TWI512781B - 具有可撓性對稱射頻返回帶之電漿處理腔室 - Google Patents

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Description

具有可撓性對稱射頻返回帶之電漿處理腔室 【交叉參考之相關申請案】
本申請案主張美國暫時專利申請案第61/563,545號之優先權，該暫時專利申請案係申請於西元2011年11月24日，名稱為“Plasma Processing Chamber with Flexible Symmetric RF Return Strap”，其揭露內容藉由參照納入作為本案揭示內容的一部分。
本申請案係關於申請於西元2011年11月21日的美國專利申請案第13/301,725號，其名稱為“TRIODE REACTOR DESIGN WITH MULTIPLE RADIOFREQUENCY POWERS”，以及關於申請於西元2011年11月22日的美國暫時專利申請案第61/563,021號，其名稱為“SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING A PLASMA EDGE REGION”，這些申請案每一者的內容藉由參照全體納入作為本案揭示內容的一部分。
本發明係關於晶圓處理設備，且更具體而言，係關於用於處理在晶圓處理設備中之晶圓的設備及方法。
積體電路的製造包含將含有摻雜矽之區域的矽基板(晶圓)沉浸入化學反應性電漿，其中將次微米元件特徵(例如電晶體、電容器等)蝕刻至表面上。一旦製造了第一層，數個絕緣(介電)層建立在該第一層上方，其中將孔(亦稱作介層窗)和溝槽蝕刻進該材料以布置傳導互連線路。
非均勻蝕刻可能不利地影響晶圓良率。此外，為促進在相同的晶圓上產出更高數量的元件，關鍵尺寸大小隨每個元件新世代而縮小，且晶 圓尺寸逐漸增加，非均勻性的要求隨之變得更為嚴格。因此，控制非均勻性是能夠以具成本效益的方式生產更先進的技術節點的關鍵。
在此背景下產生本發明的實施例。
揭示內容的實施例提供用於處理半導體晶圓的一處理腔室的實施例。在一個實作中，該處理腔室包含將一接地組件的一第一部件連接至該接地組件的一第二部件的帶，以形成該等部件間的一可撓性接地路徑。
在一個實施例中，揭露用於處理半導體晶圓的一腔室。該腔室包含具有用於支持一基板的一表面的一靜電夾頭。設置一接地組件，其圍繞該靜電夾頭的周邊。該接地組件包含一第一環形部件、一第二環形部件、及在該第一環形部件和該第二環形部件之間的一空間。設置具有可撓性的一傳導帶。該傳導帶係環形且具有具一第一端部及一第二端部的一彎曲剖面形狀。將該傳導帶配置於該空間中，使得該第一端部係電連接至該第一環形部件且該第二端部係電連接至該第二環形部件。當該環形的傳導帶在該空間中時，該彎曲剖面形狀具有背向該靜電夾頭的一開口。
在另一實施例中，揭露一腔室。該腔室包含具有用於支持一基板的一表面的一靜電夾頭。該腔室亦包含一聚焦環組件及一接地組件，該聚焦環組件圍繞該靜電夾頭的周邊，且該接地組件圍繞該聚焦環組件的周邊。該接地組件包含一第一環形部件、一第二環形部件、及在該第一環形部件和該第二環形部件之間的一空間。設置具可撓性的一傳導帶。該傳導帶係環形且具有具一第一端部及一第二端部的一彎曲剖面形狀。將該傳導帶配置於該空間中，使得該第一端部係電連接至該第一環形部件且該第二端部係電連接至該第二環形部件。當該環形的傳導帶在該空間中時，該彎曲剖面形狀具有背向該靜電夾頭的一開口。
在一個實施例中，設置該腔室，其中該傳導帶包含複數指部，且其中各個指部延伸於該彎曲剖面形狀的該第一端部與該第二端部之間。
在一個實施例中，設置該腔室，其中將該彎曲剖面形狀的該第一端部與該第二端部分別夾持至該接地組件的該第一及第二環形部件。
在一個實施例中，設置該腔室，其中該接地組件的該第一環形部 件建構成垂直地移動，且具有可撓性的該傳導帶在該第一環形部件向下移動時會壓縮，且在該第一環形部件向上移動時擴展，其中該彎曲剖面形狀的該第一端部係藉由該第一環形部件的螺釘加以夾持，且該彎曲剖面形狀的該第二端部係藉由該第二環形部件的螺釘加以夾持。
在一個實施例中，設置該腔室，其中該傳導帶係由片狀金屬銅加以形成。
在一個實施例中，設置該腔室，其中該傳導帶提供第一環形部件與第二環形部件之間的一傳導路徑，該第一環形部件係鄰近一電漿區域，而該第二環形部件係連接至該腔室的一腔室壁的地。
在一個實施例中，設置該腔室，其中該第一環形部件具有一L形的截面且該第二環形部件具有一L形的截面，其中該等L形的長邊界定管狀部，而該等L形的短邊界定背向該靜電夾頭的延伸部，其中該空間係在界定該等延伸部的該等L形的該等短邊之間。
在一個實施例中，設置該腔室，其中該第一及第二環形部件的該等管狀部平行於該聚焦環組件的介電環，該聚焦環組件緊接地圍繞該靜電夾頭，而該接地組件圍繞該聚焦環組件。
在一個實施例中，設置該腔室，其中該接地組件的該第一及第二環形部件係配置於一多孔電漿侷限環的下方。
在一個實施例中，，設置該腔室，其中將射頻功率供應至該靜電夾頭，且射頻電流至少部分藉由該接地組件及該傳導帶返回。
10‧‧‧外圍腔室
11‧‧‧噴淋頭
12‧‧‧腔室壁
13‧‧‧覆緣
14‧‧‧電漿侷限區域
15‧‧‧環
16‧‧‧電極組件
18‧‧‧夾頭組件
20‧‧‧靜電夾頭
22‧‧‧設施板
24‧‧‧射頻饋給部
25‧‧‧介面
26A‧‧‧第一部分
26B‧‧‧第二部分
28‧‧‧接地屏蔽
30‧‧‧夾頭組件壁
32‧‧‧射頻地轉接管
101‧‧‧射頻返回帶
102‧‧‧傳導部件
103‧‧‧傳導部件
104‧‧‧夾持結構(塊部)
106‧‧‧夾持結構(塊部)
109‧‧‧螺釘
112‧‧‧接地支持部
120‧‧‧帶節
121‧‧‧接觸點
122‧‧‧位置
130‧‧‧環板
160‧‧‧聚焦環組件
160a‧‧‧石英環
160b‧‧‧熱邊緣環
160c‧‧‧介電環
圖1描述根據本發明一實施例的電漿反應器的剖面。
圖2顯示射頻返回帶及其其輪廓形狀更詳細的圖示，該射頻返回帶係可撓的且設計成安裝於腔室的兩個傳導部件之間。
圖3顯示根據一個實施例之射頻返回帶的另一詳細圖示。
圖4顯示根據一個實施例之射頻返回帶的另一剖面圖。
圖5顯示根據一個實施例之頂部電極的另一詳細圖示及多孔電漿侷限環區域的局部圖示。
本揭露內容的實施例提供處理腔室的實施例，該處理腔室係用於處理半導體晶圓。在一個實作狀況中，該處理腔室稱為一反應器。一個配置包含與底部電極為相反側的一其他的電極，且係由一實質上對稱的射頻接地電極所圍繞。在一個實施例中，在頂部電極上的低射頻功率控制頂部腔室及反應器壁之上的離子能量。這有助於控制電漿化學性質及賦予步驟到步驟控制的能力以調節配方中的功率設定。
為了進一步控制頂部電極表面上的溫度，將一雙區溫度控制設計於反應器的頂部區域中，使得內部的及外部的頂部電極溫度在處理期間可獨立地加以控制。再者，提供一多區氣體饋給系統，以經由不同的區注入各種製程氣體比例及一調整氣體，而達成期望的徑向均勻性。
亦或是，在另一實施例中，設計在底部處的一周邊射頻饋給部，以改善於高射頻頻率射頻輸送之方位角蝕刻率均勻性。至ESC(靜電夾頭)加熱器及ESC電極的AC及DC連接線，係通過射頻饋給部且終止於射頻匹配件處的整合射頻濾波器中。
在一個實施例中，藉由例如射頻返回帶101之C形可撓性金屬單元提供一對稱射頻接地返回。這個金屬帶容許處理期間的間隙調節，且維持頂部及底部電極之間的射頻返回路徑均勻地分布。在間隙調節期間，該射頻返回帶101會撓曲而彎曲成更封閉的C形狀或伸直為更開啟的C形狀。通常，該C形狀係具有一開口的彎曲形狀，其中該開口在藉由附接點或該彎曲形狀的端點而移動時可更為封閉或更為開啟。如圖1-4所示，射頻返回帶101圍繞靜電夾頭的周邊，連接至接地構件，提供圍繞該靜電夾頭對稱分布的到地的更均勻路徑。
在一個實施例中，該射頻返回帶係由銅材料所構成，其對於連接於帶的端部之間的部件的運動程度係可撓性的。在一個實施例中，該銅係可撓的片狀金屬銅，且可沖壓成形成界定指部或帶的形狀。在其他實施例中，銅可成形或加工成型為該形狀。在一個實施例中，該等部件係傳導性金屬部件，且帶於該帶的一端連接至一個部件而於該帶的另一端連接至另一部件。圍繞下電極周圍的接觸點提供自腔室至地而返回至射頻供應器的返回路徑的均勻分布。
吾人應了解本實施例可以多種方式加以實施，例如製程、設備、系統、裝置、或方法。以下描述數個實施例。
在二個電極之間激發電場係在蝕刻腔室中達到射頻氣體放電的方法之一。當施加振盪電壓於電極之間，所達到的放電稱作電容式耦合電漿(CCP)放電。
電漿可利用穩定的原料氣體加以產生，以取得藉由電子中性粒子碰撞所造成的各種分子的解離所產生的各種化學反應性副產物。蝕刻的化學方面包含中性氣體分子及其解離副產物與待蝕刻表面之分子的反應，以及產生揮發性分子，其可被抽離。當產生電漿時，加速正離子自電漿穿過分隔電漿與壁的空間電荷鞘，而以足夠的能量打擊晶圓表面，以自晶圓的表面移除材料。
在一個實施例中，氟碳氣體，例如CF4 及C-C4 F8 ，由於其不等向性及選擇性蝕刻能力，被用於介電蝕刻製程，然而此處所述原理可適用於其他電漿產生氣體。氟碳氣體可易於解離成較小的分子和原子自由基。這些化學反應性副產物蝕刻掉介電材料，在一個實施例中，該介電材料可為用於低k(低介電常數)元件之SiO2 及SiOCH。所產生的蝕刻製程可視為用於製作積體電路元件的多個蝕刻步驟其中之一。該積體電路元件接著被封裝進各種電子元件。這些元件亦可定義為成品積體電路元件。
圖1描述根據本發明一實施例的電漿反應器的剖面。該反應器包含由一外圍腔室壁12所界定的一外圍腔室10，以及由頂部電極組件16及下夾頭組件18所界定的電漿侷限區域14。夾頭組件18包含一靜電夾頭20，該靜電夾頭20提供一基板支持表面於其頂部側，且能夠靜電夾持基板至其靜電支持表面。一設施板22於與該基板支持表面為相反側的一側連接至該靜電夾頭20。各種設施構件係連接至設施板22，例如關於加熱、冷卻、升降銷控制、及靜電夾持的構件。
如所示，頂部電極組件16包含一噴淋頭11，其用於將製程氣體饋送進入電漿侷限區域14。該頂部電極組件亦包含一覆緣(shroud)13，其連接至頂部電極組件16且與夾頭組件18嚙合而界定電漿侷限區域14。穿孔係用於離開該電漿侷限區域14的氣流。該穿孔係形成於一個環15之中，其用於將電漿侷限於區域14之中而仍然容許氣體流動。
一中空的射頻饋給部24係連接至設施板22的周邊部分，以將射頻功率輸送至設施板22的邊緣。這個構造使射頻電流能夠繞過設施板22的內部部分，使得連接至該設施板的構件不在射頻電流的路徑中。以此方式，在高方位角均勻性的狀態下達到至位於夾頭組件上之基板的射頻輸送。
中空射頻饋給部24包含一第一部分26A及一第二部分26B，第一部分26A係連接至設施板22，而第二部分26B則自夾頭組件18側向地延伸出去。如所述實施例中所示，該中空射頻饋給部24於一端連接至設施板22的周邊，並且自該設施板延伸出去而至在其另一端的一射頻來源。連接至該設施板的第一部分26A係一碗狀部，其直徑實質大於第二部分26B的直徑，而第二部分26B係自夾頭組件延伸出去的一管狀部。第二部分26B於介面25處連接至在由該第一部分26A所界定的碗狀部中一個孔洞。如此，將連接至設施板的各種子設施構件容納於中空射頻饋給部的第一部分26A的內部之內。
此外，設置一接地屏蔽28作為夾頭組件18的一部分。接地屏蔽28促成一實質對稱的射頻返回電流路徑。接地屏蔽28促成流動於其上的電流之實質上對稱的射頻返回形狀。接地屏蔽28設計成圍繞中空射頻饋給部24其中第一部分26A及第二部分26B連接處的區域。因此，接地屏蔽28界定中空射頻饋給部24的第一部分26A及第二部分26B之間的屏障。接地屏蔽28連接至夾頭組件壁30，射頻地轉接管32自該夾頭組件壁30延伸到地。夾頭組件壁30、接地屏蔽28、及射頻地轉接管32共同地形成經由中空射頻饋給部24所輸送的射頻電流的返回路徑。吾人將注意到，中空射頻饋給部的第二部分26B的部分，係形成於射頻地轉接管32的內部之內。中空射頻饋給部的第二部分26B的這個部分與射頻地轉接管32共同地形成一同軸部。
圖1更顯示根據本發明一個實施例的射頻返回帶101，其呈C形配置。如所顯示，射頻返回帶101的C形係設計成安裝於頂部電極組件的傳導部件102與下電極的傳導部件103之間，且對頂部電極組件的傳導部件102與下電極的傳導部件103之間提供電接觸。傳導部件102及103形成圍繞靜電夾頭的接地組件的一部分。傳導部件102係第一環形部件，且傳導部件103係一第二環形部件。該接地組件係藉由一或多個介電部件而 與靜電夾頭電絕緣。
在圖1的配置中，接地組件包含部件102及103，且建構成在聚焦環組件160外側的周邊側壁上圍繞靜電夾頭20。聚焦環組件160圍繞靜電夾頭20。聚焦環組件160可包含面向在區域14中之電漿的石英環160a。聚焦環組件160亦包含數個介電環160c(見圖3)，其位於石英環160a下方，且將靜電夾頭20與部件103電性絕緣，部件103係連接至地的導體且形成接地組件的一部分。傳導部件102及103具有環形形狀，其直徑大於靜電夾頭(包含鄰近該靜電夾頭的絕緣部件)。該環形形狀使傳導部件102及103能夠提供射頻返回帶101對地的均勻且對稱的連接。
射頻返回帶101藉由夾持結構106連接至傳導部件103，且藉由夾持結構104連接至傳導部件102。在一個實施例中，該等夾持結構可為環形狀結構，其將射頻返回帶壓縮至傳導部件102及103以取得良好的電連接。該環形狀結構可藉由螺釘109(見圖3)加以附接或夾持，該等螺釘促進夾持壓力。該等螺釘可直接施加於該帶，或者該帶可藉由被螺釘固定的中間塊部而加以夾持或連接，如圖3所示。
如上所示，該射頻返回帶係由一傳導材料所界定，例如銅，其提供一路圍繞射頻返回帶頂部及底部接觸表面之間的周緣部之複數接觸點121。在一個實施例中，沿著C形帶接觸傳導部件處之周緣部的周圍之接觸點的數量範圍，可為約10到500個接觸點，或約50到300個接觸點，或約100到200個接觸點，或約150個接觸點。在又另一實施例中，該等接觸點可沿著該周緣部連接在一起，而成為該帶的一單一接觸點。在此一設計中，該帶仍可具有帶節120之間的間隙(見圖2中帶的細節)，但各個帶節的頂部及底部可在位置122處接合在一起。
射頻返回帶101係設計成提供自圖1所示電漿侷限區域14之內所產生的電漿至地的返回路徑。該返回路徑係設計成在電漿侷限區域14之間，向上通過頂部電極，沿著C覆緣(例如由矽或其他傳導材料所構成)而至傳導部件102，向下通過射頻返回帶101而至傳導部件103，且到達底部電極的傳導性外殼。在本發明的一個實施例中，腔室壁12係接地。如所顯示，對腔室提供至底部電極的射頻功率，且該射頻功率可藉由一個以上的射頻功率產生器加以提供。在一個實施例中，可設置三個射頻功率產生 器，以輸送三個不同頻率之功率。該射頻功率可輸送於例如2MHz、27MHz、60MHz、或其組合。
此外，可對腔室提供以耦合至頂部電極的另一射頻功率，或者可將頂部電極接地。當射頻功率耦合至頂部電極時，在一個實施例中，該功率係以低頻功率產生器加以提供。在一個實施例中，該射頻功率係選自20kHz與2MHz之間的範圍。在一個實施例中，將射頻功率設定於約400kHz。在又另一實施例中，該頂部射頻電極係連接至一開關，在頂部射頻功率完全關閉並接地，且該腔室設計成僅底部射頻功率啟動而運作的狀態下，該開關可提供一硬接地(hard ground)開關。當然，此配置將取決於製程參數及目標製程應用。
圖2顯示射頻返回帶101及其輪廓形狀更詳細的圖示，該射頻返回帶101係可撓的且設計成安裝於腔室的兩個傳導部件102及103之間，該等傳導部件界定接地組件。該接地組件亦被顯示連接至接地支持部112，其連接至腔室壁12，該腔室壁12亦接地。接地組件的傳導部件103係L形(於其剖面)，其中該帶連接至該L的底部，而該L的背部則延伸向上至聚焦環組件160且在聚焦環組件160的旁邊。部件102亦具有一較小的L形狀(於其剖面)，其延伸至環15且於夾持結構104處提供對帶101的連接點。在部件102及103的二個L形剖面之間，該帶將以C形配置而加以布置。
部件103的L形的背部，由於其環形構造，可視為一管狀部，而延伸出去的該L的底部部分可視為背向靜電夾頭延伸的一延伸部。部件102的L形的背部，由於其環形構造，亦可視為一管狀部，而延伸出去的該L的底部部分可視為背向靜電夾頭延伸的一延伸部。在部件102及103的延伸部之間將界定一空間，在該空間中該帶可連接。在一個實施例中，部件102可上下移動，帶101的可撓性容許這個移動，且仍維持對地的電傳導。
形成接地組件的部件102及103具有環形形狀，以允許該等部件在聚焦環組件160的外部及其部分的下方的位置處實質上圍繞靜電夾頭20的外周邊。聚焦環組件160包含石英環160a，其圍繞一熱邊緣環160b。該熱邊緣環160b設計成鄰近於靜電夾頭20上承受晶圓的支持表面。圖2顯示靜電夾頭20的表面，但未顯示放置於其上的晶圓。當晶圓置放於靜電夾 頭20的支持表面上之時，晶圓的頂部表面將大約與聚焦環組件160的熱邊緣環160b及石英環160a的頂部表面共面。
如所顯示，藉由以C形配置或形狀置放射頻返回帶101，能夠提供腔室構件上下移動的可撓性，且維持對至地的返回路徑的電接觸。經由多孔電漿侷限環15自製程區域離開之氣體的傳導，在沒有一帶阻礙流動路徑的狀況下仍可達成。由於該帶實質上安裝且夾設於腔室的傳導部件102及103之間，該帶將不會阻礙流動的路徑(即氣體的傳導)。在這個圖中，吾人亦可發現，接地的傳導部件102亦向上且朝向102a傳導。這個構造使部件102能夠配置於多孔電漿侷限環15的附近，且亦提供一表面，在該表面上電漿可經由環15耦合至地。
圖3顯示當連接至腔室的傳導部件102及103時射頻返回帶101的另一詳細圖示。腔室的傳導部件102及103使該帶能夠被夾持傳導塊部104及106加以夾持，且仍維持頂部與傳導部件102及103之間的電傳導。在一個實施例中，射頻返回帶101係由銅所構成。所使用銅的範圍，可自用以固持或送回一形狀部的薄銅片，至由構成或形成為厚到足以保持該彎曲形狀部的一形狀部，且仍可撓到在受壓縮或擴展時足以移動/彎曲。在另一實施例中，射頻返回帶101可由另一導電材料所構成，只要射頻功率能夠在腔室的兩個傳導件之間聯通而能夠使射頻功率返回到地。
在圖3中，設置環板130，其建構成靠近或遠離多孔環15而加以配置。環板130可連接至部件102，且因此可降低而提供經由環15的孔洞之更高的氣體傳導，或者可配置於靠近環15的上方位置以調節氣體流動。當部件102上下移動時，射頻返回帶101能夠彎曲，且仍提供良好的電傳導性。
連接至帶的一側的部件102，可設計成在操作期間或操作之後移動，以在處理期間調整由腔室離開之氣體的流動。如所顯示，該帶具有複數指部(帶節120)，其係一路圍繞著該帶，該帶圍繞或實質圍繞下電極。該複數指部協助提供兩個部件102/103之間的最大電傳導量，亦提供帶材料各側之間的空氣流動。可撓性的該帶可因此與腔室的部分一起移動，且當藉由附接塊部104及106加以應用時能夠輕易移除。附接塊部104及106，其係以螺釘附接至部件102及103，可加以移除，以在若磨損造成需要替換 或清洗時，能夠輕易替換該射頻返回帶。
圖4顯示射頻返回帶101的另一剖面圖。在這個圖中，發生於腔室內的電漿處理將基於此腔室的結構而能夠將氣體流出該腔室。藉由將射頻返回帶101摺成在腔室的兩個傳導部件102及103之間的可撓的C形，經由多孔電漿侷限環的氣體流動將實質上不會被阻礙。阻礙氣體流動可能造成負面處理效果，這可能影響蝕刻的均勻性。
圖5顯示頂部電極的另一詳細圖示及多孔電漿侷限環15的局部圖示。頂部電極的部分包含複數導管，其容許氣體通過頂部電極的一噴淋頭區域而流動。在一個實施例中，自噴淋頭進入電漿區域的開口被最小化，俾以防止在頂部電極的噴淋頭之內的電漿點燃。在這個圖示中，其中氣體流至噴淋頭的頂部電極部分，係由鋁材料形成。在鋁材料上方係鋁氮化物材料，且在鋁氮化物材料上方係一接地區域。
在一個實施例中，頂部電極可包含一內部或外部加熱器。將該內部加熱器識別為加熱器1，而將該外部加熱器識別為加熱器2。藉由對腔室的內部區域及腔室的外部區域提供獨立的加熱器，能夠更緊密地控制在電漿處理腔室內的處理參數。圖1提供內部加熱器和外部加熱器的布置的更詳細圖示。
雖然以清楚理解為目的而相當詳細描述前述實施例，但將顯而易見的是，在隨附專利申請範圍的範疇之內可實行一些變化及修改。因此，本實施例將被視為例示性而非限制性，並且本實施例將不限定於此處提出之細節，而可能在專利申請範圍的範疇及其相等意義內加以修改。
10‧‧‧外圍腔室
11‧‧‧噴淋頭
12‧‧‧外圍腔室壁
13‧‧‧覆緣
14‧‧‧電漿侷限區域
15‧‧‧環
16‧‧‧電極組件
18‧‧‧夾頭組件
20‧‧‧靜電夾頭
22‧‧‧設施板
24‧‧‧射頻饋給部
25‧‧‧介面
26A‧‧‧第一部分
26B‧‧‧第二部分
28‧‧‧接地屏蔽
30‧‧‧夾頭組件壁
32‧‧‧射頻地轉接管
101‧‧‧射頻返回帶
102‧‧‧傳導部件
103‧‧‧傳導部件
112‧‧‧接地支持部
160‧‧‧聚焦環組件

Claims (15)

  1. 一種腔室，用於處理半導體晶圓，該腔室包含：一靜電夾頭，具有用於支持一基板的一表面；一接地組件，圍繞該靜電夾頭的周邊，該接地組件包含一第一環形部件、一第二環形部件、及在該第一環形部件和該第二環形部件之間的一空間；及一傳導帶，具有可撓性，該傳導帶係環形且具有具一第一端部及一第二端部的一彎曲剖面形狀，將該傳導帶配置於該空間中，使得該第一端部係電連接至該第一環形部件且該第二端部係電連接至該第二環形部件，其中當環形的該傳導帶在該空間中時，該彎曲剖面形狀具有背向該靜電夾頭的一開口，其中該第一環形部件具有一L形的截面且該第二環形部件具有一L形的截面，其中該等L形的長邊界定管狀部，而該等L形的短邊界定背向該靜電夾頭的延伸部，其中該空間係在界定該等延伸部的該等L形的該等短邊之間；其中該第一及第二環形部件的該等管狀部係平行於一聚焦環組件的介電環，該聚焦環組件緊接地圍繞該靜電夾頭，而該接地組件圍繞該聚焦環組件。
  2. 如申請專利範圍第1項的腔室，其中該傳導帶包含複數指部，其中各個指部延伸於該彎曲剖面形狀的該第一端部與該第二端部之間。
  3. 如申請專利範圍第1項的腔室，其中將該彎曲剖面形狀的該第一端部與該第二端部分別夾持至該接地組件的該第一及第二環形部件。
  4. 如申請專利範圍第1項的腔室，其中該接地組件的該第一環形部件建構成垂直地移動，且具有可撓性的該傳導帶在該第一環形部件向下移動時會壓縮，且在該第一環形部件向上移動時擴展，其中該彎曲剖面形狀的該第一端部係藉由該第一環形部件的螺釘加以夾持，且該彎曲剖面形狀的該 第二端部係藉由該第二環形部件的螺釘加以夾持。
  5. 如申請專利範圍第1項的腔室，其中該傳導帶係由片狀金屬銅加以形成。
  6. 如申請專利範圍第1項的腔室，其中該傳導帶提供該第一環形部件與該第二環形部件之間的一傳導路徑，該第一環形部件係鄰近一電漿區域，而該第二環形部件係連接至該腔室的一腔室壁的地。
  7. 如申請專利範圍第1項的腔室，其中該接地組件的該第一及第二環形部件係配置於一多孔電漿侷限環的下方。
  8. 如申請專利範圍第1項的腔室，其中將射頻功率供應至該靜電夾頭，且射頻電流至少部分藉由該接地組件及該傳導帶返回。
  9. 一種腔室，包含：一靜電夾頭，具有用於支持一基板的一表面；一聚焦環組件，圍繞該靜電夾頭的周邊；一接地組件，圍繞該聚焦環組件的周邊，該接地組件包含一第一環形部件、一第二環形部件、及在該第一環形部件和該第二環形部件之間的一空間；及一傳導帶，具有可撓性，該傳導帶係環形且具有具一第一端部及一第二端部的一彎曲剖面形狀，將該傳導帶配置於該空間中，使得該第一端部係電連接至該第一環形部件且該第二端部係電連接至該第二環形部件，其中當環形的該傳導帶在該空間中時，該彎曲剖面形狀具有背向該靜電夾頭的一開口，其中該第一環形部件具有一L形的截面且該第二環形部件具有一L形的截面，其中該等L形的長邊界定管狀部，而該等L形的短邊界定背向該靜電夾頭的延伸部，其中該空間係在界定該等延伸部的該等L形的該等短邊之間； 其中該第一及第二環形部件的該等管狀部平行於該聚焦環組件的介電環，該聚焦環組件緊接地圍繞該靜電夾頭，而該接地組件圍繞該聚焦環組件。
  10. 如申請專利範圍第9項的腔室，其中該傳導帶包含複數指部，其中各個指部延伸於該彎曲剖面形狀的該第一端部與該第二端部之間。
  11. 如申請專利範圍第9項的腔室，其中將該彎曲剖面形狀的該第一端部與該第二端部分別夾持至該接地組件的該第一及第二環形部件。
  12. 如申請專利範圍第9項的腔室，其中該接地組件的該第一環形部件建構成垂直地移動，且具有可撓性的該傳導帶在該第一環形部件向下移動時會壓縮，且在該第一環形部件向上移動時擴展，其中該彎曲剖面形狀的該第一端部係藉由該第一環形部件的螺釘加以夾持，且該彎曲剖面形狀的該第二端部係藉由該第二環形部件的螺釘加以夾持。
  13. 如申請專利範圍第9項的腔室，其中該傳導帶係由片狀金屬銅加以形成。
  14. 如申請專利範圍第9項的腔室，其中該傳導帶提供該第一環形部件與該第二環形部件之間的一傳導路徑，在處理期間該第一環形部件係鄰近一電漿區域，而該第二環形部件係連接至該腔室的一腔室壁的地。
  15. 如申請專利範圍第9項的腔室，其中藉由該腔室執行一蝕刻操作，以製作一成品積體電路元件的至少一個態樣。
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