TWI482316B - 發光裝置、發光模組、以及製造發光裝置之方法 - Google Patents

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Yosuke Akimoto
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Description

發光裝置、發光模組、以及製造發光裝置之方法
此處說明之實施例總體上關於發光裝置、發光模組、及發光裝置製造方法。
能夠發出可見光或白光的半導體發光裝置之應用正擴展至照明設備、液晶顯示裝置的背照光源、顯示裝置、等等。這些應用中縮小尺寸的需求愈來愈多；以及，需要進一步增加量產的適應度及降低半導體發光裝置的價格。
[參考文獻] [專利文獻] [PTL 1]
美國專利申請公開號2010/0148198
根據一實施例，發光裝置包含半導體層、p側電極、n側電極、第一絕緣層、p側互連層、n側互連層、以及第二絕緣層。半導體層包含第一表面、與第一表面相反的第二表面、及發光層。p側電極設於包含發光層的區域中之第二表面上。n側電極設於未包含發光層的區域中之第二表面上。第一絕緣層設於第二表面側上。第一絕緣層具有與p側電極連通的第一通孔、以及與n側電極連通的第二通孔。p側互連層包含經由第一通孔而電連接至p側電極的第一p側互連層、以及第二p側互連層，第二p側互連層電連接至第一p側互連層且設於與半導體層相反之第一絕緣層的側上之互連表面上。第二p側互連層包含具有與第一表面垂直的L形剖面之部份。n側互連層包含經由第二通孔而電連接至n側電極的第一n側互連層、以及第二n側互連層，第二n側互連層電連接至第一n側互連層、與p側互連層分開、及設於互連表面上。第二n側互連層包含具有與第一表面垂直的L形剖面之部份。第二絕緣層設於p側互連層與n側互連層之間。第二p側互連層的部份具有L形剖面，L形剖面配置成包含從第三表面處的第一絕緣層及第二絕緣曝露的p側外部端子，第三表面具有與第一表面及第二表面不同的平面方向。第二n側互連層的部份具有L形剖面，L形剖面配置成包含從第三表面處的第一絕緣層及第二絕緣曝露的n側外部端子。
現在將參考附圖，說明實施例。
在圖式中類似的元件以類似的代號標示。在顯示製程的圖式中顯示包含多個半導體層15(晶片)的晶圓之部份的區域。
第一實施例
圖1A是第一實施例的發光裝置10a的立體視圖。圖1B是圖1A的A-A剖面視圖。圖1C是圖1A的B-B剖面視圖。
發光裝置10a包含半導體層15。半導體層15包含第一表面15a及形成於第一表面15a的相反側上之第二表面。於下說明的電極及互連層設於第二表面側上；以及，主要從與第二表面相反的第一表面15a發射光至外部。
半導體層15包含第一半導體層11及第二半導體層12。舉例而言，第一半導體層11及第二半導體層12包含氮化物半導體。舉例而言，第一半導體層11包含基礎緩衝層、n型層、等等；以及，n型層作為電流的橫向路徑。第二半導體層12包含堆疊結構，其中，發光層(主動層)13介於n型層與p型層之間。
半導體層15的第二表面側圖型化成為不均勻配置。形成於第二表面側上的凸部包含發光層13。p側電極16設於第二半導體層12的上表面上，亦即，凸部的上表面。p側電極16設於包含發光層13的區域中。
沒有第二半導體層12的區域設於半導體層15的第二表面側上的凸部之旁；以及，n側電極17設於該區域的第一半導體層11的上表面上。換言之，n側電極17設在未包含發光層13的區域中。
在如圖5B中所示之半導體層15的第二表面側上，包含發光層13的第二半導體層12之表面積大於未包含發光層13的第一半導體層11之表面積。
在如圖6B中所示之半導體層15中之一中，設在包含發光層13的區域中之p側電極16具有的表面積大於未包含發光層13的n側電極17的表面積。因此，取得寬的發光區。圖6B中所示的p側電極16及n側電極17之佈局是實施例，不限於此佈局。
第一絕緣層(於下簡稱絕緣層)18設於半導體層15的第二表面側上。絕緣層18遮蓋半導體層15、p側電極16、及n側電極17。有另一絕緣膜(例如氧化矽膜)設於絕緣層18與半導體層15之間的情形。舉例而言，絕緣層18是具有超精密開口的圖型化能力之例如聚醯亞胺等樹脂。或者，可以使用例如氧化矽、氮化矽、等等無機物質作為絕緣層18。
絕緣層18在與半導體層15相反的側上包含互連表面18c。第一p側互連層(內p側互連層)21及第一n側互連層(內n側互連層)22彼此分離地設置於互連表面18c上。
第一p側互連層21也設在製於絕緣層18中而達到p側電極16的第一通孔18a之內並電連接至p側電極16。第一p側互連層21並非總是需要形成於絕緣層18的下表面上。舉例而言，可以使用第一p側互連層21僅設於p側電極16上且第一p側互連層21未設於絕緣層18的第一通孔18a之外上。
第一n側互連層22也設在製於絕緣層18中而達到n側電極17的第二通孔18b之內並電連接至n側電極17。
第二p側互連層23設在與p側電極16相反的側上的第一p側互連層21的表面上。第一p側互連層21及第二p側互連層23包含於實施例的p側互連層中。
p側互連層包含以沿著絕緣層18的互連表面18c之配置設置的部份以及以沿著表面方向不同於第一表面15a和第二表面的第三表面30之配置設置的部份。如圖1C中所示般，從沿著互連表面18c設置的部份至沿著第三表面30設置的部份之p側互連層的剖面形成為例如L形配置。圖1C中所示的剖面垂直於第一表面15a、第二表面及第三表面30。
第一p側互連層21沿著互連表面18c而設於互連表面18c上。第二p側互連層23包含p側連接單元23b及p側外部端子23a。
p側連接單元23b沿著互連表面18c而設於第一p側互連層21上。如圖1C所示，具有L形的部份由p側連接單元23b及p側外部端子23a形成。換言之，第二p側互連層23具有L形剖面的部份；以及，其部份(p側外部端子23a)用以形成外部端子。
第二p側互連層23以凹配置形成，凹配置係以p側連接單元23b作為底部。p側外部端子23a包含於凹配置的側壁部份中(U形配置)。亦即，如圖1C中所示般，第二p側互連層23的剖面配置是U形配置；以及，U形配置的部份是L形配置。
第二p側互連層23的剖面配置在例如圖1C中所示的與互連表面18c交會且垂直於第三表面30之表面剖面為U形配置。也如圖1B中所示般，第二p側互連層23的剖面在平行於第三表面30的表面之剖面處具有U形配置。如下所述般，由於第二p側互連層23具有杯狀配置，所以，第二p側互連層23的剖面配置在圖1B及1C中所示的剖面視圖中具有U形配置。
第二n側互連層24設在與n側電極17相反的側上之第一n側互連層22的表面上。第一n側互連層22及第二n側互連層24包含於實施例的n側互連層中。
n側互連層包含以沿著絕緣層18的互連表面18c的配置設置的部份以及以沿著平面方向不同於第一表面15a和第二表面的第三平面30之配置設置的部份。n側互連層從沿著互連表面18c設置的部份至沿著第三表面30設置的部份之n側互連層形成為例如L形配置。
第一n側互連層22沿著互連表面18c而設於互連表面18c上。第二n側互連層24包含n側連接單元24b及n側外部端子24a。
n側連接單元24b沿著互連表面18c而設於第一n側互連層22上。在平行於圖1C中所示的剖面之剖面中，具有L形的部份由n側連接單元24b及n側外部端子24a形成。換言之，第二n側互連層24包含具有L形剖面的部份；以及，其部份(n側外部端子24a)用以形成外部端子。
第二n側互連層24以凹配置形成，凹配置係以n側連接單元24b作為底部。n側外部端子24a包含於凹配置的側壁部份中(U形配置)。亦即，第二n側互連層24的剖面配置具有U形配置；以及，U形配置的部份是L形配置。
第二n側互連層24的剖面配置在平行於圖1C中所示的與互連表面18c交會且垂直於第三表面30之剖面的剖面具有U形配置。也如圖1B中所示般，在平行於第三表面30的表面之剖面處，第二n側互連層24的剖面具有U形配置。如下所述般，由於第二n側互連層24具有杯狀配置，所以，第二n側互連層24的剖面配置在平行於圖1B中所示的剖面及圖1C中所示的剖面之剖面中具有U形配置。
樹脂層25設置在絕緣層18的互連表面18c上作為第二絕緣層。樹脂層25遮蓋第一p側互連層21及第一n側互連層22。但是，如圖1A中所示般，第一p側互連層21的部份之側表面21a以及第一n側互連層22的部份之側表面22a從樹脂層25和絕緣層18曝露，而未由樹脂層25和絕緣層18遮蓋。
樹脂層25填充於第二p側互連層23與第二n側互連層24之間。p側外部端子23a以外的第二p側互連層23的側壁由樹脂層25遮蓋。n側外部端子24a以外的第二n側互連層24的側壁由樹脂層25遮蓋。
在與第一p側互連層21相反的側上的第二p側互連層23的端部也由樹脂層25遮蓋。類似地，在與第一n側互連層22相反的側上的第二n側互連層24的端部也由樹脂層25遮蓋。
樹脂層35作為第三絕緣層填充於第二p側互連層23的凹配置(U形配置)之內及類似地填充於第二n側互連層24的凹配置(U形配置)之內。
在與第一p側互連層21相反的側上之樹脂層35的端部由樹脂層25遮蓋。因此，第二p側互連層23及樹脂層25設置成圍繞設於第二p側互連層23之內的樹脂層35。類似地，第二n側互連層24及樹脂層25設置成圍繞設於第二n側互連層24之內的樹脂層35。第二p側互連層23及第二n側互連層24由樹脂層25和樹脂層35遮蓋。
圖1A至1C中所示的發光裝置10a安裝成第三表面30是如圖2中所示的安裝表面(與安裝基底相反的表面)。在此情形中，p側外部端子23a、第一p側互連層21的曝露表面21a、以及p側外部端子23a與表面21a之間的金屬膜20作為p側的外部端子。
金屬膜20的膜厚度約為數奈米；以及，曝露在第三表面30的金屬膜20的表面積小於第一p側互連層21的曝露表面21a的表面積。圖1B及1C中的第一p側互連層21的曝露表面21a的高度方向的厚度小於p側外部端子23a的厚度。因此，曝露在第三表面30的第一p側互連層21的曝露表面21a的表面積小於p側外部端子23a的表面積。
類似於n側，金屬膜20、第一n側互連層22的曝露表面22a、及n側外部端子24a具有依此次序增加之曝露於第三表面30處的表面積。
如圖1A及1C中所示般，第二p側互連層23的部份之側表面在平面方向不同於半導體層15的第一表面15a和第二表面之第三表面30處從絕緣層18及樹脂層25曝露。此曝露表面作為p側外部端子23a，用於安裝置至外部安裝基底。p側外部端子23a形成為從p側連接單元23b的一端部沿著第三表面30展開。
此處，第三表面30是實質上垂直於第一表面15a和第二表面的表面。樹脂層25具有例如長方形配置的四側表面；以及，具有相對長邊的側表面之一作為第三表面30。
第二n側互連層24的部份之側表面從在相同的第三表面30之絕緣層18和樹脂層25曝露。曝露的表面作為n側外部端子24a，用於安裝至外部安裝基底。n側外部端子24a形成為從n側連接單元24b的一端部沿著第三表面30展開。
如圖1A中所示般，第一p側互連層21的部份之側表面21a藉由從在第三表面30的絕緣層18及樹脂層25曝露而作為p側外部端子。類似地，第一n側互連層22的部份之側表面22a藉由從在第三表面30的絕緣層18及樹脂層25曝露而作為n側外部端子。
對於包含第一p側互連層21及第二p側互連層23之p側互連層，在第三表面30處曝露的部份21a和23a以外的部份由絕緣層18或樹脂層25遮蓋。對於包含第一n側互連層22及第二n側互連層24之n側互連層，在第三表面30處曝露的部份22a和24a以外的部份由絕緣層18或樹脂層25遮蓋。本實施例的結構是舉例說明的實例；以及，p側互連層及n側互連層可以在第三表面30的任何其它地方部份地曝露。
如圖8B中所示般，在第三表面30曝露的第一p側互連層21的側表面21a與在第三表面30曝露的第一n側互連層22的側表面22a之間的距離大於在絕緣層18的互連表面18c上的第一p側互連層21與第一n側互連層22之間的距離。
藉由降低由樹脂層25遮蓋之第一p側互連層21與第一n側互連層22之間的絕緣層18的互連表面18c上的距離，增加第一p側互連層21的表面積。第一p側互連層21的平面尺寸大於第二p側互連層23的p側連接單元23b的平面尺寸。例如例如銅等低電阻金屬，形成第一p側互連層21。因此，隨著第一p側互連層21的表面積增加，能夠供應更均勻分佈的電流給包含發光層13的第二半導體層12。此外，第一p側互連層21的導熱率也可以增加；以及，能夠有效率地釋放在第二半導體層12產生的熱。
p側電極16在包含發光層13的區域中展開。因此，藉由經過眾多第一通孔18a而將第一p側互連層21連接至p側電極16，至發光層13的電流分佈能夠增進；以及，在發光層13產生的熱之散熱也能夠增進。
在第三表面30曝露的第一p側互連層21的側表面21a與在第三表面30曝露的第一n側互連層22的側表面22a彼此分開一距離，以致於當安裝至安裝基底時，側表面21a與側表面22a不會因例如銲材等接合劑而彼此短路。
在第一n側互連層22與第二n側互連層24的n側連接單元24b之間的接觸面積大於第一n側互連層22與n側電極17之間的接觸面積。第一n側互連層22的部份延伸於絕緣層18的互連表面18c上而至發光層13的覆蓋位置。
因此，從設在未包含發光層13的狹窄區中的n側電極17經由第一n側互連層22，形成更寬的引線電極，並取得導因於形成在寬區上的發光層13之高光輸出。
在第一p側互連層21與第二p側互連層23的p側連接單元23b之間的接觸面積大於或小於第一p側互連層21與p側電極16之間的接觸面積。
第一半導體層11經由n側電極17和第一n側互連層22而電連接至包含n側外部端子24a的第二n側互連層24。包含發光層13的第二半導體層12經由p側電極16和第一p側互連層21而電連接至包含p側外部端子23a的第二p側互連層23。
樹脂層25比包含第一p側互連層21、第二p側互連層23、及設在第二p側互連層23內的樹脂層35之p側互連結構部的厚度(高度)還厚。類似地，樹脂層25比包含第一n側互連層22、第二n側互連層24、及設在第二n側互連層24內的樹脂層35之n側互連結構部的厚度(高度)還厚。p側互連結構部及n側互連結構部比半導體層15還厚。因此，即使沒有支撐半導體層15的基底，發光裝置10a的機械強度仍然可以由p側互連結構部、n側互連結構部、及樹脂層25增加。
第一p側互連層21、第一n側互連層22、第二p側互連層23、及第二n側互連層24的材料可以包含銅、黃金、鎳、銀、等等。在這些材料中，當使用銅時，取得良好的導熱率、高遷移電阻、及與絕緣材料的優良黏合。
樹脂層25增強上述所述的p側互連結構部及n側互連結構部。值得注意的是樹脂層25具有接近或同於安裝基底的熱膨脹係數。舉例而言，此樹脂層25的實施例包含環氧樹脂、矽氧樹脂、氟碳化物樹脂、等等。也值得注意的是，樹脂層35具有接近或同於安裝基底的熱膨脹係數；以及，使用與樹脂層25相同的材料。
透鏡26及磷層27設於半導體層15的第一表面15a上作為對於自發光層13發射的光是透明的透明體。透鏡26設於第一表面15a上；以及，磷層27設置成遮蓋透鏡26。
包含設於半導體層15的第二表面側上之上述每一元件的堆疊體之平面尺寸實質上與磷層27的平面尺寸相同。由於透鏡26及磷層27不會凸出至第三表面30側中，所以，透鏡26及磷層27不會防礙安裝至圖2中所示之發光裝置10a的安裝基底100。
磷層27包含透明樹脂及散佈於透明樹脂中的磷光體。磷層27能夠吸收發光層13發射的光以及發出波長轉換的光。因此，發光裝置10a能夠發出來自發光層13的光與磷層27的波長轉換的光之混合光。
舉例而言，在發光層13是氮化物半導體及磷光體是配置成發出黃光的黃磷之情形中，由於來自發光層13的藍光與磷層27的波長轉換的光之黃光的混合色光，而取得白光、燈、等等。磷層27可以具有包含多種型式的磷光體(例如，配置成發紅光的紅磷及配置成發綠光的綠磷)之配置。
從發光層13發射的光藉由行經第一半導體層11、第一表面15a、透鏡26、及磷層27而主要發射至外部。透鏡26可以設於磷層27上。
圖2是發光模組的剖面視圖，發光模組具有上述發光裝置10a安裝於安裝基底100上的配置。
安裝於安裝基底100上的發光裝置10a的數目是任意的，可以是一個或多個。多個發光裝置10a藉由沿著某一方向配置而可以包含於線狀光源中。
以第三表面30面對安裝基底100的安裝表面103之方向，安裝發光裝置10a。在第三表面30曝露的p側外部端子23a及n側外部端子24a經由銲材102而分別接合至形成於安裝表面103中的墊101。也在安裝基底100的安裝表面103中形成互連圖案；以及，墊101連接至互連圖案。可以使用銲材以外的其它金屬或導電材料以取代銲材102。
第三表面30實質上垂直於第一表面15a，第一表面15a是光的主要發射表面。因此，當第三表面30向下面對安裝表面103側時，第一表面15a配置成面對橫向以取代從安裝表面103朝上。換言之，取得所謂的側視型發光裝置10a和發光模組，其中，在以安裝表面103為水平表面的情形中，光在橫向上發射。
在實施例中，在發光裝置10a安裝至安裝基底100的狀態中經由銲材102而施加至半導體層15的應力，可以因由填充於第二p側互連層23內及第二n側互連層24內的樹脂層35吸收而減輕。樹脂層35比金屬更可撓的；以及，取得高應力減輕效果。
在第二p側互連層23內及第二n側互連層24內的物質不限於樹脂；以及，可以填充不同於第二p側互連層23內及第二n側互連層24的材料之絕緣體或金屬。填充於第二p側互連層23內及第二n側互連層24內的材料比第二p側互連層23內及第二n側互連層24更可撓的，即已足夠。
舉例而言，假使選取比第二p側互連層23及第二n側互連層24更可撓的金屬作為填充於第二p側互連層23內及第二n側互連層24內時，則可取得上述應力減輕效果。也能夠選取容易形成為正形膜的金屬膜作為第二p側互連層23及第二n側互連層24、以及形成容易填充的金屬以取代樹脂層35。
從應力減輕、生產力、及成本的觀點而言，值得注意的是樹脂填充於第二p側互連層23之內及第二n側互連層24之內。
實施例的發光裝置10a的平面配置當從垂直於第一表面15a的方向觀視時為長方形配置；以及，第三表面30是包含長方形配置的長邊之表面。
將參考圖3A至圖16B，說明實施例的發光裝置10a的製造方法。在顯示製程的圖式中顯示晶圓狀態的部份之區域。
圖3A顯示堆疊體，其中，第一半導體層11及第二半導體層12形成於基底5的主表面上。圖3B對應於圖3A的底視圖。
第一半導體層11形成於基底5的主表面上；以及，包含發光層13的第二半導體層12形成於第一半導體層11上。在第一半導體層11及第二半導體層12為例如氮化物半導體的情形中，舉例而言，藉由在藍寶石基底上進行金屬有機化學汽相沉積(MOCVD)，以執行第一半導體層11及第二半導體層12的晶體生長。
舉例而言，第一半導體層11包含基礎緩衝層和n型GaN層。第二半導體層12包含發光層(主動層)13及p型GaN層。發光層13可以包含配置成發射藍光、紫光、淺藍-紫光、及紫外光、等等的物質。
接觸基底5的第一半導體層11的表面是半導體層15的第一表面15a；以及，第二半導體層12的上表面是半導體層15的第二表面15b。
然後，如圖4A及其底視圖之圖4B中所示般，藉由例如使用未顯示的光阻之反應離子蝕刻(RIE)以穿透半導體層15，而在切割區d1及d2中形成達到基底5的溝槽。切割區d1及d2是以例如格子配置形成於晶圓狀態的基底5上。製於切割區d1和d2中的溝槽也以格子配置形成，以將半導體層15分割成多個晶片。
在選擇性移除第二半導體層12之後或是在下述電極形成之後，執行多重分割半導體層15的處理。
然後，如圖5A及其底視圖的圖5B中所示般，藉由例如使用未顯示的光阻之反應離子蝕刻(RIE)以移除部份第二半導體層12，而使部份第一半導體層11曝露。有第一半導體層11曝露的區域未包含發光層13。
在由第一半導體層11、第二半導體層12、及發光層(主動層)13製成的一個再分割的半導體層15作為一個發光元件的情形中，在圖5B中的橫向上由切割區d1再分割的四個發光元件中的每一發光元件由切割區d2再分割成配置為垂直方向上的二個發光元件。
然後，如圖6A及其底視圖的圖6B中所示般，p側電極16及n側電極17形成於第二表面上。p側電極16形成於第二導體層12的上表面上。n側電極17形成於第一半導體層11的曝露表面上。
舉例而言，使用濺射、汽相沉積、等等，形成p側電極16及n側電極17。首先形成p側電極16及n側電極17中之任一者；可以同時由相同的材料形成p側電極16及n側電極17。
p側電極16對於自發光層13發射的光是反射光的，以及，舉例而言，包含銀、銀合金、鋁及鋁合金。包含金屬保護膜的配置也可以用以防止p側電極16硫化及氧化。
舉例而言，藉由使用化學汽相沉積(CVD)，氮化矽膜或氧化矽膜形成為p側電極16與n側電極17之間的鈍化膜、以及形成於發光層13的端表面(側表面上)。假使需要時，執行活化退火、等等，以提供電極與半導體層之間的歐姆接觸。
然後，如圖7A中所示般，基底5的主表面上的所有曝露部份由絕緣層18遮蓋；接著，使用例如濕蝕刻，以圖型化絕緣層18，而在絕緣層18中選擇性地製造第一通孔18a及第二通孔18b。第一通孔18a抵達p側電極16。第二通孔18b抵達n側電極17。
舉例而言，使用例如感光的聚醯亞胺、苯環丁烯、等等有機材料以作為絕緣層18。在此情形中，絕緣層18可以直接被曝光且被顯影，而不使用光阻。或者，可以使用例如氮化矽膜、氧化矽膜、等等無機膜作為絕緣層18。在無機膜的情形中，在光阻被圖型化之後，使用蝕刻以製造第一通孔18a和第二通孔18b。
然後，如圖7B中所示般，在下述電鍍期間作為種子金屬的金屬膜19形成於互連表面18c上(圖7A中的下表面)，互連表面18c是與半導體層15相反的側上的絕緣層18的表面。金屬膜19也形成於第一通孔18a的內壁及底部上以及第二通孔18b的內壁及底部上。
舉例而言，使用濺射，形成金屬膜19。舉例而言，金屬膜19包含從絕緣層18側依序堆疊的鈦(Ti)及銅(Cu)的堆疊膜。
然後，如圖7C中所示般，光阻41選擇性地形成於金屬膜19上；然後，使用金屬膜19作為電流路徑以執行Cu電鍍。
因此，如同圖8A及其底視圖之圖8B所示般，在絕緣層18的互連表面18c上選擇性地形成第一p側互連層21及第一n側互連層22。舉例而言，第一p側互連層21及第一n側互連層22由使用電鍍時同時形成的銅材料製成。
第一p側互連層21也形成於第一通孔18a之內且經由金屬膜19而電連接至p側電極16。第一n側互連層22也形成於第二通孔18b之內且經由金屬膜19而電連接至n側電極17。
使用溶劑或氧電漿，移除第一p側互連層21及第一n側互連層22電鍍時使用的光阻41(圖9A)。
然後，如圖9B中所示般，在絕緣層18的互連表面18c側上形成光阻42。光阻42比上述的光阻41還厚。在先前的製程中未被移除的光阻41可以保留；以及，光阻42形成為覆蓋光阻41。在光阻42中形成凹部42a和凹部42b。
繼續，在電鍍期間作為種子金屬的金屬膜20形成於包含光阻42的上表面之凹部42a和42b的內壁上、曝露在凹部42a的第一p側互連層21的上表面上、以及曝露在凹部42b的第一n側互連層22的上表面上。舉例而言，金屬膜20包含銅。
然後，使用金屬膜20作為電流路徑以執行Cu電鍍。因此，如圖10A及其底部視圖的圖10B中所示般，在金屬膜20上形成金屬膜50。
圖10B的虛線顯示製於光阻42中的凹部42a和42b的邊緣。當以平面觀視時，在凹部42a的部份之角落部中製造凹口；以及，金屬膜20和金屬膜50未形成在凹口之下的絕緣層18之上。因此，如以下參照圖12B所述，在第二p側互連層23的部份之角落部中，製造凹口90。
此電鍍是正形電鍍，其中，Cu以實質均勻的速率沉澱以與基礎之光阻42和金屬膜20的不均勻配置相符。因此，金屬膜50形成為與基礎的不均勻配置相符；以及，凹部42a和凹部42b不會由金屬膜50填充。因此，相較於凹部42a和凹部42b由金屬填充的情形，電鍍時間及成本降低。
在第一p側互連層21上的部份(凹部42a的底部)、在第一n側互連層22上的部份(凹部42b的底部)、在凹部42a的側壁上、在凹部42b的側壁上，金屬膜50形成為具有實質上相同的膜厚。
如圖10B中所示般，以包圍凹部42a的中央側之封閉圖案，沿著凹部42a的側壁，形成金屬膜50。類似地，以包圍凹部42b的中央側之封閉圖案，沿著凹部42b的側壁，形成金屬膜50。
然後，如同圖11A及其底視圖之圖11B所示般，使用例如印刷、模造、等等，將樹脂層35形成於凹部42a之內、凹部42b之內、及光阻42之上。樹脂層35填充於凹部42a之內及凹部42b之內。
樹脂層35是絕緣的。樹脂層35可以藉由含有例如碳黑而對發光層發射的光具有遮光特性。樹脂層35可以含有對發光層發射的光反射光的粉末。
然後，藉由將樹脂層35的上表面側(圖11A的下表面側)拋光，而使形成於凹部42a和凹部42b的側壁上之金屬膜50的端部曝露。所述狀態顯示於圖12A及其底視圖的圖12B中。
因此，在凹部42a的內部之金屬膜50的部份與凹部42b的內部之金屬膜50的部份分隔。餘留在凹部42a之內的金屬膜50用以形成第二p側互連層23。餘留在凹部42b之內的金屬膜50用以形成第二n側互連層24。
第二p側互連層23經由金屬膜20而連接至第一p側互連層21。或者，金屬膜20可以包含於實施例的第二p側互連層中。
第二n側互連層24經由金屬膜20而連接至第一n側互連層22。或者，金屬膜20可以包含於實施例的第二n側互連層中。
第二p側互連層23的部份之側壁用以形成切割之後曝露於第三表面30的p側外部端子23a。第二n側互連層24的部份之側壁用以形成切割之後曝露於第三表面30的n側外部端子24a。
如圖12B中所示般，實施例具有p側外部端子23a及n側外部端子24a凸出至沿著上述第三表面30之方向延伸的切割區d2中的佈局。圖12B的單一虛線e1和e2分別顯示切割刀的二邊緣。
凹口90製於第二n側互連層24側上第二p側互連層23的部份之角落部中。凹口90形成於p側外部端子23a與n側外部端子24a之間。因此，在切割之後曝露於外部的p側外部端子23a與n側外部端子24a之間的分離距離為安裝時足以避免導因於銲料等的短路之距離。
凹口90未製於其中的第二p側互連層23的部份緊接第二n側互連層24，達到製程的極限；以及，第二p側互連層23的表面積增加。結果，增進電流分佈及散熱。
p側外部端子23a與n側外部端子24a存在於切割區d2的寬度方向上的二側上，而未偏向切割區d2的一個寬度方向側。換言之，p側外部端子23a與n側外部端子24a不會設置成偏向切割刀的一寬度方向邊緣側，p側外部端子23a與n側外部端子24a是金屬。
現在說明對包含例如圖12B中所示的佈局之晶圓，使用刀子，從左至右再分割切割區d2的情形。
在一個發光元件被視為成對的一個第二p側互連層23及一個第二n側互連層24的情形中，在圖12B中，在橫向配置四個發光元件以及在垂直方向上配置二個發光元件，來配置發光元件。
在圖12B中，左上方的發光元件及從右上方算起的第二個發光元件具有存在於切割區d2中之第二p側互連層23的部份(下側)以及第二n側互連層24的部份(下側)。在圖12B中，在右底部的發光元件以及從左底部算起的第二個發光元件具有存在於切割區d2中之第二p側互連層23的部份(上側)以及第二n側互連層24的部份(上側)。
在使用刀子，從左至右再分割切割區d2的情形中，當在頂部及底部上最左方的發光元件之間切割時，在圖12B中的刀子的上側比下側更高比例地接觸金屬；以及，當在頂部及底部上自左算起的第二個發光元件之間切割時，這與最左相反，以及，圖12B中的刀子的下側比上側更高比例地接觸金屬。因此，能夠抑制切割時導因於切割刀的一寬度方向邊緣上的過量負載之阻塞、損傷、等等。
雖然從圖12B中切割區d2延伸的方向觀視時，存在於邊緣e1側上的p側外部端子23a及n側外部端子24a與存在於邊緣e2側上的p側外部端子23a及n側外部端子24交錯地配置，但是，不限於此佈局。p側外部端子23a及n側外部端子24a未設置成偏向於選自邊緣e1及邊緣e2中之一的側，即已足夠。
即使在p側外部端子23a及n側外部端子24a設置成偏向於選自邊緣e1及邊緣e2中之一的側的情形中，藉由增加刀子的更換頻率、等等，仍然能夠抑制切割時刀子的阻塞、損傷、等等。
藉由使圖12A的下側上的第二p側互連層23的端部及圖12A的下側上的第二n側互連層24的端部曝露，使不同極性之測量探針分別接觸端部，供應電流以使發光裝置發光，而執行各種的檢測。以容易操作的晶圓等級，執行檢測。
然後，舉例而言，使用溶劑或氧電漿(圖13A)以移除光阻42。由第二p側互連層23包圍的樹脂層35及由第二n側互連層24包圍的樹脂層35維持。
接著，使用包含第一p側互連層21、第二p側互連層23、及樹脂層35的p側互連結構部以及包含第一n側互連層22、第二n側互連層24、及樹脂層35的n側互連結構部作為掩罩，以濕蝕刻移除形成於互連表面18c上的金屬膜19的曝露部份。因此，如圖13B中所示般，第一p側互連層21與第一n側互連層22之間經過金屬膜19的電連接斷開。
然後，如圖14A所示般，樹脂層25堆疊於絕緣層18上。樹脂層25遮蓋上述的p側互連結構部及n側互連結構部。
樹脂層25是絕緣的。樹脂層25以藉由含有例如碳黑而對發光層發射的光具有遮光特性。樹脂層25可以含有對發光層發射的光反射光的粉末。以相同材料形成樹脂層25和樹脂層35，可以增加樹脂層25與樹脂層35之間的黏著強度及增加可靠度。
然後，如圖14B中所示般，移除基底5。舉例而言，以雷射舉離來移除基底5。具體而言，從基底5的背表面側朝向第一半導體層11照射雷射光。雷射光對基底5是透射的且具有第一半導體層11的吸收區中的波長。
當雷射光到達基底5與第一半導體層11之間的介面時，緊接介面的第一半導體層11藉由吸收雷射光的能量而分解。舉例而言，在第一半導體層11是GaN的情形中，第一半導體層11分解成鎵(Ga)及氮氣。因分解反應而在基底5與第一半導體層11之間造成微間隙；以及，基底5與第一半導體層11分開。
藉由對每一設定區多次執行，在整個晶圓上執行雷射光的照射；以及，移除基底5。
由於藉由厚樹脂層25以強化形成於基底5的主表面上之上述堆疊體，所以，即使在無基底5的情形中，仍然能夠維持晶圓狀態。樹脂層25及35以及包含於互連層中的金屬是比半導體層15更可撓的材料。因此，即使當剝除基底5時，在基底5上形成半導體層15之磊晶製程中產生的大內部應力全部被一次減輕之情形中，仍然可以避免裝置的破壞。
將基底5被移除的半導體層15之第一表面15a清潔。舉例而言，使用氫氯酸、等等，移除黏著至第一表面15a的鎵(Ga)。
舉例而言，使用KOH(氫氧化鉀)含水溶液、TMAH(氫氧化四甲銨)、等等，對第一表面15a執行蝕刻(結霜)。因此，因視晶體表面方向而定的蝕刻速率差異，而在第一表面15a中形成不平整(圖15A)。或者，在使用光阻的圖型化之後，藉由執行蝕刻，在第一表面15a中形成不平整。藉由形成在第一表面15a中的不平整，增加光取出效率。
然後，如圖15B中所示般，在第一表面15a上形成透鏡26。透鏡26對從發光層發射的光是透明的以及可以包含例如矽氧樹脂、丙稀酸樹脂、玻璃、等等。藉由使用例如灰階掩罩的蝕刻或壓印，形成透鏡26。
然後，磷層27形成於曝露於相鄰的半導體層15之間的絕緣層18及第一表面15a上，以遮蓋透鏡26。舉例而言，使用例如印刷、封裝、模造、壓縮模造、等等方法，供應磷粒子散佈於其中的液體透明樹脂，以及，接著將液體透明樹脂熱固化。透明樹脂對於自發光層發射及螢光物質發射的光是可透射的、以及包含例如矽氧樹脂、丙烯酸樹脂、液態玻璃、等等材料。
如圖16A及其底視圖的圖16B中所示般繼續，藉由切割以格子配置形成的切割區d1和d2的位置處之磷層27、絕緣層18、及樹脂層25，執行切割成多個發光裝置10a之切割。舉例而言，使用切割刀以執行切割。或者，使用雷射照射以執行切割。
此時，凸出至沿著第三表面30的方向延伸的切割區d2中之第二p側互連層23與第二n側互連層24的部份被切割。因此，p側外部端子23a及n側外部端子24a在第三表面30曝露。
由於在上述電鍍期間作為種子金屬的金屬膜20是薄的，所以，當切割時形成於p側外部端子23a及n側外部端子24a上的金屬膜20被移除。
類似地，假使第一p側互連層21與第一n側互連層22的部份凸出至切割區d2中時，則凸出至切割區d2中的這些部份被切割。因此，第一p側互連層21的側表面21a及第一n側互連層22的側表面22a也在第三表面30曝露。
或者，由於第一p側互連層21的膜厚及第一n側互連層22的膜厚薄，所以，相較於p側外部端子23a和n側外部端子24a，第三表面30的曝露表面積相當小。因此，第一p側互連層21及第一n側互連層22在第三表面30不曝露。僅藉由p側外部端子23a和n側外部端子24a，可以充份地提供外部端子的功能。
在第一p側互連層21的部份及第一n側互連層22的部份曝露在第三表面30的情形中，圖31中所示的佈局是值得注意的。
在圖31中，切割區d2在沿著在第三表面30曝露的第一p側互連層21的側表面21a及第一n側互連層22的側表面22a之方向(在圖31中為橫向)上延伸。側表面21a及側表面22a凸出至切割區d2中。在圖31中，單點虛線e1及e2分別顯示切割刀的二邊緣。
在第一n側互連層22上之及側表面21a側上之部份第一p側互連層21中製造開口21b。開口21b形成於側表面21a與側表面22a之間。因此，在切割之後曝露至外部的側表面21a與側表面22a之間的分開距離為安裝時足以避免導因於銲材等等的短路。
在開口21b未製於其中的部份中，第一p側互連層21緊接第一n側互連層22，達到製程的極限；以及，第一p側互連層21的表面積增加。結果，第一p側互連層21的及p側電極16經由多個第一通孔18a而連接；以及，增進電流分佈及散熱。
側表面21a與側表面22a存在於切割區d2的寬度方向上的二側上，而未偏向切割區d2的一個寬度方向側。換言之，側表面21a與側表面22a不會設置成偏向切割刀的一寬度方向邊緣側，側表面21a與側表面22a是金屬。因此，能夠抑制切割時導因於切割刀的一寬度方向邊緣上的過量負載之阻塞、損傷、等等。
雖然從圖31中切割區d2延伸的方向觀視時，存在於邊緣e1側上的側表面21a與側表面22a與存在於邊緣e2側上的側表面21a與側表面22a交錯地配置，但是，不限於此佈局。側表面21a與側表面22a未設置成偏向於選自邊緣e1及邊緣e2中之一的側，即已足夠。
即使在側表面21a與側表面22a設置成偏向於選自邊緣e1及邊緣e2中之一的側的情形中，藉由增加刀子的更換頻率、等等，仍然能夠抑制切割時刀子的阻塞、損傷、等等。
當切割時基底5已經移除。此外，由於半導體層15未存在於切割區d1和d2中，所以，可以避免切割時對半導體層15的損傷。在切割之後，取得半導體層15的端部(側表面)由樹脂遮蓋而受保護之結構。
經過切割的發光元件10a可以具有包含一半導體層15的單晶片結構或包含多個半導體層15的多晶結構。
由於一直到切割之上述每一製程總體地以晶圓狀態執行，所以，不需要對每一經過切割的各別裝置執行互連及封裝；能夠大幅地降低生產成本。換言之，互連及封裝已經完全在經過切割的狀態中。因此，能夠增加生產力；結果，容易降低價格。
關於圖17A中所示的發光裝置10b中，可以使用透鏡未設於第一表面15a側上的結構。
關於圖17B中所示的發光裝置10c中，基底5可以薄薄地維持在第一表面15a上。舉例而言，使用用於拋光半導體晶圓背面之研磨器等等，以拋光基底5。
舉例而言，基底5是藍寶石基底且對於氮化物半導體為基礎的發光層發射的光是可透射的。由於在此情形中沒有磷層，所以，具有與從發光層發射的光相同的波長之光從發光裝置10c發射至外部。當然，磷層可以形成基底5之上。藉由留下基底5，機械強度可以增加；以及，可以提供具有高可靠度的結構。
當切割時，在從樹脂層25側使用切割刀以執行半切割之後，使用雷射照射，再分割基底5。或者，使用雷射照射以切割所有這些部份。
第二實施例
圖18A是從第二實施例的發光裝置10d的第三表面30側觀視之立體視圖。
圖18B是從發光裝置10d的發光表面側觀視之立體視圖。
圖19A是圖18A的A-A剖面視圖。
圖19B是圖18A的B-B剖面視圖。
本實施例的發光裝置10d與第一實施例的發光裝置10a不同之處在於包含反射膜51。
反射膜51對於發光層發射的光及磷光體發射的光是反射光的，且舉例而言為金屬膜。反射膜51形成於磷層27的側表面上以及絕緣層18的側表面上。反射膜51未形成於與第一表面15a相反的側上之磷層27的表面上。
圖20是發光模組的剖面視圖，發光模組具有本實施例的發光裝置10d安裝於安裝基底100上的配置。
類似於第一實施例，以第三表面30面對安裝基底100的安裝表面103之方向，安裝發光裝置10d。在第三表面30曝露的p側外部端子23a及n側外部端子24a經由銲材102等而分別接合至形成於安裝表面103中的墊101。
第三表面30實質上垂直於第一表面15a，第一表面15a是光的主要發射表面。因此，當第三表面30向下面對安裝表面103側時，第一表面15a配置成面對橫向以取代從安裝表面103朝上。換言之，取得所謂的側視型發光裝置10d和發光模組，其中，在以安裝表面103為水平表面的情形中，光在橫向上發射。
由於絕緣層18及磷層27的側表面由反射膜51遮蓋，所以，藉由集中在橫向上而發射光。
現在，將參考圖21A至23B，說明本實施例的發光裝置10d的製造方法。
圖21A顯示基底5被移除及磷層27形成於第一表面15a上的狀態。到此處理為止，製程可以類似於上述第一實施例般進行。
然後，從磷層27側，對圖21A中所示的堆疊體執行半切割。具體而言，在切割區d1和d2的位置，切割磷層27及絕緣層18。舉例而言，使用切割刀或雷射照射，執行切割。因此，在切割區d1及d2中形成溝槽52(圖21B)。
繼續，使用例如濺射，將反射膜51形成於曝露的表面上。如圖22A中所示般，在磷層27的上表面上及溝槽52的底部和內壁上形成反射膜51。
舉例而言，銀、鋁、黃金、矽、介電多層膜、等等可以作為反射膜51。或者，包含反射粉末的樹脂可以作為反射膜51。
然後，如圖22B中所示般，藉由拋光，移除形成於磷層27的上表面中的反射膜51。舉例而言，可以使用用於拋光半導體晶圓背面的研磨器、等等。或者，使用RIE以移除形成於磷層27的上表面上的反射膜51。反射膜51維持在磷層27的側表面上以及絕緣層18的側表面上。
如圖23A及其底視圖23B所示般繼續，切割溝槽52之下的樹脂層25。舉例而言，使用切割刀以執行切割。或者，使用雷射照射以執行切割。因此，執行切割成多個發光裝置10d的切割。
也是在此時，類似於第一實施例，凸出至沿著第三表面30的方向延伸的切割區d2中之第二p側互連層23與第二n側互連層24的部份被切割。因此，p側外部端子23a及n側外部端子24a在第三表面30曝露。
也是在本實施例中，由於切割樹脂，所以容易切割以及由增加生產力。由於未切割半導體層15，所以，能夠避免當切割時對半導體層15的損傷。
第三實施例
圖24A是第三實施例的發光裝置10e的立體視圖。圖24B是圖24A的A-A剖面視圖。圖24C是圖24A的B-B剖面視圖。
在本實施例的發光裝置10e中，第二p側互連層23的部份設於第一通孔18a中，而未設置上述實施例的第一p側互連層21。而且，第二n側互連層24的部份設於第二通孔18b中，而未設置第一n側互連層22。換言之，p側互連層包含第二p側互連層23；以及，n側互連層包含第二n側互連層24。
因未設置第一p側互連層21及第一n側互連層22，可以免除多個製程以及降低成本。
圖25是發光模組的剖面視圖，發光模組具有本實施例的發光裝置10e安裝於安裝基底100上的配置。
在本實施例中，也以第三表面30面對安裝基底100的安裝表面103之方向，安裝發光裝置10e。在第三表面30曝露的p側外部端子23a及n側外部端子24a經由銲材102等而分別接合至形成於安裝表面103中的墊101。
第三表面30實質上垂直於第一表面15a，第一表面15a是光的主要發射表面。因此，當第三表面30向下面對安裝表面103側時，第一表面15a配置成面對橫向以取代從安裝表面103朝上。換言之，取得所謂的側視型發光裝置10e和發光模組，其中，在以安裝表面103為水平表面的情形中，光在橫向上發射。
第四實施例
圖26A是第四實施例的發光裝置10f的立體視圖。圖26B是圖26A的A-A剖面視圖。圖26C是圖26A的B-B剖面視圖。
本實施例的發光裝置10f的第三表面30既未垂直於、也未平行於第一表面15a，但相對於第一表面15a傾斜。
第三表面30傾斜，以致於在相當於圖26A的B-B剖面之圖26C的剖面中，樹脂層25的外部形態具有倒梯形配置。
在第三表面30曝露之第一n側互連層22的側表面22a、第一p側互連層21的側表面21a、第二p側互連層23的p側外部端子23a、及第二n側互連層24的n側外部端子24a傾斜以與第三表面30的傾斜相符。
圖27是發光模組的剖面視圖，發光模組具有本實施例的發光裝置10f安裝於安裝基底100上的配置。
以第三表面30面對安裝基底100的安裝表面103之方向，安裝發光裝置10f。在第三表面30曝露的p側外部端子23a及n側外部端子24a經由銲材102等而分別接合至形成於安裝表面103中的墊101。
也是在本實施例中，p側外部端子23a及n側外部端子24a曝露在第三表面30上，第三表面30的平面方向不同於第一表面15a和在與第一表面15a相反的側上之第二表面。因此，取得所謂的側視型發光裝置10f和發光模組，其中，在以安裝表面朝下的情形中光在橫向上發射。
而且，由於第三表面30相對於第一表面15a傾斜，所以，當第三表面30向下面對安裝表面103側時，第一表面15a歪斜地朝上。換言之，在使安裝表面103為水平表面之情形中，光歪斜地向上發射。
現在，參考圖28A至29B，說明本實施例的發光裝置10f的製造方法。
圖28B對應於圖28A的A-A剖面；圖29B對應於圖29A的A-A剖面。
如圖28A中所示般，製程可以類似於上述第一實施例般進行直到形成磷層27的製程。
然後，使用刀子，在上述圖12B中所示的切割區d2的位置，切割樹脂層25，舉例而言，刀子的二寬度方向側表面形成為錐形。因此，如圖28B中所示般，在切割區d2之下形成溝槽55。藉由穿透樹脂層25，溝槽55抵達絕緣層18。溝槽55離開絕緣層18側逐漸地加寬。
也在本實施例中，p側外部端子23a及n側外部端子24a凸出至切割區d2中。因此，p側外部端子23a及n側外部端子24a在溝槽55曝露。
然後，沿著切割區d2，切割溝槽55上的絕緣層18和磷層27。此外，沿著垂直於切割區d2的切割區d1，切割磷層27、絕緣層18、及樹脂層25。因此，如圖29A及29B中所示般，執行切割成多個發光裝置10f的切割。
也是在沿著切割區d1的方向上，藉由使用二寬度方向側表面形成為錐形的刀子，使圖29A中所示的樹脂層25的側表面傾斜。
圖30B是使用實施例的發光模組作為例如液晶顯示裝置的背照光之具體實施例的視圖。
此處，安裝於安裝基底100上的發光裝置10顯示為選自上述實施例中的一典型發光裝置。
安裝基底100設於框151上。由於發光裝置10是側視型，所以，在安裝基底100面向下的狀態中，光如同圖中的白箭頭所示般在橫向上發射。
舉例而言，以延伸至頁面中的長方形板配置，形成安裝基底100；以及，多個發光裝置10安裝在安裝基底100的縱向中。
導光板201設於發光模組之旁。導光板201相對於發光裝置10發射的光是可透射的，以及，由例如樹脂材料製成。發光裝置10的發光表面與具有導光板201的光入射表面201a相對。
反射器153設於導光板201之下；以及，液晶面板202設於導光板201之上。反射器154設於發光裝置10之上。反射器153及154相對於發光裝置10發射的光是反射光的。
從發光裝置10橫向發光的光入射至導光板201的光入射表面201a上。從光入射表面201a進入導光板201的光在導光板201的表面方向上展開以及入射於液晶面板202上。自與液晶面板202相反的側上之導光板201發射的光由反射器153反射而被導引至液晶面板202。
圖30A是使用比較實施例的發光模組作為光源的背照光的視圖。
比較實施例的發光模組的發光裝置300是所謂的上視型。換言之，光從安裝基底100的安裝表面向上發射。因此，安裝基底100由設置成與光入射表面201a相對的框152支撐，以使發光裝置300的發光表面與導光板201的光入射表面201a相對。
因此，具有長方形板配置的安裝基底100，以安裝表面面對光入射表面201a之方向，直立地配置；這不僅導致導光板201的厚度增加，也導致整個背照光單元的厚度增加。
相反地，在圖30B中所示的實施例中，由於安裝基底100無需直立以面對導光板201的光入射表面201a，所以，不僅導光板201更薄，整個背照光單元也更薄。
下述紅磷層、黃磷層、綠磷層、及藍磷層可以作為上述的磷層。
舉例而言，紅磷層含有CaAlSiN3 :Eu之氮化物為基礎的磷或SiAlON為基礎的磷光體。
在使用SiAlON為基礎的磷光體之情形中，使用
(M1-X ,RX )a1 AlSib1 Oc1 Nd1 　成分公式(1)
(其中，M至少是排除Si及Al之一型式的金屬元素，值得注意的是，M是選自Ca和Sr中至少之一；R是發光中心元素，以及值得注意的是，R為Eu；且x、a1、b1、c1、及d1滿足下述關係：x是大於0及1或更小，a1是大於0.6且小於0.95，b1大於2且小於3.9，c1大於0.25且小於0.45，d1是大於4且小於5.7)。
藉由使用成分公式(1)的SiAlON為基礎的磷光體，波長轉換效率的溫度特徵可以增進；以及，進一步增加高電流密度區的效率。
舉例而言，黃磷層含有(Sr,Ca,Ba)2 SiO4 :Eu之矽酸鹽為基礎的磷光體。
舉例而言，綠磷層含有(Ba,Ca,Mg)10 (PO4 )6 Cl2 :Eu之鹵磷酸鹽為基礎的磷光體或SiAlON為基礎的磷光體。
在使用SiAlON為基礎的磷光體之情形中，使用
(M1-X ,RX )a2 AlSib2 Oc2 Nd2 　成分公式(2)
(其中，M至少是排除Si及Al之一型式的金屬元素，值得注意的是，M是選自Ca和Sr中至少之一；R是發光中心元素，以及值得注意的是，R為Eu；且x、a2、b2、c2、及d2滿足下述關係：x是大於0及1或更小，a2是大於0.93且小於1.3，b2大於4.0且小於5.8，c2大於0.6且小於1，d2大於6且小於11)。
藉由使用使用成分公式(2)的SiAlON為基礎的磷光體，波長轉換效率的溫度特徵可以增進；以及，進一步增加高電流密度區的效率。
舉例而言，藍磷層含有BaMgAl10 O17 :Eu之氧化物為基礎的磷光體。
雖然已說明某些實施例，但是，這些實施例僅為舉例說明，並非要限定發明的範圍。事實上，此處所述的新穎實施例可以以不同的其它形式具體實施；此外，在不悖離發明的精神之下，可以省略、替代、及改變此處所述的實施例的形式。後附的申請專利範圍及其均等範圍涵蓋落在發明的範圍及精神之內的這些形式或修改。
5．．．基底
10．．．發光裝置
10a．．．發光裝置
10b．．．發光裝置
10c．．．發光裝置
10d．．．發光裝置
10e．．．發光裝置
10f．．．發光裝置
11．．．第一半導體層
12．．．第二半導體層
13．．．發光層
15．．．半導體層
15a．．．第一表面
15b．．．第二表面
16．．．p側電極
17．．．n側電極
18．．．絕緣層
18a．．．第一通孔
18b．．．第二通孔
18c．．．互連表面
19．．．金屬膜
20．．．金屬膜
21．．．第一p側互連層
21a．．．側表面
22．．．第一n側互連層
22a．．．側表面
23．．．第二p側互連層
23a．．．p側外部端子
23b．．．p側連接單元
24．．．第二n側互連層
24a．．．n側外部端子
24b．．．n側連接單元
25．．．樹脂層
26．．．透鏡
27．．．磷層
30．．．第三表面
35．．．樹脂層
41．．．光阻
42．．．光阻
42a．．．凹部
42b．．．凹部
50．．．金屬膜
51．．．反射膜
52．．．溝槽
55．．．溝槽
90．．．凹口
100．．．安裝基底
101．．．墊
102．．．銲材
103．．．安裝表面
151．．．框
152．．．框
153．．．反射器
154．．．反射器
201．．．導光板
201a．．．光入射表面
202．．．液晶面板
300．．．發光裝置
d1．．．切割區
d2．．．切割區
圖1A至1C是第一實施例的發光裝置之立體視圖。
圖2是第一實施例的發光裝置之剖面視圖。
圖3A至16B顯示第一實施例之半導體發光裝置的製造方法。
圖17A及17B是第一實施例之發光模組的另一實施例的剖面視圖。
圖18A及18B是第二實施例的發光裝置之立體視圖。
圖19A及19B是第二實施例的發光裝置之剖面視圖。
圖20是第二實施例的發光模組之剖面視圖。
圖21A至23B顯示第二實施例之半導體發光裝置的製造方法。
圖24A至24C是第三實施例的發光裝置之立體視圖。
圖25是第三實施例的發光模組之剖面視圖。
圖26A至26C是第四實施例的發光裝置之立體視圖。
圖27是第四實施例的發光模組之剖面視圖。
圖28A至29B顯示第四實施例之半導體發光裝置的製造方法。
圖30A是照明設備的視圖，其中，使用比較實施例的發光模組，以及，圖30B是照明設備的視圖，其中，使用實施例的發光模組。
圖31是第一p側互連層及第一n側互連層的另一佈局之視圖。
10a．．．發光裝置
11．．．第一半導體層
12．．．第二半導體層
13．．．發光層
15．．．半導體層
15a．．．第一表面
16．．．p側電極
17．．．n側電極
18．．．絕緣層
18a．．．第一通孔
18b．．．第二通孔
18c．．．互連表面
19．．．金屬膜
20．．．金屬膜
21．．．第一p側互連層
21a．．．側表面
22．．．第一n側互連層
22a．．．側表面
23．．．第二p側互連層
23a．．．p側外部端子
23b．．．p側連接單元
24．．．第二n側互連層
24a．．．n側外部端子
24b．．．n側連接單元
25．．．樹脂層
26．．．透鏡
27．．．磷層
30．．．第三表面
35．．．樹脂層

Claims (21)

  1. 一種發光裝置，包括：半導體層，包含第一表面、與該第一表面相反的第二表面、及發光層；p側電極，設於該半導體層上；n側電極，設於該半導體層上；第一絕緣層，設於該第二表面側上，該第一絕緣層具有與該p側電極連通的第一通孔、以及與該n側電極連通的第二通孔；p側互連層，包含第一p側互連層以及第二p側互連層，該第一p側互連層經由該第一通孔而電連接至該p側電極，該第二p側互連層電連接至該第一p側互連層且設於與該半導體層相反之該第一絕緣層的側上之互連表面上，該第二p側互連層包含具有與該第一表面垂直的L形剖面之部份；n側互連層，包含第一n側互連層、以及第二n側互連層，該第一n側互連層經由該第二通孔而電連接至該n側電極，該第二n側互連層電連接至該第一n側互連層、與該p側互連層分開、以及設於該互連表面上，該第二n側互連層包含具有與該第一表面垂直的L形剖面之部份；以及，第二絕緣層，設於該p側互連層與該n側互連層之間，該第二p側互連層的該部份具有p側外部端子，該p 側外部端子在第三表面從該第一絕緣層及該第二絕緣層曝露到外部(外側)，該第三表面具有與該第一表面及該第二表面不同的平面方向，該p側外部端子垂直於該第一表面，該第二n側互連層的該部份具有n側外部端子，該n側外部端子在該第三表面從該第一絕緣層及該第二絕緣層曝露到外部(外側)，該n側外部端子垂直於該第一表面。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該第二p側互連層在具有該L形之第二p側互連層的該部份的該剖面具有U形配置，以及該第二n側互連層在具有該L形之第二n側互連層的該部份的該剖面具有U形配置。
  3. 如申請專利範圍第2項之裝置，又包括第三絕緣層，設於該第二p側互連層的該U形配置之內以及該第二n側互連層的該U形配置之內。
  4. 如申請專利範圍第3項之裝置，其中，該第二絕緣層及該第三絕緣層是相同的樹脂材料。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中，在該第三表面曝露之該p側外部端子與該n側外部端子之間的距離大於在該互連表面上的該第一p側互連層與該第一n側互連層之間的距離。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中，該第一p側互連層的平面尺寸大於設在該第一p側互連層上的 該第二p側互連層的部份之平面尺寸。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中，該第一p側互連層通過複數個該第一通孔而連接至該p側電極。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，又包括設於該第一表面上的透明體，該透明體對於來自該發光層的發射光是透明的。
  9. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中，該透明體包含透明樹脂及散佈於該透明樹脂中的磷光體。
  10. 如申請專利範圍第8項之裝置，又包括設於該透明體的側表面上的反射膜，該反射膜相對於來自該發射層的發射光是反射光的。
  11. 如申請專利範圍第10項之裝置，其中，該反射膜也設於該第一絕緣層的側表面上。
  12. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中，該第三表面垂直於該第一表面。
  13. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中，該第三表面未垂直於該第一表面，而是相對於該第一表面傾斜。
  14. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中，當從垂直於該第一表面的方向上觀視時，該發光裝置的平面配置是長方形配置，以及該第三表面是包含該長方形配置的長邊之表面。
  15. 如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包含第三 絕緣層，設於該第二p側互連層的L形部份和該第二n側互連層的L形部份的內側。
  16. 一種發光模組，包括：安裝基底，在安裝表面中包含墊；以及如申請專利範圍第1項之裝置，藉由將該p側外部端子及該n側外部端子接合至該墊，以安裝至該安裝表面，當該第三表面面朝下時，該發光裝置的該第一表面配置成面對橫向。
  17. 一種製造發光裝置的方法，包括：在堆疊體的互連表面上形成p側互連層，該堆疊體包含複數半導體層、p側電極、n側電極、以及第一絕緣層，該複數半導體層由切割區部份地分離，該複數半導體層中的每一層均包含第一表面、與該第一表面相反的第二表面、及發光層，該p側電極設於該半導體層上，該n側電極設於該半導體層上，該第一絕緣層設於該第二表面側上及具有與該p側電極連通的第一通孔、與該n側電極連通的第二通孔、以及形成於與該半導體層相反的側上之互連表面；在與該p側互連層分開的該互連表面上形成n側互連層；在該p側互連層與該n側互連層之間形成第二絕緣層；以及藉由切割該切割區的區域，使該p側互連層的一部份及該n側互連層的一部份在平面方向與該第一表面及該第 二表面不同的第三表面曝露到外部(外側)，該切割區之該被切割的區域包含該第二絕緣層、該p側互連層的一部份、及該n側互連層的一部份，該p側互連層的形成包含：在該第一通孔內及該互連表面上，形成第一p側互連層；以及在該第一p側互連層上，形成凹配置的第二p側互連層，該第二p側互連層的一部份垂直於該第一表面，且從該第一絕緣層及該第二絕緣層曝露；該n側互連層的形成包含：在該第二通孔內及該互連表面上，形成第一n側互連層；以及在該第一n側互連層上，形成凹配置的第二n側互連層，該第二n側互連層的一部份垂直於該第一表面，且從該第一絕緣層及該第二絕緣層曝露。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，又包括在該第二p側互連層之內及該第二n側互連層之內填充第三絕緣層。
  19. 如申請專利範圍第17或18項之方法，其中，該p側互連層的一部份及該n側互連層的一部份形成為凸出至沿著該第三表面的方向上延伸的該切割區中。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中，該p側互連層的及該n側互連層的該凸出部份形成於沿著該第三表面的該方向上延伸的該切割區的二寬度方向側上。
  21. 如申請專利範圍第20項之方法，又包括在該第二p側互連層之內及該第二n側互連層之內填充第三絕緣層。
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