TWI385729B - 用以製造高效能金屬氧化物和金屬氮氧化物薄膜電晶體之閘極介電層處理 - Google Patents

用以製造高效能金屬氧化物和金屬氮氧化物薄膜電晶體之閘極介電層處理 Download PDF

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Description

用以製造高效能金屬氧化物和金屬氮氧化物薄膜電晶體之閘極介電層處理
本發明之實施例大體上是關於製造薄膜電晶體(TFT)的方法。
因TFT陣列可用在常用於電腦和電視平面面板的液晶主動矩陣顯示器(LCD)，故現時對這些裝置特別感興趣。LCD還設有發光二極體(LED)做為背光。另外，有機發光二極體(OLED)已用於主動矩陣顯示器，且這些OLED需要TFT來處理顯示器的動作。
以非晶矽製作之TFT已成為平面面板顯示器產業的關鍵組件。可惜非晶矽有其限制，例如低遷移率。OLED所需的遷移率至少是非晶矽所能達到的十倍以上。此外，OLED顯示器為電流驅動元件，故易受Vth 漂移影響。高電流或高偏壓電壓下引起非晶矽TFT的Vth 漂移乃急待解決的問題。另一方面，多晶矽的遷移率比非晶矽高。多晶矽為結晶體，其會造成局部沉積不均勻。製造多晶矽膜需進行複雜的退火製程，因此使用多晶矽來製造大面積顯示器比起非晶矽更困難、也更昂貴。由於非晶矽的限制，導致OLED發展漸緩。
近年來已開發透明TFT，其中氧化鋅當作主動通道層。氧化鋅為化合物半導體，其可在相當低的沉積溫度下長成結晶材料至如玻璃和塑膠等各種基板上。
故此技藝需要具非晶主動通道且遷移率高之TFT。
本發明大體上包括薄膜電晶體(TFT)和其製造方法。TFT的閘極介電層會影響TFT的臨界電壓。藉由在沉積主動通道材料前處理閘極介電層，可改進臨界電壓。處理閘極介電層的一方法涉及暴露閘極介電層至一氧化二氮(N2 O)氣體。處理閘極介電層的另一方法涉及暴露閘極介電層至N2 O電漿。氧化矽雖未實際應用到矽基TFT的閘極介電層，但其用於金屬氧化物TFT時，也可改進臨界電壓。藉由處理閘極介電層及/或使用氧化矽，可改進TFT的次臨界斜率和臨界電壓。
在一實施例中，揭露一種TFT製造方法。方法包括沉積閘極介電層至閘極電極和基板上、暴露閘極介電層至N2 O電漿或其他電漿而進行處理、沉積半導體層至閘極介電層上、沉積導電層至半導體層上、以及蝕刻導電層和半導體層而界定源極與汲極和主動通道。半導體層包括氧、及一或多個選自由鋅、鎵、銦、鎘、錫和其組合物構成群組之元素，或者半導體層包括氮、氧、及一或多個選自由鋅、銦、錫、鎵、鎘和其組合物構成群組之元素。主動通道為半導體層的一部分。
在另一實施例中，揭露一種TFT製造方法。方法包括沉積氮化矽層至閘極電極和基板上、沉積氧化矽層至氮化矽層上、沉積半導體層至氧化矽層上、沉積導電層至半導體層上、以及蝕刻導電層而界定源極與汲極和主動通道。半導體層包括氧、及一或多個選自由鋅、鎵、銦、鎘、錫和其組合物構成群組之元素，或者半導體層包括氮、氧、及一或多個選自由鋅、銦、錫、鎵、鎘和其組合物構成群組之元素。主動通道為半導體層的一部分。
在又一實施例中，揭露一種TFT製造方法。方法包括沉積氧化矽層至閘極電極和基板上、沉積半導體層至氧化矽層上、沉積導電層至半導體層上、以及蝕刻導電層而界定源極與汲極和主動通道。半導體層包括氧、及一或多個選自由鋅、鎵、銦、鎘、錫和其組合物構成群組之元素，或者半導體層包括氮、氧、及一或多個選自由鋅、銦、錫、鎵、鎘和其組合物構成群組之元素。主動通道暴露出部分半導體層。
在再一實施例中，揭露一種TFT。TFT包括氧化矽層，位於閘極電極和基板上、半導體層，位於氧化矽層上、以及源極與汲極，位於半導體層上。半導體層包括氧、及一或多個選自由鋅、鎵、銦、鎘、錫和其組合物構成群組之元素，或者半導體層包括氮、氧、及一或多個選自由鋅、銦、錫、鎵、鎘和其組合物構成群組之元素。源極和汲極彼此相隔而暴露出部分半導體層。
本發明大體上包括薄膜電晶體(TFT)和其製造方法。TFT的閘極介電層會影響TFT的臨界電壓。藉由在沉積主動通道材料前處理閘極介電層，可改進臨界電壓。處理閘極介電層的一方法涉及在高於200℃之溫度下，暴露閘極介電層至一氧化二氮(N2 O)氣體。處理閘極介電層的另一方法涉及暴露閘極介電層至N2 O電漿。氧化矽雖未實際應用到矽基TFT的閘極介電層，但其用於金屬氧化物TFT時，也可改進臨界電壓。藉由處理閘極介電層及/或使用氧化矽，可改進TFT的臨界電壓。氧化鋅基半導體可透過摻雜製作成非晶材料。如此可避免晶粒結構引起的不均勻問題。如氧化鋅基半導體之非晶半導體更易施行於目前採用底閘極TFT結構的顯示器製造製程。
第1A-1F圖為根據本發明一實施例之TFT 100於不同製造階段的截面圖。TFT包含基板102。在一實施例中，基板102包含玻璃。在另一實施例中，基板102包含聚合物。在又一實施例中，基板102包含塑膠。在再一實施例中，基板102包含金屬。
閘極電極104形成在基板上。閘極電極104包含導電層，用以控制TFT內的電荷載子移動。閘極電極104可包含金屬，例如鋁、鎢、鉻、鉭或其組合物。閘極電極104可以傳統沉積技術形成，包括濺射、微影和蝕刻。藉由毯覆沉積導電層至基板102上可形成閘極電極104。導電層可以濺射沉積而得。隨後，光阻層沉積在導電層上。光阻層經圖案化形成罩幕。藉由蝕去導電層未 遮蔽的區域並留下基板102上的閘極電極104可形成閘極電極104。
閘極介電層106沉積於閘極電極104上。閘極介電層106會影響TFT的次臨界區擺幅或斜率和臨界電壓。就矽基TFT(即具如非晶矽之矽基半導體層的TFT)而言，閘極介電層106不含氧化矽，因其將使得TFT具有相當正的Vth 和低遷移率。但就金屬氧化物TFT而言，已發現氧化矽可當作有效閘極介電層106。氧化矽中的氧不會大幅改變金屬氧化物層或界面，故TFT不會失效。在一實施例中，閘極介電層106包含氮化矽。在另一實施例中，閘極介電層106包含氧化矽。在又一實施例中，閘極介電層106包含二氧化矽。在再一實施例中，閘極介電層106包含氮氧化矽。在另一實施例中，閘極介電層106包含氧化鋁(Al2 O3 )。閘極介電層106可以熟知的沉積技術沉積，包括電漿增強化學氣相沉積(PECVD)。在一實施例中，閘極介電層106是以物理氣相沉積(PVD)沉積而得。
沉積閘極介電層106後，處理閘極介電層106。各種處理閘極介電層106的技術將詳述於下。技術之一涉及暴露閘極介電層106至電漿108，以鈍化閘極介電層106的表面。
處理閘極介電層106後，沉積半導體層110於其上。半導體層110將變成包含最終TFT結構之主動通道的材料。半導體層110包含氧、及一或多個選自由鋅、鎵、銦、鎘、錫和其組合物構成群組之元素，或包含氮、氧、及一或多個選自由鋅、銦、錫、鎵、鎘和其組合物構成群組之元素。在一實施例中，半導體層110包含氧、氮、及一或多個具佔滿s軌域與佔滿d軌域之元素。在另一實施例中，半導體層110包含氧、氮、及一或多個具佔滿f軌域之元素。在又一實施例中，半導體層110包含氧、氮、及一或多個二價元素。在再一實施例中，半導體層110包含氧、氮、及一或多個三價元素。在另一實施例中，半導體層110包含氧、氮、及一或多個四價元素。
半導體層110還可包含摻質。適用的摻質包括鋁(Al)、錫(Sn)、鎵(Ga)、鈣(Ca)、矽(Si)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鍺(Ge)、銦(In)、鎳(Ni)、錳(Mn)、鉻(Cr)、釩(V)、鎂(Mg)、氮化矽(Six Ny )、氧化鋁(Alx Oy )和碳化矽(SiC)。在一實施例中，摻質包含鋁。在另一實施例中，摻質包含錫。
半導體層110的例子包括ZnOx Ny 、SnOx Ny 、InOx Ny 、CdOx Ny 、GaOx Ny 、ZnSnOx Ny 、ZnInOx Ny 、ZnCdOx Ny 、ZnGaOx Ny 、SnInOx Ny 、SnCdOx Ny 、SnGaOx Ny 、InCdOx Ny 、InGaOx Ny 、CdGaOx Ny 、ZnSnInOx Ny 、ZnSnCdOx Ny 、ZnSnGaOx Ny 、ZnInCdOx Ny 、ZnInGaOx Ny 、ZnCdGaOx Ny 、SnInCdOx Ny 、SnInGaOx Ny 、SnCdGaOx Ny 、InCdGaOx Ny 、ZnSnInCdOx Ny 、ZnSnInGaOx Ny 、ZnInCdGaOx Ny 和SnInCdGaOx Ny 。半導體層110的例子包括以下摻雜材料：ZnOx Ny :Al、ZnOx Ny :Sn、SnOx Ny :Al、InOx Ny :Al、InOx Ny :Sn、CdOx Ny :Al、CdOx Ny :Sn、GaOx Ny :Al、GaOx Ny :Sn、ZnSnOx Ny :Al、ZnInOx Ny :Al、ZnInOx Ny :Sn、ZnCdOx Ny :Al、ZnCdOx Ny :Sn、ZnGaOx Ny :Al、ZnGaOx Ny :Sn、SnInOx Ny :Al、SnCdOx Ny :Al、SnGaOx Ny :Al、InCdOx Ny :Al、InCdOx Ny :Sn、InGaOx Ny :Al、InGaOx Ny :Sn、CdGaOx Ny :Al、CdGaOx Ny :Sn、ZnSnInOx Ny :Al、ZnSnCdOx Ny :Al、ZnSnGaOx Ny :Al、ZnInCdOx Ny :Al、ZnInCdOx Ny :Sn、ZnInGaOx Ny :Al、ZnInGaOx Ny :Sn、ZnCdGaOx Ny :Al、ZnCdGaOx Ny :Sn、SnInCdOx Ny :Al、SnInGaOx Ny :Al、SnCdGaOx Ny :Al、InCdGaOx Ny :Al、InCdGaOx Ny :Sn、ZnSnInCdOx Ny :Al、ZnSnInGaOx Ny :Al、ZnInCdGaOx Ny :Al、ZnInCdGaOx Ny :Sn和SnInCdGaOx Ny :Al。
半導體層110可以濺射沉積而得。在一實施例中，濺射靶材包含金屬，例如鋅、鎵、錫、鎘、銦或其組合物。濺射靶材另可包含摻質。含氧氣體和含氮氣體引進腔室，藉以反應濺射沉積半導體層110。在一實施例中，含氮氣體包含氮氣(N2 )。在另一實施例中，含氮氣體包含一氧化二氮(N2 O)、氨氣(NH3 )或其組合物。在一實施例中，含氧氣體包含氧氣(O2 )。在另一實施例中，含氧氣體包含N2 O。含氮氣體的氮和含氧氣體的氧與濺射靶材的金屬反應形成包含金屬、氧、氮、和選擇性包含摻質的半導體材料於基板上。在一實施例中，含氮氣體和含氧氣體為不同氣體。在另一實施例中，含氮氣體和含氧氣體包含相同氣體。濺射期間，諸如二硼烷(B2 H6 )、二氧化碳(CO2 )、一氧化碳(CO)、甲烷(CH4 )和其組合物之添加劑也可額外提供給腔室。
沉積半導體層110後，沉積導電層112。在一實施例中，導電層112包含金屬，例如鋁、鎢、鉬、鉻、鉭和其組合物。導電層112可以濺射沉積而得。
沉積導電層112後，蝕去部分導電層112，以界定源極114、汲極116和主動通道118。部分半導體層110亦被蝕刻移除。儘管圖未繪示，沉積導電層前，尚可沉積蝕刻終止層至半導體層110上。蝕刻終止層用來保護主動通道118，以免其於蝕刻時不當暴露至電漿。
第2圖為根據本發明另一實施例之TFT 200的示意性截面圖。TFT 200包括位於基板202上的閘極電極204。其尚有源極214、汲極216、主動通道216和半導體層210。其還包括多層閘極介電層。閘極介電層具有第一閘極介電層206和第二閘極介電層208。在一實施例中，第一閘極介電層206包含氮化矽。在一實施例中，第二閘極介電層208包含氧化矽。如上所述，氧化矽雖未應用到矽基TFT，但仍有益於金屬氧化物TFT。
實施例
表I列出數種TFT的比較結果，除了處理閘極介電層的方法不同外，其實質相同。各實施例的閘極介電層採用氮化矽。
實施例1
備有氮化矽閘極介電層的TFT不加以處理。沉積閘極介電層後，半導體層沉積其上，且不暴露閘極介電層至大氣。TFT的遷移率為9.78平方公分/伏特-秒(cm2 /V-s)、次臨界斜率為2V/dec。
實施例2
TFT備有氮化矽閘極介電層和氧化矽層沉積其上。閘極介電層不進一步處理。沉積氧化矽層後，半導體層沉積其上，且不暴露閘極介電層或氧化矽層至大氣。TFT的遷移率為7.65cm2 /V-s、次臨界斜率為1.48V/dec。
實施例3
TFT備有氮化矽閘極介電層並N2 O電漿。半導體層沉積其上，且不暴露閘極介電層至大氣。TFT的遷移率為7.84cm2 /V-s、次臨界斜率為1.42V/dec。
實施例4
TFT備有氮化矽閘極介電層並暴露至PH3 電漿。半導體層沉積其上，且不暴露閘極介電層至大氣。TFT的遷 移率小於1cm2 /V-s、次臨界斜率大於4V/dec。
實施例5
TFT備有氮化矽閘極介電層並暴露至NH3 電漿。半導體層沉積其上，且不暴露閘極介電層至大氣。TFT的遷移率為6.28cm2 /V-s、次臨界斜率為2.34V/dec。
實施例6
TFT備有氮化矽閘極介電層並暴露至H2 電漿。半導體層沉積其上，且不暴露閘極介電層至大氣。TFT的遷移率為2.5cm2 /V-s、次臨界斜率為2.8V/dec。
實施例7
TFT備有氮化矽閘極介電層並暴露至氬電漿。半導體層沉積其上，且不暴露閘極介電層至大氣。TFT的遷移率為2.9cm2 /V-s、次臨界斜率為2.8V/dec。
實施例8
TFT備有氮化矽閘極介電層並暴露至大氣。半導體層接著沉積在氮化矽層上。TFT的遷移率為6.2cm2 /V-s、次臨界斜率為1.84V/dec。
實施例9
TFT備有氮化矽閘極介電層並暴露至N2 電漿。半導體層沉積其上，且不暴露閘極介電層至大氣。TFT的遷移率為2.9cm2 /V-s、次臨界斜率為2.8V/dec。
如上述實施例所示，處理閘極介電層會影響次臨界斜率和遷移率。氮化矽層附加氧化矽層將製造具有良好遷移率和極佳次臨界斜率的TFT。此外，以N2 O電漿處理 將製造具有良好遷移率和極佳次臨界斜率的TFT。雖然氧化矽TFT和以N2 O電漿處理的遷移率均小於未經處理的TFT，但次臨界斜率明顯更好。反之，以氬電漿、H2 電漿、NH3 電漿或N2 電漿處理將導致次臨界斜率變得更糟。故處理閘極介電層的方式會影響TFT的效能。咸信N2 O電漿中的氧會減少氮化矽或打斷矽氮鍵及鈍化表面。
第3圖顯示根據本發明一實施例，在沉積主動層材料前，電漿處理閘極介電層的作用曲線圖。第3圖顯示四種不同結果，包括未處理、暴露至N2 O電漿、施予N2 O電漿後暴露至H2 電漿、和施予N2 O電漿後暴露至NH3 電漿。雖然僅以H2 電漿或NH3 電漿處理閘極介電層不會提供如上述實施例般的好結果，但施予N2 O電漿後暴露至H2 電漿或NH3 電漿能產生媲美只以N2 O電漿處理的次臨界斜率。
此亦研究額外處理閘極介電層。例如，閘極介電層暴露至不含電漿之N2 O氣體後、接著暴露至N2 O電漿。
第4A圖顯示根據本發明一實施例，閘極介電層之沉積溫度的作用曲線圖。如第4A圖所示，相較於在350℃下沉積的氮化矽閘極介電層或在400℃下沉積且經退火處理的氧化矽閘極介電層，在200℃下沉積的氮化矽閘極介電層有更正的Vth。然氧化矽TFT的次臨界斜率較小。
第4B圖顯示根據本發明一實施例，以NH3 電漿處理閘極介電層的作用曲線圖。如第4B圖所示，相較於在 350℃下沉積且暴露於NH3 中的氮化矽閘極介電層，在200℃下沉積且暴露於NH3 中的氮化矽閘極介電層有更正的Vth和較小的次臨界斜率。
第5圖顯示根據本發明一實施例，在沉積主動層材料前，以N2 O電漿處理閘極介電層的作用曲線圖。表II列出第5圖之三種TFT的遷移率和次臨界斜率值。
在第5圖之TFT中，各TFT設有在200℃下沉積的氮化矽閘極介電層。TFT 2是在沉積半導體層前，以N2 O電漿處理閘極介電層而製得。相較於在沉積半導體層前未以N2 O電漿處理的TFT 1和TFT 3，TFT 2有較高的遷移率和較小的次臨界斜率。未經電漿處理的TFT差異在於TFT 3已老化4個月。
第6A及6B圖顯示根據本發明一實施例，在沉積主動 層材料前，暴露於N2 O中及N2 O電漿處理閘極介電層的作用曲線圖。表III列出第6A及6B圖之四種基板的次臨界斜率和飽和遷移率。
N2 O處理包含暴露沉積之閘極介電層至N2 O氣體。N2 O清潔包含暴露沉積之閘極介電層至N2 O電漿。N2 O清潔 的作用比N2 O處理強。但N2 O處理會降低Ioff 。N2 O清潔和N2 O處理均會降低次臨界斜率。同時進行N2 O清潔和N2 O處理時，次臨界斜率降低更甚。同時進行N2 O清潔和N2 O處理時，飽和遷移率亦大幅下降。如表III所示，進行N2 O清潔獲得之10Vds下的Vg遠大於未處理或N2 O處理獲得之Vg。
第7A及7B圖顯示根據本發明一實施例，在沉積主動層材料前，暴露至N2 O之溫度和N2 O電漿處理閘極介電層之溫度的作用曲線圖。第7A圖顯示在200℃下暴露至N2 O氣體及/或N2 O電漿處理的結果。第7B圖顯示在300℃下暴露至N2 O氣體及/或N2 O電漿處理的結果。在閘極介電層暴露至N2 O氣體的情況下，先進行N2 O電漿處理。暴露至N2 O氣體對次臨界斜率的影響很小。
雖然上述已以N2 O為例當作電漿處理及氣體暴露的暴露氣體，但含氧氣體也有同樣的效果。例如，當理解O2 、CO2 和其組合物可做為暴露氣體或電漿氣體。基板溫度可維持呈室溫至約400℃。在一實施例中，室溫為約25℃。處理步驟可採行多個步驟，且各步驟利用不同的處理氣體。例如，使用含氧氣體(如N2 O、O2 或CO2 )之初步處理可用於第一處理步驟。接著，使用不同的氣體(如H2 、PH3 和其組合物)進行第二處理步驟。在一實施例中，二步驟包含電漿暴露。在另一實施例中，第一步驟包含電漿處理，第二步驟包含不使用電漿之氣體暴露。在又一實施例中，進行超過兩個以上的步驟。
藉由將氧化矽層設於閘極介電層上、或以含氧氣體處理閘極介電層，可改進TFT的次臨界斜率及/或遷移率。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧TFT
102‧‧‧基板
104‧‧‧閘極電極
106‧‧‧閘極介電層
108‧‧‧電漿
110‧‧‧半導體層
112‧‧‧導電層
114‧‧‧源極
116‧‧‧汲極
118‧‧‧主動通道
200‧‧‧TFT
202‧‧‧基板
204‧‧‧閘極電極
206、208‧‧‧閘極介電層
210‧‧‧半導體層
212‧‧‧源極
214‧‧‧汲極
216‧‧‧主動通道
為讓本發明之上述特徵更明顯易懂，可配合參考實施例說明，其部分乃繪示如附圖式。須注意的是，雖然所附圖式揭露本發明特定實施例，但其並非用以限定本發明之精神與範圍，因為本發明可允許其他等效的實施例。
第1A-1F圖為根據本發明一實施例之TFT 100於不同製造階段的示意性截面圖。
第2圖為根據本發明另一實施例之TFT 200的示意性截面圖。
第3圖顯示根據本發明一實施例，在沉積主動層材料前，電漿處理閘極介電層的作用曲線圖。
第4A圖顯示根據本發明一實施例，閘極介電層之沉積溫度的作用曲線圖。
第4B圖顯示根據本發明一實施例，在沉積主動層材料前，以NH3 電漿處理及退火處理閘極介電層的作用曲線圖。
第5圖顯示根據本發明一實施例，在沉積主動層材料前，以N2 O電漿處理閘極介電層的作用曲線圖。
第6A及6B圖顯示根據本發明一實施例，在沉積主動層材料前，暴露於N2 O中及N2 O電漿處理閘極介電層的作用曲線圖。
第7A及7B圖顯示根據本發明一實施例，在沉積主動層材料前，暴露至N2 O之溫度和N2 O電漿處理閘極介電層之溫度的作用曲線圖。
為助於了解，各圖中共通的元件以相同的元件符號表示。應理解某一實施例所揭露的元件當可用於其他實施例，而不需特別提及。
200．．．TFT
202．．．基板
204．．．閘極電極
206、208．．．閘極介電層
210．．．半導體層
212．．．源極
214．．．汲極
216．．．主動通道

Claims (17)

  1. 一種薄膜電晶體製造方法，該方法包含：沉積一閘極介電層至一閘極電極和一基板上；暴露該閘極介電層至一含氧電漿；濺射沉積一氮氧化物半導體層至該閘極介電層上，該半導體層包含氧、氮、及一或多個選自由鋅、鎵、銦、鎘、錫和上述之組合構成之群組的元素；沉積一導電層至該半導體層上；以及蝕刻該導電層而界定一源極與一汲極和一主動通道，該主動通道暴露出該半導體層的一部分。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該閘極介電層包含氮化矽、氧化矽、或由氮化矽與氧化矽組成之一雙層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含在暴露該閘極介電層至該含氧電漿後，暴露該閘極介電層至一氫電漿。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該暴露步驟是在與沉積該閘極介電層相同位置處進行。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該含氧電漿 包含N2 O。
  6. 一種薄膜電晶體製造方法，該方法包含：沉積一氮化矽層至一閘極電極和一基板上；沉積一氧化矽層至該氮化矽層上；濺射沉積一氮氧化物半導體層至該氧化矽層上，該半導體層包含氧、氮、及一或多個選自由鋅、鎵、銦、鎘、錫和上述之組合構成之群組的元素；沉積一導電層至該半導體層上；以及蝕刻該導電層而界定一源極與一汲極和一主動通道，該主動通道暴露出該半導體層的一部分。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，更包含暴露該氧化矽層至一N2 O電漿。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，更包含在暴露該氧化矽層至該N2 O電漿後，暴露該氧化矽層至一氫電漿。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該暴露步驟是在與沉積該氧化矽層相同位置處進行。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之方法，更包含在暴露至該N2 O電漿後，暴露該氧化矽層至一氧電漿。
  11. 一種薄膜電晶體製造方法，該方法包含：沉積一氧化矽層至一閘極電極和一基板上；濺射沉積一氮氧化物半導體層至該氧化矽層上，該半導體層包含氧、氮、及一或多個選自由鋅、鎵、銦、鎘、錫和上述之組合構成之群組的元素；沉積一導電層至該半導體層上；以及蝕刻該導電層而界定一源極與一汲極和一主動通道，該主動通道暴露出該半導體層的一部分。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，更包含暴露該氧化矽層至一N2 O電漿。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，更包含在暴露該氧化矽層至該N2 O電漿後，暴露該氧化矽層至一氫電漿。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該暴露步驟是在與沉積該氧化矽層相同位置處進行。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之方法，更包含在暴露至該N2 O電漿後，暴露該氧化矽層至一氧電漿。
  16. 一種薄膜電晶體，至少包含：一氧化矽層，該氧化矽層位於一閘極電極和一基板 上；一氮氧化物半導體層，該氮氧化物半導體層位於該氧化矽層上，該半導體層包含氧、氮、及一或多個選自由鋅、鎵、銦、鎘、錫和上述之組合構成之群組的元素；以及一源極與一汲極，該源極與該汲極位於該半導體層上，該源極和該汲極彼此相隔而暴露出該半導體層的一部分。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之電晶體，更包含一氮化矽層，該氮化矽層位於該閘極電極和該基板之上且位於該氧化矽層之下。
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