TWI321163B - Gas providing member and processing device - Google Patents

Description

1321163 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於供氣構件及使用供氣構件之處理裝 置。 【先前技術】 曰以往在半導體製程或液晶製程，有對半導體基板或液 晶基板等之基板進行加熱處理的加熱構件。為了將氣體供 給這種加熱構件所保持之基板上，提議將環構件配置於力'口 熱構件之周圍的處理裝置㈠寺開平2〇〇2_93894號公報）。 可是，如第1圖所示，在以往的環構件22〇和加熱器 210之間所形成的供氣路225，改變氣流的方向之面係 平坦。因而’在該平坦之面224產生氣流之擾動。由於這 種擾動之氣流X，難將氣體更安定地供給基板2。 【發明内容】 本發明之目的在於提供可將氣體安定地供給處 物之供氣構件及處理裝置。 本發明之-實施形態的處理裝置，包括··保持處 象物之處理構件；及配置於處理構件之周圍的供氣構件。 本發m施形態的供氣構件包括本體部，在和處 件之間形成將氣體供給至處理對象物上的供氣路。而且， 在本體部形成位於供氣路之途μ ,㈣積存$卜 若依據這種供氣構件及處理裳置，藉由在位於供氣路 7066-7545-ΡΡ 5 丄叫163 之途中的氣體積存部產生氣流之擾動，可減少供給處理對 象物之氣流的擾動。因而，可將氣體安定地供給處理對象 物0 【實施方式】 如第2圖所示，處理裝置〗包括有加熱構件1〇及供氣 構件20處理裝置1對處理對象物進行各種處理。處理對 象物例如有半導體基板或液晶基板等之基板。以下，以處 理裝置1對作為處理對象物之基板2進行加熱處理的情況 為例說明。 加熱構件1 〇係保持處理對象物，並對處理對象物進行 處理的處理構件之…加熱構件10對處理對象物進行加熱 處理°加熱構件1G具有基板放置面IGa，將基板2放置於 基板放置面1Ga。然後，加熱構件10將基板放置面10a上 之基板2加埶。 將供氣構件2Q配置於加熱構件Π)之周圍。更具體而 :’將供_ 20配置於基板放置面m之周目。供氣構 在和加熱構件1G之間形成供氣路25 ,將氣體供給處 理對象物上。具體而言，供氣 ^ ± 诉氣構件20將氣體供給被放置於 基板放置面l〇a上的某妬 ^.— 基板2°所供給之氣體有使在基板2 之處理安定化之環培裔骑 ^ 现體、反應氣體等。在環境氣體上例 可使用氮氣、氩氣、氦氣等。 其次’詳細說明供翁禮杜 垃。 _ 乳構件20、加熱構件10。如第2圖、 第3圖所示，供氣構件 干U匕括本體部21。本體部21在和

7066-7545-PF 1321163 ^熱構件10之間形成將氣體供給處理對象物上的供氣路 具體而言’本體部21包括有筒狀部心上板部23。 清狀4 22在和加献禮杜a" 冗… 的側面1〇C之間形成供氣路 之^ ’可形成具有從加熱構件10之下方往上方的路徑 之供乱路25。上板部23在和加熱構件_上面咖之間 形成供氣路25。因而，可炉戒且古… 了形成具有仗加熱構件1 0之外周 在内側的路徑之供氣路2 5。 "本體部21可作成因應於加熱構件！。之形狀的形狀。 '如’在加熱構件10之外周形狀為圓形的情況，可將筒狀 ?作成圓筒形。而在加熱構件1〇之外周形狀為多角门： 的情況’可將筒狀部22作成唐筒 其姑作成角诗形。又，加熱構件10在 ^放置面W的周圍之比基板放置面…更低的位置且 有環形之上面⑽的情況，可將上板部23作成環形。，、 此外，關於本體部21之大小，例如筒狀部22之厚度 if:所寬^上板部23之厚度或寬等，使在和加熱構件 形成的供氣路25之寬度為㈣随較佳。供氣路 25之寬度為2〜1〇mm更佳。 在本體部2!形成氣體積存部24。氣體積存部^位於 供虱路25之途中。氣體積存於氣體積存部24，在氣流產 :擾動。即’在位於供氣路25之途中的氣體積存部以可 產生亂體的擾動。結果’可減少供給係處理對象物之基板 的風流之擾動。因而，可將氣體安定、圓滑地供給基板2。 氣體積存部24只要在供氣路25之途令形成即可，雖

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LOJ ’、、、未限疋其位置，但是形成於改變氣流之方向的位置較 佳。據此，可在氣體積存部24產生大的氣流之擾動，可更 加抑制供給基板2之氣流的擾動。因而，可將氣體更安定 地供給基板2。 例如，如第2圖所示，在將由供氣路25之下方往上方 的氣流A改變成由供氣路2 5之外侧往内側的氣流c之位 置，可形成氣體積存部24。因而，在氣體積存部24，可產 生擾動之氣流B。結果，可減少通過氣體積存部24之下方 後向基板2上所送出的氣流c之擾動。 又，氣體積存部24形成於供氣路25之上方（向基板2 送出氣體的面）較佳。據此，可減少位於接近加熱構件工〇 所保持之基板2的氣流c之擾動。因而，可將氣體更安定 地供給基板2。 在氣體積存部24上，例如如第3圖所示，可形成繞本 體部21 —周之環形的槽.未限定氣體積存部24(槽）之截 面形狀，可作成矩形、半圓形等。氣體積存部24(槽）之寬 度係卜10關較佳。氣體積存部24(槽）之深度係卜1〇咖較 佳。又，氣體積存部24(槽）不必形成為繞本體部21 一周， 亦可形成間隔地設置。 氣體積存部24如第3圖所示亦可形成於本體部21之 上板部23，亦可如第4A圖所示之供氣構件2〇a般形成圓 疴邛22a本體部21a包括有圓筒部22a和上板部23a。在 將由供氣路25之下方往上方的氣流A改變成由供氣路25 之外側往内側的氣流c之位置，形成氣體積存部24。在氣

7066-7545-PF Ιϋ：) 體積存部24a可產+α 生擾動之軋流Β。結果，可減少通過氣 體積存部243之侧方後向基板2上所送出的氣流C之擾動。 本體°Ρ 21以陶究形成較佳。本體部21例如可含有氮 化1呂⑽）、氮化石夕⑻朴碳化石夕（SiC)、氧化銘⑷2〇3)、

SiAlON等。據此’可提供耐#性或耐熱性優異的供氣構件 20 〇 •這種供氣構件20例如可如以下所示製作。將主成分之 陶竞粉末和助燒結劑混合，調配陶究原料粉末。對陶竞原 料#末添力σ H劑 '水、分散劑等並混合’製作料裝。藉 由利用噴霧造粒法將料漿製丸而製作製丸粉。使用製丸 粉，利用模具成形法、CIP(C〇ldIs〇staticPressing)法、 滑移鑄造法等成形方法，製作成為本體部Μ H 體。 、根據因應於陶竟粉末之種類的燃燒條件，利用熱壓法 或昂壓燒…法等之燃燒方法，將陶瓷成形體燃燒，而製作 以陶資所形成之本體部21。而且，在本體部2卜利用加工 形成氣體積存部24，而可得到供氣構件2〇。 或者’藉由製作形成氣體積存部24之陶£成形體並燃 ’疋亦可得到形成氣體積存部2 4之供氣構件2 〇。 此外’亦可分開地製作筒狀部22和上板部23，利用 使用接合劑之固態接合法或液態接合法等將筒狀部。和 上板部23接合，而製作本體部21。在此情況，可製作形 成氣體積存部24之上板部23，或形成氣體積存部…之 筒狀部22a。在上板部23或筒狀部…’料在燃燒後利

7066-7545-PF 用加工形成氣體積存部24、24亦 積存部24、24ae 亦了在成形時形成氣體 加熱構件10包括：基體u、電阻發熱體Μ、管 U、供電構件、及絕緣管15。基 金此 # 土瓶11保持係處理對 之土板2。基體η例如可作成圓盤形、多角形之板狀。 土 匕括.下。"lb ’形成供氣構件20之筒狀部 Μ和供氣路25;及上部Ua，形成供氣構件⑼之上板部 Μ和供氣路25。上部Ua具有基板放置面心。下部叫 具有上面i〇b。將下部llb之直徑（寬）設成比上部lla更 大。 在基體11形成供氣路llc。供氣路Uc將由管狀構件 13所供給之氣體向在和供氣構件2〇之間所形成之供氣路 25導引、供給。從基體j丨侧面朝向基體1丨中央形成供氣 路He。可形成複數個供氣路Uc。例如，供氣路uc亦可 間隔180度形成2個，亦可間隔12G度形成3㈤，亦可間 隔90度形成4個。 此外，在基體11之下面（和基板放置面1〇a反側的 面），形成貫穿孔lid。貫穿孔lld連接供氣路llc和管狀 構件1 3，而將由管狀構件丨3所供給之氣體向供氣路〗i c 導引® 基體11可用陶瓷形成。基體11例如可含有氮化鋁、 氮化矽、碳化矽、氧化鋁、siA10N等。據此，可提供耐蝕 性或耐熱性優異的加熱構件10 基體u含有氮化鋁更佳。 據此’可提高基板放置面l〇a之均熱性。 7066-7545-PF 10 且發熱體12埋設於基體u。電 力供給而發埶电丨货…、體12接党屬 ·、、、 使基板放置面l〇a之溫产卜旦 ^ 體12例如可用^ ^ 度上昇。電阻發费 用呵溶點材料形成。電阻發埶體 用鎢、鉬、鎧〜力人 〜贯…體12例如可利 .^ 1〇 鉬。金、碳化鎢、碳化鉬等形成。$/&@ 熱體12之形能± — 乂 ％阻發 < ^態未限定，例如可使用印 末之印刷膏者、古—x j 3啕回熔點材料粉 或薄片（箱）、利 深圈狀f狀專塊體 υ用CVD或PVD之薄膜算。7 兩 12的形狀亦未阳―1糾 、寺又，電阻發熱體 . g . 、疋，可装成渦捲狀、網狀、鑽孔來壯r、、* ^ 、具有複數個折回部的形狀等。 ' 管狀構件〗3支持某㉟n 入且挪1 等基體11。又’管狀構件13將齑胪以 入基體u之供氣路llc，而 體引 和基體11之貫穿力± 隹s狀構件13，形成 穿孔11 d連接的氣體引入 ^ 構件13在其内部收容 a又，官狀 管狀“及絕緣管15。 13利用使轉合劑之固態接合如’管狀構件 體】丨接合。在此情況，可將基趙=二接合法等’可和基 可麵管狀構件13之氣㈣入路13二狀構件13-體化， 11c的氣密性。或者， 基體11之供氣路 屬塾圏等之密射桩入 件13亦可藉由使用〇環或金

囿寺之妆封接合，和基體u接人_ 乂I 狀構件13之氣體引入路13ai〇i D。因而，亦可確保管 密性。 1之供氣路lie的氣 管狀構件13可和基體 管狀構件13用種類和基體 供電構件14將電力供 U—樣地用陶竞形成。尤其 11相同的陶竞形成較佳。 給電組發熱體12。.供電構件

7066-7545-PF 11 14 和電阻發熱體1 π > … 電乳式連接。供電構件14和電阻發熱 體=可利用焊接、炫接、共晶、歛縫接合、嵌合、螺絲固 疋連接、供電構件14可使用供電桿、供電線、供電桿和 二電線之複„體等。供電構件14 S金屬形成較佳，用鎮形 成更佳。將供_14收容於絕緣管⑽。絕緣管15和 基體11之下面接合。 ▲此外，本發明未限定為上述之實施形態，可進行各種 變更。例如’如第4B圖所示，可作成具有複數個氣體積存 部241、242之供氣構件2〇b。具體而言，在本體部仙形 成複數個氣體積存部241、242。 在筒狀部22b形成氣體積存部242。在將由基體11之 供氣路11c所供給之氣流D改變成由供氣路25之下方往上 方的氣流A之位置’形成氣體積存部242。因而，在氣體 積存部242，可產生擾動之氣流B1。結果，可減少通過氣 體積存部242之侧方後朝向上方的氣流a之擾動。 在上板部23b形成氣體積存部241。在將已減少擾動 之氣流A改變成由供氣路2 5之外側往内側的氣流c之位 置，形成氣體積存部241。因而，在氣體積存部241，可產 生擾動之氣流B2。結果，可更減少通過氣體積存部241之 下方後朝向基板2上所送出的氣流C之擾動《如此，藉由 設置複數個氣體積存部241、242，可更減少氣流之擾動。 此外，加熱構件10可包括產生靜電吸力之靜電電極， 或激發反應氣體之高頻電極。具體而言’可在基體11亦埋 設靜電電極或高頻電極。又，在處理構件上，除了加熱構 7066-7545-PF 12 丄丄 件10以外，可使用對基板2進行電漿處理的電漿處理構 件，或進行藏鍵處理的減錄處理構件。 實例 製作如第2圖、；^ 3圖所示之供氣構件2〇。將氮化铭 粕末95重量％和氧化釔粉末（助燒結劑）5重量％混合，調 配陶竟原料粉末。對陶竟原料粉末添加黏結劑（ρνΑ)、水、 分散劑等，使用球磨粉機混合，製作料聚。使用喷霧乾燥 ^將料漿喷霧乾燥，而製作製丸粉。使用製丸粉，利用模 具成形法，製作成為本體部21之陶兗成形體。使用熱麼法 將陶瓷成形體在氮氣環境以186〇 t燃燒。 在本體部21之上板部23,使用MC(Machining Center) .加工，形成氣體積存部…具體而言，寬度及深度係5fflm， 形成截面為矩形之環形槽，作為氣體積存部24。 /將所製作之供氣構件2G配置於加熱構件Μ的周圍， 而形成供氣路25。由管狀構件13之氣體引人路…引入 • 2Gs㈣（standardcc/min)之作為環境氣體的氮氣。經由在 基體11之供氣路lle、加熱構件lG和供氣構件別之間所 形成之供《I路25 ’可將環境氣體安定、圓滑地供給被放置 於基板放置面l〇a的基板2上。 【圖式簡單說明】 第1圖係以往之環構件及加熱構件的部分剖面圖。 第2圖係本發明之實施形態的處理裝置之剖面圖。 第3圖係本發明之實施形態的供氣構件之平面圖。

7066-7545-PF 13 1321163 第4A圖及第4B圖係本發明之實施形態的供氣構件及 加熱構件的部分剖面圖。 【主要元件符號說明】 1處理裝置' 2基板、 10加熱構件、 10a基板放置面、 • 1 Ob上面、 I 0 c側面、 11a上部、 lib下部、 11c供氣路、 II d貫穿孔、 11基體、 1 2電阻發熱體、 • 13管狀構件、 14供電構件、 1 5絕緣管、 20供氣構件、 21本體部、 22筒狀部、 23上板部、 24氣體積存部、 7066-7545-PF 14 1321163 25供氣路、 B、C氣流

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Claims (1)

1321163 第095108704號中文申請專利範圍修正本 修正日期：98·6.23

Α-' 十、申請專利範圍： 1. 一種供氣構件，包括： 處理構件，保持處理對象物，其中該處理構 該處理對象物進行加熱處理的加熱構件； 面之具有上板部’在該上板部和該處理構件的上 面之間形成供氣路； 务 氣體積存部，形成於盘該虑；I?描· >»· 面平行的該上板部； 處構件的-基板放置 面平St積存部’形成於與該處理構件的該基板放置 =1 部的另一板部，”該上板部和該另-板 顧處理構件的該基板放置面的距離不同。 :·如申請專利範圍第2項之供氣構件，其中 +和冓件側面之間具有形成該供氣路的筒狀部/ 範㈣1項之供氣構件，其中該第-氣 、 ’、ν成於改變該氣流之方向的位置。 4.如申請專利範圍 體積存部係形成;^構件，其巾該第-氣 取7、孩供氣路之上方。 其中該本體部 5·如申請專利範*1第1項之供氣構件 以陶瓷形成。 6. 一種處理裝置，包括： 處理構件，保持處理對象物；及 供乳構件，配置於該處理構件之周圍； '亥供氣構件包括本體部，立中竽 在該上板部和該處面具有上板部， 苒仟的上面之間形成將氣體供給至該 7066-7545-PF1 16 i^21163 處理對象物上的供氣路； 第—氣體積存部，形成於與該處理構件的一基板放置 面平行的該上板部； 第二氣體積存部，形成於與該處理構件的該基板放置 f平行的該本體部的另一板部，其中該上板部和該另一板 # α玄處理構件的該基板放置面的距離不同。 7.如申a月專利範圍第6項之處理裝置，其中該處理構 件係對該處理對象物進行加熱處理的加熱構件。

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