TWI391783B - 光敏性樹脂組成物，由光敏性樹脂組成物所製得之薄膜面板及製造薄膜面板之方法 - Google Patents

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Description

光敏性樹脂組成物，由光敏性樹脂組成物所製得之薄膜面板及製造薄膜面板之方法 相關申請案之交叉參照
本案主張於2004年12月16日提出申請之韓國專利申請案第10-2004-0106956號作為優先權文件，該文件的內容係以它的整體被納於此作為參考。
發明領域
本發明一般而言是有關於一種光敏性樹脂組成物、一種包含有一由該光敏性組成物所製得之層的薄膜面板、以及用以製造該薄膜面板的方法。特別地，本發明是有關於一種用於一顯示面板之絕緣的光敏性樹脂組成物。
 發明背景
一種主動式類型的顯示裝置[諸如一主動式矩陣(active matrix；AM)液晶顯示器(LCD)和一主動式矩陣有機光激發偶極體(OLED)顯示器]包括數個像素(pixel)被排列在一矩陣中。該等像素在矩陣中包括切換元件，並且該等像素邊界常常是藉由數條訊號線[諸如用於傳輸訊號至該切換元件的閘極線(gate line)和數據線(data line)]而被形成。該等像素的切換元件回應來自閘極線的閘極訊號而選擇性地傳輸來自數據線的數據訊號至該等像素作為顯示影像。LCD的像素依據該等數據訊號調整入射光(incident light)的透光度(transmittance)，但OLED顯示器的像素卻是依據該等數據訊號調整光發射(light emission)的亮度 (luminance)。
LCD和OLED顯示器包括一面板被提供有TFT、電場-產生電極、訊號線等等。該面板具有一種包括數個導電層和絕緣層的層狀結構。閘極線、數據線以及電場-產生電極是由不同導電層形成並且藉由絕緣層分開。
絕緣層是由無機或是有機絕緣體(insulator)製得。有機絕緣體具有一透光度高於無機絕緣體，並且因而常常提供經提高之亮度(以及關於一LCD的一經提高之參考視角)。這些有機絕緣體的數者具有一光敏度位準(photosensitivity level)，俾以容許它們只藉由光刻技術(lithography)而不是蝕刻(etching)來被圖樣化，因而簡化顯示器的製造過程。
然而，傳統的光敏性有機絕緣層常常具有不同的光點(spot)或是污點(stain)。特別是，當顯示裝置增加尺寸時，有關於該有機絕緣層之塗覆的污點被頻繁地產生。該等污點可能是沿著一塗覆裝置的一狹縫型式噴嘴的一方向的水平污點、沿著該狹縫型式噴嘴的一縱長(lengthwise)方向的垂直污點，或是散佈在一基材的一整體表面的不規則光點。此外，該有機層接近一基材的邊緣的部分有時候比該有機層的其他部分厚。這些具有額外厚度的部分在顯像(developement)期間不能完全地溶解，使得它們被不必要的保留而形成污點，降低顯示裝置的影像品質。
一種用於形成具有較少污點之有機絕緣層的方法和裝置是所欲的。
 發明概要
在一方面，本發明是一種光敏性樹脂組成物，其包含有一種鹼可溶性樹脂(alkali-soluble resin)、一種二疊氮醌(quinone diazide)、一種介面活性劑以及一種溶劑。該溶劑包含：一種二甘醇二烷基醚(diethylene glycol dialkyl ether)，它包含一具有1至5個碳原子的烷基基團；一種3-乙氧基丙酸乙酯(ethyl 3-ethoxy propionate)；一種乙酸烷基酯(alkyl acetate)，它包含一具有3至8個碳原子的烷基基團；以及一種乳酸烷基酯(alkyl lactate)，它包含一具有1至6個碳原子的烷基基團。
相對於溶劑的整體重量，該二甘醇二烷基醚的重量百分比範圍可從大約10至大約70%，該3-乙氧基丙酸乙酯的重量百分比範圍可從大約10至大約70%，該乙酸烷基酯的重量百分比範圍可從大約1至大約20%，該乳酸烷基酯的重量百分比範圍可從大約1至大約20%。
在另一方面，本發明是一種薄膜面板，它包含有：一基材；一薄膜圖樣，它被形成在該基材上；以及一絕緣層，它被形成在該薄膜圖樣上並且是從一種光敏性樹脂組成物所製得。該光敏性樹脂組成物包含有一種鹼可溶性樹脂、一種二疊氮醌、至少一種介面活性劑以及一溶劑。該溶劑包含：一種二甘醇二烷基醚，它包含一具有1至5個碳原子的烷基基團；一種3-乙氧基丙酸乙酯；一種乙酸烷基酯，它包含一具有3至8個碳原子的烷基基團；以及一種乳酸烷基酯，它包含一具有1至6個碳原子的烷基基團。
在又一方面，本發明是一種用以製造一薄膜面板的方法。該方法包括：在一基材上形成一薄膜圖樣；塗覆一種包含有下列的光敏性樹脂組成物：一種鹼可溶性樹脂、一種二疊氮醌、至少一種介面活性劑以及一溶劑；在該光敏性樹脂組成物上執行一曝光處理(light exposure)；以及顯像該光敏性樹脂組成物。該溶劑包含：一種二甘醇二烷基醚，它包含有一具有1至5個碳原子的烷基基團；一種3-乙氧基丙酸乙酯；一種乙酸烷基酯，它包含有一具有3至8個碳原子的烷基基團；以及一種乳酸烷基酯，它包含有一具有1至6個碳原子的烷基基團。
圖式簡單說明
本發明將藉由詳細的描述它們的具體例與參考伴隨的圖示而變得更清楚，其中：第1圖是依據本發明之一具體例的一個TFT陣列面板之一佈局視圖(layout view)；第2圖是被顯示在第1圖中之TFT陣列面板沿著線II-II’的一個剖面圖；第3A、4A、5A、和6A圖是依據本發明之一具體例而被顯示在第1和第2圖中之TFT陣列面板在它們的一個製造方法的中間步驟中的佈局視圖；第3B圖是被顯示在第3A圖中之TFT陣列面板沿著線IIIB-IIIB’的一個剖面圖；第4B圖是被顯示在第4A圖中之TFT陣列面板沿著線IVB-IVB’的一個剖面圖； 第5B圖是被顯示在第5A圖中之TFT陣列面板沿著線VB-VB’的一個剖面圖；第6B圖是被顯示在第6A圖中之TFT陣列面板沿著線VIB-VIB’的一個剖面圖；第7圖是依據本發明的另一具體例的一個TFT陣列面板之一佈局視圖；第8圖是被顯示在第7圖中之TFT陣列面板沿著線VIII-VIII’的一個剖面圖；第9A和第10A圖是依據本發明的一個具體例而被顯示在第7和第8圖中之TFT陣列面板在它們的一個製造方法的中間步驟中的佈局視圖；第9B圖是被顯示在第9A圖中之TFT陣列面板沿著線IXB-IXB’的一個剖面圖；第10B圖是被顯示在第9A圖中之TFT陣列面板沿著線XB-XB’的一個剖面圖；和第11A至第11F圖是說明依據本發明的一實例的光敏性樹脂膜和比較例的照片。
 較佳實施例之詳細說明
本發明如今將在此後參考伴隨的圖示而被更完全地描述，其中本發明的較佳具體例被顯示。然而，本發明以許多不同的形式被呈現，並且不應被解釋為受限於此處所陳述之具體例。
一種依據本發明的光敏性樹脂組成物包含一種鹼可溶 性樹脂、一種二疊氮醌、介面活性劑以及一溶劑。該溶劑包含：一種二甘醇二烷基、一種3-乙氧基丙酸乙酯、一種乙酸烷基酯以及一種乳酸烷基酯。
該鹼可溶性樹脂可包含有一種可固化的(curable)共聚物，該共聚物包含有一種衍生自一不飽和羧酸的化合物(a1)以及一種衍生自一包含有一交聯基團之不飽和化合物的化合物(a2)，該不飽和化合物不是一種不飽和羧酸。
在化合物(a1)中的不飽和羧酸可包括一種包含有一或多個羧基基團的分子，並且該不飽和羧酸的實例包括一種不飽和單羧酸和一種不飽和雙羧酸。該不飽和羧酸可能選自於下列：一丙烯酸(acrylic acid)、一甲基丙烯酸(methacrylic acid)、一巴豆酸(crotonic acid)、一亞甲基丁二酸(itaconic acid)、一順丁烯二酸(maleic acid)、一反丁烯二酸(fumaric acid)、一檸康酸(citraconic acid)、一中康酸(mesaconic acid)和一桂皮酸(cinnamic acid)。
化合物(a2)可包括一種包含有一環氧基基團或是較佳地一氧環丁烷基(oxetanyl)基團的不飽和化合物。
該不飽和化合物包含有一環氧基基團的實例包括：一(甲基)丙烯酸環氧丙基酯[glycidyl(meth)acrylate]、一(甲基)丙烯酸β-甲基環氧丙基酯、一(甲基)丙烯酸β-乙基環氧丙基酯、一(甲基)丙烯酸3-甲基-3,4-環氧丁基酯、一(甲基)丙烯酸3-乙基-3,4-環氧丁基酯、一(甲基)丙烯酸4-甲基-4，5-環氧戊基酯、一(甲基)丙烯酸2,3-環氧環己基甲基酯、一(甲基)丙烯酸3,4-環氧環己基甲基酯、一鄰-乙烯基 苯甲基環氧丙基醚[o-vinyl benzyl glycidyl ether]、一間-乙烯基苯甲基環氧丙基醚、一對-乙烯基苯甲基環氧丙基醚、一1-乙烯基環己烯氧化物[1-vinyl cyclohexene oxide]、一3-乙烯基環己烯氧化物、和一4-乙烯基環己烯氧化物。
該不飽和化合物包含有一氧環丁烷基基團的實例包括：一3-(甲基)丙烯醯基氧甲基氧環丁烷[3-(meth)acryloyloxymethyl oxetane]、一3-甲基-3-(甲基)丙烯醯基氧甲基氧環丁烷、一3-乙基-3-(甲基)丙烯醯基氧甲基氧環丁烷、一2-苯基-3-(甲基)丙烯醯基氧甲基氧環丁烷、一2-三氟甲基-3-(甲基)丙烯醯基氧甲基氧環丁烷、一2-五氟乙基-3-(甲基)丙烯醯基氧甲基氧環丁烷、一3-甲基-3-(甲基)丙烯醯基氧乙基氧環丁烷、一3-甲基-3-(甲基)丙烯醯基氧乙基氧環丁烷[3-methyl-3-(meth)acryloyloxyethyl oxetane]、一2-苯基-3-(甲基)丙烯醯基氧乙基氧環丁烷、一2-三氟甲基-3-(甲基)丙烯醯基氧乙基氧環丁烷、和一2-五氟乙基-3-(甲基)丙烯醯基氧乙基氧環丁烷。在上面所描述的氧環丁烷中，3-乙基-3-(甲基)丙烯醯基氧甲基氧環丁烷是較佳的。
光敏性樹脂組成物包含有氧環丁烷基基團對於該光敏性樹脂組成物的儲存是有利的。
可固化的共聚物可進一步包括一種化合物(a3)，該化合物包括選自於由下列所構成之群組中的至少一者：一種化合物(a31)衍生自一具有一烯屬(olefinic)雙鍵的羧酸酯；一化合物(a32)衍生自一具有一可聚合之不飽和碳-對-碳鍵結的芳香族化合物；一化合物(a33)衍生自一氰乙烯(vinyl cyanide)；以及一化合物(a34)衍生自一N-取代順丁烯二醯亞胺(N-substituted maleimide)。
羧酸酯具有一烯屬雙鍵並且衍生化合物(a31)的一實例包括一化合物衍生自：一不飽和羧酸酯，諸如一(甲基)丙烯酸甲酯、一(甲基)丙烯酸乙酯、一(甲基)丙烯酸丁酯、一(甲基)丙烯酸2-羥乙基酯、一(甲基)丙烯酸苯甲基酯、一(甲基)丙烯酸環己基酯、一(甲基)丙烯酸異基酯[isobornyl(meth)acrylate]或是一(甲基)丙烯酸二環戊基酯、(甲基)丙烯酸苯基酯、一順丁烯二酸二乙酯、一反丁烯二酸二乙酯和一亞甲基丁二酸二乙酯(diethyl itaconate)；一不飽和的羧酸胺基烷基酯，諸如一(甲基)丙烯酸胺基乙基酯；以及一乙烯酯，諸如一乙酸乙烯酯和一丙酸乙烯酯。
芳香族化合物具有一可聚合之不飽和碳-對-碳鍵結並且產生化合物(a32)的實例包括：一苯乙烯(styrene)、一α-甲基苯乙烯、和一乙烯甲苯(vinyl toluene)。
氰乙烯[化合物(a33)是從其衍生]的一實例包括一種衍生自一氰乙烯的化合物，諸如一丙烯腈(acrylonitrile)、一甲基丙烯腈、和一α-氯(甲基)丙烯腈。
衍生化合物(a34)之N-取代順丁烯二醯亞胺的實例包括：一N-甲基順丁烯二醯亞胺、一N-乙基順丁烯二醯亞胺、一N-丁基順丁烯二醯亞胺、一N-環己基順丁烯二醯亞胺、一N-苯甲基順丁烯二醯亞胺、一N-苯基順丁烯二醯亞胺、一N-(4-乙醯苯基)順丁烯二醯亞胺、一N-(2,6-二乙基苯基) 順丁烯二醯亞胺、一N-(4-二甲胺基-3,5-二硝苯基)順丁烯二醯亞胺、一N-琥珀醯亞胺基-3-順丁烯二醯亞胺苯甲酸酯[N-succinimidyl-3-maleimide benzoate]、一N-琥珀醯亞胺基-3-順丁烯二醯亞胺丙酸酯、一N-琥珀醯亞胺基-4-順丁烯二醯亞胺丁酸酯、一N-琥珀醯亞胺基-6-順丁烯二醯亞胺己酸酯、一N-(1-苯胺萘基)-4-順丁烯二醯亞胺、一N-[4-(2-苯并唑基)苯基]順丁烯二醯亞胺、和一N-(9-吖啶基)順丁烯二醯亞胺。
化合物(a1)、(a2)、(a31)、(a32)、(a33)和(a34)的每一者可包括一或多個衍生自上面所描述之化合物的化合物。
在共聚物中包含有衍生自不飽和羧酸的化合物(a1)以及衍生自包含有交聯基團之不飽和化合物的化合物(a2)，該化合物(a1)的莫耳分率較佳地是等於該共聚物的大約5-50 mol%，並且更佳地大約15-40 mol%，以及該化合物(a2)的莫耳分率是等於該共聚物的大約5-95 mol%，並且更佳地大約15-85 mol%。
包含有共聚物[該共聚物包括化合物(a1)和(a2)在上面所描述的量之中]的光敏性樹脂組成物對於一顯像劑具有一合適的解析速度並且具有一高度可固化性(curability)。
在該共聚物中除了化合物(a1)和(a2)之外進一步包含有化合物(a3)，該化合物(a3)的莫耳分率較佳地是等於大約0.01-90 mol%，以及更佳地大約0.01-80 mol%。
該共聚物可能藉由下列方式而形成，例如：(1)在大約60-300℃的溶液聚合反應，該聚合反應在一 種具有或沒有鏈轉移劑(chain transfer agent)的有機溶劑中混合單體和一聚合反應起始劑，如被描述在J.Polym.Sci.,Polym.Chem.(1968),6(2),pp.257-267；(2)在大約60-300℃的懸浮或是乳化聚合反應，該反應使用一種不會溶解單體的溶劑，如被描述在J.Polym.Sci.,Polym.Chem.(1983),21(10),pp.2949-2960；(3)在大約60-200℃的總體(bulk)聚合反應，如被描述在日本專利申請案公開號Hei 6-80735；和(4)逐次地供應單體進入聚合反應容室中，在具有或沒有一聚合反應起始劑下加熱該等單體，在大約180-300℃持續大約5-60分鐘，以及把反應產物萃取出容室，如被描述在日本專利申請案公開號10-195111。
此外，該共聚物可能藉由單體、聚合反應起始劑、以及一有機溶劑的混合和反應而被獲得。這個混合和反應可能藉由逐次地供應單體在一種具有一添加的聚合反應起始劑的有機溶劑中，以及藉由逐次地加入單體和一起始劑至一有機溶劑而被完成。為了散逸(dissipate)反應的熱，較佳的是逐次地供應該單體[如相對於一次所有(all at once)]。為了獲得具有一狹窄分子量分布的聚合體化合物，較佳的是逐次地供應該聚合反應起始劑。
較佳地，本反應被執行持續從大約1至大約20小時，以及更佳地持續大約2至10小時，在一溫度較佳地大約40至大約200℃，更佳地大約50至大約150℃，以及最佳地大約60至120℃。當該等單體被逐次地供應時，較佳的是該等單體 被供應持續大約1至大約5小時，並且被連續地加熱持續大約1至大約10小時。在這個案子中，反應濃度(亦即該等單體在總反應溶液中的重量百分比)較佳地是大約10至大約70%，以及更佳地大約20至大約60%。
有機溶劑的實例包括：醇類，諸如一甲醇、一乙醇、一丙醇、一丁醇、一戊醇、一己醇、環己醇；酮類，諸如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、二異丁基酮、環戊酮、和環己酮；醚類，諸如乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二丙基醚、乙二醇二丁基醚、乙二醇乙基甲基醚、二甘醇二甲基醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇二丙基醚、二甘醇二丁基醚、二甘醇乙基甲基醚、乙二醇一甲基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇一丁基醚、二甘醇一甲基醚、二甘醇一乙基醚、二甘醇一丁基醚、三甘醇二甲基醚、四甘醇二甲基醚、丙二醇一甲基醚、二伸丙甘醇一甲基醚、二伸丙甘醇一乙基醚、二伸丙甘醇二甲基醚、二伸丙甘醇二乙基醚、3-甲氧基-1-丁醇、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇。
酯類，諸如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乙酸3-甲氧基丁基酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基-1-丁基酯、乙二醇一乙基醚乙酸酯、乙二醇一乙基醚乙酸酯、二甘醇一丁基醚乙酸酯、丙二醇一甲基醚乙酸酯、丙二醇一乙基醚乙酸酯、二伸丙甘醇一甲基醚乙酸酯、二伸丙甘醇一乙基醚乙酸酯、1、3-丙二醇二乙酸 酯(1、3-propanediol diacetate)、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、2-羥基異丁酸甲酯(methyl 2-hydroxy isobutanate)、碳酸伸乙酯(ethylene carbonate)、碳酸伸丙酯(propylene carbonate)、以及丁內酯；和芳香烴類諸如甲苯和二甲苯。
溶劑可包括二或多種上面所描述之化合物。
共聚物包含有化合物(a1)和(a2)的實例包括：3-乙基-3-甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/甲基丙烯酸苯甲基酯/甲基丙烯酸酯共聚物、3-乙基-3-甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/甲基丙烯酸苯甲基酯/甲基丙烯酸酯/苯乙烯共聚物、3-乙基-3-甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/甲基丙烯酸酯/苯乙烯共聚物、3-乙基-3-甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/甲基丙烯酸酯/環己基甲基丙烯酸酯共聚物、3-乙基-3-甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸甲酯共聚物、3-乙基-3-甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯共聚物、3-乙基-3-甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸第三丁酯共聚物、3-乙基-3-甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸異基酯共聚物、3-乙基-3-甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/乙酸苯甲基酯共聚物、3-乙基-3-甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/甲基丙烯酸酯/丙烯酸環己基酯共聚物、3-乙基-3-甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/甲基丙烯酸酯/丙烯酸異基酯共聚物、3-乙基-3-甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸二環戊基酯共聚物、或是3-乙基-3- 甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/甲基丙烯酸酯/丙烯酸第三丁酯共聚物、3-乙基-3-甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/甲基丙烯酸酯/苯基[順丁烯二醯亞胺共聚物、和3-乙基-3-甲基丙烯醯基氧甲基氧環丁烷/甲基丙烯酸酯/環己基順丁烯二醯亞胺共聚物。
共聚物[包含有化合物(a1)和(a2)]的平均分子量藉由凝膠滲透色層分析法(gel permeation chromatography；GPC)使用一聚苯乙烯標準品而被測定，較佳地是大約2,000至大約100,000，更佳地大約2,000至大約50,000，以及最佳地大約3000至大約20,000。當該平均分子量是在上面所描述的範圍中時，顯像速度是隨著維持該不溶性分率(insoluble fraction)而被增加。
共聚物[包含有化合物(a1)和(a2)]的重量分率，相對於光敏性樹脂組成物之固體含量，較佳地是大約50至大約98 wt.%，以及更佳地大約60至大約95 wt.%。
在光敏性樹脂組成物中的二疊氮醌(quinone diazide)可能選自於：1,2-二疊氮苯醌磺酸酯(1,2-benzoquinonediazide sulfonate ester)、1,2-二疊氮萘醌磺酸酯、1,2-二疊氮苯醌磺醯胺(1,2-benzoquinonediazide sulfonate amide)、和1,2-二疊氮萘醌磺醯胺。
二疊氮醌的實例包括：三羥二苯基酮(trihydroxybenzophenone)的1,2-二疊氮萘醌磺酸酯，諸如2,3,4-三羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、2,3,4-三羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯、 2,4,6-三羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、和2,4,6-三羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯；四羥二苯基酮(tetrahydroxybenzophenone)的1,2-二疊氮萘醌磺酸酯，諸如2,2’,4,4’-四羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、2,2’,4,4’-四羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯、2,2’,4,3’-四羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、2,2’,4,3’-四羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯、2,3,4,4’-四羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、2,3,4,4’-四羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯、2,3,4,2’-四羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、2,3,4,2’-四羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯、2,3,4,4’-四羥基-3’-甲氧基二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、和2,3,4,4’-四羥基-3’-甲氧基二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯；五羥二苯基酮(pentahydroxybenzophenone)的1,2-二疊氮萘醌磺酸酯，諸如2,3,4,2’,6’-五羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、和2,3,4,2’,6’-五羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯；六羥二苯基酮(hexahydroxybenzophenone)的1,2-二疊氮萘醌磺酸酯，諸如2,4,6,3’,4’,5’-六羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、2,4,6,3’,4’,5’-六羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、3,4,5,3’,4’,5’-六羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、和3,4,5,3’,4’,5’-六羥二苯基酮-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯；(聚羥苯基)烷[(polyhydroxyphenyl)alkane]的1,2-二疊 氮萘醌磺酸酯，諸如雙(2,4-二羥苯基)甲烷-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、雙(2,4-二羥苯基)甲烷-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯、雙(p-羥苯基)甲烷-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、雙(p-羥苯基)甲烷-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯、1,1,1-三(p-羥苯基)乙烷-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、1,1,1-三(p-羥苯基)乙烷-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯、雙(2,3,4-三羥苯基)甲烷-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、雙(2,3,4-三羥苯基)甲烷-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯、2,2’-雙(2,3,4-三羥苯基)丙烷-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、2,2’-雙(2,3,4-三羥苯基)丙烷-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯、1,1,3-參(2,5-二甲基-4-羥苯基)-3-苯丙烷-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、1,1,3-參(2,5-二甲基-4-羥苯基)-3-苯丙烷-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯、4,4'-[1-[4-[1-[4-羥苯基]-1-甲基乙基]苯基]亞乙基])雙酚-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯、雙(2,5-二甲基-4-羥苯基)-2-羥苯基甲烷-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、雙(2,5-二甲基-4-羥苯基)-2-羥苯基甲烷-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯、3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺二茚-5,6,7,5',6',7'-己醇基-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺二茚-5,6,7,5',6',7'-己醇基-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯、2,2,4-三甲基-7,2',4'-三羥基黃烷基-1,2-二疊氮萘醌-4-磺酸酯、和2,2,4-三甲基-7,2',4'-三羥基黃烷基-1,2-二疊氮萘醌-5-磺酸酯。
該光敏性樹脂組成物可包括二或多種上面所描述之二疊氮醌。
二疊氮醌的重量分率，相對於光敏性樹脂組成物之固體含量的重量，較佳地是大約2至大約50 wt.%，以及更佳 地大約5至大約40 wt.%。在這個案子中，解析速度中的差異在該光敏性樹脂組成物的曝露部分和未曝露部分之間變大，俾以增加不溶性分率。
介面活性劑可包括一種有機氟介面活性劑以及具有或不具有氟原子的聚矽氧(silicone)介面活性劑。
該有機氟介面活性劑可具有化學式1： 其中Rf 是一包含有大約5-10個碳原子的直鏈或支鏈全氟烷撐基團(perfluoroalkylene group)，並且Z是一氫或是一氟。
該有機氟介面活性劑的Rf 的實例包括：全氟n-戊撐基團、全氟n-己撐基團、全氟n-庚撐基團、全氟n-辛撐基團、全氟n-壬撐基團、全氟n-癸撐基團、以及全氟2-乙基己撐基團。在上面所描述的全氟烷撐基團之中，全氟n-己撐基團、全氟n-辛撐基團、和全氟n-癸撐基團是較佳的。
該有機氟介面活性劑的實例包括：3-全氟己基-1,2-環氧丙烷、3-全氟辛基-1,2-環氧丙烷、和3-全氟癸基-1,2-環氧丙烷。在上面所列的實例之中，3-全氟辛基-1,2-環氧丙烷是較佳的。
該有機氟介面活性劑的濃度，相對於光敏性樹脂組成物的整體含量，較佳地是大約1至大約1,000 ppm，更佳地大約10至大約500 ppm，以及最佳地大約50至大約300 ppm。使用這個組成物，該光敏性樹脂可以形成一種具有被減少污點的膜。
該有機氟介面活性劑的重量分率，相對於有機氟介面 活性劑和聚矽氧介面活性劑的整體重量含量，較佳地是大約10至大約50 wt.%。
聚矽氧介面活性劑包括具有化學式2的第一聚矽氧介面活性劑和具有化學式3的第二聚矽氧介面活性劑： 其中R是一包含有大約2-5個碳原子的直鏈或支鏈烷撐基團，x和y的每一者是一為大約1-20的整數，R’是一包含有大約1-20個碳原子的烷基基團或一包含有大約2-21個碳原子的直鏈或支鏈羰基烷基基團，v和w的每一者是一為1-20整數，並且m和l的每一者是一為大約1-9的整數其中(m+1)落在2和10之間。
R的實例包括：乙撐基團、n-丙撐基團、n-丁撐基團、環戊烷撐基團(pentamethylene group)、異丙撐基團、2-甲基n-丙撐基團、3-甲基n-丙撐基團、2-甲基n-丁撐基團、3-甲基n-丁撐基團、和2,2-二甲基n-丙撐基團。在上面所列的基團之中，乙撐基團、n-丙撐基團、和異丙撐基團是較佳的。
整數x範圍較佳地從2至6，以及整數y範圍較佳地從5至10。
在上面所描述範圍中之x和y的任一種組合可以被選 擇，並且x和y的範圍在上面所描述之較佳範圍中的任一種組合是較佳的。
第一聚矽氧介面活性劑的一實例包括甲基氫雙(三甲基矽氧基)矽烷[methyl hydro bis(trimethyl siloxy)silane]和聚烷伸二醇單烯丙基醚(polyalkylene glycol monoallyl ether)的一反應產物，該產物較佳地具有一分子量從大約200至大約500。
第一聚矽氧介面活性劑的濃度，相對於光敏性樹脂組成物的整體含量，較佳地是從大約1至大約1,000 ppm，更佳地從大約10至大約500 ppm，以及最佳地從大約50至大約300 ppm，而使得由該光敏性樹脂組成物製得的一膜具有被減少的污點。
在化學式3中之R’的實例包括：甲基基團、乙基基團、n-丙基基團、n-丁基基團、n-戊基基團、n-己基基團、n-庚基基團、n-辛基基團、n-壬基基團、n-癸基基團、n-十二基基團、n-十一基基團、n-十四基基團、n-十六基基團、n-十八基基團、異丙基基團、sec-丁基基團、tert-丁基基團、2-甲基己基基團、羰基甲基基團、羰基乙基基團、羰基n-丙基基團、羰基n-丁基基團、羰基n-戊基基團、羰基n-己基基團、羰基n-庚基基團、羰基n-辛基基團、羰基n-壬基基團、羰基n-癸基基團、羰基n-十二基基團、羰基n-十一基基團、羰基n-十四基基團、羰基n-十六基基團、羰基n-十八基基團、羰基異丙基基團、羰基sec-丁基基團、羰基tert-丁基基團、和羰基2-甲基己基基團。在上面所列的基團之中，甲 基基團、乙基基團、n-丙基基團、n-丁基基團、n-戊基基團、n-己基基團、n-辛基基團、n-癸基基團、n-十一基基團、n-十四基基團、n-十六基基團、n-十八基基團、異丙基基團、sec-丁基基團、tert-丁基基團、2-甲基己基基團、羰基甲基基團、羰基乙基基團、羰基n-丙基基團、羰基n-丁基基團、羰基n-己基基團、羰基n-辛基基團、羰基n-癸基基團、羰基n-十一基基團、羰基n-十四基基團、羰基n-十六基基團、羰基n-十八基基團、羰基異丙基基團、羰基sec-丁基基團、羰基tert-丁基基團、和羰基2-甲基己基基團。
整數v範圍較佳地從2至6，以及整數w範圍較佳地從5至10。
在上面所描述之範圍中的v和w的任一種組合可以被選擇，並且v和w的範圍在上面所描述之較佳範圍中的任一種組合是較佳的。
整數m範圍較佳地從1至10，以及整數1範圍較佳地從1至10。
在上面所描述之範圍中的m和l的任一種組合可以被選擇，並且m和l的範圍在上面所描述之較佳範圍中的任一種組合是較佳的。
第二聚矽氧介面活性劑的一實例包括三甲代甲矽烷基端接-(二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷)共聚物、和聚烷伸二醇烯丙基烷基醚的羧酸酯或是聚烷伸二醇烯丙基醚的一加成反應產物，以及較佳地包括三甲代甲矽烷基端接-(二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷)共聚物和聚乙二醇烯丙基烷基醚的羧 酸酯和聚乙二醇烯丙基醚的一加成反應產物。
第二聚矽氧介面活性劑的濃度，相對於光敏性樹脂組成物的整體含量，較佳地是從大約1至大約1,000 ppm，更佳地從大約10至大約500 ppm，以及最佳地從大約50至大約300 ppm，而使得由該光敏性樹脂組成物製得的一膜具有被減少的污點。
該等介面活性劑(包含有有機氟介面活性劑以及第一和第二聚矽氧介面活性劑)相對於光敏性樹脂組成物的整體含量，較佳地是從大約3至大約3,000 ppm，更佳地從大約5至大約800 ppm，以及最佳地從大約10至大約800 ppm，而使得由該光敏性樹脂組成物製得的一膜具有被減少的污點。
鹼可溶性樹脂、二疊氮醌、和介面活性劑的重量分率，個別地相對於不包含溶劑之光敏性樹脂組成物的總固體含量，是從大約50至大約98 wt.%，從大約2至大約50 wt.%，以及從大約3至大約3,000 ppm。
用於溶解鹼可溶性樹脂、二疊氮醌、和介面活性劑的溶劑包括：一種包含有一具有1-5個碳原子的烷基基團的二甘醇二烷基醚、一3-乙氧基丙酸乙酯、和一種包含有一包括3-8個碳原子的烷基基團的乙酸烷基酯，以及一1-6個碳原子的乳酸烷基酯。
鹼可溶性樹脂、二疊氮醌、和介面活性劑與該等溶劑的混合物在被塗覆時具有經改善的擴展性，並且該混合物具有適當的蒸發速度。
在溶劑中之二甘醇二烷基醚(包括一包含有1-5個碳原子的烷基基團)的實例，包括：二甘醇二甲基醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇二-n-丙基醚、二甘醇二異丙基醚、二甘醇二-n-丁基醚、二甘醇二-sec-丁基醚、二甘醇二-tert-丁基醚、二甘醇二-n-戊基醚、二甘醇甲基乙基醚、二甘醇甲基n-丙基醚、二甘醇甲基異丙基醚、二甘醇甲基n-丁基醚、二甘醇甲基sec-丁基醚、二甘醇甲基tert-丁基醚、二甘醇甲基n-戊基醚、二甘醇乙基n-丙基醚、二甘醇乙基異丙基醚、二甘醇乙基n-丁基醚、二甘醇乙基sec-丁基醚、二甘醇乙基tert-丁基醚、二甘醇乙基n-戊基醚、二甘醇n-丙基異丙基醚、二甘醇n-丙基n-丁基醚、二甘醇n-丙基sec-丁基醚、二甘醇n-丙基tert-丁基醚、二甘醇n-丙基n-戊基醚、二甘醇異丙基n-丁基醚、二甘醇異丙基sec-丁基醚、二甘醇異丙基tert-丁基醚、二甘醇異丙基n-戊基醚、二甘醇n-丁基sec-丁基醚、二甘醇n-丁基tert-丁基醚、二甘醇n-丁基n-戊基醚、以及二甘醇sec-丁基tert-丁基醚、和二甘醇sec-丁基n-戊基醚。在上面所列的化合物之中，二甘醇二甲基醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇二-n-丙基醚、二甘醇二異丙基醚、二甘醇二-n-丁基醚、二甘醇甲基乙基醚、二甘醇甲基n-丙基醚、二甘醇甲基異丙基醚、二甘醇甲基n-丁基醚、二甘醇甲基sec-丁基醚、二甘醇甲基tert-丁基醚、二甘醇乙基n-丙基醚、二甘醇乙基異丙基醚、二甘醇乙基n-丁基醚、和二甘醇乙基sec-丁基醚、二甘醇tert-丁基醚是較佳的。特別是，二甘醇二-n-丙基醚、二甘醇二異丙基醚、二甘醇甲基n-丁基醚、 二甘醇甲基sec-丁基醚、二甘醇甲基tert-丁基醚、二甘醇乙基n-丁基醚、二甘醇sec-丁基醚、和二甘醇乙基tert-丁基醚是較佳的。
在溶劑中之乙酸烷基酯的實例包括：乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、乙酸第二丁酯、乙酸第三丁酯、乙酸正戊酯、乙酸2-戊酯、乙酸3-戊酯、乙酸新戊酯、乙酸正己酯、乙酸2-己酯、乙酸3-己酯、乙酸2-甲基戊酯、乙酸3-甲基戊酯、乙酸正庚酯、乙酸2-庚酯、乙酸3-庚酯、乙酸4-庚酯、乙酸正辛酯、乙酸2-辛酯、乙酸3-辛酯、乙酸4-辛酯、和乙酸2-乙基己酯。
在溶劑中之乳酸烷基酯的實例包括：乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丙酯、乳酸異丙酯、乳酸正丁酯、乳酸異丁酯、乳酸第二丁酯、乳酸第三丁酯、乳酸正戊酯、乳酸2-戊酯、乳酸3-戊酯、乳酸新戊酯、乳酸正己酯、乳酸2-己酯、乳酸3-己酯、乳酸2-甲酯和乳酸3-甲基戊酯。
二甘醇二烷基醚、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸烷基酯、和乳酸烷基酯的重量分率，個別地相對於光敏性樹脂組成物的整體含量，是大約10至大約70 wt.%，大約10至大約70 wt.%，大約1至大約20 wt.%，大約1至大約20 wt.%；更佳地個別從大約20至大約60 wt.%，大約20至大約60 wt.%，大約2至大約15 wt.%，從大約2至大約15 wt.%；以及最佳地個別從大約30至大約50 wt.%，從大約30至大約50 wt.%，從大約3至大約12 wt.%，從大約3至大約12 wt.%。使用這個組成物，該光敏性樹脂可以形成一種具有被減少污點之膜。
溶劑可與一有機溶劑一起被使用，該有機溶劑的實例包括：乙二醇一烷基醚(ethylene glycol monoalkyl ethers)，諸如乙二醇一甲基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇一丙基醚、和乙二醇一丁基醚；乙二醇烷基醚酯(ethylene glycol alkyl ether esters)，諸如賽路蘇乙酸甲酯(methyl cellosolve acetate)和賽路蘇乙酸乙酯(ethyl cellosolve acetate)；丙二醇一烷基醚乙酸酯，諸如丙二醇一甲基醚乙酸酯、丙二醇一乙基醚乙酸酯、丙二醇一丙基醚乙酸酯、二丙甘醇一甲基醚乙酸酯(dipropylene glycol monomethyl ether acetate)、和二丙甘醇一乙基醚乙酸酯；芳香烴，諸如苯、甲苯、二甲苯、和(mesitylene)；酮類諸如甲基乙基酮、丙酮、甲基戊基酮、甲基異丁基酮、和環己酮；醇類諸如乙醇、丙醇、丁醇、己醇、環己醇、乙二醇、和丙三醇(glycerin)；以及酯類諸如3-甲氧基丙酸甲酯、2-羥基異丁酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸戊酯、焦磷酸甲酯(methyl pyrophosphate)、和1,3-丁二醇二乙酸酯(1,3-butanediol diacetate)。
該溶劑的重量分率，相對於光敏性樹脂組成物的整體重量含量，較佳地是從大約50至大約95 wt.%，以及更佳地從大約70至大約90 wt.%。被使用在一種具有狹縫型式噴嘴的塗覆裝置中之溶劑的重量分率，相對於光敏性樹脂組成 物的整體重量含量，較佳地是從大約75 wt.%至大約90 wt.%。對於被使用在一種執行旋轉式塗覆以及狹縫塗覆的塗覆裝置中之溶劑的重量分率，相對於光敏性樹脂組成物的整體重量含量，較佳地是從大約65至大約80 wt.%。使用這個組成物，該光敏性樹脂可以形成一種具有被減少污點之膜。
該光敏性樹脂組成物除了鹼可溶性樹脂、二疊氮醌、介面活性劑、和溶劑之外，可進一步包括一陽離子性聚合反應起始劑、一聚酚(polyphenol)、一交聯劑、一可聚合的單體、以及一矽烷偶合劑。
陽離子性聚合反應起始劑的一實例包括一種可以啟動陽離子性聚合反應的鎓鹽(onium salt)。該鎓鹽包括一鎓陽離子和一路易士酸陰離子。
鎓陽離子的實例包括：二苯基錪、雙(p-基)錪[bis(p-tolyl)iodonium]、雙(p-t-丁基苯基)錪、雙(p-辛基苯基)錪、雙(p-十八基苯基)錪、雙(p-辛基氧苯基)錪、雙(p-十八基氧苯基)錪、苯基(p-十八基氧苯基)錪、p-基)(p-異丙基苯基)錪、三苯基磺酸鹽、參(p-基)磺酸鹽、參(p-異丙基苯基)磺酸鹽、參(2,6-二甲基苯基)磺酸鹽、參(p-t-丁基苯基)磺酸鹽、參(p-氰苯基)磺酸鹽、參(p-氯苯基)磺酸鹽、二甲基(甲氧基)磺酸鹽、二甲基(乙氧基)磺酸鹽、二甲基(丙氧基)磺酸鹽、二甲基(丁氧基)磺酸鹽、二甲基(辛基氧基)磺酸鹽、二甲基(十八氧基)磺酸鹽、二甲基(異丙氧基)磺酸鹽、二甲基(t-丁氧基)磺酸鹽、二甲基(環戊基氧基)磺酸鹽、二 甲基(環己基氧基)磺酸鹽、二甲基(氟甲氧基)磺酸鹽、二甲基(2-氯乙氧基)磺酸鹽、二甲基(3-溴丙氧基)磺酸鹽、二甲基(4-氰丁氧基)磺酸鹽、二甲基(8-硝基辛基氧基)磺酸鹽、二甲基(18-三氟甲基十八氧基)磺酸鹽、二甲基(2-羥基異丙氧基)磺酸鹽、和二甲基[參(三氯甲基)甲基]磺酸鹽。在上面所列的鎓陽離子之中，雙(p-基)錪、p-基)(p-異丙基苯基)錪、雙(p-t-丁基苯基)錪、三苯基磺酸鹽、和參(p-t-丁基苯基)磺酸鹽是較佳的。
路易士酸陰離子的實例包括六氟磷酸(hexafluoro phosphate)和六氟砷酸(hexafluoro arsenate)，並且較佳地包括六氟銻酸(hexafluoro antimonate)和四(五氟苯基)硼酸[tetrakis(pentafluorophenyl)borate]。
上面所列鎓陽離子和路易士酸陰離子的任一種組合可以被採用。
陽離子性聚合反應起始劑的實例包括二苯錪六氟磷酸鹽、雙(p-基)錪六氟磷酸鹽、雙(p-t-丁基苯基)錪六氟磷酸鹽、雙(p-辛基苯基)錪六氟磷酸鹽、雙(p-十八基苯基)錪六氟磷酸鹽、雙(p-辛基氧苯基)錪六氟磷酸鹽、雙(p-十八基氧苯基)錪六氟磷酸鹽、苯基(p-十八基氧苯基)錪六氟磷酸鹽、p-基)(p-異丙基苯基)錪六氟磷酸鹽、甲基萘基錪六氟磷酸鹽、乙基萘基錪六氟磷酸鹽、三苯基磺酸六氟磷酸鹽、參(p-基)磺酸六氟磷酸鹽、參(p-異丙基苯基)磺酸六氟磷酸鹽、參(2,6-二甲基苯基)磺酸六氟磷酸鹽、參(p-t-丁基苯基)磺酸六氟磷酸鹽、參(p-氰苯基)磺酸六氟磷酸鹽、參(p- 氯苯基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基萘基磺酸六氟磷酸鹽、二乙基萘基磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(甲氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基乙氧基磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(丙氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(丁氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(辛基氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(十八氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(異丙氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(t-丁氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(環戊基氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(環己基氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(氟甲氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(2-氯乙氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(3-溴丙氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(4-氰丁氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(8-硝基辛基氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(18-三氟甲基十八氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基(2-羥基異丙氧基)磺酸六氟磷酸鹽、二甲基[參(三氯甲基)甲基]磺酸六氟磷酸鹽、二苯基錪六氟砷酸鹽、雙(p-基)錪六氟砷酸鹽、雙(p-辛基苯基)錪六氟砷酸鹽、雙(p-十八基苯基)錪六氟砷酸鹽、雙(p-辛基氧苯基)錪六氟砷酸鹽、雙(p-十八基氧苯基)錪六氟砷酸鹽、苯基(p-十八基氧苯基)錪六氟砷酸鹽、(p-基)(p-異丙基苯基)錪六氟砷酸鹽、甲基萘基錪六氟砷酸鹽、乙基萘基錪六氟砷酸鹽、三苯基磺酸六氟砷酸鹽、參(p-基)磺酸六氟砷酸鹽、參(p-異丙基苯基)磺酸六氟砷酸鹽、參(2,6-二甲基苯基)磺酸六氟砷酸鹽、參(p-t-丁基苯基)磺酸六氟砷酸鹽、參(p-氰苯基)磺酸六氟砷酸鹽、參(p-氯苯基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基萘基磺酸六氟砷酸鹽、二乙基萘基磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(甲氧基)磺酸六氟 砷酸鹽、二甲基(乙氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(丙氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(丁氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(辛基氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(十八氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(異丙氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(t-丁氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(環戊基氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(環己基氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(氟甲氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(2-氯乙氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(3-溴丙氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(4-氰丁氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(8-硝基辛基氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(18-三氟甲基十八氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基(2-羥基異丙氧基)磺酸六氟砷酸鹽、二甲基[參(三氯甲基)甲基]磺酸六氟砷酸鹽、二苯基錪六氟銻酸鹽、雙(p-基)錪六氟銻酸鹽、雙(p-t-丁基苯基)錪六氟銻酸鹽、雙(p-辛基苯基)錪六氟銻酸鹽、雙(p-十八基苯基)錪六氟銻酸鹽、雙(p-辛基氧苯基)錪六氟銻酸鹽、雙(p-十八基氧苯基)錪六氟銻酸鹽、雙(p-十八基氧苯基)錪六氟銻酸鹽、(p-基)(p-異丙基苯基)錪六氟銻酸鹽、甲基萘基錪六氟銻酸鹽、乙基萘基錪六氟銻酸鹽、三苯基磺酸六氟銻酸鹽、參(p-基)磺酸六氟銻酸鹽、參(p-異丙基苯基)磺酸六氟銻酸鹽、參(2,6-二甲基苯基)磺酸六氟銻酸鹽、參(p-t-丁基苯基)磺酸六氟銻酸鹽、參(p-氰苯基)磺酸六氟銻酸鹽、參(p-氯苯基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基萘基磺酸六氟銻酸鹽、二乙基萘基磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(甲氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(乙氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(丙氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(丁氧基) 磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(辛基氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(十八氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(異丙氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(t-丁氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(環戊基氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(環己基氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(氟甲氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(2-氯乙氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(3-溴丙氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(4-氰丁氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(8-硝基辛基氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(18-三氟甲基十八氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基(2-羥基異丙氧基)磺酸六氟銻酸鹽、二甲基[參(三氯甲基)甲基]磺酸六氟銻酸鹽、二苯基錪四(五氟苯基)硼酸鹽、雙(p-基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽、雙(p-t-丁基苯基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽、雙(p-辛基苯基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽、雙(p-十八基苯基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽、雙(p-辛基氧苯基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽、雙(p-十八基氧苯基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽、苯基(p-十八基氧苯基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽、(p-基)(p-異丙基苯基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽、甲基萘基錪四(五氟苯基)硼酸鹽、乙基萘基錪四(五氟苯基)硼酸鹽、三苯基磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、參(p-基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、參(p-異丙基苯基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、參(2,6-二甲基苯基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、參(p-t-丁基苯基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、參(p-氰苯基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、參(p-氯苯基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基萘基磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二乙基萘基磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(甲氧基) 磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(乙氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(丙氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(丁氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(辛基氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(十八氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(異丙氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(t-丁氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(環戊基氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(環己基氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(氟甲氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(2-氯乙氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(3-溴丙氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(4-氰丁氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(8-硝基辛基氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(18-三氟甲基十八氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、二甲基(2-羥基異丙氧基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、和二甲基[參(三氯甲基)甲基]磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽。在上面所列陽離子性聚合反應起始劑之中，較佳的是雙(p-基)錪六氟磷酸鹽、(p-基)(p-異丙基苯基)錪六氟磷酸鹽、雙(p-t-丁基苯基)錪六氟磷酸鹽、三苯基磺酸六氟磷酸鹽、參(p-t-丁基苯基)磺酸六氟磷酸鹽、雙(p-基)錪六氟砷酸鹽、(p-基)(p-異丙基苯基)錪六氟砷酸鹽、雙(p-t-丁基苯基)錪六氟砷酸鹽、三苯基磺酸六氟砷酸鹽、參(p-t-丁基苯基)磺酸六氟砷酸鹽、雙(p-基)錪六氟銻酸鹽、(p-基)(p-異丙基苯基)錪六氟銻酸鹽、雙(p-t-丁基苯基)錪六氟銻酸鹽、三苯基磺酸六氟銻酸鹽、參(p-t-丁基苯基)磺酸六氟銻酸鹽、雙(p-基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽、(p-基)(p-異丙基苯基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽、雙(p-t-丁基苯基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽、三苯基磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、和參(p-t-丁基苯基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽，以及更佳的是雙(p-基)錪六氟銻酸鹽、(p-基)(p-異丙基苯基)錪六氟銻酸鹽、雙(p-t-丁基苯基)錪六氟銻酸鹽、三苯基磺酸六氟銻酸鹽、參(p-t-丁基苯基)磺酸六氟銻酸鹽、雙(p-基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽、(p-基)(p-異丙基苯基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽、雙(p-t-丁基苯基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽、三苯基磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽、和參(p-t-丁基苯基)磺酸四(五氟苯基)硼酸鹽。
陽離子性聚合反應起始劑的重量分率，相對於光敏性樹脂組成物的總固體含量，較佳地是從大約0.01至大約10 wt.%，以及更佳地從大約0.1至大約5 wt.%。光敏性樹脂組成物包含有聚合反應起始劑在上面所描述之範圍中者，具有被提昇之熱固化速率，在熱固化期間解析度的降低被抑制，並且被固化的膜具有被提昇之溶劑抗性。
聚酚(polyphenol)包括一種化合物包含有包括二或多個酚的羥基基團的分子，一種被至少來自羥苯乙烯(hydroxystyrene)所聚合之聚合物，或是一種酚醛類樹脂(novolac resin)。
該化合物(包括包含有二或多個酚的羥基基團的分子)的實例，包括三羥二苯基酮(trihydroxybenzophenones)、四羥二苯基酮、五羥二苯基酮、六羥二苯基酮、以及(聚羥基苯基)烷類[(polyhydroxyphenyl)alkanes]，該等化合物是在二 疊氮醌的描述中被說明。
被至少來自羥苯乙烯所聚合之聚合物的實例包括：一種來自羥苯乙烯所聚合的樹脂(諸如聚羥苯乙烯)、羥苯乙烯/甲基甲基丙烯酸酯共聚物、羥苯乙烯/環己基甲基丙烯酸酯共聚物、羥苯乙烯/苯乙烯共聚物、以及羥苯乙烯/烷氧基苯乙烯共聚物。
酚醛類樹脂(novolac resin)的一實例可藉由酚、甲酚(cresols)、和兒茶酚(catechols)的至少一者，和醛類以及酮類的至少一者的縮合聚合反應而被獲得。
聚酚較佳地構成該光敏性樹脂組成物的總固體重含量的大約0.01至大約40 wt.%，以及更佳地大約0.1至大約25 wt.%，而使得解析度被提昇並且可見光之透光度(transmittance)的降低被防止。
交聯劑的一實例包括一羥甲基(methylol)化合物。該羥甲基化合物可能是一烷氧甲基化的胺基樹脂，諸如烷氧甲基化三聚氰胺(melamine)樹脂和烷氧甲基化尿素(urea)樹脂。烷氧甲基化三聚氰胺樹脂的實例包括：甲氧甲基化三聚氰胺樹脂、乙氧甲基化三聚氰胺樹脂、丙氧甲基化三聚氰胺樹脂、和丁氧甲基化三聚氰胺樹脂。烷氧甲基化尿素樹脂的實例包括：甲氧甲基化尿素樹脂、乙氧甲基化尿素樹脂、丙氧甲基化尿素樹脂、和丁氧甲基化尿素樹脂。
二或多種上面所列之交聯劑可能被採用。
交聯劑相對於光敏性樹脂組成物的總固體含量，較佳地是大約0.01至大約15 wt.%，而使得一所獲得之膜具有被 提昇之可見光的透光度以及經改善之作為可固化樹脂圖樣的功能。
可聚合的單體可藉由自由基或是陽離子性聚合反應而被獲得。
可聚合的單體可能是一種具有一可聚合之碳-對-碳不飽和鍵的化合物，該化合物可能是單官能基、雙官能基、或是多官能基(亦即，三官能基或更多)。
單官能基之可聚合的單體的實例包括：壬基苯基二甘醇一***丙烯酸酯(nonylphenyl carbitol acrylate)、壬基苯基二甘醇一***甲基丙烯酸酯、2-羥基-3-苯氧基丙基丙烯酸酯、2-羥基-3-苯氧基丙基甲基丙烯酸酯、2-乙基己基二甘醇一***丙烯酸酯、2-乙基己基二甘醇一***甲基丙烯酸酯、2-羥基乙基丙烯酸酯、2-羥基乙基甲基丙烯酸酯、和N-乙烯基吡咯啶酮(N-vinylpyrrolidone)。
雙官能基之可聚合的單體的實例包括：1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯(ethylene glycol dimethacrylate)、乙二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、三甘醇二丙烯酸酯、三甘醇二甲基丙烯酸酯、雙酚A的雙(丙烯醯基氧乙基醚、3-甲基戊二醇二丙烯酸酯、和3-甲基戊二醇二甲基丙烯酸酯。
多官能基之可聚合的單體的實例包括：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯(pentaerythritol triacrylate)、新戊四醇三甲基丙烯 酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、新戊四醇四甲基丙烯酸酯、新戊四醇五丙烯酸酯、新戊四醇五甲基丙烯酸酯、二-新戊四醇六丙烯酸酯、和二-新戊四醇六甲基丙烯酸酯。
較佳地，該雙官能基和多官能基之可聚合的單體可能被使用。詳細來說，新戊四醇四丙烯酸酯和二-新戊四醇六丙烯酸酯是較佳的，並且二-新戊四醇六丙烯酸酯是更佳的。該等雙官能基和多官能基之可聚合的單體可以與單官能基的單體結合使用。
藉由陽離子性聚合反應而獲得之可聚合的單體可包括一種陽離子性地可聚合官能基基團，諸如一乙烯基醚基團、一丙烯基醚基團、一環氧基基團、和一氧環丁烷基(oxetanyl)基團。
包含有一乙烯基醚基團之單體的實例包括：三甘醇二乙烯醚(triethylene glycol divinyl ether)、1,4-環己烷二甲醇二乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、和十二基乙烯醚。
包含有一丙烯基醚基團之單體的一實例包括：4-(1-丙烯基氧甲基)-1,3-二氧環戊烷-2-on[4-(1-propenyloxymethyl)-1,3-dioxolane-2-on]。
包含有一環氧基基團之單體的實例包括：雙酚A類型環氧樹脂、酚酚醛類型環氧樹脂、甲酚酚醛類型環氧樹脂、環脂族環氧樹脂、環氧丙基(glycidyl)酯類型環氧樹脂、環氧丙基胺類型環氧樹脂、和雜環環氧樹脂。
包含有一氧環丁烷基基團之單體的實例包括：雙{3-(3-乙基氧環丁烷基)甲基}醚、1,4-雙{3-(3-乙基氧環丁烷基)甲 氧基}苯、1,3-雙{3-(3-乙基氧環丁烷基)甲氧基}苯、1,4-雙{3-(3-乙基氧環丁烷基)甲氧基甲基}苯、1,3-雙{3-(3-乙基氧環丁烷基)甲氧基}苯、1,4-雙{3-(3-乙基氧環丁烷基)甲氧基}環己烷、1,3-雙{3-(3-乙基氧環丁烷基)甲氧基}環己烷、1,4-雙{3-(3-乙基氧環丁烷基)甲氧基甲基}環己烷、1,3-雙{3-(3-乙基氧環丁烷基)甲氧基甲基}環己烷、和3-(3-乙基氧環丁烷基)甲基化酚醛類樹脂。
二或多種上面所列之可聚合的單體可能被使用。
可聚合的單體相對於光敏性樹脂組成物的總固體重量含量，較佳地是大約0.001至大約20 wt.%，以及更佳地大約0.01至大約10 wt.%。
矽烷偶合劑的實例包括：甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三氯矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基參(2-甲氧基乙氧基)矽烷、3-氯丙基-三甲氧基矽烷、3-氯丙基甲基-二氯矽烷、3-氯丙基甲基-二甲氧基矽烷、3-氯丙基甲基-二乙氧基矽烷、3-環氧丙基氧丙基-三甲氧基矽烷、3-環氧丙基氧丙基-三乙氧基矽烷、3-環氧丙基氧丙基甲基-二甲氧基矽烷、3-巰基丙基-三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯基氧丙基-三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯基氧丙基甲基-二甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基-三甲氧基矽烷、N-2-(N-乙烯基苯甲基胺乙基)-3-胺丙基-三甲氧基矽烷氫氯化物、六甲基二矽氮烷(hexamethyl disilazane)、二胺基矽烷、三胺丙基-三甲氧基矽烷、3-胺丙基-三甲氧基矽烷、3-胺丙基- 三乙氧基矽烷、3-胺丙基甲基-二乙氧基矽烷、3-胺丙基-參(2-甲氧基乙氧基矽烷、3-(2-胺乙基)-3-胺丙基-三甲氧基矽烷、3-(2-胺乙基)-3-胺丙基甲基-三甲氧基矽烷、3-脲基丙基-三甲氧基矽烷、3-脲基丙基-三乙氧基矽烷、N-胺乙基-3-胺丙基-三甲氧基矽烷、N-胺乙基-3-胺丙基甲基-三甲氧基矽烷、N-甲基-3-胺丙基-三甲氧基矽烷、和N-苯基-3-胺丙基-三甲氧基矽烷，較佳地包括該等包括一環氧基基團者：3-環氧丙基氧丙基-三甲氧基矽烷、3-環氧丙基氧丙基-三乙氧基矽烷、3-環氧丙基氧丙基-二甲氧基矽烷、和3-環氧丙基氧丙基甲基-二甲氧基矽烷，以及更佳地，包括一環氧基環的2-(3,4-環氧基環己基)乙基-三甲氧基矽烷。
矽烷偶合劑相對於光敏性樹脂組成物的整體含量，較佳地是從大約0.01至大約10 wt.%，更佳地從大約0.1至大約2 wt.%，以及最佳地從大約0.2至大約1 wt.%，而使得一種由該光敏性樹脂組成物製得的可固化樹脂圖樣顯示與一基材經改善的吸附反應。
光敏性樹脂組成物可進一步包括其它成分，諸如一抗氧化劑、一溶解反應抑制劑、一敏化劑(sensitizer)、一UV吸收劑、一光穩定劑、一吸附反應促進劑、和一電子供體(electron donor)。
光敏性樹脂組成物可藉由混合一種含有一鹼可溶性樹脂被溶解在一溶劑中之溶液、另一種含有一二疊氮醌在一溶劑中之溶液、以及另一種含有一介面活性劑在一溶劑中之溶液而被形成。一溶劑可被加入俾以與該混合物混合。 較佳的是藉由過濾該混合物來移除固體，該過濾較佳地藉由使用一過濾器具有一孔徑小於大約3微米(micron)，以及較佳地從大約0.1至大約2微米。鹼可溶性樹脂和二疊氮醌可被溶解在相同溶劑中。數種可以彼此混合的溶劑可能被使用。
如今，一種用於從光敏性樹脂組成物形成一膜圖樣的方法被提供。
一光敏性膜被塗覆在一基材(諸如透明玻璃)上，經由一光罩(mask)而被曝光(exposed to light)，並且被顯像。一或多種薄膜態樣，諸如薄膜電晶體(transistor)、彩色濾光片(color filters)、有機光激發偶極體(organic light emitting diodes)等等，可在該光敏性薄膜塗覆之前被形成在該基材上。
光敏性膜的塗覆的實例包括：狹縫塗覆(slit coating)，使用一種具有狹縫型式噴嘴的塗覆裝置；狹縫及旋轉式(slit-and-spin)塗覆，當光敏性樹脂組成物流過一狹縫到該基材上時，該基材正被轉動；擠壓式塗覆(die coating)；和淋幕流動式(curtain-flow)塗覆。這些塗覆方法當中，狹縫及旋轉式塗覆是較佳的。在塗覆之後，光敏性樹脂組成物可被預烘烤(prebaked)俾以移除揮發性成分諸如溶劑，因而形成實質上不含有揮發性成分的光敏性樹脂膜。該光敏性樹脂膜可具有一厚度從大約1.0微米至大約8.0微米。
下一步，該光敏性膜經由一光罩而遭受一第一次曝光。該光罩具有一圖樣適合用於被硬化之樹脂圖樣的功 能。該曝光處理(light exposure)產生光(諸如g線)或是g線垂直地覆蓋該光敏性樹脂膜的一整體表面，並且使用一光罩對準機(mask aligner)或是步進機(stepper)而讓光罩對準該光敏性樹脂膜。
光抗性樹脂膜接而藉由混拌式(puddle)顯像、浸潤式(immersion)顯像、或是噴灑式(spray)顯像而被顯像。
顯像可藉由使用一鹼性水溶液而被執行。該鹼性水溶液含有一無機鹼化合物或是一有機鹼化合物。
無機鹼化合物的實例包括：氫氧化鈉、氫氧化鉀、磷酸氫二鈉、磷酸二氫鈉、磷酸氫二銨、磷酸二氫銨、磷酸二氫鉀、矽酸鈉、矽酸鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、硼酸鈉、硼酸鉀、和銨。
有機鹼化合物的實例包括：四甲基銨氫氧化物、2-羥乙基三甲基銨氫氧化物、一甲基胺、二甲基胺、三甲基胺、一乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、一異丙基胺、二異丙基胺、和乙醇胺。
二或多種上面所列之鹼化合物可能被使用。鹼化合物的含量是顯像劑(developer)的整體含量的從大約0.01至大約10 wt.%，以及較佳地從大約0.1至大約5 wt.%。
顯像劑可含有一介面活性劑，諸如一非離子性介面活性劑、一陽離子性介面活性劑、以及一陰離子性介面活性劑。
非離子性介面活性劑的實例包括：聚氧乙烯衍生物，諸如聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烯丙基醚、和聚氧乙烯烷 基烯丙基醚、氧乙烯/氧丙烯阻斷共聚物、山梨聚糖脂肪酸酯(sorbitan fatty acid ester)、聚氧乙烯山梨聚糖脂肪酸酯、聚氧乙烯山梨醇脂肪酸酯、丙三醇脂肪酸酯(glycerin fatty acid ester)、聚氧乙烯脂肪酸酯、和聚氧乙烯烷基胺。
陽離子性介面活性劑的實例包括：一胺鎓鹽(aminium salt)諸如硬脂胺氯化氫(stearylamine hydrochloride)和一四級銨鹽諸如月桂基三甲基銨氯化物。
陰離子性介面活性劑的實例包括：高級醇的硫酸酯，諸如月桂基醇硫酸鈉酯(sodium lauryl alcohol sulfate ester)和油醇硫酸鈉酯(sodium oleinalcohol sulfate ester)；烷基硫酸鹽，諸如月桂基硫酸鈉和月桂基硫酸銨；以及烷基烯丙基磺酸鹽，諸如十二基苯磺酸鈉和十二基萘磺酸鈉。
二或多種上面所列之介面活性劑被使用。
顯像劑可包括一種包含有水可溶性溶劑(諸如甲醇和乙醇)的有機溶劑。
顯像劑溶解光敏性樹脂膜的曝露部分(該部分被曝光)，並且留下該光敏性樹脂膜的未曝露部分俾以形成一膜圖樣。
由於光敏性樹脂組成物包括二疊氮醌，該光敏性樹脂膜的曝露部分在一短時間內被快速地移除，但是它們的未曝露部分是難以被移除的，即使它們是與顯像劑接觸持續一段長時間。
在顯像之後，具有膜圖樣之基材用去離子水清洗並且乾燥。
該膜圖樣的一部分或是一整體部分接而遭受一第二次曝光處理，較佳地使用(深)紫外(UV)線。在第二次曝光處理中，UV在單位面積上的照度(illumination)可能高於在第一次曝光處理中。第二次曝光處理移除在第一次曝光處理中可能曝光不足的部分俾以減少殘餘物(remnants)。
該光敏性樹脂圖樣被後烘烤(postbaked)，在從大約150℃至大約250℃，以及更佳地從大約180℃至大約240℃，持續從大約5至大約120分鐘，以及更佳地從大約15至大約90分鐘。後烘烤是藉由使用一加熱板、一乾淨的烘箱等等加熱該基材而被執行。後烘烤改善被固化之光敏性樹脂圖樣的熱抗性和溶劑抗性。
具體例1 合成例1：鹼可溶性樹脂合成
下列材料被放置在一個被提供有一攪拌器、一冷卻管(cooled tube)、和一溫度計的200 ml燒瓶中：甲基丙烯酸酯(methacrylate) 6.8g；N-環己基順丁烯二醯亞胺 14.2g；3-乙基-3-甲基丙烯基氧甲基氧環丁烷 17.8g；3-乙氧基丙酸乙酯 45.3g；二甘醇甲基乙基醚 45.3g；和偶氮雙異丁腈(azobisisobutyronitrile) 1.1g
該燒瓶接而被浸在一油浴中，並且在維持該燒瓶的內部溫度在大約100-110℃時，在氮氣氛圍下攪拌持續大約3小時。結果，一鹼可溶性樹脂A1被獲得，該樹脂具有一以 聚苯乙烯(polystyrene)標準為基礎大約8,000的平均分子量(Mw)。
平均分子量的量測是藉由在下列條件下的GPC而被執行：裝置：HLC-8120GPC(由日本TOSOH Corporation製造)
管柱：TSK-GELG4000HXL+TSK-GELG2000HXL(循序連接)(由日本TOSOH Corporation製造)
管柱溫度：40℃
溶劑：四氫呋喃(THF)
流速：1.0 ml/min
注射量：50 μl
偵測器：RI(Refractive Index；折射率)
樣品濃度：0.6 wt.%
標準品：TSK標準化聚苯乙烯F-40、F-4、F-1、A-2500、A-500
合成例2：聚矽氧化合物的合成
204g具有一分子鏈的聚氧乙烯(該分子鏈具有一烯丙基基團在一末端以及一OH基團在另一末端，如被顯示在化學式4中)，均勻地與300g異丙醇、0.5g含有2%氯鉑酸的異丙醇、以及1g醋酸鉀在一燒瓶中混合。溫度接而被提昇至一異丙醇的迴流溫度(亦即83℃)，並且111g具有化學式5的甲基矽氧烷(methyl siloxane)被逐漸地加入[例如用一滴管(dropper)]俾以啟動一反應。
CH2 =CH-CH2 -[O(CH2 )2 ]8 OH，和 (4)
在甲基矽氧烷的加入之後，該反應被維持持續4小時並且在SiH基團的形成被確認之後終止。之後，產物在110℃和10 mmHg被加熱持續2小時俾以移除異丙醇。310g的一種具有化學式(6)的化合物被形成。
實例1：光敏性樹脂組成物1的製備
100份(以重量計)的鹼可溶性樹脂A1，22份(以重量計)具有化學式7的二疊氮醌，2份(以重量計)(p-基)(p-異丙基苯基)錪四(五氟苯基)硼酸鹽當作一陽離子性聚合反應起始劑，一包含有0.08份(以重量計)3-全氟辛基-1,2-環氧丙烷的介面活性劑當作一氟介面活性劑，0.08份(以重量計)的一具有化學式6之第一聚矽氧化合物，以及0.15份(以重量計)的SH8400(Dow Corning Toray Silicone Co.,Ltd.所製造)當作一第二聚矽氧化合物，和一溶劑[該溶劑包含有291份(以重量計)的3-乙氧基丙酸乙酯、291份(以重量計)的二甘醇甲基乙基醚、32份(以重量計)的乙酸丁酯、和32份(以重量計)的乳酸丁酯]在23℃混合，並且它們在壓力下經由一具有一孔 徑為1.0微米之聚四氟乙烯管柱過濾器(cartridge filter)而被過濾，俾以獲得一光敏性樹脂組成物1。
比較例1：光敏性樹脂組成物2的製備
除了一種包含有557份(以重量計)乙基-s-乳酸酯和62份(以重量計)乙酸丁酯的溶劑之外，條件和材料與實例1的那些相同，俾以獲得一光敏性樹脂組成物2。
比較例2：光敏性樹脂組成物3的製備
除了一種包含有557份(以重量計)二甘醇甲基乙基醚和62份(以重量計)乙酸丁酯的溶劑之外，條件和材料與實例1的那些相同，俾以獲得一光敏性樹脂組成物3。
比較例3：光敏性樹脂組成物4的製備
除了一種包含有251份(以重量計)3-乙氧基丙酸乙酯、314份(以重量計)二甘醇甲基乙基醚、和63份(以重量計)乙酸丁酯的溶劑之外，條件和材料與實例1的那些相同，俾以獲得一光敏性樹脂組成物4。
比較例4：光敏性樹脂組成物5的製備
除了一種包含有35份(以重量計)乳酸丁酯、314份(以重量計)3-乙氧基丙酸乙酯、和349份(以重量計)二甘醇甲基乙 基醚的溶劑之外，條件和材料與實例1的那些相同，俾以獲得一光敏性樹脂組成物5。
比較例5：光敏性樹脂組成物4的製備
除了一種包含有588份(以重量計)二甘醇甲基乙基醚和31份(以重量計)乙酸丁酯的溶劑之外，條件和材料與實例1的那些相同，俾以獲得一光敏性樹脂組成物6。
污點產生和塗覆均勻度的估計
光敏性樹脂組成物1(實例1)、光敏性樹脂組成物2(比較例1)、光敏性樹脂組成物3(比較例2)、光敏性樹脂組成物4(比較例3)、光敏性樹脂組成物5(比較例4)、和光敏性樹脂組成物6(比較例5)是藉由使用一種旋轉及狹縫式塗覆機(Dainippon Screen Manufacturing Co.Ltd.製造)而被塗覆在6個分開的、被塗覆有MO膜的玻璃基材上。之後，溶劑藉由在一加熱板中以100℃持續135秒預烘烤該等樹脂組成物而被移除。
下一步，使用一種曝光機(exposer)(MPA-2000，日本Canon Inc.製造)使該等基材遭受一第一次曝光處理，並且藉由混拌式顯像(puddle development)來顯像。該等基材接而被純水沖洗(rinsed)以及乾燥，並且該等基材的整體表面在一第二次曝光處理期間被曝光。隨後，該等樹脂組成物在一加熱板中以130℃持續160秒被後烘烤，俾以形成一透明固化的樹脂圖樣。
觀察污點在透明固化樹脂上以及在該等基材的邊緣升高(build-up)的現象，給予在第1表和第11A-11E圖中說明的 結果。
此處，注意的是：實例1(EX1)是藉由使用一種本發明的溶劑而被形成，比較例1(CE1)是藉由使用一種傳統溶劑而被形成，以及比較例2-5(CE1-5)是藉由使用缺少一或多種本發明之溶劑的成分的溶劑而被製得。
第11A、11B、11C、11D、和11E圖個別地是關於比較例1、比較例2、比較例3、比較例4、比較例5、和實例1的光敏性樹脂膜的照片。
(◎：優良、O：良好、△：普通、X：不佳)
在比較例1中，溶劑的主要成分(乙基-s-乳酸酯)具有一相當低大約150℃的沸點，並且因此該樹脂組成物在到達基材之前在接近噴嘴處被部分乾燥。於是，注射性質不佳並且水平和垂直兩者的條帶狀污點被產生。
在實例1中的溶劑包括具有相當高沸點的成分，諸如二甘醇二烷基醚(具有一沸點等於大約177℃)、3-乙氧基丙酸乙酯(具有一沸點等於大約170℃)、以及乙酸丁酯具有一沸 點等於大約188℃。這些溶劑也具有一種對於固體成分的良好溶解性質和一種良好的塗覆特性。這些成分在乾燥階段調整溶劑的揮發反應俾以降低藉由不佳的溶劑乾燥所導致之污點的產生。此外，這些成分與傳統溶劑成分比較具有一種對於固體成分的良好溶解度，俾以減少接近膜的邊緣處之升高現象。於是，透射(transmissive)和折射(reflective)特性被改善。
雖然乙酸丁酯在溶劑中具有一相當低的沸點，但它調整注射壓力俾以改善該光敏性樹脂膜的平板性(flatness)。
再者，即使部分污點是由溶解反應的不均勻所引起，該等成分的最適宜部分可以移除，並且可以提供一個最適宜的注射條件。
如上面所描述，二甘醇甲基乙基醚和3-乙氧基丙酸乙酯的每一者的重量分率較佳地是大約10 wt.%至大約70 wt.%。當這些化合物的每一者的重量分率小於大約10 wt.%時，產生的組成物乾燥太快並且變的難以去維持適當的注射。與基材的吸附反應也變的不佳。另一方面，設若這些化合物的每一者的重量分率是多於大約70 wt.%，產生的組成物乾燥太慢而使得不規則污點被部分地產生，並且對於固體的溶解度被降低而生成不均勻的樹脂。注意的是：該等被溶解之固體成分的不均勻度可能被辨識為污點而不考慮乾燥的速度。
乳酸丁酯的重量分率較佳地是從大約1 wt.%至大約20 wt.%。當乳酸丁酯構成等於或是多於組成物的1 wt.%時， 該化合物改善塗覆均勻度。然而，使用多於20 wt.%的乳酸丁酯可降低該組成物的流動性並且導致接近該基材之邊緣的部分升高。
乙酸丁酯的重量分率較佳地是從大約1 wt.%至大約20 wt.%。當乙酸丁酯重量分率是小於大約1 wt.%時，注射壓力可能不均勻並且導致膜的凹凸不平。當該重量分率是多於大約20 wt.%時，乙酸丁酯的低沸點增加了乾燥速度俾以導致部份污點，並且注射流動性被增加俾以導致不佳的塗覆性質。
當重量分率不是在上面所描述之範圍中時，溶解反應特性和塗覆特性被顯示在第2表中。雖然沒有污點散佈在整體表面(不像比較例1-5)，但部分污點被產生並且塗覆特性和膜吸附性被降低。
BLC：乳酸丁酯；EEP：3-乙氧基丙酸乙酯；EDM：二甘醇甲基乙
基醚；NBA：乙酸丁酯
(◎：優良、O：良好、△：普通、X：不佳)
具體例2
如今，用於液晶顯示(LCD)的薄膜電晶體(TFT)陣列面板包含有一個由上面所描述之光敏性樹脂組成物1製得的絕緣層，並且它們的製造方法是參考伴隨的圖示而被詳細的描述。
在圖示中，層(layers)、膜(films)和區域(regions)的厚度是為了闡明而被誇大。在各處相似的數字意指相似的元件。吾人應瞭解當一元件(諸如一層、膜、區域、或是基材)被意指為在另一元件”上”，它可能是直接地在其它元件上或是也可能存在有穿插的元件。
首先，一種依據本發明的一具體例的薄膜電晶體(TFT)陣列面板將參考第1和第2圖而被詳細的描述。
第1圖是一個依據本發明的一具體例的一TFT陣列面板的佈局視圖，以及第2圖是一個被顯示在第1圖中之TFT陣列面板沿著線條II-II’的剖面圖。
數條閘極線121被形成在一絕緣基材110上，該基材可能是透明玻璃或是塑膠，等等。
閘極線121傳輸閘極訊號並且實質地以一第一方向延伸。每條閘極線121包括數個閘極電極124，數個投射器(projections)127向下投影，以及一個具有一廣大面積作為與另一層或是一外部驅動電路接觸的端部129。一個用於產生閘極訊號的閘極驅動電路(未顯示)可被固定在一可撓性印刷電路(FPC)膜上(未顯示)，該電路膜可能被連接至基材110、直接地被固定在該基材110上、或是被整合在該基材110上。閘極線121可延伸俾以被連接至一個可能被整合在該基材110上的驅動電路。
閘極線121包括2種具有不同物理特性的導電膜：一下層膜和一被設置在該下層膜上的上層膜。該下層膜較佳地是由一種低電阻性金屬製得，包含有一含鋁金屬(諸如鋁和鋁合金)、含銀金屬(諸如銀和銀合金)、以及含銅金屬(諸如銅和銅合金)，用於減少訊號延遲或是電壓降低。該上層膜較佳地是由具有與其它材料[諸如銦錫氧化物(ITO)或是銦鋅氧化物(IZO)]良好之物理、化學、和電氣接觸特性的材料所製得，諸如含鉬金屬(諸如鉬和鉬合金)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、和鈦(Ti)。2種膜之組合的一良好實例是一下層鋁(合金)膜和一上層鉬(合金)膜。
然而，該下層膜可能由良好接觸性材料製得，並且該上層膜可能由低電阻性材料製得。在這個案子中，閘極線121的端部129的上層膜129q可被移除俾以曝露下層膜129p。此外，閘極線121可包括一較佳地由上面所描述之材料製得的單層。另外，閘極線121可能由不同金屬或是導體製得。
在第2A和第2B圖中，對於閘極電極124和投射器127，它們的下層和上層膜是個別地藉由額外的符號p和q命名。
閘極線121的側面是相對於基材110的一表面而傾斜，並且它們的傾斜角度範圍在大約30-80度之間。
一閘極絕緣層140[較佳地由氮化矽(SiNx)或是氧化矽(SiOx)製得]是被形成在閘極線121上。
數個半導體條帶(stripes)151[較佳地由氫化的非晶形矽(縮寫成”a-Si”)或是聚矽製得]被形成在閘極絕緣層140上。每一個半導體條帶151實質地以第二方向延伸並且在接近閘極線121時變寬，而使得該等半導體條帶151覆蓋閘極線121的廣大面積。該第二方向實質上是垂直於該第一方向。每一個半導體條帶151具有數個投射器154朝向閘極電極124擴大。
數個歐姆接觸(ohmic contact)條帶和小島(islands)(161和165)被形成在半導體條帶151上。該等歐姆接觸條帶和小島(161和165)較佳地是由n+ 氫化a-Si與一n-類型不純物(諸如磷)重度摻雜(doped)所製得，或是它們可能由矽化物製得。每一個歐姆接觸條帶161具有數個投射器163，並且該 等投射器163和歐姆接觸小島165是成對的位於該半導體條帶151的投射器154上。
半導體條帶151的側面和該等歐姆接觸(161和165)是相對於基材110的一表面而傾斜，並且它們的傾斜角度較佳地是在一大約30-80度的範圍中。
數條數據線171，數個汲極電極(drain electrodes)175，和數個儲存導體177是被形成在該等歐姆接觸(161和165)以及閘極絕緣層140上。
數據線171傳輸數據訊號並且實質地以第2方向延伸俾以相交(intersec)閘極線121。每一條數據線171包括數個源極電極173朝向閘極電極124投影，以及一端部179具有一廣大面積用於與另一層或是一外部驅動電路接觸。一種用於產生數據訊號的數據驅動電路(未顯示)可被固定在一FPC膜上(未顯示)，該FPC膜可能被連接至基材110、直接地被固定在該基材110上、或是被整合在該基材110上。該等數據線171可延伸俾以被連接至一個可能被整合在基材110上的驅動電路。
汲極電極175是與數據線171分開並且被設置在與閘極電極124有關之源極電極173的對面。
一閘極電極124、一源極電極173、以及一汲極電極175，與一半導體條帶151的一投射器154一起形成一TFT，該TFT具有一通道被形成在設置於源極電極173和汲極電極175之間的投射器154內。
儲存導體177被設置在閘極線121的投射器127上。
數據線171、汲極電極175、和儲存導體177具有一三層結構包含有一下層膜(171p、175p、177p)、一中間膜(171q、175q、177q)、和一上層膜(171r、175r、177r)。下層膜(171p、175p、和177p)較佳地是由耐火金屬(諸如鉻、鉬、鉭、鈦、或是它們的合金)製得，中間膜(171q、175q、和177q)較佳地是由低電阻性金屬(諸如含鋁金屬、含銀金屬、和含銅金屬)製得，以及上層膜(171r、175r、和177r)是由具有一種與ITO或是IZO良好接觸特性的耐火金屬或是它們的合金所製得。
數據線171、汲極電極175、和儲存導體177可具有一雙層結構包含有一耐火金屬下層膜(未顯示)和一低電阻性上層膜(未顯示)，或是一單層結構較佳地由上面所描述之材料所製得。然而，該等數據線171、汲極電極175、以及儲存導體177可能由不同的金屬或是導體製得。
在第2A和第2B圖中，對於源極電極173以及數據線179的端部179，它們的下層、中間、和上層膜是個別地藉由額外的符號p、q、和r而被命名。
數據線171、汲極電極175、以及儲存導體177具有傾斜的邊緣外型，並且它們的傾斜角度範圍大約30-80度。
該等歐姆接觸(161和165)是只***設在在其下方之半導體條帶151以及在其上方之導體(171和175)之間，並且降低在它們之間的接觸電阻。雖然半導體條帶151在大部分地方是比數據線171狹窄，但半導體條帶151的寬度在接近如上所述之閘極線121時變大，俾以讓表面的外型平滑，因而 防止數據線171的斷接(disconnection)。半導體條帶151的投射器154包括某些沒有被數據線171、汲極電極175、以及儲存導體177覆蓋的曝露部分，諸如位於源極電極173和汲極電極175之間的部分。
一鈍化層(passivation layer)180是被形成在數據線171、汲極電極175、儲存導體177、以及半導體條帶151的曝露部分上。
鈍化層180較佳地是由具有一介電常數較佳地小於大約4.0的光敏性有機絕緣體製得。該鈍化層180可具有一平坦表面以及一厚度從大約1.0至大約8.0微米。
用於該鈍化層180之有機絕緣體是一種包含有一鹼可溶性樹脂、一二疊氮醌、介面活性劑、和一溶劑的光敏性樹脂組成物。該溶劑包括一二甘醇二烷基醚(包括一包含有1至5個碳原子的烷基基團)、一3-乙氧基丙酸乙酯、一乙酸烷基酯(包括一包含有3至8個碳原子的烷基基團)、和一乳酸烷基酯(包括一包含有1至6個碳原子的烷基基團)。
在光敏性樹脂組成物中之溶劑具有對於固體成分(諸如該鹼可溶性樹脂和二疊氮醌)一經改善之溶解度，俾以協助該光敏性樹脂組成物的一均勻沉積(deposition)。在該等溶劑成分之中，二甘醇二烷基醚、3-乙氧基丙酸乙酯、和乳酸丁酯適當地以它們的高沸點調整乾燥速度，俾以防止一注射噴嘴的一前端的乾燥。同樣的溶劑成分也改善對於固體成分的溶解度。此外，在溶劑中之乙酸丁酯改善該樹脂組成物的平板性。於是，該光敏性樹脂組成物調控溶劑 的揮發速率俾以減少藉由該溶劑的下方乾燥(inferior dry)所導致的污點，並且改善對於固體成分的溶解度，因而形成一均勻地厚膜。結果，在鈍化層180之邊緣的升高是被顯著地減少俾以改善該鈍化層180的透射和折射特性。
鈍化層180可包括一無機絕緣體(諸如氮化矽或是氧化矽)的下層膜和一上面所描述之有機絕緣體的上層膜，而使得該鈍化層在藉由該有機絕緣體防止半導體條帶151的曝露部分受到傷害時取得該有機絕緣體的良好絕緣特性。
鈍化層180具有數個接觸孔182、185和187，個別地曝露數據線171的端部179、汲極電極175、和儲存導體177。該鈍化層180和閘極絕緣層140具有數個接觸孔181曝露閘極線121的端部129。
數個像素電極(pixel electrodes)190和數個接觸輔助件(contact assistants)(81和82)被形成在該鈍化層180上。它們較佳地是由透明導體(諸如ITO或是IZO)或是折射導體(諸如銀、鋁、鉻、或是它們的合金)製得。
該等像素電極190是經由接觸孔185而物理性地和電氣地連接至汲極電極175，以及經由接觸孔177連接至儲存導體177，而使得該等像素電極190接收來自該汲極電極175之數據電壓，並且傳輸該數據電壓至儲存導體177。該等被提供以數據電壓之像素電極190，與一被提供以一通用電壓之相對顯示面板(未顯示)的一通用電極(未顯示)協同產生電場。被產生之電場決定被設置在兩電極之間的一液晶層(未顯示)的液晶分子(未顯示)的位向。一像素電極190和通用電 極形成一電容器，意指如一”液晶電容器”，該電容器在TFT關閉之後儲存被施用的電壓。
一像素電極190重疊一先前之閘極線121的一投射器127。該像素電極190和一儲存導體177被連接至該處並且該投射器127形成一額外的電容器，意指如一”儲存電容器”，該電容器加強液晶電容器的電壓儲存能力。
像素電極190重疊閘極線121和數據線171俾以增加開口率(aperture ratio)。
接觸輔助件81和82是個別地經由接觸孔181和182而被連接至閘極線121的端部129以及數據線171的端部179。該等接觸輔助件(81和82)防護端部(129和179)，並且加強在該等端部(129以及179)和外部裝置之間的吸附反應。
數個傾斜構件(未顯示)可能被形成在像素電極190和鈍化層180上。該等傾斜構件的每一者包括一脊部(ridge)以及傾斜表面，該傾斜表面具有從大約1至大約10度的一傾斜角度並且決定液晶分子之傾斜方向(tilt directions)，俾以減少液晶的反應時間。如同鈍化層180，該傾斜構件可能由一種包含有一鹼可溶性樹脂、一二疊氮醌、介面活性劑、和一溶劑的光敏性樹脂組成物製得。該溶劑包括一二甘醇二烷基醚(包括一包含有1至5個碳原子的烷基基團)、一3-乙氧基丙酸乙酯、一乙酸烷基酯(包括一包含有3至8個碳原子的烷基基團)、和一乳酸烷基酯(包括一包含有1至6個碳原子的烷基基團)。
一種用於製造依據本發明的一具體例而被顯示在第1 和第2圖中之TFT陣列面板的方法，將參考第3A-6B圖以及第1和2圖而被描述。
第3A、4A、5A、和6A圖是依據本發明的一具體例而被顯示在第1和第2圖中之TFT陣列面板在它們的一製造方法的中間步驟中的佈局視圖，第3B圖是被顯示在第3A圖中之TFT陣列面板沿著線IIIB-IIIB’的一剖面圖，第4B圖是被顯示在第4A圖中之TFT陣列面板沿著線IVB-IVB’的一剖面圖，第5B圖是被顯示在第5A圖中之TFT陣列面板沿著線VB-VB’的一剖面圖，以及第6B圖是被顯示在第6A圖中之TFT陣列面板沿著線VIB-VIB’的一剖面圖。
參考第3A和3B圖，一導電層是藉由噴濺(sputtering)等而被設置在一絕緣基材110上。該導電層具有一下層膜較佳地由Al或是Al-Nd合金製得並且具有一厚度較佳地大約2,500Å，以及一上層膜較佳地由Mo製得。
該下層和上層膜可能使用一Al或Al-Nd合金靶管(target)和一Mo靶管而被共同噴濺。當下層膜被設置時，該Al(-Nd)靶管被驅動，但Mo靶管不驅動。在下層膜的設置之後，該Al(-Nd)靶管不驅動，並且該Mo靶管被驅動俾以設置上層膜。
該上層和下層膜是藉由光刻技術和蝕刻而被圖樣化俾以形成數條包含有閘極電極124、投射器127、以及端部129的閘極線121。
參考第4A和4B圖，一具有一厚度從大約2,000至大約5,000Å的閘極絕緣層140是在一大約250至大約500℃的溫 度被設置。接著，一內在非晶形矽層和一外在非晶形矽層是依序被設置在該閘極絕緣層140上，並且藉由光刻技術和蝕刻而被圖樣化俾以形成數個外在半導體條帶164和數個包含有投射器154的內在半導體條帶151。
參考第5A和5B圖，一導電層是藉由噴濺等而被設置。該導電層包括一下層膜較佳地由Mo製得，一中間膜較佳地由Al製得，和一上層膜較佳地由Mo製得。該導電層的厚度是等於大約4,000Å並且噴濺溫度是等於大約150℃。
該導電層接而藉由光刻技術和濕式蝕刻(wet etch)而被圖樣化俾以形成數個數據線171(包含有源極電極173和端部179)、汲極電極175、以及儲存導體177。用於濕式蝕刻的蝕刻液(etchant)可包括較佳地大約63-70%的磷酸、較佳地大約4-8%的硝酸、較佳地大約8-11%的醋酸、以及去離子水。
之後，外在半導體條帶164的曝露部分(該部分是未被數據線171、汲極電極175、和儲存導體177覆蓋)被移除，俾以完成數個包含有投射器163的歐姆接觸條帶161和數個歐姆接觸小島165，並且俾以曝露該內在半導體條帶151的部分。為了穩定該半導體條帶151的曝露表面，較佳地接著用氧電漿處理(Oxygen plasma treatment)。
參考第6A和6B圖，一種包含有一鹼可溶性樹脂、一二疊氮醌、介面活性劑、和一溶劑的光敏性樹脂膜被塗覆。該溶劑包括一二甘醇二烷基醚(包括一包含有1至5個碳原子的烷基基團)、一3-乙氧基丙酸乙酯、一乙酸烷基酯(包括 一包含有3至8個碳原子的烷基基團)、和一乳酸烷基酯(包括一包含有1至6個碳原子的烷基基團)。
塗覆較佳地是藉由使用移動基材110之狹縫塗覆或是一塗覆機(未顯示)的一噴嘴(未顯示)而被執行，並且被塗覆之樹脂組成物的厚度是從大約1.0至大約8.0微米。
在塗覆之後，塗覆有光敏性樹脂組成物之基材110被放入一烘箱中，並且在一大約90至大約110℃的溫度預烘烤持續大約90至大約180秒。預烘烤移除揮發性成分諸如溶劑。
下一步，該光敏性膜藉由使用一光罩對準機而對準一光罩，並且經由該光罩接受一第一次曝光。該曝光處理產生光(諸如g線)或是g線垂直地覆蓋該光敏性樹脂膜的一表面。
該光抗性樹脂膜接而藉由具有一種由一鹼性水性溶液(較佳地含有3 wt.%二異丙基胺)構成之顯像劑的混拌式顯像而被顯像。該顯像劑溶解該光敏性樹脂膜的曝露部分(該部分是被曝光)，並且留下該光敏性樹脂膜的未曝露部分，俾以形成一具有數個接觸孔(182、185和187)的鈍化層180以及數個接觸孔181的上層部分，如被顯示在第6A和6B圖中。
因為該光敏性樹脂組成物包括二疊氮醌，該光敏性樹脂膜的曝露部分在一短時間內被快速地移除，但是該未曝露部分是難以被移除的，即使它們是與顯像劑接觸持續一長時間。
在顯像之後，具有鈍化層180之基材110是用去離子水 清洗並且乾燥。
該鈍化層180的至少一部份接而遭受一第二次曝光處理，該曝光處理較佳地使用(深)紫外(UV)線。在第二次曝光處理中UV在單位面積上的照度可能比在第一次曝光處理中要高。第二次曝光處理是為了減輕該鈍化層180的透明度(transparency)而被執行。
該鈍化層180是在一加熱板(未顯示)中後烘烤持續大約130至大約160秒，或是在一乾淨烘箱中持續大約20至大約90分鐘，以一溫度大約150℃至大約250℃以及較佳地大約180℃至大約240℃。後烘烤改善被固化之光敏性樹脂圖樣的熱抗性和溶劑抗性。
在光敏性樹脂組成物中之溶劑具有對於固體成分(諸如鹼可溶性樹脂和二疊氮醌)一經改善的溶解度，俾以造成該光敏性樹脂組成物均勻地分佈。在該等溶劑成分之中，二甘醇二烷基醚、3-乙氧基丙酸乙酯、和乳酸丁基酯適當地藉由它們的高沸點調整乾燥速度俾以防止一注射噴嘴的一前端的乾燥，並且它們改善對於該等固體成分的溶解度。此外，在溶劑中之乙酸丁酯改善該樹脂組成物的平板性。於是，光敏性樹脂組成物調控溶劑的揮發性俾以減少藉由該溶劑的下方乾燥所導致的污點，並且改善對於固體成分的溶解度，因而形成一均勻地厚膜。結果，在該鈍化層180的邊緣的升高是被可觀地減少俾以改善該鈍化層180的透射和折射特性。
隨後，閘極絕緣層140是使用該鈍化層180當作一蝕刻 光罩而被蝕刻俾以完成該接觸孔181。
最後，數個像素電極190和數個接觸輔助件81和82藉由噴濺、光刻技術、和蝕刻一IZO或是一ITO層，而被形成在鈍化層180上，以及在汲極電極175的曝露部分、閘極線121的端部129、和數據線的端部179上，如被顯示在第1和第2圖中。
上面所描述之光敏性樹脂組成物可被施用至其它絕緣層，諸如閘極絕緣層140。
具體例3
第7圖是一依據本發明的另一具體例的TFT陣列面板的一佈局視圖，以及第8圖是被顯示在第7圖中之TFT陣列面板沿著線VIII-VIII’的一剖面圖。
數條閘極線121是被形成在一絕緣基材110(諸如透明玻璃或塑膠)上。
閘極線121傳輸閘極訊號並且實質地以一第一方向延伸。每條閘極線121包括數個閘極電極124，數個投射器127向下投影，以及一端部129具有一廣大面積用於與另一層或是一外部驅動電路接觸。一個用於產生閘極訊號的閘極驅動電路(未顯示)可被固定在一可撓性印刷電路(FPC)膜上(未顯示)，該電路膜可能被連接至基材110、直接地被固定在該基材110上、或是被整合在該基材110上。該閘極線121可延伸俾以連接至一個可能被整合在該基材110上的驅動電路。
閘極線121包括2種具有不同物理特性的導電膜：一下 層膜和一被設置在該下層膜上的上層膜。該下層膜較佳地是由一種低電阻性金屬製得，例如一含鋁金屬(諸如鋁和鋁合金)、含銀金屬(諸如銀和銀合金)、以及含銅金屬(諸如銅和銅合金)，用於減少訊號延遲或是電壓降低。該上層膜較佳地是由具有與其它材料[諸如銦錫氧化物(ITO)或是銦鋅氧化物(IZO)]良好之物理、化學、和電氣接觸特性的材料所製得，諸如含鉬金屬(諸如鉬和鉬合金)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、和鈦(Ti)。2種膜之組合的一良好實例是一下層鋁(合金)膜和一上層鉬(合金)膜。
然而，該下層膜可能由良好接觸性材料製得，以及該上層膜可能由一低電阻性材料製得。在這個例子中，閘極線121的端部129的上層膜129q可被移除俾以曝露下層膜129p。此外，該閘極線121可包括一單層較佳地由上面所描述之材料製得。另外，該閘極線121可由不同金屬或是導體製得。
在第7和第8圖中，對於閘極電極124和投射器127，下層和上層膜個別地是藉由額外的符號p和q而被命名。
閘極線121的側面是相對於基材110的一表面而傾斜，並且傾斜角度是在大約30-80度的範圍中。
一閘極絕緣層140[較佳地由氮化矽(SiNx)或是氧化矽(SiOx)製得]是被形成在該閘極線121上。
數個半導體條帶151[較佳地由氫化的非晶形矽(縮寫成”a-Si”)或是聚矽製得]是被形成在該閘極絕緣層140上。每一個半導體條帶151實質地以第二方向延伸並且在接近 閘極線121時變寬，而使得該半導體條帶151覆蓋該閘極線121的廣大面積。每一個半導體條帶151具有數個投射器154朝向該閘極電極124擴大。
數個歐姆接觸條帶和小島(161和165)被形成在該半導體條帶151上。該等歐姆接觸條帶和小島(161和165)較佳地是由n+ 氫化a-Si重度摻雜(doped)n-類型不純物(諸如磷)製得，或是它們可能由矽化物製得。每一個歐姆接觸條帶161具有數個投射器163，並且該等投射器163和歐姆接觸小島165是成對的位於該半導體條帶151的投射器154上。
該半導體條帶151的側面和該等歐姆接觸(161和165)是相對於基材110的一表面而傾斜，並且該傾斜角度較佳地是在一大約30-80度的範圍中。
數條數據線171，數個汲極電極(drain electrodes)175，和數個儲存導體177是被形成在該等歐姆接觸(161和165)以及閘極絕緣層140上。
數據線171傳輸數據訊號並且實質地以第2方向延伸俾以相交(intersec)閘極線121。每一條數據線171包括數個源極電極173朝向該等閘極電極124投影，以及一端部179具有一廣大面積用於與另一層或是一外部驅動電路接觸。一種用於產生數據訊號的數據驅動電路(未顯示)可被固定在一FPC膜上(未顯示)，該FPC膜可能被連接至基材110、直接地被固定在該基材110上、或是被整合在該基材110上。該數據線171可延伸俾以連接至一個可能被整合在該基材110上的驅動電路。
汲極電極175是與數據線171分開並且被設置在與該閘極電極124有關之源極電極173的對面。
一閘極電極124、一源極電極173、和一汲極電極175，與一半導體條帶151的一投射器154一起形成一TFT，該TFT具有一通道被形成在設置於該源極電極173和該汲極電極175之間的投射器175內。
儲存導體177被設置在閘極線121的投射器127上。
數據線171、汲極電極175、和儲存導體177具有一三層結構包含有一下層膜(171p和175p)、一中間膜(171q和175q)、和一上層膜(171r和175r)。該下層膜171p和175p較佳地是由一耐火金屬(諸如鉻、鉬、鉭、鈦、或是它們的合金)製得，該中間膜171q和175q較佳地是由一低電阻性金屬(諸如一含鋁金屬、一含銀金屬、和一含銅金屬)製得，以及該上層膜171r和175r是由具有一種與ITO或是IZO良好接觸特性的耐火金屬或是它們的合金製得。
數據線171、汲極電極175、和儲存導體177可具有一雙層結構包含有一耐火金屬下層膜(未顯示)和一低電阻性上層膜(未顯示)，或是一單層結構較佳地由上面所描述之材料製得。然而，數據線171、汲極電極175、和儲存導體177可能由不同的金屬或是導體製得。
在第7和第8圖中，對於源極電極173、儲存導體177、以及數據線171的端部179，它們的下層、中間、和上層膜是個別地藉由額外的符號p、q、和r而被命名。
數據線171、汲極電極175、和儲存導體177具有傾斜的 邊緣外型，並且該傾斜角度範圍大約30-80度。
該等歐姆接觸(161和165)是只***設在在其下方的半導體條帶151和在其上方的導體171和175之間，並且降低在它們之間的接觸電阻。雖然半導體條帶151在大部分地方是比數據線171狹窄，但半導體條帶151的寬度在接近如上所述之閘極線121時變大，使表面的外型平滑，因而防止數據線171的斷接。半導體條帶151的投射器154包括某些沒有被數據線171、汲極電極175、和儲存導體177覆蓋的曝露部分，諸如位於源極電極173和汲極電極175之間的部分。
一下層鈍化膜180p被形成在數據線171、汲極電極175、儲存導體177、以及半導體條帶151的曝露部分上。該下層鈍化膜180p較佳地是由一無機絕緣體諸如氮化矽或是氧化矽製得。
數個彩色濾光片條帶230被形成在該下層鈍化膜180p上。
該等彩色濾光片條帶230沿著第二方向延伸並且該等彩色濾光片條帶230的每一者代表一種原色(紅、綠、和藍)。相鄰的彩色濾光片條帶230代表不同的顏色，並且它們具有在數據線171上確實地彼此相配的邊緣。然而，相鄰的彩色濾光片條帶230可彼此重疊俾以阻斷在像素電極190之間的漏光(light leakage)，或是可能彼此間隔開。該等彩色濾光片條帶230不存在於被提供有訊號線(121和171)的端部(129和179)的周邊面積中。
當該等彩色濾光片條帶230與TFTs一起被設置在基材 110上時，開口率可以被增加。
一上層鈍化膜180q被形成在該等彩色濾光片條帶230上。該等下層和上層鈍化膜(180p和180q)防止在該等彩色濾光片條帶230中之色素滲透進入其它層。
上層鈍化膜180q較佳地是由具有介電常數較佳地小於大約4.0的光敏性有機絕緣體製得。鈍化層180可具有一平坦的表面。
用於上層鈍化膜180q之有機絕緣體是一種包含有一鹼可溶性樹脂、一二疊氮醌、介面活性劑、和一溶劑的光敏性樹脂組成物。該溶劑包括一二甘醇二烷基醚(包括一包含有1至5個碳原子的烷基基團)、一3-乙氧基丙酸乙酯、一乙酸烷基酯(包括一包含有3至8個碳原子的烷基基團)、和一乳酸烷基酯(包括一包含有1至6個碳原子的烷基基團)。
該溶劑在光敏性樹脂組成物中具有對於固體成分(諸如鹼可溶性樹脂和二疊氮醌)一經改善之溶解度，俾以讓該光敏性樹脂組成物均勻地散佈。在該等溶劑成分之中，二甘醇二烷基醚、3-乙氧基丙酸乙酯、和乳酸丁酯適當地藉由它們的高沸點調整乾燥速度，俾以防止一注射噴嘴的一前端的乾燥，並且它們改善對於固體成分的溶解度。此外，在溶劑中之乙酸丁酯改善該樹脂組成物的平板性。於是，光敏性樹脂組成物調控溶劑的揮發性俾以減少藉由該溶劑的下方乾燥所導致的污點，並且改善對於固體成分的溶解度，因而形成一均勻地厚膜。結果，在該上層鈍化膜180q之邊緣的升高是被可觀地減少俾以改善該上層鈍化膜180q 的透射和折射特性。
鈍化膜180p和180q具有數個接觸孔182、185和187，個別地曝露數據線171的端部179、汲極電極175、以及儲存導體177。該純化層180和閘極絕緣層140具有數個接觸孔181曝露閘極線121的端部129。再者，該等彩色濾光片條帶230具有數個接觸孔235和237曝露接觸孔185和187的下層部分以及下層鈍化膜180q鄰近該等接觸孔185和187的表面。
數個像素電極190和數個接觸輔助件81和82被形成在上層鈍化膜180q上。它們較佳地是由一透明導體(諸如ITO或是IZO)，或是一折射導體(諸如Ag、Al、Cr或是它們的合金)製得。
該等像素電極190是經由接觸孔185而電氣連接至汲極電極175，並且經由接觸孔177而連接至儲存導體177，而使得該等像素電極190接收來自汲極電極的數據電壓並且傳輸該數據電壓至儲存導體177。該等被提供以數據電壓之像素電極190與一被提供以一通用電壓的一相對顯示面板(未顯示)的通用電極(未顯示)協同產生電場，該電場決定被設置在該二電極之間的一液晶層(未顯示)的液晶分子(未顯示)的位向。一像素電極190和該通用電極形成一液晶電容器。
一像素電極190重疊一先前之閘極線121的一投射器127。該像素電極190和一儲存導體177被連接至該處並且該投射器127形成一儲存電容器。
像素電極190重疊閘極線121和數據線171俾以增加開口率。
接觸輔助件81和82是個別地經由接觸孔181和182而被連接至閘極線121的端部129和數據線171的端部179。該等接觸輔助件(81和82)防護端部(129和179)，並且加強該等端部(129和179)和外部裝置之間的吸附反應
如今，一種製造被顯示在第7和第8圖中之TFT陣列面板的方法是參考第9A-10B圖以及第7和第8圖而被詳細的描述。
第9A和第10A圖是依據本發明的一具體例而被顯示在第7和第8圖中之TFT陣列面板在它們的一製造方法的中間步驟中的佈局視圖，第9B圖是被顯示在第9A圖中之TFT陣列面板沿著線IXB-IXB’的一剖面圖，以及第10B圖是被顯示在第9A圖中之TFT陣列面板沿著線XB-XB’的一剖面圖。
參考第9A和9B圖，數條包含有閘極電極投射器127和端部129的閘極線121被形成在一絕緣基材110上。一閘極絕緣層140、數個包含有投射器154的半導體條帶151、以及數個包含有投射器163的歐姆接觸(161和165)，是循序地被形成在該閘極線121和該基材110上。數條包含有源極電極173的數據線171、數條數據線171、以及數個儲存導體177是被形成在該歐姆接觸(161和165)以及該閘極絕緣層140上。一下層鈍化膜180p是藉由PECVD等而被形成。一包含有一種原色的負光敏性膜(negative photosensitive film)被塗覆並且圖樣化，俾以形成數個具有接觸孔235和237的彩色濾光片條帶。對於其它原色重複該膜塗覆和圖樣化，數個代表其它原色的彩色濾光片條帶230也被形成。
下一步，一種包含有一鹼可溶性樹脂、一二疊氮醌、介面活性劑、和一溶劑的光敏性樹脂膜被塗覆在該等彩色濾光片條帶230上。該溶劑包括一二甘醇二烷基醚(包括一包含有1至5個碳原子的烷基基團)、一3-乙氧基丙酸乙酯、一乙酸烷基酯(包括一包含有3至8個碳原子的烷基基團)、和一乳酸烷基酯(包括一包含有1至6個碳原子的烷基基團)。
塗覆是藉由移動基材110時的狹縫塗覆或是一塗覆機(未顯示)的一噴嘴(未顯示)而被執行。被塗覆之樹脂組成物的厚度是從大約1.0至大約8.0微米。
在塗覆之後，塗覆有光敏性樹脂組成物之基材110被放入一烘箱中，並且在一大約90至大約110℃的溫度預烘烤持續從大約90至大約180秒。預烘烤移除揮發性成分諸如溶劑。
下一步，該光敏性膜藉由使用一光罩對準機而對準一光罩，並且經由該光罩接受一第一次曝光。該曝光處理產生光(諸如g線)或是g線垂直地覆蓋該光敏性樹脂膜的一表面。
該光抗性樹脂膜接而藉由具有一種由一鹼性水性溶液(較佳地含有3 wt.%二異丙基胺)構成之顯像劑的混拌式顯像而被顯像。該顯像劑溶解該光敏性樹脂膜的曝露部分(該部分是被曝光)，並且留下該光敏性樹脂膜的未曝露部分俾以形成一具有數個接觸孔181、182、185和187之上部部分的上層鈍化膜180q，如被顯示在第10A和10B圖中。
因為該光敏性樹脂組成物包括二疊氮醌，該光敏性樹 脂膜的曝露部分在一短時間內被快速地移除，但是它們的未曝露部分是難以被移除的，即使它們是與顯像劑接觸持續一長時間。
在顯像之後，具有上層鈍化膜180q之基材110是用去離子水清洗並且乾燥。
該上層鈍化膜180q的一部份或是一整體部分是接而遭受一第二次曝光處理，該曝光處理較佳地使用(深)紫外(UV)線。在第二次曝光處理中UV在單位面積上的照度可能比在第一次曝光處理中要高。該第二次曝光處理移除在第一次曝光處理中可能曝光不足的部分俾以減少殘餘物。
該上層鈍化膜180q是在一溫度大約150℃至大約250℃，以及較佳地大約180℃至大約240℃被後烘烤持續大約5至大約120分鐘，以及較佳地大約15至大約90分鐘。後烘烤是藉由使用一加熱板(未顯示)加熱該基材110而被執行。後烘烤改善被固化之光敏性樹脂圖樣的熱抗性和溶劑抗性。
在光敏性樹脂組成物中之溶劑具有對於固體成分(諸如鹼可溶性樹脂和二疊氮醌)一經改善的溶解度，俾以讓該光敏性樹脂組成物均勻地分佈。在該等溶劑成分之中，二甘醇二烷基醚、3-乙氧基丙酸乙酯、和乳酸丁基酯適當地藉由它們的高沸點調整乾燥速度俾以防止一注射噴嘴的一前端的乾燥，並且它們改善對於該等固體成分的溶解度。此外，在溶劑中之乙酸丁酯改善該樹脂組成物的平板性。於是，光敏性樹脂組成物調控溶劑的揮發性俾以減少藉由該溶劑的下方乾燥所導致的污點，並且改善對於固體成分 的溶解度，因而形成一均勻地厚膜。結果，在該上層鈍化膜180q的邊緣的升高是被可觀地減少俾以改善該上層鈍化膜180q的透射和折射特性。
隨後，下層鈍化膜180p和閘極絕緣層140是使用該上層鈍化膜180q當作一蝕刻光罩而被蝕刻，俾以完成該等接觸孔181、182、185和187。
最後，數個像素電極190和數個接觸輔助件(81和82)藉由噴濺、光刻技術、和蝕刻一IZO或是一ITO層，而被形成在該上層鈍化膜180q上，以及在汲極電極175的曝露部分、閘極線121的端部129、和數據線171的端部179上，如被顯示在第7和第8圖中。
上面所描述之光敏性樹脂組成物可被施用至其它的絕緣層，諸如閘極絕緣層140和下層鈍化膜180p。
許多上面所描述關於被顯示在第1-6B圖中之TFT陣列面板和它們的製造方法的特色，對於被顯示在第7A-10B圖中之TFT陣列面板和它們的製造方法可能是合適的。
上面所描述之光敏性樹脂組成物也可能被施用至其它面板上與一TFT面板結合的絕緣層或是傾斜構件。此外，上面所描述之光敏性樹脂組成物可能被施用在其它的顯示裝置中，諸如有機光激發偶極體(OLED)顯示器。
儘管本發明已經參考該等較佳具體例而被詳細的描述，但那些在該領域中熟習技藝者將瞭解：在不脫離本發明(如在申請專利範圍中所陳述)的精神以及範圍下，對於本發明的不同修改和取代可能被做出。
81、82‧‧‧接觸輔助件
110‧‧‧絕緣基材
121、127、129‧‧‧閘極線
127p、127q‧‧‧投射器的下層膜、上層膜
129p、129q‧‧‧端部的下層膜、上層膜
124‧‧‧閘極電極
124p、124q‧‧‧閘極電極的下層膜、上層膜
140‧‧‧閘極絕緣層
151、154‧‧‧半導體
161、163、165‧‧‧歐姆接觸
161、165‧‧‧歐姆接觸條帶(歐姆接觸小島)
164‧‧‧外在半導體條帶
171、179‧‧‧數據線
171p、171q、171r‧‧‧數據線的下層膜、中間膜、上層膜
173‧‧‧源極電極
173p、173q、173r‧‧‧源極電極的下層膜、中間膜、上層膜
175‧‧‧汲極電極
175p、175q、175r‧‧‧汲極電極的下層膜、中間膜、上層膜
177‧‧‧儲存導體
177p、177q、177r‧‧‧儲存導體的下層膜、中間膜、上層膜
179p、179q、179r‧‧‧端部的下層膜、中間膜、上層膜
180‧‧‧鈍化層
180p、180q‧‧‧鈍化膜(下層鈍化膜、上層鈍化膜)
181、182、185、187‧‧‧接觸孔
190‧‧‧像素電極
230‧‧‧彩色濾光片條帶
235、237‧‧‧接觸孔
第1圖是依據本發明之一具體例的一個TFT陣列面板之一佈局視圖(layout view)；第2圖是被顯示在第1圖中之TFT陣列面板沿著線II-II’的一個剖面圖；第3A、4A、5A、和6A圖是依據本發明之一具體例而被顯示在第1和第2圖中之TFT陣列面板在它們的一個製造方法的中間步驟中的佈局視圖；第3B圖是被顯示在第3A圖中之TFT陣列面板沿著線IIIB-IIIB’的一個剖面圖；第4B圖是被顯示在第4A圖中之TFT陣列面板沿著線IVB-IVB’的一個剖面圖；第5B圖是被顯示在第5A圖中之TFT陣列面板沿著線VB-VB’的一個剖面圖；第6B圖是被顯示在第6A圖中之TFT陣列面板沿著線VIB-VIB’的一個剖面圖；第7圖是依據本發明的另一具體例的一個TFT陣列面板之一佈局視圖；第8圖是被顯示在第7圖中之TFT陣列面板沿著線VIII-VIII’的一個剖面圖；第9A和第10A圖是依據本發明的一個具體例而被顯示在第7和第8圖中之TFT陣列面板在它們的一個製造方法的中間步驟中的佈局視圖；第9B圖是被顯示在第9A圖中之TFT陣列面板沿著線 IXB-IXB’的一個剖面圖；第10B圖是被顯示在第9A圖中之TFT陣列面板沿著線XB-XB’的一個剖面圖；和第11A至第11F圖是說明依據本發明的一實例的光敏性樹脂膜和比較例的照片。
81、82‧‧‧接觸輔助件
110‧‧‧絕緣基材
124‧‧‧閘極電極
124p、124q‧‧‧閘極電極的下層膜、上層膜
127、163‧‧‧投射器
127p、127q‧‧‧投射器的下層膜、上層膜
129‧‧‧端部
129p、129q‧‧‧端部的下層膜、上層膜
140‧‧‧閘極絕緣層
151‧‧‧半導體條帶
154‧‧‧投射器
161、165‧‧‧歐姆接觸
171‧‧‧數據線
173‧‧‧源極電極
175‧‧‧汲極電極
177‧‧‧儲存導體
171p、171q、171r‧‧‧數據線的下層膜、中間膜、上層膜
173p、173q、173r‧‧‧源極電極的下層膜、中間膜、上層膜
175p、175q、175r‧‧‧汲極電極的下層膜、中間膜、上層膜
177p、177q、177r‧‧‧儲存導體的下層膜、中間膜、上層膜
179p、179q、179r‧‧‧端部的下層膜、中間膜、上層膜
180‧‧‧鈍化層
181、182、185、187‧‧‧接觸孔
190‧‧‧像素電極

Claims (23)

  1. 一種光敏性樹脂組成物，其包含有：一種鹼可溶性樹脂；一種二疊氮醌；一種介面活性劑；以及一種溶劑，它包含有：一種二甘醇二烷基醚，它包含一具有1至5個碳原子的烷基基團，一種3-乙氧基丙酸乙酯，一種乙酸烷基酯，它包含一具有3至8個碳原子的烷基基團，以及一種乳酸烷基酯，它包含一具有1至6個碳原子的烷基基團，其中該介面活性劑包含：一種具有下列結構的有機氟化合物： 其中Rf 是一包含有5-10個碳原子的直鏈或支鏈全氟烷撐基團，並且Z是氫或氟；一種具有下列結構的第一聚矽氧化合物： 其中R是一包含有2-5個碳原子的直鏈或支鏈烷撐 基團，並且x和y的每一者為1-20的整數；以及一種具有下列結構的第二聚矽氧化合物： 其中R’是一包含有1-20個碳原子的烷基基團或一包含有2-21個碳原子的直鏈或支鏈羰基烷基基團，以及v和w的每一者是1-20的整數，並且m和l的每一者是1-9的整數，其中(m+1)落在2和10之間。
  2. 如申請專利範圍第1項的組成物，其中該二甘醇二烷基醚在該溶劑中的重量百分比是10至70 wt.%，該3-乙氧基丙酸乙酯在該溶劑中的重量百分比是10至70 wt.%，該乙酸烷基酯在該溶劑中的重量百分比是1至20 wt.%，以及該乳酸烷基酯在該溶劑中的重量百分比是從1至20 wt.%。
  3. 如申請專利範圍第1項的組成物，其中該二甘醇二烷基醚包含有一種二甘醇甲基乙基醚，以及該乙酸烷基酯包含有乙酸丁酯，以及該乳酸烷基酯包含乳酸丁酯。
  4. 如申請專利範圍第1項的組成物，其中該溶劑在該光敏性樹脂組成物中的重量百分比範圍落在從50至95 wt.%。
  5. 如申請專利範圍第1項的組成物，其中該鹼可溶性樹脂在該光敏性樹脂組成物之一總固體含量中的重量百分比範圍落在從50至98 wt.%。
  6. 如申請專利範圍第1項的組成物，其中該二疊氮醌在該光敏性樹脂組成物之一總固體含量中的重量百分比範圍落在 從2至50 wt.%。
  7. 如申請專利範圍第1項的組成物，其中該介面活性劑在該光敏性樹脂組成物之一總固體含量中的重量百分比是最多為0.3 wt.%
  8. 如申請專利範圍第1項的組成物，其進一步包含有下列的至少一者：一陽離子性聚合反應起始劑、一酚化合物、一交聯劑、一可聚合的單體、以及一矽烷偶合劑。
  9. 一種薄膜面板，其包含有：一基材；一薄膜圖樣，它被形成在該基材上；以及一絕緣層，它被形成在該薄膜圖樣上並且是由一種包含有一種鹼可溶性樹脂、一種二疊氮醌、一種介面活性劑以及一種溶劑的光敏性樹脂組成物所製得，該溶劑包含：一種二甘醇二烷基醚，它包含一具有1至5個碳原子的烷基基團，一種3-乙氧基丙酸乙酯，一種乙酸烷基酯，它包含一具有3至8個碳原子的烷基基團，以及一種乳酸烷基酯，它包含有一具有1至6個碳原子的烷基基團，其中該介面活性劑包含一種具有下列結構的有機氟化合物： 其中Rf 是一包含有5-10個碳原子的直鏈或支鏈全氟烷撐基團，並且Z是氫或氟；一種具有下列結構的第一聚矽氧化合物： 其中R是一包含有2-5個碳原子的直鏈或支鏈烷撐基團，並且x和y的每一者為1-20的整數；以及一種具有下列結構的第二聚矽氧化合物： 其中R’是一包含有1-20個碳原子的烷基基團或一包含有2-21個碳原子的直鏈或支鏈羰基烷基基團，以及v和w的每一者是1-20的整數，並且m和l的每一者是1-9的整數，其中(m+1)落在2和10之間。
  10. 如申請專利範圍第9項的薄膜面板，其中該二甘醇二烷基醚在該溶劑中的重量百分比是從10至70 wt.%，該3-乙氧基丙酸乙酯在該溶劑中的重量百分比是從10至70 wt.%，該乙酸烷基酯在該溶劑中的重量百分比是從1至20 wt.%，以及該乳酸烷基酯在該溶劑中的重量百分比是從1至20 wt.%。
  11. 如申請專利範圍第9項的薄膜面板，其中該薄膜圖樣包含導電訊號線。
  12. 如申請專利範圍第9項的薄膜面板，其中該薄膜圖樣包含有：一閘極線；一閘極絕緣層，它被形成在該閘極線上；一半導體層，它被形成在該閘極絕緣層上；以及一數據線與一汲極電極，它們被形成在該半導體層上。
  13. 如申請專利範圍第12項的薄膜面板，其進一步包含有一像素電極被形成在該絕緣層上並且被連接至該汲極電極。
  14. 如申請專利範圍第12項的薄膜面板，其進一步包含有一彩色濾光片被設置在該絕緣層下方。
  15. 一種用以製造一薄膜面板的方法，其包括：在一基材上形成一薄膜圖樣；塗覆一種包含有下列的光敏性樹脂組成物：一種鹼可溶性樹脂、一種二疊氮醌、一種介面活性劑以及一溶劑；經由一光罩而在該光敏性樹脂組成物上執行一曝光處理；以及顯像該光敏性樹脂組成物，其中該溶劑包含：一種二甘醇二烷基醚，它包含有一具有1至5個碳原子的烷基基團，一種3-乙氧基丙酸乙酯， 一種乙酸烷基酯，它包含有一具有3至8個碳原子的烷基基團，以及一種乳酸烷基酯，它包含有一具有1至6個碳原子的烷基基團，其中該介面活性劑包含一種具有下列結構的有機氟化合物： 其中Rf 是一包含有5-10個碳原子的直鏈或支鏈全氟烷撐基團，並且Z是氫或氟；一種具有下列結構的第一聚矽氧化合物： 其中R是一包含有2-5個碳原子的直鏈或支鏈烷撐基團，並且x和y的每一者為1-20的整數；以及一種具有下列結構的第二聚矽氧化合物： 其中R’是一包含有1-20個碳原子的烷基基團或一包含有2-21個碳原子的直鏈或支鏈羰基烷基基團，以及v和w的每一者是1-20的整數，並且m和l的每一者是1-9的整數，其 中(m+1)落在2和10之間。
  16. 如申請專利範圍第15項的方法，其中該光敏性樹脂組成物的塗覆使用一種狹縫形式噴嘴。
  17. 如申請專利範圍第15項的方法，其中該光敏性樹脂組成物在顯像之後具有一1.0至8.0微米的厚度。
  18. 如申請專利範圍第15項的方法，其進一步包括：在該曝光處理之前，從該光敏性樹脂組成物移除掉該溶劑。
  19. 如申請專利範圍第15項的方法，其進一步包括：在該顯像之後，將該光敏性樹脂組成物曝光；以及在該曝光之後烘烤該光敏性樹脂組成物。
  20. 如申請專利範圍第15項的方法，其進一步包括：在該顯像之後烘烤該光敏性樹脂組成物。
  21. 如申請專利範圍第15項的方法，其中該薄膜圖樣的形成包含：在該基材上形成訊號線。
  22. 如申請專利範圍第15項的方法，其中該薄膜圖樣的形成包含：在該基材上形成一閘極線；依序地設置一閘極絕緣層以及一半導體層；蝕刻該半導體層；以及在該半導體層上形成一數據線以及一汲極電極。
  23. 如申請專利範圍第22項的方法，其進一步包括：在顯像之後在該光敏性樹脂組成物上形成一像素電極，其中該光敏性樹脂組成物具有一曝露該汲極電極的接觸孔， 並且該像素電極被連接至該汲極電極。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI725496B (zh) * 2018-12-21 2021-04-21 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 交聯劑化合物、包括其的光敏組成物以及使用其的光敏材料

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005338831A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置の有機膜フォトレジスト組成物、そのスピンレスコーティング方法、これを用いた有機膜パターン形成方法及びこれにより製造された液晶表示装置
KR101298940B1 (ko) * 2005-08-23 2013-08-22 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조방법
EP1965256B1 (en) * 2005-11-30 2014-04-30 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive photosensitive resin composition, and use of the same for manufacturing a semiconductor device and a display
KR101288411B1 (ko) * 2005-12-02 2013-07-22 삼성디스플레이 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성방법 및 표시 기판의 제조 방법
KR101186740B1 (ko) 2006-02-17 2012-09-28 삼성전자주식회사 뱅크형성 방법 및 이에 의해 형성된 뱅크를 함유하는 유기박막 트랜지스터
KR101249097B1 (ko) * 2006-05-04 2013-03-29 삼성전자주식회사 유기절연막 조성물, 유기절연막의 형성방법 및 이에 의해형성된 유기절연막을 함유하는 유기박막 트랜지스터
JP2008047893A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
JP2008088272A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Fujifilm Corp 硬化性着色組成物、カラーフィルタ、及びカラーフィルタを用いた液晶表示装置
JP4976140B2 (ja) * 2007-01-09 2012-07-18 株式会社ダイセル レジスト組成物
JP5112772B2 (ja) * 2007-07-24 2013-01-09 東京応化工業株式会社 液晶素子製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2009151266A (ja) * 2007-11-29 2009-07-09 Jsr Corp ポジ型感放射線性樹脂組成物
US7678514B2 (en) * 2007-12-27 2010-03-16 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive-type photosensitive resin composition, cured film, protecting film, insulating film and semiconductor device and display device using these films
KR20100006952A (ko) * 2008-07-11 2010-01-22 삼성전자주식회사 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법및 표시 기판의 제조 방법
JP5281357B2 (ja) * 2008-10-23 2013-09-04 新日鉄住金化学株式会社 ブラックレジスト用感光性樹脂組成物及びカラーフィルター遮光膜
TWI501027B (zh) * 2008-11-18 2015-09-21 Sumitomo Chemical Co Photosensitive resin composition and display device
US8486282B2 (en) * 2009-03-25 2013-07-16 Intermolecular, Inc. Acid chemistries and methodologies for texturing transparent conductive oxide materials
KR20120089650A (ko) * 2009-10-16 2012-08-13 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물 및 층간 절연막의 형성 방법
JP2011107707A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Kolon Industries Inc 感光性樹脂組成物
JP6166526B2 (ja) * 2011-12-09 2017-07-19 株式会社日本触媒 硬化性樹脂組成物及びその用途
JP2013205801A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性樹脂組成物及びその硬化膜、保護膜、絶縁膜並びに半導体装置及び表示体装置
US20140240645A1 (en) * 2013-02-27 2014-08-28 Samsung Display Co., Ltd. Photosensitive resin composition, display device using the same and method of manufacturing the display device
JP6255806B2 (ja) * 2013-09-04 2018-01-10 Jsr株式会社 ゲート絶縁膜、感放射線性樹脂組成物、硬化膜、ゲート絶縁膜の形成方法、半導体素子および表示装置
CN103926793A (zh) * 2014-03-26 2014-07-16 张洋 一种薄膜面板的配方
US10061151B2 (en) 2014-06-30 2018-08-28 Lg Display Co., Ltd. Light shielding material and display device including the same
KR102310637B1 (ko) * 2015-01-12 2021-10-08 삼성전자주식회사 씬너 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
CN106384745B (zh) * 2016-11-16 2019-01-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制备方法
KR20200023196A (ko) * 2018-08-23 2020-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200622485A (en) * 2004-10-14 2006-07-01 Sumitomo Chemical Co Radiation sensitive resin composition

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4374920A (en) * 1981-07-27 1983-02-22 American Hoechst Corporation Positive developer containing non-ionic surfactants
JPH08202031A (ja) * 1995-01-20 1996-08-09 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPH1010736A (ja) * 1996-06-21 1998-01-16 Mitsubishi Chem Corp ポジ型フォトレジスト塗布膜及びポジ型フォトレジスト組成物並びにパターン形成方法
JP3942263B2 (ja) * 1997-03-05 2007-07-11 信越化学工業株式会社 高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP3813721B2 (ja) * 1997-12-26 2006-08-23 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
JP2000010269A (ja) * 1998-06-19 2000-01-14 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
US6569971B2 (en) 1998-08-27 2003-05-27 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same
JP3945556B2 (ja) * 1998-12-17 2007-07-18 東京応化工業株式会社 液晶素子製造用ポジ型ホトレジスト塗布液及びそれを用いた基材
KR100546105B1 (ko) 1999-11-03 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트용 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물
JP3458096B2 (ja) 2000-08-11 2003-10-20 株式会社半導体先端テクノロジーズ レジスト組成物、及び半導体装置の製造方法
US6787286B2 (en) * 2001-03-08 2004-09-07 Shipley Company, L.L.C. Solvents and photoresist compositions for short wavelength imaging
KR100569533B1 (ko) 2001-10-25 2006-04-07 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트 세정용 조성물
JP2002131896A (ja) * 2001-10-29 2002-05-09 Jsr Corp 感放射線性組成物
KR100536044B1 (ko) 2001-12-14 2005-12-12 삼성전자주식회사 신너 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 스트립핑 방법
KR100942124B1 (ko) * 2002-01-24 2010-02-16 제이에스알 가부시끼가이샤 절연막 형성용 감방사선성 조성물, 절연막 및 표시 소자
US6984476B2 (en) * 2002-04-15 2006-01-10 Sharp Kabushiki Kaisha Radiation-sensitive resin composition, forming process for forming patterned insulation film, active matrix board and flat-panel display device equipped with the same, and process for producing flat-panel display device
JP4283582B2 (ja) * 2002-04-15 2009-06-24 シャープ株式会社 感放射線性樹脂組成物、パターン状絶縁性被膜の形成方法、アクティブマトリクス基板およびそれを備えた平面表示装置、並びに平面表示装置の製造方法
JP2004126509A (ja) 2002-04-18 2004-04-22 Shipley Co Llc 溶媒及び１９３ｎｍイメージング用フォトレジスト組成物
CN1492265A (zh) * 2002-10-25 2004-04-28 三星电子株式会社 滤色板、其制造方法及包括滤色板的液晶显示器
JP3787323B2 (ja) * 2002-11-14 2006-06-21 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト塗布液及びそれを用いた表示素子用基材
TW200502682A (en) * 2003-03-25 2005-01-16 Sumitomo Chemical Co Process for forming hardened resin pattern
JP2004287346A (ja) * 2003-03-25 2004-10-14 Sumitomo Chem Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
US6905809B2 (en) * 2003-04-01 2005-06-14 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist compositions
JP2004029840A (ja) * 2003-07-24 2004-01-29 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法
JP4640099B2 (ja) * 2004-10-14 2011-03-02 住友化学株式会社 感放射線性樹脂組成物

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200622485A (en) * 2004-10-14 2006-07-01 Sumitomo Chemical Co Radiation sensitive resin composition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI725496B (zh) * 2018-12-21 2021-04-21 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 交聯劑化合物、包括其的光敏組成物以及使用其的光敏材料
US11754921B2 (en) 2018-12-21 2023-09-12 Lg Chem, Ltd. Crosslinking agent compound, photosensitive composition comprising the same, and photosensitive material using the same

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Publication number Publication date
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