TWI533483B - 發光裝置 - Google Patents

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Description

發光裝置
本發明係主張關於2010年04月09日申請之韓國專利案號10-2010-0076422、2010年04月09日申請之韓國專利案號10-2010-0076423、2010年04月09日申請之韓國專利案號10-2010-0076425以及2010年04月09日申請之韓國專利案號10-2010-0076462之優先權，藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明係關於一種發光裝置和一種具有該發光裝置之發光系統。
發光二極體光(LEDs)為一種半導體裝置，用於轉換電能成為光。此種LED相較於習知的光源，例如日光燈和白熾燈，具有例如低功率消耗、半永久使用壽命、快速反應時間、安全、以及環保的優點。許多以LED取代現有的光源的研究正積極的進行中。同時，根據使用在室內和戶外的各種燈泡和發光裝置例如液晶顯示裝置、計分板、以及街燈之光源的趨勢，LED被大幅地使用。
實施例提供一種發光裝置具有一新穎結構、以及一種具有該發光裝置的發光系統。
實施例提供一種發光裝置包括一絕緣膜用以支撐複數個金屬層和一發光晶片電性連接至該些複數個金屬層、以及一種具有該發光裝置的發光系統。
實施例提供一種發光裝置，在該發光裝置中，一樹脂層係圍繞著一發光晶片設置和一導件(guide member)係圍繞著該樹脂層設置、以及一種具有該發光裝置的發光系統。
在一實施例中，一發光裝置包括：彼此間隔開的複數個金屬層；一第一絕緣膜具有一開放區域，其中該複數個金屬層部份的上表面係為開放，該第一絕緣膜係圍繞著該複數個金屬層的上表面設置；一發光晶片設置在該複數個金屬層的至少一層上，該發光晶片係電性連接至另一金屬層；一樹脂層設置在該複數個金屬層和該發光晶片上；以及一第一導件設置在該第一絕緣膜上。
在另一實施例中，一發光裝置包括：彼此間隔開的複數個金屬層；一第一絕緣膜具有一開放區域，其中該複數個金屬層部份的上表面係為開放，該第一絕緣膜係附著至該複數個金屬層的上表面上；一發光晶片設置在該複數個金屬層的至少一層上，該發光晶片係電性連接至另一金屬層；一樹脂層設置在該複數個金屬層和該發光晶片上；以及一第一導件由一金屬材料所形成，該第一導件係設置在該第一絕緣膜和該複數個金屬層的至少一者上。
在再一實施例中，一發光裝置包括：彼此間隔開的複數個金屬層；一第一絕緣膜具有一開放區域，其中該複數個金屬層部份的上表面係為開放，該第一絕緣膜係設置在該複數個金屬層上表面上；一黏著層在該複數個金屬層和該第一絕緣膜之間；一第二絕緣膜對應於該複數個金屬層之間且具有一寬度寬於該複數個金屬層之間的間距，於該複數個金屬層的上表面上；一發光晶片設置在該複數個金屬層的至少一層上；一樹脂層設置在該複數個金屬層和該發光晶片上；以及一第一導件設置在該第一絕緣膜的上表面上。
一或更多實施例的細節將於下方伴隨圖示進行說明。其它特徵將從說明和圖示、以及權利宣告中變得更為顯而易知。
在實施例的描述中，應予理解，當提及一層(或膜)、一區域、一圖案、或一結構是在另一層(或膜)、區域、電極墊或圖案「上方/下方」，該術語「上方/下方」包括”直接”與”間接”的意思。再者，「上方/下方」的參照將以附圖為基礎。
在圖示中，每一層的厚度或尺寸係被誇大、省略、或示意地繪示以方便描述和說明。
在後文中，實施例將參照伴隨的圖示來說明。
圖1為根據第一實施例之發光裝置的示意圖。圖2為圖1中沿著線A-A的側剖視圖。
參照圖1和圖2，一發光裝置100包括複數個金屬層11、13、多個絕緣膜20(21和23)在金屬層11、13上、一發光晶片41在複數個金屬層11、13的第一金屬層11上、一導件31在該些絕緣膜20上、以及一樹脂層61覆蓋著發光晶片41，在該些金屬層11、13上。
該些金屬層11、13可包括至少兩層。該至少兩金屬層11、13可彼此間隔開，因此兩金屬層11、13為電性開路或實際地彼此間隔開。金屬層11、13可使用一金屬板來實現，例如一引線架。
該複數個金屬層11、13的下表面S3可彼此齊平且側表面S1可暴露至外部。熱效率可經由金屬層11、13暴露出的下表面S3和側表面S1而改善。至少兩金屬層11、13可分別地作為電極。
該複數個金屬層11、13可由鐵(Fe)、銅(Cu)、一合金包含鐵(Fe)例如鐵(Fe)-鎳(Ni)、鋁(Al)、一合金包含鋁(Al)、或一合金包含銅(Cu)例如銅(Cu)-鎳(Ni)和銅(Cu)-鎂(Mg)-錫(Sn)所形成。同時，每一金屬層11、13可以單層或多層方式提供。金屬層11、13係所由一材料例如鐵(Fe)或銅(Cu)所形成。同時，一反射層由鋁(Al)、銀(Ag)、或金(Au)所形成或一接合層可設置在金屬層11、13的上表面及/或下表面上。
當金屬層11、13形成有引線架時，機械強度和熱傳導可較為優越。此外，熱脹係數可較大、加工性可被改善，只有當重覆執行彎折作業時會有一點損失，且可容易執行電鍍或銲接程序。
每一金屬層11、13可具有約15 μm至約300 μm的厚度，且最好是約15 μm至約50 μm。同時，金屬層11、13可作為一支撐框架用以支撐全部的發光裝置和一散熱件用以傳導從發光晶片41產生的熱。在金屬層11、13的外區域，一第一方向Y的長度Y1和垂直於該第一方向Y的一第二方向X的長度X1可根據發光裝置100的尺寸而改變。
發光裝置100可不包括一獨立體(separate body)，例如：由聚鄰苯二甲醯胺(polyphthalamide,PPA)所形成的樹脂類體(resin-based body)。因此，注入和成型程序用以接合金屬層11、13至該獨立體則可被省略。每一金屬層11、13的部份可具有可彎曲形(flexibly curved shape)或以一預定角度彎曲，但並不限定於此。
在後文中，為了第一實施例的描述，包括一第一金屬層11和一第二金屬層13的金屬層11、13將作為範例來描述。第一金屬層11和第二金屬層13的下表面S3可可彼此齊平。同時，第一和第二金屬層11、13可使用銲接而接合至一印刷電路板(PCB)或一散熱板。
一分離部17可設置在第一金屬層11和第二金屬層18之間。分離部17可實際地從第二金屬層13間隔開第一金屬層11。分離部17可具有一直線形、一曲線形、以及一彎線形(curve line shape)中的之一者。該線形可具有根據第一和第二金屬層11、13的形狀或尺寸而改變的寬度或形狀。分離部17分割一金屬架成為第一金屬層和第二金屬層11、13。同時，每一第一和第二金屬層11、13可具有根據分離部17的寬度和位置而改變的形狀或尺寸。
第一和第二金屬層11、13可彼此間隔開一約10 μm的間距G1。間距G1可為分離部17的寬度。同時，分離部17可防止該兩金屬層11、13發生電性短路。分離部17可為空的(empty)或填充一材料，但並不限定於此。
第一或第二金屬層11、13可經由一切割程序而具有各種形狀，例如圓形、多邊形、以及半球形。
一氧化防止層可設置在第一和第二金屬層11、13表面上且係由金(Au)層所形成。該氧化防止層可防止第一和第二金屬層11、13的表面變形。
絕緣膜21、23可分別地設置在第一和第二金屬層11、13上。絕緣膜21、23可圍繞著第一金屬層11或/及第二金屬層13設置。
絕緣膜21、23可附著至第一和第二金屬層11、13的上表面以分別地支撐第一和第二金屬層11、13。絕緣膜21、23可附著至該複數個金屬層11、13的上表面以支撐該些金屬層。大致上，絕緣膜21、23可執行一相似於該獨立體的功能。
每一絕緣膜21、23可包括一透光膜(light-transmitting film)或非透光膜(non-light-transmitting film)。舉例而言，每一絕緣膜21、23可包括一聚亞醯胺(polyimide,PI)膜、一聚亞醯胺(polyethylene terephthalate,PET)膜、一乙烯醋酸乙烯(ethylene vinyl acetate,EVA)膜、一聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)膜、一聚醋酸乙烯酯(triacetyl cellulose,TAC)膜、一聚醯胺醯亞胺(polyamide imide,PAI)膜、一聚二醚酮樹脂(polyether ether ketone,PEEK)膜、一側鏈型聚四氟乙烯(perfluoroalkoxy,PFA)膜、一聚苯硫醚(polyphenylene sulfide,PPS)膜、以及樹脂膜(PE、PP、和PET)。
黏著層可分別地設置在絕緣膜21、23和金屬層11、13之間。黏著層可分別地貼附(attach)絕緣膜21、23至金屬層11、13。或者，絕緣膜21、23可為一雙面膠帶(dobule-sided adhesive tape)或一單面膠帶(single adhesive tape)。
每一絕緣膜21、23可由具有一預定反射率的材料所形成，例如：約30%或更多的反射率。絕緣膜21、23的反射特徵可改善在發光裝置100內的表面反射效率。
同時，每一絕緣膜21、23可具有一光學功能。此處，光學功能可為一透光膜具有約50%或更多反射率的功能，且最好是，一透光膜具有約70%的反射率。每一絕緣膜21、23可包括一螢光體。該螢光體可塗佈在每一絕緣膜21、23的上表面或下表面，或者增加至絕緣膜21、23內。該螢光體可包括至少YAG類螢光體、矽酸鹽類(silicate-based)螢光體、和一氮化類(nitride-based)螢光體中的至少一者。該螢光體可具有一可見光類波長，例如：紅色、黃色、或綠色的波長。同時，每一絕緣膜21、23可以一螢光體膜來實現。該螢光體膜可吸收從發光晶片41發射出的光以射出具有一不同波長的光。
同時，每一絕緣膜21、23可包括一抗水氣(水氣resistance)膜。該抗水氣膜可防止水氣滲透以防止第一和第二金屬層11、13被氧化和短路造成。
每一絕緣膜21、23部份的上、下、或側面可具有一粗糙結構，但並不限定於此。
每一絕緣膜21、22可具有一厚度厚於每一金屬層11、13的厚度。舉例而言，每一絕緣膜21、22可具有約30 μm至約500 μm的厚度，且最好是，約40 μm至約60 μm的厚度。
絕緣膜21、23可分割成一第一絕緣膜21設置在兩金屬層11、13上表面的周邊部份上以及一第二絕緣膜23設置在第一和第二金屬層11、13邊界區域的上表面上。第二絕緣膜23可為第一絕緣膜21的部份。同時，第二絕緣膜23可整合連接至第一絕緣膜21。第一和第二絕緣膜21、23可由相同的材料所形成和形成為一膜狀。
第一絕緣膜21可具有固定寬度W1。或者，第一絕緣膜21可具有彼此不同的寬度。第一絕緣膜21可具有一至少數十μm或更多之寬度W1。第二絕緣膜23可具有一固定寬度W2。或者，第二絕緣膜23可具有彼此不同的寬度。第二絕緣膜23可具有一寬度W2寬於介於金屬層11、13之間的間距G1。舉例而言，第二絕緣膜23可具有一約20 μm或更多之寬度。第一絕緣膜21的寬度W1可等同或不同於從第二絕緣膜23的寬度W2。第二絕緣膜23可具有一至少20 μm或更多之寬度以支撐該兩金屬層11、13。
第二絕緣膜23可對應於第一金屬層11和第二金屬層13之間。同時，第二絕緣膜23可設置在第一和第二金屬層11、13上表面上，並具有一寬度寬於介於金屬層11、13之間的間距。
絕緣膜21、23的外表面可與第一和第二金屬層11、13的側表面齊平。或者，絕緣膜21、23的外表面可設置在第一和第二金屬層11、13的側表面內。
同時，第一絕緣膜21可連續地或不連續地設置。該連續(continuous)膜可具有一膜的結構而該不連續(discontinuous)膜可具有複數個膜的結構。
絕緣膜21、23可具有開放區域A1、A2。開放區域A1、A2可為孔洞(holes)或開放區域(opened areas)。同時，開放區域A1、A2可為第一金屬層11或/及第二金屬層13的上表面係經由每一絕緣膜21、23的內部而暴露出的區域。
開放區域A1、A2可包括一第一開放區域A1，經由該區域A1，部份的第一金屬層11上表面係暴露出、以及一第二開放區域A2，經由該區域A2，部份的第二金屬層13上表面係暴露出。第一開放區域A1可具有一尺寸和形狀等同或不同於第二開放區域A2的尺寸和形狀。在本實施例中，雖然當提供兩金屬層11、13時提供了兩開放區域A1、A2，如果提供了三或更多的金屬層11、13時，開放區域的數量隨之增加。每一開放區域A1、A2可具有一尺寸和形狀根據每一絕緣膜21、23的寬度和形狀而改變。
該複數個開放區域A1、A2中的一個區域，例如：第二開放區域S2可具有一約60 μm的最小寬度。當第二開放區域A2具有一窄的寬度時，第二導線52的接合可能被妨礙。因此，第二開放區域A2可具有一至少60 μm的寬度。第一開放區域A1可具有一足夠來安裝發光晶片41的寬度。同時，第一開放區域A1可具有一寬度寬於第二開放區域A2的寬度。此處，雖然第一開放區域A1被描述成一安裝有發光晶片41的區域和第二開放區域A2被描述成一第二導線52接合至的區域，本發明並不限定與此。舉例而言，第一開放區域A1可為一第二導線52接合至的區域而第二開放區域A2可為一安裝有發光晶片41的區域。
導件31可設置在第一絕緣膜21上。導件31可由一樹脂材料、一非金屬材料、或一金屬材料所形成。導件31可定義為一反射件或/及一阻塞件(dam member)用於防止樹脂材料溢流。
導件31可由一樹脂材料，例如：抗焊劑(solder resist)或一導電材料，例如：焊錫膏(solder paste)所形成。抗焊劑可為一白色。因此，入射光可藉由該白色而有效地被反射。同時，導件31可由一金屬材料，例如：銀(Ag)、鋁(Al)、銅(Cu)、金(Au)、銀合金、鋁合金、銅合金、或金合金所形成。該金屬可以單層或多層方式提供。同時，導件31可包括經由一電鍍程序得到的一反射層在一金屬種子層上，例如：銀(Ag)、鋁(Al)、和鎳(Ni)層中的至少一者。
同時，導件31可由非金屬材料所形成。該非金屬材料可包括一樹脂具有一白顏色，例如：具有抗焊劑(solder resist)、二氧化鈦(TiO2)、以及玻璃織維中至少一者的一樹脂材料(例如：PPA)或一高分子材料(例如：矽基或環氧化合物基材料)。或者，該非金屬材料可包括與該絕緣膜等同的材料。
導件31可由具有約50%或更多的反射特性之金屬或非金屬材料所形成，且最好是，具有約90%或更多的反射特性。
導件31可具有約15 μm至約500 μm的厚度T2。同時，導件31可具有等同或不同於每一絕緣膜21、23的厚度。導件31可具有厚於每一絕緣膜21、23的厚度。由於光的定位(orientation)角分佈，導件31可具有一較厚的厚度。同時，導件31的上表面可高於發光晶片41的上表面以反射光。
導件31可設置在第一絕緣膜21上以對應至發光晶片14的周圍。當俯視時，導件31可為一框架(frame)形、環(ring)形、或圈(loop)形。當俯視時，導件31可具有一圓形或多邊形。同時，導件31可防止樹脂層61溢流。
導件31可具有等同或不同於第一絕緣膜21的寬度。當導件31具有等同於第一絕緣膜21的寬度時，表面反射效率可被改善。當導件31具有小於第一絕緣膜21的寬度時，導件31可穩固地設置在第一絕緣膜21上。由於導件31沿著第一絕緣膜21設置，導件31可具有開放的區域。
當導件31具有導電性時，導件31可設置在第一絕緣膜21的上表面上。同時，部份的導件31可接觸該複數個金屬層11、13中的一層。同時，當導件31由一絕緣材料所形成時，導件31可接觸金屬層11、13的上表面。
發光晶片41可設置在第一金屬層11上且電性連接至第一和第二金屬層11、13。
發光晶片41可為一發光二極體具有可見光的波長帶且發射出紅、綠、藍、或白光或一發光二極體具有紫外光的波長帶，但並不限定於此。
發光晶片41可以一側邊型晶片來實現，其中兩電極相互平行設置或一垂直型晶片其中兩電極彼此相反設置。該側邊型晶片可連接至至少兩導線51、52，而該垂直型晶片可連接至至少一導線(例如：元件符號52)。
發光晶片41可使用一導電或絕緣膠附著至第一金屬層11。此處，當一電極設置在發光晶片41的下部(lower portion)上時，可使用導電膠。同時，當一絕緣基板設置在下部上時，可使用導電膠或絕緣膠。
發光晶片41可使用一第一導線51連接至第一金屬層11和使用一第二導線52連接至第二金屬層13。同時，發光晶片41在一覆晶型式下可電性連接至第一和第二金屬層11、13。
雖然發光晶片41設置在第一金屬層11上，發光晶片41可設置在第一金屬層11及/或第二金屬層13上，但並不限定於此。
發光晶片41可使用第一導線51連接至第一金屬層11和使用第二導線52連接至第二金屬層13。此處，發光晶片41可具有一約80 μm或更多的厚度。導線51、52中之一者的最高點可設置在一高於發光晶片41上表面約40 μm或更多的位置上。
一螢光層(phosphorlayer)可塗佈在發光晶片41的表面上，該螢光層可設置在發光晶片41的上表面上。
同時，一保護裝置例如齊納二極體或暫態電壓抑制器(transient voltage suppressor,TVS)二極體用以保護發光晶片41可設置在第一和第二金屬層11、13中至少一者上或下方。保護裝置可電性連接至發光裝置41。保護裝置可連接至第一和第二金屬層11、13且平行連接發光晶片41。因此，保護裝置可保護發光晶片41對抗施加至發光晶片41內的異常電壓。保護裝置可因此而省略。
樹脂層61可設置在第一和第二金屬層11、13上。部份的樹脂層61可設置在第一絕緣膜21的上表面上。樹脂層61設置在導件31內的一開放區域上。導件31的開放區域可大於第一和第二開放區域A1、A2。樹脂層61可覆蓋導件31的內部區域，例如：第一開放區域A1和第二開放區域A2。樹脂層61可實際地與第一開放區域A1和第二開放區域A2分離。
樹脂層61可由一透明樹脂類材料，例如：矽或環氧樹脂所形成。
樹脂層61可具有一約80 μm至約500 μm的厚度T3。樹脂層61可以單層或多層的形式來提供。當樹脂層61具有多層結構時，最低層可具有一小於約80 μm的厚度。
當樹脂層61具有多層結構時，樹脂層61可堆疊有相同或不同的材料。或者，該多層可堆疊從具有低硬度的層至具有高硬度的層，或從具有高反射率的層至具有低反射率的層之順序。
樹脂層61上表面的部份可低於導件31的上表面或高於每一絕緣膜21、23的上表面。同時，樹脂層61可設置在一高度足以覆蓋導線51、52，但並不限定於此。
樹脂層61可包括一螢光體。該螢光體可包括具有可見光例如黃、綠、或紅光波長帶中的至少一螢光體。樹脂層61可分類成一透明樹脂層和一螢光層。該透明樹脂層和該螢光層可相互堆疊以形成樹脂層61。一螢光膜(phosphor film)，例如：一光致發光膜(photo luminescent film,PLF)可設置在樹脂層61上方/下方，但並不限定於此。
一透鏡可設置在樹脂層61上。該透鏡可具有一凸透鏡形狀、一凹透鏡形狀、或一凸凹透鏡形狀。同時，該透鏡可與樹脂層61的上表面接觸或間隔開，但並不限定於此。
圖3至圖10繪示圖1發光裝置的製造程序的視圖。
參照圖3和圖4，一金屬層10可具有一尺寸足以製造如圖1所示的發光裝置。或者，金屬層10具有一條(bar)狀的尺寸且足以製造出排列在一第一方向(水平或垂直方向)上的複數個發光裝置或具有一矩陣型的尺寸且足以製造出排列在水平和垂直方向上的複數個發光裝置。用於製造該些發光裝置的金屬層可切成一獨立發光裝置或兩個或更多發光裝置的單元。在後文中，為實施例的描述，用於製造一發光裝置的金屬層將被作為範例。
舉例而言，金屬層10可以一金屬板，例如引線架來實現。金屬層10可由鐵(Fe)、銅(Cu)、一合金包含鐵(Fe)例如鐵(Fe)-鎳(Ni)、鋁(Al)、一合金包含鋁(Al)、或一合金包含銅(Cu)例如銅(Cu)-鎳(Ni)和銅(Cu)-鎂(Mg)-錫(Sn)所形成。金屬層10可形成為單層或多層。同時，由鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、或抗焊劑(solder resist)所形成的一反射層或一接合層可形成在金屬層10的上表上及/或下表面上。該金屬層的電鍍程序或塗佈程序可在形成絕緣膜21、23的前或後執行。
金屬層10可具有約15 μm至約300 μm的厚度。因此，金屬層10可作為一支撐框架用以支撐發光裝置。
由於金屬層10並非以一獨立體來提供，例如：並不是由聚鄰苯二甲醯胺(polyphthalamide,PPA)所形成的樹脂類體(resin-based body)射出成形的，部份的金屬層10可具有一彎曲形(flexibly curved shape)或以一預定角度彎曲。
圖4為一絕緣膜在金屬層上的剖視圖，而圖5為圖4的平面圖。
參照圖4和圖5，絕緣膜20(21、23)形成在金屬層10上。每一絕緣膜20(21、23)可具有一約30 μm至約500 μm的厚度T1於金屬層10的厚度方向。同時，每一絕緣膜20(21、23)可有一厚於金屬層10的厚度。此處，雖然絕緣膜20(21、23)附著至金屬層的上表面，但金屬層10亦可附著至絕緣膜20(21、23)的上表面。這些程序的順序可以有所改變。
絕緣膜20(21、23)可在一黏著層塗佈在金屬層10之後附著至金屬層10。在膠合程序(adhesive process)中，絕緣膜21和23、絕緣膜20(21、23)附著至金屬層10，然後，以一預定溫度執行一壓合程序以貼附絕緣膜21和23至金屬層10。
每一絕緣膜21、23可為具有一絕緣特性的膜。同時，絕緣膜21、23可選擇性地包括具有光學功能、熱傳導功能、以及防水功能的膜。每一絕緣膜21、23可包括一聚亞醯胺(polyimide,PI)膜、一聚亞醯胺(polyethylene terephthalate,PET)膜、一乙烯醋酸乙烯(etbylene vinyl acetate,EVA)膜、一聚萘二甲酸乙二醇酯(polyetbylene naphthalate,PEN)膜、一聚醋酸乙烯酯(triacetyl cellulose,TAC)膜、一聚醯胺醯亞胺(polyamide imide,PAI)膜、一聚二醚酮樹脂(polyether ether ketone,PEEK)膜、一側鏈型聚四氟乙烯(perfluoroalkoxy,PFA)膜、一聚苯硫醚(polyphenylene sulfide,PPS)膜、和樹脂膜(PE、PP、和PET)。
每一絕緣膜21、23可形成具有一黏著層的膜，例如：一雙面膠帶或一單面膠帶。
當每一絕緣膜21、23由一透光材料所形成時，絕緣膜21、23可包括一螢光體或/及一散射劑(scattering agent)。該螢光體或分散劑(dispersion agent)可塗佈在絕緣膜21、23的表面上或加入至絕緣膜21、23中。
每一絕緣膜21、23可為具有一預定反射率的膜，例如：約30%或更多的反射特性的膜。
絕緣膜21、23可在複數個開放區域A1、A2形成之後附著至金屬層10。開放區域A1、A2可為孔洞(holes)或開放區域形成在單一膜中。同時，開放區域A1、A2可為金屬層10上表面經由每一絕緣膜21、23的內側而暴露出的區域。絕緣膜21、23可分割成圍繞著第一開放區域A1或金屬層10形成的一第一絕緣膜21以及圍繞著第二開放區域A2形成的一第二絕緣膜23。第二絕緣膜23可為第一絕緣膜21的一部份。同時，第二絕緣膜23可與第一絕緣膜21整合成形。第一和第二絕緣膜21、23可以單一膜(single file)來實現。
第一絕緣膜21可具有一固定(constant)寬度W1。或者，第一絕緣膜21可具有彼此不同的寬度。第一絕緣膜21可具有一數十μm或更多的寬度W1。第二絕緣膜23可具有一固定寬度W2。或者，第一絕緣膜23可具有彼此不同的寬度。第二絕緣膜23可具有一寬度W2大於金屬層11、13之間的間距G1。舉例而言，第二絕緣膜23可具有一約20 μm或更多的寬度。第一絕緣膜21的寬度W1可等同或不同於第二絕緣膜23的寬度W2。
該複數個開放區域A1、A2中之一者，例如：第二開放區域A2可具有一約60 μm的最小寬度。第二開放區域A2可具有不會妨礙導線之接合程序的寬度。第一開放區域A1可具有足以安裝一發光晶片的寬度。同時，第一開放區域A1可具有一寬度寬於第二開放區域A2的寬度。此處，雖然第一開放區域A1被描述為一安裝發光晶片的區域而第二開放區域A2被描述為一導線接合的區域，本發明並非限定於此。舉例而言，第一開放區域A1可為一導線接合的區域而第二開放區域A2可為一安裝發光晶片的區域。
可在一單一絕緣膜上執行一沖壓程序、一切割程序、或一蝕刻程序以形成第一開放區域A1和第二開放區域A2。第一和第二開放區域A1和A2可改變寬度或形狀。開放區域A1、A2可形成絕緣膜20(21、23)附著至金屬層10之前或之後。
金屬層10上表面可經由絕緣膜21、23的第一和第二開放區域A1、A2而暴露出。
舉例而言，每一絕緣膜21、23可印刷或塗佈一絕緣材料，例如氧化物如藍寶石(Al2O3)、SiO2、SiOx、或SiOxNy或是氮化物。在此情況下，固化的絕緣膜21、23可由可撓曲或具有一預定黏度的材料所形成。
每一絕緣膜21、23可具有網(mesh)狀或一粗糙形狀的一內表面或一預定內部區域。或者，複數個細微孔(fine holes)可形成在絕緣膜21、23中，但並不限定於此。
參照圖6和圖7，圖4的金屬層10可分割成複數個金屬層11、13。該複數個金屬層11、13可包括至少兩金屬層。該至少兩金屬層11、13可作為電極用以提供一電力。
此處，在形成金屬層的電路之程序中，舉例而言，在引線架的表面活化(activated)之後，可塗佈光阻、可執行曝光程序，以及可執行顯影程序。當顯影程序完成時，可執行一蝕刻程序以形成一所需的電路和剝落該光阻。之後，可於該金屬層的一表面執行一銀(Ag)電鍍程序以處理金屬層的表面至一可接合的表面(bondable surface)。
第一金屬層11可具有一寬度等同或不同於第二金屬層13的寬度。舉例而言，第一金屬層11可具有一尺寸大於或小於第二金屬層13的尺寸。或者，第一和第二金屬層11、13可具有彼此相同的區域或彼此對稱的形狀。
一預定分離部17可設置在第一和第二金屬層11、13之間以間隔開第一金層11和第二金屬層13。第一和第二金屬層11、13可彼此間隔開一約10 μm或更多的間距G1。間距G1可小於第二絕緣膜23的寬度W1。
第二絕緣膜23可維持第一和第二金屬層11、13之間的間距G1，而第一絕緣膜21可支撐金屬層11、13。
此處，第二金屬層13可經由第一金屬層11的一側面向內延伸。第二金屬層13可具有左長度D1和右長度D2其根據第二開放區域A2和絕緣膜21、23而改變。
參照圖6和圖8，一導件31形成在絕緣膜21、23的上表面上。可執行一印刷程序、一塗佈程序、或一薄膜黏著程序中之一者以形成導件31。在印刷程序中，可執行一光罩程序於除了將被印刷的區域外之區域和可執行一網版印刷程序以形成導件31。在塗佈程序中，可塗佈一反射材料以形成導件31。在薄膜黏著程序中，一膜例如可附著一反射片以形成導件31。此處，導件31和絕緣膜21、23的材料可因導線接合或迴焊(reflow)程序之熱特性來選擇。
導件31可以使用抗焊劑或焊錫膏之印刷方式形成。抗焊劑可為白色以有效地反射入射光。同時，導件31可由一高反射材料所形成，例如：銀(Ag)、鋁(Al)、銅(Cu)、金(Au)、銀合金、鋁合金、銅合金、或金合金。反射材料可以單層或多層方式提供。同時，可於一金屬種子層執行一電鍍程序，例如：在一材料例如銀(Ag)、鋁(Al)、或鎳(Ni)以形成導件31。
同時，導件31可由一非金屬材料所形成。非金屬材料可包括一白色樹脂，舉例而言，一樹脂(例如：PPA)其中混合有TiO2和玻璃織維。當導件31具有絕緣和反射特性時，可不需要一單獨的絕緣膜，但並不限定於此。
導件31可由具有一約50%或更多的反射特性的一金屬或非金屬材料所形成，且最好是，一約90%或更多反射特性的材料。
導件31可具有一約15 μm至約500 μm的厚度T2。同時，導件31可具有一厚度等同或不同於每一絕緣膜21、23的厚度。導件31可具有一厚度T2和一排列結構其因光的定位角度分佈而改變。
導件31可形成在第一絕緣膜21上以覆蓋發光晶片14a的周圍。導件31可為框架(frame)形、環(ring)形、或圈(loop)形。當俯視時，導件31可連續或不連續地形成在第一絕緣膜21的上表面上。
導件31可具有一寬度W3等同或不同於第一絕緣膜21的寬度。當導件31具有一寬度等同於第一絕緣膜21的寬度時，則可改善表面反射效率。當導件31具有一寬度不同於第一絕緣膜21的寬度時，則導件31可穩固地設置在第一絕緣膜21上。
當導件31具有導電性時，導件31可設置在第一絕緣膜21的上表面上。同時，部份的導件31可接觸兩引線架11、13中之一者。同時，當導件31由一絕緣材料所形成時，導件31可從第一絕緣膜21的上表面延伸至金屬層11、13的上表面。
參照圖8和圖9，發光晶片41可設置在第一金屬層11上且電性連接至第一和第二金屬層11、13。
發光晶片41可為一發光二極體具有可見光的波長帶且發射出紅、綠、藍、或白光或為一發光二極體具有紫外光的波長帶，但並不限定於此。
發光晶片41可以一側邊型晶片來實現，其中兩電極相互平行設置或一垂直型晶片其中兩電極彼此相反設置。該側邊型晶片可連接至至少兩導線51、52，而該垂直型晶片可連接至至少一導線(例如：元件符號52)。
發光晶片41可使用一導電或絕緣膠附著至第一金屬層11。此處，當一電極設置在發光晶片41的下部(lower portion)上時，可使用導電膠。同時，當一絕緣基板設置在下部上時，可使用導電膠或絕緣膠。
發光晶片41可使用一第一導線51連接至第一金屬層11和使用一第二導線52連接至第二金屬層13。同時，發光晶片41在一覆晶型式下可電性連接至第一和第二金屬層11、13。
雖然發光晶片41設置在第一金屬層11上，發光晶片41可設置在第一金屬層11及/或第二金屬層13上，但並不限定於此。
發光晶片41可使用第一導線51連接至第一金屬層11和使用第二導線52連接至第二金屬層13。此處，發光晶片41可具有一約80 μm或更多的厚度。導線51、52中之一者的最高點可設置在一高於發光晶片41上表面約40 μm或更多的位置上。
參照圖9和圖10，樹脂層61可由一透明樹脂類材料，例如：矽或環氧樹脂所形成。
樹脂層61可具有一約80 μm至約500 μm的厚度T3。樹脂層61可以單層或多層的方式提供。當樹脂層61具有多層結構時，最低層可具有一厚度小於約80 μm的厚度。
當樹脂層61具有多層結構時，樹脂層61可堆疊有相同或不同的材料。或者，該多層可堆疊從具有低硬度的層至具有高硬度的層，或從具有高反射率的層至具有低反射率的層之順序。
樹脂層61上表面的部份可低於導件31的上表面或高於每一絕緣膜21、23的上表面。同時，樹脂層61可設置在一高度足以覆蓋導線51、52，但並不限定於此。
樹脂層61可包括一螢光體。該螢光體可包括具有可見光例如黃、綠、或紅光波長帶中的至少一螢光體。樹脂層61可分類成一透明樹脂層和一螢光層。該透明樹脂層和該螢光層可相互堆疊以形成樹脂層61。一螢光膜(phosphor film)，例如：一光致發光膜(photo luminescent film,PLF)可設置在樹脂層61上方/下方，但並不限定於此。
樹脂層61可覆蓋在導件31的內部區域，例如：第一開放區域A1和第二開放區域A2。樹脂層61可實際地從第一開放區域A1和第二開放區域A2分離。
一透鏡可設置在樹脂層61上。該透鏡可具有一凸透鏡形狀、一凹透鏡形狀、或一凸凹透鏡形狀，但並不限定於此。同時，該透鏡可與樹脂層61的上表面接觸或間隔開，但並不限定於此。
圖11為根據第二實施例發光裝置的側剖視圖。
參照圖11，一發光晶片41可接合在一第一金屬層11上。同時，發光晶片41可電性連接至第一金屬層11和經由一導線52而連接至一第二金屬層13。
一絕緣膜24可附著至介於第一金屬層11和第二金屬層13之間的一下側。絕緣膜24可維持介於第一金屬層11和第二金屬層之間的一預定間距且支撐介於第一金屬層11和第二金屬層13之間的一部份。
一樹脂層61設置在第一金屬層11和第二金屬層13上。樹脂層61可經由一轉移成形法(transfer molding method)以一預定形狀射出成形。根據該轉移成形法，一液態樹脂填充至具有一預定形狀的框架，然後被固化。因此可形成一樹脂層61具有所欲的形狀。樹脂層61可具有一圓柱形(cylindrical shape)、一多角柱形(polygonal column shape)、或粗糙面形狀(uneven surface shape)，但並不限定於此。
部份61A的樹脂層61可設置在第一金屬層11和第二金屬層13之間且可接觸絕緣膜24的上表面。
樹脂層61的外表面可從第一金屬層11或第二金屬層13的外部以一預定距離T3向內間隔開。因此，可暴露出第一金屬層11和第二金屬層13的外上表面。該距離T3可為約1 μm或更多。
同時，一反射層可進一步地設置在部份的上表面上或樹脂層61的側表面上，但並不限定於此。
圖12為根據第三實施例包括複數個發光晶片之發光裝置的側剖視圖。
參照圖12，一發光裝置包括三層或更多的金屬層11A、11B、11C和兩個或更多的發光晶片41A、41B。發光晶片41A、41B可射出具有相同峰值波長(peak wavelength)或不同峰值波長的光。
金屬層11A、11B、11C排列在相同平面上。一第一絕緣膜21圍繞著金屬層11A、11B、11C設置。第二絕緣膜23A、23B分別地設置在彼此相鄰的金屬層11A、11B、11B、11C之間以支撐和固定彼此相鄰的金屬層11A、11B、11B、11C。第三絕緣層22可設置在第二金屬層11B的一中央側且將第二金屬層11B分割成兩區域。
第一至第三絕緣膜21、23A、23B、22可以單一膜或彼此分離的膜之方式來提供，但不限定於此。
一第一發光晶片41A和一第二發光晶片41B設置在第二金屬層11B上並間隔開。一第三絕緣膜22設置在第一發光晶片41A和第二發光晶片41B之間。
一導件31設置在第一絕緣膜21和第三絕緣膜22上。導件31設置在一位置高於發光晶片41的一上表面以反射從發光晶片41A、41B發射出的光。
樹脂層62、63分別地設置在第一和第二發光晶片41A、41B上。每一樹脂層62、63的部份可設置在與導件31上表面相同的高度或一高度小於導件31的上表面，但不限定於此。
第二金屬層11B可作為第一發光晶片41A和第二發光晶片41B的共同電極。第一金屬層11A可作為一電極用來控制第一發光晶片41A，而第三金屬層11C可作為一電極用來控制第二發光晶片41B。
根據本實施例，雖然其描述有兩發光晶片41A、41B設置在左側和右側，但也可有三個或更多的發光晶片可設置成一矩陣型或一線狀橫跨(crossing)相同的中心。該些發光晶片可彼此串聯或並聯連接，但並不限定於此。同時，當第三絕緣膜22的一中心部份被切除時，發光裝置可被製成兩個發光裝置。
圖13和圖14為根據第四實施例發光裝置之示意圖和側剖視圖。
參照圖13和圖14，一絕緣膜25附著至一第二金屬層13上表面的周圍以支撐一第一金屬層11和一第二金屬層13。絕緣膜25覆蓋第一金屬層11和第二金屬層13之間的分離部17以支撐第一金屬層11和第二金屬層13之間的部份。
一導件32圍繞著第一金屬層11的上表面設置。部份的導件32可設置在絕緣膜25的外部上表面上。導件32可圍繞著第一金屬層11的上表面和絕緣膜25的外部上表面設置。導件32可電性連接在第一金屬層11的上表面並藉由絕緣膜25與第二金屬層13的上表面電性分離。導件32可圍繞著第一金屬層11和絕緣膜25設置成一環形(loop shape)、一框架形(frame shape)、或一環形(ring shape)。絕緣膜25可圍繞著第二金屬層13的上表面設置成一圈(loop)形、一框架形、或一環形。
絕緣膜25可防止導件32與第二金屬層13實際地或電性接觸且防止第一和第二金屬層11、13發生短路。絕緣膜25和導件32可支撐和固定彼此相鄰的兩金屬層11、13。導件31可具有一厚度等同於樹脂層61的厚度。
根據本實施例，絕緣膜25可在區域中減少而導件32可在區域中增加以改善光學反射效率。
圖15和圖16為根據第五實施例發光裝置之平面圖和側剖視圖。
參照圖15和圖16，絕緣膜21、23設置在第一和第二金屬層11、13的全部上表面上且包括複數個開放區域A1、A2、A3。該複數個開放區域A1、A2、A3包括一第一開放區域A1、一第二開放區域A2、以及一第三開放區域A3。其中在第一開放區域A1有一發光晶片41安裝在一第一金屬層11上、在第二開放區域A2一第二導線52接合至一第二金屬層12、在第三開放區域A3一第一導線51接合至第一金屬層11。如同另一範例，當發光晶片41具有一垂直型電極結構時，可以不界定出第三接合區域A3。
第一至第三開放區域A1、A2、A3的每一者可具有圓形或多邊形。此處，第二開放區域A2可形成有一尺寸小於發光晶片41下區域至少4倍或小於發光晶片41下區域。每一第一和第三開放區域A1、A3可具有大於導線直徑(例如：約20 μm至約50 μm)的寬度或直徑，舉例而言，約60 μm至約120 μm。
由於每一絕緣膜21、23的黏著區較寬於在圖1結構中的黏著區，第一金屬層11和第二金屬層13可更被堅固地支撐。一導件31可圍繞著每一絕緣膜21、23a的上表面設置。一樹脂層61可被塑模在導件31內。
圖17繪示圖15發光裝置的另一範例平面圖。
參照圖17，一發光裝置包括三金屬層11、13、15和一絕緣膜21貼附在金屬層11、13、15上。複數個開放區域A1、A2、A3被界定在一絕緣膜21上。該複數個開放區域A1、A2、A3可分別地為金屬層11、13、15上表面的開放部份。
第三金屬層15設置在第一金屬層11和第二金屬層13之間。一發光晶片41安裝在第三金屬層15上。發光晶片41設置在絕緣膜21的一第一開放區域A1上。同時，一第二開放區域A2和一第三開放區域A3可為導線接合區域。
發光晶片41經由一第一導線51連接至在第三開放區域A3上的第一金屬層11且經由一第二導線52連接至在第二開放區域A2上的第二金屬層13。
絕緣膜21的開放區域A1、A2、A3為金屬層11、13、15上表面上設置有發光晶片41和導線51、52的區域。同時，絕緣膜21可堅固地支撐金屬層11、13、15之間的部份且防止金屬層11、13、15之間產生一梯狀部(stepped portion)以改善因焊接接合(solder bonding)的電性可靠度並同時改善熱傳效率。
圖18至圖27繪示根據一實施例之金屬層和絕緣膜修改後範例的視圖。
參照圖18，一第二金屬層13可設置在至少部份的一第一金屬層11上且於第一金屬層11的一側可具有一圓形、一多邊形、或一隨機形狀。介於第一金屬層11和第二金屬層13之間的一分離部17可具有一致的或不規則的寬度。
第一金屬層11和第二金屬層13可具有彼此相互對應的表面且具有粗糙結構11D、13D。粗糙結構11D、13D可改善第二絕緣膜23的黏著效率。
如圖19所示，第二金屬層13可設置成一預定形狀，例如：圓形或多邊形，於第一金屬層11的至少一邊緣上。
如圖20和圖21所示，第二金屬層13可具有一半球形在至少部份的第一金屬層11上或可具有一多邊形在第一金屬層11的一邊緣上。
如圖22所示，第二和第三金屬層13A、13B具有一電路或多邊形在第一金屬層11的至少兩邊緣上。第二和第三金屬層13A、13B可設置在第一金屬層11上彼此面對的邊緣上。第二和第三金屬層13A、13B可分別地作為電極。第二和第三金屬層13A、13B中的一者可作為一虛置圖案(dummay pattern)。絕緣膜21、23可圍繞著該三金屬層11、13A、13B設置。同時，絕緣膜21、23可經由開放區域A1、A2暴露該三金屬層11、13A、13B的上表面。
如圖23所示，第一金屬層11和第二金屬層13藉由在其一中央側的分離部17而被分割。同時，第一和第二金屬層11、13可具有彼此的相同區域或彼此對稱。第二金屬層13A一第一側的長度L1可小於相反於第一側的第二側之長度L2，但並不限定於此。
參照圖24，第二金屬層13可設置在部份的第一金屬層11上。第二金屬層13可具有一第一方向的寬度X3，該第一方向寬度X3具有一尺寸，該尺寸約為第二金屬層11第二方向寬度X2的1/2。
第二金屬層13可具有一第一方向的寬度Y3，該第一方向的寬度Y3具有一尺寸，該尺寸約為第一金屬層11第二方向寬度Y1的1/2。
一絕緣膜21設置在第一和第二金屬層11、13之間的邊界上。絕緣膜21覆蓋除了第二開放區域A2之外的區域。第二金屬層13的一外部上表面的可暴露出而無需提供絕緣膜21。
一發光晶片可安裝在第二金屬層13的開放區域A1上。發光晶片可電性連接至該兩金屬層11、13。
參照圖25，第二金屬層13可設置在第一金屬層11的一邊緣部份上。第二金屬層13的一第一方向寬度X4和一第二方向寬度Y4可約為第一金屬層11的第一方向寬度X1和第二方向寬度X1、Y1的1/2或更多。
由於設置一導件而無需提供一絕緣膜於第二金屬層13的一外部上表面上，藉由導件覆蓋的區域可因此被改善。
參照圖26，第二金屬層13可經由第一金屬層11的一側表面延伸直至第一金屬層11的內部或可設置在第一金屬層11的內部。
第二金屬層13A一外部13-1的寬度W5可窄於一內部13-2的寬度W6。發光晶片可設置在第二金屬層13的第一開放區域A1上，但並不限定於此。
參照圖27，第二金屬層13可具有一直徑和第一金屬層11的寬度一樣長且具有一半球形。一絕緣膜21可設置在第一金屬層11和第二金屬層13之間的邊界上。一導件可圍繞著金屬層11、13的上表面設置。
<第六實施例>
參照圖28，一第一絕緣膜21圍繞著一第一金屬層11和一第二金屬層13的上表面設置。同時，設置覆蓋第一金屬層11和第二金屬層13之間部份的一第二絕緣膜23。第一絕緣膜21和第二絕緣膜23可彼此連接。一開放區域可設置在第一絕緣膜21和第二絕緣膜23之間。
一樹脂層63設置在第一絕緣膜21的開放區域上以覆蓋一發光晶片41。可施加一液態樹脂類絕緣材料然後固化的以形成該樹脂層63。此處，第一絕緣膜21可作為圍繞樹脂層63的一屏障物(dam)。樹脂層63可具有一凸透鏡形狀的表面。樹脂層63A的中央部可具有一厚度大於第一絕緣膜21和第二絕緣膜23的厚度。
一導件31或一反射材料可進一步地圍繞著樹脂層63設置，但並不限定於。
<第七實施例>
參照圖29，一發光晶片45係晶粒結合(die-bonded)至一第一金屬層11且經由一導線連接至一第二金屬層13。一樹脂層63設置在第一金屬層11和第二金屬層13上。
樹脂層63設置在金屬層11、13的上表面上。一絕緣膜21圍繞著樹脂層63設置。樹脂層63可具有一凸透鏡形狀。一導件31或一反射材料可進一步地圍繞著樹脂層63設置，但並不限定於。
一間隔物18設置在第一金屬層11和第二金屬層13之間的一分離部17上。該間隔物18係設置在第一金屬層11和第二金屬層13之間且由一絕緣材料所形成。間隔物18黏著於第一金屬層11和第二金屬層13之間。間隔物18可間隔開第一金屬層11與第二金屬層13以防止第一和第二金屬層11、13發生電性短路。間隔物18可由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、和TiO2中的至少一者所形成。
樹脂層63可具有一下表面接觸第一金屬層11和第二金屬層13的上側和間隔物18的上表面。
<第八實施例>
參照圖30，一表面粗糙(roughness)63A設置在一樹脂層63的一表面上。表面粗糙63A可藉由於樹脂層61的表面上執行蝕刻或射出程序(injecting process)而具有一粗糙表面。表面粗糙63A可改變光傳播至樹脂層63外部的臨界角以改善取光率。
<第九實施例>
參照圖31，一發光晶片41可以一覆晶方式安裝在一第一金屬層11和一第二金屬層13上。發光晶片41安裝在第一金屬層11和第二金屬層13上。第一金屬層11和第二金屬層13可具有相同的寬度。
一第二絕緣膜24係附著至第一金屬層11和第二金屬層13的下表面以絕緣該兩金屬層11、13且支撐該兩金屬層11、13。
一第一絕緣膜21可圍繞著第一金屬層11和第二金屬層13的上表面貼附以固定該兩金屬層11、13。
第二絕緣膜21可作為一屏障物以防止樹脂層63溢流。部份的樹脂層63可被充填於第一和第二金屬層11、13之間以維持介於第二絕緣膜21和金屬層11、13之間的間距。
樹脂層63可具有一凸半球形狀。同時，具有一預定深度的一凹部63B係被界定在樹脂層63的中央。該凹部63B可具有角(horn)狀或半球形狀。一反射材料72可設置在凹部63B內。該反射材料72可包括一金屬氧化物。舉例而言，反射材料72可形成至少一層由例如TiO2、或/及SiO2的材料所形成以反射入射光至一側方向。樹脂層63和反射材料72可具有不同的折射係數。舉例而言，反射材料72可具有一折射係數大於樹脂層63的折射係數。樹脂層63可反射一中央方向朝向該側方向的光以均勻地提供該光的定位角分佈。
同時，一散射劑(scattering agent)，除反射材料外可設置在凹部63B中，但並不限定於此。
<第十實施例>
參照圖32，一導件33形成在樹脂層61的一側表面。在樹脂層61形成之後，導件33可藉由執行一濺鍍或沉積法而沉積在樹脂層61的至少兩側表面上。因此，由於導件33a而可改變製造程序。導件33A的寬度和厚度可根據一沉積時間而調整。導件33可由一反射材料，例如鋁(Al)或銀(Ag)或具有高折射係數的一光傳送材料，所形成。
<第十一實施例>
參照圖33，一發光裝置具有透鏡71設置在一樹脂層61上的結構。在樹脂層61上的一透鏡71可具有一凸半球形且可附著至樹脂層61和一導件31的上表面。導件31和透鏡71可分別地具有不平坦的表面，但不限定於此。
<第十二實施例>
參照圖34，一發光裝置包括相互排列的三金屬層11、13、15。三金屬層11、13、15的第一和第二金屬層11、13可作為電極。第三金屬層15可設置在第一和第二金屬層11、13之間且作為一散熱板。
一第一絕緣膜21圍繞著第一至第三金屬層11、13、15的上表面設置以作為樹脂層61的一阻隔層(barrier)並支撐金屬層11、13、15。第二和第三絕緣膜24A、24B可附著至介於第一和第三金屬層11、15之間和介於第二和第三金屬層13、15之間的下部以支撐介於第一和第三金屬層11、15之間和介於第二和第三金屬層13、15之間的部份。第二和第三絕緣膜24A、24B可防止該些相鄰的金屬層發生短路。第二和第三絕緣膜24A、24B可被設置為一單一膜或一分離膜於不同的區域上。
同時，部份61A的樹脂層61充填於第一和第三金屬層11、15之間和第二和第三金屬層13、15之間以附著至該些相鄰金屬層的側表面。此處，第二和第三絕緣膜24A、24B可在樹脂層61固化後被移除。金屬層11、13、15可藉由樹脂層61和第一絕緣膜21而被支撐且具有一平坦下表面。
一螢光層73設置在樹脂層61之上。螢光層73可為包括螢光體的一膜或添加螢光體的一樹脂層。螢光層73可從樹脂層61的上表面延伸直至導件31的上側。螢光層73可吸收部份從發光晶片41發射出的光以射出一波長的光，該波長較被吸收之光的波長長，藉以在一顏色座標分佈(color coordinate distribution)中移至一所欲之顏色座標(color coordinates)。
<第十三實施例>
參照圖35，一發光裝置具有第二導件34進一步地設置在第二和第三絕緣膜23A、23B上之結構。
第二和第三絕緣膜23A、23B可覆蓋介於相鄰的金屬層11、13、15之間的分離部17A、17B以附著至金屬層11、13、15的邊界的上表面。然後，一第二導件34設置在第二絕緣膜23A、23B上。一第一導件31設置在第一絕緣膜21上。發光晶片41、42、43設置在第一導件31和第二導件34的開放區域上。第一導件31和第二導件34可圍繞著發光晶片41、42、43設置以有效地反射入射光。
第一發光晶片41設置在第一金屬層11上、第二發光晶片42設置在第三金屬層15上、以及第三發光晶片43設置在第二金屬層13上。經由導線51、53，第一發光晶片41連接至第一金屬層11和第二發光晶片42的一第一電極。經由一導線54，第二發光晶片42的一第二電極連接至第三發光晶片43的一第一電極。經由一導線52，第三發光晶片43的一第二電極連接至第二金屬層13。第二發光晶片42係直接地連接至其他發光晶片，但並不限定於此。
經由導線51、52，第一發光晶片41可連接至第一金屬層11。經由導線51、52，第一發光晶片41和第二發光晶片42可在高速傳輸晶片(Chip-to-Chip)中對應地連接。經由導線51、52，第二發光晶片42可連接至第三金屬層。
<第十四實施例>
參照圖36，一發光裝置包括具有凹面S5的一樹脂層61。舉例而言，樹脂層61可具有高的側邊部和低的中央部的一透鏡形狀。樹脂層61側邊部和中央部之間的一間隙T6可為約0.001mm至約1mm。此間隙T6可防止與一導光板的接觸。因此，可防止由於導光板的接觸所造成的異常色彩分佈，例如色偏光模糊現象(chromatic blur phenomenon)。
<第十五實施例>
參照圖37，一第一導件31可設置在一第一絕緣膜21上而一第二導件36可圍繞著一發光晶片41設置。第二導件36可具有一厚度較厚於或較薄於發光晶片41的厚度。部份的第二導件36設置在發光晶片41和第二絕緣膜23之間。第二導件36的其它部份可設置發光晶片41和一第一導線51之間。
第二導件36可具有一框架形、一圈形、或一環形。第二導件36可設置在第一金屬層11的一第一開放區域A1內以有效地反射從發光晶片41發射出的光。
第一導件31可具有與第一絕緣膜21相同的寬度。因此，在第一導件31附著至第一絕緣膜21之後，可執行例如沖壓(punching)之程序。
根據本實施例，導件31、36可雙重地圍繞著發光晶片41設置以改善光的反射效率和定位角分佈。
<第十六實施例>
參照圖38，一發光裝置包括第一和第二導件37A、37B於一第一絕緣膜21上。第一導件37A可設置在第一絕緣膜21的上表面和內表面上。部份的第一導件37A比第一絕緣膜21更靠近發光晶片45。第一導件37A的下部可接觸第一金屬層11的上表面。第二導件37B可設置在第一絕緣膜21的上表面和內表面上。部份的第二導件37B比第一絕緣膜21更靠近發光晶片45。第二導件37B的下部可接觸第二金屬層13的上表面。第一導件37A可藉由一預定距離D3延伸直至金屬層11、13的上表面。距離D3可為約0.1mm或更多。
當每一第一和第三導件37A、37B由一非金屬材料或一絕緣樹脂材料所形成時，第一和第二導件37A、37B可彼此連接。
當每一第一和第二導件37A、37B由一導電材料所形成時，第一和第二導件37A、37B可實際地彼此分離。因此，第一和第二導件37A、37B可在第一金屬層11和第二金屬層13之間的邊界彼此間隔開。所以，接觸第一金屬層11的上表面的導件37A和接觸第二金屬層13的上表面的第二導件37B可彼此分離以防止第一和第二導件37A、37B發生電性短路。
同時，第三導件37C可設置在第二絕緣膜23的上表面和內表面以接觸第一金屬層11的上表面。第三導件37C可連接至第一導件37A且可與第二導件37B分離。第三導件37C可實際地與第二金屬層13間隔開。
第一導件37A和第二導件37B可對應發光晶片45的周圍設置以有效地反射從發光晶片34發射出的光。第一導件37A、第二導件37B和第三導件37C的每一者可由一樹脂材料、一非金屬材料、或一反射金屬所形成。
同時，對應至發光晶片45的第一導件37A和第二導件37B內表面，相對於第一金屬層11的上側，可具有一曲線形(curved shape)或傾斜形(inclined shape)。
第一至第三導件37A、37B、37C可由相同材料或彼此不同的材料所形成，但並不限定於此。第一至第三導件37A、37B、37C可由一金屬材料或一絕緣材料所形成如同另一範例。
<第十七實施例>
參照圖39，一發光裝置更包括反射層81A、81B於一導件31上。
反射層81A、81B可由具有約70%或更高反射率的高反射金屬，例如：銀(Ag)和鋁(Al)所形成。高反射金屬可經由電鍍或塗佈(coating)程序所形成。反射層81A、81B可形成在導件31和第一絕緣膜21的上表面和側表面上。反射層81A、81B可不連續地設置且彼此間隔開，以防止第一和第二金屬層發生電性短路。
根據上述實施例，由於絕緣膜21、23A、23B附著至金屬層11、13的上表面周圍，金屬層的側表面可與絕緣膜21間隔開約1 μm或更多，但並不限定於此。
<第十八實施例>
參照圖40，在一發光裝置中，一發光晶片45接合至一第一金屬層11而一第二金屬層13經由一導線53而連接至發光晶片45。一第二絕緣膜23可貼附至第一金屬層11和第二金屬層13之間的上表面上。
一導件31設置在第一金屬層11上且第一絕緣膜21為一連續(continuous)或中斷(discontinuous)的形狀。舉例而言，導件31可具有框架形(frame shape)、圈形(loop shape)、和環形(ring shape)。
一樹脂層63可設置在導件31內且一螢光層73可設置在樹脂層63上。螢光層73的一螢光體可散布在整個區域中。同時，由於螢光體與發光晶片45間隔開，因此可防止褪色(discoloration)。
<第十九實施例>
參照圖41，在一發光裝置中，一樹脂層係被移除且一光致發光膜(photo luminescent film) 74設置在一發光晶片41上。光致發光膜(photo luminescent film) 74與金屬層11、13、15間隔設置且藉由導件31來支撐。
第二絕緣膜24A、24B可設置在金屬層11、13、15之間的上表面或下表面上，但並不限定於此。
<第二十實施例>
圖42為一發光裝置的側剖視圖，而圖43為圖42的平面圖。
參照圖42和圖43，一發光晶片41以一覆晶方式安裝在一第一金屬層11和一第二金屬層13上。一絕緣膜21圍繞著第一金屬層11和第二金屬層13設置。由一絕緣材料所形成的一間隔物18可設置在第一金屬層11和第二金屬層13之間。
間隔物18防止一樹脂層之滲漏(leaking)。
樹脂層66可圍繞著發光晶片41設置。部份的樹脂層66可延伸直至絕緣膜21的一上表面。
<第二十一實施例>
參照圖44，在一發光裝置中，絕緣膜23、24貼附在一第一金屬層11和一第二金屬層13之間的上表面和下表面上。一發光晶片45設置在第一金屬層11上而一樹脂層67塑模(mold)發光晶片45。
樹脂層67可具有與第一金屬層11和第二金屬層13相同的側表面。樹脂層67可具有一寬度對應至第一和第二金屬層11、13兩側表面之間的間距。
此處，樹脂層67可在中央部67A具有最厚的厚度。同時，樹脂層67的厚度T4可從中央部67A朝外側逐漸降低。中央部67A具有一凸透鏡形狀。該厚度T4可大於或小於發光晶片45的高度。此樹脂層67可使用一注入成型結構(injection molding frame)來製造。同時，由於發光裝置在樹脂層67固化之後，藉由每一發光裝置的尺寸單元而被切割和分離。因此，於製造程序時，發光晶片45可安裝在金屬層11、13上或樹脂層67可設置在金屬層11、13上。介於金屬層11、13之間的一分離部17可在最後的樹脂層形成後經由一雷射或切割程序而形成，但並不限定於此。
<第二十二實施例>
參照圖45，在一發光裝置中，一黏著層29設置在絕緣膜21、23和金屬層11、13之間。黏著層29可使用例如矽或環氧樹脂的絕緣膠。黏著層29可具有約12 μm或更大的厚度。
同時，樹脂層61的上表面可高於一第一導件31或一第二導件31C的上表面。
第二導件31C可設置在絕緣膜21上以有效地反射從發光晶片41發射出的光。
<第二十三實施例>
參照圖46，金屬層11、13的上表面具有粗糙結構11E、13E。粗糙結構11E、13E可設置在一第一絕緣膜21之下方並可延伸直至每一金屬層11、13的開放區域A1、A2。
粗糙結構11E、13E可改善在金屬層11、13上的絕緣膜21、23之間之一接觸區域或散熱效率。
<第二十四實施例>
參照圖47，一絕緣膜和一導件31的至少一內部表面可具有傾斜平面21d、31d。傾斜平面21d、31d可從第一絕緣膜21的內部表面設置至導件31的內部表面。傾斜平面21d、31d可設置在第一絕緣膜21和導件31的一者或兩者的側表面上。
每一傾斜平面21d、31d相對於金屬層11、13的上表面可具有約15°至約89°的一傾斜角。這些傾斜平面21d、31d於一發光方向可有效地反射光。同時，一反射材料可塗佈在傾斜平面21d、31d上。該反射材料可為一非導電材料。或者，該反射材料可設置在一絕緣材料上，例如：黏著層，以防止該些金屬層發生電性短路。
樹脂層61可具有一平坦上表面。由於傾斜側平面21d、31d，樹脂層61可具有一上部寬度寬於其之下部寬度。
同時，第二絕緣膜23的內表面，例如對應至發光晶片45的表面，可為傾斜，但並不限定於此。同時，一第二導件可設置在第二絕緣膜23上。第二導件可具有一傾斜內表面。
<第二十五實施例>
圖48A為一發光裝置的側剖視圖。圖48B為當一絕緣膜設置在圖48A的一金屬層上的平面圖。
參照圖48，一孔洞21E界定在一第一金屬層11上的一第一絕緣膜21中。孔洞21E暴露第一金屬層11的上表面。一導件31可形成在第一和第二絕緣膜21、23上。導件31的部份31E可經由該孔洞21E而接觸第一金屬層11。部份的導件31具有一突起形狀(protrusion shape)。導件31具有小於第一絕緣膜21的寬度。
導件31的部份31E可反射入射光當第一絕緣膜21由一光傳送材料所形成時。同時，當導件31和第一金屬層由一金屬所形成時，導件31和第一金屬層11可彼此附著以固定第一絕緣膜21。
此處，當導件31由一非金屬材料或具非導電性的一樹脂系列所形成時，第一絕緣膜21的一貫孔(through hole)21E可界定在每一第一金屬層11和第二金屬層13中，除了兩金屬層11、13間之邊界的上表面外。貫孔21E可以複數個的形式提供在第一絕緣膜21中。
<第二十六實施例>
圖49為根據一實施例的平面圖。圖50為沿著圖49線B-B的剖視圖。圖55為沿著圖51線C-C的剖視圖。
參照圖49至圖51，一樹脂層68設置在第一和第二金屬層11、13的整個上表面上以塑模(mold)一發光晶片45。一溝槽(groove)19圍繞著樹脂層68設置。溝槽19可具有一環形、一框架形、或一多邊形。第一金屬層11的上表面可經由溝槽19而暴露出且可從第二金屬層13間隔開。該蝕刻程序可包括濕蝕刻程序或乾蝕刻程序，但並不限定於此。
一導件38可設置在溝槽19中且可由一反射材料所形成。導件38可圍繞著發光晶片45為一圓形或多邊環形設置。導件38可接觸第一金屬層11且與第二金屬層以一預定間距T5間隔開。因此，導件38可不接觸樹脂層68的下部68A。此處，該下部68A可為一樹脂層或一絕緣黏著層。
當導件38嵌入在樹脂層68中時，導件38可接觸第一金屬層11的上表面且與第二金屬層13間隔開。同時，導件38在第一金屬層11和第二金屬層13可具有彼此不同的高度。導件38可反射從發光晶片45發射出的光。由於此種結構具有絕緣膜不是分開貼附的結構，製造程序可因此簡化。
樹脂層68的部份68C可充填於第一金屬層11和第二金屬層13之間的一分離部17或一絕緣膜可附著至該些金屬層的上或/及下表面。
導件38的上寬度可寬於下寬度。同時，導件38可具有一內表面，相對於金屬層11、13的上表面，傾斜於一預定角度。
每一實施例的特徵可選擇性地應用至其它實施例，且並不限制每一實施例。
此處，當導件38由一非金屬材料或絕緣樹脂系列所形成時，樹脂層68的溝槽19可延伸至第一和第二金屬層11、13的上表面，除了兩金屬層11、12間之邊界的上表面。導件38係設置在溝槽19中。
圖52和圖53為根據一實施例發光裝置之側剖視圖和電路圖。
參照圖52，一發光裝置包括三層或更多的金屬層12A、12B、12C和兩個或更多的發光晶片41A、41B。發光晶片41A、41B可發射出具有相同峰值波長或彼此不同峰值波長的光。
金屬層12A、12B、12C係排列在相同平面上。一第一絕緣膜21圍繞著金屬層12A、12B、12C設置。第二絕緣膜23A、23B分別地設置在彼此相鄰的金屬層12A、12B、12B、12C之間以支撐和固定彼此相鄰的金屬層12A、12B和12B、12C。
第一發光晶片41A設置在第一金屬層12A上。第二發光晶片41B與第二金屬層12B間隔開。
第二金屬層12B可作為第一發光晶片41A和第二發光晶片41B的共同電極。第一金屬層12A可作為一電極用來控制第一發光晶片41A，而第三金屬層12C可作為一電極用來控制第二發光晶片41B。
當第一和第二發光晶片41A、41B為側邊型晶片時，第一發光晶片41A可經由一第一導線51A和一第二導線51B而分別地電性連接至第一金屬層12A和第二金屬層12B。同時，第二發光晶片41B可經由一第三導線51C和一第四導線51D而分別地電性連接至第二金屬層12B和第三金屬層12C。
當第一和第二發光晶片41A、41B為垂直型晶片時，則可省略第一和第三導線51A、51C。
一導件31設置在第一絕緣膜21上。導件31設置在一位置高於發光晶片41A、41B的位置以反射從發光晶片41A、41B發射出的光。
一樹脂層61設置在第一和第二發光晶片41A、41B上。部份的樹脂層61可設置在與導件31相同的高度或小於導件31上表面的高度，但不限定於此。
參照圖53，發光晶片41A、41B可具有一側電極結構以實現第一金屬層12A作為陽極而第三金屬層12B作為陰極的電路。參照圖14，不像圖14所繪示之電路，第一金屬層可作為陰極，而第三金屬層12B可作為陽極。
圖54和圖55為根據一實施例之發光裝置側的剖視圖和電路圖。
參照圖54，一發光裝置包括三層或更多的金屬層12A、12B、12C和兩個或更多的發光晶片41A、41B。發光晶片41A、41B可發射出具有相同峰值波長或彼此不同峰值波長的光。
金屬層12A、12B、12C係排列在相同平面上。一第一絕緣膜21圍繞著金屬層12A、12B、12C設置。一第二絕緣膜23設置在彼此相鄰的金屬層12A和12B、12A和12C、以及12B和12C之間以支撐和固定金屬層12A和12B、12A和12C、以及12B和12C。
彼此間隔開的第一發光晶片41A和第二發光晶片41B設置在第一金屬層12A上。
第一金屬層12A可作為第一發光晶片41A和第二發光晶片41B的共同電極。第二金屬層12B可作為用來控制第一發光晶片41A的電極，而第三金屬層12C可作為用來控制第二發光晶片41B的電極。
當第一和第二發光晶片41A、41B為側邊型晶片時，第一發光晶片41A可經由一第一導線51A和一第三導線51C而分別地電性連接至第一金屬層12A和第二金屬層12B。同時，第二發光晶片41B可經由一第二導線51B和一第四導線51D而分別地電性連接至第一金屬層12A和第三金屬層12C。
當第一和第二發光晶片41A、41B為垂直型晶片時，則可省略第一和第二導線51A、51B。
一導件31設置在第一絕緣膜21上。導件31設置在一位置高於發光晶片41A、41B的位置以反射從發光晶片41A、41B發射出的光。
一樹脂層61設置在第一和第二發光晶片41A、41B上。部份的樹脂層61可設置在與導件31相同的高度或小於導件31上表面的高度，但不限定於此。
參照圖55A，發光晶片41A、41B可具有一側電極結構以實現第一金屬層12A作為一正極共同電極而第二和第三金屬層12B、12C作為陰極的電路。在另一方面，參照圖55B，第一金屬層12A可作為負極共同電極，而第二和第三金屬層12B、12C可作為陽極。
圖56繪示根據一實施例發光裝置之金屬層修改後範例的側剖視圖。
參照圖56，一發光裝置100包括複數個金屬層11、13、絕緣膜21、23在金屬層11、13上、一發光晶片41至少在該複數個金屬層11、13的金屬層11上、一導件31在絕緣膜21上、以及覆蓋發光晶片41的一樹脂層61在金屬層11、13上。
由於金屬層11、13不是以分離的個體(separate bodies)方式提供，例如：並未有金屬層11、13使用由聚鄰苯二甲醯胺(polyphthalamide,PPA)所形成的一樹脂類體(resin-based body)所固定的結構，部份的金屬層11、13可具有一撓曲形(flexibly curved shape)、可以一預定角度彎折、或可被部份地蝕刻。
亦即，每一金屬層11、13包括一外部B1、一內部B2、以及一傾斜部B3。每一金屬層11、13的外部B1上表面的高度H2可大於每一金屬層11、13的內部B2上表面的高度H1。
此處，金屬層11或13的外部B1可具有一厚度T5等同於金屬層11或13的內部B2之厚度T4。
金屬層11、13包括內部B2和外部B1。外部B1可設置在一位置高於內部B2上表面的位置。每一金屬層11、13可彎曲以形成每一金屬層11、13的該外部。在彎折(bending)程序中，傾斜部B3具有一傾斜平面可設置在金屬層11、13的內部B2和外部B1之間。
該複數個金屬層11、13的傾斜部B3可具有互相面對的表面。此處，在其為傾斜的狀態下，該相面對的表面可彼此面對。傾斜部B3可有相對於金屬層11、13的內部B2上表面之約15°至約89°的一傾斜角。傾斜部B3的傾斜平面可於一發光方向有效地反射光。
同時，發光晶片41和第二絕緣膜23可設置在金屬層11、13的內部B2上。
同時，第一絕緣膜21可設置在金屬層11、13的外部B1上。導件31可設置在第一絕緣膜21上。
雖然未繪示，設置在外部B1和導件31上的第一絕緣膜21的至少一內部表面可以金屬層11、13的傾斜部B3之傾斜角來傾斜。
圖57至圖59繪示根據一實施例發光裝置之金屬層修改後範例的視圖。
參照圖57，金屬層11、13的上、下、和側表面中的一表面可具有一或更多包括凸部和凹部的粗糙結構11E、13E。粗糙結構11E、13E可設置在一第一絕緣膜21之下且可延伸直至每一金屬層11、13的開放區域A1、A2。
同時，粗糙結構11E、13E可設置在金屬層11、13的表面上，除了設置有發光晶片41的區域外或導線51、52接合至的區域。藉以改善金屬層11、13、發光晶片41、以及導線51、52的接觸特徵。
每一粗糙結構11E、13E可具有三角形、方形、梯形、以及正弦曲線形(sin-curve shape)中的其中一種，但並不限定於此。
粗糙結構11E、13E可改善在金屬層11、13上絕緣膜21、23之間的接觸區域或散熱效率。
參照圖58，複數個金屬層11、13的下表面可具有粗糙結構11E、13E。該粗糙結構11E、13E的突起部可具有條形(stripe shape)或矩陣形(matrix shape)，但並不限定於此。
參照圖59，一散熱框(heatsink frame)12可設置在該複數個金屬層的一金屬層11側表面上。散熱框12可由如同金屬層11的相同材料或導電性超越金屬層11的材料所形成。散熱框12可具有一表面具有包括凹部和凸部的一或更多的粗糙結構12E。
每一粗糙結構11E、13E可具有三角形、方形、梯形、以及正弦曲線形(sin-curve shape)中的其中一種，但並不限定於此。
金屬層11、13的熱效率可經由散熱框12的粗糙結構12E而改善。
如另一範例，該粗糙結構可提供在該複數個金屬層11、13的側表面上以增加表面區域，藉以改善熱效率。
<發光晶片>
根據一實施例的發光晶片將參照圖60和圖61進行詳細說明。
參照圖60，一發光晶片41可包括一基板111、一緩衝層112、一第一導電型半導體層113、一主動層114、一第二導電型半導體層115、一第一電極116、以及一第二電極117。第一導電型半導體層113、主動層114、以及第二導電型半導體層115可定義為一發光結構。
基板111可由Al2O3、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、一導電基板、以及GaAs所形成。基板111可為一成長基板。具有InxAlyGal-x-yN(0x1,0y1,0x+y1)化學式的一半導體可成長在成長基板上。
緩衝層112可用來降低基板111和半導體之間晶格常數差異的層且可由所II至VI族化合物半導體所形成。一未摻雜III-V族化合物半導體層可更設置在緩衝層112上，但並不限定於此。
第一導電型半導體層113設置在緩衝層112上、主動層124設置在第一導電型半導體層113上、以及第二導電層115設置在主動層124上。
第一導電型半導體層113可由一III-V族化合物半導體所形成，其中摻雜有一第一導電型摻雜物，例如：GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP中的一者。當第一導電型半導體層為一N型半導體層時，第一導電型摻雜物可包括一N型摻雜物，例如：Si、Ge、Sn、Se和Te。第二導電型半導體層114可形成單層或多層的形式，但並不限定於此。
主動層114可具有單量子井結構、多重量子井(MQW)結構、量子線結構、以及量子點結構的其中一結構。主動層114可具有一井層和一阻隔層的循環(cycle)，例如：使用III-V族化合物半導體材料的一InGaN井層/GaN阻隔層或InGaN井層/AlGaN阻隔層的循環。
一導電型包覆層可設置在主動層114之上或/及下方。導電型包覆層可由一AlGaN類半導體所形成。
一第二導電型半導體層形成在主動層114上。第二導電半導體層115可由一III-V族化合物半導體所形成，其中摻雜有一第二導電型摻雜物，例如：GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP中的一者。當第二導電型半導體層為一P型半導體層時，第二導電型摻雜物可包括一P型摻雜物，例如：Mg和Ze。第二導電型半導體層115可為單層或多層結構，但並不限定於此。
一第三導電型半導體層，例如：一N型半導體層可設置在第二導電型半導體層115上。因此，發光結構135可具有N-P接合結構、P-N接合結構、N-P-N接合結構、以及P-N-P接合結構中的至少一者。
一電流散佈層可設置在第二導電型半導體層115上。該電流散佈層可由氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化銦鋅錫(indium zinc tin oxide,IZTO)、氧化銦鋁鋅(indium aluminum zinc oxide,IAZO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,IGZO)、氧化銦鎵錫(indium gallium tin oxide,IGTO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)、氧化銻錫(antimony tin oxide,ATO)、以及氧化鋅鎵(gallium zinc oxide,GZO)中之一者所形成。
一第一電極116可設置在第一導電型半導體層113上而一第二電極117可設置在第二導電型半導體層115上。
第一電極116和第二電極117可經由一導線而連接至圖1或圖5的金屬層。
圖61為一垂直型晶片結構的視圖。
參照圖61，在一發光晶片45中，一歐姆層121設置在上一發光結構110之下方、一反射層124設置在歐姆層121之下方、一導電支撐件125設置在反射層124之下方、以及一保護層123圍繞著反射層124和發光結構110設置。
發光裝置45的形成可藉由在第二導電型半導體層115上形成一歐姆層121、一通道層123、一反射層124、以及一導電支撐件125，然後在不執行一蝕刻程序下移除基板111和緩衝層112以暴露出第一導電型半導體層113在圖52的結構。
歐姆層121可歐姆接觸發光結構110的一下層，舉例而言，第二導電型半導體層。歐姆層121可由ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其組合中之一者所形成。同時，歐姆層121可使用金屬材料和一光傳送導電材料例如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、以及ATO而形成多層結構。舉例而言，該多層結構可包括IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、以及AZO/Ag/Ni。在歐姆層121內可進一步設置對應電極16用以阻隔電流的阻隔層。
保護層123可由ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、SiO2,、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、以及TiO2中之一者所形成。保護層123可經由一濺鍍方法或一沉積方法所形成。保護層123可防止發光結構110中的各層彼此發生電性短路。
反射層124可由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、及其組合中之一者所形成。反射層124可具有一寬度寬於發光結構110的寬度以改善光反射效率。
舉例而言，導電支撐件125可作一底基板。導電支撐件125可由Cu、Au、Ni、鉬(Mo)、銅-鎢(Cu-W)、以及承載晶圓(carrier wafers)(例如：Si、Ge、GaAs、ZnO、Sic、等等)中的至少一者。一黏著層可更設置在導電支撐件125和反射層124之間。因此，該兩層可藉由該黏著層而彼此附著。
上述所揭露的發光晶片僅為範例且並不限定於上述特徵。發光晶片可選擇性地應用至發光裝置的實施例，但並不限定於此。
<發光系統>
上述所揭露實施例的發光裝置具有一結構，其中具有封裝的發光晶片。同時，複數個發光裝置可設置在一板上，因此可提供一發光系統，例如：一發光模組或一發光單元。根據上述實施例，該些發光裝置中的一者可應用至發光系統。
根據實施例的發光裝置可應用至發光單元。該發光單元可具有排列有數個發光裝置的結構。該發光單元可包括如圖62和63所繪示的顯示裝置和如圖64所繪示的發光裝置。再者，發光單元可包括照明燈、交通號誌燈、車輛頭光、和指示燈。
圖62繪示根據一實施例顯示裝置範例的示意圖。
參照圖62，一顯示單元1000可包括一導光板1041、一發光模組1031提供光至導光板1041、一反射件1022於導光板1041之下方、一光學片1051在導光板1041之上方、一顯示面板1061在光學片1051之上方、以及一底蓋1011容置導光板1031、發光模組1031、以及反射件1022，但並不限定於此。
底蓋1011、反射件1022、導光板1041、以及光學片1051可定義為發光單元1050。
導光板1041擴散光以產生平面光。舉例而言，導光板1041可由一透明材料所形成，例如：丙烯酸酯基樹脂材料，如聚甲基丙烯酸酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、一聚亞醯胺(polyethylene terephthalate,PET)樹脂、一聚碳酸酯(poly carbonate,PC)樹脂、一環烯烴共聚物(cyclic olefin copolymer,COC)樹脂、以及一聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)樹脂。
所設置的發光模組1031用來提供光至導光板1041的至少一側表面。因此，發光模組1031可作為一顯示裝置的光源。
至少一發光模組1031可設置在導光板1041的一側表面上以直接或間接提供光。發光模組1031可包括一基板1033和根據實施例的發光裝置100。同時，該些發光裝置100可以一預定間距排列在基板1033上。
基板1033可為包括電路圖案的一印刷電路板(PCB)。基板1033可包括一金屬核心PCB(MCPCB)或一軟性PCB(FPCB)與一般的PCB，但並不限定於此。當發光裝置100安裝在底蓋1011的一側表面上或一散熱板上時，則基板1033可移除。此處，部份的散熱板可接觸底蓋1011的上表面。
該複數個發光裝置100可安裝在基板1033上以允許透過其而可使光發射出的一發光面(light emission surface)與導光板1041以一預定間距間隔開，但並不限定於此。發光裝置100可直接或間接地提供光至一光入射光面，亦即導光板1041的一側表面，但並不限定於此。
反射件1022可設置在導光板1041之下方。由於反射件1022反射入射至導光板1041下表面的光以提供向上的光，發光單元1050的亮度可獲改善。舉例而言，反射件1022可由PET、PC、以及PVC中的一者所形成，但並不限定於此。反射件1022可為底蓋1011的上表面，但並不限定於此。
底蓋1011可容置導光板1041、發光模組1031、以及反射件1022。為此，底蓋1011可包括一接收部1012其具有一開放上側的箱(box)形，但並不限定於此。底蓋1011可連接至一上蓋(未繪示)，但並不限定於此。
底蓋1011可由一金屬材料或一樹脂材料所形成。同時，底蓋1011可使用一壓製成形程序(press molding process)或一押出成形程序(extrusion molding process)而形成。底蓋1011可由一金屬或具有優越熱傳導性的非金屬材料所形成，但並不限定於此。
舉例而言，顯示面板1061可為一液晶顯示(LCD)面板，且包括由一透明材料所形成的第一和第二基板和介於第一和第二基板之間的一液晶層。一偏光板可附著至顯示面板1061的至少一表面。本發明並不限制定於該偏光板的貼附結構。顯示面板1061可使用從發光模組1051發射出的光來顯示資訊。顯示單元1000可應用至各種可攜式終端、一筆記型電腦的監視器、一膝上型電腦的監視器、電視等等。
光學片1051設置在顯示面板1061和導光板1041之間且包括至少一透射片(transmission sheet)。舉例而言，光學片1051可包括至少一擴散片、一水平或垂直稜鏡片、一增光片(brightness enhanced sheet)等。該擴散片擴散入射光，而該水平或/及垂直稜鏡片收集該入射光至一顯示區域。此外，該增光片再使用失逸的光以改善亮度。同時，一保護片可設置在顯示面板1061上，但並不限定於此。
此處，該些光學元件例如導光板1041和光學片1051可設置在發光模組1031的一光學路徑上，但並不限定於此。
圖63繪示根據一實施例之顯示裝置的示意圖。
參照圖63，一顯示裝置1100包括一底蓋1152、一基板1120其中該些發光裝置100排列在該基板上1120、一光學元件1154、以及一顯示面板1155。
基板1120和發光裝置100可定義為一發光模組1060。底蓋1152、至少一發光模組1060、以及光學元件1154可定義為發光單元。
底蓋1152可包括一容置部1153，但並不限定於此。
此處，光學元件1154可包括一透鏡、一導光板、一擴散片、水平和垂直稜鏡片、和一增光片的至少一者。該導光板可由一PC材料或PMMA材料所形成。在此情況下，可移除該導光板。擴散片擴散入射光，而水平和垂直稜鏡片收集該入射光至顯示面板1155。該增光片再使用失逸的光以改善亮度。
光學元件1154設置在發光模組1060上以產生使用從發光模組1060發射出的光或擴散和收集從發光模組1060發射出的光之平面光。
圖64係根據一實施例發光單元的示意圖。
參照圖64，發光單元1500可包括一殼體1510、一發光模組1530設置在殼體1510中、以及一連接終端1520設置在殼體1510以接收來自一外部電源的電力。
殼體1510可由具有良好散熱特性的材料，例如：一金屬材料或一樹脂材料所形成。
發光模組1530可包括一基板1532和一發光裝置100安裝在基板1532上。發光裝置100以複數個的方式提供，且該些發光裝置200可排列成一矩陣形狀或彼此間隔一預定間距。
一電路圖案可印刷在一介電層以製造該基板1532。舉例而言，該基板1532可包括一印刷電路板(PCB)、一金屬核心PCB、一軟性PCB、一陶瓷PCB、或一FR-4。
同時，該基板1532可由可有效地反射光的材料所形成或可塗佈光可有效被反射的一顏色，例如：白色或銀色。
至少一發光裝置100可設置在該基板1532上。發光裝置100可包括至少一發光二極體(LED)晶片。該LED可包括彩色的LED分別可射出紅色、綠色、藍色、以及白色的光以及一紫外(UV)LED發射出UV光。
發光模組1530可具有數個發光裝置100的組合已獲得所欲之顏色和亮度。舉例而言，白色LED、紅色LED、和綠色LED可彼此結合以確保一高顯色性指數(color rendering index,CRI)。
連接終端1520可電性連接至發光模組1530以提供電力。連接終端1520在一牙槽(socket)型時可被螺接和連接至一外部電源，但並不限定於此。舉例而言，連接終端1520可具有插針形狀(pin shape)，且因此，可被***至該外部電源。或者，連接終端1520可藉由一導線連接至該外部電源。
根據實施例可提供帶狀型(tape-type)型或膜型(film-type)發光裝置經由絕緣膜來支撐金屬層而不使用封裝體。
根據實施例可改善發光裝置的製造程序。再者，發光裝置可降低厚度。根據實施例可改善發光裝置的取光率。
根據實施例可改善發光裝置的可靠度。同時，可改善發光裝置的微型化和整合性。根據實施例可改善發光裝置及具有其之發光系統的熱效率。
在上述實施例所描述之特徵、結構和效應係可被加入至本發明的至少一實施例，但不限定於僅一實施例。此外，熟知此技藝者在一實施例所舉例出的特徵、結構、和效應可輕易地與其他實施例結合和修改。因此，這些結合和修改應被認定在本發明的領域範圍中。
雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，熟習此項技藝者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改為可能的。對於熟悉此項技術者而言，除了零部件及/或配置之變化及修改外，替代用途亦將顯而易見。
10、11、13、15．．．金屬層
11A、11B、11C．．．金屬層
11D、13D．．．粗糙結構
11E、13E．．．粗糙結構
12．．．第二金屬層
12A、12B、12C．．．金屬層
12E．．．粗糙結構
13A、13B．．．金屬層
13-1．．．外部
13-2．．．內部
17、17A、17B．．．分離部
18．．．第二金屬層
19．．．溝槽
20、21、22．．．絕緣膜
23、24、25．．．絕緣膜
21d、31d．．．傾斜平面
21E．．．孔洞
23A、23B．．．第二絕緣膜
24．．．絕緣膜
24A．．．第二絕緣膜
24B．．．第三絕緣膜
29．．．黏著層
31、32、33、．．．導件
33A、38．．．導件
31E．．．部份
31C、34、．．．第二導件
36、37B．．．第二導件
37A．．．第一導件
41、42、43、45．．．發光晶片
41A、41B．．．發光晶片
51、52、53、54．．．導線
51A．．．第一導線
51B．．．第二導線
51C．．．第三導線
51D．．．第四導線
61．．．樹脂層
61A．．．部份
62、63、63A．．．樹脂層
63B．．．凹部
66、67、68．．．樹脂層
67A．．．中央部
68A．．．下部
68C．．．部份
71．．．透鏡
72．．．反射材料
73．．．螢光層
81A、81B．．．反射層
100．．．發光裝置
110．．．發光結構
111．．．基板
112．．．緩衝層
113．．．第一導電型半導體層
114．．．主動層
115．．．第二導電型半導體層
116．．．第一電極
117．．．第二電極
121．．．歐姆層
123．．．保護層
124．．．反射層
125．．．導電支撐件
1000．．．顯示單元
1011．．．底蓋
1012．．．接收部
1022．．．反射件
1031．．．發光模組
1033．．．基板
1041．．．導光板
1050．．．發光單元
1051．．．光學片
1060．．．發光模組
1061．．．顯示面板
1100．．．顯示裝置
1152．．．底蓋
1153．．．容置部
1154．．．光學元件
1155．．．顯示面板
1500．．．發光單元
1510．．．殼體
1520．．．連接終端
1530．．．發光模組
A1、A2、A3．．．開放區域
B1．．．外部
B2．．．內部
B3．．．傾斜部
D1．．．左長度
D2．．．右長度
D3．．．預定距離
G1．．．間距
H1、H2．．．高度
L1、L2．．．長度
S1．．．側表面
S3．．．下表面
S5．．．凹面
T1、T2、T3．．．厚度
T4、T5．．．厚度
T6．．．間隙
X1、Y1．．．長度
X3、Y3．．．寬度
X4、Y4．．．寬度
W1、W2．．．固定寬度
W5、W6．．．寬度
圖1為根據第一實施例之發光裝置的示意圖。
圖2為圖1中沿著線A-A的側剖視圖。
圖3至圖10繪示圖1發光裝置的製造程序。
圖11和圖12為根據第二和第三實施例發光裝置的側剖視圖。
圖13和圖14為根據第四實施例發光裝置之示意圖和側剖視圖。
圖15和圖16為根據第五實施例發光裝置之平面圖和側剖視圖。
圖17繪示圖15發光裝置修改後範例的視圖。
圖18至圖27繪示根據一實施例之金屬層和絕緣膜修改後範例的視圖。
圖28至圖51繪示根據另一實施例發光裝置修改後範例的視圖。
圖52和圖53繪示根據一實施例發光裝置的另一範例之側剖視圖和電路圖。
圖54和圖55繪示根據一實施例發光裝置的另一範例之側剖視圖和電路圖。
圖56繪示根據一實施例發光裝置之金屬層修改後範例的側剖視圖。
圖57至圖59繪示根據一實施例發光裝置之金屬層修改後範例的視圖。
圖60和圖61繪示根據一實施例之發光晶片範例的視圖。
圖62繪示根據一實施例顯示裝置範例的示意圖。
圖63繪示根據一實施例之該顯示裝置的另一範例示意圖。
圖64係根據一實施例發光單元的視圖。
11、13．．．金屬層
20、21、23．．．絕緣膜
31．．．導件
41．．．發光晶片
51、52．．．導線
61．．．樹脂層
100．．．發光裝置
A1、A2．．．開放區域
S1．．．側表面
X1、Y1．．．長度

Claims (22)

  1. 一種發光裝置，包括：複數個彼此間隔開的金屬層；一第一絕緣膜具有一開放區域，其中該些金屬層的部份上表面區域係呈開放狀，該第一絕緣膜設置在該些金屬層上表面的周邊部份上；一發光晶片設置在該些金屬層的至少一層上，該發光晶片電性連接至另一金屬層；一樹脂層設置在該些金屬層和該發光晶片上；一第二絕緣膜對應至該些金屬層之間並具有一寬度大於該些金屬層之間的間距，該第二絕緣膜設置於該些金屬層的一上表面和一下表面的至少一者上；一第二導件位於該第二絕緣膜上；以及一黏著層介於該些金屬層和該第一絕緣膜及該第二絕緣膜之間，其中該第一導件圍繞著該樹脂層設置，其中該第一導件由具有90%或以上之反射度的非金屬材料所形成，其中該些金屬層之下表面係暴露出，且設置於同一平面上，其中該第一絕緣膜和該第二絕緣膜支撐該些金屬層，其中該第一導件與該些金屬層接觸，其中該第一導件位於該第一絕緣膜之上表面及內表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一絕緣膜及該第二絕緣膜具有一厚度大於該些金屬層之各別厚度，其中該第一導件具有一厚度大於該第一絕緣膜及該第二絕緣膜之各別厚度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一絕緣膜及該第二絕緣膜係由具有至少30%反射率的材料所形成。
  4. 一種發光裝置，包括：複數個彼此間隔開的金屬層；一第一絕緣膜具有一開放區域，其中該些金屬層的部份呈開放狀，該第一絕緣膜設置在該些金屬層的上表面上；一黏著層介於該些金屬層和該第一絕緣膜之間；一第二絕緣膜介於該些金屬層之間且具有一寬度寬於該些金屬層之間的間距，該第二絕緣膜設於該些金屬層的上表面上；一發光晶片設置在該些金屬層的至少一層上；一樹脂層設置在該些金屬層和該發光晶片上；以及一第二導件位於該第二絕緣膜上，其中該第一導件圍繞著該樹脂層設置，其中該第一導件及該第二導件包括選自由一樹脂材料以及一非金屬材料所組成之群組中的至少一者，其中該些金屬層之下表面係暴露出且設置於同一平面上，其中該第一絕緣膜及該第二絕緣膜支撐該些金屬層， 其中該第一導件具有一厚度大於該第一絕緣膜及該第二絕緣膜之各別厚度，其中該第一導件與該些金屬層接觸，其中該第一導件位於該第一絕緣膜之上表面及內表面。
  5. 如申請專利範圍第2項或第4項所述之發光裝置，其中該第一導件具有15μm至500μm的厚度。
  6. 如申請專利範圍第2項或第4項所述之發光裝置，其中該第二絕緣膜包括藉由該第二絕緣膜界定的複數個開放區域。
  7. 如申請專利範圍第1項或第4項所述之發光裝置，其中該第一絕緣膜包括選自由圈狀(loop shape)、環狀(ring shape)、和框架狀(frame shape)所組成之群組中的至少一者。
  8. 如申請專利範圍第2項或第4項所述之發光裝置，其中該第一絕緣膜和該第二絕緣膜彼此連接。
  9. 如申請專利範圍第2項或第4項所述之發光裝置，其中該第一絕緣膜和該第二絕緣膜包括一透光膜或一螢光膜。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之發光裝置，其中該第一絕緣膜和該第二絕緣膜包括選自由一聚亞醯胺(polyimide,PI)膜、一聚亞醯胺(polyethylene terephthalate,PET)膜、一乙烯醋酸乙烯(ethylene vinyl acetate,EVA)膜、一聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)膜、一聚醋酸乙烯酯(triacetyl cellulose,TAC)膜、一聚醯胺醯亞胺(polyamide imide,PAI)膜、一聚二醚酮樹脂(polyether ether ketone,PEEK)膜、一側鏈型聚四氟乙烯 (perfluoroalkoxy,PFA)膜、一聚苯硫醚(polyphenylene sulfide,PPS)膜、以及一樹脂膜所組成之群組中的至少一者。
  11. 如申請專利範圍第5項所述之發光裝置，其中該第一導件和該第二導件彼此連接。
  12. 如申請專利範圍第5項所述之發光裝置，其中該第一導件和該第二導件的寬度窄於該第一絕緣膜和該第二絕緣膜的寬度。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之發光裝置，其中該第一導件之上表面位在高於該發光晶片的位置。
  14. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之發光裝置，其中該些金屬層的厚度在約15μm至約300μm的範圍內。
  15. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之發光裝置，其中一第一絕緣膜和該第一導件的至少一內表面為傾斜的平面。
  16. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之發光裝置，其中該些金屬層包括一第一金屬層和一第二金屬層，且該發光晶片設置在該第一金屬層上，其中該第一金屬層及該第二金屬層之間的一分離部係由空白區域形成。
  17. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之發光裝置，其中該些金屬層包括一第一金屬層、一第二金屬層、以及一第三金屬層介於該第一金屬層和該第二金屬層之間；而該發光晶片設置在該第三金屬層上且電性連接至該第一金屬層和該第二金屬層。
  18. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之發光裝置，更包括在一分離部中之一絕緣膠材料介於該些金屬層之間。
  19. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之發光裝置，其中該些金屬層的側表面、下表面、以及上表面中的至少一者具有一粗糙結構。
  20. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之發光裝置，更包括一第三絕緣膜介於該發光晶片和該第一絕緣膜之間。
  21. 如申請專利範圍第2項至第4項中任一項之發光裝置，更包括一第三導件介於該發光晶片和該第一及第二絕緣膜之間。
  22. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之發光裝置，其中該第一導件係選自由抗焊劑(solder resist)、一樹脂材料具有二氧化鈦(TiO2)、一樹脂材料具有玻璃織維、以及一高分子所組成之群組的材料所形成。
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TW (1) TWI533483B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI677976B (zh) * 2018-06-29 2019-11-21 相豐科技股份有限公司 發光顯像單元的複合層結構

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101114197B1 (ko) 2010-08-09 2012-02-22 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
US8878221B2 (en) * 2011-08-19 2014-11-04 Lg Innotex Co., Ltd. Light emitting module
KR20130096094A (ko) * 2012-02-21 2013-08-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법 및 이를 구비한 조명 시스템
JP2013206895A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 光学半導体装置用基板とその製造方法、及び光学半導体装置とその製造方法
KR20130115840A (ko) * 2012-04-13 2013-10-22 이광희 모바일용 홍채인식 카메라시스템
CN103489984B (zh) * 2012-06-13 2017-09-12 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装结构及其制作方法
TWI500185B (zh) 2012-06-13 2015-09-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
TW201403789A (zh) * 2012-07-06 2014-01-16 Lextar Electronics Corp 發光二極體陣列
US8927345B2 (en) * 2012-07-09 2015-01-06 Freescale Semiconductor, Inc. Device package with rigid interconnect structure connecting die and substrate and method thereof
JP5995579B2 (ja) * 2012-07-24 2016-09-21 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
US8816507B2 (en) 2012-07-26 2014-08-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package-on-Package structures having buffer dams and method for forming the same
JP6093127B2 (ja) * 2012-08-29 2017-03-08 シャープ株式会社 発光装置及びその製造方法
USD753612S1 (en) * 2012-09-07 2016-04-12 Cree, Inc. Light emitter device
CN103682019B (zh) * 2012-09-21 2017-04-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
CN103682018B (zh) * 2012-09-21 2017-04-26 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
JP2014085653A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Funai Electric Co Ltd 表示装置
DE102012110774A1 (de) * 2012-11-09 2014-05-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
CN103887402B (zh) * 2012-12-21 2018-02-09 光宝电子(广州)有限公司 发光二极管封装结构、其围墙结构及围墙结构的制造方法
US9029905B2 (en) * 2012-12-21 2015-05-12 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting diode device
CN103972355A (zh) * 2013-01-29 2014-08-06 台达电子工业股份有限公司 发光元件及其制作方法
DE102013202551A1 (de) 2013-02-18 2014-08-21 Heraeus Materials Technologies GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer Kavität
DE102013202542A1 (de) 2013-02-18 2014-09-18 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Substrat zur Herstellung einer LED und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102013207564A1 (de) * 2013-04-25 2014-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierendes Element, optoelektronisches Bauelement und Druckschablone
KR102056832B1 (ko) * 2013-05-31 2019-12-17 엘지이노텍 주식회사 인쇄회로기판 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 조명 유닛
CN105359284B (zh) * 2013-06-28 2019-05-14 西铁城时计株式会社 Led装置
KR102080778B1 (ko) * 2013-09-11 2020-04-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
DE102013219063A1 (de) * 2013-09-23 2015-03-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102013225552A1 (de) * 2013-12-11 2015-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102014101556A1 (de) 2014-02-07 2015-08-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
TWI557955B (zh) * 2014-04-23 2016-11-11 光寶光電（常州）有限公司 Ｌｅｄ承載座及其製造方法
DE102014108282A1 (de) * 2014-06-12 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie Lichtquelle mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
US9423247B2 (en) * 2014-06-18 2016-08-23 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Positioning graphic component for substrate detection and method of manufacturing the same
KR102237112B1 (ko) 2014-07-30 2021-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 광원 모듈
DE102014115375A1 (de) * 2014-08-08 2016-02-11 Epcos Ag Träger für eine LED
JP6583764B2 (ja) * 2014-09-12 2019-10-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、及び照明装置
CN105591007B (zh) * 2014-10-23 2018-04-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
TW201628218A (zh) * 2015-01-26 2016-08-01 Edison Opto Corp 磷光片與具有磷光片的發光裝置
EP3091822A1 (en) * 2015-05-08 2016-11-09 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Method for the production of an electronic module as well as corresponding electronic module
KR102378761B1 (ko) * 2015-07-21 2022-03-25 엘지이노텍 주식회사 일체형 발광 패키지 및 이를 이용한 차량용 램프
JP6406711B2 (ja) * 2015-10-28 2018-10-17 大口マテリアル株式会社 リードフレームの製造方法
WO2017073680A1 (ja) * 2015-10-29 2017-05-04 京セラ株式会社 発光素子搭載用基板および発光装置
US10468337B2 (en) 2015-11-12 2019-11-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Package for an electronic component, electronic component and electronic arrangement
JP6118437B1 (ja) * 2015-12-21 2017-04-19 ルーメンス カンパニー リミテッド Ｌｅｄモジュール
US10211378B2 (en) 2016-01-29 2019-02-19 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing same
EP3223322B1 (en) * 2016-03-25 2019-05-01 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
JP2017188597A (ja) * 2016-04-07 2017-10-12 アズビル株式会社 基板ユニットおよび基板ユニットの製造方法
JP6873157B2 (ja) 2016-05-02 2021-05-19 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 熱ブロックアセンブリ、それを有するｌｅｄ装置、及び熱ブロックアセンブリを製造する方法
FR3051033B1 (fr) * 2016-05-05 2020-08-28 Linxens Holding Dispositif emetteur de lumiere
JPWO2017209143A1 (ja) * 2016-05-31 2019-03-28 シチズン電子株式会社 発光装置およびその製造方法
JP6806925B2 (ja) * 2017-04-04 2021-01-06 シグニファイ ホールディング ビー ヴィＳｉｇｎｉｆｙ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｂ．Ｖ． 固体光エミッタパッケージ、ランプ、照明器具、及び固体光エミッタパッケージの製造方法
JP7177327B2 (ja) * 2017-04-06 2022-11-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110959199B (zh) * 2017-08-28 2023-12-15 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电子半导体器件和用于形成光电子半导体器件的方法
CN111665640B (zh) * 2019-03-08 2022-07-26 三赢科技（深圳）有限公司 结构光投射模组及其电子装置
JP7417031B2 (ja) * 2019-03-27 2024-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7117684B2 (ja) * 2020-01-31 2022-08-15 日亜化学工業株式会社 面状光源の製造方法
TWI719823B (zh) * 2020-02-05 2021-02-21 聚積科技股份有限公司 板上封裝顯示元件及其製造方法
JP7494521B2 (ja) * 2020-03-30 2024-06-04 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
DE102020133755A1 (de) 2020-12-16 2022-06-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelement mit strukturiertem leiterrahmen und verfahren zur herstellung eines bauelements

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6359356A (ja) * 1986-08-28 1988-03-15 株式会社　山本製作所 竪型衝撃式脱ふ装置
FR2645680B1 (fr) * 1989-04-07 1994-04-29 Thomson Microelectronics Sa Sg Encapsulation de modules electroniques et procede de fabrication
JPH0796634A (ja) 1993-06-24 1995-04-11 Ricoh Co Ltd Ｌｅｄ書き込み装置および画像形成装置
JP3020787B2 (ja) 1993-12-20 2000-03-15 京セラ株式会社 画像装置
US6680569B2 (en) * 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
KR100354823B1 (ko) 1999-09-10 2002-10-04 전자부품연구원 투명 절연층을 이용한 후막형 전계 발광 소자
MY131962A (en) * 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP3939177B2 (ja) 2002-03-20 2007-07-04 シャープ株式会社 発光装置の製造方法
DE10228634A1 (de) * 2002-06-26 2004-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare Miniatur-Lumineszenz-und/oder Photo-Diode und Verfahren zu deren Herstellung
TW546799B (en) * 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
EP1527479A1 (de) * 2002-08-05 2005-05-04 Osram Opto Semiconductors GmbH VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRISCHEN LEITERRAHMENS, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OBERFLäCHENMONTIERBAREN HALBLEITERBAUELEMENTS UND LEITERRAHMENSTREIFEN
JP4633333B2 (ja) * 2003-01-23 2011-02-16 株式会社光波 発光装置
JP3910171B2 (ja) 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP4034241B2 (ja) * 2003-06-27 2008-01-16 日本ライツ株式会社 光源装置および光源装置の製造方法
US7082640B2 (en) 2003-07-18 2006-08-01 Christy, Inc. Ambient air backflushed filter vacuum
KR100533635B1 (ko) * 2003-11-20 2005-12-06 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US20050116235A1 (en) 2003-12-02 2005-06-02 Schultz John C. Illumination assembly
KR100623024B1 (ko) * 2004-06-10 2006-09-19 엘지전자 주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지
US7473933B2 (en) * 2004-10-29 2009-01-06 Ledengin, Inc. (Cayman) High power LED package with universal bonding pads and interconnect arrangement
JP5262374B2 (ja) * 2004-11-30 2013-08-14 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
US20060125716A1 (en) 2004-12-10 2006-06-15 Wong Lye Y Light-emitting diode display with compartment
JP2006186000A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Kyoei Opto Japan Kk 高出力半導体装置及びその製造方法
JP2006303458A (ja) 2005-03-25 2006-11-02 Naoya Yanase 電子部品実装基板
TWI256737B (en) * 2005-05-19 2006-06-11 Pi-Fu Yang One-block light-emitting device and manufacturing method thereof
KR100665219B1 (ko) 2005-07-14 2007-01-09 삼성전기주식회사 파장변환형 발광다이오드 패키지
DE102005041064B4 (de) 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
KR100691441B1 (ko) 2005-11-15 2007-03-09 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
US20070126020A1 (en) * 2005-12-03 2007-06-07 Cheng Lin High-power LED chip packaging structure and fabrication method thereof
JP2007194517A (ja) 2006-01-23 2007-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法
JP4931628B2 (ja) * 2006-03-09 2012-05-16 セイコーインスツル株式会社 照明装置及びこれを備える表示装置
WO2007135707A1 (ja) 2006-05-18 2007-11-29 Nichia Corporation 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
KR20080028071A (ko) 2006-09-26 2008-03-31 서울옵토디바이스주식회사 후방에 광 반사패턴을 갖는 ｌｅｄ 장치
JP2008108835A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Harison Toshiba Lighting Corp 半導体発光装置及びその製造方法
KR100764449B1 (ko) 2006-10-24 2007-10-05 삼성전기주식회사 발광소자 패키지
TWM318795U (en) 2006-12-18 2007-09-11 Lighthouse Technology Co Ltd Package structure
WO2008081794A1 (ja) 2006-12-28 2008-07-10 Nichia Corporation 発光装置およびその製造方法
JP2008198782A (ja) 2007-02-13 2008-08-28 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2008226928A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法、ならびに照明装置
JP4205135B2 (ja) 2007-03-13 2009-01-07 シャープ株式会社 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
KR100850666B1 (ko) * 2007-03-30 2008-08-07 서울반도체 주식회사 메탈 ｐｃｂ를 갖는 ｌｅｄ 패키지
KR200442383Y1 (ko) 2007-07-18 2008-11-05 주식회사 파워라이텍 발광다이오드 소자의 어셈블리 구조
JP5062677B2 (ja) * 2007-09-18 2012-10-31 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示装置
KR20090039261A (ko) 2007-10-18 2009-04-22 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
KR101423723B1 (ko) 2007-10-29 2014-08-04 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 패키지
TW200937667A (en) * 2008-02-20 2009-09-01 Advanced Optoelectronic Tech Package structure of chemical compound semiconductor device and fabricating method thereof
US8258526B2 (en) 2008-07-03 2012-09-04 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode package including a lead frame with a cavity
KR20100028136A (ko) 2008-08-21 2010-03-12 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지 모듈
KR100982994B1 (ko) * 2008-10-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 모듈
JP2010109119A (ja) 2008-10-30 2010-05-13 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュール及びその製造方法
JP2010114387A (ja) 2008-11-10 2010-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法、並びに、発光モジュール
KR20100052978A (ko) 2008-11-11 2010-05-20 주식회사 동부하이텍 조명 장치 및 그 구동방법
JP2010118528A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc リフレクタ及びこれを用いる発光素子搭載用パッケージ
KR101018153B1 (ko) * 2008-11-27 2011-02-28 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
KR101161408B1 (ko) 2009-03-05 2012-07-02 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법
KR20100135496A (ko) 2009-06-17 2010-12-27 산요덴키가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
JP3158994U (ja) 2009-10-29 2010-05-06 株式会社Ｋｓ 回路基板
KR101114197B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-22 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI677976B (zh) * 2018-06-29 2019-11-21 相豐科技股份有限公司 發光顯像單元的複合層結構

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