KR102531401B1 - 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 - Google Patents

은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 Download PDF

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Abstract

본 발명은 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 조성물 총 중량에 대하여, 인산 40 내지 60 중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 아세트산 5 내지 20 중량%, 다중인산계 화합물 0.1 내지 3 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판에 관한 것이다.

Description

은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 {ETCHING SOLUTION COMPOSITION FOR SILVER-CONTAINING LAYER AND AN DISPLAY SUBSTRATE USING THE SAME}
본 발명은 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 조성물 총 중량에 대하여, 인산 40 내지 60 중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 아세트산 5 내지 20 중량%, 다중인산계 화합물 0.1 내지 3 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판에 관한 것이다.
본격적인 정보화 시대로 접어들게 됨에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이 분야가 급속도로 발전해 왔으며, 이에 부응하여 다양한 평판 디스플레이가 개발되어 각광받고 있다.
이러한 평판디스플레이 장치의 예로는 액정디스플레이장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마디스플레이장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출디스플레이장치(Field Emission Display device: FED), 전기발광디스플레이장치(Electroluminescence Display device: ELD), 유기발광디스플레이(Organic Light Emitting Diodes: OLED) 등을 들 수 있으며, 이러한 평판디스플레이 장치는 텔레비전이나 비디오 등의 가전분야 뿐만 아니라 노트북과 같은 컴퓨터 및 핸드폰 등에 다양한 용도로 사용되고 있다. 이들 평판디스플레이 장치는 박형화, 경량화, 및 저소비전력화 등의 우수한 성능으로 인하여 기존에 사용되었던 브라운관(Cathode Ray Tube: NIT)을 빠르게 대체하고 있는 실정이다.
또한, 화면의 대면적화 등이 요구됨에 따라 이에 부응하는 기술의 개발이 요구되고 있다. 그러나, 일례로서 초박막 액정표시장치(TFT-LCD)의 경우는 대화면화 되면서, 박막트랜지스터와 연결되는 게이트 배선 및 데이터 배선 또한 길어지게 되어 배선의 저항이 함께 증가하게 된다. 이로 인해 평판표시장치의 대형화 및 고해상도 실현에 장애가 되고 있다.
또한, 반사판의 경우 과거 알루미늄(Al) 반사판을 주로 제품에 이용해왔으나, 휘도 향상을 통한 저전력 소비실현을 위해서는 반사율이 더 높은 금속으로의 재료변경을 모색하고 있는 상태이다. 이를 위해 평판디스플레이장치에 적용되고 있는 금속들에 비해 낮은 비저항과 높은 휘도를 가지고 있는 은(Ag: 비저항 약 1.59μΩ㎝)막, 은합금 또는 이를 포함한 다층막을 컬러필터의 전극, LCD 또는 OLED 배선 및 반사판에 적용, 평판표시장치의 대형화와 고 해상도 및 저전력 소비 등을 실현하고자 하여, 이 재료의 적용을 위한 식각액의 개발이 요구되었다.
그러나, 은(Ag)은 유리 등의 절연 기판 또는 진성 비정질 규소나 도핑된 비정질 규소 등으로 이루어진 반도체 기판 등의 하부 기판에 대해 접착성(adhesion)이 극히 불량하여 증착이 용이하지 않고, 배선의 들뜸(lifting) 또는 벗겨짐(Peeling)이 쉽게 유발된다. 또한, 은(Ag)도전층이 기판에 증착된 경우에도 이를 패터닝하기 위해 식각액을 사용하게 된다. 이러한 식각액으로서 종래의 식각액을 사용하는 경우 은(Ag)이 과도하게 식각되거나, 불균일하게 식각되어 편측식각 불량, 배선의 측면 프로파일이 불량하게 된다. 특히, 은(Ag)은 에치 후 테이퍼 각(taper angle) 형성이 어려운 문제점을 가지고 있어 배선에 활용하는 데에 많은 한계점을 가지고 있다.
대한민국 등록특허 제10-0579421호에 제시된 은 식각액은 인산, 질산, 초산에 첨가제로서 보조 산화물 용해제와 함불소형 탄소계 계면활성제을 사용하였다. 그러나 보조 산화물 용해제로 사용된 SO4 2- 화합물은 은(Ag)과 반응을 하여 황화은(Ag2S)의 형태로 기판 내에 잔사로 남게 되는 단점이 있고, ClO4 - 화합물은 현재 환경 규제 물질로 규정되어 사용함에 어려움이 있다. 또한 상기 조성물을 사용하여 은이 포함된 금속막을 식각할 경우, 식각 후 테이퍼 각(taper angle) 형성이 어려운 문제점을 여전히 가지고 있다.
또한, 대한민국 등록특허 제 10-1323458호에서는 인산, 질산, 초산, 제1인산나트륨을 포함하는 식각액 조성물에 대해 개시하고 있으나, 높은 점도 등으로 인해 미세 패턴 구현이 원활하지 못한 문제가 있다.
따라서, 이러한 문제점을 해결하는 새로운 식각액의 개발이 요구되는 실정이다.
대한민국 등록특허 제10-0579421호 대한민국 등록특허 제10-1323458호
본 발명은, 상기 종래 기술의 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서,
은을 포함하는 금속막의 식각시 과식각을 막아 적은 편측식각(S/E)의 배선을 형성할 수 있어 미세패턴용으로 사용할 수 있는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 은을 포함하는 금속막의 식각 시 식각 속도가 우수하면서도 은 잔사를 방지할 수 있는 은 함유 박막의 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 은 함유 박막의 식각액 조성물을 사용하여 제조된 표시 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 식각액 총 중량에 대하여, 인산 40 내지 60 중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 아세트산 5 내지 20 중량%, 다중인산계 화합물 0.1 내지 3 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 은 함유 박막의 식각액 조성물로 식각된 금속막을 포함하는 표시 기판을 제공한다.
본 발명의 식각액 조성물은 은을 포함하는 금속막의 식각시 과식각을 막아 적은 편측식각(S/E)의 배선을 형성할 수 있어 미세 패턴용으로 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 식각액 조성물은 식각 속도, 식각 프로파일이 우수하며, 은을 포함하는 금속막의 식각 시 잔사 발생을 방지하는 효과를 제공할 수 있다.
도 1은 실시예 3의 식각액 조성물로 식각하여 우수한 편측식각 값을 가지는 산화인듐막/은/산화인듐막 기판 배선(Array)부의 SEM 사진이다.
도 2는 비교예 1의 식각액 조성물로 식각하여 과식각(과etch)이 발생한 산화인듐막/은/산화인듐막 기판 배선(Array)부의 SEM 사진이다.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
본 발명은 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 인산 40 내지 60 중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 아세트산 5 내지 20 중량%, 다중인산계 화합물 0.1 내지 3 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물에 관한 것이다.
본 발명자는 상기와 같은 조성의 식각액 조성물을 사용하여 은을 포함하는 금속막을 식각하는 경우, 하부막을 손상시키지 않으면서도 편측식각(S/E) 값을 감소시켜 미세 패턴 구현이 가능하고, 식각 잔사 발생을 억제할 수 있음을 확인하여 본 발명을 완성하였다.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, 인산 40 내지 60 중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 아세트산 5 내지 20 중량%, 다중인산계 화합물 0.1 내지 3 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물을 제공한다.
상기 은 함유 박막은 구성 성분 중에 은(Ag)이 포함되는 것으로서, 단일막 또는 이중막 이상의 다층막을 포함하는 개념이다. 상기 은(Ag) 함유 박막은 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막 등을 들 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 은 합금은 은을 주성분으로 하며, Nd, Cu, Pd, Nb, Ni, Mo, Ni, Cr, Mg, W 및 Ti 등의 다른 금속을 포함하는 합금 형태와, 은의 질화물, 규화물, 탄화물 및 산화물 형태 등으로 다양할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 산화인듐은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이다.
또한, 상기 다층막은 산화인듐막/은, 산화인듐막/은 합금, 산화인듐막/은/산화인듐막 또는 산화인듐막/은 합금/산화인듐막으로 형성된 다층막일 수 있으며, 본 발명의 식각액 조성물은 상기 다층막을 동시에 식각할 수 있다.
이하 본 발명의 은 함유 박막의 식각액 조성물을 구성하는 성분을 설명한다. 그러나 본 발명이 이들 성분에 한정되는 것은 아니다.
인산
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 인산(H3PO4)은 주식각제로서, 단일막 또는 다층막 식각시 은(Ag) 또는 은 합금과 산화환원 반응을 일으키고, 산화인듐막을 해리시켜 습식 식각하는 역할을 수행한다.
상기 인산은 식각액 조성물 총 중량에 대해 40 내지 60 중량%로 포함되며, 바람직하게는 45 내지 55 중량%로 포함된다.
상기 인산이 40 중량% 미만으로 포함되면, 식각 능력이 부족하여 충분한 식각이 이루어지지 않을 수 있다. 또한, 공정이 진행되어 일정량 이상의 은(Ag)이 식각액 조성물에 용해되어 들어가게 되면 은(Ag) 재흡착 또는 은(Ag) 석출물이 발생하여 후속 공정에서 전기적 쇼트가 발생할 수 있어 불량 발생의 원인이 될 수 있다.
상기 인산이 60 중량%를 초과하는 경우에는 산화인듐막의 식각 속도는 저하되고, 은 또는 은 합금의 식각 속도는 너무 빨라져 과식각이 발생할 수 있으며, 이로 인하여 배선의 역할을 수행할 수 없을 만큼의 식각량이 발생할 수 있다. 또한, 은 또는 은 합금에 산화인듐막이 적층된 다층막일 경우 은 또는 은 합금과 산화인듐막의 식각 속도 차에 의한 팁(Tip)이 발생하게 되어 후속공정에 문제가 발생할 수 있다.
질산
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 질산(HNO3)은 보조 식각제의 역할을 하는 성분으로, 단일막 또는 다층막 식각시 은(Ag) 또는 은 합금과 산화인듐막을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 수행한다.
상기 질산은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 8 중량%로 포함되며, 바람직하게는 5 내지 7 중량%로 포함된다.
상기 질산의 함량이 3 중량% 미만인 경우에는 은 함유 박막의 식각 속도 저하가 발생하며, 이로 인해 기판 내의 식각 균일성(uniformity)이 불량해지므로 얼룩 발생, 은 화합물의 재흡착 문제가 발생할 수 있다. 반면, 함량이 8 중량%를 초과하는 경우에는 상하부 산화인듐막의 식각 속도가 가속화되어, 언더컷 발생으로 인해 후속 공정에 문제가 발생될 우려가 있다.
아세트산
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 아세트산(CH3COOH)은, 반응 속도 등을 조절하기 위한 완충제로 작용하며, 은(Ag) 단일 또는 합금막이 테이퍼각(taper angle)을 형성하는데 매우 중요한 역할을 한다. 또한, 일례로서 산화인듐막/은/산화인듐막 등의 은 함유 박막 표면을 산화시키는 성분으로서 작용한다.
상기 아세트산은 식각액 조성물 총 중량에 5 내지 20 중량%로 포함되며, 8 내지 15 중량% 포함되는 것이 보다 바람직하다.
상기 아세트산의 함량이 5 중량% 미만인 경우 은 함유 박막, 예를 들어 산화인듐막/은/산화인듐막의 원활한 식각이 이루어지지 않아서 기판 내에 부분적으로 은 화합물의 재흡착 문제가 발생할 수 있다. 반면, 함량이 20 중량%를 초과하는 경우에는 산화인듐막/은/산화인듐막의 과식각이 이루어지고, 균일한 식각이 어려운 문제가 있다.
다중인산계 화합물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 다중인산계 화합물은 은 함유 박막의 식각을 억제하는 식각억제제 기능을 하며, 편측식각(S/E) 값을 원하는 수준으로 조절(control)할 수 있도록 역할한다.
상기 다중인산계 화합물의 구체적인 예로서, 피로인산(pyrophosphoric acid), 삼중인산(triphosphoric acid), 에티드로닉산(Etidronic acid, 1-Hydroxyethane-1,1-diphosphonic acid) 및 메틸렌 포스포닉산(methylene phosphonic acid)으로부터 선택되는 1종 이상을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다. 편측식각 및 식각속도가 우수한 측면에서, 보다 바람직하게는 에티드로닉산을 사용할 수 있다.
상기 다중인산계 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 3 중량%로 포함되며, 1 내지 2 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기한 기준으로 함량이 0.1 중량% 미만인 경우 은 식각 억제가 잘 되지 않아, 과식각 문제가 개선되지 않는 문제가 있다. 반면, 3 중량%를 초과하는 경우에는 은 식각 속도가 지나치게 느려져 공정 시간 내 식각이 되지 않거나 식각 프로파일 불량 문제가 발생할 수 있다.
물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 특별히 한정하지 않으나 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하며, 상기 탈이온수는 반도체 공정용으로서 비저항값이 18 ㏁/㎝ 이상인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 물은 식각액 조성물 총 100 중량%에 대하여 잔량으로 포함될 수 있다.
본 발명의 은 함유 박막의 식각액 조성물은 상기에 언급된 성분들 외에 이 분야에서 통상적으로 사용되는 식각 조절제, pH 조절제 및 다른 첨가제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 은 함유 박막의 식각액 조성물은 디스플레이(OLED, LCD 등) TFT 어레이 기판, TSP Trace 배선 및 Flexible용 나노와이어 배선 형성용으로 많이 사용되는 산화인듐막, 은, 은합금 이용한 단일막 또는 2개 이상을 사용한 다층막의 식각액으로 사용 될 수 있다. 뿐만 아니라 상기 명시된 디스플레이, TSP 외에도 반도체 등 상기 금속 막질을 이용한 전자 부품 소재에 이용 될 수 있다.
또한, 본 발명은 본 발명의 식각액 조성물로 식각된 금속막을 포함하는 표시 기판을 제공할 수 있다.
보다 자세하게는 상기 표시 기판은 액정표시장치(LCD) 또는 유기발광소자(OLED)의 박막트랜지스터(TFT) 기판일 수 있다.
또한, 상기 OLED는 금속막을 상부 및 하부에 적층할 수 있으며, 본 발명의 식각액 조성물로 금속막을 식각할 수 있다. 상부 및 하부에 금속막의 두께를 조절하여 적층함으로써, OLED에서 상기 금속막은 반사막 및 반투과막의 역할을 수행할 수 있다.
상기 반사막은 빛의 투과가 거의 되지 않는 두께이어야 하며, 상기 반투과막은 빛이 거의 투과되는 두께여야 한다. 따라서, 상기 금속막의 두께는 50 내지 5,000Å인 것이 바람직하다.
상기 금속막은 은 함유 박막으로서, 은(Ag) 또는 은 합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막이다.
상기 은 합금은 은을 주성분으로 하며, Nd, Cu, Pd, Nb, Ni, Mo, Ni, Cr, Mg, W 및 Ti 등의 다른 금속을 포함하는 합금 형태와, 은의 질화물, 규화물, 탄화물 및 산화물 형태 등으로 다양할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 산화인듐은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이다.
또한, 상기 다층막은 산화인듐막/은, 산화인듐막/은 합금, 산화인듐막/은/산화인듐막 또는 산화인듐막/은 합금/산화인듐막으로 형성된 다층막일 수 있다.
또한, 본 발명은 본 발명의 식각액 조성물로 식각된 배선을 제공할 수 있다. 보다 자세하게, 상기 배선은 터치스크린패널(Touch screen panel, TSP)에서 주로 X, Y좌표에 센싱된 신호를 읽어 들이는 트레이스(Trace)배선 또는 플렉서블용 은 나노와이어 배선일 수 있다.
또한, 상기 배선은 은(Ag) 또는 은 합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막이다.
이때 상기 은 합금, 산화인듐 및 다층막에 대한 설명은, 상술한 표시 기판에 설명된 내용을 동일하게 적용할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않으며, 다양하게 수정 및 변경될 수 있다. 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해질 것이다.
< 실시예 및 비교예 > 식각액 조성물의 제조
하기 표 1에 나타낸 조성 및 함량으로 실시예 1~8 및 비교예 1~5의 식각액 조성물 각각 8kg을 제조하였다.
(중량%)
구분 인산 질산 아세트산 피로인산 에티드로닉산 제1인산나트륨 탈이온수
실시예 1 50 7 15 2 - 잔량
실시예 2 55 6 12 2 -
실시예 3 50 7 15 - 2
실시예 4 52 6 13 - 2
실시예 5 55 6 10 - 2
실시예 6 53 6 13 1
실시예 7 50 7 9 0.1
실시예 8 51 8 12 3
비교예 1 50 7 15 - 1
비교예 2 55 6 10 - 2
비교예 3 50 7 15 0.05 -
비교예 4 50 7 15 4 -
비교예 5 55 5 15 - - 1
< 실험예 > 식각액 조성물의 성능 테스트
베이스 기판상에 산화인듐막/은/산화인듐막을 차례로 도포하여 삼중막을 형성하고 포토리소그래피 공정을 통하여 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성되도록 하여 시편 준비 후, 상기 실시예 1~8 및 비교예 1~5의 조성물을 각각 사용하여 인듐산화막/은/인듐산화막 기판에 대하여 식각공정을 실시하였다.
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), K.C.Tech사) 내에 상기 실시예 1~8 및 비교예 1~5의 식각액 조성물을 각각 넣고, 온도를 40℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 상기 시편의 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 실제 라인에서 실시하는 공정 시간에 맞추어 진행하였으며, 약 60초로 실시하였다.
실험예 1. 식각액 조성물의 편측식각 거리 테스트
이후, 기판을 넣고 분사를 시작하여 식각이 다 된 기판을 꺼내어 탈이온수로 세정한 후 건조하였다. 건조된 기판은 절단하고 단면을 전자주사현미경(SEM, 모델명: SU-8010, HITACHI사 제조)을 이용하여 확인하였다.
편측식각(side etch) 거리 측정 기준으로는, 포토레지스트 끝 부분부터 금속이 식각되어 안쪽까지 들어간 너비를 측정하였다.
결과는 하기 표 2에 기재하였으며, 실시예 3의 식각액으로 식각한 ITO/Ag/ITO 삼중막 기판은 SEM을 이용해 촬영하여 도 1에 나타내었다.
<편측식각 평가기준>
◎: 0.2 μm 미만
○: 0.2 μm 내지 0.6 μm 미만
△: 0.6 μm 내지 1.0 μm 미만
Ⅹ: 1.0 μm 이상
실험예 2. 식각액 조성물의 잔사 테스트
이후, 기판을 넣고 분사를 시작하여 식각이 다 된 기판을 꺼내어 탈이온수로 세정한 후 건조하였다. 포토레지스트 박리기(PR stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후, 전자주사현미경(SEM, 모델명: SU-8010, HITACHI사 제조)을 이용하여 포토레지스트가 덮여 있지 않은 부분에 은이 식각되지 않고 남아 있는 잔사를 측정하였으며, 결과를 하기 표 2 에 나타내었다.
<잔사 평가 기준>
무: 양호, 잔사 미발생
유: 불량, 잔사 발생
실험예 3. 식각속도 측정
이후, 육안으로 엔드포인트 검출(End Point Detection, EPD)을 측정하여 시간에 따른 식각 속도(E/R, Etch Rate)를 얻었으며, 식각 속도는 종방향의 식각 속도만으로 평가하였다. 식각을 진행한 금속막의 두께를 EPD로 나누면 초(시간)당 Å(두께) (Å/sec)의 식각 속도를 구할 수 있으며, 하기의 기준으로 평가하여, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<식각속도 평가 기준>
◎: 50 Å/sec 이상
○: 30 Å/sec 내지 50 Å/sec 미만
△: 20 Å/sec 내지 30 Å/sec 미만
Ⅹ: 20 Å/sec 미만
구분 편측식각 (Side Etch) 은(Ag) 잔사 식각 속도
실시예 1 ○ 무 ○
실시예 2 ○ 무 ○
실시예 3 ◎ 무 ◎
실시예 4 ◎ 무 ◎
실시예 5 ○ 무 ◎
실시예 6 ◎ 무 ◎
실시예 7 ○ 무 ◎
실시예 8 ◎ 무 ○
비교예 1 △ 무 Ⅹ
비교예 2 Ⅹ 무 Ⅹ
비교예 3 △ 무 Ⅹ
비교예 4 △ 유 △
비교예 5 △ 무 △
상기 표 2에 기재된 바와 같이 본 발명의 식각액 조성물인 실시예 1~8은 편측식각 평가 및 식각속도 평가 결과가 우수하였으며, 은 잔사 발생이 없었다.
반면, 본 발명의 다중인산계 화합물을 포함하지 않거나, 함량이 본 발명의 범위 미만인 비교예 1~3 및 비교예 5의 식각액 조성물은 편측식각(side etch) 값을 줄이는 효과가 없었다. 반면 함량이 본 발명의 범위를 초과하는 비교예 4의 경우, 은 함유 박막의 식각 속도를 저하시켜 공정 시간 내에 식각이 되지 않고, 은 잔사가 발생하는 문제가 있음을 확인하였다.

Claims (9)

  1. 식각액 조성물 총 중량에 대하여,
    인산 40 내지 60 중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 아세트산 5 내지 20 중량%, 다중인산계 화합물 0.1 내지 3 중량% 및 잔량의 물을 포함하며,
    상기 다중인산계 화합물은 피로인산, 삼중인산, 에티드로닉산 및 메틸렌 포스포닉산으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 은 함유 박막은 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 산화인듐은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 은합금은 은(Ag) 및, 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 망간(Mn), 크롬(Cr), 주석(Sn), 팔라듐(Pd), 네오디늄(Nd), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 프로트악티늄(Pa), 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막은 산화인듐막/은, 산화인듐막/은 합금, 산화인듐막/은/산화인듐막 또는 산화인듐막/은 합금/산화인듐막인 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물.
  7. 청구항 1 및 3 내지 6 중의 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각된 금속막을 포함하는 표시 기판.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 표시 기판은 액정표시장치(LCD) 또는 유기발광소자(OLED)의 박막트랜지스터(TFT) 기판인 것을 특징으로 하는 표시 기판.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 금속막은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막인 것을 특징으로 하는 표시 기판.
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