TWI534004B - 覆蓋膜 - Google Patents

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Description

覆蓋膜
本發明係關於一種覆蓋膜，其係使用於電子零件之包裝體。
伴隨電子設備之小型化，關於所使用之電子零件，小型高性能化日有進展，同時在電子設備之組裝步驟中，係在印刷基板上，進行零件的自動組裝。表面組裝用電子零件係收納於載體帶，該載體帶係配合電子零件之形狀，以熱成形連續地形成有袋部。在收納電子零件後，載體帶上面重疊作為蓋材之覆蓋膜，以經加熱的密封棒(seal bar)，在長度方向將覆蓋膜之兩端予以連續地熱封，製成包裝體。在覆蓋膜材方面，係使用在經二軸延伸的聚酯薄膜基材上，積層熱塑性樹脂之熱封層之物等。該載體帶方面，主要係使用熱塑性樹脂之聚苯乙烯或聚碳酸酯、聚酯製之物。
近年來，電容器或電阻器、IC、LED、連接器、開關元件等各式各樣的電子零件進行顯著的微小化、輕量化、薄型化，為了自該包裝體取出所收納的電子零件，在剝離覆蓋膜時，大致區分為下述2點之要求性能，比先前更日趨嚴格。首先，在自載體帶剝離覆蓋膜時，剝離強度之偏差小而穩定；第二，在剝離覆蓋膜時，因發生之靜電，使電子零件附著於覆蓋膜之熱封層，並產生組裝不良，這兩者不得發生。
關於該等要求性能，隨著收納之電子零件的微小化、輕量化，受到剝離時之震動，而使該電子零件跳開，或因靜電而被吸引至覆蓋膜並附著，在組裝步驟之問題一直易於產生。
另一方面，電子零件在收納於包裝體的狀態下，在檢查有無零件、零件收納方向、導線缺損或彎曲之情形。伴隨電子零件之小型化，在收納於包裝體之零件檢査，有必要使覆蓋膜具有高度透明性。
有提案一種覆蓋膜，其目的為對應該等之要求特性，藉由在熱封層添加氧化錫或氧化鋅等的導電性微粒，則可防止帶靜電，而抑制零件附著，且具有透明性的覆蓋膜(參照專利文獻1至3)。但是，在專利文獻1至3記載之構成，在剝離熱封於載體帶的覆蓋膜時，藉由使具有導電性的熱封層轉印於載體帶表面，而進行覆蓋膜之剝離，故在剝離後之熱封所在，不含導電材的中間層或者不含導電材的底塗層，成為覆蓋膜之最表層。因此，剝離後之覆蓋膜帶電，在極微小的電子零件，要獲得充分的附著抑制效果則有困難。
另一方面，有提案一種蓋材，其結構係在中間層與熱封層之間，設置添加導電性微粒或界面活性劑於聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂、丙烯酸樹脂等熱塑性樹脂的靜電擴散層，藉由：在中間層與靜電擴散層之層間進行剝離；或使靜電擴散層進行內聚破壞(cohesion failure)；或熱封層與靜電擴散層間之層間剝離、或靜電擴散層之內聚破壞、或者靜電擴散層與熱封層間之層間剝離，而抑制自載體帶剝離覆蓋膜時發生的靜電(參照專利文獻4)。但是，在專利文獻4中，雖就與載體帶之密封性良好的覆蓋膜加以研討，但就抑制剝離強度之偏差之方法，則無研討。
又，有提案一種覆蓋膜，其藉由在中間層與熱封層間設置抗靜電感應(electrostatic induction)層，而使剝離密封強度之偏差少，並抑制剝離帶電(專利文獻5)。但是，在專利文獻5，就構成中間層、抗靜電感應層、及封膠層之樹脂則並非明確，就剝離強度偏差並無提及。
再者，亦有提案一種覆蓋膜，其係依照經由薄膜基材層與接著劑層而貼合的中間層、熱封層、及靜電擴散層之順序予以積層之物(專利文獻6)。但是，即使該構成，因在中間層與熱封層之間產生剝離，故殘留著與專利文獻1至3記載之構成之情形相同之不良影響。
如上述，在先前之覆蓋膜，會有無法消除因靜電發生所致組裝不良之情形，又，在可充分對應於最近之輕量化、收納已小型化的電子零件的載體帶體之高速剝離程度，減低剝離強度之偏差仍有困難。
又，在收納電子零件的包裝體方面，為了除去含於封閉樹脂之水分，則有必要進行烘焙處理。為了提高此種電子零件之量產性，有必要提升烘焙溫度，並縮短烘焙之時間，在最近，將覆蓋膜熱封於載體帶之狀態下，係持續進行例如在60℃之環境下72小時或80℃之環境下24小時左右之烘焙處理。此種情形，造成在覆蓋膜之熱封面上附著電子零件，會有在基板上組裝零件時，產生組裝不良之情形。但是，先前就此種零件附著之問題，則無充分地考慮。
先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]日本特開平8-258888號公報
[專利文獻2]日本特開2002-283512號公報
[專利文獻3]日本特開2006-232405號公報
[專利文獻4]日本特開平7-223674號公報
[專利文獻5]日本特開2005-178073號公報
[專利文獻6]日本特開平9-216317號公報
本發明係鑑於該情事而完成者，其主要課題在於提供一種覆蓋膜，可至少部分地消除伴隨先前覆蓋膜的不良影響。
更具體言之，本發明的課題係提供一種覆蓋膜，其係與聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚酯等之載體帶之組合使用的覆蓋膜，其可使為了取出電子零件而剝離覆蓋膜時之剝離強度偏差小，且即使在高速之剝離亦難以產生覆蓋膜之斷裂，進一步可充分地抑制在剝離時發生之靜電，因而即使在將微小且輕量的電子零件收納於載體帶之情形，亦可抑制剝離覆蓋膜時之震動或靜電所致電子零件之跳開或拾取(pickup)不良、因烘焙處理所致零件附著等之組裝步驟之問題。
本發明人等，就前述課題經戮力研討，結果首先發現藉由在以中間層及丙烯酸系樹脂作為主成分而成之熱封層之間，以特定樹脂作為主成分而成，且設置含有導電材的剝離層，則可獲得可克服本發明課題之覆蓋膜，因而完成本發明。
亦即，在本發明之一態樣係提供一種覆蓋膜，其特徵為至少含有基材層(A)、中間層(B)、剝離層(C)及可熱封於載體帶之熱封層(D)，中間層(B)係含有使用金屬茂觸媒聚合而成的拉伸彈性模數(tensile modulus of elasticity)為200MPa以下之直鏈低密度聚乙烯作為主成分；剝離層(C)係含有導電材，同時含有芳香族乙烯基之含量為15至35質量%之芳香族乙烯-共軛二烯共聚物之氫化樹脂作為主成分而成。
在前述之一實施態樣，剝離層(C)之芳香族乙烯共軛二烯共聚物之氫化樹脂，係苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物之氫化樹脂，或者苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物之氫化樹脂，較佳為具有0.890至0.920×103(kg/m3)之密度、及/或50,000至150,000之質量平均分子量。
在熱封層(D)之熱塑性樹脂方面，可適當使用丙烯酸系樹脂，在一實施態樣中，玻璃轉移溫度為45至80℃，於一例中係使用為50至75℃之丙烯酸系樹脂。
再者，在其他實施態樣，導電材係導電性微粒，形狀由針狀、球狀之微粒中任一種或該等之組合所組成。例如導電材係碳奈米材料，或針狀微粒之銻摻雜氧化錫。導電材亦可使之含於熱封層(D)中。在本發明，在剝離熱封於載體帶的覆蓋膜時，無論剝離哪一部分進行，在中間層(B)與剝離層(C)之層間，剝離層(C)與熱封層(D)之層間中任一部分，或其兩者中進行均可，在一例中係在剝離層(C)與熱封層(D)之層間進行。
在一實施態樣，該剝離層(C)及/或熱封層(D)之表面電阻率為1×104至1×1012Ω。進一步在本發明亦包含電子零件包裝體，其係將前述覆蓋膜使用作為載體帶之蓋材，該載體帶係以熱塑性樹脂作為主成分。
根據本發明，中間層(B)及剝離層(C)係各自使用特定之樹脂，形成覆蓋膜，同時，因在剝離層(C)含有導電材，故即使在載體帶中收納微小且輕量的電子零件之情形，亦不會產生剝離時因覆蓋膜之帶電所致電子零件之跳開等組裝步驟之問題。又，根據本發明之一態樣，在取出電子零件時，剝離覆蓋膜時之剝離強度之偏差可予以減少，可充分對應於載體帶體之高速剝離，又有可防止烘焙處理所致的零件附著的效果。
本發明之覆蓋膜，係依照至少含有基材層(A)、中間層(B)、剝離層(C)、熱封層(D)之順序而成。本發明覆蓋膜構成之一例係如第1圖所示。
基材層(A)係由二軸延伸聚酯、或者二軸延伸耐綸所組成之層，可特佳使用二軸延伸聚對酞酸乙二酯(PET)、二軸延伸聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、經二軸延伸的6,6-耐綸、6-耐綸、經二軸延伸的聚丙烯。在二軸延伸PET、二軸延伸PEN、二軸延伸6,6-耐綸、二軸延伸6-耐綸、二軸延伸聚丙烯方面，除了通常使用之物以外，可使用抗靜電處理用之抗靜電劑塗布或揉合之物，或者實施電暈處理或易接著處理等之物。基材層過薄時，因覆蓋膜本身之拉伸強度變低，故在剝離覆蓋膜時，「薄膜之斷裂」易於發生。一方面，過厚時，則不僅招致相對於載體帶之熱封性降低，且招致成本上升，通常可適當使用12至25μm厚度之物。
本發明中，在基材層(A)單面可依照需要經由接著劑層，積層中間層(B)而設置。構成中間層(B)之樹脂，較佳是熱塑性樹脂，具有柔軟性，且具有適度之剛性，在常溫之撕裂強度優異之物，在此種樹脂方面，以金屬茂系觸媒聚合的直鏈狀低密度聚乙烯(以下稱為m-LLDPE)，因可控制分子量分布為狹窄，尤其是因具有高撕裂強度故可選擇，其中，使用JIS K 6251之啞鈴狀試驗片1號型，以拉伸速度100mm/分測定薄膜之流動方向，並使用由3%至6%變形量時之拉伸應力變化所計算的拉伸彈性模數為200MPa以下之物。中間層(B)係在載體帶熱封覆蓋膜時，在熱鏝(trowel)接觸覆蓋膜時，緩和鏝壓之偏差，又，藉由使基材層及剝離層均勻地接著，而在剝離覆蓋膜時，則有抑制剝離強度偏差之效果。但是，在拉伸彈性模數超過200MPa之情形，構成中間層之m-LLDPE與構成剝離層(C)之芳香族乙烯-共軛二烯共聚物之氫化樹脂之接著呈不均勻，在剝離覆蓋膜時，招致剝離強度之偏差。
又，構成中間層(B)之m-LLDPE之拉伸彈性模數小於70MPa時，中間層(B)與基材層(A)及剝離層(C)之接著呈均勻，但是在熱封覆蓋膜時受到熱鏝所致的熱或壓力，而易於產生自覆蓋膜端部至中間層樹脂之突出，露出的樹脂附著於熱鏝，因此有產生熱封不良之虞。又，由於中間層易於變形，故易於產生斷裂，結果會有引起覆蓋膜本身斷裂之情形。
上述m-LLDPE，作為共單體係碳數3以上之烯烴、較佳為碳數3至18之直鏈狀、分支狀、以芳香核所取代之α-烯烴與乙烯之共聚物。直鏈狀之單烯烴方面，可例舉例如丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯等。又，在分支狀單烯烴方面，可例舉例如3-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、2-乙基-1-己烯等。又，以芳香核所取代之單烯烴方面，可例舉苯乙烯等。該等共單體係單獨或組合2種以上，並可與乙烯共聚。在該共聚中，亦可將丁二烯、異戊二烯、1,3-己二烯、二環戊二烯、5-亞乙基-2-降莰烯等聚烯類予以共聚。其中，使用1-己烯、1-辛烯作為共單體之物，由於拉伸強度強，又在成本面亦優異，故可適當使用。
該中間層(B)之厚度一般為5至50μm，較佳為10至40μm。中間層(B)之厚度小於5μm，則會有基材層(A)與中間層(B)間之接著強度不充分之虞，又，在將覆蓋膜熱封於載體帶時，難以獲得緩和熱鏝之接觸不均效果。一方面，超過50μm時，因覆蓋膜之總厚較厚，故在熱封覆蓋膜於載體帶時，要獲得充分的剝離強度有困難。
本發明之覆蓋膜，係在該中間層(B)與熱封層(D)之間，設置以熱塑性樹脂作為主成分之剝離層(C)。使用於該剝離層(C)之熱塑性樹脂，係芳香族乙烯基之含量為15至35質量%之芳香族乙烯-共軛二烯共聚物之氫化樹脂。
本發明之覆蓋膜，一例是在剝離層(C)與熱封層(D)之層間進行剝離，不過芳香族乙烯基之含量小於15質量%時，雖與構成中間層(B)之m-LLDPE之接著性為良好之物，但與熱封層(D)之接著性並非充分，無法獲得作為覆蓋膜之必要的剝離強度。一方面，芳香族乙烯基之含量超過35質量%時，因熱封時熱鏝所致的熱之變化，而使剝離層(C)與熱封層(D)之接著性易於急遽地變化，要獲得作為目的之剝離強度變的困難，又，在剝離覆蓋膜時，易於產生剝離強度之偏差。
構成剝離層(C)之芳香族乙烯-共軛二烯共聚物之氫化樹脂方面，有苯乙烯-共軛二烯嵌段共聚物之氫化樹脂，例如苯乙烯-丁二烯二嵌段共聚物之氫化樹脂、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物之氫化樹脂、苯乙烯-異戊二烯二嵌段共聚物之氫化樹脂、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物之氫化樹脂、苯乙烯-丁二烯無規共聚物之氫化樹脂、苯乙烯-異戊二烯無規共聚物之氫化樹脂等。尤其是，更佳可使用苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物之氫化樹脂、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物之氫化樹脂。該等三嵌段共聚物之氫化樹脂，與熱封層(D)之接著力為穩定，且自剝離層之拉伸斷裂強度高的載體帶，剝離覆蓋膜時，因難以產生剝離層本身之破壞，故易於產生剝離層(C)與熱封層(D)間之穩定的剝離，可更減小剝離強度偏差。使用於該剝離層(C)之芳香族乙烯-共軛二烯共聚物之氫化樹脂之密度為0.890至0.920×103(kg/m3)之範圍，較佳為0.905至0.920×103(kg/m3)之範圍。又，質量平均分子量在50,000至150,000之間，在超出前述密度與質量平均分子量之範圍之情形，則難以獲得充分的密封特性。
剝離層(C)之厚度通常為0.1至3μm，較佳為0.1至1.5μm之範圍。剝離層(C)之厚度小於0.1μm時，在將載體帶熱封於覆蓋膜時，會有無法顯示充分的剝離強度之情形。一方面，在剝離層(C)之厚度超過3μm之情形，剝離覆蓋膜時恐有產生剝離強度偏差之虞。此外，如後述，該剝離層(C)及熱封層(D)，通常係由塗膜所形成，在以塗膜法形成之情形，在此所謂厚度係指乾燥後之厚度。
在剝離層(C)，含有導電材，較佳為含有導電性微粒，其表面電阻率較佳係構成成為1×104至1×1012Ω。在導電性微粒方面，可例舉導電性氧化錫粒子、導電性氧化鋅粒子、導電性氧化鈦粒子等。其中，摻雜了銻或磷、鎵的氧化錫，顯示高導電性，且透明性降低少，故可更適當使用。導電性氧化錫粒子、導電性氧化鋅粒子、導電性氧化鈦粒子可使用球狀、或針狀之物，或者該等之混合物。尤其是，在使用摻雜了銻的針狀氧化錫之情形，可獲得具有特別良好的抗靜電性能之覆蓋膜。相對於構成剝離層(C)之熱塑性樹脂100質量份，導電性微粒之添加量通常為100至1000質量份、較佳為200至800質量份。導電性微粒之添加量小於100質量份之情形，恐有無法獲得覆蓋膜之熱封層(D)側之表面電阻率為1012Ω以下之物之虞，在超過1000質量份時，由於減少相對的熱塑性樹脂之量，恐有要獲得熱封所致之充分剝離強度造成困難之虞，又，招致成本之上升。
在剝離層(C)，導電材亦可含有碳奈米管、碳奈米纖維之至少一種之碳奈米材料。其中，較佳為縱橫比10至10000之碳奈米管。相對於構成層之熱塑性樹脂100質量份，對剝離層(C)之碳奈米材料之添加量為0.5至15質量份、較佳為3至10質量份。添加量小於0.5質量份之情形，則無法充分獲得碳奈米材料之添加所致提供導電性之效果，一方面，超過15質量份時，不僅招致成本之上升，而且招致覆蓋膜透明性之降低，故隔著覆蓋膜檢査收納零件造成困難。
本發明之覆蓋膜，係在剝離層(C)之表面上形成以熱塑性樹脂作為主成分之熱封層(D)。熱封層(D)之熱塑性樹脂方面，可例舉丙烯系樹脂、聚酯系樹脂、苯乙烯系樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂等。其中，丙烯酸系樹脂對於構成載體帶之材料的聚苯乙烯、聚碳酸酯、及聚酯樹脂等之熱封性極其優異。特佳為使用玻璃轉移溫度45至80℃之樹脂，更佳為50至75℃之丙烯酸系樹脂。構成熱封層(D)之丙烯酸系樹脂方面，有丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯等之丙烯酸酯；甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸環己酯等之甲基丙烯酸酯等，含有50質量%以上之至少一種以上丙烯酸殘基的樹脂，亦可為將該等二種以上予以共聚的樹脂。
熱封層(D)之厚度較佳為0.1至5μm、更佳為0.1至3μm、再佳為0.1至1.5μm之範圍。熱封之厚度小於0.1μm之情形，會有在(D)熱封中，熱封層對於載體帶無法顯示充分的剝離強度之虞。一方面，熱封層之厚度在超過5μm之情形，不僅招致成本之上升，而且在剝離覆蓋膜時，會有產生剝離強度之偏差之情形。
再者，在本發明之適當實施態樣之覆蓋膜中，係在熱封層(D)中添加無機填料。本發明之覆蓋膜係如前述，在裝入電子零件的載體帶表面經熱封的狀態下，為了除去含於封閉樹脂的水分，故在60℃之環境下72小時、或80℃之環境下24小時左右之條件下，會經烘焙處理，在此種情形，若使為內容物之電子零件接著於覆蓋膜時，則在剝離覆蓋膜而組裝電子零件之步驟下成為問題。在本發明之覆蓋膜，由於剝離覆蓋膜時剝離強度之偏差小，且可在60至80℃般之高溫下進行內容物對電子零件之熱封層(D)之黏著性之控制，故可相當地消除此種電子零件附著之問題，不過若添加無機填料於熱封層(D)時，則可更確實達成其抗附著效果。在此所添加的無機填料，只要有意的達成上述抗附著，則任意之物均可，可例舉例如球狀或粉碎形狀之滑石粒子、二氧化矽粒子、氧化鋁粒子、雲母粒子、碳酸鈣、碳酸鎂等。又，為了維持覆蓋膜之透明性，則無機填料係製成中值徑(D50)小於200nm之物，使其例如含有10至50質量份。
再者，在本發明之覆蓋膜，係在剝離層(C)含有導電材，不過在一實施態樣中，於熱封層(D)亦含有導電材，其表面電阻率較佳為構成成為1×104至1×1012Ω。含有之導電材之種類或其量，就含於剝離層(C)之情形，亦與前述之物相同。
製作上述覆蓋膜之方法並無特別限定，可使用一般的方法。例如事先將聚胺基甲酸酯、聚酯、聚烯烴、聚伸乙亞胺等接著劑塗布於基材層(A)之例如二軸延伸聚酯之薄膜表面，藉由將成為中間層(B)之以m-LLDPE作為主成分之樹脂組成物，自T模擠壓，塗膜於增黏劑之塗布面，而製成由基材層(A)與中間層(B)所成的二層薄膜。再者，亦可將本發明之剝離層(C)以例如凹版塗布機、逆塗布機、吻合塗布機、氣刀塗布機、麥耶棒塗布機、浸漬式塗布機等而塗膜於中間層(B)之表面。在該情形，於塗膜之前，較佳是預先將中間層(B)之表面進行電暈處理或臭氧處理，特佳為電暈處理。再者，在塗布於中間層(B)之剝離層(C)之上，藉由將構成熱封層(D)之樹脂組成物，以例如凹版塗布機、逆塗布機、吻合塗布機、氣刀塗布機、麥耶棒塗布機、浸漬式塗布機等塗膜，則可獲得作為目的之覆蓋膜。
在其他方法方面，將中間層(B)預先以T模鑄製法、或者膨脹(inflation)法等製膜，使其與基材層(A)，以經由聚胺基甲酸酯、聚酯、聚烯烴等之接著劑予以接著之乾貼合法，而可獲得由基材層(A)與中間層(B)所組成薄膜，藉由在該中間層(B)表面塗布剝離層(C)與熱封層(D)，而可獲得作為目的之覆蓋膜。
再者其他方法，即使根據砂積層法，亦可獲得作為目的之覆蓋膜。亦即，將構成第一中間層的薄膜以T模鑄製法、或者膨脹法等製膜。接著，在該第一中間層之薄膜與基材層(A)之薄膜之間，供給以已熔融的m-LLDPE作為主成分之樹脂組成物，形成第二中間層並予積層，在獲得作為目的之覆蓋膜之基材層(A)、與由第一中間層及第二中間層所組成之中間層(B)所構成的薄膜後，進一步在中間層(B)側之表面塗布剝離層(C)與熱封層(D)，可獲得作為目的之薄膜。即使在該方法之情形亦與前述方法相同，一般是使用在積層基材層(A)之薄膜之側之面，使用塗膜有接著劑之物。
除了前述步驟以外，可依照需要在覆蓋膜之至少單面，進行抗靜電處理。抗靜電劑方面，可藉由使用凹版輥的輥塗布機或擋邊塗布機(lip coater)、噴灑等，將例如陰離子系、陽離子系、非離子系、甜菜鹼(betaine)系等之界面活性劑型抗靜電劑或高分子型抗靜電劑及導電材等塗布。又，為了均勻塗布該等之抗靜電劑，則在進行抗靜電處理之前，較佳係在薄膜表面進行電暈放電處理或臭氧處理，特佳為電暈放電處理。
覆蓋膜可作為屬電子零件之收納容器的載體帶之蓋材使用。載體帶係指具有用以收納電子零件之凹洞的寬8mm至100mm左右之帶狀物。在將覆蓋膜作為蓋材予以熱封之情形，構成載體帶之材質並無特別限定，亦可使用市售之物，可使用例如聚苯乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚二氯乙烯等。在熱封層使用丙烯酸系樹脂之情形，可適當使用與聚苯乙烯及聚碳酸酯之載體帶之組合。載體帶可使用：藉由將碳黑或碳奈米管於樹脂中揉合，而提供導電性之物；使陽離子系、陰離子系、非離子系等界面活性型之抗靜電劑或聚醚酯醯胺等之持續性抗靜電劑揉合之物；或者藉由塗布塗膜液於表面，而提供抗靜電性之物，該塗膜液係將界面活性劑型之抗靜電劑或聚吡咯、聚噻吩等之導電物分散於丙烯酸等有機黏合劑之物。
收納電子零件的包裝體，例如在載體帶之收納電子零件用之凹洞中收納電子零件等後，使覆蓋膜作為蓋材，使用熱鏝連續地熱封覆蓋膜之長度方向之兩緣部，予以包裝，藉由捲繞於捲軸而可獲得。藉由包裝於該形態，則可進行電子零件等的保管、搬送。本發明之包裝體，可使用於連接器、IC、二極體、電晶體、電容器、電阻器、LED等各種電子零件之收納及搬送，尤其是厚度在1mm以下尺寸之LED或電晶體、二極體等之電子零件中，可大幅抑制組裝電子零件時之問題。收納有電子零件等的包裝體，係使用設置於載體帶長度方向之緣部的載體帶搬送用之稱為鏈齒孔的孔，一面搬送，同時可間斷地剝離覆蓋膜，藉由零件組裝裝置，而可確認電子零件等之存在、方向、位置，同時進行取出、對基板之組裝。
再者，在將覆蓋膜撕去時，若剝離強度太小時，則恐有自載體帶剝離，使收納零件脫落之虞，太大時，則與載體帶之剝離變得困難，同時因剝離覆蓋膜時恐有造成斷裂之虞，故在120至220℃熱封之情形，以具有0.05至1.0N、較佳為具有0.1至0.7N之剝離強度，且關於剝離強度之偏差，為0.4N，較佳為低於0.3N之物。
[實施例]
茲藉由實施例詳細說明本發明如下，但本發明並非限定於該等。
<使用的原料>
在實施例及比較例中，在基材層(A)、中間層(B)、剝離層(C)及熱封層(D)係使用以下原料。中間層(B)之拉伸彈性模數，係使用JIS K 6251之啞鈴狀試驗片1號型，以拉伸速度100mm/分測定薄膜之流動方向，由變形量3%至6%時之拉伸應力變化所計算之值。
(基材層(A))
(a-1)二軸延伸聚對酞酸乙二酯薄膜(東洋紡公司製)，厚度12μm(中間層(B))
(b-1)m-LLDPE1：LL-UL(Futamura化學公司製)，厚度40μm，拉伸彈性模數80MPa，熔點103℃
(b-2)m-LLDPE2：LL-XUMN(Futamura化學公司製)，厚度40μm，拉伸彈性模數125MPa，熔點116℃
(b-3)m-LLDPE3：Kernel KF270(日本聚乙烯公司製)，厚度40μm，拉伸彈性率130MPa，熔點108℃
(b-4)m-LLDPE4：Kernel KF271(日本聚乙烯公司製)，厚度40μm，拉伸彈性模數190MPa，熔點102℃
(b-5)m-LLDPE5：HR543(KF薄膜公司製)，厚度30μm，拉伸彈性模數206MPa，熔點123℃
(b-6)m-LLDPE6：SE620M(Tamapoly公司製)，厚度40μm，拉伸彈性模數255MPa，熔點127℃
(b-7)m-LLDPE7：Kernel KF360T(日本聚乙烯公司製)，厚度40μm，拉伸彈性模數65MPa，熔點90℃
(b-8)m-LLDPE8：UL-1(Tamapoly公司製)，厚度40μm，拉伸彈性模數150MPa，熔點108℃
(剝離層(C)之樹脂)
(c-1)樹脂：Tuftec H1041(旭化成化學品公司製)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物之氫化樹脂(SEBS)，苯乙烯比率30質量%，密度0.914，質量平均分子量78,000
(c-2)樹脂：Tuftec H1062(旭化成化學品公司製)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物之氫化樹脂(SEBS)，苯乙烯比率18質量%，密度0.890，質量平均分子量100,000
(c-3)樹脂：Septon 2007(KURARAY公司製)，苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物(SEPS)之氫化樹脂，苯乙烯比率30質量%，密度0.914，質量平均分子量89,000
(c-4)樹脂：Clayton G1651(日本Clayton聚合物公司製)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物之氫化樹脂(SEBS)，苯乙烯比率33質量%，密度0.915，質量平均分子量100,000
(c-5)樹脂：Tuftec H1051(旭化成化學品公司製)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物之氫化樹脂(SEBS)，苯乙烯比率42質量%，密度0.931，質量平均分子量85,000
(c-6)樹脂：Tuftec H1221(旭化成化學品公司製)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物之氫化樹脂(SEBS)，苯乙烯比率12質量%，密度0.887，質量平均分子量100,000
(c-7)樹脂：Septon 8007(KURARAY公司製)，苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物(SEPS)之氫化樹脂，苯乙烯比率30質量%，密度0.914，質量平均分子量90,000
(c-8)樹脂：Tuftec H1052(旭化成化學品公司製)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物之氫化樹脂(SEBS)，苯乙烯比率20質量%，密度0.894，質量平均分子量85,000
(在剝離層(C)中調配的導電材)
(c-9)導電材：FSS-10T(石原產業公司製)，針狀銻摻雜氧化錫，數量平均長徑2μm，甲苯分散型
(c-10)導電材：SNS-10T(石原產業公司製)，球狀銻摻雜氧化錫，中值徑(D50)100nm，甲苯分散型
(c-11)導電材：DCNT-263D-1(大同塗料公司製)，碳奈米管，直徑10至20nm，數量平均長徑0.1至10μm
(熱封層(D)之樹脂)
(d-1)丙烯酸樹脂1：Dianal BR-113(三菱Rayon公司製)，玻璃轉移溫度75℃，質量平均分子量30,000
(d-2)丙烯酸樹脂2：Dianal BR-116(三菱Rayon公司製)，玻璃轉移溫度50℃，質量平均分子量60,000
(熱封層(D)之調配劑)
(d-3)無機填料：MEK-ST-ZL(日產化學公司製)，二氧化矽填料之1-丁酮溶液，固體成分濃度30質量%，二氧化矽填料之中值徑(D50)100nm
(d-4)導電材：FSS-10T(石原產業公司製)，針狀銻摻雜氧化錫，數量平均長徑2μm，甲苯分散型
<實施例1>
在厚度12μm之二軸延伸聚酯薄膜之表面，藉由凹版法塗膜聚酯系之增黏劑後，將以金屬茂觸媒聚合的由[(b-1)m-LLDPE1]所成之厚度40μm之薄膜以乾層合法積層，獲得由二軸延伸聚酯層與m-LLDPE層所成之積層薄膜。在該薄膜之m-LLDPE面實施電暈處理後，混合溶解於環己烷的[(c-1)樹脂]與銻摻雜氧化錫分散液[(c-9)導電材]，以使固體成分比成為(c-1)：(c-9)=100：300質量份，在實施該電暈處理的面上，以凹版法塗膜使乾燥厚度成為0.4μm的厚度，並形成剝離層。再者，在剝離層之塗膜面上，混合熱封層中[(d-1)丙烯酸樹脂]與(d-3)之二氧化矽填料以使固體成分質量比成為(d-1)：(d-3)=80：20，藉由利用凹版法塗膜以1-丁酮稀釋的溶液，以使乾燥後厚度成為1.2μm，獲得具有抗靜電性能的覆蓋膜(使用於各層的樹脂如表1所示)。
<實施例2、5至7、9，比較例1至5>
除了中間層、剝離層、及熱封層係使用表1、表2及表3記載的樹脂等原料來形成以外，其他則與實施例1相同，來製作覆蓋膜。
<實施例3>
自T模擠壓以金屬茂觸媒聚合的由[(b-3)m-LLDPE3]所組成之樹脂，獲得厚度40μm之薄膜。在厚度12μm之二軸延伸聚酯薄膜之表面，以凹版法塗膜聚酯系之增黏劑後，將事先擠壓而得的由[(b-3)m-LLDPE3]所成之厚度40μm之薄膜以乾層合法積層，獲得由二軸延伸聚酯層及m-LLDPE層所成之積層薄膜。在該薄膜之m-LLDPE面實施電暈處理後，混合溶解於環己烷的[(c-1)樹脂]與銻摻雜氧化錫分散液[(c-9)導電材]，以使固體成分比(質量比)成為(c-1)：(c-9)=100：300，在實施該電暈處理之面上，以凹版法塗膜，以使乾燥厚度成為0.4μm的厚度，並形成剝離層。再者，在剝離層之塗膜面上，混合熱封層中之[(d-1)丙烯酸樹脂]與(d-3)之二氧化矽填料以使固體成分質量比成為(d-1)：(d-3)=80：20，藉由利用凹版法塗膜以1-丁酮稀釋的溶液，以使乾燥後厚度成為1.2μm，獲得具有抗靜電性能的覆蓋膜(使用於各層的樹脂如表1所示)。
<實施例4、8>
除了中間層、剝離層、及熱封層係使用表1及表2記載樹脂等之原料來形成以外，其他則與實施例3同樣地，製作覆蓋膜。
<比較例6>
在厚度12μm之二軸延伸聚酯薄膜之表面，藉由凹版法塗膜聚酯系之增黏劑後，將以金屬茂觸媒聚合的由[(b-2)m-LLDPE2]所組成的厚度40μm之薄膜以乾層合法積層，獲得由二軸延伸聚酯層與m-LLDPE層所組成之積層薄膜。在該薄膜之m-LLDPE面實施電暈處理後，將溶解於環己烷的[(c-1)樹脂]，在實施該電暈處理之面上，以凹版法塗膜，以使乾燥厚度成為0.4μm的厚度，來形成剝離層。再者，在剝離層之塗膜面上，相對於熱封層中[(d-1)丙烯酸樹脂與[(d-3)二氧化矽填料]之固體成分質量比為(d-1)：(d-3)=80：20之合計100質量份，添加以使(d-4)導電材之固體成分比成為300質量份後，以凹版法塗膜以1-丁酮稀釋的溶液使乾燥後厚度成為1.2μm，而獲得具有抗靜電性能之覆蓋膜(使用於各層的樹脂如表3所示)。
<評價試驗1>
就實施例1至9及比較例1至6製作的電子零件之載體帶用覆蓋膜，進行下述所示評價。該等結果各自在表1至表3中表示。
(1)剝離強度之偏差
使用捆紮(taping)機(澀谷工業公司，ETM-480)，在密封頭寬0.5mm×2、密封頭長32mm、密封壓力0.1MPa、饋送長4mm、密封時間0.1秒×8次之條件下，將9.5mm寬之覆蓋膜熱封，以成為對於12mm寬之聚碳酸酯製載體帶(電化學工業公司製)之平均剝離強度為0.40N。在溫度23℃、相對濕度50%之環境下，放置24小時後，在相同溫度23℃、相對濕度50%之環境下，以每分300mm之速度、剝離角度170至180°，測定以100mm分的速度剝離覆蓋膜時之剝離強度偏差(最大值與最小值之差)。剝離強度之偏差為0.2N以下之物以「優」表示、在0.2至0.3N之範圍之物以「良」表示、大於0.3N之物以「不良」表示。此外，即使熱鏝之溫度200℃，在平均剝離強度小於0.4N時，則以「未評價」表示。
(2)覆蓋膜之剝離帶電壓
以前述之(1)之條件，對於聚碳酸酯製載體帶(電化學工業公司製)，進行熱封，以使剝離強度成為0.40N。在溫度23℃、相對濕度50%之環境下，將覆蓋膜與前述(1)同條件下，以50mm分的速度剝離後，使用電壓計(MONROE ELECTRONICS ISOPROBE ELECTROSTATIC VOLTMETER MODEL 279)，測定覆蓋膜之熱封面之帶電電壓。又，關於剝離強度不足0.4N之物則以「未評價」表示。
(3)低溫密封性
與前述(1)相同，使用捆紮機(澀谷工業公司，ETM-480)，在密封頭寬0.5mm×2、密封頭長32mm、密封壓力0.1MPa、饋送長4mm、密封時間0.1秒×8次下，進行熱封，熱鏝溫度小於160℃且平均剝離強度為0.40N之物以「優」表示、熱鏝溫度160℃以上至小於200℃且平均剝離強度為0.40N以「良」表示、為使平均剝離強度成為0.40N，則使熱鏝溫度為200℃以上之物以「不良」表示。
(4)剝離強度之隨時間變化
以與前述(1)相同條件，進行熱封，以使對於聚碳酸酯製載體帶之平均剝離強度成為0.40N。將熱封品在60℃之環境放置7天後，與前述(1)相同條件，測定剝離強度，平均剝離強度為0.30N以上之物以「優」表示、平均剝離強度在0.20至0.30N之範圍之物以「良」表示、由於無法使平均剝離強度成為0.40N之熱封，故就無法評價之物，以「未評價」表示。
(5)表面電阻率
使用三菱化學公司之Hiresta UP MCP-HT450，以JIS K 6911之方法，在溫度23℃、相對濕度50%之環境，以外加電壓10V測定覆蓋膜之熱封層表面之表面電阻值。結果如表1至表3之表面電阻率之欄所示。另外，各表中「E」後續之數字表示指數之位數，例如「5.6E+08」係5.6×108之意。
(6)斷裂強度
與前述(1)相同之條件，進行熱封，以使對於聚碳酸酯製載體帶之平均剝離強度成為0.50N。在熱封品500mm分之載體帶底面黏貼兩面黏著帶，並黏貼於垂直的壁上。如第3圖所示，以50mm分的速度剝離覆蓋膜，安裝1kg之負荷使之落下，並測定覆蓋膜有無斷裂。試驗點數為10點。由於無法進行平均剝離強度成為0.40N之熱封，故就無法評價之物，以「未評價」表示。
<實施例10>
在厚度12μm之二軸延伸聚酯薄膜之表面，以凹版法塗膜聚酯系之增黏劑後，以乾層合法將以金屬茂觸媒聚合而成的由[m-LLDPE1]所成之厚度40μm之薄膜予以積層，獲得由二軸延伸聚酯層及m-LLDPE層所組成之積層薄膜。在該薄膜之m-LLDPE面實施電暈處理後，混合以環己烷所溶解的[(c-1)樹脂]及銻摻雜氧化錫分散液[(c-9)導電材]，以使固體成分比成為(c-1)：(c-9)=100：300質量份，在實施前述電暈處理的面上，以凹版法塗膜以使乾燥厚度成為0.4μm厚度，製成剝離層。再者，在剝離層之塗膜面上，熱封層係混合[(d-1)丙烯酸樹脂]及[(d-3)無機填料]，以使固體成分質量比成為(d-1)：(d-3)=100：50，藉由以凹版法塗膜溶解於MEK的溶液，以使乾燥後之厚度成為1.0μm，而獲得具有抗靜電性能的載體帶用覆蓋膜。
<實施例11至16、比較例8至10>
除了中間層、剝離層、及熱封層係使用表4及表5記載之樹脂等原料形成以外，其他則與實施例10同樣地，製作覆蓋膜。
<比較例7>
除了不設置中間層，並在厚度50μm之基材層上依順序形成剝離層及熱封層以外，其他則與實施例10同樣地，製作覆蓋膜。
<比較例11>
除了在剝離層不添加導電材，並添加於熱封層以外，其他則與實施例10同樣地，製作覆蓋膜。
<比較例12>
除了不設置剝離層，並使用表5記載之樹脂等原料形成中間層及熱封層以外，其他則與實施例10同樣地製作覆蓋膜。
<比較例13>
除了不設置熱封層，並使用表5記載之樹脂等之原料，形成中間層及剝離層以外，其他則與實施例10同樣地製作覆蓋膜。
<評價試驗2>
關於在實施例10至16及比較例7至13製作的電子零件之載體帶用覆蓋膜，係進行下述所示評價。該等之結果各自在表4至表5中表示。
(1)霧值
依照JIS K 7105：1998之測定法A，使用積分球式測定裝置測定霧值。就無法獲得薄膜製膜性顯著惡化的薄膜，無法評價霧值之物，則以「未評價」表示。結果如表4至表5霧值之欄所示。
(2)密封性
使用捆紮機(澀谷工業公司，ETM-480)，以密封頭寬0.5mm×2、密封頭長32mm、密封壓力0.1MPa、饋送長4mm、密封時間0.1秒×8次，在密封鏝溫度140℃至190℃，以10℃間隔，將5.5mm寬之覆蓋膜熱封於8mm寬之聚碳酸酯製載體帶(電化學工業公司製)、及聚苯乙烯製載體帶(電化學工業公司製)。在溫度23℃、相對濕度50%之環境下放置24小時後，以相同溫度23℃、相對濕度50%之環境下，以每分300mm之速度、剝離角度170至180°剝離覆蓋膜，在密封鏝溫度140℃至190℃，以10℃間隔進行熱封時之平均剝離強度在0.3至0.9N之範圍之物以「優」表示，雖有平均剝離強度成為0.3至0.9N之區域之密封鏝溫度範圍，不過密封鏝溫度140℃至190℃為止，以10℃間隔進行熱封時的平均剝離強度超出0.3至0.9N範圍之密封鏝溫度範圍之物以「良」表示，即使在任意密封鏝溫度中平均剝離強度也不在0.3至0.9N之區域內之物以「不良」表示。結果如表4及表5之密封性之欄所示。
(3)剝離強度之偏差
進行熱封，以使相對於聚苯乙烯製載體帶(電化學工業公司製)之剝離強度為0.4N。覆蓋膜係與前述(2)密封性相同條件下剝離。在剝離方向以100mm分剝離覆蓋膜時，自所得之圖表導出剝離強度之偏差。剝離強度之偏差為0.2N以下之物標記為「優」、為0.2至0.4N之物標記為「良」、大於0.4N之物標記為「不良」，關於剝離強度不足0.4N之物則標記為「未評價」。結果如表4及表5之剝離強度之偏差欄所示。
(4)覆蓋膜之剝離帶電壓
進行熱封，以使相對於聚苯乙烯製載體帶(電化學工業公司製)之剝離強度成為0.4N。將覆蓋膜與前述(2)密封性相同條件下剝離後，使用電壓計(MONROE ELECTRONICS ISOPROBE ELECTROSTATIC VOLTMETER MODEL 279)，測定覆蓋膜之熱封面之電壓。又，關於剝離強度不足0.4N之物則以「未評價]標記。結果如表4及表5之覆蓋膜之剝離帶電壓之欄所示。
(5)零件附著試驗
在8mm寬之導電聚碳酸酯製載體帶(電化學工業公司製)，裝填10個寬1.0mm*長0.6mm*深0.5mm之電子零件後，熱封覆蓋膜。使覆蓋膜側在下方，以600rpm震動5分鐘(3000次)後，剝離覆蓋膜，進行對覆蓋膜之零件附著評價。電子零件一個也沒附著於覆蓋膜之物以優表示，平均附著1個之物以良表示，附著2個以上之物以不良表示。結果如表4及表5之零件附著試驗之欄所示。
(6)表面電阻率
藉由與評價試驗1中情形相同的方法來測定。
1．．．覆蓋膜
2．．．基材層(A)
3．．．打底膠層
4．．．中間層(B)
5．．．剝離層(C)
6．．．熱封層(D)
7．．．載體帶
8．．．壁
9．．．兩面黏著帶
10．．．載體帶
11．．．覆蓋膜
12．．．夾具
13．．．細繩
14．．．秤砝碼
第1圖係表示本發明覆蓋膜之層構成之一例的剖面圖。
第2圖係表示將本發明之覆蓋膜自載體帶剝離時，剝離形態一例的剖面圖。
第3圖係表示將本發明之覆蓋膜自載體帶剝離時，評價斷裂強度之方法的示意圖。
1．．．覆蓋膜
2．．．基材層(A)
3．．．打底膠層
4．．．中間層(B)
5．．．剝離層(C)
6．．．熱封層(D)

Claims (7)

  1. 一種覆蓋膜，其特徵為至少含有基材層(A)、中間層(B)、剝離層(C)及可熱封於載體帶之熱封層(D)，基材層(A)係由二軸延伸聚酯、或者二軸延伸耐綸所組成，中間層(B)係含有使用金屬茂觸媒聚合而成的拉伸彈性模數(tensile modulus of elasticity)為200MPa以下之直鏈低密度聚乙烯作為主成分，剝離層(C)係含有導電性微粒或碳奈米材料，同時含有芳香族乙烯基之含量為15至35質量%之芳香族乙烯-共軛二烯共聚物之氫化樹脂作為主成分而成，剝離層(C)之芳香族乙烯-共軛二烯共聚物之氫化樹脂係密度0.890至0.920×103(kg/m3)、質量平均分子量50,000至150,000之樹脂，熱封層(D)係含有丙烯酸系樹脂作為主成分而成，導電性微粒的形狀係由針狀、球狀之微粒中任一種或該等之組合所成，相對於構成剝離層(C)之熱塑性樹脂100質量份，導電性微粒之添加量為100至1000質量份，相對於構成剝離層(C)之熱塑性樹脂100質量份，碳奈米材料之添加量為0.5至15質量份，基材層(A)的厚度為12至25μm，中間層(B)的厚度為5至50μm，剝離層(C)的厚度為0.1至3μm，熱封層(D)的厚度為0.1至5μm。
  2. 如申請專利範圍第1項之覆蓋膜，其中碳奈米材料係縱橫比為10至10000的碳奈米管。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之覆蓋膜，其中導電材為針狀微粒之銻摻雜氧化錫。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之覆蓋膜，其中熱封層(D)進一步含有導電材。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之覆蓋膜，其中在剝離已熱封於載體帶的覆蓋膜時，係在剝離層(C)與熱封層(D)之層間進行剝離。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之覆蓋膜，其中剝離層(C)及/或熱封層(D)之表面電阻率為1×104至1×1012Ω。
  7. 一種電子零件包裝體，其特徵為將如申請專利範圍第1至6項中任一項之覆蓋膜作為使熱塑性樹脂作為主成分而成的載體帶之蓋材使用。
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