TWI515927B - 半導體發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

半導體發光裝置及其製造方法
本發明的實施例關於半導體發光裝置、及其製造方法。
白色發光二極體(LED)研發中的色度變化之降低為主要問題之一。尤其，在晶圓階層封裝技術(其形成集體用於晶圓內的複數個晶片之佈線層、保護樹脂、及發光層而沒有實施晶片選擇程序)中，該晶圓內的晶片之間的發射波長變化顯著影響色度變化。
[引用列表] [專利文獻] [PTL 1]
JP-A 2011-517090
[PTL 2]
JP-A 2010-147318
依據一個實施例，一種半導體發光裝置包括：不少於三個晶片，該等晶片各者包括半導體層(具有第一面、形成於與該第一面相對的側上的第二面、及發光層)、設置於具有該發光層的區中的該第二面上之p側電極、及設置於沒有該發光層的區中的該第二面上之n側電極；及相同 種類之設置於該等晶片的第一面上之螢光本體層。該等晶片包括：在平面圖中定位於中央的中央晶片；及在平面圖中互相對稱配置之夾住該中央晶片的至少二個周邊晶片。在該第一面上的該螢光本體層之厚度係在該等周邊晶片之間相同，且該中央晶片的第一面上的該螢光本體層與該等周邊晶片的第一面上的該等螢光本體層具有互相不同的厚度。
本發明的實施例現在將參照圖式來加以描述。在圖式的各者中，相似組件以相似元件符號加以標記。
(第一實施例)
第1圖為第一實施例之半導體發光裝置10的示意剖面圖。第2A圖為半導體發光裝置10的示意平面圖，且第2B圖為一個晶片的示意平面圖。
半導體發光裝置10為包括封裝結構體中的複數個晶片3a及3b的多尖端裝置，其在以下待描述的晶圓階層加以形成。將複數個晶片3a及3b互相分開。晶片3a及3b的各者具有半導體層15、p側電極16、及n側電極17。
複數個晶片以不同數字3a及3b加以表示，取決於第2A圖所示之平面圖中的位置差異。然而，晶片3a及晶片3b具有相同結構，且有時代表性地僅以數字3加以表示而沒有晶片3a與3b間的區別。
半導體層15具有第一面(第1圖中的上面)15a及形成於與該第一面相對的側上的第二面。將電極及佈線設置 於第二面側上。光主要從與該第二面相對的側上的第一面15a發射至外側。
此外，半導體層15具有第一半導體層11及第二半導體層12。第一半導體層11及第二半導體層12由含有例如氮化鎵的材料所製成。第一半導體層11包括例如基礎緩衝層、n型層、及相似者，且該n型層用作橫向電流路徑。第二半導體層12包括p型層及發光層(活性層)12a。
將半導體層15的第二面側加工成凸凹形。形成於第二面側上的凸部份包括發光層12a。在第二半導體層12的表面(係其凸部份的表面)上，p側電極16被設置。即，將p側電極16設置於具有發光層12a的區上。
在半導體層15的第二面側上之凸部份的周邊上，不具有第二半導體層12(包括發光層12a)的區被設置，且在該區中的第一半導體層11的面上，n側電極17被設置。即，將n側電極17設置於沒有包括發光層12a的區上。
在第2B圖所示之第二面的平面圖中，n側電極17連續圍繞p側電極16周邊。p側電極16與n側電極17的平面圖佈局不限於第2B圖中所示的佈局且另一佈局可被使用。
在第二面側上，包括發光層12a的第二半導體層之面積大於不包括發光層12a的第一半導體層11之面積。此外，p側電極16的面積大於n側電極17的面積。因此，可能獲得大的發光區。
在包括發光層12a的第二半導體層12之側面上，絕緣膜14被設置。此外，也將絕緣膜14設置於p側電極16與n側電極17未設置於其上的第二面上。絕緣膜14為無機絕緣膜，諸如例如氧化矽及氮化矽膜。
第二面側(其上設置絕緣膜14、p側電極16、及n側電極17)被第一絕緣層(以下僅稱為絕緣層)18所覆蓋。第一面15a未被絕緣層18所覆蓋。
此外，絕緣層18充填互相分開之晶片3a與3b間的空間，且覆蓋晶片3a及3b的側邊。從第一面15a延伸之半導體層15的側邊被絕緣層18所覆蓋。覆蓋晶片3a及3b的各個側面之絕緣層18連同樹脂層25(覆蓋佈線部份的側邊，其將加以描述於下)構成了半導體發光裝置10的側面。
絕緣層18為諸如聚亞醯胺或相似者的樹脂，具有例如用於細微開口的良好圖案化性質。替代地，可將諸如氧化矽或氮化矽的無機材料用於絕緣層18。
在絕緣層18中，到達p側電極16的第一穿孔18a及到達n側電極17的第二穿孔18b被形成。此外，絕緣層18具有在與第一面15a相對的側上的佈線面18c。
在佈線面18c上，將p側佈線層21及n側佈線層22互相隔開設置。針對晶片3a及3b的各者，一個p側佈線層21及一個n側佈線層22被設置。
也將p側佈線層21設置於第一穿孔18a內。經由複數個第一穿孔18a將p側佈線層21電連接至p側電極16 。
也將n側佈線層22設置於第二穿孔18b內。經由例如一個第二穿孔18b將n側佈線層22電連接至n側電極17。
在與晶片3a及3b相對的側之p側佈線層21的面上，p側金屬柱23被設置。p側金屬柱23具有比p側佈線層21的厚度更大的厚度。p側佈線層21及p側金屬柱23構成實施例中的p側佈線部份。
在與晶片3a及3b相對的側之n側佈線層22的面上，n側金屬柱24被設置。n側金屬柱24具有比n側佈線層22的厚度更大的厚度。n側佈線層22及n側金屬柱24構成實施例中的n側佈線部份。
此外，在絕緣層18的佈線面18c上，將樹脂層25設置作為第二絕緣層。樹脂層25覆蓋p側佈線部份的周邊及n側佈線部份的周邊。
除了與p側金屬柱23的連接面以外之p側佈線層21的面以及除了與n側金屬柱24的連接面以外之n側佈線層22的面被樹脂層25所覆蓋。此外，樹脂層25被設置於p側金屬柱23與n側金屬柱24之間，且覆蓋p側金屬柱23的側面及n側金屬柱24的側面。樹脂層25充填p側金屬柱23與n側金屬柱24間的空間。
在與p側佈線層21相對的側上的p側金屬柱23之面被暴露而沒有被樹脂層25所覆蓋，且用作待被接合至安裝基板的p側外部終端23a。在與n側佈線層22相對的側 上的n側金屬柱24之面被暴露而沒有被樹脂層25所覆蓋，且用作待被接合至安裝基板的n側外部終端24a。
p側佈線部份、n側佈線部份、及樹脂層25的各別厚度大於晶片3a及3b厚度的各者。p側金屬柱23及n側金屬柱24的長寬比(厚度對平面大小的比)不限於不小於1的值且該比可能小於1。
p側金屬柱23、n側金屬柱24、及加強該等金屬柱的樹脂層25用作晶片3a及3b的支撐體。因此，即使當用於形成半導體層15的基板被移除(將加以描述於下)時，包括p側金屬柱23、n側金屬柱24、及樹脂層25的支撐體穩定支撐晶片3a及3b，且可增加半導體發光裝置10的機械強度。
此外，在其中半導體發光裝置10被安裝於安裝基板上的狀態中，可能藉由使p側金屬柱23及n側金屬柱24吸收應力來降低被施加至半導體層15的應力。
作為p側佈線層21、n側佈線層22、p側金屬柱23、及n側金屬柱24材料，銅、金、鎳、銀、或相似者可被使用。當這些材料之間銅被使用時，可能獲得良好熱傳導性、高遷移阻抗及傑出的對絕緣材料之黏著力。
作為樹脂層25，較佳使用具有等同或接近安裝基板的係數之熱膨脹係數的樹脂。此種樹脂的實例可包括例如環氧樹脂、矽氧樹脂、氟樹脂、或相似者。
此外，可使樹脂層25含有碳黑以提供有針對從發光層12a所發射之光的光屏蔽性質。此外，可使樹脂層25 含有粉末，該粉末具有針對從發光層12a所發射之光的反射性。
經由n側電極17及n側佈線層22將第一半導體層11電連接至包括n側外部終端24a的n側金屬柱24。經由p側電極16及p側佈線層21將包括發光層12a的第二半導體層12電連接至包括p側外部終端23a的p側金屬柱23。
n側佈線層22的一部份重疊了在包括發光層12a之發光區上的絕緣層18。n側佈線層22的面積大於n側電極17。此外，延伸於絕緣層18上的n側佈線層22的面積大於經由第二穿孔18b連接該n側佈線層至n側電極17的面積。
可能獲得由發光層12a(形成於大於n側電極17的區之上)之高的光輸出。並且，可能實現一種結構，其中設置於一區(其小於發光區且不包括發光層12a)中的n側電極17被重新配置於安裝面側作為n側佈線層22(具有大於該區之面積的面積)。
經由複數個第一穿孔18a連接p側佈線層21至p側電極16的面積大於經由第二穿孔18b連接n側佈線層22至n側電極17的面積。因此，可能改善至發光層12a的電流分佈並且改善發光層12a中所產生之熱的輻射性質。
在半導體層15的第一面15a上，螢光本體層31被設置。螢光本體層31含有能夠吸收來自發光層12a之發射光(激發光)且能夠發射波長轉換光的磷光體粒子。將磷 光體粒子散佈於透明樹脂中，來自發光層12a的光及該等磷光體粒子的波長轉換光可穿透該透明樹脂。半導體發光裝置10可發射來自發光層12a的光與磷光體粒子的波長轉換光之混合光。
例如，當磷光體粒子被設定成發射黃光的黃色磷光體粒子時，可能隨著來自發光層12a(其由GaN為基的螢光材料所製成)的藍光與黃光(其為螢光本體層31中的波長轉換光)間的混合色而獲得白色或燈泡色。
例如，如第2A及2B圖中所示，平面圖中半導體發光裝置10的外部形狀被形成為矩形，且包括一個中央晶片3a及二個周邊晶片3b的三個晶片在該矩形的縱向(一維方向)中被對齊。
中央晶片3a在一維對齊方向中位在三個晶片的中央。二個周邊晶片3b在一維對齊方向中互相對稱配置而夾住中央晶片3a。
在中央晶片3a及周邊晶片3b上，相同種類的螢光本體層31被設置。例如，將含有相同種類的黃色磷光體粒子之螢光本體層31設置於中央晶片3a及周邊晶片3b上。
設置於各別二個周邊晶片3b的第一面15a上的螢光本體層31之厚度相同。
中央晶片3a中的第一面15a上的螢光本體層31之厚度不同於周邊晶片3b中的第一面15a上的螢光本體層31之厚度。在第1圖所示的實例中，中央晶片3a上的螢光 本體層31具有比周邊晶片3b上的螢光本體層31之厚度更小的厚度。
如將加以描述於下，形成螢光本體層31的製程具有集體供應液體透明樹脂(其中散佈磷光體粒子)於處於晶圓狀態的複數個晶片上的製程以及實施熱固化的製程。因此，磷光體粒子的濃度(密度)在晶圓表面內大約均勻。
因此，相對薄的螢光本體層31含有較小量的磷光體粒子且相對厚的螢光本體層31含有較大量的磷光體粒子。藉由調整螢光本體層31的厚度，可能調整晶片3a及3b所發射的光與螢光本體層31中的波長轉換光之混合光的色度。
第15圖顯示CIExy色度圖。座標A顯示從GaN為基的晶片所發射之藍光的色度，且座標B顯示單獨從黃色螢光本體層所發射之光的色度。
藉由調整螢光本體層31的厚度，可能沿著座標A與座標B間以虛線所示之直線來調整色度。色度可以在螢光本體層31相對薄時朝向座標A側調整，且色度可以在在螢光本體層31相對厚時朝向座標B側調整。
此外，第4圖為顯示中央晶片3a與周邊晶片3b間的連接關係之電路圖。
將中央晶片3a及周邊晶片3b並聯連接至電源供應100。將該二個周邊晶片3b串聯連接。
藉由調整從電源供應100所供應至並聯連接之中央晶片3a與周邊晶片3b各者的電源，可能調整中央晶片3a 與周邊晶片3b間的發光強度之比。
例如，藉由在中央晶片3a與周邊晶片3b間相對地改變輸入電流量，可能調整中央晶片3a與周邊晶片3b間的發光強度之比。替代地，藉由調整中央晶片3a與周邊晶片3b間的輸入功率之工作比，可能調整中央晶片3a與周邊晶片3b間的發光強度之比。
當輸入功率(電流)針對其中螢光本體層31相對薄的中央晶片3a增加時，半導體發光裝置10發射具有較大量藍色分量的混合光。當輸入功率(電流)針對其中螢光本體層31相對厚的周邊晶片3b增加時，半導體發光裝置10發射具有較大量黃色分量的混合光。
即，藉由改變中央晶片3a與周邊晶片3b間的第一面15a上所設置之螢光本體層31的厚度並且藉由調整被並聯連接之中央晶片3a及周邊晶片3b間的輸入功率，可能調整從半導體發光裝置10所發射之混合光的色度。
此外，依據該實施例，儘管螢光本體層31的厚度在從發光面側的平面圖中的中央與周邊間改變，具有相同厚度且相對於該中央互相對稱配置的螢光本體層31被設置於該周邊上。因此，當半導體發光裝置10從第1圖中的螢光本體層31側觀看時，均勻的混色效果及光分佈可被獲得。
第3A至3C圖顯示中央晶片3a及周邊晶片3b之平面圖佈局的其他特定實例。
包括中央晶片3a及周邊晶片3b的複數個晶片可在平 面中的二維方向中對齊，如第3A至3C圖中所示，不限於一維方向。中央晶片3a的數量不限於一個且可為不少於二個。將至少不少於二個的晶片3b互相對稱配置而夾住中央晶片3a、在中央晶片3a的周邊。
第3A圖顯示其中四個周邊晶片3b以十字形在一個中央晶片3a的周邊上對齊的佈局。
第3B圖顯示其中八個周邊晶片3b以格狀圖案在一個中央晶片3a的周邊上對齊的佈局。
第3C圖顯示其中12個周邊晶片3b以格狀圖案在四個中央晶片3a的周邊上對齊的佈局。
在第3A至3C圖的任何特定實例中，設置於第一面15a上的螢光本體層31之厚度在中央晶片3a與周邊晶片3b間改變，並且具有相同厚度的螢光本體層31被設置於複數個周邊晶片3b上。因此，當半導體發光裝置從發光面側觀看時，均勻的混色效果及光分佈可被獲得。
其次，參照第5A圖至第7D圖，該實施例之半導體發光裝置10的製造方法將被解說。
第5A圖顯示晶圓的剖面圖，在該晶圓上將包括第一半導體層11及第二半導體層12的半導體層15形成於基板5之主要面上。將第一半導體層11形成於基板5的主要面上，且將第二半導體層12形成於此第一半導體層11上。
例如，由氮化鎵為基之材料所製成的第一半導體層11及第二半導體層12可藉由MOCVD(金屬有機化學氣相沈 積)法來磊晶生長於藍寶石基板上。
第一半導體層11包括基礎緩衝層及n型GaN層。第二半導體層12包括發光層12a(第1圖中所示)及p型GaN層。對於發光層12a，可能使用發射藍光、紫光、藍紫光、近紫外光、紫外光、或相似者的材料。第一半導體層11中的接觸基板5之面為半導體層15的第一面15a。
在半導體層15已經形成於基板5上以後，如第5B圖中所示藉由RIE(反應性離子蝕刻)使用圖式中未顯示的抗蝕層將第二半導體層12選擇性移除，且將第一半導體層11選擇性暴露。第一半導體層11被暴露的區不包括發光層12a。
其次，如第5C圖中所示，將p側電極16形成於第二半導體層12的面上且將n側電極17形成於第一半導體11的面上。p側電極16及n側電極17藉由例如濺鍍法、蒸鍍法、或相似者來加以形成。針對p側電極16及n側電極17，任一者可先被形成且兩者可用相同材料在相同時刻形成。
此處，儘管在第5C圖以後例示將從製程剖面圖加以省略，將第1圖中所示的絕緣膜14形成於第二面側。
其次，如第5C圖中所示藉由RIE例如使用圖式中未顯示的抗蝕遮罩來將到達基板5的槽6形成於半導體層15中。將槽6例如以格狀圖案的平面佈局方式形成於處於晶圓狀態的基板5上。半導體層15被槽6分割成複數個晶片3。
分割半導體層15而成為複數個晶片3的製程可在電極16及17被形成以前於第5B圖所示的步驟中加以實施。
其次，基板5的整個暴露部份被第6A圖中所示的絕緣層18所覆蓋。之後，藉由使用圖式中未顯示之抗蝕遮罩的蝕刻來將第一穿孔18a及第二穿孔18b形成於絕緣層18中。第一穿孔18a到達p側電極16且第二穿孔18b到達n側電極17。
其次，將用作晶種金屬以供電鍍的金屬膜(其未顯示於於圖式中)形成於佈線面18c(其為絕緣層18的上面)、第一穿孔18a的內壁、及第二穿孔18b的內壁上。接著，將圖式中未顯示的抗蝕層選擇性形成於金屬膜上，且使用該金屬膜作為電流路徑的Cu電解電鍍被實施。
藉由此電鍍，如第6B圖中所示在佈線面18c上選擇性形成p側佈線層21及n側佈線層22。p側佈線層21及n側佈線層22由例如銅材料(其在相同時刻藉由電鍍加以形成)所製成。
p側佈線層21也被形成於第一穿孔18a內且經由晶種金屬的金屬膜電連接至p側電極16。n側佈線層22也被形成於第二穿孔18b內且經由晶種金屬的金屬膜電連接至n側電極17。
其次，Cu電解電鍍藉由使用圖式中未顯示的抗蝕層作為遮罩且使用尚存的金屬膜作為電流路徑來加以實施。藉由此電鍍，如第6C圖中所示，p側金屬柱23及n側金 屬柱24被形成。將p側金屬柱23形成於p側佈線層21上，且將n側金屬柱24形成於n側佈線層22上。
在p側金屬柱23及n側金屬柱24已經形成以後，將已經用來作為晶種金屬之金屬膜的暴露部份移除。因此，連接p側佈線層21與n側佈線層22的金屬膜被割除。
其次，第1圖中所示的樹脂層25被形成。接著，在其中晶片3被包括p側金屬柱23、n側金屬柱24、及樹脂層25的支撐本體所支撐的狀態中，基板5藉由例如雷射剝除法加以移除。
將雷射光束從基板5的背面側導向第一半導體層11。雷射光束具有對基板5的通透性(permeability)且具有處於第一半導體層11的吸收區中的波長。
當雷射光束到達基板5與第一半導體層11的邊界面時，接近該邊界面的第一半導體層11吸收雷射光束能量且被分解。例如，將GaN為基的材料之第一半導體層11分解成鎵(Ga)及氮氣。藉由此分解反應，微小間隙形成於基板5與第一半導體層11之間，且基板5與第一半導體層11互相分開。雷射照射係針對整個晶圓之上的各別預定區實施複數次且基板5被移除。
由於半導體層15被比半導體層15更厚的支撐本體所支撐，所以即使基板5被移除時可保持晶圓狀態。此外，相較於GaN為基的材料之半導體層15，構成樹脂層25的樹脂以及構成p側金屬柱23及n側金屬柱24的金屬為軟材料。因此，即使形成半導體層15於基板5上的磊晶生 長中所產生之巨大內部應力在基板5剝離時的單個叢發中被釋放，有可能避免晶片3的損傷。
在基板5的移除以後，第一面15a被清洗且受到霧化處理(frost processing)而視需要形成不平整。藉由形成微小不平整於第一面15a上，可能改善光擷取效率。之後，如第7A圖中所示，在第一面15a上，螢光本體層31被形成。
形成螢光本體層31的製程包括藉由印刷法、灌注(potting)法、造模法、壓縮成形法、或相似者供應其中散佈磷光體粒子的液態透明樹脂至第一面15a上的製程；以及實施該透明樹脂的熱固化之製程。
在螢光本體層31的形成以後，藉由例如機械切割工作將螢光本體層31選擇性切薄。因此，如第7B圖中所示，螢光本體層31的厚度之變化在晶圓內產生。
根據在使晶片3a及3b各者在晶圓狀態中發射光時於螢光本體層31的上面側上所獲得的光之波長的量測結果，設定螢光本體層31的切割量(即螢光本體層31的厚度)。
之後，晶圓在槽6的位置被切割且分割成複數個半導體發光裝置10。如第7C圖中所示，半導體發光裝置10一單位一單位地從晶圓分割，該單位包括一個中央晶片3a及二個周邊晶片3b(互相對稱配置而夾住中央晶片3a)。
如以上所述，二個周邊晶片3b上所設置之螢光本體 層31的厚度互相相同且周邊晶片3b上所設置之螢光本體層31的厚度比中央晶片3a上所設置之螢光本體層31的厚度更厚。
替代地，如第7D圖中所示，周邊晶片3b上所設置的螢光本體層31比中央晶片3a上所設置的螢光本體層31更厚。並且在第7D圖中的結構中，當半導體發光裝置從發光面側觀看時可獲得均勻的混色效果及光分佈。
在切割中，由於硬的藍寶石基板5已經被移除，不需要切割基板5且實施該切割變得容易。
此外，在槽6中，半導體15未形成但樹脂的絕緣層18被式設置。此外，在第7B圖之槽6的下部份中，樹脂層25被設置。因此，在切割區中，半導體層15未設置但比半導體層15更軟的樹脂層被設置。因此，可能避免半導體15在切割期間接收的傷害。此外，在切割區中，佈線層或金屬柱也未設置。
切割以前的各個製程集體在晶圓狀態中實施。因此，在切割以後，不需要針對各個半導體發光裝置形成支撐體且由絕緣材料保護晶片，且因此變得有可能顯著降低生產成本。在被分割成塊的狀態中，晶片3a及3b的側面已經被絕緣層18所覆蓋及保護。
(第二實施例)
第8D圖為第二實施例之半導體發光裝置的示意剖面圖。
此半導體發光裝置如同第一實施例也包括例如一個中央晶片3a及互相對稱配置之夾住中央晶片3a的二個周邊晶片3b。晶片以及支撐該晶片的支撐體之配置與第一實施例中的配置相同。
此外，將中央晶片3a及周邊晶片3b並聯連接至電源供應，且藉由調整從該電源供應所供應至中央晶片3a與周邊晶片3b各者的電源，可能調整中央晶片3a與周邊晶片3b間的發光強度之比。
二個周邊晶片3b上所設置之螢光本體層31的厚度互相相同。此外，中央晶片3a上的螢光本體層31的厚度與周邊晶片3b上的螢光本體層31的厚度互相不同。在第二實施例中，螢光本體層31未設置於中央晶片3a上且中央晶片3a上的螢光本體層31的厚度為零。即，其中螢光本體層31的厚度在中央晶片3a與周邊晶片3b之間不同的措辭包括存在或不存在螢光本體層31。
並且在第二實施例中，藉由變化中央晶片3a與周邊晶片3b間的螢光本體層31的厚度並且藉由調整並聯連接的中央晶片3a與周邊晶片3b間的輸入功率，可能調整從半導體發光裝置所發射之混合光的色度。
此外，相對於中央互相對稱配置且具有相同厚度的螢光本體層31被設置於周邊上。因此，當半導體發光裝置從螢光本體層31側觀看時，可能獲得均勻的混色效果及光分佈。
此外，當螢光本體層31的厚度在中央晶片3a與周邊 晶片3b間變化時，將中央晶片3a上的螢光本體層31的厚度設定為零，即螢光本體層31未設置於中央晶片3a上。因此，螢光本體層31的使用可被降低且成本降低被實現。
此處，從中央晶片3a，光也在對第一面15a斜角的方向中發射且該光可在周邊晶片3b上的螢光本體層31中行進。因此，周邊晶片3b上的螢光本體層31可以也藉由激發從中央晶片3a所發射之光來實施波長轉換。
其次，參照第8A至8D圖，第二實施例之半導體發光裝置的製造方法將被解說。
直到移除基板5的製程如同第一實施例中加以實行。
在基板5已經移除以後，如第8A圖中所示，將犧牲層41形成於從晶圓內的晶片之間所選出的晶片3a上。
當犧牲層41為具有感光性的樹脂時，在犧牲層41已經形成於晶圓的整個面之上以後，經由使用光罩將犧牲層41選擇性曝光。在曝光以後，藉由顯影將犧牲層41選擇性移除。
替代地，在無機犧牲層41已經形成於晶圓的整個面之上以後，將光阻形成於犧牲層41上。接著，藉由光阻的曝光及顯影，該光阻被圖案化。接著，經由使用被圖案化的光阻作為遮罩，將犧牲層41選擇性蝕刻。
例如，犧牲層41在一維對齊方向中形成於晶圓內之複數個晶片的每隔一個晶片上。
在犧牲層41的形成以後，將螢光本體層31形成於晶 圓上。如第8B圖中所示，螢光本體層31充填犧牲層41與犧牲層41間的空間且被形成於犧牲層41未形成於其上的晶片3b上。
藉由形成犧牲層41以便使其剖面具有梯形，犧牲層41與犧牲層41間的空間的上端開口變得比底部份更寬且螢光本體層31的嵌入性質被改善。
之後，藉由例如切割工作將犧牲層41上的螢光本體層31移除，且犧牲層41的上面被暴露。接著，如第8C圖中所示，將犧牲層41選擇性移除。將螢光本體層31留在晶片3b上。
接著，如同在第一實施例中，晶圓在槽6的位置被切割且分割成半導體發光裝置。如第8D圖中所示，半導體發光裝置一單位一單位地從晶圓分割，該單位包括一個中央晶片3a及二個周邊晶片3b(互相對稱配置而夾住中央晶片3a)。
如以上所述，二個周邊晶片3b上所設置之螢光本體層31的厚度互相相同且螢光本體層31未設置於中央晶片3a上。
替代地，如第8E圖中所示，半導體發光裝置可具有其中螢光本體層31被設置於中央晶片3a上且螢光本體層31未設置於周邊晶片3b上的結構。並且在第8E圖的此結構中，由於周邊上的螢光本體層31的厚度相對於中央呈對稱變化(零厚度)，當半導體發光裝置從發光面側觀看時，可獲得均勻的混色效果及光分佈。
藉由使用犧牲層41的製程，可能輕易在晶圓階層中選擇性形成螢光本體層31。
(第三實施例)
第9C圖為第三實施例之半導體發光裝置的示意剖面圖。
此半導體發光裝置如同第一實施例也包括例如一個中央晶片3a及互相對稱配置之夾住中央晶片3a的二個周邊晶片3b。晶片以及支撐該晶片的支撐體之配置與第一實施例中的配置相同。
此外，將中央晶片3a及周邊晶片3b並聯連接至電源供應，且藉由調整從該電源供應所供應至中央晶片3a與周邊晶片3b各者的功率，可能調整中央晶片3a與周邊晶片3b間的發光強度之比。
二個周邊晶片上所設置之螢光本體層31的厚度彼此相同。此外，中央晶片3a上的螢光本體層31的厚度與周邊晶片3b上的螢光本體層31的厚度互相不同。在第三實施例中，螢光本體層31未設置於中央晶片3a上且中央晶片3a上的螢光本體層31的厚度為零。接著，在中央晶片3a上，設有從發光層所發射之光可穿透的透明樹脂層42。藉由透明樹脂層42，中央晶片3a的第一面15a可受到保護。
並且在第三實施例中，藉由變化中央晶片3a與周邊晶片3b間的螢光本體層31的厚度並且藉由調整並聯連接 的中央晶片3a與周邊晶片3b各者的輸入功率，可能調整從半導體發光裝置所發射之混合光的色度。
此外，相對於中央互相對稱配置且具有相同厚度的螢光本體層31被設置於周邊上。因此，當半導體發光裝置從螢光本體層31側觀看時，可能獲得均勻的混色效果及光分佈。
此外，當螢光本體層31的厚度在中央晶片3a與周邊晶片3b間變化時，將中央晶片3a上的螢光本體層31的厚度設定為零，即螢光本體層31未設置於中央晶片3a上。因此，螢光本體層31的使用可被降低且成本降低被實現。
其次，參照第9A至9C圖，第三實施例之半導體發光裝置的製造方法將被解說。
如同第一實施例，一直到移除基板5為止的製程被加以實行。
在基板5已經移除以後，如第9A圖中所示，將透明樹脂層42形成於晶圓內的晶片之間所選出的晶片3a上。
當透明樹脂層42為具有感光性的樹脂時，在透明樹脂層42已經形成於晶圓的整個面之上以後，藉由使用光罩將透明樹脂層42選擇性曝光。在曝光以後，藉由顯影將透明樹脂層42選擇性移除。
替代地，在透明樹脂層42已經形成於晶圓的整個面上以後，將光阻形成於透明樹脂層42上。接著，藉由光阻的曝光及顯影，該光阻被圖案化。之後，藉由使用被圖 案化的光阻作為遮罩，將透明樹脂層42選擇性蝕刻。
例如，透明樹脂層42在一維對齊方向中形成於晶圓內之複數個晶片的每隔一個晶片上。
在透明樹脂層42的形成以後，將螢光本體層31形成於晶圓上。如第9B圖中所示，螢光本體層31充填透明樹脂層42與透明樹脂層42間的空間且被形成於透明樹脂層42未形成於其上的晶片3b上。
之後，如同在第一實施例中，晶圓在槽6的位置被切割且分割成半導體發光裝置。如第9C圖中所示，半導體發光裝置一單位一單位地從晶圓分割，該單位包括一個中央晶片3a及二個周邊晶片3b(互相對稱配置而夾住中央晶片3a)。
如以上所述，二個周邊晶片3b上所設置之螢光本體層31的厚度彼此相同且在中央晶片3a上未設置螢光本體層31但設置透明樹脂層42。
替代地，如第9D圖中所示，半導體發光裝置可具有其中螢光本體層31被設置於中央晶片3a上且透明樹脂層42而非螢光本體層31被設置於周邊晶片3b上的結構。並且在第9D圖的此結構中，由於周邊上的螢光本體層31的厚度相對於中央而對稱變化(零厚度)，所以當半導體發光裝置從發光面側觀看時可獲得均勻的混色效果及光分佈。
(第四實施例)
第11D圖為第四實施例之半導體發光裝置的示意剖面圖。
此半導體發光裝置也包括例如一個中央晶片3a及互相對稱配置之夾住中央晶片3a的二個周邊晶片3b及3c。晶片以及支撐該晶片的支撐體之配置與第一實施例中的配置相同。
二個周邊晶片3b及3c之中，將第一螢光本體層32設置於一個周邊晶片3b上且將第二螢光本體層33設置於另一晶片3c上。
第一螢光本體層32及第二螢光本體層33的種類互相不同。第一螢光本體層32具有其中綠色磷光體粒子(當接收到來自晶片的激發光時發射綠光)被散佈於透明樹脂中的結構。第二螢光本體層33具有其中紅色磷光體粒子(當接收到來自晶片的激發光時發射紅光)被散佈於透明樹脂中的結構。
周邊晶片3b上所設置之第一螢光本體層32的厚度與周邊晶片3c上所設置之第二螢光本體層33的厚度互相相同。螢光本體層未設置於中央晶片3a上且中央晶片3a上的螢光本體層的厚度為零。
中央晶片3a、周邊晶片3b、及周邊晶片3c具有相同配置且發射藍光。結果，依據第四實施例的半導體發光裝置，來自各個晶片的藍光、來自第一螢光本體層32的綠光、及來自第二螢光本體層33的紅光被混合，且白色或燈泡色被獲得。
此外，將中央晶片3a、周邊晶片3b、及周邊晶片3c並聯連接至電源供應，且藉由調整從該電源供應所供應至各個晶片的電源，可能調整該等晶片之間的發光強度之比，且可能調整從半導體發光裝置所發射之混合光的色度。
此處，從中央晶片3a，光也在對第一面15a斜角的方向中發射且該光可在周邊晶片3b上的第一螢光本體層32中與在周邊晶片3c上的第二螢光本體層33中行進。因此，第一螢光本體層32及第二螢光本體層33可以也藉由激發從中央晶片3a所發射之光來實施波長轉換。
第16A圖顯示CIExy色度圖。座標C顯示從螢光本體層未設置於其上的中央晶片3a所發射之藍光的色度。座標D顯示周邊晶片3b的發射光與其上第一螢光本體層32的發射光之混合光的色度。座標E顯示周邊晶片3c的發射光與其上第二螢光本體層33的發射光之混合光的色度。
藉由調整中央晶片3a、周邊晶片3b、及周邊晶片3c各者的輸入功率，可能實現在具有座標C、D、及E作為頂點之三角範圍內的色度。
其次，參照第10A至11D圖，第四實施例之半導體發光裝置的製造方法將被解說。
直到移除基板5的製程如同第一實施例中加以實行。
在基板5已經移除以後，如第10A圖中所示，將第一犧牲層43形成於晶圓內的晶片之間所選出的晶片上。在第10A圖所示之晶圓的局部剖面中，將第一犧牲層43形 成於互相鄰接的二個晶片3a及3c上。
當第一犧牲層43為具有感光性的樹脂時，在第一犧牲層43已經形成於晶圓的整個面之上以後，經由使用光罩將第一犧牲層43選擇性曝光。在曝光以後，藉由顯影將第一犧牲層43選擇性移除。
替代地，在無機第一犧牲層43已經形成於晶圓的整個面之上以後，將光阻形成於第一犧牲層43上。接著，藉由光阻的曝光及顯影，該光阻被圖案化。之後，經由使用被圖案化的光阻作為遮罩，將第一犧牲層43選擇性蝕刻。
在第一犧牲層43的形成以後，如第10B圖中所示，將第一螢光本體層32形成於晶圓上。將第一螢光本體層32形成於第一犧牲層43未形成於其上的晶片3b上。
之後，藉由例如切割工作將第一犧牲層43上的第一螢光本體層32移除，且如第10C圖中所示將第一犧牲層43的上面暴露。接著，如第10D圖中所示，將第一犧牲層43選擇性移除。將第一螢光本體層32留在晶片3b上。
其次，在其上移除第一犧牲層43之二個鄰接晶片3a及3c的一個晶片3a上，如第10E圖中所示，第二犧牲層44被形成。第二犧牲層44可藉由與第一犧牲層43相同的方法加以形成。
在第二犧牲層44的形成以後，如第11A圖中所示，將第二螢光本體層33形成於晶圓上。將第二螢光本體層 33形成於第一螢光本體層32未形成於其上或第二犧牲層44未形成於其上的晶片3c上。
之後，藉由例如切割工作將第一螢光本體層32與第二犧牲層44上的第二螢光本體層33移除，且如第11B圖中所示，第一螢光本體層32的上面以及第二犧牲層44的上面被暴露。
接著，如第11C圖中所示，將第二犧牲層44選擇性移除。將第一螢光本體層32留在晶片3b上，且將第二螢光本體層33留在晶片3c上。
之後，如同在第一實施例中，晶圓在槽6的位置被切割且分割成半導體發光裝置。如第11D圖中所示，半導體發光裝置一單位一單位地從晶圓分割，該單位包括一個中央晶片3a及二個周邊晶片3b與3c(互相對稱對齊而夾住中央晶片3a)。
藉由使用第一犧牲層43及第二犧牲層44的製程，可能輕易在晶圓階層中形成一結構，該結構在一個封裝中包括螢光本體層未設置於其上的中央晶片3a、第一螢光本體層32未設置於其上的周邊晶片3b、及第二螢光本體層33(種類不同於第一螢光本體層32)被設置於其上的周邊晶片3c。
(第五實施例)
第12C圖為第五實施例之半導體發光裝置的示意剖面圖。
此半導體發光裝置也包括例如一個中央晶片3a及互相對稱配置之夾住中央晶片3a的二個周邊晶片3b及3c。晶片以及支撐該晶片的支撐體之配置與第一實施例中的配置相同。
二個周邊晶片3b及3c之中，將第一螢光本體層32設置於一個周邊晶片3b上且將第二螢光本體層33設置於另一晶片3c上。在中央晶片3a上，第三螢光本體層34被設置。
第一螢光本體層32、第二螢光本體層33、及第三螢光本體層34的種類互相不同。第一螢光本體層32具有其中綠色磷光體粒子(當接收到來自晶片的激發光時發射綠光)被散佈於透明樹脂中的結構。第二螢光本體層33具有其中紅色磷光體粒子(當接收到來自晶片的激發光時發射紅光)被散佈於透明樹脂中的結構。第三螢光本體層34具有其中藍色磷光體粒子(當接收到來自晶片的激發光時發射藍光)被散佈於透明樹脂中的結構。
中央晶片3a、周邊晶片3b、及周邊晶片3c具有相同配置且發射紫外光或近紫外光。從晶片3a及3b所發射的紫外光或近紫外光不是直接構成白光的分量。
即，依據第五實施例的半導體發光裝置，來自第一螢光本體層32的綠光、來自第二螢光本體層33的紅光、及來自第三螢光本體層34的藍光被混合，且白色或燈泡色被獲得。
此外，將中央晶片3a、周邊晶片3b、及周邊晶片3c 並聯連接至電源供應，且藉由調整從該電源供應所供應至各個晶片的電源，可能調整該等晶片之間的發光強度之比，且可能調整從半導體發光裝置所發射之混合光的色度。
第16B圖顯示CIExy色度圖。座標H顯示第三單一螢光本體層34之發射光(藍光)的色度。座標I顯示第一單一螢光本體層32之發射光(綠光)的色度。座標J顯示第二單一螢光本體層33之發射光(紅光)的色度。
藉由調整中央晶片3a、周邊晶片3b、及周邊晶片3c的輸入功率，可能實現在具有座標H、I、及J作為頂點之三角範圍內的色度。
其次，參照第12A至12C圖，第五實施例之半導體發光裝置的製造方法將被解說。
直到第11C圖中所示之移除第二犧牲層44的製程如同第四實施例中加以實行。
在第二犧牲層44已經移除以後，如第12A圖中所示，將第三螢光本體層34形成於晶圓上。將第三螢光本體層34形成於其上第二犧牲層44被移除的晶片3a上。
之後，藉由例如切割工作將第一螢光本體層32與第二螢光本體層33上的第三螢光本體層34移除，且如第12B圖中所示，第一螢光本體層32的上面以及第二螢光本體層33的上面被暴露。
接著，晶圓在槽6的位置被切割且分割成半導體發光裝置。如第12C圖中所示，半導體發光裝置一單位一單位地從晶圓分割，該單位包括一個中央晶片3a及二個周邊 晶片3b與3c(互相對稱配置而夾住中央晶片3a)。
依據第五實施例，藉由使用第一犧牲層43及第二犧牲層44的製程，可能輕易在晶圓階層中形成一結構，該結構在一個封裝中包括第一螢光本體層32被設置於其上的周邊晶片3b、第二螢光本體層33(種類不同於第一螢光本體層32)被設置於其上的周邊晶片3c、及第三螢光本體層34(種類不同於第一螢光本體層32與第二螢光本體層33)被設置於其上的中央晶片3a。
(第六實施例)
第13C圖為第六實施例之半導體發光裝置的示意剖面圖。
此半導體發光裝置不同於第11D圖中所示之第四實施例的半導體發光裝置之處在於，濾光膜51被形成於第一螢光本體層32的上面以及第二螢光本體層33的上面。
濾光膜51為例如介電多層膜，且具有針對從晶片3a及3b所發射之藍光的反射性。濾光膜51具有對從第一螢光本體層32所發射之綠光以及從第二螢光本體層33所發射之紅光的通透性。
第16A圖顯示CIExy色度圖。座標C顯示從螢光本體層未設置於其上的中央晶片3a所發射之藍光的色度。座標F顯示來自第一螢光本體層(綠色螢光本體層)32(其上面上設置有濾光膜51)之發射光(綠光)的色度。座標G顯示來自第二螢光本體層(紅色螢光本體層)33(其 上面上設置有濾光膜51)之發射光(紅光)的色度。
依據第六實施例，藉由調整中央晶片3a、周邊晶片3b、及周邊晶片3c的輸入功率，可能實現在具有座標C、F、及G作為頂點之三角範圍內的色度。
在第六實施例中，在綠色螢光本體層的上面以及紅色螢光本體層的上面上，將濾光膜51設置成反射來自晶片的藍光。因此，可能擴展第六實施例中的色度可調整範圍超過第四實施例(其可實現在具有座標C、D、及E作為頂點之三角範圍內的色度)。
其次，參照第13A至13C圖，第六實施例之半導體發光裝置的製造方法將被解說。
直到第11B圖中所示之形成第二螢光本體層33的製程如同第四實施例中加以實行。
接著，在第二螢光本體層33已經移除以後，如第13A圖中所示，將濾光膜51形成於晶圓的整個面之上的第一螢光本體層32的上面、第二犧牲層44的上面、及第二螢光本體層33的上面上。
其次，如第13B圖中所示，將第二犧牲層44選擇性移除。第二犧牲層44的上面上的濾光膜51連同第二犧牲層44藉由剝除加以移除。
之後，晶圓在槽6的位置被切割且分割成半導體發光裝置。如第13C圖中所示，半導體發光裝置一單位一單位地從晶圓分割，該單位包括一個中央晶片3a及二個周邊晶片3b與3c(互相對稱配置而夾住中央晶片3a)。
藉由使用第一犧牲層43及第二犧牲層44的製程，可能輕易在晶圓階層中形成一結構，該結構在一個封裝中包括第一螢光本體層32未設置於其上的中央晶片3a、濾光膜51及第一螢光本體層32被設置於其上的周邊晶片3b、及濾光膜51及第二螢光本體層33被設置於其上的周邊晶片3c。
(第七實施例)
第14B圖為第七實施例之半導體發光裝置的示意剖面圖。
此半導體發光裝置不同於第11D圖中所示之第四實施例的半導體發光裝置之處在於，透明樹脂層52被設置於中央晶片3a上。透明樹脂層52為從晶片3a及3b所發射之光可穿透的透明樹脂層。藉由透明樹脂層52，中央晶片3a的第一面15a可受到保護。
其次，參照第14A至14B圖，第七實施例之半導體發光裝置的製造方法將被解說。
如同第四實施例，一直到第11C圖中所示之移除第二犧牲層44為止的製程係加以實行。
接著，在其上移除第二犧牲層44的晶片3a上，如第14A圖中所示，透明樹脂層52被形成。
接著，晶圓在槽6的位置被切割且分割成半導體發光裝置。如第14B圖中所示，半導體發光裝置一單位一單位地從晶圓分割，該單位包括一個中央晶片3a及二個周邊 晶片3b與3c(互相對稱配置而夾住中央晶片3a)。
依據第七實施例，藉由使用第一犧牲層43及第二犧牲層44的製程，可能輕易在晶圓階層形成一結構，該結構在一個封裝中包括第一螢光本體層32被設置於其上的周邊晶片3b、第二螢光本體層33(種類不同於第一螢光本體層32)被設置於其上的周邊晶片3c、及透明樹脂層52被設置於其上的中央晶片3a。
在上述實施例的各者中，在移除基板以暴露第一面15a以後且在形成螢光本體層以前，藉由形成諸如氮化矽的無機膜於整個面之上，第一面15a的保護以及光擷取效率的改善可被實現。
作為上述螢光本體層，以下待加以示出的紅色螢光本體層、黃色螢光本體層、綠色螢光本體層、或藍色螢光本體層可被使用。
紅色螢光本體層可含有例如氮化物為基的螢光本體CaAlSiN3：Eu或SiAlON為基的螢光本體。
當SiAlON為基的螢光本體被使用時，尤其(M1-x,Rx)a1AlSib1Oc1Nd1………組成式(1)
(此處，M為排除Si及Al的至少一種金屬元素，且尤其Ca與Sr的至少任一者為想要的。R為發光中心元素，且尤其Eu為想要的。x、a1、b1、c1、及d1滿足下列關係。x大於0且小於或等於1，a1大於0.6且小於0.95，b1大於2且小於3.9，c1大於0.25且小於0.45，且d1大於4且小於5.7)可被使用。
藉由使用組成式(1)所表示之SiAlON為基的螢光本體，可能改善波長轉換效率的溫度特性且進一步改善巨大電流密度區中的效率。
黃色螢光本體層可含有例如矽酸鹽為基的螢光本體(Sr,Ca,Ba)2SiO4：Eu。
綠色螢光本體層可含有例如鹵化磷酸為基的螢光本體(Ba,Ca,Mg)10(PO4)6Cl2：Eu或SiAlON為基的螢光本體。
當SiAlON為基的螢光本體被使用時，尤其(M1-x,Rx)a2AlSib2Oc2Nd2………組成式(2)
(此處，M為排除Si及Al的至少一種金屬元素，且尤其Ca與Sr的至少任一者為想要的。R為發光中心元素，且尤其Eu為想要的。x、a2、b2、c2、及d2滿足下列關係。x大於0且小於或等於1，a2大於0.93且小於1.3，b2大於4.0且小於5.8，c2大於0.6且小於1，且d2大於6且小於11)可被使用。
藉由使用組成式(2)所表示之SiAlON為基的螢光本體，可能改善波長轉換效率的溫度特性且進一步改善巨大電流密度區中的效率。
藍色螢光本體層可含有例如氧化物為基的螢光本體BaMgAl10O17：Eu。
儘管某些實施例已經加以描述，這些實施例僅藉由舉例方式加以呈現，且非意圖限制本發明的範圍。的確，此處所述的新穎實施例可用各種其他形式加以體現；此外，此處所述之實施例的形式之各種省略、替換及改變可被作 出而不背離本發明的精神。隨附申請專利範圍及其等效物意圖涵蓋此種形式或修改而在本發明的範圍與精神內。
3a‧‧‧晶片
3b‧‧‧晶片
3c‧‧‧晶片
5‧‧‧基板
6‧‧‧槽
10‧‧‧半導體發光裝置
11‧‧‧第一半導體層
12‧‧‧第二半導體層
12a‧‧‧發光層
14‧‧‧絕緣膜
15‧‧‧半導體層
15a‧‧‧第一面
16‧‧‧p側電極
17‧‧‧n側電極
18‧‧‧絕緣層
18a‧‧‧第一穿孔
18b‧‧‧第二穿孔
18c‧‧‧佈線面
21‧‧‧p側佈線層
22‧‧‧n側佈線層
23‧‧‧p側金屬柱
23a‧‧‧p側外部終端
24‧‧‧n側金屬柱
24a‧‧‧n側外部終端
25‧‧‧樹脂層
31‧‧‧螢光本體層
32‧‧‧第一螢光本體層
33‧‧‧第二螢光本體層
34‧‧‧第三螢光本體層
41‧‧‧犧牲層
42‧‧‧透明樹脂層
43‧‧‧第一犧牲層
44‧‧‧第二犧牲層
51‧‧‧濾光膜
52‧‧‧透明樹脂層
100‧‧‧電源供應
第1圖為第一實施例之半導體發光裝置10的示意剖面圖。
第2A圖為第一實施例之半導體發光裝置的示意平面圖，且第2B圖為一個晶片的示意平面圖。
第3A至3C圖顯示第一實施例之半導體發光裝置中的複數個晶片之佈局。
第4圖為顯示第一實施例之半導體發光裝置中的複數個晶片的連接關係之電路圖。
第5A至7D圖為顯示第一實施例之半導體發光裝置的製造方法之剖面。
第8A至8E圖顯示了顯示第二實施例之半導體發光裝置的製造方法之剖面。
第9A至9D圖顯示了顯示第三實施例之半導體發光裝置的製造方法之剖面。
第10A至11D圖顯示了顯示第四實施例之半導體發光裝置的製造方法之剖面。
第12A至12C圖顯示了顯示第五實施例之半導體發光裝置的製造方法之剖面。
第13A至13C圖顯示了顯示第六實施例之半導體發光裝置的製造方法之剖面。
第14A及14B圖顯示了顯示第七實施例之半導體發光裝置的製造方法之剖面。
第15圖為顯示第一實施例半導體發光裝置的色度之可調整範圍的CIExy色度圖。
第16A圖為顯示第四及第六實施例半導體發光裝置的色度之可調整範圍的CIExy色度圖，且第16B圖為顯示第五實施例半導體發光裝置的色度之可調整範圍的CIExy色度圖。
3a‧‧‧晶片
3b‧‧‧晶片
10‧‧‧半導體發光裝置
11‧‧‧第一半導體層
12‧‧‧第二半導體層
12a‧‧‧發光層
14‧‧‧絕緣膜
15‧‧‧半導體層
15a‧‧‧第一面
16‧‧‧p側電極
17‧‧‧n側電極
18‧‧‧絕緣層
18a‧‧‧第一穿孔
18b‧‧‧第二穿孔
18c‧‧‧佈線面
21‧‧‧p側佈線層
22‧‧‧n側佈線層
23‧‧‧p側金屬柱
23a‧‧‧p側外部終端
24‧‧‧n側金屬柱
24a‧‧‧n側外部終端
25‧‧‧樹脂層
31‧‧‧螢光本體層

Claims (23)

  1. 一種半導體發光裝置，包含：不少於三個晶片，該等晶片各者包括：半導體層，具有第一面、形成於與該第一面相對的側上的第二面、及發光層；設置於具有該發光層的區中的該第二面上之p側電極；及設置於沒有該發光層的區中的該第二面上之n側電極；及相同種類之設置於該等晶片的第一面上之螢光本體層，該等晶片包括：在平面圖中定位於中央的中央晶片；及在平面圖中互相對稱配置之夾住該中央晶片的至少二個周邊晶片，在該第一面上的該螢光本體層之厚度係在該等周邊晶片之間相同，且該中央晶片的第一面上的該螢光本體層與該等周邊晶片的第一面上的該等螢光本體層具有互相不同的厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包含：第一絕緣層，其係設置於該第二面側上且其具有通到該p側電極的第一孔洞、通到該n側電極的第二孔洞、及形成於與該第一面相對的側上的佈線面；p側佈線部份，其係設置於該第一絕緣層上的該佈線面上且其係經由該第一孔洞電連接至該p側電極；及n側佈線部份，其係設置於該佈線面上且其係經由該 第二孔洞電連接至該n側電極。
  3. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中該第一絕緣層覆蓋從該晶片的第一面延伸的側面。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之裝置，進一步包含被設置於該p側佈線部份與該n側佈線部份間的第二絕緣層。
  5. 如申請專利範圍第4項之裝置，其中該第二絕緣層覆蓋該p側佈線部份的周邊及該n側佈線部份的周邊。
  6. 如申請專利範圍第2或3項之裝置，其中該p側佈線部份具有設置於該第一孔洞內且在該佈線面上的p側佈線層，及p側金屬柱，其係設置於該p側佈線層上且具有比該p側佈線層的厚度更大的厚度，且該n側佈線部份具有設置於該第二孔洞內且在該佈線面上的n側佈線層，及n側金屬柱，其係設置於該n側佈線層上且具有比該n側佈線層的厚度更大的厚度。
  7. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該螢光本體層的剖面形狀為倒梯形。
  8. 一種半導體發光裝置的製造方法，包含：形成犧牲層於晶圓中的選定晶片的第一面上，該晶圓具有複數個晶片，各包括：半導體層，具有該第一面、形成於與該第一面相對的側上的第二面、及發光層；設置於 具有該發光層的區中的該第二面上之p側電極；及設置於沒有該發光層的區中的該第二面上之n側電極；形成螢光本體層於該犧牲層未形成於其上的該晶片的第一面上；及移除該犧牲層且選擇性留下該螢光本體層於該晶圓上。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該等犧牲層係在一維對齊方向中形成於該複數個晶片的每隔一個晶片上。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中半導體發光裝置係在晶圓階層一單位一單位地從該晶圓分割，該單位包括其上該犧牲層被移除且該螢光本體層未形成於該第一面上的晶片、及其各者上該螢光本體層被形成於該第一面上的二個晶片，該二個晶片係互相對稱配置而夾住該螢光本體層未形成於其上的晶片。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中半導體發光裝置係一單位一單位地從該晶圓分割，該單位包括其上該螢光本體層被形成於該第一面上的晶片、及其各者上該犧牲層被移除且該螢光本體層未形成於該第一面上的二個晶片，該二個晶片係互相對稱配置而夾住該螢光本體層被形成於其上的晶片。
  12. 如申請專利範圍第8項之方法，其中形成該螢光本體層包括形成第一螢光本體層及形成與該第一螢光本體層不同種類的第二螢光本體層， 形成該犧牲層包括形成第一犧牲層及形成第二犧牲層，該第一犧牲層係形成於互相鄰接的二個晶片之各者上，該第一犧牲層係在該第一螢光本體層已經被形成於該第一犧牲層未形成於其上的該第一面上以後加以移除，該第二犧牲層係形成於在該第一犧牲層均被移除的相鄰的該二個晶片上的一個晶片上，且該第二螢光本體層係形成於另一晶片上，且該第二犧牲層係在該第二螢光本體層已經被形成以後自該一個晶片上加以移除。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中半導體發光裝置係一單位一單位地從該晶圓分割，該單位包括其上該第一螢光本體層及該第二螢光本體層未形成於該第一面上的晶片、其上該第一螢光本體層被形成於該第一面上的晶片、及其上該第二螢光本體層被形成於該第一面上的晶片，後二個晶片係互相對稱配置而夾住該第一螢光本體層與該第二螢光本體層未形成於其上的晶片。
  14. 如申請專利範圍第12項之方法，進一步包含在從該一個晶片移除該第二犧牲層以後，形成與該第一螢光本體層與該第二螢光本體層不同種類的第三螢光本體層於該一個晶片上。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中半導體發光裝置係一單位一單位地從該晶圓分割，該 單位包括其上該第一螢光本體層被形成於該第一面上的晶片、其上該第二螢光本體層被形成於第一面上的晶片、及其上該第三螢光本體層被形成於該第一面上的晶片。
  16. 一種半導體發光裝置的製造方法，包含形成從發光層所發射的光可穿透之透明樹脂層於晶圓中的選定晶片的第一面上，該晶圓具有複數個晶片，各包括：半導體層，具有該第一面、形成於與該第一面相對的側上的第二面、及該發光層；設置於沒有該發光層的區中的該第二面上之p側電極；及設置於沒有該發光層的區中的該第二面上之n側電極；及形成螢光本體層於該透明樹脂層未形成於其上的該晶片的第一面上。
  17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該透明樹脂層係在一維對齊方向中形成於該複數個晶片的每隔一個晶片上。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中半導體發光裝置係一單位一單位地從該晶圓分割，該單位包括其上該透明樹脂層被形成於該第一面上的晶片、及其各者上該螢光本體層被形成於該第一面上的二個晶片，該二個晶片係互相對稱配置而夾住該透明樹脂層被形成於其上的晶片。
  19. 如申請專利範圍第17項之方法，其中半導體發光裝置係一單位一單位地從該晶圓分割，該單位包括其上該螢光本體層被形成於該第一面上的晶片、及其各者上該透明樹脂層被形成於該第一面上的二個晶片，該二個晶片係 互相對稱配置而夾住該螢光本體層被形成於其上的晶片。
  20. 如申請專利範圍第16項之方法，更包含在該螢光本體層被形成以前形成犧牲層於互相鄰接的二個晶片之各者上，其中形成該螢光本體層包括形成第一螢光本體層及形成與該第一螢光本體層不同種類的第二螢光本體層，該犧牲層係在該第一螢光本體層已經被形成於該犧牲層未形成於其上的該第一面上以後加以移除，該透明層係形成於其上該犧牲層均被移除的該二個鄰接晶片中的一個晶片上，且該第二螢光本體層係形成於另一晶片上。
  21. 如申請專利範圍第20項之方法，其中半導體發光裝置係一單位一單位地從該晶圓分割，該單位包括其上該透明樹脂層被形成於該第一面上的晶片、其上該第一螢光本體層被形成於該第一面上的晶片、及其上該第二螢光本體層被形成於該第一面上的晶片，後二個晶片係互相對稱配置而夾住該透明樹脂層被形成於其上的晶片。
  22. 一種半導體發光裝置，包含：不少於三個晶片，該等晶片各者包括：半導體層，具有：第一面、形成與該第一面相對的側上的第二面、及發光層；設置在該半導體層上的p側電極；及設置在該半導體層上的n側電極；不同類型的螢光本體層，設置在該等晶片的該等第一 面上；第一絕緣層，設置在該第二面側上，該第一絕緣層具有通到該p側電極的第一孔洞、通到該n側電極的第二孔洞；p側內連部份，設置在該第一絕緣層上並經由該第一孔洞電連接至該p側電極；n側內連部份，設置在該第一絕緣層上並經由該第二孔洞電連接至該n側電極；及第二絕緣層，設置在該p側內連部份與該n側內連部份之間。
  23. 如申請專利範圍第22項之裝置，其中該p側內連部份具有：p側內連層，設置在該第一孔洞內並在該內連面上，及p側金屬柱，設置在該p側內連層上並具有比該p側內連層厚度更厚的厚度；該n側內連部份具有：n側內連層，設置在該第二孔洞內並在該第一絕緣層上，及n側金屬柱，設置在該n側內連層上並具有比該n側內連層厚度更厚的厚度。
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