TWI500367B - Substrate manufacturing apparatus and substrate manufacturing method - Google Patents

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TWI500367B
TWI500367B TW102126457A TW102126457A TWI500367B TW I500367 B TWI500367 B TW I500367B TW 102126457 A TW102126457 A TW 102126457A TW 102126457 A TW102126457 A TW 102126457A TW I500367 B TWI500367 B TW I500367B
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Yuji Okamoto
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Sumitomo Heavy Industries
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Description

基板製造裝置及基板製造方法
本發明係有關一種基板製造裝置及基板製造方法，其對基板塗布液態的薄膜材料之後，藉由使薄膜材料固化來形成預定形狀的薄膜。
已知有從噴嘴頭吐出包含薄膜圖案形成用的材料之液滴而在基板的表面形成薄膜圖案之技術(例如專利文獻1)。使噴嘴頭相對於基板移動之同時從噴嘴頭朝向基板吐出液滴，從而形成薄膜。將使基板相對於噴嘴頭移動之同時從噴嘴頭朝向基板吐出液滴之處理稱為“掃描”。
在該種薄膜形成技術中，例如，對基板使用印刷基板，對薄膜材料使用焊罩。印刷基板包含基材及配線，在預定的位置焊接有電子組件等。焊罩使焊接電子組件等之導體部份露出並覆蓋無需焊接的部份。與在整面塗布焊罩之後，使用光刻技術形成開口之方法相比，能夠實現製造成本的下降。
(先前技術文獻) (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2004-104104號公報
在基板面內使薄膜的厚度不同時，可以想到多點法、重塗法及分塗法。
在多點法中，藉由對每一個像素改變彈著之液滴的個數，從而改變薄膜的厚度。在將要形成最厚的薄膜之像素上彈著之液滴的個數變得最多。根據彈著於1個像素之液滴的最大個數，噴嘴頭相對於基板之移動速度受到限制。當彈著於1個像素之液滴的最大個數增加，則不得不使噴嘴頭相對於基板之移動速度變慢。因此生產率下降。
在重塗法中，形成均勻厚度的第1薄膜之後，僅在將要形成厚膜之區域，在第1薄膜之上進一步形成第2薄膜。在分塗法中，按將要形成薄膜的膜厚劃分成複數個區域。在1次掃描中在1個區域形成薄膜。在任一方法中，為了形成膜厚不同之薄膜，均必須進行複數次掃描。因此生產率下降。
本發明的目的在於提供一種在面內形成膜厚不同之薄膜時，能夠避免生產率下降之基板製造方法及基板製造裝置。
根據本發明的一個觀點，提供一種基板製造裝置，具有：載物台，係把將要形成薄膜之基板保持在保持面；噴嘴頭，係相向於前述載物台，並從複數個噴嘴孔朝向保持於前述載物台之基板吐出薄膜材料的液滴；移動機構，係使前述載物台及前述噴嘴單元的一方相對於另一方，朝向與前述保持面平行的掃描向移動；及控制裝置，控制前述移動機構；前述噴嘴頭，係從前述控制裝置接收前述噴嘴孔和與對應關連到該噴嘴孔的訊號波形的對應關係被特定之吐出訊號的話，則對應到被指定之訊號波形之體積的薄膜材料的液滴，從被指定之前述噴嘴孔吐出。
根據本發明的另一其他觀點，提供一種基板製造方法，具有：使噴嘴頭相向於基板，使前述基板與前述噴嘴頭的其中一方相對於另一方，朝向與前述基板的表面平行的掃描方向移動，同時從前述噴嘴頭的噴嘴孔吐出薄膜材料的液滴，來在前述基板的表面形成薄膜之製程；在使前述基板和前述噴嘴頭的其中一方相對於另一方朝向前述掃描方向移動之期間，根據與使前述薄膜材料的液滴彈著之位置上的前述薄膜的厚度相關之資訊，使從前述噴嘴孔吐出之薄膜材料的體積按每一個前述噴嘴孔而不同。
使從噴嘴孔吐出之薄膜材料的液滴的體積根據在基板上的位置而不同，從而能夠形成在面內膜厚變動之薄膜。並且，在1次掃描中，能夠形成不同膜厚的薄膜。因此，與習知之方法相比，能夠提高生產率。
20‧‧‧平台
21‧‧‧移動機構
22‧‧‧載物台
23‧‧‧噴嘴單元
24‧‧‧噴嘴頭
24a‧‧‧噴嘴孔
24b‧‧‧噴嘴列
25‧‧‧固化用光源
26‧‧‧噴嘴夾具
27‧‧‧加壓室
28‧‧‧隔壁
29‧‧‧電極
30‧‧‧攝像裝置
33‧‧‧共通室
34‧‧‧突出之部份
35‧‧‧薄膜材料的液滴
40‧‧‧控制裝置
41‧‧‧輸入裝置
42‧‧‧輸出裝置
43‧‧‧處理裝置
44‧‧‧體積波形對應表
45‧‧‧記憶部
46‧‧‧圖像資料
47、47a~47f‧‧‧像素
48、49‧‧‧開口
50‧‧‧基板
51‧‧‧薄膜
51A‧‧‧較厚的部份
60‧‧‧驅動電路
第1圖係根據實施例之基板製造裝置的概要圖。
第2圖A係噴嘴單元的立體圖，第2圖B係噴嘴頭及固化用光源的仰視圖。
第3-1圖中，第3圖A係噴嘴頭的剖面圖，第3圖B係第3圖A的單點鏈線3B-3B之剖面圖，第3圖C及第3圖E係吐出動作時噴嘴頭的與第3圖A相同位置的剖面圖，第3圖D及第3圖F係吐出動作時噴嘴頭的與第3圖B相同位置之剖面圖。
第3-2圖中，第3圖G及第3圖I係吐出動作時噴嘴頭的與第3圖A相同位置之剖面圖，第3圖H及第3圖J係吐出動作時噴嘴頭的與第3圖B相同位置之剖面圖。
第4圖係表示施加於加壓室的電極之電壓波形的一例之曲線圖。
第5圖A~第5圖D係吐出動作時噴嘴頭的剖面圖。
第6圖係表示施加於加壓室的電極之電壓波形的一例之曲線圖。
第7圖係控制裝置及噴嘴頭的框圖。
第8圖A係表示圖像資料的一例之線圖，第8圖B係與第8圖A的單點鏈線8B-8B的位置對應之基板及薄膜的剖面圖。
第9圖係表示用於吐出薄膜材料的液滴之訊號波形與形成於基板之薄膜的厚度之間的關係之圖。
第10圖係表示使用多點方式形成薄膜時的訊號波形與形成於基板之薄膜的厚度之間的關係之圖。
第1圖中示出根據實施例之基板製造裝置的概要圖。載物台22藉由移動機構21被支撐於平板20上。在載物台22的上表面(保持面)保持有印刷電路板等的基板50。將平行於載物台22的保持面的方向設為x方向及y方向，且定義將保持面的法線方向設為z方向之xyz直角座標系統。移動機構21使載物台22朝向x方向及y方向移動。
噴嘴單元23及攝像裝置30被支撐於平板20的上方。噴嘴單元23及攝像裝置30與保持於載物台22之基板50相向。攝像裝置30攝像形成於基板50的表面之配線圖案、對準標記及形成於基板50之薄膜圖案等。進行攝像所獲得之圖像資料輸入控制裝置40。噴嘴單元23從複數個噴嘴孔朝向基板50吐出光固化性(例如紫外線固化性)的薄膜材料的液滴(例如焊罩等的液滴)。吐出之薄膜材料附著於基板50的表面。
將噴嘴單元23固定於平板20，亦可使噴嘴單元23相對於載物台22及平板20移動來代替移動載物台22。
控制裝置40控制移動機構21、噴嘴單元23及攝像裝置30。控制裝置40包含記憶定義將要形成於基板50之薄膜圖案的形狀之光柵格式的圖像資料46或其壓縮資料等之記憶部45。操作員藉由輸入裝置41在控制裝置40輸入各種指令(command)或控制中所需的數值資料。控制裝置40從輸出裝置42對操作員輸出各種資訊。
第2圖A中示出噴嘴單元23的立體圖。噴嘴夾具26上安裝有複數個例如4個噴嘴頭24。各噴嘴頭24上分別形成有複數個噴嘴孔24a。噴嘴孔24a在x方向上排列，4個噴嘴頭24在y方向上排列並固定於噴嘴夾具26上。
在噴嘴頭24之間，更靠近兩端的噴嘴頭24的外側分別配置有固化用光源25。固化用光源25在基板50(第1圖)上照射使薄膜材料固化之光，例如紫外線。
第2圖B中示出噴嘴頭24及固化用光源25的仰視圖。在噴嘴頭24的各底面(相向於基板50之表面)配置有2列噴嘴列24b。各噴嘴列24b由在x方向上以間距(周期)8Pn排列之複數個噴嘴孔24a構成。其中一方的噴嘴列24b相對於另一方的噴嘴列24b向y方向偏離，並且，向x方向僅偏離間距4Pn。亦就是說，若著眼於1個噴嘴頭24，則噴嘴孔24a在x方向上以間距4Pn等間隔分布。間距4Pn例如相當於300dpi的解析度。
4個噴嘴頭24在y方向上排列，且相互在x方向偏 離而安裝於噴嘴夾具26(第2圖A)。第2圖B中，若以最左側的噴嘴頭24為基準，則第2、3、4個噴嘴頭24分別向x軸的負方向僅偏離2Pn、Pn及3Pn。因此，若著眼於4個噴嘴頭24(作為噴嘴頭整體)，則噴嘴孔24a在x方向上以間距Pn(相當於1200dpi之間距)等間隔排列。
在噴嘴頭24之間、及在y方向上比最外側的噴嘴頭24更靠外側分別配置有固化用光源25。若著眼於1個噴嘴頭24，則在其兩側配置有固化用光源25。
使基板50(第1圖)向y方向移動之同時根據將要形成之薄膜圖案的圖像資料46(第1圖)，從噴嘴單元23的各噴嘴孔24a吐出薄膜材料的液滴，從而在x方向上能夠以1200dpi的解析度形成薄膜圖案。將使基板50向y方向移動之同時從噴嘴孔24a吐出薄膜材料的液滴而在基板50塗布薄膜材料之動作稱作“掃描”。進行1次掃描之後，向x方向僅偏離Pn/2而進行下一次的掃描，藉此能夠將x方向的解析度提高至2倍的2400dpi。2次的掃描能夠藉由使第1次掃描和第2次掃描的方向反轉之往復掃描來實現。y方向(掃描方向)的解析度由基板50的移動速度和來自噴嘴孔24a的液滴的吐出周期決定。
第3圖A及第3圖B中示出噴嘴頭24的一部份的概要剖面圖。第3圖A表示在比形成有噴嘴孔24a之面稍微靠內側的位置中與xy面平行的剖面圖，第3圖B表示第3圖A的單點鏈線3B-3B之剖面圖。噴嘴頭24為所謂剪 力式型壓電元件方式的噴嘴頭。
如第3圖A所示，複數個加壓室27在x方向上排列。複數個加壓室27藉由隔壁28被隔開。隔壁28由壓電材料形成，且構成為若施加隔壁28的厚度方向的電場則剪切變形。與加壓室27對應地配置有噴嘴孔24a。加壓室27的壁面形成有電極29。
將第3圖A所示之兩端的加壓室27的電極29接地，且對中央的加壓室27的電極29施加電壓，則對中央的加壓室27的兩側的隔壁28施加厚度方向的電場。作為一例，若對中央的加壓室27的電極29施加負電壓，則如第3圖C所示，兩側的隔壁28朝向彼此遠離之方向變形。藉此，中央的加壓室27的容積變大。相反，若對中央的加壓室27的電極29施加正電壓，則如第3圖G所示，兩側的隔壁28朝向彼此接近之方向變形。藉此，中央的加壓室27的容積變小。
如第3圖B所示，加壓室27的底面形成有噴嘴孔24a。所有加壓室27連接於1個共通室33。在加壓室27及共通室33中儲藏有液態的薄膜材料。若擴大加壓室27，則薄膜材料從共通室33流入加壓室27。
接著，參閱第3圖A~第3圖J及第4圖，對從噴嘴孔24a吐出薄膜材料的液滴時的動作進行說明。第3圖A~第3圖J中示出有從中央的噴嘴孔24a吐出薄膜材料的液滴之例子。第3圖C、第3圖E、第3圖G及第3圖I表示與第3圖A相同位置的剖面圖，且第3圖D、第3 圖F、第3圖H及第3圖J表示與第3圖B相同位置的剖面圖。第4圖表示施加於中央的加壓室27的電極29之電壓波形的一例。以下的動作說明中，若無特別限定，則將中央的加壓室27簡稱為“加壓室27”，將中央的加壓室27的電極29簡稱為“電極29”。
第3圖A及第3圖B中表示電極29上未施加有電壓時(第4圖所示之時刻t11)的噴嘴頭24的剖面圖。時刻ta(第4圖)中，對電極29施加負電壓。
第3圖C及第3圖D中示出電極29上施加有負電壓時(第4圖所示之時刻t12)的噴嘴頭24的剖面圖。加壓室27的兩側的隔壁28向彼此遠離之方向變形，從而加壓室27擴大。藉此，薄膜材料從共通室33流入加壓室27。
時刻tb(第4圖)的時點，將施加於電極29上之電壓返回到接地電位。第3圖E及第3圖F中示出電極29的電位返回到接地電位時(第4圖所示之時刻t13)的噴嘴頭24的剖面圖。加壓室27的兩側的隔壁28返回中立狀態。此時，對加壓室27內的薄膜材料施加壓力，薄膜材料的一部份從噴嘴孔24a突出。在該狀態下，從噴嘴孔24a突出之部份34接連於加壓室27內的薄膜材料。
在時刻tc(第4圖)的時點，對電極29施加正電壓。第3圖G及第3圖H中表示對電極29施加正電壓時(第4圖所示之時刻t14)的噴嘴頭24的剖面圖。加壓室27的兩側的隔壁28向彼此接近之方向變形，從而加壓室 27的容積變小。加壓室27內的薄膜材料被加壓，突出之部份34變大。
在時刻td(第4圖)的時點，將施加於電極29上之電壓返回到接地電位。第3圖I及第3圖J中示出電極29的電位返回到接地電位時(第4圖所示之時刻t15)的噴嘴頭24的剖面圖。加壓室27的兩側的隔壁28返回中立狀態。此時，加壓室27擴大，從噴嘴孔24a突出之部份34(第3圖H)的一部份被拉回加壓室27內。突出之部份34中，未被拉回加壓室27內之前端的部份成為液滴35而朝向基板50(第1圖)飛翔。
接著，參閱第5圖A~第5圖D及第6圖，對從噴嘴孔24a吐出薄膜材料的液滴時的其他動作進行說明。第5圖A~第5圖D表示在與第3圖B相同位置中的噴嘴頭24的剖面圖。第6圖表示施加於電極29之電壓波形。
第5圖A中示出在電極29上未施加有電壓時(第6圖所示之時刻t21)的噴嘴頭24的剖面圖。
第5圖B中示出對電極29施加負電壓之後，返回到接地電位時(第6圖所示之時刻t22)的噴嘴頭24的剖面圖。加壓室27暫時擴大之後返回原樣，從而薄膜材料從噴嘴孔24a突出。藉此，已形成從噴嘴孔24a突出之部份34。
第5圖C中示出對電極29反復施加複數個負電壓脈衝之後(第6圖的時刻t23)的噴嘴頭24的剖面圖。加壓室27重復擴大和縮小，從而突出之部份34的一部份被拉 回加壓室27內。藉此，突出之部份34的體積變小。
第5圖D中示出對電極29施加正電壓時(第6圖的時刻t24)的噴嘴頭24的剖面圖。加壓室27縮小而對加壓室27內的薄膜材料進行加壓，從而已突出之部份34從加壓室27內的薄膜材料斷開成為液滴35。
藉由第5圖A~第5圖D及第6圖所示之動作吐出之液滴35的體積小於藉由第3圖A~第3圖J及第4圖中示出之動作吐出之液滴35的體積。如此，藉由改變施加於電極29之電壓波形，從而能夠改變從噴嘴孔24a吐出之液滴35的體積。第4圖及第6圖中示出之電壓波形為一例，根據薄膜材料的黏度、噴嘴頭24的結構等，施加於電極29之電壓波形具有與第4圖及第6圖中示出之波形不同之各種形狀。
噴嘴頭24的隔壁28(第3圖A)作為改變加壓室27的容積之致動器發揮作用。驅動致動器來改變加壓室27的容積，從而從噴嘴孔24a吐出薄膜材料的液滴。施加於致動器的電極29(第3圖A)之電壓波形(訊號波形)與加壓室27的容積的時間變化對應。
第7圖中示出控制裝置40(第1圖)及噴嘴頭24(第2圖A、第2圖B)的框圖。控制裝置40包含處理裝置43及記憶部45。記憶部45中記憶有圖像資料46及體積波形對應表44。圖像資料46包含將要形成之薄膜的平面形狀及有關膜厚之資訊。體積波形對應表44定義從噴嘴孔24a吐出之液滴35(第3圖J、第5圖D)的體積 與施加於電極29(第3圖A)之電壓波形(第4圖、第6圖)之間的對應關係。體積波形對應表44以各種電壓波形驅動噴嘴頭24，且藉由測量實際從噴嘴孔24a吐出之液滴的體積來製作。例如，電壓波形與液滴的體積V1~V4的4種類對應而被定義。液滴的體積順序設為V1>V2>V3>V4。
第8圖A中示出圖像資料46的一例。圖像資料46由在x方向及y方向上配置成行列狀之複數個像素47構成。每個像素47記憶有形成於該像素47的位置之薄膜的厚度資訊。第8圖A中以像素47內附有之X標記的線寬示於該像素47對應之位置的薄膜的厚度。像素47內附有之X標記的線寬越粗，意味著該像素47的位置的薄膜越厚。空白的像素47意味著在該像素47的位置未形成薄膜。
基板面內分布有未形成薄膜之開口48及開口49。例如，開口49具有接近圓形之平面形狀，且與形成於基板50(第1圖)上之通孔的位置對應。開口48與用於將電路元件的端子焊接在基板上之區域對應。
藉由使彈著於使薄膜變厚之像素47上之液滴的體積變大，從而能夠形成目標厚度的薄膜。在噴嘴孔24a(第2圖B)所排列之x方向上，薄膜的厚度發生變動。藉由每個噴嘴孔24a吐出之液滴的體積不同，從而能夠將在面內方向上膜厚發生變動之薄膜在1次掃描中形成。
第8圖B中示出與第8圖A的單點鏈線8B-8B的位 置對應之基板50及薄膜51的剖面圖。基板50上形成有薄膜51。薄膜51藉由使從噴嘴頭24(第2圖A、第2圖B)吐出而附著於基板50的表面之薄膜材料固化而形成。薄膜51上形成有複數個開口48。開口48內露出有導電圖形。電路元件52的端子53及電路元件55的端子56焊接在開口48內的導電圖案上。
其中一方的電路元件52的正下方形成有比形成於未配置有電路元件之區域之薄膜51更厚的部份51A。另一方的電路元件55的正下方的薄膜51的厚度與形成於未配置有電路元件之區域之薄膜51的厚度大致相同。其中一方的電路元件52比另一方的電路元件55更薄。
其中一方的電路元件52與其正下方的薄膜51的相對較厚的部份51A的上表面接觸，且另一方的電路元件55與在薄膜51中較厚的部份51A更薄之部份接觸。相對較薄之電路元件52被支撐於薄膜51的較厚的部份51A之上，相對較厚的電路元件55被薄膜51的相對較薄之部份支撐。因此，能夠使複數個電路元件52、55的上表面的高度一致。
返回第7圖繼續進行說明。噴嘴頭24包含驅動電路60及電極29(第3圖A)。控制裝置40的處理裝置43向驅動電路60輸出吐出訊號S1。吐出訊號S1中，特別規定有噴嘴孔24a與施加於該噴嘴孔24a的電極29之電壓波形的對應關係。若驅動電路60接收吐出訊號，則藉由吐出訊號對與各噴嘴孔24a對應之電極29施加具有與 該噴嘴孔24a建立對應關聯之訊號波形(電壓波形)之驅動訊號S2。
噴嘴頭24從各個噴嘴孔24a吐出與藉由吐出訊號S1指定之訊號波形對應之體積的薄膜材料。
第9圖中示出用於吐出薄膜材料的液滴之訊號波形與形成於基板50上之薄膜51的厚度的關係。在第9圖的上段示出訊號波形，在下段示出基板50及薄膜51的剖面圖。上段的訊號波形的橫軸表示經過時間。下段的剖面圖的橫方向與y方向(掃描方向)對應。像素47a~47f在y方向上排列。
在像素47a、47b的位置形成之薄膜51最薄，在像素47c、47d的位置形成之薄膜51最厚，在像素47e、47f的位置形成之薄膜51具有兩者的中間的厚度。藉由使體積V4(第7圖)的液滴彈著於像素47a、47b上，使比體積V4更大的體積V1(第7圖)的液滴彈著於像素47c、47d上，使體積V1與體積V4的中間的體積V2的液滴彈著於像素47e、47f上，從而能夠形成具有目標厚度分布之薄膜51。
在使液滴彈著於像素47a~47f上之噴嘴孔24a(第2圖A、第2圖B)通過像素47a~47f的上方時，控制裝置40將包含特別規定與像素47a~47f的位置的膜厚對應之訊號波形之資訊之吐出訊號S1(第7圖)輸出至驅動電路60。藉此，能夠在像素47a~47f的位置彈著目標體積的液滴。
第10圖中示出使用多點方式形成膜厚不同之薄膜時的訊號波形與形成於基板50上之薄膜51的厚度之間的關係。所形成之薄膜51的膜厚分布與第9圖中示出之薄膜51的膜厚分布相同。藉由在像素47a、47b的位置上彈著1滴液滴，在像素47c、47d的位置上彈著4滴液滴，在像素47e、47f的位置上彈著2滴液滴，從而能夠形成具有目標膜厚分布之薄膜51。
用於吐出4滴液滴之訊號波形具有用於吐出1滴液滴之訊號波形的大約4倍的時間長度。噴嘴頭24相對於基板50之掃描速度根據最長訊號波形的時間長度受限制。第10圖中示出之例子中，與在所有的像素上分別彈著1滴液滴而形成薄膜之情況相比，必須將掃描速度放慢至1/4。因此，導致生產率下降。
在實施例中，為了使薄膜的厚度不同，改變液滴的體積來代替改變液滴的個數。用於吐出較大液滴之訊號波形的時間長度和用於吐出較小液滴之訊號波形的時間長度之差與改變液滴的個數時的訊號波形的時間長度之差相比更小。雖然掃描速度根據時間長度較長之訊號波形受限制，但受限制之程度與採用多點方式時相比極少。並且，與用於吐出複數個液滴之訊號波形的時間長度相比，用於吐出較大體積的1滴液滴之訊號波形的時間長度更短。藉此，能夠抑制生產率的下降。
按照以上實施例對本發明進行了說明，但本發明並不限定於此。例如，可進行各種變更、改良、組合等對於本 領域的技術人員來說顯而易見。
24‧‧‧噴嘴頭
29‧‧‧電極
40‧‧‧控制裝置
43‧‧‧處理裝置
44‧‧‧體積波形對應表
45‧‧‧記憶部
46‧‧‧圖像資料
60‧‧‧驅動電路
S1‧‧‧吐出訊號
S2‧‧‧驅動訊號

Claims (5)

  1. 一種基板製造裝置，具有：載物台，係把將要形成薄膜之基板保持在保持面；噴嘴頭，係相向於前述載物台，並從複數個噴嘴孔朝向保持於前述載物台之基板吐出薄膜材料的液滴；移動機構，係使前述載物台及前述噴嘴頭的其中一方相對於另一方，朝向與前述保持面平行的掃描方向移動；及控制裝置，控制前述移動機構；前述噴嘴頭，係從前述控制裝置，接收把前述噴嘴孔和與對應關連到該噴嘴孔的訊號波形的對應關係予以特定之吐出訊號的話，則把與對應關連到該噴嘴孔之訊號波形相對應之體積的薄膜材料的液滴，從被指定之前述噴嘴孔吐出，從而能夠將在面內方向上膜厚發生變動之薄膜在1次掃描中形成。
  2. 如請求項1之基板製造裝置，其中，前述控制裝置，係包括：記憶圖像資料及體積波形對應表之記憶部，該圖像資料包含有關於將要形成於前述基板之薄膜的平面形狀及厚度的資訊，前述體積波形對應表係定義從前述噴嘴孔吐出之薄膜材料的液滴的體積與訊號波形的對應關係，根據前述圖像資料及前述體積波形對應表，發送前述吐出訊號到前述噴嘴頭。
  3. 如請求項1或2之基板製造裝置，其中， 前述噴嘴頭，係包含：對應到各個前述噴嘴孔來做配置之加壓室、及使前述加壓室的容積變化之致動器，藉由驅動前述致動器來改變前述加壓室的容積，藉此從前述噴嘴孔吐出薄膜材料的液滴；前述訊號波形係對應到前述加壓室的容積的時間變化。
  4. 一種基板製造方法，具有：使噴嘴頭相向於基板，使前述基板與前述噴嘴頭的其中一方相對於另一方，朝向與前述基板的表面平行的掃描方向移動，同時從前述噴嘴頭的噴嘴孔吐出薄膜材料的液滴，來在前述基板的表面形成薄膜之製程；在使前述基板和前述噴嘴頭的其中一方相對於另一方朝向前述掃描方向移動之期間，根據與使前述薄膜材料的液滴彈著之位置上的前述薄膜的厚度相關之資訊，使從前述噴嘴孔吐出之薄膜材料的體積按每一個前述噴嘴孔而不同，從而能夠將在面內方向上膜厚發生變動之薄膜在1次掃描中形成。
  5. 如請求項4之基板製造方法，其中，前述噴嘴頭，係藉由接收指定前述噴嘴孔和對應到該噴嘴孔的訊號波形之吐出訊號，從而從被指定之前述噴嘴孔吐出對應到被指定之訊號波形之體積的薄膜材料的液滴。
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