TWI406108B - 顯影裝置及顯影方法 - Google Patents

顯影裝置及顯影方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI406108B
TWI406108B TW098104482A TW98104482A TWI406108B TW I406108 B TWI406108 B TW I406108B TW 098104482 A TW098104482 A TW 098104482A TW 98104482 A TW98104482 A TW 98104482A TW I406108 B TWI406108 B TW I406108B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
developer
rotation speed
liquid layer
center portion
Prior art date
Application number
TW098104482A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200943000A (en
Inventor
Akihiro Hisai
Masahiko Harumoto
Minoru Sugiyama
Takuya Kuroda
Masanori Imamura
Original Assignee
Sokudo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=41359504&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TWI406108(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from JP2008076564A external-priority patent/JP5317504B2/ja
Priority claimed from JP2008076565A external-priority patent/JP5323374B2/ja
Priority claimed from JP2008076566A external-priority patent/JP5308045B2/ja
Application filed by Sokudo Co Ltd filed Critical Sokudo Co Ltd
Publication of TW200943000A publication Critical patent/TW200943000A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI406108B publication Critical patent/TWI406108B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3057—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the processing units other than the developing unit, e.g. washing units
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

顯影裝置及顯影方法
本發明係關於施行基板顯影處理的顯影裝置及顯影方法。
先前技術中為施行基板上所形成光阻膜的顯影處理便有使用顯影裝置。例如顯影裝置係具備有：將基板保持呈水平且圍繞鉛直軸進行旋轉的旋轉夾具、以及對基板供應顯影液的噴嘴。在顯影處理時，於利用旋轉夾具使基板進行旋轉狀態下，噴嘴會一邊吐出顯影液，一邊從基板外側移往基板中心部上方(例如參照日本專利特開2005-210059號公報)。
此情況，對基板上整體供應顯影液，並依覆蓋基板上光阻膜之方式形成顯影液之液層。在此狀態下，基板上的光阻膜會進行溶解反應。然後，將基板上的顯影液及已溶解光阻除去，便結束顯影處理。
當依如上述施行顯影處理時，若光阻膜的撥水性偏高，則顯影液在光阻膜上便會遭彈撥。所以，較難良好地形成顯影液之液層。藉此便無法確實地將光阻膜所需部分溶解，導致發生顯影不良情況。
另外，雖藉由增加從噴嘴的顯影液吐出流量，便可形成液層，但亦會導致成本增加，且亦容易出現顯影斑。
本發明目的在於提供能抑制成本增加、且防止發生顯影不良情況的顯影裝置及顯影方法。
(1)依照本發明一態樣的顯影裝置，係具備有旋轉保持裝置與顯影液供應部；其中，該旋轉保持裝置係將基板保持略呈水平，且圍繞垂直於該基板的軸進行旋轉；該顯影液供應部係在基板利用旋轉保持裝置進行旋轉狀態下，從基板中心部連續地朝周緣部供應顯影液後，再從基板周緣部連續地朝中心部供應顯影液。
在該顯影裝置中，利用旋轉保持裝置在將基板保持略呈水平並進行旋轉。在該狀態下，利用顯影液供應部從基板中心部朝周緣部連續地供應顯影液。藉此，對基板上整體供應顯影液，使基板表面呈充分濕潤狀態。
接著，利用顯影液供應部從基板周緣部朝中心部連續地供應顯影液，而在基板上形成顯影液的液層。此情況，藉由基板表面呈被顯影液充分濕潤的狀態，即使在基板表面撥水性較高的情況，在基板上的顯影液仍不易遭彈撥。藉此，可利用少量顯影液確實地形成顯影液之液層。所以，可抑制成本增加，且防止發生顯影不良狀況。
再者，藉由在使基板進行旋轉狀態下形成顯影液之液層，便可利用離心力將顯影液之液層抽薄延伸。所以，相較於在將基板固定的狀態下而形成顯影液之液層的情況，可更進一步抑制顯影液使用量。
再者，因為顯影液供應位置係在基板中心部與周緣部間進行移動，因此相較於對基板上特定區域繼續供應顯影液的情況，可防止光阻膜的反應發生偏頗進行情況。藉此，可抑制顯影斑的發生，俾提升線寬均勻性。
(2)顯影液供應部亦可不對較基板外周端部更靠外側處進行供應顯影液。此情況，顯影液的供應不會跨越基板外周端部。藉此便可抑制顯影液的飛散。所以，可防止在顯影裝置內的各部位處發生顯影液附著之情況。
(3)顯影液供應部亦可在將基板依第1旋轉速度進行旋轉狀態下，從基板中心部朝周緣部連續地供應顯影液，並在將基板依較第1旋轉速度為低的第2旋轉速度進行旋轉之狀態下，從基板周緣部朝中心部連續地供應顯影液。
此情況，藉由在基板旋轉速度較高的狀態，從基板中心部朝周緣部連續地供應顯影液，便可利用顯影液迅速地將基板表面濕潤。此外，藉由在基板旋轉速度較低的狀態，從基板周緣部朝中心部連續地供應顯影液，便可以離心力作用較小的狀態，在基板上確實地形成顯影液之液層。
(4)旋轉保持裝置亦可使基板旋轉速度從第2旋轉速度階段式下降。此情況，便可在基板上安定地維持著經抽薄延伸之顯影液之液層狀態下，使基板的旋轉速度下降。
(5)顯影液供應部亦可在使基板依較第1旋轉速度更低的第3旋轉速度進行旋轉狀態下，繼續對基板中心部供應顯影液，在基板旋轉速度從第3旋轉速度上升至第1旋轉速度後，從基板中心部朝周緣部連續地供應顯影液。
此情況，在基板依第3旋轉速度進行旋轉狀態下，並未對基板上所供應顯影液作用較大的離心力。所以，顯影液便可保持於基板中心部附近的區域內。當基板旋轉速度從第3旋轉速度上升至第1旋轉速度時，在基板中心部所保持的顯影液便利用離心力瞬間擴展於基板上整體。
藉此，在從基板中心部朝周緣部連續地供應顯影液前，可將基板表面預先利用顯影液施行濕潤。藉此便可效率佳且確實地將基板表面整體利用顯影液濕潤，依較少量顯影液便可更確實地形成顯影液之液層。
(6)依照本發明另一態樣的顯影方法，係包括有：將基板保持略呈水平，且圍繞垂直於該基板的軸進行旋轉之步驟；以及從旋轉的基板中心部朝周緣部連續地供應顯影液後，再從基板周緣部朝中心部連續地供應顯影液之步驟。
在該顯影方法中，於將基板保持略呈水平並進行旋轉狀態下，從基板中心部朝周緣部連續地供應顯影液。藉此對基板上整體供應顯影液，使基板表面成為充分濕潤狀態。
接著，從基板周緣部朝中心部連續地供應顯影液，而在基板上形成顯影液之液層。此情況，藉由基板表面呈充分濕潤狀態，即使基板表面的撥水性較高之情況，基板上的顯影液仍不易遭彈撥。藉此，可依少量顯影液確實地形成顯影液之液層。所以，可抑制成本增加，且防止發生顯影不良情況。
再者，藉由在使基板旋轉狀態下形成顯影液之液層，便可利用離心力將顯影液之液層施行抽薄延伸。所以，相較於在將基板固定的狀態下形成顯影液液層之情況，可更進一步抑制顯影液使用量。
再者，因為顯影液的供應位置係在基板中心部與周緣部間進行移動，因此相較於對基板上特定區域繼續供應顯影液的情況，可防止光阻膜的反應發生偏頗進行情況。藉此，可抑制顯影斑的發生，俾提升線寬均勻性。
根據本發明，可利用少量顯影液確實地形成顯影液之液層。藉此，便可抑制成本增加，且防止發生顯影不良。
(7)根據本發明再另一態樣的顯影裝置，係具備有旋轉保持裝置與液層形成部；而，該旋轉保持裝置係將基板保持略呈水平，且圍繞垂直於該基板的軸進行旋轉；該液層形成部係在利用旋轉保持裝置進行旋轉的基板上，形成顯影液之液層；而旋轉保持裝置係在利用液層形成部形成顯影液之液層時，使基板依第1旋轉速度進行旋轉，在形成顯影液之液層後，使基板的旋轉速度從第1旋轉速度開始階段式下降。
在該顯影裝置中，利用旋轉保持裝置將基板保持略呈水平且進行旋轉。在基板依第1旋轉速度進行旋轉之狀態下，利用液層形成部在基板上形成顯影液之液層。此情況，藉由在使基板旋轉狀態下形成顯影液之液層，便可利用離心力將顯影液之液層施行抽薄延伸。
在顯影液之液層形成後，使基板旋轉速度從第1旋轉速度開始階段式下降。此情況，可在基板上安定地維持著經抽薄延伸之顯影液之液層狀態下，使基板的旋轉速度下降。藉由使基板旋轉速度下降，便可減少因離心力而被甩掉的顯影液量，便可減少顯影液的供應量或停止顯影液供應。藉此，便可抑制成本增加，且防止發生顯影不良。
(8)液層形成部亦可在從基板中心部朝周緣部連續地供應顯影液後，再從基板周緣部朝中心部連續地供應顯影液。
此情況，藉由從基板中心部朝周緣部連續地供應顯影液，對基板上整體供應顯影液，使基板表面呈充分濕潤狀態。接著，利用液層形成部從基板周緣部朝中心部連續地供應顯影液，在基板上形成顯影液的液層。
依此的話，藉由在顯影液之液層形成前，使基板表面利用顯影液充分地濕潤，即使於基板表面撥水性較高的情況，在基板上的顯影液仍不易遭彈撥。藉此，可利用少量顯影液確實地形成顯影液之液層。所以，可進一步抑制成本增加，並且更確實地防止發生顯影不良狀況。
再者，因為顯影液供應位置係在基板中心部與周緣部間進行移動，因此相較於對基板上特定區域繼續供應顯影液的情況下，可防止光阻膜的反應發生偏頗進行之情況。藉此，可抑制顯影斑的發生，俾提升線寬均勻性。
(9)旋轉保持裝置亦可在利用液層形成部從基板中心部朝周緣部連續地供應顯影液的期間，使基板依較第1旋轉速度更高的第2旋轉速度進行旋轉，而當利用液層形成部從基板周緣部朝中心部連續地供應顯影液的期間，使基板依第1旋轉速度進行旋轉。
此情況，藉由在基板旋轉速度較高的狀態，從基板中心部朝周緣部連續地供應顯影液，便可利用顯影液迅速地將基板表面濕潤。此外，藉由在基板旋轉速度較低的狀態，從基板周緣部朝中心部連續地供應顯影液，便可以離心力作用較小的狀態，在基板上確實地形成顯影液之液層。
(10)旋轉保持裝置亦可在利用液層形成部進行顯影液之液層形成前，使基板從較第1旋轉速度更低的第3旋轉速度上升至第1旋轉速度以上的第4旋轉速度，而液層形成部便在使基板依第3旋轉速度進行旋轉的狀態下，對基板中心部供應顯影液。
此情況，在基板依第3旋轉速度進行旋轉之狀態下，並未對基板上所供應顯影液作用較大的離心力。所以，顯影液便可保持於基板中心部附近的區域內。當基板旋轉速度從第3旋轉速度上升至第4旋轉速度時，在基板中心部所保持的顯影液便利用離心力瞬間擴展於基板上整體。
藉此，便可利用顯影液使基板表面濕潤，俾可依較少量顯影液確實地形成顯影液之液層。所以，可進一步抑制成本增加，並且更確實地防止發生顯影不良狀況。
(11)依照本發明再另一態樣的顯影方法，係包括有：將基板保持略呈水平，且圍繞垂直於該基板的軸進行旋轉之步驟；在依第1旋轉速度進行旋轉的基板上，形成顯影液之液層的步驟；以及在顯影液之液層形成後，使基板旋轉速度從第1旋轉速度開始進行階段式下降的步驟。
該顯影方法中，在將基板略呈水平保持且依第1旋轉速度進行旋轉之狀態下，於基板上形成顯影液之液層。此情況，藉由在使基板進行旋轉狀態下形成顯影液之液層，便可利用離心力將顯影液之液層抽薄延伸。
在顯影液之液層形成後，使基板旋轉速度從第1旋轉速度開始階段式下降。此情況，可在基板上安定地維持著經抽薄延伸之顯影液之液層狀態下，使基板的旋轉速度下降。藉由使基板旋轉速度下降，便可減少因離心力而被甩掉的顯影液量，便可減少顯影液的供應量或停止顯影液供應。藉此，便可抑制成本增加，且防止發生顯影不良。
(12)依照本發明再另一態樣的顯影裝置，係具備有：旋轉保持裝置、清洗液供應部及顯影液供應部；而，該旋轉保持裝置係將基板保持略呈水平，且圍繞垂直於該基板的軸進行旋轉；該清洗液供應部係對利用旋轉保持裝置進行旋轉的基板供應清洗液；該顯影液供應部係對利用旋轉保持裝置進行旋轉的基板供應顯影液；其中，清洗液供應部係在第1期間中，對基板中心部供應清洗液；旋轉保持裝置係為使利用清洗液供應部所供應的清洗液能保持於基板上，而在第1期間內使基板依第1旋轉速度進行旋轉，而在第1期間後使基板旋轉速度上升至較第1旋轉速度更高的第2旋轉速度；顯影液供應部係當利用旋轉保持裝置使基板旋轉速度從第1旋轉速度上升至第2旋轉速度之際，便對基板中心部供應顯影液。
在該顯影裝置中，於第1期間內，利用旋轉保持裝置將基板保持略呈水平，並且依第1旋轉速度進行旋轉。在此狀態下，利用清洗液供應部對基板中心部供應清洗液。該清洗液係保持於基板上。
接著，使基板旋轉速度從第1旋轉速度上升至第2旋轉速度。藉此，便對基板上所保持的清洗液作用離心力，俾使清洗液在基板上進行擴展。此時，利用顯影液供應部對基板中心部供應顯影液。所供應的顯影液將與清洗液一起瞬間擴展於基板上整體。然後，基板上的清洗液便被顯影液取代，而在基板上形成顯影液之液層。
依此利用基板上所保持的清洗液因離心力進行擴展之力，使顯影液瞬間擴展於基板上整體。藉此，便可在抑制顯影液消耗量的情況下，效率佳地在基板上形成顯影液之液層。
再者，藉由瞬間地使顯影液在基板上進行擴展，便可使基板W的整體表面被顯影液所濕潤。藉此，即使基板表面撥水性較高的情況，在基板上的顯影液仍不易遭彈撥。所以，能利用較少量顯影液輕易且確實地形成液層。所以，能削減成本，且可防止發生顯影不良情況。
(13)旋轉保持裝置亦可在使基板旋轉速度從第1旋轉速度上升至第2旋轉速度後的第2期間中，使基板依較第2旋轉速度更低的第3旋轉速度進行旋轉，而顯影液供應部係在第2期間中繼續對基板供應顯影液。
此情況，藉由在基板旋轉速度為較低的狀態下，繼續對基板供應顯影液，便可依離心力作用較小的狀態下，確實地在基板上形成顯影液之液層。
(14)旋轉保持裝置亦可在第2期間後，使基板的旋轉速度從第2旋轉速度開始進行階段式下降。
此情況，可在基板上安定地維持著經抽薄延伸之顯影液之液層狀態下，使基板的旋轉速度下降。
(15)顯影液供應部亦可在從基板中心部朝周緣部連續地供應顯影液後，再從基板周緣部朝中心部連續地供應顯影液。
此情況，藉由從基板中心部朝周緣部連續地供應顯影液，對基板上整體供應顯影液，俾使基板表面呈充分濕潤狀態。接著，藉由利用顯影液供應部從基板周緣部朝中心部連續地供應顯影液，便在基板上形成顯影液之液層。
依此，由於在顯影液液層形成前，便可使基板表面充分地濕潤，因而可依較少量顯影液更確實地形成顯影液之液層。所以，可進一步抑制成本增加，並且更確實地防止發生顯影不良狀況。
再者，因為顯影液供應位置係在基板中心部與周緣部間進行移動，因此相較於對基板上特定區域繼續供應顯影液的情況下，可防止光阻膜的反應發生偏頗進行情況。藉此，可抑制顯影斑的發生，俾提升線寬均勻性。
(16)依照本發明再另一態樣的顯影方法，係包括有：將基板保持略呈水平，且圍繞垂直於該基板的軸依第1旋轉速度進行旋轉之步驟；對依第1旋轉速度進行旋轉的基板上供應清洗液的步驟；使基板的旋轉速度從第1旋轉速度上升至第2旋轉速度的步驟；以及當基板的旋轉速度從第1旋轉速度上升至第2旋轉速度時，對基板上供應顯影液的步驟。
在該顯影方法中，在將基板保持略呈水平且依第1旋轉速度進行旋轉之狀態下，對基板中心部供應清洗液。該清洗液係保持於基板上。
接著，基板旋轉速度從第1旋轉速度上升至第2旋轉速度。藉此，便對基板上所保持的清洗液作用離心力，俾使清洗液在基板上進行擴展。此時，對基板中心部供應顯影液。所供應的顯影液將與清洗液一起瞬間擴展於基板上整體。然後，基板上的清洗液被顯影液所取代，而在基板上形成顯影液之液層。
依此利用基板上所保持的清洗液因離心力進行擴展之力，使顯影液瞬間擴展於基板上整體。藉此，可在抑制顯影液消耗量的情況下，效率佳地在基板上形成顯影液之液層。
再者，藉由瞬間地使顯影液在基板上進行擴展，可使基板W的整體表面被顯影液所濕潤。藉此，即使基板表面撥水性較高的情況，在基板上的顯影液仍不易遭彈撥。所以，能依較少量顯影液輕易且確實地形成液層。所以，能削減成本，且可防止發生顯影不良情況。
以下，針對本發明一實施形態的顯影裝置及顯影方法，使用圖式進行說明。以下的說明中，所謂「基板」係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板等。
(1)顯影裝置之構造
圖1所示係顯影裝置構造的俯視圖，圖2所示係圖1所示顯影裝置的Q-Q線剖面圖。
如圖1與圖2所示，顯影裝置100係具備有將基板W依水平姿勢進行吸附保持的旋轉夾具10。旋轉夾具10之構造係固定於馬達11(圖2)的旋轉軸12前端部，並可圍繞鉛直方向的軸進行旋轉。在旋轉夾具10周圍依包圍基板W的方式，設置上下移動自如的圓形內側杯13。此外，在內側杯13周圍設置正方形外側杯14。
如圖1所示，在外側杯14的側邊設置待機密閉莢式容器(pod)15。此外，依與外側杯14及待機密閉莢式容器15呈並行且延伸的方式設置導軌16。設置可沿導軌16進行移動的機械臂驅動部17。在機械臂驅動部17中，安裝著於水平面內朝導軌16垂直方向延伸的噴嘴機械臂18。噴嘴機械臂18係由機械臂驅動部17進行驅動，朝沿導軌16的方向進行移動，且朝上下方向進行升降。
就旋轉夾具10而於導軌16的相反側區域中，以呈可朝箭頭R1方向進行迴轉之方式，設置吐出洗淨用清洗液之純水的清洗液吐出噴嘴19。
如圖2所示，在噴嘴機械臂18前端部，設置具有複數(本例為5個)顯影液吐出口22的顯影液噴嘴21。在施行基板W的顯影處理時，藉由驅動噴嘴機械臂18，顯影液噴嘴21便從待機密閉莢式容器15移動至基板W上方。
顯影液噴嘴21係經由供應管31連接於顯影液供應源G1。在供應管31中介插著閥V1。藉由將閥V1開啟，便從顯影液供應源G1對顯影液噴嘴21供應顯影液。
清洗液吐出噴嘴19係經由供應管35連接於清洗液供應源G2。在供應管35中介插著閥V2。藉由將閥V2開啟，便從清洗液供應源G2對清洗液吐出噴嘴19供應清洗液。
圖3所示係顯影液噴嘴21的概略立體圖。如圖3所示，在顯影液噴嘴21中，沿寬度方向(圖1中平行於導軌16的方向)等間隔設置朝向鉛直下方的5個顯影液吐出口22。對顯影液噴嘴21所供應的顯影液係從顯影液吐出口22中被吐出。各顯影液吐出口22係配置成：隨顯影液噴嘴21的移動，將通過由旋轉夾具10所保持基板W中心部上方之狀態。
圖4所示係顯影裝置100的控制系統方塊圖。如圖4所示，顯影裝置100係具備有控制部50。旋轉夾具10、馬達11、機械臂驅動部17、清洗液吐出噴嘴19及閥V1、V2的動作，係利用控制部50進行控制。
(2)顯影裝置之動作
(2-1)第1動作例
接著，針對顯影裝置100的第1動作例進行說明。圖5所示係施行基板W顯影處理時，基板W的旋轉速度、顯影液流量及清洗液流量之變化時序圖。本實施形態中，顯影處理的步驟係區分為液層形成步驟、顯影步驟及洗淨步驟。另外，以下所說明的「顯影處理」係在對基板W上所形成的光阻膜施行曝光處理後才實施。
如圖5所示，在液層形成步驟的時點t1，利用旋轉夾具10開始進行基板W的旋轉。接著，在時點t2，開始從顯影液噴嘴21進行顯影液吐出。在時點t1~t3的期間，基板W的旋轉速度將維持於例如1000rpm。
在時點t3，基板W的旋轉速度下降至例如200rpm，在時點t4，基板W的旋轉速度下降至例如50rpm。然後，在時點t5，停止基板W的旋轉。此外，在時點t6，停止從顯影液噴嘴21的顯影液吐出。另外，在時點t2~t6的期間內，顯影液噴嘴21係一邊吐出顯影液，一邊在基板W的中心部上方與周緣部上方間進行移動。顯影液的吐出流量係維持於例如400ml/min。
在該液層形成步驟中，依覆蓋基板W上的光阻膜之方式形成顯影液液層。相關液層形成步驟的詳細內容，則如後述。
在顯影步驟的時點t6~t7期間內，維持著顯影液吐出與基板W旋轉均停止之狀態。在此期間中，利用基板W上所保持的顯影液，進行除光阻膜圖案部以外部分的溶解反應。
在洗淨步驟的時點t7~t8期間內，利用旋轉夾具10將基板W依例如700rpm進行旋轉，且從清洗液吐出噴嘴19朝基板W吐出清洗液。藉此便將基板W上的顯影液及溶解後之光阻進行沖洗。接著，在時點t8~t9的期間中，基板W將依高速(例如2000rpm)進行旋轉。利用隨該旋轉所生的離心力，基板W上所附著的清洗液將被甩掉，基板W便被乾燥。藉此，便完成基板W的顯影處理。
其次，一邊參照圖5及圖6，一邊針對液層形成步驟的顯影裝置100之動作詳細內容進行說明。圖6所示係針對液層形成步驟中，用以說明顯影裝置100動作的示意俯視圖及側視圖。
在圖5中的時點t2，如圖6(a)及圖6(b)所示，在顯影液噴嘴21位於基板W中心部上方的狀態下，開始進行顯影液的吐出。然後，在圖5的時點t2~t3期間內，如圖6(c)及圖6(d)所示，在顯影液噴嘴21吐出顯影液的狀態下，從基板W中心部上方移動至周緣部上方。藉此，便對基板W上整體供應顯影液。
在圖5所示時點t3~t4的期間中，基板W的旋轉速度將下降，並如圖6(e)及圖6(f)所示，在顯影液噴嘴21吐出顯影液的狀態下，從基板W周緣部上方移動至中心部上方。此情況，會減少被朝基板W外邊甩掉的顯影液量，且所供應的顯影液會被保持在基板W上。藉此，在基板W上形成顯影液液層。
在此，於時點t2~t4的期間中，顯影液噴嘴21係依顯影液吐出口22不會從基板W上方區域突出於外側的方式進行移動。此情況，依不會跨越基板W外周端部的方式供應顯影液。藉此，可抑制顯影液的飛散。所以，可防止在顯影裝置100內的各部位處附著顯影液。
另外，顯影液噴嘴21係當例如基板W直徑為300mm時，便從基板W中心部上方依例如1~3秒移動至周緣部上方，並從基板W周緣部上方依例如1~5秒移動至中心部上方。
顯影液噴嘴21的移動速度係可為一定，亦可配合移動方向或位置進行變化。例如，亦可在基板W周緣部上方附近處的顯影液噴嘴21移動速度，較低於基板W中心部上方附近處的顯影液噴嘴21移動速度。此情況，就連對面積較大基板W的周緣部區域亦可充分供應顯影液。
圖7所示係顯影液液層之形成過程的立體圖及側視圖。如圖7(a)及圖7(b)所示，在基板W進行旋轉狀態下，顯影液噴嘴21一邊吐出顯影液，一邊從基板W周緣部上方朝基板W中心部上方進行移動，藉此便從基板W周緣部朝中心部漩渦狀地供應顯影液。藉此，便從基板W周緣部朝中心部形成顯影液液層。
本實施形態中，在形成液層前的時點t2~t3期間中，對基板W的整體表面供應顯影液。藉此，基板W的整體表面將呈被顯影液濕潤的狀態，基板W的表面潤濕性呈良好。所以，即使基板W表面(光阻膜表面)的撥水性較高之情況，在基板W上仍不易將顯影液彈撥。藉此，可依較少量顯影液確實地形成液層。所以，可抑制成本增加且防止發生顯影不良情況。
再者，藉由在使基板W進行旋轉狀態下形成顯影液液層，便可利用離心力將顯影液液層抽薄延伸。所以，相較於在基板W固定狀態下形成顯影液液層的情況，可抑制顯影液的使用量。
再者，藉由顯影液噴嘴21一邊進行移動、一邊對基板W供應顯影液，便可防止基板W上的特定區域發生光阻膜反應偏頗進行情況。藉此便可抑制發生顯影斑情形，俾提升CD(線寬)均勻性。
再者，本實施形態中，在形成顯影液液層後，將基板W旋轉速度暫時保持於低速的50rpm，然後，停止基板W的旋轉。依此的話，在基板W的旋轉停止前，藉由將基板W的旋轉速度暫時保持於極低狀態，便可依在基板W上安定地維持著將顯影液液層抽薄延伸狀態，而停止基板W的旋轉。藉此，便可在停止對基板W的顯影液供應狀態下，確實地進行光阻膜的顯影。所以，可更加削減顯影液的使用量。
另外，基板W的旋轉速度及顯影液流量，並不僅侷限於上述例子，可配合基板W的大小或撥水性等各種條件適當變更。
例如在時點t1~t3的期間內，最好將基板W的旋轉速度在500rpm以上、2000rpm以下範圍內進行調整。在時點t1~t3的期間內，基板W的旋轉速度係相當於申請專利範圍第3至5項的第1旋轉速度、及相當於申請專利範圍第9項的第2旋轉速度，且相當於申請專利範圍第10項的第4旋轉速度。若基板W的旋轉速度過高，對基板W所供應顯影液的大部分便會因離心力而被甩出於基板W外邊，基板W表面便無法充分地利用顯影液濕潤。反之，若基板W的旋轉速度過低，便無法使顯影液在基板W上適度地擴展。
再者，在時點t3~t4的期間中，最好將基板W的旋轉速度在100rpm以上、500rpm以下範圍內進行調整。在時點t3~t4的期間中，基板W的旋轉速度係相當於申請專利範圍第3至5項的第2旋轉速度，並相當於申請專利範圍第7至11項的第1旋轉速度。若基板W的旋轉速度過高，基板W上便無法保持著顯影液。反之，若基板W的旋轉速度過低，則時間效率會惡化。
再者，在時點t4~t5的期間中，最好將基板W的旋轉速度在10rpm以上、100rpm以下範圍內進行調整。若基板W的旋轉速度過高，便無法在基板W上安定地保持顯影液液層狀態下，使基板W的旋轉停止。反之，若基板W的旋轉速度過低，便無法維持將顯影液液層抽薄延伸的狀態，會有因表面張力而使顯影液集中於基板W上其中一部分區域的可能性。
再者，顯影液流量最好在300ml/min以上、600ml/min範圍內進行調整。此外，亦可配合顯影液噴嘴21的移動方向或位置而使顯影液流量變化。
本例係於液層形成步驟中，顯影液噴嘴21一邊吐出顯影液，一邊在基板W中心部上方與周緣部上方間進行移動，惟並不僅侷限於此，亦可顯影液噴嘴21在基板W中心部上方繼續地吐出顯影液。
(2-2)第2動作例
其次，針對顯影裝置100的第2動作例，就不同於上述第1動作例之處進行說明。圖8所示係第2動作例的液層形成步驟中，基板W的旋轉速度、顯影液流量及清洗液流量的變化時序圖。另外，顯影步驟及洗淨步驟中，顯影裝置100的動作係如同上述第1動作例。
本例不同於圖5所示例之處係如下述。如圖8所示，本例中，首先，在時點t11，基板W開始依低速20rpm進行旋轉，且顯影液噴嘴21開始在基板W中心部上方進行顯影液吐出。然後，基板W的旋轉速度上升至1000rpm，且顯影液噴嘴21開始一邊吐出顯影液一邊進行移動。然後，執行如同上述例的相同動作。另外，時點t11~t1期間中的基板W旋轉速度係相當於申請專利範圍第5項的第3旋轉速度，並相當於申請專利範圍第10項的第3旋轉速度。
圖9所示係對基板W上所供應顯影液的狀態俯視圖及側視圖。在圖8所示時點t11~t1的期間中，由於基板W的旋轉速度較低，因而對基板W所供應的顯影液便不會有離心力的作用。所以，如圖9(a)及圖9(b)所示，對基板W中心部所供應的顯影液，並不會朝基板W周緣部擴展，而是會因為表面張力幾乎保持於一定區域內。
在圖8所示時點t1，當基板W的旋轉速度上升，便如圖9(c)及圖9(d)所示，在基板W中心部上所保持的顯影液便會因為離心力瞬間地擴展於基板W上整體。
依此的話，在時點t1，由於可預先在基板W的整體表面上擴展顯影液，因此可效率佳並確實地將基板W整體表面利用顯影液濕潤。所以，可依較少量顯影液更確實地形成液層。
另外，本例中，雖然在時點t11~t6的期間中，繼續吐出顯影液，但亦可從時點t11起吐出既定量顯影液後，便暫時停止顯影液的吐出。
(2-3)第3動作例
其次，針對顯影裝置100的第3動作例，就不同於上述第1動作例之處進行說明。圖10所示係第3動作例中，基板W的旋轉速度、顯影液流量及清洗液流量的變化時序圖。
如圖10所示，在時點t21，開始利用旋轉夾具10依例如20rpm旋轉速度進行基板W的旋轉，且開始從清洗液吐出噴嘴19吐出清洗液。此情況，清洗液係朝基板W中心部吐出，且該吐出流量維持於例如800ml/min。
在時點t22，停止從清洗液吐出噴嘴19吐出清洗液。接著，在時點t23，基板W的旋轉速度會上升至例如1000rpm，並且開始從顯影液噴嘴21中吐出顯影液。此情況，顯影液係朝基板W中心部吐出，且該吐出流量係維持於例如400ml/min。
在時點t24，基板W的旋轉速度將下降至例如200rpm，在時點t25，基板W的旋轉速度會下降至例如50rpm。然後，在時點t26，停止基板W的旋轉。此外，在時點t27，停止從顯影液噴嘴21中吐出顯影液。
另外，在顯影步驟及洗淨步驟中，顯影裝置100的動作係如同上述第1動作例。
接著，參照圖10至圖12，針對液層形成步驟中，顯影裝置100的動作詳細內容進行說明。圖11及圖12係針對液層形成步驟中，基板W上的狀態進行說明用的示意俯視圖及側視圖。
在圖10中的時點t21~t22期間，對基板W中心部供應清洗液。在此期間中，由於基板W的旋轉速度較低，因此不會對基板W上的清洗液作用離心力。所以，如圖11(a)及圖11(b)所示，對基板W中心部供應的清洗液，會因為表面張力幾乎保持於一定區域內。
在圖10中的時點t23，若基板W的旋轉速度上升，便如圖11(c)及圖11(d)所示，對基板W上所保持的清洗液會作用離心力，使清洗液朝基板W周緣部擴展。此時，從顯影液噴嘴21朝基板W中心部供應顯影液。此情況，如圖11(e)及圖11(f)所示，對基板W中心部所供應的顯影液，會與清洗液一起或在已擴展的清洗液上瞬間擴展於基板W上整體。
然後，藉由繼續供應顯影液，基板W上的清洗液被顯影液取代。然後，在圖10的時點t24，若基板W的旋轉速度降低，被甩出於基板W外邊的顯影液量會減少，且顯影液會保持於基板W上。藉此，如圖12(g)及圖12(h)所示，便在基板W上形成顯影液液層。
依此的話，於本例中，利用基板W上所保持的清洗液因離心力而擴展的力，顯影液便瞬間擴展於基板W上整體。藉此，便可抑制顯影液消耗量，且效率佳地在基板W上形成顯影液液層。
再者，藉由瞬間使顯影液在基板W上進行擴展，便可將基板W整體表面利用顯影液濕潤。藉此，基板W表面的潤濕性便呈良好。所以，即使在基板W表面(光阻膜表面)的撥水性較高之情況，便可依較少量顯影液輕易且確實地形成液層。所以，可削減成本且防止發生顯影不良情形。
再者，由於在使基板W旋轉的狀態下形成顯影液液層，因而可利用離心力進行顯影液液層的抽薄延伸。所以，相較於在將基板W呈固定狀態下形成顯影液液層的情況，可更抑制顯影液使用量。
再者，因為在顯影液到達(滴下)基板W上之同時，亦將擴展於基板W上整體，因此可防止在基板W上特定區域發生光阻膜反應偏頗進行情況。藉此，可抑制顯影斑的發生，俾提升CD(線寬)均勻性。
再者，於本例中，在形成顯影液液層後，將基板W旋轉速度暫時保持於低速50rpm，然後，停止基板W的旋轉。依此的話，在基板W旋轉停止前，藉由將基板W旋轉速度暫時保持於極低狀態，便可在基板W上安定地維持著將顯影液液層抽薄延伸之狀態下，使基板W的旋轉停止。藉此便可在停止對基板W的顯影液供應狀態下，進行光阻膜的反應。所以，可更加削減顯影液的使用量。
另外，於本例中，在時點t23，基板W的旋轉速度會上升，同時開始進行顯影液的吐出，但顯影液的吐出時序係可配合基板W與顯影液噴嘴21間的距離、或顯影液吐出速度等，在時點t23的前後數秒範圍內適當變更。
具體而言，為能效率佳且確實地將顯影液擴展於基板W上，最好在基板W旋轉加速時，顯影液便到達基板W上。所以，最好當基板W與顯影液噴嘴21間的距離較遠時、或顯影液的吐出速度較低時，在僅較使基板W旋轉速度上升的時序為些微前的時序，便開始進行顯影液的吐出。
再者，基板W的旋轉速度、顯影液流量及清洗液流量，並不僅侷限於上述例，可配合基板W的大小或潑水性等各種條件而適當變更。
例如在時點t21~t23期間中，為能將清洗液安定地保持於基板W中心部附近區域，最好將基板W的旋轉速度在10rpm以上、100rpm以下範圍內進行調整。另外，時點t21~t23的期間係相當於申請專利範圍第12至16項的第1期間，而時點t21~t23期間中的基板W旋轉速度係相當於申請專利範圍第12至16項的第1旋轉速度。
再者，時點t23~t24的期間中，為能使清洗液及顯影液確實地擴展於基板W上整體，最好將基板W的旋轉速度在500rpm以上、1500rpm以下範圍內進行調整。時點t23~t24期間內的基板W旋轉速度係相當於申請專利範圍第12至16項的第2旋轉速度。
再者，在時點t24~t25期間，最好將基板W的旋轉速度在100rpm以上、500rpm以下範圍內進行調整。若基板W的旋轉速度過高，在基板W上便無法保持顯影液。反之，若基板W的旋轉速度過低，時間效率便會惡化。另外，時點t24~t25期間係相當於申請專利範圍第13、14項的第2期間，而時點t24~t25期間中的基板W旋轉速度係相當於申請專利範圍第13、14項的第3旋轉速度。
再者，在時點t25~t26期間中，最好將基板W旋轉速度在10rpm以上、100rpm以下範圍內進行調整。若基板W的旋轉速度過高，便無法在基板W上安定地保持顯影液液層之狀態下，停止基板W的旋轉。反之，若基板W的旋轉速度過低，便無法維持著將顯影液液層抽薄延伸的狀態，會因表面張力而有導致顯影液集中於基板W上一部分區域的可能性。
再者，顯影液流量最好在300ml/min以上、600ml/min範圍內進行調整，清洗液流量最好在200ml/min以上、1200ml/min範圍內進行調整。此外，顯影液流量及清洗液流量係可為一定，亦可配合時序進行變化。
(2-4)第4動作例
其次，針對顯影裝置100的第4動作例，就不同於上述第3動作例之處進行說明。上述第3動作例中，在時點t23~t27期間，於顯影液噴嘴21位於基板W中心部上方的狀態繼續吐出顯影液，但第4動作例係如同上述第1與第2動作例，顯影液噴嘴21一邊在基板W上方進行移動，一邊朝基板W吐出顯影液。
圖13所示係針對液層形成步驟中，說明時點t23~t27期間的另一動作例之側視圖。
圖10的時點t23中，如圖13(a)所示，在顯影液噴嘴21位於基板W中心部上方的狀態，開始進行顯影液吐出。然後，在圖10的時點t23~t24期間中，如圖13(b)所示，顯影液噴嘴21一邊吐出顯影液，一邊從基板W中心部上方移動至周緣部上方。
在圖10的時點t24~t25期間中，如圖13(c)所示，顯影液噴嘴21一邊吐出顯影液，一邊從基板W周緣部上方移動至中心部上方。藉此便在基板W上形成顯影液液層。
依此的話，藉由顯影液噴嘴21一邊進行移動一邊朝基板W供應顯影液，便可使基板W表面整體利用顯影液更充分地濕潤。藉此，便可更輕易地形成顯影液液層，可更進一步減少顯影液使用量。此外，由於基板W上的顯影液供應位置會移動，因此可更確實地防止特定區域發生光阻膜反應偏頗進行情況。
另外，在時點t23~t25期間中，顯影液噴嘴21最好以顯影液吐出口22不會從基板W上方區域突出於外側的方式進行移動。此情況，顯影液的供應便不會跨越基板W端部。因而，可抑制顯影液飛散。所以，可防止在顯影裝置100內的各部位處發生顯影液附著情況。
再者，顯影液噴嘴21係在例如基板W直徑為300mm的情況，便依例如1~3秒從基板W中心部上方移動至周緣部上方，並依例如1~5秒從基板W周緣部上方移動至中心部上方。
顯影液噴嘴21的移動速度係可為一定，亦可配合移動方向或位置而進行變化。例如基板W周緣部上方附近的顯影液噴嘴21移動速度，可較低於基板W中心部上方附近的顯影液噴嘴21移動速度。此情況，就連對面積較大基板W的周緣部區域仍可充分地供應顯影液。
(2-5)再另一動作例
上述例中，在顯影處理步驟中停止基板W的旋轉，惟並不僅侷限於此，亦可在顯影處理步驟中仍維持著基板的旋轉。此情況，基板W的旋轉速度將調整至例如200rpm以下。此外，此情況，亦可對旋轉中的基板W繼續供應顯影液。
再者，當在顯影處理步驟中仍維持基板旋轉的情況，藉由使基板W的旋轉速度階段式下降，便可安定地維持在基板W上將顯影液液層抽薄延伸之狀態。
(3)清洗液吐出噴嘴另一例
上述實施形態中，清洗液吐出噴嘴19係獨立設置於旋轉夾具10的外邊，但清洗液吐出噴嘴19亦可與顯影液噴嘴21呈一體設置。圖14所示係清洗液吐出噴嘴另一例的外觀立體圖。
圖14的例子係具有清洗液吐出口32的清洗液噴嘴19a，將與顯影液噴嘴21一起安裝於噴嘴機械臂18上。依此，藉由將顯影液噴嘴21與清洗液噴嘴19a呈一體設置，便可使動作控制簡略化，且可達顯影裝置100的小型化及省空間化。
(4)申請專利範圍各構成要件與實施形態各要件的對應
以下，針對申請專利範圍各構成要件與實施形態各要件的對應例進行說明，惟本發明並不僅侷限於下述例。
上述實施形態中，旋轉夾具10及馬達11係旋轉保持裝置之實例，清洗液吐出噴嘴19係清洗液供應部之實例，顯影液噴嘴21係顯影液供應部及液層形成部之實例。
申請專利範圍之各構成要件亦可使用具有申請專利範圍所記載構造或機能的其他各種要件。
10．．．旋轉夾具
11．．．馬達
12．．．旋轉軸
13．．．內側杯
14．．．外側杯
15．．．待機密閉莢式容器
16．．．導軌
17．．．機械臂驅動部
18．．．噴嘴機械臂
19．．．清洗液吐出噴嘴
19a．．．清洗液噴嘴
21．．．顯影液噴嘴
22．．．顯影液吐出口
31、35．．．供應管
32．．．清洗液吐出口
50．．．控制部
100．．．顯影裝置
G1．．．顯影液供應源
G2．．．清洗液供應源
V1、V2．．．閥
W．．．基板
圖1為顯影裝置構造的俯視圖。
圖2為圖1所示顯影裝置的Q-Q線剖面圖。
圖3為顯影液噴嘴的概略立體圖。
圖4為顯影裝置的控制系統方塊圖。
圖5為施行基板顯影處理時，基板旋轉速度、顯影液流量及清洗液流量的變化時序圖。
圖6(a)至(f)為液層形成步驟中，說明相關顯影裝置動作用的示意俯視圖及側視圖。
圖7(a)及(b)為顯影液液層之形成過程的立體圖及側視圖。
圖8為液層形成步驟另一例中，基板旋轉速度、顯影液流量及清洗液流量的變化時序圖。
圖9(a)至(d)為對基板上所供應顯影液的狀態俯視圖及側視圖。
圖10為第3動作例中，基板W的旋轉速度、顯影液流量及清洗液流量的變化時序圖。
圖11(a)至(f)為說明第3動作例的液層形成步驟中，相關基板上之狀態的示意俯視圖及側視圖。
圖12(g)及(h)為說明第3動作例的液層形成步驟中，相關基板上之狀態的示意俯視圖及側視圖。
圖13(a)至(c)為說明液層形成步驟的時點t3~t7期間中，相關其他動作例的側視圖。
圖14為清洗液吐出噴嘴另一例的外觀立體圖。
21．．．顯影液噴嘴
22．．．顯影液吐出口
W．．．基板

Claims (5)

  1. 一種顯影裝置，係具備有：旋轉保持裝置，其乃將基板保持呈水平，且圍繞垂直於該基板的軸進行旋轉；以及顯影液供應部，其乃在基板利用上述旋轉保持裝置進行旋轉之狀態下，由基板中心部至周緣部連續地供應顯影液後，再由基板周緣部至中心部連續地供應顯影液，上述旋轉保持裝置係使基板以第1旋轉速度旋轉之後，將基板之旋轉速度由上述第1旋轉速度降低至第2旋轉速度，上述顯影液供應部係在基板以上述第1旋轉速度進行旋轉之狀態下，由基板中心部至周緣部連續地供應顯影液，並在基板以上述第2旋轉速度進行旋轉之狀態下，由基板周緣部至中心部連續地供應顯影液。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯影裝置，其中，上述顯影液供應部係不對基板外周端部之外側供應顯影液。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之顯影裝置，其中，上述旋轉保持裝置係使基板旋轉速度從上述第2旋轉速度階段式下降。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之顯影裝置，其中，上述旋轉保持裝置係使基板以第3旋轉速度旋轉之後，將基板之旋轉速度由上述第3旋轉速度上升至上述第1旋轉速度，上述顯影液供應部係在基板以上述第3旋轉速度進行旋 轉之狀態下，繼續對基板中心部供應顯影液，在基板旋轉速度由上述第3旋轉速度上升至上述第1旋轉速度後，由基板中心部至周緣部連續地供應顯影液。
  5. 一種顯影方法，係包括有：將基板保持呈水平，且圍繞垂直於該基板的軸進行旋轉之步驟；以及由旋轉的基板之中心部至周緣部連續地供應顯影液後，再由基板周緣部至中心部連續地供應顯影液之步驟；上述供應顯影液之步驟，係包括有：使基板以第1旋轉速度旋轉之後，將基板之旋轉速度由上述第1旋轉速度降低至第2旋轉速度之步驟；以及在基板以第1旋轉速度進行旋轉之狀態下，由基板中心部至周緣部連續地供應顯影液，並在基板以上述第2旋轉速度進行旋轉之狀態下，由基板周緣部至中心部連續地供應顯影液之步驟。
TW098104482A 2008-03-24 2009-02-12 顯影裝置及顯影方法 TWI406108B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008076564A JP5317504B2 (ja) 2008-03-24 2008-03-24 現像装置および現像方法
JP2008076565A JP5323374B2 (ja) 2008-03-24 2008-03-24 現像装置および現像方法
JP2008076566A JP5308045B2 (ja) 2008-03-24 2008-03-24 現像方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200943000A TW200943000A (en) 2009-10-16
TWI406108B true TWI406108B (zh) 2013-08-21

Family

ID=41359504

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102122944A TWI559101B (zh) 2008-03-24 2009-02-12 顯影裝置及顯影方法
TW098104482A TWI406108B (zh) 2008-03-24 2009-02-12 顯影裝置及顯影方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102122944A TWI559101B (zh) 2008-03-24 2009-02-12 顯影裝置及顯影方法

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101075287B1 (zh)
TW (2) TWI559101B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6545464B2 (ja) 2015-01-07 2019-07-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 現像方法
CN109932874A (zh) * 2019-04-25 2019-06-25 北京中科飞鸿科技有限公司 一种提高声表面波器件显影一致性的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260278A (ja) * 1996-03-25 1997-10-03 Sony Corp レジスト現像方法およびレジスト現像装置
JP2006203041A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法及びスピン塗布装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3605545B2 (ja) * 1999-06-09 2004-12-22 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像処理装置
JP3362781B2 (ja) * 2000-02-03 2003-01-07 日本電気株式会社 現像処理方法および装置、現像制御装置、情報記憶媒体
JP4369325B2 (ja) * 2003-12-26 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像処理方法
JP4342957B2 (ja) * 2004-01-07 2009-10-14 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体デバイス製造プロセスにおける現像処理方法およびこれを実施する現像処理装置
JP2006210886A (ja) * 2004-12-28 2006-08-10 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260278A (ja) * 1996-03-25 1997-10-03 Sony Corp レジスト現像方法およびレジスト現像装置
JP2006203041A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法及びスピン塗布装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI559101B (zh) 2016-11-21
TW201341982A (zh) 2013-10-16
KR101075287B1 (ko) 2011-10-19
TW200943000A (en) 2009-10-16
KR20090101816A (ko) 2009-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5698487B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4723001B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、および排液カップの洗浄方法
US7699939B2 (en) Substrate cleaning method
JP6118758B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP5954862B2 (ja) 基板処理装置
JP5486708B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6449097B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2010027816A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI740095B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
TW201703111A (zh) 基板處理裝置及基板處理裝置之控制方法
JP5317505B2 (ja) 基板処理装置
JP5323374B2 (ja) 現像装置および現像方法
JP5308045B2 (ja) 現像方法
JP5317504B2 (ja) 現像装置および現像方法
JP2008109058A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW202131437A (zh) 基板處理裝置
TWI797159B (zh) 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體
TWI406108B (zh) 顯影裝置及顯影方法
JP2007258565A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2008016781A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2004235216A (ja) 基板処理装置及び方法
TWI395282B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI578115B (zh) 負型顯影處理方法及負型顯影處理裝置
JP6077311B2 (ja) ネガティブ現像処理方法およびネガティブ現像処理装置
JP6411571B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体