JP2010165732A - エッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】燐酸を主成分とすることなくモリブデン層とアルミニウム層とを一括的にエッチングすることができるエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法は、モリブデン又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層（２ｂ，３ａ，３ｃ，４ａ，４ｃ）と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層（２ａ，３ｂ，４ｂ）と、を含む金属積層膜を一括でエッチングするためのエッチング液であって、ｐＨが４以上１２以下であり、アルミニウムと錯体を形成できる化合物と酸化物とを含有するエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法である。
【選択図】図２

Description

本発明は、エッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法に関し、特に、モリブデン層とアルミニウム層との一括的なエッチングに関する。

静止画や動画等の各種の画像を表示するデバイスとして、少なくとも一方がガラス等の透明な材料からなる二枚の絶縁性基板の間に液晶層を封入した液晶パネルを備えた液晶表示装置が広く用いられている。

この種の液晶表示装置は、各基板に形成した画素形成用の電極に選択的に電圧を印加して所定の画素を駆動する型式（単純マトリクス型）と、一方の基板に各種の電極と画素選択用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子（アクティブ素子）とを形成し、このアクティブ素子を選択することにより所定の画素を駆動する型式（アクティブマトリクス型）と、に分類される。特に、後者のアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、コントラスト性能や高速表示性能等の優れた性能を備えることから、液晶表示装置の主流となっている。

このような液晶表示装置において所定の画素を駆動するための走査線と信号線には、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層が用いられるが、当該走査線や信号線と、画素電極となる透明導電膜と、を接続するために当該アルミニウム層にモリブデン又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層が積層された金属積層膜が用いられる。

従来、このようなアルミニウム層とモリブデン層とを含む金属積層膜をフォトリソグラフィ技術によって加工する場合には、例えば、特許文献１に記載されているように、燐酸を主成分として含有し、さらに酸化剤として硝酸を含有するエッチング液が用いられていた。
先行技術文献

特許文献
特開平７−３２１３２８号公報

しかしながら、近年、食料需要や石油代替エネルギーとしてのバイオエタノール需要が世界的に増加しており、肥料の原料となる燐が高騰している。さらに、これと連動して燐酸を主成分とするエッチング液も高騰している。そして、このようなエッチング液の高騰は、値下がりを続ける液晶パネルの製造原価を押し上げている要因の一つとなっている。

本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、燐酸を主成分とすることなくモリブデン層とアルミニウム層とを一括でエッチングすることができるエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法を提供することをその目的の一つとする。

上記課題を解決するための本発明の一実施形態に係るエッチング液は、金属積層膜に含まれるモリブデン又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層と、を一括でエッチングするために用いられるエッチング液であって、ｐＨが４以上１２以下であり、アルミニウムと錯体を形成できる化合物と酸化剤とを含有することを特徴とする。本発明によれば、燐酸を主成分とすることなくモリブデン層とアルミニウム層とを一括でエッチングすることができるエッチング液を提供することができる。

また、上記のエッチング液においては、ｐＨが６以上１２以下であることとしてもよく、さらにｐＨが７以上１２以下であることとしてもよい。こうすれば、モリブデン層をより効率よくエッチングすることができる。また、前記化合物は、アセチルアセトン、クエン酸又はその塩、ジエチレントリアミン五酢酸又はその塩、エチレンジアミン四酢酸又はその塩、蓚酸又はその塩、酒石酸又はその塩、カテコールジスルホン酸又はその塩からなる群より選択される１種又は２種以上であることとしてもよい。こうすれば、アルミニウム層を効率よくエッチングすることができる。

上記課題を解決するための本発明の一実施形態に係るパターン形成方法は、モリブデン又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層と、を含む金属積層膜の表面にレジストパターンを形成し、上記いずれかのエッチング液を用いて前記金属積層膜に含まれる前記モリブデン層と前記アルミニウム層とを一括でエッチングし、前記レジストパターンを剥離することによって、前記金属積層膜のパターンを形成することを特徴とする。本発明によれば、燐酸を主成分とすることなくモリブデン層とアルミニウム層とを一括でエッチングすることができるパターン形成方法を提供することができる。

上記課題を解決するための本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板のうち一方の基板に形成された複数の走査線と、前記走査線と交差するよう形成された複数の信号線と、前記走査線と接続されたゲート電極及び前記信号線と接続されたソース電極並びにドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記ドレイン電極を介して前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、を有する液晶表示装置の製造方法であって、前記走査線、前記信号線、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち少なくとも一つは、モリブデン又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層と、を含む金属積層膜から構成され、前記金属積層膜の表面にレジストパターンを形成し、上記いずれかのエッチング液を用いて前記金属積層膜に含まれる前記モリブデン層と前記アルミニウム層とを一括でエッチングし、前記レジストパターンを剥離することによって、前記金属積層膜のパターンを形成することを特徴とする。本発明によれば、燐酸を主成分とすることなくモリブデン層とアルミニウム層とを一括でエッチングすることができる液晶表示装置の製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の液晶パネルにおける１つの画素に対応する部分の主な構成を模式的に示す説明図である。 図１に示すＩＩ−ＩＩ線で切断した液晶パネルの断面の一部を模式的に示す説明図である。 本発明の一実施形態に係るパターン形成方法及び液晶表示装置の製造方法に含まれる第一の工程についての説明図である。 本発明の一実施形態に係るパターン形成方法及び液晶表示装置の製造方法に含まれる第二の工程についての説明図である。 本発明の一実施形態に係るパターン形成方法及び液晶表示装置の製造方法に含まれる第三の工程についての説明図である。 本発明の一実施形態に係るパターン形成方法及び液晶表示装置の製造方法に含まれる第四の工程についての説明図である。 本発明の一実施形態に係るパターン形成方法及び液晶表示装置の製造方法に含まれる第五の工程についての説明図である。

以下に、本発明の一実施形態について説明する。なお、本発明は本実施形態で示す例に限られない。

本実施形態に係るエッチング液（以下、「本エッチング液」という。）は、モリブデン（Ｍｏ）又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層と、アルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層と、を含む金属積層膜を一括でエッチングするために用いられるエッチング液である。

モリブデン層がモリブデンを主成分とする合金（以下、「モリブデン合金」という。）から構成される場合、当該モリブデン合金の組成は当該モリブデン層が備えるべき特性を損なわないものであれば特に限られない。すなわち、モリブデン合金は、その主成分として、例えば、８０重量％以上のモリブデンを含有することができる。

また、モリブデン合金は、モリブデン以外に、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）からなる群より選択される１種又は２種以上を含有することができる。

アルミニウム層がアルミニウムを主成分とする合金（以下、「アルミニウム合金」という。）から構成される場合、当該アルミニウム合金の組成は当該アルミニウム層が備えるべき特性を損なわないものであれば特に限られない。すなわち、アルミニウム合金は、その主成分として、例えば、９０重量％以上のアルミニウムを含有することができる。

また、アルミニウム合金は、アルミニウム以外に、例えば、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジム（Ｎｄ）タンタル（Ｔａ）からなる群より選択される１種又は２種以上を含有することができる。

そして、本エッチング液は、そのｐＨが４以上１２以下であり、且つアルミニウムと錯体を形成できる化合物（以下、「アルミニウム錯化剤」という。）と酸化剤とを含有する。すなわち、本エッチング液は、例えば、アルミニウム錯化剤及び酸化剤を水に溶解し、そのｐＨを４以上１２以下に調整することにより調製される水溶液である。

本エッチング液のｐＨは、４以上１２以下の範囲内であれば特に限られないが、６以上１２以下であることが好ましく、７以上１２以下であることがより好ましい。

ｐＨが４未満の場合には、モリブデンを十分に溶解させることが難しくなる。一方、ｐＨが１２を超える場合には、例えば、エッチングの対象となる金属積層膜に形成されたレジストが溶解されてしまうことがある。

これに対し、ｐＨが４以上１２以下の範囲内であれば、レジストを溶解することなく、モリブデン層を効果的に溶解させることができる。特に、ｐＨが６以上の場合、さらに７以上の場合には、モリブデン層をより効果的にエッチングすることができる。

本エッチング液に含有されるアルミニウム錯化剤は、ｐＨが４以上１２以下の範囲内において、アルミニウム層を構成するアルミニウムに配位して錯体（錯イオン）を形成しその溶解度を高めることのできるものであれば特に限られない。

すなわち、アルミニウム錯化剤としては、例えば、アセチルアセトン、クエン酸又はその塩、ジエチレントリアミン五酢酸又はその塩、エチレンジアミン四酢酸又はその塩、蓚酸又はその塩、酒石酸又はその塩、カテコールジスルホン酸又はその塩からなる群より選択される１種又は２種以上を用いることができる。

本エッチング液におけるアルミニウム錯化剤の濃度は特に限られず、エッチングの際に本エッチング液に溶解させるべきアルミニウムの量に応じて適宜決定することができる。すなわち、アルミニウム錯化剤の濃度は、例えば、本エッチング液に溶解させるアルミニウムのモル濃度の１０倍程度のモル濃度であることが望ましい。

本エッチング液に含有される酸化剤は、モリブデンとアルミニウムとを酸化する性能を有する化学種であれば特に限られず、例えば、硝酸塩、過酸化水素、フェリシアン塩、ペルオキソ二硫酸塩を用いることができる。また、本エッチング液は、ｐＨを上述の範囲に調整するための緩衝剤を含有することもできる。この緩衝剤としては、例えば、リン酸塩、ホウ酸塩、炭酸塩を用いることができる。また、本エッチング液は、酸化剤を安定化させるための安定化剤を含有することもできる。この安定化剤としては、例えば、ピロリン酸四ナトリウム、スズ酸ナトリウム、バルビツール酸、尿酸、アセトアニリド、オキシキノリン、サリチル酸、フェナセチン、ケイ酸ナトリウム、アルキルジアミンテトラメチレンホスホン酸又はその塩、１，１０−フェナントロリンを用いることができる。

本エッチング液によれば、上述したような金属積層膜に含まれるモリブデン層とアルミニウム層とを一括でエッチングすることができる。

ここで、本エッチング液において特徴的なことの一つは、上述のとおり、そのｐＨが４以上１２以下であって、且つアルミニウム錯化剤を含有する点である。

すなわち、酸性の水溶液中においては、アルミニウムは溶解することができるが、モリブデンは溶解することができない。一方、中性の水溶液中においては、モリブデンは溶解することができるが、アルミニウムは溶解することができない。そして、塩基性の水溶液中においては、レジストが不必要に溶解されてしまう。このように、一般に、モリブデンとアルミニウムとを共通のエッチング液で溶解することは困難である。

これに対し、本エッチング液は、ｐＨの範囲をモリブデンが溶解可能な範囲に調整した上で、アルミニウム錯化剤を含有することにより、モリブデンに加えて、アルミニウムをも溶解させることができる。

すなわち、本エッチング液は、燐酸を含有することなく、モリブデン層とアルミニウム層との両方を同時に溶解させることができる。さらに、本エッチング液は、従来の燐酸を含有するエッチング液に比べて安価に製造することができる。

次に、本実施形態に係るパターン形成方法及び液晶表示装置の製造方法について説明する。なお、ここでは液晶表示装置として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造する場合の一例について説明する。

図１は、液晶表示装置の液晶パネルにおける１つの画素に対応する部分の主な構成を模式的に示す説明図である。図２は、図１に示すＩＩ−ＩＩ線で切断した液晶パネルの断面の一部を模式的に示す説明図である。

図２に示すように、液晶表示装置は、一対の基板１，１３と、当該一対の基板１，１３に挟持された液晶層１０と、を有している。一対の基板１，１３は、その一方又は両方が透明な材料で構成される。すなわち、一対の基板１，１３の一方又は両方は、例えば、無アルカリガラス基板等のガラス基板とすることができる。

液晶層１０は、一方のガラス基板１と他方のガラス基板１３との間に封入された液晶材料を含有している。この液晶層１０は、例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）型又はＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型といった液晶駆動モードに応じて選定することができる。

そして、図１及び図２に示すように、この液晶表示装置は、さらに、一方の基板１に形成された複数の走査線２０と、当該走査線２０と交差するよう形成された複数の信号線３０と、当該走査線２０と接続されたゲート電極２と、当該信号線３０と接続されたソース電極３及びドレイン電極４と、当該ドレイン電極４と接続された画素電極５と、当該走査線２０と信号線３０との交点付近に当該ソース電極３から当該ドレイン電極４に跨って形成されこれらと接続された半導体層７と、当該半導体層７と当該ソース電極３及びドレイン電極４との間に形成されたコンタクト層８と、当該走査線２０及びゲート電極２を覆うゲート絶縁膜６と、当該信号線３０、ソース電極３、ドレイン電極４及び半導体層７を覆う保護絶縁膜９と、を有している。なお、保護絶縁膜９には、コンタクトホール１２が形成され、当該コンタクトホール１２において画素電極５とドレイン電極４とが接続されている。

このように、液晶表示装置は、ゲート電極２、ソース電極３、ドレイン電極４及び半導体層７を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を一方の基板１（以下、「ＴＦＴ用基板１」という。）に備えている。また、このＴＦＴ用基板１においては、液晶層１０と接する最内層として配向膜１１ａが形成され、当該液晶層１０と反対側の表面には、偏光板１８ａが貼り付けられている。

そして、ＴＦＴ用基板１上においては、走査線２０、信号線３０、ゲート電極２、ソース電極３及びドレイン電極４のうち少なくとも一つを、モリブデン又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層と、を含む金属積層膜から構成することができる。

すなわち、この例では、走査線２０及びゲート電極２は、アルミニウム層２ａと、当該アルミニウム層２ａに積層されたモリブデン層２ｂと、から構成される金属積層膜である。

また、信号線３０、ソース電極３及びドレイン電極４は、第一のモリブデン層３ａ，４ａと、当該モリブデン層３ａ，４ａに積層されたアルミニウム層３ｂ，４ｂと、さらに当該アルミニウム層３ｂ，４ｂに積層された第二のモリブデン層３ｃ，４ｃと、から構成される金属積層膜である。なお、画素電極５は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）膜等の透明な導電性膜である。

また、液晶層１０を介してＴＦＴ用基板１と対向する他方の基板１３には、ブラックマトリクス１４と、当該ブラックマトリクス１４で区画されたカラーフィルタ１５と、平坦化膜１６と、共通電極１７と、が形成されている。

そして、このカラーフィルタ１５が形成された基板１３（以下、「カラーフィルタ用基板１３」という。）においては、液晶層１０と接する最内層として配向膜１１ｂが形成され、当該液晶層１０と反対側の表面には、偏光板１８ｂが貼り付けられている。なお、カラーフィルタ１５は、一つの画素について、３色（ＲＧＢ）のうち１色分が形成される。

図３〜図７は、図１及び図２に示す液晶パネルの構造を形成する複数の工程についての説明図である。図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ、図６Ａ及び図７Ａは、各工程においてレジストパターン形成及びエッチングによる薄膜の加工が終了しフォトレジストが除去された状態を示す。図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂ、図６Ｂ及び図７Ｂは、各工程に含まれる主な処理を示す。なお、レジストパターン形成とは、フォトレジストの塗布から、フォトマスクを使用した選択的な露光を経て、現像を行うまでの、レジストパターンを形成する一連の工程を含む処理であり、以下では詳細な説明は省略する。

図３は、第一の工程についての説明図である。第一の工程においては、まず、ＴＦＴ用基板１上に、アルミニウム合金からなり膜厚が３００ｎｍのアルミニウム層をスパッタリングにより形成し、さらに連続して、モリブデンからなり膜厚が８０ｎｍのモリブデン層をスパッタリングにより形成する（図３Ｂの工程Ｓ１０）。この連続成膜により、アルミニウム層の上にモリブデン層が積層されてなる金属積層膜が形成される。

次いで、この金属積層膜の表面に所定のレジストパターンを形成する（図３Ｂの工程Ｓ１１）。その後、上述した本エッチング液を用いて、この金属積層膜を構成するアルミニウム層及びモリブデン層の両方を一括でエッチングする（図３Ｂの工程Ｓ１２）。

そして、レジストを剥離する（図３Ｂの工程Ｓ１３）ことにより、図１、図２及び図３Ａに示すように、走査線２０と、当該走査線２０に接続されたゲート電極２と、のパターンがＴＦＴ用基板１上に形成される。これら走査線２０及びゲート電極２は、図２及び図３Ａに示すように、アルミニウム層２ａ及びモリブデン層２ｂからなる金属積層膜で構成される。

図４は、第二の工程についての説明図である。第二の工程においては、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に、アンモニアガス、シランガス、窒素ガスを導入して、ＳｉＮからなり膜厚が３５０ｎｍの絶縁膜を成膜し、次いで、プラズマＣＶＤ装置に、シランガス、水素ガスを導入して、非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）からなり膜厚が１２０ｎｍのａ−Ｓｉ層を成膜し、さらにプラズマＣＶＤ装置に、シランガス、水素ガス、ホスフィンガスを導入して、ｎ型非晶質Ｓｉ（ｎ^＋ａ−Ｓｉ）からなり膜厚が３０ｎｍのｎ^＋ａ−Ｓｉ層を成膜する（図４Ｂの工程Ｓ２０）。

次いで、この積層膜の表面に所定のレジストパターンを形成する（図４Ｂの工程Ｓ２１）。その後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆を使用して、ｎ^＋ａ−Ｓｉ層及びａ−Ｓｉ層を選択的にエッチングする（図４Ｂの工程Ｓ２２）。

そして、レジストを剥離する（図４Ｂの工程Ｓ２３）ことにより、図１、図２及び図４Ａに示すように、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜６が形成されるとともに、ｎ型非晶質Ｓｉ層からなるコンタクト層８及び非晶質Ｓｉ層からなる半導体層７の島状のパターンが形成される。

図５は、第三の工程についての説明図である。第三の工程においては、モリブデンからなり膜厚が２０ｎｍのモリブデン層をスパッタリングにより形成し、次に連続してアルミニウム合金からなり膜厚が３００ｎｍのアルミニウム層をスパッタリングにより形成し、さらに連続してモリブデンからなり膜厚が４０ｎｍのモリブデン層をスパッタリングにより形成する（図５Ｂの工程Ｓ３０）。この連続成膜により、第一のモリブデン層の上にアルミニウム層が積層され、さらに当該アルミニウム層に第二のモリブデン層が積層されてなる金属積層膜が形成される。

次いで、この金属積層膜の表面に所定のレジストパターンを形成する（図５Ｂの工程Ｓ３１）。その後、本エッチング液を用いて、この金属積層膜を構成するアルミニウム層及び２つのモリブデン層の全てを一括でエッチングする（図５Ｂの工程Ｓ３２）。この結果、図１、図２及び図５Ａに示すように、信号線３０と、当該信号線３０に接続されたソース電極３及びドレイン電極４と、のパターンが形成される。

さらに、第三の工程においては、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆を使用して、コンタクト層８を除去するエッチングを行う（図５Ｂの工程Ｓ３３）。そして、レジストを剥離する（図５Ｂの工程Ｓ３４）ことにより、図１、図２及び図５Ａに示すように、ソース電極３とドレイン電極４とが電気的に切り離なされたトランジスタのチャネルが形成される。これら信号線３０、ソース電極３及びドレイン電極４は、図２及び図５Ａに示すように、第一のモリブデン層３ａ、アルミニウム層３ｂ及び第二のモリブデン層３ｃからなる金属積層膜で構成される。

図６は、第四の工程についての説明図である。第四の工程においては、プラズマＣＶＤ装置に、アンモニアガス、シランガス、窒素ガスを導入して、ＳｉＮからなり膜厚が４５０ｎｍの絶縁膜を成膜する（図６Ｂの工程Ｓ４０）。

次いで、この絶縁膜の表面に所定のレジストパターンを形成する（図６Ｂの工程Ｓ４１）。その後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆を使用して、絶縁膜を選択的にエッチングする（図６Ｂの工程Ｓ４２）。

そして、レジストを剥離する（図６Ｂの工程Ｓ４３）ことにより、図１、図２及び図６Ａに示すように、ソース電極３、ドレイン電極４及び半導体層７を覆う保護絶縁膜９が形成されるとともに、当該保護絶縁膜９に開口するコンタクトホール（スルーホール）１２が形成される。

図７は、第五の工程についての説明図である。第五の工程においては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなり膜厚が７５ｎｍの透明導電性膜をスパッタリングにより形成する（図７Ｂの工程Ｓ５０）。

次いで、この透明導電性膜の表面に所定のレジストパターンを形成する（図７Ｂの工程Ｓ５１）。その後、蓚酸を主成分として含有しｐＨが２付近の水溶液であるエッチング液を用いて、透明導電性膜を選択的にエッチングする（図７Ｂの工程Ｓ５２）。そして、レジストを剥離する（図７Ｂの工程Ｓ５３）ことにより、図１、図２及び図７Ａに示すように、透明導電性膜からなる画素電極５のパターンが形成される。

このような第一の工程から第五の工程までの一連の工程を含むパターン形成方法によって、図１及び図２に示すような構造を複数の画素の各々について有する液晶パネルを製造することができる。

そして、この液晶パネルと、当該液晶パネルを駆動させるための図示しない各種の駆動回路と、画面を表示させるための図示しないバックライト等の光源と、を一体的に組み立てることにより、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造することができる。なお、アクティブマトリクス型液晶表示装置としては、例えば、ＴＮ型、ＩＰＳ型、ＶＡ型のいずれを製造することもできる。

１ ＴＦＴ用基板、２ ゲート電極、２ａ アルミニウム層、２ｂ モリブデン層、３ ソース電極、３ａ，３ｃ モリブデン層、３ｂ アルミニウム層、４ ドレイン電極、４ａ，４ｃ モリブデン層、４ｂ アルミニウム層、５ 画素電極、６ ゲート絶縁膜、７ 半導体層、８ コンタクト層、９ 保護絶縁膜、１０ 液晶層、１１ａ，１１ｂ 配向膜、１２ コンタクトホール、１３ カラーフィルタ用基板、１４ ブラックマトリクス、１５ カラーフィルタ、１６ 平坦化膜、１７ 共通電極、１８ａ，１８ｂ 偏光板、２０ 走査線、３０ 信号線。

Claims (6)

1. 金属積層膜に含まれるモリブデン又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層と、を一括でエッチングするために用いられるエッチング液であって、ｐＨが４以上１２以下であり、アルミニウムと錯体を形成できる化合物と酸化剤とを含有する
   ことを特徴とするエッチング液。
2. ｐＨが６以上１２以下である
   ことを特徴とする請求項１に記載されたエッチング液。
3. ｐＨが７以上１２以下である
   ことを特徴とする請求項２に記載されたエッチング液。
4. 前記化合物は、アセチルアセトン、クエン酸又はその塩、ジエチレントリアミン五酢酸又はその塩、エチレンジアミン四酢酸又はその塩、蓚酸又はその塩、酒石酸又はその塩、カテコールジスルホン酸又はその塩からなる群より選択される１種又は２種以上である
   ことを特徴とする請求項１に記載されたエッチング液。
5. モリブデン又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層と、を含む金属積層膜の表面にレジストパターンを形成し、請求項１乃至４のいずれかに記載されたエッチング液を用いて前記金属積層膜に含まれる前記モリブデン層と前記アルミニウム層とを一括でエッチングし、前記レジストパターンを剥離することによって、前記金属積層膜のパターンを形成する
   ことを特徴とするパターン形成方法。
6. 一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板のうち一方の基板に形成された複数の走査線と、前記走査線と交差するよう形成された複数の信号線と、前記走査線と接続されたゲート電極及び前記信号線と接続されたソース電極並びにドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記ドレイン電極を介して前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、を有する液晶表示装置の製造方法であって、
   前記走査線、前記信号線、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち少なくとも一つは、モリブデン又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層と、を含む金属積層膜から構成され、
   前記金属積層膜の表面にレジストパターンを形成し、請求項１乃至４のいずれかに記載されたエッチング液を用いて前記金属積層膜に含まれる前記モリブデン層と前記アルミニウム層とを一括でエッチングし、前記レジストパターンを剥離することによって、前記金属積層膜のパターンを形成する
   ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。