KR200442383Y1 - 발광다이오드 소자의 어셈블리 구조 - Google Patents

발광다이오드 소자의 어셈블리 구조 Download PDF

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Abstract

본 고안은 방열 반사판을 이용한 반도체 리드프레임 및 그에 따른 고 방열 발광다이오드 소자의 어셈블리 구조에 관한 것이다. 본 발광다이오드 소자 구조는 한 쌍의 양극전극(Anode Lead)(4)과 음극전극(Cathode Lead Frame)(3)과, 상기 음극 양극전극(4)(3)의 상측에 Cu 또는 Al으로 구성된 방열반사판(61)은 그 주변이 나사산(62)(63)모양이며 그 표면의 전면에는 Ag로 도금되어 있다. 이로서 반사판 자체가 나사산 모양으로 되어 발광다이오드칩(1)에서 발생하는 열을 대기중으로 쉽게 방출함으로서, 종래의 사출반사판(61)을 갖는 발광다이오드 소자의 방열 문제등의 단점을 보완한 발광다이오드 소자의 어셈블리 구조를 제공하는 것이다.
발광다이오드소자, 에폭시수지, 방열반사판, 사출반사판

Description

발광다이오드 소자의 어셈블리 구조{ASSEMBLING STRUCTURE OF LIGHT EMITTING DIODE}
본 고안은 사출반사판을 사용을 배제하고 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)로 나사산 모양으로 형성된 방열반사판을 이형의 반도체 리드프레임에 절연접착제를 이용하여 방열반사판을 붙여서 만들고, 이 방열반사판의 하단부에 발광반도체 칩을 접착제로 붙여 주고 골드와이어로 음극, 양극 리드부에 전극을 연결하며, 방열반사판의 내부에 에폭시 또는 실리콘으로 몰드를 함으로서 방열반사판 자체가 방열구조와 광을 반사시켜주는 역할을 동시에 함으로서 방열이 우수한 발광다이오드 소자의 어셈블리 구조에 관한 것이다.
일반적으로 발광다이오드는 전기적인 신호를 광학적 신호로 변경해 주는 역할을 하는데, 이때 전기적 신호가 가해지면 발광다이오드 칩(Chip)은 빛과 열을 발산한다. 칩의 종류에 따라 청색(Blue), 적색(Red), 녹색(Green)의 발광파장을 발광한다.
종래에는 도 1에 도시된 바와 같이, 사출반사판(61)을 리드프레임에 부착시켜 주는 방식으로 발광다이오드를 구현하고 있다. 이때 발광다이오드 칩(1)은 접착제(211)를 이용하여 부착하여 주고, 골드와이어(5)를 이용하여 전극을 형성시켜주고, 발광다이오드의 상층부 사출반사판(61) 내부에 형광체가 섞어진 에폭시 또는 실리콘을 채워주는 방식으로 발광다이오드 소자를 만들었으나, 이는 사출반사판(61)을 사용함으로써 발광다이오드의 발생하는 빛을 효과적으로 외부에 전달해 주지 못하는 단점이 있어 발광다이오드의 신뢰성을 확보하기가 어려운 문제가 있었다.
본 고안은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 사출반사판을 사용하지 않고 나사산모양의 Al 또는 Cu로 컵을 형성한 반사판을 리드프레임의 절곡부에 절연접착제로 부착시키고, 이 방열반사판 하단부에 발광다이오드 칩을 부착하고 골드와이어로 전극을 형성시켜줌으로써 발광다이오드 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 방출시켜서 광효율을 높이고 신뢰성을 얻을 수 있도록 하는 발광다이오드 소자의 어셈블리 구조를 제공하는데 있다.
상기 목적으로 달성하기 위한 본 고안에서는, 먼저 반도체 리드프레임을 에칭 또는 스탬핑(Stamping) 공정으로 전극부을 만들어 주고, 이 전극부의 양극, 음극부를 90°로 절곡하여 절곡부를 만들어 준다. 또한 나사산을 구비한 Al 또는 Cu로 된 방열반사판을 만들고, 이 방열반사판을 반도체 리드프레임의 90°절곡한 절곡부에 절연접착제를 이용하여 끼워 줌으로서 사출반사판을 없애고 방열반사판을 구비한 반도체 리드프레임을 만들 수 있다. 이로써 종래의 사출반사판을 붙여 주는 별도의 사출공정을 없애고 방열반사판을 삽입하는 공정을 부가시켜 줌으로써 방열효과가 우수한 리드프레임을 제공하는 것이다.
위와 같이 제작된 방열반사판을 구비한 리드프레임에 발광다이오드 칩을 접 착하고 골드와이어로 전극을 형성시켜주고, 에폭시 또는 실리콘으로 몰드 시켜줌으로써 고휘도의 방열특성을 가지는 발광다이오드 소자의 어셈블리 구조를 만들 수 있다.
이와 같은 본 고안의 발광다이오드 소자의 어셈블리 구조는 일반적인 사출 반사판을 리드프레임에 부착시켜주는 사출 공정을 생략할 수 있어 리드프레임의 사출금형 투자비를 줄여주는 효과가 있다. 또한 방열반사판을 나사산모양을 갖춘 Al 또는 Cu로 제작하여 방열 효과가 매우 뛰어난 특징이 있다. 또한 방열반사판의 표면을 Ag로 도금함으로서 발광다이오드 칩에서 방사되는 빛을 효과적으로 전방으로 방사시켜 줌으로서 광효율을 극대화하는 효과를 제공한다.
이하, 첨부된 도면에 의하여 본 고안을 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2a, 2b, 2c는 본 고안에 의해 발광다이오드 소자를 정면도, 배면도, 측면도를 나타낸 요부단면도이고, 도 3a, 3b는 본 고안에 따른 반도체 리드프레임의 제1공정을 나타내는 정면도와 측면도이고, 도 4a, 4b, 4c는 본 고안의 제2공정에 따른 방열 반사판의 정면도와 측면도 및 배면도이고, 도 5a, 5b는 본 고안의 제3 공정도로서 방열 반사판이 리드프레임에 접착된 정면도 및 측면도이다.
상기 도 2a 내지 도 5b에 도시된 바와 같이 본 고안은, 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)의 소재로 방열효과를 극대화하기 위한 나사산(62)(63) 모양이 외측면에 형성된 방열반사판(6)과, 이 방열반사판(6)의 내측에 리드프레임에 형성된 절곡부(31)(41)를 끼울 수 있도록 구성한 홀(7)과 , 이 홀(7)에 끼워지고 상기 방열반사판(6)과 절연되면서 접착하기 위한 절연접착제(21)로 부착되는 리드프레임에 형성된 절곡부(31)(41)와, 이 리드프레임의 절곡부(31)(41)와 발광다이오드 칩(1)을 전기적으로 연결시켜 주는 골드와이어(5)와, 상기 방열반사판(6)의 내측에 채워지는 에폭시 또는 실리콘수지(8)로 구성되어 있다.
도 3a, 3b는 본 고안에 따른 반도체 리드프레임(2)의 제1 공정도의 정면도와 측면도로서, 양극전극(Anode Pad)(4)과 음극전극(Cathode Lead Frame)(3)이 마련되고 이 음극, 양극전극(3)(4)의 연장선상에 90°로 절곡된 절곡부(31)(41)가 구성되어 있다.
도 4a, 4b, 4c는 본 고안의 제2 공정도에 의한 방열반사판의 정면도와 배면도 및 측면도이다.
도 4a, 4b, 4c에서와 같이 Al 또는 Cu로 구성된 방열반사판(6)의 구성도이다. 방열반사판(6)은 리드프레임의 절곡부(31)(41)와 결합을 할 수 있도록 구성된 홀(7)과, 방열반사판의 중심 내부에는 발광다이오드 칩을 부착시켜줄 수 있도록 하고 광이 효과적으로 전방으로 방사될 수 있도록 한 일정각도의 반사판(64)과, 방열효과를 극대화할 수 있도록 한 나사산(62)(63)으로 구성되어 있다.
도 5a, 5b는 본 고안에 의한 제3 공정도로서 방열반사판(6)이 리드프레임에 접착된 정면도 및 측면도이다.
도 5a, 5b에서와 같이 반도체 리드프레임(2)의 절곡부(31)(41)에 절연접착제(21)를 이용하여 방열반사판(6)을 부착시켜 줌으로서 완성된다.
도 1은 종래의 사출 반사판을 갖춘 발광다이오드 소자의 측면도이고,
도 2a, 2b, 2c는 본 고안에 따른 방열 발광다이오드 소자의 정면도, 배면도 및 측면도이고,
도 3a, 3b는 본 고안에 따른 반도체 리드프레임의 제1공정을 나타내는 정면도와 측면도이고,
도 4a, 4b, 4c는 본 고안의 제2공정에 따른 방열 반사판의 정면도와 배면도 및 측면도이고,
도 5a, 5b는 본 고안의 제3 공정도로서 방열 반사판이 리드프레임에 접착된 정면도 및 측면도이다.
-도면 중 주요 부분에 대한 부호의 설명-
1; 발광다이오드칩 3; 음극리드
4; 양극리드 5; 골드와어이
6; 방열반사판(Cu 또는 Al 및 그 합금 반사판)
7; 홀 8; 에폭시/실리콘수지
21; 절연접착제 31, 41; 절곡부
삭제
삭제
61; 사출반사판 64; 방열반사판의 반사부
211; 접착제

Claims (6)

  1. 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)의 소재로 방열 효과를 극대화하기 위한 나사산(62)(63) 모양이 외측면에 형성된 방열반사판(6)과, 방열반사판(6)의 내측은 리드프레임에 형성된 절곡부(31)(41)를 끼울 수 있도록 구성한 홀(7)과, 이 홀(7)에 끼워지고 절연접착제(21)로 상기 방열반사판(6)과 전기적으로 절연되면서 접착되는 리드프레임에 형성된 절곡부(31)(41)와, 이 리드프레임의 절곡부(31)(41)와 발광다이오드 칩(1)을 전기적으로 연결시켜 주는 골드와이어(5)와, 에폭시 또는 실리콘수지(8)로 방열반사판 내측에 몰딩되어진 발광다이오드 소자의 어셈블리 구조.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 홀과 절곡부는, 다수개 형성되고, 형성된 절곡부에 발광다이오드 칩이 장착되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자의 어셈블리 구조.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 에폭시 또는 실리콘수지 중 어느 하나에 형광체 수지를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자의 어셈블리 구조.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 방열반사판의 내측면에 형성된 반사판(64)은, 표면이 일정두께의 은(Ag)으로 도금되어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자의 어셈블리 구조.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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