TWI414644B - 氧化矽玻璃坩堝及其製造方法 - Google Patents

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Description

氧化矽玻璃坩堝及其製造方法
本發明涉及一種氧化矽玻璃坩堝及其製造方法。
一般而言，作為半導體製造用單晶矽的製造方法廣泛使用切克勞斯基法(CZ法)。在這種CZ法中，如第1圖及第2圖所示，首先，將單晶的晶種102浸漬於熔融在氧化矽玻璃制坩堝100內的多晶矽101中。此時，由於晶種102受到急劇的熱衝擊，在晶種前端部發生位錯(dislocation-free)。為除去該位錯，利用規定方法形成頸部103，由此防止位錯延續到其後成長的矽上。此後，一邊控制拉晶速度以及融液溫度，一邊旋轉晶種102並緩慢提升，由此逐漸加大直徑而形成肩部104。達到預期直徑之後，控制保持一定直徑並繼續提升，由此形成直筒部105。最後，慢慢縮小直徑而形成尾部106，由此製造單晶矽錠107。通常，對於這種單晶矽拉晶用的氧化矽玻璃坩堝而言，如第1圖所示，為提高坩堝的機械強度而在外側部分使用天然氧化矽玻璃108，在內側部分使用避免雜質混入的合成氧化矽玻璃109。
在此，所謂『天然氧化矽玻璃』是指以天然氧化矽粉為原料所形成的氧化矽玻璃，所謂『合成氧化矽玻璃』是指以合成氧化矽粉為原料所形成的氧化矽玻璃。一般而言，在該合成氧化矽玻璃109和矽熔液101之間的介面上，發生SiO2 (固體)→Si(液體)+2O的反應，由此熔化合成氧化矽玻璃109。進行單晶矽拉晶時，根據拉晶溫度的上升或周邊環境壓力的降低等因素，發生Si(液體)+O→SiO(氣體)的反應，由此產生SiO氣體，如第3圖(a)以及第3圖(b)所示，存在因矽熔液101從合成氧化矽玻璃109表面彈出而產生熔液面振動的可能性。在第3圖(a)以及第3圖(b)中，為清楚地表示熔液面振動狀態，誇張地描繪熔液面振動。
如果發生這種熔液面振動，則無法將晶種102接合到平坦的熔液面，並且，在拉晶過程中會發生矽的多晶化等問題。特別是，作為單晶矽拉晶製程之初期階段的晶種附著和肩部形成製程中，容易受到熔液面振動的影響，其大大影響被提升的單晶矽錠的品質。為此，期待著能研究出一種在這些製程中能夠抑制矽熔液的熔液面振動的技術。
專利文獻1中揭示一種為抑制填充到氧化矽玻璃坩堝內的矽熔液的熔液面振動，而將開始拉晶時的熔液面附近的坩堝內周面層的氣泡含有率調整到一定範圍內的技術。該項技術是發現拉晶開始時的矽熔液的熔液面振動會受該熔液面附近的坩堝內表面層的氣泡含有率的影響的現象所研究得出。
作為一例，氧化矽玻璃坩堝內含有大量氣泡時，隨著進行如上所述的SiO2 (固體)→Si(液體)+2O的反應，導致氧化矽玻璃熔化，由此產生如第4圖所示的開口氣泡201。該開口氣泡201能以如同沸騰石防止突沸的原理以抑制熔液面振動。
【專利文獻】
【專利文獻1】日本專利申請特開2004-250304號公報
然而，在專利文獻1所述技術中，由於在氧化矽玻璃中含有大量氣泡202，因此，實際上，相對氧化矽玻璃坩堝體積的坩堝本身所占比例變小。因此相較於不設置氣泡的場合，存在一種溶解速度變快的問題，其導致縮短氧化矽玻璃坩堝壽命的問題。近幾年，為提升大口徑單晶矽，需要大口徑的坩堝，與此相伴，導致氧化矽玻璃坩堝的高價化，因此，除上述熔液面振動的抑制效果之外，還期待著溶解速度小、壽命長的氧化矽玻璃坩堝。並且，坩堝周壁部內面正下方的未開口氣泡在拉晶過程中膨脹並破裂，其引起氧化矽片混入到矽熔液中的問題，業界一直以來期待著單晶矽成品率的提高。
本發明的目的在於提供一種能夠抑制填充在坩堝內部的矽熔液的熔液面振動，並且，壽命長的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝及其製造方法。
為達到上述目的，本發明的主要構成如下所述。
(1)一種單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，具有周壁部、彎曲部及底部，其特徵在於：上述周壁部內面之特定區域上設置有多個微小凹部。
(2)根據上述(1)所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，該氧化矽玻璃坩堝的高度為H時，該特定區域位於從該底部測量高度為0.50H~0.99H的區域內。
(3)根據上述(1)所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，在上述特定區域中，在上述氧化矽玻璃坩堝的高度方向上，在每一個以0.1mm~5.0mm的範圍間隔劃分的圓環狀內面部分上，具有至少1個上述微小凹部。
(4)根據上述(1)所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，上述微小凹部之平均直徑的範圍為1~500μm。
(5)根據上述(1)所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，上述微小凹部之平均深度的範圍係上述周壁部坩堝厚度之0.05%~50%。
(6)根據上述(1)所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，上述微小凹部之平均直徑與上述微小凹部之平均深度之比小於0.8。
(7)一種單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，該單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝具有周壁部、彎曲部及底部，其形成為以天然氧化矽玻璃層為外層、以合成氧化矽玻璃層為內層之兩層結構，該方法包括：形成由天然氧化矽粉構成之外層的製程；在上述外層之內面上形成由合成氧化矽粉構成之內層的製程；從上述內層之內面側產生電弧放電並熔化上述氧化矽粉末，由此形成具有周壁部、彎曲部及底部之氧化矽玻璃坩堝的製程；在形成該氧化矽玻璃坩堝的製程之後，在特定區域形成多個微小凹部的製程。
(8)根據上述(7)所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其中，使用物理磨削以形成上述微小凹部，該物理磨削係使用二氧化碳鐳射或金剛石工具等。
根據本發明，藉由在周壁部內面的特定區域上具備多個微小凹部，由此可以提供一種抑制填充在內部之矽熔液的熔液面振動且壽命長的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝及其製造方法。
接下來，結合附圖說明本發明的實施方式。另外，在所有附圖中，對相同構成要素上賦予相同符號，並適當省略說明。
[氧化矽玻璃坩堝]
首先，結合附圖說明本實施形態所涉及的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝。作為本實施形態的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝1的一例，如第5圖所示，其具有周壁部2，彎曲部3以及底部4，並具有由天然氧化矽玻璃層8外層以及合成氧化矽玻璃層9內層所構成之兩層結構。在該單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝1中，藉由在周壁部2內面的特定區域6上具備多個微小凹部5的結構可以抑制填充在坩堝內部的矽熔液的熔液面的振動。並且，該單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝1並非是使在合成氧化矽玻璃層9有意包含大量氣泡的設備，因此，在不增加溶解速度的狀態下，能實現坩堝的長壽命化。
一般而言，如第6圖所示，在單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝1中，藉由將離心力將天然氧化矽粉末8a和合成氧化矽粉末9a固定成坩堝的形狀，使得外側部分形成有天然氧化矽粉8a，內側部分形成有合成氧化矽粉9a，在其中進行電弧放電，並熔化天然氧化矽粉末8a和合成氧化矽粉末9a，之後進行冷卻，由此形成具有天然氧化矽玻璃8和合成氧化矽玻璃9的兩層結構。
這裏所謂的合成氧化矽粉9a是指由合成氧化矽構成的物質。所謂的合成氧化矽是以化學方式合成‧製造的原料，合成氧化矽玻璃粉是非晶質材料。由於合成氧化矽的原料是氣體或液體，因此能夠輕易精製，而且合成氧化矽粉的純度可以做到比天然氧化矽粉的純度高。作為合成氧化矽粉的原料，有四氯化矽等氣體的原料來源和如矽醇鹽等的液體的原料來源。本實施形態的合成氧化矽粉，可以把所有雜質控制在0.1ppm以下。
一方面，天然氧化矽粉8a意味著由天然氧化矽組成的粉末。所謂天然二氧化矽，是挖出自然界中存在的石英原石，並經過粉碎‧精製等的製程所獲得的原料，天然氧化矽粉由α-石英的結晶組成。天然二氧化矽粉中含有1ppm以上的鋁(Al)、鈦(Ti)。而且，其他金屬雜質的含量也比合成二氧化矽粉的含量高。天然氧化矽粉幾乎不含矽烷醇。熔化天然氧化矽粉而獲得的氧化矽玻璃的矽烷醇量小於50ppm。
對於這些天然氧化矽玻璃8以及合成氧化矽玻璃9，例如測量用波長為245nm的紫外線激發所得的螢光光譜並藉由觀察螢光峰值以進行判斷。
在本實施形態中，作為天然氧化矽玻璃8和合成氧化矽玻璃9的原料使用氧化矽粉末，而這裏所謂的“氧化矽粉末”如果滿足上述條件，這並非侷限於石英，也可以是含有二氧化矽(矽石(silica))的水晶、矽砂等，作為氧化矽玻璃坩堝1的原材料，也可以包含這些周知材料的粉體。
氧化矽玻璃坩堝1內的矽熔液的量隨著單晶矽的拉晶而變化。從而，特定區域6可以根據用戶使用時的氧化矽玻璃坩堝1內的矽熔液的量以適宜選擇即可，至少是肩部形成時的熔液面所處的區域(在第5圖中的從h1高度位置到h2高度位置之間的區域)即可。特別是，把坩堝高度表示為H時，該特別區域處於從底部測量的0.50H~0.99H區域內為佳，0.60H~0.90H區域內為更佳。
接下來，說明在熔液面所處區域中容易發生熔液面振動的理由。第7圖表示局部放大內部容納有矽熔液的氧化矽玻璃坩堝1的熔液面位置的截面示意圖，由於氧化矽玻璃坩堝1的潤濕性，液體矽熔液在與固體氧化矽玻璃坩堝的介面上，呈現出如第7圖中的區域I所示的截面形狀。與該區域I範圍之外的區域相比，在該區域I中，由於與矽熔液中的低氧濃度的液面之間的距離近，因此氧的濃度梯度變大，藉由上述SiO2 (固體)→Si(液體)+2O反應所產生的氧的擴散快。從而，容易進行該反應，促進坩堝的溶解。一般而言，該區域I出現在坩堝高度方向上的0.1mm~5.0mm範圍內，因此，在坩堝高度方向上，特定區域6在每個以0.1mm~5.0mm範圍(0.2mm~4.0mm為更佳)的間隔劃分(在第8圖中以h3的間隔劃分)的圓環狀內面部分上，至少具有1個微小凹部5為佳。
微小凹部5的平均直徑在1μm~500μm的範圍內為佳，10μm~300μm範圍內為更佳。當微小凹部5平均直徑不滿1μm時，無法充分獲得如同上述沸石一樣的效果，一方面，微小凹部5平均直徑超過500μm時，不僅無法充分獲得如同上述沸石一樣的效果，而且，還會因為坩堝的溶解導致微小凹部5容易消失。
微小凹部5的平均深度為周壁部2坩堝厚度的0.05%~50%為佳，0.10%~30%為更佳。微小凹部5的平均深度小於周壁部2的坩堝厚度的0.05%時，氧化矽玻璃坩堝1的溶解導致微小凹部5容易消失，一方面，微小凹部5的平均深度超過周壁部2的坩堝厚度的50%時，有可能會影響坩堝的牆壁強度。另外，作為周壁部2厚度，例如，在100μm~1000μm範圍內為佳。
並且，在本實施形態的氧化矽玻璃坩堝1中，形成在周壁部2的特定區域6上的微小凹部5的下方位置(即，微小凹部5外側)並不含有氣泡。如果氧化矽玻璃中含有大量氣泡，則能確實地使坩堝本身在氧化矽玻璃坩堝1的體積中所占的比例變小，因此，與未含有氣泡的情況相比，存在其溶解速度變快的問題。並且，大量形成的氣泡有可能會降低氧化矽玻璃坩堝1的強度。
而且，微小凹部5的平均直徑對平均深度之比大於0且小於0.8為佳，大於0.1且小於0.7為更佳。為抑制氧化矽玻璃坩堝1的溶解引起的凹部消失問題，需要抑制上述SiO2 (固體)→Si(液體)+2O的反應。為此，如果提高氧化矽玻璃坩堝1和融液之間的介面上的矽熔液中的氧濃度，則上述反應就會難以進行。對此，只要藉由上述反應產生的氧氣不從從微小凹部5擴散即可，並將直徑及深度設置為上述比例範圍內，使得難以受到矽熔液熱對流的影響。
《氧化矽玻璃坩堝的製造方法》
關於本實施形態的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝1的製造方法，作為一例，如第5圖及第6圖所示，該單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝具有周壁部2、彎曲部3及底部4，並且，其形成為以天然氧化矽玻璃層8為外層、以合成氧化矽玻璃層9為內層的兩層結構，該方法包括：形成由天然氧化矽粉8a構成的外層的製程，在該外層的內面上形成由合成氧化矽粉9a構成之內層的製程，從該內層內面側產生電弧放電使其熔化，由此形成具有周壁部2、彎曲部3及底部4的氧化矽玻璃坩堝1的製程，以及在特定區域6形成多個微小凹部5的製程，由此，提供一種可以抑制填充在坩堝內部的矽熔液之熔液面振動且壽命長的矽單晶拉晶用氧化矽玻璃坩堝1。
微小凹部5係藉由二氧化碳鐳射或金剛石工具形成為佳。例如，面對坩堝內表面而配設二氧化碳鐳射的照射面，藉由照射例如10.6μm的紅外光以形成微小凹部5。或者，作為金剛石工具，例如，在三菱綜合材料株式會社制金剛石表面塗層脆性材加工用鑽頭上，一邊撒水一邊接觸於氧化矽玻璃坩堝1的內面，由此形成微小凹部5。反復進行磨削‧坩堝旋轉或者升降，由此在某特定區域6內面全體上形成微小凹部5。
《氧化矽玻璃坩堝製造方法的變形例1》
如上所述，本發明的發明人藉由在氧化矽玻璃坩堝1內面設置規定之凹槽(微小凹部5)的方式以獲得抑制熔融矽的熔液面振動的技術。然而，關於這項技術，利用例如鐳射或機器磨削方式在坩堝內面形成凹槽時，在氧化矽玻璃坩堝1中有可能會被導入加工變形。當氧化矽玻璃坩堝1中被導入加工變形時，單晶矽拉晶時的坩堝溶解速度變快，由此發生在現有技術中未曾認知的新問題，即，氧化矽玻璃坩堝1壽命變短的問題。
在此，本發明的發明人為解決此問題進行銳意討論的結果發現，在形成微小凹部5的製程中，對於氧化矽玻璃坩堝1中被導入的加工變形實施消除或解放處理，由此，找到一種抑制填充在其內部的矽熔液的熔液面振動且壽命長的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝1的製造方法。
即，本實施形態的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝1的製造方法進一步包括：對於微小凹部5形成製程中導入的加工變形進行消除或解放的製程為佳。
此時，該加工變形的消除或解放製程還可以包括對氧化矽玻璃坩堝1進行熱處理的製程。在對氧化矽玻璃坩堝1進行熱處理的製程中，以1200℃~1400℃範圍對氧化矽玻璃坩堝1進行加熱為佳，以1250℃~1350℃範圍進行加熱為更佳。以1200℃以下溫度進行加熱時，無法期待對加工變形的消除或解放效果，並且，加熱溫度超過1400℃時，有可能會導致氧化矽玻璃坩堝1自身熔化。另外，該熱處理並非必須實施於氧化矽玻璃坩堝1全體，只要充分得到加工變形的消除或解放效果，則，僅對特定區域6實施也足夠。
並且，為充分得到加工變形的消除或解放效果，所述熱處理實施5分鐘以上為佳，10分以上為更佳。不過，為不降低生產率，所述熱處理時間1小時以內為佳，30分鐘以內為更佳。
並且，該加工變形的消除或解放製程還可以包括對氧化矽玻璃坩堝1進行酸處理的製程。該酸處理製程包括：將氧化矽玻璃坩堝1多次浸漬於規定濃度的氟化氫酸水溶液中的製程。並且，作為氟化氫酸水溶液，為充分得到加工變形的消除或解放效果且不會使得氧化矽玻璃坩堝1本身熔化，氟化氫濃度為20%~30%範圍為佳，氟化氫濃度23%~27%範圍為更佳。另外，該酸處理並非必須實施於氧化矽玻璃坩堝1全體，只要充分得到加工變形的消除或解放效果的話，僅對特定區域6實施也足夠。
並且，至於浸漬次數，為充分得到加工變形的消除或解放效果且不會使得氧化矽玻璃坩堝1本身熔化，處理一次以上為佳，處理兩次以上更好，特別是處理三次為佳。不過，浸漬次數十次以下為佳，最好是5次以下。藉由酸處理，為充分得到加工變形的消除或解放效果且不會使得坩堝本身熔化，對氧化矽玻璃坩堝1之內面實施10μm~15μm左右的蝕刻為佳，實施11μm~14μm左右的蝕刻為更佳。
這樣，在本實施形態中，在形成微小凹部5的製程中被導入在氧化矽玻璃坩堝1中的加工變形是藉由如上所述的氧化矽玻璃坩堝1的熱處理製程或酸處理製程被消除或解放的。為此，可以提供一種抑制填充在氧化矽玻璃坩堝1內部的矽熔液的熔液面振動，並且，壽命長的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝及其製造方法。
《氧化矽玻璃坩堝製造方法的變形例2》
有時，在高溫矽熔液和氧化矽玻璃坩堝1的介面上形成有茶色環狀圖案。其稱之為褐色環(brown ring)，是在單晶矽拉晶溫度‧壓力範圍內，來源於SiO2 的穩定結晶結構的白矽石。該褐色環成長之後，開始從環的中央部分剝離，所述剝離的白矽石的結晶片導致單晶矽單晶化率的降低，其導致降低成品率的問題。作為抑制剝離這種白矽石的技術，在現有技術中，在坩堝內表面塗布鋇，使白矽石層結晶化。
然而，僅僅在氧化矽玻璃坩堝1內表面上撒布鋇粉末的話，鋇粉末會下落，無法塗布足夠量的鋇粉末，由此，無法使得上述白矽石層充分結晶化。
為此，本發明的發明人為解決此問題進行銳意討論的結果發現：在特定區域6上塗布結晶促進劑，由此能夠塗布足夠量的鋇粉末，並且，可以使得特定區域6結晶化。由此，特定區域6的結晶化，能夠抑制白矽石的剝離，能夠以高成品率提升單晶矽。
即，本實施形態的氧化矽玻璃坩堝的製造方法進一步包括：對特定區域6導入結晶促進劑的製程。並且，對特定區域6導入結晶促進劑的製程包括對特定區域6塗布結晶促進劑的製程為佳。在該導入製程中，對於形成有微小凹部5的特定區域6，藉由一邊旋轉該氧化矽玻璃坩堝1一邊撒布結晶促進劑，在整體上能夠均勻塗布結晶促進劑。並且，對於設置在特定區域6上的微小凹部5，亦可利用管嘴等工具注入結晶促進劑。此時，由於在凹部中注入更多的結晶促進劑，因此得到結晶促進劑難以落下之有益效果。另外，導入結晶促進劑時，可以利用粉末塗布法、噴墨法、溶膠-凝膠封入法等方法進行導入。
作為結晶促進劑，從偏析係數的觀點考慮，使用鋇(Ba)粉末為佳。其原因在於，鋇(Ba)的偏析係數小，因此混入到單晶矽的鋇非常少，很難產生混入到矽熔液的問題。
由此，相較於僅僅在特定區域設置微小凹部5的場合，藉由表面的結晶化，能夠降低氧化矽玻璃坩堝1的溶解速度，可以進一步抑制熔液面振動。並且，可以提高氧化矽玻璃坩堝1的機械強度，提高單晶矽的成品率。
如上所述，結合附圖說明本發明的實施形態，不過，這些僅僅是本發明的較佳實施形態，本發明還可以採用如上所述之外的各種結構。
根據本發明，藉由在周壁部內面的特定區域上設置多個微小凹部，由此可以提供一種穩定地抑制填充在坩堝內部的矽熔液的熔液面振動，並且，壽命長的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝及其製造方法。
綜上所述，雖然本發明已用較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧氧化矽玻璃坩堝
2‧‧‧周壁部
3‧‧‧彎曲部
4‧‧‧底部
5‧‧‧微小凹部
6‧‧‧特定區域
8‧‧‧天然氧化矽玻璃
8a‧‧‧天然氧化硅粉末
9‧‧‧合成氧化硅玻璃
9a‧‧‧合成氧化硅粉末
H‧‧‧坩堝高度
100‧‧‧氧化矽玻璃坩堝
101‧‧‧熔融多晶矽
102‧‧‧晶種
103‧‧‧頸部
104‧‧‧肩部
105‧‧‧直筒部
106‧‧‧尾部
107‧‧‧矽錠
108‧‧‧天然氧化矽玻璃
109‧‧‧合成氧化矽玻璃
201‧‧‧開口氣泡
202‧‧‧獨立氣泡
第1圖是說明單晶矽製造方法的截面示意圖。
第2圖是藉由拉晶方法製造的通常的矽錠的主視圖。
第3圖(a)是說明矽熔液的熔液面振動的截面示意圖，第3圖(b)是表示矽熔液的熔液面振動的俯視示意圖。
第4圖是表示包含在現有氧化矽玻璃坩堝中的氣泡的坩堝周壁部的截面示意圖。
第5圖是表示本發明相關的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的截面示意圖。
第6圖是表示氧化矽玻璃坩堝製造方法的截面示意圖。
第7圖是局部放大表示氧化矽玻璃坩堝和矽熔液介面的截面示意圖。
第8圖是表示微小凹部的形成圖形的截面示意圖。
1．．．氧化矽玻璃坩堝
2．．．周壁部
3．．．彎曲部
4．．．底部
5．．．微小凹部
6．．．特定區域
8．．．天然氧化矽玻璃
9．．．合成氧化硅玻璃
H．．．坩堝高度

Claims (15)

  1. 一種單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，具有周壁部、彎曲部以及底部，其特徵在於：該周壁部內面之特定區域上設置有多個微小凹部，至少該特定區域被結晶化。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，該氧化矽玻璃坩堝的高度為H時，該特定區域位於從該底部測量高度為0.50H~0.99H的區域內。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，在該特定區域中，在該氧化矽玻璃坩堝的高度方向上的每一個以0.1mm~5.0mm範圍內的間隔劃分的圓環狀內面部位上，具有至少1個該微小凹部。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，該微小凹部的平均直徑為1μm~500μm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，該微小凹部的平均深度係該周壁部坩堝厚度之0.05%~50%。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，該微小凹部之平均直徑與該微小凹部之平均深度比小於0.8。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，該結晶化以至少在該特定區域內塗布結晶促進劑之方式形成。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的單晶矽拉晶用氧化矽 玻璃坩堝，其中，結晶促進劑為鋇粉末。
  9. 一種單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，該單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝具有周壁部、彎曲部及底部，其形成為以天然氧化矽玻璃層為外層、以合成氧化矽玻璃層為內層之兩層結構，該方法的特徵在於包括：形成由天然氧化矽粉構成之外層的製程；在該外層之內面上形成由合成氧化矽粉構成之內層的製程；從該內層之內面側產生電弧放電以熔化該氧化矽粉末，並形成具有周壁部、彎曲部及底部之氧化矽玻璃坩堝的製程；在該氧化矽玻璃坩堝的形成製程之後，在特定區域形成多個微小凹部的製程；對於該特定區域導入結晶促進劑的製程。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其中，該微小凹部形成製程包括使用物理磨削以形成微小凹部的製程，該物理磨削係使用二氧化碳鐳射或金剛石工具等。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其中，進一步包括：除去或解除在該微小凹部形成製程中被導入之加工變形的製程。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其中，該除去或解除加工變形的製程包括對該氧化矽玻璃坩堝進行熱處理的製程。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其中，該熱處理製程包括：在1200~1400℃範圍內對該氧化矽玻璃坩堝進行加熱的製程。
  14. 如申請專利範圍第11項所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其包括：該除去或解除加工變形的製程包括：對該氧化矽玻璃坩堝進行酸處理的製程。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其中，該酸處理製程包括：將該氧化矽玻璃坩堝多次浸漬於規定之氟化氫酸水溶液中的製程。
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