CN102376855A - 发光器件和具有发光器件的照明*** - Google Patents

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Abstract

提供了一种发光器件和具有发光器件的照明***。该发光器件包括相互隔开的多个金属层、具有其中暴露多个金属层的一部分的敞口区域的第一绝缘膜，该第一绝缘膜被布置在多个金属层的顶表面的周边部分上；被布置在多个金属层中的至少一个上的发光芯片，该发光芯片电连接到另一金属层；布置在多个金属层和发光芯片上的树脂层；和布置在第一绝缘膜上的第一引导构件。

Description

发光器件和具有发光器件的照明***
技术领域
本发明涉及一种发光器件和具有该发光器件的照明***。
背景技术
发光二极管(LED)是一种用于将电能转换成光的半导体器件。与诸如荧光灯和白炽灯泡等的现有技术光源相比，LED具有很多优点，例如低功耗、半永久使用寿命、响应时间快、安全且环保。正在进行很多研究以利用LED替代现有光源。而且，随着该趋势，正越来越多地使用LED作为在室内和室外场所使用的各种灯及照明装置(例如液晶显示器、记分板和街灯)的光源。
发明内容
实施例提供一种具有新颖结构的发光器件和具有该发光器件的照明***。
实施例提供一种发光器件和具有该发光器件的照明***，该发光器件包括用于支撑多个金属层的绝缘膜以及电连接到所述多个金属层的发光芯片。
实施例提供了一种发光器件和具有该发光器件的照明***，在该发光器件中，树脂层围绕发光芯片布置并且引导构件围绕树脂层布置。
在一个实施例中，一种发光器件包括：多个金属层，所述多个金属层彼此间隔开；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜具有敞口区域，在该敞口区域中，多个金属层的顶表面的一部分是暴露的，该第一绝缘膜围绕多个金属层的顶表面布置；发光芯片，所述发光芯片布置在多个金属层中的至少一个上，该发光芯片电连接到另一金属层；树脂层，该树脂层布置在所述多个金属层和发光芯片上；以及第一引导构件，该第一引导构件布置在第一绝缘膜上。
在另一实施例中，一种发光器件包括：多个金属层，所述多个金属层彼此间隔开；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜具有敞口区域，在该敞口区域中，多个金属层的顶表面的一部分是暴露的，该第一绝缘膜附接到多个金属层的顶表面；发光芯片，该发光芯片布置在多个金属层中的至少一个上，该发光芯片电连接到另一金属层；树脂层，该树脂层布置在所述多个金属层和发光芯片上；以及第一引导构件，该第一引导构件由金属材料形成，该第一引导构件布置在第一绝缘膜和所述多个金属层中的至少一个上。
在又一个实施例中，一种发光器件包括：多个金属层，所述多个金属层彼此间隔开；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜具有敞口区域，在该敞口区域中，多个金属层的顶表面的一部分是暴露的，该第一绝缘膜布置在多个金属层的顶表面上；粘结层，该粘结层位于所述多个金属层和第一绝缘膜之间；第二绝缘膜，该第二绝缘膜位于所述多个金属层的顶表面上，对应于多个金属层之间的位置并具有比所述多个金属层之间的间隔宽的宽度；发光芯片，该发光芯片布置在所述多个金属层中的至少一个上；树脂层，该树脂层布置在所述多个金属层和发光芯片上；以及第一引导构件，该第一引导构件布置在第一绝缘膜的顶表面上。
在附图和以下描述中阐述了一个或多个实施例的细节。从该描述、附图以及权利要求中，其它特征将是显而易见的。
附图说明
图1是根据第一实施例的发光器件的透视图。
图2是沿着图1的线A-A截取的侧剖视图。
图3到10是示出制造图1的发光器件的过程的视图。
图11和12是根据第二实施例和第三实施例的发光器件的侧视截面图。
图13和14是根据第四实施例的发光器件的透视图和侧视截面图。
图15和16是根据第五实施例的发光器件的平面图和侧视截面图。
图17是示出图15的发光器件的变型例的视图。
图18到27是示出根据实施例的金属层和绝缘膜的变型例的视图。
图28到51是示出根据另一实施例的发光器件的变型例的视图。
图52和53是示出根据实施例的发光器件的另一示例的侧视截面图和电路图。
图54和55是示出根据实施例的发光器件的另一示例的侧视截面图和电路图。
图56是示出根据实施例的发光器件的金属层的变型例的侧视截面图。
图57到59是示出根据实施例的发光器件的金属层的变型例的视图。
图60和61是示出根据实施例的发光芯片的示例的视图。
图62是示出根据实施例的显示装置的示例的透视图。
图63是示出根据实施例的显示装置的另一示例的透视图。
图64是根据实施例的照明单元的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，应当理解，当一个层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一层(或膜)、区域、垫或图案“上”或“下”时，该用语“上”和“下”包括“直接”和“间接”两种含义。此外，关于每一层“上”和“下”的参考将基于附图进行。
在各个图中，为了便于说明和清楚起见，每一个层的厚度或尺寸可以被夸大、省略或示意性地图示。在各个图中，为了便于说明和清楚起见，每一个层的厚度或尺寸可以被夸大、省略或概略地示意。
在下文中，将参考附图来描述实施例。
图1是根据第一实施例的发光器件的透视图。图2是沿着图1的线A-A截取的侧剖视图。
参考图1和2，发光器件100包括多个金属层11和13、在金属层11和13上的绝缘膜20(21和23)、在多个金属层11和13中的第一金属层11上的发光芯片41、在绝缘膜20上的引导构件31、以及在金属层11和13上覆盖发光芯片41的树脂层61。
金属层11和13可以包括至少两个层。该至少两个金属层11和13可以彼此间隔开，从而这两个金属层11和13彼此电气隔离或者物理上隔开。可以利用诸如引线框架的金属板来实现金属层11和13。
所述多个金属层11和13的下表面S3可以彼此齐平，并且侧表面S1可以暴露于外部。可以通过金属层11和13的暴露的下表面S3和侧表面S1来提高热效率。所述至少两个金属层11和13可以分别用作电极。
所述多个金属层11和13可以由Fe、Cu、诸如Fe-Ni等的含有Fe的合金、Al、含有Al的合金、或者诸如Cu-Ni和Cu-Mg-Sn等的含有Cu的合金形成。而且，每一个金属层11和13均可以设置为单层或多层。金属层11和13由诸如Fe或Cu的材料形成。而且，在金属层11和13的顶表面和/或下表面上可以布置有由Al、Ag或Au形成的反射层或结合层。
当利用引线框架来形成金属层11和13时，其机械强度和导热性可以很优异。另外，其热膨胀系数可以较大，可以提高机械加工性能，在重复进行弯曲操作时仅存在很小的损失，并且，可以容易地执行镀覆覆或焊接处理。
每一个金属层11和13均可以具有大约15μm至大约300μm的厚度，并且优选具有大约15μm至大约50μm的厚度。而且，金属层11和13可以用作：支撑框架，该支撑框架用于支撑整个发光器件；和散热构件，该散热构件用于传递由发光芯片41产生的热量。在金属层11和13的外侧区域中，在第一方向Y上的长度Y1以及在与第一方向Y垂直的第二方向X上的长度X1可以根据发光器件100的尺寸而变化。多个金属层11和13具有彼此相同的厚度。
发光器件100可以不包括单独的主体，例如由聚邻苯二甲酰胺(PPA)形成的树脂基主体。因此，可以省略用于将金属层11和13联接到该主体的注射成型工艺。每一个金属层11和13的一部分可以具有柔性弯曲的形状或者能够以预定角度弯曲，但其不限于此。
在下文中，为了描述第一实施例，将把包括第一金属层11和第二金属层13的金属层11和13作为示例来描述。第一金属层11和第二金属层13的下表面S3可以相互齐平。而且，可以使用焊接将第一金属层11和第二金属层13结合到印刷电路板(PCB)或散热板。
在第一金属层11和第二金属层13之间可以布置有分离部17。分离部17可以将第一金属层11与第二金属层13物理地分开。分离部17可以具有直线形状、曲线形状和折线形状之一。线形状可以具有根据第一金属层11和第二金属层13的形状或者尺寸而变化的宽度或形状。分离部17将一个金属框架分割成第一金属层11和第二金属层13。而且，每一个第一金属层11和第二金属层13可以具有根据分离部17的宽度和位置而变化的形状或尺寸。
第一金属层11和第二金属层13可以相互隔开大约10μm的间隔G1。间隔G1可以是分离部17的宽度。而且，分离部17可以防止两个金属层11和13彼此电短路。分离部17可以是空的或填充有材料，但其不限于此。
通过切割工艺，第一金属层11或第二金属层13可以具有各种形状，例如圆形形状、多边形形状和半球形形状。
在第一金属层11和第二金属层13的表面上可以布置有防氧化层，并且该防氧化层由Au层形成。该防氧化层可以防止第一金属层11和第二金属层13的表面变形。
绝缘膜21和23可以分别布置在第一金属层11和第二金属层13上。绝缘膜21和23可以围绕第一金属层11或/和第二金属层13布置。
绝缘膜21和23可以分别附接到第一金属层11和第二金属层13的顶表面，以支撑第一金属层11和第二金属层13。绝缘膜21和23可以附接到多个金属层11和13的顶表面以支撑这些金属层。基本上，绝缘膜21和23可以实现与所述主体类似的功能。
每一个绝缘膜21和23可以包括光透射膜或非光透射膜。例如，每一个绝缘膜21和23可以包括聚酰亚胺(PI)膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、三醋酸纤维素(TAC)膜、聚酰胺-酰亚胺(PAI)膜、聚醚醚酮(PEEK)膜、全氟烷氧基(PFA)膜、聚苯硫醚(PPS)膜、以及树脂膜(PE、PP和PET)。
在绝缘膜21、23与金属层11、13之间可以分别布置有粘结层。该粘结层可以将绝缘膜21和23分别附接到金属层11和13。替代地，绝缘膜21和23可以是双面胶带或单面胶带。
每一个绝缘膜21和23可以由具有预定反射率(例如大约30％或更大的反射率)的材料形成。绝缘膜21和23的反射特性可以提高进发光器件100内的表面反射效率。
而且，每一个绝缘膜21和23可以具有光学功能。这里，该光学功能可以是具有大约50％或更大反射率的光透射膜的功能，并且优选是具有大约70％反射率的光透射膜的功能。每一个绝缘膜21和23可以包括荧光体。该荧光体可以涂覆在每一个绝缘膜21和23的顶表面或下表面上，或者添加到绝缘膜21和23中。该荧光体可以包括YAG基荧光体、硅酸盐基荧光体和氮化物基荧光体中的至少一种。该荧光体可以具有诸如红光、黄光或绿光波长的可见光系列的波长。而且，每一个绝缘膜21和23可以实现为荧光体膜。该荧光体膜可以吸收从发光芯片41发射的光以发出具有另一不同波长的光。
而且，每一个绝缘膜21和23可以包括防潮膜。该防潮膜可以防止湿气渗入，以防止第一金属层11和第二金属层13短路和氧化。
每一个绝缘膜21和23的顶表面、下表面或侧表面的一部分可以具有粗糙结构，但其不限于此。
每一个绝缘膜21和22的厚度可以比每一个金属层11和13的厚度厚。例如，每一个绝缘膜21和22可以具有大约30μm至大约500μm的厚度，并且优选具有大约40μm至大约60μm的厚度。
绝缘膜21和23可以划分成第一绝缘膜21和第二绝缘膜23，该第一绝缘膜21布置在两个金属层11和13的顶表面的周边部分上，该第二绝缘膜23布置在第一金属层11和第二金属层13的边界区域的顶表面上。第二绝缘膜23可以是第一绝缘膜21的一部分。而且，第二绝缘膜23可以一体地连接到第一绝缘膜21。第一绝缘膜21和第二绝缘膜23可以由相同的材料形成并且形成为一个膜。
第一绝缘膜21可以具有恒定宽度W1。替代地，第一绝缘膜21可以具有彼此不同的宽度。第一绝缘膜21可以具有至少几十μm或更大的宽度W1。第二绝缘膜23可以具有恒定宽度W2。替代地，第二绝缘膜23可以具有彼此不同的宽度。第二绝缘膜23的宽度W2可以比金属层11和13之间的间隔G1宽。例如，第二绝缘膜23可以具有大约20μm或更大的宽度。第一绝缘膜21的宽度W1可以等于或不等于第二绝缘膜23的W2。第二绝缘膜23可以具有至少20μm或更大的宽度，以支撑两个金属层11和13。
第二绝缘膜23可以对应于第一金属层11和第二金属层13之间的位置。而且，第二绝缘膜23可以布置在第一金属层11和第二金属层13的顶表面上并具有比金属层11和13之间的间隔宽的宽度。
绝缘膜21和23的外表面可以与第一金属层11及第二金属层13的侧表面齐平。替代地，绝缘膜21和23的外表面可以布置在第一金属层11和第二金属层13的侧表面的内侧。
而且，第一绝缘膜21可以连续或不连续地布置。连续的膜可以具有其中设有一个膜的结构，而不连续的膜可以具有其中设有多个膜的结构。
绝缘膜21和23可以分别具有敞口区域A1和A2。敞口区域A1和A2可以是孔或敞口区域。而且，敞口区域A1和A2可以是这样一种区域：在该区域中，第一金属层11或/和第二金属层13的顶表面通过每个绝缘膜21和23的内侧而暴露。
敞口区域A1和A2可以包括第一敞口区域A1和第二敞口区域A2，第一金属层11的顶表面的一部分通过该第一敞口区域A1而暴露，第二金属层13的顶表面的一部分通过该第二敞口区域A2而暴露。第一敞口区域A1的尺寸和形状可以与第二敞口区域A2的尺寸和形状相同或不同。在本实施例中，虽然在设置两个金属层11和13时设置了两个敞口区域A1和A2，但如果设置有三个或更多个金属层11和13，则可以增加这些敞口区域的数目。每一个敞口区域A1和A2均可以具有根据每一个绝缘膜21和23的宽度和形状而变化的尺寸和形状。
多个敞口区域A1和A2中的一个敞口区域(例如第二敞口区域A2)可以具有大约60μm的最小宽度。当第二敞口区域A2具有更窄的宽度时，第二电线52的结合可能被中断。因此，第二敞口区域A2可以具有至少60μm的宽度。第一敞口区域A1可以具有足以安装发光芯片41的宽度。而且，第一敞口区域A1的宽度可以比第二敞口区域A2的宽度宽。这里，虽然第一敞口区域A1被描述为能够安装发光芯片41的区域并且第二敞口区域A2被描述为结合有第二电线52的区域，但本公开不限于此。例如，第一敞口区域A1可以是结合有第二电线52到的区域，而第二敞口区域A2可以是安装有发光芯片41的区域。
引导构件31可以布置在第一绝缘膜21上。引导构件31可以由树脂材料、非金属材料或金属材料形成。引导构件31可以定义为反射构件或/和用于防止树脂材料溢出的堤坝式构件。
引导构件31可以由诸如阻焊剂的树脂材料或者诸如焊膏的导电材料形成。阻焊剂的颜色可以为白色。因此，可以通过白色来有效反射入射光。而且，引导构件31可以由金属材料形成，例如由Ag、Al、Cu、Au、Ag合金、Al合金、Cu合金或者Au合金形成。该金属材料可以设置为单层或多层。而且，通过镀覆工艺，引导构件31可以包括金属籽晶层(例如Ag、Al和Ni层中的至少一个)上的反射性层。
而且，引导构件31可以由非金属材料形成。该非金属材料可以包括白色树脂，例如是含有阻焊剂、二氧化钛(TiO2)和玻璃纤维中的至少一种的树脂材料(例如，PPA)或聚合物材料(例如，硅基或环氧基材料)。替代地，该非金属材料可以包括与绝缘膜的材料相同的材料。
引导构件31可以由具有大约50％或更大反射特性的金属或非金属材料形成，并且优选由具有大约90％或更大反射特性的金属或非金属材料形成。
引导构件31可以具有大约15μm至大约500μm的厚度T2。而且，引导构件31的厚度可以与每一个绝缘膜21和23的厚度相同或不同。引导构件31的厚度可以比每一个绝缘膜21和23的厚度厚。考虑到光的取向角的分布，引导构件31可以具有更厚的厚度。而且，引导构件31的顶表面可以高于发光芯片41的顶表面以反射光。
引导构件31可以在第一绝缘膜21上布置成对应于发光芯片14的周边。当从其顶侧观察时，引导构件31可以是框架形状、环形形状或回路形状。当从其顶侧观察时，引导构件31可以具有圆形或多边形形状。而且，引导构件31可以防止树脂层61溢出。
引导构件31的宽度可以与第一绝缘膜21的宽度相同或不同。当引导构件31的宽度与第一绝缘膜21的宽度相同时，可以提高表面反射效率。当引导构件31的宽度小于第一绝缘膜21的宽度时，引导构件31可以稳定地布置在第一绝缘膜21上。因为引导构件31沿着第一绝缘膜21布置，所以引导构件31可以具有敞口区域。
当引导构件31具有导电性时，引导构件31可以布置在第一绝缘膜21的顶表面上。而且，引导构件31的一部分可以接触所述多个金属层11和13中的一个。而且，当引导构件31由绝缘材料形成时，引导构件31可以接触金属层11和13的顶表面。
发光芯片41可以布置在第一金属层11上并且电连接到第一金属层11和第二金属层13。
发光芯片41可以是具有可见光波长带并且发射红光、绿光、蓝光或白光的发光二极管，或者是具有紫外光波长带的发光二极管，但其不限于此。
发光芯片41可以实现为横向型芯片或竖直型芯片，在横向型芯片中，两个电极彼此平行地布置，在竖直型芯片中，两个电极布置在彼此相反的两侧。横向型芯片可以连接到至少两根电线51和52，而竖直型芯片可以连接到至少一根电线(例如，附图标记52)。
发光芯片41可以利用导电粘结剂或绝缘粘结剂粘附到第一金属层11。这里，当发光芯片41的下部上布置有电极时，可以使用导电粘结剂。而当该下部上布置有绝缘基板时，可以使用导电粘结剂或绝缘粘结剂。
发光芯片41可以使用第一电线51连接到第一金属层11并且使用第二电线52连接到第二金属层13。而且，发光芯片41可以以倒装芯片方式电连接到第一金属层11和第二金属层13。
虽然发光芯片41布置在第一金属层11上，但发光芯片41也可以布置在第一金属层11和/或第二金属层13上，并且不限于此。
发光芯片41可以使用第一电线51连接到第一金属层11并且使用第二电线52连接到第二金属层13。这里，发光芯片41可以具有大约80μm或更大的厚度。电线51和52之一的最高点可以布置在比发光芯片41的顶表面高大约40μm或更多的位置。
在发光芯片41的表面上可以涂覆有荧光体层。该荧光体层可以布置在发光芯片41的顶表面上。
而且，在第一金属层11和第二金属层13中的至少一个金属层的上方或下方布置有用于保护该发光芯片41的保护装置，例如齐纳二极管或瞬变电压抑制器(TVS)二极管。该保护装置可以电连接到发光芯片41。该保护装置可以并联连接到发光芯片41并且连接到第一金属层11和第二金属层13。因此，该保护装置可以针对施加到发光芯片41中的异常电压来保护该发光芯片41。也可以省略该保护装置。
树脂层61可以布置在第一金属层11和第二金属层13上。树脂层61的一部分可以布置在第一绝缘膜21的顶表面上。树脂层61布置在引导构件31内侧的敞口区域上。引导构件31的敞口区域可以大于第一敞口区域A1和第二敞口区域A2。树脂层61可以覆盖引导构件31的内侧区域，例如第一敞口区域A1和第二敞口区域A2。树脂层61可以与第一敞口区域A1和第二敞口区域A2物理地分离。
树脂层61可以由透明树脂基材料形成，例如由硅或环氧树脂形成。
树脂层61可以具有大约80μm至大约500μm的厚度T3。树脂层61可以设置为单层或多层。当树脂层61具有多层结构时，最下一层可以具有小于大约80μm的厚度。
当树脂层61具有多层结构时，树脂层61可以由彼此相同的材料或彼此不同的材料堆叠而成。替代地，可以按照从具有低硬度的层到具有高硬度的层或者按照从具有高反射率的层到具有低反射率的层的顺序来堆叠多个层。
树脂层61的顶表面的一部分可以低于引导构件31的顶表面或者高于每一个绝缘膜21和23的顶表面。而且，树脂层61可以布置在足以覆盖电线51和52的高度，但其不限于此。
树脂层61可以包括荧光体。该荧光体可以包括具有诸如黄光、绿光或红光的可见光波长带的至少一种荧光体。树脂层61可以划分成透明树脂层和荧光体层。该透明树脂层和荧光体层可以堆叠以形成树脂层61。在树脂层61上方/下方可以布置有荧光体膜，例如光致发光膜(PLF)，但其不限于此。
在树脂层61上可以布置有透镜。该透镜可以具有凸透镜形状、凹透镜形状或凸凹透镜形状。而且，该透镜可以与树脂层61的顶表面接触或者隔开，但其不限于此。
图3到10是示出制造图1的发光器件的过程的视图。
参考图3和4，金属层10可以具有足以制造如图1所示的一个发光器件的尺寸。替代地，金属层10具有下述尺寸：该尺寸具有杆形形状并且足以制造在第一方向(水平或竖直方向)上排列的多个发光器件；或者具有下述尺寸：该尺寸具有矩阵形式并且足以制造在水平和竖直方向上排列的多个发光器件。用于制造多个发光器件的金属层可以被切割成单个发光器件或者两个或更多个发光器件的单元。在下文中，为了描述本实施例，将描述用于制造一个发光器件的金属层作为示例。
例如，金属层10可以实现为诸如引线框架的金属板。金属层10可以由Fe、Cu、诸如Fe-Ni等的含有Fe的合金、Al、含有Al的合金、或者诸如Cu-Ni和Cu-Mg-Sn等的含有Cu的合金形成。金属层10可以形成为单层或多层。而且，在金属层10的顶表面或/和下表面上可以形成有由Al、Ag、Au或阻焊剂形成的反射层或结合层。可以在形成绝缘膜21和23之前或之后执行金属层10的镀覆处理或涂覆处理。
金属层10可以具有大约15μm至大约300μm的厚度。因此，金属层10可以充当用于支撑整个发光器件的支撑框架。
因为金属层10没有设置成单独的主体，例如金属层10没有与由聚邻苯二甲酰胺(PPA)形成的树脂基主体一起注射成型，所以金属层10的一部分可以具有柔性弯曲的形状或者能够以预定角度弯曲。
图4是金属层上的绝缘膜的截面视图，并且图5是图4的平面图。
参考图4和5，绝缘膜20(21和23)形成在金属层10上。绝缘膜20(21和23)中的每一个均可以在金属层10的厚度方向上具有大约30μm至大约500μm的厚度T1。而且，绝缘膜20(21和23)中的每一个的厚度均可以比金属层10的厚度厚。这里，虽然绝缘膜20(21和23)附接到金属层的顶表面，但金属层10也可以附接到绝缘膜20(21和23)的顶表面。该处理的顺序可以改变。
可以在将粘结层涂覆在金属层10上之后将绝缘膜20(21和23)附接到金属层10。在绝缘膜21和23的粘附处理中，绝缘膜20(21和23)附接到金属层10，然后，在预定温度下执行层叠处理以将绝缘膜21和23附接到金属层10。
每一个绝缘膜21和23可以是具有绝缘性质的膜。而且，绝缘膜21和23可以选择性地包括具有光学功能、导热功能和抗湿功能的膜。每一个绝缘膜21和23可以包括聚酰亚胺(PI)膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、三醋酸纤维素(TAC)膜、聚酰胺-酰亚胺(PAI)膜、聚醚醚酮(PEEK)膜、全氟烷氧基(PFA)膜、聚苯硫醚(PPS)膜、以及树脂膜(PE、PP和PET)。
每一个绝缘膜21和23可以形成为具有粘结层的膜，例如双面胶带或单面胶带。
当每一个绝缘膜21和23由光透射材料形成时，绝缘膜21和23可以包括荧光体或/和散射剂。该荧光体或散射剂可以涂覆在绝缘膜21和23的表面上或者添加到绝缘膜21和23中。
每一个绝缘膜21和23可以是具有预定反射率的膜，例如是具有大约30％或更大的反射特性的膜。
在形成多个敞口区域A1和A2之后，可以将绝缘膜21和23附接到金属层10。敞口区域A1和A2可以是在单个膜中形成的孔或者是敞口的区域。而且，敞口区域A1和A2可以是使金属层10的顶表面通过每一个绝缘膜21和23的内侧而暴露的区域。绝缘膜21和23可以划分成围绕第一敞口区域A1或金属层10形成的第一绝缘膜21以及围绕第二敞口区域A2形成的第二绝缘膜23。第二绝缘膜23可以是第一绝缘膜21的一部分。而且，第二绝缘膜23可以与第一绝缘膜21一体地形成。第一绝缘膜21和第二绝缘膜23可以实现为单一膜。
第一绝缘膜21可以具有恒定宽度W1。替代地，第一绝缘膜21可以具有相互不同的宽度。第一绝缘膜21可以具有几十μm或更大的宽度W1。第二绝缘膜23可以具有恒定宽度W2。替代地，第一绝缘膜23可以具有相互不同的宽度。第二绝缘膜23的宽度W2可以大于金属层11和13之间的间隔G1。例如，第二绝缘膜23可以具有大约20μm或更大的宽度。第一绝缘膜21的宽度W1可以等于或不等于第二绝缘膜23的W2。
多个敞口区域A1和A2中的一个敞口区域(例如第二敞口区域A2)可以具有大约60μm的最小宽度。第二敞口区域A2可以具有不中断电线的结合处理的宽度。第一敞口区域A1可以具有足以安装发光芯片的宽度。而且，第一敞口区域A1的宽度可以比第二敞口区域A2的宽度宽。这里，虽然第一敞口区域A1被描述为其上安装发光芯片的区域并且第二敞口区域A2被描述为与电线结合的区域，但本公开不限于此。例如，第一敞口区域A1可以是与电线结合的区域并且第二敞口区域A2可以是其上安装发光芯片的区域。
可以在单一绝缘膜上执行冲孔处理、切割处理或蚀刻处理来形成第一敞口区域A1和第二敞口区域A2。第一敞口区域A1和第二敞口区域A2的宽度或形状可以改变。可以在将绝缘膜20(21和23)附接到金属层10之前或之后形成敞口区域A1和A2。
金属层10的顶表面可以通过绝缘膜21和23的第一敞口区域A1和第二敞口区域A2而暴露。
例如，可以利用诸如诸如蓝宝石(Al2O3)、SiO2、SiOx或SiOxNy的氧化物或者氮化物的绝缘材料来印刷或涂覆每一个绝缘膜21和23。在此情形中，固化的绝缘膜21和23可以由柔性材料或具有预定粘度的材料形成。
每一个绝缘膜21和23可以具有网孔形状或粗糙形状的内表面或预定内部区域。替代地，多个细孔可以形成在绝缘膜21和23中，但不限于此。
参考图6和7，图4的金属层10可以划分成多个金属层11和13。多个金属层11和13可以包括至少两个金属层。至少两个金属层11和13可以充当用于供应电力的电极。
这里，在用于形成金属层的电路的处理中，例如，在引线框架的表面被激活之后，可以涂覆光阻剂，可以执行曝光处理，并且可以执行显影处理。当显影处理完成时，可以执行蚀刻处理以形成所要求的电路并将光阻剂剥落。此后，可以在金属层的表面上执行镀Ag处理，以将金属层的表面处理成可结合表面。
第一金属层11的宽度可以与第二金属层13的宽度相同或不同。例如，第一金属层11的尺寸可以大于或小于第二金属层13的尺寸。替代地，第一金属层11和第二金属层13可以具有彼此相同的区域或彼此对称的形状。
预定的分离部17可以布置在第一金属层11和第二金属层13之间以将第一金属层11与第二金属层13隔开。第一金属层11和第二金属层13可以相互隔开大约10μm或者更大的间隔G1。间隔G1可以小于第二绝缘膜23的宽度W1。
第二绝缘膜23可以维持该第一金属层11和第二金属层13之间的间隔G1，并且第一绝缘膜21可以支撑金属层11和13。
这里，第二金属层13可以向内延伸通过第一金属层11的一个侧表面。第二金属层13的左侧长度D1和右侧长度D2可以根据第二敞口区域A2和绝缘膜21、23而改变。
参考图6和8，引导构件31形成在绝缘膜21和23的顶表面上。可以执行印刷处理、涂覆处理或薄膜粘附处理之一来形成引导构件31。在印刷处理中，可以在除了待印刷区域之外的区域上执行掩膜处理，并且可以执行丝网印刷处理以形成引导构件31。在涂覆处理中，可以涂覆反射材料以形成引导构件31。在膜粘附处理中，可以粘附诸如反射片的膜以形成引导构件31。这里，可以考虑由于引线键合或回流处理引起的热特性来选择引导构件31和绝缘膜21和23的材料。
可以使用阻焊剂或焊膏以印刷方式来形成引导构件31。阻焊剂的颜色可以是白色，以有效反射入射光。而且，引导构件31可以由高反射性材料形成，例如由Ag、Al、Cu、Au、Ag合金、Al合金、Cu合金或Au合金形成。该反射性材料可以设置为单层或多层。而且，可以在金属籽晶层上执行镀覆处理，例如在诸如Ag、Al或Ni上执行镀覆处理来形成引导构件31。
而且，引导构件31可以由非金属材料形成。该非金属材料可以包括白色树脂，例如其内混合有TiO2和玻璃纤维的树脂(例如，PPA)。当引导构件31具有绝缘和反射特性时，不需要另外的绝缘膜，但是不限于此。
引导构件31可以由具有大约50％或更大反射特性的金属或非金属材料形成，并且优选由具有大约90％或更大反射特性的金属或非金属材料形成。
引导构件31可以具有大约15μm至大约500μm的厚度T2。而且，引导构件31的厚度可以与每一个绝缘膜21和23的厚度相同或不同。引导构件31可以具有考虑到光的取向角的分布而改变的厚度T2和布置结构。
引导构件31可以形成在第一绝缘膜21上以覆盖发光芯片14的周围。当从顶侧观察时，引导构件31可以具有框架形状、环形形状或回路形状。引导构件31可以连续或不连续地形成在第一绝缘膜21的顶表面上。
引导构件31的宽度W3可以与第一绝缘膜21的宽度相同或不同。当引导构件31的宽度与第一绝缘膜21的宽度相同时，可以提高表面反射效率。当引导构件31的宽度不同于第一绝缘膜21的宽度时，引导构件31可以稳定地布置在第一绝缘膜21上。
当引导构件31具有导电性时，引导构件31可以布置在第一绝缘膜21的顶表面上。而且，引导构件31的一部分可以接触两个引线框架11和13之一。而且，当引导构件31由绝缘材料形成时，引导构件31可以从第一绝缘膜21的顶表面延伸到金属层11和13的顶表面。
参考图8和9，发光芯片41可以布置在第一金属层11上并且电连接到第一金属层11和第二金属层13。
发光芯片41可以是具有可见光波长带并且发射红光、绿光、蓝光或白光的发光二极管或者是具有紫外光波长带的发光二极管，但不限于此。
发光芯片41可以实现为横向型芯片或竖直型芯片，在横向型芯片中，两个电极彼此平行地布置，在竖直型芯片中，两个电极布置在彼此相反的两侧。横向型芯片可以连接到至少两根电线51和52，而竖直型芯片可以连接到至少一根电线(例如，附图标记52)。
发光芯片41可以使用导电或绝缘粘结剂粘附到第一金属层11。这里，当发光芯片41的下部布置有电极时，可以使用导电粘结剂。而且，而当该下部上布置有绝缘基板时，可以使用导电粘结剂或绝缘粘结剂。
发光芯片41可以使用第一电线51连接到第一金属层11并且使用第二电线51连接到第二金属层13。而且，发光芯片41可以以倒装芯片方式电连接到第一金属层11和第二金属层13。
虽然发光芯片41布置在第一金属层11上，但发光芯片41也可以布置在第一金属层11和/或第二金属层13上，并且不限于此。
发光芯片41可以使用第一电线51连接到第一金属层11并且使用第二电线52连接到第二金属层13。这里，发光芯片41可以具有大约80μm或更大的厚度。电线51和52之一的最高点可以布置在比发光芯片41的顶表面高大约40μm或更多的位置。
参考图9和10，树脂层61可以由透明树脂基材料形成，例如由硅或环氧树脂形成。
树脂层61可以具有大约80μm到大约500μm的厚度T3。树脂层61可以设置为单层或多层。当树脂层61具有多层结构时，最下一层可以具有小于大约80μm的厚度。
当树脂层61具有多层结构时，树脂层61可以由彼此相同的材料或者彼此不同的材料堆叠而成。替代地，可以按照从具有低硬度的材料到具有高硬度的材料或者按照从具有高反射率的材料到具有低反射率的材料的顺序来堆叠多个层。
树脂层61的顶表面的一部分可以低于引导构件31的顶表面或者高于每一个绝缘膜21和23的顶表面。而且，树脂层61可以布置在足以覆盖电线51和52的高度处，但不限于此。
树脂层61可以包括荧光体。该荧光体可以包括具有诸如黄光、绿光或红光的可见光波长带的至少一种荧光体。树脂层61可以划分成透明树脂层和荧光体层。该透明树脂层和荧光体层可以堆叠以形成树脂层61。在树脂层61上方/下方可以布置有荧光体膜，例如光致发光膜(PLF)，但其不限于此。
树脂层61可以覆盖引导构件31的内侧区域，例如第一敞口区域A1和第二敞口区域A2。树脂层61可以与第一敞口区域A1、第二敞口区域A2物理地分离。
在树脂层61上可以布置有透镜。该透镜可以具有凸透镜形状、凹透镜形状或者凸凹透镜形状，但是不限于此。而且，该透镜可以与树脂层61的顶表面接触或隔开，但是不限于此。
图11是根据第二实施例的发光器件的侧截面视图。
参考图11，发光芯片41可以结合在第一金属层11上。而且，发光芯片41可以电连接到第一金属层11并且通过电线52连接到第二金属层13。
绝缘膜24可以附接到第一金属层11和第二金属层13之间的下侧。绝缘膜24可以维持第一金属层11和第二金属层13之间的预定间隔并且支撑第一金属层11和第二金属层13之间的部分。
树脂层61布置在第一金属层11和第二金属层13上。树脂层61可以通过传递成型方法而以预定形状注射成型。根据传递成型方法，液体树脂被填充到具有预定形状的框架中并然后固化，从而可以形成具有所期望的形状的树脂层61。树脂层61可以具有柱形形状、多角柱形状或非平坦表面形状，但是不限于此。
树脂层61的部分61A可以布置在第一金属层11和第二金属层13之间并且可以接触绝缘膜24的顶表面。
树脂层61的外表面可以与第一金属层11或第二金属层13的外侧部分向内隔开一段预定距离T3。因此，第一金属层11和第二金属层13的外部顶表面可以暴露。距离T3可以是大约1μm或更大。
而且，在树脂层61的顶表面或侧表面的一部分上可以进一步布置有反射层，但是不限于此。
图12是根据第三实施例的包括多个发光芯片的发光器件的侧截面视图。
参考图12，发光器件包括三个或更多个金属层11A、11B和11C以及两个或更多个发光芯片41A和41B。发光芯片41A和41B可以发射具有彼此相同的峰值波长或者彼此不同的峰值波长的光。
金属层11A、11B和11C排列在同一平面上。第一绝缘膜21围绕金属层11A、11B和11C布置。第二绝缘膜23A和23B分别布置在彼此相邻的金属层11A和11B以及11B和11C之间，以支撑并固定彼此相邻的金属层11A和11B以及11B和11C。第三绝缘膜22可以布置在第二金属层11B的中心侧并被划分成两个区域。
第一绝缘膜21、第二绝缘膜23A、23B和第三绝缘膜22可以设置为单一膜或相互分离的膜，但是不限于此。
第一发光芯片41A和第二发光芯片41B彼此隔开并且布置在第二金属层11B上。第三绝缘膜22布置在第一发光芯片41A和第二发光芯片41B之间。
引导构件31布置在第一绝缘膜21和第三绝缘膜22上。引导构件31布置在高于发光芯片41的顶表面的位置处，以反射从发光芯片41A和41B发射的光。
树脂层62和63分别布置在第一发光芯片41A和第二发光芯片41B上。每一个树脂层62和63的一部分可以布置在与引导构件31的顶表面相同的高度或者更小的高度处，但是不限于此。
第二金属层11B可以用作第一发光芯片41A和第二发光芯片41B的公共电极。第一金属层11A可以用作用于控制第一发光芯片41A的电极，而第三金属层11C可以用作用于控制第二发光芯片41B的电极。
根据当前实施例，虽然描述了两个发光芯片41A和41B布置在左右两侧，但也可以以矩阵形式或者以跨过同一中心的线性形状布置三个或更多个发光芯片。发光芯片可以彼此串联或并联连接，但是不限于此。而且，当切割第三绝缘膜22的中心部分时，可以将发光器件制造成两个发光器件。
图13和14是根据第四实施例的发光器件的透视和侧截面视图。
参考图13和14，绝缘膜25粘附到第二金属层13的顶表面上的周边，以支撑第一金属层11和第二金属层13。绝缘膜25覆盖第一金属层11和第二金属层13之间的分离部17，以支撑第一金属层11和第二金属层13之间的部分。
引导构件32围绕第一金属层11的顶表面布置。引导构件32的一部分可以布置在绝缘膜25的外顶表面上。引导构件32可以围绕第一金属层11的顶表面布置并且布置在绝缘膜25的外顶表面上。引导构件32可以电连接在第一金属层11的顶表面上并且通过绝缘膜25与第二金属层13的顶表面电分离。引导构件32可以以回路形状、框架形状或环形形状围绕第一金属层11和绝缘膜25布置。绝缘膜25可以以回路形状、框架形状或环形形状围绕第二金属层13的顶表面布置。
绝缘膜25可以防止引导构件32物理地或者电接触第二金属层13并且防止第一和第二金属层11和13短路。绝缘膜25和引导构件32可以支撑并且固定彼此相邻的两个金属层11和13。引导构件31可以具有等于树脂层61的厚度的厚度。
根据当前实施例，可以减小绝缘膜25的面积并且可以增加引导构件32的面积以改进光学反射效率。
图15和16是根据第五实施例的发光器件的平面和侧截面视图。
参考图15和16，绝缘膜21和23布置在第一和第二金属层11和13的整个顶表面上并且包括多个敞口区域A1、A2和A3。多个敞口区域A1、A2和A3包括其上发光芯片41安装在第一金属层11上的第一敞口区域A1、第二电线52在第二金属层12上被结合到的第二敞口区域A2、以及第一电线51在第一金属层11上被结合到的第三敞口区域A3。作为另一示例，当发光芯片41具有竖直型电极结构时，可以不形成第三结合区域A3。
第一到第三敞口区域A1、A2和A3中的每一个可以具有圆形形状或多边形形状。这里，第二敞口区域A2可以形成为发光芯片41的下区域的至少四分之一或更小的尺寸。第一敞口区域A1和第三敞口区域A3中的每一个可以具有大于电线直径(例如，大约20μm到大约50μm)的宽度或直径，例如，大约60μm到大约120μm。
因为每一个绝缘膜21和23的粘附区域比图1的结构更宽，所以第一金属层11和第二金属层13可以更牢固地得到支撑。引导构件31可以围绕每一个绝缘膜21和23的顶表面布置。树脂层61可以在引导构件31内侧成型。
图17是示出图15的另一示例的平面视图。
参考图17，发光器件包括三个金属层11、13和15和附接在金属层11、13和15上的绝缘膜21。在绝缘膜21上限定有多个敞口区域A1、A2和A3。多个敞口区域A1、A2和A3可以分别是使金属层11、13和15的顶表面露出的敞口部分。
第三金属层15布置在第一金属层11和第二金属层13之间。发光芯片41安装在第三金属层15上。发光芯片41布置在绝缘膜21的第一敞口区域A1上。而且，第二敞口区域A2和第三敞口区域A3可以是引线键合区域。
发光芯片41通过第一电线51连接到第三敞口区域A3上的第一金属层11并且通过第二电线52连接到第二敞口区域A2上的第二金属层13。
绝缘膜21的敞口区域A1、A2和A3是其中发光芯片41和电线51和52布置在金属层11、13和15的顶表面上的区域。而且，绝缘膜21可以牢固地支撑金属层11、13和15之间的部分并且防止金属层11、13和15之间产生台阶部分，以提高由于焊料结合的电气可靠性并且还提高热传递效率。
图18到27是示出根据一个实施例的金属层和绝缘膜的修改示例的视图。
参考图18，第二金属层13可以布置在第一金属层11的至少一部分上并且在第一金属层11侧处可以具有圆形形状、多边形形状或者任意形状。第一金属层11和第二金属层13之间的分离部17可以具有均匀或不规则的宽度。
第一金属层11和第二金属层13可以具有彼此对应并且具有粗糙结构11D和13D的表面。粗糙结构11D和13D可以改进第二绝缘膜23的粘附效率。
如图19中所示，第二金属层13能够以预定形状，例如圆形或多边形形状布置在第一金属层11的至少一个边缘上。
如图20和21中所示，第二金属层13可以在第一金属层11的至少一部分上具有半球形形状或者可以在第一金属层11的边缘上具有多边形形状。
如图22所示，第二金属层13A和第三金属层13B在第一金属层11的至少两个边缘上具有回路形状或多边形形状。第二金属层13A和第三金属层13B可以布置在第一金属层11的彼此面对的边缘上。第二金属层13A和第三金属层13B可以分别用作电极第二金属层13A和第三金属层13B之一可以用作虚设图案。绝缘膜21和23可以围绕三个金属层11、13A和13B布置。而且，绝缘膜21和23可以通过敞口区域A1和A2暴露三个金属层11、13A和13B的顶表面。
如图23中所示，第一金属层11和第二金属层13在其中心侧处由分离部17划分。而且，第一金属层11和第二金属层13可以具有彼此相同或者彼此对称的区域。第二金属层13的第一侧的长度L1可以小于与第一侧相反的第二侧的长度L2，但是不限于此。
参考图24，第二金属层13可以布置在第一金属层11的一部分上。第二金属层13可以具有第一方向上的宽度X3，该第一方向上的宽度X3具有第二金属层11的第二方向上的宽度Y1的大约1/2倍的尺寸。
第二金属层13可以具有第一方向上的宽度Y3，该第一方向上的宽度Y3具有第一金属层11的第二方向上的宽度Y1的大约1/2倍的尺寸。
绝缘膜21布置于第一金属层11和第二金属层13之间的边界上。绝缘膜21覆盖除了第二敞口区域A2之外的区域。在没有设置绝缘膜21的情况下，可以暴露第二金属层13的外顶表面。
发光芯片可以安装在第二金属层13的敞口区域A1上。发光芯片可以电连接到两个金属层11和13。
参考图25，第二金属层13可以布置在第一金属层11的边缘部分上。第二金属层13的第一方向上的宽度X4和第二方向上的宽度Y4可以是第一金属层11的第一方向上的宽度X1和第二方向上的宽度Y1的大约1/2倍或更大。
因为在没有在第二金属层13的外顶表面上设置绝缘膜的情况下布置引导构件，所以可以增加引导构件覆盖的区域。
参考图26，第二金属层13可以通过第一金属层11的一个侧表面延伸直到第一金属层11的内部或者可以布置在第一金属层11内部。
第二金属层13的外侧部分13-1的宽度W5可以比内侧部分13-2的宽度W6窄。发光芯片可以布置在第二金属层13的第一敞口区域A1上，但是不限于此。
参考图27，第二金属层13可以具有与第一金属层11的宽度一样长的直径并且具有半球形形状。绝缘膜21可以布置在第一金属层11和第二金属层13之间的边界上。引导构件可以围绕金属层11和13的顶表面布置。
<第六实施例>
参考图28，第一绝缘膜21围绕第一金属层11和第二金属层13的顶表面布置。而且，布置了覆盖第一金属层11和第二金属层13之间的部分的第二绝缘膜23。第一绝缘膜21和第二绝缘膜23可以相互连接。敞口区域可以被布置在第一绝缘膜21和第二绝缘膜23之间。
树脂层63布置在第一绝缘膜21的敞口区域上以覆盖发光芯片41。液体树脂基绝缘材料可以分配并然后固化以形成树脂层63。这里，第一绝缘膜21可以用作围绕树脂层63的阻挡件。树脂层63可以具有凸透镜形状的表面。树脂层63的中心部分的厚度可以大于第一绝缘膜21和第二绝缘膜23的厚度。
引导构件31或反射材料可以进一步围绕树脂层63布置，但是不限于此。
<第七实施例>
参考图29，发光芯片45被贴片到第一金属层11并且通过电线连接到第二金属层13。树脂层63布置在第一金属层11和第二金属层13上。
树脂层63布置在金属层11和13的顶表面上。绝缘膜21围绕树脂层63布置。树脂层63可以具有凸透镜形状。引导构件31或者反射材料可以进一步围绕树脂层63布置，但是不限于此。
间隔物18布置在第一金属层11和第二金属层13之间的分离部17上。间隔物18布置在第一金属层11和第二金属层13之间并且由绝缘材料形成。间隔物18粘附在第一金属层11和第二金属层13之间。间隔物18可以将第一金属层11与第二金属层13隔开以防止第一和第二金属层11和13彼此电气短路。间隔物18可以由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3和TiO2中的至少一种形成。
树脂层63的下表面可以接触第一金属层11和第二金属层13的顶侧和间隔物18的顶表面。
<第八实施例>
参考图30，粗糙部63A布置在树脂层63的表面上。通过在树脂层61的表面上执行蚀刻或者注入处理，粗糙部63A可以具有粗糙表面。粗糙部63A可以改变行进到树脂层63外部的光的临界角，以提高光提取效率。
<第九实施例>
参考图31，发光芯片41可以以倒装方式安装在第一金属层11和第二金属层13上。发光芯片41安装在第一金属层11和第二金属层13上。第一金属层11和第二金属层13可以具有彼此相同的宽度。
第二绝缘膜24附接到第一金属层11和第二金属层13的下表面以将两个金属层11和13相互绝缘并且支撑这两个金属层11和13。
第一绝缘膜21可以围绕第一金属层11和第二金属层13的顶表面附接以固定这两个金属层11和13。
第二绝缘膜21可以用作阻挡件以防止树脂层63溢出。树脂层63的一部分可以填充在第一和第二金属层11和13之间，以保持第二绝缘膜21和金属层11和13之间的距离。
树脂层63可以具有凸半球形形状。而且，在树脂层63的中心限定了具有预定深度的凹部63B。凹部63B可以具有喇叭形状或半球形状。反射材料72可以布置在凹部63B内。反射材料72可以包括金属氧化物。例如，反射材料72可以形成由诸如TiO2或/和SiO2的材料形成的至少一层，以将入射光反射到侧方向。树脂层63和反射材料72可以具有相互不同的折射率。例如，反射材料72的折射率可以大于树脂层63的折射率。树脂层63可以朝向侧方向反射中心方向上的光，以均匀地提供光的取向角分布。
而且，除了反射材料之外，散射剂可以布置在凹部63B中，但是不限于此。
<第十实施例>
参考图32，引导构件33形成在树脂层61的侧表面上。在形成树脂层61之后，可以通过在树脂层61的至少两个侧表面上执行溅射方法或沉积方法来沉积该引导构件33。因此，可以由于引导构件33而改变制造工艺。可以根据沉积时间来调节引导构件33的宽度和厚度。引导构件33可以由诸如Al或Ag的反射材料或者具有高折射率的光透射材料形成。
<第十一实施例>
参考图33，发光器件具有其中透镜71布置在树脂层61上的结构。树脂层61上的透镜71可以具有凸半球形形状并且可以粘附到树脂层61和引导构件31的顶表面。引导构件31和透镜71可以分别具有非平坦表面，但是不限于此。
<第十二实施例>
参考图34，发光器件包括彼此相邻布置的三个金属层11、13和15。三个金属层11、13和15中的第一和第二金属层11和13可以用作电极。第三金属层15可以布置在第一和第二金属层11和13之间并且用作散热板。
第一绝缘膜21围绕第一到第三金属层11、13和15的顶表面布置以用作树脂层61的屏障并且支撑金属层11、13和15。第二和第三绝缘膜24A和24B可以粘附到第一和第三金属层11和15之间以及第二和第三金属层13和15之间的下部以支撑第一和第三金属层11和15之间以及第二和第三金属层13和15之间的部分。第二和第三绝缘膜24A和24B可以防止彼此相邻的金属层相互短路。第二和第三绝缘膜24A和24B可以布置成单一膜或者布置为在相互不同的区域上的分离的膜。
而且，树脂层61的部分61A填充在第一和第三金属层11和15之间以及第二和第三金属层13和15之间以粘附到彼此相邻的金属层的侧表面。这里，可以在固化树脂层61之后移除第二和第三绝缘膜24A和24B。金属层11、13和15可以由树脂层61和第一绝缘膜21支撑并且具有平坦的下表面。
荧光体层73布置在树脂层61上方。荧光体层73可以是包括荧光体的膜或者添加有荧光体的树脂层。荧光体层73可以从树脂层61的顶表面延伸直到引导构件31的顶侧。荧光体层73可以吸收从发光芯片41发射的光的一部分以发射具有比吸收的光的波长更长的波长的光，由此在颜色坐标分布中在想要的颜色坐标中移动。
<第十三实施例>
参考图35，发光器件具有其中第二引导构件35进一步被布置在第二和第三绝缘膜23A和23B上的结构。
第二和第三绝缘膜23A和23B可以覆盖相邻金属层11、13和15之间的分离部17A和17B以粘附到金属层11、13和15的边界的顶表面。然后，第二引导构件34布置在第二绝缘膜23A和23B上。第一引导构件31布置在第一绝缘膜21上。发光芯片41、42和43布置在第一引导构件31和第二引导构件34的敞口区域上。第一引导构件31和第二引导构件34可以围绕发光芯片41、42和43布置以有效反射入射光。
第一发光芯片41布置在第一金属层11上，第二发光芯片42被布置在第三金属层15上，并且第三发光芯片43布置在第二金属层13上。第一发光芯片41通过电线51和53连接到第一金属层11和第二发光芯片42的第一电极。第二发光芯片42的第二电极通过电线54连接到第三发光芯片43的第一电极。第三发光芯片43的第二电极通过电线52连接到第二金属层13。第二发光芯片42直接连接到其它发光芯片，但是不限于此。
第一发光芯片41可以通过电线51和52连接到第一金属层11。第一发光芯片41和第二发光芯片42可以相应地通过电线51和52芯片到芯片地相互连接。第二发光芯片42可以通过电线51和52连接到第三金属层。
<第十四实施例>
参考图36，发光器件包括具有凹表面S5的树脂层61。例如，树脂层61可以具有透镜形状，其中侧部高并且中心部分低。树脂层61的侧部和中心部分之间的间隙T6可以是大约0.001mm到大约1mm。该间隙T6可以防止光学引导板接触。因此，可以防止由于光学引导板接触引起的诸如色彩模糊现象的异常颜色分布。
<第十五实施例>
参考图37，第一引导构件31可以布置在第一绝缘膜21上并且第二引导构件36可以围绕发光芯片41布置。第二引导构件36可以围绕发光芯片41布置。第二引导构件36可以具有比发光芯片41的厚度更厚或者更小的厚度。第二引导构件36的一部分布置在发光芯片41和第二绝缘膜23之间。第二引导构件36的另一部分可以布置在发光芯片41和第一电线51之间。
第二引导构件36可以具有框架形状、回路形状或环形形状。第二引导构件36可以布置在第一金属层11的第一敞口区域A1内以有效地反射从发光芯片41发射的光。
第一引导构件31可以具有与第一绝缘膜21相同的宽度。因此，在第一引导构件31粘附到第一绝缘膜21之后，可以执行诸如冲孔的处理。
根据当前实施例，引导构件31和36可以被双重地布置在发光芯片41周围，以改进光反射效率和取向角分布。
<第十六实施例>
参考图38，发光器件包括第一绝缘膜21上的第一和第三引导构件37A和37B。第一引导构件37A可以布置在第一绝缘膜21的顶表面和内表面上。第一引导构件37A的一部分布置为离发光芯片45比离第一绝缘膜21更近。第一引导构件37A的下部可以接触第一金属层11的顶表面。第三引导构件37B可以被布置在第一绝缘膜21的顶表面和内表面上。第三引导构件37B的一部分布置为离发光芯片45比离第一绝缘膜21更近。第三引导构件37B的下部可以接触第二金属层13的顶表面。第一引导构件37A可以以预定距离D3延伸到金属层11和13的顶表面。距离D3可以是大约0.1mm或者更大。
当第一和第三引导构件37A和37B中的每一个由非金属材料或者绝缘树脂材料形成时，第一和第三引导构件37A和37B可以相互连接。
当第一和第三引导构件37A和37B中的每一个由导电材料形成时，第一和第三引导构件37A和37B可以物理地相互分离。因此，第一和第三引导构件37A和37B可以在第一金属层11和第二金属层13之间的边界上相互隔开。因此，接触第一金属层11的顶表面的第一引导构件37A和接触第二金属层13的顶表面的第三引导构件37B可以相互分离以防止第一和第三引导构件37A和37B电气短路。
而且，第二引导构件37C可以布置在第二绝缘膜23的顶表面和内表面上以接触第一金属层11的顶表面。第二引导构件37C可以连接到第一引导构件37A并且可以与第三引导构件37B分离。第二引导构件37C可以与第二金属层13物理地隔开。
第一引导构件37A和第二引导构件37C可以布置为对应于发光芯片45的周围以有效地反射从发光芯片45发射的光。第一引导构件37A和第二引导构件37C中的每一个可以由树脂材料、非金属材料或者反射性金属形成。
而且，第一引导构件37A和第二引导构件37C的内表面对应于发光芯片45并且可以具有相对于第一金属层11的顶侧弯曲或者倾斜的形状。
第一到第三引导构件37A、37C和37B可以由彼此相同的材料或者彼此不同的材料形成，但是不限于此。作为另一示例，第一到第三引导构件37A、37C和37B可以由金属材料或者绝缘材料形成。
<第十七实施例>
参考图39，发光器件还包括引导构件31上的反射层81A和81B。
反射层81A和81B可以由诸如Ag和Al的具有大约70％或者更大的反射率的高反射性金属形成。高反射性金属可以通过镀覆或者涂覆处理而形成。反射层81A和81B可以形成在引导构件31和第一绝缘膜21的顶表面和侧表面上。反射层81A和81B可以不连续地布置并且相互隔开以防止第一和第二金属层相互电气短路。
根据上述实施例，因为绝缘膜21、23A和23B粘附到金属层11和13的顶表面的周围，所以金属层的侧表面可以与绝缘膜21隔开大约1μm或者更大，但是不限于此。
<第十八实施例>
参考图40，在发光器件中，发光芯片45结合到第一金属层11并且第二金属层13通过电线53连接到发光芯片45。第二绝缘膜23可以附接在第一金属层11和第二金属层13之间的顶表面上。
引导构件31以连续或不连续形状布置在第一金属层11和第一绝缘膜21上。例如，引导构件31可以具有框架形状、回路形状和环形形状。
树脂层63可以被布置在引导构件31内并且荧光体层73可以被布置在树脂层63上。荧光体层73的荧光体可以分散在整个区域中。而且，因为荧光体与发光芯片45隔开，所以可以防止污染(discoloration)。
<第十九实施例>
参考图41，在发光器件中，树脂层被移除并且光致发光膜74被布置在发光芯片41上。光致发光膜74布置为与金属层11、13和15隔开并且由引导构件31支撑。
第二绝缘膜24A和24B可以布置在金属层11、13和15之间的顶表面或者下表面上，但是不限于此。
<第二十实施例>
图42是发光器件的侧截面视图，并且图43是图42的平面视图。
参考图42和43，发光芯片41以倒装方式安装在第一金属层11和第二金属层13上。绝缘膜21布置在第一金属层11和第二金属层13周围。由绝缘材料形成的间隔物18可以被布置在第一金属层11和第二金属层13之间。
间隔物18防止树脂层的泄漏。
树脂层66可以布置在发光芯片41周围。树脂层66的一部分可以延伸直到绝缘膜21的顶表面。
<第二十一实施例>
参考图44，在发光器件中，绝缘膜23和24附接在第一金属层11和第二金属层13之间的顶表面和下表面上。发光芯片45布置在第一金属层11上并且树脂层67成型到发光芯片45。
树脂层67可以具有与第一金属层11和第二金属层13的侧表面相同的侧表面。树脂层67可以具有对应于第一和第二金属层11和13的侧表面之间的距离的宽度。
这里，树脂层67可以在中心部分67A处具有最厚的厚度。而且，树脂层67的厚度T4可以从中心部分67A朝向外侧逐渐减小。中心部分67A具有凸透镜形状。厚度T4可以大于或者小于发光芯片45的高度。可以使用注入成型框架制造该树脂层67。而且，因为在树脂层67固化之后，以每一个发光器件的尺寸为单位来切割和分离发光器件。因此，在制造过程期间，发光芯片45可以安装在金属层11和13上或者树脂层67可以布置在金属层11和13上。金属层11和13之间的分离部17可以在形成最终树脂层之后通过激光或者切割处理形成，但是不限于此。
<第二十二实施例>
参考图45，在发光器件中，粘结层29布置在绝缘膜21和23与金属层11和13之间。粘结层29可以使用诸如硅或者环氧树脂的绝缘粘结剂。粘结层29可以具有大约12μm或者更大的厚度。
而且，树脂层61的顶表面可以高于第一引导构件31或者第二引导构件31C的顶表面。
第二引导构件31C可以布置在绝缘膜21上以有效率地反射从发光芯片41发射的光。
<第二十三实施例>
参考图46，金属层11和13的顶表面具有非平坦结构11E和13E。非平坦结构11E和13E可以布置在第一绝缘膜21下面并且可以延伸直到每一个金属层11和13的敞口区域A1和A2。
非平坦结构11E和13E可以增大金属层11和13上与绝缘膜21以及23之间的接触面积或者提高热辐射效率。
<第二十四实施例>
参考图47，绝缘膜和引导构件31的内表面中的至少一个可以具有倾斜表面21d和31d。倾斜表面21d和31d可以从第一绝缘膜21的内表面布置到引导构件31的内表面。倾斜侧面21d和31d可以被布置在第一绝缘膜21和引导构件31的侧表面之一或两者上。
倾斜侧表面21d和31d中的每一个可以具有相对于金属层11和13的顶表面大约15°到大约89°的倾斜角度。这些倾斜侧表面21d和31d可以在光发射方向上有效地反射光。而且，可以在倾斜表面21d和31d上涂覆反射材料。反射材料可以是不导电材料。替代地，反射材料可以被布置在诸如粘结层的绝缘材料上以防止金属层电短路。
树脂层61可以具有平坦的顶表面。由于倾斜侧表面21d和31d，树脂层61的上宽度可以比其下宽度宽。
而且，第二绝缘膜23的内表面，即对应于发光芯片45的表面可以倾斜，但是不限于此。而且，第二引导构件可以被布置在第二绝缘膜23上。第二引导构件可以具有倾斜内表面。
<第二十五实施例>
图48A是发光器件的侧截面视图。图48B是其中绝缘膜布置在图48A的金属层上的情形的平面视图。
参考图48，在第一金属层11上的第一绝缘膜21中限定了孔21E。孔21E暴露第一金属层11的顶表面。引导构件31可以形成在第一和第二绝缘膜21和23上。引导构件31的部分31E可以通过孔21E接触第一金属层11。引导构件31的一部分具有突起形状。引导构件31具有小于第一绝缘膜21的宽度的宽度。
当第一绝缘膜21由光透射材料形成时，引导构件31的部分31E可以反射入射光。而且，当引导构件31和第一金属层由金属形成时，引导构件31和第一金属层11可以粘附到彼此以固定第一绝缘膜21。
这里，当引导构件31由具有非导电性的树脂系列或者非金属材料形成时，可以除了两个金属层11和13之间的边界的顶表面而在第一金属层11和第二金属层13中的每一个中限定第一绝缘膜21的通孔21E。可以在第一绝缘膜21中设置多个孔21E。
<第二十六实施例>
图49是根据实施例的平面视图。图50是沿着图49的线B-B截取的截面视图。图51是沿着图49的线C-C截取的截面视图。
参考图49到51，树脂层68布置在第一和第二金属层11和13的整个顶表面上以成型发光芯片45。围绕树脂层68限定凹槽19。凹槽19可以具有环形形状、框架形状或者多边形形状。第一金属层11的顶表面可以通过凹槽19暴露并且可以与第二金属层13隔开。蚀刻处理可以包括湿法或者干法蚀刻处理，但是不限于此。
引导构件38可以布置在凹槽19中并且可以由反射材料形成。引导构件38可以以圆形或者多边形环形状布置在发光芯片45周围。引导构件38可以接触第一金属层11并且与第二金属层隔开预定距离T5。因此，引导构件38可以不接触树脂层68的下部68A。这里，下部68A可以是树脂层或者绝缘粘结层。
当引导构件38嵌入在树脂层68内时，引导构件38可以接触第一金属层11的顶表面并且与第二金属层13隔开。而且，引导构件38可以在第一金属层11和第二金属层13处具有相互不同的高度。引导构件38可以反射从发光芯片45发射的光。因为这个结构具有其中没有分离地附接绝缘膜的结构，所以可以简化制造过程。
树脂层68的部分68C可以填充在第一金属层11和第二金属层13之间的分离部17中或者绝缘膜可以附接到金属层的顶表面或/和下表面。
引导构件38可以具有比下宽度宽的上宽度。而且，引导构件38可以具有相对于金属层11和13的顶表面以预定角度倾斜的内表面。
每一个实施例的特征均可以选择性地应用于其它实施例，并且不限于每一个实施例。
这里，当引导构件38由非金属材料或者绝缘树脂系列形成时，树脂层68的凹槽19可以延伸到第一和第二金属层11和13的除了两个金属层11和12之间的边界的顶表面之外的顶表面。引导构件38被布置在凹槽19中。
图52和53是根据实施例的发光器件的侧截面视图和电路图。
参考图52，发光器件包括三个或者更多金属层12A、12B和12C以及两个或者更多发光芯片41A和41B。发光芯片41A和41B可以发射具有彼此相同的峰值波长或者彼此不同的峰值波长的光。
金属层12A、12B和12C排列在同一平面上。第一绝缘膜21布置在金属层12A、12B和12C周围。第二绝缘膜23A和23B分别布置在彼此相邻的金属层12A和12B以及12B和12C之间以支撑并且固定彼此相邻的金属层12A和12B以及12B和12C。
第一发光芯片41A布置在第一金属层12A上。第二发光芯片41B与第二金属层12B隔开。
第二金属层12B可以用作第一发光芯片41A和第二发光芯片41B的公共电极。第一金属层12A可以用作用于控制第一发光芯片41A的电极，并且第三金属层12C可以用作用于控制第二发光芯片41B的电极。
当第一和第二发光芯片41A和41B是横向型芯片时，第一发光芯片41A可以分别通过第一电线51A和第二电线51B电连接到第一金属层12A和第二金属层12B。而且，第二发光芯片41B可以分别通过第三电线51C和第四电线51D电连接到第二金属层12B和第三金属层12C。
当第一和第二发光芯片41A和41B是竖直型芯片时，可以省略第一和第三电线51A和51C。
引导构件31布置在第一绝缘膜21上。引导构件31布置在高于发光芯片41A和41B的位置处，以反射从发光芯片41A和41B发射的光。
树脂层61布置在第一和第二发光芯片41A和41B上。树脂层61的一部分可以布置在与引导构件31的顶表面相同的高度或者更小的高度处，但是不限于此。
参考图53，发光芯片41A和41B可以具有横向电极结构，以实现其中第一金属层12A用作阳极并且第三金属层12B用作阴极的电路。参考图14，与图14中示出的电路不同，第一金属层可以用作阴极，并且第三金属层12B可以用作阳极。
图54和55是根据实施例的发光器件的侧截面视图和电路图。
参考图54，发光器件包括三个或更多个金属层12A、12B和12C和两个或者更多发光芯片41A和41B。发光芯片41A和41B可以发射具有彼此相同的峰值波长或者彼此不同的峰值波长的光。
金属层12A、12B和12C排列在同一平面上。第一绝缘膜21布置在金属层12A、12B和12C周围。第二绝缘膜23布置在彼此相邻的金属层12A和12B、12A和12C以及12B和12C之间，以支撑并固定彼此相邻的金属层12A和12B、12A和12C以及12B和12C。
相互隔开的第一发光芯片41A和第二发光芯片41B布置在第一金属层12A上。
第一金属层12A可以用作第一发光芯片41A和第二发光芯片41B的公共电极。第二金属层12B可以用作用于控制第一发光芯片41A的电极，并且第三金属层12C可以用作用于控制第二发光芯片41B的电极。
当第一和第二发光芯片41A和41B是横向型芯片时，第一发光芯片41A可以分别通过第一电线51A和第三电线51C电连接到第一金属层12A和第二金属层12B。而且，第二发光芯片41B可以分别通过第二电线51B和第四电线51D电连接到第一金属层12A和第三金属层12C。
当第一和第二发光芯片41A和41B是竖直型芯片时，可以省略第一和第二电线51A和51B。
引导构件31布置在第一绝缘膜21上。引导构件31被布置在高于发光芯片41A和41B的位置处，以反射从发光芯片41A和41B发射的光。
树脂层61布置在第一和第二发光芯片41A和41B上。树脂层61的一部分可以布置在与引导构件31的顶表面相同的高度或者更小的高度处，但是不限于此。
参考图55A，发光芯片41A和41B可以具有横向电极结构，以实现其中第一金属层12A用作正公共电极并且第二和第三金属层12B、12C用作阴极的电路。在另一方面，参考图55B，第一金属层12A可以用作负公共电极，并且第二和第三金属层12B和12C可以用作阳极。
图56是示出根据第一实施例的发光器件的修改示例的侧截面视图。
参考图56，发光器件100包括多个金属层11和13、在金属层11和13上的绝缘膜21和23、在多个金属层11和13中的至少金属层11上的发光芯片41、在绝缘膜21上的引导构件31、和在金属层11和13上覆盖发光芯片41的树脂层61。
因为金属层11和13未设置成独立的主体，例如，不具有其中使用由聚邻苯二甲酰胺(PPA)形成的树脂基主体来固定金属层11和13的结构，所以金属层11和13的一部分可以具有柔性弯曲的形状、以预定角度弯曲或者部分地蚀刻。
即，每一个金属层11和13均包括外侧部分B1、内侧部分B2和倾斜部分B3。金属层11和13中的每一个的外侧部分B1的顶表面的高度H2可以大于金属层11和13中的每一个的内侧部分B2的顶表面的高度H1。
这里，金属层11或者13的外侧部分B1可以具有等于金属层11或者13的内侧部分B2的厚度T4的厚度T5。
金属层11和13包括内侧部分B2和外侧部分B1。外侧部分B1可以布置在高于内侧部分B2的顶表面的位置的位置处。金属层11和13中的每一个可以弯曲以形成金属层11和13中的每一个的外侧部分。在弯曲处理中，具有倾斜表面的倾斜部分B3可以布置在金属层11和13的内侧部分B2和外侧部分B1之间。
多个金属层11和13的倾斜部分B3可以具有面对彼此的相对表面。这里，相对表面可以在它们倾斜的状态中彼此面对。倾斜部分B3可以具有相对于金属层11和13的内侧部分B2的顶表面大约15°到大约89°的倾斜角度。倾斜部分B3的倾斜表面可以有效地在光发射方向上反射光。
而且，发光芯片41和第二绝缘膜23可以布置在金属层11和13的内侧部分B2上。
而且，第一绝缘膜21可以布置在金属层11和13的外侧部分B1上。引导构件31可以布置在第一绝缘膜21上。
虽然未示出，但布置在外侧部分B1上的第一绝缘膜21和引导构件31中的至少一个的内表面可以以金属层11和13的倾斜部分B3的倾斜角度倾斜。
图57到59是示出根据实施例的发光器件的金属层的修改示例的视图。
参考图57，金属层11和13的顶、下和侧表面中的一个表面可以具有包括凸部和凹部的一个或者多个非平坦结构11E和13E。非平坦结构11E和13E可以布置在第一绝缘膜21下面并且可以延伸直到金属层11和13中的每一个的敞口区域A1和A2。
而且，非平坦结构11E和13E可以布置在金属层11和13的除了其上布置发光芯片41的区域或者电线51和52结合到的区域之外的表面上，由此改进金属层11和13、发光芯片41和电线51和52的接触特性。
非平坦结构11E和13E中的每一个可以具有三角形形状、正方形形状、梯形形状和正弦曲线形状之一，但是不限于此。
非平坦结构11E和13E可以增大金属层11和13上与绝缘膜21和23之间的接触面积或者提高热辐射效率。
参考图58，多个金属层11和13的下表面可以具有非平坦结构11E和13E。非平坦结构11E和13E的突起部分可以具有条纹形状或者矩阵形状，但是不限于此。
参考图59，散热框架12可以布置在多个金属层中的一个金属层11的一个侧表面上。散热框架12可以由与金属层11相同的材料形成，或者由具有优于金属层11的导电性的导电性的材料形成。散热框架12可以具有具有包括凹部和凸部的一个或者多个非平坦结构12E的表面。
非平坦结构11E和13E中的每一个可以具有三角形形状、正方形形状、梯形形状和正弦曲线形状之一，但是不限于此。
可以通过散热框架12的非平坦结构12E来提高金属层11和13的热效率。
作为另一示例，非平坦结构可以设置在多个金属层11和13的侧表面上以增大表面积，由此提高热效率。
<发光芯片>
将参考图60和61描述根据实施例的发光芯片。
参考图60，发光芯片41可以包括基板111、缓冲层112、第一导电型半导体层113、有源层114、第二导电型半导体层115、第一电极116和第二电极117。第一导电型半导体层113、有源层114和第二导电型半导体层115可以定义为发光结构。
基板111可以由Al2O3、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、导电基板和GaAs形成。基板111可以是生长基板。具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体可以在生长基板上生长。
缓冲层112可以是用于减小基板111和半导体之间的晶格常数差异的层并且可以由II到VI族化合物半导体形成。非掺杂III-V族化合物半导体层可以进一步布置在缓冲层112上，但是不限于此。
第一导电型半导体层113布置在缓冲层112上，有源层124被布置在第一导电型半导体层113上，并且第二导电层115被布置在有源层124上。
第一导电型半导体层113可以由其中掺杂第一导电型掺杂物的III-V族化合物半导体形成，III-V族化合物半导体例如为GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP之一。当第一导电型半导体层是N型半导体层时，第一导电型掺质可以包括诸如Si、Ge、Sn、Se和Te的N型掺杂物。第二导电型半导体层114可以形成为单层或者多层，但是不限于此。
有源层114可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构之一。有源层114可以具有使用III-V族化合物半导体材料的阱层和势垒层的交替循环结构，例如InGaN阱层/GaN势垒层的交替循环结构，或者InGaN阱层/AlGaN势垒层的交替循环结构。
导电型包覆层可以布置在有源层114上方或/和下面。导电型包覆层可以由AlGaN基半导体形成。
第二导电型半导体层形成在有源层114上。第二导电半导体层115可以由其中掺杂第二导电型掺杂物的III-V族化合物半导体形成，第二导电型掺杂物例如为GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP之一。当第二导电型半导体层是P型半导体层时，第二导电型掺杂物可以包括诸如Mg和Ze的P型掺杂物。第二导电型半导体层115可以具有单层或者多层结构，但是不限于此。
第三导电型半导体层，例如N型半导体层可以被布置在第二导电型半导体层115上。因此，发光结构135可以具有N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的至少一种。
电流扩散层可以被布置在第二导电型半导体层115上。电流扩散层可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)和镓锌氧化物(GZO)之一形成。
第一电极116可以布置在第一导电型半导体层113上并且第二电极117可以布置在第二导电型半导体层115上。
第一电极116和第二电极117可以通过电线连接到图1或者5的金属层。
图61是竖直型芯片结构的视图。
参考图61，在发光芯片45中，欧姆层121布置在发光结构110下面，反射层124布置在欧姆层121下面，导电支撑部件125布置在反射层124下面，并且保护层123布置在反射层124和发光结构110周围。
可以通过在第二导电型半导体层115上形成欧姆层121、沟道层123、反射层124和导电支撑部件125，然后在不执行蚀刻处理的情况下移除基板111和缓冲层112以暴露图52的结构中的第一导电型半导体层113，来形成发光器件45。
欧姆层121可以欧姆接触发光结构110的下层，例如第二导电型半导体层。欧姆层121可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其组合之一形成。而且，欧姆层121可以使用金属材料和诸如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO的光透射导电材料形成为多层。例如，多层可以包括IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni和AZO/Ag/Ni。可以进一步在欧姆层121内布置用于阻挡对应于电极16的电流的层。
保护层123可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3和TiO2之一形成。保护层123可以通过溅射方法或者沉积方法形成。保护层123可以防止发光结构110的层相互电气短路。
反射层124可以由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其组合之一形成。反射层124的宽度可以比发光结构110的宽度宽，以提高光反射效率。
例如，导电支撑部件125可以用作基础基板。导电支撑部件125可以由铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜-钨(Cu-W)和载具晶圆(例如Si、Ge、GaAs、ZnO、Sic等)中的至少一种形成。粘结层可以进一步布置在导电支撑部件125和反射层124之间。因此，两个层可以利用粘结层粘附到彼此。
以上公开的发光芯片只是一个示例并且不限于以上特征。发光芯片可以选择性地应用于发光器件的实施例，并且不限于此。
<照明***>
以上公开的实施例的发光器件具有其中封装发光芯片的结构。而且，多个发光器件可以布置在电路板上，并且因此设置给诸如发光模块或者灯单元的照明***。根据以上实施例的发光器件之一可以应用于照明***。
根据实施例的发光器件可以应用于灯单元。灯单元可以具有其中排列多个发光器件的结构。灯单元可以包括图62和63中示出的显示装置和图64中示出的照明装置。此外，灯单元可以包括照明灯、交通灯、车辆头灯和标识牌。
图62是示出根据实施例的显示装置的分解透视图。
参考图62，显示单元1000可以包括导光板1041、向导光板1041提供光的发光模块1031、在导光板1041下面的反射构件1022、在导光板1041上方的光学片1051、在光学片1051上方的显示面板1061、和收容该导光板1031、发光模块1031和反射构件1022的底盖1011，但是不限于此。
底盖1011、反射构件1022、导光板1041和光学片1051可以被定义为灯单元1050。
导光板1041漫射光以生产平面光。例如，导光板1041可以由透明材料形成，例如由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸树脂基材料、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物共聚物(COC)树脂和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂之一形成。
发光模块1031布置成向导光板1041的至少一个侧表面提供光。因此，发光模块1031可以用作该显示装置的光源。
可以在导光板1041的一个侧表面上布置至少一个发光模块1031，以直接或间接提供光。发光模块1031可以包括电路板1033和根据实施例的发光器件100。而且，发光器件100可以以预定距离排列在电路板1033上。
电路板1033可以是包括电路图案的印刷电路板(PCB)。除了普通PCB之外，电路板1033可以包括金属芯PCB(MCPCB)或者柔性PCB(FPCB)，但是不限于此。当发光器件100安装在底盖1011的侧表面上或者散热板上时，可以移除电路板1033。这里，散热板的一部分可以接触底盖1011的顶表面。
多个发光器件100可以安装在电路板1033上，以允许通过其发射光的光发射表面与导光板1041隔开预定的距离，但是不限于此。发光器件100可以直接或间接向光入射表面提供光，该光入射表面是导光板1041的侧表面，但是不限于此。
反射构件1022可以布置在导光板1041下面。因为反射构件1022反射入射到导光板1041的下表面上的光以向上提供光，所以可以改进灯单元1050的亮度。例如，反射构件1022可以由PET、PC和PVC之一形成，但是不限于此。反射构件1022可以是底盖1011的顶表面，但是不限于此。
底盖1011可以接收导光板1041、发光模块1031和反射构件1022。为此，底盖1011可以包括具有带有打开的上侧的盒形状的收容部1012，但是不限于此。底盖1011可以联接到顶盖(未示出)，但是不限于此。
底盖1011可以由金属材料或者树脂材料形成。而且，可以使用压模处理或者挤出模塑处理制造底盖1011。底盖1011可以由具有优良导热性的金属或者非金属材料形成，但是不限于此。
例如，显示面板1061可以是液晶显示器(LCD)面板，并且包括由透明材料形成的第一电路板和第二电路板以及位于第一电路板和第二电路板板之间的液晶层。偏振板可以附接到显示面板1061的至少一个表面。本公开不限于偏振板的附接结构。显示面板1061可以使用从发光模块1051发射的光来显示信息。显示单元1000可以应用于各种便携式终端、用于笔记本计算机的监视器、用于膝上型计算机的监视器、电视机等。
光学片1051布置在显示面板1061和导光板1041之间并且包括至少一个透射片。例如，光学片1051可以包括漫射片、水平或竖直棱镜片、亮度增强片等中的至少一种。漫射片漫射入射光，并且水平或/和竖直棱镜片将入射光聚集到显示区域中。另外，亮度增强片重新使用所损耗的光以提高亮度。而且，保护片可以布置在显示面板1061上，但是不限于此。
这里，诸如导光板1041和光学片1051的光学构件可以布置在发光模块1031的光学路径上，但是不限于此。
图63是根据实施例的显示装置的视图。
参考图63，显示设备1100包括底盖1152、其上排列上述发光器件100的电路板1120、光学构件1154和显示面板1155。
基板1120和发光器件100可以被定义为发光模块1060。底盖1152、至少一个发光模块1060、光学构件1154可以被定义为灯单元。
底盖1152可以包括收容部1153，但是不限于此。
这里，光学构件1154可以包括透镜、导光板、漫射片、水平和竖直棱镜片和亮度增强片中的至少一个。导光板可以由PC材料或者PMMA材料形成。在此情形中，可以移除导光板。漫射片漫射入射光，并且水平和竖直棱镜片将入射光集中到显示面板1155中。亮度增强片重新使用所损耗的光，以提高亮度。
光学构件1154布置在发光模块1060上以使用从发光模块1060发射的光产生平面光或者漫射并且集中从发光模块1060发射的光。
图64是根据实施例的照明装置的透视图。
参考图64，照明单元1500可以包括外壳1510、布置在外壳1510中的发光模块1530、以及布置在外壳1510中以从外部电源接收电力的连接端子1520。
外壳1510可以由具有良好散热性的材料形成，例如由金属材料或者树脂材料形成。
发光模块1530可以包括电路板1532和安装在电路板1532上的发光器件100。发光器件100可以设置为多个，并且多个发光器件200可以以矩阵形状排列或者相互隔开预定的距离。
可以在电介质上印刷电路图案以制造电路板1532。例如，电路板1532可以包括印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB或者aFR-4。
而且，电路板1532可以由能够有效反射光的材料形成或者涂覆有能够有效反射光的颜色，例如白色或银色。
可以在电路板1532上布置至少一个发光器件100。发光器件100可以包括至少一个发光二极管(LED)芯片。LED可以包括分别发射红光、绿光、蓝光和白光的彩色LED和发射紫外光(UV)的UV LED。
发光模块1530可以具有几种发光器件100的组合，以获得想要的颜色和亮度。例如，可以相互组合白色LED、红色LED和绿色LED，以确保高显色指数。
连接端子1520可以电连接到发光模块1530以供应电力。连接端子1520可以旋拧联接到插座型的外部电源，但是不限于此。例如，连接端子1520可以具有插头形状，并因此***到外部电源中。替代地，连接端子1220可以通过电线连接到外部电源。
根据实施例，可以提供膜式或带式的发光器件，以在不使用封装体的情况下通过绝缘膜来支撑金属层。
根据实施例，可以改进发光器件的制造工艺。此外，可以减小发光器件的厚度。根据实施例，可以提高发光器件的光提取效率。
根据实施例，可以提高发光器件的可靠性。而且，可以改进发光器件的小型化和集成度。根据实施例，可以提高发光器件中以及具有发光器件的照明***中的热效率。
在以上实施例中描述的特征、结构和效果结合到本公开的至少一个实施例中，但是不限于仅一个实施例。而且，本领域技术人员能够容易地对于另一个实施例组合和修改一个实施例中例示的特征、结构和效果。因此，这些组合和修改应被理解为落入本公开的范围内。
虽然已经参考其示意性实施例描述了实施例，但应该理解，本领域技术人员能够设计将落入本公开原理的精神和范围内的多个其它修改和实施例。更加具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，在主题组合布置的构件和/或布置方面，各种变化和修改都是可能的。

Claims (25)

1.一种发光器件，包括：
多个金属层，所述多个金属层彼此间隔开；
第一绝缘膜，所述第一绝缘膜具有敞口区域，在所述敞口区域中，所述多个金属层的顶表面区域的一部分被暴露，所述第一绝缘膜布置在所述多个金属层的顶表面的周边部分上；
发光芯片，所述发光芯片布置在所述多个金属层中的至少一个上，所述发光芯片电连接到另一金属层；
树脂层，所述树脂层布置在所述多个金属层和所述发光芯片上；以及
第一引导构件，所述第一引导构件布置在所述第一绝缘膜上。
2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括第二绝缘膜，所述第二绝缘膜位于所述多个金属层的顶表面和下表面中的至少一个上，所述第二绝缘膜对应于所述多个金属层之间的位置，并且所述第二绝缘膜的宽度比所述多个金属层之间的间隔宽。
3.根据权利要求2所述的发光器件，还包括粘结层，所述粘结层位于所述多个金属层与所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜之间。
4.一种发光器件，包括：
多个金属层，所述多个金属层彼此间隔开；
第一绝缘膜，所述第一绝缘膜具有敞口区域，在所述敞口区域中，所述多个金属层的一部分被暴露，所述第一绝缘膜布置在所述多个金属层的顶表面上；
粘结层，所述粘结层位于所述多个金属层和所述第一绝缘膜之间；
第二绝缘膜，所述第二绝缘膜位于所述多个金属层的顶表面上，所述第二绝缘膜对应于所述多个金属层之间的位置，并且所述第二绝缘膜的宽度比所述多个金属层之间的间隔宽；
发光芯片，所述发光芯片布置在所述多个金属层中的至少一个上；
树脂层，所述树脂层布置在所述多个金属层和所述发光芯片上；以及
第一引导构件，所述第一引导构件布置在所述第一绝缘膜的顶表面上。
5.根据权利要求2或4所述的发光器件，还包括第二引导构件，所述第二引导构件位于所述第二绝缘膜上。
6.根据权利要求2或4所述的发光器件，其中，所述第二绝缘膜包括由所述第二绝缘膜提供的多个敞口区域。
7.根据权利要求1或4所述的发光器件，其中，所述第一绝缘膜包括从由以下项组成的组中选择的至少一种形状：回路形状、环形形状、以及框架形状。
8.根据权利要求2或4所述的发光器件，其中，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜彼此连接。
9.根据权利要求2或4所述的发光器件，其中，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜包括光透射膜或荧光体膜。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜包括从由以下项组成的组中选择的至少一种：聚酰亚胺(PI)膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、三醋酸纤维素(TAC)膜、聚酰胺-酰亚胺(PAI)膜、聚醚醚酮(PEEK)膜、全氟烷氧基(PFA)膜、聚苯硫醚(PPS)、以及树脂膜。
11.根据权利要求2或4所述的发光器件，其中，所述第一引导构件围绕所述树脂层布置。
12.根据权利要求2或4所述的发光器件，还包括第二引导构件，所述第二引导构件位于所述第二绝缘膜上，其中，所述第一引导构件和所述第二引导构件彼此连接。
13.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第一引导构件和所述第二引导构件的宽度比所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的宽度窄。
14.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第一引导构件和所述第二引导构件包括如下材料中的至少一种：树脂材料、非金属材料、以及反射性金属。
15.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述第一引导构件和所述第二引导构件包括从由以下项组成的组中选择的至少一种：阻焊剂、焊膏、Ag、Al、Cu、Au、Ag合金、Al合金、Cu合金、以及Au合金。
16.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述多个金属层的下表面布置在同一平面上。
17.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述多个金属层的厚度在大约15μm至大约300μm的范围内。
18.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述第一引导构件的内表面和所述第一绝缘膜的内表面中的至少一个可以形成为倾斜表面。
19.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述多个金属层包括第一金属层和第二金属层，并且所述发光芯片布置在所述第一金属层上。
20.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述多个金属层包括第一金属层、第二金属层以及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的第三金属层；并且，所述发光芯片布置在所述第三金属层上且电连接到所述第一金属层和所述第二金属层。
21.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，还包括位于所述多个金属层之间的绝缘粘结材料。
22.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述多个金属层的侧表面、下表面和顶表面中的至少一个具有非平坦结构。
23.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，还包括第三绝缘膜，所述第三绝缘膜位于所述发光芯片和所述第一绝缘膜之间。
24.根据权利要求2至4中的任一项所述的发光器件，还包括第三引导构件，所述第三引导构件位于所述发光芯片与所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜之间。
25.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述第一引导构件由如下项中的至少一种形成：阻焊剂、含有二氧化钛(TiO2)的树脂材料、含有玻璃纤维的树脂材料、以及聚合物材料。
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