1345274 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在電子元件構裝裝置用來加壓工件之加 壓吸附具。 【先前技術】 藉由晶片接合裝置等，將半導體晶片等電子零件構裝 於電路基板上時，通常使用下列方法較多，即，以吸附具 真空吸附半導體晶片而搬運至構裝位置，將半導體晶片載 置於既定之構裝位置後’一邊以加熱機構溶解塗布於半導 體晶片與電路基板間之接著劑或黏貼於半導體晶片背面之 熱壓薄膜’一邊藉由吸附具加壓半導體晶片來壓裝半導體 省知之半導體晶片，多半係形成為厚度4〇〇以⑺以下 且尺寸5〜25mm左右之方型，且在背面貼附作為接合材之 %氧樹知系或聚醯亞胺樹脂系之熱壓薄膜（晶片附著薄 膜），吸附具以具有大致與半導體晶片相同尺寸且平坦的加 壓面、且設置吸引孔於此加壓面者為其代表。 將如上述半導體晶片壓裝於在表 路基板1 面具有微小凹凸之電
電路基 亦不能擠出已滲入晶片附著薄膜與電 而產生氣泡導致接合不良。 之接合不良，如圖8(a) 為防止如上述夾雜空氣所產生 5 1345274 所示，已提案一種吸附具5 1，係將其中央部突出成形之彈 性體加壓部55安裝於加壓面57，以使半導體晶片33之加 壓可從半導體晶片33中心部漸漸擴大至周緣部來進行（例 • 如’參照專利文獻1)。使用此種吸附具5 1將半導體晶片33 ' 構農於電路基板31時，係使吸附孔35呈真空狀態而將半 導體晶片33搬運至電路基板31上後載置，藉由吸附具51 對半導體晶片33加壓時’首先以突出成形之彈性體加壓 _ 部55加壓半導體晶片33中央部。然後，如圖8(b)所示， 若進一步提高吸附具51之加壓力，吸附具51之加壓部55 的加壓面5 7則彈性變形漸漸成為平面，使吸附具5 1對半 導體晶片33之加壓範圍向外側擴大，同時使已滲入晶片 附著薄膜53與電路基板31間之空氣被擠出至周緣部。又， 亦已提案另一種方法’即’不將吸附孔3 5設置於吸附具5 j 中央部’而在加壓部55周邊設置真空孔，將半導體晶片33 彎曲成沿中央部突出之彈性體加壓部55的形狀來吸附， φ 於加壓時從中央突出部壓裝於電路基板，以防止在晶片附 著薄膜53與電路基板3 1之間滲入氣泡（例如，參照專利文 獻2)。 專利文獻1 :日本特開2005— 1503 1 1號公報 專利文獻2 :曰本特開2005— 322815號公報 【發明内容】 另一方面’近年來要求半導體元件之微細化、高速化， 要求Cu配線及層間絕緣膜之低介電率化，開始使用介電 率 3.5 左右之 FGS(Fluorinated Silica Glass)膜’或介電率 2.8 6 1345274 左右之高平坦化層間絕緣膜材料等低介電率層間絕緣膜材 料（Low— K材料）。然而，此種低介電率層間絕緣膜材料 (Low—K材料）因導入空孔以降低介電率，故機械強度（硬 度、彈性率等）低，半導體晶片33則無法耐受大壓力。若 藉由如上述專利文獻1、2之中央突出形狀之吸附具加壓 使用此種低介電率層間絕緣膜材料（Low— K材料）之半導體 晶片33，在半導體晶片33中央部即會承受較大壓力，有 時會有因為此壓力而使半導體晶片33破損之情形。若為 防止δ亥半導體晶片之破損而降低加壓壓力則又會導致周緣 部之加壓壓力下降，導致無法擠出周緣部之晶片附著薄膜 53與電路基板31間之空氣，進而產生氣泡造成接合不良。 又’因不能配合半導體晶片33之構造強度變更半導體晶 片3 3之加壓位置、加壓壓力等，故有不能有效去除氣泡 之問題。 因此，本發明之目的在於：對應半導體晶片之形狀、 構造有效防止半導體晶片與電路基板間產生氣泡。 本發明之多段加壓吸附具，係具備：複數個加壓吸附 具要件’分別加壓工件之一部分；及彈簀，配設於各吸附 具要件間；將此等加壓吸附具要件與彈簧朝加壓方向串聯 組合而構成’其特徵在於：於加壓狀態，各彈簧，係藉由 其彈壓力將較該彈簧位於工件侧之加壓吸附具要件緊壓於 工件’於初始狀態’各加壓吸附具要件，係使該加壓吸附 具要件之工件側前端位置與鄰接之加壓吸附具要件之工件 侧前端位置僅具有各彈簧之壓縮量之段差來組合。 7 1345274 又’於本發明之多段加壓吸附具，複數個加壓吸附具 要件’較佳為包含··柱狀吸附具要件，配設於中央；及複 數個環狀吸附具要件，内嵌狀疊合於該柱狀吸附具要件外 周。進一步，複數個加壓吸附具要件，較佳為亦包含：柱 狀吸附具要件，配設於一端；及複數個角型吸附具要件， 朝加壓方向與直角方向且向另一端疊合於該柱狀吸附具要 件。 本發明發揮對應半導體晶片之形狀、構造可有效防止 半導體晶片與電路基板間產生氣泡的效果。 【實施方式】 以下’參照圖1 ~3說明本發明之適當實施形態。圖1 係表示多段加壓吸附具的部分剖面圖與各加壓吸附具要件 的俯視圖’圖2係多段加壓吸附具的加壓動作說明圖，圖 3係表示當施加與時間成正比之壓下力時之各加壓吸附具 之位移與加壓壓力之關係的圖表。 如圖1所示，多段加壓吸附具11，於配置在中央之四 角柱之第1段加壓吸附具要件13，將四角環狀且具底部之 第2段加壓吸附具要件15及第3段加壓吸附具要件17朝 縱方向疊合成套疊狀’在第1段加壓吸附具要件13與第2 段加壓吸附具要件1 5之底部間將第1段彈簧23沿上下方 向之中心軸37朝縱方向夾住，同樣在第2段加壓吸附具 要件1 5之底部與第3段加壓吸附具要件丨7之底部間將第 2段彈簧25沿上下方向之中心轴37朝縱方向夹住。各加 壓吸附具要件與彈簧’依第1段加壓吸附具要件丨3、第i 8 1345274 段彈簧23、第2段加壓吸附具要件μ、筮，饥观仗 — 第2段彈簧25 ' 弟3段加壓吸附具要件！ 7之順序沿上 r万向之中心軸37 串聯組合，在第3段加壓吸附具要件17上側安裝有上下 方向驅動用之音圈馬達29。此上下方向驅 : &勖之馬達不限於 音圈馬達，亦可係線型馬達’只要係組合旋轉馬達與連桿、 凸輪等來將多段加壓吸附具U帛上下方向驅動者即可。 各段加壓吸附具要件13, 15, 17係以鋼等金屬製，能耐於 重複之加壓動作，各加壓吸附具要件之橫方向間隙係各加 壓吸附具要件彼此能朝縱方向滑動之程度之微小間隙。在 第1段加壓吸附具要件13開有吸附孔35，用以真空吸附 半導體晶片33，連接於未圖示之真空裝置。又，第3段加 壓吸附具要件17之外形尺寸係大致與半導體晶片33相同 尺寸。 當使音圈馬達29向下移動以壓下多段加壓吸附具i工 來加壓半導體晶片33時，第！段彈簧23與第2段彈簧25 被各加壓吸附具要件13，15，17壓縮，分別縮短hi及的 長度，藉由該彈壓力使各加壓吸附具要件13，15，17緊壓 於半導體晶片33。並且，多段加壓吸附具丨丨在初始狀態 時’王體之組合係於第1段加壓吸附具要件13與第2段 加壓吸附具要件15之工件側前端位置之加壓面13a，15a， 具有加壓時之第1段彈簧23之壓縮量h〗的段差，於第2 段加壓吸附具要件1 5與第3段加壓吸附具要件1 7之工件 側前端位置之加壓面15a，1 7a具有加壓時之第2段彈篑25 之壓縮量的段差。又，第1段彈簧23係較第2段彈簧 9 1345274 25硬，即彈簧常數大之彈簧。 參照圖2 ’說明以多段加壓吸附具11進行半導體晶片 33構裝之步驟’及多段加壓吸附具11之各加壓吸附具要 件與各段彈簧動作之概略。 如圖2(a)所示，多段加壓吸附具u使吸附孔35成真 空狀態而吸附半導體晶片33，藉由晶片接合裝置之驅動裝 置移動至將半導體晶片33構裝於電路基板31的構裝位 置。當半導體晶片33抵達構裝位置時，藉由晶片接合| 置之驅動裝置使多段加壓吸附具向下移動至半導體晶片33 位於電路基板31之構裝面32正上方。然後驅動音圈馬達 29 ’使半導體晶片33向電路基板31之構裝面32開始向 下移動。 如圖2(b)所示，在半導體晶片33背面之晶片附著薄膜 53接觸於電路基板31之構裝面32之狀態下，因各段之彈 簀23，25尚未被壓縮，故第1段加壓吸附具要件13之加 壓面13a與弟2段加壓吸附具要件15之加壓面15a具有段 差h〗’第2段加壓吸附具要件15之加壓面15a與第3段 加壓吸附具要件17之加壓面17a具有段差h2。當從此狀 態驅動音圈馬達2 9使第3段加壓吸附具要件17向下移動 時’即藉由其向下移動壓縮第2段彈舞25，藉由第2段彈 簧之舞壓力向下壓下使第2段加壓吸附具要件15向下移 動’藉由第2段加壓吸附具要件15之向下移動壓縮第1 段彈箐23，藉由第1段彈簧之彈壓力使第1段加壓吸附具 要件13之加壓面13a加壓半導體晶片33。圖2(b)之俯視 1^45274 圖上之斜線部分係表示半導體晶片33被加壓之區域。如 上述由於各段之加壓吸附具要件與各段之彈簧係串聯組 & ’因此能藉由使最上部之第3段加壓吸附具要件17向 下移動’來以最下層之第1段加壓吸附具要件1 3加壓半 導體晶片33。並且’若更進一步使驅動音圈馬達29向下 矛夕動’各段之彈簧23，25縮短，使第1段加壓吸附具要件 13對半導體晶片33之加壓力亦增強。 如圖2(c)所示，當藉由音圈馬達29向下移動使第1段 彈簧23之壓縮量到達h]時，原於初始狀態第1段加壓吸 附具要件13之加壓面13 a與第2段加壓吸附具要件15之 加壓面1 5 a間所具有之段差&即會消失，第2段加壓吸附 具要件15抵接於半導體晶片33。此時，第3段加壓吸附 具要件1 7 ’雖亦從最初位置向下移動第1段彈簧之壓縮量 h,加上第2段彈簧之壓縮量，但因第2段彈簧25之彈簧 剛性較第1段彈簧23大而壓縮量較少，故第3段加壓吸 附具要件17尚未抵接於半導體晶片33 ^在此狀態下如圖 2(c)俯視圖之斜線所示，僅第1段加壓吸附具要件丨3與第 2段加壓吸附具要件15所抵接之半導體晶片33之區域被 加麼。並且，藉由使第2段加壓吸附具要件抵接於半導體 曰曰片3 3 ’使第1段彈簧2 3不再縮短’故由第1段加壓吸 附具要件13之加壓面13 a所加壓之部分之加壓壓力，不會 隨音圈馬達29之向下移動而變化。另一方面，由第2段 加壓吸附具要件15之加壓面1 5 a加壓之區域，則隨音圈馬 達29之向下移動逐漸增加加壓壓力。又，第2段彈簧25 11 1345274 因音圈馬達29使第3段加壓吸附具要件1 7向下移動而漸 漸壓縮，使該加壓面17a逐漸接近半導體晶片3 3。
如圖2(d)所示，當隨音圈馬達29之向下移動使第2段 彈簧25之壓縮達到h2時，在初始狀態位於第2段加壓吸 附具要件15之加壓面15a與第3段加壓吸附具要件17之 加壓面1 7a間之段差h2即會消失，第3段加壓吸附具要件 ^抵接於半導體晶片33。藉此如圖2(d)俯視圖之斜線所 示’除第1段加壓吸附具要件13與第2段加壓吸附具要 件1 5外，第3段加壓吸附具要件17所抵接之半導體晶片 33之區域亦被加壓。並且，因藉由第3段加壓吸附具要件 17抵接於半導體晶片33，而與第1段彈簧23同樣地使第 2段彈簧25亦不再壓縮，故由第2段加壓吸附具要件i 5 之加壓面15a加壓之部分之加壓壓力，亦不隨音圈馬達29 之向下移動變化。另一方面，由第3段加壓吸附具要件17 之加壓面17a加壓之區域，則隨音圈馬達29之向下移動逐 漸增加加壓壓力。接著，當帛3段加壓吸附具要件17之 塹面17a之加壓壓力達到既定之壓力時，停止音圈馬達 向下移動然後，藉由晶片接合裝置之驅動機構使多 段加壓吸附具U離開半導體晶片33之面。 如上述，由於多段加壓吸附* u最初加壓半導體晶片 33之中央部分’然後依序擴大加壓區域至周緣冑，因此能 將渗入半導體晶片33背面之晶片附著薄膜53與電路基板 31間之空氣從中央依序擠出至周緣部，發揮有效防止因空 耽封入於晶片附著薄膜53與電路基板η間而造成氣泡產 12 1345274 生之效果。又’藉此，因不需要在局部施加大壓力便能有 效防止氣泡產生，因此可發揮不容易損傷半導體晶片3 3 之效果。 圖1、2所示之多段加壓吸附具1 1之各段吸附具要件 加壓半導體晶片33之壓力，可藉由變更所組合之彈簧剛 性，或各段吸附具要件之形狀而變更。藉此發揮能配合半 導體晶片33之機械強度來變更加壓壓力之效果。 以下，參照圖3，作為一例說明，藉由音圈馬達29使 第3段加壓吸附具要件17之壓下力F與時間t成正比增加 來加壓時的各部之動作細節。圖3(a)係表示第3段吸附具 要件1 7之壓下力F與由各段加壓吸附具要件所產生之加 壓壓力P2，P3相對時間之變化，圖3(b)係表示當施加該 壓下力F時之各段加壓吸附具要件之加壓面na，15&，17& 從各初始位置之位移yi，yz，y3。又，在以下之說明中，係 假設各段加壓吸附具要件之加壓面面積為Αι，八2, A;，各 段彈簧之彈簧常數為kl，k2。 如圖3(a)所不，第3段吸附具要件17係受音圈馬達29 以與時間成正比之壓下力F== axt(a係常數）壓下。如圖3(幻 之1點鏈線所示，壓下力F係時間t=〇時為〇。且當全段 之加壓吸附具要件13，15，17以既定之加壓壓力p" p2，p3 加壓半導體晶片33之狀態時，即為F=PiXAi+p2xA2+p3x a3其間壓下力F則與時間t成正比直線狀地增加。當音 圈馬達29在第1段加壓吸附具要件i 3抵接於半導體晶片 33上之狀態下開始上述壓下動作時，則如目⑽所示各段 13 1345274 加壓面13a，15a，17a之位置開始變化。由於第1段加壓吸 附具要件13之加壓面13a已抵接於半導體晶片33上，因 此其位移固定為0。另一方面第2段加壓吸附具要件15之 加壓面15a與第3段加壓吸附具要件17之加壓面17a因藉 由壓下力F壓縮彈簧23, 25而開始向下方位移。在第2段 加壓吸附具要件抵接於半導體晶片33之前的期間，第1 段彈簧23、第2段彈簧25皆因壓下力f產生壓縮。第2 段加壓吸附具要件15之加壓面15a的位移y2，係沿具有 與第1段彈簧23之彈簧剛性1/心成正比之斜率的直線， 與時間成正比地增加。 yfF/ki =( a /kjxt 式（1) 又’第3段加壓吸附具要件17之加壓面17a的位移y3， 係沿具有與串聯第1段彈簧23與第2段彈簧之彈簧剛性 (k〗+ ^/(l^xkO成正比之斜率的直線，與時間成正比地增 加。 y3=Fx(k!+ k2)/(k!xk2) = [(α x(k!+ k2)/(k,xk2)]xt 式（2) 如圖3(b)所示，第3段加壓吸附具要件17之加壓面17a 的位移y3，係第1段彈簀23壓縮所造成之第2段加壓吸 附具要件1 5之加壓面15 a之位移y 2，與虛線所示之第2 段彈簧25之壓縮量的合計量。接著，當壓下力ρ變大， 第1段彈簧23壓縮段差h，而使第2段加壓吸附具要件15 抵接於半導體晶片3 3時，該位移y2 ’固定為h不再變化。 此時’第2段彈簧25尚未壓縮達h2，第3段加壓吸附具 1345274 要件17，尚未抵接於半導體晶片33。 當第2段加壓吸附具要件15抵接，第1段彈簧23便 不再壓縮，因此如圖3 (a)所示第1段加壓吸附具要件13之 加壓面13a的加壓壓力固定為P^hxl^/A!。接著，隨著壓 下力F之增加’使第2段加壓吸附具要件15之加壓面i5a 之加壓壓力亦逐漸增加。另一方面，如圖3(b)所示，當第 2段加壓吸附具要件15抵接於半導體晶片33，壓下力F 所造成之第3段加壓吸附具要件1 7之加壓面1 7a的位移 ’係沿具有與第2段彈簧25之彈簧剛性l/k2成正比之斜 率的直線，與時間成正比地增加。 y3=F/k2+h1 = ( a /k2)xt+h! 式（3) 此係由於第1段彈簧23不再壓縮，第2段彈簧25僅 與其彈簧剛性l/ka成正比壓縮。接著，當第2段彈簧25 壓縮達段差h ’第3段加壓吸附具要件17抵接於半導體 晶片33時’該位移y3固定為（hi + h2)不再變化。 當第3段加壓吸附具要件丨7抵接，第2段彈簧25亦 與第1段彈簧23同樣地，不再壓縮，故如圖3(a)所示第2 段加壓吸附具要件1 5之加壓面1 5a的加壓壓力，固定為 P2 = (k2Xh2—kixhi)/A2。接著’隨著壓下力F之增加，使第 3奴加壓吸附具要件17之加壓面17a之加壓壓力亦逐漸增 加。並且，當第3段加壓吸附具要件17之加壓面17a之加 壓壓力達到既定壓力P3 = [F — + 時，音圈馬 達29之壓下力F為定值，保持既定之壓緊時間。 以上，雖說明音圈馬達29之壓下力F係與時間成正 15 1^4^2/4 f，使其成為F=axt來控制時之各部之位移、壓力之變化， 旦從上述說明可明瞭，各段加塵吸附具要件 :藉由變更其加座面積I A2, A3，各段彈簧之彈 ；； ^之組合，即可配合半導體晶片33之構造 '形 “如既可如Pl>I>2>P3使中央部較高，亦可如PfP^p 使其壓力均等°由於即使加壓壓力均等亦係從中央依序向3 :緣。P加壓半導體晶片33，故不必於局部施加大壓力亦能 效防止氣泡之產生，發揮不容易損傷半導體晶片33之 效果。但是，若使第2段彈簽25較第i段彈簧23強度過 弱（使h過小；>’或使第2段段差^過小，則會在第2段加 壓吸附具要件15抵㈣半導體晶片33以前第3段加壓吸 、、要件已先抵接;^半導體晶片33，因而產生不能以第2 段加壓吸附具要件15加愿半導體晶片Μ的狀況，故較佳 為將第2段彈簧25之彈簧常數h設定為較第！段彈簧之 彈簧常數k,大。 又，雖說明音圏馬達29之壓下力F係與時間成正比 增加，但亦可改為對時間變更其位移之控制。在此情形， 取初因當作第1段彈簧23與第2段彈簧25之串聯彈簧動 作，故加壓壓力之上升較緩慢，當第2段加壓吸附具抵接， 僅第2段彈簧25壓縮時，加壓壓力之上升則變快。此加 壓壓力之變化比率，能依所加壓之半導體晶片33之構造、 形狀來做各種選擇。 如上述本實施形態之多段加壓吸附具U，藉由變更各 段之加壓面積A。A;，各段彈簧之彈簧常數k"匕，段 16 1345274 差h之设足，能使加壓壓力對應所加壓之半導體晶片33 之構造、形狀，發揮有效防止半導體晶片33與電路基板31 間產生氣泡的效果。又，藉此能配合半導體晶片33之機 械強度變更加壓壓力，發揮不容易損傷半導體晶片33之 效果。 參照圖4至圖6 ’說明本發明之其他實施形態。圖4 係在圓柱狀第1段加壓吸附具要件丨3周圍組合圓筒狀第 2、第3段加壓吸附具要件丨5，丨7。本實施形態由於各加壓 吸附具要件之滑動面係圓筒面，除前述實施形態之效果 外，還有加工容易而能形成間隙更少之多段加壓吸附具i i 之效果。又，如圖5所示亦可在各加壓吸附具要件之角落 設置R部。此情形之效果係與上述相同。 又，如圖6所示，藉由以彈性體形成各加壓吸附具要 件13，15，17之加壓部13b，15b，17b，在中央部形成使加 壓面13a，15a，17a突出之形狀，進一步發揮藉由各加壓面 1 3 a，1 5a，1 7a將半導體晶片33與電路基板3 1間之氣泡擠 出至半導體晶片33外侧之效果。 圖7係表示其他實施形態之多段加壓吸附具11及其動 作。對與前述實施形態同樣之部分使用同樣符號，省略說 明。如圖7所示，多段加壓吸附具11，於配置在一端之長 方形柱第1段加壓吸附具要件13將第2段、第3段、第4 段之加壓吸附具要件1 5，17，19(加壓面係與第1段加壓吸 附具要件13同樣之長方形形狀且角型）之上下方向之滑動 面疊合成與加壓方向直角之方向（橫方向），在第1段加壓 17 1345274 吸附具要件13與第2段加壓吸附具要件15之角部間將第 1段彈簧23沿加壓方向朝縱方向夾住，同樣地在第2段加 壓吸附具要件1 5之角部與第3段加壓吸附具要件丨7之角 部間將第2段彈簧25沿加壓方向朝縱方向夾住，同樣地 在第3段加壓吸附具要件丨7之角部與第4段加壓吸附具 要件19之角部間將第3段彈簧2 7沿加壓方向朝縱方向夾 住。各加壓吸附具要件與彈簧，係依第1段加壓吸附具要 件13、第1段彈簧23、第2段加壓吸附具要件丨5、第2 段彈簧25、第3段加壓吸附具要件i7、第3段彈簧27、 第4段加壓吸附具要件19之順序沿加壓方向串聯組合， 在第4段加壓吸附具要件丨9之外側以各段之加壓吸附具 要件13，15，17，19能沿上下之加壓方向成為一體滑動之方 式，安裝有用以保持各加壓吸附具要件之導引件2 1。並且 在導引件21上部安裝有上下方向驅動用之音圈馬達29。 各段之加壓吸附具要件I3,丨5, 17, 19係鋼等金屬製而能耐 於重複之加壓動作，各加壓吸附具要件之橫方向間隙係各 加壓吸附具要件彼此朝縱方向能滑動之程度的微小間隙。 各段加壓吸附具要件13, 15, 17, 19之寬度係大致與半導體 晶片33之寬度同尺寸’全加壓吸附具要件之加壓面之集 合係大致與半導體晶片33之外形形狀尺寸相同。又，在 第1段加壓吸附具要件丨3與第2段加壓吸附具要件1 5之 間設有相當於第1段彈簧之壓縮量的段差hi，在第2段加 壓吸附具要件15與第3段加壓吸附具要件17之間設有相 當於第2段彈簀之墨縮量的段差，在第3段加壓吸附具 1345274 要件17與第4段加壓吸附具要件19之間設有相當於第3 段彈簧之壓縮量的段差h3。 如圖7(a)〜圖7(d)各俯視圖之斜線所示，當使音圈馬達 29向下移動，壓下多段加壓吸附具丨i來加壓半導體晶片 33，各段之彈簧23, 25, 27則被壓縮，從第i段加壓吸附 具要件13至第4段加壓吸附具要件19依序抵接於半導體 曰曰片33’使半導體晶片33從其一端向另一端加壓。藉由 如此構成，此使渗入半導體晶片3 3背面之晶片附著薄膜5 3 與電路基板31間之空氣朝一方向擠出而逐漸除去，並發 揮有效防止因空氣封入晶片附著薄膜53與電路基板3 i間 而產生氣泡的效果。又’藉由變更各段之加壓面積、各段 彈簧之彈簧常數、段差之設定’能進行對應各半導體晶片 3 3之开> 狀、構造的加壓，發揮能有效防止半導體晶片3 3 與電路基板31間之氣泡產生的效果。 在以上之本發明實施形態之說明，雖說明將晶片附著 薄膜53女裝於半導體晶片33背面（接合面）側之情形，但 在不以晶片附著薄膜53，而以配料器塗布之黏著劑黏貼半 導體晶片33時，亦能適用本發明。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明實施形態之多段加壓吸附具的部分 剖面圖與各加壓吸附具要件的俯視圖。 圖2係本發明實施形態之多段加壓吸附具加壓動作的 說明圖。 圖3係於本發明實施形態之多段加壓吸附具加壓動 19 1345274 作’表示加上與時間成正比之壓下力時之各加壓吸附具之 位移與加壓壓力之關係的圖表。 圖4係本發明其他實施形態之吸附具的俯視圖。 圖5係本發明其他實施形態之吸附具的俯視圖。 圖ό係本發明其他實施形態之吸附具前端部的剖面 圖。 圖7係於本發明其他實施形態之多段加壓吸附具加壓 動作的說明圖。 圖8係表示習知技術之吸附具動作的剖面圖。 【主要元件符號說明】 11 多 段加壓 吸 附 具 13 第 1段加 壓 吸 附 具要件 15 第 2段加 壓 吸 附 具要件 17 第 3段加 壓 吸 附 具要件 19 第 4段加 壓 吸 附 具要件 13b，15b，17b 加壓部 13a，15a，17a，19a 加壓面 21 導 引 件 23 第 1 段彈 簧 25 第 2 段彈 簧 27 第 3 段彈 簧 29 音 圈 馬達 31 電 路基板 32 構裝 面 20 1345274 33 半 導 體晶 片 35 吸 附 孔 37, 39, 41 中 心 軸 51 吸 附 具 53 晶 片 附著 薄膜 55 加 壓 部 57 加 壓 面 59 加 熱 機構 A丨， 八2，A3 加 壓 面積 F 壓 下 力 h丨， h2 段 差 k卜 k2 彈 簧 常數 Ρ», P2，P3 加 壓 壓力 t 時 間 yi， y2, y3 位 移 21