JPH0796634A - Ｌｅｄ書き込み装置および画像形成装置 - Google Patents
Ｌｅｄ書き込み装置および画像形成装置Info
- Publication number
- JPH0796634A JPH0796634A JP23506593A JP23506593A JPH0796634A JP H0796634 A JPH0796634 A JP H0796634A JP 23506593 A JP23506593 A JP 23506593A JP 23506593 A JP23506593 A JP 23506593A JP H0796634 A JPH0796634 A JP H0796634A
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- Japan
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- led
- thermal expansion
- writing device
- circuit board
- lsi
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- Pending
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- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＬＥＤ装置が点灯したときにＬＥＤ自身が発生
する熱により生じる基板の熱膨張を防止して、もってＬ
ＥＤの各ドットの位置ズレを防止するＬＥＤ書き込み装
置を提供すること目的とする。 【構成】ＬＥＤを点灯制御するＬＳＩプリント基板７に
低熱膨張率材料からなる熱膨張防止板８を接着する。ま
たは、ＬＥＤ書き込み装置の本体４を低熱膨張率材料で
構成する。
する熱により生じる基板の熱膨張を防止して、もってＬ
ＥＤの各ドットの位置ズレを防止するＬＥＤ書き込み装
置を提供すること目的とする。 【構成】ＬＥＤを点灯制御するＬＳＩプリント基板７に
低熱膨張率材料からなる熱膨張防止板８を接着する。ま
たは、ＬＥＤ書き込み装置の本体４を低熱膨張率材料で
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＬＥＤ光書き込み素
子を利用したＬＥＤ書き込み装置、及び該装置を用いる
電子写真プロセスを利用した複写機、プリンター等の画
像形成装置に関する。
子を利用したＬＥＤ書き込み装置、及び該装置を用いる
電子写真プロセスを利用した複写機、プリンター等の画
像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤによる光書き込みを利用した画像
形成装置としては、例えば実開平２−１３４５４９号に
記載のものが知られている。しかしながら、従来の装置
においてはＬＥＤ装置が点灯したときにＬＥＤ自身が発
生する熱によりＬＥＤが搭載される基板が熱膨張により
変形しＬＥＤの各ドットの位置が狂ってしまう弊害があ
った。
形成装置としては、例えば実開平２−１３４５４９号に
記載のものが知られている。しかしながら、従来の装置
においてはＬＥＤ装置が点灯したときにＬＥＤ自身が発
生する熱によりＬＥＤが搭載される基板が熱膨張により
変形しＬＥＤの各ドットの位置が狂ってしまう弊害があ
った。
【０００３】すなわち、従来のＬＥＤ光書き込み素子で
は、回路基板の材質としてガラス繊維入りのエポキシ樹
脂が用いられるが、その熱膨張率は、１４．０Ｅ−５
（１／℃）程度である（ここで、「１４．０Ｅ−５」
は、１４．０に１０のマイナス５乗を掛けた数値を示
す。本明細書の発明の詳細な説明、及び特許請求の範囲
中で同様の表示を用いる。）。一方、ＬＥＤの点灯時に
チップはかなりの温度上昇があり、たとえ放熱のための
処置を施しても、５０℃から６０℃の温度上昇は避けら
れない。かかる温度上昇によりＬＥＤは一端のドットか
ら他端のドットまで、諸々の条件にも依存するが０．２
ｍｍから０．４ｍｍの膨張は避けがたく、それに伴いド
ットの位置が狂ってしまい、画像に悪影響をおよぼすと
いう弊害がある。そこで係る弊害を解消するため、例え
ば電子写真学会誌第３０巻第４号「ＬＥＤプリンタヘッ
ド」ではプリント基板として熱膨張利率の低い材料であ
るセラミックを用いることで、基板の熱膨張を避けよう
としている。しかしながら、かかる構成をもってしても
基板の熱膨張を画像への悪影響を与えない程度に抑える
ことは不可能である。
は、回路基板の材質としてガラス繊維入りのエポキシ樹
脂が用いられるが、その熱膨張率は、１４．０Ｅ−５
（１／℃）程度である（ここで、「１４．０Ｅ−５」
は、１４．０に１０のマイナス５乗を掛けた数値を示
す。本明細書の発明の詳細な説明、及び特許請求の範囲
中で同様の表示を用いる。）。一方、ＬＥＤの点灯時に
チップはかなりの温度上昇があり、たとえ放熱のための
処置を施しても、５０℃から６０℃の温度上昇は避けら
れない。かかる温度上昇によりＬＥＤは一端のドットか
ら他端のドットまで、諸々の条件にも依存するが０．２
ｍｍから０．４ｍｍの膨張は避けがたく、それに伴いド
ットの位置が狂ってしまい、画像に悪影響をおよぼすと
いう弊害がある。そこで係る弊害を解消するため、例え
ば電子写真学会誌第３０巻第４号「ＬＥＤプリンタヘッ
ド」ではプリント基板として熱膨張利率の低い材料であ
るセラミックを用いることで、基板の熱膨張を避けよう
としている。しかしながら、かかる構成をもってしても
基板の熱膨張を画像への悪影響を与えない程度に抑える
ことは不可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記の点
に鑑みてなされたものであり、ＬＥＤ装置が点灯したと
きにＬＥＤ自身が発生する熱により生じる基板の熱膨張
を防止して、もってＬＥＤの各ドットの位置ズレを防止
するＬＥＤ書き込み装置を提供すること目的とする。
に鑑みてなされたものであり、ＬＥＤ装置が点灯したと
きにＬＥＤ自身が発生する熱により生じる基板の熱膨張
を防止して、もってＬＥＤの各ドットの位置ズレを防止
するＬＥＤ書き込み装置を提供すること目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１の発明に係るＬＥＤ書き込み装置は、Ｌ
ＥＤ発光素子を一列に配設したチップと、該ＬＥＤを駆
動するＬＳＩを備えるプリント基板とからなるＬＥＤ書
き込み装置であって、プリント基板に低熱膨張係数の材
料からなる熱膨張防止板を接着したことを特徴とするも
のである。また、請求項２のＬＥＤ書き込み装置は、記
載の請求項１に記載のＬＥＤ書き込み装置であって、熱
膨張防止板の熱膨張係数が５．０Ｅ−６（１／℃）以下
であることを特徴とするものである。また、請求項３に
記載のＬＥＤ書き込み装置は、請求項１に記載のＬＥＤ
書き込み装置であって、熱膨張防止板としてセラミック
材料を用いることを特徴とするものである。
めに、請求項１の発明に係るＬＥＤ書き込み装置は、Ｌ
ＥＤ発光素子を一列に配設したチップと、該ＬＥＤを駆
動するＬＳＩを備えるプリント基板とからなるＬＥＤ書
き込み装置であって、プリント基板に低熱膨張係数の材
料からなる熱膨張防止板を接着したことを特徴とするも
のである。また、請求項２のＬＥＤ書き込み装置は、記
載の請求項１に記載のＬＥＤ書き込み装置であって、熱
膨張防止板の熱膨張係数が５．０Ｅ−６（１／℃）以下
であることを特徴とするものである。また、請求項３に
記載のＬＥＤ書き込み装置は、請求項１に記載のＬＥＤ
書き込み装置であって、熱膨張防止板としてセラミック
材料を用いることを特徴とするものである。
【０００６】また、請求項４のＬＥＤ書き込み装置は、
請求項１に記載のＬＥＤ書き込み装置であって、プリン
ト基板と熱膨張防止板の接着に低熱膨張係数の接着剤を
用いることを特徴とするものである。また、請求項５の
ＬＥＤ書き込み装置は、ＬＥＤ発光素子を一列に配設し
たチップと、該ＬＥＤを駆動するＬＳＩと、前記ＬＥＤ
発光素子およびＬＳＩを収納する内部構造用基板とから
なるＬＥＤ書き込み装置であって、前記内部構造用基板
を低熱膨張係数の材料により構成したことを特徴とする
ものである。
請求項１に記載のＬＥＤ書き込み装置であって、プリン
ト基板と熱膨張防止板の接着に低熱膨張係数の接着剤を
用いることを特徴とするものである。また、請求項５の
ＬＥＤ書き込み装置は、ＬＥＤ発光素子を一列に配設し
たチップと、該ＬＥＤを駆動するＬＳＩと、前記ＬＥＤ
発光素子およびＬＳＩを収納する内部構造用基板とから
なるＬＥＤ書き込み装置であって、前記内部構造用基板
を低熱膨張係数の材料により構成したことを特徴とする
ものである。
【０００７】さらに、請求項６に記載の画像形成装置
は、請求項１から請求項７に記載のＬＥＤ書き込み装置
と、そのＬＥＤから光書き込みを受ける感光体とを備え
たことを特徴とするものである。
は、請求項１から請求項７に記載のＬＥＤ書き込み装置
と、そのＬＥＤから光書き込みを受ける感光体とを備え
たことを特徴とするものである。
【作用】この発明によれば、ＬＥＤ装置が点灯したとき
にＬＥＤ自信が発生する熱により生じる基板の熱膨張を
防止して、もってＬＥＤの各ドットの位置ズレを防止す
るＬＥＤ書き込み装置を提供することができる。
にＬＥＤ自信が発生する熱により生じる基板の熱膨張を
防止して、もってＬＥＤの各ドットの位置ズレを防止す
るＬＥＤ書き込み装置を提供することができる。
【０００８】
【実施例】以下、実施例に基づいて具体的に説明する。
まず、図１、図２、図３を用いて第１の実施例を説明す
る。図１はこの実施例のＬＥＤ書き込み装置の正面図で
あり、図２は図１に示すＬＥＤ書き込み装置の側面図で
ある。さらに、図３は図１に示すにＬＥＤ書き込み装置
の断面図である。図１、図２に示すように、この実施例
のＬＥＤ書き込み装置は、本体１と本体１に突設される
ＬＥＤアレイ収納部２とからなる。
まず、図１、図２、図３を用いて第１の実施例を説明す
る。図１はこの実施例のＬＥＤ書き込み装置の正面図で
あり、図２は図１に示すＬＥＤ書き込み装置の側面図で
ある。さらに、図３は図１に示すにＬＥＤ書き込み装置
の断面図である。図１、図２に示すように、この実施例
のＬＥＤ書き込み装置は、本体１と本体１に突設される
ＬＥＤアレイ収納部２とからなる。
【０００９】ここで、本体１は内部構造用基板３とＬＥ
Ｄ点灯時に発生する熱を放出する放熱フィン４とからな
る。本体１、すなわち内部構造用基板３と放熱フィン４
は従来はその加工の容易さを考慮してアルミニュームが
用いられてきたが、例えばインバータ合金、ニレジスト
鋳鉄、ノビナイト鋳鉄等の熱膨張係数が小さく、かつ加
工性にも優れた材料から構成することが望ましい。ま
た、図３に示すようにＬＥＤアレイ収納部２には、ＬＥ
Ｄの光を感光体に伝達するためのガラスレンズアレイ５
が埋設されている。ガラスレンズアレイ５としては、例
えば結晶化ガラス等の低熱膨張率のガラスを用いること
が好ましい。より具体的に述べれば、本実施例のガラス
レンズアレイ５として用いる結晶化ガラスの実例として
は、日本電気ガラス株式会社製の「ネオセラム」と命名
された商品等があげられる。係る低熱膨張率のガラスを
用いることでガラスレンズアレイ５の熱膨張を抑止する
ことが可能となる。
Ｄ点灯時に発生する熱を放出する放熱フィン４とからな
る。本体１、すなわち内部構造用基板３と放熱フィン４
は従来はその加工の容易さを考慮してアルミニュームが
用いられてきたが、例えばインバータ合金、ニレジスト
鋳鉄、ノビナイト鋳鉄等の熱膨張係数が小さく、かつ加
工性にも優れた材料から構成することが望ましい。ま
た、図３に示すようにＬＥＤアレイ収納部２には、ＬＥ
Ｄの光を感光体に伝達するためのガラスレンズアレイ５
が埋設されている。ガラスレンズアレイ５としては、例
えば結晶化ガラス等の低熱膨張率のガラスを用いること
が好ましい。より具体的に述べれば、本実施例のガラス
レンズアレイ５として用いる結晶化ガラスの実例として
は、日本電気ガラス株式会社製の「ネオセラム」と命名
された商品等があげられる。係る低熱膨張率のガラスを
用いることでガラスレンズアレイ５の熱膨張を抑止する
ことが可能となる。
【００１０】さらに、内部構造用基板３の内部には、Ｌ
ＥＤが形成されているＬＥＤチップ６、ＬＥＤを点灯制
御するＬＳＩプリント基板７、およびＬＳＩプリント基
板７に接着された熱膨張防止板８が埋設されている。こ
の実施例ではＬＳＩプリント基板７の材質としては、従
来の技術と同じ材料、即ちその熱膨張率が、１４Ｅ−５
（１／℃）程度である、ガラス繊維入りのエポキシ樹脂
が用いることが可能である。
ＥＤが形成されているＬＥＤチップ６、ＬＥＤを点灯制
御するＬＳＩプリント基板７、およびＬＳＩプリント基
板７に接着された熱膨張防止板８が埋設されている。こ
の実施例ではＬＳＩプリント基板７の材質としては、従
来の技術と同じ材料、即ちその熱膨張率が、１４Ｅ−５
（１／℃）程度である、ガラス繊維入りのエポキシ樹脂
が用いることが可能である。
【００１１】上記の熱膨張防止板８は熱膨張係数の低い
材料、即ち熱膨張係数が金属のほぼ半分である５Ｅ−６
（１／℃）以下の材料からなる。この物性を満たす具体
的な材質の例としては、窒化珪素系セラミック、炭化珪
素系セラミックが挙げられる。また、ＬＳＩ回路基板７
と熱膨張防止板８を接着するに際して、熱膨張性の低い
接着剤を用いることが望ましい。さらに望ましくは、接
着剤として熱膨張防止板８を構成する材料と同等の熱膨
張係数を有するものを用いるべきである。以上の条件を
満たす具体的な材料の例としては珪素系の接着剤が挙げ
られる。
材料、即ち熱膨張係数が金属のほぼ半分である５Ｅ−６
（１／℃）以下の材料からなる。この物性を満たす具体
的な材質の例としては、窒化珪素系セラミック、炭化珪
素系セラミックが挙げられる。また、ＬＳＩ回路基板７
と熱膨張防止板８を接着するに際して、熱膨張性の低い
接着剤を用いることが望ましい。さらに望ましくは、接
着剤として熱膨張防止板８を構成する材料と同等の熱膨
張係数を有するものを用いるべきである。以上の条件を
満たす具体的な材料の例としては珪素系の接着剤が挙げ
られる。
【００１２】この実施例では、熱膨張防止板８がＬＳＩ
回路基板７に接着されているので、ＬＳＩ回路基板７が
ＬＥＤ点灯時の熱により加熱されても、ＬＳＩ基板７の
熱膨張が防止されるので作成される画像に悪影響を及ぼ
すことがない。
回路基板７に接着されているので、ＬＳＩ回路基板７が
ＬＥＤ点灯時の熱により加熱されても、ＬＳＩ基板７の
熱膨張が防止されるので作成される画像に悪影響を及ぼ
すことがない。
【００１３】以下、本願発明の第２の実施例を説明す
る。第１の実施例では、ＬＳＩ回路基板７と熱膨張防止
板８を接着する例を示したが、本実施例ではＬＳＩ回路
基板７そのものを低膨張率を有する材料で構成する。従
って、第１の実施例で回路基板に付着した熱膨張板は不
要となる。この実施例では回路基板７の材料としては、
熱膨張係数の低い材料であって、かつ回路が構成できる
材料であることが要求される。ここで、具体的な熱膨張
係数としては５Ｅ−６（１／℃）以下であることが望ま
しい。この物性を備える具体的な材料としては、窒化珪
素系セラミック、炭化珪素系セラミックが挙げられる。
第２の実施例においても第１の実施例と同様に、本体１
（内部構造用基板３と放熱フィン４）は、例えばインバ
ータ合金、ニレジスト鋳鉄、ノビナイト鋳鉄等の熱膨張
係数が小さく、かつ加工性にも優れた材料から構成する
ことが望ましい。
る。第１の実施例では、ＬＳＩ回路基板７と熱膨張防止
板８を接着する例を示したが、本実施例ではＬＳＩ回路
基板７そのものを低膨張率を有する材料で構成する。従
って、第１の実施例で回路基板に付着した熱膨張板は不
要となる。この実施例では回路基板７の材料としては、
熱膨張係数の低い材料であって、かつ回路が構成できる
材料であることが要求される。ここで、具体的な熱膨張
係数としては５Ｅ−６（１／℃）以下であることが望ま
しい。この物性を備える具体的な材料としては、窒化珪
素系セラミック、炭化珪素系セラミックが挙げられる。
第２の実施例においても第１の実施例と同様に、本体１
（内部構造用基板３と放熱フィン４）は、例えばインバ
ータ合金、ニレジスト鋳鉄、ノビナイト鋳鉄等の熱膨張
係数が小さく、かつ加工性にも優れた材料から構成する
ことが望ましい。
【００１４】以上説明した第１の実施例、第２の実施例
のＬＥＤ書き込み装置を、画像形成装置に用いれば、Ｌ
ＥＤ点灯時の発熱によるＬＥＤの各ドットのズレが防止
されるので、ＬＥＤの感光体に対する光書き込みのズレ
も防止され高画像品質が確保するされる。
のＬＥＤ書き込み装置を、画像形成装置に用いれば、Ｌ
ＥＤ点灯時の発熱によるＬＥＤの各ドットのズレが防止
されるので、ＬＥＤの感光体に対する光書き込みのズレ
も防止され高画像品質が確保するされる。
【００１５】
【発明の効果】本願発明のＬＥＤ書き込み装置では、Ｌ
ＥＤ点灯時の温度上昇に伴うドット位置精度のずれを防
止し、高画像品質を確保するＬＥＤ書き込み装置を提供
することができる。さらに、本願発明の画像形成装置に
あっては、ＬＥＤ点灯時の温度上昇に伴うドット位置精
度のずれが防止されるので、ＬＥＤの感光体への光書き
込みのズレも防止されるため高画像品質が確保するされ
る画像形成装置を提供することができる。
ＥＤ点灯時の温度上昇に伴うドット位置精度のずれを防
止し、高画像品質を確保するＬＥＤ書き込み装置を提供
することができる。さらに、本願発明の画像形成装置に
あっては、ＬＥＤ点灯時の温度上昇に伴うドット位置精
度のずれが防止されるので、ＬＥＤの感光体への光書き
込みのズレも防止されるため高画像品質が確保するされ
る画像形成装置を提供することができる。
【００１６】
【図１】本発明にかかるＬＥＤ書き込み装置の実施例を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図２】図１に示すＬＥＤ書き込み装置の側面図ある。
【図３】図１に示すＬＥＤ書き込み装置の断面図であ
る。
る。
１ ＬＥＤデバイス本体 ２ ＬＥＤアレイ収納部 ３ 内部構造用基板 ４ 放熱フィン ５ ガラスレンズアレイ ６ ＬＥＤチップ ７ ＬＳＩプリント基板 ８ 熱膨張防止板
Claims (6)
- 【請求項１】ＬＥＤ発光素子を一列に配設したチップ
と、該ＬＥＤを駆動するＬＳＩを備えるプリント基板と
からなるＬＥＤ書き込み装置であって、上記プリント基
板に低熱膨張係数の材料からなる熱膨張防止板を接着し
たことを特徴とするＬＥＤ書き込み装置。 - 【請求項２】請求項１に記載のＬＥＤ書き込み装置であ
って、熱膨張防止板の熱膨張係数が５．０Ｅ−６（１／
℃）以下であることを特徴とするＬＥＤ書き込み装置。 - 【請求項３】請求項１に記載のＬＥＤ書き込み装置であ
って、熱膨張防止板としてセラミック材料を用いること
を特徴とするＬＥＤ書き込み装置。 - 【請求項４】請求項１に記載のＬＥＤ書き込み装置であ
って、プリント基板と熱膨張防止板の接着に低熱膨張係
数の接着剤を用いることを特徴とするＬＥＤ書き込み装
置。 - 【請求項５】ＬＥＤ発光素子を一列に配設したチップ
と、該ＬＥＤを駆動するＬＳＩと、前記ＬＥＤ発光素子
およびＬＳＩを収納する内部構造用基板とからなるＬＥ
Ｄ書き込み装置であって、前記内部構造用基板を低熱膨
張係数の材料により構成したことを特徴とするＬＥＤ書
き込み装置。 - 【請求項６】請求項１から請求項５に記載のＬＥＤ書き
込み装置と、該ＬＥＤ書き込み装置からの光書き込みを
受ける感光体とを備えたことを特徴とする画像形成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23506593A JPH0796634A (ja) | 1993-06-24 | 1993-09-21 | Ｌｅｄ書き込み装置および画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15390393 | 1993-06-24 | ||
| JP5-153903 | 1993-06-24 | ||
| JP23506593A JPH0796634A (ja) | 1993-06-24 | 1993-09-21 | Ｌｅｄ書き込み装置および画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0796634A true JPH0796634A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=26482394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23506593A Pending JPH0796634A (ja) | 1993-06-24 | 1993-09-21 | Ｌｅｄ書き込み装置および画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0796634A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012039121A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
| JP2016092319A (ja) * | 2014-11-10 | 2016-05-23 | 株式会社リコー | 面発光型光源およびレーザー装置 |
-
1993
- 1993-09-21 JP JP23506593A patent/JPH0796634A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012039121A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
| US8519426B2 (en) | 2010-08-09 | 2013-08-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and lighting system having the same |
| US9041013B2 (en) | 2010-08-09 | 2015-05-26 | LG Innotek., Ltd. | Light emitting device and lighing system having the same |
| JP2016092319A (ja) * | 2014-11-10 | 2016-05-23 | 株式会社リコー | 面発光型光源およびレーザー装置 |
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