TWI426226B - Inspection apparatus and inspection method for disc-shaped substrate - Google Patents

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TWI426226B
TWI426226B TW096129648A TW96129648A TWI426226B TW I426226 B TWI426226 B TW I426226B TW 096129648 A TW096129648 A TW 096129648A TW 96129648 A TW96129648 A TW 96129648A TW I426226 B TWI426226 B TW I426226B
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Yoshinori Hayashi
Takeki Kogawa
Hideki Mori
Akimasa Hori
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Shibaura Mechatronics Corp
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Description

圓盤狀基板之檢查裝置及檢查方法 發明領域
本發明係有關於一種半導體晶圓等圓盤狀基板之檢查裝置及檢查方法，詳而言之，其係有關於一種進行於表面形成有絕緣膜或導電膜等之處理區域之圓盤狀基板之檢查的檢查裝置及檢查方法。
 發明背景
半導體晶圓(圓盤狀基板之一種)經由成膜程序或蝕刻程序，於表面形成同心之絕緣膜或導電膜等之處理區域。習知提出判定形成於此半導體晶圓之處理區域(絕緣膜等)之緣部是否呈無捲曲等之正規完成狀態的方法(參照專利文獻1)。在此方法中，拍攝半導體晶圓之外緣部的複數處，從以該拍攝而得之圖像測量半導體晶圓之複數處之外緣與處理區域之緣間的露出寬度，然後，從該等複數處之露出寬度之狀態，判定前述處理區域(絕緣膜等)之緣部是否呈無捲曲等之正規狀態。
專利文獻1：日本專利公開公報2002－134575號
 發明概要
前述習知之方法係依半導體晶圓(圓盤狀基板)外緣與形成於其表面之處理區域之緣間的露出寬度之狀態，檢查評價該處理區域之緣部之完成狀態。即，以半導體晶圓之外緣形狀平常正常(例如正圓)為前提，以其露出寬度評價處理區域之形狀。然而，對前述露出寬度造成影響之半導體晶圓之外緣形狀仔細觀看時，未必固定，是可變動者。因此，習知之方法無法作出對形成於圓盤狀基板表面之處理區域之精確度佳之評價。
本發明即是鑑於此種習知問題而發明者，其係提供一種可進行形成於半導體晶圓等圓板狀表面之處理區域之精確度更佳的檢查之檢查裝置及檢查方法。
本發明圓盤狀基板之檢查裝置係於表面形成處理區域之圓盤狀基板之檢查裝置，該檢查裝置之結構係包含有：保持部、旋轉驅動部、拍攝機構、基板外緣位置測量機構、緣間距離測量機構及檢查資訊生成機構，該保持部係可以預定旋轉軸為中心而旋轉，以保持前述圓盤狀基板者；該旋轉驅動部係以前述旋轉軸為中心，以使前述保持部旋轉者；該拍攝機構係拍攝隨前述保持部之旋轉而旋轉之前述圓盤狀基板外緣及其附近區域者；該基板外緣位置測量機構係測量在隨前述保持部之旋轉而旋轉之前述圓盤狀基板在複數旋轉角度位置的該圓盤狀基板外緣之徑方向位置者；該緣間距離測量機構係依以前述拍攝機構而得之圖像，測量在前述複數旋轉角度位置之前述圓盤狀基板外緣與前述處理區域之緣之間的緣間距離者；該檢查資訊生成機構係依以前述基板外緣位置測量機構而得之在前述圓盤狀基板之前述複數旋轉角度位置外緣的徑方向位置與以前述緣間距離測量機構而得之前述複數旋轉角度位置之緣間距離，生成預定之檢查資訊者。
藉此種結構，由於圓盤狀基板在複數旋轉角度位置之外緣的徑方向位置成為可顯示該圓盤狀基板外緣形狀之資訊，故依該圓盤狀基板在複數旋轉角度位置之外緣之徑方向位置及在前述複數旋轉角度位置之前述圓盤狀基板外緣與形成於該圓盤狀基板表面之處理區域緣間之緣間距離生成的檢查資訊係考慮圓盤狀基板之外緣形狀，而對形成於圓盤狀基板表面之處理區域之形狀評價的資訊。
在本發明之圓盤狀基板之檢查裝置中，前述檢查資訊生成機構具有處理區域緣位置運算機構，該處理區域緣位置運算機構係依前述圓盤狀基板在前述複數旋轉角度位置之外緣的徑方向位置與在對應之旋轉角度位置之前述緣間距離，運算前述處理區域之前述複數旋轉度位置之緣的徑方向位置者，並依前述處理區域在前述複數旋轉角度位置之緣的徑方向位置，生成檢查資訊。
根據此種結構，由於依形成於圓盤狀基板表面之處理區域在複數旋轉角度位置之緣的徑方向位置，生成檢查資訊，故可依該檢查資訊，評價前述處理區域之緣之實際形狀及對圓盤狀基板之相對位置呈何種狀態。
又，在本發明之圓盤狀基板之檢查裝置中，前述檢查資訊可包含顯示有關於前述處理區區域相對於前述圓盤狀基板之偏心程度之檢查結果之資訊。
根據此種結構，可檢查形成於圓盤狀基板表面之處理區域相對於該圓盤狀基板之偏心程度。
又，在本發明之圓盤狀基板之檢查裝置，前述檢查資訊可包含顯示有關前述處理區域之正圓程度之檢查結果之資訊。
根據此結構，可檢查形成於圓盤狀基板表面之處理區域之正圓程度。
在本發明之圓盤狀基板之檢查裝置，前述檢查資訊生成機構具有直徑運算機構，該直徑運算機構係依前述圓盤狀基板在前述複數旋轉角度位置之外緣的徑方向位置，運算在該圓盤狀基板之複數旋轉角度位置之直徑者，並依前述圓盤狀基板在前述複數旋轉角度位置之直徑，生成檢查資訊。
根據此結構，由於依在表面形成處理區域之圓盤狀基板在複數旋轉角度位置之直徑，生成檢查資訊，故可依該檢查資訊，評價前述圓盤狀基板自體之外緣形狀呈何種狀態。
又，在本發明之圓盤狀基板之檢查裝置，前述檢查資訊可包含顯示有關於前述圓盤狀基板相對於前述保持部之旋轉軸之偏心程度之檢查結果的資訊。
根據此種結構，可檢查該圓盤狀基板相對於保持圓盤狀基板之保持部之旋轉軸之偏心程度、亦即前述圓盤狀基板在保持部之保持狀態是否適當。
在本發明之圓盤狀基板之檢查裝置，前述檢查資訊可包含顯示有關前述處理區域之正圓比例之檢查結果之資訊。
根據此種結構，可檢查圓盤狀基板自體之正圓程度。
又，在本發明之圓盤狀基板之檢查裝置，前述檢查資訊生成機構具有處理區域緣位置運算機構及直徑運算機構，該處理區域緣位置運算機構係依前述圓盤狀基板在前述複數旋轉角度位置之外緣的徑方向位置與在對應之旋轉角度位置之前述緣間距離，運算前述處理區域在前述複數旋轉角度位置之緣的徑方向位置者；該直徑運算機構係依前述圓盤狀基板在前述複數旋轉角度位置之外緣的徑方向位置，運算在該圓盤狀基板之複數旋轉角度位置之直徑者；並依前述處理區域在前述複數旋轉角度位置之緣之徑方向位置及前述圓盤狀基板在前述複數旋轉角度位置之直徑，生成檢查資訊。
根據此種結構，由於依前述處理區域在前述複數旋轉角度位置之緣之徑方向位置及前述圓盤狀基板在前述複數旋轉角度位置之直徑，生成檢查資訊，故可依該檢查資訊，評價圓盤狀基板之外緣形狀及形成於該圓盤狀基板表面之處理區域之緣形狀的狀態。
進而，在本發明之圓盤狀基板之檢查裝置，前述檢查資訊可包含依前述處理區域在前述複數旋轉角度位置之緣之徑方向位置及前述圓盤狀基板在前述複數旋轉角度位置之直徑生成之有關前述圓盤狀基板及前述處理區域之分類資訊。
根據此種結構，由於可依前述複數旋轉角度位置之緣之徑方向位置及前述圓盤狀基板之直徑生成有關前述圓盤狀基板及前述處理區域之分類資訊作為檢查資訊，故可以該分類評價前述圓盤狀基板及前述處理區域。
在本發明之圓盤狀基板之檢查裝置，前述基板外緣位置測量機構依前述拍攝機構而得之圖像，測量前述圓盤狀基板在複數旋轉角度位置之該圓盤狀基板之外緣的徑方向位置。
根據此種結構，以由於圓盤狀基板外緣及其附近區域之拍攝而得之圖像除了可利用於測量緣間距離外，亦可利用於圓盤狀基板在複數角度位置之該圓盤狀基板外緣之徑方向位置的測量，故可使裝置結構更簡單。
又，在本發明之圓盤狀基板之檢查裝置，前述拍攝機構具有設置成配置於保持在前述保持部之前述圓盤狀基板周圍，以拍攝前述圓盤狀基板之外緣及其附近之複數照相機單元。
根據此種結構，由於可從配置於與保持部之旋轉一同旋轉之圓盤狀基板周圍之複數照相機單元獲得圖像，故即使不使前述圓盤狀基板1次，仍可測量在圓盤狀基板全周在複數旋轉角度位置之該圓盤狀基板外緣的徑方向位置。由於當使圓盤狀基板旋轉1次，便可從複數照相單位獲得圓盤狀基板1周之圖像，故在前述各旋轉角度位置可獲得複數徑方向位置。因而，由於從對前述複數旋轉角度位置而獲得之複數徑方向位置決定單一徑方向位置(例如平均值)，故可獲得精確度更佳之徑方向位置。
在本發明之圓盤狀基板之檢查裝置，前述複數照相機單元具有從一面側拍攝保持於前述保持部之前述圓盤狀基板外緣及其附近區域之第1照相機單元及從另一面側拍攝前述圓盤狀基板之外緣及其附近區域之第2照相機單元。
根據此種結構，由於可獲得有關圓盤狀基板兩面之圖像，故可依兩者圖像測量前述圓盤狀基板外緣在複數旋轉角度位置之徑方向位置，同時，可依從拍攝形成有處理區域之面之照相機單元而得之圖像，測量前述複數旋轉角度位置之緣間距離。進而，由於亦可獲得未形成處理區域之面之圖像，故亦可依該圖像，生成檢查資訊。
在本發明之圓盤狀基板之檢查裝置，前述第1照相機單元及前述第2照相機單元錯開前述圓盤狀基板之旋轉角度180度而相對配置。
根據此種結構，可從依以第1照相機單元及第2照相機單元在相同之時間而得之圖像測量之圓盤狀基板在複數旋轉角度位置的徑方向位置，算出可顯示前述圓盤狀基板外形形狀之直徑。
在本發明之圓盤狀基板之檢查裝置，前述基板外緣位置測量機構依以前述第1照相機單元而得之圖像及以前述第2照相機單元而得之圖像，測量在前述複數旋轉角度位置之前述圓盤狀基板外緣的徑方向位置。
又，在本發明之圓盤狀基板之檢查裝置，前述緣間距離測量機構依從前述第1照相機單元及第2照相機單元中自形成前述處理區域之面側拍攝之一照相機單元而得的圖像，測量前述緣間距離。
本發明之圓盤狀基板之檢查方法係於表面形成有處理區域之圓盤狀基板之檢查方法，該檢查方法具有拍攝步驟、基板外緣位置測量步驟、緣間距離測量步驟及檢查資訊生成步驟，該拍攝步驟係拍攝保持於以預定旋轉軸為中心而旋轉之保持部，並與該保持部一同旋轉之前述圓盤狀基板外緣及其附近區域者；該基板外緣位置測量步驟係測量隨前述保持部之旋轉而旋轉之前述圓盤狀基板在複數旋轉角度位置之該圓盤狀基板外緣的徑方向位置者；該緣間距離測量步驟係依以前述拍攝步驟而得之圖像，測量在前述複數旋轉角度位置之前述圓盤狀基板之外緣與前述處理區域之緣之間之緣間距離者；該檢查資訊生成步驟係依以前述基板外緣位置測量步驟而得之前述圓盤狀基板在前述複數旋轉角度位置之外緣的徑方向位置及以前述緣間距離測量步驟而得之在前述複數旋轉角度位置之緣間距離，生成預定之檢查資訊者。
在本發明之圓盤狀基板之檢查方法，前述檢查資訊生成步驟具有處理區域緣位置運算步驟及直徑運算步驟，處理區域緣位置運算步驟係依前述圓盤狀基板在前述複數旋轉角度位置之外緣的徑方向位置與在對應之旋轉角度位置之前述緣間距離，運算前述處理區域在前述複數旋轉度位置之緣的徑方向位置者；直徑運算步驟係依前述圓盤狀基板在前述複數旋轉角度位置之外緣的徑方向位置，運算在該圓盤狀基板之複數旋轉角度位置之直徑者；並依前述處理區域在前述複數旋轉角度位置之緣之徑方向位置及前述圓盤狀基板在前述複數旋轉角度位置之直徑，生成檢查資訊。
在本發明之圓盤狀基板之檢查方法，前述基板外緣位置測量步驟依前述拍攝步驟而得之圖像，測量前述圓盤狀基板在複數旋轉角度位置之該圓盤狀基板之外緣的徑方向位置。
根據本發明之圓盤狀基板之檢查裝置及檢查方法，由於所生成之檢查資訊可成為考慮圓盤狀基板外緣形狀，對形成於圓盤狀基板表面之處理區域之形狀評價之資訊，故可進行對形成於前述圓盤狀基板表面之處理區域之精確度更佳之檢查。
圖式簡單說明
第1圖係顯示本發明一實施形態之半導體晶圓(圓盤狀基板)之檢查裝置之機構系統結構(第1結構例)者。
第2圖係顯示從上方觀看第1圖所示之檢查裝置之狀態者。
第3圖係顯示本發明一實施形態之半導體晶圓之檢查裝置處理系統結構之塊圖。
第4圖係顯示第3圖所示之處理系統之處理單元之處理程序的流程圖。
第5圖係顯示對半導晶圓及形成於其表面之絕緣膜(處理區域)定義之參數者。
第6圖係顯示對形成於半導體晶圓表面之絕緣膜定義之各參數者。
第7(a)圖~第7(d)圖係顯示晶圓之分類者(一)。
第8(a)圖~第8(d)圖係顯示晶圓之分類者(二)。
第9(a)圖~第9(h)圖係例示顯示各分類之晶圓與絕緣膜之狀態者。
第10圖係顯示對應於在顯示單元顯示之晶圓邊緣位置、膜邊緣位置及緣間距離之旋轉角度位之剖面者。
第11圖係顯示於顯示單元顯示之晶圓外緣線及絕緣膜緣線一例者。
第12圖係顯示於顯示單元顯示之晶圓外緣線及絕緣膜緣線另一例者。
第13圖係顯示於表面層疊有複數絕緣膜之半導體晶圓之截面構造與相對於各絕緣膜之緣間距離者。
第14圖係顯示半導體晶圓之檢查裝置之機構系統之第2結構例者。
第15圖係顯示半導體晶圓之檢查裝置之機構系統之第3結構例者。
第16圖係顯示半導體晶圓之檢查裝置之機構系統之第4結構例者。
第17圖係顯示從上方觀看第16圖所示之檢查裝置之狀態者。
第18圖係顯示成為第16圖及第17圖所示之檢查裝置之處理系統之結構例之塊圖。
第19圖係顯示第15圖所示之處理系統之處理單元之處理程序的流程圖。
 較佳實施例之詳細說明
以下，使用圖式，就本發明實施形態作說明。
本發明一實施形態之半導體晶圓(圓盤狀基板)之檢查裝置之機構系統(第1構成例)構造成如第1圖及第2圖所示。第1圖係從側邊觀檢查裝置之機構系統者，第2圖係從上方觀看該檢查裝置之機構系統者。
在第1圖及第2圖中，平台100(保持部)保持於旋轉驅動馬達110(旋轉驅動部)之旋轉軸110a，於一方向(在本實施形態為以箭頭S所示之順時鐘方向)連續旋轉。作為圓盤狀基板之半導體晶圓(以下僅稱為晶圓)10以水平狀態安裝於平台100。此外，於平台100設置對準機構(省略圖式)，將該晶圓10以晶圓10之中心極力與平台100之旋轉中心(旋轉軸110a之軸芯)一致之狀態安裝於平台100。
於晶圓10之表面形成絕緣膜11(第2圖之網眼部份：處理區域圖)。於平台100之上方預定位置設置從該晶圓10之表面側拍攝安裝於平台100之晶圓10之外緣及其附近區域之第1照相機單元130a，於平台100之下方預定位置設置從該晶圓10之裡面側拍攝晶圓10之外緣及其附近之第2照相機130b。成對之第1照相機單元130a及第2照相機單元130b錯開安裝於平台100之晶圓10之旋轉角度180度，亦即配置成於晶圓10之直徑線之方向排列。第1照相機單元130a及第2照相機單元130b具有CCD線形感測器131a、131b，並設定成CCD線形感測器131a、131b形成之線狀拍攝區域橫切平台100上之晶圓10外緣及絕緣膜11外緣而朝向台100之旋轉中心。
具有前述結構之機構系統之評價裝置之處理系統構造成如第3圖所示。
在第3圖中，第1照相機單元130a及第2照相機單元130b之拍攝信號輸入至處理單元200。處理單元200進行旋轉驅動馬達110之驅動控制，以使平台100以預定速度旋轉，同時，依操作單元210之操作信號，將第1照相機單元130a及第2照相機單元130b之拍攝信號如後述處理。處理單元200可使處理過程所得之資訊顯示於顯示單元220。
接著，就檢查裝置之處理作說明。
實際進行對晶圓10之處理前，先進行該檢查裝置之初期設定。在此初期設定，已正確地確認為正圓及其尺寸(例如直徑300mm)之空晶圓使用對準機構(圖中未示)，以其中心與該台100之旋轉中心正確地一致之狀態安裝於平台100。處理單元200在使平台100旋轉之狀態下，依第1照相機單元130a及第2照相機單元130b之拍攝信號，讀入圖像資料(像素單元之亮度資料或濃度資料)。然後，從第1照相機單元130a拍攝之讀入圖像(圖像資料)及第2照相機單元130b之拍攝之讀入圖像(圖像資料)，檢測對應於預定間隔之在各旋轉角度位之前述空晶圓外緣(邊緣)的像素位置，進行處理單元200之參數之初期設定，以將在各旋轉角度位之該像素位置辨識作為相當於空晶圓半徑(例如150mm)之中心的徑方向位置。
此外，在本實施形態中，此初期設定於檢查裝置之使用開始前僅執行1次，每當檢查對象晶圓10之尺寸變更時便執行，亦可每當檢查1片晶圓10時或每當進行預先設定片數之晶圓10之檢查時執行。
當初期設定結束後，取代空晶圓成為檢查對象之晶圓10以對準機構(圖中未示)，以其中心極力地與平台100之旋轉中心一致而安裝於該平台100。然後，以操作單元210進行預定操作時，處理單元200依第4圖所示之程序執行處理。
在第4圖中，處理單元200於晶圓10以定速旋轉1次之期間，輸入第1照相機單元130a及第2照相機單元130b之拍攝信號，讀入對應之拍攝圖像(圖像資料)。然後，處理單元200以所謂之邊緣選取處理，將在各讀入圖像對應於各預定角度間隔之在各旋轉角度位之晶圓10外緣的圖像位置作為第5圖所示之晶圓10外緣之徑方向位置(以下稱為晶圓邊緣位置)，對應於各旋轉角度位而保存(S2：基板外緣位置測量步驟)。
在此，就旋轉角度位作說明。如第5圖所示，於晶圓10之外周形成缺口10a。在此，在本實施形態中，將晶圓10形成有缺口10a之位置設定作為旋轉角度0度之位置(＝θ 0 )。因而，在第5圖所示之晶圓10，從旋轉角度位置(θ 0 )於逆時鐘方向偏離t度之位置的旋轉角度位置定義為θ t ，在此旋轉角度位置之晶圓邊緣位置T表示為。
依對應於在晶圓10旋轉1次之期間所得之2個第1照相機單元130a及第2照相機單元130b之拍攝信號的圖像，相對於各旋轉角度位置θ n獲得2個晶圓邊緣位置時，將該等之平均值作為真正之晶圓位置，而對應於旋轉角度位置θ n來保存。又，亦可從第1照相機單元130a拍攝之圖像取得對應於晶圓10半周之各旋轉角度位置θ n之晶圓邊緣位置，從第2照相機單元130b拍攝之圖像取得對應於晶圓10剩餘之另外半周之各旋轉角度位置θ n之晶圓邊緣位置。
接著，處理單元200在根據從晶圓10形成有絕緣膜11之面側拍攝其外緣及其附近區域之第1照相機單元130a之拍攝信號的圖像資料顯示之圖像上，測量在各旋轉角度位置θ n之晶圓10之外緣與絕緣膜11之緣間之緣間距離(S3：緣間距離測量步驟)。具體言之，於在記憶體上展開之圖像上測量晶圓10之外緣與絕緣膜11之緣間的像素數，將該像素數換算成距離(緣間距離)。
如此進行，就晶圓1周可獲得晶圓邊緣位置及晶圓10外緣與絕緣膜11之緣間之緣間距離時，處理單元200運算在各旋轉角度位置θ n之晶圓10之直徑及絕緣膜11之緣之徑方向位置(以下稱為膜邊緣位置)(S4)。具體言之，對應於各旋轉角度位置θ n而保存之晶圓邊緣位置與對應於從該旋轉角度位置旋轉180°之旋轉角度位置θ n＋180°而保存之晶圓邊緣位置之和作為直徑來運算(參照第5圖)。
在處理單元200中，從對應於各旋轉角度位置θ n而保存之晶圓邊緣位置減去對應之旋轉角度位置θ n之緣間距離而運算膜邊緣位置(參照第5圖)。
之後，處理單元200依如前述進行而得之在各旋轉角度位置θ n之晶圓邊緣位置、直徑及膜邊緣位置，生成晶圓10之檢查資訊(評價資訊)(S5：檢查資訊生成步驟)。可生成如下之檢查資訊。
可生成各旋轉角度位置θ n之晶圓邊緣位置與從旋轉角度θ n旋轉180°之旋轉角度位置θ n+180°之晶圓邊緣位置之差的絕對值 作為評價晶圓10相對於平台100(保持部)之旋轉中心(旋轉軸110a之軸芯)之偏心程度的資訊。舉例言之，當各旋轉角度位置θ n之前述絕對值皆較基準值a小時， 可判定為晶圓10不相對於平台100之旋轉中心偏心，而適當地安裝於平台100。
可生成在各旋轉角度位置θ n之直徑與從該旋轉角度θ n旋轉90°之旋轉角度位置θ n+90°之直徑之差之絕對值 作為評價晶圓10之正圓程度之資訊。舉例言之，當各旋轉角度位置θ n之前述絕對值皆較基準值d小時， 可判定為晶圓10為正規之形狀(正圓)。
再者，可生成在各旋轉角度位置θ n之膜邊緣位置與從旋轉角度位置θ n旋轉180°之旋轉角度位置θ n+180°之膜邊緣位置之差之絕對值 作為評價絕緣膜11相對於晶圓10之偏心程度。舉例言之，當在各旋轉角度θ n之前述絕對值皆較c1小時， 可判定為絕緣膜11不對晶圓10(之中心)偏心，而適當地形成於晶圓10之表面。
可生成依在各旋轉角度位置θ n之膜邊緣位置、從該旋轉角度位置θ n旋轉90°、180°、270°之旋轉角度位置θ n+90°、θ n+180°、θ n+270°之膜邊緣位置 ，而如第6圖所示定義之絕緣膜11半徑、之差的絕對值
作為評價絕緣膜11之正圓比例之資訊。舉例言之，當依在各旋轉角度位置θ n之膜邊緣位置等而得之前述絕緣膜11之半徑與之差之絕緣值皆較c2小時， 可判定為絕緣膜係正規之形狀(正圓)。
再者，依前述直徑與之差之絕對值 前述膜邊緣位置與之差之絕對值 及前述絕緣膜11之半徑與之差之絕對值 可將對象之晶圓10分類。可將此分類資訊作為檢查資訊(評價資訊)。
具體言之，第7(a)圖所示之分類NO.1顯示滿足 之晶圓10。此時，如第9(a)圖所例示，可將晶圓10之外緣形狀、絕緣膜11之緣形狀及絕緣膜11之形成位置皆評價為正常者。此外，第9(a)圖始終僅為例示者，第7(a)圖之條件當然並非皆為第9(a)圖所示者，當如第9(a)圖之例示圖般於顯示單元220顯示晶圓形狀、絕緣膜偏心狀態、絕緣膜形狀作為晶圓10之評價結果時，操作者藉觀看此，可即刻察覺3者之傾向。此點在第9(b)圖之後亦相同。
第7(b)圖所示之分類NO.2顯示滿足 之晶圓10。此時，如第9(b)圖所例示，可將絕緣膜11之緣形狀及絕緣膜11之形成位置評價為正常，另一方面，則將晶圓10之外緣形狀評價為不正常。
第7(c)圖所示之分類NO.3顯示滿足 之晶圓10。此時，如第9(c)圖所例示，可將絕緣膜11之形成位置評價為正常，另一方面，則將晶圓10之外緣形狀及絕緣膜11之緣形狀評價為不正常。
第7(d)圖所示之分類NO.4顯示滿足 之晶圓10。此時，如第9(d)圖所例示，可將晶圓10之外緣形狀及絕緣膜11之形成位置評價為正常，另一方面，則將絕緣膜11之緣形狀評價為不正常。
第8(a)圖所示之分類NO.5顯示滿足 之晶圓10。此時，如第9(e)圖所例示，可將晶圓10之外緣形狀及絕緣膜11之緣形狀評價為正常，另一方面，則將絕緣膜11之形狀位置評價為不正常。
第8(b)圖所示之分類NO.6顯示滿足 之晶圓10。此時，如第9(f)圖所例示，可將絕緣膜11之緣形狀評價為正常，另一方面，則將晶圓10之外緣形狀及絕緣膜11之形成位置評價為不正常。
第8(c)圖所示之分類NO.7顯示滿足 之晶圓10。此時，如第9(g)圖所例示，可將晶圓10之外緣形狀、絕緣膜11之緣形狀及絕緣膜11之形成位置皆評價為不正常。
第8(d)圖所示之分類NO.8顯示滿足 之晶圓10。此時，如第9(h)圖所例示，可將晶圓10之外緣形狀評價為正常，另一方面，則將絕緣膜11之緣形狀及絕緣膜11之形成位置評價為不正常。
返回第4圖，當處理單元200如前述生成檢查資訊時，進行用以使預定資訊顯示於顯示單元220之輸出處理(S6)。在此輸出處理，可直接顯示前述之檢查資訊。可於顯示單元200顯示複數之旋轉角度位置之晶圓邊緣位置與之差之絕對值 晶圓10之直徑與之差之絕對值 膜邊緣位與之差之絕對值 及絕緣膜11之半徑與之差之絕對值 全部或數個，例如將旋轉角度位之值以表形式顯示。藉如此顯示於顯示單元220之該等資訊，作業員可更具體且精確度佳地評價檢查對象之晶圓10之偏心程度及正圓程度或絕緣膜11之偏心程度及正圓程度。依該等評價，可就絕緣膜11之成膜程序適當與否或晶圓10之基板(例如矽基板)形成程序之適當與否更詳細地評價。
處理單元200可將前述分類資訊(第7圖及第8圖所示之NO.1~NO.8)及對應之例示圖形(第9(a)圖~第9(h)圖)之至少1個作為晶圓10之評價結果而顯示於顯示單元220。此時，可宏觀地評價檢查對象10與絕緣膜11。
處理單元200生成顯示各旋轉角度位置關係θ n之前述晶圓邊緣位置、緣間距離及膜邊緣位置之關係之剖面資訊作為該晶圓10之評價資訊(檢查資訊)，可使顯示單元220顯示該剖面資訊。此時，如第10圖所示，於顯示單元220顯示晶圓10旋轉1次(0°~360°)之晶圓邊緣位置之剖面Q1()、膜邊緣位置之剖面Q2()及緣間距離之剖面Q3()。此外，在第10圖中，晶圓邊緣位置及膜邊緣位置適用右側之標度(147.00mm~151.50mm)，緣間距離適用左側之標度(0.00mm~4.50mm)。根據此種資訊，可直接掌握晶圓10之外緣形狀、絕緣膜11之緣形狀及晶圓10之外緣與絕緣膜之緣間之距離(相當於習知技術之露出寬度)。
此外，可生成根據在各旋轉角度位置θ n之晶圓位置 之晶圓10的外緣線L1、根據在各旋轉角度位置θ n之膜邊緣位置之絕緣膜11之緣線L2作為晶圓10之檢查資訊。此時，如第11圖所示，於顯示單元220顯示晶圓10之外緣線L1及絕緣膜11之緣線L2。如此根據顯示於顯示單元220之晶圓10之外緣線L1及絕緣膜11之緣線L2，可確實地評價晶圓10之形狀、絕緣膜11之形狀及絕緣膜11之形成位置。
進一步，可將絕緣膜11之緣線之標度分解能設定成較晶圓10之外緣線之標度分解能高，顯示於顯示單元220。換言之，僅將絕緣膜11之緣部份於晶圓之直徑方向擴大標度而顯示。此時，如第12圖所示，較晶圓10之外緣線L1強調絕緣膜11之緣線L20之變動，而可更精確度佳且對評價者感覺更鮮明地評價絕緣膜11之形狀或位置等。
關於晶圓10之檢查資訊，不限於前述者，只要為依在各旋轉角度位置θn之晶圓邊緣位置及緣間距離而得之晶圓10之資訊，未特別限定。
在前述檢查裝置中，以第2照相機單元130b之拍攝而得之圖像僅用於測量各旋轉角度位置θ n之晶圓邊緣位置 直徑，亦可將該圖像利用作為晶圓10之裡面側之檢查結果。舉例言之，在形成晶圓10之絕緣膜11之程序中，有從晶圓10之外緣將絕緣膜捲入至反側之面之情形。亦可從以前述第2照相機單元130b之拍攝而得之圖像測出因此種絕緣膜之捲入造成之缺陷。
前述檢查裝置以於半導體晶圓10表面形成1層絕緣膜11者作為檢查對象，如第13圖所示，可以於半導體晶圓10表面形成複數例如3層絕緣膜11a、11b、11c者作為檢查對象。在第13圖所示之例中，呈於半導體晶圓10表面依序層疊越上層徑越小之3個絕緣膜11a、11b、11c。
此例中，處理單元200輸入從晶圓10形成3層絕緣膜11a、11b、11c之面側拍攝其外緣及其附近區域之第1照相機單元130a之拍攝信號，讀入對應之拍攝圖像(圖像資料)(參照第4圖之S1)。然後，處理單元200於在根據該拍攝信號之圖像資料顯示之圖像上，測量各旋轉角度位置θ n之晶圓10外緣與各絕緣膜11a、11b、11c之緣間之緣間距離、、(參照第4圖之S3)。
如此進行而得之各絕緣膜11a、11b、11c之緣間距離、、與前述例同樣地用於各絕緣膜11a、11b、11c之膜邊緣位置、、之運算(參照第4圖之S4)。然後，可獲得各絕緣膜之檢查資訊(評價資訊)、例如評價各絕緣膜11a、11b、11c之偏心程度之資訊||、評價各絕緣膜11a、11b、11c為正圓之程度之資訊∣(參照第4圖之S5)或各絕緣膜11a、11b、11c之分類資訊(參照第7圖、第8圖、第9圖)。亦可從各絕緣膜11a、11b、11c之緣間距離、、或邊緣位置、、Cc得顯示上層膜入侵至下層之膜而大幅覆蓋之外緣凸出或上層之膜剝落、捲曲而看到下層膜之下層露出(undertake)之異常處的檢查資訊。
依此種各絕緣膜11a、11b、11c之各種檢查資訊，可進行半導體晶圓10之好壞之評價，同時，就各絕緣膜11a、11b、11c之成膜程序之適當與否更詳細地評價。
前述檢查裝置為第1照相機單元130a從晶圓10之形成絕緣膜11之表面側拍攝，第2照相機單元130b從晶圓10之未形成絕緣膜11之裡面側拍攝之結構，而如第14圖所示，亦可構造成第1照相機單元130a及第2照相機單元130b兩者從晶圓10形成有絕緣膜11之表面側拍攝(機構系統之第2構成例)。此時，依對應於晶圓10旋轉1次之期間而得之2個第1照相機單元130a及第2照相機單元130b之拍攝信號之圖像，對各旋轉角度位置θ n獲得2個晶圓邊緣位置時，可將該等平均值作為真正之晶圓邊緣位置。進一步，依該等圖像，對各旋轉角度位置θ n取得2個緣間距離時，可將該等平均值作為真正之緣間距離。因而，可實現精確度更佳之檢查。另一方面，只要將晶圓旋轉半周，即可獲得晶圓10全周之晶圓邊緣位置及緣間距離。此時，可進行晶圓10更有效率之檢查。
進一步，如第15圖所示，亦可設置邊緣感測器132取代第2照相機單元130b(機構系統之第3構成例)。此邊緣感測器132配置於與平台100之旋轉中心垂直相交之直線上，輸出顯示安裝於平台100上之晶圓100之外緣徑方向位置之檢測信號。此時，處理單元200可從以第1照相機單130a拍攝而得之圖像測量之各旋轉角度位置θ n之晶圓邊緣位置及從邊緣感測器132之檢測信號測出之各旋轉位置θ n之晶圓邊緣位置Aθ n ，決定真正之晶圓邊緣位置。
在前述檢查裝置中，使晶圓10連續旋轉，在此期間，每隔預定旋轉角度間隔，便依以第1照相機單元130a及第2照相機單元130b之拍攝而得之圖像，進行晶圓10之檢查及評價，亦可使平台100、亦即晶圓10每隔預定旋轉角度間歇旋轉。
使2個照相機單元130a、130b以平台100之旋轉角度分隔180度而相對配置，舉例言之，亦可分隔90度配置，其個數可配置1個，亦可配置3個以上。當為複數個時，宜以旋轉角度等間隔配置。亦可構造成晶圓10為固定配置，使各照相機單元130a、130b沿晶圓10之外周旋轉。
檢查裝置之機構系統亦可構造成如第16圖及第17圖所示(第4結構例)。在此例中，設置用以測量半導體晶圓10直徑之2個專用邊緣感測器120a、120b，並設置拍攝半導體晶圓10之外緣及其附近區域之單一照相機單元130。
具體言之，於平台100之外緣附近之預定位置設置一對邊緣感測器120a、120b，該等邊緣感測器120a、120b配置於在平台100之旋轉中心垂直相交之直線上。各邊緣感測器120a、120b輸出顯示安裝於平台100上之晶圓10外緣之徑方向位置的檢測信號。於平台100之上方設置用以拍攝安裝於平台100之晶圓10外緣及其附近區域之單一照相機130。照相機130具有CCD線形感測器131，並設定成CCD線形感測器131之線狀拍攝區域橫切平台100上之晶圓10之外緣及絕緣膜11之緣，朝向台100之旋轉中心。相對於CCD線形感測器131之排列方向，邊緣感測器120a、120b配置於換算成台100之旋轉角度而正好偏離±90度之處。
具有此種構造之機構系統之評價裝置的處理系統構造成如第18圖所示。在此處理系統中，處理單元200處理照相機單元130之拍攝信號及2個邊緣感測器120a、120b之檢測信號取代前述例(參照第3圖)之第1照相機單元130a、130b之拍攝信號，運算與前述相同之各檢查資訊(評價資訊)。
具體而言，處理單元200如下進行，執行處理。
實際進行對晶圓10之評價處理前，與前述例同樣地，先進行該評價裝置之初期設定。在此初期設定，已正確地確認為正圓及其尺寸(例如直徑300mm)之空晶圓使用對準機構(圖中未示)，以其中心與該平台100之旋轉中心正確地對齊之狀態安裝於平台100。然後，進行邊緣感測器120a、120b之位置調整及處理單元200之參數之初期設定等，俾在使平台100旋轉之狀態下，處理單元200可將各邊緣感測器120a、120b之檢測信號辨識作為平常相當於空晶圓半徑(例如150mm)之中心(旋轉軸)的徑方向位置。
初期設定結束，以操作單元210進行預定操作，然後，取代空晶圓而評價之晶圓10以對準機構(圖中未示)以該中心極力與平台100之旋轉中心對齊而安裝於該平台100時，處理單元200依第19圖所示之程序，執行處理。
在第9圖中，處理單元200於晶圓10以定速旋轉1次之期間，每隔預定旋轉角度間隔便輸入各邊緣感測器120a、120b之檢測信號，將該等檢測信號值作為第5圖所示之晶圓10外緣之徑方向位置(以下稱為晶圓邊緣位置)，對應於各旋轉度位置θ n而保存(S11：基板外緣位置檢測步驟)。在此，旋轉角度位置θ n與前述例同樣地係指缺口10a之旋轉角度。
於晶圓10旋轉1次之期間，依2個邊緣感測器120a、120b之檢測信號，對各旋轉角度位置θ n取得2個晶圓邊緣位置 ，可將該等平均值作為真正之晶圓邊緣位置，而對應於旋轉角度位置θ n來保存。從一邊緣感測器120a之檢測信號取得對應於晶圓10半周之各旋轉角度位置θ n之晶圓邊緣位置，亦可從另一邊緣感測器120b之檢測信號取得對應於晶圓10剩餘半周之各旋轉角度θ n之晶圓邊緣位置。
處理單元200每隔前述預定旋轉角度，輸入用以拍攝晶圓10之外緣及其附近區域之照相機130之拍攝信號，將該拍攝信號作為圖像資料，對應於各旋轉角度位置θ n而保存(S12：拍攝步驟)。然後，處理單元200在以圖像資料顯示之圖像上測量在各旋轉角度位置θ n之晶圓10之外緣與絕緣膜11之緣間之緣間距離(S3：緣間距離測量步驟)。具體而言，在於記憶體上展開之圖像上測量晶圓10之外緣與絕緣膜11之緣間之像素數，將該像素數換算成距離(緣間距離)。
之後，與前述例同樣地，依前述各旋轉角度位置θ n之晶圓邊緣位置及緣間距離，運算在各旋轉角度位置θ n之晶圓直徑及絕緣膜11之膜邊緣位置(S4)，進一步，與前述同樣地，生成各種檢查資訊(評價資訊)(S5)。然後，該生成之檢查資訊在處理單元200之控制下，與前述例同樣地，顯示於顯示單元(S6：輸出處理)。
在前述各例中，說明將檢查裝置用於晶圓之絕緣膜形成之評價之例，亦可在不帶有評價下，將各檢查結果反饋至絕緣膜等之膜製造裝置，用於膜形成時之各資料之修正。
在前述各例中，就於表面形成有絕緣膜之構造之晶圓作說明，亦可為於表面形成有導電膜之構造之晶圓。膜可為金屬膜、有機膜、化合物膜等。
圓盤狀基板係以半導體晶圓為例來說明，不限於此，亦可適用作於表面形成有處理區域之圓盤狀基板、形成有記錄層之碟片基板之檢查裝置。
如以上所說明，本發明之圓盤狀基板之檢查裝置及檢查方法具有可進行對半導體晶圓等圓盤狀基板之表面形成之處理區域之精確度更佳的檢查之效果，可利用作為進行於表面形成有絕緣膜或導電膜等處理區域之圓盤狀基板之檢查的檢查裝置及檢查方法。
10．．．晶圓(圓盤狀基板)
10a．．．缺口
11．．．絕緣膜(處理區域)
11a．．．絕緣膜
11b．．．絕緣膜
11c．．．絕緣膜
100．．．平台(保持部)
110．．．旋轉驅動馬達(旋轉驅動部)
110a．．．旋轉軸
120a．．．邊緣感測器
120b．．．邊緣感測器
130．．．照相機單元
130a．．．第1照相機單元
130b．．．第2照相機單元
131．．．CCD線形感測器
131a．．．CCD線形感測器
131b．．．CCD線形感測器
132．．．邊緣感測器
200．．．處理單元
210．．．操作單元
220．．．顯示單元
S1－S6．．．步驟
S3,S4,S5,S6,S11,S12．．．步驟
第1圖係顯示本發明一實施形態之半導體晶圓(圓盤狀基板)之檢查裝置之機構系統結構(第1結構例)者。
第2圖係顯示從上方觀看第1圖所示之檢查裝置之狀態者。
第3圖係顯示本發明一實施形態之半導體晶圓之檢查裝置處理系統結構之塊圖。
第4圖係顯示第3圖所示之處理系統之處理單元之處理程序的流程圖。
第5圖係顯示對半導晶圓及形成於其表面之絕緣膜(處理區域)定義之參數者。
第6圖係顯示對形成於半導體晶圓表面之絕緣膜定義之各參數者。
第7(a)圖~第7(d)圖係顯示晶圓之分類者(一)。
第8(a)圖~第8(d)圖係顯示晶圓之分類者(二)。
第9(a)圖~第9(h)圖係例示顯示各分類之晶圓與絕緣膜之狀態者。
第10圖係顯示對應於在顯示單元顯示之晶圓邊緣位置、膜邊緣位置及緣間距離之旋轉角度位之剖面者。
第11圖係顯示於顯示單元顯示之晶圓外緣線及絕緣膜緣線一例者。
第12圖係顯示於顯示單元顯示之晶圓外緣線及絕緣膜緣線另一例者。
第13圖係顯示於表面層疊有複數絕緣膜之半導體晶圓之截面構造與相對於各絕緣膜之緣間距離者。
第14圖係顯示半導體晶圓之檢查裝置之機構系統之第2結構例者。
第15圖係顯示半導體晶圓之檢查裝置之機構系統之第3結構例者。
第16圖係顯示半導體晶圓之檢查裝置之機構系統之第4結構例者。
第17圖係顯示從上方觀看第16圖所示之檢查裝置之狀態者。
第18圖係顯示成為第16圖及第17圖所示之檢查裝置之處理系統之結構例之塊圖。
第19圖係顯示第15圖所示之處理系統之處理單元之處理程序的流程圖。
100．．．平台(保持部)
110．．．旋轉驅動馬達(旋轉驅動部)
130a．．．第1照相機單元
130b．．．第2照相機單元
200．．．處理單元
210．．．操作單元
220．．．顯示單元

Claims (18)

  1. 一種圓盤狀基板之檢查裝置，該圓盤狀基板係於表面形成有處理區域者，該檢查裝置包含有：保持部，係可以預定旋轉軸為中心而旋轉，並保持前述圓盤狀基板者；旋轉驅動部，係以前述旋轉軸為中心，而使前述保持部旋轉者；拍攝機構，係拍攝隨前述保持部之旋轉而旋轉之前述圓盤狀基板外緣及其附近區域者；基板外緣位置測量機構，係測量在隨前述保持部之旋轉而旋轉之前述圓盤狀基板在各個複數旋轉角度位置處之該圓盤狀基板外緣之徑方向位置者；緣間距離測量機構，係依以前述拍攝機構而得之圖像，測量在各個前述複數旋轉角度位置處之前述圓盤狀基板外緣與前述處理區域之緣之間的緣間距離者；及檢查資訊生成機構，係依以前述基板外緣位置測量機構而得之前述圓盤狀基板在各個前述複數旋轉角度位置外緣的徑方向位置、與以前述緣間距離測量機構而得之在各個前述複數旋轉角度位置之緣間距離，生成預定之檢查資訊者。
  2. 如申請專利範圍第1項之圓盤狀基板之檢查裝置，其中前述檢查資訊生成機構具有處理區域緣位置運算機構，該處理區域緣位置運算機構係依前述圓盤狀基板在各個前述複數旋轉角度位置外緣的徑方向位置及在對 應之旋轉角度位置之前述緣間距離，運算前述處理區域在前述複數旋轉度位置之緣的徑方向位置者，並且前述檢查資訊生成機構依前述處理區域在各個前述複數旋轉角度位置之緣的徑方向位置，生成檢查資訊。
  3. 如申請專利範圍第2項之圓盤狀基板之檢查裝置，其中前述檢查資訊包含顯示有關於前述處理區域相對於前述圓盤狀基板之偏心程度之檢查結果的資訊。
  4. 如申請專利範圍第2項之圓盤狀基板之檢查裝置，其中前述檢查資訊包含顯示有關前述處理區域之正圓程度之檢查結果之資訊。
  5. 如申請專利範圍第1項之圓盤狀基板之檢查裝置，其中前述檢查資訊生成機構具有直徑運算機構，並依前述圓盤狀基板在各個前述複數旋轉角度位置之直徑，生成檢查資訊，而該直徑運算機構係依前述圓盤狀基板在各個前述複數旋轉角度位置之外緣的徑方向位置，運算該圓盤狀基板在各個前述複數旋轉角度位置之直徑者。
  6. 如申請專利範圍第5項之圓盤狀基板之檢查裝置，其中前述檢查資訊包含顯示有關於前述圓盤狀基板相對於前述保持部之旋轉軸之偏心程度之檢查結果的資訊。
  7. 如申請專利範圍第5項之圓盤狀基板之檢查裝置，其中前述檢查資訊包含顯示有關前述圓盤狀基板之正圓程度之檢查結果的資訊。
  8. 如申請專利範圍第1項之圓盤狀基板之檢查裝置，其中前述檢查資訊生成機構具有： 處理區域緣位置運算機構，係依前述圓盤狀基板在各個前述複數旋轉角度位置之外緣的徑方向位置、及在對應之旋轉角度位置之前述緣間距離，運算前述處理區域在前述複數旋轉度位置之緣的徑方向位置者；及直徑運算機構，係依前述圓盤狀基板在各個前述複數旋轉角度位置之外緣的徑方向位置，運算該圓盤狀基板在各個前述複數旋轉角度位置之直徑者；並且前述檢查資訊生成機構依前述處理區域在各個前述複數旋轉角度位置之緣之徑方向位置、及前述圓盤狀基板在各個前述複數旋轉角度位置之直徑，生成檢查資訊。
  9. 如申請專利範圍第8項之圓盤狀基板之檢查裝置，其中前述檢查資訊包含依前述處理區域在各個前述複數旋轉角度位置之緣之徑方向位置、及前述圓盤狀基板在各個前述複數旋轉角度位置之直徑而生成之有關前述圓盤狀基板及前述處理區域之分類資訊。
  10. 如申請專利範圍第1項之圓盤狀基板之檢查裝置，其中前述基板外緣位置測量機構依以前述拍攝機構而得之圖像，測量前述圓盤狀基板在各個複數旋轉角度位置之該圓盤狀基板外緣的徑方向位置。
  11. 如申請專利範圍第10項之圓盤狀基板之檢查裝置，其中前述拍攝機構具有設置成配置於前述保持部所保持之前述圓盤狀基板周圍，以拍攝前述圓盤狀基板之外緣及其附近之複數照相機單元。
  12. 如申請專利範圍第11項之圓盤狀基板之檢查裝置，其中前述複數照相機單元具有從一面側拍攝保持於前述保持部之前述圓盤狀基板外緣及其附近區域之第1照相機單元、及從另一面側拍攝前述圓盤狀基板外緣及其附近區域之第2照相機單元。
  13. 如申請專利範圍第12項之圓盤狀基板之檢查裝置，其中前述第1照相機單元及前述第2照相機單元錯開前述圓盤狀基板之旋轉角度180度而配置。
  14. 如申請專利範圍第12項之圓盤狀基板之檢查裝置，其中前述基板外緣位置測量機構依以前述第1照相機單元而得之圖像及以前述第2照相機單元而得之圖像兩者，測量在各個前述複數旋轉角度位置之前述圓盤狀基板外緣的徑方向位置。
  15. 如申請專利範圍第12項之圓盤狀基板之檢查裝置，其中前述緣間距離測量機構依從前述第1照相機單元及第2照相機單元中自形成前述處理區域之面側拍攝之其中一照相機單元而得的圖像，測量前述緣間距離。
  16. 一種圓盤狀基板之檢查方法，該圓盤狀基板係於表面形成有處理區域者，該檢查方法具有：拍攝步驟，係拍攝保持於以預定旋轉軸為中心而旋轉之保持部，並與該保持部一同旋轉之前述圓盤狀基板外緣及其附近區域者；基板外緣位置測量步驟，係測量以前述保持部之旋轉而旋轉之前述圓盤狀基板在各個複數旋轉角度位置之該圓盤狀基板外緣的徑方向位置者； 緣間距離測量步驟，係依以前述拍攝步驟而得之圖像，測量在各個前述複數旋轉角度位置之前述圓盤狀基板之外緣與前述處理區域之緣間的緣間距離者；及檢查資訊生成步驟，係依以前述基板外緣位置測量步驟而得之前述圓盤狀基板在各個前述複數旋轉角度位置之外緣的徑方向位置及、以前述緣間距離測量步驟而得之在各個前述複數旋轉角度位置之緣間距離，生成預定之檢查資訊者。
  17. 如申請專利範圍第16項之圓盤狀基板之檢查方法，其中前述檢查資訊生成步驟包含：處理區域緣位置運算步驟，係依前述圓盤狀基板在各個前述複數旋轉角度位置之外緣的徑方向位置、及在對應之旋轉角度位置之前述緣間距離，運算前述處理區域在前述複數旋轉角度位置之緣的徑方向位置者；及直徑運算步驟，係依前述圓盤狀基板在各個前述複數旋轉角度位置之外緣的徑方向位置，運算該圓盤狀基板在各個複數旋轉角度位置之直徑者；並依前述處理區域在各個前述複數旋轉角度位置之緣之徑方向位置、及前述圓盤狀基板在各個前述複數旋轉角度位置之直徑，生成檢查資訊。
  18. 如申請專利範圍第16項之圓盤狀基板之檢查方法，其中前述基板外緣位置測量步驟係依以前述拍攝步驟而得之圖像，測量前述圓盤狀基板在各個複數旋轉角度位置之該圓盤狀基板之外緣的徑方向位置。
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