TWI501347B - 靜電夾盤之邊緣環 - Google Patents

靜電夾盤之邊緣環 Download PDF

Info

Publication number
TWI501347B
TWI501347B TW098127842A TW98127842A TWI501347B TW I501347 B TWI501347 B TW I501347B TW 098127842 A TW098127842 A TW 098127842A TW 98127842 A TW98127842 A TW 98127842A TW I501347 B TWI501347 B TW I501347B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
electrostatic chuck
edge ring
edge
holding
Prior art date
Application number
TW098127842A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201017813A (en
Inventor
Ian Jared Kenworthy
Kelly Fong
Michael C Kellogg
Original Assignee
Lam Res Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Res Corp filed Critical Lam Res Corp
Publication of TW201017813A publication Critical patent/TW201017813A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI501347B publication Critical patent/TWI501347B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00—Chucks or sockets
    • Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

靜電夾盤之邊緣環
本發明關於用於半導體、資料儲存器、平板顯示器、及同類或其他產業之製程設備領域。具體而言，本發明關於用以增進用於以電漿為基礎之製程工具中之靜電夾盤效能的系統。
自從數十年前首次引進積體電路(IC)裝置，半導體元件之幾何形狀(即，積體電路設計法則)之尺寸已顯著縮減。IC通常遵循『摩爾定律』，意指在單一積體電路晶片上製造的元件數目每兩年便會增加一倍。今日的IC製造設備正量產特徵部尺寸為65奈米(0.065μm)的元件，而未來工廠將很快地生產具有更小之特徵部尺寸的元件。
由於IC設計法則縮減，在半導體製造方面之漸增趨勢為利用單一晶圓處理作為各種製造步驟，包含電漿蝕刻及沉積腔室。單一晶圓反應裝置必須設計成在處理期間不引人注目地固定晶圓(或其他基板類型)，同時控制整個晶圓之溫度及溫度均勻度。
接合晶圓之前表面部分(可能執行處理之處)的機械晶圓夾盤由於氣流干擾、改變電漿分佈、及用以作為散熱裝置而產生製程均勻度問題。假如不適當地設計，機械晶圓夾盤亦可能產生微粒，導致晶圓汙染及其他問題。
靜電夾盤(ESC,electrostatic chuck)利用靜電電位以在處理期間將晶圓固持在適當的地方，從而藉著僅與晶圓背側有接觸而避免機械夾合的問題。靜電夾盤之運作係藉由在基板與夾盤上感應出相反電荷夾盤從而導致夾盤及基板之間的靜電吸引。吸引程度乃依據所感應之電荷量以及由於傳導效應之電荷消散速率。使用電壓偏壓以感應及控制靜電力，且電壓偏壓可僅在處理循環之一部分實施，例如，僅在基板被傳送至夾盤之後。或者，電壓偏壓可在整個處理循環中被連續實施。例如，例用電漿之傳導特性能提供電氣連結至ESC之一端子及晶圓系統的方法。
各種類型的靜電夾盤可包含可消耗(即，犧牲性)的邊緣環，其置於基板下方及附近用以將電漿局限在緊接基板及在基板上方之區域。邊緣環亦可保護ESC免受電漿侵蝕。
參考圖1，一部分之例示性習知技藝ESC結構100包含：電鍍鋁基部101、加熱接合層103、加熱器105、加熱板107、陶瓷接合層109。ESC結構100被陶瓷頂片111所覆蓋。藉由邊緣接合密封部113保護加熱接合層103、加熱器105、加熱板107、及陶瓷接合層109免於直接接觸周圍電漿環境及腐蝕性化學物。邊緣接合密封部113從而保護加熱器105、加熱板107、及加熱接合層103及陶瓷接合層109免受電漿侵蝕。
加熱接合層103通常由注入二氧化矽(例如，非晶質的SiOx )矽酮層所組成。加熱器105通常由被封裝在聚醯亞胺中的金屬阻抗元件所組成而加熱板107通常由鋁製造。陶瓷-填充(例如，氧化鋁(Al2 O3 ))矽酮材料普遍用來作為陶瓷接合層109。陶瓷頂片111通常由氧化鋁製造且被設成為允許基板115(如矽晶圓)被安全固持在陶瓷頂片111上方之適當處。
邊緣環117之整體形狀通常為環形且被固定在例示性習知技藝ESC結構100之內部之周圍。邊緣環117共中心地置於ESC結構100之內部附近並且以垂直、單面內徑為特徵。單面內徑迫使邊緣環117靠著鋁基部101、邊緣接合密封部113、及陶瓷頂片111從而名義上使邊緣環117定心。
此外，邊緣環117取決於臨界容許度及至少鋁基部101及陶瓷頂片111之同心度(concentricity)。任一片之容忍度或同心度之變化可能在安裝或使用後立即導致邊緣環117之損壞。因此，邊緣環117必須能適應在至少鋁基部101及陶瓷頂片111之間之整體最糟情況之容許度。相反地，假如兩片之容許度並非在最糟情況狀態下，則邊緣環117為過大且無法適當地增進關於基板之製程條件。因此，邊緣環必須被設計成能適應最糟情況之容許度同時仍不過大以將良率影響最小化、減少總體工具運作成本、並增進以電漿為基礎之製程的整體效能。
因此，需要可輕易適用於ESC之邊緣環。邊緣環應容易定心於ESC且不須過緊設計之容忍度，同時在寬廣之溫度範圍仍維持相對於ESC之良好集中之同心度。
在一例示性實施例中，揭露一種裝置，其與用以在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用。該裝置包含一邊緣環，其被設置成安置於靜電夾盤之陶瓷頂片之外周圍附近且連結至僅陶瓷頂片之至少一部分。更將邊緣環配置以與陶瓷頂片共中心。邊緣環包含：內邊緣，其具有一邊緣梯級部，被配置以提供邊緣環與陶瓷頂片之外周圍之間的機械連結；外邊緣；及平坦部分，位於內邊緣與外邊緣之間。平坦部分被配置成當邊緣環被設置在陶瓷頂片之外周圍附近時為水平定向並且當在電漿環境內運作時與基板平行。
在另一例示性實施例中，揭露一種裝置，其與用以在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用。該裝置包含一邊緣環，其被設置成安置於靜電夾盤之基片之外周圍附近且連結至僅基片之至少一部分。更將邊緣環配置以與基片共中心。邊緣環包含：內邊緣，其具有一邊緣梯級部，被配置以提供邊緣環與基片之外周圍之間的機械連結；外邊緣；及平坦部分，位於內邊緣與外邊緣之間。平坦部分被配置成當邊緣環被設置在基片之外周圍附近時為水平定向並且當在電漿環境內運作時與基板平行。
在另一例示性實施例中，揭露一種裝置，其與用以在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用。該裝置包含一邊緣環，其被設置以透過複數之銷而連接至靜電夾盤之基片。複數之銷狹縫被配置靠近邊緣環之周圍且被配置成安置於複數之銷上方並使邊緣環與靜電夾盤共中心集中。更將複數之銷狹縫配置以容許邊緣環與基片之間之熱膨脹變化，同時仍維持邊緣環之共中心集中。
在另一例示性實施例中，揭露一種裝置，其與用以在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用。該裝置包含一邊緣環，其被設置以透過複數之銷而連接至靜電夾盤之基片。複數之銷狹縫被配置靠近基片之周圍且被配置成安置於複數之銷上方並使邊緣環與靜電夾盤共中心集中。更將複數之銷狹縫配置以容許邊緣環與基片之間之熱膨脹變化，同時仍維持邊緣環之共中心集中。
以下討論之各種實施例說明用以增進製程效能之改良邊緣環。製程效能係藉由確保邊緣環相對於ESC之鋁基片或陶瓷頂片被共中心地放置(即，定心)而增進，因此導致邊緣環相對於基板而精準地配置。
參考圖2A，肩中心(shoulder-centered)邊緣環201之例示性實施例之平面圖200包含階梯內徑形狀205以及實質上為平坦之平頂面203。使用時，肩中心邊緣環201環繞ESC結構(未顯示但對於習知技藝者而言可輕易了解)，其平頂面203實質上係水平且與置於ESC上之基板平行。等角視圖230提供肩中心邊緣環201的額外參考圖。
由於肩中心邊緣環201僅接觸ESC之陶瓷頂片，階梯內徑形狀205改善對於ESC結構之定心。肩中心邊緣環201可在陶瓷頂片附近摩擦接合，或者，利用在技藝中獨立已知之黏著劑或機械緊固件固持在適當處。在具體例示性實施例中，階梯內徑形狀205高約1.9mm(約0.075英吋)且寬約0.4mm(約0.016英吋)。更具體之細節提供如下。整體而言，肩中心邊緣環201之階梯內徑形狀205在邊緣環對準中心方面提供約50%之改善，最終導致製程效能之改良。
現在參考圖2B，截面A-A顯示肩中心邊緣環201之橫剖面圖250。肩中心邊緣環201可由各種材料如鋁氧化物(Al2 O3 ,『氧化鋁』)或其他種類之陶瓷所形成。矽、碳化矽、二氧化矽(例如，結晶質或非晶質(SiOx ))、及過度金屬如固態釔(yttrium)亦為製造肩中心邊緣環201之合適材料。此外，各種其他類型之金屬、絕緣、及半導體材料亦可被輕易使用。假如肩中心邊緣環201係用來提供與ESC之陶瓷的摩擦接合，則可能需要考慮超過例如100℃之溫度範圍之肩中心邊緣環201與陶瓷之間的熱膨脹相容性。在一般應用中，可將肩中心邊緣環201加工成在室溫下(例如，20℃)具有適當的壓緊契合(press-fit)。
在具體例示性實施例中，肩中心邊緣環201係由鋁氧化物(Al2 O3 )所製造，並以厚度為75微米(μm)到125μm(約0.003到0.005英吋)之釔氧化物處理層塗佈。例如，釔氧化物處理層可藉由熱噴塗法被塗佈或由物理氣相沉積(PVD,physical vapor deposition)系統被塗佈。在此實施例中，釔氧化物處理層可如所需在某些區域中成為錐形，或肩中心邊緣環201之整體部分可被保留成未塗佈。
繼續參考圖2B，在下方表I提供具體之例示性尺寸以容納直徑300mm之基板。
僅提供例示性尺寸以幫助習知技藝者充分了解肩中心邊緣環201之製造細節。所給定的尺寸可被適當地調整為其他一般基板大小(例如，直徑為200mm或450mm之晶圓或平板顯示器之矩形區塊)。
現在參考圖2C，圖2B之截面A-A之放大截面270提供第一邊緣梯級部271之具體例示性實施例之細節。第一邊緣梯級部271係用來機械接觸一般ESC之僅陶瓷頂片111(圖1)之至少一部分。當相對於陶瓷頂片111而準確地定心時，第一邊緣梯級部271從而在肩中心邊緣環201與ESC之鋁基片101之間提供約0.4mm(約0.016英吋)之間隙。
參考圖2D，另一放大截面290提供第二邊緣梯級部291之另一具體例示性實施例之細節。第二邊緣梯級部291之尺寸類似上述之第一邊緣梯級部271且以類似方式作用。習知技藝者可基於在此所提供之資訊輕易想像邊緣梯級部所能採取之各種其他形狀。
在圖3A中，銷中心(pin-centered)邊緣環301之底視圖300包含複數之銷狹縫303，其被配置以在複數之銷305上方或周圍卡住。在上述例示性實施例中，複數之銷狹縫被隔開約120°之間隔(總共三個狹縫)。在另一例示性實施例(未顯示)，較少或較多數目之複數之銷狹縫303可被加入銷中心邊緣環301。
複數之銷之每一者被固定於ESC之鋁基片部(未顯示，但從圖1可輕易想像)。複數之銷305被製作以提供銷中心邊緣環301之壓緊契合，從而在ESC之主要部分之周圍將邊緣環對準中心。然而，複數之銷狹縫303之細長特性容許銷中心邊緣環301及鋁基片之熱膨脹變化。
在另一實施例中(未顯示但習知技藝者可輕易了解)，複數之銷305之每一者可被固定在銷中心邊緣環301上，且複數之銷狹縫可被加工至鋁基片內。在又另一實施例中，複數之銷305可被直接加工成銷中心邊緣環301或鋁基片之一部分。
假如複數之銷305為『鬆開的』(即，未加工成銷中心邊緣環301或鋁基片之一部分)，則複數之銷305可由各種材料製造。材料包含：不銹鋼(例如，316L)、高溫塑膠、鋁氧化物或其他陶瓷、固態釔、或能夠被加工且禁得起相當高溫(例如，高達400℃或更高)之一些技術領域中已知的其他材料。
現在參考圖3B，截面B-B顯示銷中心邊緣環301之橫剖面圖350。橫剖面圖350指示複數之銷狹縫303之其中一者之位置。
銷中心邊緣環301可由各種材料如鋁氧化物(Al2 O3 ,『氧化鋁』)或其他種類之陶瓷所形成。矽、碳化矽、二氧化矽(例如，結晶質或非晶質(SiOx ))、及過度金屬如固態釔亦為製造銷中心邊緣環301之合適材料。此外，各種其他類型之金屬、絕緣、及半導體材料亦可被輕易使用。超過例如100℃之溫度範圍之銷中心邊緣環301與鋁基片之間的熱膨脹相容性將通常藉由複數之銷狹縫303之細長特性被自動補償，同時仍維持與ESC之共中心對準。在一般應用中，可將銷中心邊緣環301加工成在室溫下(例如，20℃)具有適當的壓緊契合(press-fit)。
在具體例示性實施例中，銷中心邊緣環301係由鋁氧化物(Al2 O3 )所製造，並以厚度為75微米(μm)到125μm(約0.003到0.005英吋)之釔氧化物處理層塗佈。例如，釔氧化物處理層可藉由熱噴塗法被塗佈或由物理氣相沉積(PVD)系統被塗佈。在此實施例中，釔氧化物處理層可如所需在某些區域中成為錐形，或銷中心邊緣環301之整體部分可被保留成未塗佈。
繼續參考圖3B，在上方表I提供具體之例示性尺寸以容納直徑300mm之基板。僅提供例示性尺寸以幫助習知技藝者充分了解銷中心邊緣環301之製造細節。所給定的尺寸可被適當地調整為其他一般基板大小(例如，直徑為200mm或450mm之晶圓)。
現在參考圖3C，圖3B之截面B-B之放大截面370提供複數之銷狹縫303之其中一者之具體例示性實施例之細節。銷中心邊緣環301係用來機械接觸一般ESC之僅鋁基片101(圖1)及複數之銷305。複數之銷狹縫303及複數之銷305可被加工以在銷中心邊緣環301與陶瓷頂片111之間提供約0.4mm(約0.016英吋)之間隙。此外，雖然複數之銷狹縫顯示為未貫穿孔(blind hole)構造，習知技藝者將輕易認定亦可使用貫穿孔(through-hole)構造。
以上說明關於本發明之具體實施例。然而，對於習知技藝者而言，在不離開如附加之申請專利範圍提到的本發明之較寬精神及範疇內可進行各種修改及變更。
例如，特定的實施例說明各種材料類型及配置。習知技藝者將承認這些材料及配置可被變更，且在此所示者僅為了例示性目的以闡明所敘述之邊緣環之各種樣態。例如，在閱讀在此所揭露之資訊後，習知技藝者將快速認定邊緣環之肩中心實施例亦能被置於ESC基片附近而不接觸陶瓷頂片。此外，習知技藝者將更認定在此說明之技術及方法可適用於在苛刻的電漿及化學環境中運作之任何相似類型之結構，於此環境中精準之同心度及配置需要被維持。對於半導體產業之靜電夾盤之應用僅用來作為範例以幫助習知技藝者說明本發明之各種實施例。
此外，說明書中之術語半導體應被理解為包含資料儲存器、平板顯示器、及同類或其他產業。這些及各種其他實施例全都在本發明之範疇內。因此，說明書及圖示被視為例示性而非限制性。
100．．．ESC結構
101．．．鋁基片
103．．．加熱接合層
105．．．加熱器
107．．．加熱板
109．．．陶瓷接合層
111．．．陶瓷頂片
113．．．邊緣接合密封部
115．．．基板
117．．．邊緣環
200．．．平面圖
201．．．肩中心邊緣環
203．．．平頂面
205．．．階梯內徑形狀
230．．．等角視圖
250．．．橫剖面圖
270．．．放大截面
271．．．第一邊緣梯級部
290．．．放大截面
291．．．第二邊緣梯級部
300．．．底視圖
301．．．銷中心邊緣環
303．．．銷狹縫
305．．．銷
350．．．橫剖面圖
370．．．放大截面
附加圖示之各者僅闡明本發明之例示性實施例，且並非被視為限制其範疇。
圖1為習知技術靜電夾盤之一部分的橫剖面圖。
圖2A包含本發明之肩中心邊緣環之例示性俯視圖及伴隨之等角視圖。
圖2B為圖2A之肩中心邊緣環的橫剖面圖。
圖2C為圖2B之邊緣環之放大部分，顯示一具體例示性肩設計。
圖2D為圖2B之邊緣環之放大部分，顯示另一具體例示性肩設計。
圖3A為本發明之例示性銷中心邊緣環之底視圖。
圖3B為圖3A之銷中心邊緣環的橫剖面圖。
圖3C為圖3B之邊緣環之放大部分，顯示一具體例示性銷設計。
200．．．平面圖
201．．．肩中心邊緣環
203．．．平頂面
205．．．階梯內徑形狀
230．．．等角視圖

Claims (30)

  1. 一種與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，該裝置包含：一邊緣環，被設置成安置於該靜電夾盤之陶瓷頂片之外周圍附近且連結至僅該陶瓷頂片之至少一部分，更將該邊緣環配置為與該陶瓷頂片共中心，該邊緣環包含：一內邊緣，具有一邊緣梯級部，其朝向該邊緣環之一內部部分且被配置以提供該邊緣環與該陶瓷頂片之外周圍之間的直接機械連結；一外邊緣；及一實質平坦之最上部部分，位於該內邊緣與該外邊緣之間，該實質平坦之最上部部分被配置成當該邊緣環被設置在該陶瓷頂片之外周圍附近時為水平定向並且當在該電漿環境內運作時與該基板平行。
  2. 如申請專利範圍第1項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該邊緣環至少部分由固態釔所製造。
  3. 如申請專利範圍第1項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該邊緣環至少部分由鋁氧化物所製造。
  4. 如申請專利範圍第3項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該鋁氧化物至少部分被釔氧化物所塗佈。
  5. 如申請專利範圍第1項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該邊緣環被製造以在該靜電夾盤之該陶瓷頂片附近提供摩擦接合。
  6. 如申請專利範圍第5項之與在電漿環境中固持基板之靜電 夾盤一起使用的裝置，其中該摩擦接合維持在約100℃之溫度範圍。
  7. 如申請專利範圍第1項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該邊緣梯級部從該邊緣環之該內邊緣向內徑向延伸約0.4毫米。
  8. 如申請專利範圍第1項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該邊緣梯級部之內部與該邊緣環之該內邊緣平行延伸約1.9毫米。
  9. 一種與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，該裝置包含：一邊緣環，被設置成安置於該靜電夾盤之基片之外周圍附近且連結至僅該基片之至少一部分，更將該邊緣環配置為與該基片共中心，該邊緣環包含：一內邊緣，具有一邊緣梯級部，其朝向該邊緣環之一內部部分且被配置以提供該邊緣環與該基片之外周圍之間的直接機械連結；一外邊緣；及一實質平坦之最上部部分，位於該內邊緣與該外邊緣之間，該實質平坦之最上部部分被配置成當該邊緣環被設置在該基片之外周圍附近時為水平定向並且當在該電漿環境內運作時與該基板平行。
  10. 如申請專利範圍第9項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該邊緣環至少部分由固態釔所製造。
  11. 如申請專利範圍第9項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該邊緣環至少部分由鋁氧化物所製造。
  12. 如申請專利範圍第11項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該鋁氧化物至少部分被釔氧化物所塗佈。
  13. 如申請專利範圍第9項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該邊緣環被製造以在該靜電夾盤之該基片附近提供摩擦接合。
  14. 如申請專利範圍第13項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該摩擦接合維持在約100℃之溫度範圍。
  15. 如申請專利範圍第9項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該邊緣梯級部從該邊緣環之該內邊緣向內徑向延伸約0.4毫米。
  16. 如申請專利範圍第9項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該邊緣梯級部之內部與該邊緣環之該內邊緣平行延伸約1.9毫米。
  17. 一種與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，該裝置包含：一邊緣環，其被設置以透過複數之銷而連接至該靜電夾盤之基片；複數之銷狹縫，其被配置靠近該邊緣環之周圍且被配置成安置於該複數之銷上方並使該邊緣環與該靜電夾盤共中心而定心，更將該複數之銷狹縫配置以容許該邊緣環與該基片之間的熱膨脹變化，同時仍維持該邊緣環之共中心定心。
  18. 如申請專利範圍第17項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該複數之銷狹縫被配置作為未貫穿孔(blind-hole)構造。
  19. 如申請專利範圍第17項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該複數之銷狹縫被配置作為貫穿孔(through-hole)構造。
  20. 如申請專利範圍第17項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該邊緣環至少部分由固態釔所製造。
  21. 如申請專利範圍第17項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該邊緣環至少部分由鋁氧化物所製造。
  22. 如申請專利範圍第21項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該鋁氧化物至少部分被釔氧化物所塗佈。
  23. 如申請專利範圍第17項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該複數之銷狹縫被製造以在室溫下在該複數之銷附近提供摩擦接合。
  24. 一種與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，該裝置包含：一邊緣環，其被設置以透過複數之銷而連接至該靜電夾盤之基片；複數之銷狹縫，其被配置靠近該基片之周圍且被配置成安置於該複數之銷上方並使該邊緣環與該靜電夾盤共中心而定心，更將該複數之銷狹縫配置以容許該邊緣環與該基片之間的熱膨脹變 化，同時仍維持該邊緣環之共中心定心。
  25. 如申請專利範圍第24項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該複數之銷狹縫被配置作為未貫穿孔(blind-hole)構造。
  26. 如申請專利範圍第24項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該複數之銷狹縫被配置作為貫穿孔(through-hole)構造。
  27. 如申請專利範圍第24項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該邊緣環至少部分由固態釔所製造。
  28. 如申請專利範圍第24項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該邊緣環至少部分由鋁氧化物所製造。
  29. 如申請專利範圍第28項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該鋁氧化物至少部分被釔氧化物所塗佈。
  30. 如申請專利範圍第24項之與在電漿環境中固持基板之靜電夾盤一起使用的裝置，其中該複數之銷狹縫被製造以在室溫下在該複數之銷附近提供摩擦接合。
TW098127842A 2008-08-19 2009-08-19 靜電夾盤之邊緣環 TWI501347B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US9018208P 2008-08-19 2008-08-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201017813A TW201017813A (en) 2010-05-01
TWI501347B true TWI501347B (zh) 2015-09-21

Family

ID=41695635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098127842A TWI501347B (zh) 2008-08-19 2009-08-19 靜電夾盤之邊緣環

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8469368B2 (zh)
JP (1) JP5518071B2 (zh)
KR (1) KR101573962B1 (zh)
CN (1) CN102124820B (zh)
TW (1) TWI501347B (zh)
WO (1) WO2010021890A2 (zh)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102124820B (zh) 2008-08-19 2014-09-10 朗姆研究公司 用于静电卡盘的边缘环
JP5635001B2 (ja) * 2008-09-26 2014-12-03 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 結合リングをクロック回転させることによって調整可能な静電チャックとホットエッジリングとの間の熱的接触
JP5361448B2 (ja) * 2009-02-27 2013-12-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US8485128B2 (en) 2010-06-30 2013-07-16 Lam Research Corporation Movable ground ring for a plasma processing chamber
TWI541928B (zh) * 2011-10-14 2016-07-11 晶元光電股份有限公司 晶圓載具
US9869392B2 (en) 2011-10-20 2018-01-16 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US9859142B2 (en) 2011-10-20 2018-01-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US8677586B2 (en) * 2012-04-04 2014-03-25 Lam Research Corporation Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same
US20140034242A1 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 Lam Research Corporation Edge ring assembly for plasma processing chamber and method of manufacture thereof
KR101923050B1 (ko) 2012-10-24 2018-11-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 급속 열 처리를 위한 최소 접촉 에지 링
US9768052B2 (en) 2013-03-14 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Minimal contact edge ring for rapid thermal processing
US9502279B2 (en) 2013-06-28 2016-11-22 Lam Research Corporation Installation fixture having a micro-grooved non-stick surface
US10211046B2 (en) 2013-07-19 2019-02-19 Applied Materials, Inc. Substrate support ring for more uniform layer thickness
US9583377B2 (en) 2013-12-17 2017-02-28 Lam Research Corporation Installation fixture for elastomer bands
US10804081B2 (en) 2013-12-20 2020-10-13 Lam Research Corporation Edge ring dimensioned to extend lifetime of elastomer seal in a plasma processing chamber
US10090211B2 (en) 2013-12-26 2018-10-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
JP6298403B2 (ja) * 2014-12-26 2018-03-20 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 シリコンウェーハ熱処理用支持治具
CN105097638A (zh) * 2015-08-24 2015-11-25 沈阳拓荆科技有限公司 一种新型腔内倒角陶瓷环
US11127619B2 (en) 2016-06-07 2021-09-21 Applied Materials, Inc. Workpiece carrier for high power with enhanced edge sealing
KR20190104040A (ko) * 2017-01-27 2019-09-05 울트라테크 인크. 기판-바이어스된 원자층 증착을 위한 향상된 전기적 절연을 가진 척 시스템 및 방법
CN110462781B (zh) * 2017-03-31 2022-03-11 玛特森技术公司 用于等离子体处理设备的基座组件
KR102204181B1 (ko) * 2017-12-15 2021-01-19 램 리써치 코포레이션 플라즈마 챔버에서 사용하기 위한 링 구조체들 및 시스템들
US10766057B2 (en) 2017-12-28 2020-09-08 Micron Technology, Inc. Components and systems for cleaning a tool for forming a semiconductor device, and related methods
US11201079B2 (en) * 2018-05-30 2021-12-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer chuck
KR102669513B1 (ko) * 2018-11-05 2024-05-28 삼성디스플레이 주식회사 캐리어, 이를 포함하는 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
US11430639B2 (en) * 2018-12-13 2022-08-30 Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. Plasma processing system
CN109930132B (zh) * 2019-03-08 2021-06-18 拓荆科技股份有限公司 陶瓷环及具有陶瓷环的半导体反应腔体
KR20210022403A (ko) 2019-08-20 2021-03-03 삼성전자주식회사 기판 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
KR20210042749A (ko) 2019-10-10 2021-04-20 삼성전자주식회사 정전 척 및 상기 정전 척을 포함하는 기판 처리 장치
CN114746578A (zh) * 2019-11-26 2022-07-12 朗姆研究公司 用于衬底加工工具的承载环至基座的运动学安装
JP7359000B2 (ja) * 2020-01-20 2023-10-11 東京エレクトロン株式会社 基板を処理する装置、及び基板を処理する方法
CN115116917A (zh) * 2021-03-19 2022-09-27 台湾积体电路制造股份有限公司 设备校准方法、设备维护方法及半导体处理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5805408A (en) * 1995-12-22 1998-09-08 Lam Research Corporation Electrostatic clamp with lip seal for clamping substrates
US6133152A (en) * 1997-05-16 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Co-rotating edge ring extension for use in a semiconductor processing chamber
US20070231992A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Tokyo Electron Limited Method of removing residue from a substrate

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2855769A (en) * 1954-11-03 1958-10-14 Air Equipement Torque limiters with thermal release
US3367638A (en) * 1963-10-25 1968-02-06 Leva Max Gas-liquid contact apparatus
US4130379A (en) * 1977-04-07 1978-12-19 Westinghouse Electric Corp. Multiple side entry root for multiple blade group
JPH0794480A (ja) * 1993-09-24 1995-04-07 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US5985089A (en) * 1995-05-25 1999-11-16 Tegal Corporation Plasma etch system
US5708556A (en) * 1995-07-10 1998-01-13 Watkins Johnson Company Electrostatic chuck assembly
US5740009A (en) * 1996-11-29 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for improving wafer and chuck edge protection
JP4592916B2 (ja) * 2000-04-25 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置
EP1356499A2 (en) * 2000-07-10 2003-10-29 Temptronic Corporation Wafer chuck with interleaved heating and cooling elements
US6475336B1 (en) * 2000-10-06 2002-11-05 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring for plasma processing
US6391787B1 (en) * 2000-10-13 2002-05-21 Lam Research Corporation Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
JP2007332462A (ja) * 2000-12-12 2007-12-27 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置の再生方法，プラズマ処理容器内部材，プラズマ処理容器内部材の製造方法及びプラズマ処理装置
JP4686867B2 (ja) * 2001-02-20 2011-05-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2003045952A (ja) * 2001-05-25 2003-02-14 Tokyo Electron Ltd 載置装置及びその製造方法並びにプラズマ処理装置
TW541586B (en) * 2001-05-25 2003-07-11 Tokyo Electron Ltd Substrate table, production method therefor and plasma treating device
US6506291B2 (en) * 2001-06-14 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Substrate support with multilevel heat transfer mechanism
US7029529B2 (en) * 2002-09-19 2006-04-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for metallization of large area substrates
JP2004289003A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Seiko Epson Corp 石英リング、プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法
JP4439853B2 (ja) * 2003-07-08 2010-03-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、フォーカスリング及びプラズマ処理方法
JP2005119915A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体プラズマ処理装置用多結晶アルミナセラミックス部品
US7697260B2 (en) * 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
KR100610010B1 (ko) * 2004-07-20 2006-08-08 삼성전자주식회사 반도체 식각 장치
US7431788B2 (en) * 2005-07-19 2008-10-07 Lam Research Corporation Method of protecting a bond layer in a substrate support adapted for use in a plasma processing system
JP2007112641A (ja) * 2005-10-18 2007-05-10 Toshiba Ceramics Co Ltd フォーカスリング
US7432467B2 (en) * 2006-03-28 2008-10-07 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US8226769B2 (en) * 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
JP2007326744A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Covalent Materials Corp 耐プラズマ性セラミックス部材
US7589950B2 (en) * 2006-10-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck having sealing assembly
KR100849179B1 (ko) * 2007-01-10 2008-07-30 삼성전자주식회사 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비
CN102124820B (zh) 2008-08-19 2014-09-10 朗姆研究公司 用于静电卡盘的边缘环
JP5635001B2 (ja) * 2008-09-26 2014-12-03 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 結合リングをクロック回転させることによって調整可能な静電チャックとホットエッジリングとの間の熱的接触
DE202010015933U1 (de) * 2009-12-01 2011-03-31 Lam Research Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Fremont Eine Randringanordnung für Plasmaätzkammern

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5805408A (en) * 1995-12-22 1998-09-08 Lam Research Corporation Electrostatic clamp with lip seal for clamping substrates
US6133152A (en) * 1997-05-16 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Co-rotating edge ring extension for use in a semiconductor processing chamber
US20070231992A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Tokyo Electron Limited Method of removing residue from a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
CN102124820A (zh) 2011-07-13
WO2010021890A2 (en) 2010-02-25
JP5518071B2 (ja) 2014-06-11
KR101573962B1 (ko) 2015-12-02
CN102124820B (zh) 2014-09-10
WO2010021890A3 (en) 2010-05-14
US8469368B2 (en) 2013-06-25
US20100044974A1 (en) 2010-02-25
TW201017813A (en) 2010-05-01
JP2012500498A (ja) 2012-01-05
KR20110049810A (ko) 2011-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI501347B (zh) 靜電夾盤之邊緣環
US8454027B2 (en) Adjustable thermal contact between an electrostatic chuck and a hot edge ring by clocking a coupling ring
US9984912B2 (en) Locally heated multi-zone substrate support
JP6968120B2 (ja) 薄い基板をハンドリングするための静電キャリア
JP6497248B2 (ja) ウェハ保持体
TW201724345A (zh) 靜電卡盤裝置
JP2021510010A (ja) ウエハ操作のためのリフトピンシステム
JP2009256789A (ja) セラミックスヒータ
TWI823865B (zh) 用於減少損壞的基板背面的基板支撐件
CN105793974A (zh) 用于较小晶片及晶片片段的晶片载具
WO2019008889A1 (ja) 半導体基板加熱用の基板載置台
KR20170036165A (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101397133B1 (ko) 정전척의 제조방법
TWI806988B (zh) 基板固定裝置
KR102363647B1 (ko) 베이스 플레이트 구조체 및 그 제조방법, 기판 고정 장치
CN112789714A (zh) 可拆卸的热矫平器
JP2006128205A (ja) ウェハ支持部材
KR101397132B1 (ko) 정전척의 제조방법
JP2013042049A (ja) ウェハ支持装置
JP2024047964A (ja) 試料保持具
TW202126107A (zh) 加熱裝置
JP2006237023A (ja) 静電チャック
KR20130123268A (ko) 반도체 웨이퍼를 안정적으로 지지하기 위한 척 제조방법