JPWO2006041091A1 - 露光装置のメンテナンス方法、露光装置、デバイス製造方法、液浸露光装置のメンテナンス用の液体回収部材 - Google Patents

Abstract

液体が残留することを防止できる露光装置のメンテナンス方法を提供する。液体（ＬＱ）を吸収可能な液体回収部材（６０）を基板ホルダ（ＰＨ）上に載置して、残留した液体（ＬＱ）を回収する。

Description

本発明は、露光装置のメンテナンス方法、露光装置、デバイス製造方法、液浸露光装置のメンテナンス用の液体回収部材に関するものである。
本願は、２００４年１０月１２日に出願された特願２００４−２９７５７８号ならびに２００５年２月２１日に出願された特願２００５−０４４０１８号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。

半導体デバイスや液晶表示デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程では、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に投影露光する露光装置が用いられる。この露光装置は、マスクをマスクホルダを介して保持するマスクステージと、基板を基板ホルダを介して保持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に投影露光するものである。マイクロデバイスの製造においては、デバイスの高密度化のために、基板上に形成されるパターンの微細化が要求されている。この要求に応えるために露光装置の更なる高解像度化が望まれている。その高解像度化を実現するための手段の一つとして、下記特許文献１に開示されているような、投影光学系と基板との間を液体で満たして液浸領域を形成し、その液浸領域の液体を介して露光処理を行う液浸露光装置が案出されている。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

液浸露光装置においては、基板を保持する基板ホルダ上に液体が残留する可能性がある。残留した液体を放置しておくと、基板ホルダが基板を良好に保持できなくなる等の不都合が発生し、基板を良好に露光できなくなる可能性がある。また、基板ホルダに限られず、露光光の光路空間の近傍に配置されている各種部材に液体が残留する可能性もあり、残留した液体を放置しておくと、その部材が汚染するなどの不都合が生じる可能性がある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液浸法を適用した場合にも、露光装置を所望状態に維持できる露光装置のメンテナンス方法、露光装置、デバイス製造方法、及び液浸露光装置のメンテナンス用の液体回収部材を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。

本発明の第１の態様に従えば、基板ホルダ（ＰＨ）に保持された基板（Ｐ）を液体（ＬＱ）を介して露光する露光装置（ＥＸ）のメンテナンス方法において、液体（ＬＱ）を吸収可能な所定部材（６０）を基板ホルダ（ＰＨ）上に載置する露光装置（ＥＸ）のメンテナンス方法が提供される。

本発明の第１の態様によれば、液体を吸収可能な所定部材を基板ホルダ上に載置することで、残留した液体を良好に回収し、除去することができる。

本発明の第２の態様に従えば、基板ホルダ（ＰＨ）に保持された基板（Ｐ）を液体（ＬＱ）を介して露光する露光装置において、液体（ＬＱ）を吸収可能な所定部材（６０）を基板ホルダ（ＰＨ）に搬送する搬送装置（１５０）を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。

本発明の第２の態様によれば、液体を吸収可能な所定部材を基板ホルダに搬送する搬送装置を設けたので、搬送装置を使って所定部材を基板ホルダ上に載置することで、残留した液体を良好に回収し、除去することができる。

本発明の第３の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。

本発明の第３の態様によれば、所望状態の露光装置を使って基板を露光することができ、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。

本発明の第４の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して露光される基板（Ｐ）を保持する基板ホルダ（ＰＨ）上に載置されることにより、基板ホルダ（ＰＨ）上に残留した液体（ＬＱ）を吸収する液浸露光装置（ＥＸ）のメンテナンス用の液体回収部材（６０）が提供される。

本発明の第４の態様によれば、液体回収部材を基板ホルダ上に載置することで、基板ホルダ上に残留した液体を回収し、除去することができる。

本発明によれば、所望状態の露光装置で基板を良好に露光することができ、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。

露光装置の第１の実施形態を示す概略構成図である。 第１実施形態に係る液体回収部材を示す側断面図である。 第１実施形態に係る液体回収部材を示す斜視図である。 第１実施形態に係るメンテナンス方法を説明するための図である。 第１実施形態に係るメンテナンス方法を説明するための図である。 露光装置の第２の実施形態を示す図である。 第３実施形態に係る液体回収部材を示す側断面図である。 第４実施形態に係るメンテナンス方法を説明するための図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

５１…上面、６０、６０’…液体回収部材、６１…基材、６２…液体吸収部材、８０…検出装置、１５０…搬送装置、ＣＯＮＴ…制御装置、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、Ｐ…基板、ＰＨ…基板ホルダ、ＰＳＴ…基板ステージ

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。

＜第１の実施形態＞
図１は露光装置ＥＸの第１の実施形態を示す図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持するマスクホルダＭＨを移動可能なマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを移動可能な基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴ上のマスクホルダＭＨに保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板ステージＰＳＴ上の基板ホルダＰＨに保持されている基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。

露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＡＲ２を形成可能な液浸機構１を備えている。液浸機構１は、基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）の上方に設けられ、投影光学系ＰＬの先端の光学素子ＬＳ１を囲むように設けられた環状のノズル部材７０と、ノズル部材７０に設けられた液体供給口１２を介して基板Ｐ上に液体ＬＱを供給する液体供給機構１０と、ノズル部材７０に設けられた液体回収口２２を介して基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する液体回収機構２０とを備えている。

また、露光装置ＥＸは、基板ホルダＰＨ上に残留した液体ＬＱを回収するために、液体ＬＱを吸収可能な液体回収部材６０を基板ホルダＰＨに搬送する搬送装置１５０を備えている。搬送装置１５０は、基板ホルダＰＨが基板Ｐを保持していないときに、その基板ホルダＰＨ上に液体回収部材６０を搬入（ロード）することができる。また、搬送装置１５０は、基板ホルダＰＨに保持されている液体回収部材６０を基板ホルダＰＨより搬出（アンロード）することも可能である。また、搬送装置１５０は、基板Ｐを基板ホルダＰＨに対して搬入（ロード）及び搬出（アンロード）する機能も備えている。搬送装置１５０による、基板Ｐを基板ホルダＰＨに対してロード及びアンロードする動作と、液体回収部材６０を基板ホルダＰＨに対してロード及びアンロードする動作とはほぼ同じである。

なお、搬送装置１５０としては、例えば、国際公開第００／０２２３９号パンフレット（対応米国特許公開第２００４／００７５８２２号公報）に開示されている被露光基板を搬送する搬送装置を適用することができ、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、それら開示を援用して本文の記載の一部とする。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを同期移動しつつマスクＭに設けられているパターンを投影光学系ＰＬを介して基板Ｐ上に転写する所謂スキャニングステッパである。以下の説明において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な平面内における前記同期移動方向（走査方向）をＸ軸方向、Ｚ軸方向及びＸ軸方向と垂直な方向（非走査方向）をＹ軸方向とする。更に、Ｘ軸まわり、Ｙ軸まわり、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれθＸ方向、θＹ方向、及びθＺ方向とする。また、ここでいう「基板」は半導体ウエハ上にレジスト（感光材）が塗布されたものを含み、「マスク」は基板Ｐ上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。

照明光学系ＩＬは、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ＥＬによるマスクＭ上の照明領域を設定する視野絞り等を有している。マスクＭ上の所定の照明領域は照明光学系ＩＬにより均一な照度分布の露光光ＥＬで照明される。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。
本実施形態では、ＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。

マスクステージＭＳＴは、マスクＭを保持するマスクホルダＭＨを移動可能であって、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微小回転可能である。マスクステージＭＳＴ上には、このマスクステージＭＳＴの位置を計測するためのレーザ干渉計４１用の移動鏡４０が設けられている。マスクステージＭＳＴ上のマスクＭの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計４１によりリアルタイムで計測され、制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計４１の計測結果に基づいて、リニアモータ等を含むマスクステージ駆動機構を駆動することで、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭの位置決めを行う。

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンを所定の投影倍率βで基板Ｐに投影するものであって、基板Ｐ側の先端に設けられた光学素子ＬＳ１を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒ＰＫで支持されている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４、１／５、あるいは１／８の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射素子を含まない屈折系、屈折素子を含まない反射系、屈折素子と反射素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、先端の光学素子ＬＳ１は鏡筒ＰＫより露出している。

基板ステージＰＳＴは、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを移動可能である。基板ステージＰＳＴはベースＢＰ上に支持されている。基板ステージＰＳＴは、ベースＢＰ上で移動可能であり、基板ホルダＰＨに保持されている基板ＰをＸＹ方向（投影光学系ＰＬの像面と実質的に平行な方向）、及びθＺ方向（回転方向）に移動可能である。更に、基板ステージＰＳＴは、基板ホルダＰＨに保持されている基板ＰをＺ軸方向（フォーカス方向）、及びθＸ、θＹ方向（傾斜方向）に移動可能である。すなわち、基板ステージＰＳＴは、基板ホルダＰＨに保持されている基板Ｐを、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。

基板ステージＰＳＴ上には凹部５０が設けられており、基板ホルダＰＨは凹部５０に配置されている。そして、基板ステージＰＳＴのうち凹部５０以外の上面５１は、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐの上面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。

基板ステージＰＳＴには、この基板ステージＰＳＴの位置を計測するためのレーザ干渉計４３用の移動鏡４２が設けられている。基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計４３によりリアルタイムで計測される。制御装置ＣＯＮＴは、レーザ干渉計４３の計測結果に基づいて、レーザ干渉計４３で規定される２次元座標系内で、リニアモータ等を含む基板ステージ駆動機構を介して基板ステージＰＳＴを駆動することで基板ステージＰＳＴに支持されている基板ＰのＸＹ方向、及びθＺ方向における位置決めを行う。また、露光装置ＥＸは、例えば特開平８−３７１４９号公報に開示されているような、基板Ｐの上面に対して斜め方向から検出光を投射することで、基板Ｐの上面の面位置情報を検出するフォーカス検出系を備えている。フォーカス検出系は、投影光学系ＰＬの像面に対する基板Ｐの上面のＺ軸方向における位置、及び基板ＰのθＸ、θＹ方向（傾斜方向）の姿勢を求めることができる。制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージ駆動機構を介して基板ステージＰＳＴを駆動することにより、基板ステージＰＳＴに保持されている基板ＰのＺ軸方向における位置（フォーカス位置）、及びθＸ、θＹ方向における位置を制御し、基板Ｐの上面（露光面）を投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して形成される像面に合わせ込む。

液体供給機構１０は、所定の液体ＬＱを投影光学系ＰＬの像面側の空間に供給するためのものであって、液体ＬＱを送出可能な液体供給部１１と、液体供給部１１にその一端部を接続する供給管１３とを備えている。供給管１３の他端部はノズル部材７０に接続されている。液体供給部１１は、液体ＬＱを収容するタンク、加圧ポンプ、及びフィルタユニット等を備えている。なお、タンク、加圧ポンプ、フィルタユニット等のすべてを露光装置ＥＸの液体供給部１１が備えている必要はなく、露光装置ＥＸが設置される工場などの設備を代用してもよい。また、液体回収機構２０は、投影光学系ＰＬの像面側の空間の液体ＬＱを回収するためのものであって、液体ＬＱを回収可能な液体回収部２１と、液体回収部２１にその一端部を接続する回収管２３とを備えている。回収管２３の他端部はノズル部材７０に接続されている。液体回収部２１は例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体ＬＱと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体ＬＱを収容するタンク等を備えている。なお、真空系、気液分離器、タンク等のすべてを露光装置ＥＸの液体回収部２１が備えている必要はなく、露光装置ＥＸが設置される工場などの設備を代用してもよい。

ノズル部材７０は、基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）の上方に設けられており、ノズル部材７０の下面７０Ａは、基板Ｐの上面（基板ホルダＰＨの上面）と対向する位置に設けられている。液体供給口１２は、ノズル部材７０の下面７０Ａに設けられている。また、ノズル部材７０の内部には、供給管１３と液体供給口１２とを接続する内部流路（供給流路）が設けられている。また、液体回収口２２もノズル部材７０の下面７０Ａに設けられており、投影光学系ＰＬ（光学素子ＬＳ１）の光軸ＡＸに関して、液体供給口１２よりも外側に設けられている。また、ノズル部材７０の内部には、回収管２３と液体回収口２２とを接続する内部流路（回収流路）が設けられている。

液体供給部１１の動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。基板Ｐ上に液体ＬＱを供給する際、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給部１１より液体ＬＱを送出し、供給管１３、及びノズル部材７０の内部流路を介して、基板Ｐの上方に設けられている液体供給口１２より基板Ｐ上に液体ＬＱを供給する。本実施形態においては、液体供給口１２から２００ｍｌ／ｍｉｎ以上の液体ＬＱを連続的に供給することができる。また、液体回収部２１の液体回収動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。制御装置ＣＯＮＴは液体回収部２１による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。基板Ｐの上方に設けられた液体回収口２２から回収された基板Ｐ上の液体ＬＱは、ノズル部材７０の内部流路、及び回収管２３を介して液体回収部２１に回収される。

制御装置ＣＯＮＴは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に転写している間、液体供給機構１０から供給した液体ＬＱにより投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１を含む基板Ｐ上の少なくとも一部に、投影領域ＡＲ１よりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液浸領域ＡＲ２を局所的に形成する。具体的には、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの像面側先端部の光学素子ＬＳ１と基板Ｐの上面（露光面）との間に液体ＬＱを満たして液浸領域ＡＲ２を形成し、この投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の液体ＬＱ及び投影光学系ＰＬを介してマスクＭのパターン像を、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐ上に投影することによって、基板Ｐを露光する。

本実施形態において、液浸領域ＡＲ２を形成する液体ＬＱとして純水が用いられている。純水は、露光光ＥＬがＡｒＦエキシマレーザ光であっても透過可能である。また、純水は輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）も透過可能である。

次に、図２及び図３を参照しながら液体回収部材６０について説明する。図２は液体回収部材６０を示す側断面図、図３は液体回収部材６０の斜視図である。図２及び図３において、液体回収部材６０は、液体ＬＱを介して露光される基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨ上に載置され、その基板ホルダＰＨ上に残留した液体ＬＱを吸収（回収）するものであって、基材６１と、その基材６１の下面６１Ａに設けられた液体吸収部材６２とを有している。

基材６１は、基板Ｐとほぼ同じ大きさ及び形状を有しており、平面視略円形状である。基材６１は、例えば金属製であり、チタン、アルミニウム、ステンレス鋼など、所定の硬さを有し、液体（純水）ＬＱによって錆びにくい材料によって形成されている。基材６１は、ガラスや所定の硬さを有するプラスチックで形成されていてもよい。あるいは、基材６１は、基板Ｐと同じ材料によって形成されていてもよい。すなわち、基板Ｐがシリコンウエハを含む場合には、基材６１がシリコンで形成されていてもよい。

液体吸収部材６２は、液体ＬＱを吸収可能なものであって、本実施形態においては、毛管現象によって液体ＬＱを吸収可能なものが用いられている。液体吸収部材６２は、繊維物を含んで構成されている。繊維物としては、半導体プロセスなどで使用される清浄な紙や布などが挙げられる。あるいは、液体吸収部材６２としては、合成樹脂などからなる繊維物をスポンジ状にしたものなどが挙げられる。本実施形態においては、液体吸収部材６２として、椿本興業株式会社製「アルティワイプ」が使用されている。なお、液体吸収部材６２は、例えばセラミックス製の多孔質部材によって構成されてもよい。

液体吸収部材６２は、平面視略円形状であって、基材６１よりも僅かに大きく形成されている。液体吸収部材６２は、基材６１の下面６１Ａに固定されている。本実施形態においては、液体吸収部材６２は、接着剤により基材６１の下面６１Ａに接着されることで固定されている。その基材６１の下面６１Ａに固定されている液体吸収部材６２は、基材６１のエッジ部６１Ｅよりも外側にはみ出している。

なお、図２〜図４Ａ，Ｂにおいては、液体吸収部材６２が誇張して図示されているが、実際には非常に薄く、基材６１のエッジ部６１Ｅからのはみ出し量も小さいので、液体回収部材６０は、全体として、基板Ｐとほぼ同じ大きさ及び形状を有している。したがって、搬送装置１５０は液体回収部材６０を搬送可能であり、液体回収部材６０を基板ホルダＰＨに載置することができる。

次に、露光装置ＥＸのメンテナンス方法について図４Ａ，Ｂを参照しながら説明する。上述したように、本実施形態においては、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐは液体ＬＱを介して露光される。その場合、例えば基板ステージＰＳＴの上面５１と基板ホルダＰＨに保持されている基板Ｐの上面との間のギャップより液体ＬＱが浸入し、その液体ＬＱが基板Ｐと基板ホルダＰＨとの間に浸入する可能性がある。すると、基板ホルダＰＨ上に液体ＬＱが残留する可能性がある。また、基板ステージＰＳＴの上面５１上にも液体ＬＱが残留する可能性がある。

図４Ａは、基板ホルダＰＨ上及び基板ステージＰＳＴの上面５１に液体ＬＱが残留している状態を示す図である。ここで、基板Ｐは搬送装置１５０によって基板ホルダＰＨ上よりアンロードされている。また、基板ホルダＰＨの基板Ｐの支持面ＰＨａには、例えば、特開２００１−２４４１７７号公報に開示されているように、基板Ｐを真空吸着するための周壁や基板Ｐを支持するための複数のピン状支持部が形成されているが、図４Ａ，Ｂにおいては省略されている。制御装置ＣＯＮＴは、搬送装置１５０を使って、液体ＬＱを吸収可能な液体回収部材６０を基板ホルダＰＨ上に載置する。搬送装置１５０は、基板Ｐを基板ホルダＰＨ上に載置するのと同様にして、液体回収部材６０の液体吸収部材６２と基板ホルダＰＨとを接触させるように、液体吸収部材６２が基板ホルダＰＨの支持面ＰＨａと対向した状態で、液体回収部材６０を基板ホルダＰＨ上に載置する。

図４Ｂは、基板ホルダＰＨ上に載置された液体回収部材６０を示す図である。図４Ｂに示すように、基板ホルダＰＨ上に残留している液体ＬＱは、液体回収部材６０の液体吸収部材６２に吸収されることで回収される。また、液体吸収部材６２は、基材６１のエッジ部６１Ｅよりも外側にはみ出しているため、液体回収部材６０を基板ホルダＰＨに載置することで、液体吸収部材６２の一部（基材６１よりはみ出している部分）が、基板ホルダＰＨの周囲に設けられている基板ステージＰＳＴの上面５１にも接触する。したがって、液体回収部材６０は、上面５１に接触する液体吸収部材６２によって、基板ステージＰＳＴの上面５１に残留している液体ＬＱも回収することができる。

液体回収部材６０によって基板ホルダＰＨ上や基板ステージＰＳＴの上面５１に残留した液体ＬＱを回収した後、制御装置ＣＯＮＴは、搬送装置１５０を使って、基板ホルダＰＨ上より液体回収部材６０をアンロードする。これにより、基板ホルダＰＨ上に残留した液体ＬＱを回収するためのメンテナンス作業が完了する。

基板ホルダＰＨ上に残留した液体ＬＱを除去するためのメンテナンス作業は、所定時間間隔毎、あるいは所定処理基板枚数毎など、予め定められた所定のタイミングで行われる。そして、制御装置ＣＯＮＴは、液体ＬＱを除去された状態の基板ホルダＰＨに対して、露光するための基板Ｐをロードする。基板Ｐは、液体ＬＱを除去された基板ホルダＰＨに良好に保持された状態で露光される。

以上説明したように、液体ＬＱを吸収可能な液体回収部材６０を基板ホルダＰＨ上に載置することで、基板ホルダＰＨ上に残留した液体ＬＱを良好に回収し、除去することができる。したがって、液体ＬＱを除去された基板ホルダＰＨによって基板Ｐを良好に保持した状態で、精度良く露光処理することができる。また、液体回収部材６０を使って液体ＬＱを回収することで、基板Ｐの汚染や液体ＬＱの飛散などといった不都合の発生を抑え、基板Ｐを精度良く露光できる。

また、本実施形態においては、基板Ｐを基板ホルダＰＨに対して搬送する既存の搬送装置１５０を使って、液体回収部材６０を基板ホルダＰＨに搬送するので、残留した液体ＬＱを回収するための専用の液体回収装置を設けること無く、簡易な構成で短時間に液体ＬＱを回収することができる。したがって、装置コストを抑えることができるばかりでなく、露光装置ＥＸの稼働率の低下といった不都合も抑制できる。また、露光後の基板Ｐの搬送に起因して搬送装置１５０に液体ＬＱが付着しても、液体回収部材６０を搬送することによって、搬送装置１５０に付着した液体ＬＱを回収（吸収）することができる。

＜第２の実施形態＞
次に、図５を参照しながら第２の実施形態について説明する。以下の説明において、上述した第１の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。

第２の実施形態の特徴的な部分は、露光装置ＥＸが、基板ホルダＰＨ上に液体ＬＱが有るか否かを検出する検出装置８０を備えている点にある。本実施形態において、検出装置８０は、投影光学系ＰＬと並んだ位置に設けられ、基板ホルダＰＨ上に液体ＬＱが有るか否かを、基板ホルダＰＨの上方より光学的に検出する。検出装置８０を使って、基板ホルダＰＨ上に液体ＬＱが有るか否かを検出するときは、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＰＳＴをＸＹ方向に移動し、基板ホルダＰＨを検出装置８０の下方に配置する。検出装置８０はＣＣＤ等の撮像素子を含み、撮像結果（検出結果）を制御装置ＣＯＮＴに出力する。制御装置ＣＯＮＴは、検出装置８０の検出結果を処理（画像処理）し、その処理結果に基づいて、基板ホルダＰＨ上に液体ＬＱが有るか否かを検出する。例えば、液体ＬＱが残留していない清浄な状態での基板ホルダＰＨの支持面ＰＨａを検出装置８０で予め撮像して基準画像として記憶しておき、その後に撮像される画像を、その基準画像と比較することによって、基板ホルダＰＨの支持面ＰＨａに液体ＬＱが残留しているか否かを判断することができる。

制御装置ＣＯＮＴは、検出装置８０の検出結果に基づいて、搬送装置１５０を制御する。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、検出装置８０の検出結果に基づいて、基板ホルダＰＨ上に液体ＬＱが有ると判断した場合、搬送装置１５０を使って、液体回収部材６０を基板ホルダＰＨ上にロードし、液体ＬＱの回収を行う。一方、制御装置ＣＯＮＴは、検出装置８０の検出結果に基づいて、基板ホルダＰＨ上に液体ＬＱが無いと判断した場合、搬送装置１５０による基板ホルダＰＨ上への液体回収部材６０の搬送動作を行わない。こうすることにより、基板ホルダＰＨ上に液体ＬＱが無いにもかかわらず、基板ホルダＰＨ上へ液体回収部材６０を搬送する動作を行ってしまうことを防止でき、露光装置ＥＸの稼働率の低下を防止できる。なお、検出装置８０による検出動作のタイミングは、基板Ｐを基板ホルダＰＨ上よりアンロードする毎、所定時間間隔毎、所定処理基板枚数毎など、予め定められた所定のタイミングで行うことができる。

なお、上述の第２実施形態において、検出装置８０は専ら基板ホルダＰＨ上に残留した液体を検出するものであってもよいし、基板Ｐをアライメントするためのマーク検出系を、基板ホルダＰＨ上に残留した液体の検出にも使うようにしてもよい。
また、上述の第１、及び第２実施形態においては、液体回収部材６０の液体吸収部材６２が基材６１からはみ出しているが、必ずしもはみ出す必要はない。特に、基板ステージＰＳＴの上面５１の液体ＬＱを回収しない場合には、基材６１と同じ大きさ及び形状の液体吸収部材６２を用いればよい。

＜第３の実施形態＞
次に、第３の実施形態について図６を参照しながら説明する。上述の実施形態において、液体回収部材６０は、基材６１と、その基材６１に固定された液体吸収部材６２とを備えた構成であって、２つの要素によって構成されているが、図６に示す液体回収部材６０’のように、１つの要素によって構成されていてもよい。

図６において、液体回収部材６０’は、基板Ｐとほぼ同じ大きさ及び形状を有する多孔質部材によって構成されている。多孔質部材としては、例えばセラミックス製の多孔質部材によって構成されている。このように、液体回収部材６０’は、所定の硬さを有する多孔質部材によって構成されていてもよい。
なお、上述の第１、第２、第３の実施形態において、液体回収部材６０を用いるメンテナンス作業は、基板ステージＰＳＴを投影光学系ＰＬの下に移動した状態で行ってもよいし、基板ステージＰＳＴを投影光学系ＰＬから離したところで行ってもよい。例えば、投影光学系ＰＬの下に基板ステージＰＳＴが配置された状態で液体回収部材６０を用いたメンテナンス作業を行う場合には、液浸領域ＡＲ２を形成する液体ＬＱはすべて回収される。また、基板ステージＰＳＴが投影光学系ＰＬから離れた位置で液体回収部材６０を用いるメンテナンス作業を行う場合には、液浸領域ＡＲ２を形成する液体ＬＱをすべて回収してもよいし、基板ステージＰＳＴとは別の部材を投影光学ＰＬに対向させて、その別部材上に液浸領域ＡＲ２を維持してもよい。

＜第４の実施形態＞
次に、第４の実施形態について図７を参照しながら説明する。本実施形態の特徴的な部分は、基板ホルダＰＨに保持された液体回収部材６０’を使って、ノズル部材７０に残留した液体ＬＱを回収する点にある。

上述したように、ノズル部材７０は、液体ＬＱを供給する液体供給口１２及び液体ＬＱを回収する液体回収口２２を有している。液体供給口１２及び液体回収口２２は、ノズル部材７０の基板Ｐ（基板ホルダＰＨ）と対向する下面７０Ａに設けられている。また、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐは液体ＬＱを介して露光される。基板Ｐを露光するときには、制御装置ＣＯＮＴは、ノズル部材７０の液体供給口１２を介した液体供給動作と、液体回収口２２を介した液体回収動作とを並行して行う。制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐの露光の終了に伴って、液体供給口１２を介した液体供給動作を停止するとともに、液体回収口２２を介して投影光学系ＰＬの像面側の液体ＬＱをほぼ全て回収した後に、液体回収口２２を介した液体回収動作を停止する。しかしながら、ノズル部材７０の下面７０Ａや液体供給口１２、あるいは液体回収口１３などに僅かながら液体ＬＱが残留する可能性がある。また、液体供給口１２と供給管１３とを接続するノズル部材７０の内部流路（供給流路）のうちの液体供給口１２近傍、あるいは液体回収口２２と回収管２３とを接続するノズル部材７０の内部流路（回収流路）のうちの液体回収口２２近傍などにも液体ＬＱが残留する可能性がある。

制御装置ＣＯＮＴは、ノズル部材７０に残留した液体ＬＱを回収するために、搬送装置１５０を使って、液体回収部材６０’を基板ホルダＰＨに載置する。なお、このとき、露光後の基板Ｐは基板ホルダＰＨより既にアンロードされている。

制御装置ＣＯＮＴは、基板ホルダＰＨに載置された液体回収部材６０’とノズル部材７０との相対的な位置関係を調整し、液体回収部材６０’とノズル部材７０の下面７０Ａとを接触させる。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＰＳＴを駆動することにより、基板ホルダＰＨに載置された液体回収部材６０’の上面とノズル部材７０の下面７０Ａとを接触させる。こうすることにより、ノズル部材７０に残留している液体ＬＱは、液体回収部材６０’に吸収されることで回収される。

なお、液体回収部材６０’とノズル部材７０の下面７０Ａとを必ずしも接触させる必要はなく、液体回収部材６０’とノズル部材７０の下面７０Ａとを０．１〜１．０ｍｍの間隔で接近させるだけでもよい。

また、上記の説明においては、基板ステージＰＳＴを動かして、ノズル部材７０の下面７０Ａと液体回収部材６０’とを相対的に移動させているが、基板ステージＰＳＴに設けられた基板Ｐを昇降するための機構（搬送機構）を用いるようにしてもよい。ノズル部材７０をＺ方向に可動な場合には、ノズル部材７０を動かして液体回収部材６０’とノズル部材７０の下面７０Ａとを接近または接触させるようにしてもよい。

また、第３及び第４実施形態において、基板ホルダＰＨに保持された液体回収部材６０’の近傍であって、基板ホルダＰＨ及び基板ステージＰＳＴの少なくとも一方にバキューム孔を設けておき、液体回収部材６０’に吸収された液体を、そのバキューム孔から回収するようにしてもよい。

以上説明したように、液体ＬＱを吸収可能な液体回収部材６０’を基板ホルダＰＨ上に載置することで、基板ホルダＰＨと対向する位置に設けられたノズル部材７０に残留した液体ＬＱを回収することができる。これにより、残留した液体ＬＱに起因するノズル部材７０の汚染を防止することができる。また、液体回収部材６０’は、ノズル部材７０の近傍に設けられている第１光学素子ＬＳ１に残留した液体ＬＱも回収することができる。もちろん、液体回収部材６０’を使って基板ホルダＰＨ上に残留した液体ＬＱも回収することができる。

なお第４実施形態においては、第３の実施形態で説明した多孔質部材からなる液体回収部材６０’を用いているが、第１、第２の実施形態で説明した液体回収部材６０を用いることも可能である。その場合、搬送装置１５０は、ノズル部材７０の下面７０Ａと液体回収部材６０の液体吸収部材６２とが対向するように、液体回収部材６０を搬送する。あるいは、基材６１の両面に液体吸収部材６２を固定してもよい。

なお本実施形態のノズル部材７０は液体供給口１２及び液体回収口２２の両方を有しているが、液体供給口１２及び液体回収口２２のいずれか一方を有するノズル部材に残留した液体ＬＱを回収するときにも、液体回収部材６０’（６０）を用いることができる。また、ノズル部材７０の下面７０Ａに液体供給口、液体回収口のいずれもが形成されていない場合であっても、ノズル部材７０の下面７０Ａに残留した液体を液体回収部材６０’（６０）を用いて回収（除去）することができる。

なお、第４の実施形態において、ノズル部材７０に液体ＬＱが残留しているか否かを検出する検出装置を設け、その検出結果に基づいて、ノズル部材７０に液体ＬＱが残留していると判断したとき、液体回収部材６０’（６０）を使って、ノズル部材７０に残留した液体ＬＱを回収するようにしてもよい。

なお本実施形態においては、制御装置ＣＯＮＴは、基板ホルダＰＨに載置された液体回収部材６０’（６０）とノズル部材７０とを接触（又は接近）させているが、液体回収部材６０’を基板ホルダＰＨに載置せずに、搬送装置１５０に保持された液体回収部材６０’とノズル部材７０とを接触（又は接近）させるようにしてもよい。この場合、制御装置ＣＯＮＴは、搬送装置１５０の位置を制御して、ノズル部材７０に対して液体回収部材６０を相対移動させることができる。

なお、上述した各実施形態において、液体回収部材６０（６０’）は、基板Ｐとほぼ同じ大きさ及び形状を有しているが、基板ホルダＰＨに載置可能であって搬送装置１５０で搬送可能であれば、その大きさ及び形状の少なくとも一方は、基板Ｐと異なっていてもよい。

上述の各実施形態においては、搬送装置１５０が液体回収部材６０（６０’）を搬送しているが、露光装置ＥＸのメンテナンス時に、オペレータが液体回収部材６０（６０’）を基板ホルダＰＨに載置してもよい。

なお、液体回収部材６０（６０’）のうち、基板ホルダＰＨや基板ステージＰＳＴの上面５１と接触する部分に、塩化コバルト等の試薬を塗布しておくことにより、液体回収部材６０が液体ＬＱを回収したか否かを確認することができる。あるいは、紙等の繊維物からなる液体吸収部材６２に塩化コバルトをしみ込ませておいてもよい。塩化コバルトをしみ込ませた紙（繊維物）は、乾燥状態では水色であり、濡れるとピンク色となるため、液体回収部材６０が液体ＬＱを吸収したか否かを視覚的に確認することができる。

なお、上述の実施形態の搬送装置１５０は、基板ホルダＰＨに対して基板Ｐをロード及びアンロード可能であるとともに、液体回収部材６０（６０’）をロード及びアンロード可能であるが、基板ホルダＰＨに対して基板Ｐをロード及びアンロードする搬送装置と、基板ホルダＰＨに対して液体回収部材６０をロード及びアンロードする搬送装置とが別の搬送装置であってもよい。あるいは、基板ホルダＰＨに対して基板Ｐ及び液体回収部材６０をロード可能な搬送装置と、基板ホルダＰＨより基板Ｐ及び液体回収部材６０をアンロード可能な搬送装置とが別の搬送装置で構成されていてもよい。

なお、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬの光学素子ＬＳ１の下面ＬＳＡ、及びノズル部材７０の下面７０Ａのそれぞれは平坦面となっており、これら投影光学系ＰＬの光学素子ＬＳ１の下面ＬＳＡとノズル部材７０の下面７０Ａとはほぼ面一となっている。また、上述したように、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐの上面と基板ステージＰＳＴの上面５１とは面一となっている。したがって、ノズル部材７０の下面７０Ａ及び光学素子ＬＳ１の下面ＬＳＡと、基板Ｐの上面及び基板ステージＰＳＴの上面５１との間に液浸領域ＡＲ２を良好に形成することができる。また、上面５１を設けたことにより、基板Ｐの周縁部を液浸露光するときにおいても、投影光学系ＰＬの像面側に液体ＬＱを保持して液浸領域ＡＲ２を良好に形成することができる。

また、光学素子ＬＳ１のうち液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱに接触する液体接触面（下面ＬＳＡを含む）は、液体ＬＱに対して親液性であることが好ましい。また、ノズル部材７０のうち液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱに接触する液体接触面（下面７０Ａを含む）も、液体ＬＱに対して親液性であることが好ましい。上記光学素子ＬＳ１やノズル部材７０の液体接触面を親液性にするために、本実施形態においては、例えばＭｇＦ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等の親液性材料を前記液体接触面に被覆する親液化処理が施されている。一方、基板ステージＰＳＴの上面５１は、液体ＬＱに対して撥液性であることが好ましい。基板ステージＰＳＴの上面５１を撥液性にするために、本実施形態においては、例えばフッ素系樹脂材料あるいはアクリル系樹脂材料等の撥液性材料を前記液体接触面に被覆する撥液化処理が施されている。ここで、光学素子ＬＳ１、ノズル部材７０、基板ステージＰＳＴ等に設ける材料としては、液体ＬＱに対して非溶解性の材料が用いられる。また、基板Ｐのうち、基材（半導体ウエハ等）上に被覆されている感光材としては、液体ＬＱに対して撥液性を有する材料が使用されているため、基板Ｐの上面も、液体ＬＱに対して撥液性を有している。基板Ｐの上面や基板ステージＰＳＴの上面５１を撥液性にすることで、液浸領域ＡＲ２を良好に維持できるとともに、基板Ｐの上面や基板ステージＰＳＴの上面５１に液体ＬＱが残留する不都合を防止できる。

なお、基板ステージＰＳＴの凹部５０に配置されている基板ホルダＰＨは、基板ステージＰＳＴと一体的に形成されていてもよいし、基板ステージＰＳＴとは別々に形成して、基板ステージＰＳＴに着脱可能に配置してもよい。また、基板ステージＰＳＴの上面（平坦部）５１は、基板ステージＰＳＴと一体的に形成されているが、基板ステージＰＳＴの上面を着脱可能な別部材で形成することもできる。
また、ノズル部材７０などの液浸機構１の構造は、上述のものに限られず、例えば、欧州特許公開第１４２０２９８号公報、国際公開第２００４／０５５８０３号公報、国際公開第２００４／０５７５８９号公報、国際公開第２００４／０５７５９０号公報、国際公開第２００５／０２９５５９号公報に記載されているものも用いることができる。

上述したように、本実施形態における液体ＬＱは純水である。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上の感光材や光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの上面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。

そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。

本実施形態では、投影光学系ＰＬの先端に光学素子（レンズ）ＬＳ１が取り付けられており、このレンズにより投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系ＰＬの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板であってもよい。

なお、液体ＬＱの流れによって生じる投影光学系ＰＬの先端の光学素子と基板Ｐとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。

なお、本実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐの上面との間は液体ＬＱで満たされている構成であるが、例えば基板Ｐの上面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体ＬＱを満たす構成であってもよい。
また上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬの光学素子ＬＳ１の光射出側の光路空間を液体ＬＱで満たす露光装置について説明しているが、他の光路空間を液体（水）で満たすようにしてもよい。例えば、国際公開第２００４／０１９１２８号に開示されているように、第１光学素子ＬＳ１の光入射側の光路空間も液体（純水）で満たすようにしてもよい。

なお、本実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ_２レーザである場合、このＦ_２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ_２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ（基材）の上面に塗布されている感光材に対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。この場合も表面処理は用いる液体ＬＱに応じて行われる。

なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。また、上記実施形態では投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。

また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。

更に、特開平１１−１３５４００号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。

また、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報や特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような、基板表面全体を液浸した状態で基板の露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

基板ステージＰＳＴやマスクステージＭＳＴにリニアモータ（米国特許５，６２３，８５３または米国特許５，５２８，１１８参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージＰＳＴ、ＭＳＴは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。

各ステージＰＳＴ、ＭＳＴの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージＰＳＴ、ＭＳＴを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージＰＳＴ、ＭＳＴに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージＰＳＴ、ＭＳＴの移動面側に設ければよい。

基板ステージＰＳＴの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報（米国特許５，５２８，１１８）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。

マスクステージＭＳＴの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−３３０２２４号公報（米国特許第５，８７４，８２０）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

Claims (22)

1. 基板ホルダに保持された基板を液体を介して露光する露光装置のメンテナンス方法において、
   液体を吸収可能な所定部材を前記基板ホルダ上に載置することを特徴とする露光装置のメンテナンス方法。
2. 前記所定部材を使って前記基板ホルダ上に残留した液体を回収する請求項１記載のメンテナンス方法。
3. 前記所定部材は前記基板とほぼ同じ大きさ及び形状を有する請求項１又は２記載のメンテナンス方法。
4. 前記所定部材を搬送装置を使って前記基板ホルダに搬送する請求項１〜３のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
5. 前記所定部材は、基材とその基材の一方の面に設けられた液体吸収部材とを有し、
   前記液体吸収部材と前記基板ホルダとを接触させる請求項１〜４のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
6. 前記液体吸収部材は前記基材のエッジ部よりも外側にはみ出している請求項５記載のメンテナンス方法。
7. 前記基板ホルダを移動可能なステージを有し、
   前記ステージは前記基板ホルダの周囲に設けられた上面を有し、
   前記所定部材を使って前記上面の液体も回収する請求項１〜６のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
8. 前記基板ホルダと対向する位置に設けられた液体供給口及び液体回収口の少なくとも一方を有するノズル部材を有し、
   前記所定部材を使って前記ノズル部材に残留した液体を回収する請求項１〜７のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
9. 基板ホルダに保持された基板を液体を介して露光する露光装置において、
   液体を吸収可能な所定部材を前記基板ホルダに搬送する搬送装置を備えたことを特徴とする露光装置。
10. 前記搬送装置は、前記基板ホルダ上に残留した液体を回収するために、前記所定部材を搬送する請求項９記載の露光装置。
11. 前記所定部材は前記基板とほぼ同じ大きさ及び形状を有する請求項９又は１０記載の露光装置。
12. 前記所定部材は、基材とその基材の一方の面に設けられた液体吸収部材とを有する請求項９〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
13. 前記液体吸収部材は前記基材のエッジ部よりも外側にはみ出している請求項１２記載の露光装置。
14. 前記液体吸収部材は繊維物を含む請求項１２又は１３記載の露光装置。
15. 前記所定部材は多孔質部材を含む請求項９〜１４のいずれか一項記載の露光装置。
16. 前記基板ホルダ上に液体が有るか否かを検出する検出装置と、
    前記検出装置の検出結果に基づいて、前記搬送装置を制御する制御装置とを備えた請求項９〜１５のいずれか一項記載の露光装置。
17. 前記基板ホルダに搬送された前記所定部材を使って、前記基板ホルダと対向する位置に設けられた液体供給口及び液体回収口の少なくとも一方を有するノズル部材に残留した液体を回収する請求項９〜１６のいずれか一項記載の露光装置。
18. 請求項９〜請求項１７のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
19. 液体を介して露光される基板を保持する基板ホルダ上に載置されることにより、前記基板ホルダ上に残留した液体を吸収することを特徴とする液浸露光装置のメンテナンス用の液体回収部材。
20. 前記基板とほぼ同じ大きさ及び形状を有する請求項１９記載の液体回収部材。
21. 基材とその基材の一方の面に設けられた液体吸収部材とを有し、
    前記液体吸収部材は前記基材のエッジ部よりも外側にはみ出している請求項１９又は２０記載の液体回収部材。
22. 前記基板上に液体を供給する供給口及び液体を回収する回収口の少なくとも一方を有するノズル部材に接触されることにより、前記ノズル部材に残留した液体を吸収する請求項１９〜２１のいずれか一項記載の液体回収部材。

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