TWI640842B - Photoresist stripper - Google Patents
Photoresist stripper Download PDFInfo
- Publication number
- TWI640842B TWI640842B TW106145038A TW106145038A TWI640842B TW I640842 B TWI640842 B TW I640842B TW 106145038 A TW106145038 A TW 106145038A TW 106145038 A TW106145038 A TW 106145038A TW I640842 B TWI640842 B TW I640842B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- mass
- water
- photoresist
- amine
- monoethyl ether
- Prior art date
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 116
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 352
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 151
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 72
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 claims abstract description 71
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims abstract description 60
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 52
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 claims abstract description 40
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 111
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical group NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 claims description 14
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 29
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 15
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 abstract description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 abstract 1
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine hydrate Chemical compound O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 180
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 153
- 239000010408 film Substances 0.000 description 107
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 103
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 63
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 59
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 44
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 36
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N tetrahydropyrrole Natural products C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 150000004682 monohydrates Chemical class 0.000 description 26
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 20
- -1 DNQ compound Chemical class 0.000 description 17
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 description 11
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 description 11
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- CQDGTJPVBWZJAZ-UHFFFAOYSA-N monoethyl carbonate Chemical compound CCOC(O)=O CQDGTJPVBWZJAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1 WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N diglycerol Chemical compound OCC(O)COCC(O)CO GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N saccharin Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NS(=O)(=O)C2=C1 CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 5
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229940081974 saccharin Drugs 0.000 description 4
- 235000019204 saccharin Nutrition 0.000 description 4
- 239000000901 saccharin and its Na,K and Ca salt Substances 0.000 description 4
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229940105990 diglycerin Drugs 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N ethenone Chemical compound C=C=O CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241001674044 Blattodea Species 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical compound NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- DQYBDCGIPTYXML-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;hydrate Chemical compound O.CCOCC DQYBDCGIPTYXML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYWCBYFJFZCCGV-UHFFFAOYSA-N formamide;hydrate Chemical compound O.NC=O IYWCBYFJFZCCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000000719 pyrrolidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
半導體裝置等的製造製程係在比先前更高的溫度進行硬化，來避免光阻的硬化不良。因而，一種剝離力比先前更強的剝離液為必要的。一種光阻剝離液，係含有一級或是二級胺的至少一方作為胺類，二乙二醇一***(EDG)、丙二醇(PG)、及水作為極性溶劑，而且含有肼作為添加劑；前述胺類為大於3.0質量%且20.0質量%以下，前述二乙二醇一***為大於39.5質量%且59.5質量%以下，前述水為大於5.18質量%且小於28.18質量%，前述肼為大於0.064質量%且1.28%以下之光阻剝離液，能夠將被高溫烘烤後的光阻膜剝離，而且在金屬膜表面和剖面均不產生腐蝕且再利用時的再生效率較佳。
Description
本發明係有關於一種用以將在製造液晶、有機EL等的顯示器裝置和半導體時所使用的光阻膜剝離之剝離液，更詳言之，係有關於一種光阻剝離液，即便硬烤後的光阻膜，亦能夠剝離，而且對鋁膜及銅膜亦可說是實質上不使其腐蝕。
在液晶、有機EL(Electro-Luminescence；電激發光)等的平面面板顯示器(FPD)，係被要求大畫面。另一方面，作為筆記型PC、平板型PC、智慧型手機用，係被要求小型且高精細的畫面。作為大畫面用，係採用使用Cu配線或是Cu/Mo積層配線(以後亦簡稱為「Cu配線」)之TFT(Thin Film Transistor；薄膜電晶體)。又，作為小型高精細畫面用，係採用使用Al配線之TFT。又，以下Cu亦稱為銅，Mo亦稱為鉬，Al亦稱為鋁。
面板製造廠商之中，亦有在一座工廠內生產使用Cu配線的TFT、及摻雜Cu配線與Al配線的TFT之情況。生產摻雜Cu配線與Al配線而成的TFT之情況，在光阻膜的剝離步驟使用Al配線之情況及在使用Cu配線之情況能夠共用光阻剝離液(resist peeling liquid)時，能夠削減生產成本及設備。
水系的正型光阻用剝離液，係通常由烷醇胺、極 性溶劑、及水所構成之組成，在光阻剝離裝置內係被加熱至40℃以上且50℃以下左右而使用。
因為烷醇胺係藉由親核作用而能夠使正型光阻膜中的鹼不溶化劑之DNQ(重氮萘醌)化合物的羰基可溶化於極性溶劑及水，所以被認為是必要的成分。烷醇胺係依照鍵結在氮元素之氫以外的取代基之數目而被分類成為一級、二級、三級。其中，已知級數越小鹼性越強且親核性亦越強。
因而，級數越小的烷醇胺，使鹼不溶化劑之DNQ化合物可溶化於極性溶劑和水之能力越強而發揮強力的光阻剝離性能(亦稱為「光阻剝離力」)。
另一方面，已知烷醇胺對Cu具有鉗合作用。因為對Cu之鉗合作用係使Cu可溶化，結果將Cu膜腐蝕。對Cu的鉗合作用係與鹼性和親核性同樣地，烷醇胺的級數越小越強。因而，級數越小的烷醇胺，係將Cu膜越強力地腐蝕。
在非晶矽(以後亦稱為「a-Si」)和低溫多晶矽(以後亦稱為「LTPS」)、氧化物半導體(以後亦稱為「IGZO」)之半導體高精細用TFT的生產製程的乾式蝕刻步驟，係有光阻受到損壞而變質，致使將光阻剝離變為困難之情況。認為這是構成正型光阻膜之DNQ化合物與酚醛清漆樹脂的聚合過剩地進行之緣故。
Al配線係不受到烷醇胺引起的腐蝕作用(鉗合作用)。因而，通常係使用具有強力的光阻剝離性能之一級烷醇胺用以將變質後的光阻剝離。
另一方面，Cu配線的情況，使用一級或是二級的 烷醇胺時，多半的情況係產生Cu配線的腐蝕為無法容許的程度。因而，有提案揭示使用三級烷醇胺之剝離液。三級烷醇胺係對Cu的鉗合作用較弱而能夠將Cu膜的腐蝕抑制在實用上無問題的範圍。但是鹼性和親核性亦和鉗合作用同樣地較弱，相較於使用一級或是二級烷醇胺之光阻剝離液，係有光阻剝離力較弱之缺點。
在此種技術背景之下，被要求一種光阻剝離液組成物，其具有與使用一級烷醇胺之Al配線用光阻剝離液同等以上的剝離性能且能夠使用在Cu配線、Al配線之雙方。
又，專利文獻1係揭示一種含有(1)式表示的化合物及溶劑之光阻剝離液。該光阻剝離液亦被認為在Cu配線及Al配線的光阻剝離步驟能夠共用。
又，在專利文獻2，係揭示一種光阻剝離液，其雖然使用三級烷醇胺，但是具有與使用一級烷醇胺之Al配線用光阻剝離液同等的剝離力。該剝離液係具有以下的組成，含有三級胺、極性溶劑、水、環狀胺、糖醇、及還原劑，其中前述五員環狀胺為吡咯啶(pyrrolidine)或是3位置具有取代基之吡咯啶。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-514765號公報(特許5279921號)
[專利文獻2]日本特開2016-085378號公報(特許5885041號)
專利文獻2的剝離液係在Cu配線(包含Cu/Mo積層配線)及Al配線的光阻剝離步驟能夠共用。又，被認為即便對光阻膜施行硬烤後，亦能夠將光阻膜剝離。
但是，在使用光阻之半導體裝置和FPD的製造現場，係將較大規模的基板一次進行處理。因而，在1次微影術步驟之失敗會一次造成大量的不良品。因此，在微影術的各步驟係在安全側運用作業參數。
具體而言，在光阻的硬化步驟係在較高的溫度進行硬化，來避免光阻硬化不良之問題。但是與其同時，係意味著比先前更強的光阻剝離力之光阻剝離液為必要的。
本發明係鑒於上述課題而想出，提供一種即便在比先前更高的溫度被烘烤之光阻膜，亦能夠剝離之光阻剝離液。當然，不僅是光阻剝離力較強，而且亦被要求對Cu、Mo及Al的金屬之腐蝕性較低，乃是自不待言。
更具體地，本發明之光阻剝離液，其特徵在於：含有一級或是二級胺的至少一方作為胺類，二乙二醇一***(EDG)、丙二醇(PG)、及水作為極性溶劑，而且含有肼作為添 加劑；前述胺類為大於3.0質量%且20.0質量%以下，前述二乙二醇一***為大於39.5質量%且59.5質量%以下，前述水為大於5.18質量%且小於28.18質量%，前述肼為大於0.064質量%且1.28%以下。又，該等組成比係以各材料的合計為100質量%所調製，乃是自不待言。
因為本發明之光阻剝離液，係使用二級胺或是一級胺，所以即便在比先前更高溫被烘烤之光阻，亦能夠確實地剝離。而且，因為本發明之光阻剝離液係含有二乙二醇一***作為極性溶劑，雖然含有二級胺或是一級胺，但是能夠抑制對Cu和Mo、Al的金屬之腐蝕。
又，在本發明之光阻剝離液所使用的胺類及有機極性溶劑之沸點係比水更高，在使用後能夠再利用。而且因為能夠適合利用的胺類及極性溶劑之二乙二醇一***及丙二醇，係各自沸點為5度以上不同，所以能夠個別地分離且能夠有效率地再利用。
而且，本發明之光阻剝離液係具有優異的槽液壽命(bath life)。即便在大氣開放狀態下放置12小時以上且即便密閉保存4天，光阻剝離能力係沒有變化。
1‧‧‧基板
2‧‧‧膜部
3‧‧‧基底層
4‧‧‧(膜部的)表面
5‧‧‧錐角
6‧‧‧錐面
10‧‧‧(基底的Mo層與Cu層之間的)間隙
第1圖係說明Cu/Mo積層膜的錐角及Mo底切(undercut)之圖。
以下說明本發明之光阻剝離液。而且，以下的說 明係顯示本發明之光阻剝離液的一實施形態，在不脫離本發明的宗旨之範圍，亦可改變以下的實施形態及實施例。又，在本說明書，表示範圍時所使用的「以上」及「以下」係指「包含其值且較大(或是「較多」)」及「包含其值且較小(或是「較少」)」之意思。又，「小於」係指「不包含其值而較小」之意思。又，「大於」係指「包含其值而較多」之意思。
本發明之光阻剝離液所剝離之光阻膜係設想為正型光阻。正型光阻係含有酚醛清漆系的樹脂作為樹脂且使用重氮萘醌(DNQ)化合物作為感光劑。進行蝕刻時，係在將光阻膜形成在基板上且透過圖案而進行曝光。
藉由該曝光，DNQ化合物係轉變成為茚烯酮(indene ketene)。茚烯酮與水締合時係轉變成為茚羧酸且溶解在水中。酚醛清漆系樹脂係原本具有溶解在鹼溶液之性質，但是藉由DNQ化合物而溶解點被保護。DNQ化合物係藉由曝光而變質且在含水的顯影液溶出，而且酚醛清漆樹脂亦溶出。如此進行而完成光阻膜的圖案化。
藉由光阻膜而圖案化完成的基板，係經過後烘烤而被施行濕式蝕刻或乾式蝕刻處理。後烘烤係為使光阻膜中的酚醛清漆樹脂與DNQ化合物的聚合進行某種程度而施行。通常在140℃加熱處理5分鐘左右。在本說明書所謂硬烤，係指在170℃加熱30分鐘以上之條件。烘烤溫度為上升時，酚醛清漆樹脂與DNQ化合物之聚合成係急速地進展且堅固地固定在金屬膜，而且變為不容易溶解。本發明之光阻剝離液係將經過此種硬烤而成之光阻膜作為對象。
本發明之光阻剝離液，係含有一級或是不具有環狀結構的二級胺類、極性溶劑、及作為添加劑之還原劑。作為胺類，係以沸點比水更高且不與水共沸者為佳。因為將光阻剝離液再利用時使其與水分離之緣故。作為此種物，就一級胺而言，能夠適合利用一乙醇胺(以下亦稱為「MEA」。沸點為170℃。CAS號碼141-43-5)。
又，就二級胺而言，能夠適合利用N-甲基乙醇胺(以後亦稱為「MMA」。沸點為155℃。CAS號碼109-83-1)、N-乙基乙醇胺(以後亦稱為「EEA」。沸點170℃。CAS號碼110-73-6)。該等亦可混合。
而且，相對於剝離液總量，胺類的組成比率係以大於3.0質量%且20.0質量%以下為佳，較佳是5.0質量%以上且20.0質量%以下，最佳是以10.0質量%以上且20.0質量%以下為佳。胺類較少時，無法將硬烤後的光阻剝離。另一方面，太多時，金屬損傷變大。
作為極性溶劑，係能夠適合利用與水具有親和性的有機溶劑(亦稱為水溶性有機溶劑)。又，與上述的一級及二級胺的混合性良好時為較佳。
作為此種水溶性有機溶劑，能夠適合利用二乙二醇一***(以後亦稱為「EDG」。沸點為202℃。CAS號碼111-90-0)及丙二醇(以下亦稱為「PG」。沸點為188℃。CAS號碼57-55-6)的混合液。極性溶劑係由水溶性有機溶劑及水所構成。
極性溶劑的組成比率，係相對於剝離液總量，將胺類及後述還原劑的量除去後之量。
極性溶劑中的各材料之組成比率，係具有如以下的較佳範圍。首先，相對於光阻剝離液總量，水係以大於5.18質量%且小於28.18質量%為佳。10.0質量%以上且25.0質量%以下時，為較佳。因為水太多時，金屬膜為Al時有產生使Al腐蝕掉之問題。
相對於光阻剝離液總量，二乙二醇一***係以大於39.5質量%且59.5質量%以下為佳。44.5質量%以上且50.0質量%以下時為較佳。又，丙二醇可設為為極性溶劑的剩餘部分。
作為添加劑，係能夠適合利用還原劑的肼(以後亦記載為「HN」。CAS號碼302-01-2)。還原劑的添加係抑制因胺類引起Mo底切及金屬膜表面腐蝕(評價法係後述)。相對於光阻剝離液總量，還原劑係以大於0.064質量%且1.28質量%以下的範圍為佳。較佳為0.128質量%以上且0.64質量%以下的範圍。又，從安全地操作之觀點而言，肼可使用水合物(肼一水合物：記載為「HN‧H2O」)。上述肼的範圍係肼一水合物換算時，以大於0.1質量%且2.0質量%以下的範圍為佳，0.2質量%以上且1.0質量%以下的範圍時為較佳。
實施例
以下，係揭示本發明之光阻剝離液的實施例及比較例。光阻剝離液係進行評價「光阻剝離性」、「金屬膜的腐蝕性」及「槽液壽命」之3點。
<光阻剝離性>
將矽熱氧化膜在矽基板上成膜100nm，藉由濺射法將銅膜在矽熱氧化膜上形成300nm的厚度。將正型光阻液藉由旋轉塗 佈塗佈在該銅膜上來製造光阻膜。光阻膜乾燥之後，使用配線圖案的光罩而進行曝光。而且，使用顯影液而將感光後的部分之光阻除去。亦即，在銅膜上具有配線圖案的光阻膜殘留之部分、及銅膜露出的部分之狀態。隨後將矽基板全體在170℃進行後烘烤30分鐘。
其次，使用過氧化氫水系(hydrogen peroxide water based)之銅的蝕刻劑，將露出的銅膜蝕刻而除去。銅膜的蝕刻結束後，使用剛調製後的試樣光阻剝離液(在後述的表係稱為「新液」)將殘留的銅之圖案上的光阻膜剝離。剝離用的處理時間係設為15分鐘，測定至剝離為止的時間。藉由光學顯微鏡邊施加干涉邊觀察來判斷是否能夠剝離。
經過15分鐘亦能夠在銅膜上確認光阻膜的剩餘部分時評定為「×」(打叉)，無法確認光阻膜的剩餘部分時評定為「○」(「圓圈」或是「圓圈評價」)。此時亦記錄剝離完成的時間。又，「○」(圓圈)係意味著成功或合格，「×」(「打叉」或是「打叉評價」)係意味著失敗或不合格。以下的評價亦相同。
<金屬膜的腐蝕性>
金屬膜的腐蝕性(金屬膜損傷)係如以下進行而評價。首先，將矽熱氧化膜在矽基板上成膜100nm的厚度。
其次，將鉬膜以20nm的厚度成膜在矽基板上的矽熱氧化膜上，繼續將銅膜以300nm的厚度成膜在其上來製造Cu/Mo的積層膜試樣。將其記載為「Cu/Mo」。又，將鋁膜以300nm的厚度成膜在矽基板上的矽熱氧化膜上來製造Al膜試樣。將 其記載為「Al」。
將圖案化成為配線形狀後之光阻膜形成在該等評價試樣上且作為腐蝕性評價用基材。亦即，腐蝕性評價用基材係由形成在矽基板上矽熱氧化膜上的Cu/Mo膜、Al膜之任一層、及在其上形成配線形狀的光阻層所構成。
使該等腐蝕性評價用基材，浸漬在銅膜用或鋁膜用蝕刻劑且施行適量蝕刻之時間，來進行蝕刻。隨後，使蝕刻後的腐蝕性評價用基材浸漬在試樣光阻剝離液4分鐘而將光阻膜剝離。將浸漬在試樣光阻剝離液4分鐘後的腐蝕性評價用基材洗淨且使其乾燥之後，觀察膜表面。又，將配線部分切斷且觀察截面。
又，適量蝕刻的判斷係設為從蝕刻開始起至目視能夠確認矽熱氧化膜之時點。
膜表面及截面的觀測係使用SEM(Scanning Electron Microscope；掃描型電子顯微鏡)(日立製：SU8020型)且在加速電壓1kV、30,000~50,000倍的條件下進行。
將截面形狀的概念圖顯示在第1圖。第1圖(a)係顯示「Al」時的截面形狀。被適量蝕刻後的部分之截面形狀，係對基板1形成大約30°至60°角度的錐角5。膜部2為Al膜。
第1圖(b)係表示「Cu/Mo」的情況。「Cu/Mo」時，至少上層的膜部2(Cu)係具有錐角5。基底層3(Mo)係以沿著膜部2的錐面6而被蝕刻為佳。但是基底層3亦可如第1圖(b)顯示，從膜部2起有蝕刻殘留。
腐蝕性的評價係「Cu/Mo」時稱為「Cu/Mo損傷」， 「Al」時稱為「Al損傷」。亦將該等一併稱為「金屬膜損傷」。而且，藉由上述的剖面形狀之觀察，在膜部2和膜部2表面4或是基底層3的任一者能夠確認腐蝕時，判定為打叉(×)，無法觀測到腐蝕時判定為圓圈(○)。
特別是「Cu/Mo」時，係如第1圖(c)顯示，有在基底層3(Mo)與膜部2(Cu)之間產生腐蝕之情形。亦即，基底層3的Mo從膜部2與基底層3的界面起開始溶解，而且相較於銅層(膜部2)，選擇地將Mo(基底層3)更快速地蝕刻之情形。因而，在基底層3與膜部2之間能夠確認間隙10的情況係評定為打叉(×)。
<槽液壽命>
光阻剝離液係胺、有機溶劑、及稱為還原劑的材料之混合組成物。空氣中的二氧化碳係溶解在剝離液中且成為碳酸、重碳酸離子、或與胺反應而產生胺甲酸酯離子之結果，致使剝離力低落或金屬損傷變大。
特別是在大規模的工廠，大量的光阻剝離液係被使用在大氣開放環境。又，因為光阻剝離液係被循環使用，所以光阻剝離液與空氣締合之機會較多。因而，槽液壽命較短時，必須頻繁地更換光阻剝離液或添補。
作為試驗方法，係將剛調製後的各光阻剝離液在常溫大氣中環境下放置0小時、6小時、12小時的時間來進行光阻剝離性的試驗，使用SEM觀察「Cu/Mo」、「Al」的表面及剖面狀態。評價方法係與針對<光阻剝離性>及<金屬的腐蝕性>的情況相同。又，0小時係剛調製後(亦即「新液」)之意思。
又，光阻剝離液係添加至容器而被搬入。但是無法在常溫保存於容器時，在工廠的使用方便性係變成非常差。因此，亦調查藉由密閉常溫保存之成分的變化。
評價方法係添加至密閉容器，在常溫放置4天且測定肼的安定性。相較於剛調製後，肼為減少1%以上時，評定為「×(打叉評價)」，小於1%時判定為「○(圓圈評價)」。
該等評價係依照順序而進行。但是亦有依照先前的結果而不必進行其以後的評價之情形。此時，係未實施評價且記載為「-」。
<試樣光阻剝離液>
依照以下的要領調製試樣光阻剝離液。
(實施例1)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為實施例1的試樣光阻剝離液。
又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說 是20.18質量%。在以下全部的實施例及比較側，使用肼一水合物時係同樣的意思。
(實施例2)
使用二級胺的N-乙基乙醇胺作為胺類。
N-乙基乙醇胺(EEA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用肼作為還原劑。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為實施例2的試樣光阻剝離液。
實施例2係將實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)變更成為N-乙基乙醇胺(EEA)之組成。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(實施例3)
使用一級胺的一乙醇胺作為胺類。
一乙醇胺(MEA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用肼作為還原劑。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為實施例3的試樣光阻剝離液。
實施例3係將實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)變更成為一乙醇胺(MEA)之組成。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(實施例4)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.8質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用肼作為還原劑。
肼一水合物(HN‧H2O)0.2質量%
將以上混合且攪拌而作為實施例4的試樣光阻剝離液。
實施例4係使實施例1的肼一水合物(HN‧H2O)的組成比率減少而成之組成。HN‧H2O的減少份量係使EDG增加。又，肼一水合物0.2質量%係相當於肼0.128質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.072質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.072質量%。
(實施例5)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)48.0質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用肼作為還原劑。
肼一水合物(HN‧H2O)2.0質量%
將以上混合且攪拌而作為實施例5的試樣光阻剝離液。
實施例5係使實施例1的肼一水合物(HN‧H2O)的組成比率增加而成之組成。HN‧H2O的增加份量係使EDG減少。又，肼一水合物2.0質量%係相當於肼1.28質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.72質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.72質量%。
(實施例6)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)5.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)54.5質量%
丙二醇(PG)20.0質量%
水20.0質量%
使用肼作為還原劑。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為實施例6的試樣光阻剝離液。
實施例6係使實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)的組成比率減少而成之組成。MMA的減少份量係使EDG及PG增加。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(實施例7)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)10.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.5質量%
丙二醇(PG)20.0質量%
水20.0質量%
使用肼作為還原劑。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為實施例7的試樣光阻剝離液。
實施例7係使實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)的組成比率減少而成之組成。MMA的減少份量係使PG增加。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(實施例8)
使用一級胺的一乙醇胺作為胺類。
一乙醇胺(MEA)5.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.5質量%
丙二醇(PG)25.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為實施例8的試樣光阻剝離液。
實施例8係將實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)變更成為一級胺的一乙醇胺(MEA)且亦使組成比率減少而成之組成。MEA的減少份量係使PG增加。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(實施例9)
使用一級胺的一乙醇胺作為胺類。
一乙醇胺(MEA)10.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.5質量%
丙二醇(PG)20.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為實施例9的試樣光阻剝離液。
實施例9係將實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)變更成為一級胺的一乙醇胺(MEA)且亦使組成比率減少而成之組成。MEA的減少份量係使PG增加。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(實施例10)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)44.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水25.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為實施例10的試樣光阻剝離液。
實施例10係使實施例1的水的組成比率增加而成之組成。水的增加份量係使EDG減少。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是25.18質量%。
(實施例11)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)59.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水10.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為實施例11的試樣光阻剝離液。
實施例11係使實施例1的水的組成比率減少而成之組成。水的減少份量係使EDG增加。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是10.18質量%。
(比較例1)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一丁醚(以後亦稱為「BDG」。CAS號碼112-34-5)及丙二醇混合而成。
二乙二醇一丁醚(BDG)49.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例1的試樣光阻剝離液。
比較例1係將實施例1的極性溶劑的二乙二醇一***(EDG)變更成為二乙二醇一丁醚(BDG)之組成。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(比較例2)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水及二乙二醇一***混合而成。
二乙二醇一***(EDG)59.5質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例2的試樣光阻剝離液。
比較例2係將實施例1的極性溶劑的丙二醇(PG)除去而成之組成。PG的份量係使EDG增加，又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(比較例3)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水及二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)39.5質量%
丙二醇(PG)20.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例3的試樣光阻剝離液。
比較例3係使實施例1的極性溶劑的二乙二醇一***(EDG)之組成比率減少而成之組成。EDG的減少份量係使PG增加。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(比較例4)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水及N-甲基甲醯胺(以後亦稱為「NMF」。CAS號碼123-39-7)及丙二醇混合而成。
N-甲基甲醯胺(NMF)49.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例4的試樣光阻剝離液。
比較例4係將實施例1的極性溶劑的二乙二醇一***(EDG)變更成為N-甲基甲醯胺(NMF)而成之組成。又，肼 一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(比較例5)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、N,N-二甲基甲醯胺(以後亦稱為「DMF」。CAS號碼68-12-2)及丙二醇混合而成。
N,N-二甲基甲醯胺(DMF)49.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例5的試樣光阻剝離液。
比較例5係將實施例1的極性溶劑的二乙二醇一***(EDG)變更成為N,N-二甲基甲醯胺(DMF)而成之組成。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(比較例6)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、碳酸伸乙酯(：碳酸伸乙酯、以後亦稱為「EC」。CAS號碼96-49-1)及丙二醇混合而成。
碳酸伸乙酯(EC)49.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例6的試樣光阻剝離液。
比較例6係將實施例1的極性溶劑的二乙二醇一***(EDG)變更成為碳酸伸乙酯(EC)而成之組成。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(比較例7)
使用環狀胺的吡咯啶(以後亦稱為「PRL」。CAS號碼123-75-1)作為胺類。
吡咯啶(PRL)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例7的試樣光阻剝離液。
比較例7係將實施例1的二級胺的N-甲基乙醇胺(MMA)變更成為環狀胺的吡咯啶(PRL)而成之組成。又，肼一 水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(比較例8)
使用環狀胺的羥乙基哌嗪(：1-(2-羥乙基)哌嗪、以後亦稱為「OH-PIZ」。CAS號碼103-76-4)作為胺類。
羥乙基哌嗪(OH-PIZ)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例8的試樣光阻剝離液。
比較例8係將實施例1的二級胺的N-甲基乙醇胺(MMA)變更成為環狀胺的羥乙基哌嗪(OH-PIZ)而成之組成。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(比較例9)
使用三級胺的N-甲基二乙醇胺(以後亦稱為「MDEA」。CAS號碼105-59-9)作為胺類。
N-甲基二乙醇胺(MDEA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例9的試樣光阻剝離液。
比較例9係將實施例1的二級胺的N-甲基乙醇胺(MMA)變更成為三級胺的N-甲基二乙醇胺(MDEA)而成之組成。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(比較例10)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.9質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.1質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例10的試樣光阻剝離液。
比較例10係使實施例1的肼一水合物(HN‧H2O)的組成比率減少而成之組成。又，肼一水合物0.1質量%係相 當於肼0.064質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.036質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.036質量%。
(比較例11)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)50.0質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
將以上混合且攪拌而作為比較例11的試樣光阻剝離液。比較例11係從實施例1的組成除去肼一水合物(HN‧H2O)而成之組成。
(比較例12)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用糖精(：鄰磺基苯并醯亞胺、CAS號碼81-07-2)作為添加物。
糖精0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例12的試樣光阻剝離液。比較例12係將實施例1的添加劑(還原劑：肼一水合物(HN‧H2O))變更成為糖精而成之組成。
(比較例13)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用山梨糖醇(以後稱為「Stol」。CAS號碼50-70-4)作為添加物。
山梨糖醇(Stol)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例13的試樣光阻剝離液。比較例13係將實施例1的添加劑(還原劑：肼一水合物(HN‧H2O))變更成為山梨糖醇(Stol)而成之組成。
(比較例14)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水20.0質量%
使用雙甘油(：雙甘油、CAS號碼627-82-7)作為添加物。
雙甘油0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例14的試樣光阻剝離液。比較例14係將實施例1的添加劑(還原劑：肼一水合物(HN‧H2O))變更成為雙甘油而成之組成。
(比較例15)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)3.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.5質量%
丙二醇(PG)27.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例15的試樣光阻剝離液。
比較例15係使實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)的組成比率減少而成之組成。MMA的減少份量係使2P增加。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(比較例16)
使用一級胺的一乙醇胺作為胺類。
一乙醇胺(MEA)3.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)49.5質量%
丙二醇(PG)27.0質量%
水20.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例16的試樣光阻剝離液。
比較例16係將實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)變更成為一級胺的一乙醇胺(MEA)且亦使組成比率減少而成之組成。MEA的減少份量係使PG增加。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是20.18質量%。
(比較例17)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)64.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水5.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例17的試樣光阻剝離液。
比較例17係使實施例1的水的組成比率減少而成之組成。水的減少份量係使EDG增加。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18 質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是5.18質量%。
(比較例18)
使用二級胺的N-甲基乙醇胺作為胺類。
N-甲基乙醇胺(MMA)20.0質量%
極性溶劑係將水、二乙二醇一***及丙二醇混合而成。
二乙二醇一***(EDG)41.5質量%
丙二醇(PG)10.0質量%
水28.0質量%
使用還原劑的肼作為添加物。
肼一水合物(HN‧H2O)0.5質量%
將以上混合且攪拌而作為比較例18的試樣光阻剝離液。
比較例18係使實施例1的水的組成比率增加而成之組成。水的增加份量係使EDG減少。又，肼一水合物0.5質量%係相當於肼0.32質量%。肼一水合物的剩餘部分之0.18質量%份量為水。因而，上述水的組成比亦包含以肼一水合物的方式投入的份量時，可說是28.18質量%。
將實施例1及比較例1~6的組成以及評價結果顯示在表1，又，將實施例1~3及比較例7~9的組成以及評價結果顯示在表2。又，將實施例1、4~5及比較例10~14的組成以及評價結果顯示在表3。又，將實施例1、6~9及比較例15~16的組成以及評價結果顯示在表4。又，將實施例1、10~11及比較例17~18的組成以及評價結果顯示在表5。
將實施例1、比較例7~4的組成及結果顯示在表1。參照表1的實施例1。藉由使用二級胺的N-甲基乙醇胺(MMA)作為胺且使用二乙二醇一***(EDG)、丙二醇(PG)及水的混合液作為作為極性溶劑，能夠以3分鐘將在170℃ 30分鐘的條件下烘烤(硬烤)後的光阻膜剝離。又，「Cu/Mo」及「Al」的膜之損傷均為圓圈評價。
又，將剝離液放置在大氣開放狀態時，槽液壽命係即便經過12小時，剝離力亦無變化。而且，即便在密閉保存4天亦無法觀察到肼的減少。
比較例1~6係改變水溶性有機溶劑的種類而成者。比較例1係將實施例1的極性溶劑的二乙二醇一***(EDG)替換成為二乙二醇一丁醚(BDG)而成之組成。比較例1係連剛調製後(新液)在170℃烘烤30分鐘後的光阻膜都無法剝離。比較例1係使用與實施例1相同的N-甲基乙醇胺(MMA)作為胺類。亦即，得知不是只要使用二級胺就能夠將硬烤後的光阻膜剝離，與極性溶劑組合為必要的。
比較例2係將實施例1的極性溶劑的丙二醇(PG)除去後的組成。比較例2係剛調製後(新液)的光阻剝離力、在大氣中放置後對Cu/Mo及Al的損傷均是評價為「圓圈」。但是密閉放置4天時能夠觀察到肼的減少。如以上，丙二醇(PG)的存在係具有提高肼的安定性之效果。
比較例3係將實施例1的極性溶劑的二乙二醇一***之量從49.5質量%減低成為39.5質量%而成之組成。比較例3係從剛調製後(新液)即無法將被硬烤後的光阻膜剝離。因 而，針對槽液壽命係未進行試驗。二乙二醇一***(EDG)為39.5質量%以下時，對被硬烤後的光阻膜之光阻剝離力低落。
比較例4係將實施例1的極性溶劑的二乙二醇一***(EDG)替換成為N-甲基甲醯胺(NMF)而成之組成。比較例4係剛調製後(新液)的光阻剝離力、金屬膜損傷均未產生問題之圓圈評價。但是，在大氣中放置6小時而光阻剝離力低落且為打叉評價。又，藉由在大氣中放置6小時而Cu/Mo的表面及剖面的損傷評價為打叉評價。又，Al損傷係無法觀察到。又，密閉放置4天時，能夠觀察到肼的減少。
比較例5係將實施例1的極性溶劑的二乙二醇一***(EDG)替換成為N,N-二甲基甲醯胺(DMF)之組成。比較例5係剛調製後(新液)的光阻剝離力、金屬膜損傷均未產生問題且為圓圈評價。但是，在大氣中放置6小時而光阻剝離力低落且為打叉評價。又，藉由在大氣中放6小時，Cu/Mo的表面及剖面的損傷評價為打叉評價。而且對Al的損傷係無法觀察到。又，密閉放置4天時，能夠觀察到肼的減少。
比較例6係將實施例1的極性溶劑的二乙二醇一***(EDG)替換成為碳酸伸乙酯(EC)而成之組成。比較例6亦從剛調製後(新液)即無法將被硬烤的光阻膜剝離。因而，針對槽液壽命係未進行試驗。
從該等情形，得知藉由二乙二醇一***(EDG)、丙二醇(PG)及水的組合作為極性溶劑，能夠將被硬烤後的光阻膜剝離且無金屬損傷，而且在槽液壽命和4天的密閉保管之肼安定性均得到圓圈評價。
將實施例1~3及比較例7~9的組成以及評價結果顯示在表2。因為實施例1係再揭示，所以附加括弧而顯示。實施例2係將實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)變更成為N-乙基乙醇胺(EEA)而成之組成。實施例2係光阻剝離力及金屬損傷及槽液壽命亦與實施例1同樣地，全部的評價項目為圓圈評價。
實施例3係將實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)變更成為一級胺的一乙醇胺(MEA)而成之組成。實施例3係光阻剝離力及金屬損傷及槽液壽命亦與實施例1同樣地，全部評價項目為圓圈評價。
如以上，能夠使用N-乙基乙醇胺(EEA)作為二級胺。又，得知不僅是二級胺，而且亦能夠使用一級胺的一乙醇胺(MEA)。
比較例7~9，係使用其它的胺類之組成。比較例7係使用環狀胺的吡咯啶(PRL)時。又，比較例8係使用環狀胺的羥乙基哌嗪(OH-PIZ)，比較例9係使用三級胺的N-甲基二乙醇胺(MDEA)之情況。
比較例7、8、9係無法將硬烤後的光阻膜剝離。又，該等比較例係能夠觀測到對Cu/Mo在表面產生損傷。但是，無法觀測到對Al之損傷。又，因為無法將硬烤後的光阻膜剝離，所以針對槽液壽命係未進行試驗。從以上的情形，得知即便二級胺，具有環狀結構者及三級胺時，係無法將硬烤後的光阻膜剝離。
將實施例1、4~5及比較例10~14的組成以及評價結果顯示在表3。因為實施例1係再揭示，所以附加括弧而顯示。實施例4係將實施例1的肼之組成比率從0.5質量%減少至0.2質量%而成之組成。肼的減少份量係使EDG增加。實施例4係光阻剝離力及金屬損傷及槽液壽命亦實施例1同樣地，全部的評價項目為圓圈評價。
實施例5係使實施例1的肼之組成比率從0.5質量%增加至2.0質量%而成之組成。肼的增加份量係使EDG減少。實施例5係光阻剝離力及金屬損傷及槽液壽命亦實施例1同樣地，全部的評價項目為圓圈評價。
比較例10係使實施例1的肼一水合物(HN‧H2O)之組成比率，從0.5質量%減少至0.1質量%而成之組成。比較例10係不產生剛調製後(新液)的光阻剝離力在大氣中放置6小時後對金屬膜的損傷之問題。但是，在大氣中放置12小時而光阻剝離力低落且為打叉評價。又，由於在大氣中放置12小時而Cu/Mo表面及剖面損傷之評價為打叉評價。又，Al損傷係無法觀察到。又，即便4天的密閉保存亦無法觀察到肼的減少。
比較例11係不添加肼(肼一水合物(HN‧H2O))之組成。比較例11係從剛調製後(新液)即無法將硬烤後的光阻膜剝離。而且產生「Cu/Mo」的膜損傷。又，Al損傷係無法觀測到。針對槽液壽命係未實施。
比較例12係添加糖精作為添加劑來替換實施例1的肼而成者。比較例13係添加山梨糖醇(Stol)作為添加劑來替換實施例1的肼而成者。又，比較例14係添加雙甘油作為添加 劑來替換實施例1的肼而成者。比較例12、比較例13、比較例14均是剛調製後(新液)的時點就無法將光阻膜剝離。而且產生Cu/Mo損傷。又，無法觀測到Al損傷。針對槽液壽命係未實施。
從以上的情形，肼(肼一水合物(HN‧H2O))係本發明之剝離液所必要的材料，其組成比亦是未大於0.064質量%(肼一水合物為0.1質量%)時，可說是在槽液壽命試驗之剝離性能和金屬損傷無法得到圓圈評價。另一方面，使肼至少含有1.28質量%(肼一水合物為2.0質量%)，對特性亦無影響。
將實施例1、6~9及比較例的15、16的組成以及評價結果顯示在表4。因為實施例1係再揭示，所以附加括弧而顯示。實施例6係使實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)之組成比率從20.0質量%減少至5.0質量%而成之組成。MMA的減少份量係使EDG及PG增加。實施例6係剛調製後(新液)能夠將被硬烤後的光阻膜以8分鐘使其剝離。又，針對金屬膜損傷及槽液壽命亦無問題且為圓圈評價。又，4天的密閉放置亦無法觀察到肼的減少。
實施例7係使實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)之組成比率從20.0質量%減少至10.0質量%而成之組成。MMA的減少份量係使PG增加。實施例7係剛調製後(新液)能夠將被硬烤後的光阻膜以5分鐘使其剝離。又，針對金屬膜損傷及槽液壽命亦無問題且為圓圈評價。又，4天的密閉放置亦無法觀察到肼的減少。
實施例8係將實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)替換成為一級胺的一乙醇胺(MEA)且組成比率亦使其從20.0質量%減少至5.0質量%而成之組成。MEA的減少份量係使PG增加。實施例8係剛調製後(新液)能夠將被硬烤後的光阻膜以5分鐘使其剝離。又，針對金屬膜損傷及槽液壽命亦無問題且為圓圈評價。又，4天的密閉放置亦無法觀察到肼的減少。
實施例9係將實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)替換成為一級胺的一乙醇胺(MEA)且組成比率使其從20.0質量%減少至10.0質量%而成之組成。MEA的減少份量係使PG增加。實施例9係剛調製後(新液)能夠將被硬烤後的光阻膜以2 分鐘使其剝離。又，針對金屬膜損傷及槽液壽命亦無問題且為圓圈評價。又，4天的密閉放置亦無法觀察到肼的減少。
比較例15係將實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)之組成比率使其從20.0質量%減少至3.0質量%而成之組成。MMA的減少份量係使PG增加。比較例15係剛調製後(新液)無法將被硬烤後的光阻膜剝離。因而，針對槽液壽命係未實施。就此情形而言，N-甲基乙醇胺(MMA)的組成比為3.0質量%以下時，關於剝離力係無法得到圓圈評價。
比較例16係將實施例1的N-甲基乙醇胺(MMA)替換成為一級胺的一乙醇胺(MEA)且使組成比率從20.0質量%減少至3.0質量%而成之組成。MEA的減少份量係使PG增加。比較例16係剛調製後(新液)無法將被硬烤後的光阻膜剝離。因而，針對槽液壽命係未實施。就此情形而言，即便一級胺的一乙醇胺(MEA)，組成比率為3.0質量%以下時，可說是無法將被硬烤後的光阻剝離液剝離。
將實施例1、10~11及比較例17~18的組成以及評價結果顯示在表5。因為實施例1係再揭示，所以附加括弧而顯示。實施例10係使實施例1的水之組成比率從20.0質量%增加至25.0質量%而成之組成。水的增加分係使EDG減少。實施例10係剛調製後(新液)能夠將被硬烤後的光阻膜以5分鐘使其剝離。又，針對金屬膜損傷及槽液壽命亦無問題且為圓圈評價。又，4天的密閉放置亦無法觀察到肼的減少。
實施例11係使實施例1的水之組成比率從20.0質量%減少至10.0質量%而成之組成。水的減少份量係使EDG增加。實施例11係剛調製後(新液)能夠將被硬烤後的光阻膜以3分鐘使其剝離。又，針對金屬膜損傷及槽液壽命亦無問題且為圓圈評價。又，4天的密閉放置亦無法觀察到肼的減少。
比較例17係使實施例1的水之組成比率從20.0質量%減少至5.0質量%而成之組成。水的減少份量係使EDG增加。比較例17係剛調製後(新液)無法將被硬烤的光阻膜剝離。因而，針對槽液壽命係未實施。就此情形而言，水的組成比率為5.18質量%以下時，針對剝離力係無法得到圓圈評價。
比較例18係使實施例1的水之組成比率從20.0質量%增加至28.0質量%而成之組成。加上肼一水合物的水時，水係成為28.18質量%。水的增加份量係使EDG減少。比較例18係剛調製後(新液)能夠將被硬烤後的光阻膜以5分鐘使其剝離。而且對Cu/Mo之損傷亦為圓圈評價。但是對Al產生損傷。就此情形而言，水的組成比率為28.18質量%以上時，對Al膜產生損傷而無法得到圓圈評價。
產業上之可利用性
本發明之光阻剝離液係特別是能夠將被硬烤後的光阻膜確實地剝離，而能夠適合利用在使用光阻之態樣。
Claims (2)
- 一種光阻剝離液，係含有：作為胺類之一級或是環狀以外的二級胺的至少一方；作為極性溶劑含有：二乙二醇一***(EDG)、丙二醇(PG)、及水；以及作為添加劑之肼；前述胺類為大於3.0質量%且20.0質量%以下，前述二乙二醇一***為大於39.5質量%且59.5質量%以下，前述水為大於5.18質量%且小於28.18質量%，前述肼為大於0.064質量%且1.28質量%以下。
- 如申請專利範圍第1項所述之光阻剝離液，其中前述胺類係含有一級胺時，前述一級胺為一乙醇胺(MEA)，前述胺類係含有環狀以外的二級胺時，前述環狀以外的二級胺為N-甲基乙醇胺(MMA)及N-乙基乙醇胺(EEA)的至少一方。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017-542203 | 2016-12-28 | ||
| ??PCT/JP2016/089014 | 2016-12-28 | ||
| PCT/JP2016/089014 WO2018122992A1 (ja) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | レジスト剥離液 |
| JP2017542203A JP6213803B1 (ja) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | レジスト剥離液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201827952A TW201827952A (zh) | 2018-08-01 |
| TWI640842B true TWI640842B (zh) | 2018-11-11 |
Family
ID=60107328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106145038A TWI640842B (zh) | 2016-12-28 | 2017-12-21 | Photoresist stripper |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6213803B1 (zh) |
| CN (1) | CN108235741B (zh) |
| TW (1) | TWI640842B (zh) |
| WO (1) | WO2018122992A1 (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030083215A1 (en) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Hynix Semiconductor Inc. | Cleaning solution for removing photoresist |
| TW201224140A (en) * | 2010-12-02 | 2012-06-16 | Ltc Co Ltd | Photoresist stripping composition for liquid crystal display manufacturing processes comprising primary alkanolamine |
| US20140249065A1 (en) * | 2011-10-05 | 2014-09-04 | Avantor Performance Materials, Inc. | Microelectronic substrate cleaning compositions having copper/azole polymer inhibition |
| JP2016009543A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 株式会社豊田自動織機 | リチウムイオン二次電池用正極及びリチウムイオン二次電池 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104946429A (zh) * | 2014-03-26 | 2015-09-30 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液 |
| JP2016095413A (ja) * | 2014-11-14 | 2016-05-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
| KR102009545B1 (ko) * | 2015-03-05 | 2019-10-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 |
-
2016
- 2016-12-28 JP JP2017542203A patent/JP6213803B1/ja active Active
- 2016-12-28 WO PCT/JP2016/089014 patent/WO2018122992A1/ja active Application Filing
- 2016-12-28 CN CN201680042942.3A patent/CN108235741B/zh active Active
-
2017
- 2017-12-21 TW TW106145038A patent/TWI640842B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030083215A1 (en) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Hynix Semiconductor Inc. | Cleaning solution for removing photoresist |
| TW201224140A (en) * | 2010-12-02 | 2012-06-16 | Ltc Co Ltd | Photoresist stripping composition for liquid crystal display manufacturing processes comprising primary alkanolamine |
| US20140249065A1 (en) * | 2011-10-05 | 2014-09-04 | Avantor Performance Materials, Inc. | Microelectronic substrate cleaning compositions having copper/azole polymer inhibition |
| JP2016009543A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 株式会社豊田自動織機 | リチウムイオン二次電池用正極及びリチウムイオン二次電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108235741B (zh) | 2019-05-28 |
| JPWO2018122992A1 (ja) | 2018-12-27 |
| WO2018122992A1 (ja) | 2018-07-05 |
| JP6213803B1 (ja) | 2017-10-18 |
| TW201827952A (zh) | 2018-08-01 |
| CN108235741A (zh) | 2018-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6277511B2 (ja) | レジスト剥離液 | |
| TWI494713B (zh) | Photoresist stripping solution | |
| JP5885046B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
| JP2016095413A (ja) | レジスト剥離液 | |
| JP6176584B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
| TWI629353B (zh) | Receptor stripping solution | |
| US11448966B2 (en) | Photoresist-removing liquid and photoresist-removing method | |
| TWI640842B (zh) | Photoresist stripper | |
| JP5885041B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
| JP5885043B1 (ja) | レジスト剥離液とその製造方法 | |
| JP5885045B1 (ja) | レジスト剥離液とその製造方法 | |
| TWI629576B (zh) | Photoresist stripper |