TWI559102B - Resin stripping solution - Google Patents

Description

抗蝕劑剝離液

本發明係用於剝離用於製造液晶、有機EL等的顯示裝置或半導體的製造時的抗蝕劑的剝離液，更詳言之，即使是硬烤的抗蝕劑膜，亦可去抗蝕劑，並且大體上不會腐蝕鋁膜及銅膜的抗蝕劑剝離液。

液晶或有機EL(電致發光：Electro-Luminescence)等的平板顯示器(FPD)，要求大畫面。另一方面，筆記型電腦、平板電腦、智慧型手機用，要求小型高解析畫面。大畫面用，使用Cu配線或Cu/Mo層積配線(以後，亦單稱為「Cu配線」。)的TFT(薄膜電晶體：Thin Film Transistor)。又，小型高解析畫面用，使用Al配線的TFT。再者，以下將Cu稱為銅，Mo為鉬，Al為鋁。

面板製造廠商之中，有在1個工廠內，生產使用Al配線的TFT與使用Cu配線的TFT之情形。生產使用Al配線的TFT，與使用Cu配線的TFT的雙方時，若可在抗蝕劑膜的剝離步驟，使用Al配線之情形，與使用Cu配線之情形使用共同的抗蝕劑剝離液，則可減低生產成本。

水系的正光阻剝離液，一般係由鏈烷醇胺、極性溶劑、水所構成的組成，在抗蝕劑剝離裝置內加熱為40~50℃ 左右使用。

烷醇胺係可藉由求核作用，使正光阻剝離液中的鹼不溶解劑的DNQ(偶氮萘醌)化合物的羧基可溶解於極性溶劑及水的必須成分。鏈烷醇胺，可根據鍵結在氮的氫以外的取代基的數量，分為一級、二級、三級。其中，已知級數越小鹼性越強，求核性亦越強。

因此，級數越小的鏈烷醇胺，使鹼不溶解劑的DNQ化合物可溶解於極性溶劑及水的能力越大，可發揮強力的抗蝕劑剝離性能。

另一方面，已知鏈烷醇胺對Cu具有螯合作用。對Cu的螯合作用，由於可溶解Cu，故會腐蝕Cu膜。對Cu的螯合作用，與鹼性或求核性同樣，鏈烷醇胺的級數越小越強。因此，級數越小的鏈烷醇胺，對Cu膜的腐蝕性越強。

使用Al配線的高解析用TFT的生產製程，係在半導體(非晶矽：之後亦稱為「a-Si」。)的乾式蝕刻步驟，抗蝕劑受損而變性，而有變得難以剝離抗蝕劑之情形。此可認為係因為構成正型抗蝕劑膜的DNQ化合物與酚醛樹脂過度聚合所致。

Al配線並不會受到鏈烷醇胺的腐蝕作用(螯合作用)。因此，為剝離變性的抗蝕劑，一般使用具有強力的剝離性能的一級鏈烷醇胺。

另一方面，Cu配線之情形，使用一級或二級的鏈烷醇胺，則常發生無法容許的Cu配線腐蝕。因此，有使用三級鏈烷醇胺剝離液的提案。三級鏈烷醇胺對Cu的螯合作用較弱，可將Cu膜的腐蝕抑制在實用上沒有問題的範圍。但是， 與鹼性或求核性亦與螯合作用同樣地較弱，與使用一級或二級的鏈烷醇胺的抗蝕劑剝離液比較，其缺點為抗蝕劑剝離能力較弱。

在如此的技術背景之下，要求具有與使用一級鏈烷醇胺的Al配線用抗蝕劑剝離液同等以上的的剝離性能，可使用於Cu配線、Al配線的雙方的抗蝕劑剝離液組合物。

又，在專利文獻1，揭示以(1)式所表示的化合物及溶劑的抗蝕劑剝離液。該抗蝕劑剝離液，被當作可在Cu配線及Al配線的抗蝕劑剝離步驟共用。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利5279921號公報

抗蝕劑膜，係於曝光、顯影之後，經由蝕刻步驟，用於形成配線等情形。在此，在蝕刻步驟之前會通過稱為後烘烤的步驟。此係於進行蝕刻之前，使抗蝕劑膜變得更硬的目的所進行。以該後烘烤，促進構成抗蝕劑膜的酚醛樹脂與鹼不溶解劑的DNQ化合物的聚合，抑制抗蝕劑膜在蝕刻步驟中由金 屬膜表面剝離。

但是，在該後烘烤的步驟，加熱溫度過度上升(硬烘烤的狀態)，則在抗蝕劑膜中酚醛樹脂與DNQ化合物的聚合過度促進，而導致無法以先前的抗蝕劑剝離液剝離。

此點，在專利文獻1對硬烘烤進行研究，即使以160℃、5分鐘的硬烘烤條件，仍可剝離抗蝕劑。因此，即使對在硬烘烤的製造中可能發生的預期外的狀況，專利文獻1的剝離液，亦可剝離抗蝕劑。

但是，(1)式的化合物，有並非以試劑，或工業原料，市售的特殊的化合物的課題。

本發明係有鑑於上述課題而完成者，以提供即使在製造步驟上發生硬烘烤的問題，亦無需停止生產線，可剝離蝕刻後的抗蝕劑膜，可於Cu配線及Al配線的剝離步驟共用的抗蝕劑剝離液。

更具體而言，關於本發明的抗蝕劑剝離液，包含：三級胺、極性溶劑、水、環胺、糖醇、及還原劑，其特徵在於：上述環胺，對全量，含有0.5質量%以上，未滿2.0質量%，上述還原劑為聯胺。

關於本發明的抗蝕劑剝離液，可在Cu配線(含有Cu/Mo層積配線)及Al配線的抗蝕劑剝離步驟共用。又，即使對抗蝕劑膜施以硬烘烤，亦可將抗蝕劑膜剝離。又，關於本發 明的抗蝕劑剝離液，可如此地將硬烘烤的抗蝕劑膜剝離，另一方面，不會對Cu膜、配設於Cu膜底層的Mo膜，或Al膜造成損傷。

因此，即使是鋁膜上的抗蝕劑膜，或即使是銅膜上的抗蝕劑膜，可以1種抗蝕劑剝離液剝離。即，無須準備複數種抗蝕劑膜的剝離步驟線，又，抗蝕劑剝離液亦可僅管理1種。又，亦無需灰化的步驟。結果，可對工廠的生產性及成本降低做出很大的貢獻。

1‧‧‧基板

2‧‧‧膜部

3‧‧‧底層

4‧‧‧(膜部的)表面

5‧‧‧錐度角

6‧‧‧錐度面

10‧‧‧縫隙

第1圖係說明Cu/Mo層積膜的錐度角及Mo底切之圖。

以下說明關於本發明的抗蝕劑剝離液。再者，以下的說明係表示關於本發明的光阻劑剝離液的一實施形態者，可在不脫離本發明的趣旨的範圍，改變以下的實施形態及實施例。

關於本發明的抗蝕劑剝離液所剝離的抗蝕劑膜，係假定正型抗蝕劑。正型抗蝕劑，包含酚醛系的樹脂作為樹脂，使用作為感光劑偶氮萘醌(DNQ)化合物。進行蝕刻時，在基板上形成抗蝕劑膜，經由圖案進行曝光。

藉由該曝光，使DNQ化合物變成茚烯酮。當茚烯酮與水會合，則會變成茚羧酸，而溶解於水。酚醛系的樹脂，原本具有溶解於鹼性溶液的性質，但因DNQ化合物保護溶解點。DNQ化合物因曝光而變質，藉由可溶於含水的顯影劑，而 酚醛樹脂亦開始溶解。如此完成抗蝕劑膜的圖案形成。

藉由抗蝕劑膜完成圖案形成的基板，經由後烘烤施以濕式蝕刻或乾式蝕刻處理。後烘烤係為使抗蝕劑膜中的酚醛樹脂與DNQ化合物聚合進行到某種程度。通常係以140℃加熱處理5分鐘左右。在本說明書，所謂硬烘烤，係指以150℃，5分鐘以上的加熱條件。酚醛樹脂與DNQ化合物，當烘烤溫度上升，則聚合迅速地進行，牢固地附著於底層的金屬膜上，而變得不容易溶解。關於本發明的抗蝕劑剝離液，亦以經過如此的硬烘烤的抗蝕劑膜作為對象。

關於本發明的抗蝕劑剝離液，包含三級胺、極性溶劑、水及添加劑。又，添加劑，含有環胺、糖醇、及還原劑。

三級胺，可良好地利用三亞乙基二胺(TEDA)，N-甲基二甲醇胺(MDEA)。該等，亦可混合使用。該等對剝離液全量，以0.1~9質量%為佳，以0.1~5質量%更佳、以0.1~3質量%最佳。三級胺過少，則對於Cu/Mo層積膜，無法抑制環胺對Mo層的溶解。另一方面，過多則由於三級胺會吸收空氣中的二氧化碳，故會阻礙以環胺的抗蝕劑膜的剝離，而變得無法剝離。因此，特別是使剝離時間變長時，包含三級胺為佳。

極性溶劑，只要是與水具有親和性的有機溶劑即可。又，可與上述三級胺混合性良好者更佳。

如此的水溶性有機溶劑，可舉二甲基亞碸之等的亞碸類；二甲基碸、二乙基碸、雙(2-羥基乙基)碸、四亞甲基碸等的碸類；N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺等的醯胺類；N- 甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、N-丙基-2-吡咯烷酮、N-羥甲基-2-吡咯烷酮、N-羥乙基-2-吡咯烷酮等的內醯胺類；1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、1,3-二乙基-2-咪唑烷酮、1,3-二異丙基-2-咪唑烷酮等的咪唑烷酮類；乙二醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單***、乙二醇單丁醚、乙二醇單甲醚醋酸酯、乙二醇單***醋酸酯、二甘醇、二甘醇單甲醚、二甘醇單***、二甘醇單丙醚、二甘醇單丁醚等的二甘醇單烷基醚、丙二醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單***、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚等的丙二醇單烷基醚(烷基係碳原子1~6的低級烷基)等的多元醇類，及其衍生物。該等之中，可良好地使用選自由二甲基亞碸、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甘醇單丁醚之至少1種，與選自由乙二醇、二甘醇、丙二醇之至少1種的混合液。其中，對正型抗蝕劑，利用以二甘醇單丁醚(BDG)與丙二醇(PG)的混合液作為極性溶劑，可得理想的結果。

又，關於本發明的抗蝕劑剝離液，可良好地使用二甘醇單丁醚(BDG)與丙二醇(PG)的混合液作為極性溶劑。該等極性溶劑，可溶解抗蝕劑膜，又使之容易溶解。特別是丙二醇可使抗蝕劑膜膨潤，二甘醇單丁醚(BDG)可溶解抗蝕劑膜。因此，至少含有2液的極性溶劑較有效。

極性溶劑，對抗蝕劑剝離液全量，以50~80質量%為佳。

作為添加劑添加的是環胺、糖醇及還原劑。環胺以五員環胺為佳，特別是以吡咯烷或在吡咯烷的第3位的位置鍵結取代基者。可良好地使用例如，3-甲基吡咯烷、(S)-3-乙 基吡咯烷、3-胺基吡咯烷、3-乙醯胺基吡咯烷、3-(N-乙醯基-N-乙基胺基)吡咯烷、3-(N-乙醯基-N-甲基胺基)吡咯烷、(R)-3-羥基吡咯烷、3-(乙基胺基)吡咯烷。該等環胺，對硬烘烤過的抗蝕劑膜的剝離有效。又，吡咯烷，係作為醫農藥的中間體、口香糖等的香料一般流通，而容易取得的化合物。因此，可降低剝離液本身的成本。

環胺的添加量，對抗蝕劑剝離液全量，以0.5質量%以上，未滿2.0質量%為較佳的範圍。以0.8質量%以上、1.5質量%以下更佳。環胺的量，過多，則銅膜及鉬膜會被腐蝕，過太，則無法剝離受過硬烘烤的抗蝕劑膜。

糖醇，可良好的利用山梨醇、木糖醇、蔗糖、甘露醇、麥芽糖醇、乳糖醇等。該等，糖醇，可抑制Al膜在抗蝕劑剝離液中溶解，與還原劑(聯胺)一起，抑制Mo膜的底切。

又，糖醇，對抗蝕劑剝離液全量，以0.5~10質量%為佳。以0.8~2.0質量%更佳。糖醇有作為腐蝕防止劑的作用。因此，含有一定量為佳。但是，關於抗蝕劑膜的剝離不太有貢獻。另一方面，糖醇的添加過剩時，在將抗蝕劑剝離液蒸餾再生時，會成為殘留在蒸餾裝置內的水垢的原因。因此，以上述範圍含有為佳。

還原劑，可良好的利用聯胺。還原劑的添加，可抑制三級胺與環胺的Mo底切。還原劑，對抗蝕劑剝離液全量，以0.03~0.4質量%的範圍為佳。以0.06~0.2質量%的範圍更佳。再者，聯胺在操作安全性的觀點，亦可使用水和物。

[實施例]

以下表示關於本發明的抗蝕劑剝離液的實施例及比較例。對抗蝕劑剝離液，評估關於「抗蝕劑剝離性」及「金屬膜的腐蝕性」的2點。

<抗蝕劑剝離性>

在矽基板上，成膜100nm的矽熱氧化膜，在矽熱氧化膜上，以濺鍍法形成厚度300nm的銅膜。在該銅膜上，以旋轉塗佈將正型抗蝕劑液塗佈製作抗蝕劑膜。將抗蝕劑膜乾燥之後，使用配線圖形的光照曝光。然後，以顯影劑，去除感光部分的抗蝕劑。即，在銅膜上有配線圖案的抗蝕劑膜的部分及銅膜露出的部分的狀態。

接著，將矽基板全體以150℃進行後烘烤10分鐘。此係再現硬烘烤的步驟。

接著，使用過氧化氫系的銅蝕刻劑，蝕刻去除露出的銅膜。結束銅膜的蝕刻之後，將殘留的銅圖案上的抗蝕劑膜使用樣品抗蝕劑剝離液剝離。用於剝離抗蝕劑膜的時間，以40秒後、80秒後、120秒後的三階段研究。然後將基板洗淨，以光學顯微鏡邊施加干涉觀察。在銅膜上確認到有殘留的抗蝕劑膜時以「×」(叉)，在銅膜上沒有確認到殘餘的抗蝕劑膜時以「○」(圈)。再者，「○」(圈)係指成功或合格的意思，「×」(叉)係指失敗或不合格的意思。在以下的評估亦相同。

<金屬膜的腐蝕性>

金屬膜的腐蝕性係如下評估。首先，在矽基板上成膜100nm的矽熱氧化膜，在矽熱氧化膜上，以濺鍍法形成厚度300nm的銅膜，製作Cu膜樣品。將此稱為「Cu gate(銅閘)」。 同樣地，在矽基板上的矽熱氧化膜上，成膜20nm厚的鉬膜，於其上繼續形成厚度300nm的銅膜，製作Cu/Mo的層積膜樣品。將此稱為「Cu/Mo gate(銅/鉬閘)」。又，在矽基板上的矽熱氧化膜上，形成厚度300nm的鋁膜，製作Al膜樣品。將此稱為「Al gate(鋁閘)」。

在該等評估樣品上形成圖案化成配線形狀的抗蝕劑，作為腐蝕性評估用基材。即，腐蝕性評估用基材，係由形成在矽基板上的矽熱氧化膜的Cu膜、Cu/Mo膜、Al膜之任意一層，與其上的形成有配線形狀的抗蝕劑所組成。

將該等腐蝕性評估基材，以剛好蝕刻的時間浸漬在銅膜用或鋁膜用的蝕刻劑，進行蝕刻。之後，將蝕刻之後的腐蝕性評估用基材，浸漬於樣品抗蝕劑剝離液6分鐘，將抗蝕劑膜剝離。將在樣品抗蝕劑剝離液浸漬6分鐘的腐蝕性評估用基材，清洗、乾燥之後，切斷配線部分，觀察切斷面。

再者，在腐蝕性的評估，抗蝕劑膜並沒有施加加熱到硬烘烤狀態的熱處理。又，剛好蝕刻的判定，係由蝕刻開始至可以目視確認矽熱氧化膜的時點。

切斷方面的觀測，係使用SEM(Scanning Electron Microscope：掃描式電子顯微鏡)(日立製：SU8020型)，以加速電壓1kV，30,000~50,000倍的條件進行。

將切斷面的形狀示於第1圖。第1圖(a)係表示Cu Gate及Al Gate之情形之切斷面形狀。剛好蝕刻的部分的切斷面形狀，係對基板1形成大致30°或60°角的錐度角5。膜部2，在Cu Gate之情形係Cu膜，Al Gate之情形係Al膜。

第1圖(b)係表示Cu/Mo Gate之情形。Cu/Mo Gate之情形，至少上層的Cu層2具有錐度角5。底層的Mo層3，以沿著Cu層2的錐度面6蝕刻為佳。但是，如第1圖(b)所示，可較Cu層2蝕刻殘餘。

腐蝕性的評估，係根據該斷面形狀的觀察，在膜部2或膜部2的表面4或底層的Mo層3的任意一個確認到腐蝕時判斷為叉(×)，沒有觀測到腐蝕時判斷為圈(○)。

特別是Cu/Mo Gate之情形，如第1圖(c)所示，在底層的Mo層3與Cu層2之間有發生腐蝕之情形。即，Mo由銅層2與鉬層3的界面開始溶解，而有鉬層3選擇性的較銅層2快被蝕刻。因此，可在底層的Mo層3與Cu層2之間確認到縫隙時，評估為叉(×)。

<樣品抗蝕劑剝離液>

以如下要領調製樣品抗蝕劑剝離液。樣品抗蝕劑剝離液，係由三級胺類、極性溶劑、水及添加劑所構成。

(1)實施例1

使用三亞乙基二胺作為三級胺。

三亞乙基二胺(TEDA) 2.0質量%

極性溶劑，混合2種。

丙二醇(PG) 25.6質量%

二甘醇單丁醚(BDG) 40.0質量%

水 30.0質量%

作為添加劑，添加五員環胺、糖醇、及還原劑。

吡咯烷(PRL) 0.8質量%

山梨醇(Stol) 1.5質量%

聯胺一水和物(HN) 0.1質量%

將以上混合攪拌作為實施例1的樣品抗蝕劑剝離液。

再者，聯胺一水和物的0.1質量係相當於聯胺0.064質量%。聯胺一水和物的剩餘的0.036質量%是水。因此，上述水的組成比，包含以聯胺一水和物投入的部分，則是30.036質量%。在以下所有的實施例與比較例，使用聯胺一水和物時，用相同樣標記。

(2)實施例2

實施例2係較實施例1增加添加劑的量。

使用三亞乙基二胺作為三級胺。

三亞乙基二胺(TEDA) 2.0質量%

極性溶劑，混合2種。

丙二醇(PG) 24.9質量%

二甘醇單丁醚(BDG) 40.0質量%

水 30.0質量%

作為添加劑，添加五員環胺、糖醇、及還原劑。

吡咯烷(PRL) 1.5質量%

山梨醇(Stol) 1.5質量%

聯胺一水和物(HN) 0.1質量%

將以上混合攪拌作為實施例2的樣品抗蝕劑剝離液。

(3)實施例3

實施例3係變更三級胺的種類。

使用N-甲基二乙醇胺作為三級胺。

N-甲基二乙醇胺(MDEA) 2.0質量%

極性溶劑，混合2種。

丙二醇(PG) 24.9質量%

二甘醇單丁醚(BDG) 40.0質量%

水 30.0質量%

作為添加劑，添加五員環胺、糖醇、及還原劑。

吡咯烷(PRL) 1.5質量%

山梨醇(Stol) 1.5質量%

聯胺一水和物(HN) 0.1質量%

將以上混合攪拌作為實施例3的樣品抗蝕劑剝離液。

(4)實施例4

實施例4係對實施例3將三級胺改回TEDA，變更添加劑的環胺的種類。

使用三亞乙基二胺作為三級胺。

三亞乙基二胺(TEDA) 2.0質量%

極性溶劑，混合2種。

丙二醇(PG) 24.9質量%

二甘醇單丁醚(BDG) 40.0質量%

水 30.0質量%

作為添加劑，添加五員環胺、糖醇、及還原劑。

3-(乙基胺基)吡咯烷(EAPRL) 1.5質量%

山梨醇(Stol) 1.5質量%

聯胺一水和物(HN) 0.1質量%

將以上混合攪拌作為實施例4的樣品抗蝕劑剝離液。

再者，3-(乙基胺基)吡咯烷，係以下述(2)式所示化合物。

將關於以上實施例1至4的樣品抗蝕劑剝離液組成，及關於「抗蝕劑剝離性」與「金屬膜的腐蝕性」的結果示於第1表。

(5)比較例1

比較例1係對實施例1添加劑的環胺的量較多的組成。使用三亞乙基二胺作為三級胺。

三亞乙基二胺(TEDA) 2.0質量%

極性溶劑，混合2種。

丙二醇(PG) 24.4質量%

二甘醇單丁醚(BDG) 40.0質量%

水 30.0質量%

作為添加劑，添加五員環胺、糖醇、及還原劑。

吡咯烷(PRL) 2.0質量%

山梨醇(Stol) 1.5質量%

聯胺一水和物(HN) 0.1質量%

將以上混合攪拌作為比較例1的樣品抗蝕劑剝離液。

(6)比較例2

比較例2係對實施例3(PRL=1.5質量%)不使用作為添加劑使用的糖醇的組成。

使用三亞乙基二胺作為三級胺。

三亞乙基二胺(TEDA) 2.0質量%

極性溶劑，混合2種。

丙二醇(PG) 26.4質量%

二甘醇單丁醚(BDG) 40.0質量%

水 30.0質量%

作為添加劑，添加五員環胺、及還原劑。

吡咯烷(PRL) 1.5質量%

聯胺一水和物(HN) 0.1質量%

將以上混合攪拌作為比較例2的樣品抗蝕劑剝離液。

(7)比較例3

比較例3係對實施例2(PRL=1.5質量%)，變更作為添加劑加入的還原劑的種類。

使用三亞乙基二胺作為三級胺。

三亞乙基二胺(TEDA) 2.0質量%

極性溶劑，混合2種。

丙二醇(PG) 24.9質量%

二甘醇單丁醚(BDG) 40.0質量%

水 30.0質量%

作為添加劑，添加五員環胺、糖醇、及還原劑。

吡咯烷(PRL) 1.5質量%

山梨醇(Stol) 1.5質量%

單甲基聯胺(MMHN) 0.1質量%

將以上混合攪拌作為比較例3的樣品抗蝕劑剝離液。

(8)比較例4

比較例4係對比較例3，變更作為添加劑加入的還原劑的種類。

使用三亞乙基二胺作為三級胺。

三亞乙基二胺(TEDA) 2.0質量%

極性溶劑，混合2種。

丙二醇(PG) 24.9質量%

二甘醇單丁醚(BDG) 40.0質量%

水 30.0質量%

作為添加劑，添加五員環胺、糖醇、及還原劑。

吡咯烷(PRL) 1.5質量%

山梨醇(Stol) 1.5質量%

乙醯聯胺(AHD) 0.1質量%

將以上混合攪拌作為比較例4的樣品抗蝕劑剝離液。

(9)比較例5

比較例5係對比較例3，變更作為添加劑加入的還原劑的種類。

使用三亞乙基二胺作為三級胺。

三亞乙基二胺(TEDA) 2.0質量%

極性溶劑，混合2種。

丙二醇(PG) 24.9質量%

二甘醇單丁醚(BDG) 40.0質量%

水 30.0質量%

作為添加劑，添加五員環胺、糖醇、及還原劑。

吡咯烷(PRL) 1.5質量%

山梨糖醇(Stol) 1.5質量%

碳酸聯胺(HC) 0.1質量%

將以上混合攪拌作為比較例5的樣品抗蝕劑剝離液。

(10)比較例6

比較例6係對比較例3，變更作為添加劑加入的還原劑的種類。

使用三亞乙基二胺作為三級胺。

三亞乙基二胺(TEDA) 2.0質量%

極性溶劑，混合2種。

丙二醇(PG) 24.9質量%

二甘醇單丁醚(BDG) 40.0質量%

水 30.0質量%

作為添加劑，添加五員環胺、糖醇、及還原劑。

吡咯烷(PRL) 1.5質量%

山梨醇(Stol) 1.5質量%

碳醯肼(CHD) 0.1質量%

將以上混合攪拌作為比較例6的樣品抗蝕劑剝離液。

將關於以上比較例1至6的樣品抗蝕劑剝離液組成，及關於「抗蝕劑剝離性」與「金屬膜的腐蝕性」的結果示於第2表。

接著，為確認添加劑的五員環胺的剝離效果，進 行以下的比較例。

(11)比較例7

不含三級胺。

極性溶劑，混合2種。

丙二醇(PG) 28.0質量%

二甘醇單丁醚(BDG) 40.0質量%

水 30.0質量%

添加劑，僅添加五員環胺。

2-甲基吡咯烷 2.0質量%

再者，2-甲基吡咯烷，係於吡咯烷的第2位的位置鍵結甲基。

將以上混合攪拌作為比較例7的樣品抗蝕劑剝離液。

(12)比較例8

不含三級胺。

極性溶劑，混合2種。

丙二醇(PG) 28.0質量%

二甘醇單丁醚(BDG) 40.0質量%

水 30.0質量%

作為添加劑，僅添加五員環胺。

1-甲基吡咯烷 2.0質量%

再者，1-甲基吡咯烷係於吡咯烷的第1位的位置(氮的位置)鍵結甲基。

將以上混合攪拌作為比較例8的樣品抗蝕劑剝離液。

關於以上的比較例7及8的樣品抗蝕劑剝離液組 成，及關於「抗蝕劑剝離性」與「金屬膜的腐蝕性」的結果示於第3表。

[第1表]

[第2表]

在第1表及第2表，各%係表示對抗蝕劑剝離液全量的質量%。又，TEDA係表示三亞乙基二胺、MDEA係N-甲基二乙醇胺、PG係丙二醇，BDG係二甘醇單丁醚。

參照第1表。看實施例1、2及比較例1(第2表)的環胺(吡咯烷)，則隨著環胺的增加，抗蝕劑剝離時間變短。另一方面，參照比較例1(第2表)，則以2.0質量%調配吡咯烷的樣品抗蝕劑剝離液，在「Cu/Mo gate」，即Mo膜與Cu膜的層積膜，確認到Mo的底切。即，吡咯烷對抗蝕劑剝離液全量為未滿2.0質量%，以1.5質量%以下為佳。

又，即使在剝離時間花最長的的實施例1(吡咯烷0.8質量%)，亦可以120秒的短時間使硬烘烤過的抗蝕劑膜剝離。

實施例3係以N-甲基二乙醇胺作為三級胺者。又，實施例4係將添加劑的環胺以3-(乙基胺基)吡咯烷取代者。該等，可將硬烘烤過的抗蝕劑膜以80秒剝離，不會產生金屬膜的腐蝕或Mo膜底切等的問題。

參照第2表的比較例2。比較例2，係包含1.5質量%吡咯烷，沒有作為糖醇的山梨糖醇的組成。在比較例2，發生Mo膜的底切，又，Al膜被腐蝕。即，關於本發明的抗蝕劑剝離液，在使用吡咯烷時需有糖醇。

第2表的比較例3至比較例6，係表示取代還原劑的聯胺，分別變更為單甲基聯胺、乙醯聯胺、碳酸聯胺、碳醯肼的4種的情形。單甲基聯胺與乙醯聯胺，發生Mo底切。

另一方面，雖然碳酸聯胺與碳醯肼並沒有發生金屬膜的腐蝕，但是無法將硬烘烤過的抗蝕劑膜剝離。

參照第3表，使用於實施例的吡咯烷，可將硬烘烤過的抗蝕劑剝離膜以40秒剝離(參照比較例1)。另一方面，在第1位的位置及在第2位的位置鍵結甲基的1-甲基吡咯烷及2-甲基吡咯烷，即使花120秒，亦無法將硬烘烤過的抗蝕劑膜剝離。由以上，可得在吡咯烷的第1位的位置及第2位的位置鍵結取代基的吡咯烷，無法以實用性的範圍剝離硬烘烤過的抗蝕劑膜的結論。

再者，另一方面，如實施例4所示的3-(乙基胺基) 吡咯烷，在第3位的位置具有取代基的吡咯烷，實施例1~3所示的沒有鍵結取代基的通常的吡咯烷，可剝離硬烘烤過的抗蝕劑膜。

如以上，關於本發明的抗蝕劑剝離液，藉由包含三級胺、極性溶劑、水、環胺、糖醇及還原劑，可在Cu膜、Cu/Mo膜、Al膜的抗蝕劑剝離步驟共用。再者，即使是硬烘烤過的抗蝕劑膜，亦可使其剝離。

【產業上的可利性】

本發明的抗蝕劑剝離液，可良好地使用於作為使用正型抗蝕劑之情形的抗蝕劑剝離液。此可一般良好地使用於液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL等地FPD的製造。

Claims (4)

1. 一種抗蝕劑剝離液，包含：三級胺、極性溶劑、水、環胺、糖醇、及還原劑，其特徵在於：上述環胺，為吡咯烷或吡咯烷的第3位的位置鍵結取代基的五員環胺，且對全量，含有0.5質量%以上，未滿2.0質量%,上述還原劑為聯胺。
2. 如申請專利範圍第1項所述之抗蝕劑剝離液，其中上述糖醇係山梨醇。
3. 如申請專利範圍第1項所述之抗蝕劑剝離液，其中上述三級胺，係三亞乙基二胺或N-甲基二乙醇胺。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之抗蝕劑剝離液，其中上述三級胺為0.1~9質量%，上述極性溶劑為50~80質量%，上述糖醇為0.5~10質量%。