TWI327587B - Silsesquioxane compound mixture, method of making, resist composition, and patterning process - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 157
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 139
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 126
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 125
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 120
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 111
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 92
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 84
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 78
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 76
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 59
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- -1 branched Chemical group 0.000 claims description 54
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 54
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 50
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 44
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 44
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 41
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 41
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 39
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 38
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 37
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 35
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 claims description 35
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 claims description 34
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 34
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 34
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 32
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 29
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 28
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 28
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 claims description 28
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 27
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 26
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 23
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 21
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 19
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229930004725 sesquiterpene Natural products 0.000 claims description 18
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 150000004354 sesquiterpene derivatives Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 13
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 12
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 11
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 11
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 7
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 claims description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims description 3
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 claims description 2
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 claims description 2
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 claims description 2
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 claims description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000000686 lactone group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 claims 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000019568 aromas Nutrition 0.000 claims 1
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 62
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 43
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 230000006870 function Effects 0.000 description 23
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 23
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 15
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000002596 lactones Chemical group 0.000 description 12
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 10
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 8
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 7
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 4
- SUSQOBVLVYHIEX-UHFFFAOYSA-N phenylacetonitrile Chemical compound N#CCC1=CC=CC=C1 SUSQOBVLVYHIEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical compound C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 3
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical group CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LXOFYPKXCSULTL-UHFFFAOYSA-N 2,4,7,9-tetramethyldec-5-yne-4,7-diol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#CC(C)(O)CC(C)C LXOFYPKXCSULTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJEAMHAFPYZYDE-UHFFFAOYSA-N [C].[S] Chemical compound [C].[S] GJEAMHAFPYZYDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M benzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- CSYSRRCOBYEGPI-UHFFFAOYSA-N diazo(sulfonyl)methane Chemical compound [N-]=[N+]=C=S(=O)=O CSYSRRCOBYEGPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021453 onion ring Nutrition 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 2
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920000734 polysilsesquioxane polymer Polymers 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004060 quinone imines Chemical group 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical class C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZFEAYIKULRXTAR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfanium;chloride Chemical compound [Cl-].C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZFEAYIKULRXTAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 2
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 2
- BNJMRELGMDUDDB-UHFFFAOYSA-N $l^{1}-sulfanylbenzene Chemical compound [S]C1=CC=CC=C1 BNJMRELGMDUDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMGVPDQNPUQRND-UHFFFAOYSA-N (2-methylphenyl)acetonitrile Chemical compound CC1=CC=CC=C1CC#N WMGVPDQNPUQRND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEAWBIDPFZUIJL-UHFFFAOYSA-N (diphenyl-$l^{3}-sulfanyl)benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1[S](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MEAWBIDPFZUIJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-heptadecafluorooctane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PRAYXKGWSGUXQK-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethoxypropan-2-ol Chemical compound COC(OC)C(C)O PRAYXKGWSGUXQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICKAEAFPESRWOT-UHFFFAOYSA-N 1,2,2,3,3,4,5,5,6,6-decafluoro-4-(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)cyclohexane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C1(F)F ICKAEAFPESRWOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTTATHOUSOIFOQ-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,6,7,8,8a-octahydropyrrolo[1,2-a]pyrazine Chemical compound C1NCCN2CCCC21 FTTATHOUSOIFOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical class NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPNYBOIKZZNEKC-UHFFFAOYSA-N 1-(2,3-dimethylphenyl)sulfanyl-2,3-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(SC=2C(=C(C)C=CC=2)C)=C1C KPNYBOIKZZNEKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBDUIEKYVPVZJH-UHFFFAOYSA-N 1-ethylsulfonylethane Chemical compound CCS(=O)(=O)CC MBDUIEKYVPVZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOXYWLRAKCDQL-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-[(4-methylphenyl)sulfonylmethylsulfonyl]benzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)CS(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 XLOXYWLRAKCDQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYDNBUBMBZRNQQ-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-methylsulfonylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(S(C)(=O)=O)C=C1 YYDNBUBMBZRNQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Natural products C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZJRKRQSDZGHEC-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoro-1-phenylethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=CC=C1 KZJRKRQSDZGHEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGMDYIYCKWMWLY-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(F)(F)F XGMDYIYCKWMWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRMVLDNAIGLSPI-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethyl-4-(4-methylphenyl)sulfonylpentan-3-one Chemical compound CC(C)(C)C(=O)C(C)S(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 NRMVLDNAIGLSPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKMBXKGUMLSBOT-UHFFFAOYSA-M 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F IKMBXKGUMLSBOT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YHGKEORTCHVBQH-UHFFFAOYSA-M 2,4,6-tri(propan-2-yl)benzenesulfonate Chemical compound CC(C)C1=CC(C(C)C)=C(S([O-])(=O)=O)C(C(C)C)=C1 YHGKEORTCHVBQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HTQOYBCQHJDPGM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylethylsulfanyl)cyclopentan-1-one Chemical compound O=C1C(CCC1)SCCC1=CC=CC=C1 HTQOYBCQHJDPGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUFRHBUECIEJCK-UHFFFAOYSA-N 2-(benzenesulfonyl)propan-2-ylsulfonylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C(C)(C)S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 LUFRHBUECIEJCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYPNWHKJDVRBBU-UHFFFAOYSA-N 2-(naphthalen-2-ylsulfonylmethylsulfonyl)naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(S(=O)(CS(=O)(=O)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)=O)=CC=C21 CYPNWHKJDVRBBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005133 29Si NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- NUYADIDKTLPDGG-UHFFFAOYSA-N 3,6-dimethyloct-4-yne-3,6-diol Chemical compound CCC(C)(O)C#CC(C)(O)CC NUYADIDKTLPDGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGDJOFDNZUXEMG-UHFFFAOYSA-N 4,6-dimethylnonan-5-one Chemical compound CCCC(C)C(=O)C(C)CCC YGDJOFDNZUXEMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLTPXEAFDJVHSN-UHFFFAOYSA-N 4-(trifluoromethyl)benzenesulfonic acid Chemical class OS(=O)(=O)C1=CC=C(C(F)(F)F)C=C1 RLTPXEAFDJVHSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSTCPNFNKICNNO-UHFFFAOYSA-N 4-nitrosophenol Chemical compound OC1=CC=C(N=O)C=C1 JSTCPNFNKICNNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000234282 Allium Species 0.000 description 1
- 235000002732 Allium cepa var. cepa Nutrition 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- XNCOSPRUTUOJCJ-UHFFFAOYSA-N Biguanide Chemical compound NC(N)=NC(N)=N XNCOSPRUTUOJCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940123208 Biguanide Drugs 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQUGFDFBSJFPBC-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C1(OCCO1)CCOS(=O)(=O)CC1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1(OCCO1)CCOS(=O)(=O)CC1=CC=CC=C1 DQUGFDFBSJFPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBAKGSQVBIMXFA-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12.C12CCC(CC1)C2 Chemical group C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12.C12CCC(CC1)C2 NBAKGSQVBIMXFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUTWNNRXWNWGO-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)OC1=C(C=C(C=C1)C2=C(C(=CC=C2)SC3=CC=CC(=C3C4=CC(=C(C=C4)OC(C)(C)C)OC(C)(C)C)C5=CC(=C(C=C5)OC(C)(C)C)OC(C)(C)C)C6=CC(=C(C=C6)OC(C)(C)C)OC(C)(C)C)OC(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)OC1=C(C=C(C=C1)C2=C(C(=CC=C2)SC3=CC=CC(=C3C4=CC(=C(C=C4)OC(C)(C)C)OC(C)(C)C)C5=CC(=C(C=C5)OC(C)(C)C)OC(C)(C)C)C6=CC(=C(C=C6)OC(C)(C)C)OC(C)(C)C)OC(C)(C)C CPUTWNNRXWNWGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQSNLPMXWCPEQS-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)OC1=CC=C(C=C1)C2=C(C(=CC=C2)SC3=CC=CC(=C3C4=CC=C(C=C4)OC(C)(C)C)C5=CC=C(C=C5)OC(C)(C)C)C6=CC=C(C=C6)OC(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)OC1=CC=C(C=C1)C2=C(C(=CC=C2)SC3=CC=CC(=C3C4=CC=C(C=C4)OC(C)(C)C)C5=CC=C(C=C5)OC(C)(C)C)C6=CC=C(C=C6)OC(C)(C)C JQSNLPMXWCPEQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 102100037802 Deoxyribose-phosphate aldolase Human genes 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N Ferrous sulfide Chemical compound [Fe]=S MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000950709 Homo sapiens Deoxyribose-phosphate aldolase Proteins 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDURJWAOXLNXCM-UHFFFAOYSA-N O=C1CCCCC1SCC1CCCCC1 Chemical compound O=C1CCCCC1SCC1CCCCC1 JDURJWAOXLNXCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002675 Polyoxyl Polymers 0.000 description 1
- 229910021603 Ruthenium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- AVRWEULSKHQETA-UHFFFAOYSA-N Thiophene-2 Chemical compound S1C=2CCCCCC=2C(C(=O)OC)=C1NC(=O)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F AVRWEULSKHQETA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008938 W—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- UBXNHXPBVLPWHK-UHFFFAOYSA-N [Ti].CC(=O)C.C(C)#N Chemical compound [Ti].CC(=O)C.C(C)#N UBXNHXPBVLPWHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLFUQIIGNDCPKW-UHFFFAOYSA-N [[cyano(phenyl)methylidene]amino] 4-chlorobenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1S(=O)(=O)ON=C(C#N)C1=CC=CC=C1 YLFUQIIGNDCPKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMBCUZJGJVCPSD-UHFFFAOYSA-N [[cyano(phenyl)methylidene]amino] 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)ON=C(C#N)C1=CC=CC=C1 LMBCUZJGJVCPSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEYLCDIPKBCBGC-UHFFFAOYSA-N [[cyano(phenyl)methylidene]amino] 4-nitrobenzenesulfonate Chemical compound C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)ON=C(C#N)C1=CC=CC=C1 BEYLCDIPKBCBGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQNGNUIKCJKKLB-UHFFFAOYSA-N [benzhydrylsulfanyl(phenyl)methyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)SC(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QQNGNUIKCJKKLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUVYSBJZBYRDHP-UHFFFAOYSA-N acetic acid;methoxymethane Chemical compound COC.CC(O)=O TUVYSBJZBYRDHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JABXMSSGPHGCII-UHFFFAOYSA-N acetic acid;propane-1,2-diol Chemical compound CC(O)=O.CC(O)CO JABXMSSGPHGCII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005036 alkoxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021398 atomic carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- NIDNOXCRFUCAKQ-UHFFFAOYSA-N bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2,3-dicarboxylic acid Chemical compound C1C2C=CC1C(C(=O)O)C2C(O)=O NIDNOXCRFUCAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-M butane-1-sulfonate Chemical compound CCCCS([O-])(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FQCCUJCXDHHBOH-UHFFFAOYSA-H butanedioate;yttrium(3+) Chemical compound [Y+3].[Y+3].[O-]C(=O)CCC([O-])=O.[O-]C(=O)CCC([O-])=O.[O-]C(=O)CCC([O-])=O FQCCUJCXDHHBOH-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- YFNONBGXNFCTMM-UHFFFAOYSA-N butoxybenzene Chemical group CCCCOC1=CC=CC=C1 YFNONBGXNFCTMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N camphorsulfonic acid Chemical compound C1CC2(CS(O)(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical group 0.000 description 1
- 125000006841 cyclic skeleton Chemical group 0.000 description 1
- 125000004855 decalinyl group Chemical group C1(CCCC2CCCCC12)* 0.000 description 1
- DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N decane Chemical group CCCCCCCCC[14CH3] DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012973 diazabicyclooctane Substances 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- JSCSXXPBPXQSAY-UHFFFAOYSA-N ethyl cyclohexanesulfonate Chemical compound CCOS(=O)(=O)C1CCCCC1 JSCSXXPBPXQSAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002496 iodine Chemical class 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- OCVXZQOKBHXGRU-UHFFFAOYSA-N iodine(1+) Chemical compound [I+] OCVXZQOKBHXGRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 1
- TUKWYJVGKNCDJJ-UHFFFAOYSA-N n-(2,2,2-trifluoro-1-phenylethylidene)hydroxylamine Chemical compound ON=C(C(F)(F)F)C1=CC=CC=C1 TUKWYJVGKNCDJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HURSIASBWGCKKE-UHFFFAOYSA-N naphthalene naphthalene-1-carboxylic acid Chemical compound C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C(=O)O.C1=CC=CC2=CC=CC=C12 HURSIASBWGCKKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005146 naphthylsulfonyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)S(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROMWNDGABOQKIW-UHFFFAOYSA-N phenyliodanuidylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I-]C1=CC=CC=C1 ROMWNDGABOQKIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRIOVPPHQSLHCZ-UHFFFAOYSA-N propiophenone Chemical compound CCC(=O)C1=CC=CC=C1 KRIOVPPHQSLHCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007152 ring opening metathesis polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- LJZVDOUZSMHXJH-UHFFFAOYSA-K ruthenium(3+);triiodide Chemical compound [Ru+3].[I-].[I-].[I-] LJZVDOUZSMHXJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 125000004084 sesquiterpene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC(C)(C)C JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-M toluene-4-sulfonate Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000005147 toluenesulfonyl group Chemical group C=1(C(=CC=CC1)S(=O)(=O)*)C 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
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1327587 Ο) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種倍半矽氧烷系化合物混合物之製造 方法,其係於側鏈具有龐大的取代基且縮合度實質上以更 高的比率含有100% (於矽原子上實質上不存在矽烷醇基 (OH基)之狀態)的倍半矽氧烷型化合物(以下,有時 稱爲SSQ)。又,進一步關於在半導體元件等之製造步驟 中的微細加工所使用的正型材料、尤其關於適宜作爲化學 增幅正型光阻組成物的基材樹脂之倍半矽氧烷系化合物混 合物、及適宜於使用紫外線、KrF準分子雷射光(248nm )、ArF準分子雷射光(193nm ) 、F2雷射光(157nm ) 、電子束、X線等之高能量線作爲曝光光源時之正型光阻 組成物、特別係關於化學增幅正型光阻組成物及圖型形成 方法。 【先前技術】 隨LSI之高積體化與高速度化,圖型尺寸之微細化急 速進展。光微影技術係藉由合併此微細化,光源之短波長 化與對其之光阻組成物之適當選擇,可達成微細圖型的形 成。成爲其中心者係以單層使用之正型光阻組成物。此單 層正型光阻組成物係對於以氯系或氟系之氣體電漿所產生 的蝕刻,於光阻樹脂中具有一具耐蝕刻性之骨架,且具有 如曝光部溶解之光阻機構,而使曝光部溶解而形成圖型, 以所殘存之光阻圖型作爲蝕刻掩罩而蝕刻加工一塗布有光 -6- (2) 1327587 阻組成物的被加工基板。 但,所使用之光阻膜的膜厚直接微細化,亦即 圖型幅時,光阻膜之解析性能會降低,又若欲以顯 光阻膜進行圖型顯影,所謂長寬比會過大,結果引 崩壞。因此,伴隨微細化,光阻膜厚被薄膜化。另 曝光波長之短波長化使用於光阻組成物之樹脂,係 光波長之光吸收小的樹脂,對於i線、KrF、ArF之 變化成酚醛清漆樹脂、聚羥基苯乙烯、丙烯酸系樹 實上對於上述蝕刻條件之蝕刻速度係變成很快者。 ,必須以更薄更耐蝕刻性之弱光阻膜蝕刻被加工基 阻膜之耐蝕刻性的確保成爲當務之急。 另外,對於加工被加工基板之蝕刻條件,係耐 弱,但可形成微細圖型之光阻膜、具有用以加工被 板之耐蝕刻性、且光阻膜具有耐性之條件使用一可 型的中間膜,光阻圖型暫時轉印成中間膜,進一步 型轉印之中間膜作爲蝕刻掩罩而蝕刻加工被加工基 法,所謂多層光阻法自以往已被開發。代表性之方 用一於光阻組成物含有矽之樹脂,於中間膜使用芳 的樹脂之方法,若依此方法,形成含矽之樹脂的圖 若進行氧-反應性離子蝕刻,矽樹脂係於氧電漿成 刻性高之氧化矽,同時芳香族系之樹脂係於無氧化 刻掩罩之處,容易地被蝕刻除去,矽樹脂之圖型被 芳香族系之樹脂層。此芳香族系樹脂係與單層光阻 形相異,光之透過性係完全求不出,故可廣泛使用 更縮小 影液使 起圖型 外,藉 尋求曝 變化, 脂,現 從此事 板,光 蝕刻性 加工基 形成圖 以被圖 板之方 法係使 香族系 型後, 爲耐倉虫 矽之蝕 轉印於 膜之情 對氟系 (3) 1327587 或氯系氣體電漿耐蝕刻性高者。進一步藉由以此芳香族系 . 樹脂作爲蝕刻掩罩,而可藉氟系或氯系氣體電漿蝕刻加工 被加工基板。 *' 於此2層光阻法所使用之代表性樹脂爲聚倍半矽氧烷 . 類。負型之化.學增幅光阻組成物係可使用一具有於鹼性顯 * 影液顯示溶解性之側鏈且使聚倍半矽氧烷與交聯劑及光酸 產生劑組合者,又,正型之化學增幅光阻組成物一般可使 φ 用一具有被酸不安定基保護之酸性側鏈之聚倍半矽氧烷與 光酸產生劑組合者。但,聚倍半矽氧烷類係可藉3價之矽 烷單體的縮合反應調整,但藉一般之合成法得到時,因殘 留相當量之矽烷醇基’故含有此之組成物係於保存安定性 *' 上有問題。 - 實質上不具有矽烷醇基亦即縮合度實質上爲100%之 倍半矽氧烷類的代表例爲籠型之倍半矽氧烷,一般已知有 6聚體至12聚體’比較易取得之8聚體有時稱爲POSSt ® 合物。使用此p〇ss化合物之圖型形成材料已報告於特開 20〇4-212983號公報(專利文獻丨),此處係以具有氫作 •爲取代基之P 0 S S化合物作爲原料,再導入側鏈之方法合 .成光阻組成物。 \ 縮合率1〇〇%之SSQ化合物(倍半砂氧烷系化合物) 之骨架構造的例係可舉例從下述所示之6聚體至12聚體 ; 構造等。 • 8 - 1327587
(此處,各頂點係分別含有丨個取代基之矽原子,各邊係 Si-0-Si 鍵)
另外’含有院基之3官能性矽化合物的縮合物(SSQ )係就有機-無機複合材料而言倍受囑目,成爲實際廣泛 的應用’被使用於上述之2層光阻用的基材聚合物等,但 如上述般’水解性基之矽烷醇或烷氧基殘存,故在保存安 定性上有問題,其改善成爲課題。可期待成爲解決此不安 定性之材料,如下述所示般,有關具有極至構造之縮合率 100%的8聚體(POSS化合物)已有—些報告,製造方法 亦爲已知,但其大部份在鹼觸媒存在下進行長時間之平衡 化反應’利用縮合率100%的8聚體之結晶性高者,選擇 適當的溶劑作爲反應溶劑,俾可選取從系內結晶化、分離 之方法。此時’生成物之縮合率100%的8聚體進行結晶 化而除去至反應系外所產生之平衡移動,但基本上即使於 反應系中水共存之條件亦充分進行縮合,必須選擇一具有 可形成8聚體之程度的比較小取代基之起始物質。尤其, 從結晶化高度成爲單離精製之決定因素,故亦不限定於可 導入之取代基,又,於別種之取代基的導入係必須有複雜 的步驟。 -9- 1327587
【化2] A.
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Si—-〇—Si. 或,另外被報告之方法係依習知之方法爲不完全的縮 合狀態,另外暫時取出更高分子量之SSQ的聚合物,再使 用大量之鹼觸媒而變換成籠型構造之方法(專利文獻2: 特表2003 -5 1 03 3 7號公報),但特別係就高分子而言如無 -10 - (6) (6)1327587 法暫時取出且適用於一具有縮合性低且龐大側鏈的單體係 未爲人知。 此外,自以往,s S Q材料之製造方法已知係使以鹼作 爲觸媒的縮合反應在100°C以上之高溫長時間進行。又, 本發明人等發現使此縮合反應以2階段亦即第1段之水解 得到之矽之部分水解物後,除去藉濃縮、單離所產生的醇 及多餘的水分’進一步’在第2段中係使鹼觸媒量相對於 單體單元大量使用達10%以上,俾可得到縮合度比較高的 高分子量化合物(專利文獻3:特開2004_354417號公報) 〇 專利文獻1:特開2004-2 1 2983號公報 專利文獻2:特表2003-5 1 0337號公報 專利文獻3:特開20〇4-3 544 1 7號公報 【發明內容】 (發明之揭示) (發明欲解決之問題) 本發明係基於如此之背景,目的在於提供一種製造倍 半砂氧院系化合物混合物之方法,倍半矽氧烷系化合物混 合物係具有習知之矽烷醇基作爲官能基的SSQ材料,具有 提升此SSQ材料之安定性’可適用於擁有龐大側鏈之起始 物質’於第1階段導入複數相異之取代基時亦可適用,且 實質上縮合度爲100%之SSQ材料的存在比高者。 進一步,就該化合物混合物之重要用途,目的在於提 -11 - (7) 1327587 供一種倍半矽氧烷系化合物混合物,其係可使用於正型光 阻組成物、尤其化學增幅正型光阻組成物,且實質上具有 100%之縮合度之倍半矽氧烷類的存在比高者;進一步, 目的在於提供一種使用其等之正型光阻組成物以及使用此 光阻組成物之圖型形成方法。 \|7 段 手 之 題 問 決 解 以 用 • 使用poss之圖型形成方法係如上述般已揭示於專利 文獻1中,但所揭示之方法亦即對POSS化合物導入功能 性官能基之方法中,欲導入立體上龐大取代基作爲功能性 官能基時,不可能導入於全部的位置。又,將具有官能基 • 之倍半矽氧烷化合物衍生成poss化合物之想法雖已被揭 • 示,但有關其方法完全未被揭示。本先前技術係可圖型形 成之低介電率層形成用組成物,但求得更高之解析性作爲 光阻組成物時,若具有膜形成材料之Tg低,從圖型形成 # 時之酸擴散長變大等之原因,必須提昇Tg某種程度,宜 更提升取代基龐大之取代基的比率,但就欲得到POSS化 合物之觀點係必須進行硏究,本發明人等硏究上述申請案 -後,進行提昇Tg之倍半矽氧烷系化合物混合物的GPC ( 凝膠滲透色層分析)後,發現對於考量上述8聚體之峯値 藉其他之方法所得到的混合物明顯地顯現之特徵,認爲此 ' 爲提升Tg之原因。但,即使調整揭示之方法的條件,就 提昇8聚體的混合比之觀點觀看時,對於習知法在GPC 圖上於8聚體之峯値可看出特徵之程度,效果有限。 -12- (8) (8)1327587 本發明人等爲達成一得到實質上具有100%縮合度之 倍半矽氧烷類的存在比高之倍半矽氧烷系化合物混合物之 目的,經專心硏究後,發現以2階段步驟進行一含有龐大 取代基之三烷氧基矽烷的縮合,若藉特定之方法進行其第 2階段的反應,品質上可提升生成物之S S Q聚合物混合物 中的縮合度實質上如爲1 〇〇%之成分的比率,終達成本發 明。此成分之生成比率係依條件而進行變化,但藉由使初 期之水分量與鹼觸媒的種類、反應途中之水分的除去方法 最適化,俾可使此成分之含有率爲50%以上,又,藉添加 水分而繼續縮合,俾100%縮合成分量有增加上來之傾向 ,亦一倂發現此生成物具有熱力學上安定的構造者。 又,藉由適用上述方法,在公知之POSS化合物的合 成法中雖無法得到,但與具有高Tg同時地,可設計對基 板等之密著性或對鹼水溶液之溶解性的開關功能等之功能 ,同時並導入,可得到可用來作爲光阻組成物成分之倍半 矽氧烷縮合物者。 亦即,本發明係提供下述倍半矽氧烷系化合物混合物 及其製造方法,以及使用其之光阻組成物與圖型之形成方 法。 第1項: 一種具有高含量之倍半矽氧烷系化合物混合物係於側 鏈具有龐大的取代基且縮合度實質上爲10 0%之倍半矽氧 烷型化合物的倍半矽氧烷系化合物混合物之製造方法,其 -13- (9) 1327587 特徵在於:使通式(1)之矽烷原料進行以酸或鹼作爲觸媒之 第1段的水解後,第2段之脫水縮合反應係對於上述矽烷 原料在0.5莫耳%以上的強鹼觸媒的存在下,伴隨因縮合 所產生的水除去至反應系外的操作,進行脫水縮合反應, 上述矽烷原料係含有一於以下述通式(1)
【化3】 Y X^Si-X3 X2 (1) (式中,Y係亦可具有官能基之碳數3〜20,與矽之結合部 位的原子係含有該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之原 子2個以上的結合之碳即脂肪族分枝狀、環狀或多環式構 造之有機基,或亦可具有官能基之碳數6〜18,於與矽之結 合部位的鄰接位上含有一具有氫原子及鹵原子以外之取代 基的芳香族構造之有機基,X1、X2、X3係分別獨立地表 示氫原子、鹵原子、碳數1〜6的直鏈狀 '分枝狀或環式之 烷氧基、或碳數6~ 10的芳氧基)所示之側鏈上具有龐大的 取代基之3官能性矽烷。 第2項: 如第1項之製造方法,其中在強鹼觸媒存在下進行之 第2段脫水縮合時,使用有機溶劑。 第3項: -14- (10) (10)1327587 一種具有高含量之側鏈具有龐大的取代基且縮合度實 質上爲1〇〇 %之倍半砂氧院型化合物的倍半矽氧烷系化合 物混合物之製造方法’其特徵在於:使通式(1)之矽烷原 料進行以酸或鹼作爲觸媒之第1段的水解後,第2段之脫 水縮合反應係對於上述矽烷原料在〇·5莫耳%以上的強鹼 觸媒的存在下,相對於以水解所得到之水解生成物量,使 用2倍以上之質量的有機溶劑,使因縮合所產生的水分移 至有機溶劑而進行脫水縮合反應’上述矽烷原料係含有一 於以下述通式(1) 【化4】 Υ X'-Si-X3 ⑴ X2 (式中,Y係亦可具有官能基之碳數3〜20,與矽之結合部 位的原子係含有該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之原 子2個以上的結合之碳即脂肪族分枝狀、環狀或多環式構 造之有機基,或亦可具有官能基之碳數6〜18,於與矽之結 合部位的鄰接位上含有一具有氫原子及鹵原子以外之取代 基的芳香族構造之有機基,X1、X2、X3係分別獨立地表 示氫原子、鹵原子、碳數1~6的直鏈狀、分枝狀或環式之 烷氧基、或碳數6~ 10的芳氧基)所示之側鏈上具有龐大的 取代基之3官能性矽烷。 第4項: -15- (11) 1327587 如第2或3項之製造方法,其中在強鹼觸媒存在下進 行之第2段脫水縮合時,使用可與水分離之有機溶劑。 ·' 第5項: . 如第1〜4項中任一項之製造方法,其中含有一從第2 ' 段之脫水縮合後的反應混合物,藉區隔處理除去低縮合成 分之步驟。 第6項: 如第5項之製造方法,其中區隔處理爲再沈澱法、管 柱分取、或GPC分取。 - 第7項: —種含有縮合度實質上爲10 0%之倍半矽氧烷型化合 物之倍半矽氧烷系化合物混合物,其特徵在於:使通式(1) φ 之矽院.原料進行以酸或鹼作爲觸媒之第1段的水解後,第 2段之脫水縮合反應係對於上述矽烷原料在0.5莫耳%以 •上的強鹼觸媒的存在下,伴隨因縮合所產生的水除去至反 • 應系外的操作,進行脫水縮合反應而得到,上述矽烷原料 係含有一於以下述通式(1) 【化5]
: Y X^Si-X3 (1) X2 (式中’ Y係亦可具有官能基之碳數3〜20,與矽之結合部 -16- (12) 1327587 位的原子係含有該矽以外具有與氫原子及 子2個以上的結合之碳即脂肪族分枝狀、 造之有機基,或亦可具有官能基之碳數6〜 合部位的鄰接位上含有一具有氫原子及鹵 . 基的芳香族構造之有機基’ X1、X2、X3 示氫(原子、_原子、碳數1〜6的直鏈狀、 烷氧基、或碳數6~ 10的芳氧基)所示之3 ; 第8項: 如第7項之倍半矽氧烷系化合物混合 在強鹼觸媒存在下進行之第2段脫水縮合 ' 劑而得到。 第9項: 一種含有縮合度實質上爲1〇〇%之倍 # 物之倍半矽氧烷系化合物混合物,其特徵 之矽烷原料進行以酸或鹼作爲觸媒之第1 2段之脫水縮合反應係對於上述矽烷原料 .上的強鹼觸媒的存在下,相對於以水解所 物量,使用2倍以上之質量的有機溶劑, 的水分移至有機溶劑而進行脫水縮合反應 : 烷原料係含有一於以下述通式(1) 鹵原子以外之原 環狀或多環式構 '1 8,於與矽之結 原子以外之取代 係分別獨立地表 分枝狀或環式之 官能性砂院。 物,其中進一步 時,使用有機溶 半矽氧烷型化合 在於:使通式(1) 段的水解後,第 在0.5莫耳%以 得到之水解生成 使因縮合所產生 而得到,上述矽 -17- 1327587 (13) 【化6】
Y X^Si-X3 (1) X2 (式中,Y係亦可具有官能基之碳數3〜20,與矽之結合部 位的原子係含有該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之原 子2個以上的結合之碳即脂肪族分枝狀、環狀或多環式構 造之有機基,或亦可具有官能基之碳數6~18,於與矽之結 合部位的鄰接位上含有一具有氫原子及鹵原子以外之取代 基的芳香族構造之有機基,X1、X2、X3係分別獨立地表 示氫原子、鹵原子、碳數1〜6的直鏈狀、分枝狀或環式之 烷氧基、或碳數6~ 10的芳氧基)所示之3官能性矽烷。 第1 〇項: 如第8或9項之倍半矽氧烷系化合物混合物,其中在 強鹼觸媒存在下進行之第2段脫水縮合時,依使用可與水 分離之有機溶劑的反應而得到。 第1 1項: 如第7〜10項中任一項之倍半矽氧烷系化合物混合物 ,其中經過一從第2段之脫水縮合後的反應混合物,藉區 隔處理除去低縮合成分之步驟而得到。 第12項: 如第7〜10項中任一項之倍半矽氧烷系化合物混合物 -18 - (14) (14)1327587 ,其中3官能性矽烷係使用一含有至少一種選自以下述通 式(2)所示之單體單元(A)及以下述通式(3)所示之單體單元 (B)之矽烷原料而得到者。 R] - SiX!3 (2) R2 - SiX23 (3) [式中’ R1係對分子賦予密著性之有機基,該分子係與矽 之結合部位的原子爲除該矽以外具有與氫原子及鹵原子以 外之原子2個以上的結合之碳,且,含有一包含氟之鹵素 、亦可含有氧或硫之碳數3〜20的脂肪族分枝狀、環狀或 多環式構造’或亦可具有官能基之碳數6~1 8,在與矽之結 合部位的鄰接位上含有一具有氫原子及鹵原子以外之取代 基的芳香族構造;R2係一種有機基,該有機基係與矽之結 合部位的原子爲除該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之 原子2個以上的結合之碳,且,氧分解性保護基保護作爲 官能基之分子上具有一去保護時可賦予鹼可溶性之基,該 官能基之外含有一亦可含有鹵素、氧或硫之碳數3 ~20的 脂肪族分枝狀、環狀或多環式構造,或亦可具有官能基之 碳數6〜18,在與矽之結合部位的鄰接位上含有一具有氫原 子及鹵原子以外之取代基的芳香族構造;進一步,χ\χ2 分別獨立地表示氫、鹵素 '或碳數1〜6之直鏈、分枝或環 狀之烷氧基] -19- (15) (15)1327587 第13項: 如第12項之倍半砂氧院系化合物混合物,其中含有 於單體單元(A)且可對分子賦予密著性之官能基構造,爲 選自:在具有羥基且進一步結合於該羥基結合之碳原子上 之1個或複數碳原子上合計結合3個以上之氟原子的構造 '较酸構造、酷性經基構造、及內醋環構造。 第14項: 如第12或13項之倍半矽氧烷系化合物混合物,其中 3官能性矽烷係使用一含有至少一種分別選自以上述通式 (2)所示之單體單元(A)及以上述通式(3)所示之單體單元 (B)之矽烷原料而得到者。 第15項: 一種倍半矽氧烷系化合物混合物,其係側鏈被取代7 5 莫耳%以上之縮合度實質上爲100%之倍半矽氧烷8聚體化 合物,以矽基準爲占有4〇莫耳%以上;該側鏈係選自:對 分子賦予密著性之有機基,該分子係與矽之結合部位的原 子爲除該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之原子2個以 上的結合之碳,且,含有一包含氟之鹵素、亦可含有氧或 硫之碳數3~20的脂肪族分枝狀、環狀或多環式構造,或 亦可具有官能基之碳數6~ 18,在與矽之結合部位的鄰接位 上含有一具有氫原子及鹵原子以外之取代基的芳香族構造 ;與’一種有機基,其係除該矽以外具有與氫原子及鹵原 -20- (16) (16)1327587 子以外之原子2個以上的結合之碳,且,含有一包含氟之 鹵素 '亦可含有氧或硫之碳數3〜2〇的脂肪族分枝狀、環 狀或多環式構造,或亦可具有官能基之碳數6〜18,在與矽 之結合部位的鄰接位上含有一具有氫原子及鹵原子以外之 取代基的芳香族構造’且以氧分解性保護基保護作爲官能 基之分子上具有一去保護時可賦予鹼可溶性之基。 第16項: 如第15項之倍半矽氧烷系化合物混合物,其中對分 子賦予密著性之官能基構造爲選自:在具有羥基且進一步 結合於該羥基結合之碳原子上之1個或複數碳原子上合計 結合3個以上之氟原子的構造、羧酸構造、酚性羥基構造 '及內酯環構造。 第17項: 如第15或16項之倍半矽氧烷系化合物混合物,其中 縮合度實質上爲100%之籠型倍半矽氧烷8聚體化合物, 以矽基準爲5 0莫耳%以上。 第18項: 如第15〜17項中任一項之縮合度實質上爲1〇〇%之倍 半矽氧烷系化合物混合物,其係側鏈之全部爲選自;一種 有機基,其係對分子賦予密著性之有機基’其與矽之結合 部位的原子爲除該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之原 -21 - (17) (17)1327587 子2個以上的結合之碳,且,含有一包含氟之鹵素、亦可 含有氧或硫之碳數3~20的脂肪族分枝狀、環狀或多環式 構造,或亦可具有官能基之碳數6~ 18,在與矽之結合部位 的鄰接位上含有一具有氫原子及鹵原子以外之取代基的芳 香族構造;與,一種有機基,其係除該矽以外具有與氫原 子及鹵原子以外之原子2個以上的結合之碳,且,含有一 包含氟之鹵素、亦可含有氧或硫之碳數3 ~20的脂肪族分 枝狀、環狀或多環式構造,或亦可具有官能基之碳數6〜18 ,在與矽之結合部位的鄰接位上含有一具有氫原子及鹵原 子以外之取代基的芳香族構造。 第1 9項: 一種正型光阻組成物,其特徵在於含有如第7〜18項 中任一項之倍半矽氧烷系化合物混合物。 第20項: 如第19項之正型光阻組成物,其中進一步爲含有有 機溶劑及酸產生劑之化學增幅型的光阻組成物。 第21項: 如第19或20項之正型光阻組成物,其中進一步含有 阻止溶解劑。 第22項: -22- (18) (18)1327587 如第1 9〜2 1項中任—項之正型光阻組成物,其中進— 步含有鹼性化合物及/或界面活性劑。 第23項: —種圖型形成方法,係包括如下步驟:使如第19〜22 項中任一項之正型光阻組成物塗布於基板上之步驟,然後 ’進行加熱處理之步驟,其後介由光罩而以波長3 〇〇nm以 下之量線或電子束進彳了曝光之步驟,依需要而進行加 熱處理之步驟’其後,使用顯影液而進行顯影之步驟。 第24項: 如第23項之光阻圖型形成方法,其中進一步,上述 顯影步驟後’含有一藉電漿蝕刻進行基板之加工的步驟。 (發明之效果) 若依本發明’可容易且確實地得到倍半矽氧烷系化合 物混合物’其係具有龐大取代基之縮合度實質上爲1〇〇% 之倍半矽氧烷型化合物的存在比高者。 進一步’依本反應所得到之倍半矽氧烷系化合物混合 物’係藉適切地選擇官能基,可形成一具有適合於正型光 阻組成物之功能性官能基的材料,此係以習知光阻組成物 用聚砂氧樹脂解決成爲問題之殘存的矽烷醇所造成之保存 安定性降低問題的材料。又,因容易地具有立體上龐大之 取代基’可以習知之聚矽氧光阻組成物解決成爲問題之 -23- (19) (19)1327587
Tg降低等的問題’並可改良光阻組成物具有之邊界解析 度等。 (用以實施發明之最佳形態) 首先’第1發明,說明有關可容易且確實地得到倍半 砍氧烷系化合物混合物之方法,倍半矽氧烷系化合物混合 物係具有龐大取代基之縮合度實質上爲100%之倍半矽氧 院化合物的存在比高者;及藉此所得到之倍半矽氧烷系化 合物混合物。 本發明之倍半矽氧烷系化合物之製造方法,係使用矽 烷原料’該矽烷原料係含有一於以下述通式(1) 【化7】
Y X1—Si-X3 ⑴ (式中,Y係亦可具有官能基之碳數3〜20,與矽之結合部 位的原子係含有該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之原 子2個以上的結合之碳即脂肪族分枝狀、環狀或多環式構 造之有機基,或亦可具有官能基之碳數6~ 18,於與矽之結 合部位的鄰接位上含有一具有氫原子及鹵原子以外之取代 基的芳香族構造之有機基,X1、X2' X3係分別獨立地表 示氫原子、鹵原子、碳數1〜6的直鏈狀、分枝狀或環式之 烷氧基、或碳數6〜10的芳氧基)所示之側鏈上具有龐大的 取代基之3官能性矽烷。又,使同樣之定義進行申請專利 -24- (20) 1327587 範圍及以下複數個處,但碳數之表記係有關骨架者 括官能基等之取代基所含有的碳數。 成爲基質之水解性矽烷的側鏈,立體上不龐大 ,具有與側鏈之矽結合的碳之鍵,與以氫及齒以外 之間者爲1個以下之側鏈者作爲主要原料時,在本 方法中優先地賦予高分子量體之傾向會變高,此方 生之效果係提昇系全體之縮合率,但實質上縮合率 %之倍半矽氧烷系化合物的存在比高者而言,係極 另外’矽烷原料與其側鏈之矽原子結合之碳,含有 、鹵素之原子與矽’且具有3個以上鍵時,尤其, 碳時’或脂肪族環狀’進而構成縮環式骨架之碳時 矽結合之碳爲構成芳香環之原子,且其鄰接位以氫 以外之取代基取代時,係可非常有效地使用,如此 能性矽烷的比率爲75莫耳%以上時,更宜爲95莫 上時,更宜爲100莫耳%,係依本發明之方法,可 提昇所生成之倍半矽氧烷系化合物混合物中的縮 100%之倍半矽氧烷系化合物,尤其籠形8聚體化 存在比。 此處,所謂縮合率係以29SiNMR謂T3/(T1 T3 )。因此, T1 : R-Si ( OR) 2〇-Si、 T2 : R-Si ( OR) ( -Ο-Si ) 2 T3 : R-Si- ( -〇- Si ) 3。 ,不包 ,亦即 之原子 發明之 法所產 爲 10 0 有限。 除去氫 爲3級 ,或與 '鹵素 之3官 耳%以 容易地 合率爲 合物的 + T2 + -25- (21) (21)1327587 例如,對於200nm以下之光,要求某程度之透明性時 ,或在乾蝕刻中,要求某程度之耐性時作爲可使用之材料 用而可使用之Y的較佳例係可舉例:具有一於矽上降冰片 烷骨架、三環癸烷骨架、四環十二碳烷骨架 '雙環壬烷骨 架、萘烷骨架等、及其等之骨架中的碳之一部分被氧取代 之雜縮環式骨架直接結合的構造之側鏈,其中,具有降冰 片烷骨架者係易得到比較多之官能基的變化。又,爲提高 縮合率爲100%之倍半矽氧烷系化合物的存在比,有效之 側鏈係一般可舉例一般使用來作爲龐大的取代基,且與矽 結合之碳爲3級碳之取代基。進而即使芳香族系之取代基 ,在與矽結合之位置的鄰接位上並非如氫或氟之小取代基 之取代基進行取代時,亦可得到作爲龐大之取代基的效果 。此芳香族系取代基係對於200nm以下之光的透明性之意 義上不例,但對於乾蝕刻係顯示良好的耐性。如此之芳香 族取代基的骨架,可舉例如苯環、萘環、蔥環等、或具有 其一部份之環被添加氫之環者。 此處,可使用之較佳的側鏈之具體例中,含有降冰片 烷骨架之例可舉例如下述之基。 -26- 1327587
(式中,Me表示甲基,R表示Η、甲基、F、或三氟甲基 ) 又,其他較佳之構造係表示3級之取代基的例、環狀 構造之例、芳香環構造之例的骨架例於下述。又,如更易 理解地,於苯環構造、萘環構造中係所謂於鄰接之位置上 進入取代基之意義的構造於下式中以甲基之表述表示一部 份’但不限於甲基,爲異丙基、第三丁基時’特別地龐大 之效果很大。又,於萘環上之位上矽原子結合時’矽 -27- (23) 1327587 原子不結合之環成爲鄰接取代基,故此處所謂成爲龐大之 取代基’此係即使爲蔥環亦相同。 【化9】
(Sif^
在本發明中係使上述矽烷原料進行以酸或鹼作爲觸媒 之第1段的水解後’對於上述矽烷原料在〇 · 5莫耳%以上 的強鹼觸媒的存在下’藉由特定條件下進行第2段之脫水 縮合’得到一於側鏈上具有龐大之取代基,且縮合度實質 上爲100%之倍半矽氧烷型化合物(SSQ)存在比高之SSQ 混合物。 此時’若欲以1階段進行此縮合反應,水解性砂垸爲 鹵砂烷時,因所生成之鹵化氫,引起觸媒失去活性,又, 使用過剩之鹼時’優先形成係矽酸鹽體,故阻礙縮合度 100%之8聚體化合物等之SSQ化合物的生成。又,烷氧 基矽烷之情形係存在因水解所產生的副生成之大量醇,故 不能進行充分的縮合反應,而對縮合度100%之成分的生 成不利。因此,宜預先以酸或鹼觸媒進行水解反應,然後 -28- (24) (24)1327587 ,使水解物在強鹼觸媒的存在下進行第2段之脫水縮合。 此時,藉第1段之水解而得到的水解物以實質上不含水之 狀態暫時單離,俾導入於第2段之縮合反應系,且可急速 減少縮合反應中所生成之水分量,並提昇系全體之縮合度 。因此,基本上於第1段與第2段之反應之間進行水解物 之單離操作很有效,但視情形係不進行單離操作,而於第 2段之反應初期亦可進行伴隨醇及過剩之水分的餾去之縮 合。另外,極少量之水分的存在係以鹼觸媒所產生的矽氧 烷結合之裂解/再結合所產生的平衡化反應係不可或缺, 故藉水分之除去方法,100%縮合物之生成量係大幅地依 存。具體上,從導入之鹼觸媒的莫耳數,在少量的水分存 在下,如未反應之Si-OH可消滅,一面使既有的Si-0-Si 鍵切斷、再結合,同時並依序形成熱力學上最安定構造之 8聚體等的SSQ。 本發明之合成方法的特徵亦即用以提高此倍半矽氧烷 縮合物中的100%縮合物存在比之條件,第1係於縮合反 應中除去水至反應系外。就除去之方法而言,最容易的方 法係可舉例如以水-有機溶劑之共沸的方法,在小規模中 ’係亦可使用一加入大量之有機溶劑,而與反應之進行一 起伴隨水而除去溶劑之方法,又,亦可採取從伴隨水而共 沸之有機溶劑分離水而返回該溶劑之方法。如此之方法係 可採取以脫水縮合所產生的酯合成等極常爲人所知之方法 。藉此水分之除去,可加速矽氧烷形成,但若完全無系內 之水’無法參與再結合,而有時阻礙100%縮合物的形成 -29- (25) (25)1327587 。因此’此時再添加少量之水,進而進行水之除去操作同 時並進行縮合反應。 又’可得到縮合度爲100%之倍半矽氧烷化合物的確 認’係可GPC分取縮合後之反應混合物的各單元後,測 定Si NMR’可藉比較T1/T2/T3之比來進行。具體上,在 最小之單元的Si NMR之測定中,未觀測到ΤΙ、T2的鑑 定之峯値,而只觀測到T3單峯,判斷爲100%縮合物。 此處, T1:形成1個矽氧烷鍵(其餘之2個係矽烷醇基或水 解性基殘留) T2:形成2個矽氧烷鍵(其餘之1個係矽烷醇基或水 解性基殘留) T3:形成3個矽氧烷鍵(=完全縮合單元) 更詳細地說明上述反應操作。 在本發明中’上述第1段之水解係依常用方法來進行 ,但相對於矽烷原料之量而以0.01〜30莫耳%之量使用醋 酸、鹽酸、硫酸、硝酸、草酸、檸檬酸、對甲苯磺酸等之 酸觸媒或氨、NaOH' KOH'甲胺、二甲胺' 三甲胺、四 甲基銨鹽等之鹼觸媒或鈦乙醯丙酮配位基[Ti (acac )]等 之過渡金屬觸媒作爲觸媒,又,宜使水之量相對於矽烷原 料之量爲150〜5000莫耳%。此時,除水外,尙可相對於 矽烷原料之量以50〜1〇〇〇質量%的比率加入甲醇、乙醇、 異丙醇等之醇類、丙酮、乙腈等之調水性有機溶劑而進行 反應。反應溫度係以〇〜6 0。(3進行,反應時間一般爲3 0分 -30- (26) 1327587 〜I 2 0小時〇 .. 上述水解後,如上述般宜從反應混合物除去水,進而 . 更宜進行取出水解物之操作而用於第2段的反應。但,藉 由第1階段之水解反應的溶劑選擇係進行水解後,亦可藉 • 除去水之操作 '組合觸媒量之調整等而移至第2藉段之縮 合反應。 另外’在第2段之脫水縮合中,鹼觸媒係宜選擇蒸氣 ® 壓低於溶劑者’氨、三乙胺等係很難使用。較佳之例係可 舉例如氫氧化鉀、氫氧化第4級胺等之強鹼、l58_二氮雜 - 雙環[5·4·0]·7·十—碳烯(DBU)等之鹼性強的胺觸媒,宜 選擇具有鹼性高於1,4-二氮雜雙環[2_2_2]辛烷(DABCO) 之胺。鹼觸媒之量係依所使用之觸媒之鹼性的強度而定, • 但相對於單體單元(上述矽烷原料)爲0.5〜100莫耳%、 宜爲5〜50莫耳%、更宜爲〜30莫耳%。又,水解生成物 係殘存之矽烷醇的反應性之關係,宜全部之矽烷醇可容易 ® 反應之構造’因此’水解物之分子量宜數百至千程度之低 分子量者。 - 本發明之縮合反應的特徵係使用上述說明之原料,而 ‘於第1段之水解後第2段之脫水縮合反應時,一面除去縮 . 合所生成之水一面進行縮合。伴隨反應,所生成之水會妨 礙脫水縮合進行之情形,一面除去所生成之水一面進行縮 ' 合之方法係常爲人知,合成一般之聚倍半矽氧烷類時係特 別適用於欲高分子量化之情形。但適用於一具如上述般立 體性龐大之側鏈的3價水解性矽烷化合物縮合的情形,隨 -31 - (27) (27)1327587 縮合度變高(矽烷醇之數目減少),不會引起所謂反應生 成物混合物之平均分子量增加的變化,籠型且縮合度爲 10 0%之倍半矽氧烷化合物的存在比變高係完全未預期之效 果。 以比較大的規模,一面進行所生成之水的除去一面進 行脫水縮合,故使用如溶劑與水可分離之有機溶劑,以共 沸等之操作分離所取出之水與溶劑,只使溶劑返回反應系 之方法乃很有效率。用以進行如此操作之有機溶劑的選擇 目標,係與水之共沸溫度爲反應上較佳之溫度範圍,宜爲 水分之溶解度爲5%以下者。具體上,宜相對於水解生成 物以50〜1 000質量%、較佳係50〜5 00質量%之量使用甲基 異丁基酮、甲苯、二甲基等之有機溶劑。進一步若使此溶 劑量對於水解生成物爲200質量%以上,則可有利地提昇 縮合度爲100%之籠型8聚體化合物的存在比。 此時,縮合反應之際,進行除去水至上述之反應系外 之操作取而代之,使用水解生成物量的200質量%以上亦 即2倍以上之質量的有機溶劑,使依縮合所生成之水分移 至有機溶劑而降低水分之影響,亦可以高收率得到縮合度 爲100%之籠型8聚體化合物。又,溶劑之上限係1〇〇〇質 量%以下(1 0倍以下),但確保每一批之目的物的數量, 就工業上之經濟性而言佳。 反應溫度爲100 °C以上,尤宜爲115 °C以上。又,其 上限無特別限制,但加入有機溶劑時,係其回流溫度。反 應時間一般宜實施8小時以上。 -32- (28) (28)1327587 又,系內微量之水分的存在係從高分子量SSQ化合物 至完全縮合型低分子量SSQ化合物的異性化上不可或缺, 若水分量過度減少,此異性化反應之速度變慢,不能成爲 有效的製造方法。此時一旦添加少量的水(相對於水解物 爲1〜3莫耳%左右),亦可獲得繼續縮合之方法。 因而,習知之縮合率100%的SSQ化合物的合成,矽 原子上之取代基爲不龐大者很多時,如示於本反應條件般 ’藉由縮合反應中除去水至系外的操作,縮合率會提昇, 但縮合率100%籠型8聚體化合物成分之生成係不成爲主 反應’而生成平均分子量更高的SSQ化合物。因此,爲合 成縮合率1 00%之成分’係以某程度以上之含有水分條件 進行伴隨長時間平衡反應之縮合反應,其後,藉中和 '冷 卻,可使用結晶性高之完全縮合物,析出成爲固體之方法 ’但,此時縮合度本身不高,故使之結晶化而取出縮合率 100%的程分成爲要點。因此’縮合時很難置入複雜的官能 基。 然而’本發明係矽原子上的有機基之體積龐大,以一 般之水解條件無法得到充分的縮合度,至今未發現有效的 合成方法的SSQ化合物之製造方法,尤其有效,若整齊矽 附近之體積某種程度,亦即,藉由使龐大取代基爲75莫 耳%以上、更宜爲95莫耳%以上、最宜爲全部的取代基龐 大的3價水解性的矽烷混合物進行混合矽烷原料而水解/ 縮合,俾對於藉具有異種的取代基無法期待結晶性者,亦 可製造100%縮合SSQ化合物的混合比高之SSQ化合物混 -33- (29) (29)
1327587 合物。 依本製造方法’若選擇最佳之條件,作爲巨 率100%籠型8聚體化合物係可以70%以上的 GPC-RI面積比)來製造,但具有龐大取代基之 物係相較於具有很小取代基之S S Q化合物,結還 冷卻操作所進行的結晶化幾乎全部的情形無法j|| 因此’從反應混合物進一步欲提昇100%縮合牧 時’常添加弱溶劑’或管柱等之精製操作成爲必 此時’宜進行從第2段之脫水縮合後的反歷 分隔處理除去低縮合成分之步驟,但分隔處理倍 沉澱法、管柱分取 '或GPC分取等。 若依本發明,藉上述之方法可得到一於側鍵 的取代基、且特別提昇縮合度實質上爲100%之 物的存在比之混合物,典型上係倍半矽氧烷8寄 側鏈基(Y )之大小可以通常一種類、高品質之 到熱力學上最安定構造的下述6〜12聚體。 的之縮合 筒收率( SSQ化合 性低,以 利進行。 的存在比 須。 混合物, 可採用再 具有龐大 SSQ化合 體,但藉 過剩量得 【化1 0 ]
(此處,各頂點係分別含有1個取代基之矽原 不 Si-0-Si 鍵)。 其次,第2發明係說明有關可藉由使用上 ,各邊表 之方法最 -34- (30) (30)1327587 初得到且具有龐大取代基之縮合度實質上爲10 0%的倍半 矽氧烷系化合物之含有比高的倍半矽氧烷系化合物混合物 〇 就本發明之光阻組成物的成分而言,較佳之縮合度實 質上爲100%的倍半矽氧烷縮合物之存在比高的倍半矽氧 烷系化合物混合物,係使用水解性矽烷單體原料,其係含 有至少一種選自以下述通式(2)所示之單體單元(A)與 下述通式(3)所示之單體單元(B),較佳係A及B各 別;再藉由與第1發明之方法相同之方法進行水解、縮合 而得到。 R1 - SiXS (2) R2- SiX23 (3) [式中,R1係對分子賦予密著性之有機基,該分子係與矽 之結合部位的原子爲除該矽以外具有與氫原子及鹵原子以 外之原子2個以上的結合之碳,且,含有一包含氟之鹵素 、亦可含有氧或硫之碳數3〜20的脂肪族分枝狀、環狀或 多環式構造,或亦可具有官能基之碳數6~ 18,在與矽之結 合部位的鄰接位上含有一具有氫原子及鹵原子以外之取代 基的芳香族構造;R2係一種有機基,該有機基係與矽之結 合部位的原子爲除該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之 原子2個以上的結合之碳,且,氧分解性保護基保護作爲 官能基之分子上具有一去保護時可賦予鹼可溶性之基,該 -35- (31) (31)1327587 官能基之外含有一亦可含有鹵素、氧或硫之碳數3〜20的 脂肪族分枝狀 '環狀或多環式構造,或亦可具有官能基之 碳數6~18’在與矽之結合部位的鄰接位上含有一具有氫原 子及鹵原子以外之取代基的芳香族構造;進—步,X1、X2 分別獨立地表示氫、鹵素、或碳數1〜6之直鏈 '分枝或環 狀之院氧基] R1且賦予密著性之官能基係可舉例如具有羥基、羧基 、環狀醚構造、酯構造、(3,/3 -二酮構造等之官能基,但 尤其’具有羥基且該羥基進行結合之碳原子上進一步進行 結合之一個或複數的碳原子上合計3個以上之氟原子被結 合的構造 '羧酸的構造、酚性羥基構造、及內酯環構造所 選擇之構造係很有效。但,羧酸構造係因爲很強之酸性, 使用量某種程度被限制,又,酚性羥基構造當使用20〇nm 以下之曝光光時,係從不透明性限制使用量。因此,例如 使用193 nm之曝光光時,係具有羥基且該羥基進行結合之 碳原子上進一步進行結合之一個或複數的碳原子上合計3 個以上之氟原子被結合的構造與內酯環構造係更佳之官能 基。 具有羥基且該羥基進行結合之碳原子上進一步進行結 合之一個或複數的碳原子上合計3個以上之氟原子被結合 的構造,係在用以圖型形成之顯像步驟中,爲防止膨潤, 爲極有效之官能基,但有降低對乾蝕刻之耐性的傾向,以 與具有內酯環構造者組合而使用,可彌補此。 具有羥基且該羥基進行結合之碳原子上進一步進行結 -36- (32) 1327587 合之一個或複數的碳原子上合計3個以上之氟原子被結合 的構造,具有此構造之取代基之具體例可舉例如下述式( A)所示之取代基等。
【化1 1 ] R
(A) (式中,R表示H、CH3、CF3或F,X表示Η或F) . 具有內酯構造之側鏈係亦包含內酯構造被結合成爲環 狀骨架之側鏈,但多環狀構造之一部分成爲內酯構造者, 係具有提昇玻璃轉移點之效果,尤佳。如此者之具體例可 ' 舉例如以下者。
【化1 2 ]
(但,Z爲氧原子、硫原子或亞甲基,η爲0或1,m爲0 或1 ) 其他之密著性官能基之例可舉例如具有如以下之構造 者。 -37- (33) 1327587 【化1 3】
(Sii-
(式中’ R表示H、F' CH3或CF3’ Wi、w2分別獨立地 表不碳數1〜6的院基) (B )之官能基在一般之光阻樹脂中,係對於_ g旨, 賦予對於鹼水溶液的溶解性之開關功能的取# s,亦、@胃 酸不安定基(acid labile group ),但在本發明中之倍半 矽氧烷縮合物中亦顯示相同的功能。有關具有此功能之取 代基R2 (酸不安定基)係多數爲人所知,成爲最近公知 之例可舉例如特開2〇〇5-3 6 1 46號公報的記述等,例示之 官能基任一者均可應用於本發明。 【化1 4]
(式中,R表示Η、CH3或F,Prot係表示如下述式所示 之酸不安定基) 【化1 5 ]
(式中,Me表示甲基) -38- (34) (34)1327587 此處,權宜上從酯基表示前面,但上述中R表示ch3 、C2H5 ' CF3 或 F,p 爲 1 或 2。 此等之中,立體上具有特別龐大之構造的含有環構造 之酸分解性保護基,以酸進行分解之反應性高,尤佳。 於上述中,用以對鹼水溶液顯示溶解性之酸性基爲羧 酸時,但亦可爲保護酸性基者,此酸性基係具有羥基且該 羥基進行結合之碳原子上進一步進行結合之一個或複數的 碳原子上合計3個以上之氟原子被結合的構造。如此者常 爲人知者係以t-BOC基或乙縮醒基保護上述式(A)所示 之基的醇,此處亦可使用此等。 溶解性開關所需之官能基的比率係亦依存於另外加入 之闻分子性或非高分子性的溶解阻止劑或驗可溶性材料的 有無,或其等之選擇,故無法特定全部適用的範圍,但一 般係本發明之倍半矽氧烷縮合體與其他添加劑之官能基全 部之中’設計1 0莫耳%以上、更佳係2 0莫耳%以上成爲 此官能基’則可得到良好的溶解性開關功能。又,其上限 一般爲90莫耳%以下,尤宜爲8〇莫耳%以下。 爲得到具有比較高T g之倍半砂氧院縮合物,側鏈必 須與矽原子之結合位的碳之環境立體上很龐大,使砂原子 與上述官能基連結的連結基爲3級,或具有取代基之環狀 構ia尤其縮環式構造。如此之骨架的具體例宜爲降冰片院 骨架' 三環癸烷骨架、四環十二碳烷骨架、雙環壬院骨架 、奈院骨架等、及其等之骨架中的碳之一部份被氧取代之 雜縮環式骨架。賦予此等化合物之單體的合成,係藉由公 -39- (35) 1327587 知之官能基修飾反應、Diels·Aider反應與氫化矽烷化 之組合來達成。 【化1 6】 〇 + Γ — (Xrw,〇丄仏 _3〇jw (式中,w爲取代基、R,爲Cl〜c4之烷基)。 適宜作爲正型光阻用材料的上述第2發明之倍半 院縮合物混合物,依上述第1發明之製造方法所製造 很有效。 亦即’藉上述說明之方法使含有至少一種選自以 通式(2)所不之單體單元(a)與上述通式(3)所 單體單元(B)、進而自各別選出至少一種以上的水 矽烷單體原料進行縮合者。 此處’單體單元(A) ' (B)之使用比率係就以 作爲100之莫耳比,宜單體單元(A):單體單元(B 下述之比率。 (A):(丑)=5~100:〇~90,更宜爲 10-100 : ’爲提昇Si含有率,或爲改善密接性、解析性等, 導入此等以外之單元。 但’ (B)爲〇時,亦即使用來做爲負型用之情 或爲使用於〜使溶解性開關功能依存於其他成分之光 $物的材料時,其側鏈具有之構造係必須至少含有5 上·具有經基且該經基進行結合之碳原子上進一步進 反應 砂氧 者乃 上述 示之 解性 全部 )爲 0〜80 亦可 形, 阻組 個以 行結 -40- (36) (36)1327587 合之一個或複數的碳原子上合計3個以上之氟原子被結合 的構造 '或羧酸構造、或酚性羥基構造,且不僅具有內酯 環構造者。 又’更佳組合之一即就單體單元(A )而言,於側鏈 具有如下構造之單體亦即具有羥基且該羥基進行結合之碳 原子上進一步進行結合之一個或複數的碳原子上合計3個 以上之氟原子被結合的構造、與於側鏈具有內酯構造之單 體被組合而使用時’具有羥基且該羥基進行結合之碳原子 上進一步進行結合之一個或複數的碳原子上合計3個以上 之氟原子被結合的構造係20〜40莫耳%、於側鏈具有內酯 構造之單體係20〜40莫耳%、於側鏈具有被酸分解性保護 基保護之酸性官能基構造的單體宜爲20〜6 0莫耳%的範圍 於矽烷原料中宜含有上述式(2)之矽烷及/或(3) 之矽烷就合計爲50〜100質量%,尤宜爲80〜1〇〇質量%, 但此時,此等之矽烷以外的矽烷係可使用下述者。 【化1 7】
-41 - (37) (37)1327587 進行上述第1發明的製造方法時,若矽附近之體積整 齊某種程度,藉由混合一具有異種取代基的矽烷原料而進 行水解/縮合,亦可製造SSQ化合物混合物,SSQ化合物 混合物係具有依照原料之混合比的單元比且具有高的 100 %縮合SSQ化合物混合比;可進行用以使用來做爲光 阻組成物用成分的上述設計。 藉第1發明之製造方法,作爲一般目的之100%縮合 物係可得到50%以上之收縮(GPC-RI面積比),若選擇 最佳之條件’可以70%以上之高收率進行製造,但具有龐 大取代基的SSQ化合物,相較於具有很小的取代基之SSq 化合物’結晶性低,以冷卻操作所產生的結晶化係幾乎全 部的情形不順利。另外,依本發明之方法,若使生成物之 縮合率爲9 0 °/。以上’可確實地於生成物中得到1 〇 〇 %縮合 物’形成組成物時’可得到其效果,更佳之到達縮合率爲 95°/〇以上。又,縮合率係可藉測定所得到之粗生成物的Si N M R而容易地得到。亦即’ 1 〇 0 %縮合度的確認係g P C分 取縮合後的反應混合物之各單元後,測定Si N MR,可藉 由比較T1/T2/T3之比來實施。 此處, T1:形成1個矽氧烷鍵(其餘之2個係矽烷醇基或水 解性基殘留) T2:形成2個矽氧烷鍵(其餘之1個係矽烷醇基或水 解性基殘留) T3:形成3個矽氧烷鍵(=完全縮合單元)。 -42- (38) (38)1327587 如上述般,在GPC圖上的各峯値之鑑定,係藉GPC 分取進行單離操作,但在一般操作中,生成SSQ化合物混 合物中的100%縮合物之存在比的測定,係以RI作爲檢測 器,而以GPC圖上所顯現的100%縮合物對專一峯値的全 體之面積比進行推定。對峯値面積比之推定係採用垂直分 隔法(從谷部之極小點對保持時間軸而降低垂線以求取面 積的方法)。又,專一峯値爲1 00%縮合物的確認,係 GPC分取該峯値而單離後,測定上述Si NMR,藉由確認 源自T1及T2之訊號不出現,判斷爲1〇〇%縮合物。 又,如上述般,構成一相當於100%縮合物的峯値之 物質的鑑定,係不在一般操作中實施,故在本說明書中, 係使構成本峯値的物質記載爲「實質上縮合度爲100%的 倍半矽氧烷」。 欲得到更高純度之100%縮合體時,當導入複數的取 代基時係不能期待一般進行結晶化》但以弱溶劑等進行分 割’係於除去低分子量物質之際很有效。欲形成以弱溶劑 等所產生之分隔所得到的純度以上時,必須有藉GPC等 進行區別之方法等。 第3發明係一種倍半矽氧烷系化合物混合物,其特徵 在於:側鏈占有75莫耳%以上之縮合度實質上爲1 〇〇%之 倍半矽氧烷8聚體化合物,以矽基準爲40莫耳%以上;就 側鏈而言’與矽之結合部位的原子對分子賦予密著性之有 機基’即除該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之原子2 個以上的結合之碳’且,亦含有一包含氟之鹵素、亦可含 -43- (39) (39)1327587 有氧或硫原子之碳數3 ~20的脂肪族分枝狀、環狀或多環 式構造,或亦可具有官能基之碳數6〜18,在與矽之結合部 位的鄰接位上含有一具有氫原子及鹵原子以外之取代基的 芳香族構造;與,一種有機基,其係除該矽以外具有與氫 原子及鹵原子以外之原子2個以上的結合之碳,且,含有 一包含氟之鹵素、亦可含有氧或硫之碳數3~20的脂肪族 分枝狀、環狀或多環式構造,或亦可具有官能基之碳數 6~18,在與矽之結合部位的鄰接位上含有—具有氫原子及 鹵原子以外之取代基的芳香族構造,且以氧分解性保護基 保護作爲官能基之分子上具有一去保護時可賦予鹼可溶性 之基。如上述般,依第1發明之方法,具有如上述之槪念 的S S Q化合物混合物係最先得到。進一步,如上述般,爲 以第1發明的方法得到縮合度實質上爲100%之SSQ化合 物更高的存在比,全部更宜選自具有全部上述之脂肪族分 枝或環狀或多環狀骨架、或於結合鄰接位具有氫原子及鹼 原子以外的取代基的芳香族該骨架之有機基。 關於光阻組成物之說明係後述,但就微細加工用薄膜 光阻組成物而言進行一只使用上述SSQ混合物做爲正型光 阻用基材聚合物之光阻評估後,如於專利文獻3之實施例 得到的高縮合率SSQ (混合物的Si NMR,且T3之峯値 面積爲92%、T2峯値面積爲8%者)般,對於8聚體實質 上100%縮合物之存在比爲30%或其以下者,若存在比超 過40°/。,在解析性測試中,可提昇微細圖型之反覆構造所 謂線和間距圖型的解析性能,進一步超過50%時,發現可 -44- (40) 1327587 品質佳地出現此效果。此效果從各種硏究,並男 . 說明,推論爲l〇〇%SSQ化合物之存在比提高所 果。 . 本發明之倍半矽氧烷縮合物(倍半矽氧烷系 ' 混合物係就縮合混合物而言直接或形成單離者而 光阻組成物之基材樹脂,尤其可用於作爲正型光 之基材樹脂。因此,第4發明係提供一種正型光 0 ,其係使用一以高的存在比含有此倍半砂氧院縮 半矽氧烷系化合物混合物。如上述般,就含有 . 100°/。之倍半矽氧烷系化合物30質量%以上的材 有龐大的取代基,成功得到高的Tg之材料作爲 ,無實際上可提供之例。本材料並非僅作爲所謂 ' 用材料,具有一擁有多環狀構造之側鏈時,亦可 一對於氧化矽系膜之蝕刻掩罩,以薄膜光阻所得 細圖型形成材料而賦予有用的光阻組成物。 基材樹脂 二一般,化學增幅正型光阻組成物的主要成分 •係賦予一藉酸觸媒於鹼水溶液中從不溶性變化成 . 功能的官能基(一般,被酸不安定基保護之酸性 、與基板等之密著性、或於溶解性變化時賦予一 _ 之功能的極性基、又含有矽之光阻組成物未必常 但對於以鹵素等之電漿蝕刻’尋求—具有蝕刻耐 基。視情形,各功能係有時亦同時地被一個官能 Ξ僅以Tg 得到的效 化合物) 可使用於 阻組成物 阻組成物 合物的倍 縮合度爲 料,以具 光阻材料 2層光阻 期待作爲 到之更微 之樹脂, 可溶性之 官能基) 抑制膨潤 被要求, 性之官能 基滿足, -45 - (41) (41)1327587 或反之,對於任一者欠缺之樹脂或功能很弱的樹脂,藉不 同樹脂之組合而滿足全部功能的方法、或藉功能性非高分 子的添加滿足全部功能之方法等亦常被報告。 適宜作爲本發明之光阻組成物且實質上縮合度爲 100%之倍半矽氧烷縮合物混合物,係具有前述官能基1種 以上者,但形成如具有全部之功能者、或具有全部功能之 混合物者,係單獨與光酸產生劑組合,基本上可形成光阻 組成物。 具有一擁有溶解於鹼性顯影液功能之側鏈,藉酸觸媒 而鹼溶解性變化之功能、亦即無溶解性開關功能、或弱的 倍半矽氧烷縮合物,係藉一般被稱爲溶解阻止劑之具有溶 解性開關功能之高分子化合物(一般之光阻所使用之樹脂 或任一者基本上係可使用)或添加非高分子化合物而形成 光阻組成物。 又,從比較膜厚大之光阻膜形成圖型時,只由分子量 低之化合物所構成的組合之組成物係有時圖型之矩形性喪 失,圖型之肩部變圓。此時,若添加重量平均分子量爲 4〇00以上之高分子化合物,有時可改善圖型形狀。此時所 使用之樹脂係可選擇於鹼性顯影液可溶性之樹脂或如一般 光阻組成物所使用之溶解性開關功能之樹脂。 爲形成光阻組成物與其他之高分子化合物混合時進行 選擇之高分子化合物’係具有用以附加功能之官能基的樹 脂、或其本身可使用來作爲光阻用樹脂的樹脂,但此基本 骨架係可適用聚羥基苯乙烯骨架、聚(甲基)丙烯酸骨架 -46- (42) (42)1327587 、ROMP骨架、聚降冰片烷骨架、COMA骨架等或組合此 等之骨架的骨架等之樹脂。但,對於氧系電漿鈾刻而爲得 到電漿耐性’宜爲矽含量高者,選擇於上述骨架具有含矽 的側鏈者 '或聚倍半矽氧烷類、聚矽氧烷類或具有組合此 等之骨架的高分子化合物。此等之例係多數爲熟悉此技藝 者熟知,可例示特開2004-3 544 1 7號公報(專利文獻3 ) 等,又,本發明人等申請特願2005 -3 8 7 0 1號。但,本發 明之倍半矽氧烷縮合物具有之官能性側鏈與上述高分子化 合物具有之官能性側鏈的性質,尤其各別擁有之全體的極 性非常不同時,有時於光阻膜內無法達成均一的混合時, 爲達成此等之良好的混合,用以提高具有極性基等之相溶 性的設計很有效,該極性基係以於雙方以羧基、內酯骨架 、酚性羥基、於近接位氟被取代之脂肪族羥基等爲代表。 成爲靶材之圖型規則爲lOOnm以下,光阻膜厚比較小 時,構成光阻組成物之材料爲高分子化合物的必要性會降 低,尤其形成7〇nm以下之光阻時,可降低上述高分子化 合物之添加比 '或不添加者可達到高的解析性。於此等光 阻組成物中若爲比較低分子且分子量整齊的聚合物,則更 明確地顯示陡峭的溶解行爲,故於微細化上很有利。本發 明之100%縮合型倍半矽氧烷系化合物混合物雖依取代基 之種類所產生的若干分子量有之差異雖存在,但單元數整 齊的分子本身,成爲光阻組成物之主成分,且作爲典型上 的模型亦很有趣。 以如此之本發明的1 00%縮合型倍半矽氧烷系化合物 -47- (43) (43)1327587 混合物作爲主要的基材樹脂之光阻,係如上述般,具有對 於鹼水容易之溶解性開關功能的側鏈(具有以酸不安定基 保護之酸性官能基的側鏈)相對於側鏈全體,宜爲1 〇莫 耳%以上’更宜爲20莫耳%以上時,可期待更高的對比。 其上限爲90莫耳%以下。又,亦必須爲賦予密著性之功能 基’宜爲至少5莫耳%以上,一般爲20〜80莫耳%。 又’如上述般,分子之大小整齊某程度之基材聚合物 的使用認爲係對微細化很有用,但事實上,依本發明之方 法所得到且8聚合物含量超過40莫耳% (矽基準)者,發 現形成線和間距圖型時之界線解析性會提高,尤其若超過 5 0莫耳%,很有效果。 光酸產生劑 本發明之光阻組成物係上述材料之外,光酸產生劑爲 必須構成成分。光阻組成物所含有之酸產生劑係光阻膜形 成後,進行光阻露光時,藉照射光之能量產生酸之化合物 。從本發明之光阻組成物得到的光阻膜中,所產生之酸係 作爲觸媒而作用於倍半矽氧烷縮合物及/或溶解阻止劑或 添加樹脂被保護之酸性取代基的酸分解性保護基,切斷保 護基而使酸性取代基成爲自由,將去保護反應所產生之周 邊的光組膜改變成水性鹼性顯影液可溶。酸產生劑係以非 聚矽氧系光阻組成物已揭示許多之技術,例如於特開 2004- 1 49754號公報中亦有許多其例示,基本上,於本發 明中亦全部可適用。其中’適宜的光酸產生劑有硫鎗鹽、 -48- (44) (44)1327587 碘鏺鹽、磺醯基二偶氮甲烷類、N-磺醯基氧醯亞胺類、N-磺醯基氧肟類等,此等係亦可形成與同系統內、或別種類 之酸產生劑的混合物而使用。又,此等之中,主要之酸產 生劑係鑰鹽,尤其硫鏠鹽爲有用之酸產生劑。又,其他之 酸產生劑作爲補助酸產生劑的使用亦爲有用之使用法。 硫鑰鹽係硫鎗陽離子與硫酸酯之鹽。硫鑰陽離子可舉 例如三苯基硫鎗、(4-第三丁氧基苯基)二苯基硫鑰、雙 (4-第三丁氧基苯基)苯基硫鎗、三(4-第三丁氧基苯基 )硫錫' (3 -第三丁氧基苯基)二苯基硫鑰 '雙(3·第三 丁氧基苯基)苯基硫鎗、三(3 -第三丁氧基苯基)硫鐺、 (3,4 -二第三丁氧基苯基)二苯基硫鑰、雙(3,4 -二第三 丁氧基苯基)苯基硫鎗、三(3,4·二第三丁氧基苯基)硫 金羽、—本基(4 -硫本氧基本基)硫鐵、(4 -第二丁氧基羯 基甲基氧苯基)二苯基硫鏺、三(4 -第三丁氧基羰基甲基 氧苯基)硫鑰等、取代或非取代之三苯基硫鑰類、2_萘基 二苯基硫鎰' 二甲基2-萘基硫鐺等、取代或非取代之烯丙 基硫鑰類、4-羥基苯基二甲基硫鑰、4_甲氧基苯基二甲基 硫鑰' 三甲基硫鑰、2 -氧代環己基環己基甲基硫鎗、三萘 基硫鑰、三苯甲基硫鑰、二苯基甲基硫鎗、二甲基苯基硫 鎗、2 -氧代-2-苯基乙基硫環戊鎗等、具有非芳香族取代基 之硫鑰類。 磺酸酯係可舉例如三氟甲烷磺酸酯、九氟丁烷磺酸酯 '十七氟辛烷磺酸酯、2,2,2-三氟乙烷磺酸酯、全氟_4_乙 基環己烷磺酸酯、五氟苯磺酸酯等、磺醯基近接位碳被氟 -49 - (45) 1327587 取代的磺酸酯類、4-三氟甲基苯磺酸酯、4-氟 三甲基苯磺酸酯、2,4,6_三異丙基苯磺酸酯、 、苯磺酸酯、4-(4’_甲苯磺醯基氧)苯磺酸酯 等、芳香族磺酸酯類、樟腦磺酸酯、辛烷磺酸 烷基苯磺酸酯、丁烷磺酸酯、甲烷磺酸酯等、 類,此等之組合的鎗鹽。 碘鑰鹽係碘鑰陽離子與磺酸酯之鹽,二苯 (4_第三丁基苯基)碘鑰、4 -第三丁氧基苯基 4-甲氧基苯基苯基碘鑰等之芳基碘鑰陽離子、 酯等之組合。 磺醯基二偶氮甲烷係可舉例如雙(1,1-二 醯基)二偶氮甲烷、雙(環己基磺醯基)二偶 烷基取代磺醯基二偶氮甲烷類、雙(全氟異丙 二偶氮甲烷等之氟烷基取代磺醯基二偶氮甲烷 基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(4-甲基苯基磺醯 甲烷、雙(2,4-二甲基苯基磺醯基)二偶氮甲 萘基磺醯基)二偶氮甲烷、第三丁氧基羰基-4-醯基二偶氮甲烷等之芳基取代磺醯基二偶氮甲 N -擴醯基氧酿亞胺型光酸產生劑係可舉例 亞胺、萘二羧酸醯亞胺、酞酸醯亞胺、環己基 胺、5-降冰片烯-2,3-二羧酸醯亞胺、7-氧代雙 庚烯-2,3-二羧酸醯亞胺等之醯亞胺骨架、與記 鑰的項之磺酸酯類脫水縮合於該醯亞胺骨架, 亞胺的化合物。 苯擴酸醋、 甲苯磺酸酯 '萘磺酸酯 酯、十二碳 院基擴酸酯 基碘鎗、雙 苯基碘鑰、 與前述磺酸 甲基乙基磺 氮甲烷等之 基擴酿基) 類 '雙(苯 基)二偶氮 院 '雙(2--甲基苯基磺 院類。 如琥珀酸醯 二羧酸醯亞 環[2,2,1]-5-載於前述硫 成爲擴酸醯 -50- (46) 1327587 磺酸型光酸產生劑之例係可舉例如雙(苯基磺醯基) 甲院、雙(4-甲基苯基磺醯基)甲烷、雙(2-萘基磺醯基 )甲烷、2,2-雙(苯基磺醯基)丙烷、2,2-雙(4-甲基苯 基確醯基)丙烷、2,2-雙(2·萘基磺醯基)丙烷、2·甲基- ' 2_ (對甲基磺醯基)苯丙酮、2·環己基羰基-2-(對甲基磺 醯基)丙烷、2,4-二甲基-2-(對甲苯磺醯基)戊烷-3-酮等 〇 • 肟磺酸酯型光酸產生劑係可舉例如於特許第2906999 號公報或特開平9-3 0 1 948號公報記載之乙二肟衍生物型 - 的化合物 '具體上係雙-〇-(對甲苯磺醯基)-α-二甲基乙 二肟 '雙-〇-(對甲苯磺醯基)-α-二苯基乙二肟、雙-〇-(對甲苯磺醯基)·α -二環己基乙二肟、雙- 〇·(對甲苯磺 ' 醯基)-2,3-戊烷二酮乙二肟等、或磺酸酯部份改變成舉例 作爲前述鎗鹽之磺酸酯之物的骨架者、或、具有乙二肟骨 架之取代基爲其他之烷基者的組合等。 ® 又,可舉例如美國專利第6004724號說明書記載的肟 磺酸酯,尤其(5- (4-甲苯磺醯基)氧亞胺基-5 Η-噻吩-2-亞基)苯基乙腈、(5-(10-樟腦磺醯基)氧亞胺基-5Η-噻 - 吩-2-亞基)苯基乙腈、(5-正辛烷磺醯基氧亞胺基- 5H-噻 I 吩-2-亞基)苯基乙腈、(5- ( 4-甲苯磺醯基)氧亞胺基-5H-噻吩-2-亞基)(2-甲基苯基)乙腈、(5-(10-樟腦磺 • 醯基)氧亞胺基-5H·噻吩-2·亞基)(2-甲基苯基)乙腈、 (47) (47)1327587 可舉例如美國專利第626 1 73 8號說明書、特開2000-314956號公報記載之肟磺酸酯,尤其2,2,2-三氟-1·苯基_ 乙酮肟-〇-甲基磺酸酯;2,2,2-三氟-l-苯基-乙酮肟·O_(10· 樟腦內酯基磺酸酯);2,2,2-三氟-l-苯基-乙酮肟-o_(4-甲氧 基苯基磺酸酯)等。 可舉例如特開平9-95479號公報、特開平9-2305 88號 公報或文中之習知技術記載之肟磺酸酯,尤其α-(對甲 苯磺醯基氧亞胺基)-苯基乙腈、α-(對氯苯磺醯基氧亞 胺基)-苯基乙腈、α - ( 4-硝基苯磺醯基氧亞胺基)-苯基 乙腈等。 又,雙肟磺酸酯,可舉例如特開平9-208554號公報 記載之化合物,尤其雙(α-(4 -甲苯磺醯基氧)亞胺基 )-對-苯撐基二乙腈、雙-(α-(苯磺醯基氧)亞胺基)-對-苯撐基二乙腈等。 又,國際公開第2004-074242號手冊記載之肟磺酸酯 係賦予高感度之良好的酸產生劑,具體例有 Ciba Speciality Chemicals 製之 CGI- 1 906、CGI-1311、CGI-1325' CGI- 1 3 80、CGI- 1 3 97、CGI-26 1、CGI-263 > CGI-268 ^ 〇 -52- 1327587 (48)
【化1 8 ]
(CGI-263)
(式中,Pr表示丙基) # 其中較宜使用之光酸產生劑係硫鎗鹽,陽離子側係三 本基硫錢、4 -甲基苯基—苯基硫鎗、4·第三丁氧基苯基二 .. 苯基硫鎗、4 -第三丁基苯基二苯基硫鐵、三(4_第三丁基 , 苯基)硫鐵、4 -院氧基萘基四氫硫苯鐵、苯醯甲基二苯基 硫鑰、苯醯甲基四氣硫苯鎗等具有高感度與可容許之安定 性的有用陽離子。又,陰離子側係全氟丁烷磺酸酯、全氟 辛烷磺酸酯、或全氟-4-乙基環己烷磺酸酯等、磺醯基基鄰 接位碳被氟化之磺酸類可賦予更高的解析性,故佳。又, 肟磺酸酯型酸產生劑之 Ciba Speciality Chemicals製之 CGI-1 906等係賦予高感度與高解析性之較佳的酸產生劑 -53- (49) (49)1327587 之一。 在本發明之光阻組成物中的光酸產生劑之添加量爲有 效量,並無特別限制,但相對於光阻組成物中之全基材樹 脂100份(質量份、以下相同),爲〇· 3〜10份,尤宜爲 〇.5~5份。光酸產生劑之比例太多時,有可能產生解析性 之劣化、或顯影/光阻剝離時之異物的問題。上述光酸產 生劑係可單獨亦可混合2種以上而使用。進一步使用曝光 波長中之透光率低的光酸產生劑,亦可以其添加量控制光 阻膜中之透過率。 含氮有機化合物(鹼性化合物) 本發明之光阻組成物中一般係調配含氮有機化合物1 種或2種以上。含氮有機化合物係抑制從光酸產生劑產生 時之酸擴散於光阻膜中之時的擴散速度爲目的,藉此,解 析度會提高,抑制曝光後之感度變化,或減少基板或環境 的依存性,並提昇曝光寬容度或圖型輪廓等。如此之含氮 有機化合物(鹼性化合物),可舉例如第一級、第二級、 第三級之脂肪族胺類、混成胺類、芳香族胺類、雜環胺類 、具有羧基之含氮化合物、具有磺醯基之含氮化合物、具 有羥基之含氮化合物 '具有羥基苯基之含氮化合物、醇性 含氮化合物、醯胺衍生物、醯亞胺衍生物等。有關此等之 具體例於特許文獻2中亦例示許多,但此處所記述者任一 者均可適用於本發明之組成物。 又,含氮有機化合物(鹼性化合物)之調配量相對於 -54- (50) 1327587 全基材樹脂 1〇〇重量份爲〇.〇〇1~2份,宜f 若調配量少於0.001份,無調配效果,若超 感度會過低。 有機溶劑 使用於本發明之光阻組成物的有機溶劑 阻組成物中之固形分、光酸產生劑、其他之 解之有機溶劑,任一者均可。 如此之有機溶劑可舉例如環己酮、甲基 之酮類、3-甲氧基丁醇、3-甲氧-3-甲氧基 基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等之醇類、丙 、乙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、乙二 丙二醇二甲基醚、二乙二醇二甲基醚等之醚 甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、乳 酸乙酯、酯酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-酯、酯酸第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇 乙酸酯的醇類、γ-丁內酯等之內酯類,可使 獨或2種以上混合而使用,但不限定於此等 ,此等之有機溶劑中亦宜使用光組成分中之 解性最優之二乙二醇二甲基醚、或1-乙氧; 二醇單甲基醚乙酸酯及其混合溶劑。 有機溶劑之使用量相對於光阻組成物中 份爲200-1000份,尤宜爲4 00~8 00份。 專0 0 1〜1份。 過2份,有時 ,係只要爲光 添加劑等可溶 -2-正戊基酮等 丁醇' 1-甲氧 二醇單甲基醚 醇單乙基醚、 類、丙二醇單 酸乙酯、丙酮 乙氧基丙酸乙 單第三丁基醚 此等之一種單 。在本發明中 酸產生劑的溶 塞-2-丙醇、丙 之固形分1〇〇 -55- (51) (51)1327587 其他之成分 在本發明之光阻組成物中亦可添加被酸分解且產生酸 之化合物(酸增殖化合物)作爲其他成分》此等之化合物 在 J. Photopolym、Sci.and Tech.,8. 43 -44,45~46 ( 1 9 9 5 )、J. Ph ot opo ly m、S ci. and Tech.,9.2 9 - 3 0 ( 1 9 9 6 中已被 記載。 酸增殖化合物之例可舉例如第三丁基-2-甲基-2-對甲 苯磺醯氧甲基乙醯丙酮配位基、2-苯基-2-(2-甲苯磺醯氧 乙基)-1,3 -二氧雜環戊烷等,但不限定於此等。公知之光 酸產生劑中安定性尤其熱安定性差之化合物常顯示酸增殖 化合物的性質。 本發明之光阻組成物中的酸增殖化合物之添加量係相 對於光阻組成物中之全基材樹脂1 00份爲2份以下,宜爲 1份以下。添加量過多時,很難控制擴散,會產生解析性 之劣化、圖型形狀之劣化。 進而,本發明之光阻組成物中係可調配乙炔醇衍生物 作爲添加劑,藉此,可提昇保存安定性。 乙炔醇衍生物較佳係市售之Surfynol 61、Surfynol 82 、Surfynol 10 4 、 Surfynol 1 04 E ' Surfynol 1 04 H 、
Surfynol 104A、Surfynol TG ' Surfynol PC、Surfynol 4 4 0 、Surfynol 4 6 5 、 Surfynol 4 8 5 ( Air Products and
Chemicals Inc、製)、Surfynol E1004 (日倍化學工業公 司製)等,此等係任一者於分子內具有乙炔骨架之聚烷撐 基氧化物醇衍生物。 -56- (52) (52)1327587 上述乙炔醇衍生物之添加量係光阻組成物中爲0.01〜2 重量%、更宜爲0.0 2〜1質量%。若少於0.01質量%,有時 無法充分得到塗布性及保存安定性之改善效果,若多於2 質量%,有時光阻組成物之解析性會降低。 於本發明之光阻組成物中,係除上述成分以外,可添 加一用以提昇塗布性所慣用之界面活性劑作爲任意成分。 又,任意成分之添加量係可在不妨礙本發明之效果的範圍 內爲一般量。 此處,界面活性劑宜爲非離子性者,可舉例如全氟烷 基聚氧乙烯乙醇、氟化烷基酯 '全氟烷基胺氧化物、全氟 烷基EO加成物、含氟有機矽氧烷系化合物等。例如 Fluorad「FC-43 0」、「FC-431」(任一者均爲住友 3M( 股)製)'Sarfron 「S-141」、「S-145」、「KH-10」 、「KH-20」、「KH-30」、「KH-40」(任一者爲旭硝子 公司製)、Unidyne「DS-401」、「DS-403」 「DS-451」 (任一者均爲大金工業公司製)、Magafuck「F-8 1 5 1」( 大曰本油墨工業公司製)、「X-70-092」、「X-70-093」 (任一者均爲信越化學工業公司製)等。較佳係Fluorad 「FC-430」(住友 3M (股)製)、「KH-20」、「KH-30 j (任一者爲旭硝子公司製)' 「X-70-093」(信越化學 工業公司製)。 光阻圖型形成方法 其次’說明有關光阻圖型的形成。使用本發明之光阻 -57- (53) (53)1327587 組成物而形成圖形係可採用公知之微影餘刻技術來實施, 例如於矽晶圓等之基板上以旋塗等之方法以膜厚成爲 之方式塗布光阻組成物’再於加熱板上以 60〜2 00 °C、進行1〇秒〜1〇分鐘、宜以80〜150 °C預烘烤30 秒〜5分鐘。然後,使用以形成目的之圖型的掩罩遮蓋於上 述光阻膜上,以曝光量1〜200mJ/cm 2左右、宜10〜1〇〇 mj/ cm 2左右之方式照射波長300nm以下之遠紫外線、準分子 雷射、X線等之高能線或電子束後,於加熱板上以60〜150 °C、進行10秒〜5分鐘、宜以80〜130°C進行30秒〜3分鐘 後曝露烘烤(PEB )。進一步,使用0.1〜5質量%、較佳 係2〜5質量%氫氧化四甲基銨(TMAH)等之鹼水溶液的 顯影液,藉5秒〜3分鐘、較佳係15秒〜2分鐘、浸漬( dip)法、搖槳(puddle)法、噴塗(spray)法等之常用 法進行顯影,俾於基板上形成目的之圖型。又,本發明材 料於高能量線之中尤其最適於254~120nm的遠紫外線或準 分子雷射、尤其24 8nm之KrF、193nm之ArF' 146nm之 Kr2、134nm之KrAr等的準分子雷射' i57nm之F2、 12 6nm之等的雷射、χ線及電子束所產生的微細圖型 化,不僅乾式的曝光’亦可使用於以液浸法之曝光。 本發明之光阻組成物係中心材料之縮合度1 0 0 %的倍 半矽氧烷縮合物之合成法上,相較於以一般之設計所得到 的含有矽之光阻組成物’於側鏈上可容易地使用碳比高之 取代基。因此’其使用方法,亦可使用來作爲單層光阻, 但適宜利用來作爲2層光阻法的上層。就2層光阻法而言 -58- (54) 1327587 ,進行基板加工之步驟的槪要係如以下般。
成 又 射 爲 爲 形 加 T- CO 邊 間 定 A1 被 W 爲 ,分 2F2 乾 丨矽 被加工基板一般爲無機基板,但使於後述之下層膜 膜,於該膜上塗布本發明之光阻組成物,形成光阻膜》 ,依需要,於光阻組成物與下層膜之間亦可形成防止反 膜。藉由上述方法使光阻膜形成圖型後,以光阻圖型作 蝕刻掩罩而轉印圖型於下層膜上。氧氣蝕刻係以氧氣做 主成分之反應性電漿蝕刻,若依此方法,從光阻圖型係 成一對氧氣蝕刻具有高耐性之氧化矽,故以高的長寬比 工基底之有機膜。除氧氣之外爲防止以過度蝕刻造成的 頂形狀,亦可添加以側壁保護作爲目的之so2、co2、 、NH3、N2氣體。又,除去顯影後之光阻膜的碎屑,使 線圓滑而防止粗縫,在進行氧氣餓刻之前,亦可以短時 氟系氣體進行蝕刻。 又,被加工基板係形成於基板上。基板並無特別限 ,爲 Si、a -Si ' p-Si、Si〇2、SiN、SiON、W、TiN、 等,可使用與被加工膜(被加工基板)相異之材質者。 加工膜係可使用 Si、Si〇2、SiON、SiN、p-Si、a-Si、 、W-Si、Al、Cu、Al-Si等各種的Low-k膜及其阻擋膜 —般可形成50~1 0000nm、尤其可形成100〜5000nm厚。 其次’爲被加工膜之乾式蝕刻加工。若被加工膜 Si02或Si3N4,則進行以氟氯碳化物系之氣體作爲主成 之蝕刻。氟氯碳化物系氣體可舉例如CF4、CHF3、CH 、C2F6、C3F8、C4F1()、C5F12等。此時係與被加工膜之 式蝕刻同時地,可剝離含矽之光阻膜。被加工膜爲多 -59- (55) (55)1327587 、矽化鎢、TiN/Al等時係進行以氯、溴氣做爲主成分之蝕 刻。 使用來作爲上述2層光阻時之下層膜的有機膜材料, 有許多爲公知者’此等係任一者均可使用。有關有機膜若 加上若干之說明,基本上宜爲芳香族系的樹脂,又,塗布 本發明之光阻組成物,成膜時爲不產生互混,宜爲成膜時 被交聯者。 芳香族系之樹脂有酚醛清漆樹脂、聚氫苯乙烯系之樹 脂等,圖型轉印於此有機膜後,爲提昇蝕刻加工基板時之 耐蝕刻性,可有效地使用芴骨架、或含有茚骨架者。又, 於此有機膜上形成防止反射膜,於其上亦可形成本發明之 光阻膜,但若有機膜具有防止反射功能,可使步驟更簡單 ,佳。爲賦予此防止反射功能,宜使用一具有蔥骨架或萘 骨架、又具有共軛不飽和鍵之苯骨架的樹脂。 交聯之形成係可藉由以熱硬化性樹脂或負型光阻組成 物所使用之交聯法來形成,對於具有酚或烷氧基苯基、醇 或羧酸等之官能基的樹脂,藉由以熱進行分解而產生酸之 物質、以六烷氧基甲基三聚氰胺爲首之上述官能基與酸觸 媒,使加上一形成交聯的交聯劑的組成物溶液塗布於被加 工基板上,藉加熱而產生酸,形成交聯的方法爲一般性。 【實施方式】 (實施例) 以下,表示製造例 '實施例及比較例,具體上說明本 -60- (56) (56)1327587 發明,但本發明係不限定於下述實施例。又,於下述例中 份表示質量份,T 1〜T3係表示如下述之意義。 T1/T2/T3比係3官能性矽(T單元)中,藉形成矽氧 烷鍵之數目,表示下述之單元的存在比(莫耳比)(以Si NMR算出)。 T1:形成1個矽氧烷鍵(其餘之2個係矽烷醇基或水 解性基殘留) T2:形成2個矽氧烷鍵(其餘之1個係矽烷醇基或水 解性基殘留) T3:形成3個矽氧院鍵(=完全縮合單元) [製造例1] 於100ml之燒瓶中置入乙腈20g、2.37 %草酸溶液 4.08G,使單體 l(3.01g)、單體 2(3_68g)、單體 3( 7.97g)的乙腈20g溶液花5小時滴下,進—步以30°C反 應4 0小時。反應終了後以甲乙酮稀釋,使用純水而水洗 至成爲中性。藉濃縮所得到之溶液,得到水解物1 I2.01g。此水解物 1 爲 Mw=ll〇〇、縮合度(T1/T2/T3)= (40/50/10) ° [製造例2] 使用單體l(4.52g) '單體2(3.68g)、單體4( 6.90g)的乙腈20g溶液作爲單體混合物而與製造例1同 樣地進行製造’得到水解物2 1 2.5 3 g。此水解物2爲 -61 - (57) 1327587
Mw=1 200、縮合度(T1/T2/T3 ) = ( 40/55/5 )。 【化1 9】 OEt 單體 1 = EtO—ί Ο 單體 2 = EtO—fi OEt
OEt I r 、f3C
OH cf3 ?Et OEt 單體 3 = EtO-i
(X Me O OEt 單體 4 = EtO- OEt
O O (式中,Et爲乙基,Me爲甲基) (實施例1 ) 使藉製造例1所合成之水解物1溶解於一 3 0ml,添加氫氧化鉀1.41g (相對於單體單元ί ),在1 4 (TC下反應2 4小時。冷卻後,使反應 至甲基異丁基酮,以純水反覆水洗至中性。所 物全體的縮合度爲(Τ1/Τ2/Τ3 )=( 0/12/88 ) 含有縮合率100%籠型8聚體化合物50% (以 比算出,以下相同)。又,縮合物之收量爲9. 甲基甲醯胺 i 3 0莫耳% 混合物稀釋 生成之縮合 ,但其中, GPC之面積 67g。 -62- (58) (58)1327587 生成物之GPC圖表示於圖1中。 [實施例2] 使藉製造例1所合成之水解物1溶解於甲基異丁酮中 ,添加DBU 5.75g’以具備醋接受器之燒瓶中回流24小 時,於此間所副生成的水係以酯接受器排至系外。與實施 例1同樣的處理後’全體之縮合度爲(ΐ1/Τ2/Τ3 )=( 0/5/95),縮合率1〇〇%籠型8聚體化合物係於其中含有 77%。又,縮合物之收量爲9.57g。 生成物之GPC圖表示於圖1中。 [實施例3] 使藉製造例1所合成之水解物1溶解於甲基異丁酮中 ,添加40%氫氧化四甲基銨2.87g,以酯接受器除去水同 時並回流而進行縮合反應24小時。與實施例1同樣地進 行後處理後,所得到之縮合物的縮合度爲(T1/T2/T3 )= (0/2/98 ),縮合率100%籠型8聚體化合物係含有50%。 又,縮合物之收量爲9.52g。 生成物之GPC圖表示於圖1中。 (實施例4) 使用製造例2所合成之水解物2,以實施例1之配方 進行縮合反應。後處理後之縮合物全體的縮合度爲( T1/T2/T3) =(0/6/94) ’其中所含有之縮合率100%籠型 -63- (59) (59)1327587 8聚體化合物係7〇%。又,縮合物之收量爲9.99g。 於圖2中表示此GPC分取前反應混合物及分取物之 GPC圖,又,將GPC分取而單離之縮合率ι00%籠型8聚 體化合物的SiN MR表示於圖3中。 (比較例1 ) 使藉製造例1所合成之水解物1溶解於甲基異丁基酮 ,添加三乙胺18.21g而以1 10°C下進行縮合反應24小時 。與實施例1同樣地進行後處理後,反應生成物之縮合度 爲(T1/T2/T3) =( 2/35/63),縮合率100%籠型8聚體化 合物係全部未生成。又,縮合物之收量爲9.54g。 (比較例2) 使藉製造例1所合成之水解物1溶解於二甲基甲醯胺 ,添加40%氫氧化四甲基銨14.36g’以ll〇°c下進行縮合 反應24小時。與實施例1同樣地進行後處理後,所得到 之縮合物不超過 32%,但其縮合度亦爲(T1/T2/T3 )=( 0/22/78 ),縮合率100%籠型8聚體化合物係未得到。又 ,縮合物之收量爲3.3 lg。 (比較例3)(特開2004-3 544 1 7號公報(特許文獻3)之方 法) 使藉製造例1所合成之水解物1溶解於二甲基甲醯胺 6g,添加40%氫氧化鉀〇.75g而以140°C下進行縮合反應 -64 - (60) 1327587 1 6小時。與實施例1同樣地進行後處理後,所得到之縮合 物的縮合度爲(Tl/T2/T3)=( 0/8/92),縮合率100%籠 型8聚體化合物係僅含有23%。又,縮合物之收量爲 9.6 0 g ° 生成物之GPC圖表示於圖4中。 (實施例5) # 以實施例2所合成之完全縮合物混合物作爲基材聚合 物(100份),酸產生劑(三苯基硫鎗九氟-正丁烷磺酸酯 . 、2份)、鹼性化合物(三乙醇胺0.1份)溶解於丙二醇 單甲基醚乙酸酯(PGMEA、900份)後,使用孔徑0.2从m 之過濾器而過濾,調整正型光阻膜形成用塗布液。然後, ' 使所得到之光阻溶液塗布於一以旋塗器形成日產化學工業 公司ARC29A ( 78nm )膜的矽晶圓上,以120°C烘烤60秒 鐘而形成膜厚160nm的光阻膜。再使用ArF準分子雷射步 Φ 進器((股)Nikon 製、NSR-S307E、ΝΑ = 0.85' σ = 0·93) 而曝光,以1 〇 〇 °C烘烤6 0秒後,以2.3 8質量%之氫氧化 * 四甲基銨水溶液進行顯影3 0秒,得到正型圖案。此光阻 ^ 之界線解析度爲65nm (光阻圖型後,維持圖型形狀,且 , 以除去至底部的最小圖型尺寸作爲邊界解析度。) (實施例6) 調製一以含有實施例3所合成之縮合率i 〇〇%籠型8 聚體化合物之混合物與實施例5同樣地作爲基材樹脂之光 -65- (61) (61)1327587 阻組成物,以相同之方法進行解析性測試。此光阻之邊界 解析度爲7 〇 n m。 (比較例4 ) 調製一以比較例3所合成之完全縮合物縮合率作爲與 實施例5同樣地作爲基材樹脂之光阻組成物,以相同之方 法進行解析性測試。此光阻之邊界解析度爲 80η ,且 DOF邊緣極狹宰。 【圖式簡單說明】 圖1爲實施例1、2、3之反應混合物的GPC圖。 圖2係實施例4之反應縮合物與以GPC分取所單離 之成分的GPC圖。 圖3係實施例4之反應縮合物所單離之 S i NMR圖表 。 圖4係比較例3之反應混合物之GPC圖。
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Claims (1)
- I3275S7 .?Π) 十、申請專利範園 第095 1 1 1 589號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 .. , 民國95年12月22日修正 f ·. ~種具有局含量之側鏈具有龐大的取代基且縮合度 \ 實質上爲100%之倍半矽氧烷型化合物的倍半砂氧院系化 \ % 合物混合物之製造方法,其特徵在於:使通式(1)之砂院 \ Φ 原料進行以酸或鹼作爲觸媒之第1段的水解後,第2段之 ] ί. • 脫水縮合反應係對於上述矽烷原料在〇·5莫耳%以上的強 ii . 鹼觸媒的存在下,伴隨因縮合所產生的水除去至反應系外 Γ 的操作,進行脫水縮合反應,上述矽烷原料係含有以下述 ' 通式(1)【化1】 ΥX2 ⑴(式中,Υ係亦可具有官能基之碳數3〜20,與矽之結合部 位的原子係含有該矽以外具有與氫原子及齒原子以外之原 子2個以上的結合之碳的脂肪族分枝狀、環狀或多環式構 造之有機基,或亦可具有官能基之碳數6〜18,於與矽之結 合部位的鄰接位上含有具有氫原子及鹵原子以外之取代基 的芳香族構造之有機基,X1、X2、X3係分別獨立地表示 氫原子、鹵原子、碳數1〜6的直鏈狀、分枝狀或環式之烷 (2) 1327587 1 ♦ 氧基、或碳數6~10的芳氧基)所示之側鏈上具有龐大的取 . 代基之3官能性矽烷。 2. 如申請專利範圍第1項之製造方法,其中在強鹼觸 媒存在下進行之第2段脫水縮合時,使用有機溶劑。 3. —種具有高含量之側鏈具有龐大的取代基且縮合度 實質上爲100 %之倍半矽氧烷型化合物的倍半矽氧烷系化 合物混合物之製造方法’其特徵在於:使通式(1)之矽烷 ^ 原料進行以酸或驗作爲觸媒之第1段的水解後,第2段之 脫水縮合反應係對於上述矽烷原料在0.5莫耳%以上的強 • 鹼觸媒的存在下’相對於以水解所得到之水解生成物量, 使用2倍以上之質量的有機溶劑,使因縮合所產生的水分 移至有機溶劑而進行脫水縮合反應,上述矽烷原料係含有 ' 以下述通式(1) 【化2】 Y • X1-〒 i-x3 (1) (式中,Y係亦可具有官能基之碳數3〜20,與矽之結合部 位的原子係含有該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之原 身 子2個以上的結合之碳的脂肪族分枝狀、環狀或多環式構 .* 造之有機基,或亦可具有官能基之碳數6〜18,於與矽之結 合部位的鄰接位上含有具有氫原子及鹵原子以外之取代基 的芳香族構造之有機基,X1、X2、X3係分別獨立地表示 氫原子、鹵原子、碳數1~6的直鏈狀、分枝狀或環式之烷 (3) 1327587 < * 氧基、或碳數6~10的芳氧基)所示之側鏈上具有龐大的取 . 代基之3官能性矽烷。 4·如申請專利範圍第2或3項之製造方法,其中在強 '鹼觸媒存在下進行之第2段脫水縮合時,使用可與水分離 之有機溶劑。 5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之製造方法,其 中含有一從第2段之脫水縮合後的反應混合物,藉區隔處 φ 理除去低縮合成分之步驟。 6. 如申請專利範圍第5項之製造方法,其中區隔處理 - 爲再沈澱法、管柱分取、或GPC分取。 . 7.一種含有縮合度實質上爲100%之倍半矽氧烷型化 合物之倍半矽氧烷系化合物混合物,其特徵在於:使通式 ' (1)之矽烷原料進行以酸或鹼作爲觸媒之第1段的水解後 ’第2段之脫水縮合反應係對於上述矽烷原料在〇,5莫耳 %以上的強鹼觸媒的存在下,使因縮合所產生的水除去至 • 反應系外的操作,進行伴隨此操作之脫水縮合反應而得到 ,上述矽烷原料係含有以下述通式(1) 【化3】 Y xLsi-X3 ⑴ . b * (式中’ Y係亦可具有官能基之碳數3~2〇,與矽之結合部 位的原子係含有該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之原 子2個以上的結合之碳的脂肪族分枝狀、環狀或多環式構 (4) 1327587 造之有機基,或亦可具有官能基之碳數6〜18,於與矽之結 . 合部位的鄰接位上含有具有氫原子及鹵原子以外之取代基 的芳香族構造之有機基,X1、X2、X3係分別獨立地表示 氫原子、鹵原子、碳數1~6的直鏈狀、分枝狀或環式之烷 氧基、或碳數6~ 10的芳氧基)所示之3官能性矽烷。 8. 如申請專利範圍第7項之倍半矽氧烷系化合物混合 物,其中進一步在強鹼觸媒存在下進行之第2段脫水縮合 φ 時,使用有機溶劑而得到。 · 9. 一種含有縮合度實質上爲100%之倍半矽氧烷型化 • 合物之倍半矽氧烷系化合物混合物,其特徵在於:使矽烷 _ 原料進行以酸或鹼作爲觸媒之第1段的水解後,第2段之 脫水縮合反應係對於上述矽烷原料在0.5莫耳%以上的強 ' 鹼觸媒的存在下,相對於以水解所得到之水解生成物量, 使用2倍以上之質量的有機溶劑,使因縮合所產生的水分 移至有機溶劑而進行脫水縮合反應而得到,上述矽烷原料 _ 係含有以下述通式(1) · 【化4】 Υ X^Si-X3 (1) X2 : (式中,γ係亦可具有官能基之碳數3~20,與矽之結合部 位的原子係含有該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之原 子2個以上的結合之碳的脂肪族分枝狀、環狀或多環式構 造之有機基,或亦可具有官能基之碳數6〜18,於與矽之結 -4- (5) 1327587 合部位的鄰接位上含有具有氫原子及_原子以外之取代基 . 的芳香族構造之有機基’ X1、X2、X3係分別獨立地表示 氫原子、鹵原子、碳數1〜6的直鏈狀、分枝狀或環式之烷 _ 氧基、或碳數6〜10的芳氧基)所示之3官能性矽烷。 10.如申請專利範圍第8或9項之倍半矽氧烷系化合 物混合物,其中在強鹼觸媒存在下進行之第2段脫水縮合 時,依使用可與水分離之有機溶劑的反應而得到。• 11·如申請專利範圍第7~1〇項中任一項之倍半矽氧烷 系化合物混合物,其中經過一從第2段之脫水縮合後的反 - 應混合物,藉區隔處理除去低縮合成分之步驟而得到。 12.如申請專利範圍第7~11項中任一項之倍半砂氧 烷系化合物混合物,其中3官能性矽烷係使用含有至少一 種選自以下述通式(2)所示之單體單元(A)及以下述通式(3) 所示之單體單元(B )之矽烷原料而得到者, R1 - SiX'3 (2)鲁 R2 - SiX23 (3) [式中,R1係對分子賦予密著性之有機基,該分子係與矽 之結合部位的原子爲除該矽以外具有與氫原子及鹵原子以 外之原子2個以上的結合之碳,且,含有包含氟之鹵素、 亦可含有氧或硫原子之碳數3 ~20的脂肪族分枝狀、環狀 或多環式構造,或亦可具有官能基之碳數6〜18,在與矽之 結合部位的鄰接位上含有具有氫原子及鹵原子以外之取代 基的芳香族構造;R2係一種有機基,該有機基係與矽之結 ).· ·, -5- (6) 1327587 I · 合部位的原子爲除該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之 . 原子2個以上的結合之碳,且,氧分解性保護基保護作爲 官能基之分子上具有去保護時可賦予鹼可溶性之基,該官 能基之外含有亦可含有鹵素、氧或硫原子之碳數3 ~2 0的 脂肪族分枝狀、環狀或多環式構造,或亦可具有官能基之 碳數6〜18’在與矽之結合部位的鄰接位上含有具有氫原子 及鹵原子以外之取代基的芳香族構造;進一步,χ\χ2分 # 別獨立地表示氫、鹵素、或碳數1〜6之直鏈、分枝或環狀 之烷氧基]。 - 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之倍半矽氧烷系化合物 混合物’其中含有於單體單元(Α)且可對分子賦予密著性 之官能基構造,爲選自:在具有羥基且進一步結合於該羥 基結合之碳原子上之1個或複數碳原子上合計結合3個以 上之氟原子的構造、羧酸構造、酚性羥基構造、及內酯環 構造。 • 14.如申請專利範圍第12或13項之倍半矽氧烷系化 合物混合物,其中3官能性砂院係使用含有至少一種分別 選自以上述通式(2)所示之單體單元(Α)及以上述通式〇)所 示之單體單元(Β)之矽烷原料而得到者。 - 15·—種倍半矽氧烷系化合物混合物,其係側鏈被取 , 代75莫耳%以上之縮合度實質上爲100%之倍半较氧院8 聚體化合物’以砂基準爲占有40莫耳%以上;該側鏈係選 自:對分子賦予密著性之有機基,即該分子係與矽之結合 部位的原子爲除該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之原 (7) 1327587 I 子2個以上的結合之碳’且’含有包含氟之鹵素、亦可含 有氧或硫原子之碳數3〜2〇的脂肪族分枝狀、環狀或多環 式構造,或亦可具有官能基之碳數6〜18,在與矽之結合部 位的鄰接位上含有具有氫原子及_原子以外之取代基的芳 香族構造;與,一種有機基,其係除該矽以外具有與氫原 子及鹵原子以外之原子2個以上的結合之碳,且,含有包 含氟之鹵素、亦可含有氧或硫原子之碳數3~20的脂肪族 φ 分枝狀、環狀或多環式構造,或亦可具有官能基之碳數 _ 6~ 18,在與矽之結合部位的鄰接位上含有具有氫原子及鹵 . 原子以外之取代基的芳香族構造,且以氧分解性保護基保 護作爲官能基之分子上具有去保護時可賦予鹼可溶性之基 〇 * 1 6.如申請專利範圍第1 5項之倍半矽氧烷系化合物 混合物’其中對分子賦予密著性之官能基構造爲選自:在 具有羥基且進一步結合於該羥基結合之碳原子上之1個或 * 複數碳原子上合計結合3個以上之氟原子的構造、羧酸構 i 造、酚性羥基構造、及內酯環構造。 1 7 .如申請專利範圍第1 5或1 6項之倍半矽氧烷系化 合物混合物,其中縮合度實質上爲100%之籠型倍半矽氧 * 烷8聚體化合物,以矽基準爲50莫耳%以上。 , 18.如申請專利範圍第15〜17項中任一項之縮合度實 質上爲100%之倍半矽氧烷系化合物混合物,其係側鏈之 全部爲選自:一種有機基,其係對分子賦予密著性之有機 基’該分子與矽之結合部位的原子爲除該矽以外具有與氫 < S ) (8) 1327587 原子及鹵原子以外之原子2個以上的結合之碳,且,含有 . 包含氟之鹵素、亦可含有氧或硫原子之碳數3〜20的脂肪 族分枝狀、環狀或多環式構造,或亦可具有官能基之碳數 6〜18,在與矽之結合部位的鄰接位上含有具有氫原子及鹵 原子以外之取代基的芳香族構造;與,一種有機基,其係 除該矽以外具有與氫原子及鹵原子以外之原子2個以上的 結合之碳,且,含有包含氟之鹵素、亦可含有氧或硫原子 φ 之碳數3〜20的脂肪族分枝狀、環狀或多環式構造,或亦 鲁 可具有官能基之碳數6〜18,在與矽之結合部位的鄰接位上 . 含有具有氫原子及鹵原子以外之取代基的芳香族構造。 19. 一種正型光阻組成物,其特徵在於含有如申請專 利範圍第7〜18項中任一項之倍半矽氧烷系化合物混合物 〇 20. 如申請專利範圍第1 9項之正型光阻組成物,其 中進一步爲含有有機溶劑及酸產生劑之化學增幅型的光阻 • 組成物。 籲 21. 如申請專利範圍第19或20項之正型光阻組成物 ,其中進一步含有阻止溶解劑。 22. 如申請專利範圍第19〜21項中任一項之正型光阻 - 組成物’其中進一步含有鹼性化合物及/或界面活性劑。 , 23.—種圖型形成方法,係包括如下步驟:使如申請專 利範圍第19〜22項中任一項之正型光阻組成物塗布於基板 上之步驟,然後,進行加熱處理之步驟,其後介由光罩而 以波長30〇nm以下之高能量線或電子束進行曝光之步驟, * 8 - 1327.587 # ♦ Ο) 依需要而進行加熱處理之步驟,其後,使用顯影液而進行 顯影之步驟。 24.如申請專利範圍第23項之光阻圖型形成方法, 其中進一步,上述顯影步驟後,含有一藉電漿蝕刻進行基 板之加工的步驟。-9 -
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005105783 | 2005-04-01 | ||
JP2005105795 | 2005-04-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200704712A TW200704712A (en) | 2007-02-01 |
TWI327587B true TWI327587B (en) | 2010-07-21 |
Family
ID=36660669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095111589A TWI327587B (en) | 2005-04-01 | 2006-03-31 | Silsesquioxane compound mixture, method of making, resist composition, and patterning process |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7265234B2 (zh) |
EP (1) | EP1707589B1 (zh) |
JP (1) | JP4775561B2 (zh) |
KR (1) | KR100889217B1 (zh) |
DE (1) | DE602006001972D1 (zh) |
TW (1) | TWI327587B (zh) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7906180B2 (en) * | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
US20060081557A1 (en) | 2004-10-18 | 2006-04-20 | Molecular Imprints, Inc. | Low-k dielectric functional imprinting materials |
JP4636242B2 (ja) * | 2005-04-21 | 2011-02-23 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体素子封止材及び光半導体素子 |
JP4602842B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2010-12-22 | 東京応化工業株式会社 | 反射防止膜形成用組成物、それを用いた反射防止膜 |
JP4946169B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2012-06-06 | Jnc株式会社 | シルセスキオキサン骨格を有する酸無水物および重合体 |
JP4509080B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2010-07-21 | 信越化学工業株式会社 | シルセスキオキサン系化合物混合物及び加水分解性シラン化合物、その製造方法及びそれを用いたレジスト組成物並びにパターン形成方法及び基板の加工方法 |
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US7857905B2 (en) * | 2007-03-05 | 2010-12-28 | Momentive Performance Materials Inc. | Flexible thermal cure silicone hardcoats |
CA2721855C (en) * | 2007-04-19 | 2017-05-30 | University Of Massachusetts Medical School | Thermal-responsive polymer siloxanes, compositions, and methods and applications related thereto |
JP4637209B2 (ja) | 2007-06-05 | 2011-02-23 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法 |
KR101260945B1 (ko) * | 2007-07-09 | 2013-05-06 | 삼성전자주식회사 | 실록산 폴리머 조성물 및 이를 이용한 커패시터 제조 방법 |
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JP5158370B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2013-03-06 | 信越化学工業株式会社 | ダブルパターン形成方法 |
US8415010B2 (en) * | 2008-10-20 | 2013-04-09 | Molecular Imprints, Inc. | Nano-imprint lithography stack with enhanced adhesion between silicon-containing and non-silicon containing layers |
CN102439069B (zh) * | 2009-07-23 | 2014-11-05 | 道康宁公司 | 用于反向图案化的方法和材料 |
JP5773131B2 (ja) * | 2011-03-02 | 2015-09-02 | 荒川化学工業株式会社 | チオール基含有シルセスキオキサンの製造方法ならびにチオール基含有シルセスキオキサンを含む硬化性樹脂組成物、当該硬化物、およびこれらから誘導される各種物品 |
KR101501015B1 (ko) * | 2012-12-13 | 2015-03-10 | 한국생산기술연구원 | 이산화탄소 용매를 이용한 폴리실세스퀴옥산의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 폴리실세스퀴옥산. |
KR101517856B1 (ko) * | 2013-12-19 | 2015-05-06 | 한국생산기술연구원 | 이산화탄소 용매와 유기 용매를 공용매로 이용한 폴리실세스퀴옥산의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 폴리실세스퀴옥산. |
US9703202B2 (en) * | 2015-03-31 | 2017-07-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Surface treatment process and surface treatment liquid |
WO2017056888A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物 |
JP7143763B2 (ja) * | 2016-02-24 | 2022-09-29 | 日産化学株式会社 | シリコン含有パターン反転用被覆剤 |
WO2020203472A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用光硬化性樹脂組成物、インプリント用光硬化性樹脂組成物の製造方法、およびパターン形成体の製造方法 |
CN116041706A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-05-02 | 中国科学院广州能源研究所 | 一种微球型水合物抑制剂及其应用 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS531000B2 (zh) * | 1974-04-22 | 1978-01-13 | ||
US4130599A (en) | 1975-05-19 | 1978-12-19 | General Electric Company | Silanol-free resins |
JP2900699B2 (ja) | 1992-05-13 | 1999-06-02 | 松下電器産業株式会社 | 表示制御装置 |
JP3942201B2 (ja) * | 1994-11-18 | 2007-07-11 | 株式会社カネカ | フェニルポリシルセスキオキサンの製造方法 |
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JP3798458B2 (ja) | 1996-02-02 | 2006-07-19 | 東京応化工業株式会社 | オキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤 |
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JP2004107277A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Jsr Corp | ノルボルネン系化合物、ケイ素含有化合物、ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物 |
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US7041748B2 (en) * | 2003-01-08 | 2006-05-09 | International Business Machines Corporation | Patternable low dielectric constant materials and their use in ULSI interconnection |
JP4032249B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2008-01-16 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP2004354417A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP2006045516A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-02-16 | Asahi Kasei Corp | 含シルセスキオキサン化合物 |
JP4409397B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2010-02-03 | 新日鐵化学株式会社 | シリコーン樹脂組成物及び成形体 |
JP5082258B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2012-11-28 | Jnc株式会社 | カゴ型ケイ素骨格を有する有機ケイ素化合物及び高分子化合物 |
JP2006268037A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Chisso Corp | シルセスキオキサン誘導体からなる重合体を素材とする光導波路 |
JP4682644B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2011-05-11 | チッソ株式会社 | シリコーン樹脂成型体用ワニス及びシリコーン樹脂成型体 |
-
2006
- 2006-03-27 JP JP2006084411A patent/JP4775561B2/ja active Active
- 2006-03-31 EP EP06251845A patent/EP1707589B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-31 TW TW095111589A patent/TWI327587B/zh active
- 2006-03-31 DE DE602006001972T patent/DE602006001972D1/de active Active
- 2006-03-31 KR KR1020060029555A patent/KR100889217B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-03-31 US US11/393,911 patent/US7265234B2/en active Active
-
2007
- 2007-08-03 US US11/882,664 patent/US20080038664A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200704712A (en) | 2007-02-01 |
EP1707589B1 (en) | 2008-07-30 |
JP4775561B2 (ja) | 2011-09-21 |
EP1707589A1 (en) | 2006-10-04 |
US20080038664A1 (en) | 2008-02-14 |
DE602006001972D1 (de) | 2008-09-11 |
US7265234B2 (en) | 2007-09-04 |
JP2006307180A (ja) | 2006-11-09 |
US20060224009A1 (en) | 2006-10-05 |
KR100889217B1 (ko) | 2009-03-16 |
KR20060105652A (ko) | 2006-10-11 |
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Publication | Publication Date | Title |
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