TWI544836B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI544836B
TWI544836B TW100140842A TW100140842A TWI544836B TW I544836 B TWI544836 B TW I544836B TW 100140842 A TW100140842 A TW 100140842A TW 100140842 A TW100140842 A TW 100140842A TW I544836 B TWI544836 B TW I544836B
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梶谷優
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Description

顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種顯示裝置及其製造方法。
顯示裝置依其構造及原理不同有各種裝置。其中一種目前正實用化於像素之光源利用有機電致發光元件(以下稱為「有機EL元件」。)之顯示裝置。
前述顯示裝置中，對應像素之大量有機EL元件係排列於規定之基台上而進行配置。此外，在基台上設置有用以劃分規定之分區的分隔壁，大量有機EL元件係分別排列於藉由分隔壁而劃分之區域而進行配置。
各有機EL元件係由基台側開始以第1電極、有機層和第2電極之順序積層而形成。
前述有機層例如可藉由塗佈法而形成。參考第8圖並說明有機層之形成方法。正如第8A圖所示，首先準備預先形成第1電極16和分隔壁13之基台12。接著在該基台12中被分隔壁13包圍之區域15供給包含形成有機層18之材料之油墨17。供給之油墨17係收納在分隔壁13所包圍之區域(凹部)15(參考第8B圖)。接著藉由氣化油墨17之溶媒而形成有機層18(參考第8C圖)。
此外，在分隔壁13對於油墨17顯示親液性時，供給之油墨17係沿著分隔壁13之表面而流出至相鄰凹部為止。為了防止此等油墨之流出，通常在基台12之上設置對於油墨顯示一定程度疏液性之分隔壁13。
但是，分隔壁13顯示疏液性時，供給至凹部15之油墨係彈開於分隔壁13而氣化並且薄膜化，因此形成膜厚不均勻之發光層。
例如有機層18接於分隔壁13之部位(也就是有機層18之周邊部)係比中央部膜厚薄。此時，有機層周邊部之電阻比中央部低。結果在驅動有機EL元件時，在周邊部電流集中而流動，與周邊部相比中央部較暗。此外，相反地，發光層18之周邊部比起要求之膜厚還薄，因此發光層18之周邊部也如所預期不會發光。
為了解決前述問題，先前技術中，在分隔壁13和第1電極16之間設置間隔部19，並在分隔壁端部和第1電極之間設置微細之間隙(參考第9圖)。在設置間隙之基台上供給油墨時，藉由毛細管現象使油墨吸入間隙並且薄膜化。如此，油墨不會因分隔壁端部彈開並且薄膜化，因此可形成預期膜厚之有機層。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2009-506490號公報
但是，在前述先前技術中，為了形成間隙而需要間隔部，故有顯示裝置構造複雜化之問題。
因此，本發明之目的係提供一種可在分隔壁所包圍之區域形成均勻膜厚之有機層，且具有簡易構造之顯示裝置。
本發明係提供以下之顯示裝置及其製造方法。
[1]：一種顯示裝置，其係包含基台、在該基台上劃分預先設定之分區之的分隔壁、以及分別設置於藉由該分隔壁而劃分之分區的複數之有機電致發光元件的顯示裝置，其中，各有機電致發光元件係包含至少一層之第1電極、至少一層之有機層和至少一層之第2電極，並由前述之基台側起以該順序層積；前述分隔壁其端部接合在前述之第1電極上；前述第1電極係前述分隔壁之端部所覆蓋之部位以外之殘餘部位及該殘餘部位之周邊部具有凹陷，由前述基台厚度方向之一邊來看，此凹陷係於較前述分隔壁端部與前述第1電極之界面更接近於基台側。。
[2]：如[1]所述之顯示裝置，其中，前述凹陷深度係20nm至300nm。
[3]：一種顯示裝置之製造方法，該顯示裝置係包含基台、在該基台上劃分預先設定之分區的分隔壁、以及分別設置於藉由該分隔壁而劃分之分區的複數之有機電致發光元件；各有機電致發光元件係包含至少一層之第1電極、至少一層之有機層和至少一層之第2電極；並由前述之基台側起以該順序層積而成；該製造方法包含：準備具有至少一層之第1電極設在上面之基台之步驟；將分隔壁形成圖案(pattern)並使該分隔壁之端部接合在前述第1電極上之步驟；在前述第1電極中，於前述分隔壁之端部所覆蓋之部位以外之殘餘部位及該殘餘部位之周邊部之表面形成凹陷之步驟；在前述第1電極上形成至少一層之有機層之步驟；以及，在前述有機層上，形成至少一層之第2電極之步驟。
[4]：如[3]所述之顯示裝置，在形成前述凹陷之步驟中，藉由濕式蝕刻(wet etching)而形成前述之凹陷。
根據本發明可提供一種可在分隔壁包圍之區域形成均勻膜厚之有機層，且具有簡易構造之顯示裝置。
 [發明之實施形態]
以下參考圖式並更詳細地說明本發明之實施形態。此外，為了容易理解，故有圖式各構件之比例不同於實際之情形。在顯示裝置中也存在電極之導線等之構件，但在本發明說明中並不直接地需要故省略記載。為易於說明層構造等，以下所示例中係以基台配置於下面之圖而一同說明，但本發明之顯示裝置係不一定配置於該上下左右之方向，且不限定於製造或使用等所成之形態，而可適宜地調整。
本發明之顯示裝置係包含基台、在該基台上劃分預先設定之分區的分隔壁、以及分別設置於藉由該分隔壁而劃分之分區的複數個有機電致發光元件的顯示裝置，其特徵為：各有機EL元件係包含至少一層之第1電極、至少一層之有機層和至少一層之第2電極，並由前述基台側起以該順序層積；前述分隔壁其端部接合在前述之第1電極上；前述之第1電極係前述分隔壁端部所覆蓋之部位以外之殘餘部位及該殘餘部位之周邊部具有凹陷，由前述基台厚度方向之一邊來看此凹陷係於較前述分隔壁端部與前述第1電極之界面更接近於基台側。
顯示裝置主要有主動矩陣(active matrix)驅動型裝置和被動矩陣(passive matrix)驅動型之裝置。本發明係可適用於兩種型式之顯示裝置，但在本實施形態說明其一例之適用於主動矩陣驅動型顯示裝置之顯示裝置。
＜顯示裝置之構造＞
首先說明顯示裝置之構造。第1圖係擴大而示意地表示本實施形態之顯示裝置1之一部份的剖面圖。第2圖係擴大而示意地表示本實施形態之顯示裝置1之一部份的俯視圖。顯示裝置1係主要包含基台2、在該基台2上劃分預先設定之分區之分隔壁3、以及於藉由分隔壁3而劃分之分區所分別設置之複數有機EL元件4而構成。
分隔壁3係在基台2上形成為例如格子狀或條紋狀。此外，在第2圖中，表示一實施形態之設置格子狀之分隔壁3的顯示裝置1。在同圖中，影線(hatching)區域係相當於分隔壁3。
在基台2上設定藉由分隔壁3和基台2所規定之複數之凹部5。該凹部5係相當於藉由分隔壁3而劃分之分區。
本實施形態之分隔壁3係設為格子狀。因此由基台2之厚度方向Z之一邊(以下稱為「平面俯視」。)來看，複數之凹部5係配置為矩陣狀。也就是說凹部5係在行方向X空出預定間隔，同時也在列方向Y空出預定間隔並排列及設置。各凹部5之平面俯視之形狀並無特別限定。例如凹部5以平面俯視可形成為略矩形狀、略橢圓狀或橢圓形狀等之形狀。本實施形態中以平面俯視而設置略矩形狀之凹部5。此外，本說明書中，前述之行方向X及列方向Y係表示分別垂直於基台厚度方向Z、並且相互地垂直之方向。
本實施形態之分隔壁3係所謂順錐形狀。也就是說本實施形態之分隔壁3係隨著離開於基台2而形成為尖細狀。例如將延在於列方向Y之分隔壁以垂直於其延在方向(列方向Y)之平面切斷時之剖面形狀，係除了分隔壁3之基台附近之一部份區域(由基台之表面起該區域之高度係相當於第1電極6之周邊部之厚度。)以外，隨著離開於基台而形成為尖細狀。第1圖中，表示有略等邊梯形形狀(也就是除了前述基台附近之一部份區域以外之等邊梯形形狀)之分隔壁，若比較上底和梯形底側下底之，則下底係比起上底更寬。此外，實際形成之分隔壁剖面不一定為梯形狀，梯形狀之直線部份及角可帶有圓形，並形成為所謂魚板狀(圓頂(dome)狀)。
分隔壁3在本實施形態中主要設置在設置有機EL元件之區域以外之區域。此外，分隔壁3係主要設置在後述設置第1電極6之區域以外之區域，但其端部3a也形成在第1電極6之周邊部上而重疊於第1電極6。此外，在分隔壁3之端部3a和第1電極6之間形成預定之間隙31。此外，分隔壁3之端部3a係不需要覆蓋第1電極6之全周邊部而形成。例如在形成後述條紋狀之分隔壁3時，可形成分隔壁而使分隔壁端部覆蓋第1電極6的4邊中相對向之2邊。本實施形態中，形成分隔壁3之端部3a而覆蓋第1電極6之全周邊部。此外，藉由分隔壁3之端部3a而覆蓋之第1電極6之周邊部的寬通常為20nm以上，較佳為20nm至1μm(在此，所謂藉由分隔壁端部而覆蓋之第1電極之周邊部的寬，係指由基台厚度方向之一邊來看時周邊部的寬。例如在藉由分隔壁端部而覆蓋第1電極之全周邊部之第2圖之形態中，係指稱沿著行方向X之寬及沿著列方向Y之寬，在藉由分隔壁端部而覆蓋第1電極之4邊中相對向之2邊之第6圖之形態中，係指稱沿著行方向X之幅寬。)。
有機EL元件4係設置在藉由分隔壁3而劃分之分區(也就是凹部5)。如本實施形態般設置格子狀之分隔壁3時，各有機EL元件4係分別設置在各凹部5。因此有機EL元件4係相同於各凹部5而呈矩陣狀地配置，在基台2上，在行方向X空出預定之間隔，同時也在列方向Y空出預定之間隔而排列並設置。
在本實施形態設置有3種類之有機EL元件4。即設置(1)射出紅色光之紅色有機EL元件4R、(2)射出綠色光之綠色有機EL元件4G、以及(3)射出藍色光之藍色有機EL元件4B。這些3種類之有機EL元件4R、4G、4B係例如在列方向Y以(I)、(II)、(III)之行之順序重複地配置，藉此分別排列並配置(參考第2圖)。
(I)在行方向X分別空出預定之間隔而配置紅色有機EL元件4R之行。
(II)在行方向X分別空出預定之間隔而配置綠色有機EL元件4G之行。
(III)在行方向X分別空出預定之間隔而配置藍色有機EL元件4B之行。
此外，作為其他之實施形態，除了前述3種類之有機EL元件以外例如也可設置射出白色光之有機EL元件。此外，可藉由設置僅1種類之有機EL元件而實現單色顯示裝置。
有機EL元件4係包含至少一層之第1電極、至少一層之有機層、至少一層之第2電極，而由基台2側起以該順序進行層積。在本說明書中，將設置於第1電極6和第2電極10之間之層中，包含有機物之層稱為有機層。有機EL元件4具備至少一層之發光層作為有機層。此外，有機EL元件除了1層之發光層以外，亦可視其必要復具備不同於發光層之有機層或無機層。例如可在第1電極6和第2電極10之間設置電洞注入層、電洞輸送層、電子阻擋層、電子輸送層和電子注入層等。此外，可在第1電極6和第2電極10之間設置2層以上之發光層。
有機EL元件4係具備第1電極6和第2電極10作為由陽極和陰極組成之一對的電極。第1電極6和第2電極10中一邊之電極設置作為陽極，另一邊之電極設置作為陰極。
作為本實施形態之一例而說明作為陽極機能之第1電極6、作為電洞注入層機能之第1有機層7、作為發光層機能之第2有機層9、以及作為陰極機能之第2電極10，以該順序而層積於基台2上之構造之有機EL元件4。
本實施形態中設置3種類之有機EL元件，但該等之第2有機層(在本實施形態之發光層)9之構造係分別不同。紅色有機EL元件4R具備放射紅色光之紅色發光層9。綠色有機EL元件4G具備放射綠色光之綠色發光層9。藍色有機EL元件4B具備放射藍色光之藍色發光層9。
本實施形態中第1電極6係設置在每一個有機EL元件4。也就是說，有機EL元件4和相同數目之第1電極6係設置在基台2上。第1電極6係對應於有機EL元件4之配置而進行設置，且有機EL元件4相同地配置為矩陣狀。此外，本實施形態之分隔壁3係主要呈格子狀地形成在第1電極6以外之區域，此外形成其端部3a而覆蓋第1電極6之周邊部(參考第1圖)。
由基台2厚度方向之一邊來看，第1電極6在前述分隔壁之端部3a所覆蓋之部位以外之殘餘部位6a、以及該殘餘部位之周邊部(也就是殘餘部位附近之外側區域)6b具有凹陷，此凹陷係於較前述分隔壁端部與前述第1電極之界面更接近於基台2側。藉由形成如此凹陷，而在分隔壁3之端部3a和第1電極6之間形成預定之間隙31。此外，此種凹陷在第1電極6中，可涵蓋前述分隔壁之端部3a所覆蓋之部位以外之殘餘部位6a與該殘餘部位之周邊部6b而設置，並在每一個第1電極6分別設置一個。
作為電洞注入層機能之第1有機層7係設置於凹部5中的第1電極6上。該第1有機層7視其必要而在每種類之有機EL元件設置不同材料或膜厚。此外由第1有機層7之形成步驟之簡易度的觀點來看，則可以相同之材料、相同之膜厚形成全部之第1有機層7。該第1有機層7係以其端部填充於分隔壁3和第1電極6之間的間隙31之方式而形成。
作為發光層機能之第2有機層9係設置於凹部5中的第1有機層7上。如前述發光層係配合有機EL元件之種類而設置。也就是說，紅色發光層9係設置在設置紅色有機EL元件4R之凹部5。綠色發光層9係設置在設置綠色有機EL元件4G之凹部5。藍色發光層9係設置在設置藍色有機EL元件4B之凹部5。
此外，第2有機層9以其端部填充於分隔壁3和第1電極6之間的間隙31之方式而形成。
第2電極10係形成於設置有機EL元件4之顯示區域整面。也就是說第2電極10係不僅形成在第2有機層9上，也形成在分隔壁3上，並涵蓋複數有機EL元件而連續地形成，而設置作為全部有機EL元件4共通之電極。
本發明之顯示裝置之製造方法其特徵為包含：準備設置至少一層之第1電極於其上之基台之步驟；將分隔壁形成圖案並使該分隔壁之端部接合在前述第1電極上之步驟；在前述之第1電極中，於前述分隔壁端部覆蓋之部位以外之殘餘部位及該殘餘部位之周邊部之表面形成凹陷之步驟；在前述之第1電極上，形成至少一層之有機層之步驟；以及，在前述之有機層上，形成至少一層之第2電極之步驟。
以下參考第3圖至第5圖並說明顯示裝置之製造方法。
(準備基台之步驟)
在本步驟中準備設置至少一層之第1電極於其上之基台。以下說明準備設置一層之第1電極於其上之基台之實施形態。本步驟中在基台2上形成第1電極6(參考第3A圖)。此外，在本步驟中，第1電極6預先形成於其上之基台可由市場獲得，而可藉此準備預先形成第1電極6之基台2。
主動矩陣型之顯示裝置之情形，可將預先形成用以個別地驅動複數個有機EL元件之迴路之基板作為基台2使用。可使用例如預先形成TFT(Thin Film Transistor)及電容器等之基板而作為基台。
首先在基台2上呈矩陣狀地形成複數個第1電極6。第1電極6係例如在基台2上之一面形成導電性薄膜，並以光刻(photolithography)法圖案化該矩陣狀地而形成圖案。此外例如可將在預定之部位形成開口之遮罩配置於基台2上，並透過該遮罩而在基台2上預定部位選擇性地堆積導電性材料，藉此對第1電極6形成圖案。第1電極6之材料係於後述。
(形成分隔壁之步驟)
在本步驟中，對於前述之分隔壁形成圖案而使其端部接合於前述之第1電極上。本實施形態中首先將包含感光性樹脂之油墨塗佈於前述基台上而形成分隔壁形成用膜8。油墨之塗佈方法可列舉例如旋轉塗佈法或縫隙塗佈法等。
將包含感光性樹脂之油墨塗佈成膜於前述基台上之後通常係進行預烘烤。藉由例如80至110℃之溫度、60秒至180秒加熱基台2而進行預烘烤，並除去溶媒(參考第3B圖)。
接著將遮住預定圖案之光之光罩21配置於基台2上，並透過該光罩21而曝光分隔壁形成用膜8。感光性樹脂有正型和負型之樹脂，但在本步驟可使用任何一種樹脂。使用正型之感光性樹脂時，在分隔壁形成用膜8中主要照射光於應該形成分隔壁3之部位以外之殘餘部位。此外，使用負型之感光性樹脂時，在分隔壁形成用膜8中，主要照射光於應該形成分隔壁3之部位。在本步驟中就使用負型之感光性樹脂之情形，參考第3C圖而說明。正如第3C圖所示，在形成分隔壁形成用膜8之基板上配置光罩21，並透過該光罩21而照射光，藉此在分隔壁形成用膜8中之主要應該形成分隔壁3之部位照射光。此外，在第3C圖中，藉由箭號記號而示意地表示照射於分隔壁形成用膜8之光。
接著顯影曝光之分隔壁形成用膜8。藉此使分隔壁3形成圖案(參考第4A圖)。顯影後視其必要而進行後烘烤(post-bake)。例如藉由在200℃至230℃之溫度、15分鐘至60分鐘加熱基台而進行後烘烤並硬化分隔壁3。
形成分隔壁所使用之感光性樹脂有負型和正型。
負型之感光性樹脂係照射光之部位對於顯影液呈不溶化而殘留者。
包含感光性樹脂之油墨一般係調配黏合劑樹脂、交聯劑、光反應起始劑、溶媒以及其他之添加劑。
黏合劑樹脂係預先聚合者。其例子可列舉不具有自我聚合性之非聚合性黏合劑樹脂、導入具有聚合性之取代基之聚合性黏合劑樹脂。以聚苯乙烯為標準而藉由凝膠滲透色譜法(GPC)所求出黏合劑樹脂之重量平均分子量為5,000至400,000之範圍。
黏合劑樹脂可列舉例如酚樹脂、酚醛清漆樹脂(novolac resin)、三聚氰胺樹脂(melamine resin)、丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、聚酯樹脂等。黏合劑樹脂可使用均聚物(homopolymer)與組合2種以上單體之共聚物任何一種。相對於包含前述感光性樹脂之油墨之總固形份，黏合劑樹脂以質量分率通常為5%至90%。
交聯劑係可藉由光照射而以光聚合起始劑產生之活性自由基、酸等而進行聚合之化合物，可列舉例如具有聚合性碳-碳不飽和鍵之化合物。交聯劑係可為在分子內具有1個聚合性碳-碳不飽和鍵之單官能化合物，也可為具有2個以上聚合性碳-碳不飽和鍵之2官能或3官能以上之多官能化合物。在包含前述感光性樹脂之油墨中，在黏合劑樹脂和交聯劑之合計量為100質量份時，交聯劑通常為0.1質量份以上、70質量份以下。此外，在包含前述感光性樹脂之油墨中，在黏合劑樹脂和交聯劑之合計量為100質量份時，光聚合起始劑通常為1質量份以上、30質量份以下。
另一方面，正型感光性樹脂係光之照射部份相對於顯影液呈可溶化者。正型感光性樹脂係一般藉由將樹脂與以光反應進行親水化之化合物複合化而構成。
正型感光性樹脂係可使用將酚醛清漆樹脂、聚羥基苯乙烯、丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺(polyimide)等具有耐藥品性和密著性之樹脂與光分解性化合物組合者。
可調配於包含感光性樹脂之油墨之添加劑係列舉例如在分隔壁賦予疏液性之材料。可在本步驟使用之賦予疏液性之材料(疏液劑)可列舉例如含氟化合物、含聚矽氧(silicone)化合物等。較佳為對於有機溶劑也顯示良好疏液性之含氟化合物。
含氟化合物可列舉例如具有碳原子數1至8之直鏈狀或分支狀氟烷基及/或氟化聚醚基之化合物。含氟化合物較佳為具有交聯性基之聚合物，更佳為具有碳原子數4至6之氟烷基及/或氟化聚醚基、且具有交聯性基之聚合物。此外，含氟化合物較佳為對於顯影液具有可溶性機能。含氟化合物係只要為可在形成分隔壁後於分隔壁表面賦予疏液性者即可，並不限定於聚合物，可為低分子化合物。
交聯性基係在含氟化合物賦予交聯性機能者，可例舉乙烯性不飽和鍵結基及環氧基、氫氧基等。如果具有與使用在分隔壁形成之感光性樹脂交聯之機能，則交聯性基之種類係並非限定於前述者。
疏液劑可列舉例如Megaface RS-101、RS-102、RS-105、RS-401、RS-402、RS-501、RS-502、RS-718(以上為DIC公司製)、OPTOOL DAC、OPTOACE HP系列(以上為Daikin工業公司製)、全氟(甲基)丙烯酸酯、全氟二(甲基)丙烯酸酯等。
前述疏液劑可單獨使用1種，也可組合2種以上使用。相對於包含前述感光性樹脂之油墨之總固形份，疏液劑以質量分率通常為0.1質量份以上、3質量份以下。
使用於顯影之顯影液可列舉例如氯化鉀水溶液、氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液等。
分隔壁3之形狀及其配置係配合像素數及解析度等顯示裝置之規格或製造之容易度等而適宜地設定。例如分隔壁3之行方向X或列方向Y之寬係5μm至50μm程度，分隔壁3之高度係0.5μm至5μm程度，相鄰接於行方向X或列方向Y之分隔壁3間之間隔，即凹部5之行方向X或列方向Y之寬係10μm至200μm程度。此外，第1電極6之行方向X或列方向Y之寬分別為10μm至200μm程度。
(在第1電極形成凹陷之步驟)
在本步驟，在前述第1電極6中，於前述分隔壁3之端部3a所覆蓋之部位以外之殘餘部位與該殘餘部位之周邊部之表面形成凹陷(參考第4B圖)。也就是說，在本步驟，由前述基台2之厚度方向之一邊來看，在前述分隔壁3之端部3a所覆蓋之部位以外之殘餘部位6a以及該殘餘部位之周邊部6b形成凹陷，此凹陷係於較前述分隔壁3之端部3a與前述第1電極6之界面11更接近於基台側。(參考第1圖)。
具體來說可利用第1電極6上之分隔壁3作為遮罩而在第1電極6施行等方性蝕刻，藉此在第1電極6之表面形成凹陷，同時可對於利用作為遮罩之分隔壁3之正下方進行底切(undercut)底切。
蝕刻有濕式蝕刻法及乾式蝕刻法，但較佳為濕式蝕刻法。乾式蝕刻法中也蝕刻分隔壁3，或是也在表面堆積反應生成物。另一方面，在濕式蝕刻法中，容易由分隔壁3開始選擇性地蝕刻第1電極6，且不削切前述殘餘部位之周邊部上之分隔壁3，可在前述殘餘部位之周邊部形成凹陷，故為較佳。藉由進行如此之蝕刻，而可對於分隔壁3之端部3a之下面進行所謂底切。
在藉由濕式蝕刻法而蝕刻例如ITO(Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)薄膜時，可使用鹽酸和氯化鐵溶液之混合溶液、及鹽酸和硝酸之混合溶液進行蝕刻。此外，例如在蝕刻IZO(Indium Zinc Oxide：銦鋅氧化物)時，可使用磷酸、硝酸和乙酸之混合溶液而進行蝕刻。
乾式蝕刻法係列舉例如在反應氣體中曝露材料之方法(反應性氣體蝕刻)、及藉由電漿而離子化‧自由基化氣體並進行蝕刻之反應性離子蝕刻等。使用於乾式蝕刻法之氟系氣體可列舉例如CF4、CHF3、CH2F2、C3F8、C4F6、C4F8等。
可藉由像這樣施行蝕刻，而可在第1電極6中，在前述分隔壁之端部所覆蓋之部位以外之殘餘部位和該殘餘部位之周邊部(也就是殘餘部位附近之外側區域)之表面形成凹陷。此外，此凹陷係可在第1電極中，涵蓋前述分隔壁之端部所覆蓋之部位以外之殘餘部位和該殘餘部位之周邊部之表面而設置，並在每一個第1電極6分別設置一個。
此外，可分2次進行分隔壁形成用膜8之後烘烤，在第1次後烘烤和第2次後烘烤之間進行前述蝕刻。
此時，較佳為使第1次後烘烤之第1溫度和第2次後烘烤之第2溫度不同。具體地說，較佳為第1溫度低於第2溫度。此外，第2溫度係可確實地硬化分隔壁3之溫度，第1溫度係低於可確實地硬化分隔壁3溫度之溫度。例如藉由在110℃加熱3分鐘而進行第1後烘烤。若以此條件進行第1次後烘烤，則形成和第1電極6之密著性弱之分隔壁3。若在第1電極6和分隔壁3之密著性弱之狀態下施行前述蝕刻，則在第1電極6和分隔壁3之界面容易浸透蝕刻液，即使是等方性蝕刻，在分隔壁3的下面，橫方向蝕刻也變得容易進行，可形成更寬之底切。
像這樣於第1溫度進行後烘烤時，可在蝕刻後以通常之後烘烤條件，也就是在第2溫度進行後烘烤，藉此而確實地硬化分隔壁3。可藉此而形成基台和第1電極之密著性強之分隔壁3。
第1次後烘烤條件較佳為第1溫度為100℃至120℃、加熱時間為2分鐘至10分鐘，第2次後烘烤條件較佳為第2溫度為200℃至230℃、加熱時間為15分鐘至60分鐘。
凹陷之深度LD(參考第4B圖)較佳為20nm至300nm。此外，在平面俯視之第1電極6之凹陷之前述周邊部(也就是在第1電極中，分隔壁之端部所覆蓋之部位以外之殘餘部位之周邊部6b；參考第1圖。)的寬通常為20nm至2μm，較佳為20nm至1μm(在此，該周邊部的寬係指由基台之厚度方向之一邊來看時之周邊部的寬。例如在藉由分隔壁之端部而覆蓋第1電極之全周邊部之第2圖之形態中，係指沿著行方向X之寬及沿著列方向Y之寬，在藉由分隔壁之端部而覆蓋第1電極之4邊中相對向之2邊之第6圖之形態，係指沿著行方向X之寬。)。
(形成有機層之步驟)
在本步驟中，在前述之第1電極上形成至少一層之有機層。以下就在第1電極上形成二層之有機層之實施形態來進行說明。在本步驟中藉由塗佈法而形成至少一層之有機層。在本實施形態中，藉由塗佈法而形成第1有機層7及第2有機層9。
首先將包含成為第1有機層7之材料之油墨22供給至分隔壁3所包圍之區域(凹部5)(參考第4C圖)。油墨係考量分隔壁3之形狀、成膜步驟之簡易度、以及成膜性等之條件，而藉由最適當方法而適度地供給。油墨係例如可藉由噴墨印刷法、噴嘴塗佈法、凸版印刷法及凹版印刷法等而供給。
接著，藉由固化所供給之油墨22而形成第1有機層7(參考第5A圖)。油墨之固化係可藉由例如自然乾燥、加熱乾燥、真空乾燥而進行。此外，油墨含有藉由加以能量而聚合之材料時，可在供給油墨後，藉由加熱薄膜或是在薄膜照射光而聚合構成有機層之材料。藉由像這樣聚合構成有機層之材料，可使第1有機層難溶化於在該有機層(以下稱為「第1有機層」。)上形成其他之有機層(以下稱為「第2有機層」。)時所使用之油墨。
供給至分隔壁3所包圍之區域(凹部5)之油墨22係藉由毛細管現象而吸入至分隔壁3之端部3a和第1電極6之間之間隙31，並且氣化溶媒而薄膜化。如此藉由毛細管現象而可防止油墨彈開至分隔壁3，因此即使是分隔壁3具有疏液性，也可防止分隔壁3附近之第1有機層7比起中央部還更為薄膜化。藉此而可形成平坦之第1有機層7。
接著，形成發揮作為發光層機能之第2有機層9。第2有機層9係可以與第1有機層7相同方式而形成。也就是說，可藉由將包含成為紅色發光層9之材料之油墨、包含成為綠色發光層9之材料之油墨、和包含成為藍色發光層9之材料之油墨之3種類之油墨，分別供給至分隔壁3所包圍之區域並固化該等，藉此而形成各發光層9。
相同於前述之第1有機層7，可以藉由來自於分隔壁3之端部3a和第1電極6之間之間隙31之毛細管現象，而即使是分隔壁3具有疏液性，也可以形成平坦之第2有機層9。
(形成第2電極之步驟)
本步驟中，在前述有機層上形成至少一層之第2電極。以下就在有機層上形成一層之第2電極之實施形態來說明。在本實施形態中，第2電極10係形成在設置有機EL元件4之顯示區域整面。也就是說，第2電極10係不僅形成於第2有機層9上，並且也形成於分隔壁3上，涵蓋複數有機EL元件而連續地形成。藉由像這樣形成第2電極，而設置機能為在全部有機EL元件4共通之電極之第2電極10。
正如以上之說明，可藉由在第1電極6形成凹陷，並在分隔壁3之端部3和第1電極6之間設置間隙31，而形成平坦之有機層。在先前技術中，藉由設置間隔部而在分隔壁3之端部3和第1電極6之間設置間隙31，但在本實施形態中，可僅藉由在第1電極6形成凹陷，而在分隔壁3之端部3和第1電極6之間形成間隙31，可不追加裝置之構造，並可藉由簡易之裝置構造而形成平坦之有機層。
以上就設置格子狀之分隔壁之形態之顯示裝置而說明，但正如前述，也可在基台上設置條紋狀之分隔壁。第6圖係擴大而示意地表示設置條紋狀之分隔壁之本實施形態之顯示裝置之一部份的俯視圖。在同圖中，影線區域係相當於分隔壁3。第7圖係顯示以垂直於行方向X之平面切斷顯示裝置之顯示裝置的剖面形狀。此外以垂直於列方向Y之平面切斷顯示裝置之顯示裝置的剖面形狀係相同於第1圖。此外，本實施形態之顯示裝置其構造幾乎共通於前述實施形態之顯示裝置，因此以下僅就不同之部份進行說明，相對應之部份則附加相同之參考符號，並省略重複之說明。
在設置條紋狀之分隔壁時，分隔壁係例如由延在於列方向Y之複數條分隔壁構件而構成。該分隔壁構件係在行方向X空出預定之間隔而進行配置。在設置條紋狀之分隔壁之形態中，藉由條紋狀之分隔壁和基台而規定條紋狀之凹部。
在設置條紋狀之分隔壁時，有機EL元件4係在延在於列方向Y之各凹部中，於列方向Y分別空出預定之間隔而進行配置。
第1電極6係相同於前述實施形態而呈矩陣狀地進行配置。分隔壁3其端部3a以覆蓋第1電極6之行方向X之一邊之端部和其他邊之端部之方式形成(參考第1圖)。此外正如第7圖所示，在本實施形態中，第1電極6之列方向Y之端部並無藉由分隔壁而覆蓋。
在本實施形態中，第1有機層7及第2有機層9係分別延在於在列方向Y延在之各凹部而形成，並以涵蓋複數有機EL元件而連接之方式形成。
正如第1圖所示，本實施形態中，相同於前述之實施形態，第1電極6在除去前述分隔壁之端部所覆蓋之部位以外之殘餘部位6a以及該殘餘部位之周邊部6b具有凹陷，由前述基台厚度方向之一邊來看，此凹陷係於較前述分隔壁端部3a與前述第1電極6之界面11更接近於基台側。。藉由形成此種凹陷，而在分隔壁3之端部3a和第1電極6之間形成預定之間隙31。藉此以與前述實施形態同樣方式而形成平坦之有機層。
＜有機EL元件之構造＞
以下就有機EL元件之構造而更詳細地說明。有機EL元件具有至少一層之發光層作為有機層。正如前述，有機EL元件係可在一對之電極間具有例如電洞注入層、電洞輸送層、電子阻擋層、電洞阻擋層、電子輸送層和電子注入層等。
以下顯示本實施形態之有機EL元件之可得之層構造之一例。
a)陽極/發光層/陰極
b)陽極/電洞注入層/發光層/陰極
c)陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極
d)陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
e)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/陰極
f)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極
g)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
h)陽極/發光層/電子注入層/陰極
i)陽極/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(在此，符號「/」係表示夾住符號「/」之各層相鄰接而進行層積。以下亦相同。)
本實施形態之有機EL元件係可具有2層以上之發光層。在前述a)至i)之層構造中之任何一種中，若使夾住於陽極和陰極之層積體為「構造單位A」，則具有2層發光層之有機EL元件之構造係可列舉例如以下之j)所示之層構造。此外，2個(構造單位A)之層構造係可彼此相同或相異。
j)陽極/(構造單位A)/電荷產生層/(構造單位A)/陰極
在此，電荷產生層係藉由施加電場而產生電洞和電子之層。
電荷產生層可列舉例如由氧化釩、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide：簡稱ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide：簡稱IZO)、氧化鉬等而成之薄膜。
此外，若使「(構造單位A)/電荷產生層」為「構造單位B」，具有3層以上之發光層之有機EL元件之構造係可列舉例如以下之k)所示之層構造。
k)陽極/(構造單位B)×/(構造單位A)/陰極
此外，符號「×」表示2以上之整數，(構造單位B)×係表示層積×段之構造單位B之層積體。此外，複數(構造單位B)之層構造係可相同或相異。
此外，可構成不設置電荷產生層、而直接地層積複數發光層之有機EL元件。
＜基台＞
基台適合使用在製造有機EL元件步驟中不會有化學變化者。基台之材料可列舉例如玻璃、塑膠、高分子薄膜和矽板、以及該等之層積體等。
＜陽極＞
由發光層放射之光通過陽極而射出至外界之構造之有機EL元件之情形，在陽極使用顯示光透過性之電極。顯示光透過性之電極可使用由金屬氧化物、金屬硫化物和金屬等之材料所成之薄膜，並適合使用電導率和光透過率高者。具體來說係使用由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ITO、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide：簡稱IZO)、金、鉑、銀和銅等所成之薄膜，該等當中適合使用由ITO、IZO或氧化錫所成之薄膜。此外，陽極可具有層積2層以上之層積構造。陽極之製作方法可列舉例如真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、鍍層法等。此外，該陽極可使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等之有機透明導電膜。
＜陰極＞
陰極之材料係較佳為功函數小、電子容易注入至發光層、且電導率高之材料。此外，由陽極側取出光之構造之有機EL元件中，為了將由發光層放射之光藉由陰極反射至陽極側，故陰極之材料較佳為對於可見光呈高反射率之材料。相關陰極之材料可列舉例如金屬、合金、石墨和石墨層間化合物。前述之金屬可列舉例如鹼金屬、鹼土類金屬、過渡金屬及週期表第13族金屬等，具體例可列舉鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等。前述之合金可列舉例如前述金屬中之2種以上金屬之合金；以及前述金屬中之1種以上和由金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、及錫所成群組選出1種以上金屬之合金等，具體例可列舉鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金等。此外陰極可為透明電極，其材料可列舉例如氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ITO和IZO等之導電性金屬氧化物；聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等之導電性有機物。此外陰極可具有層積2層以上之層積構造。此外電子注入層可使用作為陰極。
陰極之製作方法可列舉例如真空蒸鍍法、離子鍍法等。
陽極或陰極之膜厚係考慮要求之特性及成膜步驟之簡易度等而適宜地設定，例如為10nm至10μm，較佳為20nm至1μm，更佳為50nm至500nm。
＜電洞注入層＞
構成電洞注入層之電洞注入材料係可列舉例如氧化釩、氧化鉬、氧化釕和氧化鋁等之氧化物；苯胺系化合物；星爆型(starburst)胺系化合物；酞菁(phthalocyanine)系化合物；非晶質碳(amorphous carbon)；聚苯胺；以及聚噻吩衍生物等。
電洞注入層之成膜方法可列舉例如由包含電洞注入材料之溶液而成膜。例如將包含電洞注入材料之溶液以預定之塗佈法而塗佈成膜，並固化該等藉此而形成電洞注入層。
電洞注入層之膜厚係考慮要求之特性及步驟之簡易度等而適宜地設定，例如為1nm至1μm，較佳為2nm至500nm，更佳為5nm至200nm。
＜電洞輸送層＞
構成電洞輸送層之電洞輸送材料可列舉例如聚乙烯基咔唑(polyvinylcarbazole)或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、在側鏈或主鏈具有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物、吡唑啉(pyrazoline)衍生物、芳基胺衍生物、芪(stilbene)衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(對伸苯基伸乙烯基)或其衍生物、或是聚(2,5-伸噻吩基伸乙烯基)或其衍生物等。
電洞輸送層之膜厚係考慮要求之特性及成膜步驟之簡易度等而進行設定，例如為1nm至1μm，較佳為2nm至500nm，更佳為5nm至200nm。
＜發光層＞
發光層通常主要包含發出螢光及/或磷光之有機物。發光層還可包含輔助該有機物之摻雜物。摻雜物係例如為了提高發光效率或改變發光波長而加入。此外，構成發光層之有機物係可為低分子化合物，也可為高分子化合物，藉由塗佈法而形成發光層時，較佳為包含高分子化合物。該高分子化合物之聚苯乙烯換算之數目平均分子量係例如為103至108程度。構成發光層之發光材料係可列舉例如以下之色素系材料、金屬錯合物系材料、高分子系材料、摻雜物材料。
(色素系材料)
色素系材料係可列舉例如環戊丙甲胺(cyclopentamine)衍生物、四苯基丁二烯衍生物化合物、三苯基胺衍生物、噁二唑(oxadiazole)衍生物、吡唑喹啉(pyrazoloquinoline)衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基伸芳基(distyrylarylene)衍生物、吡咯(Pyrrole)衍生物、噻吩環化合物、吡啶環化合物、紫環酮(perinone)衍生物、苝(perylene)衍生物、寡噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物(pyrazoline dimer)、喹吖酮(quinacridone)衍生物、香豆素(coumarin)衍生物等。
(金屬錯合物系材料)
金屬錯合物系材料係可列舉例如稀土類金屬(例如Tb、Eu、Dy)、Al、Zn、Be、Ir、Pt等之中心金屬(central metal)和噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑(phenylbenzoimidazole)、喹啉構造等具有配位基之金屬錯合物。相關金屬錯合物可列舉例如銥錯合物、鉑錯合物等之具有來自三重激發態之發光之金屬錯合物、鋁喹啉酚(alumium-quinolinol)錯合物、苯并喹啉酚鈹錯合物、苯并噁唑基鋅(benzooxazolyl zinc)錯合物、苯并噻唑鋅(benzothiazole zinc)錯合物、偶氮甲基鋅(azomethyl zinc)錯合物、卟啉鋅(porphyrin zinc)錯合物、啡啉銪(phenanthroline europium)錯合物等。
(高分子系材料)
高分子系材料係可列舉例如聚對伸苯基伸乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚對伸苯基衍生物、聚矽烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚茀(polyfluorene)衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、前述色素系材料及金屬錯合物系發光材料之高分子化者等。
發光層之厚度通常大約為2nm至200nm。
＜電子輸送層＞
構成電子輸送層之電子輸送材料可使用公知者，可列舉例如噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷(anthraquinone dimethane)或其衍生物、苯醌(benzoquinone)或其衍生物、萘醌(naphthoquinone)或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、茀酮(fluorenone)衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、聯苯醌(diphenoquinone)衍生物、或者是8-羥基喹啉或其衍生物之金屬錯合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹噁啉(polyquinoxaline)或其衍生物、聚茀或其衍生物等。
電子輸送層之膜厚係考慮要求之特性及成膜步驟之簡易度等而適宜地設定，例如為1nm至1μm，較佳為2nm至500nm，更佳為5nm至200nm。
＜電子注入層＞
構成電子注入層之電子注入材料係依照發光層之種類而適宜地選擇最適當之材料。電子注入材料可列舉例如鹼金屬；鹼土類金屬；包含鹼金屬和鹼土類金屬中之1種以上之合金；鹼金屬或鹼土類金屬之氧化物、鹵化物、碳酸鹽；以及該等物質之混合物等。前述鹼金屬及其氧化物、鹵化物和碳酸鹽可列舉例如鋰、鈉、鉀、銣、銫、氧化鋰、氟化鋰、氧化鈉、氟化鈉、氧化鉀、氟化鉀、氧化銣、氟化銣、氧化銫、氟化銫、碳酸鋰等。此外，前述鹼土類金屬及其氧化物、鹵化物、碳酸鹽可列舉例如鎂、鈣、鋇、鍶、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氧化鋇、氟化鋇、氧化鍶、氟化鍶、碳酸鎂等。電子注入層可具有層積2層以上之層積構造，可列舉例如LiF/Ca等。
電子注入層之膜厚較佳為1nm至1μm程度。
各有機層之形成方法可列舉例如噴嘴印刷法、噴墨印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法等塗佈法或真空蒸鍍法等。
此外，在塗佈法中，藉由將包含成為各有機層之有機EL材料之油墨塗佈成膜，並將其固化，而形成有機層。使用於塗佈法之油墨之溶媒可列舉例如三氯甲烷、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶媒、四氫呋喃等醚系溶媒、甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶媒、丙酮、甲基乙基甲酮等酮系溶媒、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸乙賽璐蘇(ethyl cellosolve acetate)等酯系溶媒和水等。
(實施例)
首先準備形成由膜厚200nm之ITO薄膜所成第1電極之TFT基板(參考第3A圖)。在該TFT基板表面藉由旋轉塗佈器而塗佈感光性樹脂溶液(Toray股份公司製、Photoneece SL-1904)，並在加熱板上以110℃加熱120秒鐘，之後進行預烘烤。藉由該預烘烤而蒸發感光性樹脂溶液之溶媒，並形成感光性樹脂薄膜(參考第3B圖)。
接著，使用接近式(proximity)曝光機，透過預定之遮罩而曝光感光性樹脂薄膜(參考第3C圖)。其曝光量係100mJ/cm2。接著，以顯影液(TOKUYAMA股份公司製、SD-1(TMAH 2.38wt%)溶液)而顯影90秒鐘，形成順錐形狀之分隔壁(參考第4A圖)。在230℃加熱該分隔壁20分鐘並硬化樹脂。藉由該後烘烤而形成膜厚1.0μm之分隔壁。
將鹽酸和氯化鐵之混合溶液保持在40℃，並在該混合溶液浸漬形成分隔壁之基板，之後蝕刻膜厚為200nm之第1電極(ITO)之表面90nm，藉此而在位於分隔壁之前端部之下側之第1電極(ITO)形成底切(參考第4B圖)。
接著，在真空室導入基板，進行CF4電漿表面處理，在分隔壁之表面賦予疏液性。
接著，使用噴墨裝置(ULVAC公司製、Litrex142P)，在分隔壁所包圍之像素內塗佈油墨。在油墨使用固形份濃度1.5%之聚(伸乙基二氧噻吩)(PEDOT)/聚苯乙烯磺酸(PSS)水分散液(拜耳公司製、AI4083)。油墨係彈開於被賦予疏液性且和該油墨之接觸角大之分隔壁之表面，並填充於分隔壁所包圍之像素內，同時以吸入至形成分隔壁之端部下之底切之部位(也就是分隔壁之端部和第1電極之間之間隙)之方式充填，並均勻地擴散至分隔壁所包圍之像素內之各角落(參考第4C圖)。在200℃燒成該基板，並形成膜厚50nm之均勻膜厚之電洞注入層(參考第5A圖)。
接著形成3種類之發光層。首先對於放射紅色光之高分子發光材料，以使濃度為0.8wt%之方式混合於有機溶媒並調製為紅油墨。同樣地，對於放射綠色光之高分子發光材料，以使濃度為0.8wt%之方式混合於有機溶媒並調製為綠油墨。此外，對於放射藍色光之高分子發光材料，以使濃度為0.8wt%之方式混合於有機溶媒並調製為藍油墨。分別使用噴墨裝置(ULVAC公司製、Litrex142P)將該等紅、綠、藍油墨塗佈於預定之像素內(參考第5B圖)。油墨係藉由和該油墨之接觸角大之分隔壁而彈開，因此防止油墨沿著該頂面而溢流至相鄰區域，並收納於像素內。另一方面，收納於像素內之油墨係以吸入至形成分隔壁之端部下之底切之部位之方式充填，並均勻地擴散至分隔壁所包圍之像素內之各角落。藉由在130℃燒成該基板而形成均勻膜厚之發光層(膜厚60nm)(參考第5C圖)。
此外，在前述之發光層上藉由真空蒸鍍法而依序地形成膜厚20nm之Ca層、膜厚150nm之Al層，並形成第2電極(陰極)。接著將形成有機EL元件之基板和密封用玻璃基板貼合並密封而製作為顯示裝製。如此所製作之有機EL元件係在顯示區域內均勻地發光，同時在各像素內也均勻地發光。
1．．．顯示裝置
2．．．基台
3．．．分隔壁
3a．．．分隔壁之端部
4．．．有機EL元件
5．．．凹部
6．．．第1電極
6a．．．分隔壁端部所覆蓋部位以外之殘餘部位
6b．．．殘餘部位之周邊部
7．．．第1有機層(電洞注入層)
8．．．分隔壁形成用膜
9．．．第2有機層(發光層)
10．．．第2電極
11．．．分隔壁之端部和第1電極之界面
12．．．基台
13．．．分隔壁
15．．．凹部
16．．．第1電極
17．．．油墨
18．．．有機層
19．．．間隔部
21．．．光罩
22．．．油墨
31．．．間隙
第1圖係擴大而示意地表示本發明一實施形態之顯示裝置1之一部份的圖。
第2圖係擴大而示意地表示本發明一實施形態之顯示裝置1之一部份的俯視圖。
第3A圖係用以說明本發明一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。
第3B圖係用以說明本發明一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。
第3C圖係用以說明本發明一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。
第4A圖係用以說明本發明一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。
第4B圖係用以說明本發明一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。
第4C圖係用以說明本發明一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。
第5A圖係用以說明本發明一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。
第5B圖係用以說明本發明一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。
第5C圖係用以說明本發明一實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。
第6圖係擴大而示意地表示本發明一實施形態之顯示裝置1之一部份的俯視圖。
第7圖係擴大而示意地表示本發明一實施形態之顯示裝置1之一部份的圖。
第8A圖係用以說明顯示裝置之製造方法的圖。
第8B圖係用以說明顯示裝置之製造方法的圖。
第8C圖係用以說明顯示裝置之製造方法的圖。
第9圖係用以說明先前技術之顯示裝置之製造方法的圖。
1．．．顯示裝置
2．．．基台
3．．．分隔壁
3a．．．分隔壁之端部
4．．．有機EL元件
5．．．凹部
6．．．第1電極
6a．．．分隔壁端部所覆蓋部位以外之殘餘部位
6b．．．殘餘部位之周邊部
7．．．第1有機層(電洞注入層)
8．．．分隔壁形成用膜
9．．．第2有機層(發光層)
10．．．第2電極

Claims (4)

  1. 一種顯示裝置，係包含基台、在該基台上而劃分預先設定之分區之分隔壁、以及分別設置於藉由該分隔壁而劃分之分區之複數之有機電致發光元件的顯示裝置，其中，各有機電致發光元件係包含至少一層之第1電極、至少一層之有機層和至少一層之第2電極，並由前述之基台側開始起以該順序層積；前述分隔壁其端部接合在前述之第1電極上；前述第1電極係於前述分隔壁之端部所覆蓋之部位以外之殘餘部位以及該殘餘部位之周邊部具有凹陷，由前述基台厚度方向之一邊來看，此凹陷係於較前述分隔壁端部與前述第1電極之界面更接近於基台側。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中，前述凹陷深度係20nm至300nm。
  3. 一種顯示裝置之製造方法，該顯示裝置係包含基台、在該基台上而劃分預先設定之分區之分隔壁、以及分別設置於藉由該分隔壁而劃分之分區之複數之有機電致發光元件；各有機電致發光元件係包含至少一層之第1電極、至少一層之有機層和至少一層之第2電極，並由基台側起以該順序層積而成；該製造方法包含：準備至少有一層之第1電極設在上面之基台之步驟；將分隔壁形成圖案並使該分隔壁之端部接合在前述第1電極上之步驟；在前述之第1電極中，於前述分隔壁之端部所覆蓋之部位以外之殘餘部位和該殘餘部位之周邊部之表面形成凹陷之步驟；在前述之第1電極上形成至少一層之有機層之步驟；以及，在前述之有機層上形成至少一層之第2電極之步驟。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置之製造方法，其中，在形成前述凹陷之步驟中，藉由濕式蝕刻而形成前述之凹陷。
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