TWI461245B - Liquid handling device and liquid treatment method - Google Patents

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Yasushi Takiguchi
Taro Yamamoto
Tsutomu Yamahata
Akihiro Fujimoto
Kouji Fujimura
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Tokyo Electron Ltd
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Description

液體處理裝置及液體處理方法
本發明關於由噴嘴將藥液供給至基板表面而進行處理的液體處理裝置及液體處理方法。
於半導體製造工程有將藥液供給至基板表面而進行處理的工程。例如在阻劑圖案形成用之塗布/顯像裝置所設置之顯像處理裝置之中，在設於形成處理區域之杯部內所設置之基板保持部將基板予以水平保持，由噴嘴供給藥液之顯像液而構成。將顯像液供給至基板之後，為了藉由顯像液溶解阻劑膜之溶解性部位，而使靜止必要之時間例如數十秒。
作為將顯像液塗布於基板的表面之方法，習知者有以下。
(1)使具有在涵蓋基板之有效區域之寬度以上之長度而被形成之吐出口的噴嘴，沿著基板表面掃描之方法。
(2)使基板旋轉之狀態下，由具有長度尺寸約為數公分之縫隙構成之吐出口的噴嘴，吐出顯像液之同時，使該噴嘴由基板周緣部至中央部移動的方法。
但是，關於塗布/顯像裝置被要求越來越高之作業效率例如要求進行相當於1小時240片之處理。另外，為防止基板之污染，實現裝置之簡單化，而要求抑制元件數。
於專利文獻1揭示，將2個杯部左右並列，於彼等杯部之並列兩側設置待機埠，藉由1個顯像液噴嘴對搬入2個杯部之基板供給顯像液之裝置。另外，該裝置係對應於每一杯部旋動自如地配置清洗用之純水噴嘴。
另外，於專利文獻2揭示，使顯像液噴嘴待機於2個杯部中央之構成。
但是，專利文獻1、2並未針對對應於基板種別(批次)而藥液之供給方法不同之情況加以考慮。另外，於專利文獻1所示構成中，因為基板之搬入時序，顯像液噴嘴跨越靜止顯像中之基板而移動，導致顯像液由顯像液噴嘴滴落至該基板上而有可能引起顯像缺陷。
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2002-100556號公報：圖1
專利文獻2：日本特開平4-118074號公報：圖2
本發明係基於上述背景而完成者，目的在於提供可以抑制藥液用之噴嘴數之同時，可以高的作業效率處理的液體處理裝置及液體處理方法。
本發明之液體處理裝置，其特徵為具備：第1處理區域及第2處理區域，為使各個基板呈水平配置藉由來自噴嘴之藥液進行處理而互相配置於橫向；第1個別噴嘴及第2個別噴嘴，對應於彼等第1處理區域及第2處理區域而分別被個別設置，用於對基板全面供給藥液；第1個別噴嘴搬送機構及第2個別噴嘴搬送機構，用於使彼等第1個別噴嘴及第2個別噴嘴，在待機位置與各處理區域中之藥液吐出位置之間進行搬送；共有噴嘴，為對上述基板供給藥液而被共通使用於上述第1處理區域及第2處理區域；及共有噴嘴搬送機構，用於使該共有噴嘴，在待機位置、上述第1處理區域中之藥液吐出位置、與上述第2處理區域中之藥液吐出位置之間進行搬送；上述共有噴嘴其被各處理區域佔有之時間，係較上述個別噴嘴其被各處理區域佔有之時間短。
本發明之液體處理方法，係於液體處理裝置中，該液體處理裝置具備：使各個基板呈水平配置欲藉由來自噴嘴之藥液進行處理而配置於左右的第1處理區域及第2處理區域者；其特徵為包含：將一批次之基板交互搬入第1處理區域及第2處理區域的工程；使對應於上述第1處理區域被個別設置之第1個別噴嘴，由待機位置搬送至該處理區域之上方位置，對上述一批次之基板之全面供給藥液而進行處理的工程；使對應於上述第2處理區域被個別設置之第2個別噴嘴 ，搬送至該處理區域之上方位置，對上述一批次之基板之全面供給藥液而進行處理的工程；將另一批次之基板交互搬入上述第1處理區域及第2處理區域的工程；使共通使用於上述第1處理區域及第2處理區域的共有噴嘴，由待機位置搬送至第1處理區域中之藥液吐出位置，對上述另一批次之基板供給藥液的工程；及使上述共有噴嘴搬送至上述第2處理區域中之藥液吐出位置，對上述另一批次之基板供給藥液的工程；上述共有噴嘴其被各處理區域佔有之時間，係較上述個別噴嘴其被各處理區域佔有之時間短。
說明本發明之液體處理裝置適用於針對曝光後之半導體晶圓(以下稱晶圓)進行顯像處理的顯像處理裝置之實施形態。該顯像處理裝置，係於角型框體3內於X方向並列配置2個杯體10及杯體20。於圖1，彼等杯體10、20為求方便而於1條線之圓被概略分解圖示，其具體之詳細構造則圖示於圖2、3。杯體10、20，係連同其周邊構件及周邊機構而分別構成第1液體處理模組1及第2液體處理模組2。彼等液體處理模組1、2分別為同一構成，因此僅說明一方之液體處理模組1。
於圖2、3，11為構成基板保持部之旋轉吸盤，可將基板(例如晶圓W)真空吸附而保持水平。該旋轉吸盤11，係如圖2所示，介由旋轉軸12而連接於設於下方之旋轉驅動部之例如旋轉馬達13，可於保持晶圓W之狀態下於垂直軸周圍旋轉，亦可以升降。
於顯像處理裝置以包圍保持於旋轉吸盤11之晶圓W的方式設置杯體10。該杯體10係由外杯10a及內杯10b構成，杯體10之上方側設置開口。上述外杯10a，係如圖3所示，上部側為四角形狀，下部側為圓筒形狀。另外，如圖2所示，於外杯10a之下端部形成段部。上述外杯10a可藉由設於下方之升降部10c予以升降。上述內杯10b為圓筒形狀，上部側朝內側傾斜。另外，內杯10b，在上述外杯10a之升降時其下端面係頂接於該段部，而被往上方推升。另外，於圖1，為避免圖面之複雜而省略外杯10a之圖示。另外，包含載置晶圓W之區域的杯體10、20之上部區域，係構成處理區域，第1液體處理模組1中之處理區域及第2液體處理模組2中之處理區域，係分別相當於第1處理區域及第2處理區域。
在保持於旋轉吸盤11之晶圓W之下方側設置圓形板14，於該圓形板14外側設置縱斷面形狀為山形之傘型導引構件15。前述傘型導引構件15，係將由晶圓W溢出掉落之顯像液或洗淨液導入如後述說明之液體承受部16者。該液體承受部16之縱斷面形狀被形成為凹型，於圓形板14之外緣下方涵蓋全周被設為甜甜圈形狀。於液體承受部16之底面，由下方連接著廢液管17。廢液管17(未圖示)被連接於廢液槽，於其中途設置氣液分離器，進行排氣與廢液之分離。
於顯像處理裝置，如圖2所示，係於圓形板14之下方設置例如3個升降銷18。該升降銷18係藉由連接於該升降銷18之升降銷升降機構19而升降自如，於晶圓W之搬送時由下方貫穿圓形板14而上升，於未圖示之基板搬送臂部與旋轉吸盤11之間進行晶圓W之搬出入。
第1液體處理模組1，係具備：個別(專用)設於該液體處理模組1之個別顯像噴嘴41，及被鄰接於該液體處理模組1之第2液體處理模組2所共有之共有顯像噴嘴5。個別顯像噴嘴41及共有顯像噴嘴5係分別相當於申請專利範圍之個別噴嘴及共有噴嘴。
個別顯像噴嘴41，係如圖1、3所示，被保持於朝Y方向延伸之噴嘴臂部42。噴嘴臂部42構成為可藉由噴嘴搬送機構43移動於X方向，個別顯像噴嘴41，係如圖1、3所示，在設定於杯體10之右側附近位置的待機位置，與對旋轉吸盤11上之晶圓W供給顯像液的顯像液吐出位置之間搬送。噴嘴搬送機構43，係由延伸於X方向之導引構件44，及使個別顯像噴嘴41沿著該導引構件44移動之例如滾珠螺栓機構等之驅動機構構成。
如圖1、3所示，共有顯像噴嘴5被保持於延伸於Y方向之噴嘴臂部52。噴嘴臂部52構成為可藉由噴嘴搬送機構53移動於X方向，如圖1、3所示，共有顯像噴嘴5，係在設定於杯體10與20之中間位置的待機位置，與對旋轉吸盤11上之晶圓W供給顯像液的顯像液吐出位置之間搬送。噴嘴搬送機構53，係由延伸於X方向之導引構件54，及使共有顯像噴嘴5沿著該導引構件54移動之例如滾珠螺栓機構等之驅動機構構成。
彼等顯像噴嘴41、5，係例如分別被保持於噴嘴臂部42、52之下方側，但為說明之方便而於圖1、3描繪成為分別位於噴嘴臂部42、52之前端部。另外，如圖2所示，顯像噴嘴41、5係分別介由可撓性配管45、55連接於顯像液供給系46、56。顯像液供給系46(56)係包含顯像液貯存槽或泵及閥等之供控制機器等。
另外，如圖4所示，噴嘴搬送機構43、53係具備被導引構件44、54導引之同時，而移動的支柱48、58，於該支柱48、58使噴嘴臂部42、52藉由未圖示之升降機構可以升降而被設置。共有顯像噴嘴5之噴嘴臂部52，係較個別顯像噴嘴41之噴嘴臂部42可以設定在更高位置，因此共有顯像噴嘴5可以越過個別顯像噴嘴41而水平移動。
如圖5所示，個別顯像噴嘴41，係朝其前端部使圖5之Y方向之寬度漸次變小，於其下端面(前端面)設置例如長度L1為8～15mm，寬度L2為0.1～1mm之帶狀之吐出口402。
如圖6、7所示，共有顯像噴嘴5具備：較晶圓W之直徑更長的噴嘴本體501；連通於該噴嘴本體501內之通液室而設於該噴嘴本體501之下面側的吐出口502；及收容於吐出口502內之緩衝棒503。圖7之吐出口502描繪為縫隙狀，但亦可構成為使複數孔軋開間隔配列於噴嘴本體501之長度方向。吐出口502被設為覆蓋晶圓W之有效區域(元件形成區域)之長度尺寸。
個別顯像噴嘴41及共有顯像噴嘴5對於藥液之顯像液之供給方式互為不同，於進行1片晶圓W之顯像處理中，針對被處理區域所佔有之時間(使用時間)加以比較時，個別顯像噴嘴41係較共有顯像噴嘴5為長。針對兩噴嘴41、5之顯像方式之概略說明如下，個別顯像噴嘴41，係旋轉晶圓W之同時，由晶圓W之周緣至中心部移動而以渦捲狀進行藥液(顯像液)之塗布，接著，於晶圓W中心部繼續特定時間之顯像液吐出。共有顯像噴嘴5，係自晶圓W之一端至另一端進行掃描之同時，將藥液(顯像液)供給、承載於晶圓W上。
於圖1，6為洗淨噴嘴，係對被供給有顯像液之晶圓W上供給例如純水構成之洗淨液，而進行洗淨者。如圖1、3所示，洗淨噴嘴6被保持於延伸於Y方向之噴嘴臂部62。噴嘴臂部62構成為可藉由噴嘴搬送機構63移動於X方向，洗淨噴嘴6，係如圖1、3所示，在設定於杯體之左側附近位置的待機位置，與對旋轉吸盤上之晶圓W供給洗淨液的洗淨液吐出位置之間搬送。噴嘴搬送機構63，係由兼用作為上述導引構件44，使洗淨噴嘴6沿著該導引構件44移動之例如滾珠螺栓機構等之驅動機構構成。另外，如圖2所示，洗淨噴嘴6係分別介由可撓性配管65連接於洗淨液供給系66。又，為能良好進行晶圓W上之顯像液之洗淨處理，例如於液體處理模組1、2分別設置氣體噴嘴，用於將氮氣等之氣體吐出至晶圓W上亦可。
關於噴嘴搬送機構63，亦於該支柱68使噴嘴臂部62藉由未圖示之升降機構可以升降而被設置。共有顯像噴嘴5之噴嘴臂部52，係可以越過洗淨噴嘴6之噴嘴臂部62而移動。
於各噴嘴41、5及6之待機位置，設置使各噴嘴41、5及6之前端部被嵌合，具備排液口之噴嘴匯整部47、57及67。
回至圖1、2，於框體3之側面設置搬出入口31，可藉由外部之搬送臂部對各液體處理模組1、2進行晶圓W之搬出入，另外，設置用於開/關各搬出入口31的柵門(未圖示)。
圖8表示包含液體處理裝置之塗布/顯像裝置之一部分構成例，於該例，設置晶圓搬送機構303，其包含沿著主搬送路301移動之移動體302，該晶圓搬送機構303構成為可於垂直軸周圍自由旋轉、自由升降及自由進退。沿著主搬送路301使4個液體處理模組1、2、1’、2’配置成為一列。液體處理模組1’、2’係和液體處理模組1、2為同一構成。另外，在主搬送路301之中之位於液體處理模組1、2、1’、2’之相反側，使複數個此例為6個加熱模組304沿著主搬送路301配置。該加熱模組304之群，係包含加熱曝光後、顯像前之晶圓W的加熱模組，以及加熱顯像後之晶圓W的加熱模組。晶圓搬送機構303，係對液體處理模組1、2、1’、2’以及加熱模組304進行晶圓W之搬出入。305為在和其他處理區塊之間進行晶圓W之收授的收授平台。
圖9表示控制顯像處理裝置之各部的控制部7。控制部7，例如係由CPU71、程式儲存部72所儲存之程式72a、資料匯整部73等構成之電腦。上述程式72a係依據製程配方(process recipe)，進行個別顯像噴嘴之顯像液供給系46、共有顯像噴嘴之顯像液供給系56、洗淨噴嘴之洗淨液供給系66、個別顯像噴嘴之搬送機構43、共有顯像噴嘴之搬送機構、洗淨噴嘴之搬送機構63及旋轉馬達13之控制。
參照圖10-26說明上述實施形態之作用。以下各動作係依據控制部7具備之程式進行。圖10表示藉由外部之晶圓搬送機構、例如如圖8所示晶圓搬送機構303，使某一批次之基板(晶圓W)被搬入第1處理模組1之旋轉吸盤11之狀態。晶圓W之搬入動作係藉由晶圓搬送機構303與升降銷18之從動動作而進行。藉由噴嘴搬送機構53使共有顯像噴嘴5由待機位置移動至晶圓W之一端側，由吐出口502吐出顯像液之同時，由晶圓W之一端側移動至另一端側，而使顯像液承載於晶圓W之表面全體。該掃描、塗布之模樣圖示於圖15、16，圖11表示共有顯像噴嘴5通過晶圓W中央部之狀態。於圖15、16，D為顯像液。
承載有顯像液之晶圓W在直至設定時間(例如30秒～40秒)經過為止被靜置之同時，如圖12所示使共有顯像噴嘴5回至待機位置。設定時間經過後，如圖13所示，搬送機構63使洗淨噴嘴6由待機位置移動至晶圓W中心部之上方位置，吐出純水之同時，藉旋轉馬達旋轉晶圓W，藉由離心力量擴散純水而將顯像液由晶圓W上除去(參照圖17、18)。此情況下，使洗淨噴嘴6之純水之吐出位置由晶圓W中心部朝周緣移動之同時，於該吐出位置之旋轉方向下流側由氣體噴嘴噴出氣體而提升洗淨效果亦可。之後，高速旋轉晶圓W甩乾洗淨液而乾燥之(旋轉乾燥)。
在第1液體處理模組1進行晶圓W之洗淨期間，如圖13所示，將後續之晶圓W搬入第2液體處理模組2之旋轉吸盤，同樣藉由共有顯像噴嘴5進行顯像液之承載。另外，於第2液體處理模組2進行顯像液之承載之後經過靜止顯像所必要之設定時間之後，如圖14所示，藉由個別設於第2液體處理模組2之洗淨噴嘴6同樣進行基板表面之洗淨。又，於此時點，第1液體處理模組1中之晶圓W洗淨已經終了，被搬出至外部。因為液體處理模組之數、或其他處理模組之處理時間或裝置之佈局等，晶圓之搬入間隔有所變化，但此例中，共有顯像噴嘴5由待機位置移動至晶圓W上進行顯像液之掃描塗布，回至原來之待機位置為止之一連串時間，亦即包含待機位置與晶圓W上之間之搬送時間在內的，第1液體處理模組1所佔有之時間，係較晶圓搬送機構對晶圓W之搬入間隔短。
上述說明係使用共有顯像噴嘴5進行處理之情況，以下說明針對和上述批次為不同的另一批次之基板，藉由個別顯像噴嘴41進行顯像處理之情況。
圖19表示藉由外部之晶圓搬送機構，使上述另一批次之基板、亦即晶圓W搬入第1液體處理模組1之旋轉吸盤11之狀態。藉由噴嘴搬送機構43使個別顯像噴嘴41由待機位置移動至晶圓W之一端側，使旋轉吸盤11例如以500rpm旋轉。個別顯像噴嘴41之水平方向之朝向，可以事先設為使縫隙狀之吐出口402之長度方向成為和連結晶圓W之周緣部與中心部之線一致。由個別顯像噴嘴4吐出顯像液之同時，使其之吐出位置由晶圓W之周緣移動至中心部，而以帶狀供給顯像液，使顯像液之承載成為渦捲狀。如圖24所示為處理之模式，另外，圖20表示個別顯像噴嘴41到達晶圓W中心部之狀態。
之後，使晶圓W之旋轉數降低至例如100rpm而使顯像液緩緩擴散至周緣，於此狀態下繼續藉由個別顯像噴嘴41將顯像液供給至晶圓W中心部(圖25)。之後，繼續供給顯像液並使晶圓W之旋轉數上升至例如2000rpm，停止該顯像液之供給之同時，使晶圓W之旋轉數降低至不會因為表面張力而使顯像液由晶圓W之周緣部被吸回、而且在保持顯像液之承載之程度的低旋轉數，將此狀態維持例如約40秒(圖26)。
另外，在藉由第1液體處理模組1進行顯像處理期間，將後續之晶圓W搬入第2液體處理模組2之旋轉吸盤，如圖21所示，該模組1之個別顯像噴嘴41藉由搬送機構43由待機位置被搬送至晶圓W之一端側。於第2液體處理模組2對該晶圓W進行和第1液體處理模組1說明之顯像處理同樣之處理。此時，於第1液體處理模組1已經經過供給顯像液後之靜置時間，如圖22所示，和上述說明之藉由共有顯像噴嘴5之顯像處理後之洗淨處理同樣地，藉由洗淨噴嘴6進行洗淨除去晶圓W上之顯像液，另外，進行旋轉乾燥。
於第1液體處理模組1結束晶圓W之一連串之處理後該晶圓W被搬出，另外，於第2液體處理模組2結束顯像處理之後，藉由洗淨噴嘴6進行晶圓W之洗淨，另外，進行旋轉乾燥(圖23)。
如上述說明，本實施形態中可以實施使用共有顯像噴嘴5進行顯像處理的方式，及使用個別顯像噴嘴41進行顯像處理的方式，但是使用個別顯像噴嘴41的方式，即使在阻劑膜之疏水性高之情況下，亦可進行均勻之顯像，此為其優點。因此阻劑膜之疏水性低之情況下，和使用個別顯像噴嘴41之情況下比較，顯像液之使用量變為較少而較為有利，關於選擇哪一方式，可依據處理時間、阻劑膜之種別、顯像液成本等而予以決定。
依據上述實施形態，係準備2種類之顯像噴嘴而可以對應於2種類之顯像處理方式，針對該兩種方式之中之噴嘴佔有時間較長者所使用之顯像噴嘴，將其對應於各第1液體處理模組1、2予以個別設置，而針對噴嘴佔有時間較短者所使用之顯像噴嘴，則使其被第1液體處理模組1、2共有化。因此，就抑制噴嘴數之觀點而言，噴嘴之共有化為有利者，另外，針對佔有時間長的噴嘴則予以個別化，因此晶圓W依序被搬入第1液體處理模組1及第2液體處理模組2時即使搬入時間短，亦可對搬入之晶圓W立即開始處理，可維持高的作業效率。
以下列舉本發明之變形例。
顯像方式不限定於上述方式，例如使共有顯像噴嘴5位於接近晶圓W之表面之位置、例如約分離1mm之位置，而且設定於晶圓W之直徑上，吐出顯像液之同時，使晶圓W旋轉180度而實施液體承載的方式亦可。
另外，於上述實施形態中，共有顯像噴嘴5及個別顯像噴嘴41均為不限定於供給顯像液者，共有顯像噴嘴5對晶圓W之表面供給有機溶媒，個別顯像噴嘴41對晶圓W供給顯像液亦可。此情況下，使晶圓W之表面全面事先以有機溶媒潤溼之狀態下，可達成顯像液容易擴散之效果。另外，個別顯像噴嘴41，可為和上述實施型態之個別顯像噴嘴41同一者，或和上述實施型態之共有顯像噴嘴5同一者。另外，個別顯像噴嘴亦可對應於先前2種類之顯像方式而設置2個顯像噴嘴。
另外，共有顯像噴嘴5之待機位置，設定於第1液體處理模組1與第2液體處理模組2之間時，如此則，和位於彼等液體處理模組1、2之並列之端部之情況下比較，不會跨越顯像中之晶圓W而移動，顯像液不會掉落顯像中之晶圓W。另外，噴嘴41、5或噴嘴臂部42、52亦不會受杯體內環境污染，因而有利。但是，共有顯像噴嘴5之待機位置亦可設於此一位置。另外，例如亦可取代個別顯像噴嘴41之直線移動，改為在待機位置與處理位置之間旋轉移動。
以下說明共有顯像噴嘴5之構成之其他例。圖27表示設置2個共有顯像噴嘴5A、5B之例。藉由個別之導引構件 54A、54B針對分別保持共有顯像噴嘴5A、5B之噴嘴臂部52A、52B進行搬送。彼等導引構件54A、54B係於第1液體處理模組1與第2液體處理模組2之並列之單側平行配置。 53A、53B為噴嘴搬送機構，如圖4所示，噴嘴搬送機構53A、53B，係使噴嘴臂部52A、52B自由升降於個別之支柱58A、58B而設置。另外，噴嘴臂部52B較噴嘴臂部52A可移動至更高位置，對第1液體處理模組1使用共有顯像噴嘴5B時，共有顯像噴嘴5B係追過共有顯像噴嘴5A而移動。另外，對第2液體處理模組2使用共有顯像噴嘴5A時，共有顯像噴嘴5B係退避至位於第2液體處理模組2之右側的待機位置9(退避位置)。如圖27所示之共有顯像噴嘴5A、5B之位置為待機位置，雖未圖示而於共有顯像噴嘴5A、5B之下方分別設置待機匯整部。共有顯像噴嘴5A、5B之使用例可為，一方為吐出混合有界面活性劑之顯像液者，另一方為吐出未混合界面活性劑之顯像液者。
圖28表示於圖27之實施形態之中，使導引構件54A、54B介由第1液體處理模組1及第2液體處理模組2之並列而呈對向配置之構成例。圖29表示使導引構件54A、54B共通化之構成例，8、9分別為共有顯像噴嘴5A、5B之退避位置。
以上說明顯像處理裝置作為液體處理裝置之例，但亦可適用於晶圓W等之基板之葉片式洗淨裝置。此情況下之例可為，作為個別藥液噴嘴，係設為吐出藥液濃度小的洗淨液者，作為共有藥液噴嘴，則設為吐出藥液濃度大於上 述濃度的洗淨液者，由共有藥液噴嘴僅於第1時間吐出藥液進行基板表面之洗淨，之後，由個別藥液噴嘴僅於較第1時間短的第2時間吐出藥液進行基板表面之洗淨。
(發明效果)
本發明係藉由對應於第1處理區域及第2處理區域而分別被個別設置的第1個別噴嘴及第2個別噴嘴，對基板全面供給藥液而進行處理，另外，欲進行被各處理區域佔有之時間較藉由被彼等個別噴嘴佔有之時間短的液體處理，而使用被第1處理區域及第2處理區域共用化之共有噴嘴。因此，可抑制藥液用噴嘴數之同時，可進行高的作業效率之處理。
W．．．晶圓
D．．．顯像液
1．．．第1液體處理模組
2．．．第2液體處理模組
3．．．框體
41．．．個別顯像噴嘴
5．．．共有顯像噴嘴
6．．．洗淨噴嘴
7．．．控制部
10、20．．．杯體
11．．．旋轉吸盤
13．．．旋轉馬達
17．．．廢液管
18．．．升降銷
42、52、62．．．噴嘴臂部
43、53、63．．．噴嘴搬送機構
44、54、64．．．導引構件
45、55、65．．．配管
46、56．．．顯像液供給系
66．．．洗淨液供給系
47、57、67．．．匯整部
10a．．．外杯
10b．．．內杯
48、58．．．支柱
501．．．噴嘴本體
502．．．吐出口
503．．．緩衝棒
1’、2’．．．液體處理模組
303．．．晶圓搬送機構
304．．．加熱模組
305．．．收授平台
71．．．CPU
72．．．程式儲存部
72a．．．程式
圖1表示本發明實施形態之液體處理裝置全體之概略平面圖。
圖2表示上述實施形態之杯體內部之縱斷側面圖。
圖3表示上述液體處理裝置之一部分之平面圖。
圖4表示個別顯像噴嘴及共有顯像噴嘴之縱斷正面圖。
圖5表示個別顯像噴嘴之斜視圖。
圖6表示共有顯像噴嘴之縱斷面圖。
圖7表示共有顯像噴嘴之前端部之平面圖。
圖8表示將液體處理裝置組裝於塗布/顯像處理裝置之處理方塊之例之平面圖。
圖9表示本發明實施形態之控制部之構成圖。
圖10表示液體處理裝置之作用之概略平面圖。
圖11表示液體處理裝置之作用之概略平面圖。
圖12表示液體處理裝置之作用之概略平面圖。
圖13表示液體處理裝置之作用之概略平面圖。
圖14表示液體處理裝置之作用之概略平面圖。
圖15表示液體處理裝置之作用之概略側面圖。
圖16表示液體處理裝置之作用之概略側面圖。
圖17表示液體處理裝置之作用之概略縱斷側面圖。
圖18表示液體處理裝置之作用之概略側面圖。
圖19表示液體處理裝置之作用之概略平面圖。
圖20表示液體處理裝置之作用之概略平面圖。
圖21表示液體處理裝置之作用之概略平面圖。
圖22表示液體處理裝置之作用之概略平面圖。
圖23表示液體處理裝置之作用之概略平面圖。
圖24表示液體處理裝置之作用之概略側面圖。
圖25表示液體處理裝置之作用之概略側面圖。
圖26表示液體處理裝置之作用之概略側面圖。
圖27表示本發明另一實施形態之一例之平面圖。
圖28表示本發明另一實施形態之一例之平面圖。
圖29表示本發明另一實施形態之一例之平面圖。
W．．．晶圓
1．．．第1液體處理模組
2．．．第2液體處理模組
3．．．框體
41．．．個別顯像噴嘴
5．．．共有顯像噴嘴
6．．．洗淨噴嘴
10、20．．．杯體
31．．．搬出入口
42、52、62．．．噴嘴臂部
43、53、63．．．噴嘴搬送機構
44、54．．．導引構件

Claims (10)

  1. 一種液體處理裝置，其特徵為：具備：第1處理區域及第2處理區域，為使各個基板呈水平配置藉由來自噴嘴之藥液進行處理而互相配置於橫向；第1個別噴嘴及第2個別噴嘴，對應於彼等第1處理區域及第2處理區域而分別被個別設置，用於對基板全面供給藥液；第1個別噴嘴搬送機構及第2個別噴嘴搬送機構，用於使彼等第1個別噴嘴及第2個別噴嘴，在待機位置與各處理區域中之藥液吐出位置之間進行搬送；共有噴嘴，為對上述基板供給藥液而被共通使用於上述第1處理區域及第2處理區域；及共有噴嘴搬送機構，用於使該共有噴嘴，在待機位置、上述第1處理區域中之藥液吐出位置、與上述第2處理區域中之藥液吐出位置之間進行搬送；上述共有噴嘴其被各處理區域佔有之時間，係較上述個別噴嘴其被各處理區域佔有之時間短。
  2. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中上述共有噴嘴之待機位置，於平面上係設於上述第1處理區域及第2處理區域之間。
  3. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中由共有噴嘴及個別噴嘴吐出之藥液為顯像液；供給顯像液之方法，於共有噴嘴以及個別噴嘴之間為 不同。
  4. 如申請專利範圍第3項之液體處理裝置，其中共有噴嘴，係具備在覆蓋基板寬度之長度範圍被形成之吐出口；由基板之一端至另一端進行移動之同時，由上述吐出口供給顯像液至基板的噴嘴。
  5. 如申請專利範圍第4項之液體處理裝置，其中上述個別噴嘴為，旋轉基板之同時使藥液吐出位置由基板之周緣移動至中心部，之後對基板中心部供給藥液的噴嘴。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之液體處理裝置，其中作為上述共有噴嘴，係具備吐出互相不同種類之藥液的複數共有噴嘴。
  7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之液體處理裝置，其中上述共有噴嘴、第1個別噴嘴、及第2個別噴嘴，係可以沿著第1處理區域及第2處理區域之並列方向移動而構成。
  8. 一種液體處理方法，係於使用液體處理裝置而執行的液體處理方法中，該液體處理裝置具備：使各個基板呈水平配置藉由來自噴嘴之藥液進行處理而配置於左右的第1處理區域及第2處理區域者；其特徵為：包含： 將一批次之基板交互搬入第1處理區域及第2處理區域的工程；使對應於上述第1處理區域被個別設置之第1個別噴嘴，由待機位置搬送至該處理區域之上方位置，對上述同一批次之基板之全面供給藥液而進行處理的工程；使對應於上述第2處理區域被個別設置之第2個別噴嘴，搬送至該處理區域之上方位置，對上述同一批次之基板之全面供給藥液而進行處理的工程；將另一批次之基板交互搬入上述第1處理區域及第2處理區域的工程；使共通使用於上述第1處理區域及第2處理區域的共有噴嘴，由待機位置搬送至第1處理區域中之藥液吐出位置，對上述另一批次之基板供給藥液的工程；及使上述共有噴嘴搬送至上述第2處理區域中之藥液吐出位置，對上述另一批次之基板供給藥液的工程；上述共有噴嘴其被各處理區域佔有之時間，係較上述個別噴嘴其被各處理區域佔有之時間短。
  9. 如申請專利範圍第8項之液體處理方法，其中上述共有噴嘴之待機位置，於平面上係設於上述第1處理區域與第2處理區域之間。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之液體處理方法，其中由共有噴嘴及個別噴嘴吐出之藥液為顯像液；供給顯像液之方法，於共有噴嘴以及個別噴嘴之間為不同。
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