JPH04196246A - ダイシング・ダイボンドフィルム - Google Patents
ダイシング・ダイボンドフィルムInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体ウニノ\を分断して形成チップを被着
体に耐熱性よ(固着できるようにして製造工程の簡略化
を可能にしたダイシング・グイボンドフィルムに関する
。
体に耐熱性よ(固着できるようにして製造工程の簡略化
を可能にしたダイシング・グイボンドフィルムに関する
。
従来の技術
回路パターン形成の半導体ウニl\は、必要に応じて裏
面研摩による厚さ調整後チップに分断され〈ダイシング
工程)、形成チップを接着剤にて被着体に固着後(マウ
ント工程)、ボンディング工程に移される。ダイシング
工程では切断屑の除去等のため半導体ウェハを適度な液
圧(通常、2kgZ−程度)で洗浄することが通例であ
る。
面研摩による厚さ調整後チップに分断され〈ダイシング
工程)、形成チップを接着剤にて被着体に固着後(マウ
ント工程)、ボンディング工程に移される。ダイシング
工程では切断屑の除去等のため半導体ウェハを適度な液
圧(通常、2kgZ−程度)で洗浄することが通例であ
る。
前記において、接着剤を形成チップに別途塗布する方法
では、接着層厚の均一化が困難なこと、接着剤の塗布に
特殊装置と多時間を要することから、分断のため半導体
ウェハを保持する際にチップ固着用の接着層を付与して
工程を簡略化しうるダイシング・ダイボンドフィルムが
提案されている(特開昭60−57642号公報)。こ
のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に導
電性接着層を剥離可能に設けてなり、その接着層による
保持下に半導体ウェハを分断後、支持基材を延伸して形
成チップを接着層と共に剥離したのち個々に回収してそ
の接着層を介し被着体に固着するようにしたものである
。
では、接着層厚の均一化が困難なこと、接着剤の塗布に
特殊装置と多時間を要することから、分断のため半導体
ウェハを保持する際にチップ固着用の接着層を付与して
工程を簡略化しうるダイシング・ダイボンドフィルムが
提案されている(特開昭60−57642号公報)。こ
のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に導
電性接着層を剥離可能に設けてなり、その接着層による
保持下に半導体ウェハを分断後、支持基材を延伸して形
成チップを接着層と共に剥離したのち個々に回収してそ
の接着層を介し被着体に固着するようにしたものである
。
しかしながら、支持基材と導電性接着層との接着力を調
整することが困難な問題点があった。すなわち、半導体
ウェハの分断時に分断不能や寸法ミス等の原因となる支
持基材と導電性接着層の眉間剥離が生じない接着力と、
導電性接着層を伴う形成チップの支持基材よりの剥離性
とをバランスさせることが困難な問題点があった。特に
、半導体ウェハを回転丸刃等で切断する方式などのよう
に、大きい保持力が要求される場合に適用できるものを
得ることは困難であった。
整することが困難な問題点があった。すなわち、半導体
ウェハの分断時に分断不能や寸法ミス等の原因となる支
持基材と導電性接着層の眉間剥離が生じない接着力と、
導電性接着層を伴う形成チップの支持基材よりの剥離性
とをバランスさせることが困難な問題点があった。特に
、半導体ウェハを回転丸刃等で切断する方式などのよう
に、大きい保持力が要求される場合に適用できるものを
得ることは困難であった。
発明が解決しようとする課題
本発明は、半導体ウェハの分断時における保持力と、形
成チップの固着用接着層を伴う剥離性とのバランスに優
れ、200℃以下の低温でも被着体に強固に接着できる
と共に、高温接着強度に優れるダイシング・ダイボンド
フィルムの開発を課題とする。
成チップの固着用接着層を伴う剥離性とのバランスに優
れ、200℃以下の低温でも被着体に強固に接着できる
と共に、高温接着強度に優れるダイシング・ダイボンド
フィルムの開発を課題とする。
課題を解決するための手段
本発明は、支持基材の上に、粘着層と第1接着層と第2
接着層を順次有してなり、その第1接着層がガラス転移
点150°C以上の熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を成分
とするポリマーアロイ型接着剤からなると共に粘着層と
の間で剥離可能となっており、第2接着層が150℃以
下の温度で粘着性を示す熱硬化性接着剤からなることを
特徴とするダイシング・ダイボンドフィルムを提供する
ものである。
接着層を順次有してなり、その第1接着層がガラス転移
点150°C以上の熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を成分
とするポリマーアロイ型接着剤からなると共に粘着層と
の間で剥離可能となっており、第2接着層が150℃以
下の温度で粘着性を示す熱硬化性接着剤からなることを
特徴とするダイシング・ダイボンドフィルムを提供する
ものである。
作用
支持基材は、ダイシング・ダイボンドフィルムの強度母
体となるものである。粘着層は、被着体に形成チップを
固着するための第1及び第2の接着層を、接着・剥離バ
ランスよく支持するためのものである。第1接着層は、
形成チップを200℃以下の低温でも被着体に強固に接
着できるようにし、かつ第2接着層と共に高温接着強度
に優れる(耐熱性)固着を達成するためのものである。
体となるものである。粘着層は、被着体に形成チップを
固着するための第1及び第2の接着層を、接着・剥離バ
ランスよく支持するためのものである。第1接着層は、
形成チップを200℃以下の低温でも被着体に強固に接
着できるようにし、かつ第2接着層と共に高温接着強度
に優れる(耐熱性)固着を達成するためのものである。
また第1接着層は、常温付近で粘着性を示さず、粘着層
からの剥離性に優れて形成チップのマウント作業の進行
を円滑にする。第2接着層は、その粘着性に基づいて半
導体ウニノ\を保持するためのものでもある。
からの剥離性に優れて形成チップのマウント作業の進行
を円滑にする。第2接着層は、その粘着性に基づいて半
導体ウニノ\を保持するためのものでもある。
実施例
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを添付図に例
示した。1が支持基材、2が粘着層、3が第1接着層、
4が第2接着層である。
示した。1が支持基材、2が粘着層、3が第1接着層、
4が第2接着層である。
支持基材としては、例えばプラスチックフィルムなどが
用いられる。そのプラスチックの例としては、ポリプロ
ピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・プロピ
レン共重合体、エチレン・エチルアクリレート共重合体
、ポリ塩化ビニルなどがあげられる。帯電防止能を有す
るプラスチック系の支持基材は、金属や合金、その酸化
物などからなる導電性物質の蒸着層(厚さ30〜500
人)を有するフィルムや、このフィルムのラミネート体
などとして得ることができる。支持基材の厚さは5〜2
00pmが一般的であるが、適宜に決定してよい。
用いられる。そのプラスチックの例としては、ポリプロ
ピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・プロピ
レン共重合体、エチレン・エチルアクリレート共重合体
、ポリ塩化ビニルなどがあげられる。帯電防止能を有す
るプラスチック系の支持基材は、金属や合金、その酸化
物などからなる導電性物質の蒸着層(厚さ30〜500
人)を有するフィルムや、このフィルムのラミネート体
などとして得ることができる。支持基材の厚さは5〜2
00pmが一般的であるが、適宜に決定してよい。
粘着層の形成には適宜な粘着剤を用いてよい。
厚さは1〜100μmが一般的であるが、これに限定さ
れない。
れない。
第1接着層の形成には、ガラス転移点が150℃以上の
熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を成分とするポリマーアロ
イ型接着剤が用いられる。その熱可塑性樹脂としては、
例えばポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリエ
ーテルスルホン系樹脂などがあげられる。熱硬化性樹脂
としては、例えばエポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、
マレイミド系樹脂、シリコーン系樹脂などがあげられる
。
熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を成分とするポリマーアロ
イ型接着剤が用いられる。その熱可塑性樹脂としては、
例えばポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリエ
ーテルスルホン系樹脂などがあげられる。熱硬化性樹脂
としては、例えばエポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、
マレイミド系樹脂、シリコーン系樹脂などがあげられる
。
第1接着層の厚さは、1〜100νmが一般的であるが
これに限定されない。
これに限定されない。
支持基材の上に順次設けられた粘着層と第1接着層はそ
れらの間で剥離可能とされる。本発明においては、半導
体ウェハの分断時における保持力と、形成チップの第1
、第2接着層を伴う剥離容易性などの点より、それらの
間における接着力を180度ビール値(常温、引張速度
300m/分)に基づき、半導体ウェハの分断時におい
て200g/20−以上、形成チップの剥離時において
150g/20−以下となるよう粘着層、ないし第1接
着層を調製したものが好ましい。
れらの間で剥離可能とされる。本発明においては、半導
体ウェハの分断時における保持力と、形成チップの第1
、第2接着層を伴う剥離容易性などの点より、それらの
間における接着力を180度ビール値(常温、引張速度
300m/分)に基づき、半導体ウェハの分断時におい
て200g/20−以上、形成チップの剥離時において
150g/20−以下となるよう粘着層、ないし第1接
着層を調製したものが好ましい。
粘着層と第1接着層との間を剥離可能とする方式につい
ては特に限定はない。形成チップを剥離する際に接着力
を低下、ないし喪失させつる方式であればよい。その例
としては、粘着層の硬化方式、発泡方式ないし加熱膨脹
方式、ブルーミング方式、粘着層ないし第1接着層の冷
却方式、粘着層と第1接着層との間に加熱処理で作用す
る接着力低減層を介在させる方式などがあげられる。本
発明では前記の方式を適宜に組合せて適用してもよい。
ては特に限定はない。形成チップを剥離する際に接着力
を低下、ないし喪失させつる方式であればよい。その例
としては、粘着層の硬化方式、発泡方式ないし加熱膨脹
方式、ブルーミング方式、粘着層ないし第1接着層の冷
却方式、粘着層と第1接着層との間に加熱処理で作用す
る接着力低減層を介在させる方式などがあげられる。本
発明では前記の方式を適宜に組合せて適用してもよい。
前記した粘着層の硬化方式は、架橋度を増大させて接着
力を低下させたり、硬化収縮により応力を発生させるも
のである。その形成は、紫外線硬化型や加熱硬化型など
の硬化型粘着剤を用いることにより行うことができる。
力を低下させたり、硬化収縮により応力を発生させるも
のである。その形成は、紫外線硬化型や加熱硬化型など
の硬化型粘着剤を用いることにより行うことができる。
紫外線硬化型の粘着剤の代表例としては、不飽和結合を
2個以上有する付加重合性化合物やエポキシ基を有する
アルコキシシランの如き光重合性化合物と、カルボニル
化合物や有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム
塩系化合物の如き光重合開始剤を配合したゴム系粘着剤
や、アクリル系粘着剤などがあげられろく特開昭60−
196956号公報)。光重合性化合物、光重合開始剤
の配合量は、それぞれベースボリマー100重量部あた
り10〜500重量部、0.05〜20重量部か一般的
である。
2個以上有する付加重合性化合物やエポキシ基を有する
アルコキシシランの如き光重合性化合物と、カルボニル
化合物や有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム
塩系化合物の如き光重合開始剤を配合したゴム系粘着剤
や、アクリル系粘着剤などがあげられろく特開昭60−
196956号公報)。光重合性化合物、光重合開始剤
の配合量は、それぞれベースボリマー100重量部あた
り10〜500重量部、0.05〜20重量部か一般的
である。
なおアクリル系ポリマーには、通例のもの(特公昭57
−54068号公報、特公昭58−33909号公報等
)のほか、側鎖にラジカル反応性不飽和基を有するもの
(特公昭61−56264号公報)や、分子中にエポキ
シ基を有するものなども用いうる。また、不飽和結合を
2個以上有する付加重合性化合物としては、例えばアク
リル酸やメタクリル酸の多価アルコール系エステルやオ
リゴエステル、エポキシ系やウレタン系化合物などかあ
げられる。さらにエチレングリコールシグリシシルエー
テルの如き分子中にエポキシ基を1個又は2個以上有す
るエポキシ基官能性架橋剤を追加配合して架橋効率を上
げることもできる。紫外線硬化型の粘着層を形成する場
合には紫外線照射処理を可能とすへく支持基材には透明
なものが用いられる。
−54068号公報、特公昭58−33909号公報等
)のほか、側鎖にラジカル反応性不飽和基を有するもの
(特公昭61−56264号公報)や、分子中にエポキ
シ基を有するものなども用いうる。また、不飽和結合を
2個以上有する付加重合性化合物としては、例えばアク
リル酸やメタクリル酸の多価アルコール系エステルやオ
リゴエステル、エポキシ系やウレタン系化合物などかあ
げられる。さらにエチレングリコールシグリシシルエー
テルの如き分子中にエポキシ基を1個又は2個以上有す
るエポキシ基官能性架橋剤を追加配合して架橋効率を上
げることもできる。紫外線硬化型の粘着層を形成する場
合には紫外線照射処理を可能とすへく支持基材には透明
なものが用いられる。
加熱架橋型の粘着剤の代表例としては、ポ11イソシア
ネート、メラミン樹脂、アミン−エポキン樹脂、過酸化
物、金属キレート化合物の如き架橋剤や、必要に応じシ
ヒニルヘンゼン、エチレングリコールジアクリレート、
トリメチロールプロパントリメタクリレートの如き多官
能性化合物からなる架橋調節剤などを配合したゴム系粘
着剤やアクリル系粘着剤などがあげられる。
ネート、メラミン樹脂、アミン−エポキン樹脂、過酸化
物、金属キレート化合物の如き架橋剤や、必要に応じシ
ヒニルヘンゼン、エチレングリコールジアクリレート、
トリメチロールプロパントリメタクリレートの如き多官
能性化合物からなる架橋調節剤などを配合したゴム系粘
着剤やアクリル系粘着剤などがあげられる。
粘着層の発泡方式、ないし加熱彫版方式は、加熱処理で
粘着層を発泡構造とすることにより、あるいは当該層の
彫版下に表面を凹凸構造とすることにより、接着面積を
減少させて接着力を低下させるものである。その形成は
、粘着層に発泡剤、ないし加熱彫版剤を含有させること
により行うことができる。前記した硬化方式との併用は
、接着力の低下に特に有効である。
粘着層を発泡構造とすることにより、あるいは当該層の
彫版下に表面を凹凸構造とすることにより、接着面積を
減少させて接着力を低下させるものである。その形成は
、粘着層に発泡剤、ないし加熱彫版剤を含有させること
により行うことができる。前記した硬化方式との併用は
、接着力の低下に特に有効である。
発泡剤としては、例えば炭酸アンモニウムやアンド類の
如き無機系発泡剤、アゾ系化合物やヒドラジン系化合物
、セミカルバジド系化合物、トリアゾール系化合物、N
−ニトロソ系化合物の如き有機系発泡剤なと、公知物を
用いてよい。加熱彫版剤としても、例えばカスや低沸点
液等を封入したマイクロカプセルなと、公知物を用いて
よい。
如き無機系発泡剤、アゾ系化合物やヒドラジン系化合物
、セミカルバジド系化合物、トリアゾール系化合物、N
−ニトロソ系化合物の如き有機系発泡剤なと、公知物を
用いてよい。加熱彫版剤としても、例えばカスや低沸点
液等を封入したマイクロカプセルなと、公知物を用いて
よい。
前記のマイクロカプセルは、発泡剤としても用いること
ができて、前記した彫版による表面凹凸構造とするか発
泡による発泡構造とするかを制御することができる。ま
た、粘着剤中に容易に分散させることができて好ましい
。発泡剤、ないし加熱彫版剤の使用量は、ベースボリマ
ー100重量部あたり0.3〜300重量部が一般的で
ある。
ができて、前記した彫版による表面凹凸構造とするか発
泡による発泡構造とするかを制御することができる。ま
た、粘着剤中に容易に分散させることができて好ましい
。発泡剤、ないし加熱彫版剤の使用量は、ベースボリマ
ー100重量部あたり0.3〜300重量部が一般的で
ある。
粘着層のブルーミング方式は、加熱処理で第1接着層と
の界面にブルーミング剤を活発に析出させて接着力を低
下させるものである。その形成は粘着層にブルーミング
剤を含有させることにより行うことができる。用いるブ
ルーミング剤は、第1接着層との界面における接着力を
低下させるものであればよい。一般には、界面活性剤や
シリコーン組成物、パラフィンやワックス等の低融点物
質などが用いられる。有機溶剤や水等の液体もマイクロ
カプセル化して用いうる。界面活性剤の使用は、帯電防
止能を付与しつる利点などもある。
の界面にブルーミング剤を活発に析出させて接着力を低
下させるものである。その形成は粘着層にブルーミング
剤を含有させることにより行うことができる。用いるブ
ルーミング剤は、第1接着層との界面における接着力を
低下させるものであればよい。一般には、界面活性剤や
シリコーン組成物、パラフィンやワックス等の低融点物
質などが用いられる。有機溶剤や水等の液体もマイクロ
カプセル化して用いうる。界面活性剤の使用は、帯電防
止能を付与しつる利点などもある。
ブルーミング剤の使用量は、ベースボリマー100重量
部あたり10〜300重量部が一般的である。
部あたり10〜300重量部が一般的である。
粘着層、ないし第1接着層の冷却方式は、低温化により
接着力を低下させるものである。冷却温度は一30℃程
度までが一般的である。冷却方式は他の方式の適用後に
適用することもてきる。
接着力を低下させるものである。冷却温度は一30℃程
度までが一般的である。冷却方式は他の方式の適用後に
適用することもてきる。
加熱処理で作用する接着力低減層を介在させる方式は、
第1接着層と粘着層との間に接着力低減層を固形層とし
て設け、加熱処理により接着力低減層を変化させて当該
界面の接着力を低減させるものである。接着力低減層の
形成には、前記のマイクロカプセル化した発泡剤、ない
し加熱彫版剤やブルーミング剤、加熱処理で軟化、ない
し流動体化するパラフィンやワックス等の低融点物質な
どが用いつる。接着力低減層は、粘着層等の面上に部分
塗布やパターン塗布した状態のものとして形成してもよ
く、第1接着層と粘着層との界面の全面を占有する必要
はない。
第1接着層と粘着層との間に接着力低減層を固形層とし
て設け、加熱処理により接着力低減層を変化させて当該
界面の接着力を低減させるものである。接着力低減層の
形成には、前記のマイクロカプセル化した発泡剤、ない
し加熱彫版剤やブルーミング剤、加熱処理で軟化、ない
し流動体化するパラフィンやワックス等の低融点物質な
どが用いつる。接着力低減層は、粘着層等の面上に部分
塗布やパターン塗布した状態のものとして形成してもよ
く、第1接着層と粘着層との界面の全面を占有する必要
はない。
第1接着層上の第2接着層の形成には、150℃以下の
温度で粘着性を示す熱硬化性接着剤が用いられる。かか
る第2接着層の形成は例えば、エポキシ系樹脂、フェノ
ール系樹脂、ポリイミド系樹脂、マレイミド系樹脂、シ
リコーン系樹脂の如き熱硬化性樹脂をBステージ状態と
する方式、熱硬化性樹脂にカルボキシル基やヒドロキシ
ル基の如き架橋用官能基を導入した粘着性物質と、必要
に応じて架橋剤を配合した粘着性接着剤を用いる方式な
どにより行うことができる。前記の粘着性物質としては
例えば、NBRやアクリル系ポリマーの如き粘着剤形成
用ポリマー、ロジン系樹脂やテルペン系樹脂の如き粘着
性付与樹脂などがあげられる。なお、粘着性接着剤を用
いる方式においても必要に応じてBステージ状態に半硬
化される。
温度で粘着性を示す熱硬化性接着剤が用いられる。かか
る第2接着層の形成は例えば、エポキシ系樹脂、フェノ
ール系樹脂、ポリイミド系樹脂、マレイミド系樹脂、シ
リコーン系樹脂の如き熱硬化性樹脂をBステージ状態と
する方式、熱硬化性樹脂にカルボキシル基やヒドロキシ
ル基の如き架橋用官能基を導入した粘着性物質と、必要
に応じて架橋剤を配合した粘着性接着剤を用いる方式な
どにより行うことができる。前記の粘着性物質としては
例えば、NBRやアクリル系ポリマーの如き粘着剤形成
用ポリマー、ロジン系樹脂やテルペン系樹脂の如き粘着
性付与樹脂などがあげられる。なお、粘着性接着剤を用
いる方式においても必要に応じてBステージ状態に半硬
化される。
第2接着層の厚さは、1〜1100uが一般的であるが
これに限定されない。
これに限定されない。
本発明においては、第1接着層又は/′及び第2接着層
に、例えばアルミニウム、銅、銀、金、パラジウム、カ
ーボンの如き導電性物質からなる微粉末を含有させて導
電性を付与してもよい。またアルミナの如き熱伝導性物
質からなる微粉末を含有させて熱伝導性を高めてもよい
。
に、例えばアルミニウム、銅、銀、金、パラジウム、カ
ーボンの如き導電性物質からなる微粉末を含有させて導
電性を付与してもよい。またアルミナの如き熱伝導性物
質からなる微粉末を含有させて熱伝導性を高めてもよい
。
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの使用は、例
えば次の方法により行うことができる。
えば次の方法により行うことができる。
すなわち、第2接着層に半導体ウェハを接着保持させて
固定し、回転丸刃等による適宜な手段で第1、第2接着
層も含めてチップに分断する。その際、支持基材は分断
せずに一体物として残存させる方式が後工程での取扱い
性等の点より有利である。次に、必要に応じて粘着層と
第1接着層との間の接着力を低下、ないし喪失させる措
置を加えた後、形成チップを第1、第2接着層と共に粘
着層より剥離し、それをリードフレームや基板等の被着
体に第1接着層を介して接着し、接着層を加熱硬化させ
て形成チップを固定する方法である。
固定し、回転丸刃等による適宜な手段で第1、第2接着
層も含めてチップに分断する。その際、支持基材は分断
せずに一体物として残存させる方式が後工程での取扱い
性等の点より有利である。次に、必要に応じて粘着層と
第1接着層との間の接着力を低下、ないし喪失させる措
置を加えた後、形成チップを第1、第2接着層と共に粘
着層より剥離し、それをリードフレームや基板等の被着
体に第1接着層を介して接着し、接着層を加熱硬化させ
て形成チップを固定する方法である。
なおダイシング・ダイボンドフィルムはそれを実用に供
するまでの間、その第2接着層にセパレータを仮着して
保護することが通例である。
するまでの間、その第2接着層にセパレータを仮着して
保護することが通例である。
実施例1
厚さ501のポリ塩化ビニルフィルムからなる支持基材
の上に、アクリル系の紫外線硬化型粘着剤を塗布して厚
さ30μ■の粘着層を形成した。
の上に、アクリル系の紫外線硬化型粘着剤を塗布して厚
さ30μ■の粘着層を形成した。
一方、剥離剤で処理したポリエステルフィルムからなる
セパレータの上に、カルボキシル変性NB R/ビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量450)/ノ
ボラック型フェノール樹脂(軟化点75℃)/2−メチ
ルイミダゾールを、loo/′60/30/1の重量比
で配合したメチルエチルケトン溶液を塗布し、100℃
で10分間加熱して厚さ10umの第2接着層を形成し
た。
セパレータの上に、カルボキシル変性NB R/ビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量450)/ノ
ボラック型フェノール樹脂(軟化点75℃)/2−メチ
ルイミダゾールを、loo/′60/30/1の重量比
で配合したメチルエチルケトン溶液を塗布し、100℃
で10分間加熱して厚さ10umの第2接着層を形成し
た。
他方、ポリエステルフィルムの上にポリエーテルイミド
/ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量18
5)/ノボラック型フェノール樹脂(軟化点75℃)/
2−メチルイミダゾールをlo。
/ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量18
5)/ノボラック型フェノール樹脂(軟化点75℃)/
2−メチルイミダゾールをlo。
150/3010.5の重量比で配合したジメチルアセ
トアミド溶液を塗布し、130’cテ1i間、0.5a
+mHgの減圧下に加熱して厚さ20umの第1接着層
を形成した。
トアミド溶液を塗布し、130’cテ1i間、0.5a
+mHgの減圧下に加熱して厚さ20umの第1接着層
を形成した。
次に、前記支持基材側の粘着層の上に、第1接着層を圧
着した後そのポリエステルフィルムを剥離し、その上に
第2接着層を圧着して、ダイシング・ダイボンドフィル
ムを得た。
着した後そのポリエステルフィルムを剥離し、その上に
第2接着層を圧着して、ダイシング・ダイボンドフィル
ムを得た。
実施例2
ポリエーテルイミドに代えてポリエーテルスlレホンを
用いて第1接着層を形成したほかは実施例1に準じてダ
イシング・ダイボンドフィルムを得た。
用いて第1接着層を形成したほかは実施例1に準じてダ
イシング・ダイボンドフィルムを得た。
実施例3
ポリエーテルイミドに代えてポリスルホンを用いて第1
接着層を形成したほかは実施例1に準じてダイシング・
ダイボンドフィルムを得た。
接着層を形成したほかは実施例1に準じてダイシング・
ダイボンドフィルムを得た。
実施例4
厚さ100μsのポリエステルフィルムからなる支持基
材の上に厚さ50μmの加熱発泡性粘着層を設けてなる
ものを用いたほかは、実施例1に準じてダイシング・ダ
イボンドフィルムを得た。
材の上に厚さ50μmの加熱発泡性粘着層を設けてなる
ものを用いたほかは、実施例1に準じてダイシング・ダ
イボンドフィルムを得た。
なお前記の加熱発泡性粘着層は、アクリル系粘着剤10
0部中に、塩化ヒニリデンーアクリロニトリル共重合体
からなる外壁材でイソブタンをカプセル化してなる熱彫
版性微小球(平均粒径20μm)を20部添加し、その
トルエン溶液を支持基村上に塗工、乾燥させて形成した
。
0部中に、塩化ヒニリデンーアクリロニトリル共重合体
からなる外壁材でイソブタンをカプセル化してなる熱彫
版性微小球(平均粒径20μm)を20部添加し、その
トルエン溶液を支持基村上に塗工、乾燥させて形成した
。
実施例5
第1接着層を、ポリエーテルイミド7、・′ビスフェノ
ールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量185)、。
ールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量185)、。
2−メチルイミダゾール: 100/’60.、/ 1
の重量比からなる配合物で形成したほかは実施例1に準
してダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
の重量比からなる配合物で形成したほかは実施例1に準
してダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
評価試験
上記実施例で得たダイシング・ダイボンドフィルムより
セパレータを剥離し、露出した第2接着層に4インチ径
、370μm厚のミラーウェハを60℃でロール圧着し
たのち、3wll11角にフルダイシングし、ついで支
持基材側を介し紫外線を照射して粘着層を硬化させ、ニ
ードルによる突上げ方式で形成チップをピックアップし
たのち、それを42アロイフレームに200℃で接着し
、さらに200℃で30分間硬化させて固着処理した。
セパレータを剥離し、露出した第2接着層に4インチ径
、370μm厚のミラーウェハを60℃でロール圧着し
たのち、3wll11角にフルダイシングし、ついで支
持基材側を介し紫外線を照射して粘着層を硬化させ、ニ
ードルによる突上げ方式で形成チップをピックアップし
たのち、それを42アロイフレームに200℃で接着し
、さらに200℃で30分間硬化させて固着処理した。
前記において、実施例1,2及び3のいずれの場合にも
、ダイシング時にチップ飛び等の不良は生しなかった。
、ダイシング時にチップ飛び等の不良は生しなかった。
また、ピックアップ時にもトラブルなく容易に粘着層と
第1接着層との間で剥離することができた。さらに、固
着処理されたチ・ツブの剪断接着力はいずれの場合にも
、常温で15kg以上、200℃で1.5kg以上であ
り、工程上充分な接着力を示した。
第1接着層との間で剥離することができた。さらに、固
着処理されたチ・ツブの剪断接着力はいずれの場合にも
、常温で15kg以上、200℃で1.5kg以上であ
り、工程上充分な接着力を示した。
発明の効果
本発明によれば、粘着層と第1、第2接着層を有する構
造とし、その第1接着層と粘着層との間で剥離するよう
にしたので、チップへの分断時に半導体ウェハを充分な
保持力で固定することができると共に、形成したチップ
を第1、第2接着層と共に良好な剥離性のもとにスムー
スに剥離することができる。
造とし、その第1接着層と粘着層との間で剥離するよう
にしたので、チップへの分断時に半導体ウェハを充分な
保持力で固定することができると共に、形成したチップ
を第1、第2接着層と共に良好な剥離性のもとにスムー
スに剥離することができる。
また、第1、第2接着層を介して形成チ・ツブを被着体
に低い加熱温度で、かつ高温接着強度に優れる状態に接
着することができる。
に低い加熱温度で、かつ高温接着強度に優れる状態に接
着することができる。
図はダイシング・ダイボンドフィルムを例示した断面図
である。 1:支持基材 2:粘着層 3:第1接着層 4・第2接着層 特許出願人 日束電工株式会社
である。 1:支持基材 2:粘着層 3:第1接着層 4・第2接着層 特許出願人 日束電工株式会社
Claims (1)
- 1、支持基材の上に、粘着層と第1接着層と第2接着層
を順次有してなり、その第1接着層がガラス転移点15
0℃以上の熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を成分とするポ
リマーアロイ型接着剤からなると共に粘着層との間で剥
離可能となっており、第2接着層が150℃以下の温度
で粘着性を示す熱硬化性接着剤からなることを特徴とす
るダイシング・ダイボンドフィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2328186A JPH04196246A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2328186A JPH04196246A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04196246A true JPH04196246A (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=18207431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2328186A Pending JPH04196246A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04196246A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006299226A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-11-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ダイシングダイボンドシート |
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WO2008015759A1 (en) | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Film adhesive, adhesive sheet, and semiconductor device using the same |
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WO2010016305A1 (ja) | 2008-08-04 | 2010-02-11 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 |
JP2011515839A (ja) * | 2008-03-14 | 2011-05-19 | チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド | 半導体パッケージ用複合機能テープ及びこれを用いた半導体素子の製造方法 |
KR20210041569A (ko) | 2018-08-03 | 2021-04-15 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP2328186A patent/JPH04196246A/ja active Pending
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