TWI390658B - Substrate lifting device and substrate processing device - Google Patents

Description

基板昇降裝置及基板處理裝置

本發明係關於在處理室內用於昇降平面顯示器(FPD)製造用的玻璃基板等被處理基板之基板昇降裝置，及具備該基板昇降裝置、對被處理基板施行乾式蝕刻等處理之基板處理裝置。

例如，在FPD製造製程中，對被處理基板之玻璃基板經常採用乾式蝕刻、濺鍍、或CVD(化學氣相成長)等電漿處理。此種電漿處理例如可在處理室內配置有一對平行平板電極(上部及下部電極)的基板處理裝置進行。於此種基板處理裝置，將被處理基板載置在當作下部電極發揮功能的載置台，將處理氣體導入處理室內，並且在電極的至少一方施加高頻電力而在電極間形成高頻電場，藉由該高頻電場形成處理氣體的電漿，而對被處理基板施行電漿處理。

且，基板處理裝置之載置台設有可對基板載置面突入的多數之昇降銷，在將被處理基板搬出搬入於基板處理裝置時，藉由該等昇降銷上昇的方式，使被處理基板離開載置台的載置面，進行與搬送機構之交遞。且，在基板處理裝置進行電漿處理時，昇降銷下降而使被處理基板載置在載置台的載置面。

如上述之昇降銷係配備成***在形成於載置台的孔之狀態。若其孔徑大，則在對被處理基板進行蝕刻等處理時，可能產生蝕刻斑點等處理不均的情形，因此通常選擇與昇降銷之間隙不會過大的孔徑。但是，電漿處理時，隨著載置台的温度變化，而有因熱膨脹使穿通設置在載置台的孔之位置偏離的情形。載置台的孔位置偏離時，會有孔壁(或配備在孔內的襯墊等定位構件)和***在該處之昇降銷接觸，造成單方接觸而形成昇降銷不能昇降的鎖定狀態，或昇降時產生磨耗而造成微粒子的原因之問題。

因此，針對以常壓進行加熱處理等之裝置，揭示有一方式，係將滑枕式滾珠(Pillow ball)配備在抵接於昇降銷下端而將其上推之上推構件，且以藉由彈簧的施力使昇降銷下端抵接在滑枕式滾珠的方式，使昇降銷追隨因熱膨脹造成的載置台的孔位置偏離(例如專利文獻1)。

(專利文獻1)日本專利特開平10－308348號公報

上述專利文獻1中，藉由使用滑枕式滾珠使橫向具有空間，而具有使昇降銷追隨因載置台熱膨脹造成的孔位置偏離之優點。但是，在真空裝置的情形，當處理室內形成真空狀態時，由於其吸引力造成將昇降銷吸引到上方，因此以專利文獻1將昇降銷下端抵接在滑枕式滾珠的方法，昇降銷下端和滑枕式滾珠將形成非接觸狀態，而無法發揮滑枕式滾珠的功能。因此，會有在真空狀態昇降時發生單方接觸而形成鎖定狀態，或因磨耗而產生微粒子之虞。

且，利用在FPD用玻璃基板處理之載置台，比利用在半導體晶圓處理之載置台大型，且近年來隨著玻璃基板大型化而有載置台日益大型化之傾向，因此隨著熱膨脹造成的孔位置偏離也必然變大，造成單方接觸的頻率亦增加。因而，將FPD用玻璃基板真空處理時，就確保安定地驅動昇降銷之觀點，先前技術尚有進一步改良之空間。

本發明係鑑於上述事實而發明者，其目的在於提供一種即使在真空處理裝置中，亦不會發生昇降銷單方接觸，可使基板安定昇降之基板昇降裝置及基板處理裝置。

為了解決上述課題，本發明之第1觀點提供一種基板昇降裝置，係具備在基板處理裝置之基板載置台，用於使基板昇降者，其特徵為具備：昇降銷，係裝設成可對前述基板載置台的基板載置面突入，抵接在基板使其昇降；驅動部，用於使前述昇降銷昇降變位；及多數之球體，用於使來自前述驅動部的驅動力傳達到前述昇降銷。

根據上述第1觀點，由於具備使來自驅動部的驅動力傳達到昇降銷的多數之球體，而經由球體傳達驅動力，因此當基板載置台熱膨脹造成用於***昇降銷的孔之位置偏離時，仍可利用球體旋轉而容易地將位置微調，可防止昇降銷單方接觸。

且，本發明之第2觀點提供一種基板昇降裝置，係具備在基板處理裝置之基板載置台，用於使基板昇降者，其特徵為具有：昇降銷，係裝設成可對前述基板載置台的基板載置面突入，抵接在基板使其昇降；支撐部，用於支撐前述昇降銷；及驅動部，用於使前述昇降銷昇降變位；前述昇降銷係於其基端部，經由多數之球體而支撐在前述支撐部。

根據上述第2觀點，昇降銷係於其基端部，以經由多數之球體支撐的方式，當基板載置台熱膨脹造成用於***昇降銷的孔之位置偏離時，仍可利用球體旋轉而容易地將位置微調，可防止昇降銷單方接觸。

上述第2觀點中，前述多數之球體係配置在前述昇降銷的變位方向，使前述基端部全體或其一部分夾住於其間為佳。

如此地，由於將多數之球體配置在昇降銷的變位方向，夾住昇降銷的基端部，因此當真空裝置中，在昇降銷施加朝上方的吸引力時，仍可藉由基端部抵接在配置於上側的球體之方式，將橫向的位置微調，而不會形成鎖定狀態。

且，前述基端部具備在對前述昇降銷的昇降方向呈正交的方向擴大之凸緣部，且該凸緣部係夾持在介置在形成於前述支撐部的彼此相對之壁面間的前述球體為佳。

如此地，由於在基端部設置凸緣部，且將球體介置在該凸緣部和支撐部的壁面之間以支撐凸緣部，因此可用簡易的構成進行利用球體旋轉之微調。

且，上述情形中，前述支撐部和前述驅動部連結為佳。

且，前述基端部具備在對前述昇降銷的昇降方向呈正交的方向擴大之凸緣部，且具有經由施力手段而與前述凸緣部平行地連結之施力板，前述凸緣部及前述施力板係於形成在前述支撐部的彼此相對之壁面間，經由前述球體，被支撐成藉由前述施力手段之施力而推壓該球體之狀態為佳。

如此地，由於以基端部設有凸緣部並具備推壓板的構成，於藉由施力推壓介置在該等和支撐部的壁面之間的球體之狀態，支撐前述凸緣部及推壓板，因此球體和凸緣部及推壓板之接觸具有彈性力且確實，可進行利用球體旋轉之微調。

且，上述情形中，進而具備與前述驅動部連結，經由球體將來自前述驅動部的驅動力傳達到前述基端部之傳達構件為佳。

且，上述第1觀點及第2觀點中，前述昇降銷在來自基板處理裝置之基板搬入時及搬出時，在減壓環境下昇降變位為佳。

本發明之第3觀點提供一種基板處理裝置，係於處理室內處理基板者，其特徵為具備：用於載置基板的載置台；及具備上述第1觀點及第2觀點之基板昇降裝置。

上述第3觀點之基板處理裝置中，前述處理室係於真空狀態處理基板之真空處理室為佳。

且，前述基板處理裝置係用於製造平面顯示器者為佳。此時，以對基板進行電漿蝕刻處理之電漿蝕刻裝置為佳。

根據本發明之基板昇降裝置，在真空處理裝置中，仍可確實地防止昇降銷昇降時，形成在載置台的孔內之單方接觸。因而，可確實地防止因單方接觸造成昇降銷形成鎖定狀態，或因磨耗產生微粒子的情形。且，可藉由防止單方接觸而使昇降銷的壽命較長。

因而，藉由採用本發明的基板昇降裝置，可提供可靠性高的基板處理裝置。

以下，一面參照圖式一面説明本發明之較佳實施形態。第1圖係表示本發明之一實施形態相關之基板處理裝置一例之電漿蝕刻裝置之剖視圖。該電漿蝕刻裝置1係構成為對FPD用玻璃基板(以下僅記為「基板」)G，進行蝕刻之容量結合型平行平板電漿蝕刻裝置。此處，例示FPD為液晶顯示器(LCD)、發光二極體(LED)顯示器、有機電激發光(Electro Luminescence；EL)顯示器、螢光顯示管(Vacuum Fluorescent Display；VFD)，電漿顯示器(PDP)等。此外，本發明之處理裝置並不僅限定於電漿蝕刻裝置。

該電漿蝕刻裝置1具有處理室2，係由例如表面經耐酸鋁處理(陽極氧化處理)後的鋁所構成且成型為角筒形狀。該處理室2內的底部設有由絕緣材料所構成之角柱狀絕緣板3，進而在該絕緣板3上設有用於載置被處理基板之FPD用玻璃基板G之基座4。該基座4係構成可載置例如1800 mm×1500 mm尺寸或其以上尺寸之基板G。基座4具備由導電性材料所構成的基材4a，其上面設有介電性材料膜5，且基材4的周緣設有絕緣膜6，將周圍絕緣覆蓋。

基座4的基材4a連接著用於供應高頻電力之供應電線23，該供應電線23連接著整合器24及高頻電源25。從高頻電源25例如將13.56MHz的高頻高力供應到基座4。

處理室2的底壁2a、絕緣板3及基座4在多數處設有貫通該等之插通孔7(例如16處)。各插通孔7***著可對基座4的基板載置面突入的昇降銷8，用於使基板G昇降。此外，第1圖僅圖示2支昇降銷8。昇降銷8係藉由在其下端與昇降裝置30連結的方式，而上下地變位使基板G昇降。即，昇降銷8和昇降裝置30運動，當作基板昇降裝置發揮功能。關於昇降銷8及昇降裝置30之詳細內容將於後述。

前述基座4的上方設有與該基座4平行地相對而當作上部電極發揮功能的噴浴頭11。噴浴頭11係支撐在處理室2上部，內部具有內部空間12且在與基座4的相對面形成有噴出處理氣體的多數之噴出孔13。該噴浴頭11係接地，而與基座4一起構成一對平行平板電極。

噴浴頭11上面設有氣體導入口14，該氣體導入口14連接著處理氣體供應管15，該處理氣體供應管15係經由閥16及質量流量控制器17而連接著處理氣體供應源18。從處理氣體供應源18供應用於蝕刻的處理氣體。處理氣體可採用鹵系氣體、O₂ 氣體、Ar氣體等通常此領域所使用之氣體。

前述處理室2的側壁底部連接著排氣管19，該排氣管19連接著排氣裝置20。排氣裝置20具備渦輪分子泵等真空泵，藉此構成可將處理室2內抽取成真空至指定的減壓環境。且，處理室2的側壁設有基板搬出搬入口21、及開閉該基板搬出搬入口21的閘閥22，在該閘閥22為打開的狀態下，將基板G在與相鄰的負荷固定室(不圖示)之間搬送。

如前述地，貫通處理室2的底壁2a、絕緣板3及基座4而裝設的各插通孔7***著昇降銷8，以該昇降銷8藉由昇降裝置30在垂直方向變位的方式，進行切換基板G載置在基座4的載置狀態、和藉由昇降銷8支撐在基座4上方的離開狀態。昇降裝置30之主要構成係具備內設有步進馬達等的驅動部31、連結在該驅動部31且與各昇降銷8連結而使各昇降銷8同步昇降變位的上推板32、及引導上推板32的導引軸33。

此處，一面參照第2圖及第3圖，一面説明包含昇降銷8和昇降裝置30的本實施形態之基板昇降裝置之詳細內容。第2圖係表示昇降銷8退避在基座4的插通孔7內的非動作狀態，第3圖係表示昇降銷8從基座4的基板載置面突出的動作狀態。

昇降銷8前端的相反側亦即昇降銷基端部9，係形成為圓柱塊狀，其緣端在對其昇降方向正交的方向(即，圓柱塊的周方向)具有擴大的凸緣9a。該昇降銷8的上部係藉由不圖示的定位用襯墊定位而***在插通孔7內。

且，昇降銷8的下部從處理室2的底壁2a突出在大氣側，昇降銷基端部9的凸緣9a係收容在圍繞筒體34內，該圍繞筒體34係立設在支撐昇降銷8的支撐部之上推板32上面。此外，處理室2的底壁2a到昇降銷基端部9之間，係藉由可上下地自由伸縮的伸縮具10覆蓋，因此將插通孔7內保持在真空狀態。

上推板32的圍繞筒體34係中空狀且頂部34a具有開口，該開口***著昇降銷基端部9的下部。然後，上推板32的上面32a配備有滾珠軸承35，在與上推板32平行且相對設置的圍繞筒體34的頂部內面34b配備有滾珠軸承36。如此地，藉由凸緣9a下面抵接滾珠軸承35，凸緣9a上面抵接滾珠軸承36的方式，夾住昇降銷基端部9的凸緣9a而支撐著昇降銷8。此外，滾珠軸承35及滾珠軸承36係於凸緣9a的周方向各配備有多數個(第2圖及第3圖僅圖示各2個)。

如前述，昇降裝置30具備驅動部31，上推板32係藉由軸31a而與該驅動部31連結(參照第1圖)。例如軸31a刻設著用於與上推板32卡合的螺旋溝，當驅動部31動作而將指定之旋轉賦予該軸31a時，上推板32形成上下地昇降。且，上推板32的貫通孔(不圖示)貫通裝設著導引軸33、33，使多數之昇降銷8可用良好的精確度同步昇降變位。

在如上述構成之昇降裝置30，從第2圖所示之狀態，藉由使驅動部31動作而使上推板32上昇的方式，經由滾珠軸承35傳達驅動力使昇降銷8在插通孔7內上昇。然後，如第3圖所示，可使昇降銷8以指定高度從基座4的基板載置面突出。

且，從第3圖所示之狀態，藉由使驅動部31動作而使上推板32下降的方式，經由滾珠軸承36傳達驅動力使昇降銷8在插通孔7內下降。然後，如第2圖所示，可使昇降銷8的前端退避到與基座4的基板載置面成為大致相同平面。

本實施形態之基板昇降裝置係對基端部9，在昇降銷8的變位方向(即，在凸緣9a上下兩側)配備滾珠軸承35及滾珠軸承36，因此昇降銷8動作時及非動作時，對於插通孔7隨著基座4的熱膨脹、收縮而在橫向之位置偏離，藉由利用滾珠軸承35及滾珠軸承36的旋轉使昇降銷基端部9側容易地追隨之方式，而具有可將橫向微調之特長。尤其，即使處理室2內形成真空狀態，在昇降銷8施加其變位方向亦即垂直方向的吸引力時，仍藉由上側的滾珠軸承36維持橫向的動作(空間)，因此容易進行昇降銷8的定心而無損於對插通孔7橫向位置偏離之追隨性。因而，可避免昇降銷8在插通孔7內發生單方接觸而形成鎖定狀態、或因磨耗而產生微粒子的事態，而可使基板G以較高的可靠性昇降。

接著，再度參照第1圖，説明關於電漿蝕刻裝置1中的處理動作。

首先，被處理基板之基板G在閘閥22開放後，從不圖示的負荷固定室經由基板搬出搬入口21被搬入處理室2內。此時，藉由使昇降裝置30的驅動部31動作，而使上推板32上昇的方式，使昇降銷8以指定高度從基座4的基板設置面突出，而從不圖示的搬送手段接受基板G。然後，再度藉由使驅動部31動作而使上推板32下降的方式，使昇降銷8下降而將基板G載置在基座4上。然後，關閉閘閥22，藉由排氣裝置20將處理室2內抽取成真空至指定的真空度。

然後，開放閥16，從處理氣體供應源18藉由質量流量控制器17將處理氣體調整其流量，且通過處理氣體供應管15、氣體導入口14而導入噴浴頭11的內部空間12，再通過噴出孔13對基板G均等地噴出，將處理室2內的壓力維持在指定值。

於該狀態下，從高頻電源25經由整合器24將高頻電力施加在基座4時，當作下部電極的基座4和當作上部電極的噴浴頭11之間產生高頻電場，處理氣體解離而電漿化，藉此在基板G施行電漿處理。

如此地施行蝕刻處理後，停止從高頻電源25施加高頻電力，且停止氣體導入後，將處理室2內減壓至指定壓力。然後，開放閘閥22，與前述同樣地，使昇降裝置30的驅動部31動作而使昇降銷8上昇，將基板G交遞到不圖示的搬送手段。基板G經由基板搬出搬入口21而從處理室2內被搬出到不圖示的負荷固定室，結束對一塊基板G2的蝕刻處理。

接著，一面參照第4圖至第6圖，一面進行説明關於本發明第2實施形態相關之基板處理裝置。第4圖係表示基板處理裝置一例之電漿蝕刻裝置100的主要部分構成之剖視圖。電漿蝕刻裝置100之構成除了基板昇降裝置以外，與第1圖之電漿蝕刻裝置1相同，因此此處僅説明相異點，對於相同的構成則省略説明及圖示。

電漿蝕刻裝置100的處理室2的底壁2a、絕緣板(省略圖示)及基座4，在多數處設有貫通該等之插通孔7。各插通孔7***著可對基座4的基板載置面突入的多數之昇降銷80，用於使基板G昇降。此外，第4圖僅圖示2支昇降銷。

昇降銷80係藉由在其下端與具備驅動部51的昇降裝置50連結的方式，上下地變位而使基板G昇降。即，昇降銷80和昇降裝置50連動而當作基板昇降裝置發揮功能。

昇降裝置50之主要構成係具備驅動部51、連結在該驅動部51的驅動力傳達部(主要包含傳達桿52、導線54及上推桿57)、形成在一對導引軸64端部的擋止件58、及連結在昇降銷80而當作支撐該昇降銷80的支撐部之昇降塊59。

驅動部51具備不圖示的氣筒等驅動機構，該驅動機構係連結在支數配合昇降銷80之數的傳達桿52。即，藉由各傳達桿52一端側連結在各驅動部51的方式，各傳達桿52在第4圖中箭號所示的方向同步進退。此外，第4圖僅圖示2支傳達桿52。

傳達桿52另一端側係經由連結具53而連結在可撓性導線54，經由該導線54而連結在上推桿57，該上推桿57係當作將來自驅動部51的驅動力傳達到昇降銷基端部81的傳達構件。導線54係藉由合成樹脂等所構成的可撓性管55，以非固著狀態被覆蓋，且追從傳達桿52的動作而在管55內往復移動。導線54另一端側係經由連結具56而連結著上推桿57，該上推桿57可配合導線54的動作而上下地變位。

第5圖係擴大顯示昇降銷80退避在基座4的插通孔7內的非動作狀態者，第6圖係擴大顯示昇降銷80從基座4的基板載置面突出的動作狀態者。

昇降銷80的上部係***在插通孔7內不圖示的定位用襯墊。昇降銷80的下部係從處理室2的底壁2a突出在大氣側，具有昇降銷基端部81。此外，處理室2的底壁2a到昇降銷基端部81之間係藉由可上下地自由伸縮的伸縮具84而被覆蓋，因此將插通孔7內保持在真空狀態。

昇降銷基端部81係形成為上部閉塞的圓筒狀，其下端在對昇降方向正交的方向(即，昇降銷基端部81的周方向)具有擴大的凸緣81a。且，該昇降銷基端部81的內部係中空而形成凹部81b，該凹部81b內形成有與後述之滾珠軸承63的抵接面81c。且，昇降銷基端部81設有當作推壓手段的多數之彈簧82(僅圖示2個)，經由該彈簧82將施力板83對凸緣81a平行地配設。

昇降塊59係藉由其貫通孔(不圖示)貫穿裝設有導引軸64、64的方式，而被導引軸64、64引導且支撐成可上下地自由昇降。藉由該等導引軸64、64使連結在昇降塊59的昇降銷80可用良好的精確度昇降變位。導引軸64、64的端部設有擋止件58，規範昇降塊59的最低下降位置。且，昇降塊59的中央部形成有開口59b，擋止件58的中央部形成有開口58a，該等開口59b及開口58a內***著上推桿57。

昇降塊59立設著圍繞筒體60。該圍繞筒體60係中空狀且頂部60a具有開口，其開口***著昇降銷基端部81的下部。然後，在昇降塊59的上面59a配備著滾珠軸承61，在與昇降塊59的上面59a平行且相對裝設的圍繞筒體60的頂部內面60b，配備著滾珠軸承62。即，藉由與凸緣81a平行裝設的施力板83下面抵接滾珠軸承61，凸緣81a的上面抵接滾珠軸承62的方式，昇降銷基端部81的凸緣81a和施力板83係以具有彈力而從上下被夾住於滾珠軸承61和滾珠軸承62的方式支撐著昇降銷80。此外，滾珠軸承61及滾珠軸承62係於凸緣81a的周方向各配備有多數個(第5圖及第6圖僅圖示各2個)。

上推桿57係於其－端側藉由連結具56而連結在導線54(參照第4圖)，且***在擋止件58的開口58a及昇降塊59的開口59b內。上推桿57另一端側形成有前端塊57a，進而在其前端配設有多數之滾珠軸承63。

如以上構成之昇降裝置50，係從第5圖所示之狀態，藉由使驅動部51動作而使傳達桿52前進的方式，使導線54在管55內全體滑動，而使上推桿57上昇。然後，如第6圖所示，上推桿57的前端塊57a係形成嵌入在形成於昇降銷基端部81的凹部81b內的狀態，配備在前端塊57a的滾珠軸承63抵接在凹部81b內的抵接面81c。如此地，將傳達桿52的動作傳達到昇降銷80，使昇降銷80在插通孔7內上昇。藉此，可使昇降銷80以指定高度從基座4的基板載置面突出。

且，從第6圖所示之狀態，藉由使驅動部51動作而拉入傳達桿52的方式，使該動作經由導線54而傳達到上推桿57，上推桿57下降。藉此，解除配備在上推桿57的前端塊57a的滾珠軸承63和昇降銷基端部81的凹部81b內的抵接面81c之抵接，昇降銷80和昇降塊59藉由其本身之重量將昇降塊59的下端下降到抵接在擋止件58的位置，如第5圖所示，昇降銷80的前端可退避到與基座4的基板載置面成為大致相同平面。

本實施形態之基板昇降裝置係對於昇降銷基端部81在其變位方向配備滾珠軸承61及62。即，在凸緣81a上側配備滾珠軸承62、在施力板83下側配備滾珠軸承61，因此在昇降銷80動作時及非動作時，對插通孔7隨著基座4的熱膨脹、收縮而在橫向之位置偏離，藉由利用滾珠軸承61及62的旋轉使昇降銷基端部81側容易地追隨之方式，而具有可將橫向微調之特長。尤其，即使處理室2內形成真空狀態，在昇降銷80施加其變位方向亦即垂直方向的吸引力時，仍藉由上側的滾珠軸承62維持橫向的動作(空間)，因此容易進行昇降銷80的定心而無損於對插通孔7橫向位置偏離之追隨性。

且，即使在昇降銷80動作時，***在昇降銷基端部81的凹部81b內的上推桿57的前端塊57a，仍經由滾珠軸承63將抵接面81c上推，因此確保昇降銷基端部81的橫向動作(空間)，而保持對插通孔7橫向位置偏離之追隨性。

再者，昇降銷基端部81之凸緣81a和施力板83係藉由介置在該等之間的彈簧82，經常在昇降銷80的變位方向被施力而推開，因此經常謀得滾珠軸承61及62之接觸，使昇降銷基端部81在圍繞筒體60內不會在上下方向搖動，而安定地微調在橫向。

因而，可避免昇降銷80在插通孔7內發生單方接觸而形成鎖定狀態、或因磨耗而產生微粒子之事態，而可將基板G以較高的可靠性昇降。

以上已舉出代表性的實施形態説明本發明，但本發明並不受限於上述實施形態，而可做各種變形。

例如，第1圖中，已例示並説明對下部電極施加高頻電力之RIE型之電容結合型平行平板電漿蝕刻裝置，但不限於此，亦可以是對上部電極供應高頻電力型，且不限於電容結合型，亦可以是感應結合型。再者，不限於蝕刻裝置，亦適用於灰化、CVD成膜等其他電漿處理裝置。

且，被處理基板不限於FPD用玻璃基板G，亦可以是半導體晶圓。

且，第1實施形態相關之第1圖的電漿蝕刻裝置1中，昇降裝置30之構造係上推板32的上面32a的滾珠軸承35、和上推板32相對的圍繞筒體34的頂部內面34b的滾珠軸承36之間，夾持著昇降銷基端部9的凸緣9a而支撐昇降銷8，但亦可與第2實施形態的電漿蝕刻裝置100的昇降裝置50中的昇降銷基端部81同樣地，配備推壓板而在昇降銷8的變位方向推壓滾珠軸承35及滾珠軸承36。

且，第1實施形態及第2實施形態中，在與昇降銷基端部的凸緣平行地相對之壁面側配備有滾珠軸承，但並非限定於此者。例如，亦可在第1圖之昇降裝置30，將滾珠軸承配備在昇降銷基端部9側(即，凸緣9a的上下兩面)，以取代在上推板32的上面32a和圍繞筒體34的頂部內面34b配設滾珠軸承35及36。或者，亦可將上側的滾珠軸承配備在凸緣9a，將下側的滾珠軸承配備在上推板32，亦可與其相反地，將上側的滾珠軸承配備在圍繞筒體34，將下側的滾珠軸承配備在凸緣9a。再者，亦可將滾珠軸承介置配備在凸緣9a和圍繞筒體34之間及上推板32和凸緣9a之間。

且，上述實施形態中，在昇降銷基端部裝設凸緣或施力板而與滾珠軸承卡合，但不限於凸緣或施力板，只要是可以和滾珠軸承卡合而可橫向調整位置的構造即可採用而無限制。

1．．．電漿蝕刻裝置

2．．．處理室

3．．．絕緣板

4．．．基座

5．．．介電性材料膜

6．．．絕緣膜

7．．．插通孔

8．．．昇降銷

9．．．昇降銷基端部

9a．．．凸緣

10．．．伸縮具

11．．．噴浴頭

20．．．排氣裝置

25．．．高頻電源

30．．．昇降裝置

31．．．驅動部

32．．．上推板

33．．．導軸

34．．．圍繞筒體

35、36．．．滾珠軸承

第1圖係表示具備本發明第1實施形態相關之基板昇降裝置之電漿蝕刻裝置之概略剖視圖。

第2圖係用於說明第1實施形態的基板昇降裝置中的昇降銷下降狀態之電漿蝕刻裝置主要部分剖視圖。

第3圖係用於說明第1實施形態的基板昇降裝置中的昇降銷上昇狀態之電漿蝕刻裝置主要部分剖視圖。

第4圖係顯示具備本發明第2實施形態相關之基板昇降裝置之電漿蝕刻裝置之主要部分剖視圖。

第5圖係用於說明第2實施形態的基板昇降裝置中的昇降銷下降狀態之電漿蝕刻裝置主要部分剖視圖。

第6圖係用於說明第2實施形態的基板昇降裝置中的昇降銷上昇狀態之電漿蝕刻裝置主要部分剖視圖。

2a．．．底壁

3．．．絕緣板

4a．．．基材

5．．．介電性材料膜

7．．．插通孔

8．．．昇降銷

9．．．昇降銷基端部

9a．．．凸緣

10．．．伸縮具

30．．．昇降裝置

32．．．上推板

32a．．．上面

33．．．導軸

34．．．圍繞筒體

34a．．．頂部

34b．．．頂部內面

35、36．．．滾珠軸承

Claims (7)

1. 一種基板昇降裝置，係具備在基板處理裝置之基板載置台，用於使基板昇降者，其特徵為具有：昇降銷，係裝設成可對前述基板載置台的基板載置面突入，抵接在基板使其昇降；支撐部，用於支撐前述昇降銷；及驅動部，用於使前述昇降銷昇降變位；前述昇降銷係於其基端部，經由多數之球體而支撐在前述支撐部，前述基端部具備在對前述昇降銷的昇降方向呈正交的方向擴大之凸緣部，且具有經由施力手段而與前述凸緣部平行地連結之施力板，前述凸緣部及前述施力板係經由形成在前述支撐部的彼此相對之壁面間介在的前述球體，在藉由前述施力手段之施力來推壓該球體之狀態下，被前述球體夾持。
2. 如申請專利範圍第1項之基板昇降裝置，其中，更具備傳達構件，係與前述驅動部連結，經由球體將來自前述驅動部的驅動力傳達到前述基端部。
3. 如申請專利範圍第1或2項之基板昇降裝置，其中，前述昇降銷在來自基板處理裝置之基板搬入時及搬出時，在減壓環境下昇降變位。
4. 一種基板處理裝置，係於處理室內處理基板者，其 特徵為具備：用於載置基板的載置台；及如申請專利範圍第1或2項所述之基板昇降裝置。
5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，前述處理室係於真空狀態處理基板之真空處理室。
6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，該基板處理裝置係用於製造平面顯示器者。
7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，該基板處理裝置係對於基板進行電漿蝕刻處理的電漿蝕刻裝置。