JP6968120B2 - 薄い基板をハンドリングするための静電キャリア - Google Patents
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Description
基板を処理する目的に使用されるいくつかのプラズマプロセスでは、例えば基板上の材料をエッチングしまたは基板上に材料に堆積させることによって基板を処理するため、またはチャンバ内の表面を洗浄するために、通電されたガスが使用される。これらの通電されたガスは、ESCの部分を腐食しうる、化学エッチング剤などの高度に腐食性の種ならびに通電されたイオン種およびラジカル種を含むことができる。腐食されたESCが問題になることがある。損傷を受けたESCは、基板を処理または保持するための所望の電気特性を提供しない可能性があるためである。さらに、ESCからの腐食した粒子が、チャンバ内での処理である基板を汚染することもある。
セラミックでできたESCが望ましいことがある。これは、セラミックでできたESCが、通電されたプロセスガスによる腐食に対して改良された抵抗を有し、摂氏数百度を超える高い基板処理温度であってもESCの構造的完全性を維持することができるためである。しかしながら、ESCが組み込まれた従来の支持体の1つの問題は、特に高温で実行される基板プロセス中に、セラミックESCと支持ペデスタルとの間で熱膨張の不一致が起こりうることである。セラミック材料と金属ペデスタルの熱膨張率の差が熱応力および機械応力を生み出すことがあり、それによってセラミックが割れたりまたは欠けたりすることがある。
さらに、それを貫いて形成された複数の孔を有するセラミックESCは特にひび割れしやすいことがある。ESC内の電極を電源に結合するために使用されるビア(via)用の孔は、セラミック材料のひび割れまたは割れを引き起こす可能性がある応力点の1つの例であることがある。それらの孔は一般に、ESCの機械的完全性の固有の弱点であると考えられている。ESCがひび割れしたりまたは割れたりすると、ESCは、基板を有効に保持する能力を失う可能性があり、また、粒子の生成が増大する可能性もある。加えて、ひび割れしたESCを絶えず取り替える必要があることによって、費用がかさんだり無駄が多くなったりする可能性がある。
他の実施形態では、静電チャックが提供される。この静電チャックは、静電チャックの底部を画定する底面を有する実質的に堅い支持層と、第1の電極と、第1の電極と少なくとも部分的に交互に配置された第2の電極と、静電チャックの頂部を画定する頂面を有する誘電体層とを含む。第1の電極は、誘電体層の頂面と支持層との間に配置することができる。支持層、第1の電極、第2の電極および誘電体層は単一体を形成することができる。第1の電極に第1のコネクタを結合することができ、第1のコネクタを、静電チャックの底部に対して露出させることができる。支持層および誘電体層の周囲面上に第1のリード線を形成することができ、第1のリード線は、第1のコネクタと第1の電極とを接続することができる。第2の電極に第2のコネクタを結合することができ、第2のコネクタを、静電チャックの底部に対して露出させることができる。支持層および誘電体層の周囲面上に第2のリード線を形成することができ、第2のリード線は、第2のコネクタと第2の電極とを接続することができる。
本明細書に提供された実施形態は一般に静電チャック(ESC)に関する。このESCは、ESCを貫通する孔など、減らされたいくつかの応力開始点を含むことができ、これによってESCの機械的完全性を向上させることができる。ESC内に配置された電極を、導電性リード線を介して電気接点および電源に接続することができ、この導電性リード線は、ESCの外側周囲面に沿って結合または形成することができる。したがって、ESC内に形成された孔の必要性を低減または排除することができる。いくつかの実施形態では、頂面もしくは底面またはその両方にガスチャネルを形成することができる。それらのガスチャネルは、ESCを貫いて形成されたガスチャネルの必要性を低減させまたは排除することができ、また、基板支持体、ESCおよびESCに結合された基板間の熱伝達を容易にすることができる。
ESC120に関して、支持体本体118は、電力および裏側ガスをESC120に供給するガス導管112および電気導管(図1には示されていない)を含むことができる。これらの導管については図2に関してより詳細に説明する。支持体本体118はさらに、支持体本体118を所望の温度に維持するように適合された加熱および/または冷却要素(図示せず)を含むことができる。この加熱および/または冷却要素は、抵抗ヒータ、流体導管などとすることができる。
処理チャンバ100はさらに、プロセスガスおよび/または洗浄ガスを処理チャンバ100に供給するガス送達装置を含む。図1に示された実施形態では、このガス送達装置が、チャンバ壁130を貫いて形成された少なくとも1つのノズル106の形態をとる。ノズル106を貫いて形成されたガス通路を通してプロセス容積105にプロセスガスを供給するため、壁130を貫いて形成されたノズル106にガスパネル138を結合することができる。ガスパネル138は、シリコン含有ガス供給源、酸素含有ガス供給源、窒素含有ガス供給源、またはチャンバ100内で基板を処理するのに適した他のガスを含むことができる。
側壁119は、実質的にESC120の範囲を定めることができ、プレナム(plenum)230を形成するためにESC120から距離を置いて配置することができる。ガス導管112をガス源124に結合することができ、ガス導管112は、支持体本体118を貫いて表面168まで延びることができる。ガス導管112は、ヘリウム、水素、窒素、アルゴンまたは他の不活性ガスなどのガスを、ESC120と基板支持体118の間およびESC120と基板121の間の領域に、プレナム230を介して供給するように適合させることができる。これらのガスを、ESC120と支持体本体118の間およびESC120と基板121の間のそれぞれの熱伝達を容易にするように適合させることができる。
図5は、図4のESC120の下面図である。第1の電極リード線302は、第1の電極208から、ESC120の外側周囲面250に沿って、ESC120の底部306へルート設定されているものとして示されている。ESC120の底部306は支持層214とすることができる。第1の電極リード線302と同様に、第2の電極リード線304も、ESC120の外側周囲面250に沿って、ESC120の底部306へルート設定されているものとして示されている。第1の電極リード線302をコネクタ216に結合することができる。第2の電極リード線304をコネクタ218に結合することができる。ESC120を貫いて延びる複数のリフトピン孔502が示されている。リフトフィンガまたはフープ(hoop)を利用してESC120を移動させる場合にはリフトピン孔が不必要であることが企図される。
Claims (17)
- 静電チャックであって、
前記静電チャックの底部を画定する底面を有する支持層と、
前記静電チャックの頂部を画定する頂面を有し、前記支持層上に配置される誘電体層と、
前記誘電体層の前記頂面と前記支持層との間に配置される第1の電極と、
前記支持層の前記底部に結合された第1のコネクタと、
前記第1のコネクタと前記第1の電極とを接続する第1のリード線と
を備え、前記誘電体層の前記頂面が、前記頂面内に形成されたガスチャネルを有し、前記ガスチャネルが、前記誘電体層の周囲面に開いており、
前記誘電体層が、前記ガスチャネルに接続された貫通孔を持たない、静電チャック。 - 前記第1のコネクタが導電性パッドを含む、請求項1に記載の静電チャック。
- 前記第1のリード線が、前記支持層及び前記誘電体層の周囲面上に形成される、請求項1に記載の静電チャック。
- 前記支持層及び前記誘電体層が、ガラスまたはセラミック材料を含む、請求項1に記載の静電チャック。
- 前記誘電体層が、前記支持層の熱膨張率に等しい熱膨張率を備える、請求項1に記載の静電チャック。
- 前記第1のコネクタは、導電性スプリングと接触するように構成される、請求項1に記載の静電チャック。
- 第2の電極を更に備え、
前記第1の電極が、前記第2の電極の複数のフィンガと交互に配置された複数のフィンガを備える、請求項1に記載の静電チャック。 - 前記第2の電極に結合された第2のコネクタであり、前記静電チャックの前記底部に対して露出した第2のコネクタとをさらに備え、前記支持層および前記誘電体層の前記周囲面上に、前記第2のコネクタと前記第2の電極とを接続する第2のリード線が形成された、請求項7に記載の静電チャック。
- 基板をチャックする装置であって、
ベース部材と、
前記ベース部材の頂面上に配置された静電チャックと
を備え、前記静電チャックが、
前記静電チャックの底部を画定する底面を有する支持層と、
前記静電チャックの頂部を画定する頂面を有する誘電体層と
前記誘電体層の頂面と前記支持層の頂面との間に配置される第1および第2の電極と、
前記第1および第2の電極を、前記支持層上に配置されたコネクタに電気的に結合するリード線と
を備え、
前記静電チャックが、
前記静電チャックの頂面内に形成された1つまたは複数のガス送達溝であり、前記ベース部材の前記頂面の上方で開いた1つまたは複数のガス送達溝
を更に備え、
前記静電チャックを貫通するガス導管が形成されていない、
装置。 - 前記ベース部材の前記頂面が、前記静電チャックを受け取るように適合された、請求項9に記載の装置。
- 前記ベース部材に対する前記静電チャックの位置に応じて自動的に係合したり離れたりするように構成された電気接続を、前記静電チャックおよび前記ベース部材が有する、請求項9に記載の装置。
- 前記支持層及び前記誘電体層が、ガラスまたはセラミック材料を含む、請求項9に記載の静電チャック。
- 前記リード線が、前記支持層及び前記誘電体層の周囲面上に形成される、請求項9に記載の静電チャック。
- 前記誘電体層が、前記支持層の熱膨張率に等しい熱膨張率を備える、請求項9に記載の静電チャック。
- 前記第1の電極が、前記第2の電極の複数のフィンガと交互に配置された複数のフィンガを備える、請求項9に記載の静電チャック。
- 凹部を形成する側壁と前記ベース部材に結合される前記静電チャックの間にプレナムが形成される、請求項10に記載の装置。
- 静電チャックであって、
前記静電チャックの底部を画定する底面及び頂面を有する支持層と、
前記支持層の前記頂面上に配置され、前記静電チャックの頂部を画定する頂面を有する誘電体層と、
前記誘電体層に配置される第1の電極と、
前記誘電体層に配置され、前記第1の電極と交互に配置された第2の電極と、
前記支持層の前記底面に配置され、第1のリード線を介して前記第1の電極に結合された第1のコネクタと、
前記支持層の前記底面に配置され、第2のリード線を介して前記第2の電極に結合された第2のコネクタと、
を備え、前記誘電体層の前記頂面が、前記頂面内に形成されたガスチャネルを有し、前記ガスチャネルが、前記誘電体層の周囲面に開いており、
前記誘電体層が、前記ガスチャネルに接続された貫通孔を持たない、静電チャック。
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