TWI334160B - - Google Patents

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::334160 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明，為關於在投影光學系統PL之像面側局部地充 滿液體之狀態下，以投影光學系統投影之圖案像來進行曝 光之曝光裝置，以及使用此曝光裝置之元件製造方法。 【先前技術】 半導體元件及液晶顯示元件，係使用將光罩上形成之 圖案轉印至感光性基板上之所謂的微影法來加以製造。此 微影製程中所使用之曝光裝置，具有支持光罩之光罩載台 與支持基板之基板載台，一邊逐次移動光罩載台及基板載 台、一邊透過投影光學系統將光罩圖案轉印至基板。近年 來’為因應元件圖案更進一步之高積體化，皆要求投影光 學系統具有更高的解像度《投影光學系統之解像度，隨著 所使用之曝光波長越短、投影光學系統之孔徑數越大而越 高。因此，隨著積體電路之微細化，投影曝光裝置所使用 之曝光波長亦年年短波長化，且投影光學系統之孔徑數亦 增大。目前，雖仍以krF準分子雷射248nm之曝光波長為 主流，但波長更短之ArF準分子雷射之193nm亦日漸實用 化。又’在進行曝光時，與解像度同樣的，焦深（DOF)亦非 常重要。解像度R及焦深δ分別以下式定義。 R= kl · λ/ΝΑ (1) δ= 士k2 · λ/ΝΑ2 (2) 此處，λ係曝光波長、na係投影光學系統之孔徑數、 1334160 二1’ k2係製程系數。根據式⑴、式⑺可知，為提高解像 而縮短曝光波長λ、加大孔徑數να時，焦深δ將變窄 〇 …衣變知過乍的話，欲將基板表面對齊 統之像面料料《，而㈣錢料= 虞因此，作為一種實質上縮短曝光波長且使焦深廣 之方法，例如於國際公開第99/ 495〇4號中提出了 一種浸 沒法。此浸沒法’係將投影光學系統之下面與晶圓表面之 間，以水、或有機溶媒等液體加以充滿，#用曝光用光在 液體中之波長為空氣中之1/η倍（11係液體之折射率，一 般為1.2〜1.6 Α右）之特性，來提昇解像度且將焦深擴大 至約η倍的方法。 然而，在上述先前技術中，仍存在有下述之問題。上 述先前技術，係在投影光學系統像面側之下面與基板（晶 圓）之間局部地充滿液體，在使基板中央附近之曝光照射 區域曝光時不會有液體流出至基板外側之情況產生。然而 ，如圖14之示意圖所示，將基板ρ之周邊區域（邊緣區域 )Ε移動到投影光學系統之投影區域1 〇〇，欲進行此基板ρ 之邊緣區域之曝光時，亦體會流出至基板ρ之外側。若將 此流出之液體放置不管的話，將會造成基板Ρ所處環境（濕 度等）之變動’而引起干涉儀之光程上（用來測量保持基板 Ρ之基板載台位置資訊）及各種光學檢測裝置之檢測用光之 光程上的折射率產生變化’而有可能無法得到期望之圖案 轉印精度。此外，亦會因流出之液體，導致用來保持基板 ί基板台周邊之機械零件等產生㈣等問題。雖然亦可考 ^ ί基板Ρ之周邊區域Ε進行曝光以避免液體流出，但 :不對周邊㈣Ε施以曝光處理來形成圖案的話，在後續 1程、例如CMP(化學機械研磨）處理中，對於cMp裝置之 :磨面，晶圓基板P之部分區域會有無法良好研磨之問題 生再者，若流出之液體侵入真空系統（吸氣系統）之管 内的話，將可能使作為真空源之真空泵破損、或故障。 【發明内容】 本發明有鑑於此，其目的係提供一種在投影光學系統 …基板之間充滿液體進行曝光處理時，能以良好精度轉印 圖案之曝光裝置、曝光方法以及使用此曝光裝置之元件製 造方法。 為解決上述課題，本發明係使用實施形態所示之對應 圖1〜圖13之構成。但各要件之括弧符號僅為該要素之例 示’並沒有限定各要素之意。 根據本發明第一實施形態之曝光裝置（EX)，係透過液 禮（50)將圖案像轉印至基板（p)上以使基板曝光，其特徵在 於’具備： 投影光學系統（PL) ’係將圖案像投影至基板；以及 回收裝置（20)，係用來回收流出至該基板外侧之液體 若根據此發明，即使液體流出至基板外測’此流出之 液體不會被放置而會被回收裝置回收。因此，可以抑制基 1334160 板所處環境之變動，且能抑制用來保持基板之基板台周邊 之機械零件產生鏽蝕等不良狀況，而能良好精度將圖案轉 印至基板，製造具有高圖案精度之元件。 根據本發明第二實施形態之曝光裝置（EX)，係透過液 體（50)將圖案像轉印至基板（P)上以使基板曝光，其特在於 ’具備： 投影光學系統（PL)，係將圖案像投影至基板： 液體供應裝置（1)’係從該基板上方供應液體；以及 回收裝置（2)，係回收該液體供應裝置〇)所供應之液 體； 該回收裝置’不從該基板上方回收液體。 若根據本發明，即使不從基板上方亦可以進行液體之 回收（吸引）。因此’可以防止在基板曝光中產生聲音及震 動°此外，由於流至基板外側之液體被回收裝置所收回， 故可防止基板所處環境之變動以及機械零件之鏽蝕等之產 生。因此’可在基板上以良好精度形成圖案，製造具有高 圖案精度之元件。 根據本發明第三實施形態之曝光裝置（Εχ),係透過液 體（50)將圖案像轉印至基板（Ρ)上以使基板曝光，其特徵在 於’具備： 投影光學系統（PL) ’係將圖案像投影至基板； 及乳系統（24，32，33)，係具有吸氣口；以及 回收裝置’係回收從該吸氣口吸引之液體。 若根據本發明，例如即使液體流出而流入吸氣系統之 1334160 吸氣口，此液體亦會被回收，而防止液體侵入作為吸氣源 之真空源。因此，即使進行浸沒曝光，亦能保證吸氣系統 之功能’確實地以高精度之圖案來使基板曝光而製造元件 0 根據本發明第四實施形態之一種曝光裝置，係透過液 體（50)將圖案像轉印至基板（p)上以使基板曝光，其特徵在 於’具備： 投影光學系統（PL)，係將圖案像投影至基板； 基板載台（PST)，係保持該基板；以及 f 回收裝置（20)，其至少一部分係設於該基板台，以進 仃液體之回收。本發明之曝光裝置，可以防止基板所處環 境之變動以及機械零件之鏽蝕等之發生。 根據本發明第五實施形態之曝光方法，係透過液體將 圖案像轉印至基板上以使基板曝光，其特徵在於，包含： 從基板上方將液體供應至該投影光學系統與該基板之 間的步驟； 將該供應之液體，從基板外側且較基板低之位置加以 · 回收的步驟；以及 在進行該液體之供應及回收期間，進行該基板之曝光 的步驟。 本發明之曝光方法’由於在進行浸沒曝光時，係從基 板上方供應液體’且在基板保持位置之下方回收液體，因 此在基板曝光中可有效防止產生聲音與震動。 本發明，進一步提供使用上述第1〜第4之任一實施 0 11 1334160 形態之曝光裝置（EX)之元件製造方法β 【實施方式】 以下，參考圖式說明本發明之曝光裝置以及元件製造 方法，但本發明並不限定於此。圖1為本發明之曝光裝置 之一實施形態的概略構成圖。 《第1實施形態》 圖1中，曝光裝置本體ΕΧ，具備：支持光罩肘之光罩 載台MST，支持基板Ρ的基板載台pST，以曝光用光EL照 | 射被光罩載台MST所支持之光罩M的照明光學系統IL，將 以曝光用光EL照明之光罩μ之圖案像投影至被基板載台 PST所支持之基板ρ上的投影光學系統孔，以及統籌控制 曝光裝置EX全體之動作的控制裝置c〇NT。 此處，本實施形態，係以使用掃描型曝光裝置（所謂之 掃拖步進器）之情形為例來進行說明，此型之曝光裝置， 係-邊使光罩Μ與基板ρ於掃描方向以彼此不同之面向（反 方向)同步移動’一邊將光罩Μ上所形成之圖案曝光至基板| Ρ。以下之說明中，係於水平面内取光罩Μ與基板ρ之同步 動方向（掃描方向）為χ轴方向、於水平面内取與X轴方 向正交之方向為γ轴方向（非掃描方向）、取與χ軸及Υ軸 方向垂直且與投影光學系統PL之光軸Αχ 一致的方向為ζ 軸方向。此外’取繞χ軸、γ軸及ζ轴方向分別為"方 °ΘΥ方向、及02方向。又，此處所指之「基板」包含 在半導體晶圓上塗布光阻者，所謂之「光罩」則包含其上 1334160 形成欲縮=、技影至基板上之元件圖案的標線片。 …月光學系統IL，係用來以曝光用光Εί照明被光罩 載。MST所支持之光罩M，具有：曝光用光源，用以使曝 光用光源所射出之光束照度均句化之光學積分器，用以將 來自光學積分器之曝光用&EL加以聚光之聚光透鏡，中繼 透鏡系統，及可變視野光闌（用來將曝光用光EL照射於光 罩Μ上之照明區域設定成狹縫狀）等。光罩M上之既定照明 區域，係使用照明光學系統IL以照度分佈均勻之曝光用光 EL來加以照明。從照明光學系統几射出之曝光用光EL， 例如係使用從水銀燈射出之紫外線帶之亮線（g線、h線、i 線）以及KrF準分子雷射光（波長248nm)等之遠紫外光（DUV 光）、ArF準分子雷射光（波長19311111)及&雷射光（波長 157nm)等之真空紫外光等。本實施形態，係使用ArF準分 子雷射光。 光罩載台MST係用來支持光罩Μ，能.在與投影光學系 統PL之光軸ΑΧ垂直的平面内，亦即能在χγ平面内進行2 維移動及0 Ζ方向之微小旋轉。光罩載台MST係以線性馬 達荨之光罩載台驅動裝置MSTD來加以驅動。光罩載台mst 上光罩Μ之2維方向位置、及旋轉角，係以雷射干涉儀即 時加以測量，測量結果被送至控制裝置C0NT。控制裝置 C0NT，根據雷射千涉儀之測量結果來驅動光罩載台驅動裝 置MSTD，據以進行光罩載台MST所支持之光罩μ之定位。 投影光學系統PL ’係以既定投影倍率β將光罩μ之圖 案投影曝光至基板Ρ，以複數個光學元件（透鏡）構成，此 Μ% 13 1334160 等光學元件係以金屬構件之鏡筒PK來加以支持。本實施形 態中’投影倍率β係例如1 / 4或1 / 5之縮小系統。又，投 影光學系統PL可以是等倍系統或放大系統任一者，或使用 反射鏡來構成亦可。此外，在本實施形態之投影光學系統 PL前端側（基板ρ側），光學元件（透鏡）6〇係從鏡筒ρκ露 出。此光學元件60係以能裝卸（更換）之方式設於鏡筒ρκ 〇 基板載台PST係用來支持基板ρ，具備：透過基板保 持具來保持基板Ρ之ζ載台51，用以支持ζ載台之ΧΥ載 台52’以及用以保持χγ載台52之基座53。基板載台psT 係以線性馬達等之基板載台驅動裝置PSTI)加以驅動。基板 載台驅動裝置PSTD係以控制裝置C0NT加以控制。藉驅動 Z載台51，來控制ζ載台51所保持之基板？在z方向之位 置（焦點位置）、以及ΘΧ， 0Y方向之位置。此外，藉驅動 XY載台52，來控制基板ρ在Χγ方向之位置（與投影光學系 統PL像面實質上平行方向之位置）。亦即，z载台5ι，係 控制基板P之焦點位置及傾斜角’以自動對焦方式及自動 調平方式將基板P之表面對齊投影光學系統PL之像面，χγ 載台52’則係進行基板卩之χ軸方向及¥軸方向的定位。 此外，當然也可將Ζ載台與ΧΥ載台設置成一體。 基板載台PST(Z載台51)上，設有與基板載台PST 一 起相對投影光學系統PL移動之移動鏡54。又在移動鏡 54之對向位置設有雷射干涉儀55。基板載台ρ”上基板； 之2維方向位置及旋轉角，係以雷射干涉儀55即時加土以測 $，測量結果輸出至控制裝置CONTe控制系統C0NT根據 雷射干涉儀55之測量結果驅動基板載台驅動裝置PSTD， 來進行基板載台PST所支持之基板p的定位。 本實施形態，為實質上縮短曝光波長以提昇解像度， 且為了實質上獲得較廣之线，而採用了浸沒法。因此， 至少在將光罩Μ之圖案像轉印至基板p上之期間，係將基 板j表面與投影光學系統PL之基板侧光學元件（透鏡）6〇 之前端面（下面）7之間，以既定液體5〇加以充滿。如前所 述，從投影光學系統PL前端側露出透鏡6〇，液體5〇僅接 觸透鏡60。據此，得以防止由金屬製成之鏡筒ρκ的腐蝕 。本實施形態中，液體5〇係使用純水。純水，不僅能使

ArF雷射光穿透，例如在使用從水銀燈射出之紫外線帶亮 線（g線、h線、1線）及KrF準分子雷射光（波長248nm)等 遠紫外線（DUV光）來作為曝光用光乩時，亦能使此曝光用 光EL穿透。 曝光裝置EX，具備液體供應裝置1與液體回收裝置2 ’其中’液體供應裝置1係用來將既定之液體5〇供應至投 影光學系統PL前端面（透鏡6〇之前端面）7與基板p間之 空間56，液體回收裝置2則係用來回收空56之液體5〇。 液體供應裝置卜係用來將液體5〇充滿於投影光學系統pL 與基板P間之至少一部分，具備收納液體5〇之容器、加壓 泵、以及溫度調整裝置（用以調整供應至空間56之液體5〇 的溫度）等。於液體供應裝置丨連接供應管3之一端，於供 應官3之另一端則連接了供應嘴4。液體供應裝置丨係透 15 過供應管3及供應嘴4,將液體50供應至空間56。 、液體回收裂置2，具備吸弓1泉、及用來儲存所回收之 液體50的容器等。於液體回收裝置2連接回收管6之一端 於口收e 6之另—端則連接了回收嘴液體回收裝置2 係透過回收管6及回收嘴5，來回收空間56之液體5〇。欲 將液體50充滿於空間56時，控制裳置即驅動液體供 應，置卜透過供應管3及供應嘴4，對空間％供應每時 間：位既疋里之液H 5〇,並驅動液體回收裝置卜透過回 欠s 6及回收嘴5從空間56回收每單位時間既定量之液體 5〇據此’在投影光學系統pL前端面7與基板p間之空間 56保持液體50 ’而形成浸沒部分。此處，控制裝置⑶町 ’係藉由對液體供應裝置！之控制而能任意設定對空間％ 之每單位時間的液體供應量，藉由對液體回收裝置2之控 制而能任意設定每單位時間從基板p上回收液體之量。i 圖2，係顯示曝光裝置Εχ之投影光學系統pL下部、 液體供應裝置1、及液體回收裝置2等之圖丨的部分放大 圖。圖2中，投影光學系統pL最下端之透鏡6〇，其前端 部60A係在掃描方向留下所需部分，形成為於γ方向（非掃 描方向）細長之矩形。於掃描曝光時，光罩Μ之部分圖案像 被投影於前端部60Α正下方之矩形投影區域，相對於投影 光學系統PL’光罩Μ係於一X方向（或+ χ方向）以速戶γ 移動，基板Ρ則與此同步，透過ΧΥ載台52於+ χ方向（或 一 X方向）以速度β· ν(β係投影倍率）移動。在對一個曝光 照射區域之曝光結束後’藉由基板Ρ之步進移動將下一個 1334160 曝光照射區域移動至掃描開始位置，之後即以步進掃描方 式依序進行對各曝光照射區域之曝光。本實施形態中，液 體50之流動方向，係設定成沿基板p之移動方向與基板 P之移動方向之同一方向。 圖3，係顯示投影光學系統PL之透鏡6〇前端部6〇a、 往X轴方向供應液體50之供應嘴4(4A〜4C)、與用以回收 液體50之回收嘴5(5A，5趵之位置關係的圖。圖3中透 鏡60之前端部60A之形狀，係於γ轴方向細長之矩形以

在X轴方向挾著投影光學系統PL之透鏡6〇之前端部6〇A

的方式’在+ X方向側配置有3個供應嘴4A〜4C，在一 X 方向側配置有2個回收嘴，5A，5B。又，供應嘴4A〜4c係 透過供應管3連接於液體供應裝置！，回收嘴5A，5B則係

透過回收管4連接於液體回收裝置2。又，在將供應嘴4A 4C與回收嘴5A，5B相對前端部6〇A中心旋轉大致180 度之位置，配置有供應嘴8A〜8C及回收嘴9A，9B。此處 ，供應嘴4A〜4C與回收嘴9A，9B係於γ軸方向交互排列 ，供應嘴8A〜8C與回收嘴5A，5B係於γ轴方向交互排列 ，供應嘴8A〜8C係透過供應管10連接於液體供應裝置i ，回收嘴9A，9B則係透過回收管1丨連接於液體回收裝置 2 ° 又，亦可如圖4所示，隔著前端部6(^在方向兩 側分別配置供應嘴13，14及回收嘴15, 16。藉由此供應 嘴及回收嘴，可在步進移動時基板ρ往非掃描方向（γ軸方 向）移動時，亦能在投影光學系統PL與基板ρ之間安定地 17 供應液體50。 此外，上述嘴部形狀並沒 G〇A^ b . 有特別限定，例如可以就前 鳊β 60A之長邊，以兩對嘴 0 .. . ? 嘴部來進行液體50之供應或回收 此外，為了能在+χ方向 m ^ ^ M rte 一 X方向之任一方向進行液 體50之供應及回收，因此 亦可。 供應嘴與回收嘴上下排列配置 接著，參照圖5及圖6，却昍田、 說月用以回收洁屮5其把 P 外側之回收裝置20的 口收-出至基板p 色开Ί。圖5為Z載台5K美;te 载台PST)之立體圖，圖 51(基板 圖㈠“冑6為主要部位之放大剖面圖。 圖5及圓6中，回收 7 z,, 裝置20具備液體回收構件21， ，、係在Z载台51上配置在徂 囹罝在保持具部57所保持之基板p周 圍。液體吸收構件？〗你B ‘ Μ p有既定寬度之環狀構件，配置在 Ζ载台51上形成為環狀 Λ ^ 價°Ρ 23中。此外，在Ζ載台51 内部，形成有連續於槽邱9 ^ ^ .. .. y. ° 3之〜路22，配置在槽部23之 液體吸收構件21之庙卹、*枝 -σ連接於流路22。液體吸收構件21 ’例如可以由多孔皙晚 竞等之多孔性材料所構成。或者， 液體吸收構件21之形竹/r稱成a者 由多孔性材料所^ 4亦可以為多孔性材料的海綿。 體。 ,^之液體吸收構件21可保持既定量之液 在Z載台51上，力、为规 在液體吸收構件21與由保持具部57 所保持之基板p之問 < 攻有環狀輔助板部59,其以既定寬 度包圍基板p之外届。 .^ 7 ^ ^ 鬥輔助板部59之表面高度，係被設定 成與Z載台51之侔姓s μ r ,^ ’、夺八部57所保持之基板P之表面高度 大致一致》藉由此輔 補助板部59’即使基板p之周邊區域（ 18 1334160 邊緣區域）E位於投影光學系統PL之透鏡6 、卜方時，亦 能在投影光學系統PL之透鏡6〇與基板p之間持續保持液 體50。此外，以既定寬度包圍此輔助板部59外周之液體 吸收構件2卜具有在作為帛2目收裝置之液體回收裝置2 無法完全回收時，吸收（回收）流出至辅助板部59外側之液 體50的功能。 保持具部57,係在z載台51上形成為與基板p大致 相同大小之圓形凹部中，設置用來支持基板p背面之複數 個突出部58所構成者。此等突出部58上，分別配置有用 來吸附基板P之吸附孔24。又，吸附孔24係分別連接於 形成在Z載台51内部之流路25。此外，在保持具部57(圓 形凹部）之最外周附近形成有複數個液體回收孔46。此等 液體回收孔46，與連接至液體吸收構件21之流路22相連 接。此外’亦可以設置與連接至液體吸收構件2丨（槽部23) 之流路22不同的流路，連接於液體回收孔46。 分別連接至液體吸收構件21及液體回收孔46之流路 22’係連接於設在z載台51外部之管路26之一端部。另 一方面’管路26之另一端，係透過設置在z載台51外部 之第1槽（tank)27及閥28，連接吸引裝置之泵29。連接 於吸附孔24之流路25，係連接於設在Z載台51外部之管 路30之一端。另一方面，管路3〇之另一端，係透過設在 Z載台51外部之第2槽31及閥32，連接於吸引裝置之泵 33 °液體回收構件21與液體回收孔46，係將流出至基板P 外側之液體及周圍之氣體（空氣）一起回收。又，流到基板

19 ⑶4160 P背面側之液體’係與周圍之氣體（空氣）一起由吸附孔24 加以回收。該等液體回收方法，留待後敘。由液體吸收構 件21、液體回收孔46及吸附孔24所回收之液體（水）會與 氣體（空氣）加以分離’並分別暫時儲存於第Μ 27與第2 槽31。藉由此液體氣體之分離，而可防止液體流入作為真 空源之真空栗29’ 33 ’防止真空栗29，33之損毀。第工、 第2槽27, 31分別設有排出流路27a，3u，使用水位感 知器等，當液體儲存既定量時，即從排出流路27a，3u加 以排出。 此外，亦可設置盘遠接$、为胁 ，、硬·接至液體吸收構件21 (槽部23)之 流路22(槽27、㈤28、真空幫浦29)不同的流路，將其連 接於液體回收孔46。又’圖5中’在z載台51之+叉側端 部，設有延伸於Y軸方向之移動鏡54χ…側部設有延 伸於X軸方向之移動鏡54Υβ雷射干涉儀將雷射光照射在 該等移動鏡54Χ，54Υ來檢測基板載台m之X轴方向與γ 轴方向之位置。 接著’說明使用上述曝光裝置Εχ將光罩Μ之圖案曝光 至基板Ρ上的順序。 將光罩Μ裝載於光罩載台MST、且將基板ρ裝載於基 板載台PST後’控制裝置⑽τ即驅動液體供應裝置丄及^ 體回收裝置2，在空間56形成液體5G之浸沒部分（參照圖 !)。然後，控制裝置C0NT，使用照明光學系統IL以曝光 用光EL來照明光罩M，將光罩M之圖案像透過投影光學系 & PL及㈣50投影至基板卜此時，在使基板p中央附 1^34160 近之曝光照射區域瞌#之&„ , 域曝九之期間，由液體供應裝置1供應之 液體50係以液體回收贫罟9 狀趙口收褒置2加以回收，因此不會流出至基 板Ρ之外側。 另一方面，如圖6所示，因對基板Ρ之邊緣區域Ε進 行曝光處理’而使投影光學系、統pL與基板ρ間之浸沒部分 位於基板Ρ之邊緣區域Ε附近時，雖能以輔助板部59將液 體持續保持在投影光學系統PL與基板ρ之間，若液體5〇 之一部份流出至輔助板部59外側時，流出之液體5〇即被 液體吸收構件21所吸收（回收）。此處，控制裝置c〇NT開 始驅動上述液體供應裝置丨及液體回收裝置2，且開始閥 28之開放與泵29之驅動。因此，被液體吸收構件？！回收 之液體50’即被吸引裝置之泵29吸引，與周圍之空氣透 過流路22及管路26，被吸入收集到第1槽27。 又，由基板P與辅助板部59間之間隙流出之液體，則 透過設置在基板P背面側之液體回收孔46，與周圍之空氣 一起被吸入到流路22’透過管路26回收至第1槽27。 此外’透過基板P與輔助板部5 9間之間隙流入基板ρ 背面側之液體50，亦有可能流入用來吸附保持基板ρ之吸 附孔24。如前所述’由於吸附孔24係透過流路25、管路 30、及第2槽31連接於吸引裝置之泵33，因此，藉由閥 32之開放及泵33之驅動，將基板P吸附保持在z載台51 上，且透過流路25及管路30將流入吸附孔24之液體50 收集至第2槽31。也就是說，用來回收流入吸附孔24内 之液體50之第3回收裝置，亦包含有流路25、管路30、 1334160 第2槽31、閥32、泵33，及用來驅動控制該等之控制裝 置C0NT。又，此時之吸附孔24，亦具有設在基板p背面側 之液體回收孔（回收裝置）的功能。 此外’與液體回收孔46同樣的，由吸附孔24，亦流 入繞至基板P背面側之液體與基板P背面之氣體（空氣）， 使其落下到第2槽31，據以將液體（水）與氣體（空氣）分離 。藉由定期回收儲存在第2槽31之液體，防止液體流入作 為真空源之真空泵33。以此方式，來防止真空泵33之損

惟’在進行基板P之邊緣區域E之曝光處理時，亦即 投影光學系統P L與基板P間之浸沒部分位於基板p之邊緣 附近時，如前所述，液體50之一部分可能流出至基板p外 侧。本實施形態中，控制裝置CONT在浸沒部分位於基板p 之邊緣區域E時，係至少進行下述之一的控制，亦即控制 液體供應裝置1來增加每單位時間對空間56之液體供應量 ’或控制液體回收裝置（第2回收裝置）來減低每單位時間 從空間56回收液體之回收量，而即使在液體流出至基板p 9 外側時，亦能充分的將投影光學系統PL與基板p之間以液 體50加以充滿。此時，上述液體供應量之增加以及液體回 收量之減少的控制中，控制裝置CONT，可根據雷射干涉儀 之基板P位置檢測結果，來進行液體控制裝置丨以及/或 液體回收裝置2之控制，或者，在第丨、第2槽27，32或 是管路26，30等處設置用來檢測回收（流出）液體量之檢測 裝置’根據此檢測裝置之檢測結果，來進行液體控制裝置

22 1334160 1及/或液體回收裝置2之控制β 又，本實施形態之曝光裝£ Εχ係所謂之步&掃描方式 。因此，在使基板Ρ往箭頭Xa(參照圖3)所示之掃描方向（ -X方向）移動來進行掃描曝光時，係使用供應管3、供應 嘴4A〜4C、回收管4、及回收嘴5A，5B，以液體供應裝置 1及液體供應裝置2進行液體50之供應及回收。亦即，在 基板P往-X方向移動時，透過供應f 3及供應嘴4⑷〜 40從液體供應裝置1將液體50供應至投影光學系統盯與 基板P之間’且透過回收嘴5(5A，5B)及回收管6將液體 50回收至液體回收裝置2,使液體50往一X方向流動以充 滿透鏡6G與基板P之間。另—方面，在使基P往箭頭 Xb所示之掃描方向（+ χ方向）移動來進行掃描曝光時係 使用供應管10、供應嘴8Α〜8C、回收管11、及回收嘴9Α 9Β，以液體供應裝置i及液體供應裝置2進行液體5〇之供 應及回收。亦即，在基板P往+ X方向移動時，透過供應 管10及供應嘴8(8A〜8C)從液體供應裝置1將液體5〇供 應至投影光學系統PL與基板ρ之間，且透過回收嘴9(9A， 9B)及回收管11將液體50回收至液體回收裝置2，液體50 往+ X方向流動以充滿透鏡60與基板P之間。如此，控制 裝置C0NT ’使用液體供應裝置1及液體回收裝置2，沿基 板P之移動方向注入液體50。此時，例如從液體供應裝置 1透過供應嘴4所供應之液體50,係隨著基板P往_χ方 向之移動而被吸入流至空間56,因此即使液體供應裝置j 之供應能量小，亦能輕易的將液體5〇供應至空間56。此 23 1334160 外’視掃描方向切換液體50之流動方向，則無論在從+ χ 方向、或一X方向之任一方向掃描基板p時，皆能以液體 50將透鏡60之前端面7與基板p之間予以充滿，獲得高 解像度及廣的焦深。 如以上之說明，即使液體50流出至基板p外側，此流 出之液體50亦不會被放置而會被回收裝置2〇回收。因此 ’除能抑制基板P所處環境之變動，且因為能抑制用來保 持基板P之基板載台pST周邊之機械零件產生鏽蝕等不良 狀況’因此能以良好之動將圖案轉印至基板p，而製造具 有高精度圖案之元件。 此外’在基板載台PST上設置作為回收裝置2〇之液體 吸收構件21，藉此，可以在較廣之範圍内保持（回收）液體 50。此外’透過流路將作為吸引裝置之泵29連接到液體吸 收構件21，藉此，可隨時將液體吸收構件21所吸收之液 體50排出至基板載台PST外部。因此，能更進一步地確實 抑制基板P所處環境之變動，且能抑制基板載台psT因液 體50而產生重量變動。此外，亦可以在基板曝光動作中停 止泵29，而將流出至基板p外側之液體5〇由液體吸收構 件21等加以保持，當基板曝光完成後，再使泵29動作來 排出液體。另一方面，亦可以不設置泵29，而使液體吸收 構件21所回收之液體50以本身重量垂下流入到槽27。此 外，亦可以不設置泵29、槽27、以及流路，而僅在基板載 台PST上設置液體吸收構件2卜並定期地（例如每一批次） 更換吸收了液體50之液體吸收構件21。此時’基板載台 24 v · 1334160 PST雖因液體50而產生重量變動，但可根據液體回收構件 21所回收之液體50之重量來更動載台控制參數，而可以 維持載台定位精度。 此外，由於係在真空泵29，33之前，設置用來分離液 體（水）與氣體（空氣）之槽27，31，來防止液體浸入真空泵 29, 33，因此能防止真空泵29，33之故障與損壞。 另外，上述實施形態中之真空泵29，33，可以配置在 曝光裝置EZ内，亦可以配置在設置曝光裝置ex之工廠内 。此外’上述實施形態令’雖係在用來回收流出至基板p 外側之液體之回收裝置2 0之真空系統（真空泵之前）、以及 用來吸附保持基板P之真空系統中，設置用來分離液體（水 )與氣體（空氣）之槽（tank)，但是用來分離液體（水）與氣體 (空氣）之機構（液體回收用槽等）之設置，並不侷限於此， 亦可以設置在與有可能液體進入之吸氣口相連接之吸氣系 統（真空系統）。例如，可以配置在氣體軸承之氣體回收系 統（吸氣系統）、用來將基板p吸附保持在基板搬送臂上之 吸氣系統中，或是配置在用來將基板保持構件吸附保持（ 可裝拆）於基板載台的吸氣系統中。關於氣體軸承之氣體 回收系統（吸氣系統），例如在特開平丨i ―丨6699〇號公報中 有所揭示，關於用來將基板p吸附保持在基板搬送臂上之 吸氣系統’在特開平6-181157號公報中有所揭示，關於在 用來將基板保持構件吸附保持（可裝拆）於基板載台之吸氣 系統’在特開平1 〇-1 16760號公報中有所揭示，在本案申 請國之法律許可範圍内，援用該等美國專利記載内容作為 25 1334160 本說明書記載之一部份。此外，本實施形態中，雖將液體 (水）與氣體（空氣）分離之槽等之機構，適用於在基板P之 一部份區域形成浸沒區域同時進行基板p之曝光的曝光裝 置亦可適用於將基板載台在液體槽中移動之曝光裝置， 或疋在基板載台上形成液體槽、並在其中保持基板之曝光 裝置。關於將基板載台在液體槽中移動之曝光裝置之構成 及曝光動作，例如在特開平6_124873號公報中有所揭示， 關於在基板載台上形成液體槽、並在其中保持基板之曝光 裝置，在特開平1〇_3〇3114號公報（美國專利5 825 〇43)中 有所揭不，在本案申請書國法律許可範圍内，援用該等文 獻之記載内容作為本說明書之一部份。 此外，上述實施形態中，液體吸收構件21雖係形成為 包圍基板P之周圍全體的連續環狀，但是亦可配置在基板 P周圍之-部份’亦可以不連續之既定間隔配置。此外， 本實施形態中之液體吸收構件21雖形成為環狀，但其形狀 可以任意地設定成例如矩形等之形狀。 此外，液體供應裝置丨與液體回收裝置2之構成、及 喷氣口之配置並不受上述實施形態所關。X，在基板p 之曝光中，並不—定要使液體供應裝f 1肖液體回收裝置 2並行動作’只要投影光學系統PL與基板P間之曝光光程 充滿液體50’則可以停止任何一方，或是停止兩方之動作 如前所述， 純水之優點在於 本實施形態之液體50係以純水構成。使用 ，在半導體製造工廠能容易的大量取得， 26 1334160 且對基板p上之光阻及光學元件（透鏡）等沒有不良影響。 此外’純水不至於對環境造成不良影響，且由於雜質之含 量極低’因此亦可期待對基板p之表面、及對設在投影光 學系統P L前端面之光學元件表面的洗淨作用。 又’純水（水）對波長為193mn左右之曝光用光el的折 射率η被認為在1.47〜1.44左右，而作為曝光用光el之 光漁而使用ArF準分子雷射光（波長193nm)時，在基板p 上為1/n，亦即I93nm之波長經純水而成為131〜134nm 左右之短波長，能獲得高的解像度。再者，由於焦深與空 氣中相較約為η倍，亦即被放大約1. 47〜1. 44倍左右，因 此只要能確保與在空氣中使用時相同程度之焦深即可之情 形時，能更進一步的增加投影光學系統PL之孔徑數，就此 點而言，亦能提昇解像度。 上述實施形態中，雖於投影光學系統PL之前端安裝有 透鏡60，但作為安裝於投影光學系統pL前端之光學元件 ，亦可是用來調整投影光學系統PL之光學特性，例如調整 像差（球面像差、慧形像差等）所使用之光學板。或者，亦 "T疋月b使曝光用光EL穿透之平行平面板。以較透鏡便宜之 平行平面板來作為與液體50接觸之光學元件，則在曝光裝 置EX之搬送、組裝、調整時等，即使在該平行平面板附著 會使投影光學系統PL之透射率、曝光用光EL在基板p上 之照度、及照度分佈之均勻性降低的物質（例如矽系有機 物等）時，只要在供應液體50之前一刻更換該平行平面板 即可，與使用透鏡作為與液體5〇接觸之光學元件的情形相 27 1334160 較具有更換成本較低之優點。亦即，由於曝光用光EL之 * 照射而從光阻產生之飛散粒子、或液體50中雜質等之附著 會3染與液體50接觸之光學元件表面，而必須定期更換該 光學元件’但若使用便宜的平行平面板來作為此光學元件 ，則與透鏡相較不但更換零件的成本低，且能縮短更換所 需時間，抑制維修保養費用（運轉成本）的上昇及生產率之 降低。 又，在因液體50之流動而使投影光學系統前端之光學 兀件與基板P間之壓力較大時，亦可不採取更換該光學元 | 件之構成，而堅固的固定光學元件以避免因該壓力而移動 〇 又，上述實施形態之液體50雖為水，但亦可是水以外 之液體，例如，在曝光用光EL之光源為h雷射時，由於 此Fz雷射不會穿透水，因此，此時作為液體5〇可使用能 使F2雷射穿透之例如氟素系油（氟素系液體）、或全氟化聚 醚（PFPE)。又，作為液體5〇，除此以外，亦可使用曝光用 光之穿透性高且折射率盡可能的高，並且對投影光學*** § PL及基板P表面所塗之光阻安定者（例如杉木油、cedar oil)。 《第2實施形態》 接著，參考圖7說明本發明之曝光裝置Εχ之其他實施 形態。此處，於以下之說明中，與上述實施形態相同或是 同等構成部分，係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。 本實施形態之特徵部分，係取代作為回收裝置之液體吸收 28 1334160 構件21 ’而在基板P周圍設置液體回收槽35，以及基板載 台PST與管路26可自由地連接、分離等點。 圖7中’回收裝置20具備在Z載台51上、輔助板部 4 59之周圍形成為既定寬度之液體回收槽35。此外，在 流路22之一端設有連接閥36。另一方面，在管路26之一 端，設有可與連接閥36連接、分離之連接閥37。在連接 閱36，37為分離狀態時’流路22之端部為封閉狀態，液 體50不會流出至載台之外部。另一方面，當連接閥36， 37為連接狀態時，流路22之端部為開路狀態，流路22之 | 液體50可以流通到管路26。 在曝光處理中’連接閥36與連接閥37係分離。因此 ，在曝光處理中，由於基板載台PST與管路26為分離狀態 ，因此可以順暢地進行往掃描方向之移動（掃描移動）、與 非掃描方向之移動（步進移動）。在曝光處理中流出至基板 p外側之液體’會流在液體回收槽35與流路中。 曝光處理結束後，基板載台PST即移動到基板p之交 換位置（裝載（Load)、卸載（Unload)位置h在此基板交換 · 位置，連接閥36，37被連接。當連接閥36，37被連接上 時，控制裝置C0NT即將閥28予以開放，且驅動泵29。藉 此，被回收至液體回收槽35(作為回收裝置）之液體5〇，即 於基板交換位置被排出至載台外。 又，本實施形態中，由於被回收到液體回收槽35内之 液體50會定期地（例如每一批次）排出至載台外部因此液 體回收槽35之大小（容積），例如係設定為可以儲存與一批

29 1334160 份之流出量相當之液體量的大小。此時，預先求出既定曝 光處理基板片數（亦即一批份）與流出液體量之關係，根據 此求得之關係，設定液體回收槽35之大小。或者是根據上 述求得之關係，設定用來連接連接閥36，37之時間間隔（ 亦即將液體排至載台外部等動作之時序）。 應’上述實施形態中，液體回收槽35雖係形成為包圍 基板P之周圍全體的連續環狀，但是亦可配置在基板p周 圍之一部份，亦可以不連續之既定間隔配置。此外，本實 施形態中之液體回收槽35雖形成為環狀，但其形狀可以任 意地設定成例如矩形等之形狀。再者，亦可在液體回收槽 35内配置液體吸收構件。 此外，上述各實施形態中，雖係在基板p外側設有辅 助板部59’但亦可以不設置此辅助板部59,而直接在基板 p之外周附近設置液體回收構件21與液體回收槽35。 又，上述實施形態中，雖係採用在投影光學系統PL與 基板P之間局部的充滿液體之曝光裝置，但本發明如圖6 及圖7所不之用以回收流入吸附孔（用以吸附保持基板p) 之液體的回收機構，亦能適用於將保持有曝光對象基板之 載台在液槽中移動之浸沒曝光裝置，或適用於在載台上形 成既定深度之液體槽、於其令保持基板之浸沒曝光裝置。 如前所述，作為將保持有曝光對象基板之載台在液槽中移 動之浸沒曝光裝置的構造及曝光動作，例如已揭示於日本 專利特開平6-124873號公報中，而作為在載台上形成既定 深度之液體槽、於其中保持基板之浸沒曝光裝置的構造及 30 曝光動作，例如p C 〇9ς 已揭不於特開平10-3031 14號公報（美國專 利5’825肩3號公報）中… 《第3實施形態》 參照圖8〜圖10，說明回收裝置之其他實施形 態。 如圖8所干 n '、，4載台51之上面為傾斜，而用來保持基 、持’、°卩57之上面則為水平。又，液體回收槽35 匕圍保持具。P 57之周圍而形成。此時，液體回收槽35在 俯視下雖為％狀，但是側視時卻成為傾斜狀。也就是說， 液體回收槽35得Ά基7 # A c 1 3係，口者Z載台51上面之傾斜而形成。藉此 ;L出至基板P外側之液體50，會自然地儲存在液體回收 槽35之傾斜下部35A。當回收液體50時，因為只要回收 儲存在傾斜下部35A之液體50 ,因此可以容易地進行回收 動作。 如圖9(a)所示，在z載台51之上® —部份設有液體 回收槽35°在曝光處理時，液體5〇會積在液體回收槽35 内。此外’如圖9(b)所示，積在液體回收槽35内之液體 50’係透過安裝於搬送裝置H(用來將基板p裝載於基板載 台PST、或從基板載台pst卸下）之管線38來回收。。只 有在當曝光處理結束、為了將基板載出基板載台PST而搬 送裝置Η開始處理基板載台PST時，構成吸引裝置之一部 份之管線37，才吸引積在液體回收槽35内之液體50。 <第4實施形態》 以下’說明回收裝置之另一其他實施形態。如圖 31 1334160 1〇(a)所不，在Z載台51上面設有液體回收槽35。液體回 收槽35係連接於貫通至z載台51下面之流路利。流路μ 中設有閥39Α。此外，對應ζ載台51之流路的，在^載 台52以及基座53中分別形成有貫通孔之流路4〇，41。 曝光處理中，閥39Α係關閉，如圖i〇(a)所示，液體^ 積在液體回㈣35中H，當曝光處理結束肖，控制； 置C0NT將基板載台PST移動到基板交換位置，

39A。如此，如圖10(b)所示，液體回收槽35之液體π在 基板交換位置，以自己本身之重量，透過流路39, 以及 41而排出至載台外部。此外，液體回收槽35之液體“之 回收，雖以在基板交換位置處進行者較佳，但亦可在與基 板交換位置不同之位置來進行排出作業。 《第5實施形態》 上述各實施形態中，液體供應裝置1係透過供應嘴4 由基板Ρ上方將液體50供應至基板ρ上，且作為第2回收 裝置之液體回收裝置2係透過回收嘴5由基板ρ上方回收 基板PJi之液體50’藉此’在基板ρ上之一部份形成浸沒· 區域’但如圖11所不’亦可不在基板ρ上方設置液體回收 裝置2(回收嘴5)，而將供應到基板ρ上之大致所有液體 50，藉由設在基板載台pST上之回收裝置2〇來加以回收。 圖11中，顯示了隔著投影光學系統PL之投影區域（光學元 件60)之掃描方向（X轴方向）之兩側分別設置之供應嘴4， 8。在掃描曝光基板ρ而供應液體5〇時可以根據基板p 之移動方向由供應嘴4，8中之任一供應嘴來供應液體50 32 1334160 ，亦可以由兩供應嘴4，8同時供應液體50。由液體供應 裳置1所供應之液體50’在基板P上會擴大，可以形成較 大的浸沒區域。此外，如圖12之立體圖所示，供應至基板 p上之液體50會流到基板P外側’但是在基板p之周圍， 有作為回收口設置之槽部23(液體吸收構件21)之回收裝置 20’來將液體大致全部回收。此處’在對基板p之曝光處 理中，藉由液體供應裝置1持續地供應液體5〇到基板上使 得在基板P上形成良好之浸沒區域，且由於液體5〇之供應 而能使基板P上之液體50產生流動，因此能將新鮮（潔淨） 之液體50隨時供應到基板上，且能使基板p上之液體5〇 流至槽部23。 上述第2液體回收裝置之液體回收裝置2’係透過回 收嘴5將基板p上之液體由基板p上方使用真空系統吸引 加以吸引回收，因為將液體（水）與氣體（空氣）一起回收， 因此當該液體撞到回收管6内壁時，會產生聲音以及震動 。此時，如圖11與圖12所示之實施形態般，不進行由基 而僅使用設在基板載台 50之回收，即能防止在 板P上方吸引回收液體50之動作， PST上之回收裝置20來進行液體 基板P之曝光中產生聲音與震動。 時，作為回收裝置2〇, ’可以使用在第2實施形態之圖7所

液體所伴隨之聲音與震動， 而更為有效。 另外在不進行從基板P上方回收液體之本實施形態 33 1334160 此外，如先前說明之實施形態般，裝置透過回收嘴5 由基板p上方進行液體回收之液體回收裝置2，在基板p 之曝光中，不使液體回收装置2動作而僅以回收裝置別進 订液體之回收，在基板p完成曝光之後，則併用液體回收 裝置2與回收裝置20來進行液體5〇之回收亦可❶此時， 亦能抑制基板P之曝光中因為液體之吸引（回收）所伴隨之 聲音與震動之影響。 又，作為上述各實施形態之基板P，不僅是半導體元 件製造用之半導體晶圓’亦可適用顯示㈣用之玻璃基板 、薄膜磁頭用陶究晶圓、或用於曝光裝置之光罩或標線片 原板（合成石英、矽晶圓）等。 作為曝光裝置EX，除可使用同步移動光罩M與基板p 來掃描曝光光罩Μ之圖案的步進掃描（咖&咖）方式之 掃描型曝光裝置（掃描步進器）外，亦可適用在光罩m與基 板P靜止狀態下將光罩M之圖案予以—次性的曝光，並使 基板p依序步進移動之步進重複（step &哪⑷方式之投 〜曝光裝置（步進.益）。此外，本發明亦能適用於在基板p 上將至少2個圖案加以部分重疊轉印之步進接合(叫& stitch)方式之曝光裝置。 作為曝光裝置EX之種類，本發明並不限於將半導體元 件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用的曝光裝置，亦 能廣泛的適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝 光裝置’或用以製造溥膜磁頭、攝影元件⑼或標線片、 光罩等的曝光裝置等。

34 1334160 又，本發明亦能適用於雙載台型之曝光裝置。關於雙 載σ型曝光裝置之構造及曝光動作，例如，已揭示於曰本 專利特開平10-163099號及特開平10_2U783號、特表 2000-505958 號、美國專利第 6,341〇〇7 號、6 4〇〇 441 號 、6,549,269號及6, 590, 634號等文獻中，本案在申請國法 令許可範圍内，制料美國專利之揭示作為本說明書之 一部分。 於基板載台PST或光罩載台MST使用線性馬達時，無 論是採用空氣懸浮型（使用空氣軸承）或磁氣懸浮型（使用羅 倫炫力或反作用）之任一種皆可。又，各載台PST、MST， 可以是沿導軌移動之型式、或不設置導軌之無導軌型式者 白可。使用線性馬達之例，已揭示於美國專利第 ^ 623,853號及第5,528，118號中，本案在申請國法令許可 範圍内’援用該等文獻之揭示内容作為本說明書之一部分 〇 作為各載α PST、MST之驅動機構，可使用將磁石2維 配置之磁石單元、與將線圈2維配置之電樞單元予以對向 :藉電磁力來驅動各載台PST、MST之平面馬達。此時，將 磁石單兀與電樞單元之任一方接觸於載台psT'MST，將磁 石單兀•與電樞單元之另一方設在載台psT、MST之移動面 即可。 因基板載台PST之移動所產生之反作用力，可使用框 架構件將其機械性的釋放至地面，以避免傳至投影光學系 統此反作用力之處理方法，例如已詳細的揭示於日本 35 丄334160 專利特開平8-166475號（美國專利第％ 528, 1 18號）公報中 本案在申請國法令許可範圍内援用該文獻之揭示内容 作為本說明書之一部分。 又因光罩載台MST之移動所產生之反作用力，可使 用框架構件將其機械性的釋放至地面，以避免傳至投影光 學系統PL。此反作用力之處理方法，例如已詳細的揭示於 日本專利特開平8-330224號（美國專利第5, 874, 820號）公 報中，本案在申請國法令許可範圍内，援用該文獻之揭示 内容作為本說明書之一部分。 如上述般’本案實施形態之曝光裝置EX，係將包含本 案申請專利範圍所例舉之各構成要素的各種次系統，以能 保持既定機械精度、電氣精度、光學精度之方式，加以組 裝製造。為確保上述各種精度，於此組裝之前後，對各種 光學系統進行用以達成光學精度之調整，對各種機械系統 進行用以達成機械精度之調整，對各種電氣系統則進行用 達成各種電氣精度之調整。各種次系統組裝至曝光裝置之 步驟’包含各種次系統彼此間之機械連接、電氣迴路之連 接、氣壓迴路之連接等。此各種次系統組裝至曝光裝置之 步驟前，當然有各個次系統之組裝步驟。各種次系統組裝 至曝光裝置之步驟結束後，即進行綜合調整，以確保曝光 裝置舔之各種精度。又，曝光裝置的製造以在溫度及清潔 度等受到管理的無塵室中進行較佳。 半導體元件等之微元件’係如圖13所示，經微元件之 功能、性能設計步驟201，根據此設計步驟製作光罩（找線 36 ^34160 片）的步驟202，製造基板（元件之基材）的步驟203，使用 前述實施形態之曝光裝置EX將光罩之圖案曝光至基板的曝 光處理步驟204，元件組裝步驟（切割製程、結合製程、封 裝製程）205，檢查步驟206而製造。 若依據本發明’即使液體流出，該流出之液體亦不會 被放置而會以回收裝置加以回收。因此，可以防止因流出 液體所產生之不良狀況，製造具有高圖案精度之元件。 【圖式簡單說明】 (—)圖式部分 第1圖’係顯示本發明曝光裝置之一實施形態之概略 構成圖。 第2圖’係顯示投影光學系統之前端部與液體供應裝 置及液體回收裝置間之位置關係的圖。 第3圖’係顯示供應嘴及回收嘴之配置例的圖。 第4圖’係顯示供應嘴及回收嘴之配置例的圖。 第5圖’係顯示回收裝置之一實施形態的立體圖。 第6圖’係顯示回收裝置之一實施形態的主要部位放 大剖面圖。 第7圖’係顯示回收裝置之另一實施形態的主要部位 放大剖面圖。 第8圖’係顯示回收裝置之另一實施形態的立體圖。 第9圖’係顯示回收裝置之另一實施形態的示意剖面 圖。 1334160 第1 〇圖，係顯示回收裝置之另一實施形態的示意剖面 圖。 第11圖，係顯示回收裝置之液體回收動作之另一實施 形態的圖。 第12圖，係顯示回收裝置之液體回收動作之另一實施 形態的圖。 第13圖，係顯示半導體元件之製程例的流程圖。 第14圖，係用以說明習知課題的圖。 % 元件代表符號 1 2 3， 10 液體供應機構 液體回收機構 供應管 4(4Α〜4C), 8Α〜8C, 13 供應嘴 5(5Α，5Β)，9Α, 9Β, 15，16 回收嘴 6，11 7 20 21 22，25 23 24 26，30 27 回收管 透鏡之前端面（下面） 回收裝置 液體吸收構件 流路 槽部 吸附孔 管路 第1槽 38 1334160 27A, 31A • 28，32 29，33 31 46 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 60A EX Μ

MST

MSTD

P

PK

PL 流路 閥 真空泵 第2槽 液體回收孔 液體 Z載台 XY載台 基座 移動鏡 雷射干涉儀 空間 保持具部 突出部 輔助板部 光學元件（透鏡） 透鏡之前端部 曝光裝置 光罩 光罩載台 光罩載台驅動裝置 基板 鏡筒 投影光學系統 1334160 pst 基板載台 PSTD 基板載台驅動裝置

Claims (1)

1334160 第092134803號專利申請案’申請專利範圍替換本⑼年3月替換） 拾、申請專利範圍·· --- 年$月巧日修(更)正本 1 · 一種曝光裝置，1#-碑"過液體^ y 投% 上以使基板曝光，其特徵在於，具借： 投影光學系統，係將圖案像投影至基板； 基板載台’係保持該基板；以及 回收裝置，係具有設号其 。又在^基板載台之凹部，用來回收 流出至該基板外側之液體； 該基板載台在該基板載台所保持之該基板周圍具有上 面； 該回收裝置之凹部，相饼马·冀此井乂 相對該基板載台所保持之該基板 ，係以圍繞該上面之方式配置於該上面的外側。 2·如申請專利範圍第丨項之曝光裝置，其中，該回 收裝置之凹部，係配置在該上面的周圍。 3·如申請專利範圍第丨項之曝光裝置，其中，該回 收裝置包含配置在該凹部之液體吸收構件。 4·如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，該液 體吸收構件包含多孔質構件。 5·如申請專利範圍第丨項之曝光裝置，其中，該回 收裝置之凹部包含液體回收槽。 6 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該回 收裝置進一步具有回收部，其用以回收流至該基板載台所 保持之該基板背面側的液體。 7 ·如申請專利範圍第丨項之曝光裝 豆該回 收步筈 、 糸在該基板載台到達基板交換位置時，將該凹部 回收之液體排出。 · 8·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其具備用來 °及弓丨I亥回收裝置之凹部所回收之液體的吸引裝置。 9·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其具備用來 收集遠回收裝置之凹部所回收之液體的容器。 1〇·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其具備將液 體供應至該投影光學系統與該基板之間的供應裝置，當該 投影光學系統與該基板間之浸沒部分位於該基板周緣附近 時’該供應裝置即增加液體之供應量。 11·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其具備用來 回收該基板上液體之第2回收裝置’當該投影光學系統與 該基板間之浸沒部分位於該基板之周緣附近時，該第2回 收裝置即減少液體之回收量。 i2·如申請專利範圍第丨至u項中任一項之曝光裝 置，其中，保持該基板之基板載台具有用來吸附保持該基 板之吸附孔，並具備第3回收裝置，以回收流出至該基板 外側、流入該吸附孔内之液體。 籲 13·如申請專利範圍第12項之曝光裝置，其中，該 第3回收裝置具備用纟將從該吸附孔流入之氣體與液體加 以分離之分離器。 H·如申請專利範圍帛丨至^肖中任一項之曝光裝 置，其中，該回收裝置具備將所回收之液體、以及與液體 同時回收之氣體加以分離之分離器。 15·如申請專利範圍第！項之曝光裝置，其進一步具 tio2? 42 1334160 之液體的第2回枚裝置。 項之曝光裝置，其具備從該 上的液體供應裝置，供應至 係以該回收裝置加以回收。 過液體將圖案像投影至基板 具備： 備從該基板上方回收該基板上 1 6 ·如申請專利範圍第1 基板上方將液體供應至該基板 該基板上之大致所有的液體， 17. —種曝光裝置，係透 上以使基板曝光，其特在於， 投影光學系統’係將圖案像投影至基板：

液體供應裝置，係從該基板上方供應液體；以及 回收裝置，係回收該液體供應裝置所供應之液體； 該回收裝置，並不從該基板上方回收液體。 18· —種曝光裝置，係透過液體將圖案像投影至基板 上以使基板曝光，其特徵在於，具備： 才又衫光學系統’係將圖案像投影至基板； 吸氣系統，係具有吸氣口；以及 回收裝置’係回收從該吸氣口吸引之液體。

19·如申請專利範圍第18項之曝光裝置，其中，該 回收裝置，係將從該吸氣口吸引之液體與氣體加以分離。 20 ·如申請專利範圍第18項之曝光裝置，其中，該 吸氣口係用來將物體固定在既定位置。 21·如申請專利範圍第2〇項之曝光裝置，其進一步 具備基板載台，該物體為基板，該吸氣口係用來吸附保持 基板而被設置在該基板載台。 22· —種曝光裝置，係透過液體將圖案像投影至基板 上以使基板曝光’其特徵在於，具備： 43 1334160 投影光學系統，係將圖案像投影至基板； 基板載台’係保持該基板；以及 回收裝置’進行流入用以吸附保持該基板而設置之吸 引孔之液體之回收。 23 ·如申請專利範圍第22項之曝光裝置，其中，該 回收裝置具有將所回收之液體與氣體加以分離的分離器。 24 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，以該 回收裝置回收之液體，係在該基板載台移動至既定位置時 被排出。 25·如申請專利範圍第j項之曝光裝置，其進一步具 備設在該基板載台之干涉儀鏡，該回收裝置之液體回收部 係設在該干涉儀鏡之附近。 26· —種元件製造方法，其特徵在於： 係使用申請專利範圍第1、17、18'22項中任一項之 曝光裝置。 27 · —種曝光方法，係透過液體將圖案像投影至基板 上以使基板曝光，其特徵在於，包含： 從基板上方將液體供應至該投影光學系統與該基板之 間的步驟； 將該供應之液體透過多孔構件加以回收的㈣；以及 在進行該液體之供應及回收期間，進行該基板之曝光 的步驟。 28·如申請專利範圍第27項之曝光方法盆進一步 包含將該供應之液體，從基板上方加以回收的步驟。 l SI 44 φ°! 1334160 29·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，當使 該基板之周緣曝光時，該液體之浸沒部分之一部分係形成 於該上面。 30·如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，該凹 部係不連續設置於該上面的周圍。 31·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該上 該基板載台所保持之該基板表面係同一面高。 32 ·如申請專利範圍第29至31項中任一項之曝光裝 置’其中，該回收裝置，具有透過該凹部將所回收之液體 與氣體加以分離的分離器。 33·如申請專利範圍第17項之曝光裝置 具備保持該基板之基板載台； 該回收裝置具有設在該基板載台之回收部。 34 ·如申請專利範圍第33項之曝光装置，直 Γ〇7 ^ Φ /、下 〇茨 之回收部，係配置於該基板載台 周圍的至少—部分。 彳保持之該基板 35 ·如申請專利範圍第33項之曝 回收裝置之m w Μ A 氓置，其中，該 。 回收包含配置在該基板載台之液體吸收構件 36 *申請專利範圍帛⑽項之曝光 液體二收構件包含多孔構件。 其中 回收Γ置t申請專利範圍第33項之曝光襄置，其中 M·目收部包含設在該基板載台之凹部。 如申請專利範圍第37項之曝光装置，其中 面與 其進一步 該 該 該 45 1334160 回收震置之凹部包含設在該基板載台之液體回收槽。 39 ·如申請專利範圍第17、33至38項中任一項之曝 光裝置，其中，該回收裝置具備將所回收之液體、以及與 液體同時回收之氣體加以分離的分離器。 〃 4〇 ·如申請專利範圍第22項之曝光裝置，其中，該 机入吸引孔之液體，包含自該基板載台所保持之該基板的 周圍的間隙浸入的液體。

41 ·如申請專利範圍第40項之曝光裝置，其中，該 基板載台，具有配置於該基板載台所保持之該基板的周圍 、與該基板表面同一面高的上面。 42 ·如申請專利範圍第27項之曝光方法，其中，該 多孔構件係設在保持該基板之基板載台。 43 ·如申請專利範圍第27項之曝光方法，其進一步 包含在該基板背面側回收液體之步驟。 44 .如申請專利範圍第27項之曝光方法，其進一步

包含透過該多孔構件將所回收之液體與氣體加以分離之牛 驟。 ^ 45 ·如申請專利範圍第27項之曝光方法，其進一 包含將流入用α 口及附保肖該基板之吸引孔之液體加以回 之步驟。 46 . —種曝光裝置，係透過液體將圖案像投影至基板 上以使基板曝光，其特徵在於，具備： 投影光學系統，係將圖案像投影至基板； 基板載台，係保持該基板；

46 供應裝置 之間；以及 回收裝置 液體。 係將液體供應至該投影光學系統與該基板 係透過·多孔構件回收該供應裝置所供應之 47如申請專利範圍第46項之曝氺_ w # . 多孔. π〈曝丸裝置，其中， 件，係配置於該基板載A 4R 极戰口所保持之該基板的周圍 48 ·如申請專利範圍第47 乡1π ，夂曝先裝置，其中， 聋件係不連續設置於該基板的周圍。

:·如申請專利範圍第46項之曝光裝置，其中， 载台在該基板載台所保持之該基板周圍具有上面； 該多孔構件’相對該基板’係配置於該上面的外側 5〇·如申請專利範圍第49項之曝光裝置其中， 上面與該基板的表面係同一面高。 Η·如ΐ請專利範圍第46至5Q項中任—項之曝光 置’其中’該回收裝置’具有透過該多孔構件將所回收 液體與氣體加以分離的分離器。

52 · 一種曝光裝置’係將圖案像投影至基板上以使基 板曝光之浸沒曝光裝置，其特徵在於，具備： 投影光學系統’係將圖案像投影至基板； 基板載台，係保持該基板； 氣體與液體流入之流路；以及 分離器，係將流入該流路之液體與氣體加以分離。 53·如申凊專利範圍第52項之曝光裝置，其中，該 流路係連接於吸引裝置。 m 谭 47 1334160 54 ·如申請專利範圍第52項之曝光裝置，其中，該 分離器具有連接於該流路之容器。 55 ·如申請專利範圍第52項之曝光裝置’其中，該 分離器係連接於該容器，具有將該容器内之液體排出之流 路。 56 ·如申請專利範圍第52至55項中任一項之浸沒曝 光裝置’其中’該流路係連接於設在該基板載台之回收部

57·如申凊專利範圍第52至55項中任一項之浸沒曝 光裝置，其中，該流路係連接於吸引孔。 5 8 ·如申請專利範圍第5 7項之浸沒曝光裝置，其中 ’ ό玄吸引口係设在該基板載台。 5 9 ·如申凊專利範圍第58項之浸沒曝光裝置，其中 ，該吸引口係透過該流路連接於吸引裝置，用以使用於將 該基板吸附保持在該基板載台。

+光裝置，係透過液體將圖案像投影至基 上以使基板曝光，其特徵在於，具備： 投影光學系統，係將圖案像投影至基板；以及 基板載台’係具有保㈣基板之保持具部； 該保持具部具有保持該基板 取 < 複數個突出部、及將 該基板的周@的間隙浸人的液體加以回收之回收部。 61·如申請專利範圍第60項之曝光裝置，其中， 基板載台具有設在該保持且部所 ^ . 、卩所保持之該基板的周圍的 面， 1334160 該基板的周圍的間隙，係形成在該基板表面與該上面 之間。 . 62 ·如申請專利範圍第6〇項之曝光裝置，其進一步 具備設在該基板載台，連接於該回收部之流路。 63 ·如申請專利範圍第6〇至62項中任一項之曝光裝 置’其進一步具備將流入該流路之液體與氣體加以分離的 分離器。 64 ·如申請專利範圍第63項之曝光裝置，其中，該 分離器具有儲存液體之容器。 癱 65· ~種元件製造方法，其特徵在於，包含：使用申 請專利範圍第46、52、6〇帛中任—項之曝光裝置以使基 板曝光之步驟。 66 ·—種真空系統，係使用於浸沒曝光裝置，其特徵 在於，具備： 連接於吸引裝置之流路；以及 分離器，係將流入該流路之氣體與液體加以分離。 67 .如申請專利範圍第66項之真空系統，其中，該鲁 分離器包含容器。 68 ·如申請專利範圍帛67項之真空系統，其進一步 具備配置於該吸引裝置與該容器間之流路的閥。 69 ·如申請專利範圍第67項之真空系統，其中，該 分離器具有將該容器内之液體排出的排出流路。 7〇·如申請專利範圍帛69項之真空系統，其進一步 具備水位感知器； 49 1334160 使用該水位感知器自該容器排出液體。 71 ·如申請專利範圍第66至70項中任一項之真空系 統，其中，該液體與該氣體透過多孔構件流入該流路。 拾壹、圖式： 如次頁

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