TWI456637B - 絕緣層上覆矽（ｓｏｉ）基板之製造方法 - Google Patents
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- 一種SOI基板的製造方法，包括如下步驟：在單晶半導體基板之上形成包含矽的第一絕緣膜；藉由經過該單晶半導體基板的表面而引入離子，在該單晶半導體基板中形成剝離層；對由絕緣體所構成的基底基板進行平坦化處理；在受到該平坦化處理的該基底基板之上形成含有氧化鋁的第二絕緣膜；藉由使該單晶半導體基板和該基底基板彼此相對，將該第一絕緣膜的表面黏合到該第二絕緣膜的表面；以及藉由在該剝離層進行分離，在該基底基板之上隔著該第二絕緣膜和該第一絕緣膜而形成單晶半導體膜。
- 如申請專利範圍第1項所述的SOI基板的製造方法，其中藉由施加偏壓而對該基底基板進行電漿處理，作為該平坦化處理。
- 如申請專利範圍第2項所述的SOI基板的製造方法，其中使用氬氣進行該電漿處理。
- 如申請專利範圍第1項所述的SOI基板的製造方法，其中藉由濺射法形成該第二絕緣膜。
- 如申請專利範圍第4項所述的SOI基板的製造方法，其中將鋁、含有鋁和鎂的合金、含有鋁和鍶的合金或含有鋁、鎂及鍶的合金用作靶子並引入氧來進行該濺射法。
- 如申請專利範圍第4項所述的SOI基板的製造方法，其中將氧化鋁、含有鋁和鎂的氧化物、含有鋁和鍶的氧化物或含有鋁、鎂及鍶的氧化物用作靶子並使用高頻電源來進行該濺射法。
- 如申請專利範圍第1項所述的SOI基板的製造方法，其中藉由在添加有鹵素的氧化氛圍中進行熱氧化處理以形成該第一絕緣膜。
- 如申請專利範圍第1項所述的SOI基板的製造方法，其中將玻璃基板用作該基底基板。
- 一種SOI基板的製造方法，包括如下步驟：在單晶半導體基板之上形成包含矽的第一絕緣膜；藉由經過該單晶半導體基板的表面而引入離子，在該單晶半導體基板中形成剝離層；對由絕緣體所構成的基底基板進行平坦化處理；在受到該平坦化處理的該基底基板之上形成含有氧化鋁的第二絕緣膜；在使該第一絕緣膜的表面和該第二絕緣膜的表面彼此黏合之前，對該第一絕緣膜的表面和該第二絕緣膜的表面的其中一者或兩者進行表面處理；藉由使該單晶半導體基板和該基底基板彼此相對，將該第一絕緣膜的表面黏合到該第二絕緣膜的表面；以及藉由在該剝離層進行分離，在該基底基板之上隔著該第二絕緣膜和該第一絕緣膜形成單晶半導體膜。
- 如申請專利範圍第9項所述的SOI基板的製造方法，其中藉由施加偏壓而對該基底基板進行電漿處理，作為該平坦化處理。
- 如申請專利範圍第10項所述的SOI基板的製造方法，其中使用氬氣進行該電漿處理。
- 如申請專利範圍第9項所述的SOI基板的製造方法，其中藉由濺射法形成該第二絕緣膜。
- 如申請專利範圍第12項所述的SOI基板的製造方法，其中將鋁、含有鋁和鎂的合金、含有鋁和鍶的合金或含有鋁、鎂及鍶的合金用作靶子並引入氧來進行該濺射法。
- 如申請專利範圍第12項所述的SOI基板的製造方法，其中將氧化鋁、含有鋁和鎂的氧化物、含有鋁和鍶的氧化物或含有鋁、鎂及鍶的氧化物用作靶子並使用高頻電源來進行該濺射法。
- 如申請專利範圍第9項所述的SOI基板的製造方法，其中使用臭氧水進行該表面處理。
- 如申請專利範圍第9項所述的SOI基板的製造方法，其中藉由在添加有鹵素的氧化氛圍中進行熱氧化處理以形成該第一絕緣膜。
- 如申請專利範圍第9項所述的SOI基板的製造方法，其中將玻璃基板用作該基底基板。
- 一種SOI基板的製造方法，包括如下步驟：在多個單晶半導體基板之上分別形成包含矽的第一絕緣膜；藉由經過該多個單晶半導體基板的每個的表面而引入離子，在該多個單晶半導體基板中分別形成剝離層；對由絕緣體所構成的基底基板進行平坦化處理；在受到該平坦化處理的該基底基板之上形成含有氧化鋁的第二絕緣膜；藉由使該多個單晶半導體基板的每一個和該基底基板彼此相對，將該第一絕緣膜的表面黏合到該第二絕緣膜的表面；以及藉由在該剝離層進行分離，在設置於該基底基板之上的該第二絕緣膜之上形成多個各自包括該第一絕緣膜和單晶半導體膜的疊層體。
- 如申請專利範圍第18項所述的SOI基板的製造方法，其中藉由施加偏壓而對該基底基板進行電漿處理，作為該平坦化處理。
- 如申請專利範圍第19項所述的SOI基板的製造方法，其中使用氬氣進行該電漿處理。
- 如申請專利範圍第18項所述的SOI基板的製造方法，其中藉由濺射法形成該第二絕緣膜。
- 如申請專利範圍第21項所述的SOI基板的製造方法，其中將鋁、含有鋁和鎂的合金、含有鋁和鍶的合金或含有鋁、鎂及鍶的合金用作靶子並引入氧來進行該濺射法。
- 如申請專利範圍第21項所述的SOI基板的製造方法，其中將氧化鋁、含有鋁和鎂的氧化物、含有鋁和鍶的氧化物或含有鋁、鎂及鍶的氧化物用作靶子並使用高頻電源來進行該濺射法。
- 如申請專利範圍第18項所述的SOI基板的製造方法，其中藉由在添加有鹵素的氧化氛圍中進行熱氧化處理以形成該第一絕緣膜。
- 如申請專利範圍第18項所述的SOI基板的製造方法，其中將玻璃基板用作該基底基板。
- 一種SOI基板的製造方法，包括如下步驟：在多個單晶半導體基板之上分別形成包含矽的第一絕緣膜；藉由分別經過該多個單晶半導體基板的每個的表面而引入離子，在該多個單晶半導體基板中分別形成剝離層；對由絕緣體所構成的基底基板進行平坦化處理；在受到該平坦化處理的該基底基板之上形成含有氧化鋁的第二絕緣膜；在使該第一絕緣膜的表面和該第二絕緣膜的表面彼此黏合之前，對該第一絕緣膜的表面和該第二絕緣膜的表面的其中一者或兩者進行表面處理；藉由使該多個單晶半導體基板的每一個和該基底基板彼此相對，將該第一絕緣膜的表面黏合到該第二絕緣膜的表面；以及藉由在該剝離層進行分離，在設置於該基底基板之上的該第二絕緣膜之上形成多個各自包括該第一絕緣膜和單晶半導體膜的疊層體。
- 如申請專利範圍第26項所述的SOI基板的製造方法，其中藉由施加偏壓而對該基底基板進行電漿處理，作為該平坦化處理。
- 如申請專利範圍第27項所述的SOI基板的製造方法，其中使用氬氣進行該電漿處理。
- 如申請專利範圍第26項所述的SOI基板的製造方法，其中藉由濺射法形成該第二絕緣膜。
- 如申請專利範圍第29項所述的SOI基板的製造方法，其中將鋁、含有鋁和鎂的合金、含有鋁和鍶的合金或含有鋁、鎂及鍶的合金用作靶子並引入氧來進行該濺射法。
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| WO2011024619A1 (en) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate, method for manufacturing reprocessed semiconductor substrate, and method for manufacturing soi substrate |
| US8318588B2 (en) * | 2009-08-25 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate, method for manufacturing reprocessed semiconductor substrate, and method for manufacturing SOI substrate |
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| US8541266B2 (en) | 2011-04-01 | 2013-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
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| JP6236753B2 (ja) * | 2012-06-28 | 2017-11-29 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体基板の製造方法 |
| KR101531033B1 (ko) * | 2012-09-10 | 2015-06-23 | 전자부품연구원 | 기판 가공 방법 |
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| US9575018B2 (en) * | 2013-09-16 | 2017-02-21 | Cerium Laboratories, Llc | System and method for testing ceramic coatings |
| CN104078336B (zh) * | 2014-07-02 | 2018-01-09 | 上海朕芯微电子科技有限公司 | 无衬底结构的功率器件制造工艺 |
| KR102582523B1 (ko) | 2015-03-19 | 2023-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
| US20180033609A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | QMAT, Inc. | Removal of non-cleaved/non-transferred material from donor substrate |
| CN107611261A (zh) * | 2017-08-14 | 2018-01-19 | 信利半导体有限公司 | 一种柔性oled基板的制作方法 |
| US10553474B1 (en) * | 2018-08-29 | 2020-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate |
| CN111508820B (zh) * | 2020-03-25 | 2021-07-16 | 长江存储科技有限责任公司 | 清洗方法 |
| CN113120855A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-07-16 | 上海芯物科技有限公司 | 一种空腔结构的制备方法和微机电***传感器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1638093A (zh) * | 2003-12-22 | 2005-07-13 | 富士通株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
| US20060255341A1 (en) * | 2005-04-21 | 2006-11-16 | Aonex Technologies, Inc. | Bonded intermediate substrate and method of making same |
| US20060264004A1 (en) * | 2005-05-23 | 2006-11-23 | Ziptronix, Inc. | Method of detachable direct bonding at low temperatures |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0254532A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-23 | Sony Corp | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| JPH0547726A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09162088A (ja) | 1995-12-13 | 1997-06-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 半導体基板とその製造方法 |
| JP2000138360A (ja) * | 1997-10-30 | 2000-05-16 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| DE19936941B4 (de) | 1998-11-11 | 2008-11-06 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung dünner Schichten, insbesondere Dünnschichtsolarzellen, auf einem Trägersubstrat |
| US6555443B1 (en) | 1998-11-11 | 2003-04-29 | Robert Bosch Gmbh | Method for production of a thin film and a thin-film solar cell, in particular, on a carrier substrate |
| KR100401655B1 (ko) | 2001-01-18 | 2003-10-17 | 주식회사 컴텍스 | ALE를 이용한 알루미나(Al₂O₃) 유전체 층 형성에 의한 스마트 공정을 이용한 유니본드형 SOI 웨이퍼의 제조방법 |
| JP4772258B2 (ja) | 2002-08-23 | 2011-09-14 | シャープ株式会社 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| US7119365B2 (en) | 2002-03-26 | 2006-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof, SOI substrate and display device using the same, and manufacturing method of the SOI substrate |
| JP2004134675A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Sharp Corp | Ｓｏｉ基板、表示装置およびｓｏｉ基板の製造方法 |
| JP4801579B2 (ja) * | 2003-01-15 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP4989854B2 (ja) * | 2004-02-06 | 2012-08-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US6995064B2 (en) * | 2004-03-30 | 2006-02-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Halogen gettering method for forming field effect transistor (FET) device |
| JP2006210899A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-08-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの製造方法及びｓｏｉウェーハ |
| JP4912604B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2012-04-11 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 窒化物半導体ｈｅｍｔおよびその製造方法。 |
| FR2888663B1 (fr) * | 2005-07-13 | 2008-04-18 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de diminution de la rugosite d'une couche epaisse d'isolant |
| KR20080033341A (ko) * | 2005-08-03 | 2008-04-16 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. | 스트레인드 실리콘 층 내에 개선된 결정화도를 갖는스트레인드 실리콘 온 인슐레이터 구조 |
| JP4977999B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2012-07-18 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 貼合せ基板の製造方法及びその方法で製造された貼合せ基板 |
| FR2896618B1 (fr) | 2006-01-23 | 2008-05-23 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat composite |
| JP5041714B2 (ja) * | 2006-03-13 | 2012-10-03 | 信越化学工業株式会社 | マイクロチップ及びマイクロチップ製造用ｓｏｉ基板 |
| WO2008078132A1 (en) * | 2006-12-26 | 2008-07-03 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method for producing a semiconductor-on-insulator structure |
| US7755113B2 (en) | 2007-03-16 | 2010-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor display device, and manufacturing method of semiconductor device |
| EP1978554A3 (en) | 2007-04-06 | 2011-10-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate comprising implantation and separation steps |
-
2008
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1638093A (zh) * | 2003-12-22 | 2005-07-13 | 富士通株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
| US20060255341A1 (en) * | 2005-04-21 | 2006-11-16 | Aonex Technologies, Inc. | Bonded intermediate substrate and method of making same |
| US20060264004A1 (en) * | 2005-05-23 | 2006-11-23 | Ziptronix, Inc. | Method of detachable direct bonding at low temperatures |
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