薄膜的蝕刻液組合物能夠在顯示裝置(OLED、LCD等)的製造時在作為配線和反射膜使用的由銀(Ag)或銀合金構成的單一膜、和由所述單一膜和透明導電膜構成的多層膜的蝕刻中使用。另外，觸控式螢幕面板的配線形成時，能夠在蝕刻中使用。即，本發明的含銀薄膜的蝕刻液組合物可以多樣地應用於OLED、LCD、TSP等的製造。
以下使用實施例對本發明更詳細地說明。但是，下述的實施例用於對本發明進行例示，本發明並不受下述的實施例限定，可以進行各種修正和變形。本發明的範圍由後述的申請專利範圍的技術思想確定。
<實施例和比較例>蝕刻液組合物的製造
以下述表1中所示的組成和含量製造了實施例1~14和比較例1~12的蝕刻液組合物。
<實驗例>蝕刻液組合物的性能試驗
在基板上蒸鍍有機絕緣膜，在其上蒸鍍ITO/Ag/ITO的三重膜，將其使用金剛石刀切割為500X600mm，準備試驗片。
使用所述實施例1~14和比較例1~12的蝕刻液組合物，進行了下述的性能試驗。
實驗例1.極限尺寸偏差(CD bias)的測定
在噴射式蝕刻方式的實驗裝備(模型名：ETCHER、K.C.Tech社)內分別裝入所述實施例1~14和比較例1~12的銀蝕刻液組合物，將溫度設定為40℃，加熱後，溫度到達40±0.1℃時，進行了所述試驗片的蝕刻工序。總蝕刻時間設為100秒而實施。
裝入基板，開始噴射，成為100秒的蝕刻時間，則取出，用脫離子水清洗後，使用熱風乾燥裝置乾燥。清洗和乾燥後，將基板切斷，對斷面使用電子掃描顯微鏡(SEM；模型名：SU-8010、HITACHI社製造)測定。作為極限尺寸偏差的測定標準，由光致抗蝕劑兩端部分的寬度測定配線的寬度之差(圖1)，用下述的標準評價，將結果示於下述表2中。
<評價標準>
不到0.5μm：優秀
0.5~1.0μm：良好
超過1.0μm：不良
實驗例2.殘渣的測定
在噴射式蝕刻方式的實驗裝備(模型名：ETCHER、K.C.Tech社)內分別裝入所述實施例1~14和比較例1~12的銀蝕刻液組合物，將溫度設定為40℃，加熱後，溫度到達40±0.1℃時，進行了所述試驗片的蝕刻工序。總蝕刻時間設為100秒而實施。
裝入基板，開始噴射，成為100秒的蝕刻時間，則取出，用脫離子水清洗後，使用熱風乾燥裝置乾燥，使用光致抗蝕劑剝離機(PR stripper)將光致抗蝕劑除去。清洗和乾燥後，使用電子掃描顯微鏡(SEM；模型名：SU-8010、HITACHI社製造)測定在沒有被光致抗蝕劑覆蓋的部分中銀(Ag)沒有被蝕刻而殘留的現象即殘渣，用下述的標準評價，將結果示於下述表2中。
<殘渣的評價標準>
無殘渣：無
殘渣產生：有
實驗例3.銀再吸附的測定
在噴射式蝕刻方式的實驗裝備(模型名：ETCHER、K.C.Tech社)內分別裝入所述實施例1~14和比較例1~12的銀蝕刻液組合物，將溫度設定為40℃，加熱後，溫度到達40±0.1℃時，進行了所述試驗片的蝕刻工序。總蝕刻時間設為100秒而實施。
裝入基板，開始噴射，成為100秒的蝕刻時間，則取出，用脫離子水清洗後，使用熱風乾燥裝置乾燥，使用光致抗蝕劑剝離機(PR stripper)將光致抗蝕劑除去。清
洗和乾燥後，使用電子掃描顯微鏡(SEM；模型名：SU-8010、HITACHI社製造)，對於進行了蝕刻後主要在資料配線等的異種金屬露出的部分、由於彎曲現象而可產生摩擦的特定部位被蝕刻的銀(Ag)吸附的現象通過全面觀察進行分析，用下述的標準評價，將其結果示於下述表2中。
<再吸附的評價標準>
無再吸附：無
再吸附發生：有
實驗例4.蝕刻速度的測定
在噴射式蝕刻方式的實驗裝備(模型名：ETCHER(TFT)、K.C.Tech社)內分別裝入所述實施例1~14和比較例1~12的銀蝕刻液組合物，將溫度設定為40℃，加熱後，溫度到達40±0.1℃時，進行了所述試驗片的蝕刻工序。總蝕刻時間設為100秒而實施。
用肉眼測定端點檢測(End Point Detection、EPD)，得到了對應於時間的蝕刻速度(E/R、Etch Rate)，蝕刻速度只用縱向的蝕刻速度評價(圖4)。將進行了蝕刻的金屬膜的厚度除以EPD，能夠求出每秒(時間)的Å(厚度)(Å/sec)的蝕刻速度，用下述的標準評價，將結果示於下述表2中。
<蝕刻速度的評價標準>
不到20Å/sec：不良
20Å/sec~不到50Å/sec：良好
50Å/sec以上：優秀
如通過所述表2的結果可知那樣，作為本發明的含銀(Ag)薄膜的蝕刻液組合物的實施例1~14在極限尺寸偏差(CD bias)、蝕刻速度的評價結果中顯示優秀或良好的結果，確認了沒有發生銀殘渣和再吸附現象。
相反，比較例1~12在極限尺寸偏差、蝕刻速度、銀殘渣產生、再吸附發生的評價結果中，確認了在1個以上的評價中顯示不良或不適合的評價結果。
Claims (7)
- 一種含銀薄膜的蝕刻液組合物，其中，相對於組合物的總重量，包含：磷酸40~60重量%；硝酸3~8重量%；醋酸5~20重量%；磷酸鹽0.1~3重量%；選自硝酸鹽0.1~3重量%和醋酸鹽0.1~3重量%中的1種以上的鹽；和脫離子水餘量；其中，含銀薄膜的蝕刻液組合物能夠蝕刻由銀或銀合金組成的單一膜、或者由該單一膜和透明導電膜構成的多層膜，且其中，該透明導電膜為選自氧化錫銦、氧化鋅銦、氧化錫鋅銦和氧化鎵鋅銦中的1種以上。
- 如請求項1之含銀薄膜的蝕刻液組合物，其中，該由單一膜和透明導電膜構成的多層膜為透明導電膜/銀、透明導電膜/銀合金、透明導電膜/銀/透明導電膜、或透明導電膜/銀合金/透明導電膜。
- 如請求項1之含銀薄膜的蝕刻液組合物，其中，該銀合金包含銀和選自釹、銅、鈀、鈮、鎳、鉬、鉻、鎂、鎢、鏷和鈦中的1種以上。
- 如請求項1之含銀薄膜的蝕刻液組合物，其中，該磷酸 鹽為選自磷酸二氫鈉、磷酸氫二鈉、磷酸三鈉、磷酸二氫鉀、磷酸氫二鉀、磷酸二氫銨、磷酸氫二銨和磷酸銨中的1種以上。
- 如請求項1之含銀薄膜的蝕刻液組合物，其中，該硝酸鹽為選自硝酸鉀、硝酸鈉和硝酸銨中的1種以上。
- 如請求項1之含銀薄膜的蝕刻液組合物，其中，該醋酸鹽為選自醋酸鉀、醋酸鈉和醋酸銨中的1種以上。
- 一種顯示裝置用陣列基板的製造方法，該顯示裝置用陣列基板的製造方法包括：a)在基板上形成柵極配線的步驟，b)在包含該柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟，c)在該柵極絕緣層上形成氧化物半導體層的步驟，d)在該氧化物半導體層上形成源電極和漏電極的步驟，e)形成與該漏電極連接的像素電極或反射膜的步驟，其中，該e)步驟包含在基板上形成含銀薄膜，用如請求項1之含銀薄膜的蝕刻液組合物蝕刻，形成像素電極或反射膜的步驟。
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