TWI518871B - 具有雙側連接的積體電路封裝系統及其製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims description 10
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 title description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 92
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 62
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 37
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 24
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000803 paradoxical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
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Description
本發明係大致關於一種積體電路封裝系統,更詳而言之,係關於一種用於具有雙側連接(dual side connection)的積體電路封裝系統之系統。
零件微縮化的增進、更大的積體電路(“IC”)封裝密度、更好的性能以及更低的成本係電腦工業不斷追求的目標。半導體封裝件結構持續朝向微縮化邁進,以增進封裝件中所封裝之零件密度,同時縮減採用該等半導體封裝件結構之產品的尺寸。這是反應出對於資訊與通訊產品之尺寸、厚度、及成本縮減與效能持續增進的需求。
就可攜式資訊與通訊產品(如行動電話、免持式行動電話耳機、個人數位助理(PDA)、攝錄影機、筆記型電腦等)而言,這些需求更為顯著。欲將所有這些裝置製造得更小且更薄,以改善其可攜帶性。因此,必須將被組裝進這些裝置中的大型積體電路(“LSI”)封裝件製造成更小且更薄。用以罩蓋並保護LSI的封裝件組構亦必須製造成更小且更薄。
消費性電子產品需求需要在積體電路封裝件中提供更多積體電路,但又很矛盾地對於增加的積體電路系統提供更小的物理空間。另一種需求是持續降低成本。有一些技術主要著重於在個別積體電路中整合更多功能。有其他技術是著重於將這些積體電路堆疊進單一封裝件之中。儘管這些方法能夠在積體電路內提供更多功能,但是卻無法完全符合對於效能、整合性、及降低成本的需求。
因此,對於積體電路封裝系統提供經改善的晶片互連、及節省空間的需求仍然存在。有鑑於持續增加的商業競爭壓力,伴隨著消費者期望的成長及市場上產品區隔機會越趨縮減,使得對於這些問題的解決方案的尋求也益形關鍵。此外,降低成本、改善效率及效能以克服競爭壓力的需求,使得尋求這些問題的解決方案的必要性顯得更加迫切且必要。
這些問題的解決方案已經過長期探究,但先前的研究發展文獻皆未能提供任何教示或建議,因此這些問題的答案長期以來持續困擾著本技術領域中具有通常知識者。
本發明提供一種積體電路封裝系統的製造方法,包含:形成第一終端;將積體電路連接至該第一終端;形成第二終端,該第二終端藉由垂直導電柱而連接於該第一終端與該積體電路上方,該垂直導電柱係與該第一終端或該第二終端整合在一起;以及密封該積體電路與該垂直導電柱,使得部分的該第一終端與部分的該第二終端暴露出來。
本發明提供一種積體電路封裝系統,係包括:第一終端;積體電路,係連接至該第一終端;第二終端,係位於該第一終端與該積體電路上方;垂直導電柱,係連接至該第一終端與該第二終端,該垂直導電柱係與該第一終端或該第二終端整合在一起;以及密封體,係覆蓋該積體電路與該垂直導電柱,使得部分的該第一終端與部分的該第二終端暴露出來。
本發明之特定實施例除了上述步驟或元件以外尚具有其他步驟或元件或可以其他步驟或元件替代。當參照附加圖式時,於所屬技術領域中具有通常知識者將可藉由閱讀以下詳細說明書內容更清楚明瞭本發明的步驟或元件。
以下實施例係經充分詳細描述,以使得所屬技術領域中具有通常知識者能夠製造並使用本發明。應了解到,基於本發明所揭露之內容,其他實施例將變得清楚明瞭,且可完成所述之系統、程序、或機構變化而不背離本發明之範疇。
於以下說明書中,給定許多特定細節以助於透徹了解本發明。然而,將清楚了解到,無須這些特定細節亦可實現本發明。為了避免混淆本發明,並未詳細揭露一些眾所周知的電路、系統組構、及製程步驟。
顯示本發明之系統之附加圖式係部分圖解的,且並未依據比例繪示,具體而言,為了清楚起見,一些尺寸於圖式中係以誇張的尺寸顯示。同樣地,儘管為了便於說明起見,該等圖式一般而言係以同樣的定向顯示,但是在大部份情況下,圖式中所示可為任意定向。一般而言,本發明可運作於任何定向。
本發明所揭露及描述的多個實施例具有一些共同的特徵,為了清楚起見及便於說明、描述及理解,彼此相同及類似的特徵將以類似的元件符號進行描述。為了方便說明,實施例經編號為第一實施例、第二實施例等,且並非意指具有任何其他含意或對本發明作出限制。
為了說明起見,本說明書中所使用的名詞“水平”係定義為平行本發明之平面或表面之平面,而與其定向無關。該名詞“垂直”係指垂直於剛才所定義的水平之方向。如“在…之上(above)”、“在…之下(below)”、“底部(底部)”、“頂部(頂部)”、“側邊(side)”(如“側壁(sidewall)”)、“較高(higher)”、“下側(lower)”、“上側(upper)”、“上方(over)”、“下方(under)”等名詞係相對於該水平平面所定義,如同圖式中所示。
名詞“在…上(on)”意指元件之間有直接接觸。名詞“直接位在…上(directly on)”意指一個元件與另一元件之間有直接接觸,而無中介元件。
名詞“主動側(active side)”係指於其上製造有主動電路系統的晶粒(晶粒)、模組、封裝件、或電子結構之一側,或者指於該晶粒、該模組、該封裝件、或該電子結構內具有用於連接至該主動電路系統的元件之一側。本說明書中所使用的名詞“處理(processing)”包含形成上述結構所需之沉積材料或光阻(photoresist)、圖案化(patterning)、曝光(曝光)、顯影(development)、蝕刻(蝕刻)、清潔、及/或移除該材料或光阻。
現在請參照第1圖,顯示本發明的第一實施例中的積體電路封裝系統100的下視圖。該積體電路封裝系統100可代表封裝系統之組構,該組構可包含雙面封裝件上封裝件(PoP)系統及內插件(interposer),該雙面封裝件上封裝件(PoP)系統具有如基底非層壓式基板(base non-laminated substrate)的雙帶蝕刻引腳框架(dual strip-etch leadframe),該內插件具有金屬柱。為了說明起見,該下視圖係顯示為不具有用於連接外部系統的連接器。
該積體電路封裝系統100可包含第一終端106,該第一終端106係定義為提供電性連接至外部系統的互連。該第一終端106可包含第一引腳108,更具體而言,可包含焊接指(bond finger)、引腳指(lead finger)、或接觸墊片(contact pad)。
該第一終端106可包含第一墊片110,更具體而言,該第一終端106可包含連接至該第一引腳108的接觸墊片、引腳、或電性接點(electrical contact)。該第一墊片110可形成為區域陣列(area array)。
儘管該第一墊片可形成為不同的組構,但是為了說明起見,該第一墊片110係顯示為完整的區域陣列。舉例而言,該第一墊片110可形成為鄰近該第一引腳108的外圍陣列(peripheral array)。
該第一終端106可包含第一導軌(trace)112,更具體而言,可包含連接至該第一引腳108及該第一墊片110的信號導軌或導線(wire)。該第一導軌112可形成為提供該第一引腳108及該第一墊片110之間的電性連接。
該第一導軌112可形成為不同組構。舉例而言,該第一導軌112可形成為具有不同長度。該第一導軌112的長度可基於該第一引腳108及該第一墊片110的位置、該第一引腳108及該第一墊片110之間的距離、用以形成該第一導軌112之繞線面積(routing area)、或上述之結合而預先決定。
該積體電路封裝系統100可包含附接層116,更具體而言,可包含黏接薄膜(adhesive film)、環氧樹脂(epoxy)、或黏接劑。舉例而言,該附接層116可以類似薄膜中導線(wire in film;WIF)的材料形成。該第一墊片110與該第一導軌112可自該附接層116局部地暴露出來。
該積體電路封裝系統100可包含密封體142,更具體而言,可為包含具有環氧鑄型化合物(EMC)或鑄型材料的罩蓋。該第一終端106與該附接層116可自該密封體142局部地暴露出來。
該第一引腳108可形成為一列(row)。儘管該第一引腳108可形成為不同的組構,但是為了說明起見,該第一引腳108係顯示為沿著該密封體142的側邊的兩列。舉例而言,該第一引腳108可沿著該側邊形成為四列。
現在請參照第2圖,其中顯示該積體電路封裝系統100沿著第1圖的剖面線2--2的剖面圖。該第一終端106可包含第一水平部份208。該第一水平部份208可包含第1圖的第一引腳108、第1圖的第一墊片110、以及第1圖的第一導軌112。
該第一水平部份208可具有第一未暴露側210以及與該第一未暴露側210相對面的第一暴露側212。該第一未暴露側210係由該密封體142所罩蓋、或位於該密封體142內。該第一暴露側212係自該密封體142暴露出來。
該第一暴露側212可與該密封體142共平面。該附接層116可形成於該第一未暴露側210上方。
積體電路218(更具體而言,係積體電路晶粒、導線焊接積體電路、或晶片)可接置於該第一未暴露側210上方。該積體電路218可位於該第一未暴露側210的平面之上。
該積體電路218可利用該附接層116而附接至該第一未暴露側210。該積體電路218可位於該第一墊片110與一部分之該第一導軌112的上方。
內部連接器220(更具體而言,係焊接線、帶式焊接線(ribbon bond wire)、或導線)可連接至該第一水平部份208以及該積體電路218。該內部連接器220可連接至該第一未暴露側210。
該積體電路封裝系統100可包含第二終端230,該第二終端230定義為提供電性連接至外部系統的互連。該第二終端230可包含第二水平部份232。
該第二水平部份232可包含第二引腳,該第二引腳利用第二導軌而電性連接至第二墊片233。為了說明起見,該第二水平部份232係顯示為鄰近另一個第二水平部份232的第二墊片233。
更具體而言,該第二引腳係焊接指、引腳指、或接觸墊片。更具體而言,該第二墊片233係接觸墊片、引腳、或電性接點。該第二墊片233可形成為區域陣列或鄰近該第二引腳的外圍陣列。
更具體而言,該第二導軌係信號導軌或導線。該第二導軌可形成為不同的組構。
舉例而言,該第二導軌可形成為具有不同長度。該第二導軌的長度可基於該第二引腳與該第二墊片233的位置、該第二引腳與該第二墊片233之間的距離、用以形成該第二導軌的繞線面積、或者上述各者的任何結合而預先決定。
該第二水平部份232可具有第二未暴露側234以及與該第二未暴露側234相對的第二暴露側236。該第二未暴露側234係由該密封體142所罩蓋、或位於該密封體142內。該第二暴露側236係自該密封體142暴露出來。該第二暴露側236可與該密封體142共平面。
該第二終端230可包含第二垂直導電柱238,更具體而言,係金屬柱、垂直互連(亦即習知的z-互連)、柱體、圓柱(column)、或者導電連接器(conductive connector)。該第二垂直導電柱238可連接至該第二水平部份232。
該第二垂直導電柱238可與該第二水平部份232整合在一起。換言之,該第二垂直導電柱238與該第二水平部份232可由共同材料所形成,該共同材料的特性為具有單一整合結構(single integral structure)或剛性結構(solid structure)。
該第二終端230可藉由鄰近該積體電路218的第二垂直導電柱238而接置於該第一終端106與該積體電路218的上方。該第二垂直導電柱238可接置於該第一水平部份208的上方。該第二墊片233與一部分之該第二導軌可位於該積體電路218的上方。
該第二垂直導電柱238可利用導電材料240而附接至該第一水平部份208,更具體而言,係利用用以形成聯結(joint)的黏膠或黏接劑。舉例而言,該導電材料240可為焊錫黏膠(solder paste)、金屬化黏膠(metallic paste)或者導電黏接劑。
可形成該導電材料240以提供該第一水平部份208與該第二垂直導電柱238之間的電性連接。該導電材料240可連接至該第一未暴露側210與該第二垂直導電柱238。
該密封體142可形成於該第一終端106上方,以密封或罩蓋該積體電路218與該第二垂直導電柱238,使得部分的該第一終端106與部分的該第二終端230暴露出來。該第一水平部份208與該第二水平部份232可自該密封體142局部地暴露出來。
該積體電路封裝系統100可視需要地包含外部互連252,更具體而言,包含銲錫球(ball)、凸塊(bump)、或連接器。該外部互連252可附接至該第一暴露側212,以提供連接至外部系統(未圖示)。
另一個第一終端106可形成為鄰近該第一終端106。該積體電路218可局部地接置於該第一終端106的第一水平部份208之上方以及另一個第一終端106的第一水平部份208之上方。該積體電路218可利用另一個內部連接器220連接至另一個第一終端106的第一水平部份208的第一未暴露側210。
另一個第二終端230可形成為鄰近該第二終端230。該第二終端230的第二水平部份232與另一個第二終端230的第二水平部份232可局部地接置於該積體電路218之上方。
已經發現到,該積體電路封裝系統100改善了可靠度。該第二終端230(其具有經整合為整合單元之第二水平部份232與第二垂直導電柱238)提供較採用離散零件製造的結構更不易受到機械性故障所影響的強健結構。藉由該強健結構,該第二終端230可靠地接置於該第一終端106的上方,藉此改善可靠度。
現在請參照第3圖,其中顯示該積體電路封裝系統100在積體電路製造的附接階段(attaching phase)中的剖面圖。該積體電路封裝系統100可包含第一基底部份302,更具體而言,可包含引腳框架基底(lead-frame base)、條狀帶(strip)、面板(panel)、晶圓、或薄板(plate)。可利用金屬或金屬合金形成該第一基底部份302。
該第一終端106可形成於該第一基底部份302上。舉例而言,該第一終端106可利用引腳框架基礎結構形成。又舉例而言,可利用蝕刻、沖壓(stamping)、切割(cutting)、化學切削(chemical milling)或上述各者的任何結合形成該第一終端106。
該第一水平部份208可形成於該第一基底部份302上。該附接層116可形成於該第一水平部份208之上方。
儘管並未顯示,但該第一水平部份208可以若干層形成。舉例而言,該第一水平部份208可利用蝕刻保護層、黏接層(adhesion layer)、擴散阻障層(diffusion barrier layer)、增濕層(wet-enhancing layer)、或上述各者的任何結合而形成。
該積體電路218可利用該附接層116而附接至該第一終端106。該積體電路218可利用該內部連接器220連接至該第一水平部份208。
儘管可同時形成第2圖的第二終端230與該第一終端106,但是為了說明起見,係以剖面圖顯示該第一終端106的形成。舉例而言,在於後續程序中接置該第二終端230之前,該第二終端230與該第一終端106可於蝕刻程序中同時形成。
現在請參照第4A圖,顯示第3圖的結構的一部分在第一引腳形成程序中的圖式。該第一終端106可以具有可防止在後續製造階段中發生問題之結構而形成。舉例而言,問題可包含焊接或環氧樹脂分配可能發生的溢流問題(bleed out problem)。
該第一引腳形成程序可包含形成有凹環(cavity ring)402(更具體而言,係環繞該第一終端106的附接區域404之凹痕或凹槽)的該第一終端106,且係形成為避免該導電材料240溢出或流出該附接區域404。更具體而言,該附接區域404係位於該第一水平部份208的第一未暴露側210的一部分,其中,該第二終端230係附接至該第一終端106。
該第二垂直導電柱238可為該凹環402所圍繞。儘管直到稍後的後續製造階段才描述該第二終端230的附接程序,但是為了說明起見,該第一引腳形成程序係顯示為該第二垂直導電柱238利用該導電材料240附接至該附接區域404。
現在請參照第4B圖,顯示第3圖的結構的一部分在第二引腳形成程序中的圖式。該第二引腳形成程序可包含形成有凹處406(更具體而言,該凹處406係位於該附接區域404之空洞(hollow)或內縮(indentation))的第一終端106,且係形成為避免該導電材料240溢出或流出該附接區域404。
該第二垂直導電柱238可連接至該凹處406中的第一終端106。儘管直到稍後的後續製造階段才描述該第二終端230的附接程序,但是為了說明起見,該第二引腳形成程序係顯示為該第二垂直導電柱238利用該導電材料240附接至該附接區域404。
現在請參照第5圖,其中顯示第3圖的結構在第二終端附接階段中的圖式。該積體電路封裝系統100可包含第二基底部份502,更具體而言,可包含引腳框架基底(lead-frame base)、條狀帶、面板、晶圓、或薄板。可利用金屬或金屬合金形成該第二基底部份502。
該第二終端230可形成於該第二基底部份502上。舉例而言,該第二終端230可以引腳框架基礎結構形成。又舉例而言,可利用蝕刻、沖壓、切割、化學切削或上述各者的任何結合形成該第二終端230。
該第二終端230可接置於該第一終端106與該積體電路218上方。該導電材料240可附接至該第二終端230與該第一終端106。該第二垂直導電柱238與該第一終端106可利用該導電材料240進行附接。
可利用包含印刷(printing)、浸漬(dipping)、分配或其他任何附接方法形成該導電材料240。舉例而言,該方法可包含焊錫黏膠印刷、預焊浸漬(例如:hot/wave pot)、或環氧樹脂注射分配(epoxy syringe dispensing)。
該第二水平部份232可位於該第二基底部份502上,且遠離該第一終端106。儘管並未圖示,但是該第二水平部份232可以若干層形成。舉例而言,該第二水平部份232可以蝕刻保護層、黏接層、擴散阻障層、增濕層、或上述各者的結合形成。
該第二垂直導電柱238可鄰近該內部連接器220。利用該第二垂直導電柱238與連接至該第一終端106之內部連接器220,該第二垂直導電柱238可電性連接至該內部連接器220。
現在請參照第6圖,其中顯示第5圖的結構在鑄型階段(molding phase)中的圖式。該密封體142可形成於該第一基底部份302與該第二基底部份502之間。
該密封體142可形成為密封或罩蓋該附接層116、該積體電路218、該內部連接器220、該第二垂直導電柱238、以及該導電材料240。該密封體142可局部地罩蓋該第一水平部份208與該第二水平部份232。
現在請參照第7圖,其中顯示第6圖的結構在切單階段(singulation phase)中的圖式。可移除第3圖的第一基底部份302與第5圖的第二基底部份502。可藉由蝕刻、研磨、打磨(sanding)或其他任何機械或化學方式來移除該第一基底部份302與該第二基底部份502。
該第一終端106、該密封體142、以及該第二終端230可包含經移除的第一基底部份302與該第二基底部份502的特性。該特性可包含經蝕刻的表面、研磨標記、打磨標記、其他移除工具標記、化學殘留(chemical residue)、或經化學處理的表面。
可實施封裝件切單以完成該積體電路封裝系統100的封裝件組裝。切單可包含機械性或光學方式,如切割、鋸切(sawing)、雷射刻劃(laser scribing)或其他任何切單程序,以產生該積體電路封裝系統100的個別封裝件單元。
該積體電路封裝系統100可視需要地包含該外部互連252以及用於加強銲錫球接置(solder ball mount;SBM)品質的表面接置(S/M)處理。該外部互連252可連接至該第一終端106。可利用焊錫、合金、或導電材料形成該外部互連252。
現在請參照第8圖,其中顯示本發明的第二實施例中的積體電路封裝系統800如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖。該積體電路封裝系統800可代表封裝系統組構,可包含雙面封裝件上封裝件(PoP)系統,該雙面封裝件上封裝件(PoP)系統於底部引腳框架基底具有雙帶蝕刻引腳框架及金屬柱。
除了形成第1圖的第一終端106、第2圖的第二終端230、第2圖的導電材料240、以及第1圖的密封體142以外,該積體電路封裝系統800可以類似第1圖的積體電路封裝系統100的方式形成。
該積體電路封裝系統800可包含具有第一水平部份808的第一終端806。該第一水平部份808可包含第一未暴露側810與第一暴露側812。該第一水平部份808可以類似第2圖的第一水平部份208的方式形成。
該第一終端806可包含第一垂直導電柱814,更具體而言,可包含金屬柱、垂直互連(亦即習知的z-互連)、柱體、圓柱、或導電連接器。該第一垂直導電柱814可連接至該第一水平部份808。
該第一垂直導電柱814可與該第一水平部份808整合在一起。換言之,該第一垂直導電柱814與該第一水平部份808可由共同材料所形成,該共同材料的特性為具有單一整合結構或剛性結構。
該積體電路封裝系統800可包含附接層816、積體電路818、以及內部連接器820。該附接層816、該積體電路818及該內部連接器820可分別以類似第1圖的附接層116、第2圖的積體電路218、以及第2圖的內部連接器220的方式形成。
該積體電路封裝系統800可包含具有第二水平部份832的第二終端830。該第二水平部份832可包含第二引腳、第二墊片833、以及第二導軌。
該第二水平部份832可包含第二未暴露側834與第二暴露側836。該第二水平部份832可以類似第2圖的第二水平部份232的方式形成。
該第二終端830可接置於該第一終端806與該積體電路818上方。該第二終端830可接置於鄰近該積體電路818之第一垂直導電柱814上方。
該第二終端830可利用導電材料840而附接至該第一終端806,更具體而言,該導電材料840係利用用以形成聯結的黏膠或黏接劑。舉例而言,該導電材料840可為焊錫黏膠(solder paste)、金屬化黏膠或導電黏接劑。
該導電材料840可形成為提供該第一終端806與該第二終端830之間的電性連接。該導電材料840可連接至該第一垂直導電柱814與該第二水平部份832。
該第一垂直導電柱814可鄰近該內部連接器820。利用該第二終端830與連接至該第一終端806的內部連接器820,該第二終端830可電性連接至該內部連接器820。
該積體電路封裝系統800可包含密封體842,更具體而言,可包含具有環氧鑄型化合物(EMC)或鑄型材料的罩蓋。該密封體842可形成於該第一終端806上方。該密封體842可形成為密封或罩蓋該第一垂直導電柱814、該附接層816、該積體電路818、該內部連接器820、以及該導電材料840。
可形成該密封體842,使得部分的該第一終端806與部分的該第二終端830暴露出來。該第一水平部份808與該第二水平部份832可自該密封體842局部地暴露出來。
該積體電路封裝系統800可視需要地包含外部互連852。該外部互連852可以類似第2圖的外部互連252的方式形成。
另一個第一終端806可形成為鄰近該第一終端806。該積體電路818可局部地接置於該第一終端806的第一水平部份808以及另一個第一終端806的第一水平部份808之上方。該積體電路818可利用另一個內部連接器820連接至另一個第一終端806的第一水平部份808的第一未暴露側810。
另一個第二終端830可形成為鄰近該第二終端830。該第二終端830的第二水平部份832與另一個第二終端830的第二水平部份832可局部地接置於該積體電路218之上方。
現在請參照第9圖,其中顯示本發明的第三實施例中的積體電路封裝系統900如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖。該積體電路封裝系統900可代表封裝系統組構,可包含雙面封裝件上封裝件(PoP)系統,該雙面封裝件上封裝件(PoP)系統於頂部與底部引腳框架基底具有雙帶蝕刻引腳框架及金屬柱。
除了形成第1圖的第一終端106、第2圖的導電材料240、以及第1圖的密封體142以外,該積體電路封裝系統900可以類似第1圖的積體電路封裝系統100的方式形成。
該積體電路封裝系統900可包含具有第一水平部份908的第一終端906。該第一水平部份908可包含第一未暴露側910與第一暴露側912。該第一水平部份908可以類似第2圖的第一水平部份208的方式形成。
該第一終端906可包含第一垂直導電柱914,更具體而言,可包含金屬柱、垂直互連(亦即習知的z-互連)、柱體、圓柱、或導電連接器。該第一垂直導電柱914可連接至該第一水平部份908。
該第一垂直導電柱914可與該第一水平部份908整合在一起。換言之,該第一垂直導電柱914與該第一水平部份908可由共同材料所形成,該共同材料的特性為具有單一整合結構或剛性結構。
該積體電路封裝系統900可包含附接層916、積體電路918、以及內部連接器920。該附接層916、該積體電路918及該內部連接器920可分別以類似第1圖的附接層116、第2圖的積體電路218、以及第2圖的內部連接器220的方式形成。
該積體電路封裝系統900可包含具有第二水平部份932的第二終端930。該第二水平部份932可包含第二引腳、第二墊片933、以及第二導軌。
該第二水平部份932可包含第二未暴露側934與第二暴露側936。該第二終端930可包含第二垂直導電柱938。
該第二終端930可以類似第2圖的第二終端230的方式形成。該第二終端930可接置於該第一終端906之上方。該第二垂直導電柱938可接置於鄰近該積體電路918的第一垂直導電柱914之上方。
該第二終端930可利用導電材料940而附接至該第一終端906,更具體而言,該導電材料940係利用用以形成聯結的黏膠或黏接劑。舉例而言,該導電材料240可為焊錫黏膠、金屬化黏膠或者導電黏接劑。
該導電材料940可形成為提供該第一終端906與該第二終端930之間的電性連接。該導電材料940可附接至該第一垂直導電柱914與該第二垂直導電柱938。
該第一垂直導電柱914與該第二垂直導電柱938可鄰近該內部連接器920。利用該第二終端930與連接至該第一終端106的內部連接器920,該第二終端930可電性連接至該內部連接器920。
該積體電路封裝系統900可包含密封體942,更具體而言,可包含具有環氧鑄型化合物(EMC)或鑄型材料的罩蓋。該密封體942可形成於該第一終端906上方。該密封體942可形成為密封或罩蓋該第一垂直導電柱914、該附接層916、該積體電路918、該內部連接器920、第二垂直導電柱938、以及該導電材料940。
可形成該密封體942,使得部分的該第一終端906與部分的該第二終端930暴露出來。該第一水平部份908與該第二水平部份932可自該密封體942局部地暴露出來。
該積體電路封裝系統900可視需要地包含外部互連952。該外部互連952可以類似第2圖的外部互連252的方式形成。
另一個第一終端906可形成為鄰近該第一終端906。該積體電路918可局部地接置於該第一終端906的第一水平部份908以及另一個第一終端906的第一水平部份908之上方。該積體電路918可利用另一個內部連接器920連接至另一個第一終端906的第一水平部份908的第一未暴露側910。
另一個第二終端930可形成為鄰近該第二終端930。該第二終端930的第二水平部份932與另一個第二終端930的第二水平部份932可局部地接置於該積體電路918之上方。
現在請參照第10圖,其中顯示本發明的第四實施例中的積體電路封裝系統1000如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖。該積體電路封裝系統1000可代表封裝系統組構,可包含雙面封裝件上封裝件(PoP)系統,該雙面封裝件上封裝件(PoP)系統具有雙帶蝕刻引腳框架及多晶片堆疊。除了形成第1圖的第一終端106、第2圖的導電材料240、以及第1圖的密封體142並且增加另一個積體電路以外,該積體電路封裝系統1000可以類似第1圖的積體電路封裝系統100的方式形成。
該積體電路封裝系統1000可包含具有第一水平部份1008的第一終端1006。該第一水平部份1008可包含第一未暴露側1010與第一暴露側1012。該第一水平部份1008可以類似第2圖的第一水平部份208的方式形成。
該第一終端1006可包含第一垂直導電柱1014,更具體而言,可包含金屬柱、垂直互連(亦即習知的z-互連)、柱體、圓柱、或導電連接器。該第一垂直導電柱1014可連接至該第一水平部份1008。
該第一垂直導電柱1014可與該第一水平部份1008整合在一起。換言之,該第一垂直導電柱1014與該第一水平部份1008可由共同材料所形成,該共同材料的特性為具有單一整合結構或剛性結構。
該積體電路封裝系統1000可包含附接層1016、積體電路1018、以及內部連接器1020。該附接層1016、該積體電路1018及該內部連接器1020可分別以類似第1圖的附接層116、第2圖的積體電路218、以及第2圖的內部連接器220的方式形成。
該積體電路封裝系統1000可包含第二附接層1022,更具體而言,可包含形成於該積體電路1018上方的薄膜、環氧樹脂、或黏接劑。第二積體電路1024(更具體而言,係積體電路晶粒、導線焊接積體電路、或晶片)可接置於該積體電路1018上方。該第二積體電路1024可利用該第二附接層1022而附接至該積體電路1018。
第二內部連接器1026(更具體而言,係焊接線、帶式焊接線或導線)可連接至該第一終端1006以及該第二積體電路1024。該第二內部連接器1026可連接至該第一水平部份1008。
該積體電路封裝系統1000可包含具有第二水平部份1032的第二終端1030。該第二水平部份1032可包含第二引腳、第二墊片1033、以及第二導軌。
該第二水平部份1032可包含第二未暴露側1034與第二暴露側1036。該第二終端1030可包含第二垂直導電柱1038。
該第二終端1030可以類似第2圖的第二終端230的方式形成。該第二終端1030可接置於該第一終端1006之上方。該第二垂直導電柱1038可接置於鄰近該積體電路1018的第一垂直導電柱1014之上方。
該第二終端1030可利用導電材料1040而附接至該第一終端1006,更具體而言,該導電材料1040係利用用以形成聯結的黏膠或黏接劑。舉例而言,該導電材料1040可為焊錫黏膠、金屬化黏膠或者導電黏接劑。
該導電材料1040可形成為提供該第一終端1006與該第二終端1030之間的電性連接。該導電材料1040可附接至該第一垂直導電柱1014與該第二垂直導電柱1038。
該第一垂直導電柱1014可鄰近該內部連接器1020與該第二內部連接器1026。該第二垂直導電柱1038可鄰近該第二內部連接器1026。利用該第二終端1030、該內部連接器1020以及連接至該第一終端1006的第二內部連接器1026,該第二終端1030可電性連接至該內部連接器1020與該第二內部連接器1026。
該積體電路封裝系統1000可包含密封體1042,更具體而言,可包含具有環氧鑄型化合物(EMC)或鑄型材料的罩蓋。該密封體1042可形成於該第一終端1006上方。該密封體1042可形成為密封或罩蓋該第一垂直導電柱1014、該附接層1016、該積體電路1018、該內部連接器1020、該第二附接層1022、該第二積體電路1024、該第二內部連接器1026、該第二垂直導電柱1038、以及該導電材料1040。
可形成該密封體1042,使得部分的該第一終端1006與部分的該第二終端1030暴露出來。該第一水平部份1008與該第二水平部份1032可自該密封體1042局部地暴露出來。
該積體電路封裝系統1000可視需要地包含外部互連1052。該外部互連1052可以類似第2圖的外部互連252的方式形成。
另一個第一終端1006可形成為鄰近該第一終端1006。該積體電路1018可局部地接置於該第一終端1006的第一水平部份1008以及另一個第一終端1006的第一水平部份1008之上方。該積體電路1018可利用另一個內部連接器1020連接至另一個第一終端1006的第一水平部份1008的第一未暴露側1010。
另一個第二終端1030可形成為鄰近該第二終端1030。該第二終端1030的第二水平部份1032與另一個第二終端1030的第二水平部份1032可局部地接置於該積體電路1018之上方。
現在請參照第11圖,其中顯示本發明的第五實施例中的積體電路封裝系統1100的下視圖。該積體電路封裝系統1100可代表封裝系統組構,該封裝系統組構可包含具有雙帶蝕刻引腳框架與覆晶晶片(flip-chip)的雙面封裝件上封裝件(PoP)。為了說明起見,該下視圖係顯示為不具有用於連接至外部系統的連接器。
該積體電路封裝系統1100可包含第一終端1106,該第一終端1106係定義為提供電性連接至外部系統的互連。該第一終端1106可包含第一引腳1108,更具體而言,可包含焊接指、引腳指、或接觸墊片。
該第一終端1106可包含第一墊片1110,更具體而言,該第一終端1106可包含連接至該第一引腳1108的接觸墊片、引腳、或電性接點。該第一墊片1110可形成為區域陣列。
儘管該第一墊片1110可形成為不同的組構,但是為了說明起見,該第一墊片1110係顯示為完整的區域陣列。舉例而言,該第一墊片1110可形成為鄰近該第一引腳1108的外圍陣列。
該第一終端1106可包含第一導軌1112,更具體而言,可包含連接至該第一引腳1108及該第一墊片1110的信號導軌或導線(wire)。該第一導軌1112可形成為提供該第一引腳1108及該第一墊片1110之間的電性連接。
該積體電路封裝系統1100可包含密封體1142,更具體而言,可包含具有環氧鑄型化合物(EMC)或鑄型材料的罩蓋。該第一終端1106可自該密封體1142局部地暴露出來。
該第一引腳1108可形成為一列(row)。儘管該第一引腳1108可形成為不同的組構,但是為了說明起見,該第一引腳1108係顯示為沿著該密封體1142的側邊的兩列。舉例而言,該第一引腳1108可沿著該側邊形成為四列。
現在請參照第12圖,顯示該積體電路封裝系統1100沿著第11圖的剖面線12--12的剖面圖。該第一終端1106可包含第一水平部份1208。該第一水平部份1208可包含第11圖的第一引腳1108、第11圖的第一墊片1110、以及第11圖的第一導軌1112。
該第一水平部份1208可自該密封體1142局部地暴露出來。該第一水平部份1208可具有第一未暴露側1210以及與該第一未暴露側1210相對的第一暴露側1212。
該第一未暴露側1210係被該密封體1142所罩蓋,或位於該密封體1142內。該第一暴露側1212係自該密封體1142暴露出來。該第一暴露側1212可與該密封體1142共平面。
積體電路1218(更具體而言,係覆晶晶片、積體電路晶粒、或半導體裝置)可接置於該第一未暴露側1210上方。該積體電路1218可位於該第一未暴露側1210的平面之上。該積體電路1218可利用內部連接器1220(更具體而言,係銲錫球、凸塊、或連接器)而附接至該第一未暴露側1210。
該內部連接器1220可連接至該第一水平部份1208以及該積體電路1218。該內部連接器1220可連接至該第一未暴露側1210。
該積體電路封裝系統1100可包含第二終端1230,該第二終端1230定義為提供電性連接至外部系統的互連。該第二終端1230可包含第二水平部份1232。
該第二水平部份1232可包含第二引腳,該第二引腳利用第二導軌而電性連接至第二墊片1233。為了說明起見,該第二水平部份1232係顯示為鄰近另一個第二水平部份1232的第二墊片1233。
更具體而言,該第二引腳係焊接指、引腳指、或接觸墊片。更具體而言,該第二墊片1233係接觸墊片、引腳、或電性接點。該第二墊片1233可形成為區域陣列或鄰近該第二引腳的外圍陣列。
更具體而言,該第二導軌係信號導軌或導線。該第二導軌可形成為不同的組構。
舉例而言,該第二導軌可形成為具有不同長度。該第二導軌的長度可基於該第二引腳與該第二墊片1233的位置、該第二引腳與該第二墊片1233之間的距離、用以形成該第二導軌的繞線面積、或者上述各者的任何結合而預先決定。
該第二水平部份1232可具有第二未暴露側1234以及與該第二未暴露側1234相對的第二暴露側1236。該第二未暴露側1234係被該密封體1142所罩蓋,或位於該密封體1142內。該第二暴露側1236係自該密封體1142暴露出來。該第二暴露側1236可與該密封體1142共平面。
該第二終端1230可包含第二垂直導電柱1238,更具體而言,係金屬柱、垂直互連(亦即習知的z-互連)、柱體、圓柱、或者導電連接器。該第二垂直導電柱1238可連接至該第二水平部份1232。
該第二垂直導電柱1238可與該第二水平部份1232整合在一起。換言之,該第二垂直導電柱1238與該第二水平部份1232可由共同材料所形成,該共同材料的特性為具有單一整合結構或剛性結構。
該第二終端1230接置於該第一終端1106與該積體電路1218的上方。鄰近該積體電路1218的第二垂直導電柱1238可接置於該第一水平部份1208的上方。
該第二終端1230可利用導電材料1240而附接至該第一水平部份1208,更具體而言,係利用用以形成聯結的黏膠或黏接劑。舉例而言,該導電材料1240可為焊錫黏膠、金屬化黏膠或者導電黏接劑。
該導電材料1240可形成為提供該第一水平部份1208與該第二終端1230之間的電性連接。該導電材料1240可連接至該第一未暴露側1210與該第二垂直導電柱1238。
該密封體1142可形成於該第一終端1106上方。該密封體1142可形成為密封或罩蓋該積體電路1218、該內部連接器1220、該第二垂直導電柱1238以及該導電材料1240。
該密封體1142可經形成,使得部分的該第一終端1106與部分的該第二終端1230暴露出來。該第一水平部份1208與該第二水平部份1232可自該密封體1142局部地暴露出來。
該積體電路封裝系統1100可視需要地包含外部互連1252,更具體而言,包含銲錫球、凸塊、或連接器。該外部互連1252可附接至該第一暴露側1212,以提供連接至外部系統(未圖示)。
另一個第一終端1106可形成為鄰近該第一終端1106。該積體電路1218可局部地接置於該第一終端1106的第一水平部份1208以及另一個第一終端1106的第一水平部份1208之上方。該積體電路1218可利用另一個內部連接器1220連接至另一個第一終端1106的第一水平部份1208的第一未暴露側1210。
另一個第二終端1230可形成為鄰近該第二終端1230。該第二終端1230的第二水平部份1232與另一個第二終端1230的第二水平部份1232可局部地接置於該積體電路1218之上方。
現在請參照第13圖,其中顯示本發明的第六實施例中的積體電路封裝系統1300的下視圖。該積體電路封裝系統1300可代表封裝系統組構,該封裝系統組構可包含具有雙帶蝕刻引腳框架與底部和頂部扇出接觸墊片(bottom and top fan-out contact pad)的雙面封裝件上封裝件(PoP)系統。為了說明起見,該下視圖係顯示為不具有用於連接至外部系統的連接器。
該積體電路封裝系統1300可包含封裝件葉片(package paddle)1304,更具體而言,可包含晶粒葉片、晶粒附接葉片(die-attach paddle;DAP)或晶粒墊片(die pad)。該積體電路封裝系統1300可包含第一終端1306,該第一終端1306係定義為提供電性連接至外部系統的互連。該第一終端1306可包含引腳、焊接指、引腳指、或接觸墊片。
該積體電路封裝系統1300可包含密封體1342,更具體而言,可包含具有環氧鑄型化合物(EMC)或鑄型材料的罩蓋。該第一終端1306與該封裝件葉片1304可自該密封體1342局部地暴露出來。
該第一終端1306可形成為一列(row)。儘管該第一終端1306可形成為不同的組構,但是為了說明起見,該第一終端1306係顯示為沿著該密封體1342的側邊的兩列。舉例而言,該第一終端1306可沿著該側邊形成為四列。
現在請參照第14圖,其中顯示該積體電路封裝系統1300沿著第13圖的剖面線14--14的剖面圖。該封裝件葉片1304可形成為鄰近第一終端1306。該第一終端1306可包含第一水平部份1408。
該第一水平部份1408可具有第一未暴露側1410以及與該第一未暴露側1410相對的第一暴露側1412。該第一未暴露側1410係被該密封體1342所罩蓋,或位於該密封體1342內。該第一暴露側1412係自該密封體1342暴露出來。該第一暴露側1412可與該密封體1342共平面。
積體電路1418(更具體而言,係積體電路晶粒、導線焊接積體電路、或晶片)可接置於該封裝件葉片1304上方。該積體電路1418可位於該第一未暴露側1410的平面之上。該積體電路1418可附接至該封裝件葉片1304。
該內部連接器1420(更具體而言,係焊接線、帶式焊接線、或導線)可連接至該第一水平部份1408以及該積體電路1418。該內部連接器1420可連接至該第一未暴露側1410。
該積體電路封裝系統1300可包含第二終端1430,該第二終端1430定義為提供電性連接至外部系統的互連。該第二終端1430可包含第二水平部份1432。該第二水平部份1432可包含第二引腳,更具體而言,該第二引腳係焊接指、引腳指、或接觸墊片。
該第二水平部份1432可具有第二未暴露側1434以及與該第二未暴露側1434相對的第二暴露側1436。該第二未暴露側1434係被該密封體1342所罩蓋,或位於該密封體1342內。該第二暴露側1436係自該密封體1342暴露出來。該第二暴露側1436可與該密封體1342共平面。
該第二終端1430可包含第二垂直導電柱1438,更具體而言,係金屬柱、垂直互連(亦即習知的z-互連)、柱體、圓柱、或者導電連接器。該第二垂直導電柱1438可連接至該第二水平部份1432。
該第二垂直導電柱1438可與該第二水平部份1432整合在一起。換言之,該第二垂直導電柱1438與該第二水平部份1432可由共同材料所形成,該共同材料的特性為具有單一整合結構或剛性結構。
該第二終端1430可接置於該第一水平部份1408的上方。該第二終端1430可利用導電材料1440而附接至該第一水平部份1408,更具體而言,係利用用以形成聯結(joint)的黏膠或黏接劑。舉例而言,該導電材料1440可為焊錫黏膠、金屬化黏膠或者導電黏接劑。
該導電材料1440可形成為提供該第一終端1306與該第二終端1430之間的電性連接。該導電材料1440可連接至該第一水平部份1408與該第二垂直導電柱1438。
該密封體1342可形成於該第一終端1306上方。該密封體1342可形成為密封或罩蓋該積體電路1418、該內部連接器1420、該第二垂直導電柱1438以及該導電材料1440。
該密封體1342可經形成,使得部分的該封裝件葉片1304、部分的該第一終端1306、以及部分的該第二終端1430暴露出來。該第一水平部份1408與該第二水平部份1432可自該密封體1342局部地暴露出來。
該積體電路封裝系統1300可視需要地包含外部互連1452,更具體而言,包含銲錫球、凸塊、或連接器。該外部互連1452可附接至該第一暴露側1412,以提供連接至外部系統(未圖示)。
該第一水平部份1408可形成為鄰近該積體電路1418。該第二水平部份1432可形成於該第一水平部份1408的上方,且環繞該積體電路1418。
現在請參照第15圖,顯示本發明的第七實施例中的積體電路封裝系統1500如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖。該積體電路封裝系統1500可代表封裝系統組構,可包含具有雙帶蝕刻引腳框架及底部扇入接觸墊片(bottom fan-in contact pad)的雙面封裝件上封裝件(PoP)系統。除了形成第2圖的第二終端230以外,該積體電路封裝系統1500可以類似第1圖的積體電路封裝系統100的方式形成。
該積體電路封裝系統1500可包含具有第一水平部份1508的第一終端1506。該第一水平部份1508可具有第一未暴露側1510與第一暴露側1512。該第一終端1506可以類似第1圖的第一終端106的方式形成。
該積體電路封裝系統1500可包含附接層1516、積體電路1518、以及內部連接器1520。該附接層1516、該積體電路1518及該內部連接器1520可分別以類似第1圖的附接層116、第2圖的積體電路218、以及第2圖的內部連接器220的方式形成。
該積體電路封裝系統1500可包含第二終端1530。該第二終端1530可包含具有第二引腳(未圖示)的第二水平部份1532,更具體而言,係具有焊接指、引腳指、或接觸墊片。該第二水平部份1532可具有第二未暴露側1534以及與該第二未暴露側1534相對的第二暴露側1536。
該第二終端1530可包含第二垂直導電柱1538,更具體而言,可包含金屬柱、垂直互連(亦即習知的z-互連)、柱體、圓柱、或導電連接器。該第二垂直導電柱1538可連接至該第二水平部份1532。
該第二垂直導電柱1538可與該第二水平部份1532整合在一起。換言之,該第二垂直導電柱1538與該第二水平部份1532可由共同材料所形成,該共同材料的特性為具有單一整合結構或剛性結構。
鄰近該積體電路1518的第二垂直導電柱1538可接置於該第一水平部份1508的上方。該第二垂直導電柱1538可利用導電材料1540而附接至該第一水平部份1508。該導電材料1540可以類似第2圖的導電材料240的方式形成。
利用該第二終端1530與連接至該第一水平部份1508的內部連接器1520,該第二終端1530可電性連接至該內部連接器1520。
該積體電路封裝系統1500可包含密封體1542。該密封體1542可以類似第1圖的密封體142的方式形成。
該第二未暴露側1534係被該密封體1542所罩蓋,或位於該密封體1542內。該第二暴露側1536係自該密封體1542暴露出來。該第二暴露側1536可與該密封體1542共平面。
可形成該密封體1542,使得部分的該第一終端1506與部分的該第二終端1530暴露出來。該第二水平部份1532可自該密封體1542局部地暴露出來。
該積體電路封裝系統1500可視需要地包含外部互連1552。該外部互連1552可以類似第2圖的外部互連252的方式形成。
另一個第一終端1506可形成為鄰近該第一終端1506。該積體電路1518可局部地接置於該第一終端1506的第一水平部份1508以及另一個第一終端1506的第一水平部份1508之上方。
該積體電路1518可利用另一個內部連接器1520連接至另一個第一終端1506的第一水平部份1508的第一未暴露側1510。該第二水平部份1532可形成於該第一水平部份1508上方,並且環繞該積體電路1518。
現在請參照第16圖,其中顯示本發明的第八實施例中的積體電路封裝系統1600如同第13圖的下視圖所例示的剖面圖。該積體電路封裝系統1600可代表封裝系統組構,該封裝系統組構可包含具有雙帶蝕刻引腳框架與頂部扇入接觸墊片的雙面封裝件上封裝件(PoP)系統。除了形成第14圖的第二終端1430以外,該積體電路封裝系統1600可以類似第13圖的積體電路封裝系統1300的方式形成。
該積體電路封裝系統1600可包含封裝件葉片1604以及具有第一水平部份1608的第一終端1606。該第一水平部份1608可具有第一未暴露側1610以及與該第一未暴露側1610相對的第一暴露側1612。
該積體電路封裝系統1600可包含積體電路1618、以及內部連接器1620。該封裝件葉片1604、該第一終端1606、該積體電路1618及該內部連接器1620可分別以類似第13圖的封裝件葉片1304、第13圖的第一終端1306、第14圖的積體電路1418、以及第14圖的內部連接器1420的方式形成。
該積體電路封裝系統1600可包含第二終端1630。該第二終端1630可包含第二水平部份1632。
該第二水平部份1632可包含第二引腳,該第二引腳利用第二導軌而電性連接至第二墊片1633。為了說明起見,該第二水平部份1632係顯示為鄰近另一個第二水平部份1632的第二墊片1633。
更具體而言,該第二引腳係焊接指、引腳指、或接觸墊片。更具體而言,該第二墊片1633係接觸墊片、引腳、或電性接點。該第二墊片1633可形成為區域陣列或鄰近該第二引腳的外圍陣列。
更具體而言,該第二導軌係信號導軌或導線。該第二導軌可形成為不同的組構。
舉例而言,該第二導軌可形成為具有不同長度。該第二導軌的長度可基於該第二引腳與該第二墊片1633的位置、該第二引腳與該第二墊片1633之間的距離、用以形成該第二導軌的繞線面積、或者上述各者的任何結合而預先決定。
該第二水平部份1632可具有第二未暴露側1634以及與該第二未暴露側1634相對的第二暴露側1636。
該第二終端1630可包含第二垂直導電柱1638,更具體而言,可包含金屬柱、垂直互連(亦即習知的z-互連)、柱體、圓柱、或導電連接器。該第二垂直導電柱1638可連接至該第二水平部份1632。
該第二垂直導電柱1638可與該第二水平部份1632整合在一起。換言之,該第二垂直導電柱1638與該第二水平部份1632可由共同材料所形成,該共同材料的特性為具有單一整合結構或剛性結構。
該第二終端1630可接置於該第一水平部份1608與該積體電路1618的上方。該第二終端1630可利用導電材料1640而附接至該第一水平部份1608。
該導電材料1640可以類似第14圖的導電材料1440的方式形成。利用附接至該第二垂直導電柱1638與該第一水平部份1608的導電材料1640,位於該積體電路1618上方的第二水平部份1632可連接至該第一終端1606。
該積體電路封裝系統1600可包含密封體1642。該積體電路封裝系統1600可視需要地包含外部互連1652。該密封體1642與該外部互連1652可分別以類似第13圖的密封體1342與第14圖的外部互連1452的方式形成。
該第二未暴露側1634係被該密封體1642所罩蓋,或位於該密封體1642內。該第二暴露側1636係自該密封體1642暴露出來。該第二暴露側1636可與該密封體1642共平面。
該第一水平部份1608可形成為鄰近該積體電路1618。另一個第二終端1630可形成為鄰近該第二終端1630。該第二終端1630的第二水平部份1632與另一個第二終端1630的第二水平部份1632可局部地接置於該積體電路1618上方。
現在請參照第17圖,其中顯示本發明的第九實施例中的積體電路封裝系統1700如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖。該積體電路封裝系統1700可代表封裝系統組構,可包含具有雙帶蝕刻引腳框架及雙鑄型(dual mold)的雙面封裝件上封裝件(PoP)系統。除了增加另一個積體電路以外,該積體電路封裝系統1700可以類似第1圖的積體電路封裝系統100的方式形成。
該積體電路封裝系統1700可包含具有第一水平部份1708的第一終端1706。該第一水平部份1708可具有第一未暴露側1710與第一暴露側1712。該第一終端1706可以類似第1圖的第一終端106的方式形成。
該積體電路封裝系統1700可包含附接層1716、積體電路1718、以及內部連接器1720。該附接層1716、該積體電路1718及該內部連接器1720可分別以類似第1圖的附接層116、第2圖的積體電路218、以及第2圖的內部連接器220的方式形成。
該積體電路封裝系統1700可包含具有第二水平部份1732的第二終端1730。該第二水平部份1732可包含第二引腳、第二墊片1733、以及第二導軌。該第二水平部份1732可具有第二未暴露側1734與第二暴露側1736。
該第二終端1730可包含第二垂直導電柱1738。該第二終端1730可以類似第2圖的第二終端230的方式形成。
該積體電路封裝系統1700可包含導電材料1740與密封體1742。該導電材料1740與該密封體1742可分別以類似第2圖的導電材料240與第1圖的密封體142的方式形成。
該積體電路封裝系統1700可包含形成於該第二終端1730與該密封體1742上方的堆疊附接層1744(更具體而言,係薄膜、環氧樹脂、或黏接劑)。堆疊積體電路1746(更具體而言,係積體電路晶粒、導線焊接積體電路、或晶片)可利用該堆疊附接層1744而接置於該第二終端1730上方。該堆疊積體電路1746可接置於該第二水平部份1732上方。
堆疊內部連接器1748(更具體而言,係焊接線、帶式焊接線、或導線)可連接至該第二終端1730與該堆疊積體電路1746。該堆疊內部連接器1748可連接至該第二水平部份1732。
該積體電路封裝系統1700可包含堆疊密封體1750,更具體而言,可包含具有環氧鑄型化合物(EMC)或鑄型材料的罩蓋。該堆疊密封體1750可形成於該第二終端1730上方,密封或罩蓋該堆疊附接層1744、該堆疊積體電路1746、以及該堆疊內部連接器1748。
該積體電路封裝系統1700可包含外部互連1752。該外部互連1752可以類似第2圖的外部互連252的方式形成。
另一個第一終端1706可形成為鄰近該第一終端1706。該積體電路1718可局部地接置於該第一終端1706的第一水平部份1708以及另一個第一終端1706的第一水平部份1708之上方。該積體電路1718可利用另一個內部連接器1720連接至另一個第一終端1706的第一水平部份1708的第一未暴露側1710。
另一個第二終端1730可形成為鄰近該第二終端1730。該第二終端1730的第二水平部份1732與另一個第二終端1730的第二水平部份1732可局部地接置於該積體電路1718之上方。
現在請參照第18圖,其中顯示本發明的第一應用範例如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖。該第一應用範例可包含接置於該積體電路封裝系統100上方的堆疊積體電路封裝系統1802。
該堆疊積體電路封裝系統1802可接置於該積體電路封裝系統100的第二終端230上方。該堆疊積體電路封裝系統1802可接置於該第二終端230的第二水平部份232上方。
舉例而言,該堆疊積體電路封裝系統1802可包含基板,該基板上方接置有若干積體電路,且該若干積體電路係連接至該基板。又舉例而言,該堆疊積體電路封裝系統1802可利用互連(如銲錫球、凸塊、或連接器)連接至積體電路封裝系統100,該互連可以焊錫、合金、或導電材料形成。
現在請參照第19圖,其中顯示本發明的第二應用範例如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖。該第二應用範例可包含接置於該積體電路封裝系統800上方的積體電路封裝系統900。
該積體電路封裝系統900可接置於該積體電路封裝系統800的第二終端830上方。該積體電路封裝系統900的外部互連952可連接至該第二終端830的第二水平部份832。
現在請參照第20圖,其中顯示本發明的第三應用範例如同第13圖的下視圖所例示的剖面圖。該第三應用範例可包含接置於該積體電路封裝系統1300上方的積體電路封裝系統1600。
該積體電路封裝系統1600可接置於該積體電路封裝系統1300的第二終端1430上方。該積體電路封裝系統1600的外部互連1652可連接至該第二終端1430的第二水平部份1432。
該第三應用範例可包含接置於該積體電路封裝系統1600上方的堆疊積體電路封裝系統2002。該堆疊積體電路封裝系統2002可接置於該積體電路封裝系統1600的第二終端1630上方。該堆疊積體電路封裝系統2002可接置於該第二終端1630的第二水平部份1632上方。
舉例而言,該堆疊積體電路封裝系統2002可包含基板,該基板上方接置有若干裝置(如覆晶晶片、被動零件、半導體裝置、或積體電路封裝件),且該等若干裝置係連接至該基板。又舉例而言,該堆疊積體電路封裝系統2002可利用互連(如銲錫球、凸塊、或連接器)連接至積體電路封裝系統1600,該互連可以焊錫、合金、或導電材料形成。
現在請參照第21圖,其中顯示本發明的第四應用範例如同第11圖的下視圖所例示的剖面圖。該第四應用範例可包含接置於該積體電路封裝系統1100上方的堆疊積體電路封裝系統2102與零件2104。
該堆疊積體電路封裝系統2102與該零件2104可接置於該積體電路封裝系統1100的第二終端1230上方。該堆疊積體電路封裝系統2102與該零件2104可接置於該第二終端1230的第二水平部份1232上方。
舉例而言,該堆疊積體電路封裝系統2102可包含裝置,如覆晶晶片、半導體裝置、或積體電路封裝件。又舉例而言,該零件2104可包含被動裝置或離散零件。又復舉例而言,該堆疊積體電路封裝系統2102與該零件2104可利用互連(如銲錫球、凸塊、或連接器)連接至積體電路封裝系統1100,該互連可以焊錫、合金、或導電材料形成。
現在請參照第22圖,其中顯示本發明的第五應用範例如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖。該第五應用範例可包含接置於該積體電路封裝系統1500上方的積體電路封裝系統1300。
該積體電路封裝系統1300可接置於該積體電路封裝系統1500的第二終端1530上方。該積體電路封裝系統1300的外部互連1452可連接至該第二終端1530的第二水平部份1532。
該第五應用範例可包含接置於該積體電路封裝系統1300上方的堆疊積體電路封裝系統2202。該堆疊積體電路封裝系統2202可接置於該積體電路封裝系統1300的第二終端1430上方。該堆疊積體電路封裝系統2202可接置於該第二終端1430的第二水平部份1432上方。
舉例而言,該堆疊積體電路封裝系統2202可包含晶粒附接葉片(die-attach paddle)、引腳、以及接置於該晶粒附接葉片上方且連接至該引腳的若干積體電路。又舉例而言,該堆疊積體電路封裝系統2202可利用互連(如銲錫球、凸塊、或連接器)連接至積體電路封裝系統1300,該互連可以焊錫、合金、或導電材料形成。
現在請參照第23圖,其中顯示本發明的進一步實施例中的積體電路封裝系統100的製造方法2300的流程圖。該方法2300包含:於步驟2302中,形成第一終端;於步驟2304中,將積體電路連接至該第一終端;於步驟2306中,形成第二終端,該第二終端藉由垂直導電柱而連接於該第一終端與該積體電路上方,該垂直導電柱係與該第一終端或該第二終端整合在一起;以及於步驟2308中,密封該積體電路與該垂直導電柱,使得部分的該第一終端與部分的該第二終端暴露出來。
本發明可包含具有前述關鍵特徵或實施例的組合之結構的積體電路封裝系統。本發明可包含接置於其中一個實施例上方的電性零件。本發明可包含接置於扇出封裝件上封裝件封裝(PoP)系統或扇入封裝件上封裝件封裝(PoP)系統上方的其中一個實施例。
所產生的方法、程序、設備、裝置、產品、及/或系統係直接易懂的、具成本效益的、不複雜的、多功能的、精確的、敏銳的、且有效的,並且能夠以習知零件實現,達到簡易、有效率、具成本效益的製造、應用及利用。
本發明的另一個重要態樣係能夠支持並維護降低成本、簡化系統、及增進效能的長期趨勢。
本發明的這些及其他態樣,使得本領域之技術狀態邁入至少下一個層次。
儘管已結合特定的最佳實施方式對本發明進行描述,但是應了解到,於所屬技術領域中具有通常知識者有鑑於上述說明書內容將清楚了解本發明的許多替代、修改、及變化形式。因此,本發明意圖涵蓋落入本發明申請專利範圍內的所有此類替代、修改、及變化形式。到目前為止,本說明書中所提及或附加圖式中所顯示的所有事項應理解成作為說明之目的,而並非限定本發明。
100、800、900、1000、1100、1300、1500、1600、1700...積體電路封裝系統
106、806、906、1006、1106、1306、1506、1606、1706...第一終端
108、1108...第一引腳
110、1110...第一墊片
112、1112...第一導軌
116、1516、1716...附接層
142、842、942、1042、1142、1342、1642、1742...密封體
208、808、908、1008、1208、1408、1508、1608、1708...第一水平部份
210、810、910、1010、1210、1410、1510、1610、1710...第一未暴露側
212、812、912、1012、1212、1412、1512、1612、1712...第一暴露側
232、832、932、1032、1232、1432、1532、1632、1732...第二水平部份
218、818、918、1018、1218、1418、1518、1618、1718...積體電路
220、820、920、1020、1220、1420、1520、1620、1720...內部連接器
230、830、930、1030、1230、1430、1530、1630、1730...第二終端
233、833、933、1033、1233、1633、1733...第二墊片
234、834、934、1034、1234、1434、1534、1634、1734...第二未暴露側
236、836、936、1036、1236、1436、1536、1636、1736...第二暴露側
238、938、1038、1238、1438、1538、1638、1738...第二垂直導電柱
240、840、940、1040、1240...導電材料
252、852、952、1052、1252、1552...外部互連
302...第一基底部份
402...凹環
404...附接區域
406...凹處
502...第二基底部份
814、914、1014...第一垂直導電柱
816、916、1016...附接層
1022...第二附接層
1024...第二積體電路
1026...第二內部連接器
1304、1604...封裝件葉片
1440、1540、1640、1740...導電材料
1452、1652、1752...外部互連
1744...堆疊附接層
1746...堆疊積體電路
1748...堆疊內部連接器
1750...堆疊密封體
1802、2002、2102、2202...堆疊積體電路封裝系統
2104...零件
2300...方法
2302、2302、2304、2306、2308...步驟
第1圖係本發明的第一實施例中的積體電路封裝系統的下視圖;
第2圖係該積體電路封裝系統沿著第1圖的剖面線2--2的剖面圖;
第3圖係該積體電路封裝系統在積體電路製造的附接階段中的剖面圖;
第4A圖係第3圖的結構的一部分在第一引腳形成程序中的圖式;
第4B圖係第3圖的結構的一部分在第二引腳形成程序中的圖式;
第5圖係第3圖的結構在第二終端附接階段中的圖式;
第6圖係第5圖的結構在鑄型階段中的圖式;
第7圖係第6圖的結構在切單階段中的圖式;
第8圖係本發明的第二實施例中的積體電路封裝系統如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖;
第9圖係本發明的第三實施例中的積體電路封裝系統如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖;
第10圖係本發明的第四實施例中的積體電路封裝系統如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖;
第11圖係本發明的第五實施例中的積體電路封裝系統的下視圖;
第12圖係該積體電路封裝系統沿著第11圖的剖面線12--12的剖面圖;
第13圖係本發明的第六實施例中的積體電路封裝系統的下視圖;
第14圖係該積體電路封裝系統沿著第13圖的剖面線14--14的剖面圖;
第15圖係本發明的第七實施例中的積體電路封裝系統如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖;
第16圖係本發明的第八實施例中的積體電路封裝系統如同第13圖的下視圖所例示的剖面圖;
第17圖係本發明的第九實施例中的積體電路封裝系統如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖;
第18圖係本發明的第一應用範例如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖;
第19圖係本發明的第二應用範例如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖;
第20圖係本發明的第三應用範例如同第13圖的下視圖所例示的剖面圖;
第21圖係本發明的第四應用範例如同第11圖的下視圖所例示的剖面圖;
第22圖係本發明的第五應用範例如同第1圖的下視圖所例示的剖面圖;以及
第23圖係本發明的進一步實施例中的積體電路封裝系統的製造方法的流程圖。
2300...方法
2302、2304、2306、2308...步驟
Claims (8)
- 一種積體電路封裝系統的製造方法,係包括:形成第一終端;將積體電路連接至該第一終端;形成第二終端,該第二終端藉由垂直導電柱而連接於該第一終端與該積體電路上方,該垂直導電柱係與該第一終端或該第二終端整合在一起;以及密封該積體電路與該垂直導電柱,使得部分的該第一終端與部分的該第二終端暴露出來,其中:形成該第一終端包含形成具有凹環的該第一終端;以及形成該第二終端包含形成藉由該垂直導電柱而連接於該第一終端與該積體電路上方的該第二終端,該垂直導電柱係由該凹環所圍繞。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中:形成該第一終端包含形成具有凹處的該第一終端;以及形成該第二終端包含形成藉由該垂直導電柱而連接於該第一終端與該積體電路上方的該第二終端,該垂直導電柱係位於該凹處中。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中,形成連接於該第一終端上方的該第二終端包含將導電材料連接至該第一終端與該垂直導電柱。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中,形成連接於 該第一終端上方的該第二終端包含連接第一垂直導電柱與第二垂直導電柱,該第一垂直導電柱係與該第一終端整合在一起,且該第二垂直導電柱係與該第二終端整合在一起。
- 一種積體電路封裝系統,係包括:第一終端;積體電路,係連接至該第一終端;第二終端,係位於該第一終端與該積體電路上方;垂直導電柱,係連接至該第一終端與該第二終端,該垂直導電柱係與該第一終端或該第二終端整合在一起;以及密封體,係覆蓋該積體電路與該垂直導電柱,使得部分的該第一終端與部分的該第二終端暴露出來,其中:該第一終端具有凹環;以及該垂直導電柱係由該凹環所圍繞。
- 如申請專利範圍第5項所述之系統,其中:該第一終端具有凹處;以及該垂直導電柱係位於該凹處中。
- 如申請專利範圍第5項所述之系統,其中,連接至該第一終端與該第二終端的該垂直導電柱包含連接至該第一終端與該垂直導電柱的導電材料。
- 如申請專利範圍第5項所述之系統,其中,連接至該第一終端與該第二終端的該垂直導電柱包含: 第一垂直導電柱,係與該第一終端整合在一起;以及第二垂直導電柱,係連接至該第一垂直導電柱,該第二垂直導電柱係與該第二終端整合在一起。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/785,951 US8421210B2 (en) | 2010-05-24 | 2010-05-24 | Integrated circuit packaging system with dual side connection and method of manufacture thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201209989A TW201209989A (en) | 2012-03-01 |
TWI518871B true TWI518871B (zh) | 2016-01-21 |
Family
ID=44971833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100117532A TWI518871B (zh) | 2010-05-24 | 2011-05-19 | 具有雙側連接的積體電路封裝系統及其製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8421210B2 (zh) |
KR (1) | KR101805114B1 (zh) |
TW (1) | TWI518871B (zh) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8557700B2 (en) | 2008-05-09 | 2013-10-15 | Invensas Corporation | Method for manufacturing a chip-size double side connection package |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2010
- 2010-05-24 US US12/785,951 patent/US8421210B2/en active Active
-
2011
- 2011-05-19 TW TW100117532A patent/TWI518871B/zh active
- 2011-05-23 KR KR1020110048661A patent/KR101805114B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110285009A1 (en) | 2011-11-24 |
TW201209989A (en) | 2012-03-01 |
KR101805114B1 (ko) | 2017-12-05 |
KR20110128748A (ko) | 2011-11-30 |
US8421210B2 (en) | 2013-04-16 |
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