JP2024043611A - エッチング制御システム、及びエッチング制御方法 - Google Patents

エッチング制御システム、及びエッチング制御方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2024043611A
JP2024043611A JP2022148689A JP2022148689A JP2024043611A JP 2024043611 A JP2024043611 A JP 2024043611A JP 2022148689 A JP2022148689 A JP 2022148689A JP 2022148689 A JP2022148689 A JP 2022148689A JP 2024043611 A JP2024043611 A JP 2024043611A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
nozzles
process parameters
etching control
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022148689A
Other languages
English (en)
Inventor
豊久 ▲鶴▼田
Toyohisa Tsuruta
洋 丸本
Hiroshi Marumoto
水根 李
Suguen Lee
正志 榎本
Masashi Enomoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2022148689A priority Critical patent/JP2024043611A/ja
Priority to CN202311176266.7A priority patent/CN117747483A/zh
Priority to KR1020230123214A priority patent/KR20240040038A/ko
Priority to US18/468,966 priority patent/US20240096657A1/en
Publication of JP2024043611A publication Critical patent/JP2024043611A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604Chemical etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

【課題】ウェットエッチングにおいて複雑なエッチング量の分布を効率良く実現できるエッチング制御システム、及びエッチング制御方法を提供する。【解決手段】エッチング制御システムは、予測装置と、エッチング制御装置と、を有する。予測装置は、基板に対してエッチングを行うための複数のノズルの動作を制御するためのパラメータであるプロセスパラメータと、基板の面内におけるエッチング量の分布と、の関係を表すモデルを用いて、指定されたエッチング量の分布に対応するプロセスパラメータを計算する計算部を有する。エッチング制御装置は、複数のノズルのそれぞれの吐出時間、吐出位置、及び移動速度を含む情報であるプロセスレシピを、プロセスパラメータを基に更新する更新部と、プロセスパラメータを用いて、複数のノズルの動作を制御する動作制御部と、を有する。【選択図】図1

Description

本開示は、エッチング制御システム、及びエッチング制御方法に関する。
従来、半導体加工において、回転する基板上に現像液等の薬液を吐出する現像装置及び枚葉洗浄装置が知られている(例えば、特許文献1を参照)。
特開2012-28571号公報
本開示は、ウェットエッチングにおいて複雑なエッチング量の分布を効率良く実現できるエッチング制御システム、及びエッチング制御方法を提供する。
実施形態に係るエッチング制御システムは、予測装置と、エッチング制御装置と、を有するエッチング制御システムであって、予測装置は、基板に対してエッチングを行うための複数のノズルの動作を制御するためのパラメータであるプロセスパラメータと、基板の面内におけるエッチング量の分布と、の関係を表すモデルを用いて、指定されたエッチング量の分布に対応するプロセスパラメータを計算する計算部を有し、エッチング制御装置は、複数のノズルのそれぞれの吐出時間、吐出位置、及び移動速度を含む情報であるプロセスレシピを、プロセスパラメータを基に更新する更新部と、更新部によって更新されたプロセスレシピに従って、複数のノズルの動作を制御する動作制御部と、を有する。
本開示によれば、ウェットエッチングにおいて複雑なエッチング量の分布を効率良く実現できる。
図1は、エッチング制御システムの構成例を示す図である。 図2は、エッチング量の分布を説明する図である。 図3は、デュアルディスペンスプロセスを説明する図である。 図4は、予測装置の構成例を示す図である。 図5は、エッチング制御装置の構成例を示す図である。 図6は、プロセスレシピの更新方法を説明する図である。 図7は、エッチング制御システムの処理の流れを示すフローチャートである。 図8は、モデルの更新処理及びプロセスパラメータの予測処理の流れを示すフローチャートである。 図9は、モデルの更新処理及びプロセスパラメータの予測処理の流れを示すフローチャートである。 図10は、プログラムを実行するコンピュータの一例を示す図である。
近年、半導体加工の複雑化に伴い、枚葉洗浄装置におけるウェットエッチング制御に求められる性能が多彩化している。例えば、これまで通りの均一なエッチングプロファイルだけではなく、前工程までに生じた残膜量を補正して打ち消し、均一にするような制御性が求められる場合がある。
また、ウェットエッチングプロファイルを制御する手法として、スイングシーケンスが知られている。スイングシーケンスは、薬液を吐出するノズルを、回転する基板の半径方向に行ったり来たりさせる手法である。
しかしながら、従来の技術では、ウェットエッチングにおいて複雑なエッチング量の分布を効率良く実現することが難しいという問題がある。
ここで、エッチング量は、エッチングの深さである。また、エッチング量の分布は、基板の半径方向の位置(半径位置)ごとのエッチング量である。
例えば、従来のスイングシーケンスにおいては、基板(ウェーハ)の回転中にノズルが動き続けるため、プロセスレシピに示される動作が複雑になる上、任意の半径位置のエッチング量を増加させたい、又は減少させたいというニーズには対応し辛い。
なお、プロセスレシピは、スイングシーケンスにおける1つ以上のノズルの動作を定義した情報である。
また、例えば、従来のスイングシーケンスにおいては、プロセスレシピの最適化の手法が自動化されておらず、エンジニアの経験と多くの試行によってプロセスレシピの最適化が行われる。
そこで、ウェットエッチングにおいて複雑なエッチング量の分布を効率良く実現できる技術が期待されている。
以下に、エッチング制御システム、及びエッチング制御方法の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術は限定されない。
実施形態では、デュアルディスペンスプロセスと呼ばれるウェットエッチングが行われるものとする。デュアルディスペンスプロセスでは、2つのノズルが円形の基板に液を吐出する。
2つのノズルのうちの第1のノズルは、リンス(例えば、水)を吐出する。また、2つのノズルのうちの第2のノズルは、薬液(例えば、エッチング液)を吐出する。薬液は、基板を腐食させる。また、リンスは、薬液を薄め、基板の腐食の度合いを抑える。
2つのうちの一方は、基板の中心部に対して液の吐出を行い、他方は基板の外周部に対して液の吐出を行う。エッチング制御システムは、2つのノズルの位置をプロセスレシピに従って移動させることにより、基板上に意図したエッチング量の分布を生じさせる。
デュアルディスペンスプロセスにおいては、一方のノズルの位置を基板の中央部に固定し、他方のノズルの位置を外周部で移動させることで、制御性を向上させることができる。また、デュアルディスペンスプロセスは、現像及び枚葉洗浄等で採用され得る。
[実施形態の構成]
図1を用いて、エッチング制御システムの構成を説明する。図1は、エッチング制御システムの構成例を示す図である。
図1に示すように、エッチング制御システム1は、予測装置10及びエッチング制御装置20を有する。
予測装置10は、エッチング量の分布とプロセスパラメータとの関係を表すモデルの更新、及び当該モデルを使ったプロセスパラメータの予測を行う。なお、エッチング量は、単膜ウェーハ上での膜厚の減少量だけではなく、デバイスパターン上のエッチング量又はCD(Critical Dimension)に置き換えられてもよい。
プロセスパラメータは、デュアルディスペンスプロセスにおける2つのノズルの動作を定義するための情報である。例えば、プロセスパラメータを基にプロセスレシピが生成される。
図2に示すように、エッチング量の分布は、基板上の位置ごとのエッチング量である。図2は、エッチング量の分布を説明する図である。図2の横軸は、基板上の中心からの距離、すなわち半径位置である。図2の縦軸は、半径位置ごとのエッチング量である。
エッチング量の分布は、一定の半径位置ごと(例えば1mmごと)のエッチング量を実際に示すデータであってもよいし、曲線の形状を特定するためのパラメータであってもよい。
モデルは、エッチング量の分布とプロセスパラメータとの関係を表現可能なものであればよく、例えば回帰モデルである。また、モデルは、回帰モデルに限られず、ニューラルネットワーク等であってもよい。
エッチング制御装置20は、プロセスパラメータに基づき、エッチング装置を制御する。具体的には、エッチング制御装置20は、デュアルディスペンスプロセスにおける2つのノズルの動作を制御する。
ここで、図3を用いて、デュアルディスペンスプロセスを説明する。図3は、デュアルディスペンスプロセスを説明する図である。
図3に示すように、本実施形態におけるデュアルディスペンスプロセスは、ステップS501、ステップS502、ステップS503、ステップS504、ステップS505、ステップS506、ステップS507、ステップS508を含む。デュアルディスペンスプロセスでは、これらの全てのステップが実施されてもよいし、一部のステップが省略されてもよい。プロセスパラメータは、各ステップにおけるノズルの動作(吐出位置、吐出時間、速度等)を定義する。
ウェーハ61は、デュアルディスペンスプロセスにおいてエッチングが行われる円状(円盤状)の基板である。ノズル62は、リンス(例えば、水)を吐出するノズルである。ノズル63は、薬液(例えば、エッチング液)を吐出するノズルである。
ステップS501(Type3外側)では、ノズル62がウェーハ61の中心部にリンスを吐出し、ノズル63がウェーハ61の外周部に薬液を吐出する。また、ステップS501については、プロセスパラメータによって、ノズル63の吐出位置及び吐出時間が定義される。
ステップS502(Type3スキャンイン)では、ノズル62がウェーハ61の中心部にリンスを吐出し、ノズル63がウェーハ61の外周部から中心部に移動しつつ薬液を吐出する。また、ステップS502については、プロセスパラメータによって、ノズル63の移動速度が定義される。
ステップS503(Type3内側)では、ノズル62がウェーハ61の中心部にリンスを吐出し、ノズル63がウェーハ61の外周部(ただし、ステップS501(Type3外側)よりも中心部に近い)に薬液を吐出する。また、ステップS503については、プロセスパラメータによって、ノズル63の吐出位置及び吐出時間が定義される。
ステップS504(Type2内側)では、ノズル63がウェーハ61の中心部に薬液を吐出し、ノズル62がウェーハ61の外周部にリンスを吐出する。また、ステップS504については、プロセスパラメータによって、ノズル62の吐出位置及び吐出時間が定義される。
ステップS505(Type2スキャンアウト)では、ノズル63がウェーハ61の中心部に薬液を吐出し、ノズル62がウェーハ61の中心部から外周部に移動しつつリンスを吐出する。また、ステップS505については、プロセスパラメータによって、ノズル62の移動速度が定義される。
ステップS506(Type2外側)では、ノズル63がウェーハ61の中心部に薬液を吐出し、ノズル62がウェーハ61の外周部(ただし、ステップS504(Type2内側)よりも中心部から遠い)にリンスを吐出する。また、ステップS506については、プロセスパラメータによって、ノズル62の吐出位置及び吐出時間が定義される。
ステップS507(Type1)では、ノズル63がウェーハ61の中心部に薬液を吐出する。また、ステップS507については、プロセスパラメータによって、ノズル63の吐出時間が定義される。
ステップS508(Type1)では、ノズル62がウェーハ61の中心部にリンスを吐出する。
Type3のレシピではノズル63によって薬液が吐出される領域のエッチング量は増加し、また、ノズル63の吐出時間が長いほど(又はスキャンにおける移動速度が遅いほど)その他の領域に比較してエッチング量は増加する。Type2のレシピではノズル62によってリンスが吐出される領域のエッチング量は減少し、また、ノズル62の吐出時間が長いほど(又はスキャンにおける移動速度が遅いほど)その他の領域に比較してエッチング量は減少する。
なお、スキャン(S502、S505)における移動開始位置及び移動終了位置は、前後のステップの吐出位置から導かれる。また、移動速度、移動開始位置及び移動終了位置から、吐出時間が導かれる。このため、スキャンについては、プロセスパラメータによって移動速度のみが定義されていればよい。
図3で説明した各ステップのプロセスパラメータを調整することで、エッチング制御装置20は、様々なエッチング量の形状を実現することができる。
図1に戻り、エッチング制御システム1の処理の流れを説明する。まず、予測装置10は、訓練用データを用いてモデルを更新する(ステップS1)。
訓練用データは、実際に基板を測定して得られたエッチング量の形状(検量線データ)と、そのときのプロセスパラメータの組み合わせである。このようなデータの組み合わせは、機械学習における教師データということができる。予測装置10は、既知の学習手法により、モデルを更新することができる。
次に、予測装置10は、更新済みのモデル及び目標プロファイルを基に、プロセスパラメータを予測する(ステップS2)。目標プロファイルは、指定されたエッチング量の分布である。また、目標プロファイルに対応するプロセスパラメータは未知である。
例えば、目標プロファイルは、前工程で生じた基板上の残膜を打ち消すようなエッチング量の分布である。
予測装置10は、更新済みのモデルに目標プロファイルを入力し、プロセスパラメータを出力させる。すなわち、ステップS2では、更新済みのモデルを使った推論処理が行われる。
続いて、予測装置10は、プロセスパラメータを出力する(ステップS3)。そして、エッチング制御装置20は、プロセスパラメータを基にエッチングを実施する(ステップS4)。このとき、エッチング制御装置20は、プロセスパラメータをプロセスレシピに反映させ、プロセスレシピに従ってエッチングを実施する。
なお、訓練用データ及び目標プロファイルのエッチング量の分布は、分光膜厚計、スキャトロメトリ、SEM(Scanning Electron Microscope)等により計測されたものであってもよい。
図4を用いて、予測装置10の構成を説明する。図4は、実施形態に係る予測装置の構成例を示すブロック図である。
図4に示すように、予測装置10は、I/F(インタフェース)部11、記憶部12及び制御部13を有する。
I/F部11は、他の装置の間でデータのやり取りを行うためのインタフェースである。例えば、I/F部11はNIC(Network Interface Card)である。さらに、I/F部11は、マウス、キーボード、ディスプレイ及びスピーカ等の入出力装置と接続されていてもよい。
記憶部12は、例えば、RAM(Random Access Memory)、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、ハードディスクや光ディスク等の記憶装置によって実現される。
記憶部12は、モデル情報121を記憶する。モデル情報121は、モデルを構築するための情報である。モデル情報121は、予測装置10によって更新される。例えば、モデル情報121は回帰モデルにおける回帰係数等のパラメータである。
制御部13は、例えば、CPU(Central Processing Unit)、MPU(Micro Processing Unit)、GPU(Graphics Processing Unit)等によって、内部の記憶装置に記憶されているプログラムがRAMを作業領域として実行されることにより実現される。
また、制御部13は、例えば、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)及びFPGA(Field Programmable Gate Array)等の集積回路により実現されてもよい。
制御部13は、計算部131と、更新部132と、提供部133と、を有する。なお、制御部13の内部構成は、ここで説明した構成に限られず、後述する情報処理を行う構成であれば他の構成であってもよい。
計算部131は、モデル情報121を基に構築されたモデルに、エッチング量の分布を入力し、プロセスパラメータを計算する。計算部131は、訓練用データに含まれるエッチング量の分布、又は目標プロファイルとして指定されたエッチング量の分布をモデルに入力することができる。
更新部132は、基板に対してエッチングを行うための複数のノズルの動作を制御するためのパラメータであるプロセスパラメータと、基板の面内におけるエッチング量の分布と、の関係を表すモデルが最適化されるように、モデルのパラメータを更新する。
ここでは、更新部132は、訓練用データのエッチング量分布と、プロセスパラメータから予測されるエッチング量分布の差分が小さくなるように、モデルのパラメータ(モデル情報121)を更新する。
例えば、更新部132は、モデルが回帰モデルであれば最小二乗法を使ってパラメータを更新し、モデルがニューラルネットワークであれば誤差逆伝播法を使ってパラメータを更新することができる。
提供部133は、計算部131によって計算されたプロセスパラメータを提供する。提供部133は、ディスプレイ及びプリンタ等の出力装置にプロセスパラメータを出力してもよいし、エッチング制御装置20を含む他の装置にプロセスパラメータを送信してもよい。
図5を用いて、エッチング制御装置20の構成を説明する。図5は、エッチング制御装置の構成例を示す図である。
図5に示すように、エッチング制御装置20は、I/F部21、記憶部22及び制御部23を有する。
I/F部21は、他の装置の間でデータのやり取りを行うためのインタフェースである。例えば、I/F部21はNICである。さらに、I/F部21は、マウス、キーボード、ディスプレイ及びスピーカ等の入出力装置と接続されていてもよい。
記憶部22は、例えば、RAM、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、ハードディスクや光ディスク等の記憶装置によって実現される。
記憶部22は、プロセスレシピ221を記憶する。プロセスレシピ221は、デュアルディスペンスプロセスにおける各ノズルの動作を定義した情報である。
制御部23は、例えば、CPU、MPU、GPU等によって、内部の記憶装置に記憶されているプログラムがRAMを作業領域として実行されることにより実現される。
また、制御部23は、例えば、ASIC及びFPGA等の集積回路により実現されてもよい。
制御部23は、取得部231と、更新部232と、動作制御部233と、を有する。なお、制御部13の内部構成は、ここで説明した構成に限られず、後述する情報処理を行う構成であれば他の構成であってもよい。
取得部231は、予測装置10から提供されるプロセスパラメータを取得する。取得部231によるプロセスパラメータの具体的な取得方法については後述する。
更新部232は、取得部231によって取得されたプロセスパラメータを基に、プロセスレシピ221を更新する。
図6を用いて、プロセスレシピ221の更新方法を説明する。図6は、プロセスレシピの更新方法を説明する図である。
図6に示すように、モデルによって出力されるプロセスパラメータは、下記の11個であるものとする。これにより、モデルは、回転する基板上にリンスを吐出する第1のノズルと、基板をエッチングする薬液を吐出する第2のノズルと、の吐出時間、吐出位置、及び移動速度を決定するためのパラメータであるプロセスパラメータと、エッチング量の分布との関係を表す。
(1)中央吐出(Type1)時間:ステップS507(Type1)におけるノズル63の吐出時間に関連。
(2)Type2 外周吐出位置_1:ステップS504(Type2内側)におけるノズル62の吐出位置に関連。
(3)Type2 外周吐出時間_1:ステップS504(Type2内側)における両方のノズルの吐出時間に関連。
(4)Type2 Scan速度:ステップS505(Type2スキャンアウト)におけるノズル62の移動速度に関連。
(5)Type2 外周吐出位置_2:ステップS506(Type2外側)におけるノズル62の吐出位置に関連。
(6)Type2 外周吐出時間_2:ステップS506(Type2外側)における両方のノズルの吐出時間に関連。
(7)Type3 外周吐出位置_1:ステップS501(Type3外側)におけるノズル63の吐出位置に関連。
(8)Type3 外周吐出時間_1:ステップS501(Type3外側)における両方のノズルの吐出時間に関連。
(9)Type3 Scan速度:ステップS502(Type3スキャンイン)におけるノズル63の移動速度に関連。
(10)Type3 外周吐出位置_2:ステップS503(Type3内側)におけるノズル63の吐出位置に関連。
(11)Type3 外周吐出時間_2:ステップS503(Type3内側)における両方のノズルの吐出時間に関連。
プロセスパラメータには、吐出位置、吐出時間、速度等の名称が付されているが、これらのプロセスパラメータの値がノズルの吐出位置、吐出時間、速度を必ずしも直接決定するわけではない。
例えば、プロセスパラメータ「(2)Type2 外周吐出位置_1」は、図3のステップS506(Type2外側)におけるノズル62の吐出位置と関連しているが、ノズル62の吐出位置を一意に決定するものとは限らない。
例えば、エッチング制御装置20は、各プロセスパラメータの値を適宜加工し、単位を定め、プロセスレシピ221を生成(更新)する。その場合、エッチング制御装置20は、プロセスレシピ221に従ってノズルの動作を制御する。
更新部232は、あらかじめ用意されたテンプレート(レシピ骨格)に、プロセスパラメータに基づいて計算した値を設定していく。レシピ骨格には、図3で説明したデュアルディスペンスプロセスの各ステップが示されている。
更新部232は、複数のノズルによるエッチングに含まれる複数のステップのそれぞれに、複数のノズルの吐出時間、吐出位置、及び移動速度を対応付けたテンプレート(レシピ骨格)に、プロセスパラメータに基づく値を設定することによりプロセスレシピ221を更新する。
更新部232は、図6に示すプロセスレシピ(レシピ骨格)の項目である「時間」、「エッチングノズルの動作」、「リンスノズルの動作」の値を更新していく。なお、項目「ステップ名」で使用されているステップの符号(S501等)は、図3の各ステップの符号に対応しているものとする。また、エッチングノズルはノズル62である。また、リンスノズルはノズル63である。
1つの方法として、更新部232が、プロセスパラメータの各値を、あらかじめ対応付けられたプロセスレシピの各項目にそのまま設定することが考えられる。例えば、更新部232は、プロセスパラメータ「Type3 外周吐出位置_1」(上記の(7))の値を、プロセスレシピの「S501:Type3_1」の「エッチングノズルの動作」の項目に設定する。
一方で、実際にエッチングを実施する場合は、モジュール内のその他のパーツの動作時間等を考慮する必要があり、プロセスパラメータの各値をそのままプロセスレシピとしては使えない場合がある。更新部232は、エッチングのステップ間における、エッチング以外の動作(ミストガードの駆動)等を考慮してプロセスレシピを更新する。
また、レシピ骨格には、図3に示すステップS501~S508までの全てのステップが含まれている必要はない。更新部232は、デュアルディスペンスプロセスの全てのステップのうち、少なくとも一部が掲載されたレシピ骨格(テンプレート)に、プロセスパラメータに基づいて計算した値を挿入していってもよい。これにより、特定のステップを無効化し、様々なステップの組み合わせを実現できる。
このように、更新部232は、複数のノズルによるエッチングに含まれる複数のステップのうちの一部のステップのそれぞれに、複数のノズルの吐出時間、吐出位置、及び移動速度を対応付けたテンプレートに、プロセスパラメータに基づく値を設定することによりプロセスレシピ221を更新する。この場合、一部のステップ以外のステップは無効化される。
また、更新部232は、プロセスレシピの「時間」の項目の値を0にすることにより、特定のステップを無効化してもよい。
動作制御部233は、取得部231によって取得されたプロセスパラメータを用いて、複数のノズルの動作を制御する。動作制御部233は、更新部232によって更新されたプロセスレシピ221に従ってノズルを動作させることにより、デュアルディスペンスプロセスを実施する。
例えば、図3のステップS502は、ノズルが外周部から中心部に向かって移動するスキャンインである。また、図6のプロセスレシピの「S502:Type3_scan」では、「エッチングノズルの動作」に「50mm (6mm/s)」が設定されている。これは、ノズル63(エッチングノズル)が、ウェーハ61の中心から50mmの位置から、ウェーハ61の中心部に向かって、6mm/s(mm/秒)の速度で5s(秒)の間移動することを意味している。
[実施形態の処理]
図7を用いて、エッチング制御システム1の処理の流れを説明する。図7は、エッチング制御システムの処理の流れを示すフローチャートである。
まず、予測装置10は、訓練用データの入力を受け付ける(ステップS101)。次に、予測装置10は、訓練用データを用いてモデルを更新する(ステップS102)。
続いて、予測装置10は、更新済みのモデルに目標プロファイルを入力しプロセスパラメータを予測する(ステップS103)。エッチング制御装置20は、プロセスパラメータを基にエッチングを実施する(ステップS104)。ここでは、エッチング制御装置20は、プロセスパラメータをプロセスレシピに反映させ、プロセスレシピに従ってエッチングを実施する。
エッチング制御装置20によるプロセスパラメータの取得方法は、実施例で説明した通りである。
ここで、図8及び図9を用いて、予測装置10によるモデルの更新処理及びプロセスパラメータの予測処理の流れを説明する。図8及び図9は、モデルの更新処理及びプロセスパラメータの予測処理の流れを示すフローチャートである。モデルによって出力されるプロセスパラメータは、前述の11個であるものとする。
図8は、モデルの更新処理の流れを示すフローチャートである。まず、予測装置10は、訓練用データとして、中央エッチング量を取得する(ステップS201)。具体的には、予測装置10は、中央部のエッチング量と(1)のプロセスパラメータ(実際の値)との組み合わせを取得する。
ここで、あらかじめ用意した様々なエッチング形状を参照することで、予測装置10は、中央部のエッチング量及び(1)のプロセスパラメータのみを用いてモデルを更新することができる。あらかじめ用意したエッチング形状を用いてモデルの更新を行う場合、すなわち形状を微調整しない場合(ステップS202、No)、予測装置10はステップS204に進む。
一方、あらかじめ用意したエッチング形状を用いてモデルの更新を行わない場合、すなわち形状を微調整する場合(ステップS202、No)、予測装置10はステップS203に進む。
形状フィッティング(ステップS203)では、予測装置10は、(2)、(5)、(7)、(10)のプロセスパラメータ(実際の値)とエッチング量との組み合わせにより、モデルの更新を行う。
さらに、予測装置10は、外周吐出位置最適化を行う(ステップS204)。ここでは、予測装置10は、現時点のモデルを使って、目標プロファイルから、(1)~(11)のプロセスパラメータ(予測値)を計算する。
そして、予測装置10は、ステップS204で計算した予測値と、訓練データに含まれるプロセスパラメータとの誤差が小さくなるように、暫定パラメータ群を更新する。暫定パラメータ群は、目標プロファイルと(1)~(11)のプロセスパラメータとによって決まる暫定的なパラメータ群であって、ステップS206及びS207で使用される。
予測装置10は、吐出時間最適化を行う(ステップS206)。ここでは、予測装置10は、(2)、(4)、(5)、(7)、(9)、(10)のプロセスパラメータを調整する。
さらに、予測装置10は、ステップS206までの処理で予測されたプロセスパラメータから導かれるエッチング量の分布と、目標プロファイルとの誤差を、モデル残差として算出する(ステップS207)。
このとき、終了条件が満たされている場合(ステップS208、Yes)、予測装置10は、ステップS206までの処理で予測されたプロセスパラメータを最終的なプロセスパラメータとして出力し、処理を終了する。例えば、終了条件は、モデル残差が十分小さくなったこと、繰り返しが一定回数だけ行われたこと、等である。
終了条件が満たされていない場合(ステップS208、No)、予測装置10は、ステップS206に戻りさらに処理を繰り返す。
ステップS201、S203及びS204では、主に吐出位置に関するプロセスパラメータが調整され、エッチング量の分布の形状が決定される。さらに、ステップS206では、主に吐出時間に関するプロセスパラメータが調整され、エッチング量の分布の形状が伸縮し、目標プロファイルに近付いていく。
予測装置10は、図9に示す流れで更新処理を行ってもよい。図9は、モデルの更新処理の流れを示すフローチャートである。図9の例では、最初のステップで形状の微調整を行うか否かによって分岐する。
あらかじめ用意したエッチング形状を用いてモデルの更新を行う場合、すなわち形状を微調整しない場合(ステップS301、No)、予測装置10はステップS304に進む。
ステップS304の外周吐出位置最適化では、予測装置10は、モデルを使って、目標プロファイルから、(1)~(11)のプロセスパラメータ(予測値)を計算する。また、予測装置10は、中央エッチング量を取得する(ステップS305)。
一方、あらかじめ用意したエッチング形状を用いてモデルの更新を行わない場合、すなわち形状を微調整する場合(ステップS301、Yes)、予測装置10はステップS302に進む。
そして、予測装置10は、図8のステップS201及びS203と同様に、中央エッチング量取りと形状フィッティングを行い(ステップS302)、ステップS303に進む。
そして、ステップS303の外周吐出位置最適化では、予測装置10は、モデルを使って、目標プロファイルから、(2)~(11)のプロセスパラメータ(予測値)を計算する。予測装置10は、ステップS302で(1)のプロセスパラメータを取得済みである。
そして、予測装置10は、ステップS304又はS305で計算した予測値と、訓練データに含まれるプロセスパラメータとの誤差が小さくなるように、暫定パラメータ群を更新する(ステップS306)。暫定パラメータ群は、目標プロファイルと(1)~(11)のプロセスパラメータとによって決まる暫定的なパラメータ群であって、ステップS307及びS308で使用される。
予測装置10は、吐出時間最適化を行う(ステップS307)。ここでは、予測装置10は、(2)、(4)、(5)、(7)、(9)、(10)のプロセスパラメータを調整する。
さらに、予測装置10は、ステップS307までの処理で予測されたプロセスパラメータから導かれるエッチング量の分布と、目標プロファイルとの誤差を、モデル残差として算出する(ステップS308)。
このとき、終了条件が満たされている場合(ステップS309、Yes)、予測装置10は、ステップS307までの処理で予測されたプロセスパラメータを最終的なプロセスパラメータとして出力し、処理を終了する。例えば、終了条件は、モデル残差が十分小さくなったこと、繰り返しが一定回数だけ行われたこと、等である。
終了条件が満たされていない場合(ステップS309、No)、予測装置10は、ステップS206に戻りさらに処理を繰り返す。
ステップS301、S302、S303、S304及びS305では、主に吐出位置に関するプロセスパラメータが調整され、エッチング量の分布の形状が決定される。さらに、ステップS307では、主に吐出時間に関するプロセスパラメータが調整され、エッチング量の分布の形状が伸縮し、目標プロファイルに近付いていく。
これまで説明してきたように、実施形態のエッチング制御システム1は、予測装置10と、エッチング制御装置20と、を有する。予測装置10は、計算部131を有する。計算部131は、基板に対してエッチングを行うための複数のノズルの動作を制御するためのパラメータであるプロセスパラメータと、基板の面内におけるエッチング量の分布と、の関係を表すモデルを用いて、指定されたエッチング量の分布に対応するプロセスパラメータを計算する。エッチング制御装置20は、更新部232と、動作制御部233と、を有する。更新部232は、複数のノズルのそれぞれの吐出時間、吐出位置、及び移動速度を含む情報であるプロセスレシピ221を、プロセスパラメータを基に更新する。動作制御部233は、更新部232によって更新されたプロセスレシピ221に従って、複数のノズルの動作を制御する。その結果、実施形態によれば、ウェットエッチングにおいて複雑なエッチング量の分布を効率良く実現できる。
今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形体で省略、置換、変更されてもよい。
上記の実施形態で説明した各種の処理は、あらかじめ用意されたプログラムをコンピュータで実行することで実現できる。そこで、以下では、上記の各実施形態と同様の機能を有するプログラムを実行するコンピュータの一例を説明する。図10は、プログラムを実行するコンピュータの一例を示す図である。
図10に示すように、コンピュータ1000は、各種演算処理を実行するコンピュータ1010と、データ入力を受け付ける入力装置1020と、モニタ1030とを有する。また、コンピュータ1000は、各種装置と接続するためのインタフェース装置1040と、他の情報処理装置等と有線又は無線により接続するための通信装置1050とを有する。また、コンピュータ1000は、各種情報を一時記憶するRAM1060と、記憶装置1070とを有する。また、各装置1010~1070は、バス1080に接続される。
記憶装置1070には、図4に示した計算部131、更新部132及び提供部133の各処理部と同様の機能を有するプログラムが記憶される。また、記憶装置1070には、モデル情報121が記憶される。入力装置1020は、例えば、コンピュータ1000のユーザから操作情報等の各種情報の入力を受け付ける。モニタ1030は、例えば、コンピュータ1000のユーザに対して表示画面等の各種画面を表示する。インタフェース装置1040は、例えば印刷装置等が接続される。通信装置1050は、例えば、図示しないネットワークと接続され、他の情報処理装置と各種情報をやり取りする。
コンピュータ1010は、記憶装置1070に記憶された各プログラムを読み出して、RAM1060に展開して実行することで、各種の処理を行う。また、これらのプログラムは、コンピュータ1000を、図4に示した計算部131、更新部132及び提供部133として機能させることができる。
なお、上記のプログラムは、必ずしも記憶装置1070に記憶されている必要はない。例えば、コンピュータ1000が読み取り可能な記憶媒体に記憶されたプログラムを、コンピュータ1000が読み出して実行するようにしてもよい。コンピュータ1000が読み取り可能な記憶媒体は、例えば、CD-ROMやDVD(Digital Versatile Disc)、USB(Universal Serial Bus)メモリ等の可搬型記録媒体、フラッシュメモリ等の半導体メモリ、ハードディスクドライブ等が対応する。また、公衆回線、インターネット、LAN等に接続された装置にこのプログラムを記憶させておき、コンピュータ1000がこれらからプログラムを読み出して実行するようにしてもよい。
ここでは、予測装置10を実現するためのコンピュータの例を説明したが、エッチング制御装置20についても、ここで説明したコンピュータと同様の構成のコンピュータにより実現される。
1 エッチング制御システム
10 予測装置
11、21 I/F部
12、22 記憶部
13、23 制御部
20 エッチング制御装置
61 ウェーハ
62、63 ノズル
121 モデル情報
131 計算部
132 更新部
133 提供部
221 プロセスレシピ
231 取得部
232 更新部
233 動作制御部

Claims (5)

  1. 予測装置と、エッチング制御装置と、を有するエッチング制御システムであって、
    前記予測装置は、
    基板に対してエッチングを行うための複数のノズルの動作を制御するためのパラメータであるプロセスパラメータと、前記基板の面内におけるエッチング量の分布と、の関係を表すモデルを用いて、指定されたエッチング量の分布に対応するプロセスパラメータを計算する計算部を有し、
    前記エッチング制御装置は、
    前記複数のノズルのそれぞれの吐出時間、吐出位置、及び移動速度を含む情報であるプロセスレシピを、前記プロセスパラメータを基に更新する更新部と、
    前記更新部によって更新された前記プロセスレシピに従って、前記複数のノズルの動作を制御する動作制御部と、
    を有することを特徴とするエッチング制御システム。
  2. 前記更新部は、前記複数のノズルによるエッチングに含まれる複数のステップのそれぞれに、前記複数のノズルの吐出時間、吐出位置、及び移動速度を対応付けたテンプレートに、前記プロセスパラメータに基づく値を設定することにより前記プロセスレシピを更新することを特徴とする請求項1に記載のエッチング制御システム。
  3. 前記更新部は、前記複数のノズルによるエッチングに含まれる複数のステップのうちの一部のステップのそれぞれに、前記複数のノズルの吐出時間、吐出位置、及び移動速度を対応付けたテンプレートに、前記プロセスパラメータに基づく値を設定することにより前記プロセスレシピを更新することを特徴とする請求項1に記載のエッチング制御システム。
  4. 前記計算部は、回転する前記基板上にリンスを吐出する第1のノズルと、前記基板をエッチングする薬液を吐出する第2のノズルと、の吐出時間、吐出位置、及び移動速度を決定するためのパラメータであるプロセスパラメータと、エッチング量の分布との関係を表すモデルを用いて、前記プロセスパラメータを計算することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のエッチング制御システム。
  5. 予測装置と、エッチング制御装置と、を有するエッチング制御システムによって実行されるエッチング制御方法であって、
    前記予測装置が、基板に対してエッチングを行うための複数のノズルの動作を制御するためのパラメータであるプロセスパラメータと、前記基板の面内におけるエッチング量の分布と、の関係を表すモデルを用いて、指定されたエッチング量の分布に対応するプロセスパラメータを計算する計算工程と、
    前記エッチング制御装置が、前記複数のノズルのそれぞれの吐出時間、吐出位置、及び移動速度を含む情報であるプロセスレシピを、前記プロセスパラメータを基に更新する更新工程と、
    前記エッチング制御装置が、前記更新工程によって更新された前記プロセスレシピに従って、前記複数のノズルの動作を制御する動作制御工程と、
    を含むことを特徴とするエッチング制御方法。
JP2022148689A 2022-09-20 2022-09-20 エッチング制御システム、及びエッチング制御方法 Pending JP2024043611A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022148689A JP2024043611A (ja) 2022-09-20 2022-09-20 エッチング制御システム、及びエッチング制御方法
CN202311176266.7A CN117747483A (zh) 2022-09-20 2023-09-13 蚀刻控制***和蚀刻控制方法
KR1020230123214A KR20240040038A (ko) 2022-09-20 2023-09-15 에칭 제어 시스템 및 에칭 제어 방법
US18/468,966 US20240096657A1 (en) 2022-09-20 2023-09-18 Etching control system and etching control method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022148689A JP2024043611A (ja) 2022-09-20 2022-09-20 エッチング制御システム、及びエッチング制御方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024043611A true JP2024043611A (ja) 2024-04-02

Family

ID=90244386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022148689A Pending JP2024043611A (ja) 2022-09-20 2022-09-20 エッチング制御システム、及びエッチング制御方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240096657A1 (ja)
JP (1) JP2024043611A (ja)
KR (1) KR20240040038A (ja)
CN (1) CN117747483A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5454407B2 (ja) 2010-07-23 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN117747483A (zh) 2024-03-22
US20240096657A1 (en) 2024-03-21
KR20240040038A (ko) 2024-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI391840B (zh) 使用處理資料及良率資料之處理控制
JP2007219208A (ja) パターン補正装置、パターン補正プログラム、パターン補正方法および半導体装置の製造方法
TWI453789B (zh) 用於製程控制之產品相關之反饋
KR20190105646A (ko) 생산 공정을 제어 또는 모니터링하기 위한 예상 데이터 생성
US20200027021A1 (en) Reinforcement learning for multi-domain problems
US8683395B2 (en) Method and system for feed-forward advanced process control
TWI399625B (zh) 先進製程控制的方法和裝置
US20200104708A1 (en) Training apparatus, inference apparatus and computer readable storage medium
JP5175696B2 (ja) 現像方法、及びフォトマスクの製造方法
US20220050943A1 (en) Learning device, inference device, and learned model
JP2008211076A (ja) レジストパターン形状予測方法、プログラム及びコンピュータ
JP2024043611A (ja) エッチング制御システム、及びエッチング制御方法
JP2024043651A (ja) エッチング制御装置、エッチング制御方法、及びエッチング制御システム
JP2004228228A (ja) 形状シミュレーション方法、形状シミュレーションプログラム及びマスクパターン作成方法
JP2024043646A (ja) エッチング制御システム、及びエッチング制御方法
TW202418017A (zh) 蝕刻控制系統及蝕刻控制方法
JP2009086293A (ja) 形状予測方法、フォトマスクの製造方法、電子部品の製造方法、および形状予測プログラム
CN113741142B (zh) 刻蚀偏移修正方法及***和相关设备
KR100724186B1 (ko) Apc 시스템에서 배선 형성을 위한 포토공정의 오버레이제어 방법
US6808591B1 (en) Model based metal overetch control
TW202136943A (zh) 半導體製造設備的控制系統及方法
Medina et al. Optimal etch recipe prediction for 3D NAND structures
US7761179B2 (en) Method for consistent updates to automated process control (APC) models with partitioning along multiple components
US10386829B2 (en) Systems and methods for controlling an etch process
JP2012047808A (ja) 基板処理方法および基板処理装置