JP2014072013A

JP2014072013A - 有機ｅｌ表示装置

Info

Publication number: JP2014072013A
Application number: JP2012216484A
Authority: JP
Inventors: Noriko Morikawa; 徳子森川
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2012-09-28
Filing date: 2012-09-28
Publication date: 2014-04-21

Abstract

【課題】隔壁の第一電極側を向く内側面に、導電性材料によりなる第三電極を形成することにより、発光領域を拡大することができる有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る有機ＥＬ表示装置１００は、基板１０１と、基板１０１上に形成された絶縁性の隔壁１０３と、隔壁１０３により区画された複数の画素領域内に形成された第一電極１０２と、第一電極１０２上に形成された、有機発光層１０６を含む有機発光媒体層１０８と、有機発光媒体層１０８上に形成された第二電極１０７とを有する有機ＥＬ表示装置であって、隔壁１０３の第一電極１０２側を向く内側面１０３ａに、導電性材料により形成された第三電極１０９を備え、第三電極１０９の一方の端部１０９ａは第一電極１０２側に位置し、第三電極１０９の他方の端部１０９ｂは第二電極１０７側に位置し、第三電極１０９の一方の端部１０９ａは第一電極１０２と接して導通している。
【選択図】図１

Description

本発明は、表示装置の技術に関し、特に有機ＥＬ表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）に関する。

有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子は、導電性の発光媒体層に電圧を印加することにより、発光媒体層中の有機発光層において注入された電子と正孔が再結合する。有機発光層中の有機発光分子は、再結合エネルギーによりいったん励起状態となり、その後、励起状態から基底状態に戻る。この際に放出されるエネルギーを光として取り出すことにより有機ＥＬ素子は発光する。この発光媒体層に電圧を印加するために、上記発光媒体層の両側には第一電極と第二電極が設けられており、上記発光媒体層からの光を外部へ取り出すために少なくとも一方の電極は透光性を有する。このような有機ＥＬ素子の構造の一例としては、透光性基板上に、透光性の第一電極、発光媒体層、第二電極を順次積層したものが挙げられる。ここで、基板上に形成される第一電極を陽極とし、発光媒体層上に形成される第二電極を陰極として利用する態様が挙げられる。

さらに、例えば発光効率を増大させる等の目的から、有機ＥＬ素子として、陽極と有機発光層との間に設けられる正孔輸送層、正孔注入層に加え、有機発光層と陰極との間に電子輸送層、電子注入層が適宜選択して設けられることが多い。これら正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層は、キャリア輸送層と呼ばれている。これらキャリア輸送層と有機発光層、さらには正孔ブロック層や電子ブロック層等を合わせて発光媒体層と呼ぶ。
有機ＥＬ素子は、有機発光層に用いられる有機発光材料に応じて、低分子有機発光材料を用いた有機ＥＬ素子（以下、「低分子有機ＥＬ素子」と称する。）と、高分子有機発光材料を用いた有機ＥＬ素子（以下、「高分子有機ＥＬ素子」と称する。）とに大別される。

低分子有機ＥＬ素子を形成する方法においては、一般的に真空蒸着法等のドライコーティング法を用いて薄膜が形成される。このような低分子有機ＥＬ素子を形成する方法において、正孔輸送層又は有機発光層のパターニングが必要である場合は、例えばメタルマスク等を用いて、マスクの開口部に応じたパターンを有する層が形成される。しかしながら、このようなパターニング方法においては、基板の面積が増加するほど、所望のパターニング精度を得ることが難しいという問題がある。

高分子有機ＥＬ素子を形成する方法においては、各機能層を構成する材料を溶剤に溶かし塗工液とし、ウェットコーティング法を用いて基板上に塗布し薄膜を形成する方法が試みられている。薄膜を形成するためのウェットコーティング法としては、例えばスピンコート法、バーコート法、ダイコート法、ディップコート法等が知られている。しかしながら、これらのウェットコーティング法を用いる場合においては、高精細に薄膜をパターニングしたり、ＲＧＢ（Ｒｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅ）からなる３色を別々に塗布して薄膜を形成したりすることが難しい。そのため、高分子有機ＥＬ素子を形成する方法においては、例えば、複数の材料を別々に塗布しながらパターニングすることが可能な印刷法やインクジェット法、ノズルプリンティング法を用いて薄膜を形成することが最も有効であると考えられる。

画像表示装置を作製する場合は、縦横に並べられている多数の画素によって、画像を表示する。そのためには発光材料や正孔注入材料などを第一電極上に選択的に配し、各画素に独立した有機ＥＬ素子を形成する必要がある。その際、材料を各画素に均一に配し均一に発光させるため、また混色を防止するために、予め各画素を区画する隔壁を設ける手法が一般的に用いられている。

しかしながら、各機能層をウェットプロセスを用いて形成した場合は、塗工液が隔壁表面に濡れあがり、画素中央部に対して隔壁近傍の膜厚が極端に厚くなることがある。そのため、画素内の隔壁近傍部が発光せず、画素面積に対して発光面積が小さくなるという問題があった（図５（Ｂ）を参照）。発光面積が小さくなると、その分発光箇所の輝度を上げる必要があり、ＥＬ素子としての寿命が短くなってしまうことがある。

発光面積を広げる手法としては、例えば、画素内に形成される薄膜の平坦性を上げる方法や、画素サイズ自体を大きくする方法が挙げられる。画素内に形成される薄膜の平坦性を上げる手法としては、隔壁に溌液性部と親液性部を作製し塗工液の濡れ上がりやはじきを抑制する方法がある（特許文献１）。しかしながら、この方法は、材料の種類や濃度によって条件が大きく変わるため、制御が困難である。また、隔壁構造の形状を工夫することで有機膜の膜厚分布等を改善する手法も検討されており、例えば、Ｔ字型構造（特許文献２）や逆テーパー構造（特許文献３）をしたものがある。しかしながら、これらの構造は、第一電極側に隔壁構造が飛び出しており、発光領域を低減させてしまいあまり有効ではない。
また、画素サイズ自体を大きくする手法として、ＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や隔壁のサイズを小さくする方法があるが、画素に流す電流や薄膜のパターニング方法の制限を受けるため、画素サイズを大きくするのに限界がある。

特開２００５−３２６７９９号公報特開２００７−２２０６５６号公報特開２００７−９５６３０号公報

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ＴＦＴや隔壁のサイズを変更することなく、隔壁の第一電極側を向く内側面に、導電性材料により形成された第三電極を形成することにより、発光領域を拡大することができる有機ＥＬ表示装置を提供することを目的としている。

上記の課題を解決するために、本発明の一態様は、基板と、前記基板上に形成された絶縁性の隔壁と、前記隔壁により区画された複数の画素領域内に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された、少なくとも有機発光層を含む有機発光媒体層と、前記有機発光媒体層上に形成された第二電極と、を備えた有機ＥＬ表示装置であって、前記隔壁の前記第一電極側を向く内側面に、導電性材料により形成された第三電極を有し、前記第三電極の一方の端部は前記第一電極側に位置し、前記第三電極の他方の端部は前記第二電極側に位置し、前記第三電極の前記一方の端部は、前記第一電極と接して導通していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。

また、前記第三電極は、前記隔壁の前記内側面と、前記有機発光媒体層との間に形成され、かつ、隣り合う前記画素領域間において不連続に形成されていることとしてもよい。
また、前記第一電極及び前記第三電極は、透光性を有し、前記有機発光層から発光する光は、少なくとも前記第一電極側から取り出されることとしてもよい。
また、前記隔壁の可視光透過率は、７０％以上であることとしてもよい。

また、前記第三電極の前記他方の端部の厚みは、前記第一電極側から前記第二電極側に向かうにしたがって薄くなり、前記第三電極の前記他方の端部のシート抵抗は、前記第一電極側から前記第二電極側に向かうにしたがって高くなることとしてもよい。
また、前記有機発光媒体層のうち少なくとも１層は、ウェットコーティング法を用いて形成されたこととしてもよい。
また、前記有機発光媒体層のうち少なくとも１層は、前記第三電極の前記他方の端部を被覆するように形成されたこととしてもよい。

本発明によれば、ＴＦＴや隔壁のサイズを変更することなく、発光画素領域を拡大することができる有機ＥＬ表示装置を提供することができる。

本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示した断面模式図である。本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示した断面模式図である。パッシブ型有機ＥＬ表示装置の電極構成を示す平面模式図である。本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の積層構造を示す断面模式図である。（Ａ）はボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であり、（Ｂ）はトップエミッション型の有機ＥＬ素子である。有機ＥＬ表示装置の画素を示した模式図である。（Ａ）本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素を示した断面模式図と鳥瞰図である。（Ｂ）本発明を適用しない場合の有機ＥＬ表示装置の画素を示した断面模式図と鳥瞰図である。本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素を示した断面模式図である。本発明の実施形態に係る凸版印刷装置の概略図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施形態の説明において参照する図面は、本実施形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さ、寸法の比率等については、そのまま実施の形態を表すものではない。

（有機ＥＬ表示装置）
まず、本発明に基づく有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置について説明する。
図１は、本発明の実施形態を説明するための有機ＥＬ表示装置の断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、図１に示すように、基板１０１と、基板１０１上に形成された絶縁性の隔壁１０３と、隔壁１０３により区画された複数の画素領域内に形成された第一電極１０２と、第一電極１０２上に形成された、少なくとも有機発光層１０６を含む有機発光媒体層１０８と、有機発光媒体層１０８上に形成された第二電極１０７とを備え、隔壁１０３の第一電極１０２側を向く内側面１０３ａに、導電性材料により形成された第三電極１０９を有し、第三電極１０９の一方の端部１０９ａは第一電極１０２側に位置し、第三電極１０９の他方の端部１０９ｂは第二電極１０７側に位置し、第三電極１０９の一方の端部１０９ａは、第一電極１０２と接して導通している有機ＥＬ表示装置である。より詳しくは、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、基板１０１上に、有機発光層１０６を含む有機発光媒体層１０８を挟んで、第一電極１０２及び第三電極１０９と第二電極１０７とが対向配置して形成されている。すなわち、有機ＥＬ表示装置１００は、図１に示すように、基板１０１の上に、画素毎に具備された第一電極（陽極）１０２と、第一電極１０２の画素間を区画する隔壁１０３と、隔壁１０３の内側面１０３ａに接して形成され且つ第一電極１０２と部分的に接続し導通する第三電極１０９（陽極）と、第一電極１０２と第三電極１０９とに接して形成された正孔輸送層１０４と、この正孔輸送層１０４上に形成されたインターレイヤ１０５と、インターレイヤ１０５上に形成された有機発光層１０６と、有機発光層１０６上の全面を被覆するように形成された第二電極（陰極）１０７と、が形成されている。上記第一電極１０２、隔壁１０３、正孔輸送層１０４とインターレイヤ１０５と有機発光層１０６を含む発光媒体層１０８、及び第二電極１０７を覆うようにして、封止体１１０を備える。

また、基板１０１としては、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置であれば各画素を制御するためのスイッチング素子（薄膜トランジスタ：ＴＦＴ）が第一電極１０２に接続されるよう形成されたＴＦＴ基板を用いることできるが、ＴＦＴや第一電極１０２との接続部は特に図示していない。なお、図３に示すように、ストライプ状の第一電極１０２と、第二電極１０７を交差させて所定の画素を点灯させるパッシブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置としても良い。

以下、第一電極１０２及び第三電極１０９と第二電極１０７で発光媒体層１０８が挟持されてなる領域を発光領域あるいは有機ＥＬ素子とよび、第一電極１０２と第三電極１０９で発光媒体層１０８が挟持されてなる発光領域を第一発光領域あるいは第一有機ＥＬ素子と呼び（図５（Ａ）を参照）、また第三電極１０９及び第二電極１０７で発光媒体層１０８が挟持されてなる領域を第二発光領域あるいは第二有機ＥＬ素子と呼び（図５（Ａ）を参照）、隔壁１０３を含む有機ＥＬ素子のアレイ全体を表示領域と呼ぶ。

ここで発光媒体層１０８は、第一電極（陽極）１０２及び第三電極（陽極）１０９と第二電極（陰極）１０７との間に配置された層である。図１の素子では、正孔輸送層１０４とインターレイヤ１０５と有機発光層１０６が、発光媒体層１０８に相当する。これ以外にも、発光媒体層１０８として、例えば正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等の層を適宜加えても良い。
発光媒体層１０８の膜厚は、発光層単層から構成される場合であっても、多層構造の場合であっても、発光媒体層１０８全体として１０００ｎｍ以下であり、好ましくは５０〜３００ｎｍである。

図１及び図２の有機ＥＬ表示装置１００の構成では、パターニングされた電極ごとに発光層が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光波長に対応するようにそれぞれパターニングされた発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂが形成されている。このようにすることで、フルカラーのディスプレイパネルが実現される。これ以外の方式として、青色発光層と色素変換層を用いた色素変換方式を用いてもよく、白色の発光層を用い、基板や封止基板にカラーフィルタを設けた構成としても良い。

図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本実施形態における有機ＥＬ素子の積層部分の断面図である。
図４（Ａ）は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の例である。この例では、基板１０１上に透明電極からなる第一電極１０２、正孔輸送層１０４、有機発光層１０６、第二電極１０７ａの順で積層されている。この順番に積層されていれば、例えばインターレイヤ１０５や、その他の層をそれぞれの間に介挿しても良い。ボトムエミッション型の場合には、第二電極１０７ａは光不透過性電極であり、第二電極１０７ａ側に放出された光は、第二電極１０７ａで反射して光透過性電極である第一電極１０２側から外部へ出射する。

図４（Ｂ）はトップエミッション型の有機ＥＬ素子の例である。この例では、基板１０１上に反射層２０１、第一電極１０２、正孔輸送層１０４、インターレイヤ１０５、有機発光層１０６、透明電極からなる第二電極１０７ｂの順で積層されている。この順番に積層されていれば、その他の層をそれぞれの間に介挿しても良い。トップエミッション型の場合には第二電極１０７ｂは光透過性電極であり、第一電極１０２側に放出された光は、第一電極１０２を透過して反射層２０１で反射して第二電極１０７ｂ側から外部へ出射する。一方、第二電極１０７ｂ側に放出された光は、同じく第二電極１０７ｂを透過して外部へ出射する。

以降の説明では、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を代表させて説明を行うが、第二電極１０７を透明導電膜としたトップエミッション型についても、同様に適用することができる。
（基板）
基板１０１の材料としては、例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシートを例示できる。トップエミッション型の有機発光電界素子の場合には、これに加えて、上記のプラスチックフィルムやシートに、例えば酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた光透過性基材や、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シート、板、プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた光不透過性基材などを用いることができる。ただし、本発明はこれらに限定されるわけではない。

有機ＥＬ表示装置１００において光の取り出しは、ボトムエミッション型では基板１０１と隣接する電極側（第１電極１０２側）から行えばよい。また、トップエミッション型では基板１０１と対向する電極側（第２電極１０７側）から行えばよい。
上述の材料からなる基板１０１は、有機ＥＬ表示装置１００内への水分や酸素の浸入を避けるために、基板１０１の全面もしくは片面に無機膜の形成、樹脂の塗布などにより、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。特に、発光媒体層１０８への水分の浸入を避けるために、基板１０１における含水率及びガス透過係数を小さくすることが好ましい。

（第一電極）
第一電極１０２は、基板１０１上に成膜し、必要に応じてパターニングを行う。第一電極１０２は、隔壁１０３によって区画され、各画素に対応した第一電極１０２となる。
第一電極１０２の材料としては、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、ＡＺＯ（亜鉛アルミニウム複合酸化物）などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料を使用することができる。また、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものを使用することができる。ただし、本発明はこれらに限定されるわけではない。

第一電極１０２を陽極とする場合、ＩＴＯなど仕事関数の高い材料を選択することが好ましい。ＴＦＴ駆動の有機ＥＬ表示装置において電極は低抵抗であればよく、シート抵抗で２０Ω・ｓｑ以下であれば好適に用いることが可能となる。
第一電極１０２の形成方法としては、材料に応じて、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法など既存の成膜法を用いることができる。ただし、本発明はこれらに限定されるわけではない。

第一電極１０２のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、例えば、マスク蒸着法、フォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。
トップエミッション型の場合、第一電極１０２と基板１０１との間に反射層２０１（図４（Ｂ）を参照）を形成することが好ましい。反射層２０１の材料としては、高反射率かつ低抵抗であることが好ましく、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉを一種以上含んだ単膜および積層膜、合金膜、上記材料を用いた膜にＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２等の保護膜を形成したものを用いることができる。反射率として可視光波長領域の全平均で８０％以上あればよく、９０％以上であれば好適に用いることが可能となる。なお、発光媒体層１０８または第一電極１０２が光不透過性材料である場合は、この限りではない。

反射層２０１の形成方法としては、材料に応じて、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法など既存の成膜法を用いることができる。ただし、本発明はこれらに限定されるわけではない。
反射層２０１のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、例えば、マスク蒸着法、フォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。

（隔壁）
隔壁１０３は、各画素に対応した発光領域を区画するように形成する。このとき、隔壁１０３は、第一電極１０２の端部を覆うように形成することが好ましい。一般的にアクティブ駆動型の有機ＥＬ表示装置１００は、各画素に対して第一電極１０２が形成され、それぞれの画素ができるだけ広い面積を占有しようとするため、第一電極１０２の端部を覆うように形成される。平面視における、隔壁１０３の最も好ましい形状は、各第一電極１０２を最短距離で区切る格子状であり、この形状を基本とするものである。

隔壁１０３は、複数の画素の各々を仕切る仕切り部材として機能する。このため、ウェットコーティング法を用いるパターニングによって発光媒体層１０８を各画素に配置する場合、隔壁１０３によって、互いに隣接する画素間において混色を防ぐことが可能になる。
隔壁１０３の材料としては絶縁性を有する必要があり、無機絶縁材料または有機絶縁材料を用いることができる。また、アクティブマトリクス方式を用いた場合は、隔壁１０３としてＴＦＴを保護するためにＳｉＮ等の保護絶縁層を用いることができる。

隔壁１０３を形成する無機絶縁材料としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＳｉＮ等が挙げられる。また、隔壁１０３を形成する有機絶縁材料としては、感光性材料等を用いることができる。この感光性材料としては、ポジ型であってもネガ型であってもよく、例えば、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、ポリイミド樹脂、およびシアノエチルプルラン等を用いることができる。

また、ボトムエミッション型の場合、第三電極１０９上に形成される第二有機ＥＬ素子からの発光取り出しのため、隔壁１０３は透光性を有することが好ましく、可視光領域での透過率が１μｍの厚みで７０％以上の材料が好ましい。具体的には、ポリイミド系、アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系、フルオレン系といったものが挙げられるが、これらに限定するものではない。なお、隔壁１０３可視光領域での透過率が７０％未満であると、第二有機ＥＬ素子からの発光取り出しの効率が低くなるため、好ましくない。

隔壁１０３の形成方法としては、材料に応じて、例えば、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法に代表されるドライコーティング法や、スピンコート法、バーコート法、ロールコーター法、ダイコート法等のウェットコーティング法など既存の成膜法を用いることができる。ただし、本発明はこれらに限定されるわけではない。

次に、パターン露光、現像して隔壁パターンを形成する工程では、従来公知の露光、現像方法により隔壁１０３のパターンを形成できる。露光条件や現像条件を変えることによって、隔壁１０３の形状を調整することが可能である。また、焼成に関しては、例えば、オーブン、ホットプレート等での従来公知の方法により焼成を行うことができる。
隔壁１０３の好ましい膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲内であり、より好ましくは０．５μｍ以上３μｍ以下の範囲内である。５μｍより高い（厚い）と第二電極１０７の形成及び封止を妨げ、０．１μｍより低い（薄い）と絶縁性が不充分となったり、発光媒体層１０８が混色してしまう可能性がある。
なお、必要に応じて、レジスト及び感光性樹脂に撥水剤を添加したり、親水性材料と疎水性材料の多層構造にしたり、プラズマやＵＶを照射したりして形成後に次の成膜材料に対する撥水性または親水性を付与することもできる。

（第三電極）
第三電極１０９は、隔壁１０３の第一電極１０２側の内側面１０３ａに、第一電極１０２と部分的に接続し導通するように形成されている。さらに、この第三電極１０９は、画素間は不連続となるようにパターニングされ区画されている（図１を参照）。
第三電極１０９の材料としては、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、ＡＺＯ（亜鉛アルミニウム複合酸化物）などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料を使用することができる。また、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものを使用することができる。ただし、本発明はこれらに限定されるわけではない。

第三電極１０９を陽極とする場合、ＩＴＯなど仕事関数の高い材料を選択することが好ましい。ＴＦＴ駆動の有機ＥＬ表示装置において電極は低抵抗であればよく、シート抵抗で２０Ω・ｓｑ以下であれば好適に用いることが可能となる。
第三電極１０９の形成方法としては、材料に応じて、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法など既存の成膜法を用いることができる。ただし、本発明はこれらに限定されるわけではない。

また、パターニング方法としては、基板１０１及び第一電極１０２及び隔壁１０３上に第三電極１０９を形成し、レジストでマスキングした後、例えば、反応性イオンビームエッチング、反応性ガスエッチング、反応性イオンエッチングなどに代表されるドライエッチング法を用いることができる。また、腐食溶解する性質を持つ液体の薬品を使ったウェットエッチング法を用いることができる。エッチングの条件を調整することで、第三電極１０９の端部１０９ｂの形状を調整することができ、第三電極１０９の端部１０９ｂの厚みが緩やかに減少し、端に近づくほど薄くなる形状を得ることができる。換言すると、第三電極１０９の端部１０９ｂの厚みは、第一電極１０２側から第二電極１０７側に向かうにしたがって薄くなるように形成することができる。端部１０９ｂの厚みが薄くなることにより、端部１０９ｂのシート抵抗が上がり、端部１０９ｂからのリークを抑制することが可能となる。つまり、第三電極１０９の端部１０９ｂのシート抵抗は、第一電極１０２側から第二電極１０７側に向かうにしたがって高くなるので、第三電極１０９の端部１０９ｂからのリークを抑制することができる。

トップエミッション型の場合、第三電極１０９と基板１０１との間に反射層２０１（図４（Ｂ）を参照）を形成することが好ましい。また、第三電極１０９を反射層２０１とすることもできる。反射層２０１の材料としては、高反射率かつ低抵抗であることが好ましく、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉを一種以上含んだ単膜および積層膜、合金膜、上記材料を用いた膜にＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２等の保護膜を形成したものを用いることができる。反射率として可視光波長領域の全平均で８０％以上あればよく、９０％以上であれば好適に用いることが可能となる。なお、発光媒体層１０８または第一電極１０２が光不透過性材料である場合は、この限りではない。

反射層２０１の形成方法としては、材料に応じて、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法など既存の成膜法を用いることができる。ただし、本発明はこれらに限定されるわけではない。
反射層２０１のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。

第三電極１０９の形成領域は、図６に示すように、隔壁１０３の内側面１０３ａが第一電極１０２と接する端部Ａから隔壁１０３の中央部Ｂの方向へ向かって１０μｍ以下が好ましく、より好ましくは５μｍ以下である。１０μｍより大きいと、第三電極１０９の上に形成される発光層１０６に、隣り合う画素の発光層１０６を異なる発光色に塗り分けた際の混色部分が含まれてしまい、純粋な発光色が得られなくなってしまう。また、隔壁１０３上に濡れ上がる発光媒体層１０８は、隔壁１０３の中央部Ｂに近づくにつれ薄くなるため、第三電極１０９上に形成される発光媒体層１０８が薄くなり、リークの原因となる。これらの問題が生じない範囲で第三電極１０９をより大きくとることが望ましい。

また、第三電極１０９の厚みは、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲内であることが好ましく、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。第三電極１０９の厚みが２００ｎｍより厚いと発光媒体層１０８による第三電極１０９の端部１０９ｂの被覆が不充分となり、リークの原因となる。また、第三電極１０９の厚みが２０ｎｍより薄いとシート抵抗が高くなり、電極としての機能が不充分となる。また、端部１０９ｂの厚みは緩やかに減少することが好ましく、端に近づくほど薄くなることにより、端部１０９ｂのシート抵抗が上がり、端部１０９ｂからのリークを抑制することが可能となる。換言すると、第三電極１０９の端部１０９ｂの厚みは、第一電極１０２側から第二電極１０７側に向かうにしたがって薄くなっていることが好ましい。このようにすることで、第三電極１０９の端部１０９ｂのシート抵抗は、第一電極１０２側から第二電極１０７側に向かうにしたがって高くなるので、第三電極１０９の端部１０９ｂからのリークを抑制することができる。

（正孔注入層、正孔輸送層）
正孔注入層（図示せず）は、第一電極１０２（陽極）及び第三電極１０９（陽極）から正孔を注入する機能を有する層である。また、正孔輸送層１０４は、発光層１０６に正孔を輸送する機能を有する層である。これらの層は、正孔注入機能と正孔輸送機能とを共に有する場合がある。この場合、これらの機能の程度に応じてどちらか一方の名称で、あるいは両方の名称で機能層が称されている。本実施形態においては、正孔輸送層１０４と称されている層は、正孔注入層も含む。
正孔輸送層１０４は、第一電極１０２及び第三電極１０９に接して形成されている。まあ、この正孔輸送層１０４は、第三電極１０９が隔壁１０３と接する端部１０９ｂを被覆されるように形成されてもよい。第三電極１０９の端部１０９ｂが被覆されることにより、後に形成される第二電極１０７とのリークを抑制することができる。

正孔輸送層１０４の物性値としては、第一電極１０２の仕事関数と同等以上の仕事関数を有することが好ましい。これは、第一電極１０２からインターレイヤ１０５へ効率的に正孔注入を行うためである。第一電極１０２の材料により異なるが、仕事関数が４．５ｅＶ以上６．５ｅＶ以下の範囲内であれば用いることができる。例えば、第一電極１０２がＩＴＯやＩＺＯの場合、仕事関数が５．０ｅＶ以上６．０ｅＶ以下の範囲内であれば好適に用いることが可能である。正孔輸送層１０４の比抵抗に関しては、膜厚３０ｎｍ以上の状態で、１×１０^３Ω・ｍ以上２×１０^６Ω・ｍ以下の範囲内であることが好ましく、より好ましくは５×１０^３Ω・ｍ以上１×１０^６Ω・ｍ以下の範囲内である。また、ボトムエミッション構造では、第一電極１０２側から放出光を取り出すため、光透過性が低いと取り出し効率が低下してしまう。このため、可視光波長領域の全平均で７５％以上が好ましく、８５％以上ならば好適に用いることが可能である。

正孔輸送層１０４を構成する材料としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物等の高分子材料を用いることができる。この他にも、導電率が１０^−２Ｓ／ｃｍ以上１０^−６Ｓ／ｃｍ以下の範囲内である導電性高分子を好ましく用いることができる。上述の高分子材料は、湿式法による成膜工程に使用可能である。このため、正孔注入層又は正孔輸送層１０４を形成する際に高分子材料を用いることが好ましい。このような高分子材料は、水又は溶剤によって分散あるいは溶解され、分散液又は溶液として使用される。

また、正孔輸送層１０４を構成する材料として無機材料を用いる場合、例えば、Ｃｕ_２Ｏ、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｍｎ_２Ｏ_３、ＦｅＯｘ（ｘ〜０．１）、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＴｈＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｐｒ_２Ｏ_３、Ａｇ_２Ｏ、ＭｏＯ_２、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、Ｖ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３、ＭｎＯ_２等を用いることができる。

正孔輸送層１０４を形成する方法としては、基板１０１上の表示領域全面に、例えば、スピンコート法、ダイコート法、ディッピング法、又はスリットコート法等の簡便な方法で一括形成する方法を用いることができる。また、インクジェット法、印刷法、ノズルプリンティング法を用い、必要に応じてパターニングすることも可能である。ただし、本発明はこれらに限定されるわけではない。

正孔輸送層１０４を形成する際には、上記正孔輸送層１０４を構成する材料（以下、「正孔輸送材料」ともいう。）が水、有機溶剤、あるいはこれらの混合溶剤に溶解されたインキ（液体材料）が用いられる。有機溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、アニソール、メシチレン、テトラリン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル等が使用できる。また、インキには、例えば、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等を添加してもよい。正孔輸送層１０４が無機材料で形成されている場合には、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等のドライプロセスを用いて形成することができる。

（インターレイヤ）
インターレイヤ１０５は、有機発光層１０６と正孔輸送層１０４の間に積層することで、素子の発光寿命を向上させる機能を有する。通常は正孔輸送層１０４を被覆するように形成するが、必要に応じてパターニングを行っても良い。
インターレイヤ１０５の材料としては、有機材料であれば、例えば、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーなどが挙げられる。また、無機材料であれば、例えば、Ｃｕ_２Ｏ、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｍｎ_２Ｏ_３、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｐｒ_２Ｏ_３、Ａｇ_２Ｏ、ＭｏＯ_２、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、Ｖ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３、ＭｎＯ_２等の遷移金属酸化物およびこれらの窒化物、硫化物を一種以上含んだ無機化合物が挙げられる。ただし、本発明はこれらに限定されるわけではない。

上述の有機材料は、溶媒に溶解または安定に分散させ有機インターレイヤのインキとなる。有機インターレイヤ材料を溶解または分散する溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの単独またはこれらの混合溶媒が挙げられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が、有機インターレイヤ材料の溶解性の面から好適である。また、有機インターレイヤのインキには、必要に応じて、例えば界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。

上述のインターレイヤ１０５の材料としては、正孔輸送層１０４よりも仕事関数が同等以上の材料を選択することが好ましく、更に有機発光層１０６よりも仕事関数が同等以下であることがより好ましい。これは、正孔輸送層１０４から有機発光層１０６へのキャリア注入時に不必要な注入障壁を形成しないためである。また、有機発光層１０６から発光に寄与できなかった電荷を閉じ込める効果を得るため、バンドギャップが２．５ｅＶ以上であることが好ましく、より好ましくは３．０ｅＶ以上である。

インターレイヤ１０５の形成法としては、材料に応じて、例えば、インクジェット印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリンティング法などの湿式成膜法など既存の成膜法を用いることができる。ただし、本発明はこれらに限定されるわけではない。
ここで、凸版印刷法では、例えば、図７に示す凸版印刷装置３００を使用できる。図７中、符号３０１はステージを、符号３０２は被印刷基板を、符号３０３はインキタンクを、符号３０４はインキチャンバを、符号３０５はアニロックスロールを、符号３０６はドクタを、符号３０７は凸版を、符号３０８は版胴を、符号３０９はインキ層をそれぞれ示す。

（有機発光層）
有機発光層１０６は、トップエミッション型の素子の場合、インターレイヤ１０５の形成後に積層することができる。有機発光層１０６から放出される表示光が単色の場合、インターレイヤ１０５を被覆するように形成するが、多色の表示光を得るには必要に応じてパターニングを行うことにより好適に用いることができる。

有機発光層１０６を形成する有機発光材料は、例えば、クマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系などの発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられる。ただし、本発明はこれらに限定されるわけではない。

これらの有機発光材料は、溶媒に溶解または安定に分散させ有機発光インキとなる。有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの単独またはこれらの混合溶媒が挙げられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が、有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、有機発光インキには必要に応じて、例えば、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。

上述した高分子材料に加え、例えば、９，１０−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジエン、トリス（８−キノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノラート）アルミニウム錯体、ビス（８−キノラート）亜鉛錯体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５−シアノ−８−キノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノー８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス［８−（パラ−トシル）アミノキノリン］亜鉛錯体及びカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレンなどの低分子系発光材料が使用できる。

有機発光層１０６の形成法としては、材料に応じて、例えば、インクジェット印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリンティング法などの湿式成膜法など既存の成膜法を用いることができる。ただし、本発明はこれらに限定されるわけではない。

（第二電極）
有機発光層１０６上には第二電極１０７が形成されている。第二電極１０７の材料には、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ等の金属単体を用いたり、発光媒体層１０８と接する界面にＬｉ、ＮａやＢａ等のアルカリ金属・アルカリ土類金属、及び酸化Ｌｉ、ＬｉＦ、ＮａＦ等のアルカリ金属化合物を１ｎｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用いたりしてもよい。または、電子注入効率と安定性とを両立させるため、例えば、仕事関数が低いＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ等の金属１種以上と、安定なＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を使用することができる。また、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、ＡＺＯ（亜鉛アルミニウム複合酸化物）などの金属複合酸化物等の透明導電膜を用いることができる。

トップエミッション構造におけるこれらの第二電極１０７は、発光媒体層１０８から放出される表示光を透過されるため、可視光波長領域に対して光透過性が必要である。このため、第二電極１０７の膜厚は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ等の金属単体では２０ｎｍ以下であることが好ましく、更には２ｎｍ以上７ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。透明導電膜においては、可視光波長領域の平均光透過性として８５％以上を保つように膜厚を調節し好適に用いることができる。

第二電極１０７の形成法としては、材料に応じて、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法など既存の成膜法を用いることができる。ただし、本発明ではこれらに限定されるわけではない。

（封止体）
封止体１１０は、例えば、第一電極１０２、第三電極１０９、隔壁１０３、発光媒体層１０８、第二電極１０７が形成された基板１０１に対して、その周辺部について封止体１１０と基板１０１を接着させることにより封止が行われる。この際、トップエミッション構造では発光媒体層１０８から基板１０１側と反対側の封止体１１０を通して放射される表示光を取り出すため、可視光波長領域に対して光透過性が必要となる。光透過性については、可視光波長領域の平均光透過性は、８５％以上であることが好ましい。
また、封止体１１０は、例えば、第一電極１０２、第三電極１０９、隔壁１０３、発光媒体層１０８、第二電極１０７が形成された基板１０１に対して、封止材１１１上に樹脂層１１２を設け、この樹脂層１１２により封止材１１１と基板１０１を貼りあわせることにより封止を行うことも可能である（図２を参照）。

このとき封止材１１１の材料は、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、封止材１１１の材料の一例として、例えば、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルムなどを挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、例えば、プラスチック基材の両面にＳｉＯｘをＣＶＤ法で形成したフィルムや、光透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどが挙げられる。この耐湿性フィルムの水蒸気透過性は、１０Ｅ^−６ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下であることが好ましい。

樹脂層１１２としては、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、２液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート（ＥＥＡ）ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂が挙げられる。樹脂層１１２を封止材１１１上に形成する方法の一例として、例えば、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融、ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などが挙げられる。また、必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止材１１１上に形成する樹脂層１１２の厚みは、封止する有機ＥＬ素子の大きさや形状により任意に決定されるが、５μｍ〜５００μｍ程度が望ましい。

第一電極１０２、第三電極１０９、隔壁１０３、発光媒体層１０８、第二電極１０７が形成された基板１０１と封止体１１０との貼り合わせは、封止室で行われる。封止体１１０を、封止材１１１と樹脂層１１２の２層構造とし、樹脂層１１２に熱可塑性樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着のみ行うことが好ましい。また、樹脂層１１２に熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着した後、さらに硬化温度で加熱硬化を行うことが好ましい。また、樹脂層１１２に光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールで圧着した後、さらに光を照射することで硬化を行うことができる。なお、ここでは封止材１１１上に樹脂層１１２を形成したが、まず基板１０１上に樹脂層１１２を形成して、その後封止材１１１と貼りあわせることも可能である。

封止材１１１を用いて封止を行う前や封止材１１１の代わりに、例えばパッシベーション膜として、ＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などのドライプロセスを用いて、窒化珪素膜など無機薄膜を形成して、封止体１１０とすることも可能である。また、これらを組み合わせることも可能である。パシベーション膜の膜厚は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内であればよく、材料の透湿性、水蒸気透過性などにより異なるが１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内であれば好適に用いることができる。トップエミッション型の構造では、上記の特性に加え、光透過性の考慮する必要があり、可視光波長領域の全平均で７０％以上であれば好適に用いることが可能である。
なお、本発明の技術範囲は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

＜実施形態の効果＞
本実施形態に係る有機ＥＬ素子であれば、発光画素領域を拡大することができ、高輝度化、低電圧化、長寿命化が可能となる有機ＥＬ表示装置１００を提供することができる。
また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子であれば、第一電極１０２上に形成された有機ＥＬ素子のみならず、第三電極１０９上に形成された有機ＥＬ素子も発光するため、発光領域を広げることが可能となる。さらに、第一電極１０２上に形成された有機ＥＬ素子のうち、隔壁１０３近傍の厚膜部は抵抗が高く光りにくくなっていたが、隔壁１０３の第一電極１０３側を向く内側面１０３ａに第三電極１０９を設けることにより、第三電極１０９からの距離が近くなり、発光が得られるようになる。

次に、上述した実施形態に基づき、有機ＥＬ表示装置１００の実施例について説明する。なお、本発明は、下記の実施例によって制限されない。
［実施例１］
まず、対角５インチのガラス基板を準備し、第一電極１０２を形成した。ガラス基板上に、スパッタ法を用いてＩＴＯ（インジウム−酸化錫）薄膜を５０ｎｍの膜厚で形成し、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行った。これによって、複数のラインパターンを有する第一電極１０２を作製した。上述のパターニングにより、１２０μｍピッチで電極間スペース３０μｍの９６０本のラインが形成された。

次に、この基板１０１を、例えば、アセトン、純水、ブラシ洗浄、超音波洗浄などの従来のウェットプロセスにより洗浄し、ＵＶオゾン処理により洗浄した。
次に、隔壁１０３を以下のように形成した。表示領域の全面が成膜されるように、基板１０１全面にポジ型感光性ポリイミド（東レ社製フォトニース、ＤＬ−１０００）をスピンコートした。スピンコートの条件として、ガラス基板を１５０ｒｐｍで５秒間回転させた後に、ガラス基板を４００ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコートされたポジ型感光性ポリイミドの膜厚は、１．５μｍであった。

次に、フォトマスクを準備し、フォトリソグラフィ法を用いて基板１０１の全面に塗布された感光性材料の隔壁１０３部分以外の部分をｉ線ステッパーにより１８０ｍＪ／ｃｍ^２の条件で露光した。露光した後現像を行い、オーブンを用いて、２３０℃で３０分の条件で焼成し隔壁１０３を得た。この隔壁１０３の高さは、１．５μｍであった。
次に、第三電極１０９を以下のように形成した。基板１０１上の第一電極１０２及び隔壁１０３を含む表示領域全面にスパッタ法を用いてＩＴＯ（インジウム−酸化錫）薄膜を５０ｎｍの膜厚で形成した。

次いでフォトリソグラフィ法によりパターニングを行った。成膜したＩＴＯの上にポジ型感光性レジスト（日本ゼオン製、ＺＥＰ５２０Ａ）を全面にスピンコートした。スピンコート条件として、４０００ｒｐｍで５０秒間回転させた後、ホットプレートにより１８０℃で５分間ベーキングを行い、レジスト膜を形成した。レジスト膜形成後に、第三電極１０９となる部分のみを残して露光、現像、洗浄を行いレジストパターンを形成した。

レジストパターン形成後、反応性イオンエッチングにより第三電極１０９の順テーパー上の端部を形成する。反応性ガスは、フッ素と酸素とを用い、フッ素ガスと酸素ガスとの混合ガスをチャンバー内に導入した。各流量を調整し、フッ素ガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、酸素ガスの流量を４００ｓｃｃｍとし、チャンバー内の圧力が１０Ｐａになるように調節を行った。また、高周波電源ら１３．５６ＭＨｚの高周波電力７００Ｗを印加した。第三電極１０９部以外のＩＴＯ膜がドライエッチングにより除去され、第三電極１０９と隔壁１０３表面の接触面のテーパー角度が１１０度となり、順テーパー形状の第三電極１０９が形成された。ドライエッチングの後、レジストの剥離を行った。

次に、この基板１０１を、例えば、アセトン、純水、ブラシ洗浄、超音波洗浄などの従来のウェットプロセスにより洗浄した。
次に、ＩＴＯの表面処理として、オーク製作所製ＵＶ／Ｏ_３洗浄装置を用いて隔壁１０３を形成した基板１０１に対して３分間紫外線照射を行った。ＩＴＯの仕事関数は、照射前の４．８ｅＶから５．３ｅＶに変化した。

次に、正孔輸送層１０４を形成した。正孔輸送層１０４の有機材料として、ポリエチレンジオキシチオフェン（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸（以下、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳと表記する。）の１ｗｔ％水分散液を、スリットコート法を用いて表示領域となる部分全面に成膜した。画素内のインキは、隔壁１０３近傍で厚膜となり、第三電極１０９上にも成膜され、第三電極１０９と隔壁１０３の接する端部を被覆するように成膜された。表示領域以外の余分な箇所に成膜されたインキは、ウエスで拭き取った。乾燥後の正孔輸送層１０４の膜厚は、５０ｎｍであった。

次に、インターレイヤ１０５の材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を濃度０．５％になるようにトルエンに溶解させたインキを、隔壁１０３に挟まれた正孔輸送層１０４の真上に、第一電極１０２及び第三電極１０９のラインパターンに一致するように、凸版印刷法で印刷した。画素内のインキは、隔壁１０３近傍で厚膜となり、第三電極１０９上にも成膜され、第三電極１０９と隔壁１０３の接する端部を被覆するように成膜された。乾燥後のインターレイヤ１０５の膜厚は、３０ｎｍであった。

次に、有機発光層１０６の材料として、ポリフェニレンビニレン誘導体を採用し、この材料がトルエンに溶解された有機発光インキを準備した。なお、有機発光インキの濃度が、１％になるように準備した。このインキを用いて、隔壁１０３に挟まれた第一電極１０２及び第三電極１０９上に、第一電極１０２及び第三電極１０９のラインパターンに一致するように、凸版印刷法を用いて発光層１０６を印刷した。画素内のインキは、隔壁１０３近傍で厚膜となり、第三電極１０９上にも成膜され、第三電極１０９と隔壁１０３の接する端部を被覆するように成膜された。乾燥後の発光層１０６の膜厚は、８０ｎｍであった。

次に、発光層１０６上にカルシウム膜とアルミニウム膜とからなる陰極層（第二電極１０７）をメタルマスクを用いてラインパターン状に形成した。具体的には、陰極層のラインパターンと第一電極１０２及び第三電極１０９のラインパターンとが直交するように、抵抗加熱蒸着法を用いて陰極層（第二電極１０７）を形成した。膜厚は、１００ｎｍであった。
その後、封止体１１０として、陰極層の上部を覆うようにガラス中央部が凹状に加工されたガラスを用いて封止を行った。ガラスの凹部には吸湿剤（図示せず）を設置し、封止環境による劣化を低減させた。

このように得られた有機ＥＬディスプレイパネルの表示部の周辺部には、第一電極１０２毎に接続されている陽極側の取り出し電極と、陰極層に接続されている陰極側の取り出し電極とが設けられている。これら取り出し電極を電源に接続し、有機ＥＬ表示装置を点灯かつ表示させ、点灯状態及び表示状態を確認した。
得られた有機ＥＬ表示装置を駆動し、表示確認を行ったところ、パネル輝度は２００ｃｄ／ｃｍ^２、寿命は初期輝度２００ｃｄ／ｃｍ^２で１０００ｈであった。画素内の発光を顕微鏡で観察すると、第一電極１０２上の発光画素に加えて、第三電極１０９上の発光画素も発光していた。

［比較例１］
比較例１においては、隔壁１０３形成後、第三電極１０９の形成を行わなかった。その他の条件は実施例１と同様である。
得られた有機ＥＬ表示素子を駆動し、表示確認を行ったところ、パネル輝度は１５０ｃｄ／ｃｍ^２、寿命は初期輝度２００ｃｄ／ｃｍ^２で７００ｈであった。画素内の発光を顕微鏡で観察すると、第一電極１０２上の発光画素のうち、隔壁１０３近傍の周辺部分は発光していなかった。

１００有機ＥＬ表示装置
１０１基板
１０２第一電極
１０３隔壁
１０３ａ内側面
１０４正孔輸送層
１０５インターレイヤ
１０６有機発光層
１０６Ｒ発光層
１０６Ｇ発光層
１０６Ｂ発光層
１０７第二電極
１０７ａ第二電極
１０７ｂ第二電極
１０８有機発光媒体層
１０９第三電極
１０９ａ端部
１０９ｂ端部
１１０封止体
１１１封止材
１１２樹脂層
２０１反射層
３００凸版印刷装置
３０１ステージ
３０２被印刷基板
３０３インキタンク
３０４インキチャンバ
３０５アニロックスロール
３０６ドクタ
３０７凸版
３０８版胴
３０９インキ層
Ａ端部
Ｂ中央部

Claims

基板と、前記基板上に形成された絶縁性の隔壁と、前記隔壁により区画された複数の画素領域内に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された、少なくとも有機発光層を含む有機発光媒体層と、前記有機発光媒体層上に形成された第二電極と、を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記隔壁の前記第一電極側を向く内側面に、導電性材料により形成された第三電極を有し、
前記第三電極の一方の端部は前記第一電極側に位置し、前記第三電極の他方の端部は前記第二電極側に位置し、
前記第三電極の前記一方の端部は、前記第一電極と接して導通していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
前記第三電極は、前記隔壁の前記内側面と、前記有機発光媒体層との間に形成され、かつ、隣り合う前記画素領域間において不連続に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
前記第一電極及び前記第三電極は、透光性を有し、
前記有機発光層から発光する光は、少なくとも前記第一電極側から取り出されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
前記隔壁の可視光透過率は、７０％以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
前記第三電極の前記他方の端部の厚みは、前記第一電極側から前記第二電極側に向かうにしたがって薄くなり、前記第三電極の前記他方の端部のシート抵抗は、前記第一電極側から前記第二電極側に向かうにしたがって高くなることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
前記有機発光媒体層のうち少なくとも１層は、ウェットコーティング法を用いて形成されたことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
前記有機発光媒体層のうち少なくとも１層は、前記第三電極の前記他方の端部を被覆するように形成されたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。