JPH04196246A - ダイシング・ダイボンドフィルム - Google Patents

ダイシング・ダイボンドフィルム

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JPH04196246A
JPH04196246A JP2328186A JP32818690A JPH04196246A JP H04196246 A JPH04196246 A JP H04196246A JP 2328186 A JP2328186 A JP 2328186A JP 32818690 A JP32818690 A JP 32818690A JP H04196246 A JPH04196246 A JP H04196246A
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adhesive layer
adhesive
bonding
bond
bonding layer
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JP2328186A
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Yuzo Akata
祐三 赤田
Mitsuharu Akazawa
光治 赤沢
Keiji Nakamoto
中本　啓次
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体ウニノ＼を分断して形成チップを被着
体に耐熱性よ（固着できるようにして製造工程の簡略化
を可能にしたダイシング・グイボンドフィルムに関する
。
従来の技術 回路パターン形成の半導体ウニｌ＼は、必要に応じて裏
面研摩による厚さ調整後チップに分断され〈ダイシング
工程）、形成チップを接着剤にて被着体に固着後（マウ
ント工程）、ボンディング工程に移される。ダイシング
工程では切断屑の除去等のため半導体ウェハを適度な液
圧（通常、２ｋｇＺ−程度）で洗浄することが通例であ
る。
前記において、接着剤を形成チップに別途塗布する方法
では、接着層厚の均一化が困難なこと、接着剤の塗布に
特殊装置と多時間を要することから、分断のため半導体
ウェハを保持する際にチップ固着用の接着層を付与して
工程を簡略化しうるダイシング・ダイボンドフィルムが
提案されている（特開昭６０−５７６４２号公報）。こ
のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に導
電性接着層を剥離可能に設けてなり、その接着層による
保持下に半導体ウェハを分断後、支持基材を延伸して形
成チップを接着層と共に剥離したのち個々に回収してそ
の接着層を介し被着体に固着するようにしたものである
。
しかしながら、支持基材と導電性接着層との接着力を調
整することが困難な問題点があった。すなわち、半導体
ウェハの分断時に分断不能や寸法ミス等の原因となる支
持基材と導電性接着層の眉間剥離が生じない接着力と、
導電性接着層を伴う形成チップの支持基材よりの剥離性
とをバランスさせることが困難な問題点があった。特に
、半導体ウェハを回転丸刃等で切断する方式などのよう
に、大きい保持力が要求される場合に適用できるものを
得ることは困難であった。
発明が解決しようとする課題 本発明は、半導体ウェハの分断時における保持力と、形
成チップの固着用接着層を伴う剥離性とのバランスに優
れ、２００℃以下の低温でも被着体に強固に接着できる
と共に、高温接着強度に優れるダイシング・ダイボンド
フィルムの開発を課題とする。
課題を解決するための手段 本発明は、支持基材の上に、粘着層と第１接着層と第２
接着層を順次有してなり、その第１接着層がガラス転移
点１５０°Ｃ以上の熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を成分
とするポリマーアロイ型接着剤からなると共に粘着層と
の間で剥離可能となっており、第２接着層が１５０℃以
下の温度で粘着性を示す熱硬化性接着剤からなることを
特徴とするダイシング・ダイボンドフィルムを提供する
ものである。
作用 支持基材は、ダイシング・ダイボンドフィルムの強度母
体となるものである。粘着層は、被着体に形成チップを
固着するための第１及び第２の接着層を、接着・剥離バ
ランスよく支持するためのものである。第１接着層は、
形成チップを２００℃以下の低温でも被着体に強固に接
着できるようにし、かつ第２接着層と共に高温接着強度
に優れる（耐熱性）固着を達成するためのものである。
また第１接着層は、常温付近で粘着性を示さず、粘着層
からの剥離性に優れて形成チップのマウント作業の進行
を円滑にする。第２接着層は、その粘着性に基づいて半
導体ウニノ＼を保持するためのものでもある。
実施例 本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを添付図に例
示した。１が支持基材、２が粘着層、３が第１接着層、
４が第２接着層である。
支持基材としては、例えばプラスチックフィルムなどが
用いられる。そのプラスチックの例としては、ポリプロ
ピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・プロピ
レン共重合体、エチレン・エチルアクリレート共重合体
、ポリ塩化ビニルなどがあげられる。帯電防止能を有す
るプラスチック系の支持基材は、金属や合金、その酸化
物などからなる導電性物質の蒸着層（厚さ３０〜５００
人）を有するフィルムや、このフィルムのラミネート体
などとして得ることができる。支持基材の厚さは５〜２
００ｐｍが一般的であるが、適宜に決定してよい。
粘着層の形成には適宜な粘着剤を用いてよい。
厚さは１〜１００μｍが一般的であるが、これに限定さ
れない。
第１接着層の形成には、ガラス転移点が１５０℃以上の
熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を成分とするポリマーアロ
イ型接着剤が用いられる。その熱可塑性樹脂としては、
例えばポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリエ
ーテルスルホン系樹脂などがあげられる。熱硬化性樹脂
としては、例えばエポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、
マレイミド系樹脂、シリコーン系樹脂などがあげられる
。
第１接着層の厚さは、１〜１００νｍが一般的であるが
これに限定されない。
支持基材の上に順次設けられた粘着層と第１接着層はそ
れらの間で剥離可能とされる。本発明においては、半導
体ウェハの分断時における保持力と、形成チップの第１
、第２接着層を伴う剥離容易性などの点より、それらの
間における接着力を１８０度ビール値（常温、引張速度
３００ｍ／分）に基づき、半導体ウェハの分断時におい
て２００ｇ／２０−以上、形成チップの剥離時において
１５０ｇ／２０−以下となるよう粘着層、ないし第１接
着層を調製したものが好ましい。
粘着層と第１接着層との間を剥離可能とする方式につい
ては特に限定はない。形成チップを剥離する際に接着力
を低下、ないし喪失させつる方式であればよい。その例
としては、粘着層の硬化方式、発泡方式ないし加熱膨脹
方式、ブルーミング方式、粘着層ないし第１接着層の冷
却方式、粘着層と第１接着層との間に加熱処理で作用す
る接着力低減層を介在させる方式などがあげられる。本
発明では前記の方式を適宜に組合せて適用してもよい。
前記した粘着層の硬化方式は、架橋度を増大させて接着
力を低下させたり、硬化収縮により応力を発生させるも
のである。その形成は、紫外線硬化型や加熱硬化型など
の硬化型粘着剤を用いることにより行うことができる。
紫外線硬化型の粘着剤の代表例としては、不飽和結合を
２個以上有する付加重合性化合物やエポキシ基を有する
アルコキシシランの如き光重合性化合物と、カルボニル
化合物や有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム
塩系化合物の如き光重合開始剤を配合したゴム系粘着剤
や、アクリル系粘着剤などがあげられろく特開昭６０−
１９６９５６号公報）。光重合性化合物、光重合開始剤
の配合量は、それぞれベースボリマー１００重量部あた
り１０〜５００重量部、０．０５〜２０重量部か一般的
である。
なおアクリル系ポリマーには、通例のもの（特公昭５７
−５４０６８号公報、特公昭５８−３３９０９号公報等
）のほか、側鎖にラジカル反応性不飽和基を有するもの
（特公昭６１−５６２６４号公報）や、分子中にエポキ
シ基を有するものなども用いうる。また、不飽和結合を
２個以上有する付加重合性化合物としては、例えばアク
リル酸やメタクリル酸の多価アルコール系エステルやオ
リゴエステル、エポキシ系やウレタン系化合物などかあ
げられる。さらにエチレングリコールシグリシシルエー
テルの如き分子中にエポキシ基を１個又は２個以上有す
るエポキシ基官能性架橋剤を追加配合して架橋効率を上
げることもできる。紫外線硬化型の粘着層を形成する場
合には紫外線照射処理を可能とすへく支持基材には透明
なものが用いられる。
加熱架橋型の粘着剤の代表例としては、ポ１１イソシア
ネート、メラミン樹脂、アミン−エポキン樹脂、過酸化
物、金属キレート化合物の如き架橋剤や、必要に応じシ
ヒニルヘンゼン、エチレングリコールジアクリレート、
トリメチロールプロパントリメタクリレートの如き多官
能性化合物からなる架橋調節剤などを配合したゴム系粘
着剤やアクリル系粘着剤などがあげられる。
粘着層の発泡方式、ないし加熱彫版方式は、加熱処理で
粘着層を発泡構造とすることにより、あるいは当該層の
彫版下に表面を凹凸構造とすることにより、接着面積を
減少させて接着力を低下させるものである。その形成は
、粘着層に発泡剤、ないし加熱彫版剤を含有させること
により行うことができる。前記した硬化方式との併用は
、接着力の低下に特に有効である。
発泡剤としては、例えば炭酸アンモニウムやアンド類の
如き無機系発泡剤、アゾ系化合物やヒドラジン系化合物
、セミカルバジド系化合物、トリアゾール系化合物、Ｎ
−ニトロソ系化合物の如き有機系発泡剤なと、公知物を
用いてよい。加熱彫版剤としても、例えばカスや低沸点
液等を封入したマイクロカプセルなと、公知物を用いて
よい。
前記のマイクロカプセルは、発泡剤としても用いること
ができて、前記した彫版による表面凹凸構造とするか発
泡による発泡構造とするかを制御することができる。ま
た、粘着剤中に容易に分散させることができて好ましい
。発泡剤、ないし加熱彫版剤の使用量は、ベースボリマ
ー１００重量部あたり０．３〜３００重量部が一般的で
ある。
粘着層のブルーミング方式は、加熱処理で第１接着層と
の界面にブルーミング剤を活発に析出させて接着力を低
下させるものである。その形成は粘着層にブルーミング
剤を含有させることにより行うことができる。用いるブ
ルーミング剤は、第１接着層との界面における接着力を
低下させるものであればよい。一般には、界面活性剤や
シリコーン組成物、パラフィンやワックス等の低融点物
質などが用いられる。有機溶剤や水等の液体もマイクロ
カプセル化して用いうる。界面活性剤の使用は、帯電防
止能を付与しつる利点などもある。
ブルーミング剤の使用量は、ベースボリマー１００重量
部あたり１０〜３００重量部が一般的である。
粘着層、ないし第１接着層の冷却方式は、低温化により
接着力を低下させるものである。冷却温度は一３０℃程
度までが一般的である。冷却方式は他の方式の適用後に
適用することもてきる。
加熱処理で作用する接着力低減層を介在させる方式は、
第１接着層と粘着層との間に接着力低減層を固形層とし
て設け、加熱処理により接着力低減層を変化させて当該
界面の接着力を低減させるものである。接着力低減層の
形成には、前記のマイクロカプセル化した発泡剤、ない
し加熱彫版剤やブルーミング剤、加熱処理で軟化、ない
し流動体化するパラフィンやワックス等の低融点物質な
どが用いつる。接着力低減層は、粘着層等の面上に部分
塗布やパターン塗布した状態のものとして形成してもよ
く、第１接着層と粘着層との界面の全面を占有する必要
はない。
第１接着層上の第２接着層の形成には、１５０℃以下の
温度で粘着性を示す熱硬化性接着剤が用いられる。かか
る第２接着層の形成は例えば、エポキシ系樹脂、フェノ
ール系樹脂、ポリイミド系樹脂、マレイミド系樹脂、シ
リコーン系樹脂の如き熱硬化性樹脂をＢステージ状態と
する方式、熱硬化性樹脂にカルボキシル基やヒドロキシ
ル基の如き架橋用官能基を導入した粘着性物質と、必要
に応じて架橋剤を配合した粘着性接着剤を用いる方式な
どにより行うことができる。前記の粘着性物質としては
例えば、ＮＢＲやアクリル系ポリマーの如き粘着剤形成
用ポリマー、ロジン系樹脂やテルペン系樹脂の如き粘着
性付与樹脂などがあげられる。なお、粘着性接着剤を用
いる方式においても必要に応じてＢステージ状態に半硬
化される。
第２接着層の厚さは、１〜１１００ｕが一般的であるが
これに限定されない。
本発明においては、第１接着層又は／′及び第２接着層
に、例えばアルミニウム、銅、銀、金、パラジウム、カ
ーボンの如き導電性物質からなる微粉末を含有させて導
電性を付与してもよい。またアルミナの如き熱伝導性物
質からなる微粉末を含有させて熱伝導性を高めてもよい
。
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの使用は、例
えば次の方法により行うことができる。
すなわち、第２接着層に半導体ウェハを接着保持させて
固定し、回転丸刃等による適宜な手段で第１、第２接着
層も含めてチップに分断する。その際、支持基材は分断
せずに一体物として残存させる方式が後工程での取扱い
性等の点より有利である。次に、必要に応じて粘着層と
第１接着層との間の接着力を低下、ないし喪失させる措
置を加えた後、形成チップを第１、第２接着層と共に粘
着層より剥離し、それをリードフレームや基板等の被着
体に第１接着層を介して接着し、接着層を加熱硬化させ
て形成チップを固定する方法である。
なおダイシング・ダイボンドフィルムはそれを実用に供
するまでの間、その第２接着層にセパレータを仮着して
保護することが通例である。
実施例１ 厚さ５０１のポリ塩化ビニルフィルムからなる支持基材
の上に、アクリル系の紫外線硬化型粘着剤を塗布して厚
さ３０μ■の粘着層を形成した。
一方、剥離剤で処理したポリエステルフィルムからなる
セパレータの上に、カルボキシル変性ＮＢ　Ｒ／ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４５０）／ノ
ボラック型フェノール樹脂（軟化点７５℃）／２−メチ
ルイミダゾールを、ｌｏｏ／′６０／３０／１の重量比
で配合したメチルエチルケトン溶液を塗布し、１００℃
で１０分間加熱して厚さ１０ｕｍの第２接着層を形成し
た。
他方、ポリエステルフィルムの上にポリエーテルイミド
／ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８
５）／ノボラック型フェノール樹脂（軟化点７５℃）／
２−メチルイミダゾールをｌｏ。
１５０／３０１０．５の重量比で配合したジメチルアセ
トアミド溶液を塗布し、１３０’ｃテ１ｉ間、０．５ａ
＋ｍＨｇの減圧下に加熱して厚さ２０ｕｍの第１接着層
を形成した。
次に、前記支持基材側の粘着層の上に、第１接着層を圧
着した後そのポリエステルフィルムを剥離し、その上に
第２接着層を圧着して、ダイシング・ダイボンドフィル
ムを得た。
実施例２ ポリエーテルイミドに代えてポリエーテルスｌレホンを
用いて第１接着層を形成したほかは実施例１に準じてダ
イシング・ダイボンドフィルムを得た。
実施例３ ポリエーテルイミドに代えてポリスルホンを用いて第１
接着層を形成したほかは実施例１に準じてダイシング・
ダイボンドフィルムを得た。
実施例４ 厚さ１００μｓのポリエステルフィルムからなる支持基
材の上に厚さ５０μｍの加熱発泡性粘着層を設けてなる
ものを用いたほかは、実施例１に準じてダイシング・ダ
イボンドフィルムを得た。
なお前記の加熱発泡性粘着層は、アクリル系粘着剤１０
０部中に、塩化ヒニリデンーアクリロニトリル共重合体
からなる外壁材でイソブタンをカプセル化してなる熱彫
版性微小球（平均粒径２０μｍ）を２０部添加し、その
トルエン溶液を支持基村上に塗工、乾燥させて形成した
。
実施例５ 第１接着層を、ポリエーテルイミド７、・′ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８５）、。
２−メチルイミダゾール：　１００／’６０．、／　１
の重量比からなる配合物で形成したほかは実施例１に準
してダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
評価試験 上記実施例で得たダイシング・ダイボンドフィルムより
セパレータを剥離し、露出した第２接着層に４インチ径
、３７０μｍ厚のミラーウェハを６０℃でロール圧着し
たのち、３ｗｌｌ１１角にフルダイシングし、ついで支
持基材側を介し紫外線を照射して粘着層を硬化させ、ニ
ードルによる突上げ方式で形成チップをピックアップし
たのち、それを４２アロイフレームに２００℃で接着し
、さらに２００℃で３０分間硬化させて固着処理した。
前記において、実施例１，２及び３のいずれの場合にも
、ダイシング時にチップ飛び等の不良は生しなかった。
また、ピックアップ時にもトラブルなく容易に粘着層と
第１接着層との間で剥離することができた。さらに、固
着処理されたチ・ツブの剪断接着力はいずれの場合にも
、常温で１５ｋｇ以上、２００℃で１．５ｋｇ以上であ
り、工程上充分な接着力を示した。
発明の効果 本発明によれば、粘着層と第１、第２接着層を有する構
造とし、その第１接着層と粘着層との間で剥離するよう
にしたので、チップへの分断時に半導体ウェハを充分な
保持力で固定することができると共に、形成したチップ
を第１、第２接着層と共に良好な剥離性のもとにスムー
スに剥離することができる。
また、第１、第２接着層を介して形成チ・ツブを被着体
に低い加熱温度で、かつ高温接着強度に優れる状態に接
着することができる。
【図面の簡単な説明】
図はダイシング・ダイボンドフィルムを例示した断面図
である。 １：支持基材 ２：粘着層 ３：第１接着層 ４・第２接着層 特許出願人　　日束電工株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、支持基材の上に、粘着層と第１接着層と第２接着層
    を順次有してなり、その第１接着層がガラス転移点１５
    ０℃以上の熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を成分とするポ
    リマーアロイ型接着剤からなると共に粘着層との間で剥
    離可能となっており、第２接着層が１５０℃以下の温度
    で粘着性を示す熱硬化性接着剤からなることを特徴とす
    るダイシング・ダイボンドフィルム。
JP2328186A 1990-11-27 1990-11-27 ダイシング・ダイボンドフィルム Pending JPH04196246A (ja)

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