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TWI442509B
TWI442509B TW097110061A TW97110061A TWI442509B TW I442509 B TWI442509 B TW I442509B TW 097110061 A TW097110061 A TW 097110061A TW 97110061 A TW97110061 A TW 97110061A TW I442509 B TWI442509 B TW I442509B
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Masaru Suzuki
Yasuhito Yamamoto
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Tokyo Electron Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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Description

檢查裝置
本發明主要係關於可削減路徑之檢查裝置。
傳統之檢查裝置，例如，係具備用以實施半導體晶圓之電氣特性檢查的探針室、及於卡匣探針室之間逐片搬送半導體晶圓之載入室而構成。探針室配設著探針卡及校準機構，藉由校準機構實施晶圓卡盤上之半導體晶圓及探針卡之校準後，使半導體晶圓與探針卡形成電性接觸來實施檢查。載入室配置著晶圓搬送裝置，藉由晶圓搬送裝置，於卡匣與晶圓卡盤之間實施半導體晶圓之搬送。
然而，隨著半導體晶圓超過300mm之大口徑化，檢查裝置亦大型化，不但導致檢查裝置本身之高成本化，也使無塵室內之佔有面積急速擴大而進一步導致高成本化。此外，因為半導體晶圓之大口徑化及半導體晶片之高集積化，導致檢查裝置內之半導體晶圓的滞留時間變長，故要求半導體晶圓之運用能更有效率。
專利文獻1記載著，複數之設置著晶圓卡盤的探針部共用一個校準機構之探針裝置。該探針裝置時，因為複數(例如，二個)載置台共用校準機構，可實現低成本化，而且，可於複數晶圓卡盤同時進行檢查，而提高生產量。
此外，專利文獻2記載著，逐片處理半導體晶圓之晶圓檢查裝置。該晶圓檢查裝置時，係藉由利用第1、第2 自走台車於卡匣儲存部與晶圓檢查部之間逐片搬送半導體晶圓來實施逐片處理，而縮短檢查時間。
此外，專利文獻3記載著，於處理裝置以實施玻璃基板之抽樣檢查為目的所使用之玻璃基板移動台車。該玻璃基板移動裝置，具備玻璃基板之定位、搬送裝置，藉由省略各處理裝置所具備之定位、搬送裝置，實現各處理裝置之路徑的削減。
[專利文獻1]日本特開昭63-062249
[專利文獻2]特許第3312748
[專利文獻3]日本特開2002-313870
然而，專利文獻1之技術時，校準機構固定於二個晶圓卡盤間之中央部，因為晶圓卡盤係移動至校準機構之正下方，來實施晶圓卡盤上之晶圓及探針卡之校準，各晶圓卡盤之移動範圍較寬廣，路徑之削減有其極限。專利文獻2之技術時，係藉由半導體晶圓之逐片處理來縮短檢查時間，然而，晶圓檢查部本身具備與傳統檢查裝置實質相同之構成，而且，各個晶圓檢查部間必須配設特定之空間，故無法削減晶圓檢查部本身之路徑。此外，專利文獻3之技術時，亦必須於處理裝置間配設特定之空間。
為了解決上述課題，本發明之目的，係在提供可大幅削減路徑，提高檢查之生產量，而且，可將載置台之移動範圍抑制於最小之檢查裝置。
本發明之申請專利範圍第1項所記載之檢查裝置，係具備；可於X、Y方向化移動之載置台、及用以實施上述載置台上之被檢查體之校準的校準機構之檢查裝置，其特徵為，上述校準機構，具備為了攝像上述載置台上之被檢查體而只可以於X方向或Y方向之任一方移動且可於任意位置停止之第1攝像手段，具有藉由使上述第1攝像手段及上述載置台分別朝可移動之方向移動來實施上述被檢查體之校準的控制手段，具備配置於上述載置台之上方的探針卡，實施上述探針卡之攝像的第2攝像手段配設於上述載置台之互相隔著特定間隔之複數處，上述第2攝像手段，配置於上述載置台之圓周方向之每間隔90°之4處，且，互相間隔180°之2處的上述第2攝像手段，分別沿著X方向及Y方向配置。
此外，本發明之申請專利範圍第2項所記載之檢查裝置，係具備：可於X、Y方向移動且沿著X方向或Y方向之任一方配列之複數載置台、及用以實施上述複數載置台上之被檢查體之校準的校準機構之檢查裝置，其特徵為，上述校準機構，具備為了分別攝像上述複數載置台上之被檢查體而只可以於上述複數載置台之配列方向移動且可於任意位置停止之第1攝像手段，具有藉由使上述第1攝像手段及載置著上述被檢查體之上述載置台分別朝可移動之方向移動來實施上述被檢查體之校準的控制手段，具備配置於上述載置台之上方的探針卡，實施上述探針卡之攝像的第2攝像手段配設於上述載置台之互相隔著特定間隔之 複數處，具備配置於上述載置台之上方的探針卡，上述第2攝像手段配置於上述載置台之圓周方向之互相隔著180°之2處。
此外，本發明之申請專利範圍第3項所記載之檢查裝置，係具備：可於X、Y方向移動且沿著X方向或Y方向之任一方配列之2處的載置台、及用以實施上述2處的載置台上之被檢查體之校準的校準機構之檢查裝置，其特徵為，上述校準機構，具備為了分別攝像上述2處的載置台上之被檢查體而只可以於上述2處的載置台之配列方向移動且可於任意位置停止之第1攝像手段，具有藉由使上述第1攝像手段及載置著上述被檢查體之載置台分別朝可移動之方向移動來實施上述任一被檢查體之校準的控制手段，具備配置於上述載置台之上方的探針卡，實施上述探針卡之攝像的第2攝像手段配設於上述載置台之互相隔著特定間隔之複數處，具備配置於上述載置台之上方的探針卡，上述第2攝像手段配置於上述載置台之圓周方向之互相隔著180°之2處。
此外，本發明之申請專利範圍第4項所記載之檢查裝置，係如申請專利範圍第1項所記載之發明，其中，2處的上述第2攝像手段，以互相相對且沿著上述複數載置台之配列方向配置。
此外，本發明之申請專利範圍第5項所記載之檢查裝置，係如申請專利範圍第1項所記載之發明，其中，2處的上述第2攝像手段，以互相相對且沿著垂直於上述複數 載置台之配列方向的方向配置。
此外，本發明之申請專利範圍第6項所記載之檢查裝置，係如申請專利範圍第1項所記載之發明，其中，2處的上述第2攝像手段，以互相相對地配置於分別從X方向及Y方向傾斜45°之位置。
此外，本發明之申請專利範圍第7項所記載之檢查裝置，係如申請專利範圍第1~6項中之任一項所記載之發明，其中，上述探針卡，同時電性接觸於上述被檢查體之全面。
此外，本發明之申請專利範圍第8項所記載之檢查裝置，係如申請專利範圍第1~6項中之任一項所記載之發明，其中，上述第1攝像手段配設於校準橋。
此外，本發明之申請專利範圍第9項所記載之檢查裝置，係如申請專利範圍第1~6項中之任一項所記載之發明，其中，上述控制手段，以使上述載置台只可以在垂直於第1攝像手段可移動之方向的方向移動來實施校準之方式進行控制。
此外，本發明之申請專利範圍第10項所記載之檢查裝置，係如申請專利範圍第2或3項所記載之發明，其中，於上述各載置台之間，配設著1個用以實施上述被檢查體之授受的晶圓搬送裝置。
依據本發明，係提供可解決上述課題之檢查裝置，可大幅削減路徑，提高檢查之生產量，而且，可將載置台之移動範圍抑制於最小。
以下，依據第1圖~第7圖所示之實施形態針對本發明進行說明。此外，第1圖係本發明之檢查裝置之一實施形態的平面圖，第2圖係第1圖所示之檢查裝置之重要部位的概念圖，第3圖係第1圖所示之檢查裝置之配列狀態之一例的平面圖，第4圖之(a)~(c)係分別用以說明第1圖所示之檢查裝置之動作的說明圖，第5圖之(a)~(c)係本發明之檢查裝置之其他實施形態之相當於第4圖的平面圖，第6圖係本發明之檢查裝置之另一其他實施形態之相當於第3圖的平面圖，第7圖係本發明之檢查裝置之另一其他實施形態的平面圖。
第1實施形態
本實施形態之檢查裝置10之構成，係針對例如形成於300mm之半導體晶圓W之全面之檢查用電極墊的被檢查體，同時以探針卡進行電性接觸，來實施半導體晶圓W之電氣特性檢查。該檢查裝置10之構成，如第1圖所示，具備用以實施半導體晶圓W之電氣特性檢查的探針11、將半導體晶圓W搬送至探針室11之載入室12、以及控制裝置(未圖示)，探針室11被分成第1、第2探針區域，在控制裝置之控制下，以第1、第2探針區域同時處理2片半導體晶圓W。
然而，探針室11，如第1圖、第2圖所示，具備：分 別配置於用以載置半導體晶圓W且可於X、Y，Z方向移動之第1、第2探針區域11A、11B的載置台(以下，稱為「晶圓卡盤」)13；分別配置於該晶圓卡盤13之上方的探針卡14(參照第2圖)、以及以實施載置於晶圓卡盤13上之半導體晶圓W及探針卡14之校準為目的而可於第1、第2探針區域11A、11B移動之方式配設之一個校準機構15；且，在控制裝置之控制下，一個校準機構15與第1、第2探針區域11A、11B之各晶圓卡盤13協作來實施半導體晶圓W及探針卡14之校準。亦即，一個校準機構15可使用於第1、第2探針區域11A、11B之雙方。
校準機構15之構成，如第1圖及第2圖所示，具備：以攝像半導體晶圓W為目的而配設之第1攝像手段(例如，第1CCD攝影機)15A(參照第2圖)、從中央支撐著第1CCD攝影機15A之校準橋15B、以及分別沿著Y方向配設於探針室11之X方向兩端部且於Y方向移動導引校準橋15B之一對之導軌15D；第1CCD攝影機15A介由校準橋15B沿著導軌15D而可於Y方向之兩端部(第1圖中，以一點虛線表示)之間在第1、第2探針區域11A、11B內之任意位置移動、停止。
實施半導體晶圓W及探針卡14之校準時，第1CCD攝影機15A介由校準橋15B移動至第1、第2探針區域11A、11B，與第1、第2探針區域11A、11B之各晶圓卡盤13協作來攝像晶圓卡盤13上之半導體晶圓W。晶圓卡盤13朝X、Y方向移動之期間，半導體晶圓W之任一處 通過第1CCD攝影機15A之正下方，即可利用第1CCD攝影機15A，無遺漏地攝像形成於半導體晶圓W之全面的檢查用電極墊。該校準橋15B，於半導體晶圓W之檢查時等，如第1圖之實線所示，於第1、第2探針區域11A、11B之境界待機。
傳統之校準機構時，校準橋於探針室內在Y方向之最內部與探針卡之正下方之探針中心往返移動，並停止於其位置。然而，本實施形態時，校準橋15B於第1、第2探針區域11A、11B之Y方向之任意位置停止，而如後面所述，晶圓卡盤13主要係只位於第1、第2探針區域11A、11B之X方向的最小移動區域，來實施校準。
此外，如第1圖及第2圖所示，各晶圓卡盤13分別配設著2個構成校準機構15之第2攝像手段(例如，第2CCD攝影機)15D，藉由該CCD攝影機15D攝像探針卡14之探針14A。2個第2CCD攝影機15D、15D，隔著180°間隔配設於晶圓卡盤13之外周的圓周方向，分別配置於通過晶圓卡盤13上面之中心的X軸上。第1圖中並未圖示，然而，第2CCD攝影機15D，具有低倍率之攝影機及高倍率之攝影機，可以宏觀及微觀之角度攝像探針卡14。
本實施形態所使用之探針卡14，如第2圖所示，具有同時個別接觸形成於半導體晶圓W之多數檢查用電極墊(未圖示)之全部的多數探針14A，裝卸自如地固定於探針室11之底板11C。該底板11C，係可介由樞軸開關之構 成。多數之探針14A，配設於形成為與半導體晶圓W大致相同大小之配線基板14B，介由配線基板14B，連結於測試機側之纜線(皆未圖示)。該探針14A，例如，係利用平版印刷技術及蝕刻技術等之微細加工來形成。實施校準時，如後面所述，第1CCD攝影機15A攝像半導體晶圓W之全面，第2CCD攝影機15D攝像探針卡14之Y方向之中央部，依據該等攝像位置資料來實施校準。此外，本實施形態之檢查裝置10，因為探針卡14與測試機介由纜線進行連結，係可省略測試頭之極小型構成。
載入室12係鄰接於第1圖所示之探針室11，於其Y方向之中央配置著晶圓搬送裝置16，Y方向之兩側配置著用以載置卡匣C之卡匣載置部17A、17B。晶圓搬送裝置16，具備支臂16A及其驅動機構16B，支臂16A，介由驅動機構16B，如第1圖之實線所示，於卡匣C與探針室11之間，逐片搬送半導體晶圓W。此外，於一方(第1圖之上側)之卡匣載置部17A之下方，配設著用以實施半導體晶圓W之預校準的預校準機構(未圖示)，預校準機構係以半導體晶圓W之定向平面或缺口標記為基準來實施預校準。另一方之卡匣載置部17B之下方，配設著緩衝台及晶圓台(皆未圖示)。
卡匣C，被卡匣搬送手段搬送至檢查裝置10之側方，如第1圖之箭頭A所示，從卡匣載置部17A、17B之側方被分別載置於其上面。其次，各卡匣載置部17A、17B配設著轉盤(未圖示)，使卡匣C之半導體晶圓W之 搬出入口轉向晶圓搬送裝置16。該載入室12，可以利用例如本專利申請人之日本特願2006-132546所提出之載入室技術。
本實施形態之檢查裝置10，如第3圖之一部分所示，配列於無塵室內，以檢查裝置10之卡匣載置部17A、17B從順著左右外側之搬送路移動之自動搬送車(AGV)等之卡匣搬送手段受取卡匣C，於各檢查裝置10，逐片處理卡匣C內之半導體晶圓W。
其次，參照第4圖針對動作進行說明。首先，如第4圖之(a)所示，載入室12以卡匣載置部17A、17B受取卡匣C後，介由驅動機構16B驅動晶圓搬送裝置16之支臂16A。支臂16A，從卡匣C逐片取出半導體晶圓W，將已執行預校準之半導體晶圓W搬送並載置於在探針室11之第1探針區域11A待機之晶圓卡盤13。
其次，為了實施半導體晶圓W及探針卡14之校準，晶圓卡盤13於第1探針區域11A內如第4圖之(a)之實線及一點虛線所示，朝X、Y方向移動，其間，以2個第2CCD攝影機15D攝像探針卡14之探針14A。晶圓卡盤13於X、Y方向移動之期間，2個第2CCD攝影機15D如第4圖之(a)之一點虛線所示，以長方形之區域做為攝像區域進行移動，於探針卡14之同圖之(b)之陰影線所示之長方形區域內攝像複數處之探針14A。其次，以第2CCD攝影機15D，攝像校準用之探針14A，例如探針卡14之中心及外周緣部之探針14A，控制裝置依據晶圓卡盤 13之X、Y方向之移動距離，求取各攝像位置之XY座標值，並登錄於控制裝置之記憶部。
本實施形態時，左側之第2CCD攝影機15D攝像影線區域之左半邊，右側之第2CCD攝影機15D攝像影線區域之右半邊。如傳統，為了以一個CCD攝影機攝像影線區域，必須使晶圓卡盤於X方向移動1倍之距離，然而，本實施形態時，因為以2個第2CCD攝影機15D各分攤半邊之區域，晶圓卡盤13之X方向移動量只要一半即可，故可實現路徑之削減。
以第2CCD攝影機15D攝像校準用之探針14A後，校準橋15B從第1、第2探針區域11A、11B之境界移動並於第1探針區域11A之探針卡14之正下方停止。此時，位於第1CCD攝影機15A之光軸之延長線上之探針卡14的中心。
其次，以配設於校準橋15B之第1CCD攝影機15A攝像校準用之檢查用電極墊。為此，藉由如第4圖之(a)所示之晶圓卡盤13朝X、Y方向移動，其上之半導體晶圓W之全區域通過第1CCD攝影機15A之正下方，如該圖之(c)所示，可以第1CCD攝影機15A攝像半導體晶圓W之全面。第1CCD攝影機15A攝像對應於校準用之探針14A的檢查用電極墊(未圖示)，亦即，攝像位於半導體晶圓W之Y方向之中央部之中心及左右之外周緣部的檢查用電極墊，將其位置以XY座標值登錄於控制裝置之記憶部。
本實施形態時，藉由於第1CCD攝影機15A停止於探針卡14之中心之正下方的狀態，晶圓卡盤13朝X、Y方向移動，而可以第1CCD攝影機15A攝像半導體晶圓W之全面，然而，亦可限制晶圓卡盤13之Y方向之移動範圍，使校準橋15B只移動所限制之範圍，而以第1CCD攝影機15A攝像半導體晶圓W之全面。藉此，可進一步削減探針室11之路徑。
依據利用第2CCD攝影機15D之探針14A的攝像位置資料、及第1CCD攝影機15之攝像位置資料，晶圓卡盤13朝X、Y方向移動，實施複數之探針14A、及對應其之複數檢查用電極墊的校準。校準後，且晶圓卡盤13移動至檢查之起始位置後，藉由晶圓卡盤13於Z方向上昇而使檢查用電極墊與對應其之探針14A，接觸，可使全部探針14A與半導體晶圓W之全部檢查用電極墊同時接觸，此外，晶圓卡盤13過驅動時，半導體晶圓W之全部之檢查用電極墊與對應之全部探針14A同時形成電性接觸。其後，以從測試機依序對探針卡14傳送檢查用信號之方式，實施特定之電氣特性檢查。
於第1探針區域11A實施半導體晶圓W之檢查的期間，於第2探針區域11B，亦以與第1探針區域11A相同之要領，晶圓卡盤13及校準機構15執行動作，在第2探針區域11B，也可與第1探針區域11A同時實施半導體晶圓W之檢查，而可提高生產量。
於探針室11之第1、第2探針區域11A、11B，分別 同時實施半導體晶圓W之檢查，依完成檢查之順序，利用晶圓搬送裝置16，從各探針區域11A、11B將完成檢查之半導體晶圓W搬回卡匣C內之原來位置，而且，將下一半導體晶圓W從卡匣C搬送至探針室11之對應之探針區域，連續實施半導體晶圓W之檢查。其次，完成卡匣C內之全部半導體晶圓W的檢查後，利用AGV等，將該等半導體晶圓W與卡匣C一起搬送至下一工程。
如以上之說明所示，依據本實施形態，因為校準機構15之校準橋15B配合晶圓卡盤13之位置於Y方向移動並停止，實施半導體晶圓W及探針卡14之校準時，探針室11之晶圓卡盤13的移動範圍遠小於傳統方式，故可削減無塵室內之路徑。此外，因為校準機構15為第1、第2探針區域11A、11B之雙方的晶圓卡盤13所共用，只要一個校準機構15即可，故可降低裝置成本。
此外，依據本實施形態，因為晶圓卡盤13配設著2個第2CCD攝影機15D，可更縮小晶圓卡盤13之移動範圍，而削減路徑。此外，2個CCD攝影機15D，係相對於晶圓卡盤13以間隔180°配設，而且，2個第2CCD攝影機15D係配設於通過晶圓卡盤13上面之中心的X軸上，可攝像探針卡14之Y方向之中央部的全區域，故可提高校準之精度。
第2實施形態
本實施形態之檢查裝置10A，如第5圖所示，除了第 2CCD攝影機15D配設於通過晶圓卡盤13上面之中心的Y軸上以外，其餘係以第1實施形態為基準之構成。所以，與第1實施形態相同或相當之部分賦予相同符號，並以本實施形態之特徵部分為中心來進行說明。
本實施形態時，如第5圖之(a)所示，2個第2CCD攝影機15D係沿著Y軸而以間隔180°之方式配置於晶圓卡盤13之圓周方向。所以，2個第2CCD攝影機15D從晶圓卡盤13之外周面朝Y方向突出，而不會從晶圓卡盤13之外周面朝X方向突出。因為晶圓卡盤13未朝X方向突出，探針室11之X軸方向之寬度可以比第1實施形態時更小，相對於該部分，可以削減成比第1實施形態時更小之路徑。
因為2個第2CCD攝影機15D，如第5圖之(a)所示，從晶圓卡盤13之外周面朝Y方向突出，探針卡14之攝像範圍如該圖之(b)所示，於探針卡14之X方向之中央部的兩端部受到限制。此外，因為晶圓卡盤13朝X方向之移動受到限制，配設於校準橋15B之第1CCD攝影機15A(參照第2圖)之攝像範圍，亦如該圖之(c)所示，縱向橫跨半導體晶圓W之X方向中央部的範圍受到限制。
第1、第2CCD攝影機15A、15D之攝像範圍相對於第1實施形態，受到較大的限制，然而，因為於探針卡14全面形成探針14A，可以攝像離開探針卡14之Y方向之中央部之兩端部的複數探針14A(參照第2圖)，而且， 亦可攝像對應其之半導體晶圓W的檢查用電極墊，可以順利實施半導體晶圓W及探針卡14之校準。藉此，具有相對較大之路徑削減效果。
因此，依據本實施形態，與第1實施形態相比，雖然利用第1、第2CCD攝影機15A、15D之半導體晶圓W及探針卡14之攝像範圍受到限制，然而，可以削減探針室11之路徑，而大幅實現成本削減。
此外，雖然未圖示，然而，亦可將2個第2CCD攝影機配設於第1實施形態與第2實施形態之中間位置，亦即，配設在相對於通過晶圓卡盤上面之中心的X軸、Y軸呈45°傾斜之位置。此時，藉由與第1實施形態實質相同之面積，可以第1CCD攝影機攝像半導體晶圓全面，藉由2個第2CCD攝影機，以第2CCD攝影機攝像探針卡之45°傾斜的兩端部。本實施形態時，亦可得到與第1實施形態相同之作用效果。
第3實施形態
本實施形態之檢查裝置10B，如第6圖所示，除了於載入室12之左右兩側配置探針室11以外，其餘係與第1實施形態相同之構成。所以，與第1實施形態相同或相當之部分賦予相同符號，並以本實施形態之特徵部分為中心來進行說明。
本實施形態時，因為左右之探針室11共用一個載入室12，與第1實施形態相比，可以大幅削減檢查裝置10B 之路徑。其次，可以於探針室11，實施與第1實施形態相同之校準。所以，依據本實施形態，因為載入室12由二系列之探針室11所共用，可大幅削減路徑，而大幅降低成本。
第4實施形態
本實施形態之檢查裝置10C，如第7圖所示，除了第2CCD攝影機15D係以夾著晶圓卡盤13之方式於通過晶圓卡盤13上面之中心的X軸、Y軸上配設4處以外，其餘為與第二之實施形態相同之構成。所以，與第1實施形態相同或相當之部分賦予相同符號，並以本實施形態之特徵部分為中心進行說明。
本實施形態時，第2CCD攝影機15D，如第7圖之(a)所示，係夾著晶圓卡盤13配設4個。4個第2CCD攝影機15D，係配合第1實施形態之2個第1CCD攝影機15D及第2實施形態之2個第1CCD攝影機15D之狀態進行配置。其次，探針室11係以與第1實施形態實質相同之面積形成。
所以，本實施形態時，如第7圖之(b)所示，可以校準橋15B之第1CCD攝影機15A(參照第2圖)攝像半導體晶圓W全面，如該圖之(c)所示，可以4個第2CCD攝影機15D攝像橫越探針卡14之Y方向之中央部的區域、及其X方向之中央部之兩端部的區域。亦即，4個第2CCD攝影機15D，因為可以從探針卡14之中心部及 外周緣部之圓周方向分別間隔90°之4處攝像探針，校準精度高於第1~第3實施形態時。
所以，依據本實施形態，因為可以第1CCD攝影機攝像半導體晶圓W之全面，且以4處第2CCD攝影機15D攝像橫跨探針卡14之Y方向之中央部的區域及X方向之中央部之兩端部，可以在探針卡14之中心部及外周緣部之圓周方向之分別間隔90°之4處實施校準，校準精度高於第1~第3實施形態時，此外，可以期待與第1實施形態相同之作用效果。
此外，本發明並未受限於上述各實施形態，必要時，可以適度地變更各構成要素設計。
本發明，可應用於以實施半導體晶圓等被檢查體之電氣特性檢查的檢查裝置。
10、10A、10B、10C‧‧‧檢查裝置
14‧‧‧探針卡
14A‧‧‧探針
15‧‧‧校準機構
15A‧‧‧第1CCD攝影機(第1攝像手段)
15B‧‧‧校準橋
15D‧‧‧第2CCD攝影機(第2攝像手段)
W‧‧‧半導體晶圓(被檢查體)
第1圖係本發明之檢查裝置之一實施形態的平面圖。
第2圖係第1圖所示之檢查裝置之重要部位的概念圖。
第3圖係第1圖所示之檢查裝置之配列狀態之一例的平面圖。
第4圖(a)~(c)係分別用以說明第1圖所示之檢查裝置之動作的說明圖。
第5圖(a)~(c)係本發明之檢查裝置之其他實施形態之相當於第4圖的平面圖。
第6圖係本發明之檢查裝置之另一其他實施形態之相當於第3圖的平面圖。
第7圖係本發明之檢查裝置之另一其他實施形態的平面圖。
10‧‧‧檢查裝置
11‧‧‧探針
11A‧‧‧探針區域
11B‧‧‧探針區域
12‧‧‧載入室
13‧‧‧晶圓卡盤
15‧‧‧校準機構
15B‧‧‧校準橋
15D‧‧‧第2CCD攝影機(第2攝像手段)
16‧‧‧晶圓搬送裝置
16A‧‧‧支臂
16B‧‧‧驅動機構
17A‧‧‧卡匣載置
17B‧‧‧卡匣載置
W‧‧‧半導體晶圓(被檢查體)

Claims (10)

  1. 一種檢查裝置，係具備：可於X、Y方向移動之載置台、及用以實施上述載置台上之被檢查體之校準的校準機構之檢查裝置，其特徵為：上述校準機構，具備為了攝像上述載置台上之被檢查體而只可以於X方向或Y方向之任一方移動且可於任意位置停止之第1攝像手段，具有藉由使上述第1攝像手段及上述載置台分別朝可移動之方向移動來實施上述被檢查體之校準的控制手段，具備配置於上述載置台之上方的探針卡，實施上述探針卡之攝像的第2攝像手段配設於上述載置台之互相隔著特定間隔之複數處，上述第2攝像手段，配置於上述載置台之圓周方向之每間隔90°之4處，且，互相間隔180°之2處的上述第2攝像手段，分別沿著X方向及Y方向配置。
  2. 一種檢查裝置，係具備：可於X、Y方向移動且沿著X方向或Y方向之任一方配列之複數載置台、及用以實施上述複數載置台上之被檢查體之校準的校準機構之檢查裝置，其特徵為：上述校準機構，具備為了分別攝像上述複數載置台上之被檢查體而只可以於上述複數載置台之配列方向移動且可於任意位置停止之第1攝像手段，具有藉由使上述第1攝像手段及載置著上述被檢查體之上述載置台分別朝可移動之方向移動來實施上述被檢查體之校準的控制手段， 具備配置於上述載置台之上方的探針卡，實施上述探針卡之攝像的第2攝像手段配設於上述載置台之互相隔著特定間隔之複數處，具備配置於上述載置台之上方的探針卡，上述第2攝像手段配置於上述載置台之圓周方向之互相隔著180°之2處。
  3. 一種檢查裝置，係具備：可於X、Y方向移動且沿著X方向或Y方向之任一方配列之2處的載置台、及用以實施上述2處的載置台上之被檢查體之校準的校準機構之檢查裝置，其特徵為：上述校準機構，具備為了分別攝像上述2處的載置台上之被檢查體而只可以於上述2處的載置台之配列方向移動且可於任意位置停止之第1攝像手段，具有藉由使上述第1攝像手段及載置著上述被檢查體之載置台分別朝可移動之方向移動來實施上述任一被檢查體之校準的控制手段，具備配置於上述載置台之上方的探針卡，實施上述探針卡之攝像的第2攝像手段配設於上述載置台之互相隔著特定間隔之複數處，具備配置於上述載置台之上方的探針卡，上述第2攝像手段配置於上述載置台之圓周方向之互相隔著180°之2處。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之檢查裝置，其中2處的上述第2攝像手段，以互相相對且沿著上述複 數載置台之配列方向配置。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之檢查裝置，其中2處的上述第2攝像手段，以互相相對且沿著垂直於上述複數載置台之配列方向的方向配置。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之檢查裝置，其中2處的上述第2攝像手段，以互相相對地配置於分別從X方向及Y方向傾斜45°之位置。
  7. 如申請專利範圍第1~6項中之任一項所記載之檢查裝置，其中上述探針卡，同時電性接觸於上述被檢查體之全面。
  8. 如申請專利範圍第1~6項中之任一項所記載之檢查裝置，其中上述第1攝像手段配設於校準橋。
  9. 如申請專利範圍第1~6項中之任一項所記載之檢查裝置，其中上述控制手段，以使上述載置台只可以在垂直於第1攝像手段可移動之方向的方向移動來實施校準之方式進行控制。
  10. 如申請專利範圍第2或3項所記載之檢查裝置，其中於上述各載置台之間，配設著一個用以實施上述被檢查體之授受的晶圓搬送裝置。
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