TWI323388B - Lithographic projection apparatus and actuator - Google Patents

Description

1323388 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一微影投影裝置及一驅動器 【先前技術】

微影投影裝置係施加所需圖案至基板（一般係至該美板 之目標部分)上之機器。微影投影裝置可用於例如積°體；路 (=之製造。在該情況下，可使用—圖案化元件（另稱為遮 或主先罩)來產生欲形成於該以一個別層上的電路圖 案。此圖案可轉移至一基板(如矽晶圓)之目標部分(如包括 部分、-個或數個晶粒）上。圖案通常係經由成像轉移至該 基板上設置的一層輻射敏感材料（光阻）上。一般而言，—單 基板將包含連續圖案化之相鄰目標部分的一網路。已知： 微影裝置包括所謂的步進機，其中藉由—次將整個圖案曝 光於目標部分上而照射每一目標部分；以及所謂的掃描 器，其中係藉由在一既定方向(”掃描"方向)中透過輻射束掃 描圖案’同時與此方向平行或反平行地同步掃描基板而照 射每-目標部分。#由將圖案印於基板上，亦可能將圖案 從圖案化元件轉移至基板。 通常微粒（諸如碳氫微粒或輻射敏感材料之微粒）會分別 地出現在投影系統周圍或從基板釋I起源於基板的微粒 可在基板（尤其係輻射敏感材料）曝露在圖案化光束或當基 板的其他處理（在曝露至圖案化光束前或後）發生時被釋 出。起源於基板或出現在投影系統周圍内之微粒，可能例 如與一感光表面（即已圖案化光束通過其及/或改變光束方 )05803.doc 向的表面）相互作用。此一 4先表面（如同位於朝向投影系統 末&的感先表面）出現在 ^ , . . . A ,v衮置中之位置可不屬於投影 系統，而係在相對於已 — 系化九束之傳播方向的下游。此 —末知（在下文亦稱為投 拉士上 勺仅〜糸統之底部"）可包括例如一透 鏡表面或一鏡表面。诵堂± , 通常此一表面由於特別拋光此一表面 而為投影系統之極昂眚邱八 ^ 、 Ρ貝。^刀。因此，投影系統之設計係經 常使感光表面的尺寸俘括忐异 了保持成最小。上述微粒與投影系統底 部的相互作用對於圖幸仆本由 , 圆茶化先束之強度及/或精度具有不利 之〜響&於微粒與此等表面的相互作用使感光表面的壽 命減少’或藉由再拋光該等表面而移除一層感光表面，可 實質上導致微影裝置之至少操作成本的增加。 為減y it匕等微粒到達投影系統之敏感部分（即投影系統 之感光表面）的可能性，微影裝置包括—流體提供器，其係 配置以沿著感光表面、橫越基板及投影系統之感光表面間 的空間、或橫越基板提供一清除氣流。清除氣體的流動藉 由使微粒偏離其朝投影系統之感光表面的行程，以保護投 影系統的感光表面。 在此背景中，亦值得注意目前之趨勢係針對要求更高數 值孔徑數目NA的更精確投影。此可藉由使投影系統底部靠 近基板而達到。另外或額外地可在投影系統底部及基板間 的空間處提供具有相對較高折射專的流體（例如水）。亦可將 此一浸潰液體施加於微影裝置之其他空間中，例如，介於 遮罩與投影系統之間。浸漬技術在用於增大光學系統（尤其 係投影系統）之數值孔徑的技術中係已為人熟知。一微影裝 105803.doc —可設置有一流體提供器’其係配置以提供該浸漬液體（即 -具有相對較高折射率之液體)，或保持該液體在其適當位 置。該液體可流動以避免局部加熱。該流體提供器因此可 提供一清除氣流，可提供-液體流或保持一液體在宜適當 位置，或可提供提供一氣體與液體之組合。在基板及投影 系統底部間應用流體提供器，及限制投影系統底部及基板 間之距離，導致可用於流體提供器的極有限空間。因而， 流體提供器係經設計以在—限制空間内符合其功能性需 求。提供上述情況，將會瞭解到留作替換該基板的空間很 少。 【發明内容】 人本發明之-方面在於提供:一種其中可替換基板同時仍符 。關於να數值之條件及/或符合良好清除條件的微影裝置。 本發明之一方面提供一微影投影裝置。該裝置包括：一 經構成以支撐一基板之基板支樓件 奴衫糸統’其係配 置以才又衫一圆案化輻射束於基板之—目標部分上；及一框 架’在該框架上係安裝該投影系統的至少—零件。 提供器係配置以在基板及投影系統之下游端間提供：流 體。该裝置亦包括一驅動器，其係與框 α 朱及流體提供器聯 '·，=’且配置以將流體提供器定位；及一去 摆投ν ± 田5玄驅動器將流體 知供盗疋位時用於緩衝振動力之缓衝系統。 本發明進-步方面提供一用於微影裝 叙獎及*姐 κ苑動益。該驅 動益係配置以與一框架及與一元件聯 且％進一步配置 以將該元件定位。該驅動器係設有至少—緩衝系統，用於 I05803.doc 1^388 當该驅動器將元件定位時緩衝振動力。 【實施方式】 圖1概要描述依據本發明一具體實施例之微影裝置。該裝 置包括：-照明系統(照明器)IL，其係配置以調節—輻射束 B(如’ UV輻射或EUV輕射）；_支撑結構(如遮罩台⑽丁， 其係構成以支禮-圖案化元件（如，遮罩）MA，且連接一經 設置以依據某些參數精確地將圖案化元件定位之第一定位 器PM; 一基板台(如，晶圓台)WT，其係構成以保持一基板 (如，塗布光阻之晶il)Wa連接至—經設置以依據某些減 精確地將基板定位之第二***pw;及—投影系統（如， 折射式投影透鏡系統）PS，其係配置以藉由圖案化元件 MA’將賦予於該轄射束B之一圖案投影至基板…之目標部 分C上（如，包括一或多個晶粒）。 該照明系統可包括各種類型的光學組件，如折射、反射、 磁性、電磁、靜電或其他類型的光學組件，或其任何組合， 用於導引、成型或控制輻射。 該支撐結構會支撐該圖案化元件，即承載該圖案化元件 的重量。保持該圖案化元件之方式可根據該圖案化元件的 方位、微影裝置的設計及其他條件（如該圖案化元件是否被 保持於真空環境中）。該支撐結構可使用機械、真空、靜電 或其他炎緊技術來保持該圖案化元件。該支撑結構可為— 框架或工作台，例如視需要可為固定或可移式。該支撐結 構可確保圖案化元件在所需位置，例如相對於該投影系 統。此一框架通常係指如Metr〇 Frame MF。其可由 105803.doc 1323388 或紹製成且在預定溫度處保持在少許毫米之，以 確保其穩定位置。在微影裝置中之許多元件係連接至Metro 巧繼，且提供心在該裝置内定位之相當精確的參考。此 一元件之範例係位置感應器IF。 本文所使用的任何名肖"主遮罩”或”遮罩"皆可視為與更 普通名詞”圖案化元件"同義。 本文中所使用的名詞”圖案化元件"應廣泛地解釋成可用 於以-圖案賦予-輻射束之斷面的任何元件，以便可於該 基板的目標部份中產生一圖荦。 圆系愿/主思的是，被賦予該輻 射束十的圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的 所需圖案，例如，签兮圓安— 右忒圖案包括相位偏移特徵或所謂的協 助特徵。一般而言，妯轴 被賦予忒輻射束的圖案將會對應於欲 產生於該目標部份中士士 件中的一特殊功能層，如積體電 路。 該圖案化元件可為透射型或反射型。圖案化元件之範例 包括遮罩:可程式鏡陣列以及可程式lcd面板。遮罩在微 影技術中係為人孰知，卄 &人 “，、知，並且包含（例如）二元式、交替式相移 及哀減式相移等遮罩類型’以及各種混合遮罩類型。可程 式鏡陣列之範例採用小鏡 卜 鏡的矩陣配置，母一鏡可個別地傾 斜’以便在不同方向中 甲反射入射輻射束。該等傾斜鏡在 一轄射束中賦予-圖案’該輕射束係藉由該鏡矩陣反射。 本文所用的名詞”投影系統，，應廣義地解釋為包含任何類 型的投影系統，包括狀私 斤射、反射、反折射、磁性、電磁及 靜電光學系統，哎复紅Α ^ 次其任何組合，其適合於所用的曝光輻射， 105803.doc 1323388 或其他諸如使用浸潰液體或使用真空等因素。本文所使用 的名詞"投影透鏡"可視為與更普通之名詞，，投影系統"同義。 如本文所述’該裝置係透射型（例如採用透射型遮罩）。 或者疋，该裝置可為反射型（例如使用可程式鏡陣列或使用 反射型遮罩）。 該微影裝置可為具有二（雙載物台）或更多基板台（及/或 二或更多遮罩台）之類型。在此等"多載物台"機器中，可平 φ 行使用額外工作台，或可在一或多個工作台上實施預備步 驟’而將一或多個工作台用於曝光。 »玄被景》裝置可為其中基板之至少一部分可由具有相對較 • 咼折射率的液體（如水）覆蓋之類型，以便填充投影系統及基 . 板間之空間。亦可將浸潰液體施加於微影裝置中之其他空 • 1例如遮罩與投影系統間。浸潰技術在用於增加投影系 統之數值孔徑的技術中係為人熟知。本文所使用之名詞"浸 潰"不意味著為一結構（例如一基板）必須浸入液體中，而係 鲁 僅意味著液體在曝露期間係位於投影系統（尤其係所謂最 後透鏡元件）及基板之間。液體可藉由一流體提供器FP提供 及/或保持在其原處。視需要或另外的是，流體提供器FP係 配置以提供一清除氣體流，以便保護投影系統的底部防止 污染微粒》 /考圖1 ’照明器IL接收來自輕射源so的輕射束。該來源 及該微影裂置可能係分離的實體，例如，當該來源為—激 生分子雷射時0在此等情況下，該來源不應被視為形成微 影裝置之零件，且輻射束係借助包含如適合導引鏡及/或光 105803.doc 1323388

束擴張器之光束輸送系統BD 攸木源SO通到照明器il。在 其他情形下，該來源可為微影裝置的—體零件，例如，春 該來源為水銀燈時。該來請與照明器化，視需要連同光 束輸送系統BD’可稱為一輻射系統。

照明器IL可包括一用於調整韓射束之角強度分布的調整 益AD…般而言’可調整該照明器之—光睡平面中強度分 布之至少外徑及/或内徑範圍（通常分別稱為σ外與心内卜 此外，該照明器IL可包括各種其他組件，諸如_整合器爪 及-聚光器CO。該照明器可用以調節輻射束，以在其斷面 中具有需求之均勻度及強度分布。

輻射束B係人射至圖案化元件（如遮罩MA)上，並藉由該 圖案化元件來圖案化’該遮罩MA係保持於支推結構（如遮 罩台MT)h在行經遮罩MA後，輕射束B穿過投影系統ps， 其將光束聚焦在基板W之目標部分c上。借助於第二*** PW及位置感應器IF(如，—干涉元件、線性編碼器或電容式 感應器）’基板台WT能準確地移動，如以在輻射束B之路徑 中定位不同目標部分C。同樣地，第一***pM及另一位 置感應器（並未明白顯示於圖丨中）可用以相對於輻射束B之 路徑準確地定位遮罩MA，如在—遮罩庫以機械取得或在掃 描期間。一般而言，遮罩台Μτ的運動可藉由長衝程模組（粗 略定位）及紐衝程模組（精細定位）來實現，該等模組形成第 一***PM之部分。同樣地，基板台WT的運動可藉由長 衝程模組及短衝程模組來實現，該等模組形成第二*** PW之部分。在步進機的情形中（與掃描器相反），遮罩台MT I05803.doc ^23388 可能僅連接至短衝程驅動器，或為固定的。可使用遮罩對 準標記Ml、M2及基板對準標bP1、p2來對準遮罩ma與基 板W。雖然所述該等基板對準標記會佔用專用的目標部 分，但其可位於目標部分之空間内（其係稱為劃線道對=標 記）。同樣地，在遮罩MA上提供多於一晶粒的情形中，= 等遮罩對準標記可位於該等晶粒間。 所述之裝置可用於以下至少一模式中：

1.在步進模4中，遮罩台町及基板台资本質上係保持靜 止’同時賦予於輻射束之一整個圖案係一次投影至一目標 部分c上（即翠-靜態曝光）。接著讓該基板台资在乂及/或; 方向中偏#，以便可使不同目標部分c曝光。在步進模式 中，該曝光場之最大尺寸會被限制成單—靜態曝光中成像 的目標部分C尺寸。 2.在掃描模式中’係同步掃描遮罩台mt及基板台射，同 時賦予於輻射束的圖案係投影至一目標部分^ (即單一動 態曝光）。純台WT相對於遮罩台Μτ的速度及方向可藉由 投影系統PS之放大（縮小）倍數及影像顚倒特徵決定。在掃 :模式中’該曝光場之最大尺寸限制單一動態曝光中之目 寬度（在非掃描方向中），而掃描動作之長度決定該目 仏4为之高度（在掃描方向中）。 3.在另-模式中，遮罩台财基本上係靜止地保持_可程 :圖案化-件，且基板台WT係移動或掃描 :之圖案係投影到一目標部分c上。在此模式中 ：

利用一具脈衝之輻射源，且該可程式圖案化元件係在择I 105803.doc 期間基板台WT之每一運動或相繼輻射脈衝間更新。此操作 之杈式可易於應用至利用可程式圖案化元件（例如上述類 型的可程式鏡陣列）的無遮罩微影中。 亦可使用上述模式之組合及/或變化或使用完全不同的 模式》 圖2更s羊細描述依據本發明一具體實施例的微影裝置之 部分。該裝置包括一構成以保持至少一基板…之基板台 WT。裝置進一步包括一配置以投影一圖案化轄射束至基板 w的一目標部分上之投影系統PSe該裝置亦包括一框架 MF(在下文亦稱為Metro Frame),在該框架上係安裝投影系 統的至少一部分。該裝置亦包括一流體提供器Fp，其係配 置以在基板W及投影系統PS之下游端B提供流體。該裝置進 y包括與框架]VIF和流體提供器fp聯結之至少一驅動器 AC。该至少一驅動器AC係配置以至少部分地定位該流體提 供器FP。至少部分地定位流體提供器"之名詞包含將流體 提供器相對於框架MF及/或基板w定位。此可能僅需要一行 程定位，其應由一例如精細定位或額外定位加以輔助或跟 著進行，該精細定位或額外定位由例如另一驅動器或甚至 一單獨與基板W聯結之驅動器實施。 安裝於框架MF上驅動器AC任一側上的係零件pcs，其在 討論圖3至8時將會進一步闡述。圖2中之垂直箭頭aw指示 流體提供器FP係可上下移動，且基板台你丁係可活動，以致 另一基板W係在投影光束聚焦之位置上移動。流體提供器 可移動進入之方向無須一垂直方向。若光軸之方向不同於 105S03.doc 13 1323388 垂直方向及/或晶圓未水平地定位，流體提供器之可動性可 因此與圖中所示方向不同。流體之連接為求簡化未顯示於 圖2中。然而熟習此項技術人士應瞭解此等連接將會連接至 流體提供器FP。儘管僅顯示二驅動器AC，流體提供器Fp可 與一至六個中任何數目之驅動器聯結，即每一自由度—驅 動器。每一驅動器僅部分定位該流體提供器Fp。藉由聯妗 驅動器與Metro Frame MF，且依序流體提供器卯與驅動器 AC，可提供一良好參考，用於定位流體提供器卯。 圖3更詳細地顯示依據本發明用於一微影裝置之驅動器 AC的第一具體實施例。依據本發明之裝置係設置有一緩衝 系統，用於當驅動器AC將流體提供器Fp定位時緩衝振動 力。此流體提供器FP係由虛線概要地顯示在圖3底部。該緩 衝系統亦可適於緩衝產生於流體提供器Fp内之振動力，該 振動力係由於該流體提供器Fp受到與驅動器从之動作無: 關的至少一現象開始運動（諸如流體之流動）所造成。應注音 的是，在所示的具體實施例中，緩衝系統與驅動器^係^ 少部分彼此整合。換句話說’某些零件可執行與定位完全 相關之功能，並且此等零件因此係驅動器之零件。在此文 中之線圈可視為驅動器的零件。其他零件可執行與緩衝完 全相關之功能。此等零件係緩衝系統之零件。彈簧及^ 可:於:群組之零件。另一群組之零件執行與驅動及:二 二者相關之功能。在此情況下’緩衝系統及驅動器係至少 部分地整合。具有質量且與驅動号 ” 勒益之線圈相互作用的磁性 材料可被視為屬於驅動器及緩衝系統二者的零件。緩衝系 I05803.doc •14- 1^23388 統的-些零件（例如零件pcs)未與驅動器Μ整合在 請注意零件之功能，一般應 起。 驅動哭Λ〜 域月瞭在圖3到8中之零件將屬於 駆動态AC及緩衝系統cs，其中 CS，…… 甲有二零件僅屬於緩衝系統 且有些零件將僅屬於驅動器AC。亦應瞭解由於 統’驅動高速率及高頻率定位流體提供器即，' 而不會傳遞主振動力至Metr〇 Frame Mf。 在驅動器AC和緩衝系統至少部分整合在一起之且體實 施例中’㈣係參考係指㈣器/緩衝系MC/cs。驅動^ 緩衝系統AC/CS係設置有—第—f量M1，其係連接至 Frame MF。質iMl包括一材料MP1，其係適用於電磁鐵。 質量⑷的-零件（即，零件Μρι)係由—環形凹件術圍繞。 線圈ci係部分地***環形凹件AR1。藉由引入一電流通過 線圈C 1 ’取決於電流方向，在此範例中的線圈c〗可在圖中 之垂直方向（由箭頭AW指示）上下移動’因而以此項技術中 已知的方式成為一電磁鐵。線圈C1係連接至質量M2。M2 的至少一零件（由MP2指示）亦包括適用於電磁鐵之材料。同 樣地，質量M2的此等零件MP2係由一環形凹件AR2圍繞， 線圈C2係***該凹件AR2。線圈C2係經由一桿件BR進一步 連接至流體提供器FP。流體提供器Fp本身係僅概要地顯示 在圖3中且在圖4-8中省略。藉由引入一電流通過線圈C2， 取決於電流方向，該線圈可在環形凹件AR2中如一電磁鐵 般上下移動。緩衝系統包括可相對於框架MF且相對於流體 提供器FP移動之至少一質量M2。因此，從流體提供器FP傳 遞到質量M2(本質上係無動力）之振動力不需要自質量M2 105803.doc 15 1323388 傳遞到框架MF。質量M2將使用緩衝或減輕此等振動力。為 求明顯，由線圈C 1延伸到C2的電線未顯示。 在圖3所示的具體實施例中，質量M2係藉由磁力與Metro Frame MF聯結，並且此等磁力可產生如下。堅實地連接至 Metro Frame MF的係零件PCS，其將磁鐵MGF保持在一預定 位置。同樣地，質量M2在預定位置係設置有磁鐵MG2。應 注意磁鐵MGF及MG2的極性（以N及S指示）係使得該等磁鐵 彼此吸引。當驅動器保持流體提供器FP(至少與基板相對） 時質量M2將被保持的位置，係對應於一在該處每一磁鐵 MGF皆靠近磁鐵MG2其一之位置。如圖示，所有此等磁鐵 可為永久磁鐵。然而，可使用電磁鐵。 在圖3所示的具體實施例中，質量M2亦係由磁力與流體 提供器FP聯結。流體提供器FP係設置有一桿件BR，其穿過 一設置於質量M2中之通道C。桿件BR係在一直接朝向質量 M2之一末端處，且係設有至少一磁鐵MG3。質量M2亦可設 有一磁鐵，其可與設置在桿件BR末端之磁鐵MG3相互作 用。在圖3所示的具體實施例中，桿件之末端係設有二分離 的磁鐵。與一磁鐵MG2相互作用之各個此等磁鐵MG3係設 置在質量M2中。磁鐵MG2亦可與零件PCS中的磁鐵MGF相 互作用。然而，質量M2亦可具有不同組之磁鐵，用於與設 置在PCS中之磁鐵且與設置在桿件BR中的磁鐵相互作用。 磁鐵之極性係當沒有電流行經線圈C2時，使得流體提供器 FP保持在一離基板之預定距離處。當沒有電流行經線圈C1 時，此可能相對於零件PCS而均等地應用於質量M2之定 I05803.doc -16- 1323388 位。換句話說，當電力未供應至線圈Cl及C2時，驅動器Ac 係配置使得流體提供器FP不接觸基板W或基板台WT。在預 料外的電力切斷時，流體提供器FP係移動或保持在一其無 法接觸基板w或基板台WT之位置處。此意味著行經C2之電 流應會使得在操作中，即當驅動器傾向於至少部分地定位 流體提供器FP靠近基板W，流體提供器Fp應被強制自—其 中係由磁鐵MG2和MG3和MGF保持之位置移離。 ^ 如發生在圖3所示的具體實施例中，磁力的使用可具有在 不同零件間沒有機械接觸發生之優點。因此，振動力不會 以機械方式傳送。將電磁鐵用於驅動可允許相對較容易的 操作。 . 如圖3所示之驅動/緩衝系統係運作如下。當在基板台放 : 置一基板時，流體提供器FP係向上移動以產生一些空間。 在晶圓替換後，流體提供器FP可移向基板。當流體提供器 FP係應該移向基板時，線圈C2中之一電流將會運行，以致 # 零件3(即流體提供器FP)將會在桿件BR上所示箭頭AW之方 向中移向基板。產生的電磁力將必須部分克服在屬於“2之 磁鐵MG2及屬於零件3之磁鐵]^(33間的磁力。當流體提供器 FP係應該移離基板時，零件3將在桿件BR上顯示之箭頭方 向t向上移動。此可藉由停止在線圈〇中運行的電流完 成’其可導致桿件BR未受控制的加速，或者藉由緩慢減少 在線圈C2中運行的電流，從而導致極度受控制的向上返回 運動。後者應將極少的振動力引入驅動器及/或緩衝系統 中。然而，可能需要高頻及高速，其可能在驅動流體提供 105803.doc 1323388 器FP遠離基板W/基板台WT之方向中，或在朝向基板W/基 板台WT之方向中時，仍引入振動力。當振動力產生時，高 頻振動不應傳送至Metro Frame MF，因為缓衝系統（包括如 聯結流體提供器FP和質量Ml及/或Metro Frame MF之質量 M2)應會”吸收"此等振動。低頻振動可能會傳給Metro Frame MF ;然而，此等產生結果並非實際問題。 在圖3所示之一具體實施例中，其可定位磁鐵MG2及 MGF，使得平均電流（考慮到電流之二方向）之絕對值儘可 能低，以產生儘可能少之熱，因此避免在質量Ml係連接至 Metro Frame MF之位置處之Metro Frame MF的局部加熱。 可藉由孔徑AB所指在零件PCS中提供空氣軸承，其在質 量M2移動時導引質量M2且減少磨擦。空氣軸承亦可形成緩 衝系統之零件。 可如此應用空氣軸承以設置一些另外的阻尼器。 應注意的是，流體提供器FP在其底端附接之桿件BR，係 被限制在其可移離零件M2之範圍中。桿件BR延伸進入質量 M2之一空穴CA内，且其延伸於該空穴内之末端處的形狀， 使得其無法穿過通道C。此可在磁鐵MG3和MG2非永久磁鐵 而係電磁鐵（其當發生電力切斷時傾向於失效）之情況下，提 供進一步之安全性。 如先前所指，圖3所示具體實施例中之緩衝系統亦能夠在 驅動器不將流體提供器FP定位，但當振動力因為流體提供 器由於與驅動器AC動作無關的至少一現象開始之運動（諸 如流體之流動）產生時，相對於Metro Frame MF隔離振動力。 105803.doc -18* 圖4顯示的具體實施例係與圖3類似，除了其具有兩質 置，質量M2及質量M3之事實，其係可相對於框架MF及相 對於流體提供器FP二者移動。此等質量厘2和M3亦係可彼此 相對地移動。由於每一質量應能吸收一些振動頻率的事 實，此緩衝系統應甚至能更有效地吸收振動力。此可改進 流體提供器之定位而不在Metr〇 &請的穩定性方面妥

協，進一步導致在基板W中產生之特徵尺寸的良好及可再 製性品質，且因此導致良好的覆蓋。 圖5顯示圖3之具體實施例中的磁鐵MGF、MG2及MG3係 由彈性兀件（諸如彈簧SP)替換之具體實施例。雖然此等彈 簧SP允許在緩衝系統/驅動器之不同零件間的一些”串擾，，但 使用彈簧之優點在於所有零件皆連接’且因此由於例如電 力切斷而突然移走磁力將不會導致任何零件落下。 圖6係可比擬圖4所示的具體實施例，除了所有磁鐵

MGF、MG2、MG3皆用彈簧替換的事實。當討論圖$時所作 陳述可同等地應用於圖6。 圖7及8顯示並非所有在 及MG3均需由彈簧sp替換 MG3。 具體實施例中的磁鐵MGF、MG2 。例如，可僅由彈簧SP替換磁鐵 參考圖3所提之解釋一般而言係適用於圖… 熟習此項技術人士將能藉由例行實驗確認何種磁鐵的強 度、質量之尺寸等等可導致最佳結果。 應記住的是，儘管在以上描述中"驅動"係指由例如_電 磁力起始’但藉由施加流力可能發生之驅動亦額外或另外 105803.doc 洛入本發明之範圍。 中不需要之」 動器起始之 位之驅動器. 益。反之，一根據本發明之驅 φ 台之運動而移動流體提供器至 動器。因此，在一褂嵚驻荖由 美國已公告專利申請案第2003/0197914 驅動器，其— A1號描述一種

2〇〇3/〇 197914 A1中所揭)係不同於根據本發明描述之驅動 益及微影襄置。 雖然可設計驅動器/緩衝系統以致達到相對於由箭頭a w : 所指之方向中的圓柱狀對稱，熟習此項技術人士亦可應用 另一幾何形狀。 雖然本文特定參考到製造積體電路（1C)時使用的微影裝 • 置，但應了解此處所述之微影裝置可具有其他應用，例如 製造整合型光學系統、導引和偵測圖案用於磁域記憶體、 平面面板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等。熟習此 項技術人士應了解到’就此等替代應用之背景而言，本文 使用的名詞”晶圓"或'’晶粒"可被分別視為更普通名詞"基板” 或”目標部份"的同義詞。本文所參考的基板可在曝光之前 或後，在如一軌（通常可將一光阻層施塗到基板上並顯影已 曝光光阻的工具）、度量衡工具及/或檢驗工具中進行處理。 在可應用時，本文之揭示可應用於此等及其他基板處理工 105803.doc •20· 1323388 具。此外，例如為產生多層Ic，可對基板進行一次以上的 處理，以致本文所用名詞"基板"亦可指已包含多層經處理 層的基板。 雖然以上特別參考本發明在光微影的使用之具體實施 例，但應明白，可在其他應用中使用本發明，例如壓印微 影，且若情況允許，並不限定於光微影技術。在壓印微影 中’-圖案化7L件中的布局可定義在基板上所產生的圖

案。可將該圖案化元件之布局|製成一層#應至基板的光 p且，其中該光阻係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合 來固化。在光阻固化後，將圖案化元件上的光阻移除，在 其中留下一圖案。 束涵盍所有類型的電磁輻 ’波長為或約365、248、193、 本文所用名詞"輻射"及"光 射’包括：紫外線（UV)輻射（如 157或126奈米）及遠紫外線（EUV)輻射（如，波長在$至別奈 米範圍之間），以及如離子束或電子束之粒子束。

名詞"透鏡"若允許時可指任一光學組 組件之組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光Ϊ: 件。 雖然以上已描述本發明之特定具體實施例，但應明瞭， 本發明可用上述外的其他方式來實施。例如，本發明可採 取電腦程式之形式’該電腦程式含有機器可讀取指令的一 或：個：列’其說明如上揭之方法”戈其中儲存有此電腦 貝枓儲存媒體（如，半導體記憶體、磁碟或光碟）。 以上描述為說明性而非限制性的。因此，熟習技術人士 105803.doc 將明白可對本發明進行修改 圍之範疇。 【圖式簡單說明】 而不會脫離下列申請專利

以j已僅藉由舉例方式並參考隨附示意圖說明本發明之 具體實施例’纟中對應的參考符號指示對應的部分 中： # 圖1描述依據本發明一具體實施例之一微影裝置； 圖2更詳細描述圖i中依據本發明一具體實施例之微影聿 置的一部分； ~ 圖3概要描述依據本發明一具體實施例之驅動器成為微 影裝置的一部分； 圖4概要描述依據本發明一具體實施例之驅動器成為微 影裝置的一部分； 圖5概要描述依據本發明一具體實施例之驅動器成為微 影裝置的一部分； 圖6概要描述依據本發明一具體實施例之驅動器成為微 影裝置的一部分； 圖7概要描述依據本發明一具體實施例之驅動器成為微 影裝置的一部分；及 圖8概要描述依據本發明一具體實施例之驅動器成為微 影裝置的一部分。 【主要元件符號說明】 3 零件 AB 孔徑 105803.doc 、22· 1323388

AC AD AR1 AR2 B BD BR

Cl C2 CA CO CS FP IL

IN Ml M2 M3 MA MF MG1 MG2 驅動器 調整器 環形凹件 環形凹件 輻射束/下游端 光束輸送系統 桿件 目標部分/通道 線圈 線圈 空穴 聚光器 緩衝系統 流體提供器 照明器 位置感應器 整合器 質量/對準標記 質量/對準標記 質量 遮罩 框架 磁鐵 磁鐵 105803.doc 23 - 1323388

MG3 磁鐵 MGF 磁鐵 MP1 零件/材料 MP2 零件 MT 支撐結構/遮罩台 PI 對準標記 P2 對準標記 PCS 零件 PM 第一*** PS 投射系統 PW 第二*** so 輻射來源 SP 彈簧 w 晶圓 WT 晶圓台

105803.doc •24-

Claims (1)

1. $年4月//日修正本 第094141633號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(98年8月） 十、申請專利範圍： ~ 1· 一種微影投影裝置，其包含： -基板支撐件’其係經構成以支撐一基板； -投影系統，其係配置以投影一圖案化輻射束於該基 板之一目標部分上； 一框架’在該框架上係安裝該投影系統的至少一零件； 一流體提供器’其係g&置以在該基板及該投影系統之 一下游端間提供一流體； 一驅動器，其係與該框架及與該流體提供器聯結，且 配置以將該流體提供器定位；及 緩衝系統，其係當該驅動器將該流體提供器定位時 用於緩衝振動力； 其中該緩衝系統與該驅動器至少部分相互整合，使該 驅動器之至少一部分經建構及配置以執行與驅動及緩衝 相關之功能。 月长項1之微景> 裝置，其中該緩衝系統實質上將該振動 力與該框架隔離。 3 ·如π月求項1之微影裝置’其中該緩衝系統實質上將產生於 該"Μ·體提供器内之其他振動力與該框架隔離，該其他振 動力係由於該流體提供器受到與該驅動器之動作無關的 一現象開始運動所產生。 4. 如咕求項3之微影裝置，其中該現象包括該流體的流動。 5. 如請求項1之微影裝置，其中該流體係一清除氣體。 6. 如求項1之微影裝置，其中該流體係一液體。 105803-980819.doc 如哨求項1之微影裝置，其中該緩衝系統包含一可相對於 ^杧架且相對於該流體提供器活動之質量。 8.=料項7之微影裝置，其中該質量係藉由磁力與該流體 ^供器及/或該框架聯結。 9·如％求項8之微影裝置，其中該磁力係使用至少一永 鐵產生。 如》月求項8之微影裝置，其中該磁力係使用至少一電磁鐵 產生。 11.如請求項1 〇之微影裝置. 加或減少電磁力而驅動。 其中該驅動器係配置以藉由增 12. 13. 如：求。項11之微影裝置，其中該裝置係設有一永久磁鐵 及或彈性兀件，其係安置使得當該驅動器發生電力切斷 時使該流體提供器移離該基板。 如叫求項7之微影裴置，其中該質量係藉由一彈性元件與 該流體提供器及/或該框架接合。 /、 14·如請求項7之微影裝置，其 該質量運動的空氣軸承。 中該緩衝系統係設有用 以導引 15. 種用於冑影裝置之驅動器，其中該驅動器係配置以 =-框架及與1件聯結，且係進—步配置以將該元件 夂位J'其中該驅動器係設有至少-緩衝系統，用於者 該驅動器將該元件定位時緩衝振動力，及其中該緩衝： 統係配置以將產生於該元件内之其他振動力與該框架隔 離，該其他振叙士# , 、動力係由於該元件受到與該驅動器之 無關的至少—現象而開始運動所產生， 105803-980819.doc 1323388 其中泫驅動器之至少一部分經建構及配置以執行與驅 動及緩衝相關之功能。 16. 如請求項15之驅動器，其中該緩衝系統實質上將該振動 力與該框架隔離。 17. 如凊求項15之驅動器，其中該元件係一流體提供器且該 現象包括該流體提供器中一流體的流動。 1 8 ·如请求項17之驅動器，其中該流體係一清除氣體。 19_如請求項17之驅動器’其中該流體係一液體。 β 20.如請求項1 5之驅動器，其中該緩衝系統包含一質量當 s玄驅動器係與該框架及該元件聯結時，該質量可相對於 該框架且相對於該元件活動。 ' 21，如請求項20之驅動器，其中該質量係配置以藉由磁力與 該元件及/或該框架聯結。 22.如請求項2 1之驅動器，其中該磁力係使用至少一永久磁 鐵產生。 Φ 23.如請求項21之驅動器，其中該磁力係使用至少一電磁鐵 產生。 24. 如請求項20之驅動器，其中該質量係藉由一彈性元件與 該元件及/或該框架聯結。 25. 如請求項15之驅動器，其中該驅動器係配置以藉由增加 或減少電磁力而驅動。 26. 如請求項25之驅動器，其中該驅動器係設有至少一永久 磁鐵及/或一彈性元件，係农罢你〜此 > 々 ^ 八係女置使得當該驅動器發生電 力切斷時使該元件在一預定方向中移離。 105803-980819.doc 1323388 27. 如請求項15之驅動器’其中該緩衝系統係設有用以導弓丨 該質量運動的空氣軸承。 28. —種用於一微影裝置之驅動器，其中該驅動器係配置£ 與一框架及與一流體提供器聯結，且係進一步配 息U將 該流體提供器定位，且其中該驅動器係設有至少〜 . 緩衝 系統，用於當該驅動器將該流體提供器定位時 1藏衝振動 力， 其中該驅動器之至少一部分經建構及配置以執行與。 動及緩衝相關之功能。 ' 29. 如請求項28之驅動器’其中該流體係一清除氣體。 30. 如請求項28之驅動器，其中該流體係一液體。 105803-980819.doc