TWI405272B - 用於半導體封裝體之多功能膠帶及利用該膠帶製造半導體裝置之方法 - Google Patents

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Gyu Seok Song
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Description

用於半導體封裝體之多功能膠帶及利用該膠帶製造半導體裝置之方法 發明背景 1.發明領域
本發明係有關於一種用於半導體封裝體之多功能膠帶及利用該膠帶製造半導體裝置之方法。
 2.相關技術之說明
高容量半導體裝置通常係在品質方面藉一用以增加每單位面積之單位數目的高積體技術，且在量方面藉一透過積層多數晶片之封裝技術來實現。
一般已使用的是一種作為一習知封裝技術之多晶片封裝(MCP)方法。在該MCP方法中，多數晶片藉塗布一結合劑被互相上下積層且透過線結合互相電性連接。因此，整個封裝尺寸會因用於線結合之一空間而變得大於該積層晶片之一空間，因此產生一不必要之空間。
為了解決該MCP方法的這個問題，發展出了一種晶圓級堆疊封裝(WSP)方法。在該WSP方法中，多數矽貫通電極形成在一具有一電路形成於其上之晶圓中且填充一導電材料以在該等層之間提供直接電性連接。
該MCP方法與該WSP方法在量方面藉以一結合劑結合多數晶片且將該等晶片互相上下積層來增加該半導體裝置之容量。在該MCP方法中，由於該等晶片藉線結合互相電性連接，所以各晶片具有一開口電路形成側且具有塗布於其相對側(即，被研磨側)之結合劑以互相連接該等晶片。
因此，該MCP方法需要僅在一背研磨製程時設置在該電路形成側之另一黏著膠帶。接著，在將一具有一黏著劑層及一結合層之膠帶黏著至該晶片與該電路形成側相反之側(被研磨側)後，進行一切割製程及一拾取/晶粒黏著製程。
換言之，在該背研磨製程中使用之黏著膠帶除了它可以用於該背研磨製程以外，並未提供其他功能。
另一方面，在該WSP方法中，由於該等晶片透過貫通電極而非線結合來互相連接，所以必須在該晶片之電路形成側塗布該結合劑，以互相連接該等晶片。
因此，該WSP方法需要一不僅可以應用於該背研磨製程並且可以應用於該切割製程及該拾取/晶粒黏著製程兩者的膠帶，而不是僅可用於該背研磨製程之膠帶。
 發明概要
本發明係欲解決前述問題，且本發明之一方面係提供一種用於一半導體封裝體之多功能膠帶，該多功能膠帶可以在一WSP方法中共同地應用於一背側研磨製程、一切割製程、及/或拾取/晶粒黏著製程。
本發明之另一方面係提供一種利用該多功能膠帶製造半導體裝置之方法。
依據本發明之一實施例，一種用於一半導體封裝體之多功能膠帶包括一在一支持膜一側上之UV可固化黏著劑層；及在該黏著劑層上之第一與第二結合層，其中當進行一研磨相對於其上具有多數裝置之一半導體基板之一裝置形成側之該半導體基板之一側的製程及一將該半導體基板切割成多數獨立晶片的製程時，該多功能膠帶結合於該半導體基板之裝置形成側，且一具有一UV可固化黏著劑層之切割膠帶結合於該半導體基板之被研磨側，並且當藉該切割製程互相分開之晶片被拾取與晶粒黏著時，該多功能膠帶之第一與第二結合層結合於該等獨立晶片。
依據本發明之另一實施例，一種用於一半導體封裝體之多功能膠帶包括一在一支持膜一側上之UV可固化黏著劑層；及在該黏著劑層上之第一與第二結合層，其中當進行一研磨相對於其上具有多數裝置之一半導體基板之一裝置形成側之該半導體基板之一側的製程及一將該半導體基板切割成多數獨立晶片的製程時，該多功能膠帶結合於該半導體基板之裝置形成側，且一具有一UV可固化黏著劑層之切割膠帶結合於該半導體基板之被研磨側，並且當藉該切割製程互相分開之晶片被拾取與晶粒黏著時，該多功能膠帶之第一與第二結合層結合於該等獨立晶片。
依據本發明之又一實施例，一種製造一半導體裝置之方法包括將一多功能膠帶結合於一具有多數凸塊(電路圖案)形成於其上之半導體基板的一側上，且該多功能膠帶包含一在一支持膜之一側上的UV可固化黏著劑層、及在該黏著劑層上之第一與第二結合層；研磨該半導體基板之一背側；將一切割膠帶結合於該半導體基板之被研磨側；將該半導體基板切割成多數獨立晶片；在移除該切割膠帶後，拾取該等第一與第二結合層與其結合之該等晶片；及利用該等第一與第二結合層進行該等晶片之晶粒黏著。
依據本發明之再一實施例，一種製造一半導體裝置之方法包括將一多功能膠帶結合於一具有多數凸塊(電路圖案)形成於其上之半導體基板的一側上，且該多功能膠帶包含一在一支持膜之一側上的UV可固化黏著劑層、及在該黏著劑層上之第一與第二結合層；研磨該半導體基板之一背側；將一切割膠帶結合於該半導體基板之被研磨側；將該半導體基板切割成多數獨立晶片；拾取該等第一與第二結合層與其結合之該等晶片；及利用該等第一與第二結合層進行該等晶片之晶粒黏著。
圖式簡單說明
本發明之前述與其他方面、特徵與優點將可由連同附圖提出之以下示範性實施例的說明來了解，其中：第1圖是本發明一實施例之一用於半導體封裝體之多功能膠帶的截面圖；第2至9圖是本發明第一實施例之一製造一半導體裝置之方法的截面圖；及第10至15圖是本發明第二實施例之一製造一半導體裝置之方法的截面圖。
 實施例之詳細說明
以下將參照附圖詳細說明本發明之示範性實施例。
請參閱第1圖，其係本發明一實施例之一用於半導體封裝體之多功能膠帶的截面圖，該多功能膠帶包括一支持膜100、一黏著劑層110、一第一結合層105、一第二結合層120、及一保護膜130。
在此，該用語“結合層”表示一可黏著至一物體且可在固化等之後由該物體移除之層，且一UV可固化黏著劑表示一將被塗布於一半導體晶圓等且可藉UV照射而固化並由該半導體晶圓等剝離之黏著劑。
此外，該結合層表示一半導體晶圓將與其結合之一層，且當將該半導體晶圓切割成多數獨立晶片且拾取該等晶片時，該結合層與該黏著劑層分離但與該等獨立晶片結合，且在該等晶片被固定於一板或引線框時可作為一結合劑使用。
又，該黏著劑層表示一相對於一物體具有比該結合層低之剝離力，且可被用來暫時接合的層。
由於本發明之多功能膠帶可始終如一地在該背研磨製程、切割製程及晶粒結合製程中，所以當該多功能膠帶被應用於以一塗布於一半導體晶圓之一電路形成側之結合劑進行晶粒黏著之WSP方法時是有利的。
<支持膜>
首先將說明這實施例之多功能膠帶10之支持膜100。
該支持膜100實質上與一通常用於該背研磨製程之習知膠帶的支持膜相同。
各種塑膠膜可作為該背研磨製程用之膠帶之支持膜使用，例如，一熱塑性可膨脹塑膠膜可作為該支持膜使用。
當一具有一電路設計之晶圓在該背研磨製程期間受到物理衝擊時，在該寬度中會形成裂紋或該晶圓可能會破裂。
如此，該支持膜具有熱塑性與可膨脹性，以於該背研磨製程期間藉吸收與減輕該衝擊來保護該晶圓。
又，該支持膜可讓紫外線透過。特別地，由於該黏著劑層110是一UV可固化黏著劑組成物，所以該支持膜可在該黏著劑複合物可固化之波長中展現良好之紫外線透射性。
因此，該支持膜100不含有一UV吸收劑等。
該支持膜100具有一化學穩定性，即，由於該支持膜在拋光時接觸CMP漿液且在背研磨時受到物理衝擊，所以該支持膜形成為具有化學穩定性。
由於如聚烯烴聚合物等聚合物具有化學穩定性，所以該等聚合物適用於作為該支持膜100。
用於該支持膜之聚合膜之例子包括如聚乙烯、聚丙烯、乙烯/丙烯共聚物、聚丁烯-1、乙烯/乙烯醋酸乙酯共聚物、聚乙烯/苯乙烯丁二烯橡膠之混合物、聚氯乙烯膜等聚烯烴系膜。
該支持膜可包含如聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)等塑膠；如聚胺基甲酸乙酯、聚醯胺-聚醇共聚物等熱塑性彈性體；或其混合物。
該支持膜100可具有一多層結構，以改善一相對該黏著劑層之結合力或改善在該背研磨製程時之衝擊吸收性。
該支持膜可以藉混合與熔化多數聚烯烴晶片以產生一聚烯烴熔融物、接著押出或吹塑該聚烯烴熔融物來製備。
該支持膜之耐熱與機械性質將依據所混合之晶片種類來決定，且該支持膜可接受表面修改以改善相對該多功能膠帶10之結合力。
該表面修改可以是一物理或化學製程。物理製程之一例包括一電漿製程，且化學製程之一例包括一線上塗布(in-line coating)製程、一塗底層製程等。在這實施例中，該支持膜之表面修改係藉一電暈放電製程來進行，以便讓該黏著劑層110可被塗布於其上。
該支持膜100可具有滿足可加工性之30~300μm之厚度及UV透射性。
該支持膜100之厚度不足會使該支持膜因UV照射時之熱而變形且無法充分地減輕由該背研磨製程所產生之衝擊。如果該支持膜100之厚度大於300μm，則一單捲筒或一最終產品實務上具有一小於其厚度之長度，因此不利地增加用於更換捲筒之時間。
該支持膜100可具有50~200μm之厚度以填滿形成有多數凸塊之晶圓表面，以提供劇烈之凹凸。
<黏著劑層>
以下將說明該實施例之多功能膠帶10的UV可固化黏著劑層110。
雖然該黏著劑層110不限於一特殊材料，但是在UV照射前與後之性質對於選擇用於該黏著劑層110之材料是重要的。在UV照射前，該黏著劑層110展現強大黏著力，藉將該等第一與第二絕緣結合層105、120及該晶圓強力地固持於該黏著劑層110上，以防止該晶圓由於振動或移動而受損且防止如CMP等化學材料在該背研磨製程時侵入在各層間之表面。此外，在UV照射後，該黏著劑層展現一更高之內聚力且因一交聯反應而收縮，使該黏著劑層110與該支持膜100可以藉捲筒形結合膠帶透過明顯減少該黏著劑層110對該第一絕緣結合層105之結合力，由結合於該等第一與第二絕緣結合層105、120之該晶圓上剝離。換言之，只要可滿足在該UV照射前與後之前述性質，該黏著劑層110可使用任何材料。
通常，用於該背研磨製程中之一膠帶之黏著劑層110可包含一UV可固化組成物及一非UV可固化組成物。
在一用於該背研磨製程之一般膠帶中，該非UV可固化組成物提供在UV照射前一相當低結合力，使得該黏著劑層可以藉一捲筒形結合膠帶在沒有UV照射之情形下輕易地由該晶圓上剝離。
但是，在該WSP方法中，該黏著劑層110必須由為一有機界面之第一絕緣結合層105上剝離。在此情形下，由於包含該非UV可固化組成物之黏著劑層並未被該捲筒狀結合膠帶實質地剝離，所以使用該UV可固化組成物作為在該WSP方法中使用之一膠帶之一黏著劑層。
有兩種UV可固化組成物，其中一種是UV可固化丙烯酸酯與一用以形成且支持一塗層之丙烯酸黏著黏合劑的混合組成物。另一種組成物是一其中UV可固化丙烯酸酯被提供至一丙烯酸黏著黏合劑之一側鏈上的結構。
當該混合組成物塗布於用於該背研磨製程中之一般膠帶時，由於該膠帶之一目標構件是一如晶圓之無機材料，所以主要由低分子量材料構成之UV可固化丙烯酸酯沒有轉變。因此，在該黏著劑層與該晶圓間之結合力在照射UV後明顯降低，使該黏著劑層可以藉該捲筒狀結合膠帶被剝離。
但是，在一用於該WSP方法中之膠帶中，由於該黏著劑層110接觸一如該第一絕緣結合層105之有機界面，所以該黏著劑層之混合組成物使低分子量丙烯酸酯一部份轉變成該第一絕緣結合層105且該丙烯酸酯在轉變時被UV射線固化，藉此於照射UV後，使在該等層之間結合力增加。
如此，依據本發明，該黏著劑層110可具有其中該UV可固化碳-碳雙鍵被提供至丙烯酸黏著黏合劑之一側鏈上而非該混合組成物上之結構。
其中具有一碳-碳雙鍵之低分子量材料係經由一化學反應被提供至一展現黏著性質之黏著劑樹脂之一側鏈上，以具有似一單一分子之行為的結構係被稱為一本質黏著組成物。
該本質黏著組成物係藉聚合一黏著劑樹脂及將一碳-碳雙鍵提供至該經聚合黏著劑樹脂來製備。
用以在該本質黏著組成物中提供一具有一碳-碳雙鍵之低分子量丙烯酸酯的反應機構如下。
該反應機構可以藉多數官能基之多種組合獲得，如一羧酸基與一環氧基之組合、一羥基與一異氰酸酯基之組合、一羧基與一胺基之組合等，該等組合可輕易聚合至一丙烯酸側鏈。
此外，可使用任何官能基之組合，只要該組合使該反應機構可提供一具有該碳-碳雙鍵之低分子量丙烯酸酯至一黏著劑聚合物之一側鏈即可。各官能基可以選擇性地應用於該黏著劑聚合物黏合劑或低分子量丙烯酸酯。
依據本發明之一實施例，該本質黏著黏合劑具有100,000~1,000,000之分子量且係藉透過一胺基甲酸酯反應將一具有該碳-碳雙鍵且含有一末端異氰酸酯基之低分子量丙烯酸酯提供至一黏合劑共聚物之一側鏈上來製備。
該UV可固化黏著劑組成物可藉混合一熱固劑、一光起始劑等及該經製備黏著黏合劑來製備。
可使用任何種類之熱固劑，只要它可以經由反應固化且一官能基被提供至該黏著黏合劑之側鏈即可。
如果被提供至該側鏈上之官能基是一羧基，則可使用一環氧固化劑作為該熱固劑，且如果被提供至該側鏈上之官能基是一羥基，則可使用一異氰酸酯固化劑。
此外，可使用一蜜胺固化劑作為該熱固劑。又，可使用選自於該環氧固化劑、該異氰酸酯固化劑、該蜜胺固化劑之至少兩固化劑。
該熱固劑必須添加至該黏著劑層，以提供一相對該聚烯烴支持膜之結合力。
可使用包括酮與苯乙酮系光起始劑之任何種類的光起始劑，只要它使分子鏈可被UV射線打斷以產生自由基即可。
當該光起始劑被包含在該黏著劑層中時，在該黏著黏合劑中之側鏈之碳-碳雙鍵因該等自由基而進行一交聯反應，使該黏著劑層之玻璃轉移溫度上升，使得該黏著劑層喪失黏性。
因此，該黏著劑層可以用極小之力由該第一絕緣結合層105上剝離。
該黏著劑層110可藉直接塗布法形成在該支持膜100上，或可在將該黏著劑層塗布至一離型膜且乾燥該黏著劑層後，被轉印至該支持膜100上。
當該黏著劑層被直接塗布在該聚烯烴支持膜上時，該黏著劑層通常在等於或大於60℃下乾燥，這可使該聚烯烴支持膜在通過一乾燥器時明顯地收縮，因此產生尺寸之不穩定性。因此，該黏著劑層通常是藉轉移塗布而形成在該支持膜上。
無論是前者或後者，包括桿塗布法、照相凹版塗布法、刮刀式塗布法、反輥塗布法、塗布器塗布法、噴塗法等任何塗布法均可被用來形成該黏著劑層110，只要它可以在該支持膜上形成該黏著劑層即可。
<第一結合層>
在這實施例之多功能膠帶中，該黏著劑層110被塗布在該支持膜100上，且該第一(絕緣)結合層105係積層在該黏著劑層110上。
該第一絕緣結合層105係設計成使其一部份可以被紫外線固化，以不僅使該黏著劑層110且亦使接觸該黏著劑層110之第一絕緣結合層105可以藉照射UV而被固化，藉此大幅增強該多功能膠帶之剝離特性。
由於該第一絕緣結合層105係作為一用以最終結合上與下晶片之結合劑，它具有可以滿足一半導體封裝級之可靠性的性質。此外，該第一絕緣結合層105具有用於封裝之加強可加工性，即，用以在背研磨後未對該等結合層造成破壞之情形下，由該等第一與第二絕緣結合層105、120上移除該支持膜100與該黏著劑層110之加強剝離特性。
類似於該第二絕緣結合層120，該第一絕緣結合層105亦在大約60℃下與具有一電路設計與劇烈凹凸之晶圓表面結合，且於切割後在大約200℃下進行晶粒黏著至如一引線框或PCB等支持基材。
任何組成物均可被用來作為該第一絕緣結合層105，只要它可以維持在該等上與下晶片間之結合力且滿足一半導體封裝級之可靠性。
這是因為不論在製程中是否需要改善剝離特性，當該等晶片在該WSP方法中被堆疊成多層時，該第一絕緣結合層105亦在一側處結合至該晶圓等且其另一側接觸該第二絕緣結合層120。
依據本發明之一實施例，該第一絕緣結合層105包含具有膜形成性及一高分子量之一丙烯酸樹脂與作為一固化部份之一環氧樹脂的一混合物。
由於該第一絕緣結合層105與該第二絕緣結合層120兩者均作為膜型結合劑，所以在該等第一與第二絕緣結合層105與120中使用一具有良好膜形成性之熱塑性樹脂及一提供一結合力之固化部份。
依據本發明之一實施例，使用該丙烯酸樹脂作為該熱塑性樹脂。該丙烯酸樹脂包括一丙烯酸橡膠，該丙烯酸橡膠是丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯與丙烯腈之一共聚物。
任何環氧樹脂均可用來作為該第一絕緣結合層，只要它可以在一固化狀態提供該結合力即可。在此，由於必須具有兩或多個官能基來進行一固化反應，所以該環氧樹脂可以選自於由一雙酚A型環氧樹脂、一酚系酚醛清漆環氧樹脂、及甲酚酚醛清漆環氧樹脂構成之群組。
此外，該第一絕緣結合層105可包含一用以固化該環氧樹脂之固化加速劑。該固化加速劑可選自於由咪唑固化加速劑、胺固化加速劑、酚醛固化加速劑等構成之群組。
該丙烯酸樹脂、該環氧樹脂、及該固化加速劑在固化時必須具有低吸水性。該第一絕緣結合層105可更包含如二氧化矽等無機粒子，以改善尺寸穩定性與耐熱性。
如有需要，該第一絕緣結合層105可更包含一矽烷偶合劑。
除了提供該半導體封裝級之可靠性的組成物以外，該第一絕緣結合層105亦包含一具有碳-碳雙鍵之UV可固化聚合物。
即使當在該第一絕緣結合層105上之黏著劑層110因UV硬化而具有較小黏性時，它也不容易利用該捲筒狀結合膜由該晶圓等上剝離。如此，該第一絕緣結合層105藉照射UV而被固化，以改善剝離特性。
依據本發明之一實施例，一添加至該第一絕緣結合層105且具有該碳-碳雙鍵之化合物可以是一聚合物材料。
即使在UV固化之情形中，如多數寡聚物或單體之低分子量化合物亦可能會部份地轉變成與該等低分子量化合物接觸之黏著劑層110，且於轉變時在該黏著劑層與該等低分子量化合物間之一界面處藉照射UV而被固化，藉此在照射UV後明顯地破壞剝離特性。
依據本發明之一實施例，一具有被提供至一聚合物鏈之碳-碳雙鍵的聚合物化合物被用來作為被添加至該第一絕緣結合層105之UV可固化化合物。
依據本發明之一實施例，該UV可固化聚合物化合物是一黏著黏合劑，該黏著黏合劑具有100,000~1,000,000之分子量且係藉透過一胺基甲酸酯反應提供一具有一碳-碳雙鍵並包含一末端異氰酸酯基之低分子量物質至一黏合劑之一側鏈來製備。
相對於100重量份之結合層的主要組分，即，該丙烯酸樹脂、該環氧樹脂及該固化加速劑，該第一絕緣結合層105包含0.1~10重量份之UV可固化聚合物化合物。
若該UV可固化聚合物化合物之量少於0.1重量份，則該第一絕緣結合層105不會進行該UV固化反應。因此，黏性不會明顯減少且在該黏著劑層110與該第一絕緣結合層105之間的剝離特性不會改善。若該UV可固化聚合物化合物之量超過10重量份，則該第一絕緣結合層105與該等晶片之結合力會降低。
由於該UV可固化化合物被添加至該第一絕緣結合層105中，所以必須添加用以在照射UV時完成一自由基固化反應之光起始劑。
該光起始劑可以相對100重量份之UV可固化化合物以0.1~5重量份之量添加。
在照射UV後，在該第一絕緣結合層105與該黏著劑層110之間的一180度平均剝離力是等於或小於0.01N/25mm。
如同在該黏著劑層110中一般，該第一絕緣結合層105可藉任何可形成一均一塗層之塗布方法形成。
該第一絕緣結合層105可具有1~100μm之厚度，且可具有2~30μm之厚度。如果該第一絕緣結合層105具有等於或小於2μm之厚度，則它不會在該等上與下晶片間展現一適當結合力。另一方面，該第一絕緣結合層105之厚度大於30μm將增加該半導體封裝體之尺寸。在此，該第一絕緣結合層105之厚度增加超過30μm將使得當將該等晶片互相結合或將一晶片結合至一基材時難以達成厚度均一性，且將造成如在使用一液體結合劑時一般的填角(fillet)現象，因此破壞半導體封裝之可靠性。
<第二結合層>
接著將說明該多功能膠帶10之第二(絕緣)結合層120。
該第二絕緣結合層120是一直接接觸該晶圓表面之結合層。在該WSP中，該第二絕緣結合層120在積層時未在其上具有多數凸塊與劇烈凹凸之晶圓表面上產生一空洞，且使該等上與下晶片可以透過晶粒黏著而強力地互相結合。
換言之，由於該第二絕緣結合層120最後互相結合該等上與下晶片，所以它具有可以滿足一半導體封裝級之可靠性的性質。此外，該第二絕緣結合層120具有用於封裝之加強可加工性，即，它填充具有在一安裝製程中不會在該晶圓表面上產生一空洞之凹凸的晶圓表面，藉此防止在一切割製程中產生碎屑或裂紋及即使在晶粒黏著後亦因膨脹而破壞可靠性。
該第二絕緣結合層120係在大約60℃下與形成有多數電路凸塊之晶圓表面結合。
該第二絕緣結合層120可具有一在60℃時之0.1~10MPa之儲存模數。
如果該第二絕緣結合層120具有一小於在60℃時之0.1MPa之儲存模數，則可能會由於過高之流體性而產生該填角現象。如果該第二絕緣結合層120具有一在60℃時之大於10MPa之儲存模數，則它沒有適當之流體性與黏度可在60℃之安裝溫度下充份地填滿具有該等凸塊之晶圓表面。
在這實施例中，該第二絕緣結合層120之組分類似於該第一絕緣結合層105之組分。
類似於該第一絕緣結合層105，該第二絕緣結合層120包含具有膜形成性及一高分子量之一丙烯酸樹脂與作為一固化部份之一環氧樹脂的一混合物。
在此，該第二絕緣結合層120不含有被添加至該第一絕緣結合層105之該UV可固化聚合物化合物及該光起始劑。
由於該第二絕緣結合層120亦作為一膜型結合劑，所以在該第二絕緣結合層120中使用一具有良好膜形成性之熱塑性樹脂及一提供一結合力之固化部份。
如同在該第一絕緣結合層105中一般，該第二絕緣結合層120含有該丙烯酸樹脂作為該熱塑性樹脂。
該丙烯酸樹脂之一例包括一丙烯酸橡膠，且該丙烯酸橡膠是丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯與丙烯腈之一共聚物。
任何環氧樹脂均可用來作為該第二絕緣結合層，只要它可以在一固化狀態提供該結合力即可。在此，由於必須具有兩或多個官能基來進行一固化反應，所以該環氧樹脂可以選自於由一雙酚A型環氧樹脂、一酚系酚醛清漆環氧樹脂、及甲酚酚醛清漆環氧樹脂構成之群組。
此外，該第二絕緣結合層120可包含一用以固化該環氧樹脂之固化加速劑。該固化加速劑可選自於由咪唑固化加速劑、胺固化加速劑、酚醛固化加速劑等構成之群組。因此，該第二絕緣結合層120係主要由作為該黏合劑之丙烯酸樹脂、作為該固化部份之環氧樹脂、及用以固化該環氧樹脂之固化加速劑。為了讓該第二絕緣結合層120可以如前所述地具有在60℃時之0.1~10MPa之儲存模數，在該第二絕緣結合層120中用來作為該黏合劑之丙烯酸樹脂可以相對100重量份之第二絕緣結合層120之其他組分，以30~70重量份之量添加，且具有-20~20℃之玻璃轉移溫度。
當該丙烯酸樹脂具有-20~20℃之玻璃轉移溫度時，該第二絕緣結合層120可提供足夠之流體性來在一60℃之安裝溫度下填滿其上具有該凸塊之凹凸表面。但是，即使當該丙烯酸樹脂具有-20~20℃之玻璃轉移溫度時，該丙烯酸樹脂相對100重量份之第二絕緣結合層120之其他組分，添加少於30重量份之量會難以捲繞該多功能膠帶，因為該膜狀結合劑可能會因缺乏該丙烯酸黏合劑之一絕對量與膜形成能力而破裂。該丙烯酸樹脂添加量超過70重量份會造成該結合層之過高流體性，因此破壞尺寸穩定性並且在該等晶片結合至該結合層時產生該填角現象。
該第二絕緣結合層120可更包含如二氧化矽等無機粒子，以改善尺寸穩定性與耐熱性。
特別地，接觸該晶圓表面之第二絕緣結合層120可包含至少一矽烷偶合劑或多數矽烷偶合劑之一混合物，以增加一相對該晶圓之結合力。如同在該黏著劑層110與該第一絕緣結合層105中一般，該第二絕緣結合層120可藉任何塗布製程形成，只要它可以形成一均一塗層即可。
該第二絕緣結合層120可具有1~100μm，且最好是2~30μm之厚度。該第二絕緣結合層120之厚度小於2μm無法為在該等晶片間之結合層提供一適當之結合力，且該第二絕緣結合層120之厚度大於30μm將增加一半導體封裝體尺寸，而這與該半導體封裝體之密實與輕量的趨勢不符。
<保護膜>
以下將說明依據本發明實施例之多功能膠帶的保護膜130。
依據該實施例，可使用任何保護膜作為該保護膜130，只要它可以保護形成為該膜最外部之第二絕緣結合層120不受外來物質或撞擊之傷害。
通常，一用以塗布該第二絕緣結合層之流動膜被用來作為該保護膜130。
由於該保護膜在該半導體封裝製程時由該多功能膠帶上移除，所以通常使用一聚對苯二甲酸乙二酯，以確使該保護膜由其上輕易分離。
該保護膜130可以利用聚二甲基矽氧烷或氟離型劑接受表面改質，以具有離型性質。
以下將參照附圖說明使用依據本發明實施例之前述多功能膠帶製造一半導體裝置的方法。
第2至9圖是依據本發明之第一實施例製造一半導體裝置之方法的截面圖。
在以下說明中，類似元件係於所有圖中以相似符號表示，且重覆之說明將予以省略。
第2圖所示之本發明的一多功能膠帶包括一支持膜100、一黏著劑層110、一第一結合層105、一第二結合層120、及一將在該封裝製程中移除之保護膜130(見第1圖)。
一半導體晶圓200包括多數半導體裝置，且多數凸塊(金屬突起)210形成在該等半導體裝置上。
該多功能膠帶黏著在該晶圓200之一電路形成側。詳而言之，該多功能膠帶黏著於該電路形成側，使得該等凸塊210被埋置在該等第一與第二結合層105與120中(見第3圖)。
在此，為了增加結合力及防止產生空洞，將該多功能膠帶加熱至一預定溫度。
接著，該晶圓200之背側被研磨至一由一虛線所表示之深度(見第4圖)。
又，一用以切割之黏著膠帶203結合至該晶圓200之被研磨側。然後，在該晶圓上之多數半導體裝置藉切割被分成多數獨立晶片(見第6圖)。在此，用以切割之黏著膠帶203形成有一UV可固化黏著劑層204。
切割可以藉刀片切割或雷射切割進行。由於在刀片切割或雷射切割時會產生熱，所以噴射大量的水以進行散熱。因此，即使在切割時產生熱，該等第一與第二結合層105、120中不會黏附在該晶圓上。此外，由於該等第一與第二結合層105、120具有一低吸水率，它們實質上不會受水影響。
然後，照射紫外線以固化該等黏著劑層110、204且接者進行一擴大製程以擴大在該等被切割晶片間之分開距離，使得該等晶片可以輕易地被拾取(見第7圖)。
最後，由該多功能膠帶上依序移除該切割膠帶203、該支持膜100及該黏著劑層110，並拾取具有該等第一與第二結合層105與120之晶片(見第8圖)。
在此，該等第一與第二結合層105與120被用來作為在一半導體封裝中之晶片結著或黏著製程中之結合劑，以製造半導體裝置。
第10至15圖是依據本發明第二實施例製造一半導體裝置之方法的截面圖。
請參閱第10圖，首先製備一具有與前述實施例相同構形之多功能膠帶、及一具有多數凸塊210之半導體晶圓200。
接著，該多功能膠帶黏著於該晶圓200之一電路形成側(見第11圖)，且該晶圓200之背側被研磨至一以一虛線表示之深度(見第12圖)。
然後，在沒有另一切割膠帶之情形下，利用該多功能膠帶進行切割，以將在該晶圓200上之多數半導體裝置切割成多數獨立晶片(見第13圖)。
接著，照射紫外線以固化該等黏著劑層110、204且進行一擴大製程以擴大在該等被切割晶片間之分開距離，使得該等晶片可以輕易地被拾取(見第14圖)。
最後，由該多功能膠帶拾取具有該等第一與第二結合層105與120黏著於其上之晶片(見第15圖)。
在此，該等第一與第二結合層105與120被用來作為在一半導體封裝中之晶片結著或黏著製程中之結合劑，以製造半導體裝置。
在第10至15圖所示之實施例中，利用一單一多功能膠帶一致地進行該背研磨製程、該切割製程、及該晶粒黏著製程。
以下將參照不限制本發明而僅作說明用之多數例子詳細說明。
<例子> 1.製備一黏著劑層A-1
將一迴流冷凝器、一溫度計、及一滴板裝設至一其中注入有220g乙酸乙酯與150g甲苯之4頸燒瓶。
在使在該燒瓶中之溶液的溫度上升至60℃後，將甲基丙烯酸甲酯118g、丙烯酸丁酯單體75g、2-乙酸乙基己酯187g、2-羥乙基丙烯酸甲酯120g、丙烯酸30g、及過氧化苯甲醯2.0g經由該滴板於90℃下以3小時逐滴地加入該燒瓶中。
當添加該混合物時，以250rpm攪拌該溶液，且接著在相同溫度下使該反應物反應3小時。然後，再將偶氮異丁腈添加至該燒瓶中之反應物，接著維持5小時，藉此完成聚合反應。
然後，將15g之異氰乙基丙烯酸甲酯添加至所製備聚合物黏合劑樹脂，且與其在室溫下反應24小時，藉此製備一本質黏著黏合劑CA-100。
該本質黏著黏合劑CA-100具有8000cp之黏度且含有40%固體粒子。
接著，藉將8g之聚異氰酸酯固化劑AK-75(Aekyung Chemical Co.,Ltd.)與1g之IC-184(Ciba-Geigy Ltd.)添加至100g之含有40%固體粒子且具有400,000之重量平均分子量的本質黏著黏合劑CA-100。
利用一塗布器於一38微米PET離型膜SRD-T38(Saehan Media Co.,Ltd.)之一側上，塗布該UV可固化黏著劑組成物，且在80℃乾燥2分鐘。接著，於60℃在一100微米PO膜(OD-100 Riken Techons,Co.,Ltd.)上積層後，於一烘爐中以40℃使該UV可固化黏著劑組成物老化三天，藉此製備一黏著劑層A-1。
2.製備一第一絕緣結合層B-1
在利用260g之丙烯酸樹脂WS-023(羥值或酸值為20mgKOH/g、Tg為-5℃、平均分子量為500,000、OH或COOH含量為20，Nagasechemtech Co.,Ltd.)、120g之甲酚酚醛清漆環氧樹脂YDCN-500-4P(分子量等於或小於10,000，Kukdo Chemical Co.,Ltd.)、40g之甲酚酚醛清漆固化劑MEH-7800SS(Maywa Plastic Industries Co.,Ltd.)、0.1g之咪唑固化加速劑2P4MZ(Shikoku Chemical Industries Co.,Ltd.)、0.5g之氫硫基矽烷偶合劑KBM-803(Shinetsu Chemical Co.,Ltd.)、0.5g之環氧矽烷偶合劑KBM-303(Shinetsu Chemical Co.,Ltd.)、20g之非晶質二氧化矽填料OX-50(Degussa)、8g之本質黏著黏合劑CA-100、及0.1g之IC-184(Ciba-Geigy)來製備一混合物後，首先以500rpm分散該混合物大約2小時，接著研磨該混合物。
在研磨後，利用一塗布器將所獲得之反應物在一38微米PET離型膜SRD-T38(Saehan Media Co.,Ltd.)之一側上塗布至10微米，且在80℃下乾燥2分鐘。在80℃下在該38微米PET離型膜SRD-T38(Saehan Media Co.,Ltd.)上積層後，於室溫下將所得產物老化三天，藉此製備一第一絕緣結合層B-1。
3.製備一第二絕緣結合層C-1
在利用150g之丙烯酸樹脂SG-80H(重量平均分子量為350,000、Tg為7.5℃，Nagasechemtech Co.,Ltd.)、150g之甲酚酚醛清漆環氧樹脂YDCN-500-90P(分子量等於或小於10,000，Kukdo Chemical Co.,Ltd.)、20g之甲酚酚醛清漆固化劑MEH-7800SS(Maywa plastic Industries Co.,Ltd.)、0.8g之咪唑固化加速劑2P4MZ(Shikoku Chemical Industries Co.,Ltd.)、0.4g之環氧偶合劑KBM-303(Shinetsu Chemical Co.,Ltd.)、及40g之非晶質二氧化矽填料OX-50(Degussa)來製備一混合物後，首先以500rpm分散該混合物大約2小時，接著研磨該混合物。
在研磨後，利用一塗布器將所獲得之反應物在一38微米PET離型膜SRD-T38(Saehan Media Co.,Ltd.)之一側上塗布至10微米。在80℃下在該38微米PET離型膜SRD-T38(Saehan Media Co.,Ltd.)上積層後，於室溫下將所得產物老化三天，藉此製備一第二絕緣結合層C-1。
4.製備一結合膜D-1
使用一積層器依序積層所製備之黏著劑層A-1、該第一絕緣結合層B-1、及該第二絕緣結合層C-1，藉此製造一結合膜D-1。
<比較例1>
1.在以100g之丙烯酸黏著黏合劑AT-2842(重量平均分子量為600,000、Tg為-50℃，Samwon Chemicals Co.,Ltd.)與80g之6官能基胺基甲酸酯丙烯酸酯U-324A(Shinnakamura Co.,Ltd.)製備一混合物後，將1g之聚異氰酸酯固化劑L-45(Nippon Polyurethane Co.,Ltd.)與1.8g之IC-184(由Ciba-Geigy Ltd.取得)加入該混合物，藉此製備一UV可固化黏著劑組成物。接著，利用一塗布器將該UV可固化黏著劑組成物塗布在一38微米PET離型膜SRD-T38(Saehan Media Co.,Ltd.)之一側上至10微米。接著，於60℃在一100微米PO膜(OD-100 Riken Techons,Co.,Ltd.)上積層後，於一烘爐中以40℃使該UV可固化黏著劑組成物老化三天，藉此製備一黏著劑層a-1。
除了該黏著劑層a-1以外，以與該例子相同之方法製備一第一結合膜B-1與一第二結合膜C-1。接著，使用一積層器依序積層所製備之黏著劑層a-1、該第一絕緣結合層B-1、及該第二絕緣結合層C-1，藉此製造一結合膜d-1。
<比較例2>
除了比較例2在製備該第一結合層時未使用該UV固化劑(光起始劑)IC-184以外，以與該例子相同之方法製備比較例2。
<比較例3>
1.在利用150g之丙烯酸樹脂KLS-1045(重量平均分子量為750,000、Tg為30℃，Huzikura Co.,Ltd.)、150g之甲酚酚醛清漆環氧樹脂YDCN-500-90P(分子量等於或小於10,000，Kukdo Chemical Co.,Ltd.)、20g之甲酚酚醛清漆固化劑MEH-7800SS(Maywa Plastic Industries Co.,Ltd.)、0.8g之咪唑固化加速劑2P4MZ(Shikoku Chemical Industries Co.,Ltd.)、0.4g之環氧偶合劑KBM-303(Shinetsu Chemical Co.,Ltd.)、及40g之非晶質二氧化矽填料OX-50(Degussa)來製備一混合物後，首先以500rpm分散該混合物大約2小時，接著研磨該混合物。
在研磨後，利用一塗布器將所獲得之反應物在一38微米PET離型膜SRD-T38(Saehan Media Co.,Ltd.)之一側上塗布至10微米，且在80℃下乾燥2分鐘。在80℃下在該38微米PET離型膜SRD-T38(Saehan Media Co.,Ltd.)上積層後，於室溫下將所得產物老化三天，藉此製備一第二絕緣結合層c-1。
除了該第二絕緣結合層c-1以外，以與該例子相同之方法製備一黏著劑層A-1與一第一結合膜B-1。接著，使用一積層器依序積層所製備之黏著劑層A-1、該第一絕緣結合層B-1、及該第二絕緣結合層c-1，藉此製造一結合膜d-3。
<比較例4> 1.製備一單一結合層c-2
在利用150g之丙烯酸樹脂WS-023(羥值或酸值為20mgKOH/g、Tg為-5℃、平均分子量為500,000、OH或COOH含量為20，Nagasechemtech Co.,Ltd.)、150g之甲酚酚醛清漆環氧樹脂YDCN-500-90P(分子量等於或小於10,000，Kukdo Chemical Co.,Ltd.)、20g之甲酚酚醛清漆固化劑MEH-7800SS(Maywa Plastic Industries Co.,Ltd.)、0.8g之咪唑固化加速劑2P4MZ(Shikoku Chemical Industries Co.,Ltd.)、0.4g之環氧矽烷偶合劑KBM-303(Shinetsu Chemical Co.,Ltd.)、及40g之非晶質二氧化矽填料OX-50(Degussa)來製備一混合物後，首先以500rpm分散該混合物大約2小時，接著研磨該混合物。
在研磨後，利用一塗布器將所獲得之反應物在一38微米PET離型膜SRD-T38(Saehan Media Co.,Ltd.)之一側上塗布至10微米，且在80℃下乾燥2分鐘。在80℃下在該38微米PET離型膜SRD-T38(Saehan Media Co.,Ltd.)上積層後，於室溫下將所得產物老化三天，藉此製備一單一結合層c-2。
除了該單一結合層c-2以外，以與該例子相同之方法製備一黏著劑層A-1。接著，使用一積層器依序積層所製備之黏著劑層A-1與該單一結合層c-2，藉此製造一結合膜d-4。
例子與比較例1~4之結合膜D1、d1、d2、d3與d4之性質被評價如下。
<用以評價結合膜之性質之測試> 晶圓之背研磨性質(BG)
藉一背研磨裝置將該例子與比較例1~4之各結合膜安裝在一720微米晶圓，且將該等支持膜之背側研磨至80微米之深度。測試之結果測定如下。
在晶圓上無損壞且無微裂紋O
在晶圓上有損壞且有微裂紋X
在黏著劑層與該第一絕緣結合層之間的180度平均剝離力(PF)(在UV固化前與後)
依據JIS Z0237進行一180度平均剝離測試
在對由該例子與比較例1~4之結合膜所獲得試樣照射UV後，將各試樣切割成25mm×150mm之尺寸。
利用一鑷子將在各試樣之黏著劑層與第一絕緣結合層的一界面分離，接著，以一10N測壓器將該試樣夾在Instron Series IX/s Automated Materials Tester-3343之上與下夾具之間，且以300mm/分之拉動速度剝離以測量剝離之負載。
使用DS-MUV128-S1(Daesung Engineering Co.,Ltd.)，藉由具有70W/cm之照明強度之高壓水銀燈照射UV光線以300mJ/cm2 之強度進行UV照射3秒鐘。在該UV照射前與後測量5試樣之180度平均剝離力。
黏著劑層與支持膜之剝離特性(PC)
在由本發明與比較例之結合膜移除保護膜之後，使用一由Aaron Co.,Ltd.取得之Mounter AR-08WM，將各結合膜於60℃安裝在一8英吋晶圓之一側上。
接著，將25mm×300mm之丙烯酸結合膠帶(Seotong OPP Tape)熱壓至附著有該結合膜之該晶圓之一支持膜平面。(在此，僅加壓具有300mm之結合膠帶中之200mm)。
使用DS-MUV128-S1(Daesung Engineering Co.,Ltd.)，藉由具有70W/cm之照明強度之高壓水銀燈照射UV光線以300mJ/cm2 之強度進行UV照射3秒鐘。
接著，以一10N測壓器將該晶圓與該結合膠帶夾在Instron Series IX/s Automated Materials Tester-3343之上與下夾具之間，且以1500mm/分之拉動速度剝離。在剝離後，觀察該第一絕緣結合層之一撕裂狀態或分開狀態。
該第一絕緣結合層無撕裂、無分開且無延伸-O
該第一絕緣結合層有撕裂、分開或延伸-X
安裝空洞、碎屑與晶片裂紋
在以由Aaron Co.,Ltd.取得之Mounter AR-08WM經由熱壓將本發明例與比較例之結合膜安裝至一其上具有多數凸塊之8英吋之厚度80μm之晶圓表面上後，使用由Nikon Co.,Ltd.取得之ME600L觀察該表面之空洞狀態。
接著，使用DFD-650(Disco Co.,Ltd.)將該晶圓切割成具有10.0mm×10.0mm尺寸之100個晶片，且觀察在該等表面上之碎屑與晶片裂紋及該等晶片之橫截面。
沒有空洞、沒有碎屑且沒有晶片裂紋-O
有空洞、碎屑或晶片裂紋-X
儲存模數(SM)
在將由本發明例與比較例獲得之各結合膜之第二絕緣結合層切割成厚度200μm×寬度7mm×長度14mm之尺寸後，在使溫度以4℃/分之速度由-10℃上升至150℃時測量該儲存模數。在這測試中，採用60℃之資料。
在晶片間之結合力(晶粒剪切強度)(DSS)
在將塗布有一二氧化物層之厚度525μm之晶圓切割成一5mm×5mm尺寸後，在60℃下僅積層該等第一與第二絕緣結合層且切除其結合部份以外的部份。
在將具有多數結合部份積層於其上之該等晶圓塊附著至一放置在一120℃之熱板上之厚度525μm×寬度10mm×長度10mm之晶圓上後，以500gf將該等晶圓塊加壓在該晶圓上達20秒，接著在125℃固化兩小時且在175℃固化四小時。
然後，使用一剪切強度測試器Dage-100，在250℃下及100μm/秒之剪切速度測量該等晶片間之結合力。
表1顯示本發明例子與比較例之測試結果。
該例子之黏著劑層係利用該本質黏著黏合劑製備以改善該剝離特性。此外，該例子具有兩結合層，其中該第一絕緣結合層含有該UV可固化聚合物且具有一在照射UV後相對該黏著劑層為0.1N/25mm之剝離力。因此，由表1中可看出該第一絕緣結合層可在背研磨後藉該捲筒狀結合膠帶由該黏著劑層上輕易地剝離。
此外，由於使用具有一-20~20℃之玻璃轉移溫度之丙烯酸黏合劑製備該例子之第二絕緣結合層，所以它在60℃下具有3.2MPa之儲存模數且不會產生安裝空洞、碎屑、晶片裂紋等。
當利用該例子之結合膠帶結合該等晶片時，在該等晶片間之結合力為大約12kgf。
比較例1之黏著劑層係使用該混合物組成物取代該本質黏著黏合劑CA-100來製備。於照射UV後，在該黏著劑層與該第一絕緣結合層間之剝離力為0.87N/25mm。因此，當在背研磨後使用該捲筒狀結合膠帶由該黏著劑層剝離該第一絕緣結合層時，該第一絕緣結合層被撕裂。
在比較例2中，該黏著劑層與該第二絕緣結合層與該例子中者相同，但該第一絕緣結合層不含有該UV可固化化合物。
在比較例2中，在該黏著劑層與該第一絕緣結合層間之剝離力於照射UV後減少至0.18N/25mm。但是，由於這剝離力不足以讓該第一絕緣結合層在背研磨後藉該捲筒狀結合膠帶由該黏著劑層上剝離，所以該第一絕緣結合層之表面會變成分開狀。
在比較例3中，該黏著劑層及該第一絕緣結合層與該例子中者相同，但是該第二絕緣結合層係利用具有30℃之玻璃轉移溫度之黏合劑來製備。
比較例3之第二絕緣結合層在60℃下具有22.8MPa之儲存模數，且不會完全填滿在形成有該等凸塊之晶圓上之凹凸。因此，多數空洞形成在該晶圓表面上，藉此在切割時在靠近該等空洞處產生碎屑與晶片裂紋。
比較例係使用一單一結合層而非雙結合層製備，但是，在照射UV後在該黏著劑層與該結合層間之剝離力是0.2N/25mm，且因此該結合層不會在背研磨後被該捲筒狀結合膠帶由該黏著劑層上剝離。
依據本發明，用於半導體封裝體之多功能膠帶包含該黏著劑層、該第一絕緣結合層、該第二絕緣結合層、及該保護膜。在本發明之多功能膠帶中，該黏著劑層包含一黏著黏合劑，其中一UV可固化碳-碳雙鍵係被提供至一聚合物黏著黏合劑之一側鏈。
該第一絕緣結合層係藉混合0.1~10重量份之具有碳-碳雙鍵之UV可固化聚合物與100重量份之丙烯酸樹脂、環氧樹脂及一固化加速劑而形成。該第一絕緣結合層具有在照射UV後，相對該黏著劑層等於或小於0.1N/25mm之180度平均剝離力。
該第二絕緣結合層係相對於100重量份在該第二絕緣結合層中之其他組分，含有30~70重量份之丙烯酸樹脂，其中該丙烯酸樹脂具有-20~20℃之玻璃轉移溫度。包含這些組分之多功能膠帶可用於一半導體封裝體，特別地，本發明之多功能膠帶使一背研磨製程及一晶粒黏著製程可以在沒有另一膠帶之情形下一致地進行。
由以上說明可知，依據本發明，用於一半導體封裝體之多功能膠帶可以在一背研磨製程、一切割製程及/或一拾取/晶粒黏著製程時共同地應用於該等製程。特別地，該多功能膠帶包括一第一結合層，該第一結合層係形成在一黏著劑層及一第二結合層且包含一可與該黏著劑層一起藉照射UV而固化之UV可固化劑，藉此明顯地減少該黏著劑層之剝離特性。
此外，本發明之多功能膠帶使該背研磨製程與該拾取/晶粒黏著製程可以在不需另一結合膠帶之情形下一致地進行。又，該背研磨製程、該切割製程及該拾取/晶粒黏著製程亦可僅以本發明之多功能膠帶一致地進行。
雖然本發明已參照多數實施例說明過了，但是發明所屬技術領域中具有通常知識者應可知該等實施例僅是用以舉例說明，且在不偏離由以下申請專利範圍與其等效物所界定之本發明之精神與範疇的情形下，可以進行各種修改與改變。
10．．．多功能膠帶
100．．．支持膜
105．．．第一(絕緣)結合層
110．．．黏著劑層
120．．．第二(絕緣)結合層
130．．．保護膜
200．．．晶圓
203．．．黏著膠帶；切割膠帶
204．．．UV可固化黏著劑層
210．．．凸塊
第1圖是本發明一實施例之一用於半導體封裝體之多功能膠帶的截面圖；第2至9圖是本發明第一實施例之一製造一半導體裝置之方法的截面圖；及第10至15圖是本發明第二實施例之一製造一半導體裝置之方法的截面圖。
10．．．多功能膠帶
100．．．支持膜
105．．．第一(絕緣)結合層
110．．．黏著劑層
120．．．第二(絕緣)結合層
130．．．保護膜

Claims (11)

  1. 一種用於半導體封裝體之多功能膠帶，包含：一在一支持膜一側上之UV可固化黏著劑層；及在該黏著劑層上之第一與第二結合層，其中當進行一研磨相對於其上具有多數裝置之一半導體基板之一裝置形成側之該半導體基板之一側的製程及一將該半導體基板切割成多數獨立晶片的製程時，該多功能膠帶結合於該半導體基板之裝置形成側，且一具有一UV可固化黏著劑層之切割膠帶結合於該半導體基板之被研磨側，並且當藉該切割製程彼此互相分開之晶片被拾取與晶粒黏著時，該多功能膠帶之第一與第二結合層結合於該等獨立晶片。
  2. 一種用於半導體封裝體之多功能膠帶，包含：一在一支持膜一側上之UV可固化黏著劑層；及在該黏著劑層上之第一與第二結合層，其中當進行一研磨相對於其上具有多數裝置之一半導體基板之一裝置形成側之該半導體基板之一側的製程及一將該半導體基板切割成多數獨立晶片的製程時，該多功能膠帶結合於該半導體基板之裝置形成側，且當藉該切割製程彼此互相分開之晶片被拾取與晶粒黏著時，該多功能膠帶之第一與第二結合層結合於該等獨立晶片。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之多功能膠帶，其中該第一結合層含有一設置在該黏著劑層與該第二結合層之間的UV可固化材料，以改善在對該黏著劑層照射UV後相對於該黏著劑層與該第二結合層之剝離特性。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之多功能膠帶，其中該第一結合層具有在照射UV後相對於該黏著劑層，一等於或小於0.1N/25mm之180度平均剝離力。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之多功能膠帶，其中該等第一與第二結合層是熱固層。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之多功能膠帶，其中該第二結合層於60℃時具有0.1~10MPa之儲存模數。
  7. 一種製造一半導體裝置之方法，包含：將一多功能膠帶結合於一具有多數凸塊形成於其上之半導體基板的一側上，且該多功能膠帶包含一在一支持膜之一側上的UV可固化黏著劑層、及在該黏著劑層上之第一與第二結合層；研磨該半導體基板之一背側；將一切割膠帶結合於該半導體基板之被研磨側；將該半導體基板切割成多數獨立晶片；在移除該切割膠帶後，拾取該等第一與第二結合層與其結合之該等晶片；及利用該等第一與第二結合層晶粒黏著該等晶片。
  8. 一種製造一半導體裝置之方法，包含：將一多功能膠帶結合於一具有多數凸塊形成於其上之半導體基板的一側上，且該多功能膠帶包含一在一支持膜之一側上的UV可固化黏著劑層、及在該黏著劑層上之第一與第二結合層；研磨該半導體基板之一背側；將該半導體基板切割成多數獨立晶片；拾取該等第一與第二結合層與其結合之該等晶片；及利用該等第一與第二結合層晶粒黏著該等晶片。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之方法，更包含：在切割該半導體基板後與在拾取該等晶片之前，對該膠帶照射UV光線。
  10. 如申請專利範圍第7項之方法，更包含：在拾取該等晶片之前，將該切割膠帶擴大，以增加一在各個被切割晶片間之間距。
  11. 如申請專利範圍第8項之方法，更包含：在拾取該等晶片之前，將該切割膠帶擴大，以增加一在各個被切割晶片間之間距。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100963675B1 (ko) * 2008-03-14 2010-06-15 제일모직주식회사 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
JP6041463B2 (ja) * 2009-12-25 2016-12-07 デクセリアルズ株式会社 エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた接合体の製造方法、並びに接合体
KR101033045B1 (ko) * 2009-12-30 2011-05-09 제일모직주식회사 반도체 조립용 접착필름 조성물 및 이를 이용한 접착필름
JP2012033637A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法
JP5385247B2 (ja) * 2010-12-03 2014-01-08 信越化学工業株式会社 ウエハモールド材及び半導体装置の製造方法
JP5957794B2 (ja) * 2011-01-26 2016-07-27 日立化成株式会社 積層シート及び半導体装置の製造方法
JP5666335B2 (ja) 2011-02-15 2015-02-12 日東電工株式会社 保護層形成用フィルム
JP5958262B2 (ja) 2011-10-28 2016-07-27 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5889625B2 (ja) * 2011-12-16 2016-03-22 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
US8975157B2 (en) * 2012-02-08 2015-03-10 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Carrier bonding and detaching processes for a semiconductor wafer
JP5965185B2 (ja) * 2012-03-30 2016-08-03 デクセリアルズ株式会社 回路接続材料、及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US9096032B2 (en) * 2012-04-24 2015-08-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary bonding arrangement, and thin wafer manufacturing method
JP6059631B2 (ja) * 2012-11-30 2017-01-11 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US9330993B2 (en) * 2012-12-20 2016-05-03 Intel Corporation Methods of promoting adhesion between underfill and conductive bumps and structures formed thereby
JP2014154704A (ja) * 2013-02-08 2014-08-25 Hitachi Chemical Co Ltd ダイシング・ダイボンディング一体型テープ
US20150147850A1 (en) * 2013-11-25 2015-05-28 Infineon Technologies Ag Methods for processing a semiconductor workpiece
KR101414393B1 (ko) 2014-01-09 2014-07-10 주식회사 이녹스 다이싱 다이 어태치 필름 및 그 제조 방법
JP6334197B2 (ja) * 2014-02-25 2018-05-30 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート、保護膜付きチップ、及び保護膜付きチップの製造方法
US20150371916A1 (en) * 2014-06-23 2015-12-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pre-applied underfill
JP2015092594A (ja) * 2014-12-10 2015-05-14 日東電工株式会社 保護層形成用フィルム
JP6524972B2 (ja) * 2015-09-28 2019-06-05 Jsr株式会社 対象物の処理方法、仮固定用組成物、半導体装置及びその製造方法
KR102619466B1 (ko) * 2016-06-13 2024-01-02 삼성전자주식회사 팬 아웃 패널 레벨 패키지의 제조 방법 및 그에 사용되는 캐리어 테이프 필름
GB2551732B (en) * 2016-06-28 2020-05-27 Disco Corp Method of processing wafer
KR101676025B1 (ko) * 2016-06-30 2016-11-15 (주) 화인테크놀리지 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트
WO2018113341A1 (en) * 2016-12-23 2018-06-28 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Housing assembly for terminal, terminal and mobile phone
JP6935807B2 (ja) * 2017-02-02 2021-09-15 昭和電工マテリアルズ株式会社 電子部品の製造方法、仮保護用樹脂組成物及び仮保護用樹脂フィルム
KR102187162B1 (ko) 2017-12-14 2020-12-04 주식회사 엘지화학 금속 박막 코팅용 열경화성 수지 조성물 및 이를 이용한 금속 적층체
KR102465139B1 (ko) * 2017-12-14 2022-11-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법
WO2020110785A1 (ja) * 2018-11-29 2020-06-04 日立化成株式会社 半導体用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法
JP7099547B2 (ja) * 2018-12-28 2022-07-12 昭和電工マテリアルズ株式会社 光硬化性粘着剤の評価方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
CN113454758B (zh) * 2019-02-25 2024-04-26 三菱电机株式会社 半导体元件的制造方法
US10991621B2 (en) * 2019-08-05 2021-04-27 Texas Instruments Incorporated Semiconductor die singulation
CN111226313A (zh) * 2020-01-07 2020-06-02 长江存储科技有限责任公司 用于多晶圆堆叠和切割的方法
KR102455146B1 (ko) 2020-02-10 2022-10-17 주식회사 나노인 기판의 구조충진을 위한 가역적 코팅 방법 및 봉지 방법
US20230064066A1 (en) * 2021-08-27 2023-03-02 Texas Instruments Incorporated Wafer-level backside layer for semiconductor apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040213994A1 (en) * 2003-04-25 2004-10-28 Shouhei Kozakai Dicing/die bonding adhesion tape
US20060244132A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Byoung-Un Kang Dicing die adhesive film for semiconductor

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2665383B2 (ja) * 1989-11-09 1997-10-22 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JPH04196246A (ja) * 1990-11-27 1992-07-16 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
US6007920A (en) * 1996-01-22 1999-12-28 Texas Instruments Japan, Ltd. Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
JP3535318B2 (ja) * 1996-09-30 2004-06-07 富士通株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6174578B1 (en) * 1997-10-24 2001-01-16 Rexam Industries Corp. Radiation deactivatable adhesive tape
KR100265475B1 (ko) * 1998-07-09 2000-09-15 이효범 접착 사용이 편리한 양면점착 테이프
EP0979852B1 (en) * 1998-08-10 2004-01-28 LINTEC Corporation A dicing tape and a method of dicing a semiconductor wafer
JP2000223446A (ja) * 1998-11-27 2000-08-11 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
EP1126291B1 (en) * 1999-08-26 2004-10-27 Asahi Glass Company Ltd. Phase shifter and optical head device mounted with the same
JP4180206B2 (ja) * 1999-11-12 2008-11-12 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
US6733880B2 (en) * 2000-01-19 2004-05-11 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive film for semiconductor, lead frame with adhesive film for semiconductor and semiconductor device using the same
US6555908B1 (en) * 2000-02-10 2003-04-29 Epic Technologies, Inc. Compliant, solderable input/output bump structures
US6425971B1 (en) * 2000-05-10 2002-07-30 Silverbrook Research Pty Ltd Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using UV curable tapes
KR100688064B1 (ko) * 2001-01-30 2007-03-09 삼성전자주식회사 경화형 웨이퍼 실장 테이프를 이용한 플립 칩 패키지제조방법
JP4042347B2 (ja) * 2001-05-18 2008-02-06 新科實業有限公司 磁気ヘッドスライダの浮上面形状加工方法及び磁気ヘッドスライダの製造方法
US6873059B2 (en) * 2001-11-13 2005-03-29 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with metal foil attachment film
TWI241674B (en) * 2001-11-30 2005-10-11 Disco Corp Manufacturing method of semiconductor chip
JP4565804B2 (ja) * 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
US7534498B2 (en) * 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
JP3838637B2 (ja) * 2002-06-10 2006-10-25 日東電工株式会社 ガラス基板ダイシング用粘着シートおよびガラス基板ダイシング方法
JP4169268B2 (ja) * 2002-09-13 2008-10-22 日東電工株式会社 被膜シートの製造方法、光学機能層、光学素子および画像表示装置
JP2004123963A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート
JP2004273895A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
JP4364535B2 (ja) * 2003-03-27 2009-11-18 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
KR101215728B1 (ko) * 2003-06-06 2012-12-26 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조방법
JP2005116610A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート
JP4405246B2 (ja) * 2003-11-27 2010-01-27 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体チップの製造方法
JP4614700B2 (ja) * 2004-07-08 2011-01-19 日東電工株式会社 ウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP4776188B2 (ja) * 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ
US7101620B1 (en) * 2004-09-07 2006-09-05 National Semiconductor Corporation Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive
JP4794971B2 (ja) * 2005-03-23 2011-10-19 古河電気工業株式会社 ダイシングダイボンドシート
KR100593814B1 (ko) * 2005-12-06 2006-06-28 에이스 인더스트리 주식회사 반도체 다이본딩용 점착테이프
WO2007105611A1 (ja) * 2006-03-15 2007-09-20 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. 保持治具、半導体ウエハの研削方法、半導体ウエハの保護構造及びこれを用いた半導体ウエハの研削方法、並びに半導体チップの製造方法
KR100669134B1 (ko) * 2006-05-08 2007-01-16 주식회사 이녹스 반도체 패키지용 접착필름
JP2007305679A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Furukawa Electric Co Ltd:The レーザーダイシング用ダイシングダイボンドシート
JP4874011B2 (ja) * 2006-06-23 2012-02-08 電気化学工業株式会社 粘着剤、粘着剤を用いた粘着シート、粘着シートを用いた多層粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
JP5286084B2 (ja) * 2006-07-19 2013-09-11 積水化学工業株式会社 ダイシング・ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法
KR100816881B1 (ko) * 2006-08-31 2008-03-26 한국화학연구원 다이싱 다이본드 필름
KR100831153B1 (ko) * 2006-10-26 2008-05-20 제일모직주식회사 반도체 조립용 접착 필름 조성물, 이에 의한 접착 필름 및이를 포함하는 다이싱 다이본드 필름
US7910206B2 (en) * 2006-11-10 2011-03-22 Nitto Denko Corporation Self-rolling laminated sheet and self-rolling pressure-sensitive adhesive sheet
KR100844383B1 (ko) * 2007-03-13 2008-07-07 도레이새한 주식회사 반도체 칩 적층용 접착 필름
KR100934558B1 (ko) * 2007-10-08 2009-12-29 제일모직주식회사 실란커플링제와 선반응된 페놀형 경화수지를 포함하는반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이에 의한 접착 필름
KR100963675B1 (ko) * 2008-03-14 2010-06-15 제일모직주식회사 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
JP2011516658A (ja) * 2008-03-31 2011-05-26 ヘンケル コーポレイション 多層ｕｖ硬化性接着剤フィルム
JP5141366B2 (ja) * 2008-05-14 2013-02-13 東レ株式会社 半導体用接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
KR101559190B1 (ko) * 2008-05-29 2015-10-12 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 다이싱 방법
JP2010263041A (ja) * 2009-05-01 2010-11-18 Nitto Denko Corp ダイアタッチフィルム付きダイシングテープおよび半導体装置の製造方法
JP5257314B2 (ja) * 2009-09-29 2013-08-07 大日本印刷株式会社 積層体、準備用支持体、積層体の製造方法、及びデバイスの製造方法
JP5580719B2 (ja) * 2009-12-24 2014-08-27 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP5456642B2 (ja) * 2009-12-24 2014-04-02 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP5501938B2 (ja) * 2009-12-24 2014-05-28 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP2011151362A (ja) * 2009-12-24 2011-08-04 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP2011224853A (ja) * 2010-04-19 2011-11-10 Nitto Denko Corp フィルム及び粘接着シート
JP5158896B2 (ja) * 2010-08-09 2013-03-06 古河電気工業株式会社 半導体チップの製造方法
KR101397686B1 (ko) * 2010-12-06 2014-05-22 제일모직주식회사 기재필름 및 이를 이용한 반도체용 접착필름
JP2012180494A (ja) * 2011-02-10 2012-09-20 Nitto Denko Corp 自発巻回性粘着シート及び切断体の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040213994A1 (en) * 2003-04-25 2004-10-28 Shouhei Kozakai Dicing/die bonding adhesion tape
US20060244132A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Byoung-Un Kang Dicing die adhesive film for semiconductor

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Publication number Publication date
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