TWI327159B - - Google Patents

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1327159 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係作爲掛壁式電視之平面發光體或 光等之光源使用，可得到壽命長，高發光效率 之藍色發光之有機電激發光元件用材料及使用 機電激發光元件。 【先前技術】 使用有機物質之有機電激發光（EL)元 爲固體發光型之價廉大面積之全彩顯示件的用 項開發》—般，有機EL元件係由發光層及挾 對對置電極所構成。有機EL元件之發光係於 加電場時，電子由陰極側注入，電洞由陽極側 層中，電子與電洞再結合產生激發狀態，由激 基態時，能量以光的形態釋放的現象。 以往之有機EL元件之驅動電壓比無機發 ，且發光亮度或發光效率也較低。特性劣化明 到實用化。最近之有機EL元件雖已逐漸改良 要更高發光效率、長壽命。 例如揭示以單一之單蒽化合物作爲有機發 之技術（特開平1 1 - 3 7 8 2號公報）。但是此技 流密度165mA/cm2時僅能得到1 65 0cd/m2之發 光效率極低爲led/A，不實用。另外揭示以單 合物作爲有機發光材料使用之技術（特開平8- 顯示器之背 、色純度高 此材料之有 件被期待作 途，已有多 著該層之一 兩電極間施 注入，發光 發狀態返回 光二極體高 顯，無法達 ，但是仍需 光材料使用 術例如在電 光亮度，發 一之雙蒽化 1 2600號公 -4 - 1327159

報）。但是此技術之發光效率也低爲i〜3cd/A，仍需改 良。.另外國際公開94/06 1 5 7號公報提案一種使用有機發 光材料使用二苯乙烯基化合物，其中再添加苯乙烯基胺者 等之長壽命的有機EL元件。但是此元件之亮度減半壽命 不夠長，仍需改良》 特開200 1 -284050號公報揭示以單或雙蒽化合物與二 苯乙烯基化合物作爲有機發光媒體層使用之技術。但是這 些技術因苯乙烯基化合物之共軛結構，使發光光譜形成長 波長，造成色純度不佳。 【發明內容】 本發明係解決前述課題所完成者，以提供壽命長、高 發光效率，色純度高之藍色系發光之有機EL元件用材料 及使用該材料之有機EL元件爲目的。 本發明人等精心檢討必須開發具有上述理想特性之有 機EL元件用材料及使用該材料之有機EL元件，結果發 現以下述一般式（I)〜（IV)中任—表示之連結鹿結構 與胺結構之芳香族胺衍生物，可達成前述目的。本發明依 此見解所完成的。 換言之’本發明係提供~種有機電激發光元件用材料 ’其特徵係由下述一般式（I)〜（IV)中任一表示之芳 香族胺衍生物所構成， 1327159

-6 (8)1327159

-11 - 1327159

-/2- (10) (10)1327159 本發明之一般式（I)〜（IV)中任一表示之化合物 係連結蓆結構與被具有取代基之苯環取代之胺結構，可防 止化合物彼此之會合，因此可延長壽命。固體狀態下，具 有很強之螢光，電場發光性也優異，螢光量子效率爲0.3 以上。而且同時兼具由金屬電極或有機薄膜層之優異的電 洞注入性或電洞傳輸性、由金屬電極或有機薄膜層之優異 的電子注入性或電子傳輸性，因此可作爲有機EL元件用 材料使用，也可作爲其他電洞傳輸性材料、電子傳輸性材 料或摻雜.材料使用。 本發明之有機EL元件係於陰極與陽極間形成一層或 多層之有機薄膜的元件。一層型時，在陰極與陽極間設置 發光層。發光層含有發光材料，而且爲了將由陽極注入之 電洞或由陰極注入之電子傳輸至發光材料，可含有電洞注 入材料或電子注入材料。一般式（I)〜（IV)之化合物 具有高之發光特性’優異之電洞注入性、電洞傳輸性及電 子注入性、電子傳輸性’因此可作爲發光材料用於發光層 〇 本發明之有機EL元件之發光層含有〇·ι〜20重量％ ’理想爲1〜10重量％之本發明之有機EL元件用材料。 本發明之有機EL元件用材料兼具螢光量子效率、高電洞 傳輸性及電子傳輸性’可形成均勻之薄膜，因此僅以本發 明之發光材料也可形成發光層》 多層型有機EL·元件例如有（陽極/電洞注入層/發光 層/陰極）、（陽極/發光層/電子.注入層/陰極）、（陽極/ -13- (11) (11)1327159 電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極）等之多層構成所層 合者。 必要時，發光層中除了本發明之一般式（〖）〜（IV )之化合物外，還可使用已知之發光材料、接雜材料、胃 洞注入材料或電子注入材料。有機EL元件形成多層構造 可防因急冷所造成之亮度或壽命降低。必要時也可，粗 用發光材料、摻雜材料、電洞注入材料或電子注入材料。 摻雜材料可提升發光亮度或發光效率，得到紅色或藍& = 發光。電洞注入層、發光層、電子注入層可分別以二層以 上之層構造所形成。此時’電洞注入層的情形··由電;^夕主 入電洞之層稱作電洞注入層，由電洞注入層接受電涧，將 電洞輸送至發光層之層稱爲電洞傳輸層。同樣的，電子注 入層的情形：由電極注入電子之層稱爲電子注入層，由電 子注入層接受電子’將電子輸送至發光層之層稱爲電子傳 輸層。這些各層係依材料之能階、耐熱性' 與有機薄膜層 或與金屬電極之密著性等各因素來選擇使用。 可與本發明之一般式（I)〜（IV)之化合物共同用 於發光層之發光材料或摻雜材料，例如有蒽、萘、菲、芘 、丁省、暈苯、窟、熒光素、茈、酞芘、萘二酸茈、二苯 基丁二稀、四苯基丁二綠、香豆素、嚼二哗、薛連氮、雙 苯并噁唑啉、聯苯乙烯、吡嗪、環戊二烯、[1啉金屬錯合 物、胺基α奎啉金屬錯合物、苯并鳴啉金屬錯合物、亞胺、 二苯基乙烯、乙烯基蒽 '二胺基蒽、二胺基苄唑、吡喃、 噻喃、聚甲炔、部花青、咪唑螯合化含氧化合物、鸣吖酮 -14- (12) (12)1327159 、紅熒烯及螢光色素等，但不限於這些材料。 電洞注入材料理想爲具有輸送電洞之能力，具有由陽 極之電洞注入效果，對於發光層或發光材料具有優異之電 洞注入效果，防止發光層所產生之激子往電子注入層或電 子注入材料移動，且形成薄膜之能力優異的化合物。具體 而言例如有酞菁衍生物、萘菁衍生物、卟啉衍生物、噁唑 、噁二唑、***、咪唑、咪唑酮、咪唑硫、吡唑啉、吡唑 酮、四氫咪唑'腙'醯基腙、聚芳烷、芪、丁二烯、聯苯 胺型三苯胺 '苯乙烯胺型三苯胺、二胺型三苯胺等及這些 之衍生物，以及聚乙烯咔唑、聚矽烷、導電性高分子等之 高分子材料，但不限於這些電洞注入材料。 本發明之有機EL元件用之電洞注入材料中更有效果 之電洞注入材料爲芳族三級胺衍生物或酞菁衍生物。芳族 三級胺衍生物之具體例有三苯胺、三甲苯胺、甲苯二苯胺 、1^，>1’-二苯基-^^，^’-(3-甲基苯基）-1，1’-聯苯基-4 ，4’-二胺、n，N，N，，Ν’- (4-甲基苯基）-1，1，_苯基 _4 ，4’-二胺、Ν，Ν，Ν，，Ν’_ (4 -甲基苯基）_i , i，_聯苯 基-4，4’-二胺、N，N，-二苯基-N，N，-二萘基-1，1’-聯苯 基-4，4’-二胺、Ν，Ν’-(甲基苯基）-N，Ν’- (4 -正丁基 苯基）-菲-9，10-二胺、Ν，Ν-雙（4-二-4 -甲苯胺基苯基 )-4·苯基環己烷等、或具有這些芳族三級胺骨架之低聚 物或聚合物，但不限這些芳族三級胺衍生物。 酞菁（Pc)衍生物之具體例有H2PC、CuPc、CoPc、 NiPc、ZnPc、PdPc、FePc ' MnPc、ClAlPc、CIGaPc、 -15- (13) (13)1327159

CllnPc ' CISnPc、C 12 S i P c、（ H 0 ) A1P c、（ H 0 ) GaP c ' VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc-O-GaPc 等之酞菁衍生物及 萘菁衍生物，但不限於此。 電子注入材料較佳者爲具有輸送電子之能力，具有由 陰極注入電子之效果，對於發光層或發光枋料具有優異之 電子注入效果，防止發光層所產生之激子往電洞注入層移 動’且形成薄膜之能力優異的化合物。具體而言有荀、葱 酮二甲院、聯對苯醌、噻喃化二氧、嚼哩、氧二氮茂、三 哗、咪哩、菲四酸、喹喔啉、甲院、意酿二甲院、蒽、酮等 及這些之衍生物，但不限於這些電子注入材料。電洞注入 材料中添加電子受容物質’電子注入材料中添加電子供給 性物質，可增加感度。 本發明之有機EL·兀件中，更有效果之電子注入材料 係金屬錯合物化合物及含氮五節環衍生物。 金屬錯合物之具體例有8 -經基π奎啉鋰、雙（8_經基嗤 啉）鋅、雙（8·羥基曈啉）酮、雙（8_羥基喹琳）錳、參 (8-經基嗤啉）鋁 '參（2_甲基-8_羥基Q奎啉）鋁、參（ 羥基哮啉）鎵、雙（1〇-羥基苯并〔h〕哮啉）鈹、雙（ μ-羥基苯并〔h〕α奎琳）鋅、雙（2_甲基_ 8D奎啉）氯化 鎵雙（2 -甲基-8 -Q奎啉）（鄰甲酌）鎵 '雙（2 -甲基-8_ 匕琳）（1-萘酿）錕、雙（2 -甲基-8_D奎啉）（2_萘酚） 鎵等，但不限於這些金屬錯合物。 又’含氮五節環衍生物例如有噁唑、噻哩、嚼二唑、 噻二唑或***衍生物。具體而言，有2 , 5雙（丨苯基）_ -16- (14) (14)1327159 1’3，4-噁唑、二甲基1>〇1)〇〇、2，5-雙（1-苯基）-1，3 ，4-噻唑、2，5-雙（1-苯基）-1，3，4-噁二唑、2-(4，-第三丁基苯基）-5-(4’，-聯苯基）-1，3，4 -噁二唑、2， 5 -雙（1-萘基）-1，3，4 -噁二唑、1，4 -雙〔2- ( 5 -苯基 氧二氮雜茂基）〕苯、1,4-雙{〔 2-(5-苯基氧二氮雜 茂基）-4-第三丁基苯〕、2-(4-第三丁基苯基）-5-( 4” -聯苯基）-1，3，4 -噻二唑、2，5 -雙（1-萘基）-1，3 ’ 4-噻二唑、1，4-雙〔2-(5-苯基噻二唑基）〕苯、2-( 4’-第三丁基苯基）-5-(4’’_聯苯基）-1，3，4 -***、2 ，5_ 雙（1.萘基）-1，3，4-***、1，4-雙〔2-(5-苯基 三哩基）〕苯等，但不限於此。 本發明之有機EL元件之發光層中除了本發明之一般 式（I)〜（IV)之化合物外，同一層中還可含有發光材 料、摻雜材料' 電洞注入材料或電子注入材料中之至少一 種。又’爲了提高本發明製得之有機EL元件對於溫度、 溼度 '氣氛等之安定性時，可在元件之表面設置保護層， 或藉由聚矽氧油、樹脂等保護元件整體。 用於有機EL元件之陽極的導電性材料理想爲具有大 於4eV之工作函數者’可使用碳、鋁、釩 '鐵、鈷、鎳、 鎢、銀、金 '鉑、鈀等及這些之合金、用於ITO基板、 NESA基板之氧化錫、氧化銦等之氧化金屬，及聚噻吩或 聚吡咯等之有機導電性樹脂。用於陰極之導電性物質理想 爲具有工作函數小於4eV者，可使用鎂、鈣、錫、鉛、鈦 、釔、鋰、釕、錳、鋁、氟化鋁等及這些之合金，但不限 -17- (15) (15)1327159 於此。合金之代表例有鎂/銀、鎂/銦、鋰/鋁等，但不限於 此。合金之比例係藉蒸鍍源之溫度、氣氛、真空度等來控 制，選擇適當之比例。必要時，陽極及陰極可由二層以上 之層構成所形成。 有機EL兀件爲了提局發光效率，其中至少一画在元 件之發光波長範圍內爲充分透明較佳。又，基板也爲透明 較佳。使用上述導電性材料，以蒸鍍或濺鍍等方法設定透 明電極，以確保所定之透光性。發光面之電極之光穿透率 設定在1 0%以上較佳。基板只要具有機械、熱強度，且具 有透明性者即無限制，例如有玻璃基板及透明性樹脂膜。 透明性樹脂膜例如有聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、 乙烯·乙烯醇共聚物、聚丙烯、聚苯乙烯' 聚甲基丙烯酸 甲酯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、尼龍、聚 酸醚嗣、聚硕、聚醚碼、四氟乙烯.全氟烷基乙烯醚共聚 物、聚氟乙烯、四氟乙烯-乙烯共聚物、四氟乙烯·六氟丙 嫌共聚物、聚氯三氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚酯、聚碳酸 醋、聚胺基甲酸酯 '聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚丙烯等。 本發明之有機EL元件之各層之形成可使用真空蒸鍍 、灘鍍、電漿、離子注入等之乾式成膜法或旋轉塗佈、浸 漬、流塗等濕式成膜法中任一種方法。膜厚無特別限定， 但必須設定爲適當的膜厚。膜厚若太厚時，爲了得到—定 之光輸出，必須要施加較高的電壓，發光效率變差。膜厚 過低時，會產生針孔等，即使施加電場也無法得到充分的 發光亮度。通常之膜厚理想爲5奈米至10微米之範圍， -18- (16) (16)1327159 更理想爲10奈米至0.2微米。 濕式成膜法係將形成各層之材料溶解或分散於乙醇、 氯仿、四氫呋喃、二噁烷等適當之溶劑中，形成薄膜，其 溶劑可爲任意。又，有機薄膜層爲了提高任一層之成膜性 ’防止膜之針孔等，也可使用適當的樹脂或添加劑。可用 之樹脂例如有聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、聚醯 胺' 聚胺基甲酸酯、聚碼、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸 甲酯、纖維素等之絕緣性樹脂及其共聚物、聚N-乙烯咔 唑、聚矽烷等之光導電性樹脂、聚噻吩、聚吡咯等之導電 性樹脂。又，添加劑有抗氧化劑、紫外線吸收劑、可塑劑 等。 如上述，有機EL元件之有機薄膜層使用本發明之有 機EL元件用材料，可得到壽命長、高發光效率，色純度 高之藍色系發光之有機EL元件。 本發明之有機EL元件可適用於掛壁式電視用平板顯 示器等之平面發光體、影印機、列印機、液晶顯示器之背 光板或計算機等之光源、顯示板、標識燈等。本發明之材 料不僅可用於有機EL元件，也可用於電子照相感光體、 光電轉換元件、太陽電池、影像感測元件等領域》 【實施方式】 其次藉由實施例詳細說明本發明，但是本發明不受此 實施例所限定。 -19- (17) (17)1327159 實施例1 (化合物（Η1 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A1 ) 1 〇 g、化合物（B 1 ) 21g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )鈀二氯（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯500ml， 以130°C反應24小時》 冷卻後，添加水1 000ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到16g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS (場脫附質譜分析）得到對 於C76H54N4=1 022，m/z=1 023之波峰，確認此爲目的化合 物（Η1 ) 〇 合成例1(化合物（1)之合成） 在氬氣流下，將6，12-二溴窟3.8居（1〇111111〇1)、>1-苯基-2-萘胺 5.4g(25mmol)、醋酸鈀 0_03g(1.5mol% ) 、三第三丁基膦0_06g(3mol% )、第三丁氧基鈉2.4g( 25mmol)、乾燥甲苯 1 00ml添加於附有冷卻管之3 00ml 之三口燒瓶中，然後以100°C加熱攪拌一晚。反應結束後 ，將析出之結晶過濾，使用甲苯50ml、甲醇100ml淸洗 ，得到淡黃色粉末6.4g。使用NMR光譜（參照圖1 )及 F D - M S (場解析質譜）測定此粉末，確認爲化合物（ 1 )(收率 98¾ )。 NMR光譜係使用溶媒CDC13、（股）日立製作所R- -20- (18) (18)1327159 1 9 00 ( 900MHz)傅里葉轉換核磁共振裝置測定。 合成例2(化合物（2)之合成） 在氧氣流下，將6，12-二溴恵3.8§(1〇111111〇1)、4-甲基二苯胺 4.5g(25mmol)、醋酸鈀 0.03g(1.5moi% ) 、三第三丁基膦0.06g(3mol% )、第三丁氧基鈉2_4g( 25mmol )、乾燥甲苯1 0 0 m 1添加於附有冷卻管之3 0 0 m 1 之三口燒瓶中，然後以100 °C加熱攪拌一晚。反應結束後 ，將析出之結晶過濾，使用甲苯50ml、甲醇100ml淸洗 ，得到淡黃色粉末5.4g。使用NMR光譜（參照圖2 )及 FD— MS (場解析質譜）測定此粉末，確認爲化合物（ 2 )(收率 92% )。 NMR光譜之測定條件與合成例1相同。 合成例3(化合物（5)之合成） 在氬氣流下，將6，12-二溴蓆3.8g(l〇mmol) 、p、 ρ’-二甲苯胺 4.9g(25mmol)、醋酸鈀 〇.〇3g(1.5mol% ) 、三第三丁基膦0.06g(3moU )、第三丁氧基鈉2.4g( 25mmol)、乾燥甲苯i〇〇ml添加於附有冷卻管之3 00ml 之三口燒瓶中，然後以1〇〇乞加熱攪拌一晚。反應結束後 ’將析出之結晶過濾，使用甲苯50ml、甲醇l〇〇ml淸洗 ’得到淡黃色粉末5.7g。使用NMR光譜（參照圖3)及 FD -MS (場解析質譜）測定此粉末，確認爲化合物（ 5 )(收率 93% )。 -21 - (19) (19)1327159 NMR光譜之測定條件與合成例1相同β 合成例4(化合物（6)之合成） 在氬氣流下，將6，12-二溴窟3.8g ( 1 Ommol ) ' m 、m’-二甲苯胺 4.9g(25mmol)、醋酸鈀 〇.〇3g(1.5mol % )、三第三丁基膦〇.〇6g(3mol% )、第三丁氧基鈉 2.4g(25mmol)、乾燥甲苯l〇〇ml添加於附有冷卻管之 3 0 0ml之三口燒瓶中’然後以100 °C加熱攪拌一晚。反應 結束後，將析出之結晶過濾，使用甲苯5 0 ml、甲醇100 ml 淸洗，得到淡黃色粉末5_5g。使用NMR光譜（參照圖4 )及FD-MS (場解析質譜）測定此粉末，確認爲化合 物（6 )(收率89% ) 。NMR光譜之測定條件與合成例1 相同。 合成例5 (化合物（8 )之合成） 在氬氣流下，將6，12-二溴窟3.8£(1〇111111〇1) 、4- 乙基二苯胺 4.9g(25mmol)、醋酸鈀 0.03g(1.5mol% ) 、三第三丁基膦〇.〇6g(3mol% )、第三丁氧基鈉2.4g( 25mmol)、乾燥甲苯1 0 0 m 1添加於附有冷卻管之 3 0 0 m 1 之三口燒瓶中，然後以100°C加熱攪拌一晚。反應結束後 ，將析出之結晶過濾，使用甲苯50ml、甲醇100ml淸洗 ，得到淡黃色粉末5.7g。使用NMR光譜（參照圖5 )及 FD - MS (場解析質譜）測定此粉末，確認爲化合物（ 8 )(收率92% ) » NMR光譜之測定條件與合成例1相同 -22- (20) (20)1327159 合成例6 (化合物（9 )之合成） 在氣氣流下’將6，12-二溴窟3.8居（1〇111111〇1) 、4- 異丙基二苯胺 5‘2g(25mmol)、醋酸鈀 0_03g(1.5mol% )、三第三丁基膦〇_06g ( 3mol% )、第三丁氧基鈉2.4g (25 mmol)、乾燥甲苯l〇〇ml添加於附有冷卻管之300ml 之三口燒瓶中’然後以l〇(TC加熱攪拌一晚。反應結束後 ’將析出之結晶過濾，使用甲苯50ml、甲醇100ml淸洗 ，得到淡黃色粉末6.3g。使用NMR光譜（參照圖6 )及 F D — M S (場解析質譜）測定此粉末，確認爲化合物（ 9 )(收率98% ) 。NMR光譜之測定條件與合成例1相同 合成例7(化合物（10)之合成） 在氨氣流下，將6，12-二漠窟3.8@(1〇11\111〇1)、4·-第三丁基二苯胺 5.6g(25mmol)、醋酸記 0.03g(1.5mol % )、三第三丁基膦0.06g ( 3mol% )、第三丁氧基鈉 2.4g ( 25mmol )、乾燥甲苯100ml添加於附有冷卻管之 3 0 0ml之三口燒瓶中，然後以i〇〇°c加熱攪拌一晚。反應 結束後，將析出之結晶過濾，使用甲苯5 0ml、甲醇100ml 淸洗，得到淡黃色粉末5.3g。使用NMR光譜（參照圖7 )及FD— MS (場解析質譜）測定此粉末，確認爲化合 物（10 )(收率79% ) 。NMR光譜之測定條件與合成例 -23- (21) (21)1327159 1相同。 合成例8 (化合物（1 1 )之合成） 在氬氣流下，將6，12-二溴窟3.88(10〇1111〇1) 、4- 異丙基苯基-對甲苯胺5.6g(25mmol)、醋酸鈀0.03g( 1.5mol% )、三第三丁基膦 0.06g ( 3mol% )、第三丁氧 基鈉2.4g(25mmol)、乾燥甲苯100ml添加於附有冷卻 管之30 0ml之三口燒瓶中，然後以100 °C加熱攪拌一晚。 反應結束後，將析出之結晶過濾，使用甲苯50ml、甲醇 100ml淸洗，得到淡黃色粉末6.0g。使用NMR光譜（參 照圖8)及F D — M S (場解析質譜）測定此粉末，確認 爲化合物（1 1 )(收率89% ) 。NMR光譜之測定條件與 合成例1相同。 合成例9 (化合物（12 )之合成） 在氬氣流下，將6，12-二溴窟3_88(1〇111111〇1) 、4- 二異丙基苯胺 6.3g ( 25mmol)、醋酸紀 0.03g ( 1.5mol% ) '三第三丁基膦0.06g ( 3mol% )、第三丁氧基鈉2.4g (2 5 mmo 1 )、乾燥甲苯100ml添加於附有冷卻管之300ml 之三口燒瓶中，然後以100 °C加熱攪拌一晚。反應結束後 » ，將析出之結晶過濾，使用甲苯50nU、甲醇100ml淸洗 ，得到淡黃色粉末6.9g。使用NMR光譜（參照圖9)及 F D - MS (場解析質譜）測定此粉末，確認爲化合物（ 12)(收率95% ) 。NMR光譜之測定條件與合成例1相 -24- (22) (22)1327159 同。 合成例1 〇 (化合物（1 4 )之合成） 在氬氣流下，將6，12 -二溴蓆3.8g(10mmol)、二-2 -萘胺 6.7g(25mmoI)、醋酸記 〇.〇3g(1.5mol% )、三 第三丁基膦 〇.〇6g ( 3mol% )、第三丁氧基鈉 2.4g ( 25mmol)、乾燥甲苯i〇〇mi添加於附有冷卻管之3 0 0ml 之三口燒瓶中，然後以100 °c加熱攪拌一晚。反應結束後 ，將析出之結晶過濾，使用甲苯50ml、甲醇100ml淸洗 ，得到淡黃色粉末7.2g。使用NMR光譜（參照圖10 )及 F D - M S (場解析質譜）測定此粉末，確認爲化合物（ 14)(收率94% ) 。NMR光譜之測定條件與合成例1相 同。 合成例1 1 (化合物（19 )之合成） 在氬氣流下，將 6，12-二溴窟 3 .8g ( 1 Ommol ) > 4- (二-對甲苯胺基）苯基硼酸7.9g(25mmol)、四-三苯膦 絕 〇.17g(l,5mol?6 )、碳酸鈉水溶液 30ml (60mmol、 2M)、甲苯60ml添加於附有冷卻管之300ml之三口燒瓶 中，然後以100°C加熱攪拌一晚。反應結束後，將析出之 結晶過濾，使用甲苯50ml、甲醇100ml淸洗，得到淡黃 色粉末7.3g。使用NMR光譜（參照圖11)及FD — MS (場解析質譜）測定此粉末，確認爲化合物（19)(收率 95% ) 。NMR光譜之測定條件與合成例1相同。 -25- (23) (23)1327159 實施例1 在 25mmx75mmxl · 1mm之玻璃基板上設置由膜厚 1 2 Onm之銦錫氧化物所構成之透明電極。此玻璃基板照射 紫外線及臭氧進行淸洗後，將此基板安裝於真空蒸鍍裝置 上。 首先蒸鍍膜厚60nm之N，N’’-雙〔4-(二苯胺基） 苯基〕-N，N’’-二苯基聯苯基-4，4'-二胺作爲電洞注入層 ，然後其上蒸鍍膜厚20nm之Ν，Ν，Ν’，Ν’-四（4-聯苯 基）-4，4'-二胺聯苯作爲電洞傳輸層。接著以重量比40 :2同時蒸鍍 10，10’-雙〔1，1’，4’，1’’〕三聯苯基- 2-基-9，9’-聯二蒽與上述化合物（2 )，形成厚度4〇nm之 發光層。 其次蒸鍍膜厚l〇nm之三（8-羥基喹啉）鋁作爲電子 注入層。其次蒸鍍lnm後之氟化鋰，再蒸鍍150nm厚之 鋁。此氟化鋰/鋁膜具有陰極的功能。如此製作有機EL元 件。 對於製得之有機EL元件進行通電試驗，在電壓6V 、電流密度l〇mA/cm2下，可得到發光亮度41〇cd/m2之藍 色發光（發光最大波長：Uhm)。在初期亮度5 00cd/m2 下，進行直流連續通電試驗時，亮度減半之壽命爲2160 小時。 實施例2 -26- (24) (24)1327159 除了使用化合物（））取代實施例1之化合物（2 )外 ’其餘相同製作有機EL元件。 對於製得之有機E L元件進行通電試驗，在電壓 6_5V、電流密度lOmA/cm2下，可得到發光亮度596cd/m2 之藍色發光（發光最大波長：463nm)。與實施例1相同 進行連續通電試驗時’亮度減半之壽命爲3880小時。 實施例3 除了使用化合物（11)取代實施例1之化合物 外，其餘相同製作有機EL元件。 對於製得之有機E L元件進行通電試驗，在電壓 6_3V、電流密度lOmA/cm2下，可得到發光亮度594cd/m2 之藍色發光（發光最大波長：462nm)。與實施例1相同 進行連續通電試驗時，亮度減半之壽命爲4590小時。 比較例1 除了使用6 ’12-雙（二苯基胺基）窟取代實施例1 之化合物（2 )外，其餘相同製作有機EL元件。 ϊ寸於製得之有機E L兀件進行通電試驗，在電壓 6.2V、電流密度10mA/cm2下，可得到發光亮度3ncd/in2 之藍色發光（發光最大波長：451nm) »與實施例}相同 進行連續通電試驗時，亮度減半之壽命爲1〇〇〇小時。 產業上之利用性 -27- (25) (25)1327159 以本發明之有機EL元件用材料作爲發光材料使用之 有機EL元件，施加低電壓可得到實用上充分的發光亮度 ’發光效率高、即使長時間使用也不易劣化，壽命長。 [圖式簡單說明】 圖1係表示以合成例1製得之本發明之有機EL元件 用材料之化合物（1)的NMR光譜圖。 圖2係表示以合成例2製得之本發明之有機EL元件 用材料之化合物（2)的NMR光譜圖。 圖3係表示以合成例3製得之本發明之有機EL元件 用材料之化合物（5 )的NMR光譜圖。 圖4係表示以合成例4製得之本發明之有機EL元件 用材料之化合物（6)的NMR光譜圖。 圖5係表示以合成例5製得之本發明之有機EL元件 用材料之化合物（8)的NMR光譜圖。 圖6係表示以合成例6製得之本發明之有機EL元件 用材料之化合物（9)的NMR光譜圖。 圖7係表示以合成例7製得之本發明之有機EL元件 用材料之化合物（10)的NMR光譜圖》 圖8係表示以合成例8製得之本發明之有機EL元件 用材料之化合物（11)的NMR光譜圖。 圖9係表示以合成例9製得之本發明之有機EL元件 用材料之化合物（12)的NMR光譜圖。 圖1〇係表示以合成例10製得之本發明之有機EL元 -28- (26) 1327159 件用材料之化合物（1 4 )的NMR光譜圖。 圖1 1係表示以合成例1 1製得之本發明之有機EL元 件用材料之化合物（19 )的NMR光譜圖。 -29-

Claims (1)

1. I327r^-, 公告本！ —二 J 正本

   拾、申請專利範圍 弟92129473號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國98年12月9日修正 1 '種有機電激發光元件用材料，其特徵係由下述一 般式（I)〜（II)中任—表示之芳香族胺衍生物所構成

   (式中A1〜A8係分別獨立之氫原子、甲基、乙基、丙基 、異丙基、丁基、第二丁基或第三丁基、戊基、己基、苯 基、萘基、環戊基、環己基，m爲〇〜5之整數，2 以上時’ At〜As可分別爲相同或不同，彼此鍵結可形成 飽和或不飽和環’八！與A2、A3與a4、A5與A6、A7與A8 波此連結可形成飽和或不飽和環，但是一般式（I)中， 1327159 Αι〜A4不同時皆爲氫原子，一般式（Π)中，A5〜A8不 同時皆爲氫原子， Ri〜R2G係表不氣原子^ Xl及X2係表示伸苯基）。 2.如申請專利範圍第1項之有機電激發光元件用材料 ，其特徵係選自下述化合物（1 )〜（19 )及（26 )中任 一者，

   1327159

   1327159

   Q

   (26) 5 3.如申請專利範圍第1或2項之有機電激發光元件用 材料，其係有機電激發光元件用發光材料.

   4. 如申請專利範圍第1項之有機電激發光元件用材料 ，其中Ai〜A8之取代或未取代之碳數1〜50之烷基爲選 自甲基、乙基 '丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁 基、戊基、己基、庚基、辛基、硬脂酿基、2 -苯基異丙基 、三氯甲基、三氟甲基、苄基、α-苯氧基苄基、α， 甲基苄基' α，α-甲基苯基苄基、α，α-二三氟甲基苄基、 三苯基甲基、α-苄氧基苄基中之任一者。 5. 如申請專利範圍第1項之有機電激發光元件用材料 ，其中Α1〜Α8之取代或未取代之芳基爲苯基、2-甲基$ 基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙基苯基、聯苯基、4_ 甲基聯苯基、4-乙基聯苯基、4-環己基聯苯基、聯三苯基 、3，5-二氯苯基、萘基、5_甲基萘基、蒽基、芘基中之 任一者 -4- 1327159 6.如申請專利範圍第1項之有機電激發光元件用材g ’ a1〜a8之取代或未取代之環烷基爲選自環丙基、 環丁基、環戊基、環己基中之任一者。 7·如申請專利範圍第1項之有機電激發光元件用材料 ’#中、〜八8之取代或未取代之烷氧基爲選自甲氧基、 基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁 、第三丁氧基、各種戊氧基、各種己氧基中之任〜者 〇 8·如申請專利範圍第1項之有機電激發光元件用材料 ’其中之取代或未取代之芳氧基爲選自苯氧基、 甲苯氧基'萘氧基中之任一者。 9. 一種有機電激發光元件，其係於陰極與陽極間挾著 至少由含有發光層之一層或複數層所構成之有機薄膜層的 有機電激發光元件，其特徵係該發光層爲以單獨或混合物 之成分的形態含有如申請專利範圍第1或2項的有機電激 發光元件用材料。 10. —種有機電激發光元件，其係於陰極與陽極間挾 著至少由含有發光層之一層或複數層所構成之有機薄膜層 的有機電激發光元件，其特徵係該發光層含有0.1〜20重 量％之申請專利範圍第1或2項之有機電激發光元件用材 料。 11. 如申請專利範圍第9項之有機電激發光元件，其 係由在發光層與陽極間形成含有芳香族三級胺衍生物及/ 或酞菁衍生物的層所成。 -5- 1327159 12. 如申請專利範圍第10項之有機電激發光元件，其 係由在發光層與陽極間形成含有芳香族三級胺衍生物及/ 或酞菁衍生物的層所成。 13. 如申請專利範圍第9〜12項中任一項之有機電激 發光元件，其係產生藍色系發光。