TWI479555B - Probe grinding method, probe grinding program and probe device - Google Patents

Description

探針之研磨方法、探針研磨用程式及探針裝置

本發明係關於研磨使用研磨體執行被檢查體之電特性檢查之時所使用之探針卡之探針針頭的方法，更詳細而言，可以自動檢測出由於探針之研磨而在研磨體上面殘存的異物，自裝置取出研磨體除去異物之探針之研磨方法、探針研磨用程式及探針裝置。

以往之探針裝置具備有互相鄰接之裝載室以及探針室。裝載室具備有以匣盒單位收納多片被檢查體(例如半導體晶圓)之收納部，自匣盒一片一片搬出搬入晶圓W之晶圓搬運機構，和執行半導體晶圓之預對準的預對準機構。探針室具備保持半導體晶圓且被構成可在X、Y、Z及θ方向移動之載置台，和被配置在載置台之上方並且具有多數探針之探針卡，和執行半導體晶圓之多數電極墊和多數探針之對準的對準機構，構成在控制裝置之控制下，使半導體晶圓之多數電極墊和多數探針電性接觸而執行被形成在半導體晶圓之多數裝置之電特性檢查。

於檢查時，因應所需，為了取樣檢查後之半導體晶圓，自探針裝置僅取出一片。此時，將檢查後之半導體晶圓自載置台搬運至例如被設置在裝載室之匣盒收納部之下方的晶圓台，使自晶圓台取出半導體晶圓。就以如此之晶圓台之一例而言，例如記載於專利文獻1之內容。

再者，於執行半導體晶圓之電特性檢查之時，因藉由探針卡之多數探針切削半導體晶圓之多數電極墊表面之氧化膜，使電極墊和探針電性接觸，故在探針之針頭附著自電極墊切削之金屬氧化物等之異物。在此，如第6圖(a)所示般，在載置台1上載置研磨晶圓W’，例如同圖(b)所示般使載置台1僅升降些許尺寸而使研磨晶圓W和探針卡2之探針2A滑接，研磨探針2A之針頭，自探針2A除去金屬氧化物等之附著物。尤其，在最近，因半導體晶圓大口徑化，探針卡2也大型化，故有在檢查途中除去探針2A之異物的情形。該研磨晶圓W’是被收納於設置在例如裝載室之匣盒收納部之下方的緩衝台內，因應所需使用晶圓搬運機構自緩衝台取出研磨晶圓而載置在載置台1上，藉由載置台1上之研磨晶圓W’研磨多數探針2A，於研磨後，研磨晶圓W’自載置台經晶圓搬運機構返回至緩衝台。該研磨作業全部為自動化。

[專利文獻1]日本特開平7-273159號公報

但是，探針之研磨作業因如上述般被自動化，故即使在研磨晶圓之上面附著藉由探針之研磨而除去之金屬氧化物等之異物，亦無法確認其異物之存否。在異物之中，也有包含探針之一部份破損之碎片等的情形。當在殘留如此之異物的狀態下直接執行下一個研磨作業時，則有多數探針2A碰撞異物，探針彎曲等而使得探針卡損傷，對下一個檢查造成障礙的情形。

本發明係為了解決上述課題而研究出，其目的在於提供於探針之研磨時，可以自動檢測出殘留在研磨晶圓等之研磨體之上面的異物，自研磨體除去異物，無障礙執行下一個被檢查體之電特性檢查的探針之研磨方法、探針研磨用程式及探針裝置。

本發明之申請專利範圍第1項所記載之探針之研磨方法，係將研磨體從第1收納體搬運至載置台上並予以載置，經上述載置台使上述研磨體滑接於探針而研磨上述探針之方法，其特徵為：具備將上述研磨體從上述第1收納體搬運至上述載置台之第1工程；檢測出被載置在上述載置台上之上述研磨體之上面之異物的第2工程；於在上述研磨體之上面檢測出異物之時，將上述研磨體從上述載置台搬運至第2收納體之第3工程；自上述第2收納體之上述研磨體除去異物的第4工程；和將除去上述異物之上述研磨體從上述第2收納體搬運至上述第1收納體的第5工程。

再者，本發明之申請專利範圍第2項所記載之探針之研磨方法，係在申請專利範圍第1項所記載之發明中，具備在上述第2工程中於上述研磨體之上面不檢測出上述異物之時，將上述研磨體從上述載置台搬運至上述第1收納體之工程。

再者，本發明之申請專利範圍第3項所記載之探針之研磨方法，係在申請專利範圍第1項所記載之發明中，於在上述第2工程中在上述研磨體之上面檢測出異物之時，告知在上述研磨體上具有異物。

本發明之申請專利範圍第4項所記載之探針研磨用程式，係驅動電腦，使實行將研磨體從第1收納體搬運至載置台上並予以載置，經上述載置台使上述研磨體滑接於探針而研磨上述探針之方法，其特徵為：使上述電腦驅動，實行下述工程，將上述研磨體從上述第1收納體搬運至上述載置台之第1工程；檢測出被載置在上述載置台上之上述研磨體之上面之異物的第2工程；於在上述研磨體之上面檢測出異物之時，將上述研磨體從上述載置台搬運至第2收納體之第3工程；自上述第2收納體之上述研磨體除去異物的第4工程；和將除去上述異物之上述研磨體從上述第2收納體搬運至上述第1收納體的第5工程。

再者，本發明之申請專利範圍第5項所記載之探針研磨用程式，係在申請專利範圍第4項所記載之發明中，在上述第2工程中於上述研磨體之上面不檢測出上述異物之時，實行將上述研磨體從上述載置台搬運至上述第1收納體之工程。

再者，本發明之申請專利範圍第6項所記載之探針研磨用程式，係在申請專利範圍第4項所記載之發明中，於上述第2工程中在上述研磨體之上面檢測出上述異物之時，告知在上述研磨體具有異物。

再者，本發明之申請專利範圍第7項所記載之探針裝置，係構成具備載置被檢查體之可移動的載置台，和被配置在上述載置台之上方並且具有多數探針之探針卡，藉由被載置在上述載置台上之研磨體，研磨使上述多數電極墊和上述多數探針接觸而執行上述被檢查體之電特性檢查之後之上述多數探針而自上述多數探針除去附著物，其特徵為：設置收納上述研磨體之第1收納體，並且攝影被載置在上述載置台上之上述研磨體之上面的攝影手段，並且設置暫時性收納藉由上述攝影手段檢測出異物之上述研磨體的第2收納體。

再者，本發明之申請專利範圍第8項所記載之探針裝置，係在申請專利範圍第7項所記載之發明中，設置於藉由上述攝影手段在上述研磨體上檢測出異物之時，告知具有異物之手段。

若藉由本發明，可以提供於探針之研磨時，可以自動檢測出研磨晶圓等之研磨體之上面的異物，自研磨體除去異物，無障礙執行下一個被檢查體之電特性檢查的探針之研磨方法、探針研磨用程式及探針裝置。

以下，根據第1至5圖所示之實施型態說明本發明。並且，各圖中，第1圖之(a)、(b)分別表示本發明之探針裝置之一實施型態之圖式，(a)為剖斷探針室之正面的前視圖，(b)為表示探針裝置之內部的俯視圖，第2圖為表示第1圖所示之探針裝置之構成圖，第3圖之(a)、(b)分別表示第1圖所示之探針裝置之一部份的圖式，(a)為表示緩衝台及晶圓台之剖面圖，(b)為放大表示緩衝台之一部份的剖面圖，第4圖為表示使用第1圖、第2圖所示之探針裝置的本發明之探針之研磨方法之一實施型態的流程圖，第5圖為表示在第4圖所示之研磨晶圓之上面檢測出異物之狀態的斜視圖。

首先，針對本實施型態之探針裝置予以說明。該探針裝置10係如第1圖之(a)、(b)所示般，具備有裝載、卸載被檢查體(例如，半導體晶圓)W之裝載室11，和與裝載室11鄰接，執行半導體晶圓W之電特性檢查之探針室12。

裝載室11如第1圖(a)、(b)所示般，具備以匣盒單位收納半導體晶圓W之晶圓收納部13，和在晶圓收納部13和探針室12之間搬運半導體晶圓W之晶圓搬運機構14，和在搬運半導體晶圓W之途中執行半導體晶圓W之預對準之預對準機構15，在控制裝置16(參照第2圖)之控制下，驅動控制晶圓搬運機構14及預對準機構15等之機器。

探針室12具備載置半導體晶圓W之載置台17，和被配置在載置台17之上方，並且具有多數探針18A之探針卡18，和執行載置台17上之半導體晶圓W之多數電極墊和多數探針18A之對準的對準機構19，構成在控制裝置16之控制下，載置台17和對準機構19合作，於執行半導體晶圓W之裝置之多數電極墊和探針卡18之多數探針18A之對準之後，執行半導體晶圓W之各裝置之電特性檢查。

載置台17係如第1圖所示般，具有由XY台、升降機構及θ機構所構成之驅動機構17A，構成經驅動機構17A將半導體晶圓W往X、Y及θ方向及上下方向移動。對準機構19係具備在載置台17和探針卡18之間移動之第1攝影機19A，和附設於載置台11側方之第2攝影機19B，和固定第1攝影機19A之對準橋19C，和在探針室12之後面和探針中心(位於探針卡之中心之延長線上)之間移動引導對準橋19C之左右一對的導軌19D。第1攝影機19A係經對準橋19C及導軌19D從探針室之後面到探針中心之間移動，在探針中心攝影朝X、Y方向移動之載置台17上之半導體晶圓W。第2攝影機19B係經載置台17朝探針卡18之探針18A之正下方移動，在該位置攝影探針18A。

再者，控制裝置16例如第2圖所示般，主體係以電腦所構成，該電腦具備記憶有本發明之探針研磨用程式或其他程式，還有各種資料的記憶部16A，根據來自第1、2攝影機19A、19B之攝影訊號執行畫像處理之畫像處理部16B，和在記憶部16A及畫像處理部16B之間接收發送各種資料而進行運算處理之中央運算處理部16C。中央運算處理部16C自記憶部16A讀出探針研磨用程式等，控制載置台17、對準機構19等之構成機器，或是按目的對表示檢查結果之數值資料或畫像資料進行各種資料加工。

而且，當使用探針裝置10執行半導體晶圓W之檢查時，因切削電極墊之氧化膜的金屬氧化物等附著在探針卡18之多數探針18A而對檢查造成障礙，故使用研磨體(例如，研磨晶圓)W’定期性或適時研磨多數探針18A而除去金屬氧化物等之附著物。該研磨晶圓W’如第1圖之(a所示般，被收納在設置在裝載室11之晶圓收納部13之下方的緩衝台20。

如第3圖(a)、(b)所示般，在緩衝台20於上下方向跨過多段以互相隔著相同間隔形成保持相同口徑(例如300mmφ)之研磨晶圓W’的插槽201，可以將研磨晶圓W’收納於各個插槽201。依此，即使半導體晶圓W之尺寸變大而使裝置數明顯增加，探針卡18之研磨次數增加，亦可以藉由連續使用多片研磨晶圓W’來對應。

再者，如第3圖(b)所示般，緩衝台20之各插槽201分別藉由上下之棚架201A、201B所形成。在各插槽201分別設置各檢測出研磨晶圓W’之存否的光學感測器202，藉由該些光學感測器202可以個別確認被收納在各插槽201之研磨晶圓W’。光學感測器202係由發光元件202A和受光元件202B所構成，經各個配線202C、202C而被安裝在配線基板203。在下側之棚架201A形成收納發光元件202A之空間201C，在上側之棚架201B形成收納受光元件202B之空間201D。各插槽201之光學感測器202分別交互被配置成與插槽201之前後方向互相不同，相鄰之上下光學感測器202不重疊。

依此，一個插槽201中之研磨晶圓W’之存否藉由其段之光學感測器202檢測出，依此使能夠不檢測出較其更為上段之插槽201之研磨晶圓W’之存否。即是，上下之光學感測器201之光線成為互相不干涉。如此一來，可以藉由被設置在各插槽201之光學感測器202，確實檢測出各個的插槽201之研磨晶圓W’。在第3圖之(a)、(b)中，可以知道在最下段之插槽201無研磨晶圓W’。

於使用研磨晶圓W’之時，使用晶圓搬運機構14自緩衝台20取出研磨晶圓W’，載置於載置台17上。載置台17朝探針卡18之正下方移動，使研磨晶圓W’接觸於多數探針18A。藉由研磨晶圓W’接觸於多數探針18A之狀態下使載置台17升降，來研磨多數探針18A，且自多數探針18A除去金屬氧化物等之附著物，依此洗淨多數探針18A。於研磨後，經晶圓搬運機構14，自載置台17返回至緩衝台20之原來位置。再者，於研磨多數探針18A時，隨時適當變更研磨晶圓W’對多數探針18A之接觸位置，則可以均等使用研磨晶圓W’全面。

但是，當在研磨晶圓W’研磨多數探針18A時，則在研磨晶圓W’的上面殘存自多數探針18A除去的金屬氧化物等之異物。再者，依狀況，也有多數之探針18A之一部分破損，在研磨晶圓W’之上面殘存探針18A之碎片的異物。如此一來，當在研磨晶圓W’之上面殘存異物之狀態下直接進行一下個研磨時，多數探針18A中之任一者碰撞異物，有使探針18A彎曲，或破損，而成為之後檢查不良之原因。在此，在本實施型態中，使用對準機構19之第1攝影機19A而攝影研磨晶圓W’之上面而自動檢測出殘存在研磨晶圓W’之異物之後，藉由晶圓搬運機構14將研磨晶圓W’搬運至後述之晶圓台21並予以收納，操作員自晶圓台21取出研磨晶圓W’而除去異物。

晶圓台21係如第3圖(a)所示般，被設置在緩衝台20之下側。該晶圓台21構成能夠拉出，通常於暫時收納檢查後之半導體晶圓W之後，將其半導體晶圓W取出至探針裝置10之外部而確認檢查之結果等。在本實施型態中，為了除去研磨晶圓W’之異物而利用該晶圓台21。在該晶圓台21設置與例如緩衝台20同種之光學感測器(無圖示)，當在晶圓台21內收納研磨晶圓W’時，光學感測器告知收納有具有異物之研磨晶圓W’。

即是，在本實施型態中，為了自動檢測在研磨晶圓W’上面殘存的異物，利用對準機構19之第1攝影機19A，並且將晶圓台21於自研磨晶圓W’除去異物之時，當作暫時收納研磨晶圓W’之場所利用。

接著，針對本發明之探針之研磨方法之一實施型態予以說明。本實施型態之探針之研磨方法可以藉由本發明之探針研磨用程式實施。

首先，重複執行半導體晶圓W之電特性檢查，當金屬氧化物等附著於探針卡18之多數探針18A時，實施本實施型態之探針的研磨方法。探針之研磨方法係於檢查特定片數半導體晶圓W之後，或因應所需在檢查某批量之半導體晶圓W之途中實施。在實施探針之研磨方法之階段中，當藉由本實施型態之探針研磨程式而電腦驅動時，控制裝置16之中央運算處理部16C自記憶部16A讀出本實施型態之探針研磨用程式而實施本實施型態之探針之研磨方法。此時，在控制裝置16之控制下，晶圓搬運機構14驅動而將檢查完畢之半導體晶圓W從探針室12內之載置台17搬運至裝載室11內之晶圓收納部13之原來的地方，並從載置台17除去半導體晶圓W。

然後，當如第4圖之流程圖所示般，開始針頭研磨處理時，晶圓搬運機構14驅動而將其機械臂14A例如第3圖之(a)所示般延伸至緩衝台20之最上段之研磨晶圓之正下方，在機械臂14A上吸附保持研磨晶圓W’。接著，晶圓搬運機構14經機械臂14A從緩衝台20取出研磨晶圓W’，將該研磨晶圓W’搬運並載置在探針室12內待機之載置台17(步驟S1)。

當在載置台17上載置研磨晶圓W’時，則在控制裝置16之控制下執行探針卡18之多數之探針18A之研磨作業(步驟S2)。即是，當載置台17移動至探針卡18之正下方後，使研磨晶圓W’上升而接觸於多數探針18A。載置台17係藉由在研磨晶圓W’與多數探針18A接觸的狀態下使研磨晶圓W’升降，多數探針18A與研磨晶圓W’上面滑接而研磨針頭，自多數探針18A削取金屬氧化物等之異物O。當結束多數探針18A之洗淨時，則在控制裝置16之中央運算處理部16C，判斷是否實行卸載停止功能(步驟S3)。在此，卸載停止功能為研磨多數探針18A之針頭之後，暫時停止研磨晶圓W’從載置台17返回至緩衝台20之作業，檢測出研磨晶圓W’上之異物，於檢測出異物之時，將研磨晶圓W’暫時卸載至晶圓台21之功能。卸載停止功能可以在探針裝置10之顯示裝置之顯示畫面22(參照第1圖)設定。

在步驟S3中，判斷實行卸載停止功能之主旨，當實行卸載停止功能時，對準機構19之第1攝影機19A則朝探針中心進出。載置台17係在第1攝影機19A之正下方移動之期間利用第1攝影機19A在研磨晶圓W’之上面掃描，如第5圖所示般，利用第1攝影機19A攝影研磨晶圓W’之上面之各部位(步驟S4)。藉由該攝影，判斷在研磨晶圓W’之上面是否存在異物(步驟S5)，如第5圖所示般，當在研磨晶圓W’上檢測出異物O，判斷具有異物時，晶圓搬運機構14則驅動而接取載置台17上之研磨晶圓W’予以搬運，並收納至晶圓台21內(步驟S6)。此時，在晶圓台21係藉由光學感測器檢測出研磨晶圓W’，將具有異物O之研磨晶圓W’被收納在晶圓台21內之情形告知操作員(步驟S7)。在此期間第1攝影機19A從探針中心移動至原來之地方。

操作員拉出晶圓台21，自晶圓台21取出研磨晶圓W’而擦拭除去異物O等(步驟S8)。之後，當操作員將研磨晶圓W’放回晶圓台21內時，晶圓搬運機構14則驅動，將該研磨晶圓W’從晶圓台21收納至緩衝台20(步驟S9)，結束一連串之探針的研磨作業。

再者，在步驟S2中，於實行探針卡18之多數探針18A之研磨之後，在步驟S3中，判斷不實行卸載停止功能之時，則移行至步驟S9，使用晶圓搬運機構14將研磨晶圓W’從載置台17返回至緩衝台20之原來的地方(步驟S9)，結束一連串探針之研磨作業。

如上述說明般，若藉由本實施型態時，因具備有將研磨晶圓W’從緩衝台20搬運至載置台17之工程，和檢測出被載置在載置台17上之研磨晶圓W’之上面之異物O的第2工程，和於在研磨晶圓W’之上面檢測出異物O時，將研磨晶圓W’從載置台17搬運至晶圓台21之第3工程，和從晶圓台21取出研磨晶圓W’除去異物O之第4工程，和將除去異物O之研磨晶圓W’從晶圓台21搬運至緩衝台20之第5工程，故可以自動檢測出研磨晶圓W’上面之異物O，自研磨晶圓W’除去異物O，在之後之研磨中，在研磨晶圓W’不會損傷多數探針18A而確實研磨，並且於多數探針18A之研磨後，可以無任何障礙地執行下一個半導體晶圓W之電特性檢查。於研磨多數探針18A之後，可以藉由實行第1～第5工程，以一次完成研磨晶圓W’對載置台17之裝載、卸載。

再者，若藉由本實施型態，因具備於在研磨晶圓W’之上面不檢測出異物O時，將研磨晶圓W’從載置台17搬運至緩衝台20之工程，故可以無任何障礙地執行半導體晶圓W之電特性檢查。

再者，若藉由本實施型態時，於在研磨晶圓W’之上面檢測出異物O時，因告知在研磨晶圓W’上具有異物O，故操作員於告知後可以立即從晶圓台21取出研磨晶圓W’而自研磨晶圓W’除去異物O，並可以短時間再次開始檢查半導體晶圓W之電特性檢查。

並且，在上述實施型態中，雖然在緩衝台20及晶圓台21使用光學感測器當作檢測研磨晶圓W’之手段，但是可以適當選擇使用接觸式感測器等之其他感測器以取代光學感測器。再者，在上述實施型態中，雖然利用既存之緩衝台20及晶圓台21以作為收納研磨晶圓W’之地方，但是亦可以與該些不同另外設置獨自的收納體。

[產業上之利用可行性]

本發明適合利用於洗淨探針裝置所使用之探針卡的探針之時。

10．．．探針裝置

14．．．晶圓搬運機構

17．．．載置台

18．．．探針卡

18A．．．探針

19A．．．第1攝影機(攝影手段)

20．．．緩衝台(第1收納體)

21．．．晶圓台(第2收納體)

W．．．晶圓(被檢查體)

O．．．異物

第1圖(a)、(b)分別為表示本發明之探針裝置之一實施型態的圖式，(a)為剖斷探針室之正面的前視圖，(b)為表示探針裝置之內部的俯視圖。

第2圖為表示第1圖所示之探針裝置的構成圖。

第3圖(a)、(b)分別為第1圖所示之探針裝置之一部分的圖式，(a)為表示緩衝台及晶圓台之剖面圖，(b)為放大表示緩衝台之一部份的剖面圖。

第4圖為表示使用第1圖、第2圖所示之探針裝置之本發明之探針之研磨方法之一實施型態的流程圖。

第5圖為表示在第4圖所示之研磨晶圓之上面檢測出異物之狀態的斜視圖。

第6圖(a)、(b)分別為表示以往之探針之研磨方法的說明圖。

10．．．探針裝置

11．．．裝載室

12．．．探針室

13．．．晶圓收納部

14．．．晶圓搬運機構

15．．．對準機構

17．．．載置台

17A．．．驅動機構

18．．．探針卡

18A．．．探針

19．．．對準機構

19A．．．第1攝影機(攝影手段)

19B．．．第2攝影機

19C．．．對準橋

19D．．．導軌

20．．．緩衝台(第1收納體)

21．．．晶圓台(第2收納體)

22．．．顯示畫面

W．．．晶圓(被檢查體)

Claims (8)

1. 一種探針之研磨方法，係將研磨體從第1收納體搬運至載置台上並予以載置，經上述載置台使上述研磨體滑接於探針而研磨上述探針之方法，其特徵為：具備將上述研磨體從上述第1收納體搬運至上述載置台之第1工程；檢測出被載置在上述載置台上之上述研磨體之上面之異物的第2工程；於在上述研磨體之上面檢測出異物之時，將上述研磨體從上述載置台搬運至第2收納體之第3工程；自上述第2收納體之上述研磨體除去異物的第4工程；和將除去上述異物之上述研磨體從上述第2收納體搬運至上述第1收納體的第5工程。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之探針之研磨方法，其中，具備在上述第2工程中於上述研磨體之上面不檢測出上述異物之時，將上述研磨體從上述載置台搬運至上述第1收納體之工程。
3. 如申請專利範圍第1項所記載之探針之研磨方法，其中，在上述第2工程中於上述研磨體之上面檢測出上述異物之時，告知在上述研磨體上具有異物。
4. 一種探針研磨用程式，驅動電腦，使實行將研磨體從第1收納體搬運至載置台上並予以載置，經上述載置台使上述研磨體滑接於探針而研磨上述探針之方法，其特徵為：使上述電腦驅動而實行下述工程，將上述研磨體從上述第1收納體搬運至上述載置台之第1工程；檢測出被載置在上述載置台上之上述研磨體之上面之異物的第2工程；於在上述研磨體之上面檢測出異物之時，將上述研磨體從上述載置台搬運至第2收納體之第3工程；自上述第2收納體之上述研磨體除去異物的第4工程；和將除去上述異物之上述研磨體從上述第2收納體搬運至上述第1收納體的第5工程。
5. 如申請專利範圍第4項所記載之探針研磨用程式，其中，在上述第2工程中於上述研磨體之上面不檢測出上述異物之時，實行將上述研磨體從上述載置台搬運至上述第1收納體之工程。
6. 如申請專利範圍第4項所記載之探針研磨用程式，其中，在上述第2工程中於上述研磨體之上面檢測出上述異物之時，告知在上述研磨體上具有異物。
7. 一種探針裝置，構成具備載置被檢查體之可移動的載置台，和被配置在上述載置台之上方並且具有多數探針之探針卡，藉由被載置在上述載置台上之研磨體，研磨使上述多數電極墊和上述多數探針接觸而執行上述被檢查體之電特性檢查之後之上述多數探針而自上述多數探針除去附著物，其特徵為：設置收納上述研磨體之第1收納體，並且攝影被載置在上述載置台上之上述研磨體之上面的攝影手段，並且設置暫時性收納藉由上述攝影手段檢測出異物之上述研磨體的第2收納體。
8. 如申請專利範圍第7項所記載之探針裝置，其中，設置於藉由上述攝影手段在上述研磨體上檢測出異物之時，告知具有異物之手段。